JP6232129B2 - ウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム - Google Patents
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- テスト対象のウェハをチャック上に載置させてチャックを所望の位置に移動させるステージ部と、ウェハハンドリングロボットを利用してウェハを搬送させるローダーと、プローバカードを利用して前記チャック上のウェハの電気的特性を検査してウェハをプロービングするテスターと、制御部と、を備えるウェハプローバシステムにおいて、
ウェハをプロービングする前にまたは後にウェハ表面検査を行うウェハ表面検査部をさらに備え、
前記ウェハ表面検査部は、
ウェハが載置されているウェハ載置台と、
前記ウェハ載置台に載置されたウェハの表面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段の撮像のために前記ウェハ載置台に照明を提供する照明部と、
前記撮像手段を移動させることができるスキャニング部と、を備えることを特徴とし、
前記制御部はローダーを利用して前記表面が検査されるウェハをウェハ載置台に移動させ、ウェハ表面検査部の撮像手段及びスキャニング部を駆動して前記ウェハ載置台に載置されたウェハの表面を撮像してウェハ表面の映像を取得し、この取得されたウェハ表面の映像を分析してウェハ表面検査情報を生成し、上記生成されたウェハ表面検査情報をウェハのプロービングに使用することを特徴とするウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステムであって、
前記ウェハ表面検査情報は、ウェハ上の各チップのバンプの状態及び位置に対する情報と、ウェハ上の各チップに対するPMI情報とを含み、
前記制御部は、前記ウェハ表面検査部を駆動して前記ウェハのプロービングの前と後のウェハに対するPMI情報を取得することを特徴とする
ウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。 - 前記制御部は、
第1のウェハがステージ部でプロービングする間に、次にプロービングする第2のウェハを前記ウェハ表面検査部に移動させ、ウェハ表面検査を進行してウェハ表面検査情報を生成し、
前記第1のウェハのプロービングが完了すれば、前記第2のウェハをステージ部のチャックに載置させ、前記第2のウェハに対するウェハ表面検査情報を利用してプロービングするのを特徴とする請求項1の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。 - 前記ウェハ表面検査情報は、各ダイにダイシングされている状態の枠付きウェハでの各ダイに対する配列情報を含むことを特徴とする請求項1または2の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。
- 前記撮像手段は、低倍率カメラ及び高配率カメラを備えることを特徴とする請求項1の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。
- 前記制御部は、
バンプ状態を検査する場合に低倍率カメラを駆動して低倍率映像を取得し、 PMI情報を取得しようとする場合に高配率カメラを駆動して高配率映像を撮像することを特徴とする請求項4の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。 - 前記制御部は、
第1のウェハがステージ部でプロービングする間に、次プロービングする第2のウェハを前記ウェハ表面検査部に移動させ、第1の表面検査を進行して第2のウェハに対する第1の表面検査情報を生成し、
第1のウェハに対するプロービングが完了すれば、前記第2のウェハをステージ部のチャックに載置させ、前記第2のウェハに対する第1の表面検査情報を利用してプロービングし、
第2のウェハに対するプロービングが完了すれば、第2のウェハをウェハ表面検査部に移動させ、第2の表面検査を進行して第2のウェハに対する第2の表面検査情報を生成することを特徴とする請求項1記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。 - 前記第1の表面検査情報はプロービングの前の各チップに対するPMI情報を含め、
前記第2の表面検査情報はプロービングの後の各チップに対するPMI情報を含むことを特徴とする請求項6の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。 - 前記制御部は第1の及び第2の表面検査情報を分析してプロービング状態を判断することを特徴とする請求項6の記載のウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0119104 | 2013-10-07 | ||
| KR1020130119104A KR101415276B1 (ko) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 웨이퍼 표면 검사가 가능한 웨이퍼 프로버 시스템 |
| PCT/KR2014/007971 WO2015053477A1 (ko) | 2013-10-07 | 2014-08-27 | 웨이퍼 표면 검사가 가능한 웨이퍼 프로버 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016533638A JP2016533638A (ja) | 2016-10-27 |
| JP6232129B2 true JP6232129B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=51741165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016519926A Active JP6232129B2 (ja) | 2013-10-07 | 2014-08-27 | ウェハ表面検査を行うことができるウェハプローバシステム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6232129B2 (ja) |
| KR (1) | KR101415276B1 (ja) |
| DE (1) | DE112014004624T5 (ja) |
| WO (1) | WO2015053477A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115951103B (zh) * | 2023-01-03 | 2026-04-21 | 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司 | 晶圆测试装置及晶圆测试方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053230A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Nec Corp | ウエーハプローバ |
| JPH06167460A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-06-14 | Omron Corp | 検査装置 |
| KR20020068606A (ko) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 표면 검사 장치 및 이를 이용한 검사 방법 |
| KR100515376B1 (ko) * | 2003-01-30 | 2005-09-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 웨이퍼 검사장비 및 검사방법 |
| JP2005123393A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Seiko Epson Corp | ウエハ検査方法およびウエハ検査装置 |
| JP5101060B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-12-19 | 日本発條株式会社 | プローブカードの平行度調整機構 |
| KR20080013522A (ko) * | 2006-08-09 | 2008-02-13 | 세크론 주식회사 | 프로빙 검사장치 및 이를 이용하는 척 수평 조절 방법 |
| JP2008076218A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
| JP2008166306A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Stk Technology Co Ltd | 半導体デバイスの検査装置 |
| JP2008164292A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | プローブ検査装置、位置ずれ補正方法、情報処理装置、情報処理方法及びプログラム |
| KR100878211B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | 세크론 주식회사 | 프로브스테이션 및 이를 이용한 웨이퍼 검사방법 |
| WO2008144437A1 (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Seubert Ronald C | Wafer probe test and inspection system |
| KR101028049B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-04-08 | 주식회사 에스디에이 | 비전 검사기능이 구비된 프로브카드 검사장치 제어방법 |
-
2013
- 2013-10-07 KR KR1020130119104A patent/KR101415276B1/ko active Active
-
2014
- 2014-08-27 DE DE112014004624.8T patent/DE112014004624T5/de not_active Ceased
- 2014-08-27 JP JP2016519926A patent/JP6232129B2/ja active Active
- 2014-08-27 WO PCT/KR2014/007971 patent/WO2015053477A1/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016533638A (ja) | 2016-10-27 |
| WO2015053477A1 (ko) | 2015-04-16 |
| KR101415276B1 (ko) | 2014-07-04 |
| DE112014004624T5 (de) | 2016-09-29 |
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