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JP6209832B2 - Manufacturing method of laminate - Google Patents
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Description

本発明は、基材フィルムの両側にそれぞれ設けられた遮光導電層を備える積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laminate including light-shielding conductive layers provided on both sides of a base film.

タッチパネルセンサやディスプレイ用基板などの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルム、透明導電層や金属層などの複数の層を含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。   Electronic components such as touch panel sensors and display substrates are generally composed of a plurality of layers such as a layer for realizing optical characteristics and a layer for realizing electrical characteristics. As a method for producing such an electronic component, a laminate including a plurality of layers such as a base film, a transparent conductive layer, and a metal layer is first prepared, and then any layer of the laminate is photolithography. A method of patterning by a method or the like is known.

積層体を製造する方法の1つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、マグネトロンスパッタリング法やEB蒸着法などの成膜法を用いて、基材フィルム上に各層を積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献1において、マグネトロンスパッタリング法を用いて、PETおよびハードコート層を含む基材上に、酸化ニオブ層、酸化珪素層やITO層を順次形成していくことが記載されている。また特許文献1においては、得られる積層体にカールが生じることを抑制するため、低温でITOを成膜することが提案されている。   As one of the methods for producing a laminate, first, a base film is prepared, and then each layer is laminated on the base film using a film forming method such as a magnetron sputtering method or an EB vapor deposition method. The method is known. For example, Patent Document 1 describes that a niobium oxide layer, a silicon oxide layer, and an ITO layer are sequentially formed on a substrate including PET and a hard coat layer by using a magnetron sputtering method. Patent Document 1 proposes forming an ITO film at a low temperature in order to suppress the occurrence of curling in the resulting laminate.

特開2011−65937号公報JP2011-65937A

近年、タッチパネルセンサなどの電子部品に求められる特性が益々高度なものとなっている。このため、電子部品の構造が複雑化しており、これに伴って、電子部品を作製するために用いられる積層体の層構成も複雑化している。例えば、タッチパネルセンサのパターンは、基材フィルムの一方の側だけでなく他方の側にも設けられることが求められている。このため積層体においては、基材フィルムの一方の側だけでなく他方の側にも様々な層が形成されることになる。   In recent years, characteristics required for electronic components such as touch panel sensors have become increasingly sophisticated. For this reason, the structure of the electronic component is complicated, and accordingly, the layer structure of the laminate used for manufacturing the electronic component is also complicated. For example, the touch panel sensor pattern is required to be provided not only on one side of the substrate film but also on the other side. Therefore, in the laminate, various layers are formed not only on one side of the base film but also on the other side.

積層体の製造方法の1つとして、長尺状の基材フィルムを搬送しながら基材フィルム上に順次各層を積層する、いわゆるロール・トゥー・ロールの製造方法が知られている。この場合、スパッタリングなどの成膜処理は、例えば、搬送ドラムに巻き付けられた状態にある基材フィルムに対して実施される。ところで、上述のように様々な層が基材フィルムの両側に形成される場合、基材フィルムの他方の側に対する成膜処理を実施する際には、基材フィルムの一方の側の最表面に位置する層が搬送ドラムの表面に接することになる。このため、基材フィルムの他方の側に対する成膜処理の間に、基材フィルムの伸縮などに起因して、基材フィルムの一方の側の最表面に位置する層が搬送ドラムによって擦られてしまい、これによって層が傷ついてしまうことが考えられる。   As one method for producing a laminate, a so-called roll-to-roll production method is known in which each layer is sequentially laminated on a base film while a long base film is conveyed. In this case, the film forming process such as sputtering is performed on the base film in a state of being wound around the transport drum, for example. By the way, when various layers are formed on both sides of the base film as described above, when performing the film forming process on the other side of the base film, the outermost surface on one side of the base film is formed. The positioned layer is in contact with the surface of the transport drum. For this reason, during the film forming process on the other side of the base film, the layer located on the outermost surface on the one side of the base film is rubbed by the transport drum due to expansion and contraction of the base film. This can cause damage to the layer.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る積層体の製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method of the laminated body which can solve such a subject effectively.

本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、を含む中間積層体を準備する工程と、前記第1遮光導電層が搬送ドラムの表面と向かい合うよう前記中間積層体を前記搬送ドラムに巻き付けた状態で、前記中間積層体の他方の側に、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層を形成する成膜工程と、を備え、前記基材フィルムは、0〜90℃の範囲内における線膨張係数が2.0〜2.4×10−5/℃である透明樹脂材料から構成されており、前記基材フィルムの厚みは100〜250μmの範囲内となっており、前記成膜工程は、前記第2遮光導電層を構成するための金属からなるターゲットに荷電粒子を照射して、前記ターゲットの構成元素を前記中間積層体の他方の側に付着させる真空成膜工程を含み、前記真空成膜工程において、前記搬送ドラムの表面が加熱されている、積層体の製造方法である。 The present invention provides a step of preparing an intermediate laminate including a base film and a first light-shielding conductive layer that is provided on one side of the base film and has light-shielding properties and conductivity, and the first light-shielding A second light-shielding conductive layer having light shielding properties and conductivity is formed on the other side of the intermediate laminate in a state where the intermediate laminate is wound around the carrier drum so that the conductive layer faces the surface of the carrier drum. The base film is composed of a transparent resin material having a linear expansion coefficient of 2.0 to 2.4 × 10 −5 / ° C. within a range of 0 to 90 ° C., and The thickness of the base film is in the range of 100 to 250 μm, and the film forming step irradiates a target made of metal for constituting the second light-shielding conductive layer with charged particles, and configures the target. Element of the intermediate laminate Includes a vacuum deposition step of depositing in a square the side of, in the vacuum deposition step, the surface of the transport drum is heated, a method for producing a laminate.

本発明による積層体の製造方法において、前記真空成膜工程において、前記搬送ドラムの表面の温度が60〜90℃の範囲内に制御されていてもよい。   In the method for manufacturing a laminate according to the present invention, in the vacuum film forming step, the temperature of the surface of the transport drum may be controlled within a range of 60 to 90 ° C.

本発明による積層体の製造方法において、前記中間積層体の前記基材フィルムは、シクロオレフィンポリマーから構成されていてもよい。   In the manufacturing method of the laminated body by this invention, the said base film of the said intermediate laminated body may be comprised from the cycloolefin polymer.

本発明による積層体の製造方法において、前記第1遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金から構成されていてもよい。   In the method for manufacturing a laminate according to the present invention, the first light-shielding conductive layer may be made of a silver alloy containing silver as a main component and copper and palladium.

本発明による積層体の製造方法において、前記成膜工程は、前記中間積層体の温度を測定する温度モニタ工程をさらに含んでいてもよい。この場合、前記真空成膜工程において、前記搬送ドラムの表面は、前記搬送ドラムの表面の温度が前記モニタ工程において得られた前記中間積層体の温度と略同一になるよう加熱される。   In the laminated body manufacturing method according to the present invention, the film forming step may further include a temperature monitoring step of measuring the temperature of the intermediate laminated body. In this case, in the vacuum film forming step, the surface of the transport drum is heated so that the temperature of the surface of the transport drum is substantially the same as the temperature of the intermediate laminate obtained in the monitoring step.

本発明によれば、基材フィルムの他方の側に第2遮光導電層を形成する工程の際、搬送ドラムの表面が加熱されている。このため、搬送ドラムに接する側である、基材フィルムの一方の側における温度と、基材フィルムの他方の側における、荷電粒子の照射に起因して上昇した温度と、の間に大きな差が生じることを抑制することができる。これによって、温度差に起因したシワが基材フィルムに生じることを低減することができ、従って、第1遮光導電層が搬送ドラムによって擦られてしまうことを抑制することができる。このことにより、第2遮光導電層の成膜処理の際に第1遮光導電層が損傷してしまうことを抑制することができる。   According to the present invention, the surface of the transport drum is heated during the step of forming the second light-shielding conductive layer on the other side of the base film. For this reason, there is a large difference between the temperature on one side of the base film, which is in contact with the transport drum, and the temperature increased due to irradiation of charged particles on the other side of the base film. It is possible to suppress the occurrence. Thereby, it is possible to reduce the occurrence of wrinkles due to the temperature difference in the base film, and thus it is possible to suppress the first light-shielding conductive layer from being rubbed by the transport drum. This can prevent the first light-shielding conductive layer from being damaged during the film-forming process of the second light-shielding conductive layer.

図1は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a laminated body manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。FIG. 2 is a view showing a film forming apparatus of the laminate manufacturing apparatus shown in FIG. 図3は、図2に示す成膜装置の加熱手段を示す断面図。3 is a cross-sectional view showing a heating means of the film forming apparatus shown in FIG. 図4は、図2に示す成膜装置により形成された第2遮光導電層を含む積層体を示す断面図。4 is a cross-sectional view showing a stacked body including a second light-shielding conductive layer formed by the film forming apparatus shown in FIG. 図5は、積層体製造装置に供給される中間積層体を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an intermediate laminate supplied to the laminate manufacturing apparatus. 図6は、スパッタリング法によって第2遮光導電層が成膜される際の様子を模式的に示す図。FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state where the second light-shielding conductive layer is formed by a sputtering method. 図7(a)は、搬送ドラムが加熱されていないと仮定した場合に中間積層体に生じる熱応力を模式的に示す図、図7(b)は、本実施の形態による積層体製造方法を用いた場合に中間積層体に生じる熱応力を模式的に示す図。FIG. 7A is a diagram schematically showing thermal stress generated in the intermediate laminate when it is assumed that the transport drum is not heated, and FIG. 7B shows the laminate manufacturing method according to the present embodiment. The figure which shows typically the thermal stress which arises in an intermediate | middle laminated body when it uses. 図8は、図4に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing a touch panel sensor obtained by patterning the laminated body shown in FIG. 図9は、図8に示すタッチパネルセンサの線IX−IXに沿った断面図。9 is a sectional view taken along line IX-IX of the touch panel sensor shown in FIG. 図10は、サンプルA〜Cに生じるシワを観察した結果を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating a result of observing wrinkles generated in samples A to C. 図11は、搬送ドラムの温度を40℃または70℃に制御した場合に、積層体の第1遮光導電層に形成される傷の数をカウントした結果を示す図。FIG. 11 is a diagram illustrating a result of counting the number of scratches formed in the first light-shielding conductive layer of the multilayer body when the temperature of the transport drum is controlled to 40 ° C. or 70 ° C. 図12は、積層体の遮光導電層における(111)面の比率および結晶粒サイズを、遮光導電層の硬度に対してプロットした結果を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a result of plotting the ratio of the (111) plane and the crystal grain size in the light-shielding conductive layer of the laminate against the hardness of the light-shielding conductive layer. 図13は、シワに基づく傷発生頻度および硬度に基づく傷発生頻度をそれぞれ成膜温度の関数として概略的に示すグラフ。FIG. 13 is a graph schematically showing the flaw occurrence frequency based on wrinkles and the flaw occurrence frequency based on hardness, respectively, as a function of the film formation temperature.

以下、図1乃至図9を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図4を参照して、本実施の形態において製造される積層体10について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. First, with reference to FIG. 4, the laminated body 10 manufactured in this Embodiment is demonstrated.

積層体
図4は、積層体10を示す断面図である。図4に示すように、積層体10は、基材フィルム12と、基材フィルム12の一方の側に設けられた複数の層と、基材フィルム12の他方の側に設けられた複数の層と、を備えている。基材フィルム12の一方の側に設けられた複数の層は、基材フィルム12の一方の側の面12a上に順に設けられた第1ハードコート層13a、第1高屈折率層14a、第1低屈折率層15a、第1透明導電層16aおよび第1遮光導電層17aを含んでいる。基材フィルム12の他方の側に設けられた複数の層は、基材フィルム12の他方の側の面12b上に順に設けられた第2ハードコート層13b、第2高屈折率層14b、第2低屈折率層15b、第2透明導電層16bおよび第2遮光導電層17bを含んでいる。
Laminated Body FIG. 4 is a cross-sectional view showing the laminated body 10. As shown in FIG. 4, the laminate 10 includes a base film 12, a plurality of layers provided on one side of the base film 12, and a plurality of layers provided on the other side of the base film 12. And. The plurality of layers provided on one side of the base film 12 includes a first hard coat layer 13a, a first high refractive index layer 14a, a first layer provided on the surface 12a on one side of the base film 12 in order. 1 includes a low refractive index layer 15a, a first transparent conductive layer 16a, and a first light-shielding conductive layer 17a. The plurality of layers provided on the other side of the base film 12 include a second hard coat layer 13b, a second high refractive index layer 14b, and a second layer provided in order on the surface 12b on the other side of the base film 12. 2 includes a low refractive index layer 15b, a second transparent conductive layer 16b, and a second light-shielding conductive layer 17b.

以下、基材フィルム12、ハードコート層13a,13b、高屈折率層14a,14b、第1低屈折率層15a,15b、第1透明導電層16a,16bおよび第1遮光導電層17a,17bについてそれぞれ説明する。   Hereinafter, the base film 12, the hard coat layers 13a and 13b, the high refractive index layers 14a and 14b, the first low refractive index layers 15a and 15b, the first transparent conductive layers 16a and 16b, and the first light shielding conductive layers 17a and 17b. Each will be explained.

(基材フィルム)
基材フィルム12は、十分な透光性を有し、かつ、0〜90℃の範囲内における線膨張係数が2.0〜2.4×10−5/℃である透明樹脂材料から構成されている。透明樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、トリアセチルセルロース(TAC)、(ポリメチルメタクリレート(PMMA)などが挙げられる。基材フィルム12の厚みは、例えば100〜250μmの範囲内となっている。
(Base film)
The base film 12 is made of a transparent resin material that has sufficient translucency and has a linear expansion coefficient of 2.0 to 2.4 × 10 −5 / ° C. within a range of 0 to 90 ° C. ing. Examples of the transparent resin material include polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC), and (polymethyl methacrylate (PMMA). The thickness of the base film 12 is, for example, in the range of 100 to 250 μm.

(ハードコート層)
ハードコート層13a,13bは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体(オリゴマー)が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。ハードコート層13a,13bとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。ハードコート層13a,13bの厚みは、例えば0.1〜10μmの範囲内となっている。
(Hard coat layer)
The hard coat layers 13a and 13b are layers provided for the purpose of preventing scratches and for the purpose of preventing the low molecular weight polymer (oligomer) from being precipitated and appearing cloudy in the interface between the layers. As the hard coat layers 13a and 13b, for example, an acrylic resin is used. The thickness of the hard coat layers 13a and 13b is, for example, in the range of 0.1 to 10 μm.

(高屈折率層および低屈折率層)
低屈折率層15a,15bは、透明導電層16a,16bを構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、高屈折率層14a,14bは、低屈折率層15a,15bよりも高い屈折率を有する材料から構成される層である。このような高屈折率層14a,14bおよび低屈折率層15a,15bを基材フィルム12と透明導電層16a,16bとの間に設けることにより、積層体10における光の透過率や反射率を調整することができる。例えば、高屈折率層14a,14bおよび低屈折率層15a,15bは、後述するように積層体10の透明導電層16a,16bがパターニングされてタッチパネルセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。
(High refractive index layer and low refractive index layer)
The low refractive index layers 15a and 15b are layers made of a material having a lower refractive index than the material constituting the transparent conductive layers 16a and 16b, while the high refractive index layers 14a and 14b are low refractive index layers. It is a layer composed of a material having a higher refractive index than 15a and 15b. By providing such high refractive index layers 14a and 14b and low refractive index layers 15a and 15b between the base film 12 and the transparent conductive layers 16a and 16b, the light transmittance and reflectance of the laminate 10 can be increased. Can be adjusted. For example, the high refractive index layers 14a and 14b and the low refractive index layers 15a and 15b are transparent conductive materials when the transparent conductive layers 16a and 16b of the laminate 10 are patterned to form a transparent conductive pattern of the touch panel sensor as described later. It can function as an index matching layer for reducing the difference in light transmittance and reflectance between the region where the pattern is provided and the region where the pattern is not provided.

低屈折率層15a,15bを構成する材料としては、透明導電層16a,16bを構成する材料よりも低い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化珪素が用いられる。高屈折率層14a,14bを構成する材料としては、第1低屈折率層15aを構成する材料よりも高い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。高屈折率層14a,14bおよび低屈折率層15a,15bの厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。   The material constituting the low refractive index layers 15a and 15b is not particularly limited as long as the material has a lower refractive index than the material constituting the transparent conductive layers 16a and 16b. For example, silicon oxide is used. The material constituting the high refractive index layers 14a and 14b is not particularly limited as long as the material has a higher refractive index than the material constituting the first low refractive index layer 15a. For example, niobium oxide or zirconium is used. . The thicknesses of the high-refractive index layers 14a and 14b and the low-refractive index layers 15a and 15b are appropriately set according to the materials used so that desired transmittance and reflectance are achieved.

なお本実施の形態においては、上述の高屈折率層14a,14bおよび低屈折率層15a,15bが積層体10に含まれている例について説明するが、しかしながら、高屈折率層14a,14bおよび低屈折率層15a,15bは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層13a,13bも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム12の一方の側の面12aや第1ハードコート層13aの一方の側の面に直接的に接するよう第1透明導電層16aが設けられることもある。同様に、基材フィルム12の他方の側の面12bや第2ハードコート層13bの他方の側の面に直接的に接するよう第2透明導電層16bが設けられることもある。   In the present embodiment, an example in which the above-described high refractive index layers 14a and 14b and low refractive index layers 15a and 15b are included in the laminate 10 will be described. However, however, the high refractive index layers 14a and 14b and The low refractive index layers 15a and 15b are not necessarily provided. Similarly, the hard coat layers 13a and 13b are also optionally provided as necessary. Therefore, the 1st transparent conductive layer 16a may be provided so that the surface 12a of one side of the base film 12 and the surface of one side of the 1st hard-coat layer 13a may be contact | connected directly. Similarly, the 2nd transparent conductive layer 16b may be provided so that the surface 12b of the other side of the base film 12 and the surface of the other side of the 2nd hard-coat layer 13b may be contact | connected directly.

(透明導電層)
透明導電層16a,16bを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)などの金属酸化物が用いられる。透明導電層16a,16bの厚みは、積層体10から作製される透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば18〜50nmの範囲内となっている。
(Transparent conductive layer)
As a material constituting the transparent conductive layers 16a and 16b, a material that is conductive and shows translucency is used. For example, a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) is used. The thicknesses of the transparent conductive layers 16a and 16b are appropriately set according to the specification of the electrical resistance of the transparent electrode or the transparent conductive pattern produced from the laminate 10, and are, for example, in the range of 18 to 50 nm.

(遮光導電層)
遮光導電層17a,17bは、後述するように、タッチパネルなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる層である。すなわち、遮光導電層17a,17bはいわゆる配線材料や電極材料として用いられる層である。従って、遮光導電層17a,17bを構成する材料としては、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。具体的には、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ag−Pd−Cu系の銀合金、いわゆるAPC合金が用いられる。APC合金の組成は特には限られないが、例えば、銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ96〜99重量%、0.5〜2.0重量%および0.3〜1.8重量%となっている。遮光導電層17a,17bの厚みは、電子部品における電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば100〜250nmの範囲内となっている。第1遮光導電層17aの厚みを100nm以上とすることにより、第1遮光導電層17aおよび第1遮光導電層17aから得られる取出パターンや電極の導電性を十分に確保することができる。また、第1遮光導電層17aの厚みを250nm以下とすることにより、第1遮光導電層17aの成膜工程や第1遮光導電層17aのパターニング工程に要する負荷が過大になることを防ぐことができる。
(Light-shielding conductive layer)
As will be described later, the light-shielding conductive layers 17a and 17b are layers used to form extraction patterns and electrodes for extracting signals to the outside in electronic components such as touch panels. That is, the light-shielding conductive layers 17a and 17b are layers used as so-called wiring materials and electrode materials. Therefore, a metal material having high conductivity and light shielding property is used as the material constituting the light shielding conductive layers 17a and 17b. Specifically, an Ag—Pd—Cu based silver alloy, which is mainly composed of silver and contains copper and palladium, a so-called APC alloy is used. The composition of the APC alloy is not particularly limited. For example, the content ratios of silver, palladium, and copper are 96 to 99% by weight, 0.5 to 2.0% by weight, and 0.3 to 1.8% by weight, respectively. It has become. The thickness of the light-shielding conductive layers 17a and 17b is appropriately set according to the electrical resistance specification of the electronic component, and is in the range of 100 to 250 nm, for example. By setting the thickness of the first light-shielding conductive layer 17a to 100 nm or more, it is possible to sufficiently ensure the conductivity of the extraction patterns and electrodes obtained from the first light-shielding conductive layer 17a and the first light-shielding conductive layer 17a. Further, by setting the thickness of the first light-shielding conductive layer 17a to 250 nm or less, it is possible to prevent an excessive load required for the film-forming process of the first light-shielding conductive layer 17a and the patterning process of the first light-shielding conductive layer 17a. it can.

ところで遮光導電層17a,17bからなる取出パターンや電極は、外部の部品や機器との間の接続を確保するため、通常、タッチパネルセンサなどの電子部品の最表面に配置される。すなわち遮光導電層17a,17bは、積層体10の製造工程や、積層体10を用いてタッチパネルセンサなどの電子部品を製造する製造工程において、露出されている。従って、遮光導電層17a,17bの表面が損傷する機会は多い。また後述するように、本実施の形態において、スパッタリングなどの成膜処理は、搬送ドラムに巻き付けられた状態にある基材フィルム12に対して実施される。従って、はじめに基材フィルム12の一方の側に各層を形成し、その後、基材フィルム12の他方の側に各層を形成する場合、基材フィルム12の他方の側に対する成膜工程を実施する際には、基材フィルム12の一方の側の最表面に位置する層が搬送ドラムの表面に接することになる。すなわち、第1遮光導電層17aが搬送ドラムの表面に接することになる。従って、第1遮光導電層17aの表面が損傷する機会は、第2遮光導電層17bの表面が損傷する機会よりもさらに多いと言える。   By the way, the extraction pattern and the electrode composed of the light-shielding conductive layers 17a and 17b are usually arranged on the outermost surface of an electronic component such as a touch panel sensor in order to ensure connection with an external component or device. That is, the light-shielding conductive layers 17a and 17b are exposed in the manufacturing process of the stacked body 10 and the manufacturing process of manufacturing electronic components such as a touch panel sensor using the stacked body 10. Therefore, there are many opportunities to damage the surfaces of the light-shielding conductive layers 17a and 17b. Further, as will be described later, in the present embodiment, a film forming process such as sputtering is performed on the base film 12 in a state of being wound around the transport drum. Therefore, when each layer is first formed on one side of the base film 12 and then each layer is formed on the other side of the base film 12, a film forming process on the other side of the base film 12 is performed. In this case, the layer located on the outermost surface on one side of the base film 12 is in contact with the surface of the transport drum. That is, the first light-shielding conductive layer 17a is in contact with the surface of the transport drum. Accordingly, it can be said that there are more opportunities for the surface of the first light-shielding conductive layer 17a to be damaged than for the surface of the second light-shielding conductive layer 17b to be damaged.

ところで、APC合金は上述のように銀を主成分とする銀合金である。従ってAPC合金は、一般的な金属に比べて柔らかいものとなっている。このため、第2遮光導電層17bの成膜工程の間に第1遮光導電層17aがわずかに搬送ドラムによって擦られただけでも、第1遮光導電層17aが損傷してしまうことが考えられる。このため、搬送ドラムに対する第1遮光導電層17aのずれを可能な限り抑制しながら、第2遮光導電層17bの成膜工程を実施することがこのましい。なお、第1遮光導電層17aが搬送ドラムに対してずれる原因としては、熱膨張などに起因して基材フィルム12および第1遮光導電層17aにシワが生じることなどが考えられる。   By the way, the APC alloy is a silver alloy containing silver as a main component as described above. Therefore, the APC alloy is softer than general metals. For this reason, even if the first light-shielding conductive layer 17a is slightly rubbed by the transport drum during the film-forming process of the second light-shielding conductive layer 17b, the first light-shielding conductive layer 17a may be damaged. For this reason, it is preferable to perform the film-forming process of the second light-shielding conductive layer 17b while suppressing the displacement of the first light-shielding conductive layer 17a with respect to the transport drum as much as possible. As a cause of the first light-shielding conductive layer 17a being displaced from the transport drum, it is conceivable that the base film 12 and the first light-shielding conductive layer 17a are wrinkled due to thermal expansion or the like.

以下、このような課題を効果的に解決することができる、本実施の形態による積層体製造装置1について説明する。はじめに図1を参照して、積層体製造装置1全体について説明する。   Hereinafter, the laminated body manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment that can effectively solve such problems will be described. First, the entire laminate manufacturing apparatus 1 will be described with reference to FIG.

積層体製造装置
図1に示すように、積層体製造装置1は、中間積層体11を巻き出すシャフト21を含む巻出装置20と、中間積層体11上に第2遮光導電層17bを形成する成膜装置30と、第2遮光導電層17bが設けられた基材フィルム12からなる積層体10を巻き取るシャフト51を含む巻取装置50と、を備えている。なお中間積層体11とは、基材フィルム12と、基材フィルム12の一方の側に設けられる各層と、基材フィルム12の他方の側に設けられる各層のうち第2遮光導電層17bを除いた層と、を含む積層体のことである。例えば中間積層体11は、図5に示すように、基材フィルム12と、基材フィルム12の一方の側に設けられた第1ハードコート層13a,第1高屈折率層14a,第1低屈折率層15a,第1透明導電層16aおよび第1遮光導電層17aと、基材フィルム12の他方の側に設けられた第2ハードコート層13b,第2高屈折率層14b,第2低屈折率層15bおよび第2透明導電層16と、を含んでいる。
Laminated body manufacturing apparatus As shown in FIG. 1, the laminated body manufacturing apparatus 1 forms an unwinding device 20 including a shaft 21 for unwinding the intermediate laminated body 11, and a second light-shielding conductive layer 17 b on the intermediate laminated body 11. A film forming apparatus 30 and a winding apparatus 50 including a shaft 51 that winds up the laminate 10 made of the base film 12 provided with the second light-shielding conductive layer 17b are provided. The intermediate laminate 11 is the base film 12, the layers provided on one side of the base film 12, and the second light-shielding conductive layer 17b among the layers provided on the other side of the base film 12. And a laminated body including a layer. For example, as shown in FIG. 5, the intermediate laminate 11 includes a base film 12, a first hard coat layer 13 a provided on one side of the base film 12, a first high refractive index layer 14 a, and a first low The refractive index layer 15a, the first transparent conductive layer 16a, the first light-shielding conductive layer 17a, the second hard coat layer 13b, the second high refractive index layer 14b, and the second low low layer provided on the other side of the base film 12. The refractive index layer 15b and the second transparent conductive layer 16 are included.

(成膜装置)
次に、積層体製造装置1の成膜装置30について説明する。成膜装置30における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、CVDやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図2を参照して説明する。
(Deposition system)
Next, the film forming apparatus 30 of the laminate manufacturing apparatus 1 will be described. As a film forming method in the film forming apparatus 30, various methods such as vacuum deposition, sputtering, CVD, and ion plating can be adopted. Here, an example in which sputtering is used as a film forming method will be described with reference to FIG. explain.

図2に示すように、成膜装置30は、成膜処理が実施される成膜室36と、支持材11が巻き付けられて搬送される搬送ドラム38と、搬送される中間積層体11を案内するガイドローラー39と、成膜室36の内部の気体を外部に排出する排気手段と、搬送ドラム38によって搬送されている中間積層体11の外面に対向するよう設けられ、中間積層体11上に設けられる第2遮光導電層17bの原料となるターゲット32aと、を備えている。ターゲット32aとしては、第2遮光導電層17bを構成するためのAPC合金が用いられている。   As shown in FIG. 2, the film forming apparatus 30 guides a film forming chamber 36 in which a film forming process is performed, a transport drum 38 around which the support material 11 is wound and transported, and a transported intermediate laminate 11. Guide roller 39, an exhaust means for exhausting the gas inside the film forming chamber 36 to the outside, and an outer surface of the intermediate laminated body 11 conveyed by the conveying drum 38. And a target 32a as a raw material for the second light-shielding conductive layer 17b provided. As the target 32a, an APC alloy for forming the second light-shielding conductive layer 17b is used.

成膜装置30の成膜室36は、隔壁36aによって複数の領域に区画されていてもよい。例えば図2に示すように、成膜室36は、ターゲット32aが配置された第1領域31と、第3領域35を介して第1領域31と対向する第2領域33と、に区画されていてもよい。この場合、各領域31,33,35に別個に排気手段31a,33a,35aが接続されていてもよい。   The film formation chamber 36 of the film formation apparatus 30 may be partitioned into a plurality of regions by partition walls 36a. For example, as shown in FIG. 2, the film forming chamber 36 is partitioned into a first region 31 in which the target 32 a is disposed and a second region 33 that faces the first region 31 through the third region 35. May be. In this case, the exhaust means 31a, 33a, and 35a may be connected to each of the regions 31, 33, and 35 separately.

搬送ドラム38には、搬送ドラム38の表面を所望の温度まで加熱する加熱手段37が設けられている。加熱手段37の具体的な構成は特には限られない。例えば図3に示すように、搬送ドラム38が表面部分38aと中空部分38bとからなる場合、加熱手段37は、搬送ドラム38の表面部分38aを内側から加熱するものであってもよい。加熱手段37は、例えば、表面部分38aに隣接して設けられ、オイルなどの熱媒37bを循環させる熱媒循環路37aと、熱媒37bを所望の温度まで加熱する熱媒加熱手段(図示せず)と、を含んでいる。その他、加熱手段37として、搬送ドラム38の内部に設けられた電熱線ヒーターなどが用いられてもよい。   The conveyance drum 38 is provided with a heating unit 37 that heats the surface of the conveyance drum 38 to a desired temperature. The specific configuration of the heating means 37 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 3, when the transport drum 38 includes a surface portion 38 a and a hollow portion 38 b, the heating unit 37 may heat the surface portion 38 a of the transport drum 38 from the inside. The heating means 37 is provided adjacent to the surface portion 38a, for example, and a heating medium circulation path 37a for circulating a heating medium 37b such as oil, and a heating medium heating means (not shown) for heating the heating medium 37b to a desired temperature. Z)). In addition, as the heating unit 37, a heating wire heater or the like provided inside the transport drum 38 may be used.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、中間積層体11の他方の側に第2遮光導電層17bを形成して積層体10を製造する方法について説明する。次に、積層体10をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, first, a method of manufacturing the multilayer body 10 by forming the second light-shielding conductive layer 17b on the other side of the intermediate multilayer body 11 will be described. Next, a touch panel sensor obtained by patterning the laminate 10 will be described.

積層体の製造方法
はじめに、巻出装置20において、第1遮光導電層17aを含む中間積層体11が巻回されたシャフト21を準備し、次に、成膜装置30に向けて中間積層体11を巻き出す。なお図示はしないが、積層体製造装置1は、第2遮光導電層17bの成膜だけでなく、基材フィルム12の他方の側に設けられる、第2遮光導電層17b以外の各層の成膜を、1つの積層体製造装置1の一連の真空雰囲気の中で実施するよう、構成されていてもよい。すなわち、巻出装置20と成膜装置30との間に、第2遮光導電層17b以外の各層の全部または一部を実施するためのその他の成膜装置が設けられていてもよい。若しくは、成膜装置30は、第2遮光導電層17bの成膜だけでなくその他の層の成膜をも実施するよう構成されていてもよい。
The manufacturing method beginning of the laminate, the unwinding device 20, the intermediate laminate 11 including a first light-shielding conductive layer 17a is prepared a shaft 21 which is wound, then the intermediate laminate toward the film forming apparatus 30 11 Unwind. Although not shown, the laminate manufacturing apparatus 1 forms not only the second light-shielding conductive layer 17b but also the layers other than the second light-shielding conductive layer 17b provided on the other side of the base film 12. May be configured to be performed in a series of vacuum atmospheres of one laminate manufacturing apparatus 1. That is, another film forming apparatus for performing all or a part of each layer other than the second light-shielding conductive layer 17b may be provided between the unwinding apparatus 20 and the film forming apparatus 30. Alternatively, the film forming apparatus 30 may be configured not only to form the second light-shielding conductive layer 17b but also to form other layers.

(成膜工程)
次に、成膜装置30を用いて、中間積層体11の他方の側に第2遮光導電層17bを設ける成膜工程を実施する。成膜工程は、第1遮光導電層17aが搬送ドラム38の表面と向かい合うよう中間積層体11を搬送ドラム38に巻き付けた状態で実施される。
(Film formation process)
Next, using the film forming apparatus 30, a film forming process for providing the second light-shielding conductive layer 17 b on the other side of the intermediate stacked body 11 is performed. The film forming process is performed in a state where the intermediate laminate 11 is wound around the transport drum 38 so that the first light-shielding conductive layer 17 a faces the surface of the transport drum 38.

成膜工程においては、はじめに排気手段31aによって第1領域31の内部の気体を外部に排出し、これによって、第1領域31内を真空状態とする。この際、第2領域33および第3領域35も、排気手段33aおよび排気手段35aを用いることによって真空状態とされる。次に、不活性ガス供給装置(図示せず)によって第1領域31内にアルゴンなどの不活性ガスを導入する。また、加熱手段37を用いて、搬送ドラム38の表面を加熱する。加熱の程度、すなわち搬送ドラム38の表面の目標温度は、中間積層体11の他方の側の温度に応じて適宜設定される。例えば、搬送ドラム38の表面の温度は、加熱手段37によって60〜90℃の範囲内に制御される。   In the film forming step, first, the gas inside the first region 31 is exhausted to the outside by the exhaust means 31a, whereby the inside of the first region 31 is evacuated. At this time, the second region 33 and the third region 35 are also brought into a vacuum state by using the exhaust unit 33a and the exhaust unit 35a. Next, an inert gas such as argon is introduced into the first region 31 by an inert gas supply device (not shown). Further, the surface of the transport drum 38 is heated using the heating unit 37. The degree of heating, that is, the target temperature of the surface of the transport drum 38 is appropriately set according to the temperature on the other side of the intermediate laminate 11. For example, the temperature of the surface of the transport drum 38 is controlled within the range of 60 to 90 ° C. by the heating unit 37.

その後、放電装置を用いてターゲット32aに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ターゲット32aを構成するAPC合金からなる第2遮光導電層17bを中間積層体11の他方の側に設けることができる。なお、スパッタリングの際の放電電力や放電時間、不活性ガスの分圧などの条件は、所望の膜厚や搬送ドラム38の回転速度などに応じて適宜設定される。   Thereafter, discharge power is applied to the target 32a using a discharge device. The second light-shielding conductive layer 17b made of an APC alloy constituting the target 32a can be provided on the other side of the intermediate stacked body 11 by the sputtering phenomenon generated thereby. The conditions such as the discharge power, discharge time, and partial pressure of the inert gas during sputtering are appropriately set according to the desired film thickness, the rotation speed of the transport drum 38, and the like.

その後、巻取装置50において、中間積層体11と、中間積層体11の他方の側に形成された第2遮光導電層17bと、を含む積層体10が、シャフト51によって巻き取られる。これによって、積層体10の巻回体が得られる。   Thereafter, in the winding device 50, the laminated body 10 including the intermediate laminated body 11 and the second light-shielding conductive layer 17 b formed on the other side of the intermediate laminated body 11 is taken up by the shaft 51. Thereby, the wound body of the laminated body 10 is obtained.

上述のように、本実施の形態によれば、搬送ドラム38の表面が加熱された状態で、第2遮光導電層17bの成膜工程が実施される。すなわち、中間積層体11の一方の側が搬送ドラム38によって加熱された状態で、中間積層体11の他方の側に第2遮光導電層17bが形成される。以下、このような成膜方法を採用する利点について、図6および図7を参照して説明する。   As described above, according to the present embodiment, the film formation step of the second light-shielding conductive layer 17b is performed in a state where the surface of the transport drum 38 is heated. In other words, the second light-shielding conductive layer 17 b is formed on the other side of the intermediate laminate 11 with one side of the intermediate laminate 11 being heated by the transport drum 38. Hereinafter, the advantage of adopting such a film forming method will be described with reference to FIGS.

図6は、中間積層体11の他方の側に、スパッタリング法によって第2遮光導電層17bが成膜される際の様子を模式的に示す図である。図6において、符号11aは、中間積層体11の一方の側の表面、すなわち第1遮光導電層17aの表面を表しており、符号11bは、中間積層体11の他方の側の表面、すなわち第2透明導電層16bの表面を表している。   FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state in which the second light-shielding conductive layer 17b is formed on the other side of the intermediate stacked body 11 by a sputtering method. In FIG. 6, reference numeral 11 a represents a surface on one side of the intermediate stacked body 11, that is, the surface of the first light-shielding conductive layer 17 a, and reference numeral 11 b represents a surface on the other side of the intermediate stacked body 11, that is, the first surface. 2 represents the surface of the transparent conductive layer 16b.

スパッタリング法やEB蒸着法などにおいては、第2遮光導電層17bを構成するためのAPC合金からなるターゲット32aに、イオン化させたアルゴンなどの荷電粒子が照射される。これによって、ターゲット32aの構成元素である銀、パラジウムおよび銅を、中間積層体11の他方の側の表面11b上に付着させる(真空成膜工程)。この場合、中間積層体11とターゲット32aとの間の空間においては、図6において符号32bで示すように、ターゲット32aに荷電粒子を照射したことに起因する負のイオンや二次電子が存在している。また、これら負のイオンや二次電子の一部は、中間積層体11の一方の側から中間積層体11に入射する。この結果、負のイオンや二次電子のエネルギーによって中間積層体11の温度が上昇することが知られている。   In the sputtering method or the EB vapor deposition method, charged particles such as ionized argon are irradiated onto the target 32a made of an APC alloy for forming the second light-shielding conductive layer 17b. As a result, silver, palladium and copper, which are constituent elements of the target 32a, are deposited on the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11 (vacuum film forming step). In this case, in the space between the intermediate stacked body 11 and the target 32a, as shown by the reference numeral 32b in FIG. 6, there are negative ions and secondary electrons resulting from irradiating the target 32a with charged particles. ing. Further, some of these negative ions and secondary electrons are incident on the intermediate laminate 11 from one side of the intermediate laminate 11. As a result, it is known that the temperature of the intermediate stacked body 11 rises due to the energy of negative ions and secondary electrons.

中間積層体11の温度の上昇は、中間積層体11の熱膨張を引き起こす。中間積層体11が熱膨張すると、中間積層体11が局所的に反ったり歪んだりしてしまい、この結果、中間積層体11が搬送ドラム38の表面から部分的に離れてしまうことが予想される。このような現象を防ぐため、従来、搬送ドラム38を冷却することによって中間積層体11の温度上昇を抑制するという対策が取られていた。例えば上述の特許文献1においては、成膜温度を−10〜+50℃の範囲内にすることが提案されている。   The increase in the temperature of the intermediate laminate 11 causes the thermal expansion of the intermediate laminate 11. When the intermediate laminate 11 is thermally expanded, the intermediate laminate 11 is locally warped or distorted, and as a result, the intermediate laminate 11 is expected to be partially separated from the surface of the transport drum 38. . In order to prevent such a phenomenon, conventionally, a measure has been taken to suppress the temperature rise of the intermediate laminate 11 by cooling the transport drum 38. For example, in the above-mentioned Patent Document 1, it is proposed that the film forming temperature is in the range of −10 to + 50 ° C.

しかしながら、本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、後述する実施例での実験結果で支持されているように、上述の熱膨張係数および厚みを有する基材フィルム12を含む中間積層体11に対する成膜処理においては、搬送ドラム38を冷却することが有効でないことがわかった。すなわち、第2遮光導電層17bの成膜工程の際に搬送ドラム38を冷却する場合、搬送ドラム38の表面との間の擦れに起因する傷が第1遮光導電層17aに多数形成されることがわかった。そして、従来の常識である「冷却」にとらわれることなく、本件発明者らがさらに鋭意実験を重ねたところ、後述する実施例での実験結果で支持されているように、第2遮光導電層17bの成膜工程の際に搬送ドラム38を加熱することによって、搬送ドラム38に対する第1遮光導電層17aのずれを抑制することができることを知見した。この結果、第1遮光導電層17aに傷が形成されることを抑制することができた。このようなアプローチは、従来の常識に反するものであり、従って容易に想到し得ないものであると言える。また、このような新規のアプローチによって得られた作用効果は、後述する実施例での実験結果で支持されているように、従来の技術水準から予測される範囲を超えた顕著な作用効果であると言える。   However, when the present inventors conducted extensive experiments, as supported by the experimental results in the examples described later, the intermediate laminate 11 including the base film 12 having the above-described thermal expansion coefficient and thickness. It has been found that it is not effective to cool the transfer drum 38 in the film forming process. That is, when the transport drum 38 is cooled during the film formation process of the second light-shielding conductive layer 17b, a large number of scratches due to rubbing with the surface of the transport drum 38 are formed in the first light-shielding conductive layer 17a. I understood. Then, without being bound by the conventional common sense of “cooling”, the present inventors conducted further experiments and as a result, as supported by the experimental results in Examples described later, the second light-shielding conductive layer 17b. It was found that the deviation of the first light-shielding conductive layer 17a with respect to the conveyance drum 38 can be suppressed by heating the conveyance drum 38 during the film forming process. As a result, it was possible to suppress the formation of scratches on the first light-shielding conductive layer 17a. Such an approach is contrary to conventional common sense, and therefore cannot be easily conceived. Moreover, the effect obtained by such a novel approach is a remarkable effect exceeding the range anticipated from the prior art level, as supported by the experimental results in Examples described later. It can be said.

以下、搬送ドラム38を加熱することによって、第2遮光導電層17bに傷が形成されることを抑制できる理由について、図7(a)(b)を参照して説明する。なお以下に記載する説明は例示的なものにすぎず、第2遮光導電層17bの傷を抑制できる理由が以下の説明に限定されることはない。   Hereinafter, the reason why it is possible to suppress the formation of scratches on the second light-shielding conductive layer 17b by heating the transport drum 38 will be described with reference to FIGS. In addition, the description described below is only an example, and the reason why the scratch on the second light-shielding conductive layer 17b can be suppressed is not limited to the following description.

図7(a)は、搬送ドラム38が加熱されていないと仮定した場合に中間積層体11に生じる熱応力を模式的に示す図であり、図7(b)は、本実施の形態による積層体製造方法を用いた場合に中間積層体11に生じる熱応力を模式的に示す図である。   FIG. 7A is a diagram schematically showing the thermal stress generated in the intermediate laminate 11 when it is assumed that the transport drum 38 is not heated, and FIG. 7B is a diagram showing the laminate according to the present embodiment. It is a figure which shows typically the thermal stress which arises in the intermediate | middle laminated body 11 when a body manufacturing method is used.

上述のように、本実施の形態においては、基材フィルム12として、0〜90℃の範囲内における線膨張係数が2.0〜2.4×10−5/℃であり、かつ厚みが100〜250μmの範囲内であるフィルムが用いられる。この場合、搬送ドラム38が加熱されていないと仮定すると、中間積層体11の他方の側の表面11bの温度は、一方の側の表面11aの温度よりも著しく高くなっていると考えられる。なぜなら、第2遮光導電層17bの膜厚や成膜速度を考慮すると、中間積層体11の他方の側の表面11bがターゲット32aと向かい合う時間は3分程度であり、このため、成膜工程の際、他方の側の表面11bにおける熱が一方の側の表面11aには十分に伝達されないからである。従って、搬送ドラム38が加熱されていない場合は、図7(a)に示すように、他方の側の表面11bに生じる熱応力σbが、一方の側の表面11aに生じる熱応力σaに比べて極めて大きくなっていると考えられる。この結果、一方の側の表面11aと他方の側の表面11bとの間の温度差に起因する反りや歪みが生じ、これによって、第1遮光導電層17aに多数の傷が形成されたと考えられる。 As mentioned above, in this Embodiment, as the base film 12, the linear expansion coefficient in the range of 0-90 degreeC is 2.0-2.4 * 10 < -5 > / degreeC, and thickness is 100. Films in the range of ~ 250 μm are used. In this case, assuming that the transport drum 38 is not heated, the temperature of the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11 is considered to be significantly higher than the temperature of the surface 11a on the one side. This is because in consideration of the film thickness and the film formation speed of the second light-shielding conductive layer 17b, the time during which the surface 11b on the other side of the intermediate stacked body 11 faces the target 32a is about 3 minutes. This is because the heat on the surface 11b on the other side is not sufficiently transferred to the surface 11a on the other side. Therefore, when the transport drum 38 is not heated, as shown in FIG. 7A, the thermal stress σb generated on the surface 11b on the other side is larger than the thermal stress σa generated on the surface 11a on the other side. It seems that it is extremely large. As a result, warpage or distortion caused by the temperature difference between the surface 11a on one side and the surface 11b on the other side is generated, and it is considered that many scratches are formed in the first light-shielding conductive layer 17a. .

これに対して本実施の形態によれば、第2遮光導電層17bの成膜工程の際、搬送ドラム38の表面を加熱し、これによって中間積層体11の一方の側の表面11aを加熱する。このため、一方の側の表面11aの温度と他方の側の表面11bの温度との差が大きくなることを抑制することができる。この結果、図7(b)に示すように、他方の側の表面11bに生じる熱応力σbが、一方の側の表面11aに生じる熱応力σaとほぼ釣り合っている。これによって、中間積層体11にシワが生じることや、中間積層体11が搬送ドラム38に対してずれることを抑制することができ、このことにより、第2遮光導電層17bの成膜工程の際に第1遮光導電層17aが損傷してしまうことを抑制することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, the surface of the transport drum 38 is heated during the film forming process of the second light-shielding conductive layer 17b, and thereby the surface 11a on one side of the intermediate laminate 11 is heated. . For this reason, it can suppress that the difference of the temperature of the surface 11a of one side and the temperature of the surface 11b of the other side becomes large. As a result, as shown in FIG. 7B, the thermal stress σb generated on the surface 11b on the other side is substantially balanced with the thermal stress σa generated on the surface 11a on the other side. As a result, it is possible to suppress the occurrence of wrinkles in the intermediate laminated body 11 and the displacement of the intermediate laminated body 11 with respect to the transport drum 38, which makes it possible to form the second light-shielding conductive layer 17 b during the film forming process. It is possible to prevent the first light-shielding conductive layer 17a from being damaged.

なお、搬送ドラム38を加熱する際の目標温度を設定する方法が特に限られることはない。例えば、第2遮光導電層17bの膜厚や搬送ドラム38の回転速度に基づいて、中間積層体11の他方の側の表面11bにおける温度上昇を予め予測し、この予測に基づいて、中間積層体11の一方の側の表面11aの温度と他方の側の表面11bの温度との間の差が小さくなるよう、搬送ドラム38の表面の目標温度を設定してもよい。
若しくは図6に示すように、搬送ドラム38の近傍に、中間積層体11の他方の側の表面11bの温度をモニタするための温度モニタ31cが設けられていてもよい。この場合、中間積層体11の他方の側の表面11bに第2遮光導電層17bを形成する成膜工程は、中間積層体11の他方の側の表面11bの温度を温度モニタ31cを用いて測定する温度モニタ工程をさらに含んでいる。そして、上記真空成膜工程において、搬送ドラム38の表面は、搬送ドラム38の表面の温度が、モニタ工程において得られた中間積層体11の他方の側の表面11bの温度と略同一になるよう、加熱される。これによって、中間積層体11の一方の側の表面11aの温度と他方の側の表面11bの温度との間の差をより小さくすることができる。なお、温度モニタ31cの具体的な構成が特にかぎられることはなく、対象物の温度を接触または非接触で測定することができる様々な手段を用いることができる。例えば、赤外線温度計やシート状の熱電対などを用いることができる。
The method for setting the target temperature for heating the transport drum 38 is not particularly limited. For example, based on the film thickness of the second light-shielding conductive layer 17b and the rotation speed of the transport drum 38, a temperature rise on the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11 is predicted in advance, and based on this prediction, the intermediate laminate The target temperature of the surface of the transport drum 38 may be set so that the difference between the temperature of the surface 11a on one side of 11 and the temperature of the surface 11b on the other side becomes small.
Alternatively, as shown in FIG. 6, a temperature monitor 31 c for monitoring the temperature of the surface 11 b on the other side of the intermediate laminate 11 may be provided in the vicinity of the transport drum 38. In this case, in the film forming step of forming the second light-shielding conductive layer 17b on the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11, the temperature of the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11 is measured using the temperature monitor 31c. And a temperature monitoring step. In the vacuum film forming step, the surface of the transfer drum 38 is such that the temperature of the surface of the transfer drum 38 is substantially the same as the temperature of the surface 11b on the other side of the intermediate laminate 11 obtained in the monitoring step. Heated. Thereby, the difference between the temperature of the surface 11a on one side of the intermediate laminate 11 and the temperature of the surface 11b on the other side can be further reduced. The specific configuration of the temperature monitor 31c is not particularly limited, and various means capable of measuring the temperature of the object in contact or non-contact can be used. For example, an infrared thermometer or a sheet-like thermocouple can be used.

タッチパネルセンサの製造方法
次に、積層体10の用途の一例として、積層体10をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。タッチパネルセンサ60は、液晶表示パネルや有機EL表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネルセンサ60としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体10をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサ60を形成する例について、図8および図9を参照して説明する。図8は、タッチパネルセンサ60を示す平面図であり、図9は、図8に示すタッチパネルセンサ60の線IX−IXに沿った断面図である。
Manufacturing method for a touch panel sensor Next, as an example of the application of the laminate 10, will be described touch panel sensor obtained by patterning a laminate 10. The touch panel sensor 60 is a sensor that is provided on the viewer side of a display panel such as a liquid crystal display panel or an organic EL display panel, and includes a transparent conductive pattern for detecting a contact position of a detection target such as a human body. As the touch panel sensor 60, a resistive touch panel sensor that detects a touch location based on a pressure from a detection target, or a capacitance type touch detection that detects a touch location based on static electricity from a detection target such as a human body. Various types of touch panel sensors and the like are known. Here, an example in which the capacitive touch panel sensor 60 is formed by patterning the laminate 10 will be described with reference to FIGS. 8 and 9. To do. FIG. 8 is a plan view showing the touch panel sensor 60, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX of the touch panel sensor 60 shown in FIG.

図8に示すように、タッチパネルセンサ60は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン62a,62bを備えている。透明導電パターン62a,62bは、基材フィルム12の一方の側に配置され、図8の横方向に延びる第1透明導電パターン62aと、基材フィルム12の他方の側に配置され、図8の縦方向に延びる第2透明導電パターン62bと、からなっている。またタッチパネルセンサ60は、第1透明導電パターン62aに接続された第1取出パターン64aと、第2透明導電パターン62bに接続された第2取出パターン64bと、をさらに備えている。また、各取出パターン64a,64bに接続され、各透明導電パターン62a,62bからの信号を外部へ取り出すための端子部65a,65bがさらに設けられていてもよい。   As shown in FIG. 8, the touch panel sensor 60 includes transparent conductive patterns 62a and 62b for detecting a change in capacitance due to the approach of an external conductor such as a finger. The transparent conductive patterns 62a and 62b are arranged on one side of the base film 12, and are arranged on the other side of the first transparent conductive pattern 62a extending in the lateral direction of FIG. 8 and the base film 12, as shown in FIG. And a second transparent conductive pattern 62b extending in the vertical direction. The touch panel sensor 60 further includes a first extraction pattern 64a connected to the first transparent conductive pattern 62a and a second extraction pattern 64b connected to the second transparent conductive pattern 62b. Further, terminal portions 65a and 65b connected to the extraction patterns 64a and 64b and for extracting signals from the transparent conductive patterns 62a and 62b to the outside may be further provided.

図9に示すように、透明導電パターン62a,62bは、積層体10の透明導電層16a、16bをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第1取出パターン64aは、積層体10の第1遮光導電層17aをパターニングすることにより得られるものである。また図9には示されていないが、第1端子部65aも、積層体10の第1遮光導電層17aをパターニングすることにより得られるものであり、また第2取出パターン64bおよび第2端子部65bは、積層体10の第2遮光導電層17bをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層16a,16bおよび遮光導電層17a、17bをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。   As shown in FIG. 9, the transparent conductive patterns 62 a and 62 b are obtained by patterning the transparent conductive layers 16 a and 16 b of the laminate 10. Similarly, the first extraction pattern 64a is obtained by patterning the first light-shielding conductive layer 17a of the stacked body 10. Although not shown in FIG. 9, the first terminal portion 65a is also obtained by patterning the first light-shielding conductive layer 17a of the laminate 10, and the second extraction pattern 64b and the second terminal portion are also obtained. 65b is obtained by patterning the second light-shielding conductive layer 17b of the laminate 10. As a method for patterning the transparent conductive layers 16a and 16b and the light-shielding conductive layers 17a and 17b, for example, a photolithography method is used.

本実施の形態によれば、積層体10の一方の側の表面が損傷することを抑制するよう改良された積層体製造装置1および積層体製造方法を用いて積層体10が作製されている。このため、安定した特性および高い信頼性を備えたタッチパネルセンサ60を、積層体10から作製することができる。   According to this Embodiment, the laminated body 10 is produced using the laminated body manufacturing apparatus 1 and the laminated body manufacturing method which were improved so that damage to the surface of one side of the laminated body 10 might be suppressed. For this reason, the touch panel sensor 60 having stable characteristics and high reliability can be manufactured from the laminate 10.

変形例
上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。
Modifications Various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described.

上述の本実施の形態において、遮光導電層17a,17bを構成する金属材料としてAPC合金が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、その他の金属材料を用いて遮光導電層17a,17bを構成してもよい。   In the above-described embodiment, an example in which an APC alloy is used as the metal material constituting the light-shielding conductive layers 17a and 17b is shown. However, the present invention is not limited to this, and the light shielding conductive layers 17a and 17b may be configured using other metal materials.

また本実施の形態において、透明導電層16a,16bと遮光導電層17a,17bとの間に、遮光性および導電性を有する金属層がさらに配置されていてもよい。金属層は、例えば、成膜装置30の第2領域33において実施されるスパッタリング法によって形成され得る。   In the present embodiment, a light-shielding and conductive metal layer may be further disposed between the transparent conductive layers 16a and 16b and the light-shielding conductive layers 17a and 17b. The metal layer can be formed by, for example, a sputtering method performed in the second region 33 of the film forming apparatus 30.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

(サンプルA)
基材フィルムの一方の側および他方の側の各々に配置された遮光導電層を含む積層体を作製した。はじめに、基材フィルムの一方の側に、スパッタリング法によって第1遮光導電層を形成した。その後、第1遮光導電層が搬送ドラムの表面に接するよう基材フィルムを搬送ドラムに巻き付けた状態で、基材フィルムの他方の側に、スパッタリング法によって第2遮光導電層を形成した。この際、搬送ドラムの表面の温度が−10℃となるよう、搬送ドラムを冷却した。以下の説明において、スパッタリング法によって第2遮光導電層を形成する際の搬送ドラムの表面の温度を「成膜温度」と称する。
(Sample A)
A laminate including a light-shielding conductive layer disposed on each of one side and the other side of the base film was produced. First, a first light-shielding conductive layer was formed on one side of the base film by a sputtering method. Thereafter, a second light-shielding conductive layer was formed by sputtering on the other side of the base film while the base film was wound around the transport drum so that the first light-shielding conductive layer was in contact with the surface of the transport drum. At this time, the conveyance drum was cooled so that the temperature of the surface of the conveyance drum was −10 ° C. In the following description, the surface temperature of the transport drum when the second light-shielding conductive layer is formed by sputtering is referred to as “film formation temperature”.

遮光導電層を構成する金属材料としては、APC合金を用いた。APC合金における銀、パラジウムおよび銅の含有比率がそれぞれ98重量%、1.2重量%および0.8重量%であった。基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートから構成された、厚み180μmのフィルムを用いた。   An APC alloy was used as the metal material constituting the light shielding conductive layer. The content ratios of silver, palladium and copper in the APC alloy were 98% by weight, 1.2% by weight and 0.8% by weight, respectively. As the substrate film, a film made of polyethylene terephthalate and having a thickness of 180 μm was used.

(サンプルB)
成膜温度を40℃とした点を除いて、サンプルAの場合と同様にして積層体を作製した。
(サンプルC)
成膜温度を80℃とした点を除いて、サンプルAの場合と同様にして積層体を作製した。
(サンプルD)
成膜温度を70℃とした点を除いて、サンプルAの場合と同様にして積層体を作製した。
(Sample B)
A laminate was produced in the same manner as in Sample A except that the film formation temperature was 40 ° C.
(Sample C)
A laminate was produced in the same manner as in Sample A, except that the film formation temperature was 80 ° C.
(Sample D)
A laminate was produced in the same manner as in Sample A except that the film formation temperature was 70 ° C.

〔評価方法〕
(評価方法1 シワ)
サンプルA〜Cを観察し、サンプルA〜Cに生じているシワの程度を確認した。サンプルA〜Cをそれぞれ撮影した結果を図10に示す。図10には、各サンプルを平台に載置して撮影した結果、および、各サンプルが搬送ドラムに巻き付けられている状態を撮影した結果がそれぞれ示されている。
〔Evaluation method〕
(Evaluation method 1 wrinkles)
Samples A to C were observed to confirm the degree of wrinkles occurring in samples A to C. The result of having photographed each of samples A to C is shown in FIG. FIG. 10 shows the result of photographing each sample placed on a flat table and the result of photographing the state in which each sample is wound around the transport drum.

図10に示すように、成膜温度が−10℃であるサンプルAにおいては、多数のシワが生じていた。成膜温度が40℃であるサンプルBにおいては、サンプルAに比べてシワの密度が低減されていた。成膜温度が80℃であるサンプルCにおいては、サンプルAおよびBに比べてシワの密度が著しく低減されることを確認できた。   As shown in FIG. 10, in the sample A where the film forming temperature is −10 ° C., many wrinkles were generated. In the sample B where the film formation temperature is 40 ° C., the wrinkle density was reduced as compared with the sample A. It was confirmed that the wrinkle density was remarkably reduced in Sample C where the film formation temperature was 80 ° C. as compared with Samples A and B.

(評価方法2 キズ発生頻度)
サンプルBおよびDについて、第2遮光導電層の表面に生じていた傷の数をカウントした。カウント結果を図11に示す。図11において、縦軸は、基材フィルムの搬送方向(MD方向)における第2遮光導電層上の位置を示しており、横軸は、基材フィルムの搬送方向に直交する方向(TD方向)における第2遮光導電層上の位置を示している。図11においては、傷が観察された位置に点がプロットされている。
(Evaluation method 2 Scratch frequency)
For Samples B and D, the number of scratches generated on the surface of the second light-shielding conductive layer was counted. The count result is shown in FIG. In FIG. 11, the vertical axis indicates the position on the second light-shielding conductive layer in the transport direction (MD direction) of the base film, and the horizontal axis is the direction (TD direction) orthogonal to the transport direction of the base film. The position on the 2nd light-shielding conductive layer in is shown. In FIG. 11, points are plotted at positions where scratches are observed.

図11に示すように、成膜温度が40℃であるサンプルBにおいては、数多くの傷が観察された。具体的には、MD方向約60mm、TD方向約600mmの範囲内において、400個の傷が観察された。一方、成膜温度が70℃であるサンプルDにおいて確認された傷の数は、サンプルBの場合に比べて著しく低減されていた。具体的には、MD方向約60mm、TD方向約600mmの範囲内において、92個の傷が観察された。成膜温度を高くすることにより、傷の数が著しく低減されることを確認できた。   As shown in FIG. 11, in the sample B where the film forming temperature is 40 ° C., many scratches were observed. Specifically, 400 scratches were observed within a range of about 60 mm in the MD direction and about 600 mm in the TD direction. On the other hand, the number of scratches confirmed in Sample D where the film formation temperature was 70 ° C. was significantly reduced as compared with Sample B. Specifically, 92 scratches were observed within a range of about 60 mm in the MD direction and about 600 mm in the TD direction. It was confirmed that the number of scratches was remarkably reduced by increasing the deposition temperature.

上記の評価で採用した温度範囲内においては、成膜温度が高い方が、第1遮光導電層が損傷することを抑制することができると言える。一方、成膜温度が高すぎると別の問題が生じ、これによって第1遮光導電層の損傷が増大することも考えられる。この点を考慮し、以下、成膜温度の上限について検討した結果を示す。ここでは、成膜温度を40℃,60℃,80℃,100℃および120℃として積層体を作製し、硬度などを測定した結果について説明する。   Within the temperature range adopted in the above evaluation, it can be said that the higher the film formation temperature can suppress the damage of the first light-shielding conductive layer. On the other hand, if the film formation temperature is too high, another problem arises, which may increase damage to the first light-shielding conductive layer. Considering this point, the results of studying the upper limit of the film formation temperature are shown below. Here, a description will be given of the results of manufacturing a laminate with the film formation temperatures of 40 ° C., 60 ° C., 80 ° C., 100 ° C., and 120 ° C. and measuring the hardness and the like.

図12は、各成膜温度で得られた積層体の遮光導電層の硬度を棒グラフで示すとともに、遮光導電層中で(111)の結晶軸を有する結晶粒の比率、および、遮光導電層中の結晶粒のサイズをプロットした結果を示す図である。図12に示すように、成膜温度が高くなるにつれて、遮光導電層の硬度が低くなることが分かった。また、成膜温度が高くなるにつれて、結晶粒のサイズが大きくなり、また(111)の結晶粒の比率も概ね高くなることがわかった。なお「(111)の結晶軸を有する結晶粒」とは、(111)の結晶軸が、遮光導電層を含む積層体の法線方向と平行になっている結晶粒のことである。結晶粒のサイズとは、各結晶粒の長径および短径の平均に基づいて算出された、各結晶粒の平均サイズのことである。各結晶粒の長径および短径は、東洋テクニカ製 5420型 AFM/SPMシステムを用いて各粒子の表面形状の画像を取得し、結晶粒間の境界を画像の濃淡から判断することにより測定した。   FIG. 12 is a bar graph showing the hardness of the light-shielding conductive layer of the laminate obtained at each film formation temperature, the ratio of crystal grains having the (111) crystal axis in the light-shielding conductive layer, and the light-shielding conductive layer It is a figure which shows the result of having plotted the size of the crystal grain of. As shown in FIG. 12, it was found that the hardness of the light-shielding conductive layer decreases as the film formation temperature increases. Further, it was found that as the film forming temperature increases, the size of the crystal grains increases, and the ratio of the (111) crystal grains increases substantially. The “crystal grains having the (111) crystal axis” are crystal grains in which the (111) crystal axis is parallel to the normal direction of the stacked body including the light-shielding conductive layer. The crystal grain size is the average size of each crystal grain calculated based on the average of the major axis and the minor axis of each crystal grain. The major axis and minor axis of each crystal grain were measured by acquiring an image of the surface shape of each grain using a Toyo Technica 5420 Model AFM / SPM system and judging the boundary between crystal grains from the density of the image.

図12からは、成膜温度を高くすることが硬度の低下を引き起こすということ、かつ、硬度と(111)の結晶粒の比率および結晶粒のサイズとの間には相関があるということ、がわかる。以下、(111)の結晶軸を有する結晶粒の比率、および、結晶粒のサイズが、APC合金の硬度に影響を及ぼす理由について検討する。   From FIG. 12, it can be seen that increasing the film forming temperature causes a decrease in hardness, and that there is a correlation between the hardness and the ratio of the crystal grains of (111) and the crystal grain size. Recognize. Hereinafter, the reason why the ratio of the crystal grains having the (111) crystal axis and the size of the crystal grains affects the hardness of the APC alloy will be examined.

一般に、膜の硬度を高める方法としては以下の2つの方法が挙げられる。
(1)結晶粒のサイズを小さくすること。
(2)滑りやすい結晶面を減らすこと。
Generally, there are the following two methods for increasing the hardness of a film.
(1) To reduce the size of crystal grains.
(2) Reduce slippery crystal planes.

(1)については、結晶粒のサイズが小さいほど、膜の単位体積あたりに存在する結晶粒界の比率が大きくなり、この結果、転位の運動が阻害され易くなる、ということから説明され得る。一般に成膜温度が高くなると、結晶化や結晶成長が促進され、この結果、遮光導電層を構成する結晶のサイズが大きくなる。このため図12に示すように、成膜温度が高いほど硬度が低下したと言える。   (1) can be explained by the fact that the smaller the size of the crystal grains, the larger the ratio of crystal grain boundaries existing per unit volume of the film, and as a result, the movement of dislocations tends to be hindered. In general, when the film forming temperature is increased, crystallization and crystal growth are promoted, and as a result, the size of the crystals constituting the light-shielding conductive layer is increased. For this reason, as shown in FIG. 12, it can be said that the higher the film formation temperature, the lower the hardness.

(2)について、APC合金は、銀を主成分とする合金であり、従って面心立方格子(FCC)構造を有している。このため、APC合金のすべり面は(111)である。従って、(111)の結晶軸を有する結晶粒の比率が低くなることは、積層体の面に平行するすべり面を有する結晶粒の比率が低くなることを意味している。図12に示すように、成膜温度が高いほど(111)の結晶粒の比率が概ね高くなっており、この点でも、成膜温度が高いほど硬度が低下したと言える。   Regarding (2), the APC alloy is an alloy containing silver as a main component and thus has a face-centered cubic lattice (FCC) structure. For this reason, the slip surface of the APC alloy is (111). Accordingly, a reduction in the ratio of crystal grains having the (111) crystal axis means that the ratio of crystal grains having a slip plane parallel to the plane of the laminate is reduced. As shown in FIG. 12, the higher the film formation temperature, the higher the ratio of (111) crystal grains. In this respect, it can be said that the higher the film formation temperature, the lower the hardness.

上記の結果から、第1遮光導電層に形成される傷の数を決定する要因としては、図13に示すように、成膜温度が高くなるほど傷の生成を抑制する方向に働く、シワに基づく要因と、成膜温度が高くなるほど傷の生成を促進する方向に働く、硬度に基づく要因と、が存在すると言える。このことから、第1遮光導電層が損傷されることを効果的に抑制するためには、シワの発生を抑制し、かつ第1遮光導電層の結晶化および結晶成長を抑制することができる温度範囲で第2遮光導電層の成膜が実施されることが好ましいと言える。   From the above results, as a factor for determining the number of scratches formed in the first light-shielding conductive layer, as shown in FIG. 13, it is based on wrinkles that act to suppress the generation of scratches as the film formation temperature increases. It can be said that there are a factor and a factor based on hardness that works to promote the generation of scratches as the deposition temperature increases. Therefore, in order to effectively suppress damage to the first light-shielding conductive layer, the temperature at which wrinkles are suppressed and crystallization and crystal growth of the first light-shielding conductive layer can be suppressed. It can be said that the second light-shielding conductive layer is preferably formed within the range.

具体的な成膜温度について検討する。図12に示すように、(111)の結晶粒の比率は、成膜温度60℃で極小値になっている。このことから、成膜温度の下限としては50〜70℃程度、例えば60℃が好ましいと言える。また、(111)の結晶粒の比率が、成膜温度が100℃から120℃になる際に著しく上昇していることから、成膜温度の上限としては80〜100℃程度、例えば90℃が好ましいと言える。   A specific film forming temperature will be examined. As shown in FIG. 12, the ratio of (111) crystal grains has a minimum value at a film forming temperature of 60 ° C. From this, it can be said that the lower limit of the film formation temperature is preferably about 50 to 70 ° C., for example, 60 ° C. Further, since the ratio of the crystal grains of (111) is remarkably increased when the film forming temperature is changed from 100 ° C. to 120 ° C., the upper limit of the film forming temperature is about 80 to 100 ° C. It can be said that it is preferable.

1 積層体製造装置
10 積層体
10’ 中間積層体
12 基材フィルム
13a,13b ハードコート層
14a,14b 高屈折率層
15a,15b 低屈折率層
16a,16b 透明導電層
17a,17b 遮光導電層
20 巻出装置
21 シャフト
30 成膜装置
31 第1領域
31a 排気手段
31c 温度モニタ
32a ターゲット
33 第2領域
33a 排気手段
50 巻取装置
51 シャフト
60 タッチパネルセンサ
62a,62b 透明導電パターン
64a,64b 取出パターン
65a,65b 端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laminated body manufacturing apparatus 10 Laminated body 10 'Intermediate laminated body 12 Base film 13a, 13b Hard coat layer 14a, 14b High refractive index layer 15a, 15b Low refractive index layer 16a, 16b Transparent conductive layer 17a, 17b Light shielding conductive layer 20 Unwinding device 21 Shaft 30 Film forming device 31 First region 31a Exhaust means 31c Temperature monitor 32a Target 33 Second region 33a Exhaust means 50 Winding device 51 Shaft 60 Touch panel sensor 62a, 62b Transparent conductive pattern 64a, 64b Extraction pattern 65a, 65b terminal

Claims (4)

基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、を含む中間積層体を準備する工程と、
前記第1遮光導電層が搬送ドラムの表面と向かい合うよう前記中間積層体を前記搬送ドラムに巻き付けた状態で、前記中間積層体の他方の側に、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層を形成する成膜工程と、を備え、
前記基材フィルムは、0〜90℃の範囲内における線膨張係数が2.0〜2.4×10−5/℃である透明樹脂材料から構成されており、前記基材フィルムの厚みは100〜250μmの範囲内となっており、
前記成膜工程は、前記第2遮光導電層を構成するための金属からなるターゲットに荷電粒子を照射して、前記ターゲットの構成元素を前記中間積層体の他方の側に付着させる真空成膜工程を含み、
前記成膜工程は、前記中間積層体の温度を測定する温度モニタ工程をさらに含み、
前記真空成膜工程において、前記搬送ドラムの表面は、前記搬送ドラムの表面の温度が前記モニタ工程において得られた前記中間積層体の温度と略同一になるよう、60〜90℃の範囲内に制御されている、積層体の製造方法。
A step of preparing an intermediate laminate including a base film and a first light-shielding conductive layer that is provided on one side of the base film and has light shielding properties and conductivity;
In a state where the intermediate laminate is wound around the transport drum so that the first light-shielding conductive layer faces the surface of the transport drum, a second light-shielding conductive layer having light shielding properties and conductivity is provided on the other side of the intermediate stack. And a film forming process for forming
The said base film is comprised from the transparent resin material whose linear expansion coefficient in the range of 0-90 degreeC is 2.0-2.4 * 10 < -5 > / degreeC, The thickness of the said base film is 100. Within the range of ~ 250μm,
The film forming step is a vacuum film forming step of irradiating a target made of a metal for forming the second light-shielding conductive layer with charged particles and attaching a constituent element of the target to the other side of the intermediate laminate. Including
The film forming step further includes a temperature monitoring step of measuring the temperature of the intermediate laminate,
In the vacuum film forming step, the surface of the transport drum is within a range of 60 to 90 ° C. so that the temperature of the surface of the transport drum is substantially the same as the temperature of the intermediate laminate obtained in the monitoring step. The manufacturing method of the laminated body currently controlled.
基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、を含む中間積層体を準備する工程と、
前記第1遮光導電層が搬送ドラムの表面と向かい合うよう前記中間積層体を前記搬送ドラムに巻き付けた状態で、前記中間積層体の他方の側に、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層を形成する成膜工程と、を備え、
前記基材フィルムは、0〜90℃の範囲内における線膨張係数が2.0〜2.4×10−5/℃である透明樹脂材料から構成されており、前記基材フィルムの厚みは100〜250μmの範囲内となっており、
前記成膜工程は、前記第2遮光導電層を構成するための金属からなるターゲットに荷電粒子を照射して、前記ターゲットの構成元素を前記中間積層体の他方の側に付着させる真空成膜工程と、前記中間積層体の温度を測定する温度モニタ工程と、を含み、
前記真空成膜工程において、前記搬送ドラムの表面は、前記搬送ドラムの表面の温度が前記モニタ工程において得られた前記中間積層体の温度と略同一になるよう加熱される、積層体の製造方法。
A step of preparing an intermediate laminate including a base film and a first light-shielding conductive layer that is provided on one side of the base film and has light shielding properties and conductivity;
In a state where the intermediate laminate is wound around the transport drum so that the first light-shielding conductive layer faces the surface of the transport drum, a second light-shielding conductive layer having light shielding properties and conductivity is provided on the other side of the intermediate stack. And a film forming process for forming
The said base film is comprised from the transparent resin material whose linear expansion coefficient in the range of 0-90 degreeC is 2.0-2.4 * 10 < -5 > / degreeC, The thickness of the said base film is 100. Within the range of ~ 250μm,
The film forming step is a vacuum film forming step of irradiating a target made of a metal for forming the second light-shielding conductive layer with charged particles and attaching a constituent element of the target to the other side of the intermediate laminate. And a temperature monitoring step for measuring the temperature of the intermediate laminate,
In the vacuum film forming step, the surface of the transfer drum is heated so that the temperature of the surface of the transfer drum is substantially the same as the temperature of the intermediate laminate obtained in the monitoring step. .
前記中間積層体の前記基材フィルムは、シクロオレフィンポリマーから構成されている、請求項1又は2に記載の積層体の製造方法。 The said base film of the said intermediate | middle laminated body is a manufacturing method of the laminated body of Claim 1 or 2 comprised from the cycloolefin polymer. 前記第1遮光導電層は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む銀合金から構成されている、請求項1乃至のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。 The said 1st light-shielding conductive layer is a manufacturing method of the laminated body as described in any one of Claims 1 thru | or 3 comprised from the silver alloy which has silver and copper and palladium as a main component.
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