JP6174838B2 - Suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of suspension substrate - Google Patents
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Description
本発明は、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板に関する。 The present invention relates to a suspension board in which corrosion of a terminal portion is prevented.
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、例えば、金属支持基板(例えばステンレス鋼)、絶縁層(例えばポリイミド樹脂)、配線層(例えば銅)、カバー層(例えばポリイミド樹脂)がこの順に積層された基本構造を有する。 In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. The suspension substrate (flexure) used in the HDD is, for example, a metal support substrate (for example, stainless steel), an insulating layer (for example, polyimide resin), a wiring layer (for example, copper), and a cover layer (for example, polyimide resin) laminated in this order. It has a basic structure.
また、配線層およびカバー層の間には、配線被覆層(例えばNiめっき)が設けられる場合がある。配線被覆層を設けることで、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを防止できる。さらには、配線層およびカバー層の密着性を向上させることもできる。また、サスペンション用基板の配線層は、通常、記録再生用素子または外部回路基板との電気的な接続を行う端子部を有する。この端子部の表面には、腐食防止の観点から、Niめっき等の端子めっき部を設けることが知られている。 In addition, a wiring covering layer (for example, Ni plating) may be provided between the wiring layer and the cover layer. By providing the wiring covering layer, the metal constituting the wiring layer can be prevented from diffusing into the cover layer. Furthermore, the adhesion between the wiring layer and the cover layer can be improved. In addition, the wiring layer of the suspension substrate usually has a terminal portion that is electrically connected to the recording / reproducing element or the external circuit substrate. It is known that a terminal plating part such as Ni plating is provided on the surface of the terminal part from the viewpoint of preventing corrosion.
端子めっき部の端部は、特に腐食の影響を受けやすい。そのため、端子めっき部の端部の構造を工夫する試みが知られている。例えば、特許文献1の図2においては、配線被覆層の端面、配線部から離間する配線被覆層の下面の部分、配線被覆層から離間する配線部の上面部分(傾斜面)、および端子部の表面と密着するように、端子被覆部が形成されたサスペンション用基板が開示されている。
The end of the terminal plating part is particularly susceptible to corrosion. Therefore, an attempt to devise the structure of the end portion of the terminal plating portion is known. For example, in FIG. 2 of
特許文献1の図2に記載されているように、配線被覆層の端面に、端子被覆部を形成したとしても、配線被覆層自体の膜厚は薄く、通常、ポア(小孔)を有しているため、端子部を十分に保護することができないという問題がある。特に、長期使用において、徐々に端子部の腐食が生じる可能性が高い。
As described in FIG. 2 of
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a suspension substrate in which corrosion of a terminal portion is prevented.
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and formed on the wiring layer are formed. A suspension substrate having a wiring coating layer and a cover layer formed on the wiring coating layer, wherein the wiring layer includes a stepped portion formed on a surface on the cover layer side and the stepped portion. And the terminal portion is separated from the cover layer by the stepped portion, thereby exposing the surface of the cover layer on the wiring layer side. The suspension substrate is characterized in that a terminal plating portion having a single composition is formed on the surface of the terminal portion so as to cover the lower end portion of the cover layer.
上記発明においては、上記カバー層の下端部と上記端子めっき部の頂面との厚さ方向の差(H1)が、0.3μm以上であることが好ましい。外気および液体が配線被覆層まで侵入すること、および、カバー層に由来する異物(パーティクル)が発生することを十分に抑制できるからである。 In the above invention, the thickness direction of the difference between the lower end and the top surface of the terminal plating portions of the cover layer (H 1) is preferably at 0.3μm or more. This is because it is possible to sufficiently suppress the outside air and liquid from entering the wiring coating layer and the generation of foreign matter (particles) derived from the cover layer.
本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。 According to this invention, since the said terminal plating part is formed, it can be set as the board | substrate for suspensions which prevented the corrosion of the terminal part.
上記発明においては、上記カバー層の材料が、感光性材料であることが好ましい。カバー層に由来する異物(パーティクル)の発生を効果的に抑制できるからである。カバー層の材料が感光性材料である場合、カバー層の下端部の角度θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面(カバー層の底面)に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応(例えばポリイミド化)を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり(例えばナノオーダーの裾引き部が形成され)、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。 In the said invention, it is preferable that the material of the said cover layer is a photosensitive material. It is because generation | occurrence | production of the foreign material (particle) originating in a cover layer can be suppressed effectively. When the material of the cover layer is a photosensitive material, the angle θ at the lower end of the cover layer tends to be smaller. This is because the solvent used together with the photosensitive material tends to remain on the surface of the cover layer on the wiring layer side (the bottom surface of the cover layer). Since the solvent tends to promote a photosensitive polymerization reaction (eg, polyimide formation), the photosensitive polymerization reaction tends to proceed on the bottom surface of the cover layer where it is difficult to remove the solvent. As a result, the lower end portion of the cover layer becomes very thin (for example, a nano-order tailing portion is formed) and foreign matter is likely to be generated. However, the present invention can effectively suppress the generation of the foreign matter. There are advantages.
上記発明においては、上記端子めっき部および上記配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。 In the said invention, it is preferable that the said terminal plating part and the said wiring coating layer contain the same metal. This is because the adhesion between the two is improved and corrosion of the terminal portion can be further prevented.
上記発明においては、上記金属がNiであることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said metal is Ni.
上記発明においては、上記端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the surface plating part is formed on the said terminal plating part.
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。 The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the suspension substrate described above, a suspension in which corrosion of the terminal portion is prevented can be obtained.
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。 The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to provide a suspension with an element in which corrosion of the terminal portion is prevented.
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。 The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。 In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, a wiring coating layer formed on the wiring layer, A suspension layer having a cover layer formed on the wiring covering layer, wherein the step is formed by etching the surface of the wiring layer on the cover layer side, and the step portion. A terminal that is formed continuously and is thinner than the other part, and that exposes the surface of the cover layer on the wiring layer side by separating the terminal part from the cover layer by the stepped part. A suspension plating board comprising: a portion forming step; and a terminal plating portion forming step of covering a lower end portion of the cover layer on the surface of the terminal portion and forming a terminal plating portion having a single composition. To provide a production method.
本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a suspension substrate in which corrosion of the terminal portion is prevented by performing the terminal portion forming step and the terminal plating portion forming step.
本発明のサスペンション用基板は、端子部の腐食を防止できるという効果を奏する。 The suspension substrate of the present invention has the effect of preventing corrosion of the terminal portion.
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.
A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするものである。
A. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a wiring formed on the wiring layer. A suspension substrate having a coating layer and a cover layer formed on the wiring coating layer, wherein the wiring layer is continuous from the step portion formed on the surface on the cover layer side. And the terminal portion is separated from the cover layer by the stepped portion, thereby exposing the surface of the cover layer on the wiring layer side, A terminal plating portion having a single composition is formed on the surface of the terminal portion so as to cover the lower end portion of the cover layer.
図1は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a〜103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用(記録用、書込み用)配線層であり、他方がリード用(再生用、読取り用)配線層である。一方、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a suspension substrate of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, for convenience, the description of the cover layer and the insulating layer is omitted. A
図2は、図1(a)における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図2において、4本の配線層103a〜103dは、記録再生用素子実装領域101の近傍まで配置され、記録再生用素子(図示せず)と電気的に接続される。図3(a)は図2のA−A断面図であり、図3(b)は図3(a)の拡大図である。図3(a)、(b)に示すように、配線層3およびカバー層4の間には、配線被覆層5が形成されている。また、配線層3は、カバー層4側の表面に形成された段差部3aと、段差部3aから連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部3bとを有する。また、段差部3aによって端子部3bがカバー層4から離間することにより、カバー層4の配線層3側の表面4aが露出する。言い換えると、段差部3aの位置は、カバー層4の配線層3側の表面4aが露出する位置になる。また、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆う端子めっき部6が形成されている。なお、この端子めっき部6は単一組成のめっき部であり、端子めっき部6上に、Auめっき等から構成される表面めっき部7が形成されている。この端子めっき部6は、全体的に段差部3aの深さよりも厚いことが好ましい。また、段差部3aよりも端子部3b側には、配線被覆層5は形成されていない。
FIG. 2 is an enlarged view of the recording / reproducing element mounting area in FIG. In FIG. 2, four
本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。このように、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、外気および液体(例えば環境試験に用いられる水)が、配線被覆層まで侵入できなくなる。その結果、配線被覆層のポアに起因する端子部(配線層)の腐食を防止できる。特に、本発明は、長期使用における端子部の腐食を効果的に防止できるという利点がある。 According to this invention, since the said terminal plating part is formed, it can be set as the board | substrate for suspensions which prevented the corrosion of the terminal part. Thus, by forming a terminal plating portion that is significantly thicker than before, outside air and liquid (for example, water used for environmental tests) cannot enter the wiring coating layer. As a result, corrosion of the terminal portion (wiring layer) due to the pores of the wiring covering layer can be prevented. In particular, the present invention has an advantage that the corrosion of the terminal portion during long-term use can be effectively prevented.
さらに、本発明によれば、端子めっき部がカバー層の下端部を覆うように形成されていることから、カバー層に由来する異物(パーティクル)の発生を抑制できる。例えば、カバー層の端部が非常に薄い場合、サスペンション用基板の製造時および使用時において、カバー層に由来する異物が発生するという問題がある。これに対して、本発明によれば、カバー層の下端部(薄い部分)を端子めっき部で覆うことから、異物の発生を抑制できるという利点がある。 Furthermore, according to this invention, since the terminal plating part is formed so that the lower end part of a cover layer may be covered, generation | occurrence | production of the foreign material (particle) originating in a cover layer can be suppressed. For example, when the end portion of the cover layer is very thin, there is a problem that foreign matters derived from the cover layer are generated when the suspension substrate is manufactured and used. On the other hand, according to this invention, since the lower end part (thin part) of a cover layer is covered with a terminal plating part, there exists an advantage that generation | occurrence | production of a foreign material can be suppressed.
一方、特許文献1の図6には、第一の層6a(例えばNiめっき部)と、第二の層6b(例えばAuめっき部)から構成される端子被覆部6が形成されている。しかしながら、特許文献1における第二の層6bは、通常、Auめっき部を用いた薄い層であり、外気および液体が、容易に配線被覆層まで侵入してしまうという問題がある。同様に、第二の層6bは薄い層であることから、カバー層に由来する異物(パーティクル)の発生を抑制することは困難であるという問題がある。これに対して、本発明においては、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、上記の問題を解決できるという利点がある。
On the other hand, in FIG. 6 of
また、端子めっき部を厚くすると、端子部のファインピッチ化に対して不利になるため、端子めっき部(特許文献1における第一の層6a)を、本発明のように厚くすることは通常行われていない。これに対して、本発明においては、端子部のファインピッチ化に対して多少不利になるものの、敢えて端子めっき部を厚くすることで、上述した問題を解決できるという利点がある。また、端子めっき部を厚くすると、端子部の強度が向上し、素子との接続時(あるいは再接続するための離脱時)における端子部の変形を防止できるという利点がある。また、従来、端子部および素子の接続方法としてソルダーボールボンディング法が知られているが、近年、端子数増加に適した接続方法としてソルダーボールジェットボンディング法が採用されつつある。ソルダージェットボンディング法では、瞬間的に高熱が端子部に加わるため、配線層のバリアとして機能する端子めっき部と、半田との間に金属間化合物が形成されてしまう場合がある。そのため、端子めっき部が薄いと、端子めっき部のバリア性が低下し、配線層を構成する金属(例えば銅)の拡散を防止することが困難になる場合がある。これに対して、本発明のおいては、端子めっき部を厚くすることで、端子めっき部のバリア性を高く維持できるという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
In addition, since thickening the terminal plating part is disadvantageous for the fine pitch of the terminal part, it is normal practice to increase the thickness of the terminal plating part (first layer 6a in Patent Document 1) as in the present invention. I have not been told. On the other hand, in the present invention, although it is somewhat disadvantageous with respect to the fine pitch of the terminal portion, there is an advantage that the above-described problem can be solved by thickening the terminal plating portion. Further, when the terminal plating portion is made thick, the strength of the terminal portion is improved, and there is an advantage that deformation of the terminal portion at the time of connection with the element (or at the time of detachment for reconnection) can be prevented. Conventionally, a solder ball bonding method is known as a method for connecting a terminal portion and an element. In recent years, a solder ball jet bonding method is being adopted as a connection method suitable for increasing the number of terminals. In the solder jet bonding method, since high heat is instantaneously applied to the terminal portion, an intermetallic compound may be formed between the terminal plating portion functioning as a barrier of the wiring layer and the solder. Therefore, if the terminal plating portion is thin, the barrier property of the terminal plating portion is lowered, and it may be difficult to prevent diffusion of a metal (for example, copper) constituting the wiring layer. On the other hand, in this invention, there exists an advantage that the barrier property of a terminal plating part can be maintained highly by making a terminal plating part thick.
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.
1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring layer.
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。 The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。 The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、9μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。本発明における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。 The wiring layer in the present invention is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 9 μm to 12 μm. Examples of the wiring layer in the present invention include a write wiring layer, a read wiring layer, a heat assist wiring layer, an actuator wiring layer, a ground wiring layer, a noise shield wiring layer, a power supply wiring layer, and a flight height control. Wiring layers for sensors, wiring layers for sensors, and the like.
本発明における配線被覆層は、配線層上に形成されるものである。配線被覆層を設けることで、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを防止できる。さらには、配線層およびカバー層の密着性を向上させることもできる。配線被覆層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばNi、Sn等の金属、および、Sn−Cu、Sn−Bi、Sn−Ag等の合金を挙げることができる。また、配線被覆層は、めっきから構成されていることが好ましい。配線被覆層の厚さは、例えば50nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、100nm〜300nmの範囲内であることがより好ましい。 The wiring coating layer in the present invention is formed on the wiring layer. By providing the wiring covering layer, the metal constituting the wiring layer can be prevented from diffusing into the cover layer. Furthermore, the adhesion between the wiring layer and the cover layer can be improved. Although it does not specifically limit as a material of a wiring coating layer, For example, metals, such as Ni and Sn, and alloys, such as Sn-Cu, Sn-Bi, and Sn-Ag, can be mentioned. Moreover, it is preferable that the wiring coating layer is composed of plating. The thickness of the wiring coating layer is preferably in the range of 50 nm to 500 nm, for example, and more preferably in the range of 100 nm to 300 nm.
本発明におけるカバー層は、配線被覆層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。 The cover layer in the present invention is formed on the wiring coating layer. By providing the cover layer, deterioration (corrosion etc.) of the wiring layer can be prevented. Examples of the material for the cover layer include those described above as the material for the insulating layer, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material.
2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、端子部の表面に、特定の端子めっき部が形成されていることを大きな特徴とする。端子めっき部としては、特に限定されるものではないが、例えば、Niめっき、Cuめっき等を挙げることができ、中でもNiめっきが好ましい。特に、本発明においては、端子めっき部および配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。上記金属は、Niであることが好ましい。また、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。端子部の電気化学的安定性をさらに高くすることができるからである。表面めっき部としては、例えば、Auめっき、Agめっき等を挙げることができ、中でもAuめっきが好ましい。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate according to the present invention is characterized in that a specific terminal plating portion is formed on the surface of the terminal portion. Although it does not specifically limit as a terminal plating part, For example, Ni plating, Cu plating, etc. can be mentioned, Ni plating is especially preferable. In particular, in the present invention, it is preferable that the terminal plating portion and the wiring coating layer contain the same metal. This is because the adhesion between the two is improved and corrosion of the terminal portion can be further prevented. The metal is preferably Ni. Moreover, in this invention, it is preferable that the surface plating part is formed on the terminal plating part. This is because the electrochemical stability of the terminal portion can be further increased. Examples of the surface plating portion include Au plating and Ag plating. Among these, Au plating is preferable.
図4に示すように、カバー層4の下端部4bと端子めっき部6の頂面との厚さ方向の差をH1とし、配線被覆層5とカバー層4の下端部4bとの長さをL1とし、段差部3aの深さをD1とし、配線被覆層5の厚さをT1とし、表面めっき層7の厚さをT2とし、カバー層4の下端部4bの角度(底面に対する側面の角度)をθとした場合、H1は、例えば0.3μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましく、1.0μm以上であることがさらに好ましい。H1が小さすぎると、外気および液体が、容易に配線被覆層5まで侵入してしまう可能性やカバー層に由来する異物(パーティクル)の発生を抑制することは困難になる可能性があるからである。また、H1は、カバー層の厚さよりも大きくても良い。例えば、配線層の端子部と、素子の端子部との距離が離れている場合に、H1をカバー層よりも大きくすることで、端子めっき部に高さ調整機能を付与することができ、信頼性の高い接続を行うことができるからである。一方、H1の上限は、特に限定されるものではないが、例えば10μmである。また、L1は、例えば0.3μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm〜3μmの範囲内であることがより好ましい。L1が小さすぎると、配線被覆層5を十分に除去できない可能性があり、L1が大きすぎると、カバー層4が配線層3側に陥没する可能性があるからである。
As shown in FIG. 4, the difference in the thickness direction of the top surface of the
また、D1は、例えば0.5μm〜8μmの範囲内であることが好ましく、1μm〜4μmの範囲内であることがより好ましい。D1が小さすぎると、配線被覆層5を十分に除去できない可能性があり、D1が大きすぎると、端子部の機械的強度が不足する可能性があるからである。また、T1は、例えば50nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、100nm〜300nmの範囲内であることがより好ましい。T1が小さすぎると、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを十分に防止できない可能性や配線層およびカバー層の密着性を十分に向上させることができない可能性があるからである。T1が大きすぎると、拡散防止機能や密着性向上機能は変わらず、厚みだけが大きくなるからである。また、T2は、例えば0.5μm〜4.0μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm〜2.0μmの範囲内であることがより好ましい。
D 1 is preferably in the range of 0.5 μm to 8 μm, for example, and more preferably in the range of 1 μm to 4 μm. This is because if D 1 is too small, the
また、θは、通常90°未満であり、70°以下であることが好ましく、15°〜65°の範囲内であることがより好ましい。θが上記範囲内にあることにより、カバー層に由来する異物(パーティクル)の発生を抑制できるからである。また、カバー層の材料が感光性材料である場合、θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面(カバー層の底面)に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応(例えばポリイミド化)を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり(例えばナノオーダーの裾引き部が形成され)、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。 Moreover, (theta) is usually less than 90 degrees, it is preferable that it is 70 degrees or less, and it is more preferable that it exists in the range of 15 degrees-65 degrees. This is because the generation of foreign matter (particles) derived from the cover layer can be suppressed when θ is in the above range. When the cover layer material is a photosensitive material, θ tends to be smaller. This is because the solvent used together with the photosensitive material tends to remain on the surface of the cover layer on the wiring layer side (the bottom surface of the cover layer). Since the solvent tends to promote a photosensitive polymerization reaction (eg, polyimide formation), the photosensitive polymerization reaction tends to proceed on the bottom surface of the cover layer where it is difficult to remove the solvent. As a result, the lower end portion of the cover layer becomes very thin (for example, a nano-order tailing portion is formed) and foreign matter is likely to be generated. However, the present invention can effectively suppress the generation of the foreign matter. There are advantages.
また、図4に示した段差部3aは、厚さ方向に対して平行な壁部から構成されるものであるが、本発明における段差部は、図5(a)に示すように、厚さ方向に対して所定の角度を有する壁部から構成される段差部3aであっても良く、図5(b)に示すように、曲面状の壁部から構成される段差部3aであっても良い。
Further, the
また、本発明における端子部は、素子(記録再生用素子、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子)との接続に用いられる、ヘッド側の端子部であっても良く、外部回路基板との接続に用いられる、テール側の端子部であっても良い。図6(a)は、外部回路基板との接続に用いられる端子部の一例を示す概略平面図であり、図6(b)は図6(a)のA−A断面図である。図6(a)、(b)に示される端子部は、いわゆるフライングリード型の端子部であり、超音波接合等で、外部回路基板の端子部と電気的に接続される。 The terminal portion in the present invention may be a head-side terminal portion used for connection to an element (recording / reproducing element, thermal assist element, actuator element), or used for connection to an external circuit board. The terminal portion on the tail side may be used. FIG. 6A is a schematic plan view showing an example of a terminal portion used for connection to an external circuit board, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The terminal portions shown in FIGS. 6A and 6B are so-called flying lead type terminal portions, and are electrically connected to the terminal portions of the external circuit board by ultrasonic bonding or the like.
また、本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明において、「絶縁層上に形成される」とは、絶縁層に接するように形成される場合のみならず、絶縁層との間に何らかの層を介して形成される場合をも含む概念である。図7(a)は、いわゆる配線積層型のサスペンション用基板であり、図7(b)は図7(a)のA−A断面図である。図7(b)に示すように、金属支持基板1、第一絶縁層2x、第一配線層3x、第二絶縁層2y、第二配線層3y、カバー層4がこの順に形成されている。本発明における配線層は、第一配線層3xであっても良く、第二配線層3yであっても良い。
The wiring layer in the present invention is formed on the insulating layer. In the present invention, “formed on the insulating layer” is a concept including not only the case of being formed so as to be in contact with the insulating layer but also the case of being formed through some layer between the insulating layer. is there. FIG. 7A is a so-called wiring laminate type suspension substrate, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 7B, the
B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension according to the present invention includes a suspension substrate and a load beam provided on a surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
図8は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図8に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。
FIG. 8 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the suspension substrate described above, a suspension in which corrosion of the terminal portion is prevented can be obtained.
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。 The suspension of the present invention has at least a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.
C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
図9は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図9に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300(サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101)に実装された記録再生用素子301とを有するものである。
FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. The element-mounted
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to provide a suspension with an element in which corrosion of the terminal portion is prevented.
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。 The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. The recording / reproducing element is not particularly limited, but preferably has a magnetic generating element. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned.
D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.
図10は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図10に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。
FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。 The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.
E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a wiring formed on the wiring layer. A method of manufacturing a suspension substrate having a coating layer and a cover layer formed on the wiring coating layer, wherein a step portion is formed by etching the surface of the wiring layer on the cover layer side, and By forming a terminal portion that is continuously formed from the step portion and thinner than the other portions, and the terminal portion is separated from the cover layer by the step portion, the surface of the cover layer on the wiring layer side And a terminal plating portion forming step for covering the lower end portion of the cover layer and forming a terminal plating portion having a single composition on the surface of the terminal portion. A.
本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a suspension substrate in which corrosion of the terminal portion is prevented by performing the terminal portion forming step and the terminal plating portion forming step. The method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention can be broadly divided into a manufacturing method by a subtractive method and a manufacturing method by an additive method.
1.サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
1. Subtractive Method First, a manufacturing method using the subtractive method will be described. As an example of the manufacturing method by the subtractive method, a laminated member preparing step for preparing a laminated member in which a metal supporting member, an insulating member, and a conductor member are laminated in this order, and a wiring for forming a wiring layer by etching the conductor member A layer forming step, a wiring covering layer forming step for forming a wiring covering layer on the wiring layer, a cover layer forming step for forming a cover layer on the wiring covering layer, and etching the insulating member to form an insulating layer. By forming the insulating layer forming step to be formed and etching the surface of the wiring layer on the cover layer side, a stepped portion and a terminal portion that is continuously formed from the stepped portion and thinner than other portions are formed, And the terminal part formation process which exposes the surface by the side of the said wiring layer of the said cover layer by separating the said terminal part from the said cover layer by the said level | step-difference part, and the said terminal part of Covering the lower end of the cover layer on the surface, forming a terminal plating portion forming a single-component terminal plating portion, etching the metal support member, forming a metal support substrate, The manufacturing method which has can be mentioned.
図11は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図11においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図11(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層3を形成する(図11(b))。次に、配線層3上に配線被覆層5を形成する(図11(c))。次に、配線被覆層5上にカバー層4を形成する(図11(d))。次に、金属支持部材1Aに開口部を設けるためにウェットエッチングする(図11(e))。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate by a subtractive method. In FIG. 11, first, a laminated member in which the
その後、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成する(図11(f))。カバー層4側の配線層3の表面をエッチングすることにより、段差部3a、および、段差部3aから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部3bを形成し、かつ、段差部3aによって端子部3bをカバー層4から離間させることにより、カバー層4の配線層3側の表面4aを露出させる(図11(g))。次に、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆い、単一組成の端子めっき部6を形成し、その端子めっき部6上に表面めっき部7を形成する(図11(g))。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得る。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
Thereafter, the insulating member 2A is patterned by wet etching to form the insulating layer 2 (FIG. 11F). By etching the surface of the
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the subtractive method will be described step by step.
(1)積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
(1) Laminated member preparation step The laminated member preparation step is a step of preparing a laminated member having a metal supporting member, an insulating member formed on the metal supporting member, and a conductor member formed on the insulating member. It is.
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。 In the subtractive method, a metal supporting board is obtained by etching the metal supporting member of the laminated member, an insulating layer is obtained by etching the insulating member of the laminated member, and the conductive member of the laminated body is etched. A wiring layer is obtained. The laminated member may be a commercially available three-layer material, or may be obtained by sequentially forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.
(2)配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
(2) Wiring layer formation process A wiring layer formation process is a process of etching the said conductor member and forming a wiring layer.
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。 Examples of the method for forming the wiring layer include a method in which a resist pattern is formed on a conductive member of a laminated member using a dry film resist (DFR) or the like, and the conductive member exposed from the resist pattern is wet-etched. Can do. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is Cu, an iron chloride-based etching solution or the like can be used.
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。 In the subtractive method, the metal support member may be etched simultaneously with the etching of the conductor member. Examples of the etching of the metal support member include etching for forming an opening and a jig hole. Further, if necessary, at least a part of the processing performed in the metal support substrate forming step described later may be performed simultaneously with the etching of the conductor member.
(3)配線被覆層形成工程
配線被覆層形成工程は、上記配線層上に配線被覆層を形成する工程である。
(3) Wiring covering layer forming step The wiring covering layer forming step is a step of forming a wiring covering layer on the wiring layer.
配線被覆層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、配線層上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線層上に、無電解めっきまたはストライクめっきを行う方法を挙げることができる。 The method for forming the wiring coating layer is not particularly limited. For example, a resist pattern is formed on the wiring layer using a dry film resist (DFR) or the like, and the wiring layer is exposed from the resist pattern. And a method of performing electroless plating or strike plating.
(4)カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
(4) Cover layer forming step The cover layer forming step is a step of forming a cover layer on the wiring layer.
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。 The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. In addition, when the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the entire surface of the cover layer, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching. The cover layer can be obtained.
(5)絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。
(5) Insulating layer forming step The insulating layer forming step is a step of etching the insulating member to form an insulating layer.
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。 Examples of the method for forming the insulating layer include a method of forming a resist pattern on the insulating member using a dry film resist (DFR) or the like, and wet etching the insulating member exposed from the resist pattern. . The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating member. For example, when the material of the insulating member is a polyimide resin, an alkaline etchant or the like can be used.
(6)端子部形成工程
端子部形成工程は、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる工程である。
(6) Terminal part formation process A terminal part formation process is a terminal which is continuously formed from the level difference part and the level difference part by etching the surface of the wiring layer on the cover layer side, and thinner than other parts. Forming a portion and separating the terminal portion from the cover layer by the stepped portion, thereby exposing the surface of the cover layer on the wiring layer side.
端子部の形成方法としては、例えば、配線被覆層上にドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線被覆層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、配線被覆層および導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば配線被覆層の材料がNiである場合には、フェリシアン化カリウムまたは過マンガン酸塩を含むアルカリ性エッチング液、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む酸性エッチング液等を用いることができる。 Examples of the method for forming the terminal portion include a method of forming a resist pattern on the wiring coating layer using a dry film resist (DFR) or the like, and wet etching the wiring coating layer exposed from the resist pattern. . The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the types of the wiring coating layer and the conductor member. For example, when the material of the wiring coating layer is Ni, potassium ferricyanide or permanganate An alkaline etching solution containing, an acidic etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid, or the like can be used.
(7)端子めっき部形成工程
端子めっき部形成工程は、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する工程である。
(7) Terminal plating part formation process A terminal plating part formation process is a process which covers the lower end part of the said cover layer on the surface of the said terminal part, and forms the terminal plating part of a single composition.
端子めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Niめっきから構成される端子めっき部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件(めっき時間、印加電圧等)を選択すれば良い。さらに、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部を形成する表面めっき形成工程を行うことが好ましい。 A method for forming the terminal plating portion is not particularly limited as long as a desired plating portion can be obtained. For example, an electrolytic plating method can be used. For example, when forming a terminal plating portion composed of Ni plating, examples of the electrolytic Ni plating bath used include a watt bath and a sulfamic acid bath. The plating conditions are not particularly limited, and desired conditions (plating time, applied voltage, etc.) may be selected. Furthermore, in this invention, it is preferable to perform the surface plating formation process which forms a surface plating part on a terminal plating part.
(8)金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
(8) Metal support board | substrate formation process A metal support board | substrate formation process is a process of etching the said metal support member and forming a metal support board | substrate. In this step, the outer shape of the metal support substrate is usually processed.
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。 Although the method for etching the metal support member is not particularly limited, specific examples include wet etching. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support member. For example, when the material of the metal support member is stainless steel, an iron chloride-based etchant or the like can be used. .
2.アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
2. Additive Method Next, a manufacturing method using the additive method will be described. As an example of the manufacturing method by the additive method, a metal support member preparing step of preparing a metal support member, an insulating layer forming step of forming an insulating layer on the metal support member, and a wiring layer on the insulating layer A wiring layer forming step to be formed; a wiring covering layer forming step for forming a wiring covering layer on the wiring layer; a cover layer forming step for forming a cover layer on the wiring covering layer; and the wiring on the cover layer side Etching the surface of the layer forms a stepped portion and a terminal portion that is formed continuously from the stepped portion and is thinner than other portions, and the terminal portion is separated from the cover layer by the stepped portion. A terminal portion forming step for exposing the surface of the cover layer on the wiring layer side, and an end for covering the lower end portion of the cover layer on the surface of the terminal portion and forming a terminal plating portion of a single composition A plating unit forming step, the metal support member by etching, the metal supporting board forming step of forming a metal supporting board, mention may be made of a manufacturing method having.
図12は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図12においては、まず、金属支持部材1Aを準備する(図12(a))。次に、金属支持部材1Aの表面上に、パターン状の絶縁層2を形成する(図12(b))。次に、絶縁層2上に配線層3を形成する(図12(c))。次に、配線層3上に配線被覆層5を形成する(図12(d))。次に、配線被覆層5上にカバー層4を形成する(図12(e))。次に、金属支持部材1Aに開口部を設けるためにウェットエッチングし(図12(f))、同様に、絶縁層2に開口部を設けるためにウェットエッチングする(図12(g))。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate by the additive method. In FIG. 12, first, a
その後、カバー層4側の配線層3の表面をエッチングすることにより、段差部3a、および、段差部3aから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部3bを形成し、かつ、段差部3aによって端子部3bをカバー層4から離間させることにより、カバー層4の配線層3側の表面4aを露出させる(図12(h))。次に、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆い、単一組成の端子めっき部6を形成し、その端子めっき部6上に表面めっき部7を形成する(図12(i))。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得る。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
Thereafter, the surface of the
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate by the additive method will be described step by step.
(1)金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
(1) Metal support member preparation process A metal support member preparation process is a process of preparing a metal support member. For example, a commercially available metal support member can be used as the metal support member.
(2)絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。
(2) Insulating layer forming step The insulating layer forming step is a step of forming an insulating layer on the metal support member.
絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。 The method for forming the insulating layer is not particularly limited, and it is preferable to select appropriately according to the material of the insulating layer. For example, when the material of the insulating layer is a photosensitive material, a patterned insulating layer can be obtained by exposing and developing the insulating layer formed on the entire surface. In addition, when the material of the insulating layer is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the surface of the insulating layer formed on the entire surface, and a portion exposed from the resist pattern is removed by wet etching to form a pattern. Insulating layer can be obtained.
(3)配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に、配線層を形成する工程である。
(3) Wiring layer forming step The wiring layer forming step is a step of forming a wiring layer on the insulating layer.
配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。 Examples of the method for forming the wiring layer include an electrolytic plating method. When the electrolytic plating method is used, it is preferable to form a seed layer on the surface of the insulating layer by sputtering or the like before forming the wiring layer.
(4)その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
(4) Other Steps The other steps are the same as those described in the manufacturing method using the subtractive method described above, and thus the description thereof is omitted here.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[実施例1]
厚さ18μmのSUS304である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第1の非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるNi−Cr−Cuをスパッタリングで約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た(図11(a))。
[Example 1]
A first non-photosensitive polyimide was used as an insulating member forming material on a metal support member made of SUS304 having a thickness of 18 μm, and an insulating member having a thickness of 10 μm was formed by a coating method. Further, Ni—Cr—Cu serving as a seed layer is coated on the insulating member by sputtering to a thickness of about 300 nm, and a conductive member which is a Cu plating layer having a thickness of 9 μm is formed by Cu plating using the conductive layer as a conductive medium. (FIG. 11A) was obtained.
次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてウェットエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し、金属支持部材に治具孔を形成した(図11(b))。 Next, a resist pattern was obtained by patterning simultaneously using a dry film so that a jig hole whose positional accuracy is important on the SUS side and a desired wiring layer on the Cu plating layer side can be formed. Thereafter, wet etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thereby, a wiring layer was formed from the conductor member, and a jig hole was formed in the metal support member (FIG. 11B).
その後、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを含有する酸性のめっき浴にて、無電解Niめっきを行い、配線層の表面に配線被覆層を形成した(図11(c))。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500〜2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が280℃〜350℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分〜60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した(図11(d))。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った(図11(e))。 Thereafter, electroless Ni plating was performed in an acidic plating bath containing sodium hypophosphite as a reducing agent to form a wiring coating layer on the surface of the wiring layer (FIG. 11 (c)). Next, a photosensitive polyimide precursor was applied on the wiring coating layer, dried, and then exposed to a desired pattern shape through a mask using a high-pressure mercury lamp as a light source at an exposure amount of 500 to 2000 mJ / cm 2 . . After that, heating is performed under such a condition that the maximum temperature reaches 280 ° C. to 350 ° C. and the maximum temperature holding time is within a range of 0.1 minutes to 60 minutes, and development is performed with an alkaline aqueous solution. The pattern image of was formed. Next, heating was performed in a nitrogen atmosphere to form a cover layer (FIG. 11D). Next, wet etching was performed to provide an opening in the metal support member (FIG. 11E).
その後、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成した(図11(f))。次に、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した(図11(g))。次に、電解Niめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Auめっきを行い、表面めっき部を形成した(図11(h))。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。 Thereafter, the insulating member 2A was patterned by wet etching to form the insulating layer 2 (FIG. 11 (f)). Next, resist plate making was performed to form a terminal portion, and a step portion and a terminal portion were formed by wet etching (FIG. 11G). Next, electrolytic Ni plating was performed to form a terminal plating portion on the terminal portion, and then electrolytic Au plating was performed to form a surface plating portion (FIG. 11 (h)). Finally, the outer shape of the metal support substrate was processed. As a result, a suspension substrate was obtained.
得られたサスペンション用基板の端子部の断面寸法を、図4における寸法で示すと、H1=0.765μmであり、L1=2.021μmであり、D1=2.023μmであり、T1=145.1nmであり、T2=748.1nmであった。 The cross-sectional dimensions of the terminal portion of the obtained suspension substrate are shown in FIG. 4 as H 1 = 0.765 μm, L 1 = 2.021 μm, D 1 = 2.023 μm, and T 1 = 145.1 nm and T 2 = 748.1 nm.
[実施例2]
厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した(図12(a))。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500〜2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160℃〜190℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分〜60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは10μmであった(図12(b))。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Cr単層のシード層を35〜45nm形成した。次に、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、配線層を形成した(図12(c))。
[Example 2]
A metal support member made of SUS304 having a thickness of 18 μm was prepared (FIG. 12A). A photosensitive polyimide precursor was applied to a metal support member, dried, and then exposed to a desired pattern shape through a mask using a high-pressure mercury lamp as a light source at an exposure amount of 500 to 2000 mJ / cm 2 . Thereafter, heating is performed under such conditions that the maximum temperature reaches 160 ° C. to 190 ° C. and the maximum temperature holding time is within a range of 0.1 minutes to 60 minutes, and development is performed with an alkaline aqueous solution. The pattern image of was formed. Thereafter, heating was performed in a nitrogen atmosphere to form an insulating layer. The thickness of the insulating layer formed on the metal support member was 10 μm (FIG. 12B). Next, a seed layer of Cr single layer was formed to 35 to 45 nm on the surface on the insulating layer side by sputtering. Next, resist plate making was performed, and a wiring layer was formed on the surface exposed from the resist pattern (FIG. 12C).
その後、Niストライクめっきにより、配線層の表面に配線被覆層を形成した(図12(d))。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500〜2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が280℃〜350℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分〜60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した(図12(e))。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った(図12(f))。次に、絶縁層に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った(図12(g))。 Thereafter, a wiring coating layer was formed on the surface of the wiring layer by Ni strike plating (FIG. 12D). Next, a photosensitive polyimide precursor was applied on the wiring coating layer, dried, and then exposed to a desired pattern shape through a mask using a high-pressure mercury lamp as a light source at an exposure amount of 500 to 2000 mJ / cm 2 . . After that, heating is performed under such a condition that the maximum temperature reaches 280 ° C. to 350 ° C. and the maximum temperature holding time is within a range of 0.1 minutes to 60 minutes, and development is performed with an alkaline aqueous solution. The pattern image of was formed. Next, heating was performed in a nitrogen atmosphere to form a cover layer (FIG. 12E). Next, wet etching was performed to provide an opening in the metal support member (FIG. 12 (f)). Next, wet etching was performed to provide an opening in the insulating layer (FIG. 12G).
その後、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した(図12(h))。次に、電解Niめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Auめっきを行い、端子めっき部上に表面めっき部を形成した(図12(i))。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。 Then, resist plate making was performed in order to form a terminal part, and the level | step-difference part and the terminal part were formed by wet etching (FIG.12 (h)). Next, electrolytic Ni plating was performed to form a terminal plating portion on the terminal portion, and then electrolytic Au plating was performed to form a surface plating portion on the terminal plating portion (FIG. 12 (i)). Finally, the outer shape of the metal support substrate was processed. As a result, a suspension substrate was obtained.
1…金属支持基板、 2…絶縁層、 3…配線層、 3a…段差部、 3b…端子部、 4…カバー層、 4a…カバー層の配線層側の表面、 4b…カバー層の下端部、 5…配線被覆部、 6…端子めっき部、 7…表面めっき部、 100…サスペンション用基板、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記配線層は、前記カバー層側の表面に形成された段差部と、前記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、
前記段差部によって前記端子部が前記カバー層から離間することにより、前記カバー層の前記配線層側の表面が露出し、
前記カバー層の下端部の頂点が、前記配線被覆層よりも突出しており、
前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部の頂点を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されており、
前記端子めっき部が全体的に、前記段差部の深さおよび前記配線被覆層の厚さの和よりも厚いことを特徴とするサスペンション用基板。 A metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, a wiring coating layer formed on the wiring layer, and formed on the wiring coating layer A suspension substrate having a cover layer,
The wiring layer has a step portion formed on the surface on the cover layer side, a terminal portion formed continuously from the step portion, and thinner than other portions,
When the terminal portion is separated from the cover layer by the stepped portion, the surface of the cover layer on the wiring layer side is exposed,
The vertex of the lower end portion of the cover layer protrudes from the wiring coating layer,
On the surface of the terminal part, covering the top of the lower end of the cover layer, a terminal plating part of a single composition is formed ,
The suspension substrate, wherein the terminal plating portion is generally thicker than the sum of the depth of the stepped portion and the thickness of the wiring coating layer .
前記カバー層側の前記配線層の表面と、前記配線被覆層とをエッチングすることにより、段差部、および、前記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、前記段差部によって前記端子部を前記カバー層から離間させることにより、前記カバー層の前記配線層側の表面を露出させ、前記カバー層の下端部の頂点を前記配線被覆層よりも突出させる端子部形成工程と、
前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部の頂点を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、
を有し、
前記端子めっき部が全体的に、前記段差部の深さおよび前記配線被覆層の厚さの和よりも厚いことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 A metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, a wiring coating layer formed on the wiring layer, and formed on the wiring coating layer And a cover layer, and a method for producing a suspension substrate comprising:
Etching the surface of the wiring layer on the cover layer side and the wiring covering layer to form a stepped portion and a terminal portion that is continuously formed from the stepped portion and is thinner than other portions; and The terminal that separates the terminal portion from the cover layer by the stepped portion, exposes the surface of the cover layer on the wiring layer side, and protrudes the apex of the lower end portion of the cover layer beyond the wiring covering layer Part forming step;
On the surface of the terminal part, covering the top of the lower end of the cover layer, a terminal plating part forming step of forming a terminal plating part of a single composition,
I have a,
The method of manufacturing a suspension substrate, wherein the terminal plating portion is entirely thicker than the sum of the depth of the stepped portion and the thickness of the wiring coating layer .
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