JP6235974B2 - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents

Description

本発明は、親水性（極性）を有する親水性（有極性）ポリマーと疎水性を有する（極性を有さない）疎水性（無極性）ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理方法基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システムに関する。

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などを順次行うフォトリソグラフィー処理が行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。そして、このレジストパターンをマスクとして、ウェハ上の被処理膜のエッチング処理が行われ、その後レジスト膜の除去処理などが行われて、被処理膜に所定のパターンが形成される。

ところで、近年、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、上述した被処理膜のパターンの微細化が求められている。このため、レジストパターンの微細化が進められており、例えばフォトリソグラフィー処理における露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。

そこで、親水性と疎水性の２種類のブロック鎖（ポリマー）から構成されたブロック共重合体を用いたウェハ処理方法が提案されている（特許文献１）。かかる方法では、先ず、ウェハ上に例えばレジストパターンなどによりガイドを形成する。その後、ウェハ上にブロック共重合体を塗布し、当該ブロック共重合体に対して加熱処理を行うことで親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させる。その後、ウェハに紫外線を照射してポリマーの改質処理を行い、ウェハ上に有機溶剤を供給することで、親水性ポリマーが選択的に除去される。これにより、ウェハ上に疎水性ポリマーによる微細なパターンが形成される。

特開２０１３−２３２６２１号公報

しかしながら本発明者らによれば、親水性ポリマーを除去した後の疎水性ポリマーによるパターンが所望の形状、即ちガイドとしてのレジストパターンに倣った形状になっていない場合があることが確認されている。

この点について本発明者らが鋭意調査したところ、ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させる加熱処理においてレジストパターンが熱により変形してしまっていることが確認された。そのため、変形したレジストパターンに沿ってブロック共重合体の相分離が起こり、その結果、所望の形状とは異なる形状で疎水性ポリマーのパターンが形成されてしまうものと推察される。

このようなレジストパターンの変形は、ブロック共重合体を相分離させる際の加熱処理が比較的高温で行われるためレジストパターンが溶解してしまうことが原因であり、この加熱温度を低減することで改善するものと考えられる。しかしながら、ブロック共重合体のポリマーを拡散させ、適切に相分離を行うためには、加熱温度を下げることはできない。そのため、現状はこのレジストパターンの変形を防止することは困難である。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理において、基板上に所定のパターンを適切に形成することを目的としている。

前記の目的を達成するため、本発明は、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、基板上にレジスト膜により所定のパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成後の基板に対してブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有し、前記薄膜は、シリコン含有膜であることを特徴としている。

本発明者らは、レジストパターンの表面に所定の薄膜を形成することで、ブロック共重合体を相分離させる際の加熱温度でレジストパターンを加熱した際の変形を抑制できるとの知見を得た。そして、本発明によれば、レジストパターンの形成後であってブロック共重合体の相分離を行う前に、レジストパターンの表面に薄膜を形成するので、ブロック共重合体を相分離させる加熱処理の際のレジストパターンの変形を抑制することができる。したがって、ブロック共重合体を所望の形状で相分離させ、それにより、基板上の所定のパターンを適切に形成することができる。

前記シリコン含有膜は、プラズマ処理により形成され、前記プラズマ処理は、シリコンを含有する電極に高周波電力を印加して行われてもよい。

前記シリコン含有膜は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、またはＳｉＯＣのいずれかであってもよい。

別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

さらに別な観点による本発明は、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、基板上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置と、露光処理されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像処理装置と、前記レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成装置と、前記薄膜形成後の基板に対して前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布装置と、前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、を有し、前記薄膜は、シリコン含有膜であることを特徴としている。

前記薄膜形成装置はプラズマ処理装置であり、前記プラズマ処理装置では、シリコンを含有する電極に高周波電力を印加してプラズマ処理が行われてもよい。

前記シリコン含有膜は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、またはＳｉＯＣのいずれかであってもよい。

本発明によれば、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理において、基板上に所定のパターンを適切に形成することができる。

本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 塗布処理装置の構成の概略を示す平面図である。 塗布処理装置の構成の概略を示す正面図である。 塗布処理装置の構成の概略を示す背面図である。 プラズマ処理装置の構成の概略を示す平面図である。 薄膜形成装置の構成の概略を示す縦断面図である。 ウェハ処理の主な工程を説明したフローチャートである。 ウェハ上に反射防止膜と中性層が形成された様子を示す縦断面の説明図である。 中性層上にレジストパターンが形成された様子を示す平面視の説明図である。 中性層上にレジストパターンが形成された様子を示す縦断面の説明図である。 レジストパターン上に薄膜が形成された様子を示す縦断面の説明図である。 薄膜形成後のレジストパターン上にブロック共重合体を塗布した様子を示す縦断面の説明図である。 ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離した様子を示す縦断面の説明図である。 ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離した様子を示す平面の説明図である。 相分離後のブロック共重合体から親水性ポリマーを選択的に除去した様子を示す縦断面の説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を示す平面図である。

基板処理システム１は、基板としてのウェハにフォトリソグラフィー処理などの液処理を行う塗布処理装置２と、ウェハにプラズマエッチング処理などのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置３とを有している。

塗布処理装置２は、図２に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。

カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図２のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図２のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図２のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷ上に有機溶剤を供給する有機溶剤供給装置３１、ウェハＷ上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成装置３２、ウェハＷ上に中性剤を塗布して中性層を形成する中性層形成装置３３、ウェハＷ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３４、ウェハＷ上にブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布装置３５が下から順に重ねられている。

例えば現像装置３０、有機溶剤供給装置３１、反射防止膜形成装置３２、中性層形成装置３３、レジスト塗布装置３４、ブロック共重合体塗布装置３５は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像装置３０、有機溶剤供給装置３１、反射防止膜形成装置３２、中性層形成装置３３、レジスト塗布装置３４、ブロック共重合体塗布装置３５の数や配置は、任意に選択できる。

これら現像装置３０、有機溶剤供給装置３１、反射防止膜形成装置３２、中性層形成装置３３、レジスト塗布装置３４、ブロック共重合体塗布装置３５では、例えばウェハＷ上に所定の塗布液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に塗布液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、塗布液をウェハＷの表面に拡散させる。

なお、ブロック共重合体塗布装置３５でウェハＷ上に塗布されるブロック共重合体は第１のモノマーと第２のモノマーが直鎖状に重合した、第１のポリマー（第１のモノマーの重合体）と第２のポリマー（第２のモノマーの重合体）とを有する高分子（共重合体）である。第１のポリマーとしては、親水性（極性）を有する親水性ポリマーが用いられ、第２のポリマーとしては、疎水性（非極性）を有する疎水性ポリマーが用いられる。本実施の形態では、親水性ポリマーとして例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）が用いられ、疎水性ポリマーとしては例えばポリスチレン（ＰＳ）が用いられる。また、ブロック共重合体における親水性ポリマーの分子量の比率は約２０％〜４０％であり、ブロック共重合体における疎水性ポリマーの分子量の比率は約８０％〜６０％である。そして、ブロック共重合体は、これら親水性ポリマーと疎水性ポリマーの共重合体を溶剤により溶液状としたものである。

また、中性層形成装置３３でウェハＷ上に形成される中性層は、親水性ポリマーと疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する。本実施の形態では、中性層として例えばポリメタクリル酸メチルとポリスチレンとのランダム共重合体や交互共重合体が用いられる。以下において、「中性」という場合は、このように親水性ポリマーと疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有することを意味する。

例えば第２のブロックＧ２には、図４に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２、ウェハＷに対して紫外線を照射する紫外線照射装置４３が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、複数の熱処理装置４０のうち、一部の熱処理装置４０は、ブロック共重合体塗布装置３５でウェハＷ上に塗布されたブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置として機能する。また、熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２の数や配置は、任意に選択できる。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図２に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。

シャトル搬送装置８０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置９１と受け渡し装置９２が設けられている。ウェハ搬送装置９１は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９１は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置９２及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。

プラズマ処理装置３は、図５に示すようにプラズマ処理装置３に対するウェハＷの搬入出を行うカセットステーション１００、ウェハＷの搬送を行う共通搬送部１０１、ウェハＷに対して例えばプラズマエッチング処理を行い、親水性ポリマーまたは疎水性ポリマーのいずれかを選択的に除去するポリマー除去装置としてのエッチング装置１０２、１０３、ウェハＷに対してプラズマ処理を施してレジストパターン上に所定の薄膜を形成する薄膜形成装置１０４、１０５を有している。

カセットステーション１００は、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構１１０が内部に設けられた搬送室１１１を有している。ウェハ搬送機構１１０は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム１１０ａ、１１０ｂを有しており、これら搬送アーム１１０ａ、１１０ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。搬送室１１１の側方には、ウェハＷを複数枚並べて収容可能なカセットＣが載置されるカセット載置台１１２が備えられている。図示の例では、カセット載置台１１２には、カセットＣを複数、例えば３つ載置できるようになっている。

搬送室１１１と共通搬送部１０１は、真空引き可能な２つのロードロック装置１１３ａ、１１３ｂを介して互いに連結させられている。

共通搬送部１０１は、例えば上方からみて略多角形状（図示の例では六角形状）をなすように形成された密閉可能な構造の搬送室チャンバー１１４を有している。搬送室チャンバー１１４内には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構１１５が設けられている。ウェハ搬送機構１１５は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム１１５ａ、１１５ｂを有しており、これら搬送アーム１１５ａ、１１５ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。

搬送室チャンバー１１４の外側には、エッチング装置１０２、１０３、薄膜形成装置１０４、１０５、ロードロック装置１１３ｂ、１１３ａが、搬送室チャンバー１１４の周囲を囲むように配置されている。エッチング装置１０２、１０３、薄膜形成装置１０４、１０５、ロードロック装置１１３ｂ、１１３ａは、例えば上方からみて時計回転方向においてこの順に並ぶように、また、搬送室チャンバー１１４の６つの側面部に対してそれぞれ対向するようにして配置されている。

次に薄膜形成装置１０４について説明する。薄膜形成装置１０４は、平行平板型のプラズマ処理装置であり、ウェハＷを載置する載置台２００が設けられた略円筒状の処理容器２０１を有している。処理容器２０１は、接地線２０２により電気的に接続されて接地されている。また、処理容器２０１の内壁は、表面に耐プラズマ性の材料からなる溶射皮膜が形成されたライナ（図示せず）により覆われている。

載置台２００は、略円盤状の静電チャック２０３と、略円環状のフォーカスリング２０４を備えている。静電チャック２０３は、略円板状の部材であり、例えば一対のセラミックの間に静電チャック用の電極を挟みこんで形成されている。

静電チャック２０３の下面には下部電極としてのサセプタ２１０が設けられている。サセプタ２１０は、例えばアルミニウム等の金属により略円盤状に形成されている。処理容器２０１の底部には、絶縁板２１１を介して支持台２１２が設けられ、サセプタ２１０はこの支持台２１２の上面に支持されている。静電チャック２０３の内部には電極（図示せず）が設けられており、当該電極に直流電圧を印加することにより生じる静電気力でウェハＷを吸着保持することができるように構成されている。

プラズマ処理の均一性を向上させるためのフォーカスリング２０４は、例えばシリコンからなる導電性のシリコンにより形成されており、サセプタ２１０の上面であって静電チャック２０３の外周部に配置されている。サセプタ２１０及び支持台２１２は、例えば石英からなる円筒部材２１３によりその外側面が覆われている。

支持台２１２の内部には、冷媒が流れる冷媒流路（図示せず）が設けられており、冷媒の温度を制御することにより、静電チャック２０３で保持されるウェハＷの温度が制御される。

サセプタ２１０には、当該サセプタ２１０に高周波電力を供給してプラズマを生成するための第１の高周波電源２３０が、第１の整合器２３１を介して電気的に接続されている。第１の高周波電源２３０は、例えば２７〜１００ＭＨｚの周波数、本実施の形態では例えば１００ＭＨｚの高周波電力を出力するように構成されている。また、第１の高周波電源２３０の内部インピーダンスと負荷インピーダンスは、第１の整合器２３１によりマッチングされる。

また、サセプタ２１０には、当該サセプタ２１０に高周波電力を供給してウェハＷにバイアスを印加することでウェハＷにイオンを引き込むための第２の高周波電源２４０が、第２の整合器４１を介して電気的に接続されている。第２の高周波電源２４０は、例えば４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの周波数、本実施の形態では例えば３．２ＭＨｚの高周波電力を出力するように構成されている。第２の整合器２４１は、第１の整合器２３１と同様に、第２の高周波電源２４０の内部インピーダンスと負荷インピーダンスをマッチングさせるものである。

これら第１の高周波電源２３０、第１の整合器２３１、第２の高周波電源２４０、第２の整合器２４１は、後述する制御部３００に接続されており、これらの動作は制御部３００により制御される。

下部電極であるサセプタ２１０の上方には、上部電極２４２がサセプタ２１０に対向して平行に設けられている。上部電極２４２は、導電性の保持部材２４３を介して処理容器２０１の上部に支持されており、処理容器２０１と同様に接地電位となっている。

上部電極２４２は、静電チャック２０３に保持されたウェハＷと対向面を形成する電極板２５０と、当該電極板２５０を上方から支持する電極支持体２５１とにより構成されている。電極板２５０には、処理容器２０１の内部に処理ガスを供給する複数のガス供給口２５２が当該電極板２５０を貫通して形成されている。電極板２５０は、シリコンを含有し且つジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体により構成されている。また、電極支持体２５１は導電体により構成され、本実施の形態においては例えばアルミニウムが用いられる。

電極支持体２５１内部の中央部には、略円盤状に形成されたガス拡散室２６０が設けられている。また、電極支持体２５１の下部には、ガス拡散室２６０から下方に伸びるガス孔２６１が複数形成され、ガス供給口２５２は当該ガス孔２６１を介してガス拡散室２６０に接続されている。

ガス拡散室２６０には、ガス供給管２６２が接続されている。ガス供給管２６２には、図１に示すように処理ガス供給源２６３が接続されており、処理ガス供給源２６３から供給された処理ガスは、ガス供給管２６２を介してガス拡散室２６０に供給される。ガス拡散室２６０に供給された処理ガスは、ガス孔２６１とガス供給口２５２を通じて処理容器２０１内に導入される。

ガス供給源２６３は、プラズマ処理用の処理ガスを供給するガス供給部２６３ａを備えている。また、ガス供給源２６３は、ガス供給部２６３ａとガス拡散室２６０との間に設けられたバルブ２６４と、ガス拡散室２６０に供給されるガスの流量を制御する流量調整機構２６５を有している。

処理容器２０１の底面には排気口２７０が設けられている。排気口２７０の下方には、排気室２７１が形成されており、当該排気室２７１には排気管２７２を介して排気装置２７３が接続されている。したがって、排気装置２７３を駆動することにより、排気口２７０を介して処理容器２０１内の雰囲気を排気し、処理容器内を所定の真空度まで減圧することができる。

なお、薄膜形成装置１０５は薄膜形成装置１０４と同一の構成であり、エッチング装置１０２、１０３についても用いる処理ガスが異なる点以外は薄膜形成装置１０４の構成と同様であるので説明を省略する。

以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３００にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図７は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフローチャートである。

先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、塗布処理装置２のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。

次にウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて温度調節された後、反射防止膜形成装置３２に搬送され、図８に示すようにウェハＷ上に反射防止膜４００が形成される（図７の工程Ｓ１）。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、加熱され、温度調節される。

次にウェハＷは、中性層形成装置３３に搬送され、図８に示すようにウェハＷの反射防止膜４００上に中性剤が塗布されて、中性層４０１が形成される（図７の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、加熱され、温度調節される。

次にウェハＷは、アドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、レジスト塗布装置３４に搬送され、ウェハＷの中性層４０１上にレジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。

次にウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置９１によって露光装置１２に搬送され、露光処理される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後ウェハＷは、現像装置３０に搬送され、現像処理される。現像終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。こうして、図９、図１０に示すようにウェハＷの中性層４０１上にレジスト膜による所定のレジストパターン４０２が形成される（図７の工程Ｓ３）。本実施の形態におけるレジストパターン４０２は、平面視において円形状のホール部４０２ａが、格子状に複数並んだパターンである。

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。ウェハＷを収納したカセットＣは、塗布処理装置２から搬出され、次にプラズマ処理装置３に搬入される。

プラズマ処理装置３では、先ず、ウェハ搬送機構１１０によって、カセット載置台１１２上のカセットＣから１枚のウェハＷが取り出され、ロードロック装置１１３ａに搬送される。そして、ウェハ搬送機構１１５によって、ウェハＷがロードロック装置１１３ａから搬出され、搬送室チャンバー１１４を介して薄膜形成装置１０４に搬送される。

薄膜形成装置１０４では、先ず静電チャック２０３にウェハＷが載置されて保持される。次いで、処理ガス供給源２６３から処理容器２０１内に処理ガスとしてプラズマ生成用の例えばＡｒガスが供給される。その後、第１の高周波電源２３０と第２の高周波電源２４０により、下部電極であるサセプタ２１０に高周波電力が連続的に印加され、上部電極２４２と静電チャック２０３との間において、高周波電界が形成される。これにより、処理容器２０１内にプラズマが発生し、当該プラズマにより上部電極２４２の電極板２５０がスパッタされる。スパッタされた電極板の材料は、ウェハＷの表面に供給され、ウェハＷ上のレジストパターン４０２がプラズマにより改質処理されると共に、図１１に示すように、レジストパターン４０２上に電極板２５０の材料由来の薄膜４０３、即ちシリコンを含有した薄膜４０３が形成される（図７の工程Ｓ４）。薄膜４０３の材質は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣなどである。また、好ましい薄膜４０３の厚みとしては概ね５ｎｍ以下であり、より好ましくは概ね２〜３ｎｍである。なお、本発明者らによれば、薄膜形成装置１０４においてレジストパターン４０２上に薄膜４０３を形成するときに、プラズマ生成用のガスとしての不活性ガス（本実施の形態ではＡｒガス）に加えてＨ_２ガスを供給することで、成膜を効率的に行えることが確認されている。これは、プラズマ生成用の不活性ガスに加えてＨ_２ガスを添加することで電極２５０のスパッタが促進されるものと考えられる。したがって、薄膜形成装置１０４でのプラズマ処理においては、不活性ガスに加えて、Ｈ_２ガスを供給することが好ましい。

その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構１１５によって再び搬送室チャンバー１１４、ロードロック装置１１３ｂを介してウェハ搬送機構１１０に受け渡され、カセットＣに収納される。その後、ウェハＷを収納したカセットＣがプラズマ処理装置３から搬出され、塗布処理装置２に再び搬入される。

塗布処理装置２に搬入されたウェハＷは、ブロック共重合体塗布装置３５に搬送される。ブロック共重合体塗布装置３５では、図１２に示すように薄膜４０３が形成されたレジストパターン４０２上に、ブロック共重合体４０４が塗布される（図７の工程Ｓ５）。

次にウェハＷは、ポリマー分離装置としての熱処理装置４０に搬送される。熱処理装置４０では、ウェハＷに所定の温度として概ね２００〜３００℃、本実施の形態では例えば２６０℃で熱処理が行われる。そうすると、図１３及び図１４に示すようにウェハＷ上のブロック共重合体４０４が、親水性ポリマー４０５と疎水性ポリマー４０６に相分離される（図７の工程Ｓ６）。

ここで、上述したように、ブロック共重合体４０４において親水性ポリマー４０５の分子量の比率は２０％〜４０％であり、疎水性ポリマー４０６の分子量の比率は８０％〜６０％である。そうすると、工程Ｓ６において、図１３及び図１４に示すように、レジストパターン４０２のホール部４０２ａの中心に円柱形状の親水性ポリマー４０５が相分離される。疎水性ポリマー４０６は、親水性ポリマー４０５外周を囲むように、当該親水性ポリマー４０５と同心円の円筒形状に相分離される。

また、相分離を行う前にレジストパターン４０２の表面にシリコン含有の薄膜４０３を形成したことで、相分離に伴う熱処理の際にレジストパターン４０２が溶解しても、当該レジストパターン４０２が変形することを抑制できる。したがって、レジストパターン４０２を所望の形状に維持することで、親水性ポリマー４０５と疎水性ポリマー４０６を所望の形状に相分離させることができる。

次にウェハＷは、紫外線照射装置４３に搬送される。紫外線照射装置４３では、ウェハＷに紫外線を照射することで、親水性ポリマー４０５であるポリメタクリル酸メチルの結合鎖を切断すると共に、疎水性ポリマー４０６であるポリスチレンを架橋反応させる（図７の工程Ｓ７）。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって有機溶剤供給装置３１に搬送される。有機溶剤供給装置３１では、ウェハＷに例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの極性を有する有機溶剤が供給され、紫外線照射で結合鎖が切断された親水性ポリマー４０５が選択的に溶解除去される。これにより、ウェハＷには、例えば図１５に示すように疎水性ポリマー４０６の所定のパターンが形成される（図７の工程Ｓ８）。

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５０に搬送され、
その後カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。

その後、カセットＣは基板処理システム１の外部に設けられたプラズマ処理装置３に搬送され、エッチング装置１０２においてレジストパターン４０２、疎水性ポリマー４０６をマスクとして、ウェハＷのエッチング処理が行われる。これにより、ウェハＷに所定のパターンが転写される（図７の工程Ｓ９）。

その後、疎水性ポリマー４０６及びレジストパターン４０２が除去されて、ウェハＷに所定のパターンが形成される。

その後ウェハＷは、カセットＣに収納され、ウェハＷを収納したカセットＣがプラズマ処理装置３から搬出されて一連のウェハ処理が終了する。

以上の実施の形態によれば、工程Ｓ３でレジストパターン４０２を形成した後であってブロック共重合体４０４の相分離を行う（工程Ｓ６）前に、レジストパターン４０２の表面に薄膜４０３を形成するので、ブロック共重合体４０４を相分離させる熱処理の際にレジストパターン４０２が溶解しても、当該薄膜４０３によりレジストパターン４０２の変形を抑制することができる。したがって、ブロック共重合体４０４を所望の形状のレジストパターン４０２に沿った状態で相分離させ、それにより、ウェハＷ上に所定のパターンを適切に形成することができる。

なお、図１１では、レジストパターン４０２の表面の全面に薄膜４０３を形成した状態を描図したが、本発明者らによれば、工程Ｓ６の相分離の際にレジストパターン４０２の変形を抑制するためには、必ずしもレジストパターン４０２の全面を薄膜４０３で覆う必要はなく、例えばところどころに穴が開いたパンチングメタル状の膜や、網状、或いはハニカム状の膜であっても、レジストパターン４０２の表面に形成することで、当該レジストパターン４０２の変形を抑制できることが確認されている。

また、本発明者らによれば、薄膜４０３の材質としては、シリコン含有の膜に限られるものではなく、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）などの金属膜を形成しても、レジストパターン４０２の変形を抑制できることが確認されている。なお、このような金属膜は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行うＣＶＤ処理装置やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行うＡＬＤ処理装置により形成されてもよい。

また、以上の実施の形態では、シリコン含有の薄膜４０３をプラズマ処理により形成したが、シリコン含有の薄膜４０３の場合も、ＡＬＤ処理により形成してもよく、ブロック共重合体４０４を相分離させた際に、疎水性ポリマー４０６で形成されるパターンの寸法に影響を与えない程度の厚み、具体的には約５ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ〜３ｎｍ程度の薄膜４０３を形成することができれば、その形成方法については任意に選択できる。

なお、以上の実施の形態では、薄膜４０３を形成することにより工程Ｓ６におけるレジストパターン４０２の変形を防止したが、レジストパターン４０２の変形を防止するという観点からは、薄膜４０３の形成以外に、例えば公知の技術であるレジストパターン４０２のシリル化を行ったり、レジストパターン４０２に金属含有の処理液を供給して金属を浸潤させることによりレジストパターン４０２の硬化を行ったりしてもよい。

なお、以上の実施の形態では、ホール部４０２ａを有するレジストパターン４０２を用いて、疎水性ポリマー４０６により円筒形状のパターンを形成する場合を例に説明したが、レジストパターン４０２の形状は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば平面視において直線状のラインと直線状のスペース部を有する、いわゆるラインアンドスペースのレジストパターン４０２を用いてもよい。かかる場合、ブロック共重合体４０４としては、親水性ポリマー４０５の分子量の比率が４０％〜６０％、疎水性ポリマー４０６の分子量の比率が６０％〜４０％のものが用いられる。それにより、レジストパターンのスペース部に、奇数の親水性ポリマー４０５と奇数の疎水性ポリマー４０６が交互に配列した、所謂ラメラ構造のパターンを形成することができる。

また、以上の実施の形態では、レジストパターン４０２の下地膜として、反射防止膜４００や中性層４０１を形成していたが、これらについても必ずしも必要ではない。特に、中性層４０１は、ブロック共重合体を相分離させた際に、ウェハＷの法線方向に沿って親水性ポリマー４０５と疎水性ポリマー４０６を配列させるために用いられるため、中性層４０１を設けない場合でも、レジストパターン４０２の下地が親水性ポリマーと疎水性ポリマーに対して中性か、或いは中性ではなくても、親水性ポリマー４０５と疎水性ポリマー４０６が適正に相分離するものであれば、中性層４０１は必ずしも設ける必要がない。かかる場合、レジストパターン４０２の下地、即ちブロック共重合体４０４が塗布される面は、例えば反射防止膜４００であってもよい。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、例えば親水性を有する親水性ポリマーと疎水性を有する疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する際に有用である。

１ 基板処理システム
２ プラズマ処理装置
３ 塗布処理装置
３０ 現像装置
３１ 有機溶剤供給装置
３２ 反射防止膜形成装置
３３ 中性層形成装置
３４ レジスト塗布装置
３５ ブロック共重合体塗布装置
４０ 熱処理装置
１０４、１０５ 薄膜形成装置
３００ 制御部
４００ 反射防止膜
４０１ 中性層
４０２ レジストパターン
４０３ 薄膜
４０４ ブロック共重合体
４０５ 親水性ポリマー
４０６ 疎水性ポリマー
Ｗ ウェハ

Claims (8)

1. 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
   基板上にレジスト膜により所定のパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
   前記レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成工程と、
   前記薄膜形成後の基板に対してブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
   前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有し、
   前記薄膜は、シリコン含有膜であることを特徴とする、基板処理方法。
2. 前記シリコン含有膜は、プラズマ処理により形成され、
   前記プラズマ処理は、シリコンを含有する電極に高周波電力を印加して行われることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記シリコン含有膜は、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、またはＳｉＯＣのいずれかであることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
5. 請求項４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
6. 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
   基板上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置と、
   露光処理されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像処理装置と、
   前記レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成装置と、
   前記薄膜形成後の基板に対して前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布装置と、
   前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、を有し、
   前記薄膜は、シリコン含有膜であることを特徴とする、基板処理システム。
7. 前記薄膜形成装置はプラズマ処理装置であり、
   前記プラズマ処理装置では、シリコンを含有する電極に高周波電力を印加してプラズマ処理が行われることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
8. 前記シリコン含有膜は、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、またはＳｉＯＣのいずれかであることを特徴とする、請求項６または７のいずれか一項に記載の基板処理システム。

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