JP6208250B2

JP6208250B2 - 発光装置

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Publication number: JP6208250B2
Application number: JP2015544699A
Authority: JP
Inventors: 幸二藤田
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2013-10-30
Filing date: 2013-10-30
Publication date: 2017-10-04
Anticipated expiration: 2033-10-30
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Description

本発明は、発光装置に関する。

所定のパターンを表示する発光装置に求められる特性の一つに、視認性、例えばパターンのエッジがはっきりしていたり、表示されているパターンのみ認識できるようにすることがある。特許文献１には、視認性を向上させるために、発光装置の光射出面に遮光層を設けることが記載されている。詳細には、特許文献１は、液晶パネルに関する技術である。そして、液晶パネルの光射出面側の面には、遮光層が設けられている。この遮光層には、画素を形成するための開口が複数設けられている。

また、特許文献２には、有機ＥＬ素子を用いた光学装置において、遮光マスクを設けることが記載されている。詳細には、この光学装置は、透明基板上に有機ＥＬ素子を形成し、さらに透明基板のうち有機ＥＬ素子が形成されている面を、封止部材で封止したものである。遮光マスクは、封止部材のうち有機ＥＬ素子と重なる領域に形成されている。

特開２００５−１２２１０１号公報特開２００８−１２９０４２号公報

本発明者は、複数の発光領域を有する発光装置において、各発光領域からの発光の視認性を向上させることを検討した。このような発光装置の視認性を向上させる方法の一つに、発光装置の光射出面のうち複数の発光領域の間に位置する領域に、遮光層を設ける方法がある。しかし、遮光層として用いられる材料は、一般的に、可視光の反射率が高い場合が多い。このため、ある発光領域からの光の一部が遮光層に向かって斜めに進行した場合、その光は、遮光層で反射する。また、発光領域を有機ＥＬ素子で形成した場合、有機ＥＬ素子の電極の一方が反射率の高い金属電極、例えばアルミニウムで形成される。この反射光の少なくとも一部は、発光中の発光領域の隣の発光領域（例えば上記した反射率の高い金属電極）で反射して、外部に射出する。この隣の発光領域が本来発光していない発光領域である場合、このような反射が生じると、本来発光していない発光領域も発光しているように見える。この場合、各発光領域からの発光の視認性が低下してしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、所定のパターンを表示する発光装置において、視認性を向上させることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
厚さ方向において前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
前記第１層を挟んで前記基板の逆側に位置する第３層と、
を有し、
前記第２層及び前記第３層は、前記第１層よりも反射率が低く、
前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第１層の端部は、前記第２層の端部及び前記第３層の端部よりも、前記遮光層の内側に位置している発光装置である。

請求項３に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
前記第２層の端部の少なくとも一部を覆う第３層と、
を有し、
前記第２層及び前記第３層は、前記第１層よりも反射率が低い発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図２の変形例を示す図である。遮光層の形成方法を説明するための断面図である。遮光層の形成方法を説明するための断面図である。比較例に係る発光装置の構成を示す断面図である。第１の実施形態に係る発光装置における光吸収層の機能を説明するための断面図である。第２の実施形態に係る発光装置の断面図である。第２の実施形態に係る遮光層の形成方法を説明するための断面図である。図８の変形例を示す図である。実施例に係る発光装置の構成を示す断面図である。実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。発光装置１０は、例えば光学装置において文字や記号等を表示するために用いられ、基板１００、複数の発光領域１０１、及び遮光層２００を備えている。複数の発光領域１０１は、基板１００の第１面（例えば図２の下側の面）側に設けられている。遮光層２００は、基板１００の第２面側（例えば図２の上側の面）に設けられている。そして図２に示すように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、複数の発光領域１０１の間に位置している。遮光層２００は、光反射層２０２（第１層）及び光吸収層２０４（第２層）を有している。光吸収層２０４は、厚さ方向において光反射層２０２よりも基板１００側に位置しており、光反射層２０２よりも光の反射率が低い。光吸収層２０４の好ましい例として、光を吸収する層であり、透明な層は含まない。さらに、基板１００に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。以下、詳細に説明する。

基板１００は、発光領域１０１が発光する光に対して透光性を有している材料によって形成されている。基板１００は、ガラス基板であってもよいし、樹脂基板であってもよい。また、基板１００がある程度薄い場合、基板１００は可撓性を有している。基板１００の厚さは、例えば３００μｍ以上６００μｍ以下である。

発光領域１０１には、例えばそれぞれが互いに独立した発光素子が形成されている。この発光素子は、例えば有機ＥＬ素子であるが、ＬＥＤなどの他の自発光素子であってもよい。発光領域１０１は、例えば図１に示すように、互いに異なる平面形状（例えば文字、数字、及び／又は記号）を有している。

遮光層２００は、複数の層を積層したものである。これら複数の層には、光反射層２０２及び光吸収層２０４が含まれる。図２に示す例において、遮光層２００は、基板１００の第２面側に、光吸収層２０４及び光反射層２０２をこの順に積層させた構成を有している。光反射層２０２は、可視光（例えば発光領域１０１が発光する光）を遮光する機能を有している。光反射層２０２は、例えばＣｒなどの金属によって形成されており、その厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。光吸収層２０４は、発光領域１０１が発光する光の反射率が光反射層２０２よりも低い材料によって形成されている。光反射層２０２が金属によって形成されている場合、光吸収層２０４は、この金属の酸化物（例えば酸化クロム）によって形成されている。なお、光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも薄く形成されている。光吸収層２０４の厚さは、例えば３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。光吸収層２０４の厚さは、例えば光反射層２０２の厚さ以下である。ただし光吸収層２０４の厚さは、光反射層２０２の厚さ以上であってもよい。

上記したように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において複数の発光領域１０１の間に位置している。詳細には、遮光層２００は複数の開口２１０を有している。複数の開口２１０は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、互いに異なる発光領域１０１と重なっており、かつ重なっている発光領域１０１と同様の形状を有している。このため、遮光層２００を設けることにより、発光領域１０１の発光によって示されるパターンのエッジはシャープになる。これによって発光装置１０が示すパターンの視認性は向上する。

さらに、基板１００に垂直な方向から見たときに、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。言い換えると、開口２１０の外形線は、光吸収層２０４の端部によって規定されている。そして、光反射層２０２の幅は、光吸収層２０４の幅よりも小さい。このため、発光領域１０１から見た場合において、光反射層２０２の端面の少なくとも一部は、光吸収層２０４によって覆われる。なお、光反射層２０２の端部から光吸収層２０４の端部まで距離は、例えば２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。また、遮光層２００の厚さをｔとした場合、光反射層２０２の端部から光吸収層２０４の端部まで距離は、例えば３ｔ以下である。

なお、基板１００に垂直な方向から見た場合において、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し小さくても良い。この場合、開口２１０の縁は、発光領域１０１の内側に位置する。このようにすると、発光領域１０１と遮光層２００の間に位置ずれが生じていても、遮光層２００の縁は発光領域１０１に重なっているため、発光装置１０の視認性は低下しない。なお、遮光層２００と発光領域１０１の重なっている部分の幅は、例えば５μｍ以上４０μｍ以下である。

逆に、図３に示すように、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し大きくしても良い。この場合、遮光層２００の端部から発光領域１０１の端部までの距離は、例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下である。この場合、発光装置１０を少し斜めから見ても、発光装置１０からの光を認識できるようになる。

図４及び図５は、遮光層２００の形成方法を説明するための断面図である。なお、本図において、発光領域１０１は図示されていない。ただし、遮光層２００を形成する前に、発光領域１０１のすべてが形成されていなくてもよいし、発光領域１０１の少なくとも一部の層が形成されていても良い。

まず、図４（ａ）に示すように、基板１００の上に光吸収層２０４を形成する。光吸収層２０４は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。次いで光吸収層２０４の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンを介して光吸収層２０４をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光吸収層２０４のうち不要な部分は除去される。その後、図４（ｂ）に示すように、マスクパターンを除去する。

次いで、図５に示すように、光吸収層２０４の上及び基板１００の上に光反射層２０２を形成する。光吸収層２０４及び光反射層２０２は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。

その後、光反射層２０２の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンをマスクとして光反射層２０２をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光反射層２０２のうち不要な部分は除去される。

図６は、比較例に係る発光装置１０の構成を示す図であり、実施形態における図２に対応している。この発光装置１０は、遮光層２００が光吸収層２０４を有していない点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。ある発光領域１０１ａ（図６における左側の発光領域１０１）が発光していて、その隣の発光領域１０１ｂ（図６における右側の発光領域１０１）が発光していない場合を考える。一般的に、発光素子が発光した光は、ある程度の角度を持って広がる。このため、発光領域１０１ａから発光した光の一部は、光反射層２０２で反射し、さらに発光領域１０１ｂで反射されてから、発光装置１０の外部に放射される。この場合、発光領域１０１ｂは発光していないにもかかわらず、発光領域１０１ｂが少し光っているように見えてしまう。この場合、発光装置１０の視認性は低下してしまう。

これに対して本実施形態では、遮光層２００のうち基板１００に対向している面には、光吸収層２０４が形成されている。光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも光の反射率が低い。従って、図７に示すように、発光領域１０１ａから発光した光の一部が遮光層２００に入射しても、遮光層２００から発光領域１０１ｂに向けて反射する光は少なくなるか、又は、ほぼ無くなる。従って、発光装置１０の視認性は向上する。

また、図６に示した比較例において、さらに、発光領域１０１で発光した光の一部は、光反射層２０２の端面で反射する。この場合、発光領域１０１の縁はにじんでいるように見えてしまい、その結果、発光装置１０の視認性は低下してしまう。

これに対して本実施形態では、基板１００に垂直な方向から見たときに、光反射層２０２の端部は、光反射層２０２の端部よりも、発光領域１０１から離れているこのため、発光領域１０１から見た場合において、光反射層２０２の端面の少なくとも一部は、光吸収層２０４によって覆われる。従って、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを抑制できる。この効果は、光反射層２０２の端部と光吸収層２０４の端部の距離が大きくなるにつれて、大きくなる。

（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図２に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、遮光層２００が光吸収層２０６（第３層）を備えている点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

光吸収層２０６は、光反射層２０２（第１層）を挟んで基板１００の逆側に位置している。言い換えると、遮光層２００は、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に積層した構成を有している。光吸収層２０６は、光反射層２０２よりも反射率が低い。そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０６の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。光吸収層２０６は、光吸収層２０４と同様の材料によって形成されている。例えば光反射層２０２が金属によって形成されている場合、光吸収層２０４は、この金属の酸化物（例えば酸化クロム）によって形成されている。なお、光吸収層２０６は、光反射層２０２よりも薄く形成されている。光吸収層２０６の厚さは、例えば光反射層２０２の厚さ以下である。ただし光吸収層２０６の厚さは、光反射層２０２の厚さ以上であってもよい。

図９は、本実施形態に係る遮光層２００の製造方法を説明するための断面図である。まず、図９（ａ）に示すように、基板１００の上に、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に形成する。光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。なお、光吸収層２０４，２０６が光反射層２０２を形成する金属の酸化物で形成されている場合、光反射層２０２と光吸収層２０４，２０６は同一の処理室で形成されるのが好ましい。この場合、まず、処理室の中に酸化剤（例えば酸素ガス）を導入しながら成膜を行い、その後、成膜を継続しながら酸化剤の導入を止めて成膜を行い、さらにその後、酸化剤の導入を再開することにより、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に連続して形成することができる。

次いで、図９（ｂ）に示すように、光吸収層２０６の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンを介して、光吸収層２０６、光反射層２０２、及び光吸収層２０４をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光吸収層２０４のうち不要な部分は除去される。このときのエッチング条件は、光反射層２０２のエッチング速度が、光吸収層２０４，光吸収層２０６のエッチング速度よりも速くなるように設定される。これにより、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４，光吸収層２０６の端部よりも遮光層２００の内側に位置する。その後、マスクパターンを除去する。この方法によれば、図８のように基板に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２（第１層）の端部は、光吸収層２０４（第２層）および光吸収層２０６（第３層）の端部よりも、遮光層２００の内側に位置するようになる。

本実施形態によっても、第１の実施形態と同様に、従って、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを抑制できるため、発光装置１０の視認性は向上する。

また、光反射層２０２の上面には光吸収層２０６が形成されているため、発光装置１０の外部から発光装置１０に入射した光が、光反射層２０２によって反射されることを抑制できる。このため、発光装置１０の視認性はさらに向上する。

なお、図１０に示すように、光吸収層２０６の端部が自重によって変形し、光吸収層２０４の上に位置することがある。この場合、光吸収層２０６によって光反射層２０２の端部の少なくとも一部は覆われる。この場合、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを、さらに抑制できる。特に本図に示すように、光吸収層２０６の一部が光吸収層２０４の上に位置する場合、光反射層２０２の端部の全部が光吸収層２０６によって覆われるため、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを、さらに抑制できる。

なお、光吸収層２０６の端面によって発光領域１０１からの光が反射されることを抑制することを意識した場合、光吸収層２０６は、光反射層２０２の側面にのみ形成されていてもよい。

図１１は、実施例に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第２の実施形態に示した発光装置１０と同様の構成である。

まず、発光領域１０１は、有機ＥＬ素子によって形成されている。詳細には、発光領域１０１は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。なお、各層の間には、他の層が形成されていても良い。

第１電極１１０は、透光性の導電性材料、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成されている。そして、第２電極１３０は、光を反射する材料、例えばＡｌ電極などの金属によって形成されている。

有機層１２０は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、電子輸送層は第２電極１３０に接している。このようにして、有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間で挟持されている。そして有機層１２０の材料、例えば発光層の材料を選択することにより、発光領域１０１が発光する光の色を所望の色にすることができる。

なお、第１電極１１０と正孔輸送層との間には正孔注入層が形成されても良いし、第２電極１３０と電子輸送層との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層が発光層の機能を兼ねているため、発光層は不要となる。また、これら第１電極１１０、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び第２電極１３０のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１２０と第２電極１３０との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。

そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０は、隣り合う発光領域１０１の間にも形成されている。すなわち第１電極１１０及び有機層１２０は、発光領域１０１別にパターニングされているが、第２電極１３０は、複数の第１電極１１０の間で共通する電極となっている。

なお、隣り合う発光領域１０１の間には、絶縁層１０２が形成されている。詳細には、隣り合う絶縁層１０２の間には、第１電極１１０及び有機層１２０が形成されている。有機層１２０の一部は絶縁層１０２の上に食み出していてもよい。そして第２電極１３０は、有機層１２０の上及び絶縁層１０２の上に連続的に形成されている。絶縁層１０２は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１０２としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１０２はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。

そして、有機層１２０及び第２電極１３０は、絶縁層１０２が形成された後に、この順に形成されている。

そして、基板１００のうち遮光層２００が形成されている面の上には、偏光層３００が形成されている。偏光層３００は、遮光層２００を覆っている。偏光層３００は、発光領域に入射した外光が、第２電極１３０によって反射することを防いだり、遮光層２００の上面で反射することを防ぐために設けられている。すなわち発光装置１０が非点灯のときの発光装置１０の外観品質を向上させることができる。偏光層３００を遮光層２００上に形成するときに、遮光層２００の膜厚を２００ｎｍ以下とすることが良い。遮光層２００の膜厚が大きくなると、偏光層３００を基板１００に貼り付ける際に、気泡等を巻き込んでしまい、外観品質が低下してしまうためである。

また、遮光層２００の光反射層２０２のうち光吸収層２０４とは逆側の面には、被覆膜２２０が形成されている。被覆膜２２０は、たとえばレジストなどの樹脂、又は酸化シリコンなどの無機材料によって形成されている。本図に示す例では、被覆膜２２０は、光吸収層２０６の上に形成されている。後述する発光装置１０の製造工程において、基板１００の第２面に遮光層２００が形成された後、第２面側を下に向けて基板１００を搬送することがある。この場合において、被覆膜２２０は、遮光層２００に傷がつかないようにするために設けられている。

図１２〜図１４は、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明するための図である。まず、図１２（ａ）に示すように、基板１００のうち発光領域１０１が形成される面に、第１電極１１０を形成する。この段階では、第１電極１１０はパターニングされていない。なお、第１電極１１０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。

次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板１００のうち第１電極１１０が形成されている面とは逆側の面に、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に形成する。次いで、光吸収層２０６上に被覆膜２２０を形成する。被覆膜２２０は、例えば塗布法を用いて形成される。

次いで、図１３（ａ）に示すように、遮光層２００及び被覆膜２２０をパターニングし、開口２１０を形成する。このとき、光反射層２０２の端部は、第２の実施形態で説明したように、光吸収層２０４，光吸収層２０６の端部よりも、光反射層２０２の内側に位置する。

次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１電極１１０をパターニングする。この処理は、例えば第１電極１１０の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして第１電極１１０をエッチングすることにより、行われる。また、このとき搬送面が遮光層２００となるために、遮光層２００は傷つきやすくなる。これに対して本実施例では、遮光層２００のうち基板１００とは逆側の面には被覆膜２２０が設けられている。このため、遮光層２００に傷がつくことを抑制できる。

次いで、図１４（ａ）に示すように、絶縁層１０２を形成し、絶縁層１０２をパターニングする。絶縁層１０２が感光性材料によって形成されている場合、絶縁層１０２は、露光及び現像によってパターニングされる。

次いで、図１４（ｂ）に示すように、有機層１２０を形成する。有機層１２０を構成する各層は、蒸着法を用いて形成されていても良いし、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されていてもよい。また、有機層１２０を構成する複数の層の少なくとも一つは、他の層とは異なる方法によって形成されていても良い。

次いで、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。その後、偏光層３００を形成する。

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。

また本実施例では、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光領域１０１の間に位置する領域にも第２電極１３０が形成されている。このため、光反射層２０２が有機層１２０からの光を反射した場合、この反射光は第２電極１３０によって反射される確率は高くなる。この場合、発光装置１０の視認性は特に低下しやすくなる。これに対して本実施例では、光反射層２０２のうち基板１００に面する面には光吸収層２０４が形成されている。従って、第２電極１３０が隣り合う発光領域１０１の間に形成されていても、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。

なお本実施例において、遮光層２００の構成を第１の実施形態と同様の構成にしてもよい。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims

基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
厚さ方向において前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
前記第１層を挟んで前記基板の逆側に位置する第３層と、
を有し、
前記第２層及び前記第３層は、前記第１層よりも反射率が低く、
前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第１層の端部は、前記第２層の端部及び前記第３層の端部よりも、前記遮光層の内側に位置している発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１層は金属により形成されており、
前記第２層は、前記金属の酸化物によって形成されている発光装置。
基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
前記第２層の端部の少なくとも一部を覆う第３層と、
を有し、
前記第２層及び前記第３層は、前記第１層よりも反射率が低い発光装置。
請求項３に記載の発光装置において、
前記第３層の一部は、前記第１層の上に位置している発光装置。
請求項４に記載の発光装置において、
前記第１層は、前記第２層と前記第３層に挟まれており、かつ、前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第１層の端部は、前記第２層の端部及び前記第３層の端部よりも、前記遮光層の内側に位置している発光装置。
請求項５に記載の発光装置において、
前記第１層は金属により形成されており、
前記第２層及び前記第３層は、前記金属の酸化物によって形成されている発光装置。
請求項２又は６に記載の発光装置において、
前記複数の発光領域は、それぞれ、
第１電極と、
前記第１電極を介して前記基板とは逆側に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備える発光装置。
請求項７に記載の発光装置において、
前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第２電極は、前記複数の発光領域の間に位置する領域にも形成されている発光装置。