JP6242542B2 - Gantry device and control method - Google Patents
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Description
本発明は、光学デバイス及び制御方法に関するものであり、特に、垂直方向に移動可能なガントリ装置及び制御方法に関するものである。 The present invention relates to an optical device and a control method, and more particularly to a gantry apparatus and a control method that are movable in the vertical direction.
フラットパネルディスプレイ技術の発達と共に、フラットパネルディスプレイ用のリソグラフィ装置や測定装置では、より大きなサイズの基板がウエハステージ上に設置され、可動の経路の長さは基板の大きさによって制限され、当該ウエハステージの垂直方向または水平方向の移動がより困難になっている。ウエハステージと比較して、ガントリは、構造が単純で移動距離が長いという利点がある。このため、ウエハステージをガントリに置き換える利点はますます顕著になっている。 With the development of flat panel display technology, in lithographic apparatus and measurement apparatus for flat panel display, a larger size substrate is placed on the wafer stage, and the length of the movable path is limited by the size of the substrate. It is more difficult to move the stage in the vertical or horizontal direction. Compared with the wafer stage, the gantry has an advantage of a simple structure and a long moving distance. For this reason, the advantage of replacing the wafer stage with a gantry has become more prominent.
既存のガントリはすべて水平に制御されるものであり、垂直制御されたガントリは、これまで存在しなかった。従来、リソグラフィーツールの垂直制御は、フォーカス・レベリングセンサによって可能にされる閉ループ制御によって、測定される領域を最適な焦点面に移動させることによって達成される。当該制御は、フォーカス・レベリングセンサの所定の高さと傾斜値が与えられ、測定される領域を最適な焦点面に配置するために、フォーカス・レベリングセンサによって測定された高さ及び傾斜値が設定された所定値に一致するまでサーボ動作が実行される手法により行われる。図1は、従来技術による垂直制御機構であって、基板がウエハステージ上に位置決めされた状態で、制御部がウエハステージアクチュエータ(モータ)に制御コマンドを送り、当該コマンドに従って前記ウエハステージが変位し、次いで、フォーカス・レベリングセンサが基板上面の現在位置を測定し、制御部にフィードバックして制御ループを形成する。その後、制御部は、フィードバックに基づいて、さらなる制御コマンドをモータに送出する。このステップは、ウエハステージ上の基板が最適な焦点面、すなわちターゲット面内に配置されるまで繰り返される。 All existing gantry are horizontally controlled, and no vertically controlled gantry has ever existed. Traditionally, vertical control of a lithographic tool is achieved by moving the area to be measured to the optimal focal plane with closed loop control enabled by a focus leveling sensor. The control is given a predetermined height and tilt value of the focus / leveling sensor, and the height and tilt values measured by the focus / leveling sensor are set in order to place the area to be measured on the optimal focal plane. The servo operation is performed until the predetermined value is met. FIG. 1 shows a conventional vertical control mechanism in which a control unit sends a control command to a wafer stage actuator (motor) with a substrate positioned on a wafer stage, and the wafer stage is displaced according to the command. Then, the focus / leveling sensor measures the current position of the upper surface of the substrate and feeds back to the control unit to form a control loop. Thereafter, the control unit sends a further control command to the motor based on the feedback. This step is repeated until the substrate on the wafer stage is placed in the optimal focal plane, i.e. the target plane.
しかし、このような垂直制御は、フォーカス・レベリングセンサとフィードバック機構を必要とする閉ループ制御機構では時間がかかり、フォーカス・レベリングセンサに基づく閉ループ制御機構は比較的複雑である。 However, such vertical control takes time in a closed-loop control mechanism that requires a focus / leveling sensor and a feedback mechanism, and the closed-loop control mechanism based on the focus / leveling sensor is relatively complicated.
本発明の目的は、ガントリ装置および制御方法を提供することである。当該ガントリ装置は、ガントリとガントリガイドレールを含み、水平及び垂直に移動可能である。これにより、フォーカス・レベリングセンサを含まない閉ループ制御によって基板を最適な焦点面に調整することが可能になり、制御の難しさが減り、製造コストが節減される。 An object of the present invention is to provide a gantry apparatus and a control method. The gantry device includes a gantry and a gantry guide rail, and is movable horizontally and vertically. This makes it possible to adjust the substrate to an optimal focal plane by closed-loop control that does not include a focus / leveling sensor, thereby reducing the difficulty of control and reducing manufacturing costs.
基板を支える支持装置と;
ガントリ本体と、ガントリ連結機構であって前記支持装置上に当該ガントリ連結機構を介して前記ガントリ本体を配置する前記ガントリ連結機構と;
前記ガントリ本体上に配置され、前記ガントリ本体に対して垂直方向に移動可能な垂直アクチュエータと;
前記垂直アクチュエータ上に配置された走査ガルバノメータと;
前記支持装置上に配置された第1検知素子であって、当該第1検知素子の基準面により、前記走査ガルバノメータの最適焦点面を検出する、前記第1検知素子と;
前記ガントリ本体上に配置された第2検知素子であって、前記基板の表面から前記第1検知素子の基準面までの第1距離を測定する、前記第2検知素子と;
前記垂直アクチュエータ上に配置された第3検知素子であって、前記走査ガルバノメータから、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の表面までの第2距離を測定する、前記第3検知素子と;を有し、
前記垂直アクチュエータが、前記第1距離及び前記第2距離に基づいて、前記走査ガルバノメータと前記基板の表面との距離が、前記第1距離と前記第2距離との和に等しくなるように、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整する。
A support device for supporting the substrate;
A gantry main body, and the gantry connection mechanism, wherein the gantry main body is disposed on the support device via the gantry connection mechanism;
A vertical actuator disposed on the gantry body and movable in a direction perpendicular to the gantry body;
A scanning galvanometer disposed on the vertical actuator;
A first sensing element disposed on the support device, wherein the first sensing element detects an optimum focal plane of the scanning galvanometer from a reference plane of the first sensing element;
A second sensing element disposed on the gantry body for measuring a first distance from a surface of the substrate to a reference plane of the first sensing element;
A third sensing element disposed on the vertical actuator, the first sensing element having on the reference plane of the first sensing element that has detected the optimum focal plane of the scanning galvanometer from the scanning galvanometer; Measuring the second distance to the surface, the third sensing element;
The vertical actuator is configured such that, based on the first distance and the second distance, a distance between the scanning galvanometer and the surface of the substrate is equal to a sum of the first distance and the second distance. Adjust the vertical position of the scanning galvanometer.
更に、前記ガントリ連結機構が、ガントリガイドレールを有してもよい。 Furthermore, the gantry coupling mechanism may have a gantry guide rail.
更に、前記ガントリ本体は、第1水平横梁と第2水平横梁とが、水平面内で直角に交差し、前記ガントリガイドレールに沿って水平に移動可能な前記走査ガルバノメータを支持する、当該第1水平横梁と当該第2水平横梁とを有してもよい。 Further, the gantry main body supports the scanning galvanometer in which the first horizontal beam and the second horizontal beam intersect at a right angle in a horizontal plane and can move horizontally along the gantry guide rail. You may have a horizontal beam and the said 2nd horizontal horizontal beam.
更に、前記第3検知素子が、プロフィロメータであってもよい。 Furthermore, the third sensing element may be a profilometer.
更に、前記第1検知素子が、収差センサ、変異センサ、又は、フォーカス・レベリングセンサであってもよい。 Furthermore, the first detection element may be an aberration sensor, a mutation sensor, or a focus / leveling sensor.
更に、前記第2検知素子が、格子スケール、線形可変差動トランス(LVDT)、又は干渉計であってもよい。 Further, the second sensing element may be a lattice scale, a linear variable differential transformer (LVDT), or an interferometer.
更に、前記支持装置が、ウエハステージと、大理石と、ダンパーと、土台とを有し、前記基板は、前記ウエハステージ上に配置され、前記ウエハステージが前記大理石上に配置され、前記大理石が前記ダンパーを介して土台と接続されていてもよい。 Further, the support device includes a wafer stage, marble, a damper, and a base, the substrate is disposed on the wafer stage, the wafer stage is disposed on the marble, and the marble is It may be connected to the base via a damper.
更に、前記ガントリ装置が、ガラス基板のレーザー封止に用いられ、前記基板は、上部ガラス基板と下部ガラス基板とを含み、前記基板の表面は、前記上部ガラス基板の底面であってもよい。 Furthermore, the gantry apparatus may be used for laser sealing of a glass substrate, and the substrate may include an upper glass substrate and a lower glass substrate, and the surface of the substrate may be a bottom surface of the upper glass substrate.
前記ガントリ装置が、露光装置に用いられ、前記基板の表面は、当該基板の上面であってもよい。 The gantry apparatus may be used in an exposure apparatus, and the surface of the substrate may be an upper surface of the substrate.
また、上記の目的は、上記ガントリ装置用のガントリ装置制御方法によって達成される。当該方法は、
1)前記第2検知素子を前記第1検知素子の真上に移動し、前記第2検知素子により、当該第2検知素子から前記第1検知素子の前記基準面までの第1距離Z_BFを測定すること;
2)前記走査ガルバノメータを前記第1検知素子上に移動し、前記垂直アクチュエータにより、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の基準面まで、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整し、次いで、前記第3検知素子により、前記第3検知素子のゼロ平面から、前記第1検知素子の前記基準面までの第2距離Z_galBFrefを検出すること;
3)前記第2検知素子を前記基板の真上に移動し、前記第2検知素子により、前記第2検知素子から前記基板の表面までの第3距離Z_mesを検出すること;
4)前記第3検知素子の前記ゼロ平面から、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面が前記基板の表面に調整されたときの前記基板の表面までの第4距離Z_sを、
Further, the above object is achieved by a gantry device control method for the gantry device. The method is
1) Move the second sensing element directly above the first sensing element, and measure the first distance Z_BF from the second sensing element to the reference plane of the first sensing element by the second sensing element. To do;
2) The scanning galvanometer is moved on the first sensing element, and the vertical actuator detects the optimum focal plane of the scanning galvanometer on the reference plane of the first sensing element. Adjust the vertical position of the scanning galvanometer to the reference plane, and then detect the second distance Z_galBFRef from the zero plane of the third sensing element to the reference plane of the first sensing element by the third sensing element To do;
3) moving the second sensing element directly above the substrate, and detecting a third distance Z_mes from the second sensing element to the surface of the substrate by the second sensing element;
4) A fourth distance Z_s from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate when the optimum focal plane of the scanning galvanometer is adjusted to the surface of the substrate,
5)前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を、前記第4距離に基づいて、前記基板の表面に移動すること、
の各工程を有する。
5) moving the optimum focal plane of the scanning galvanometer to the surface of the substrate based on the fourth distance;
It has each process.
更に、前記工程5)において、前記第3検知素子は、前記垂直アクチュエータが、前記第3検知素子の前記ゼロ平面から前記基板の表面までの垂直距離が前記第4距離Z_sに等しくなるまで、前記第3検知素子と前記走査ガルバノメータとが同期して垂直運動するように駆動するようにサーボ閉ループ制御を行ってもよい。 Further, in the step 5), the third sensing element includes the vertical actuator until the vertical distance from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate is equal to the fourth distance Z_s. Servo closed loop control may be performed so that the third sensing element and the scanning galvanometer are driven to move vertically in synchronization.
また、上記の目的は、上記ガントリ装置用のガントリ装置制御方法によって達成される。当該方法は、
1)前記第2検知素子を前記第1検知素子の真上に移動し、前記第2検知素子により、当該第2検知素子から前記第1検知素子の前記基準面までの第1距離Z_BFを測定すること;
2)前記走査ガルバノメータを前記第1検知素子上に移動し、前記垂直アクチュエータにより、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の基準面まで、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整し、次いで、前記第3検知素子により、前記第3検知素子のゼロ平面から、前記第1検知素子の前記基準面までの第2距離Z_galBFrefを検出すること;
3)前記第2検知素子を前記基板の真上に移動し、前記第2検知素子により、前記第2検知素子から前記基板の表面上の複数のレベリングポイントまでの距離z1、z2、・・・、znを検出すること;
4)前記第2検知素子から前記基板の表面までの平均距離pzと、傾斜係数pwx及びpwyとを、前記距離z1、z2、・・・、zn及び、複数のレベリングポイントの水平位置(x1,y1),(x2,y2)及び(x3,y3)を元に、
Further, the above object is achieved by a gantry device control method for the gantry device. The method is
1) Move the second sensing element directly above the first sensing element, and measure the first distance Z_BF from the second sensing element to the reference plane of the first sensing element by the second sensing element. To do;
2) The scanning galvanometer is moved on the first sensing element, and the vertical actuator detects the optimum focal plane of the scanning galvanometer on the reference plane of the first sensing element. Adjust the vertical position of the scanning galvanometer to the reference plane, and then detect the second distance Z_galBFRef from the zero plane of the third sensing element to the reference plane of the first sensing element by the third sensing element To do;
3) Move the second sensing element directly above the substrate, and the second sensing element causes distances z 1 , z 2 ,... From the second sensing element to a plurality of leveling points on the surface of the substrate. .. detecting z n ;
4) The average distance pz from the second sensing element to the surface of the substrate, the inclination coefficients pwx and pwy, and the horizontal positions of the distances z 1 , z 2 ,..., Z n and a plurality of leveling points. Based on (x1, y1), (x2, y2) and (x3, y3),
により算出すること;
5)目標点の高さz_aimを、前記第2検知素子から前記基板の表面までの前記平均距離pz、前記傾斜係数pwx及びpwy、及び、目標点の予め設定された水平位置(x_aim、y_aim)を元に、
To calculate by:
5) The height z_aim of the target point is determined based on the average distance pz from the second sensing element to the surface of the substrate, the tilt coefficients pwx and pwy, and the preset horizontal position (x_aim, y_aim) of the target point. Based on the,
6)前記第3検知素子の前記ゼロ平面から、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面が前記基板の表面に調整されたときの前記基板の表面までの第4距離Z_sを、
6) A fourth distance Z_s from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate when the optimum focal plane of the scanning galvanometer is adjusted to the surface of the substrate,
7)前記走査ガルバノメータを目標点の真上に移動し、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を、前記第4距離に基づいて、目標点の位置における平面に移動すること、
の各工程を有する。
7) moving the scanning galvanometer directly above a target point, and moving the optimum focal plane of the scanning galvanometer to a plane at the position of the target point based on the fourth distance;
It has each process.
更に、前記工程7)において、前記第3検知素子は、前記垂直アクチュエータが、前記第3検知素子の前記ゼロ平面から前記基板の表面までの垂直距離が前記第4距離Z_sに等しくなるまで、前記第3検知素子と前記走査ガルバノメータとが同期して垂直運動するように駆動するようにサーボ閉ループ制御を行ってもよい。 Further, in the step 7), the third sensing element includes the vertical actuator until the vertical distance from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate is equal to the fourth distance Z_s. Servo closed loop control may be performed so that the third sensing element and the scanning galvanometer are driven to move vertically in synchronization.
更に、前記複数のレベリングポイントの数が3であってもよい。 Further, the number of the plurality of leveling points may be three.
従来技術と比較して、本発明は、以下の利点を有する:ウエハステージだけでなく、ガントリ本体とガントリ連結機構とを併用し、前記ガントリ本体は、前記ガントリ連結器項により連結されて、水平方向及び垂直方向の両方に移動可能であり、これにより、オプションの追加や、アプリケーションの多様化を可能とします;また、走査ガルバノメータの光学焦点は、走査ガルバノメータの高さを測定する検知素子の、第1、第2および第3検知素子の測定結果に基づく走査ガルバノメータの高さの測定により予め設定された垂直値に基づいて、閉ループ制御の下で走査ガルバノメータの移動によって目標点に調整され、これにより制御困難性を低減し、製造コストの節減をもたらす。 Compared with the prior art, the present invention has the following advantages: not only a wafer stage but also a gantry body and a gantry coupling mechanism are used together, and the gantry body is coupled by the gantry coupling term, It can be moved both in the vertical and vertical directions, which allows for additional options and application diversification; and the optical focus of the scanning galvanometer is that of the sensing element that measures the height of the scanning galvanometer Based on the vertical value preset by the measurement of the height of the scanning galvanometer based on the measurement results of the first, second and third sensing elements, it is adjusted to the target point by the movement of the scanning galvanometer under the closed loop control. This reduces control difficulties and reduces manufacturing costs.
図中、1,光源; 2,第1検知素子; 3,第3検知素子; 4,走査ガルバノメータ; 5,第2検知素子; 6,垂直アクチュエータ; 7,ガラス基板; 7a,上部ガラス基板; 7b,下部ガラス基板; 8,ガントリ本体; 9,ガントリガイドレール; 10,ウエハステージ; 11,大理石; 12,ダンパー; 13,土台; 14,第2検知素子のゼロ平面; 15,第1検知素子のゼロ平面; 16,第3検知素子の上面; 17,上部ガラス基板の上面; 18,上部ガラス基板の下面; 19,下部ガラス基板の上面; 20,水平ゼロ位置; 21,第1レベリングポイント; 22,目標点; 23,第2レベリングポイント; 24,第3レベリングポイント; A,はんだ; B,OLEDダイ。 1, 1 light source; 2, first sensing element; 3, third sensing element; 4, scanning galvanometer; 5, second sensing element; 6, vertical actuator; 7, glass substrate; 7a, upper glass substrate; 8, gantry main body; 9, gantry guide rail; 10, wafer stage; 11, marble; 12, damper; 13, base; 14, zero plane of second sensing element; 16. Zero plane; 16, upper surface of third sensing element; 17, upper surface of upper glass substrate; 18, lower surface of upper glass substrate; 19, upper surface of lower glass substrate; 20, horizontal zero position; 21, first leveling point; , Target point; 23, second leveling point; 24, third leveling point; A, solder; B, OLED die.
本発明の特定の実施形態について、図面を参照してより詳細に説明する。本発明の特徴及び利点は、以下の詳細な説明から、及び、特許請求の範囲からより明らかとなる。なお、添付の図面は、実施形態を説明するための利便性と明瞭性を容易にするだけの目的で、必ずしも一定の縮尺で提示されていない非常に単純化した形で示されている。 Specific embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. The features and advantages of the invention will become more apparent from the following detailed description and from the claims. It should be noted that the attached drawings are shown in a very simplified form that is not necessarily presented to scale, for the purpose of facilitating convenience and clarity for describing the embodiments.
第1実施形態
図2は、本発明の第1実施形態に係るガントリ装置の垂直制御機構の構成図である。当該図に示されるとおり、前記ガントリ装置は、
ガラス基板又はサファイア基板であり、本実施形態ではガラス基板7が好ましい基板を支える支持装置と;
ガントリ本体8と、ガントリ連結機構であって前記支持装置上に当該ガントリ連結機構を介して前記ガントリ本体8を接続するガントリ連結機構と;
前記ガントリ本体8上に配置された走査ガルバノメータ4であり、光線により所定の軌道に沿って走査を行うことができ、1つの垂直方向の自由度(Z方向)と、2つの水平方向の自由度(X及びY方向)からなる、3つの移動の自由度(X、Y、Z方向)を有する、走査ガルバノメータ4と;
光線を放出する光源1であって、当該光線により走査ガルバノメータ4が所定の軌道に沿って走査を行うことが可能となる、本実施形態ではレーザーの形態である、光源1と;
支持装置上に配置された第3検知素子3であって、走査ガルバノメータ4により、当該第3検知素子3に向けられた前記光線により形成される光スポットの大きさ及び強度を測定する第3検知素子3と;
ガントリ本体8上に配置され、前記基板7の表面の高さと、前記第3検知素子3の表面の高さとを測定する第1検知素子2であって、前記第3検知素子3の高さは、前記光スポットの大きさ及び強度とともに、走査ガルバノメータ4の最適焦点面の位置の決定に用いられる、第1検知素子2と;
ガントリ本体8に配置され、走査ガルバノメータ4の高さを測定する第2検知素子5と;
走査ガルバノメータ4とガントリ本体8との間に配置され、前記走査ガルバノメータ4の最適焦点が目標ポイントとなるように、走査ガルバノメータ4の垂直移動を可能にする、垂直アクチュエータ6と、を含む。
First Embodiment FIG. 2 is a configuration diagram of a vertical control mechanism of a gantry apparatus according to a first embodiment of the present invention. As shown in the figure, the gantry device is
A support device that is a glass substrate or a sapphire substrate, and in this embodiment the
A
A
A
A
The
A second sensing element 5 disposed on the
A
ガントリ連結機構は、ガントリガイドレール9を含み、ガントリ本体8は、X方向に延びる第1水平横梁と、Y方向に延びる第2水平横梁とを備える。第1及び第2水平横梁は、水平面内で互いに直角に交差し、走査ガルバノメータ4を支持してガントリガイドレール9に沿って水平に移動する。前記第1検知素子2は非接触高さセンサ、前記第2検知素子5は走査ガルバノメータ高さセンサ、前記第3検知素子3はプロフィロメータと呼ばれることもある。前記第1検知素子2および前記第2検知素子5は、垂直測定のために構成され、第1検知素子2は、収差センサ、変位センサ、または、フォーカス・レベリングセンサとして実装され、少なくとも対象物の目標表面のZ軸データは、当該対象物に接触していない状態で測定できる。前記第2検知素子5は、格子スケール、線形可変差動トランス(LVDT)または干渉計として実装され、走査ガルバノメータ4の高さを測定し、垂直アクチュエータ6と共に、走査ガルバノメータ4の最適焦点が目標点に移動するまで走査ガルバノメータ4を移動させる、閉ループ制御を行うように適合される。前記第3検知素子3は、前記走査ガルバノメータ4を出た前記レーザー光線により形成された光スポットの大きさと強度を測定する。
支持装置は、ウエハステージ10と、大理石11と、ダンパー12と、土台13とを含む。ガラス基板7はウエハステージ10上に載置され、当該ウエハステージ10は、垂直又は水平に動く必要は無く、単にガラス基板7を支持するものであってもよい。プロフィロメータ3、ウエハステージ10、及び、ガントリガイドレール9はそれぞれ大理石11上に配置され、当該大理石11はダンパー12を介して土台13に接続されている。レーザー装置は、土台13上に配置され、レーザー光線を発し、走査ガルバノメータ4を通過して、ガラス基板7、又はプロフィロメータ3の上面に照射される。
The gantry coupling mechanism includes a gantry guide rail 9, and the
The support device includes a
ガントリ装置は、ガラス基板7をレーザー封止するために使用してもよい。図3に示すように、ガラス基板7は、上部ガラス基板7aと下部ガラス基板7bとを有する。基板のレーザー封止の間、前記光スポットは、封止はんだAを覆うように位置合わせする、即ち、上部ガラス基板7aの底面18と位置合わせされる。レーザー光線の伝播方向は、前記走査ガルバノメータ4により、光スポットが、はんだAの温度がその軟化点よりも高い温度まで連続的に上昇するまで封止ラインを迅速かつ周期的に走査するように、制御される。その後、加熱を中断し、上下のガラス基板が冷却されて、当該基板間に配置されたはんだAによって当該基板が互いに強固に接着される。図3に示すように、これによりOLEDダイBを封止した密封パッケージが形成される。この場合、第1検知素子2によって測定される基板表面の高さは、上部ガラス基板の底面18の高さである。
The gantry apparatus may be used for laser sealing the
さらに、ガントリ装置は、従来のように単一の基板を取り扱う露光装置にも使用することができる。この場合、第1検知素子2によって測定される基板の表面の高さは、基板の上面の高さである。
Furthermore, the gantry apparatus can also be used for an exposure apparatus that handles a single substrate as in the prior art. In this case, the height of the surface of the substrate measured by the
図4は、本発明の第1実施形態における垂直制御機構を模式的に示したものであり、制御部が制御コマンドを出すと、当該コマンドに基づいて、垂直アクチュエータ6(モータ)が走査ガルバノメータ4を変位させ、現在の位置を制御部に負帰還して、制御ループを形成する。予め設定される垂直設定値は、第1検知素子2、第2検知素子5および第3検知素子3によって行われる測定から得られたデータから確立された数理モデルを使用して計算される。当該数理モデルは、第1数理モデルおよび第2数理モデルを含む。垂直設定値と現在位置との差が制御部に入力され、現在位置が垂直設定値に近づくように制御され、最終的にその差がゼロになるように制御される。
FIG. 4 schematically shows the vertical control mechanism in the first embodiment of the present invention. When the control unit issues a control command, the vertical actuator 6 (motor) is operated by the
図5は、本発明の実施形態1における走査ガルバノメータの高さ調整を模式的に示す図である。走査ガルバノメータ4の光学焦点は、視野測定及び集束によって目標点に調整される。垂直制御は以下のように行われる。
FIG. 5 is a diagram schematically showing the height adjustment of the scanning galvanometer in the first embodiment of the present invention. The optical focus of the
1.図6aに示すように、第1検知素子2を、第3検知素子3の真上に移動し、第3検知素子3の上面16に対してその高さZ_BFを測定する。
1. As shown in FIG. 6 a, the
2.図6bに示すように、走査ガルバノメータ4を第3検知素子3の真上に移動し、光源1から放射された光線は、走査ガルバノメータ4を通過した後、第3検知素子3に向けられる。垂直アクチュエータ6は、第3検知素子3により検出される光スポットが最大サイズと最大強度の両方を有するまで、走査ガルバノメータ4の垂直位置を調整する(最大サイズと最大強度の両方を有する光スポットの検出は、第3検知素子3の上面16が走査ガルバノメータ4の最適焦点の位置にあることを意味している)。このとき、垂直位置が更新された走査ガルバノメータ4から第3検知素子3の上面16までの距離が、走査ガルバノメータ4の最適焦点距離となる。言い換えると、第3検知素子3の上面16上の点が、走査ガルバノメータ4の最適焦点に位置する。走査ガルバノメータ4と第2検知素子5とは、垂直方向の位置が互いに固定されているので、走査ガルバノメータ4から第3検知素子3の上面16までの垂直距離は、間接的に第2検知素子5のゼロ平面14から第3検知素子3の上面16までの垂直距離Z_galBFrefを示す。なお、垂直アクチュエータ6による走査ガルバノメータ4の垂直位置の調整時において、第2検知素子5と前記走査ガルバノメータ4は同期して移動し、また、第1検知素子2と、第3検知素子3の垂直位置は変化しない。
2. As shown in FIG. 6 b, the
3.図6cに示すように、第1検知素子2を基板7の真上に移動し、基板表面の目標点に対する高さZ_mesを測定する。すなわち、上部ガラス基板の底面18の測定位置の高さを測定する(すなわち、目標点22)。目標点22は図4には示されていない。
3. As shown in FIG. 6c, the
4.走査ガルバノメータ4の光学焦点が目標点22に調整されたときに、当該目標点22が位置する平面18に対する、第2検知素子5のゼロ平面14の設定高さZ_sは、以下の式により算出される。
4). When the optical focal point of the
5.図6cに示すように、走査ガルバノメータ4を目標点22の真上に移動し、走査ガルバノメータ4の光学焦点を目標高さ22に移動する。すなわち、第2検知素子5に基づいてサーボ閉ループ制御が実行され、垂直アクチュエータ6は、第2検知素子5のゼロ平面14から目標点22までの距離が、設定高さZ_sに等しくなるまで、第2検知素子5および走査ガルバノメータ4を垂直方向に同期して移動する。その結果、目標点22は走査ガルバノメータ4の光学焦点に位置する。
5. As shown in FIG. 6 c, the
第2実施形態
第2実施形態におけるガントリ装置の垂直制御装置、及び垂直制御機構の概略構成も、それぞれ図2及び図4に示す通りである。図2のガントリ装置、及び、図4の垂直制御機構は、第1実施形態で説明したとおりであるので、ここでの説明は省略する。
Second Embodiment The schematic configurations of the vertical control device and the vertical control mechanism of the gantry apparatus in the second embodiment are also as shown in FIGS. 2 and 4, respectively. Since the gantry device of FIG. 2 and the vertical control mechanism of FIG. 4 are as described in the first embodiment, description thereof is omitted here.
図7は、本発明の第2実施形態における走査ガルバノメータの高さ調整を模式的に示す図である。ガラス基板の使用時には、通常、上部ガラス基板の底面に傾斜が存在する。本実施形態では、傾斜を考慮しない第1実施形態とは異なり、前記設定高さに対する上部ガラス基板の底面傾斜の影響を評価する。走査ガルバノメータ4の光学焦点は、視野測定及び集束によって目標点に調整される。垂直制御は以下のように行われる。
FIG. 7 is a diagram schematically showing the height adjustment of the scanning galvanometer in the second embodiment of the present invention. When a glass substrate is used, there is usually an inclination on the bottom surface of the upper glass substrate. In the present embodiment, unlike the first embodiment in which the inclination is not considered, the influence of the bottom inclination of the upper glass substrate on the set height is evaluated. The optical focus of the
1.図6aに示すように、第1検知素子2を、第3検知素子3の真上に移動し、第3検知素子3の上面16に対してその高さZ_BFを測定する。
1. As shown in FIG. 6 a, the
2.図6bに示すように、走査ガルバノメータ4を第3検知素子3の真上に移動し、光源1から放射された光線は、走査ガルバノメータ4を通過した後、第3検知素子3に向けられる。垂直アクチュエータ6は、第3検知素子3により検出される光スポットが最大サイズと最大強度の両方を有するまで、走査ガルバノメータ4の垂直位置を調整する(最大サイズと最大強度の両方を有する光スポットの検出は、第3検知素子3の上面16が走査ガルバノメータ4の最適焦点の位置にあることを意味している)。このとき、垂直位置が更新された走査ガルバノメータ4から第3検知素子3の上面16までの距離が、走査ガルバノメータ4の最適焦点距離となる。言い換えると、第3検知素子3の上面16上の点が、走査ガルバノメータ4の最適焦点に位置する。走査ガルバノメータ4と第2検知素子5とは、垂直方向の位置が互いに固定されているので、走査ガルバノメータ4から第3検知素子3の上面16までの垂直距離は、間接的に第2検知素子5のゼロ平面14から第3検知素子3の上面16までの垂直距離Z_galBFrefを示す。なお、垂直アクチュエータ6による走査ガルバノメータ4の垂直位置の調整時において、第2検知素子5と前記走査ガルバノメータ4は同期して移動し、また、第1検知素子2と、第3検知素子3の垂直位置は変化しない。
2. As shown in FIG. 6 b, the
3.図6cに示すように、第1検知素子2を基板7の真上に移動し、基板表面上の複数のレベリングポイントに対する高さz1、z2、・・・、znを測定する、ここでnは整数である。本実施形態では、第1検知素子2は、ウエハステージ10に支持された基板の上部ガラス基板の下面18上のその高さ、第1レベリングポイント21に対してz1、第2レベリングポイント23に対してz2、第3レベリングポイント24に対してz3、を測定する。
3. As shown in FIG. 6c, the
4.上部ガラス基板の全体の高さ及び傾斜は、3つのレベリングポイントの高さに基づいて算出する。高さおよび傾斜の計算には、ここではpz、pwxおよびpwyと定義する3つの未知数の設定が必要である。次に、上部ガラス基板の底面18は、以下の式を用いて記述することができる。
4). The overall height and inclination of the upper glass substrate are calculated based on the heights of the three leveling points. The calculation of height and slope requires the setting of three unknowns, defined here as pz, pwx and pwy. Next, the
第1レベリングポイント21、第2レベリングポイント23、及び、第3レベリングポイント24の水平ゼロ位置を、それぞれ、(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)と定義し、当該3つのレベリングポイントにおける前記第1検知素子2の高さ、z1、z2、及びz3と共に式(2)に代入すると、
The horizontal zero positions of the
未知数pz、pwxおよびpwyは、式(3)から解くことができる。
The unknowns pz, pwx and pwy can be solved from equation (3).
5.目標点22の高さが算出される。目標点22の水平位置を(x_aim、y_aim)、相対的な高さをz_aimと定義し、それらを式(2)に代入すると、
5. The height of the
z_aimは、式(4)から解くことができる。
z_aim can be solved from Equation (4).
6.走査ガルバノメータ4の光学焦点が目標点22に調整されたときに当該目標点22が位置する平面18に対する第2検知素子5のゼロ平面14の垂直設定高さZ_sは、下記等式により算出される。
6). When the optical focus of the
7.図6cに示すように、走査ガルバノメータ4を目標点22の真上に移動し、走査ガルバノメータ4の光学焦点を目標高さ22に移動する。すなわち、第2検知素子5に基づいてサーボ閉ループ制御が実行され、垂直アクチュエータ6は、第2検知素子5のゼロ平面14から目標点22までの距離が、設定高さZ_sに等しくなるまで、第2検知素子5および走査ガルバノメータ4を垂直方向に同期して移動する。その結果、目標点22は走査ガルバノメータ4の光学焦点に位置する。
7). As shown in FIG. 6 c, the
要約すると、上述した本発明の実施形態におけるガントリ装置の制御機構および方法は、ウエハステージだけでなくガントリ本体8およびガントリ連結機構を採用する。当該ガントリ本体8は、ガントリ連結機構と組み合わされ、その結果、水平方向および垂直方向の両方に移動可能である。これにより、アプリケーションの追加オプションと多様化が可能となる。更に、走査ガルバノメータ2の光学焦点は、単に、非接触高さセンサ2および走査ガルバノメータ高さセンサ5の測定結果から計算された、走査ガルバノメータ高さセンサ5の設定垂直値に基づく閉ループ制御を用いて、走査ガルバノメータ4を移動させるだけで、目標点22に調整することができる。これにより、制御の困難性が減少し、製造コストが節減される。
In summary, the control mechanism and method of the gantry apparatus in the above-described embodiment of the present invention employ not only the wafer stage but also the
上記の説明は、本発明のいくつかの好ましい実施形態を提示しており、いかなる意味でもその範囲を限定するものではない。 本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書に開示された主題およびその詳細に対する当業者によってなされるすべての等価の置換および修飾は、その範囲を逸脱するものではない。 The above description presents several preferred embodiments of the invention and is not meant to limit its scope in any way. All equivalent substitutions and modifications made by those skilled in the art to the subject matter disclosed herein and details thereof without departing from the scope of the invention do not depart from the scope.
Claims (14)
ガントリ本体と、ガントリ連結機構であって前記支持装置上に当該ガントリ連結機構を介して前記ガントリ本体を配置する前記ガントリ連結機構と;
前記ガントリ本体上に配置され、前記ガントリ本体に対して垂直方向に移動可能な垂直アクチュエータと;
前記垂直アクチュエータ上に配置された走査ガルバノメータと;
前記支持装置上に配置された第1検知素子であって、当該第1検知素子の基準面により、前記走査ガルバノメータの最適焦点面を検出する、前記第1検知素子と;
前記ガントリ本体上に配置された第2検知素子であって、前記基板の表面から前記第1検知素子の基準面までの第1距離を測定する、前記第2検知素子と;
前記垂直アクチュエータ上に配置された第3検知素子であって、前記走査ガルバノメータから、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の表面までの第2距離を測定する、前記第3検知素子と;を有し、
前記垂直アクチュエータが、前記第1距離及び前記第2距離に基づいて、前記走査ガルバノメータと前記基板の表面との距離が、前記第1距離と前記第2距離との和に等しくなるように、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整する、ガントリ装置。 A support device for supporting the substrate;
A gantry main body, and the gantry connection mechanism, wherein the gantry main body is disposed on the support device via the gantry connection mechanism;
A vertical actuator disposed on the gantry body and movable in a direction perpendicular to the gantry body;
A scanning galvanometer disposed on the vertical actuator;
A first sensing element disposed on the support device, wherein the first sensing element detects an optimum focal plane of the scanning galvanometer from a reference plane of the first sensing element;
A second sensing element disposed on the gantry body for measuring a first distance from a surface of the substrate to a reference plane of the first sensing element;
A third sensing element disposed on the vertical actuator, the first sensing element having on the reference plane of the first sensing element that has detected the optimum focal plane of the scanning galvanometer from the scanning galvanometer; Measuring the second distance to the surface, the third sensing element;
The vertical actuator is configured such that, based on the first distance and the second distance, a distance between the scanning galvanometer and the surface of the substrate is equal to a sum of the first distance and the second distance. A gantry device that adjusts the vertical position of the scanning galvanometer.
1)前記第2検知素子を前記第1検知素子の真上に移動し、前記第2検知素子により、当該第2検知素子から前記第1検知素子の前記基準面までの第1距離Z_BFを測定すること;
2)前記走査ガルバノメータを前記第1検知素子上に移動し、前記垂直アクチュエータにより、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の前記基準面まで、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整し、次いで、前記第3検知素子により、前記第3検知素子のゼロ平面から、前記第1検知素子の前記基準面までの第2距離Z_galBFrefを検出すること;
3)前記第2検知素子を前記基板の真上に移動し、前記第2検知素子により、前記第2検知素子から前記基板の表面までの第3距離Z_mesを検出すること;
4)前記第3検知素子の前記ゼロ平面から、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面が前記基板の表面に調整されたときの前記基板の表面までの第4距離Z_sを、
5)前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を、前記第4距離に基づいて、前記基板の表面に移動すること、
の各工程を有する、ガントリ装置制御方法。 A gantry device control method for a gantry device according to claim 1,
1) Move the second sensing element directly above the first sensing element, and measure the first distance Z_BF from the second sensing element to the reference plane of the first sensing element by the second sensing element. To do;
2) The scanning galvanometer is moved on the first sensing element, and the vertical actuator detects the optimum focal plane of the scanning galvanometer on the reference plane of the first sensing element. The vertical position of the scanning galvanometer is adjusted to the reference plane, and then the second distance Z_galBFRef from the zero plane of the third sensing element to the reference plane of the first sensing element is adjusted by the third sensing element. Detecting;
3) moving the second sensing element directly above the substrate, and detecting a third distance Z_mes from the second sensing element to the surface of the substrate by the second sensing element;
4) A fourth distance Z_s from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate when the optimum focal plane of the scanning galvanometer is adjusted to the surface of the substrate,
5) moving the optimum focal plane of the scanning galvanometer to the surface of the substrate based on the fourth distance;
The gantry apparatus control method which has each process of these.
1)前記第2検知素子を前記第1検知素子の真上に移動し、前記第2検知素子により、当該第2検知素子から前記第1検知素子の前記基準面までの第1距離Z_BFを測定すること;
2)前記走査ガルバノメータを前記第1検知素子上に移動し、前記垂直アクチュエータにより、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を検出した前記第1検知素子の前記基準面上に有する当該第1検知素子の前記基準面まで、前記走査ガルバノメータの垂直位置を調整し、次いで、前記第3検知素子により、前記第3検知素子のゼロ平面から、前記第1検知素子の前記基準面までの第2距離Z_galBFrefを検出すること;
3)前記第2検知素子を前記基板の真上に移動し、前記第2検知素子により、前記第2検知素子から前記基板の表面上の複数のレベリングポイントまでの距離z1、z2、・・・、znを検出すること;
4)前記第2検知素子から前記基板の表面までの平均距離pzと、傾斜係数pwx及びpwyとを、前記距離z1、z2、・・・、zn及び、複数のレベリングポイントの水平位置(x1,y1),(x2,y2)及び(x3,y3)を元に、
により算出すること;
5)目標点の高さz_aimを、前記第2検知素子から前記基板の表面までの前記平均距離pz、前記傾斜係数pwx及びpwy、及び、目標点の予め設定された水平位置(x_aim、y_aim)を元に、
により算出すること;
6)前記第3検知素子の前記ゼロ平面から、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面が前記基板の表面に調整されたときの前記基板の表面までの第4距離Z_sを、
7)前記走査ガルバノメータを目標点の真上に移動し、前記走査ガルバノメータの前記最適焦点面を、前記第4距離に基づいて、目標点の位置における平面に移動すること、
の各工程を有する、ガントリ装置制御方法。 A gantry device control method for a gantry device according to claim 1,
1) Move the second sensing element directly above the first sensing element, and measure the first distance Z_BF from the second sensing element to the reference plane of the first sensing element by the second sensing element. To do;
2) The scanning galvanometer is moved on the first sensing element, and the vertical actuator detects the optimum focal plane of the scanning galvanometer on the reference plane of the first sensing element. The vertical position of the scanning galvanometer is adjusted to the reference plane, and then the second distance Z_galBFRef from the zero plane of the third sensing element to the reference plane of the first sensing element is adjusted by the third sensing element. Detecting;
3) Move the second sensing element directly above the substrate, and the second sensing element causes distances z 1 , z 2 ,... From the second sensing element to a plurality of leveling points on the surface of the substrate. .. detecting z n ;
4) The average distance pz from the second sensing element to the surface of the substrate, the inclination coefficients pwx and pwy, and the horizontal positions of the distances z 1 , z 2 ,..., Z n and a plurality of leveling points. Based on (x1, y1), (x2, y2) and (x3, y3),
To calculate by:
5) The height z_aim of the target point is determined based on the average distance pz from the second sensing element to the surface of the substrate, the tilt coefficients pwx and pwy, and the preset horizontal position (x_aim, y_aim) Based on the,
To calculate by:
6) A fourth distance Z_s from the zero plane of the third sensing element to the surface of the substrate when the optimum focal plane of the scanning galvanometer is adjusted to the surface of the substrate,
7) moving the scanning galvanometer directly above a target point, and moving the optimum focal plane of the scanning galvanometer to a plane at the position of the target point based on the fourth distance;
The gantry apparatus control method which has each process of these.
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