JP6219787B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されて成る電子部品内蔵型の配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board with a built-in electronic component in which an electronic component is accommodated in a cavity provided in an insulating layer.
まず、図6を基に、従来の製造方法により製造される配線基板Bの一例を説明する。
配線基板Bは、絶縁基板21と、第1絶縁層22と、第2絶縁層23と、配線導体24と、ソルダーレジスト層25と、電子部品Dとを具備する。
First, an example of a wiring board B manufactured by a conventional manufacturing method will be described with reference to FIG.
The wiring board B includes an
絶縁基板21には、電子部品Dを収容するキャビティ26が形成されている。キャビティ26内には、電子部品Dが第1絶縁層22および第2絶縁層23により固着された状態で収容されている。
さらに絶縁基板21には、複数のスルーホール27が形成されている。絶縁基板21の表面およびスルーホール27内には、配線導体24が被着されている。絶縁基板21上下の配線導体24同士は、スルーホール27を介して電気的に接続される。
The
Further, a plurality of through
第1絶縁層22は、絶縁基板21の上面に被着されている。第2絶縁層23は、絶縁基板21の下面に被着されている。第1および第2絶縁層22,23には、複数のビアホール28が形成されている。第1および第2絶縁層22,23の表面およびビアホール28内には、配線導体24が被着されている。第1絶縁層22上面の配線導体24の一部は、絶縁基板21上面の配線導体24にビアホール28を介して電気的に接続されている。また、第1絶縁層22表面の配線導体24の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール28を介して電気的に接続されている。
さらに第1絶縁層22の表面に形成された配線導体24の一部は、ソルダーレジスト層25に形成された第1開口部25a内に露出して、半導体素子接続パッド29を形成している。そして、この半導体素子接続パッド29に、半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、配線基板Bの上面に半導体素子Sが搭載される。
The first
Further, a part of the
第2絶縁層23下面の配線導体24の一部は、絶縁基板21下面の配線導体24にビアホール28を介して電気的に接続されている。また、第2絶縁層23下面の配線導体24の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール28を介して電気的に接続されている。
第2絶縁層23の下面に形成された配線導体24の一部は、ソルダーレジスト層25に形成された第2開口部25b内に露出して、外部の電気回路基板と接続するための外部接続パッド30を形成している。そして、外部接続パッド30と電気回路基板の電極とを接続することにより、半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体24および電子部品Dを介して信号を伝送することにより半導体素子Sが作動する。
電子部品Dとしては、例えば半導体素子Sへの電力の供給を安定化させるチップコンデンサー等が挙げられる。
A part of the
A part of the
Examples of the electronic component D include a chip capacitor that stabilizes the supply of power to the semiconductor element S.
次に、図7および図8を基に、従来の配線基板Bの製造方法の一例を説明する。なお、図7および図8においては、製造工程毎の要部を概略断面図で示す。なお、図6と同一の個所については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, an example of a conventional method for manufacturing the wiring board B will be described with reference to FIGS. 7 and FIG. 8, the principal part for every manufacturing process is shown with a schematic sectional drawing. The same parts as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
まず、図7(a)に示すように、スルーホール27内および上下面に配線導体24が形成された絶縁基板21を準備する。絶縁基板21は、キャビティ形成領域Xおよびキャビティ形成領域Xを囲繞するキャビティ周辺領域Yを有している。
First, as shown in FIG. 7A, an
次に、図7(b)に示すように、絶縁基板21の下面にレーザー加工用のフィルムFを貼り付ける。このフィルムFは、絶縁基板21をフィルムF上に止着しておくことで、レーザー加工により分断された部分が飛散することを防止するためのものである。
Next, as shown in FIG. 7B, a film F for laser processing is attached to the lower surface of the
次に、図7(c)に示すように、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界に沿ってレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xをキャビティ形成領域Yと分断する。このとき、分断されたキャビティ形成領域Xは、フィルムFに止着されているので飛散することはない。 Next, as shown in FIG. 7C, the cavity forming region X is separated from the cavity forming region Y by laser processing along the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. At this time, since the divided cavity forming region X is fixed to the film F, it does not scatter.
次に、図7(d)に示すように、分断されたキャビティ形成領域Xが止着されたフィルムFを剥離除去することで、キャビティ26を形成する。
Next, as shown in FIG. 7D, the
次に、図7(e)に示すように、絶縁基板21を粘着シートN上に載置する。
Next, the
次に、図7(f)に示すように、キャビティ26内に電子部品Dを挿入して、キャビティ26内に露出する粘着シートN上に電子部品Dを載置する。
Next, as shown in FIG. 7 (f), the electronic component D is inserted into the
次に、図7(g)に示すように、絶縁基板21の上側に第1絶縁層22を形成する。第1絶縁層22の一部は、キャビティ26内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ26内の所定の位置に固定される。第1絶縁層22を形成するには、絶縁基板21の上面に、第1絶縁層22用の未硬化の樹脂シートを積層するとともに、上方からプレスしながら加熱処理する方法が採用される。
Next, as shown in FIG. 7G, the first
次に、図8(h)に示すように、粘着シートNを剥離する。 Next, as shown in FIG. 8 (h), the pressure-sensitive adhesive sheet N is peeled off.
次に、図8(i)に示すように、絶縁基板21の下側に第2絶縁層23を形成する。第2絶縁層23の一部は、キャビティ26内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ26内に封止される。
Next, as shown in FIG. 8I, a second
次に、図8(j)に示すように、第1および第2絶縁層22、23に複数のビアホール28を形成する。一部のビアホール28は、電子部品Dの電極Tを底面としている。また、別のビアホール28は、絶縁基板21上下面の配線導体24を底面としている。
Next, as shown in FIG. 8 (j), a plurality of
次に、図8(k)に示すように、第1および第2絶縁層22、23の表面およびビアホール28内に配線導体24を被着させる。
Next, as shown in FIG. 8 (k), the
最後に、図8(l)に示すように、第1および第2絶縁層22、23の表面に形成された配線導体24の一部を露出させる第1開口部25aおよび第2開口部25bを有するソルダーレジスト層25を、第1絶縁層22の上面および第2絶縁層23の下面に被着することで配線基板Bが形成される。
Finally, as shown in FIG. 8 (l), the first opening 25a and the second opening 25b that expose a part of the
ところで、このような方法で配線基板Bを形成する場合には、キャビティ26を形成するためのレーザー加工前に、レーザー加工用のフィルムFを絶縁基板21に貼り付けておく必要がある。フィルムFを絶縁基板21に貼り付けておかないと、例えばレーザー加工により分断されたキャビティ形成領域Xが飛散して、絶縁基板21表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがある。その結果、キャビティ形成領域Xが付着した絶縁基板21表面にレーザーを照射することが阻害され、精度の良いレーザー加工ができない場合がある。
このように、キャビティ26を形成するためのレーザー加工前に、フィルムFを絶縁基板21に貼り付ける工程が必要なため、キャビティ26の形成に時間を要し、配線基板を効率よく生産することができないという問題がある。
By the way, when the wiring board B is formed by such a method, the laser processing film F needs to be attached to the
Thus, since the process of sticking the film F to the
本発明は、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board with high production efficiency by reducing the time required for forming a cavity.
本発明の配線基板の製造方法は、キャビティ形成領域およびキャビティ形成領域を囲繞するキャビティ周辺領域を有する絶縁基板を準備する工程と、絶縁基板の下面にキャビティ形成領域およびキャビティ周辺領域の境界の一部を横切る導体パターンを形成する工程と、絶縁基板を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することでキャビティ形成領域を導体パターンにより係止した状態でキャビティ周辺領域と分断する工程と、導体パターンをキャビティ形成領域とキャビティ周辺領域の間で分断し、キャビティ形成領域を絶縁基板から分離除去する工程とを行うことを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of preparing an insulating substrate having a cavity forming region and a cavity peripheral region surrounding the cavity forming region, and a part of a boundary between the cavity forming region and the cavity peripheral region on the lower surface of the insulating substrate. Forming a conductor pattern across the substrate, laser-treating the insulating substrate from the upper surface to the lower surface along the boundary, and separating the cavity formation region from the cavity peripheral region while being locked by the conductor pattern, and the conductor The pattern is divided between the cavity forming region and the cavity peripheral region, and the cavity forming region is separated and removed from the insulating substrate.
本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁基板の下面にキャビティ形成領域およびキャビティ周辺領域の境界の一部を横切る導体パターンが形成されている。そして、絶縁基板を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することで、キャビティ形成領域を導体パターンにより係止した状態でキャビティ周辺領域と分断できる。
これにより、キャビティ形成領域が飛散して絶縁基板表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがなく、精度の良いレーザー加工ができる。
その結果、レーザー加工前にレーザー加工用のフィルムを絶縁基板に貼り付ける必要がなくなり、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the conductor pattern that crosses a part of the boundary between the cavity forming region and the cavity peripheral region is formed on the lower surface of the insulating substrate. Then, by laser processing the insulating substrate from the upper surface to the lower surface along the boundary, the cavity forming region can be separated from the cavity peripheral region in a state where the cavity forming region is locked by the conductor pattern.
As a result, the cavity forming region is scattered and does not adhere to a place where laser processing of the surface of the insulating substrate is necessary, and high-precision laser processing can be performed.
As a result, there is no need to attach a film for laser processing to the insulating substrate before laser processing, and the time required for forming the cavity can be shortened to provide a method for manufacturing a wiring substrate with high production efficiency.
まず、図1を基に、本発明の製造方法により製造される配線基板Aの一例を説明する。
配線基板Aは、絶縁基板1と、第1絶縁層2と、第2絶縁層3と、配線導体4と、ソルダーレジスト層5と、電子部品Dとを具備する。
First, an example of a wiring board A manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG.
The wiring board A includes an insulating
絶縁基板1には、電子部品Dを収容するキャビティ6が形成されている。そして、キャビティ6内に、電子部品Dが第1絶縁層2および第2絶縁層3により固着された状態で収容されている。
また、絶縁基板1には、複数のスルーホール7が形成されている。そして、絶縁基板1の表面およびスルーホール7内に配線導体4が被着されており、絶縁基板1上下の配線導体4同士がスルーホール7を介して電気的に接続される。
The insulating
A plurality of through
第1絶縁層2は、絶縁基板1の上面に被着されている。第2絶縁層3は、絶縁基板1の下面に被着されている。これらの第1および第2絶縁層2、3には、複数のビアホール8が形成されている。そして、第1および第2の絶縁層2、3の表面およびビアホール8内には、配線導体4が被着されている。
第1絶縁層2上面の配線導体4の一部は、絶縁基板1上面の配線導体4にビアホール8を介して電気的に接続されている。また、第1絶縁層2表面の配線導体4の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール8を介して電気的に接続されている。
さらに第1絶縁層2の表面に形成された配線導体4の一部は、ソルダーレジスト層5に形成された第1開口部5a内に露出して、半導体素子接続パッド9を形成している。そして、この半導体素子接続パッド9に、半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、配線基板Aの上面に半導体素子Sが搭載される。
The first insulating
A part of the
Further, a part of the
第2絶縁層3下面の配線導体4の一部は、絶縁基板1下面の配線導体4にビアホール8を介して電気的に接続されている。また、第2絶縁層3下面の配線導体4の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール8を介して電気的に接続されている。
また、第2絶縁層3の下面に形成された配線導体4の一部は、ソルダーレジスト層5に形成された第2開口部5b内に露出して、外部の電気回路基板と接続するための外部接続パッド10を形成している。そして、外部接続パッド10と電気回路基板の電極とを接続することにより、半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体4および電子部品Dを介して信号を伝送することにより半導体素子Sが作動する。
電子部品Dとしては、例えば半導体素子Sへの電力の供給を安定化させるチップコンデンサー等が挙げられる。
A part of the
In addition, a part of the
Examples of the electronic component D include a chip capacitor that stabilizes the supply of power to the semiconductor element S.
次に、図2〜図4を基に、本発明の配線基板の製造方法を説明する。なお、図2および図3は製造工程毎の要部を概略断面図で示している。また、図4は本発明の製造方法により形成される配線基板の要部を拡大平面図で示している。なお、図1を基に説明した配線基板Aと同一の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。 Next, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are schematic cross-sectional views showing the main part of each manufacturing process. FIG. 4 is an enlarged plan view showing the main part of the wiring board formed by the manufacturing method of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the location same as the wiring board A demonstrated based on FIG. 1, and the detailed description is abbreviate | omitted.
まず、図2(a)に示すように、スルーホール7および上下面に配線導体4が形成された絶縁基板1を準備する。絶縁基板1は、キャビティ形成領域Xおよびキャビティ形成領域Xを囲繞するキャビティ周辺領域Yを有している。また、図4に示すように、絶縁基板1の下面に形成された配線導体4の一部は、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界の一部を横切る導体パターンPを形成している。
絶縁基板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板1の厚みは、およそ40〜600μm程度である。
配線導体4は、例えば周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。
スルーホール7の直径は、例えば50〜300μm程度であり、例えばドリル加工やレーザー加工、あるいはブラスト加工により形成される。
First, as shown in FIG. 2A, an insulating
The insulating
The
The diameter of the through
次に、図2(b)に示すように、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界に沿ってレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xをキャビティ周辺領域Yと分断する。このとき、分断されたキャビティ形成領域Xは、導体パターンPにより係止されているので飛散することはない。 Next, as shown in FIG. 2B, the cavity forming region X is separated from the cavity peripheral region Y by laser processing along the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. At this time, since the divided cavity forming region X is locked by the conductor pattern P, it does not scatter.
次に、図2(c)に示すように、導体パターンPをキャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの間で分断して、キャビティ形成領域Xを絶縁基板1から分離除去する。これにより、キャビティ6が形成される。
なお、キャビティ形成領域Xを絶縁基板1から分離除去するには、例えば吸引口を備えたテーブル上に、絶縁基板1をキャビティ形成領域Xが吸引口上になるように載置して吸引することで、導体パターンPがキャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの間で分断されて分離除去される。
Next, as shown in FIG. 2C, the conductor pattern P is divided between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y, and the cavity forming region X is separated and removed from the insulating
In order to separate and remove the cavity forming region X from the insulating
次に、図2(d)に示すように、絶縁基板1を粘着シートN上に載置する。
Next, the insulating
次に、図2(e)に示すように、キャビティ6内に電子部品Dを挿入して、キャビティ6内に露出する粘着シートN上に電子部品Dを載置する。
Next, as shown in FIG. 2E, the electronic component D is inserted into the
次に、図2(f)に示すように、絶縁基板1の上側に第1絶縁層2を形成する。第1絶縁層2の一部は、キャビティ6内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ6内の所定の位置に固定される。第1絶縁層2を形成するには、絶縁基板1の上面に、第1絶縁層2用の未硬化の樹脂シートを積層するとともに、上方からプレスしながら加熱処理する方法が採用される。第1絶縁層2は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みはおよそ15〜70μm程度である。
Next, as shown in FIG. 2 (f), the first insulating
次に、図3(g)に示すように、粘着シートNを剥離する。 Next, as shown in FIG. 3G, the adhesive sheet N is peeled off.
次に、図3(h)に示すように、絶縁基板1の下側に第2絶縁層3を形成する。第2絶縁層3の一部は、キャビティ6内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ6内に封止される。第2絶縁層3は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みはおよそ15〜70μm程度である。
Next, as shown in FIG. 3H, the second insulating
次に、図3(i)に示すように、第1絶縁層2および第2絶縁層3に複数のビアホール8を形成する。一部のビアホール8は、電子部品Dの電極Tを底面としている。また、別のビアホール8は、絶縁基板1表面の配線導体4を底面としている。
なお、ビアホール8の直径は、20〜100μm程度であり、例えばレーザー加工により形成される。
Next, as shown in FIG. 3 (i), a plurality of via
The diameter of the via
次に、図3(j)に示すように、第1絶縁層2および第2絶縁層3の表面およびビアホール8内に配線導体4を被着させる。配線導体4は、例えば周知のセミアディティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。
Next, as shown in FIG. 3J, the
最後に、図3(k)に示すように、第1および第2絶縁層2、3表面に形成された配線導体4の一部を露出させる第1開口部5aおよび第2開口部5bを有するソルダーレジスト層5を、第1絶縁層2の上面および第2絶縁層3の下面に被着することで配線基板Aが形成される。
ソルダーレジスト層5は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを、第1および第2絶縁層2、3および配線導体4の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
Finally, as shown in FIG. 3 (k), the first and second insulating
For the solder resist
ところで、本発明の配線基板の製造方法によると、絶縁基板1の下面にキャビティ形成領域Xおよびキャビティ周辺領域Yの境界の一部を横切る導体パターンPが形成されている。そして、絶縁基板1を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xを導体パターンPにより係止した状態でキャビティ周辺領域Yと分断できる。
これにより、キャビティ形成領域Xが飛散して絶縁基板1表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがなく、精度の良いレーザー加工ができる。
その結果、レーザー加工前にレーザー加工用のフィルムを絶縁基板1に貼り付ける必要がなくなり、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
By the way, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the conductor pattern P is formed on the lower surface of the insulating
Thereby, the cavity forming region X is scattered and does not adhere to a place where laser processing of the surface of the insulating
As a result, it is not necessary to attach a film for laser processing to the insulating
なお、本発明は上述の実施形態の一例に特定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述した一例では、導体パターンPを絶縁基板1の下面に形成された配線導体4と接続した状態に形成されているが、図5に示すように、導体パターンP2を配線導体14と非接続の状態に形成しても良い。この場合も、配線導体14は、例えば周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。
The present invention is not limited to an example of the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above-described example, the conductor pattern P is formed so as to be connected to the
1 絶縁基板
A 配線基板
P 導体パターン
X キャビティ形成領域
Y キャビティ周辺領域
1 Insulating substrate A Wiring substrate P Conductor pattern X Cavity formation area Y Cavity peripheral area
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