JP6237914B2 - 温度制御装置及び温度制御方法 - Google Patents
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Description
早くに目標温度に到達した温度制御ゾーンでは、他の温度制御ゾーンが目標温度に到達するまで目標温度を維持する必要があるため、射出成形機や押出成形機などの成形物である樹脂が焼けてしまうおそれがあり、また、無駄な電力を消費することになる。
この温度制御方法の場合、全ての温度制御ゾーンの目標温度が同じであれば、昇温完了時刻を同期させることができるが、各温度制御ゾーンの目標温度が異なる場合や昇温開始温度が異なる場合などでは、昇温完了時刻を同期させることができなくなるという問題がある。
この実施の形態1では、温度制御装置が、複数の温度制御ゾーンの温度を制御する例を説明するが、複数の温度制御ゾーンの中で、目標温度である温度設定値に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーン(第1の制御対象)をマスターCHと称し、残りの温度制御ゾーン(第2の制御対象)をスレーブCHと称する。
また、マスターCHを加熱するヒータを制御するコントローラをマスターコントローラと称し、スレーブCHを加熱するヒータを制御するコントローラをスレーブコントローラと称する。
なお、複数の温度制御ゾーンの中で、どの温度制御ゾーンが、温度設定値に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンであるかについては、各温度制御ゾーンの熱容量等の特性、過去の制御実績、あるいは、当該温度制御を開始する前の予備的な昇温結果などから特定されている。
図1において、1はマスターCHの制御系、2m(m=1,2,・・・,M)はスレーブCHの制御系である。図1では、M個のスレーブCHの制御系21〜2Mが実装されている例を示しているが、スレーブCHの制御系の数は1個であってもよい。
マスターCHの目標温度設定部11はユーザインタフェース(例えば、温度設定用のボタン、タッチパネルなど)を有し、マスターCHの目標温度である温度設定値SVmas terの設定を受け付ける処理を実施する。
マスターCHの温度測定部12はマスターCHの温度を測定する温度測定器であり、その測定結果である温度測定値PVmaster−nをマスターCHの差分算出部13に出力する。nは温度制御開始時からn番目の制御タイミングを示す変数である。
マスターCHの制御演算部14は差分算出部13により算出された差分値emaste r−nから、マスターCHの制御対象16の温度制御のための操作量として温度制御量MVmaster−nを算出し、その温度制御量MVmaster−nにしたがってヒータ15の加熱部を制御することで、そのマスターCHの制御対象16の温度を制御する。
マスターCHのヒータ15の加熱部は、制御演算部14の制御の下で、マスターCHの制御対象16を加熱する熱源である。
スレーブCHmの温度測定部22はスレーブCHmの温度を測定する温度測定器であり、その測定結果である温度測定値PVslave−m−nを差分算出部24に出力する。nは温度制御開始時からn番目の制御タイミングを示す変数である。
例えば、設定切換部23は、昇温完了同期制御モードで制御を開始し(設定補正値算出部26と差分算出部24を接続)、その後、マスターCHの差分算出部13により算出された差分emaster−nがゼロになると、制御モードを昇温完了同期制御モードから通常制御モードに切り換える処理を行う(目標温度設定部21と差分算出部24を接続する)。
この実施の形態1では、温度設定値に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが特定されているため、上述したように、昇温完了同期制御モードで温度制御を開始する。
後述する実施の形態2では、温度設定値に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが分からないため、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象を特定するための事前準備用の温度制御を開始する(詳細は後述する)。
スレーブCHmの初期差分比記憶部25は例えばCPUを実装している半導体集積回路、あるいは、ワンチップマイコンなどから構成されており、マスターCHの差分算出部13から昇温完了同期制御モードで温度制御が開始された時点の差分である差分初期値em aster−0(第1の差分初期値)を取得するとともに、スレーブCHmの差分算出部24から昇温完了同期制御モードで温度制御が開始された時点の差分である差分初期値e slave−m−0(第2の差分初期値)を取得し、その差分初期値eslave−m− 0の差分初期値emaster−0に対する比αm(=eslave−m−0/emas ter−0)を算出して、その比αmを記憶する処理を実施する。
なお、初期差分比記憶部25及び差分算出部13,24から初期差分比記憶手段が構成されている。
即ち、設定補正値算出部26は、マスターCHの差分算出部13からn回目の制御タイミング(n=1,2,・・・)での差分である差分値emaster−n(第1の差分値:SVmaster−PVmaster−n)を取得して、その差分値emaster− nと初期差分比記憶部25により記憶された比αmを乗算し、目標温度設定部21により設定が受け付けられたスレーブCHmの温度設定値SVslave−m−0(昇温完了同期制御モードで温度制御が開始された時点の温度設定値SVslave−m−0)から当該乗算結果emaster−n・αmを減算することで、n回目の制御タイミングで使用するスレーブCHmの補正後の温度設定値SV’slave−m−nを算出する処理を実施する。なお、設定補正値算出部26及び差分算出部13から設定値補正手段が構成されている。
スレーブCHmのヒータ28の加熱部は、制御演算部27の制御の下で、スレーブCH mの制御対象29を加熱する熱源である。
図2はこの発明の実施の形態1による温度制御装置の処理内容(温度制御方法)を示すフローチャートである。
この実施の形態1では、マスターCHのマスターコントローラ10がマスターCHの温度設定値SVmasterに基づき一定周期の制御タイミングで温度制御を繰り返し実施するものとする。また、スレーブCHm(m=1,2,・・・,M)のスレーブコントローラ20が、マスターCHの差分値emaster−nがゼロになるまで、補正した温度設定値SV’slave−m−nに基づき一定周期の制御タイミングで温度制御を実施するものとする。
ここでは、ユーザが手動で温度設定値SVmaster,SVslave−m−0を設定する例を示しているが、外部から温度設定値SVmaster,SVslave−m− 0が自動的に設定されるものであってもよい。
なお、スレーブCHの温度設定値SVmasterと、各スレーブCH1〜CHMの温度設定値SVslave−1−0〜SVslave−M−0とが同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。
即ち、マスターCHにおけるマスターコントローラ10の差分算出部13は、例えば、外部から昇温完了同期制御モードによる温度制御の開始要求を受けると、下記の式(1)に示すように、目標温度設定部11から出力されたマスターCHの温度設定値SVmas terと、温度測定部12から出力されたマスターCHの温度測定値PVmaster− 0(温度制御開始時におけるマスターCHの温度測定値PVmaster−0)との差分である差分初期値emaster−0を算出する。
emaster−0=SVmaster−PVmaster−0 (1)
以降のn回目の制御タイミング(n=1,2,・・・)において、マスターCHの差分算出部13は、下記の式(2)に示すように、目標温度設定部11から出力されたマスターCHの温度設定値SVmasterと、温度測定部12から出力されたマスターCHの温度測定値PVmaster−n(n回目の制御タイミングにおけるマスターCHの温度測定値PVmaster−n)との差分である差分値emaster−nを算出する。
emaster−n=SVmaster−PVmaster−n (2)
マスターCHの制御演算部14は、温度制御量MVmaster−nを算出すると、その温度制御量MVmaster−nにしたがってヒータ15の加熱部を制御することで、マスターCHの制御対象16の温度を制御する(ステップST1)。
そして、スレーブCHmの差分算出部24は、下記の式(3)に示すように、スレーブCHmの温度設定値SVslave−m−0と、温度制御開始時におけるスレーブCHmの温度測定値PVslave−m−0との差分である差分初期値eslave−m−0を算出する。
eslave−m−0=SVslave−m−0−PVslave−m−0 (3)
以降のn回目の制御タイミング(n=1,2,・・・)において、スレーブCHmの差分算出部24は、下記の式(4)に示すように、設定補正値算出部26から設定切換部23を介して出力されたスレーブCHmの補正後の温度設定値SV’slave−m−nと、スレーブCHmの温度測定部22から出力されたスレーブCHmの温度測定値PVsl ave−m−n(n回目の制御タイミングにおけるスレーブCHmの温度測定値PVsl ave−m−n)との差分である差分値eslave−m−nを算出する。
eslave−m−n=SV’slave−m−n−PVslave−m−n (4)
スレーブCHmの制御演算部27は、温度制御量MVslave−m−nを算出すると、その温度制御量MVslave−m−nにしたがってヒータ28の加熱部を制御することで、スレーブCHmの制御対象29の温度を制御する(ステップST9)。
スレーブCHmの制御演算部27は、スレーブCHmの差分算出部24が差分値esl ave−mを算出すると、その差分値eslave−mが零に近づくように、例えば、その差分値を入力とするPID演算を実施することにより、スレーブCHmの制御対象29の温度制御のための操作量として温度制御量MVslave−mを算出する。
スレーブCHmの制御演算部27は、その温度制御量MVslave−mにしたがってヒータ28の加熱部を制御することで、スレーブCHmの制御対象29の温度を制御する(ステップST11)。
以下、スレーブCHmの温度設定値SVslave−mの補正処理を具体的に説明する。
スレーブCHmの差分算出部24は、上記の式(3)によって、スレーブCHmの目標温度設定部21から設定切換部23を介して出力されたスレーブCHmの温度設定値SV slave−m−0と、スレーブCHmの温度測定部22から出力されたスレーブCHmの温度測定値PVslave−m−0(温度制御開始時におけるスレーブCHmの温度測定値PVslave−m−0)との差分である差分初期値eslave−m−0を算出する(ステップST5)。
そして、スレーブCHmの初期差分比記憶部25は、下記の式(5)に示すように、その差分初期値emaster−0に対する差分初期値eslave−m−0の比αmを算出して、その比αmを記憶する(ステップST6)。
初期差分比記憶部25による比αmの算出処理には、演算負荷が大きな除算処理が含まれているが、初期差分比記憶部25による比αmの算出処理は、温度制御開始時の初回(0回)の制御タイミングで1回だけ行われるものであるため、以降のn回目の制御タイミング(n=1,2,・・・)においては演算負荷にならない。
即ち、設定補正値算出部26は、n回目の制御タイミングにおいて、マスターCHの差分算出部13から、上記の式(2)によって算出された差分値emaster−n(=SVmaster−PVmaster−n)を取得し、その差分値emaster−nと初期差分比記憶部25により記憶された比αmに乗算する。
そして、設定補正値算出部26は、下記の式(6)に示すように、目標温度設定部21により設定が受け付けられたスレーブCHmの温度設定値SVslave−m−0(昇温完了同期制御モードで温度制御が開始された時点の温度設定値SVslave−m−0)から当該乗算結果emaster−n・αmを減算することで、n回目の制御タイミングで使用するスレーブCHmの補正後の温度設定値SV’slave−m−nを算出する。
SV’slave−m−n=SVslave−m−0−emaster−n×αm (6)
また、初期差分比記憶部25及び設定補正値算出部26が算出に用いている要素(em aster−n)は、マスターコントローラ10が温度制御量MVmaster−nを算出する際のPID演算等で使用される変数であるため、マスターCHの差分算出部13から差分値emaster−nを得るようにすれば、従来例のように、到達率を算出するための特別な処理を一定周期の制御タイミング毎に実施する必要がない。
eslave−m−n=SV’slave−m−n−PVslave−m−n (7)
スレーブCHmの制御演算部27は、温度制御量MVslave−m−nを算出すると、その温度制御量MVslave−m−nにしたがってヒータ28の加熱部を制御することで、スレーブCHmの制御対象29の温度を制御する(ステップST9)。
マスターCHの温度が目標温度である温度設定値に到達するまで、ステップST1〜ST9の処理が繰り返し実施される。
即ち、スレーブCHmの差分算出部24は、マスターCHの温度測定値PVmaste r−nが目標温度である温度設定値SVmasterに到達すると、目標温度設定部21から設定切換部23を介してスレーブCHmの温度設定値SVslave−m−0(昇温完了同期制御モードで温度制御が開始された時点の温度設定値SVslave−m−0)を取得し、スレーブCHmの温度設定値SVslave−m−0と、スレーブCHmの温度測定部22から出力されたスレーブCHmの温度測定値PVslave−m(当該制御タイミングにおけるスレーブCHmの温度測定値PVslave−m)との差分値esl ave−mを算出する。
スレーブCHmの制御演算部27は、その温度制御量MVslave−mにしたがってヒータ28の加熱部を制御することで、スレーブCHmの制御対象29の温度を制御する(ステップST11)。
図3の例では、マスターCHの温度設定値SVmasterと、スレーブCHmの温度設定値SVslave−mとが異なっており、また、マスターCHの昇温開始温度である温度測定値PVmaster−0と、スレーブCHmの昇温開始温度である温度測定値PVslave−m−0とが異なっているが、マスターCHの昇温完了時刻とスレーブCH mの昇温完了時刻とが一致している。
上記実施の形態1では、複数の温度制御ゾーンの中で、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが既知である例を説明しているが、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが予め分からない場合がある。
この実施の形態2では、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが分からない場合、複数の温度制御ゾーンに対する温度制御(上記実施の形態1で示している温度制御)を実施する前に、予備的な温度制御を実施することで、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーン(第1の制御対象)を判別する手段を備えている温度制御装置について説明する。
制御対象振分処理部30は例えばCPUを実装している半導体集積回路、あるいは、ワンチップマイコンなどから構成されており、複数の温度制御ゾーンの中で、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが不明である場合、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンを特定して、その温度制御ゾーンをマスターCHに設定する処理を実施する。
図5において、制御実行指示部31はコントローラが上記実施の形態1の温度制御を開始する前に、複数の温度制御ゾーンの温度を制御する各コントローラに対して、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象を特定するための事前準備用の温度制御として、温度設定値の補正を行わずに制御対象の温度を制御することを指示する。
ここで、複数の温度制御ゾーンの温度を制御する各コントローラは、マスターコントローラ10又はスレーブコントローラ20の何れかに該当するものであるが、この時点では、どのコントローラがマスターコントローラ10に該当するのかが不明であるため、複数のコントローラをCNTm(m=0,1,2,・・・,M)の記号で識別する。なお、制御実行指示部31は実行指示手段を構成している。
差分値比算出部34は、温度制御ゾーン毎に、差分初期値記憶部32に記憶されている差分初期値Dinit−mに対する差分値算出部33により算出された差分値Dmの比D m/Dinit−mを算出する処理を実施する。
図6は制御対象振分処理部30の処理内容を示すフローチャートである。
ただし、制御対象振分処理部30以外は、上記実施の形態1と同様であるため、制御対象振分処理部30の処理内容だけを説明する。
この実施の形態2では、(M+1)個の温度制御ゾーンが存在しているが、(M+1)個の温度制御ゾーンの中で、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い温度制御ゾーンが不明であるものとする。
なお、制御実行指示部31は、事前準備用の温度制御の実行を指示する前に、差分初期値の記憶指令を差分初期値記憶部32に出力する。
ここで、事前準備用の温度制御は、上記実施の形態1の温度制御のような本格的な温度制御ではなく、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象を特定するために、少しだけ昇温させる簡易な温度制御である。
Dinit−m=SVinit−m−PVinit−m (8)
Dm=SVm−PVm (9)
ΔPVm=今回の制御タイミングで取得した温度測定値PVm
−前回の制御タイミングで取得した温度測定値PVm
(10)
そして、昇温完了時間推定部35は、下記の式(11)に示すように、差分値算出部33により算出された差分値Dmの比Dm/Dinit−m(m=0,1,2,・・・,M)を温度変化幅ΔPVm(m=0,1,2,・・・,M)で除算して、温度制御ゾーン毎の昇温完了時間推定値Tm(m=0,1,2,・・・,M)を算出する。(ステップST15)。
Tm=(Dm/Dinit−m)/ΔPVm (11)
制御実行指示部31は、制御対象設定部36がマスターCH及びスレーブCHmを設定すると、上記実施の形態1と同様の昇温完了同期制御モードによる温度制御の開始指令をマスターCHのマスターコントローラ10及びスレーブCHmのスレーブコントローラ20に出力する(ステップST17)。
Claims (5)
- 第1の制御対象の目標温度である第1の温度設定値と、前記第1の制御対象の測定温度である第1の温度測定値とから前記第1の制御対象の温度制御のための操作量を算出し、前記操作量にしたがって前記第1の制御対象の温度を制御する第1のコントローラと、
目標温度に到達するまでの時間が前記第1の制御対象より早い第2の制御対象の目標温度である第2の温度設定値と、前記第2の制御対象の測定温度である第2の温度測定値とから前記第2の制御対象の温度制御のための操作量を算出し、前記操作量にしたがって前記第2の制御対象の温度を制御する第2のコントローラと、
前記第1及び第2のコントローラによる温度制御開始時における前記第1の温度設定値と前記第1の温度測定値の差分である第1の差分初期値と、前記温度制御開始時における前記第2の温度設定値と前記第2の温度測定値の差分である第2の差分初期値とを求め、前記第1の差分初期値に対する前記第2の差分初期値の比を算出して、前記比を記憶する初期差分比記憶手段と、
前記第1及び第2のコントローラにより温度制御が実行される制御タイミング毎に、当該制御タイミングにおける前記第1の温度設定値と前記第1の温度測定値の差分と、前記初期差分比記憶手段により記憶された比とを用いて、前記第2の温度設定値を補正する設定値補正手段と
を備えた温度制御装置。 - 前記設定値補正手段は、当該制御タイミングにおける前記第1の温度設定値と前記第1の温度測定値の差分である差分値を算出して、前記差分値と前記初期差分比記憶手段により記憶された比を乗算し、前記温度制御開始時における前記第2の温度設定値から当該乗算結果を減算することで、前記第2の温度設定値を補正することを特徴とする請求項1記載の温度制御装置。
- 3つ以上の制御対象が存在する場合、前記3つ以上の制御対象の中で、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象が前記第1の制御対象になり、残りの2つ以上の制御対象がそれぞれ第2の制御対象になることを特徴とする請求項1記載の温度制御装置。
- 複数の制御対象の中で、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象が不明である場合、前記複数の制御対象の温度を制御する各コントローラに対して、目標温度に到達するまでの時間が最も遅い制御対象を特定するための事前準備用の温度制御として、温度設定値の補正を行わずに制御対象の温度を制御することを指示する実行指示手段と、
前記事前準備用の温度制御中に、各々の制御対象の温度設定値と温度測定値の差分である差分値を求めるとともに、前記差分値を当該制御対象の単位時間毎の温度変化量で除算することで、各々の制御対象が目標温度に到達するまでの予測時間を算出し、前記複数の制御対象の中で、前記予測時間が最も大きい制御対象を第1の制御対象に設定し、残りの制御対象を第2の制御対象に設定する制御対象設定手段と
を備えたことを特徴とする請求項1記載の温度制御装置。 - 第1のコントローラが、第1の制御対象の目標温度である第1の温度設定値と、前記第1の制御対象の測定温度である第1の温度測定値とから前記第1の制御対象の温度制御のための操作量を算出し、前記操作量にしたがって前記第1の制御対象の温度を制御する第1の温度制御ステップと、
第2のコントローラが、目標温度に到達するまでの時間が前記第1の制御対象より早い第2の制御対象の目標温度である第2の温度設定値と、前記第2の制御対象の測定温度である第2の温度測定値とから前記第2の制御対象の温度制御のための操作量を算出し、前記操作量にしたがって前記第2の制御対象の温度を制御する第2の温度制御ステップと、
初期差分比記憶手段が、前記第1及び第2の温度制御ステップによる温度制御開始時における前記第1の温度設定値と前記第1の温度測定値の差分である第1の差分初期値と、前記温度制御開始時における前記第2の温度設定値と前記第2の温度測定値の差分である第2の差分初期値とを求め、前記第1の差分初期値に対する前記第2の差分初期値の比を算出して、前記比を記憶する初期差分比記憶処理ステップと、
設定値補正手段が、前記第2の温度制御ステップで温度制御が実行される制御タイミング毎に、当該制御タイミングにおける前記第1の温度設定値と前記第1の温度測定値の差分と、前記初期差分比記憶処理ステップで記憶された比とを用いて、前記第2の温度設定値を補正する設定値補正処理ステップと
を備えた温度制御方法。
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