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JP6219787B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents
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Description

本発明は、絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されて成る電子部品内蔵型の配線基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board with a built-in electronic component in which an electronic component is accommodated in a cavity provided in an insulating layer.

まず、図6を基に、従来の製造方法により製造される配線基板Bの一例を説明する。
配線基板Bは、絶縁基板21と、第1絶縁層22と、第2絶縁層23と、配線導体24と、ソルダーレジスト層25と、電子部品Dとを具備する。
First, an example of a wiring board B manufactured by a conventional manufacturing method will be described with reference to FIG.
The wiring board B includes an insulating substrate 21, a first insulating layer 22, a second insulating layer 23, a wiring conductor 24, a solder resist layer 25, and an electronic component D.

絶縁基板21には、電子部品Dを収容するキャビティ26が形成されている。キャビティ26内には、電子部品Dが第1絶縁層22および第2絶縁層23により固着された状態で収容されている。
さらに絶縁基板21には、複数のスルーホール27が形成されている。絶縁基板21の表面およびスルーホール27内には、配線導体24が被着されている。絶縁基板21上下の配線導体24同士は、スルーホール27を介して電気的に接続される。
The insulating substrate 21 is formed with a cavity 26 for accommodating the electronic component D. In the cavity 26, the electronic component D is accommodated in a state of being fixed by the first insulating layer 22 and the second insulating layer 23.
Further, a plurality of through holes 27 are formed in the insulating substrate 21. A wiring conductor 24 is deposited on the surface of the insulating substrate 21 and in the through hole 27. The wiring conductors 24 above and below the insulating substrate 21 are electrically connected via the through hole 27.

第1絶縁層22は、絶縁基板21の上面に被着されている。第2絶縁層23は、絶縁基板21の下面に被着されている。第1および第2絶縁層22,23には、複数のビアホール28が形成されている。第1および第2絶縁層22,23の表面およびビアホール28内には、配線導体24が被着されている。第1絶縁層22上面の配線導体24の一部は、絶縁基板21上面の配線導体24にビアホール28を介して電気的に接続されている。また、第1絶縁層22表面の配線導体24の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール28を介して電気的に接続されている。
さらに第1絶縁層22の表面に形成された配線導体24の一部は、ソルダーレジスト層25に形成された第1開口部25a内に露出して、半導体素子接続パッド29を形成している。そして、この半導体素子接続パッド29に、半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、配線基板Bの上面に半導体素子Sが搭載される。
The first insulating layer 22 is deposited on the upper surface of the insulating substrate 21. The second insulating layer 23 is attached to the lower surface of the insulating substrate 21. A plurality of via holes 28 are formed in the first and second insulating layers 22 and 23. A wiring conductor 24 is deposited on the surfaces of the first and second insulating layers 22 and 23 and in the via hole 28. A part of the wiring conductor 24 on the upper surface of the first insulating layer 22 is electrically connected to the wiring conductor 24 on the upper surface of the insulating substrate 21 through a via hole 28. In addition, another part of the wiring conductor 24 on the surface of the first insulating layer 22 is electrically connected to the electrode T of the electronic component D through the via hole 28.
Further, a part of the wiring conductor 24 formed on the surface of the first insulating layer 22 is exposed in the first opening 25 a formed in the solder resist layer 25 to form a semiconductor element connection pad 29. The semiconductor element S is mounted on the upper surface of the wiring board B by connecting the electrodes of the semiconductor element S to the semiconductor element connection pads 29 via solder bumps.

第2絶縁層23下面の配線導体24の一部は、絶縁基板21下面の配線導体24にビアホール28を介して電気的に接続されている。また、第2絶縁層23下面の配線導体24の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール28を介して電気的に接続されている。
第2絶縁層23の下面に形成された配線導体24の一部は、ソルダーレジスト層25に形成された第2開口部25b内に露出して、外部の電気回路基板と接続するための外部接続パッド30を形成している。そして、外部接続パッド30と電気回路基板の電極とを接続することにより、半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体24および電子部品Dを介して信号を伝送することにより半導体素子Sが作動する。
電子部品Dとしては、例えば半導体素子Sへの電力の供給を安定化させるチップコンデンサー等が挙げられる。
A part of the wiring conductor 24 on the lower surface of the second insulating layer 23 is electrically connected to the wiring conductor 24 on the lower surface of the insulating substrate 21 through a via hole 28. Further, another part of the wiring conductor 24 on the lower surface of the second insulating layer 23 is electrically connected to the electrode T of the electronic component D through the via hole 28.
A part of the wiring conductor 24 formed on the lower surface of the second insulating layer 23 is exposed in the second opening 25b formed in the solder resist layer 25 and is connected to an external electric circuit board. A pad 30 is formed. Then, by connecting the external connection pad 30 and the electrode of the electric circuit board, the semiconductor element S is electrically connected to the external electric circuit board, and the wiring conductor is connected between the semiconductor element S and the external electric circuit board. The semiconductor element S is activated by transmitting a signal via the electronic component 24 and the electronic component D.
Examples of the electronic component D include a chip capacitor that stabilizes the supply of power to the semiconductor element S.

次に、図7および図8を基に、従来の配線基板Bの製造方法の一例を説明する。なお、図7および図8においては、製造工程毎の要部を概略断面図で示す。なお、図6と同一の個所については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。   Next, an example of a conventional method for manufacturing the wiring board B will be described with reference to FIGS. 7 and FIG. 8, the principal part for every manufacturing process is shown with a schematic sectional drawing. The same parts as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

まず、図7(a)に示すように、スルーホール27内および上下面に配線導体24が形成された絶縁基板21を準備する。絶縁基板21は、キャビティ形成領域Xおよびキャビティ形成領域Xを囲繞するキャビティ周辺領域Yを有している。   First, as shown in FIG. 7A, an insulating substrate 21 in which a wiring conductor 24 is formed in the through hole 27 and on the upper and lower surfaces is prepared. The insulating substrate 21 has a cavity forming region X and a cavity peripheral region Y surrounding the cavity forming region X.

次に、図7(b)に示すように、絶縁基板21の下面にレーザー加工用のフィルムFを貼り付ける。このフィルムFは、絶縁基板21をフィルムF上に止着しておくことで、レーザー加工により分断された部分が飛散することを防止するためのものである。   Next, as shown in FIG. 7B, a film F for laser processing is attached to the lower surface of the insulating substrate 21. This film F is for preventing the part divided | segmented by laser processing from scattering by fixing the insulating substrate 21 on the film F. FIG.

次に、図7(c)に示すように、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界に沿ってレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xをキャビティ形成領域Yと分断する。このとき、分断されたキャビティ形成領域Xは、フィルムFに止着されているので飛散することはない。   Next, as shown in FIG. 7C, the cavity forming region X is separated from the cavity forming region Y by laser processing along the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. At this time, since the divided cavity forming region X is fixed to the film F, it does not scatter.

次に、図7(d)に示すように、分断されたキャビティ形成領域Xが止着されたフィルムFを剥離除去することで、キャビティ26を形成する。   Next, as shown in FIG. 7D, the cavity 26 is formed by peeling and removing the film F to which the divided cavity forming region X is fixed.

次に、図7(e)に示すように、絶縁基板21を粘着シートN上に載置する。   Next, the insulating substrate 21 is placed on the adhesive sheet N as shown in FIG.

次に、図7(f)に示すように、キャビティ26内に電子部品Dを挿入して、キャビティ26内に露出する粘着シートN上に電子部品Dを載置する。   Next, as shown in FIG. 7 (f), the electronic component D is inserted into the cavity 26, and the electronic component D is placed on the adhesive sheet N exposed in the cavity 26.

次に、図7(g)に示すように、絶縁基板21の上側に第1絶縁層22を形成する。第1絶縁層22の一部は、キャビティ26内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ26内の所定の位置に固定される。第1絶縁層22を形成するには、絶縁基板21の上面に、第1絶縁層22用の未硬化の樹脂シートを積層するとともに、上方からプレスしながら加熱処理する方法が採用される。   Next, as shown in FIG. 7G, the first insulating layer 22 is formed on the upper side of the insulating substrate 21. A part of the first insulating layer 22 penetrates into the cavity 26 and adheres to the electronic component D. As a result, the electronic component D is fixed at a predetermined position in the cavity 26. In order to form the first insulating layer 22, a method of laminating an uncured resin sheet for the first insulating layer 22 on the upper surface of the insulating substrate 21 and performing a heat treatment while pressing from above is adopted.

次に、図8(h)に示すように、粘着シートNを剥離する。   Next, as shown in FIG. 8 (h), the pressure-sensitive adhesive sheet N is peeled off.

次に、図8(i)に示すように、絶縁基板21の下側に第2絶縁層23を形成する。第2絶縁層23の一部は、キャビティ26内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ26内に封止される。   Next, as shown in FIG. 8I, a second insulating layer 23 is formed on the lower side of the insulating substrate 21. A part of the second insulating layer 23 penetrates into the cavity 26 and adheres to the electronic component D. As a result, the electronic component D is sealed in the cavity 26.

次に、図8(j)に示すように、第1および第2絶縁層22、23に複数のビアホール28を形成する。一部のビアホール28は、電子部品Dの電極Tを底面としている。また、別のビアホール28は、絶縁基板21上下面の配線導体24を底面としている。   Next, as shown in FIG. 8 (j), a plurality of via holes 28 are formed in the first and second insulating layers 22 and 23. Some of the via holes 28 have the electrode T of the electronic component D as a bottom surface. The other via hole 28 has the wiring conductors 24 on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 21 as bottom surfaces.

次に、図8(k)に示すように、第1および第2絶縁層22、23の表面およびビアホール28内に配線導体24を被着させる。   Next, as shown in FIG. 8 (k), the wiring conductor 24 is deposited on the surfaces of the first and second insulating layers 22 and 23 and the via hole 28.

最後に、図8(l)に示すように、第1および第2絶縁層22、23の表面に形成された配線導体24の一部を露出させる第1開口部25aおよび第2開口部25bを有するソルダーレジスト層25を、第1絶縁層22の上面および第2絶縁層23の下面に被着することで配線基板Bが形成される。   Finally, as shown in FIG. 8 (l), the first opening 25a and the second opening 25b that expose a part of the wiring conductor 24 formed on the surfaces of the first and second insulating layers 22 and 23 are formed. The wiring board B is formed by depositing the solder resist layer 25 having the upper surface of the first insulating layer 22 and the lower surface of the second insulating layer 23.

ところで、このような方法で配線基板Bを形成する場合には、キャビティ26を形成するためのレーザー加工前に、レーザー加工用のフィルムFを絶縁基板21に貼り付けておく必要がある。フィルムFを絶縁基板21に貼り付けておかないと、例えばレーザー加工により分断されたキャビティ形成領域Xが飛散して、絶縁基板21表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがある。その結果、キャビティ形成領域Xが付着した絶縁基板21表面にレーザーを照射することが阻害され、精度の良いレーザー加工ができない場合がある。
このように、キャビティ26を形成するためのレーザー加工前に、フィルムFを絶縁基板21に貼り付ける工程が必要なため、キャビティ26の形成に時間を要し、配線基板を効率よく生産することができないという問題がある。
By the way, when the wiring board B is formed by such a method, the laser processing film F needs to be attached to the insulating substrate 21 before the laser processing for forming the cavity 26. If the film F is not attached to the insulating substrate 21, for example, the cavity forming region X divided by laser processing may scatter and adhere to a portion of the insulating substrate 21 where laser processing is necessary. As a result, the laser irradiation on the surface of the insulating substrate 21 to which the cavity forming region X is attached is hindered, and accurate laser processing may not be performed.
Thus, since the process of sticking the film F to the insulating substrate 21 is necessary before the laser processing for forming the cavity 26, it takes time to form the cavity 26, and the wiring board can be efficiently produced. There is a problem that you can not.

特許第4117390号公報Japanese Patent No. 4117390

本発明は、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board with high production efficiency by reducing the time required for forming a cavity.

本発明の配線基板の製造方法は、キャビティ形成領域およびキャビティ形成領域を囲繞するキャビティ周辺領域を有する絶縁基板を準備する工程と、絶縁基板の下面にキャビティ形成領域およびキャビティ周辺領域の境界の一部を横切る導体パターンを形成する工程と、絶縁基板を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することでキャビティ形成領域を導体パターンにより係止した状態でキャビティ周辺領域と分断する工程と、導体パターンをキャビティ形成領域とキャビティ周辺領域の間で分断し、キャビティ形成領域を絶縁基板から分離除去する工程とを行うことを特徴とするものである。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of preparing an insulating substrate having a cavity forming region and a cavity peripheral region surrounding the cavity forming region, and a part of a boundary between the cavity forming region and the cavity peripheral region on the lower surface of the insulating substrate. Forming a conductor pattern across the substrate, laser-treating the insulating substrate from the upper surface to the lower surface along the boundary, and separating the cavity formation region from the cavity peripheral region while being locked by the conductor pattern, and the conductor The pattern is divided between the cavity forming region and the cavity peripheral region, and the cavity forming region is separated and removed from the insulating substrate.

本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁基板の下面にキャビティ形成領域およびキャビティ周辺領域の境界の一部を横切る導体パターンが形成されている。そして、絶縁基板を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することで、キャビティ形成領域を導体パターンにより係止した状態でキャビティ周辺領域と分断できる。
これにより、キャビティ形成領域が飛散して絶縁基板表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがなく、精度の良いレーザー加工ができる。
その結果、レーザー加工前にレーザー加工用のフィルムを絶縁基板に貼り付ける必要がなくなり、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the conductor pattern that crosses a part of the boundary between the cavity forming region and the cavity peripheral region is formed on the lower surface of the insulating substrate. Then, by laser processing the insulating substrate from the upper surface to the lower surface along the boundary, the cavity forming region can be separated from the cavity peripheral region in a state where the cavity forming region is locked by the conductor pattern.
As a result, the cavity forming region is scattered and does not adhere to a place where laser processing of the surface of the insulating substrate is necessary, and high-precision laser processing can be performed.
As a result, there is no need to attach a film for laser processing to the insulating substrate before laser processing, and the time required for forming the cavity can be shortened to provide a method for manufacturing a wiring substrate with high production efficiency.

図1は、本発明の製造方法により製造される配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention. 図2(a)〜(f)は、本発明の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。FIG. 2A to FIG. 2F are schematic cross-sectional views of main parts for each step for explaining an example of the embodiment in the manufacturing method of the present invention. 図3(g)〜(k)は、本発明の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。3 (g) to 3 (k) are schematic cross-sectional views of main parts for each step for explaining an example of the embodiment in the manufacturing method of the present invention. 図4は、本発明の製造方法により製造される配線基板の実施形態の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 4 is an enlarged plan view of an essential part showing an example of an embodiment of a wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention. 図5は、本発明の製造方法により製造される配線基板の実施形態の別の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a main part showing another example of the embodiment of the wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention. 図6は、従来の製造方法により製造される配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wiring board manufactured by a conventional manufacturing method. 図7(a)〜(g)は、従来の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。FIGS. 7A to 7G are schematic cross-sectional views of relevant parts for each step for explaining an example of an embodiment in a conventional manufacturing method. 図8(h)〜(l)は、従来の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。8 (h) to 8 (l) are schematic cross-sectional views of main parts for each process for explaining an example of an embodiment in the conventional manufacturing method.

まず、図1を基に、本発明の製造方法により製造される配線基板Aの一例を説明する。
配線基板Aは、絶縁基板1と、第1絶縁層2と、第2絶縁層3と、配線導体4と、ソルダーレジスト層5と、電子部品Dとを具備する。
First, an example of a wiring board A manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG.
The wiring board A includes an insulating substrate 1, a first insulating layer 2, a second insulating layer 3, a wiring conductor 4, a solder resist layer 5, and an electronic component D.

絶縁基板1には、電子部品Dを収容するキャビティ6が形成されている。そして、キャビティ6内に、電子部品Dが第1絶縁層2および第2絶縁層3により固着された状態で収容されている。
また、絶縁基板1には、複数のスルーホール7が形成されている。そして、絶縁基板1の表面およびスルーホール7内に配線導体4が被着されており、絶縁基板1上下の配線導体4同士がスルーホール7を介して電気的に接続される。
The insulating substrate 1 is formed with a cavity 6 for accommodating the electronic component D. In the cavity 6, the electronic component D is accommodated in a state of being fixed by the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3.
A plurality of through holes 7 are formed in the insulating substrate 1. The wiring conductor 4 is attached to the surface of the insulating substrate 1 and in the through hole 7, and the wiring conductors 4 above and below the insulating substrate 1 are electrically connected via the through hole 7.

第1絶縁層2は、絶縁基板1の上面に被着されている。第2絶縁層3は、絶縁基板1の下面に被着されている。これらの第1および第2絶縁層2、3には、複数のビアホール8が形成されている。そして、第1および第2の絶縁層2、3の表面およびビアホール8内には、配線導体4が被着されている。
第1絶縁層2上面の配線導体4の一部は、絶縁基板1上面の配線導体4にビアホール8を介して電気的に接続されている。また、第1絶縁層2表面の配線導体4の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール8を介して電気的に接続されている。
さらに第1絶縁層2の表面に形成された配線導体4の一部は、ソルダーレジスト層5に形成された第1開口部5a内に露出して、半導体素子接続パッド9を形成している。そして、この半導体素子接続パッド9に、半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、配線基板Aの上面に半導体素子Sが搭載される。
The first insulating layer 2 is attached to the upper surface of the insulating substrate 1. The second insulating layer 3 is attached to the lower surface of the insulating substrate 1. A plurality of via holes 8 are formed in the first and second insulating layers 2 and 3. A wiring conductor 4 is deposited on the surfaces of the first and second insulating layers 2 and 3 and the via hole 8.
A part of the wiring conductor 4 on the upper surface of the first insulating layer 2 is electrically connected to the wiring conductor 4 on the upper surface of the insulating substrate 1 through a via hole 8. Further, another part of the wiring conductor 4 on the surface of the first insulating layer 2 is electrically connected to the electrode T of the electronic component D through the via hole 8.
Further, a part of the wiring conductor 4 formed on the surface of the first insulating layer 2 is exposed in the first opening 5 a formed in the solder resist layer 5 to form a semiconductor element connection pad 9. Then, the semiconductor element S is mounted on the upper surface of the wiring board A by connecting the electrodes of the semiconductor element S to the semiconductor element connection pads 9 via solder bumps.

第2絶縁層3下面の配線導体4の一部は、絶縁基板1下面の配線導体4にビアホール8を介して電気的に接続されている。また、第2絶縁層3下面の配線導体4の別の一部は、電子部品Dの電極Tにビアホール8を介して電気的に接続されている。
また、第2絶縁層3の下面に形成された配線導体4の一部は、ソルダーレジスト層5に形成された第2開口部5b内に露出して、外部の電気回路基板と接続するための外部接続パッド10を形成している。そして、外部接続パッド10と電気回路基板の電極とを接続することにより、半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体4および電子部品Dを介して信号を伝送することにより半導体素子Sが作動する。
電子部品Dとしては、例えば半導体素子Sへの電力の供給を安定化させるチップコンデンサー等が挙げられる。
A part of the wiring conductor 4 on the lower surface of the second insulating layer 3 is electrically connected to the wiring conductor 4 on the lower surface of the insulating substrate 1 through a via hole 8. Further, another part of the wiring conductor 4 on the lower surface of the second insulating layer 3 is electrically connected to the electrode T of the electronic component D through the via hole 8.
In addition, a part of the wiring conductor 4 formed on the lower surface of the second insulating layer 3 is exposed in the second opening 5b formed in the solder resist layer 5, and is connected to an external electric circuit board. External connection pads 10 are formed. Then, by connecting the external connection pad 10 and the electrode of the electric circuit board, the semiconductor element S is electrically connected to the external electric circuit board, and the wiring conductor is connected between the semiconductor element S and the external electric circuit board. The semiconductor element S is activated by transmitting a signal via 4 and the electronic component D.
Examples of the electronic component D include a chip capacitor that stabilizes the supply of power to the semiconductor element S.

次に、図2〜図4を基に、本発明の配線基板の製造方法を説明する。なお、図2および図3は製造工程毎の要部を概略断面図で示している。また、図4は本発明の製造方法により形成される配線基板の要部を拡大平面図で示している。なお、図1を基に説明した配線基板Aと同一の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。   Next, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are schematic cross-sectional views showing the main part of each manufacturing process. FIG. 4 is an enlarged plan view showing the main part of the wiring board formed by the manufacturing method of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the location same as the wiring board A demonstrated based on FIG. 1, and the detailed description is abbreviate | omitted.

まず、図2(a)に示すように、スルーホール7および上下面に配線導体4が形成された絶縁基板1を準備する。絶縁基板1は、キャビティ形成領域Xおよびキャビティ形成領域Xを囲繞するキャビティ周辺領域Yを有している。また、図4に示すように、絶縁基板1の下面に形成された配線導体4の一部は、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界の一部を横切る導体パターンPを形成している。
絶縁基板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板1の厚みは、およそ40〜600μm程度である。
配線導体4は、例えば周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。
スルーホール7の直径は、例えば50〜300μm程度であり、例えばドリル加工やレーザー加工、あるいはブラスト加工により形成される。
First, as shown in FIG. 2A, an insulating substrate 1 having a through hole 7 and wiring conductors 4 formed on the upper and lower surfaces is prepared. The insulating substrate 1 has a cavity forming region X and a cavity peripheral region Y surrounding the cavity forming region X. Further, as shown in FIG. 4, a part of the wiring conductor 4 formed on the lower surface of the insulating substrate 1 forms a conductor pattern P crossing a part of the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. Yes.
The insulating substrate 1 is made of an electrically insulating material in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The thickness of the insulating substrate 1 is about 40 to 600 μm.
The wiring conductor 4 is formed of a highly conductive metal such as copper by a known semi-additive method or subtractive method, for example.
The diameter of the through hole 7 is, for example, about 50 to 300 μm, and is formed by, for example, drilling, laser processing, or blasting.

次に、図2(b)に示すように、キャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの境界に沿ってレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xをキャビティ周辺領域Yと分断する。このとき、分断されたキャビティ形成領域Xは、導体パターンPにより係止されているので飛散することはない。   Next, as shown in FIG. 2B, the cavity forming region X is separated from the cavity peripheral region Y by laser processing along the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. At this time, since the divided cavity forming region X is locked by the conductor pattern P, it does not scatter.

次に、図2(c)に示すように、導体パターンPをキャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの間で分断して、キャビティ形成領域Xを絶縁基板1から分離除去する。これにより、キャビティ6が形成される。
なお、キャビティ形成領域Xを絶縁基板1から分離除去するには、例えば吸引口を備えたテーブル上に、絶縁基板1をキャビティ形成領域Xが吸引口上になるように載置して吸引することで、導体パターンPがキャビティ形成領域Xとキャビティ周辺領域Yとの間で分断されて分離除去される。
Next, as shown in FIG. 2C, the conductor pattern P is divided between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y, and the cavity forming region X is separated and removed from the insulating substrate 1. Thereby, the cavity 6 is formed.
In order to separate and remove the cavity forming region X from the insulating substrate 1, for example, the insulating substrate 1 is placed on a table having a suction port so that the cavity forming region X is on the suction port and sucked. The conductor pattern P is divided between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y and separated and removed.

次に、図2(d)に示すように、絶縁基板1を粘着シートN上に載置する。   Next, the insulating substrate 1 is placed on the adhesive sheet N as shown in FIG.

次に、図2(e)に示すように、キャビティ6内に電子部品Dを挿入して、キャビティ6内に露出する粘着シートN上に電子部品Dを載置する。   Next, as shown in FIG. 2E, the electronic component D is inserted into the cavity 6, and the electronic component D is placed on the adhesive sheet N exposed in the cavity 6.

次に、図2(f)に示すように、絶縁基板1の上側に第1絶縁層2を形成する。第1絶縁層2の一部は、キャビティ6内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ6内の所定の位置に固定される。第1絶縁層2を形成するには、絶縁基板1の上面に、第1絶縁層2用の未硬化の樹脂シートを積層するとともに、上方からプレスしながら加熱処理する方法が採用される。第1絶縁層2は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みはおよそ15〜70μm程度である。   Next, as shown in FIG. 2 (f), the first insulating layer 2 is formed on the upper side of the insulating substrate 1. A part of the first insulating layer 2 penetrates into the cavity 6 and adheres to the electronic component D. Thereby, the electronic component D is fixed at a predetermined position in the cavity 6. In order to form the first insulating layer 2, a method of laminating an uncured resin sheet for the first insulating layer 2 on the upper surface of the insulating substrate 1 and performing a heat treatment while pressing from above is adopted. The 1st insulating layer 2 consists of an electrically insulating material containing thermosetting resins, such as an epoxy resin and a polyimide resin, for example, and thickness is about 15-70 micrometers.

次に、図3(g)に示すように、粘着シートNを剥離する。   Next, as shown in FIG. 3G, the adhesive sheet N is peeled off.

次に、図3(h)に示すように、絶縁基板1の下側に第2絶縁層3を形成する。第2絶縁層3の一部は、キャビティ6内に侵入するとともに電子部品Dに接着する。これにより電子部品Dがキャビティ6内に封止される。第2絶縁層3は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みはおよそ15〜70μm程度である。   Next, as shown in FIG. 3H, the second insulating layer 3 is formed on the lower side of the insulating substrate 1. A part of the second insulating layer 3 penetrates into the cavity 6 and adheres to the electronic component D. Thereby, the electronic component D is sealed in the cavity 6. The second insulating layer 3 is made of an electrical insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide resin, and has a thickness of about 15 to 70 μm.

次に、図3(i)に示すように、第1絶縁層2および第2絶縁層3に複数のビアホール8を形成する。一部のビアホール8は、電子部品Dの電極Tを底面としている。また、別のビアホール8は、絶縁基板1表面の配線導体4を底面としている。
なお、ビアホール8の直径は、20〜100μm程度であり、例えばレーザー加工により形成される。
Next, as shown in FIG. 3 (i), a plurality of via holes 8 are formed in the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3. Some via holes 8 have the electrode T of the electronic component D as a bottom surface. Another via hole 8 has the wiring conductor 4 on the surface of the insulating substrate 1 as a bottom surface.
The diameter of the via hole 8 is about 20 to 100 μm and is formed by laser processing, for example.

次に、図3(j)に示すように、第1絶縁層2および第2絶縁層3の表面およびビアホール8内に配線導体4を被着させる。配線導体4は、例えば周知のセミアディティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。   Next, as shown in FIG. 3J, the wiring conductor 4 is deposited on the surfaces of the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 and in the via holes 8. The wiring conductor 4 is formed of a highly conductive metal such as copper by, for example, a known semi-additive method.

最後に、図3(k)に示すように、第1および第2絶縁層2、3表面に形成された配線導体4の一部を露出させる第1開口部5aおよび第2開口部5bを有するソルダーレジスト層5を、第1絶縁層2の上面および第2絶縁層3の下面に被着することで配線基板Aが形成される。
ソルダーレジスト層5は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを、第1および第2絶縁層2、3および配線導体4の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
Finally, as shown in FIG. 3 (k), the first and second insulating layers 2 and 3 have a first opening 5a and a second opening 5b that expose a part of the wiring conductor 4 formed on the surface. The wiring board A is formed by depositing the solder resist layer 5 on the upper surface of the first insulating layer 2 and the lower surface of the second insulating layer 3.
For the solder resist layer 5, for example, a resin paste or film made of an electrically insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide resin is applied on the first and second insulating layers 2 and 3 and the wiring conductor 4. Alternatively, it is formed by sticking and thermosetting.

ところで、本発明の配線基板の製造方法によると、絶縁基板1の下面にキャビティ形成領域Xおよびキャビティ周辺領域Yの境界の一部を横切る導体パターンPが形成されている。そして、絶縁基板1を境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することで、キャビティ形成領域Xを導体パターンPにより係止した状態でキャビティ周辺領域Yと分断できる。
これにより、キャビティ形成領域Xが飛散して絶縁基板1表面のレーザー加工が必要な個所に付着することがなく、精度の良いレーザー加工ができる。
その結果、レーザー加工前にレーザー加工用のフィルムを絶縁基板1に貼り付ける必要がなくなり、キャビティ形成に要する時間を短縮して生産効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
By the way, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the conductor pattern P is formed on the lower surface of the insulating substrate 1 so as to cross a part of the boundary between the cavity forming region X and the cavity peripheral region Y. Then, by laser processing the insulating substrate 1 along the boundary from the upper surface to the lower surface, the cavity forming region X can be separated from the cavity peripheral region Y in a state where the cavity forming region X is locked by the conductor pattern P.
Thereby, the cavity forming region X is scattered and does not adhere to a place where laser processing of the surface of the insulating substrate 1 is necessary, and laser processing with high accuracy can be performed.
As a result, it is not necessary to attach a film for laser processing to the insulating substrate 1 before laser processing, and it is possible to provide a method for manufacturing a wiring substrate with high production efficiency by reducing the time required for forming a cavity.

なお、本発明は上述の実施形態の一例に特定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述した一例では、導体パターンPを絶縁基板1の下面に形成された配線導体4と接続した状態に形成されているが、図5に示すように、導体パターンP2を配線導体14と非接続の状態に形成しても良い。この場合も、配線導体14は、例えば周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により、銅等の良導電性金属で形成される。
The present invention is not limited to an example of the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above-described example, the conductor pattern P is formed so as to be connected to the wiring conductor 4 formed on the lower surface of the insulating substrate 1, but the conductor pattern P2 is not connected to the wiring conductor 14 as shown in FIG. You may form in the state of. Also in this case, the wiring conductor 14 is formed of a highly conductive metal such as copper by, for example, a well-known semi-additive method or subtractive method.

1 絶縁基板
A 配線基板
P 導体パターン
X キャビティ形成領域
Y キャビティ周辺領域
1 Insulating substrate A Wiring substrate P Conductor pattern X Cavity formation area Y Cavity peripheral area

Claims (1)

キャビティ形成領域および該キャビティ形成領域を囲繞するキャビティ周辺領域を有する絶縁基板を準備する工程と、前記絶縁基板の下面に前記キャビティ形成領域および前記キャビティ周辺領域の境界の一部を横切る導体パターンを形成する工程と、前記絶縁基板を前記境界に沿って上面から下面に向けてレーザー加工することで前記キャビティ形成領域を前記導体パターンにより係止した状態で前記キャビティ周辺領域と分断する工程と、前記導体パターンを前記キャビティ形成領域と前記キャビティ周辺領域の間で分断し、前記キャビティ形成領域を前記絶縁基板から分離除去する工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。   Preparing an insulating substrate having a cavity forming region and a cavity peripheral region surrounding the cavity forming region, and forming a conductor pattern across a part of a boundary between the cavity forming region and the cavity peripheral region on a lower surface of the insulating substrate; Cutting the insulating substrate from the upper surface toward the lower surface along the boundary to divide the cavity forming region from the cavity peripheral region in a state of being locked by the conductor pattern, and the conductor A step of dividing the pattern between the cavity forming region and the cavity peripheral region, and separating and removing the cavity forming region from the insulating substrate.
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