JP6177235B2 - 積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られる積層体 - Google Patents
積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られる積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6177235B2 JP6177235B2 JP2014517520A JP2014517520A JP6177235B2 JP 6177235 B2 JP6177235 B2 JP 6177235B2 JP 2014517520 A JP2014517520 A JP 2014517520A JP 2014517520 A JP2014517520 A JP 2014517520A JP 6177235 B2 JP6177235 B2 JP 6177235B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- area
- manufacturing process
- polymer
- process according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/093—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
i)基板(3)および基板(3)に塗布され、導電性ポリマーP1を含む導電層を含む積層体S1(2)の提供;
ii)導電層の少なくとも1つの被覆領域Ddおよび少なくとも1つの非被覆領域Duを得るための、導電層の、ポリマーP2を含む、被覆相由来の被覆層Dでの部分的な被覆;
iii)少なくとも1つの被覆領域における導電層の電気伝導率と比較して、少なくとも1つの非被覆領域Duのうちの少なくとも一部における導電層の電気伝導率の削減;
iv)アルカリ水溶液処理による被覆層Dの少なくとも部分的な除去。
R7およびR8は、それぞれ互いに独立に、H、任意に置換されたC1〜C18のアルキルラジカルまたは任意に置換されたC1〜C18のアルコキシラジカルを表し、R7およびR8は共に、1以上のC原子がOまたはSから選ばれる1以上の同一のまたは異なるヘテロ原子で置換されうるC1〜C8のアルキレンラジカル、好ましくはC1〜C8のジオキシアルキレンラジカル、任意に置換されたC1〜C8のオキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC1〜C8のジチアアルキレンラジカルを表し、または任意に少なくとも1つのC原子がOまたはSから選択されるヘテロ原子により置換されている任意に置換されたC1〜C8のアルキリデンラジカルを表す。
ia)基板の提供;
ib)基板の表面の少なくとも一部への導電性ポリマーP1および溶媒を含む組成物Z2の塗布;
ic)導電層を得るための上記溶媒の少なくとも部分的な除去
のプロセス段階を含むプロセスにより得られうる。
iia)ポリマーP2を含む被覆相の導電層の一部への塗布;
iib)被覆層Dを得るための溶媒の少なくとも部分的な除去。
iiia)少なくとも1つの非被覆領域Buのうちの少なくとも一部を、塩素、臭素またはヨウ素を放出しうる有機化合物を含む組成物Z1と接触させる工程。
Halは、塩素、臭素またはヨウ素からなる群から選択されるハロゲンであり、好ましくは塩素または臭素を表し、
Yは、N、SおよびPから選択され、好ましくはNであり、
X1およびX2は、同一または異なり、それぞれ、ハロゲン(好ましくは塩素または臭素)、炭素原子または硫黄原子であり、1以上のさらなる原子が任意にX1およびX2に結合されうる。X1およびX2に結合されているさらなる元素の数は、X1およびX2の共役原子価によって決まる。
iiib)組成物Z1に接触させられている導電層の洗浄
ここで、洗浄工程は、溶媒中、例えば水中に積層体を浸すことにより行われ、続いて乾燥されうる。
v)pH7未満、好ましくはpH1〜6、好ましくはpH1〜5、好ましくはpH1〜4を有する酸性溶液との積層体S2の処理。
A)基板の後に続く層が表面抵抗Rを有する少なくとも1つのエリアA;
B)基板の後に続く層がRより10倍、特に好ましくは100倍、さらにより好ましくは1,000倍、さらにより好ましくは10,000倍、最も好ましくは100,000倍大きい表面抵抗を有する少なくとも1つのエリアB;を有し
色分離ΔEエリアA,エリアBは最大4.5、特に好ましくは最大3.0、最も好ましくは最大1.5である。
A)基板の後に続く層が表面抵抗Rを有する少なくとも1つのエリアA;
B)基板の後に続く層がRより10倍、特に好ましくは100倍、さらにより好ましくは1,000倍、さらにより好ましくは10,000倍、最も好ましくは100,000倍大きい表面抵抗を有する少なくとも1つのエリアB;であり、
色分離ΔEエリアA,エリアBは最大4.5、特に好ましくは最大3.0、最も好ましくは最大1.5であるものを含む。
SB/SA≧0.5、特に好ましくは≧0.75、最も好ましくは≧0.90。
特段の記載がない限り、試験方法および実施例は標準条件下で行われる。特段の記載がない限り、%範囲は、wt%範囲である。
表面抵抗の決定のため、2.5cm長さのAg電極を、抵抗測定が各エリアAおよびBにおいて可能であるようにシャドーマスクを介して蒸着する。表面抵抗を電位計(Keithly614)を用いて決定する。その決定は、例えば米国特許第6,943,571(B1)号明細書に記載されている、いわゆる「4点プローブ」測定方法を用いて行った。
被覆したPETフィルムの透過スペクトルの測定手順はASTM308−94aに従っている。このため、Perkin Elmer(パーキンエルマー)製の2チャンネルフォト分光器Lambda900型を用いる。その装置は15cmの光度計球(photometer sphere)を備える。そのフォト分光計の好ましい機能は、製造業者の提言と取扱説明書にしたがっての検出器の波長の校正と線形性の基本的な確認により確かめられる。
積層体を、85℃かつ85%の相対的大気湿度で保存する。明度L、およびbを、前もっておよび後で測定する。
(溶液/形態の調製)
(ポリマーP1)
Clevios(クレビオス)(登録商標)FE−T(Heraeus Clevios GmbH(ヘレウス・クレビオス・ゲーエムベーハー)から入手できるPEDOT/PSS分散剤)を組成物Z2として用いる。
20gのBelland(ベランド)ポリマー88140(Belland AG(ベランドアーゲー)から入手できるアクリル酸ブチル/メタクリル酸/スチレン共重合体)を、室温で(およそ22℃)、ガラスの透明な溶液が得られるまで撹拌しながら、80gの溶媒混合物(体積比1:4のメチルエチルケトン−エタノール)に溶解させた。
25wt%の強度のアンモニア水溶液を、この溶液のpHが10〜12になるまで水で希釈する。
およそ1wt%の強度の水溶液を調整する。
10gのジクロロジイソシアヌル酸ナトリウム二水和物を、室温(およそ22℃)で、撹拌しながら、90gの水に溶解させる。この原液を、ジクロロジイソシアヌル酸ナトリウム二水和物の含有量がそれぞれ10wt%および5wt%となるように、水で希釈した。
Clevios(登録商標)FE−T分散剤から作製された導電性のPEDOT/PSS層を、バーコーターを用いてDuPont Teijin製のポリエステルフィルム(Melinex(メリネックス)505型)に被覆する。乾燥前の膜厚は4〜12μmである。乾燥を130℃で5分間行う。12μmの厚さの乾燥フィルムにおける表面抵抗は、およそ200ohm/sqである。
5wt%のジクロロヂジソシアヌル酸ナトリウム二水和物溶液を用いた以外は、実施例1と同じ手順で行った。
ジクロロジイソシアヌル酸ナトリウム二水和物溶液の代わりに、15wt%の硝酸セリウム水溶液を用いる以外は上記のとおりの同じプロセスを行う。気候試験前および気候試験後のエッチングした領域とエッチングしていない領域のそれぞれのL、aおよびbの値は、本発明に係る積層体と比較して異なる色を示す(表1)。
色の位置をL*a*b*座標系で決定した。「エッチングされていない」は、ジクロロジイソシアヌル酸ナトリウム二水和物溶液または硝酸セリウム溶液で処理されていない特定の領域を意味する(被覆領域Ddに相当する)。「エッチングされている」は、ジクロロジイソシアヌル酸ナトリウム二水和物溶液または硝酸セリウム溶液で処理されている特定の領域を意味する(非被覆領域Duに相当する)。
PEDOT/PSS層の形態にある導電層4を、バーコーターを用いてDuPont Teijin製のポリエステルフィルム(Melinex(メリネックス)505型)からなる基板3にClevios(登録商標)FE−T分散剤を被覆した。乾燥前の膜厚は4〜12μmだった。乾燥を130℃で5分間行った。12μmの厚さの乾燥フィルムにおける表面抵抗は、およそ180ohm/sqだった。
DuPontのポリエステルフィルム(Melinex505型)より架橋度の高い形態で被覆されているPETフィルムAを基板として用いる以外は、実施例3と同じ手順で行った。
Clexios(登録商標)FET(Heraeus Precious Metals GmbH & Co.KG(ドイツ)から購入できる)より架橋度の高い形態で被覆されているPETフィルムAを基板として用いる以外は、実施例3と同じ手順で行った。
Claims (19)
- 以下のプロセス段階を含む、積層体S2(1)の製造プロセス:
i)基板(3)および基板(3)に塗布されかつ導電性ポリマーP1を含む導電層(4)を含む積層体S1(2)の提供;
ii)導電層の少なくとも1つの被覆領域Dd(6)および少なくとも1つの非被覆領域Du(7)を得るための、導電層(4)の部分の、ポリマーP2を含む、被覆相由来の被覆層D(5)での部分的な被覆であって、ここでポリマーP2は、少なくとも1つのモノマーα1および少なくとも1つのコモノマーα3の共重合体であるか、または少なくとも1つのモノマーα1、少なくとも1つのモノマーα2および少なくとも1つのコモノマーα3の共重合体であり、モノマーα1は、カルボン酸基またはそれらの塩を含むモノマーであり、モノマーα2はカルボン酸の直鎖状もしくは分枝状のC 1 〜C 20 のアルコールエステルであり、コモノマーα3は少なくとも1つのエチレン性不飽和基で置換されたアリール基であり、
被覆層D(5)が、以下のプロセス段階を含むプロセスにより得られる:
iia)ポリマーP2と任意に溶媒を含む被覆相の前記導電層(4)の一部へのパターンとしての塗布であって、前記被覆領域Dd(6)及び前記非被覆領域Du(7)はパターンとなる:
iib)任意に、前記被覆層D(5)を得るための前記溶媒の少なくとも部分的な除去;
iii)少なくとも1つの被覆領域Dd(6)における導電層(4)の電気伝導率と比較して、少なくとも1つの非被覆領域Du(7)のうちの少なくとも一部における導電層(4)の電気伝導率の削減であって、少なくとも1つの非被覆領域D u (7)のうちの少なくとも一部を、塩素、臭素またはヨウ素を放出しうる有機化合物を含む組成物Z1と接触させる工程を少なくとも包含する;
iv)アルカリ水溶液処理による被覆層D(5)の少なくとも部分的な除去。 - 前記被覆層が、被覆層に基づき、20wt%未満のフォトラッカーを含む、請求項1に記載の製造プロセス。
- 積層体(1,2)のうちの少なくとも一部が、プロセス段階ii)〜iv)の1以上の前、後または間に加熱される、請求項1または2に記載の製造プロセス。
- プロセス段階iv)において、被覆層D(5)の除去が、被覆層D(5)のうちの少なくとも一部をpH>7の溶液と接触させることで実施され、色分離ΔEエリアA,気候試験前,エリアA,気候試験後およびΔEエリアB,気候試験前,エリアB,気候試験後における差異(|ΔΕエリアA,気候試験前,エリアA,気候試験後−ΔEエリアB,気候試験前,エリアB,気候試験後|)は、最大3.0である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- プロセス段階iv)において、被覆層D(5)の除去が、被覆層D(5)のうちの少なくとも一部をpH8〜14である溶液と接触させることで実施される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造プロセス
- 前記ポリマーP2が、少なくとも1つのモノマーα1、少なくとも1つのモノマーα2および少なくとも1つのコモノマーα3の共重合体である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記ポリマーP2が、メタクリル酸、アクリル酸ブチルおよびスチレンの繰り返し単位の共重合体である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記被覆相が、ポリマーP2および溶媒を含む溶液または分散剤である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記溶媒が水、アルコール、ケトン、エステルまたはこれらの2以上の混合物からなる群から選択される、請求項8に記載の製造プロセス。
- プロセス段階ii)において、被覆層D(5)が印刷プロセスを用いて塗布される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- プロセス段階iii)において、少なくとも1つの非被覆領域Du(7)のうちの少なくとも一部における導電層(4)の電気伝導率が、少なくとも1つの被覆領域Dd(6)における導電層(4)の電気伝導率と比較して、少なくとも10倍で減少される、請求項1〜10のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記iii)の工程における前記導電層(4)の電気伝導率の減少が、前記導電層(4)を前記組成物Z1中への浸漬によりまたは、前記導電層(4)を前記組成物Z1で印刷することにより行われる、請求項1〜11のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 最大4.5の色分離ΔE前,後が、導電層を組成物Z1と接触させることで生じる、請求項12に記載の製造プロセス。
- 前記導電層を前記組成物Z1と接触させることが、前記組成物Z1に接触させられる領域における前記導電層の厚さが最大50%で減少される条件下で行われる、請求項12または13に記載の製造プロセス。
- 前記導電層が導電性ポリマーに加えてポリアニオンを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記導電層が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸とのコンプレックスを含む、請求項1〜15のいずれか1項に記載の製造プロセス。
- 前記積層体S1(2)が、以下のプロセス段階を含むプロセスにより得られうる、請求項1〜16のいずれか1項に記載の製造プロセス:
ia)基板(3)の提供;
ib)基板(3)の表面の少なくとも一部へ導電性ポリマーP1および溶媒を含む組成物Z2の塗布;
ic)導電層(4)を得るための前記溶媒の少なくとも部分的な除去。 - 前記組成物Z2が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)およびポリスチレンスルホン酸のコンプレックスを含む溶液または分散剤である、請求項17に記載の製造プロセス。
- さらに、以下のプロセス段階を含む、請求項1〜18のいずれか1項に記載の製造プロセス:
v)pH<7である溶液を用いた前記積層体S2(1)の処理。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011107459 | 2011-07-08 | ||
| DE102011107459.0 | 2011-07-08 | ||
| US201161507239P | 2011-07-13 | 2011-07-13 | |
| US61/507,239 | 2011-07-13 | ||
| DE102012009175.3 | 2012-05-10 | ||
| DE102012009175 | 2012-05-10 | ||
| US201261657121P | 2012-06-08 | 2012-06-08 | |
| US61/657,121 | 2012-06-08 | ||
| PCT/EP2012/002840 WO2013007362A1 (en) | 2011-07-08 | 2012-07-06 | Process for the production of a layered body and layered bodies obtainable therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014525823A JP2014525823A (ja) | 2014-10-02 |
| JP6177235B2 true JP6177235B2 (ja) | 2017-08-09 |
Family
ID=47505534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014517520A Expired - Fee Related JP6177235B2 (ja) | 2011-07-08 | 2012-07-06 | 積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られる積層体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10671192B2 (ja) |
| EP (1) | EP2729845B1 (ja) |
| JP (1) | JP6177235B2 (ja) |
| KR (1) | KR102003530B1 (ja) |
| CN (1) | CN103649832A (ja) |
| TW (1) | TWI575411B (ja) |
| WO (1) | WO2013007362A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010050507A1 (de) * | 2010-11-08 | 2012-05-24 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Schichtkörpern durch Behandlung mit organischen Ätzmitteln und daraus erhältliche Schichtkörper |
| US9017927B2 (en) * | 2013-02-25 | 2015-04-28 | Eastman Kodak Company | Patterning of transparent conductive coatings |
| JP6464920B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2019-02-06 | 株式会社リコー | インク、インクカートリッジ、及びインクジェット記録装置 |
| CN107850879B (zh) | 2015-08-20 | 2021-02-23 | 西门子公司 | 用于生成工业设施中的切换序列的方法和设备 |
| TW201730292A (zh) * | 2015-11-20 | 2017-09-01 | Toagosei Co Ltd | 導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之圖案化方法 |
| US20220045274A1 (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Facebook Technologies Llc | Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4187190A (en) * | 1976-11-01 | 1980-02-05 | Desoto, Inc. | Low phosphate content dishwashing detergent |
| DE3843412A1 (de) | 1988-04-22 | 1990-06-28 | Bayer Ag | Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| EP0440957B1 (de) | 1990-02-08 | 1996-03-27 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
| EP0689098B1 (de) * | 1994-06-22 | 2000-08-16 | Ciba SC Holding AG | Positiv-Photoresist |
| WO1996041240A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Water photoresist emulsions and methods of preparation thereof |
| JP3293119B2 (ja) | 1996-04-24 | 2002-06-17 | ソニーケミカル株式会社 | フレキシブル基板原反 |
| EP1054414B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-03-12 | Agfa-Gevaert | Method for patterning a layer of conductive polymer |
| US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| DE10103416A1 (de) | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| SE520339C2 (sv) * | 2001-03-07 | 2003-06-24 | Acreo Ab | Elektrokemisk transistoranordning och dess tillverkningsförfarande |
| US7012306B2 (en) * | 2001-03-07 | 2006-03-14 | Acreo Ab | Electrochemical device |
| JP2003234473A (ja) | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Canon Inc | 有機半導体素子の製造方法 |
| ATE477371T1 (de) | 2002-04-22 | 2010-08-15 | Hueck Folien Gmbh | Substrate mit elektrisch leitfähigen schichten |
| JP4139662B2 (ja) | 2002-09-25 | 2008-08-27 | 大日本印刷株式会社 | 光透過性電磁波遮蔽シート及びその製造方法 |
| US6943571B2 (en) | 2003-03-18 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Reduction of positional errors in a four point probe resistance measurement |
| WO2004106437A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Avecia Inkjet Limited | Process |
| JP4997688B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 |
| JP4769455B2 (ja) * | 2003-12-30 | 2011-09-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | コーティング組成物 |
| JP2006185673A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujikura Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| EP1835513A4 (en) | 2004-12-27 | 2011-11-09 | Fujikura Ltd | ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP2008007631A (ja) | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Kaneka Corp | ポリイミドフィルム |
| JP2008083200A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | グラフトポリマーパターン形成方法、導電性パターン形成方法及び有機el表示装置 |
| CN103456626B (zh) | 2006-09-29 | 2016-06-08 | 东亚合成株式会社 | 导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法 |
| JP5209227B2 (ja) | 2007-04-26 | 2013-06-12 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | 導電性フィルムのパターニング処理方法およびパターニングされた導電性フィルム |
| JP5303994B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-10-02 | 東亞合成株式会社 | エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 |
| JP2010161013A (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Toagosei Co Ltd | 導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法、および、積層体 |
| JP2010202564A (ja) | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Shikoku Chem Corp | ジクロロイソシアヌル酸錠剤 |
| US8388852B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-03-05 | Apple Inc. | Method for fabricating touch sensor panels |
-
2012
- 2012-07-06 TW TW101124397A patent/TWI575411B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-07-06 US US14/131,614 patent/US10671192B2/en active Active
- 2012-07-06 JP JP2014517520A patent/JP6177235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-06 EP EP12742796.1A patent/EP2729845B1/en active Active
- 2012-07-06 KR KR1020147003352A patent/KR102003530B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-06 CN CN201280033718.XA patent/CN103649832A/zh active Pending
- 2012-07-06 WO PCT/EP2012/002840 patent/WO2013007362A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014525823A (ja) | 2014-10-02 |
| EP2729845B1 (en) | 2019-09-04 |
| US10671192B2 (en) | 2020-06-02 |
| KR20140047121A (ko) | 2014-04-21 |
| TW201308155A (zh) | 2013-02-16 |
| US20140313433A1 (en) | 2014-10-23 |
| CN103649832A (zh) | 2014-03-19 |
| TWI575411B (zh) | 2017-03-21 |
| KR102003530B1 (ko) | 2019-10-17 |
| EP2729845A1 (en) | 2014-05-14 |
| WO2013007362A1 (en) | 2013-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105556692B (zh) | 含有银纳米导线的组合物的图形化 | |
| JP6177235B2 (ja) | 積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られる積層体 | |
| EP2638547B1 (en) | Method for producing layer structures by treatment with organic etchants and layer structures obtainable therefrom | |
| EP3255104B1 (en) | Dispersions comprising polythiophenes with a defined content of thiophene monomer | |
| JP2014529162A (ja) | 積層体の製造プロセスおよびそのプロセスで得られるマスキングのない積層体 | |
| KR20220164714A (ko) | 도전성 고분자 조성물, 기판, 및 기판의 제조방법 | |
| JP2011508954A (ja) | ポリチオフェンおよびその誘導体に基づく高い導電率を示す塗膜の製造方法 | |
| KR101510644B1 (ko) | 전도성 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 전도성 패턴 | |
| KR20210024052A (ko) | 물과 공비혼합물을 형성하는 전도성 고분자 및 유기 용매의 입자를 포함하는 액체 조성물 | |
| JP4077405B2 (ja) | 導電性パターンの形成のための材料及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160502 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160704 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170215 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170711 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6177235 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |