JP6253641B2 - リフレクタ、ペリクル、リソグラフィマスク、膜、スペクトル純度フィルタ、および、装置 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１２年５月２１日出願の米国仮出願第６１／６４９，９０１号および２０１２年８月９日出願の米国仮出願第６１／６８１，４３５号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置（又は他の何らかの装置）の一部を形成することができるコンポーネントに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。この場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、連続してパターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して製造されるフィーチャの寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的な要因になってきている。

[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ_１の値の減少によるものである。

[0006] 露光波長を短縮し、印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることが提案されてきた。このような放射は極端紫外線放射、又は軟ｘ線放射と呼ばれている。可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングにより与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

[0007] ＥＵＶ放射はプラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザ、及びプラズマを封じ込めるための放射源コレクタ装置を含んでもよい。プラズマは例えば、適切な材料（例えばスズ）などの燃料にレーザビーム、又はＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れを向けることによって生成することができる。その結果生ずるプラズマは例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これは放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタは、放射を受け、放射をビームに合焦する鏡像化垂直入射放射コレクタであってもよい。放射源コレクタ装置は、プラズマを支える真空環境を提供する閉鎖構造又はチャンバを含んでもよい。このような放射システムは通常レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ばれる。

[0008] 代替構成では、ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、放電を使用してプラズマを生成してもよい。放電はＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気などのガス又は蒸気内へと通過し、ＥＵＶ放射を放出する非常に高温のプラズマを生成する。このような放射システムは通常、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源と呼ばれる。

[0009] ＥＵＶ放射源内にプラズマが生成されると、燃料からの汚染粒子の生成を引き起こすことがある。ＥＵＶリソグラフィ装置内の汚染は、例えば装置のミラーのような光学面に、又はリソグラフィ装置のパターニングデバイスに付着することがある。汚染は、ＥＵＶ放射がミラーによって反射する効率を低下させ、及び／又はＥＵＶリソグラフィ装置が基板に投影するパターンの精度を低下させることがある。光学面又はパターニングデバイスは、汚染により交換する必要が生じることがあり、費用がかかり、したがって交換頻度を低下させれば有利になり得る。さらに、リソグラフィ装置又はＥＵＶ放射源のこのような部分の交換は時間のかかるプロセスであり、その間にリソグラフィ装置の動作を停止しなければならないことがある。リソグラフィ装置の動作停止はリソグラフィ装置の出力を減少させることがあり、それにより効率が低下し、そのことは望ましくない。

[00010] 先行技術で知られていない方法でリソグラフィ装置（又は他の何らかの装置）のコンポーネントを形成することが望ましいことがある。

[00011] 本発明の第１の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備える層が設けられた反射面又は構造を備えるリフレクタが提供される。層はキャップ層であってよい。層は、シリセン又はシリセン誘導体から形成してもよい。

[00012] 反射構造は、多層スタックであってもよい。

[00013] 反射面は、金属であってもよい。

[00014] キャップ層は、シリセン又はシリセン誘導体の単層であってもよい。キャップ層は、フラーレン又はフラーレン誘導体の単層であってもよい。

[00015] シリセンキャップ層は、シリセン又はシリセン誘導体の複数の層、又はシリセン又はシリセン誘導体、又はフラーレン又はフラーレン誘導体のフレークを備えてもよい。

[00016] 本発明の第２の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備えるペリクルが提供される。ペリクルは支持構造によって保持するか、又はシリセン又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体の複数の層、又はそのフレークを備えてもよい。

[00017] シリセン又はシリセン誘導体は、シリセンの複数の層又はフレークを備えてもよい。フラーレン又はフラーレン誘導体は、フラーレンの複数の層又はフレークを備えてもよい。

[00018] 支持構造は、フレームであってもよい。

[00019] 本発明の第３の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体から選択される物質を備え、支持構造によって保持された膜が提供される。

[00020] 本発明の第４の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備えるスペクトル純度フィルタが提供される。スペクトル純度フィルタは、支持構造によって保持してもよい。

[00021] 本発明の第５の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備える反射面又は構造を含むリフレクタが提供される。

[00022] 本発明の第６の態様によれば、第１の態様のリフレクタ、又は第２の態様のペリクル、又は第３の態様の膜、又は第４の態様のスペクトル純度フィルタ、又は第５の態様のリフレクタのうち１つ以上を備える装置が提供される。装置は、リソグラフィ装置、ＥＵＶ放射の放射源、リソグラフィコンポーネントの検査装置又は他の装置であってもよい。

[00023] 第６の態様のリソグラフィ装置は、放射ビームを調節する照明システムと、パターニングデバイスを支持する支持体とをさらに備えることができ、パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができ、さらに、基板を保持する基板テーブルと、パターン付ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムとを備えることができる。

[00024] 本発明の第７の態様によれば、リフレクタのキャップ層を適用する方法であって、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質の層を材料上に形成することと、シリセン又はシリセン誘導体の層をリフレクタの表面に押しつけることと、次にリフレクタ上にキャップ層を形成するように材料をエッチングして除去することとを含む方法が提供される。

[00025] 本発明の第８の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備える膜を作成する方法が提供され、方法は、材料上に上記物質の層を形成することと、さらなる材料上に上記物質の別の層を形成することと、シリセンの層を相互に押しつけることと、次にシリセン又はシリセン誘導体の一緒に押しつけた層を支持構造に取り付けることとを含む。

[00026] 一緒に押しつけた層を支持構造に取り付ける前に、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備える１つ以上の追加の層を層に押しつけることができる。

[00027] 本発明の第９の態様によれば、キャップ層をリフレクタに適用する方法であって、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質のフレークを溶液中で形成することと、リフレクタを溶液中に配置することと、フレークをリフレクタに引きつけてキャップ層をリフレクタ上に形成することとを含む方法が提供される。

[00028] 本発明の第１０の態様によれば、リソグラフィ装置であって、放射ビームを生成する放射源と、放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持体と、放射源と支持体の間に配置され、放射ビームを反射する少なくとも１つの光学コンポーネントを含み、放射源からの放射が通過することを可能にするチャンバと、チャンバの一部を画定し、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備え、放射ビームの通過を可能にし、汚染粒子の通過を防止する膜と、気体が間接経路に沿ってチャンバの内側からチャンバの外側へと流れることを可能にする粒子トラップ構造であって、粒子トラップ構造の間接経路が、チャンバの内側からチャンバの外側への汚染粒子の通過を実質的に防止する粒子トラップ構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[00029] 膜及び粒子トラップ構造は、リソグラフィデバイスの放射源コレクタモジュール又は照明システムの一部であってもよい。

[00030] 本発明の第１１の態様によれば、放射ビームを生成する放射源と、パターニングデバイスを支持する支持体とを備えるリソグラフィ装置が提供され、パターニングデバイスは放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成し、支持体にはシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備えるペリクルが提供される。

[00031] 本発明の第１２の態様によれば、第１の材料及び第２の材料の交互の層を含む多層ミラーが提供され、シリセン、又はシリセン、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備える層が、交互の層の間に提供される。

[00032] 本発明の第１３の態様によれば、赤外線放射の通過を防止又は減少させるグリッドを含むスペクトル純度フィルタが提供され、グリッドは、グリッドへの酸素の通過を防止するシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質で覆われる。

[00033] 本発明の第１４の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質の層を設けたパターン付反射面又は構造を備えるリソグラフィマスクが提供される。

[00034] 本発明の第１５の態様によれば、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を備えるペリクルが提供される。

[00035] ペリクルは、支持材料の１つ以上の層をさらに備えてもよい。

[00036] ペリクルは、ペリクルの１つ以上の層を支持する支持構造をさらに備えてもよい。

[00037] 本発明の第１６の態様によれば、フラーレンの層を備える反射面又は構造を設けたリフレクタが提供される。

[00038] リフレクタは、多層スタックを備えてもよい。

[00039] 本発明の第１７の態様によれば、フラーレン、又はフラーレン誘導体、又はシリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せの層を備えるスペクトル純度フィルタが提供される。スペクトル純度フィルタは、第１の波長の放射の強度を遮断する又は低下させる第１のフィルタ、及び第２の波長の放射の強度を遮断する又は低下させる第２のフィルタを含んでもよく、第２のフィルタはフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はシリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せの層を備える。

[00040] 第１の波長は赤外線波長であってもよく、第２の波長はＤＵＶ波長であってもよい。

[00041] 本発明の第１８の態様によれば、第１４態様のリソグラフィマスクを保持する支持体、又は第１５態様のペリクル、又は第１６態様のリフレクタ、又は第１７態様のスペクトル純度フィルタのうち１つ以上を備える装置が提供される。

[00042] 本発明の第１９の態様によれば、汚染粒子が付着することがあるシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せの層を含むマスクから汚染を除去する方法が提供され、方法は、汚染粒子が層から解放されるように、エッチング物質を使用して層の少なくとも幾つかを破壊することを含む。

[00043] 上記方法は、マスク上のシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せの層を交換又は修理することをさらに含んでもよい。

[00044] 本発明の態様はいずれも、本発明の任意の他の態様の１つ以上の適切な形態を組み込むことができる。

[00045] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 リソグラフィ装置のより詳細な図である。 図１及び図２の装置の放射源コレクタ装置ＳＯのより詳細な図である。 本発明のある実施形態によるミラーの概略図である。 本発明のある実施形態による回折格子の概略図である。 本発明のある実施形態によるペリクルの概略図である。 本発明のある実施形態によるスペクトル純度フィルタの概略図である。 本発明の代替実施形態によるスペクトル純度フィルタの概略図である。 本発明のある実施形態による膜及び粒子トラップ構造の概略図である。 本発明によるリソグラフィ装置の一部を形成することができるスペクトル純度フィルタのある実施形態の概略断面図である。 本発明によるリソグラフィ装置の一部を形成することができるスペクトル純度フィルタのある実施形態の概略断面図である。 本発明によるリソグラフィ装置の一部を形成することができるスペクトル純度フィルタのある実施形態の断面図である。 本発明のある実施形態によるマスクの概略図である。 本発明のある実施形態によるペリクルを作成することができる１つの方法の概略図である。

[00046] 図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタ装置ＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影システム）ＰＳとを備える。

[00047] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[00048] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[00049] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[00050] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[00051] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型等の光学コンポーネント、又はそれらの任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を設けてもよい。

[00052] 本明細書で示すように、装置は反射型である（例えば反射型マスクを使用する）。

[00053] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。

[00054] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタ装置ＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ放射を生成する方法は、少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム又はスズを有する物質を、ＥＵＶ範囲の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態に変換するステップを含むが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような１つの方法では、必要な輝線放出元素を有する物質の小滴、流れ、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することで必要なプラズマを生成できる。放射源コレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１には示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、放射源コレクタ装置内に配置された放射コレクタを用いて収集される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。レーザ及び放射源コレクタ装置は、例えば燃料を励起するためのレーザビームを提供するためにＣＯ_２レーザが使用される場合には別個の要素であってもよい。

[00055] このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いてレーザビームはレーザから放射源コレクタ装置へ渡される。

[00056] 放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）と呼ばれることが多い代替方法では、放電を用いてＥＵＶ放出プラズマが生成され、燃料が気化される。燃料はＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有するキセノン、リチウム、又はスズなどの元素でよい。放電は、放射源コレクタ装置の一部を形成してもよく、又は電気接続線を介して放射源コレクタ装置に接続される別個の要素であってもよい電源によって生成されてもよい。

[00057] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、ファセット型フィールド及び瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[00058] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２を用いて（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサを用いて）、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせしてもよい。

[00059] 図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

[00060] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[00061] 図２は、放射源コレクタ装置ＳＯと、イルミネータシステムＩＬと、投影システムＰＳとを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタ装置ＳＯは、放射源コレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境が保たれるように構築され、配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ放射源によって形成されてもよい。ＥＵＶ放射は、超高温プラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される例えばキセノンガス、リチウム蒸気、又はスズ蒸気などの気体又は蒸気によって生成されてもよい。超高温プラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じる放電によって生成される。放射を効率的に生成するには、キセノン、リチウム、スズ蒸気、又はその他の適切な気体又は蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が必要である場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起したスズ（Ｓｎ）が提供される。

[00062] 高温プラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１内の開口内、又はその裏側に位置する任意選択のガスバリア又は汚染物トラップ２３０（場合によっては汚染物バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介してコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物トラップ２３０はチャネル構造を含んでもよい。汚染物トラップ２３０はまた、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組合せを含んでもよい。汚染物トラップ又は汚染物バリア２３０はさらに、本明細書では少なくとも当技術分野で公知のようにチャネル構造を含むことが示されている。

[00063] コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と、下流放射コレクタ側２５３とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して、仮想放射源ポイントＩＦで合焦することができる。仮想放射源ポイントＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口２２１に、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源ポイントＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。

[00064] その後、放射は、パターニングデバイスＭＡでの放射ビーム２１の所望の角分散とパターニングデバイスＭＡでの放射強度の所望の均一性とを提供するように構成されたファセット型フィールドミラーデバイス２２と、ファセット型瞳ミラーデバイス２４とを含んでもよい照明システムＩＬを横切る。支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射すると、パターン付ビーム２６が形成され、パターン付ビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。

[00065] 一般に、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内には図示したよりも多くの要素があってもよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択で備えられてもよい。さらに、図示した以上のミラーがあってもよく、図２に示した以上の、例えば１〜６個の追加の反射要素が投影システムＰＳ内にあってもよい。

[00066] 図２に図示されるように、コレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の例と同様に斜入射リフレクタ２５３〜２５５を有する入れ子式コレクタとして示されている。斜入射リフレクタ２５３〜２５５は、光軸Ｏを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは好ましくは、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ放射源と組み合わせて使用される。

[00067] あるいは、放射源コレクタ装置ＳＯは、図３に示すようなＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを蓄積して、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度で高度にイオン化されたプラズマ２１０を生成するように構成される。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成される高エネルギーの放射は、プラズマから放射され、近垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって収集され、閉鎖構造２２０内の開口２２１上に合焦する。

[00068] 図４は、ＥＵＶ放射を反射するように構成された本発明の実施形態によるミラー５０を断面で見て概略的に示す。ミラー５０は、例えば図２に示すようなＥＵＶリソグラフィ装置のミラー２２、２４、２８、３０のうち１つでよい。ミラー５０は、モリブデンとシリコンの交互の層を含む多層スタック４９を備え、多層スタック４９は基板４８（例えばクォーツ）上に設けられる。モリブデン及びシリコン層の厚さとその屈折率との組合せは、ミラー５０に入射するＥＵＶを反射させるような組合せである（多層スタックを使用した放射の反射は当技術分野で周知である）。シリセン層５１は、多層スタック４９の頂部の層として設けられる。シリセン層５１はこの場合、多層スタック４９を保護するキャップ層として作用する。シリセン層５１は、単層又は複数の層として設けることができる。本明細書では、複数層とは、相互の頂部に積み重ねられた複数の単層という意味であり、層の少なくとも１つはシリセンを含む。したがって、多層シリセンはシリセンの単層で全体を形成するか、又は他の材料の層と交互になったシリセンの単層で形成するか、又は他の層のスタック中にランダムに位置決めしたシリセン層でも形成することができる。複数層はまた、不均質層を形成するために重ねられたシリセンフレークで形成された１つ以上の層を含むこともできる。

[00069] シリセン単層は、ハニカム構造に構成されたシリコン原子の１原子の厚さのシート（すなわち単一層）である。シリセンの構造の説明が、Kara、Abdelkader他のSurface Science Reports 67 (2012) 1-18に見られ、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[00070] 図５は、シリセンの層を、多層スタック４９を含む多層ミラー上に設けることができるプロセスを概略的に示す。

[00071] 図５ａを参照すると、基板５２（例えばシリコンから形成される）によって支持された単結晶銀層５３上にシリセン５１の層が形成される。シリセンの層は、超高真空中でのシリコン原子束の直接凝縮を使用したエピタキシャル成長により、Ａｇ（１１１）表面上に形成される。Ｓｉウェーハの部片の直接加熱を使用して、シリコンの原子束を生成する。Ａｇ（１１１）表面は、シリコンをＡｇ（１１１）表面上に蒸着させる間、２２０℃と２５０℃の間の温度に保持される。Ａｇ（１１１）表面上へのシリコンの付着率は、１分当たり０．１単一層未満である。単層を生成するのに十分なだけのシリコンが、Ａｇ（１１１）表面に蒸着される。シリセン層を生成するこの方法は、Boubekeur、Lalmi他のApplied Physics Letters 97 223109(2010)に記載され、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[00072] 図５ｂを参照すると、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）５４の層がシリセン層の頂部に形成される。ＰＭＭＡ５４は、ＰＭＭＡがガラス転移温度を上回るとシリセン層５１上に設けられ、次にシリセン層５１の頂部で冷却され、固化される。ＰＭＭＡ５４は、例えばシリセン層５１上にスピンコーティングすることができる。このように、シリセン層５１に付着するＰＭＭＡ５４のブロックが形成される。ある実施形態では、ＰＭＭＡ層５４を硬化するためにベーキングステップを使用することができる。

[00073] 図５ｃを参照すると、銀がエッチングして除去される。これは、ウェットエッチングプロセスを使用し、例えば硝酸を使用するか、又は鉄系酸化剤とリン酸などの無機酸との混合物を使用して実行してもよい。このように銀を除去し、ＰＭＭＡブロック５４に付着したシリセン層５１を残す。

[00074] 図５ｄを参照すると、基板４８（例えばクォーツ）上に設けられた多層スタック４９を含む多層ミラー５０が、シリセン層５１及びＰＭＭＡブロック５４の下に位置決めされる。次に、シリセン層５１と多層スタック４９の頂部との間に良好な接触が確立されるように、これらの相互に押しつける。

[00075] 図５ｅを参照すると、次に、例えばプラズマエッチングを使用する、又はアセトンなどの溶剤を使用してＰＭＭＡが除去される。これでシリセン層５１が露出する。このように、シリセン層５１は多層ミラー５０上にキャップ層を形成する。

[00076] 以上で言及した材料は例示にすぎず、他の適切な材料を使用してもよい。例えば、シリセン層５１は、単結晶銀の層上に設けるのではなく、ＺｒＢｒ２の層に設けることができる。シリセンは、ＺｒＢｒ２上の表面偏析を介してエピタキシャルハニカム層として成長させることができる。ＺｒＢｒ２をＳｉ（１１１）上にエピタキシャル成長させてもよい。この方法は、米国テキサス州ダラスで３月２４日に開催された米国物理学会の２０１１年３月の会議でAntoine Fleurenceにより口述解説で開示された（要約書ＩＤ：BAPS.2011.MAR.V10.9）。

[00077] ＰＭＭＡブロック５４の代わりに任意の適切な材料を使用してもよい（例えば任意の適切なポリマー）。例えば、ＰＭＭＡブロックの代わりに熱剥離テープを使用してもよい。ある実施形態では、ＰＭＭＡブロック５４（又は同等物）へのシリセン層５１の付着を削除することができる。この場合は、基板５２によって支持された単結晶銀層５３（又は他の適切な材料）上に設けられたシリセン層５１を、多層スタック４９に押しつける。次に、（図５ｅに示すように）単結晶銀層５３（又は他の適切な材料）及び基板５２をエッチングして除去し、多層スタック４９上にシリセン層を残す。

[00078] グラフェンを対象表面に移行させるために使用する既知の移行方法を使用して、シリセン層５１を対象表面に移行させることができる。例えば、Lee、Seunghyun他のNano Letters, vol. 10, issue 11, pp.4702-4707に記載された移行方法で、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[00079] シリセン層５１は、多層ミラー５０の多層スタック４９を保護する。先行技術で、多層スタック４９を保護するために多層ミラーの多層スタック４９上にルテニウムのキャップ層を設けることが知られている。しかし、ルテニウム層は酸化することがあり、ルテニウム上にスズの汚染物が蓄積すると、水素誘起のガス放出という損害を受けることもある（スズの蓄積はＥＵＶリソグラフィ装置で生じることがある）。さらに、ルテニウムは、ルテニウムの膨れ及びエッチングなどの関連する効果により損害を受けることがある。これらの問題の１つ以上は、シリセン層５１によって回避することができる。

[00080] シリセンのナノリボンは、強力な抗酸化性を示している。この強力な抵抗性は、Ｓｉ原子価軌道のｓｐ^２混成化によるものである。通常、シリセンによる酸素摂取は、清浄なＳｉによる酸素摂取より約１０^４高い酸素量で開始する。これは、シリセンが分子酸素に対して低い反応性を有することを示す。シリセンの抗酸化性に関するさらなる情報は、Paola De Padova他の2011 J. Phys. D: Appl. Phys. 44 312001に見ることができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[00081] ＥＵＶ放射で使用する膜、ペリクル、スペクトル純度フィルタ又はキャップ層としてシリセンを使用することは、特に有利な場合がある。シリセンに付着するスズ汚染物の親和性は、ルテニウムに付着するスズ汚染物の親和性より大幅に低いと考えられる。このように、シリセン上のスズ汚染物の蓄積は、ルテニウム上のスズ汚染物蓄積より遅いことがある。その結果、スズ誘起の膨れ及びエッチングのようなスズの蓄積から生じる望ましくない効果を低減することができる。このことは、例えば（ルテニウムのキャップ層を設けてあるミラーと比較して）シリセンのキャップ層を設けてあるミラーのＥＵＶリソグラフィ装置の寿命を延長するのに役立てることができ、これはスズ又は同様のプラズマ燃料の汚染が比較的高率で生じるような放射源コレクタ装置ＳＯの場合、特に有用である。

[00082] シリセン層５１は、図４では、多層スタック４９の頂部に直接配置されているように図示されている。しかし、多層スタック４９とシリセン層５１の間に何らかの他の材料の層が存在してもよい。例えば、ルテニウムの層が多層スタック４９とシリセン層５１の間に存在してもよい（例えばシリセン層を、ルテニウム層のキャップが既にある多層ミラー上に設ける）。

[00083] シリセンは、水素基からの損傷に対して抵抗性を有してもよい。このように、シリセンキャップ層は、ＥＵＶリソグラフィ装置に存在することがある水素基によって実質的に損傷を受けずにいることができる（水素基は、リソグラフィ装置内のＥＵＶリソグラフィ装置に存在放射と水素ガスとの相互作用によって発生する）。水素原子は、グラフェンからグラファンへの水素化と同様の方法でシリセンを水素化すると考えられる。水素化した材料をケイ化水素と呼ぶことができる。

[00084] ある実施形態では、シリセンの複数の層（すなわち多層）を多層スタック４９上に設けることができる。これは例えば、図５に示すプロセスを使用して、最初に多層ミラー５０上にシリセン単層５１を設け、次にＰＭＭＡブロックに付着したシリセンの第２の層を、多層ミラー上に既に設けられたシリセンの層に押しつけるようなプロセスを繰り返すことによって達成することができる。ＰＭＭＡブロックをエッチングして除去すると、多層スタック４９の頂部に２つのシリセン層が残る。追加のシリセン層を同じ方法で追加してもよい。

[00085] ある実施形態では、シリセン層を斜入射リフレクタ（コレクタ）の金属層上に設けることができる。斜入射リフレクタは、例えば図２に示す斜入射リフレクタ２５４〜２５５のうち１つでよい。シリセン層は、図５に示し以上でさらに説明した方法に対応する方法を使用して、斜入射コレクタの金属層に設けることができる。シリセン層は、例えば斜入射リフレクタ２５４〜２５５及び／又は図３に示すコレクタＣＯ（通常は多層スタック４９を含む）のすべての金属反射面に設けることができる。シリセン層は、任意の金属リフレクタに設けることができる。

[00086] 多層ミラー５０、斜入射リフレクタ２５４〜２５５及びコレクタＣＯはすべて、リフレクタの例である。シリセンキャップ層は、他のリフレクタに設けることもできる。

[00087] 上述したようなある実施形態では、次にリフレクタに押しつけられる層としてシリセンを形成するのではなく、シリセンは、リフレクタに付着するようにし、それによってリフレクタ上にシリセンキャップ層を形成するフレークとして形成してもよい（フレークは、例えば任意の形状の構造で相互に結合されたシリセンの複数の単層を含む数ミクロンの長さの部片である）。シリセンフレークは、例えば以上でさらに説明した方法のうち１つを使用して作成してもよく、次に溶液中に配置してもよい。キャップを施すリフレクタを、次に溶液中に配置してもよい。誘電電気泳動を使用して、シリセンフレークをリフレクタに引きつけ、リフレクタの表面にシリセンフレークをトラップしてもよい。シリセンフレークは、リフレクタの表面に蓄積し、それによってキャップ層を形成してもよい。この方法を使用して、任意の適切なリフレクタ上にシリセンキャップ層を形成してもよい。グラフェンフレークの状況におけるこの方法の一例が、B. R. Burg他の2010 Journal of Applied Physics 107 034302に記載され、それは参照により本明細書に組み込まれる。シリセンフレークは、層を形成する不規則な構成であってもよく、様々な形状及びサイズのフレークがファンデルワールス力によって層内で相互に付着している。

[00088] ある実施形態では、シリセンフレークは、溶液中でグラフェンフレークを生成するために使用する手順と同様の手順を使用して準備することができる。例えば、手順はＰＭＭＡ／（シリセン多層）スタックで開始してもよい。次に、シリセンは、シリセン多層に関連するものとほぼ同じ表面エネルギーで有機溶媒中に分散させることができる。こうすることによって、シリセン層を別のシリセン層から分離するエネルギー障壁が低下する。分散は、ＰＭＭＡ／（シリセン多層）及び有機溶媒を数時間、超音波浴中で音波処理することによって達成される。分散後、比較的厚いフレークを析出するために、溶液を遠心分離する。このプロセスでは、界面活性剤を使用することによって、フレークの安定化（すなわち相互に付着することの回避）を達成することができる。グラフェンに関して以前に説明され、使用することができる別の方法は、シリセンの事前酸化で構成され、これによって（シリセン酸化物は親水性であると予想されるので）水中で（超音波を使用した）シリセンフレークの分散を実行することができる。次に、シリセンを得るために化学的方法を使用して酸化シリセンの還元を実行する。方法は、グラフェンフレークを準備する方法から適応させることができ、それはLotya他のACS Nano 4, 3155-2339(2011)及びSu CY他のACS Nano 5, 2332-2339(2011)に記載され、両方とも参照により本明細書に組み込まれる。

[00089] ある実施形態では、シリセンの複数の層（すなわち多層）を一緒に使用して、例えばＥＵＶリソグラフィ装置（図１及び図２参照）のパターニングデバイスＭＡの保護に使用することができるシリセンペリクルを形成してもよい。このようなペリクルの一例が、図６の断面図に概略的に図示されている。ペリクル６０はシリセン５１の複数の層を含み、これは相互に押しつけられて多層シリセン構造６１を形成する。シリセン構造６１は、その周囲が支持構造６２（例えばフレーム）によって支持される。支持構造６２は、パターニングデバイスから固定距離でペリクルを保持するように構成してもよい。代替実施形態では、シリセンの単層を含むシリセンペリクルを提供してもよい。このようなペリクルには、シリセン単層にさらなる剛性を提供するために、網状構造（格子など）又は支持層を使用してペリクルを支持してもよい。

[00090] ペリクルの使用は、デブリ（例えば汚染又は塵粒子）がレチクルに接触するのを防止する一方法として知られている。レチクルなどのパターニングデバイス上に載ってしまうデブリはすべて、リソグラフィ装置の結像の大幅な低下を引き起こすことがある。何故なら、レチクル（及びそれ故にレチクルと接触しているデブリ）がリソグラフィ装置の焦点面にあるからである。ペリクルはレチクルを覆い、デブリがレチクルに到達するのを防止する。ペリクルに載ってしまういかなるデブリも、リソグラフィ装置の焦点面にはなく、したがって、デブリによって引き起こされるリソグラフィ装置の結像性能のいかなる低下も、デブリがレチクルに直接載ってしまった場合よりはるかに小さくなる。

[00091] シリセンを使用したペリクルの形成には幾つかの利点があり、それには高い機械的強度、（厚さ及び組成の両方に関して）高度の均一性、ＥＵＶ放射に対する高い透明度、及び高度の熱安定性（すなわちリソグラフィ装置内で生じることがある温度変化に実質的に影響を受けない）が含まれる。シリセンの機械的強度により、格子を使用してペリクルを支持する必要がなくなり、したがって格子によって導入されるＥＵＶ放射の不均一性が回避される。ある実施形態では、格子を使用してシリコンペリクル又は膜に多少の支持を提供してもよい。

[00092] ある実施形態では、ペリクルはまた、支持材料の層に挟まれた２枚のシリセンシートを含んでもよく、したがってペリクルは以下のように交互する層のスタックから形成される。すなわち支持材料、シリセンシート、支持材料、シリセンシート、支持材料である。シリセンに追加して支持材料を使用すると、ペリクルの機械的特性を改善するという利点を提供してもよい。シリセンは、分散防止バリアとして作用してもよい。シリセン層ではなくシリセンフレークも使用することができる。

[00093] シリセンは、スペクトル純度フィルタの構築にも使用することができる。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源などのリソグラフィ装置内の既知の放射源は、帯域内放射（基板のパターン形成に使用してもよい）及び帯域外放射を生成することができる。帯域内放射は、例えば極端紫外線（ＥＵＶ）放射であってもよく、帯域外放射は赤外線放射であってもよい。帯域外放射は、帯域内放射を基板に配向するものと同じリフレクタで反射させることができる。帯域外放射をリソグラフィ装置で基板へと反射することが望ましくないことがある。何故なら、帯域外放射が基板に有害な効果を有することがあるからである。例えば、帯域外放射が赤外線放射である場合、赤外線放射は基板の加熱を引き起こすことがある。基板の加熱は、基板の膨張を引き起こすことがある。基板が膨張した結果、リソグラフィ装置の結像性能が低下することがある。例えば、基板の様々な層に投影される像が、相互に位置合わせされないことがある。これをオーバレイ問題と呼ぶことができる。

[00094] スペクトル純度フィルタは、リソグラフィ装置を通して基板へと帯域外放射（例えば赤外線及び／又はＤＵＶ放射）が透過することを抑制する一つの既知の方法である。既知のスペクトル純度フィルタには、帯域外放射の透過を（すなわち吸収及び／又は反射によって）防止するために使用される材料が、有用な帯域内ＥＵＶ放射の透過も防止するという問題がある。スペクトル純度フィルタによる帯域内放射の吸収量は、スペクトル純度フィルタが厚くなるにつれ増加するので、ＥＵＶ放射に使用する基地のスペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射の吸収を最小化するように薄い（例えば厚さ５０〜１００ナノメートル）。これらのスペクトル純度フィルタはこのように薄いので、非常に脆弱なことがある（すなわち機械的強度が低い）。したがって、このようなスペクトル純度フィルタをリソグラフィ装置内で取扱い、位置決めすることが非常に困難である。以前に検討したように、シリセンは、高い機械的強度を有し、有意のＥＵＶ放射を透過できる材料である。シリセンで作成したフィルタは、均質な層の形態、又はシリセンフレークで形成された層の形態であってもよい。シリセンと他の何らかの適切な材料（例えば他の何らかの適切な金属）との混合物を同等の方法で使用して、スペクトル純度フィルタを形成してもよい。

[00095] 図７は、シリセンシート７８を含むスペクトル純度フィルタ７６を示す。本明細書のシート７８とは、単層又は複数の層によって形成された均質な層の意味である。シリセンシート７８はスペクトル純度フィルタフレーム８０上に配置される。シリセンシート７８は帯域外放射抑制構造８２を支持する。帯域外放射抑制構造８２は、スペクトル純度フィルタを通る帯域外放射の透過を抑制することができる単層又は多層構造を含んでもよい。図７は、スペクトル純度フィルタに入射する放射ビームＡを示す。入射放射ビームは、帯域内放射及び帯域外放射の両方を含んでもよい。帯域内放射Ｂは帯域外放射抑制構造８２及びシリセンシート７８を通過し、次にパターニングデバイスを、したがって基板へと進むことができる。帯域外放射は、帯域外抑制構造８２によって吸収する（図示されていない帯域外放射の吸収）、又はＣに示すようにスペクトル純度フィルタ７６で反射してもよい。シリセンシート７８は、薄い可能性がある帯域外放射抑制構造８２を支持する作用をし、したがってスペクトル純度フィルタの取扱い及びリソグラフィ装置内への位置決めをより容易にする。また、シリセンは酸素不透過性であるので、シリセンは帯域外放射抑制構造８２の酸化を防止することもできる。帯域外放射抑制構造の酸化を防止することが望ましい場合、帯域外放射抑制構造８２の両側をシリセンで覆うことができる。

[00096] 図８は、図７に示したものと同様のスペクトル純度フィルタを示す。この実施形態では、図７に示すスペクトル純度フィルタのシリセンシート７８がシリセンフレーク８４で置換されている。シリセンフレーク８４は、層を形成する不規則な構成であってもよく、様々な形状及びサイズのフレークがファンデルワールス力によって層内で相互に付着している。幾つかのスペクトル純度フィルタでは、シリセンフレークはシリセンシートと比較して有利な場合がある。何故なら、シリセンフレークはシリセンシートより安価で、より処理しやすいことがあるからである。

[00097] 多層構造を有するスペクトル純度フィルタを構築してもよい。このようなスペクトル純度フィルタは、例えば６つの交互の層を含んでもよい。すなわち３つのシリセンシート層及び３つの帯域外放射抑制構造層である。このスペクトル純度フィルタは有利である。何故なら、全厚さが厚い帯域外放射抑制層を複数のシリセンシート層で支持できるからである。帯域外放射抑制構造層の間に複数のシリセンシート層が設けられているという事実により、スペクトル純度フィルタは、単一の帯域外放射抑制層及び単一のシリセンシート層があるスペクトル純度フィルタと比較して高い機械的強度を有してもよい。この実施形態では、シリセンシート層を、上述したシリセンフレークから作成した層で置換してもよい。

[00098] 多層ミラー内で隣接する層間に（例えばモリブデンの層とシリコンの層の間に）明確に画定された境界を設けることが望ましい。時間の経過とともに、隣接する層の間に拡散が生じることがあり、したがってその間の境界がそれほど明確に画定されなくなる。拡散は、一部はミラーがリソグラフィ装置の動作中に加熱されることによる。シリセンは、隣接層間に配置された拡散防止層として使用することができ、シリセンは隣接する層間の明確に画定された境界を維持するように作用する。シリセンは拡散防止層として使用するのに適切である。何故なら、不透過性であり、非常に少量のＥＵＶ放射しか吸収しないように薄い層（例えば厚さ１ｎｍ未満）で提供できるからである。シリセンは高温に耐えることができるので、それにより多層ミラーは従来の多層ミラーより高温に耐えることができる。多層ミラーは、例えばモリブデン又はシリコンの層を基板上に（例えば化学蒸着を使用して）成長させ、シリコンのシートを手作業で層上に適用して、次の層を成長させるなどによって構築してもよい。

[00099] 単層又は複数のシリコン層は、高速で移動する汚染粒子及び低速で移動する汚染粒子の両方ともリソグラフィ装置又はＥＵＶ放射源内の他の表面に到達するのを防止することができる膜の製造に使用してもよい。膜は気密性であることが好ましい。

[000100] 図９は、図２の３４で示したリソグラフィ装置の一部の概略断面図を示す。図９に示すリソグラフィ装置の一部は、高速で移動する汚染粒子及び低速で移動する汚染粒子の両方がパターニングデバイスＭＡに到達するのを防止することができる。図９に示すリソグラフィ装置の一部は、リソグラフィ装置の照明システムＩＬの壁の一部を形成することができる第１及び第２の壁部材１３６、１３８を含む。第１及び第２の壁部材１３６、１３８は個々の開口１４０、１４２を含む。開口１４０、１４２は、リソグラフィ装置の放射ビーム２１の光軸ＯＡである共通軸を共有する。第１の壁部材１３６の開口１４０は、第１の壁部材１３６の一方側からの気体が開口１４０を介して第１の壁部材１３６の他方側へと通過するのを防止するように、開口１４０全体に固定された気密性シリセン膜１４４を含む。

[000101] 第１及び第２の壁部材１３６、１３８は、その間に少なくとも１つの気体流路があるようにお互いに間隔を空けて配置される。図９に示す実施形態では、光軸ＯＡの各側に１つずつ、２つの気体流路１４６がある。気体流路１４６によって、気体が照明システムＩＬの内側から照明システムの外側へと流れることができる（照明システムの外側は全体として１４８で示されている）。照明システムＩＬの内側から照明システムの外側１４８への気体の経路は、全体として矢印１５０で示されている。気体流路１４６は粒子トラップ構造１５２によって画定される。粒子トラップ構造１５２は、複数のプレート１５２を含む。プレート１５２は、光軸ＯＡに平行な方向に延在し、第１の壁部材１３６及び第２の壁部材１３８から交互に延在する。プレート１５２はお互いに間隔を空けて配置され、光軸ＯＡに直角の方向で重なるように交互嵌合状態で延在する。したがって、粒子トラップ構造１５２のプレート１５２により、気体が照明システムの内側から照明システムの外側１４８へと流れる視線の経路が確実にないようにされる。プレート１５２は、間接経路を流れるように粒子トラップ構造１５２を通る気体流を限定する。この場合、間接経路は蛇行経路、すなわち照明システムの外側１４８に向かって進行するにつれて複数回方向転換する経路である。例えば、経路は照明システムの外側１４８に向かって進行するにつれて少なくとも４回方向転換してもよい。経路の方向転換は突然であってもよい。この実施形態では、蛇行経路は犂耕体様である。すなわち、気体が一方向に流れ、次に照明システムの外側１４８に向かって進行しながら反対方向に進むように転換する。各プレート１５２（使用時には光軸ＯＡに平行）の長さが、隣接するプレート１５２間の隔離の約１０倍である実施形態では、このような隣接するプレートの対は、汚染粒子の約９０％が隣接するプレート対間を通過するのを防止することができる。幾つかの実施形態では、粒子トラップ構造が汚染粒子のレベルを６桁又は７桁減少させることが有利である。これらの実施形態では、少なくとも５対の隣接プレート（すなわち１０枚のプレート）を使用することが望ましいことがある。任意の適切な数のプレートを使用できることが理解される。例えば、２枚と１００枚の間のプレートがあってよい。幾つかの実施形態では、湾曲したプレート（すなわち隣接するプレート対の間のギャップを通る視線の経路がないプレート）を使用することで、平面のプレートと比較して、隣接するプレート対間の通過を防止される汚染粒子の割合を増加させることができる。その結果、所与の割合の汚染粒子が汚染トラップ構造を通過するのを防止するために、必要となる湾曲プレートの対の数を（平面のプレートと比較して）少なくすることができる。

[000102] 使用時には、開口１４０、１４２は、放射ビームが、膜１４４を通過することを含めて開口１４０、１４２を通過するように、リソグラフィ装置内に構成される。膜１４４の材料及び厚さは、放射ビーム２１がそれを通過できるように選択される。本発明の幾つかの実施形態では、膜１４４は入射放射の１００％が通過するのを許容しないことがあることが認識される。膜１４４の厚さ及び材料はまた、気密性を喪失する程度まで膜１４４を劣化させることなく、放射ビーム２１の方向に高速で進行する汚染粒子が膜１４４に衝突できるように選択される。

[000103] 膜１４４はまた、気密性を喪失するように膜１４４が劣化することなく、多くの高速で移動する汚染粒子が膜１４４と衝突することによって生じる圧力に耐えることができる。例えば、膜はＳｎ粒子によって生成される約１ＧＰａ〜１０ＧＰａの圧力に耐える必要があることがある。衝突率は、毎秒約１０００回程度の衝突となり得ると考えられる。高速で移動する汚染粒子のサイズは、約１５０ナノメートル〜約１μｍの範囲になることがある。粒子は、毎秒約１００メートル〜毎秒約１０００メートルの速度で移動することがある。様々な速度で膜１４４と衝突する様々な異なるサイズの粒子があり得ることが認識される。さらに、高速で移動する粒子と膜１４４の衝突が生じる率は、経時的に一定ではない場合がある。

[000104] 照明システムＩＬ内で放射ビーム２１と同じ方向に進行する高速移動の汚染粒子が１５４で示されている。放射ビーム２１（１５４で示すような）と同じ方向に移動する高速移動の汚染粒子は、膜１４４と衝突し、（１５６に示すように）膜１４４に嵌入するか、又は膜１４４から跳ね返る（図示せず）。膜１４４から跳ね返った高速移動の汚染粒子は、跳ね返るときにエネルギーを喪失することがある。このエネルギー喪失により、膜から跳ね返った高速移動の汚染粒子が、照明システム内で移動し続ける低速移動の汚染粒子になることがある。高速移動の汚染粒子が低速移動の汚染粒子になる場合、これはその後、粒子トラップ構造１５２内にトラップされることがある。

[000105] 使用することができる膜１４４の厚さの範囲の一例は、約１０ナノメートル〜約５００メートルである。例えば、膜は厚さ１０〜１００ナノメートルの範囲であってもよい。シリセン膜は、単数のシリセンシート、複数のシリセンシート、又はシリセンフレークの複合体によって形成してもよい。複数の層を有する膜は、異なる材料から形成することもでき、上述したようなサンドイッチ構想を有することもできる。高速移動の汚染粒子が通過するのを防止するシリセン膜と、低速移動の汚染粒子を収集するように構成された粒子トラップ構造とを組み合わせると、その結果、高速移動の汚染粒子及び低速移動の汚染粒子の両方がパターニングデバイスＭＡに到達するのを防止することができるリソグラフィ装置になる。

[000106] 膜及び粒子は、ＥＵＶ放射源内又はリソグラフィ装置内の様々な位置に配置することができる。１つの位置は、例えば照明システムＩＬ内でパターニングデバイスＭＡに隣接していてもよい。膜及び粒子トラップ構造は、照明システムの中間焦点ＩＦに近い方の端部に位置決めすることもできる。追加的に又は代替的に、膜及び粒子トラップ構造は、放射源モジュールＳＯ内で、例えばコレクタと中間焦点ＩＦの間の位置に配置してもよい。別の代替実施形態では、膜は、照明システムＩＬの一部（照明システム及びパターニングデバイス内の中間光学系である膜）と投影システムＰＳの一部（投影システム及びパターニングデバイス内の中間光学系でもある膜）との両方を形成するような膜でもよい。この実施形態では、膜はパターニングデバイスを照明システム及び投影システムの両方から分離する。膜は、部分的にパターニングデバイスが配置されるチャンバを画定してもよい。この実施形態では、放射ビームは膜を２回、すなわち照明システムからパターニングデバイスへと移動する場合に１回、及びパターニングデバイスから投影システムへと移動する場合に１回通過することが認識される。照明システム及び投影システムはそれぞれ、膜によって一部が画定されたチャンバを含んでいてもよい。膜は、照射源モジュールＳＯの後、及び照明システムＩＬの光学系の前に設けることができる。また、本発明によるリソグラフィ装置は、複数の膜を含んでもよいことが認識される。シリセンから形成された膜を、リソグラフィ装置内の任意の適切な位置に設けることができる。膜は、例えば汚染粒子がリソグラフィ装置を通過するのを停止するように構成してもよい。

[000107] 上記実施形態の粒子トラップ構造５２によって画定された間接的な気体流路４６は蛇行している（特に犂耕体様である）が、間接的な気体流路を生成する任意の適切な構造を使用できることが認識される。例えば、経路は迷路でもよい。粒子トラップ構造は任意の適切な形態をとれることがさらに認識される。粒子トラップ構造は、チャンバ（この場合は照明システムＩＬ）の内側からチャンバの外側へと気体の流れを可能にし、それと同時に気体中の汚染粒子がチャンバの内側からチャンバの外側へと通過するのを実質的に防止できなければならない。粒子トラップ構造として可能な別の例は、気体に対して多孔質であるが気体中の汚染粒子に対して不透過性であるスポンジ様材料である。適切なスポンジ様材料の例には、金属から構築されるスポンジ様材料が含まれる。スポンジ様材料の構築に使用される材料は、それが一部を形成する粒子トラップ構造が使用される雰囲気中で非反応性であることが望ましい。例えば、粒子トラップ構造（及びそれ故にスポンジ様材料）が水素雰囲気中で使用される場合、適切な非反応性金属にはアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）が含まれる。スポンジ様材料は、複数の空隙を画定する格子を含む。スポンジ様材料によって、気体がチャンバの内側からチャンバの外側へと間接経路に沿って流れることができるようにしてもよい。スポンジ様材料を通る気体の経路は間接的である。何故なら、気体が、スポンジ様材料中の一連の隣接する空隙を通して非直線の経路を移動するからである。

[000108] 上記実施形態の粒子トラップ構造内では、気体中の低速移動の汚染粒子が、粒子トラップ構造１５２を通る間接的な気体流路１４６を画定する壁に付着することが認識される。粒子トラップ構造１５２の間接的な気体流路１４６を画定する壁への汚染粒子の付着は、汚染粒子と壁部材との間のファンデルワールス力によって引き起こされることがある。幾つかの実施形態では、粒子トラップ構造１５２の間接的な気体流路１４６を画定する壁に汚染粒子が付着する能力を改善する物質で、粒子トラップ構造をコーティングすることが望ましいことがある。例えば、壁を接着剤などでコーティングしてもよい。また、幾つかの実施形態では、粒子トラップ構造は、粒子トラップ構造１５２の間接的な気体流路１４６を画定する壁への気体中の汚染粒子の付着を改善するように加熱することができる。

[000109] 上記実施形態内で、膜１４４は２つの別個の粒子トラップ構造１５２に隣接している。本発明によるリソグラフィ装置は、粒子トラップ構造を１つのみ備えるか、又は代替的に３つ以上を含んでもよいことが認識される。さらに、粒子トラップ構造は、膜から遠い位置に配置してもよい。

[000110] 別の実施形態では、スペクトル純度フィルタは、例えば遮断するよう意図された放射の波長より小さいピッチを有するグリッドを含んでもよい。例えば、グリッドは約５ミクロンのピッチを有してもよく、約１０ミクロンより大きい波長を有する赤外線放射を遮断するために使用してもよい。グリッドは、ハニカムグリッド形態を有するなどの、例えば六角形のセルから形成してもよい。六角形のセルを形成するリブは、例えば約５００ナノメートルの厚さでよい。グリッドは、例えば赤外線放射によって生成される相当の熱負荷に耐えることができ、高い放射率を有するタングステンなどの金属から形成してもよい。タングステングリッドの外面は、例えばＥＵＶリソグラフィ装置の構築中など、大気中にある場合にタングステン酸化物を形成するように酸化する。ＥＵＶリソグラフィ装置の動作時、タングステン酸化物は赤外線放射に曝露するとグリッドから蒸発する。タングステン酸化物の一部はＥＵＶリソグラフィ装置の光学面に蓄積し、その屈折率を低下させ、それにより基板への投影に使用可能なＥＵＶ放射の強度を低下させることがある。従来の洗浄技術は、光学面からタングステン酸化物を除去することができない。したがって、グリッドからのタングステン酸化物がＥＵＶリソグラフィ装置を汚染するのを防止することが望ましい。

[000111] シリセンは、タングステングリッドを酸化から保護する及び／又はグリッドからのタングステン酸化物のガス放出を防止するために使用してもよい。図１０は、スペクトル純度フィルタ７６がタングステングリッド７７（又は他の何らかの適切な金属から形成されたグリッド）、グリッドのいずれかの側に設けられているシリセン７９の層を含む実施形態を断面図で概略的に示す。シリセンは、いずれのタングステングリッド７７も露出しないように適用してもよい。シリセン層７９は酸素不透過性であり、したがってタングステングリッド７７の酸化を防止する。シリセン層７９は、例えばシリセンのシートとしてタングステングリッド７７に適用してもよい。これは、タングステングリッドが真空中にある場合（例えばタングステン酸化物の層がタングステングリッド上に存在しない場合）に実行してもよい。シリセン層７９が所定の位置に来ると、スペクトル純度フィルタ７６を大気に曝露してもよい。シリセン層７９はタングステングリッド７７の酸化を防止し、したがってタングステン酸化物の層がタングステングリッド上に蓄積するのを防止する。

[000112] シリセン層７９は、グリッドを含むセル（例えばハニカム構造の場合は六角形のセル）を封止してもよい。その結果、セル内の圧力がセルの外側の圧力とは大幅に異なることがある。例えば、セル内に真空があり、セルの外側は大気圧でもよい。シリセン層７９は、これらの圧力差から生じる力に耐えるほど十分に強力である（シリセンの単一原子層は、５ミクロンのピッチグリッドにわたって真空から大気圧への圧力差を保持することができる）。シリセン層７９は、図１０に概略的に示すように、圧力差の結果として内側に曲がることがある。

[000113] 図１１に概略的に示す代替実施形態では、シリセン層をタングステングリッドのいずれかの側に設けるのではなく、シリセンを使用してグリッドの個々のリブを囲む。スペクトル純度フィルタ７６はタングステン（又は他の何らかの適切な金属）から形成されたグリッド７７を備え、グリッドの各リブはシリセン８１に囲まれている。シリセン８１は、タングステングリッド７７のいずれも大気に曝露しないように適用され、したがってタングステングリッドの酸化を防止し、タングステン酸化物の層がタングステングリッドに蓄積するのを防止する。

[000114] 図１１に示す実施形態は、例えばシリセンフレークをグリッド７７上にスパッタリングすることによって作成してもよい。あるいは、シリセンのシートをグリッド７７の頂部に配置し、次にシリセンが分解してグリッドのリブに付着するように、空気を吹き付けて分解してもよい。

[000115] タングステングリッドのスペクトル純度フィルタは、有限の寿命を有する場合がある。有限の寿命の主な理由は、グリッドが高温である場合（これはリソグラフィ装置の動作中に生じる）、タングステン結晶粒が形成されるからである。タングステン結晶粒によりグリッドが脆弱になり、したがって最終的に破壊されることがある。

[000116] ある実施形態では、スペクトル純度フィルタのグリッドにおけるタングステン結晶粒の形成は、タングステン／シリセン多層構造としてグリッドを構築することによって防止又は低減してもよい。このような多層構造のシリセンは、大きいタングステン結晶粒の形成を防止するバリアとして作用する。シリセンは、タングステン融解温度などのタングステンの特性に重大な影響を及ぼさない。タングステン／シリセン多層構造を含むリブ７７から形成されたグリッドを備えるスペクトル純度フィルタ７６の一例が、図１２に概略的に示されている。リブの幅を超えるサイズを有することができないようにタングステン結晶粒の形成を制限するために、スペクトル純度フィルタのタングステン層の厚さを、リブ７７の幅より小さくしてもよい。例えば、リブは厚さ５００ナノメートルであってもよい。タングステン層は、厚さ１００ナノメートル以下であってもよく、厚さ５０ナノメートル以下であってもよい。シリセン層は、例えば厚さ１ナノメートル未満であってもよい。

[000117] シリセン及び他の何らかの適切な材料（例えばレニウムなどの他の何らかの適切な金属）を含む多層グリッド構造を使用して、スペクトル純度フィルタを形成してもよい。

[000118] ある実施形態では、多層構造を使用してスペクトル純度フィルタを形成する代わりに、シリセンとタングステンの混合物からグリッドを形成してもよい。これは、例えばシリセンをタングステンと混合し、次にシリセン及びタングステンを一緒に光学コンポーネント（例えばＥＵＶリソグラフィ装置の光学コンポーネント）にスパッタリングすることによって達成してもよい。シリセンとタングステンの混合物からスペクトル純度フィルタのグリッドを形成すると、タングステン結晶粒の形成を低減するのに役立てることができる。良好な耐熱性及び高い放射性などのタングステンの望ましい特性を維持するために、シリセンよりタングステンを多く使用することが望ましいことがある。タングステンに対するシリセンの割合は比較的低くすることができ、例えば５％以下、及び１％以下であってもよい。

[000119] シリセンと他の何らかの適切な材料（例えば他の何らかの適切な金属）との混合物を同等の方法で使用して、スペクトル純度フィルタを形成してもよい。

[000120] 幾つかの場合、タングステン結晶粒がグリッド７７から分離し、ＥＵＶリソグラフィ装置の汚染を引き起こすことがある。例えば図９及び／又は図１０に示すように、シリセンを使用してグリッド７７を覆うか、グリッドの構成部品を囲むことができる。その場合、シリセンは、タングステン結晶粒がＥＵＶリソグラフィ装置を汚染するのを防止するバリアとして作用してもよい。

[000121] ある実施形態では、シリセンの単層を複数生成し、上述した方法でそれを相互に押しつけることによって、シリセンの複数の層を得ることができる。その結果のシリセンの層を基板上に設けることができ、それをエッチングして除去し、シリセンの複数の層を含む構造を残すことができる。次に、シリセンの複数の層を支持構造に取り付けることができる。

[000122] 代替方法では、シリセンの層をＰＭＭＡ（例えば以上でさらに記載したような）などの基板上に設け、シリセン表面が相互に接触するように折り畳む（すなわちＰＭＭＡ／シリセン／シリセン／ＰＭＭＡの構造を形成する）ことができる。次に、ＰＭＭＡ層の１つをエッチングして除去し、次にこのプロセスを繰り返すことができる。すなわちＰＭＭＡ／シリセン／シリセン／シリセン／シリセン／ＰＭＭＡの構造を形成する。プロセスは、所望の数のシリセン層を得るのに十分な回数、繰り返すことができる。

[000123] 上述した多層ミラー５０はモリブデンとシリコンの交互の層を含むが、多層ミラーは任意の適切な材料から形成してもよい。

[000124] 以上ではシリセンに言及しているが、ＥＵＶリソグラフィ装置のミラー、スペクトル純度フィルタなどにシリセン誘導体を使用することができ、以上で提示した実施形態はすべて、シリセンの代わりに（又は例えば複数の層又はシートの場合はシリセンと組み合わせて）シリセン誘導体を使用して構築することも可能である。シリセン誘導体は、例えばＨ、ハロゲン又は遊離基で機能化したシリセン構造を含んでもよく、例えばケイ化水素、フッ化シリセン、臭化シリセン、塩化シリセン及びヨウ化シリセンなどがある。シリセン誘導体の機械的特性は、シリセンの機械的特性と同じ又は同様でよいが、化学的特性は異なることがある。

[000125] 様々な実施形態に関して以上で言及したシリセン及びその誘導体以外に、シリセン及び／又はシリセン誘導体の代わりにフラーレン及び／又はフラーレン誘導体も同じ目的に使用することができる。フラーレンは、炭素の（グラファイト及びダイアモンドに続く）３番目の同素形である。フラーレンは完全に炭素から形成された分子であり、分子は中空の球、楕円体、管、又は他の何らかの形状をとる。球形フラーレンは、五角形及び六角形の環を含むことがある。球形のフラーレンをＣ_６０と呼ぶことがあり、バックミンスターフラーレンと呼ぶこともできる。

[000126] このように、フラーレンは例えばＣ_６０フラーレンでよい、又は任意の他の形態のフラーレン、例えばＣ_７０、Ｃ_７２、Ｃ_７６、Ｃ_８４又はＣ_１００でよい。機能性を有するフラーレンを本明細書では、シリセン誘導体について上述したのと同様の方法でフラーレン誘導体と呼ぶ。フラーレン誘導体の例は、例えばＣ_６０Ｆ_１８、Ｃ_６０Ｆ_３６、Ｃ_６０Ｆ_４８、Ｃ_６０Ｃｌ_３０、Ｃ_６０Ｂｒ_２４＊２Ｂｒ_２、水素化フラーレン、又は−ＯＨ基などの遊離基を含むフラーレンである。

[000127] このように、フラーレン及び／又はその誘導体は、反射面を有するミラー又はレチクルのようなリフレクタ上に（キャップ）層を設けるために使用することもできる、又はレチクル用のペリクルを製造するために使用してもよい。フラーレン及び／又はその誘導体は、弱プラズマによって除去して、再付着させることができ、ミラー、センサ、又はレチクルなどの光学要素上のフラーレン系キャップ層は、洗浄戦略の一部として使用してもよい。

[000128] 図１３は、本発明のある実施形態によるマスクＭＡ（レチクルとも呼ぶことができる）を概略的に示す。マスクＭＡは、例えば図１及び図２に関して以上でさらに記載したようなリソグラフィ装置に使用してもよい。マスクＭＡは、ＥＵＶ放射（例えば５〜２０ナノメートルの範囲の放射）を反射するように構成された多層スタック９０を含む。多層スタック９０は、例えばモリブデンとシリコンの交互の層を含んでもよい。多層スタック９０は基板（図示せず）によって支持され、これは例えばクォーツから形成することができる。ルテニウムの層９１を多層スタック９０の頂部に設ける。ルテニウム層９１は、多層スタック９０を保護するキャップ層である。パターンがマスクＭＡに設けられ、パターンは、リソグラフィ装置の投影システムＰＳによって投影されると基板Ｗ上に所望のパターンを生じるように設計される（図１及び図２参照）。パターンは、ＥＵＶ放射吸収材料から形成される。これは、図１３にてＥＵＶ放射吸収材料９２の２つのブロックで概略的に表されている。

[000129] 従来のＤＵＶリソグラフィ装置では、マスクの隣にペリクルを設けることが普通である。ペリクルは、汚染粒子がマスクと接触するのを防止するバリアを形成することによって、マスクを保護する。ペリクル上で受ける汚染粒子は、リソグラフィ装置投影システムの焦点面（すなわちマスクが配置される面）から離れている。その結果、投影システムによってマスクから基板に投影されるパターンに及ぼす汚染粒子の影響は無視できる、又は影響がない。

[000130] ＥＵＶリソグラフィ装置では、ペリクルはＥＵＶ放射の有意の量を吸収し、それにより、リソグラフィ装置を使用して基板を露光するのに使用可能であるＥＵＶ放射の量が減少する。非常に薄く、したがってＥＵＶ放射の吸収が比較的少ないペリクルを作成する試みがなされてきた。しかし、このようなペリクルは非常に繊細であり、破損しやすい。この問題を回避するために、ペリクルを含まないＥＵＶリソグラフィ装置を使用してもよい。このような状況では、図１３に示すようなマスクＭＡを使用してもよい。

[000131] 図１３に示すマスクＭＡでは、マスクの外層を形成するように、フラーレンの層９３をマスク上に設ける。マスクＭＡに設けたフラーレン９３は、例えばＣ_６０でよい、又は他の何らかの形態のフラーレン（例えば長円体又は管）でよい。あるいは、フラーレン誘導体を使用して、マスクの外層を形成してもよい。

[000132] Ｃ_６０でキャップを施した表面は、ルテニウムから形成された表面よりも汚染粒子に対する接着力が低い。その結果、マスクＭＡのＣ_６０層９３に入射する汚染粒子がＣ_６０に接着する可能性は、汚染粒子がルテニウム層９１に入射する場合より有意に低い。したがって、汚染粒子がマスクＭＡに接着し、投影されるパターンにエラーを誘導する可能性が低下する。汚染粒子に対する接着力が低い他のフラーレン（Ｃ_６０以外）又はフラーレン誘導体も使用してもよい。これによってＥＵＶリソグラフィ装置がペリクルなしに動作することができ、それにより以上でさらに述べたペリクルを使用することから生じる欠点が回避される。

[000133] Ｃ_６０は中空であるので、良好なＥＵＶ透過性を有すると予想される（これはカーボンナノチューブ、すなわち異なる形態の中空の炭素系材料で観察されている）。したがって、マスクＭＡから反射するＥＵＶ放射に対するフラーレンの影響を低くすることができる。

[000134] Ｃ_６０表面に対する汚染粒子の接着力は下式のように表すことができる。
ここで、Ａ_Ｃ６０はＣ_６０のハーマーカ定数であり、Ａ_Ａｌはアルミニウム（汚染粒子となる可能性が高い材料）のハーマーカ定数であり、Ｒはアルミニウム粒子の半径であり（この例では５０ナノメートルと仮定される）、最も近いアプローチの距離である（この例では０．４ナノメートルと仮定される）。Ａ_Ｃ６０は１．８×１０^−２０Ｊと概算され、Ａ_Ａｌは３．３×１０^−１９Ｊと概算される。これによって１．６ｎＮという接着力Ｆ_ａが与えられる。

[000135] ルテニウム表面に対する汚染粒子の接着力は下式のように表すことができる。
ここで、Ａ_Ｒｕはルテニウムのハーマーカ定数であり、２×１０^−１９Ｊと概算される。これによって６．７ｎＮというＦ_ａの接着力が与えられる。したがって、アルミニウム粒子とルテニウムの間の接着力は、アルミニウム粒子とフラーレンの間の接着力のほぼ４倍であることが分かる。

[000136] 以上の値の概算に使用するデータは、Luengo他のDirect Measurement of the Adhesion and Friction of Smooth C60 Surfaces(Chem. Mater. 1997, 9, 1166-1171)に見ることができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[000137] フラーレン（又はフラーレン誘導体）層９３は、例えば厚さ１０ｎｍであってもよく、又はそれより厚くてもよい。厚さ１０ｎｍのフラーレン層９３は、ＥＵＶ放射の二重透過（すなわちフラーレン層９３を通ってマスクＭＡ上へ、及びフラーレン層を通って戻る透過）の場合、約８９％の透過率を提供してもよい。フラーレン層９３は、マスクＭＡの表面がフラーレンによって確実に完全に覆われる（すなわちフラーレンによるマスクの被覆にギャップ又はパッチがない）ように（製造可能性の観点から）十分に厚くしてもよい。

[000138] フラーレン層９３は、例えばクヌーセンセルを使用した蒸着（又は任意の他の適切な技術）を介してマスクＭＡ上に設けることができる。クヌーセンセルを使用したＣ_６０の蒸着は、Eom他のFabrication and Properties of Free-Standing C₆₀ Membranes(Science. Vol. 259 no. 5103 pp. 1887-1890)に記載されているように、均一性が良好なＣ_６０の層を生成することができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。

[000139] ある実施形態では、フラーレン又はフラーレン誘導体を使用してペリクルを形成することができ、これは例えばリソグラフィ装置に使用してもよい。リソグラフィ装置は、例えば図１及び図２に関して上述したように、ＥＵＶリソグラフィ装置であってもよい。ペリクルの形成方法は、図１４に概略的に図示されている。

[000140] 図１４ａを参照すると、基板１０２上にシリコンの層１０１が設けられている。シリコンの層は、例えば数ナノメートルの厚さであってもよい。例えばＳｉ_ｘＮ_ｘ（窒化シリコン）、Ｂ_４Ｃ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｚｒ又はダイアモンド様炭素（ＤＬＣ）などの任意の適切な材料の層を、シリコン層１０１の代わりに使用してもよい。

[000141] 図１４ｂを参照すると、シリコン層１０１の頂部にフラーレン層１０３が設けられている。フラーレン層１０３は、クヌーセンセルを使用した蒸着、又は任意の他の適切な技術（例えば析出）により形成してもよい。フラーレン層１０３は整列していてもよい。層１０３はフラーレン誘導体層でもよい。

[000142] 図１４ｃを参照すると、次にシリコン層１０４がフラーレン層１０３の頂部に設けられている。シリコン層は、任意の適切な技術、例えば蒸着又は析出を使用して形成してもよい。シリコン層は、数ナノメートルの厚さであってもよい。この場合も、例えばＳｉ_ｘＮ_ｘ（窒化シリコン）、Ｂ_４Ｃ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｚｒ又はダイアモンド様炭素（ＤＬＣ）などの任意の適切な材料の層をシリコン層１０４の代わりに使用してもよい。

[000143] 図１４ｄを参照すると、次に基板１０２がエッチングで除去される。これにより、フラーレン層１０３のいずれかの側に設けられた２つのシリコン層１０１、１０４を含むペリクル１０５が残る。フラーレン層１０３は、フラーレンの中空の性質により、十分に良好なＥＵＶ放射透過性を提供する。それと同時に、フラーレン層１０３はシリコン層１０１、１０４を支持する比較的強力な構造を提供する。シリコン層１０１、１０４は数ナノメートルの厚さを有するので、このような支持体がない状態で、リソグラフィ装置の動作中又はペリクルの移送又は取付中に破壊される可能性が非常に高くなる。

[000144] 上述したように、例えばＳｉ_ｘＮ_ｘ（窒化シリコン）、Ｂ_４Ｃ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｚｒ又はダイアモンド様炭素（ＤＬＣ）などの任意の適切な材料の層を、シリコン層１０１の代わりに使用してもよい。これらは、支持材料の層の例と見なすことができる。同様に、例えばＳｉ_ｘＮ_ｘ（窒化シリコン）、Ｂ_４Ｃ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｚｒ又はダイアモンド様炭素（ＤＬＣ）などの任意の適切な材料の層をシリコン層１０４の代わりに使用してもよい。この場合も、これらを支持構造の層の例と見なすことができる。

[000145] 図１４ｄに示すようなペリクルは、フラーレン（又はフラーレン誘導体）層を最初に基板上に直接形成する変形プロセスを使用して作成してもよい。その後、フラーレン層の頂部に第１のシリコン層（又は他の支持材料の層）を形成し、基板をエッチングして除去する。次に、以前に基板を配置したフラーレン層の側部に、第２のシリコン層（又は他の支持材料の層）を設ける。図１４ｄのペリクル１０５を製作する他の方法が、当業者には明白である。

[000146] ペリクル１０５は、支持構造（図示せず）内に保持してもよい。支持構造は、例えばペリクルの１つ以上の層を支持してもよい。支持構造は例えばフレームでよい。

[000147] ペリクル１０５の様々な層の厚さは、層を厚くするとペリクルの強度が向上するが、ＥＵＶ放射の透過率が低下することを考慮して選択してもよい。

[000148] 図１４ｄに示すペリクルはフラーレン層１０３のいずれかの側に支持材料の層を含むが、ペリクルは一方側にのみ支持材料の層を有することもできる。

[000149] ある実施形態では、支持構造の１つ以上の層を含まず、代わりにフラーレンの懸濁層から形成されたペリクルを構築してもよい。図１４ｄを参照すると、この場合のペリクルは支持層１０１、１０４がないフラーレン層１０３を含む。フラーレンの懸濁層の製作は、例えばFabrication and Properties of Free-Standing C₆₀ Membranesに記載され、これは以上でさらに参照している。

[000150] T. Tsuchiya他のFabrication of Free-Standing Fullerene Nanowire Using Direct Electron Beam Writing and Sacrificial Dry Etching(MEMS 2008, Tucson, AZ, USA, January 13-17, 2008)（参照により本明細書に組み込まれる）で、電子又は陽子を照射することによってＣ_６０を重合できることが示されている。すなわち、電子又は陽子をＣ_６０分子に照射すると、Ｃ_６０分子を相互に共有結合させることができる。したがって、Ｃ_６０の懸濁層から作成したペリクルの強度は、Ｃ_６０分子が重合するように電子又は陽子をＣ_６０に照射することによって向上させることができる。Ｃ_６０（又はフラーレンの他の形態）の重合を、本発明の他の実施形態と組み合わせて使用してもよい。

[000151] ある実施形態では、ペリクルは、フラーレンの層が設けられたいずれかの側にシリコン（又は他の支持材料）の層を含んでもよい。フラーレンの層は、例えば数ナノメートルの厚さとするか、又はそれより厚くしてもよい。フラーレンは、例えばＣ_６０でよい。

[000152] 図１３に概略的に示すようにフラーレンの層９３を設けたマスクＭＡは、ある実施形態による方法を使用して洗浄してもよい。高線量の水素基に曝露すると、Eremtchenko他のSurface Reaction of C₆₀ with Atomic Hydrogen: Formation of a Protecting Hydrocarbon Layer(Fullerenes, Nanotubes, and Carbon Nanostructures, 13: 131-138, 2005)に記載されたようにフラーレンが破壊されることが知られており、これは参照により本明細書に組み込まれる。１つ以上の汚染粒子がマスクＭＡ上のフラーレン層９３に付着している状況では、フラーレン層９３の少なくとも一部が破壊されるように水素基をマスクに向かって誘導することによって、マスクを洗浄してもよい。汚染粒子はフラーレン層９３に付着しているので、フラーレン層が破壊されると汚染粒子が放出される。マスクＭＡは、図１３に示すような方向を有することができ（すなわちフラーレン層が下向き）、その結果、放出された汚染粒子は重力によりマスクから落下する。したがって、汚染粒子をマスクＭＡから除去することができる。その後、マスクＭＡを再使用することができる。

[000153] その物質がマスクＭＡのパターン付表面も破壊しなければ、任意の適切なフラーレンエッチング物質を使用して、フラーレン９３を破壊してもよい。例えば、ＣＦ４プラズマ、Ａｒプラズマ又は弱水素プラズマを使用することができる。トルエン／ヘキサン溶液（例えば１：６）を使用することができる。層９３がフラーレン誘導体を含む場合、対応するエッチング物質を使用して上記誘導体を破壊してもよい。

[000154] マスクを再使用する前に、フラーレン層を補修又は交換してもよい。補修の場合、残りのフラーレンを、新しいフラーレンが設けられる開始点として使用してもよい。交換の場合、弱プラズマエッチングを使用して、マスクからフラーレンをすべて除去することができ、その後に新しいフラーレン層をマスク上に設けることができる。

[000155] マスクは、例えばチャンバ内で洗浄してもよい。チャンバはリソグラフィ装置の一部を形成するか、又はリソグラフィ装置から独立していてもよい。

[000156] ある実施形態では、リソグラフィ装置のミラーにフラーレン及び／又はフラーレン誘導体層を設けることができる。ミラーは、例えばルテニウム層、ルテニウム層の頂部に設けられたフラーレンの層を有する多層スタックを含んでもよい。フラーレンの層は、スズなどの燃料がルテニウムと接触して、ルテニウムに誘発された膨れ又は他の望ましくない効果を引き起こすことを防止するという利点を提供してもよい。フラーレンはまた、ルテニウム酸化に対するバリアとして作用してもよい。これらの利点は、フラーレン（例えば図１３に示すような）に覆われたマスクＭＡ、又はリソグラフィ装置の動作中にＥＵＶ放射ビームを受ける他の表面にも当てはまる。

[000157] 以上でさらに言及したSurface Reaction of C₆₀ with Atomic Hydrogen: Formation of a Protecting Hydrocarbon Layerに説明されているように、高線量の水素基でＣ_６０の球形ケージは破壊されるが、炭化水素層は残る。この炭化水素層は、炭化水素層の下にあるＣ_６０層を保護してもよい。この方法で形成された炭化水素層は、例えばミラー、マスク、ペリクル、又はリソグラフィ装置の動作中にＥＵＶ放射ビームを受ける他の表面を有利に保護してもよい。

[000158] 上にフラーレン層を設けたミラーは、リソグラフィ装置の投影システムＰＳ又は照明システムＩＬ内にあってよい。フラーレン層は複数のミラーに設けることができる。フラーレン層は、リソグラフィ装置内の任意の適切な反射面に設けることができる。これには、例えばリソグラフィ装置の放射源コレクタ装置ＳＯのコレクタ又は他の反射光学系が含まれる。

[000159] フラーレン層は、ミラー、マスク、レチクル、又はリソグラフィ装置の動作中にＥＵＶ放射ビームを受ける他の表面のキャップ層として設けることができる。フラーレン層は、例えばＣ_６０であってもよく、例えば水素種により生じ得るミラー、マスク又はペリクルの損傷を防止してもよい。

[000160] ある実施形態では、スペクトル純度フィルタは、第１の波長の放射（例えば赤外線放射）を遮断するかその強度を低下させる第１のフィルタ、及び第２の波長の放射（例えばＤＵＶ放射）を遮断するかその強度を低下させる第２のフィルタを含んでもよい。第１のフィルタは、例えばタングステン（又は他の適切な材料）から形成したハニカムグリッドであってもよく、グリッドはＥＵＶ放射を透過するが赤外線放射を遮断する寸法を有する。第２のフィルタは、例えばフラーレン（例えばＣ_６０）の層であってもよい。Ｃ_６０はＤＵＶ放射を効率的に吸収する（データは、以上でさらに言及したFabrication and Properties of Free-Standing C₆₀ Membranesの図２に提供されている）。２０ｎｍのＣ_６０層の場合、ＤＵＶ（例えば２００〜４００ｎｍ）の透過率は５６％と概算することができ、ＥＵＶの透過率は８９％と概算することができる。したがって、フラーレンは、ＤＵＶ放射の強度を低下させるフィルタとして使用してもよい。フラーレン層は、使用中に放射源に面していないハニカムグリッド（又は他の赤外線フィルタ）の面に設け、それによりフラーレン層への赤外線照射の強度を低下させるか、なくすことができる。

[000161] 上記実施形態の幾つかでは、Ｃ_６０フラーレンに言及してきた。しかし、実施形態のいずれでも任意の適切な形態のフラーレンを使用してもよい。これには例えば中空球体、長円体、管、又は他の形態のフラーレンが含まれ、例えばＣ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７２、Ｃ_７６、Ｃ_８４又はＣ_１００、又は他の何らかの形態のフラーレン又はフラーレン誘導体が含まれる。

[000162] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[000163] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[000164] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。

[000165] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲又は条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
条項
１．シリセン又はシリセン誘導体から形成されたキャップ層を設けた反射面又は構造を含むリフレクタ。
２．前記反射構造が多層スタックである、条項１に記載のリフレクタ。
３．前記反射面が金属である、条項１に記載のリフレクタ。
４．前記キャップ層が、シリセン又はシリセン誘導体の単層である、条項１〜３のいずれかに記載のリフレクタ。
５．前記シリセンキャップ層が、シリセン又はシリセン誘導体の複数の層、又はシリセン又はシリセン誘導体のフレークを含む、条項１〜３のいずれかに記載のリフレクタ。
６．シリセン又はシリセン誘導体を含むペリクル。
７．１つ以上の前記ペリクルの層を支持する支持材料又は支持構造の１つ以上の層をさらに含む、条項６に記載のペリクル。
８．前記シリセン又はシリセン誘導体が、シリセンの複数の層又はフレークを含む、条項６又は条項７に記載のペリクル。
９．支持構造によって保持されたシリセン又はシリセン誘導体を含む膜。
１０．シリセン又はシリセン誘導体を含むスペクトル純度フィルタ。
１１．シリセンを含む反射面又は構造を含むリフレクタ。
１２．条項１に記載の前記リフレクタ、又は条項６に記載の前記ペリクル、又は条項９に記載の前記膜、又は条項１０に記載の前記スペクトル純度フィルタ、又は条項１１に記載の前記リフレクタのうち１つ以上を備える装置。
１３．前記装置が、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
をさらに備える、条項１２に記載の装置。
１４．リフレクタにキャップ層を適用する方法であって、材料上にシリセンの層を形成するステップと、シリセン又はシリセン誘導体の前記層を前記リフレクタの表面に押しつけるステップと、次に前記シリセン又はシリセン誘導体が前記リフレクタ上にキャップ層を形成するように前記材料をエッチングして除去するステップと、を含む方法。
１５．シリセン又はシリセン誘導体膜を作成する方法であって、シリセン又はシリセン誘導体の層を材料上で形成するステップと、材料上で別のシリセンの層を形成するステップと、前記シリセンの層を相互に押しつけるステップと、次に前記相互に押しつけたシリセン又はシリセン誘導体の層を支持構造に取り付けるステップと、を含む方法。
１６．前記相互に押しつけたシリセン又はシリセン誘導体の層を前記支持構造に取り付ける前に、シリセン又はシリセン誘導体の１つ以上の追加の層を前記シリセン又はシリセン誘導体の層に押しつける、条項１５に記載の方法。
１７．リフレクタにキャップ層を適用する方法であって、シリセン又はシリセン誘導体のフレークを形成するステップと、前記シリセン又はシリセン誘導体のフレークを溶液中に配置するステップと、前記リフレクタを前記溶液中に配置するステップと、前記リフレクタ上に前記シリセン又はシリセン誘導体のキャップ層を形成するために前記シリセン又はシリセン誘導体のフレークを前記リフレクタに引きつけるステップと、を含む方法。
１８．リソグラフィ装置であって、
放射ビームを生成するように構成された放射源と、
前記放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
前記放射源と前記支持体の間に配置され、前記放射ビームを反射するように構成された少なくとも１つの光学コンポーネントを含み、前記放射源からの放射が通過できるように構成されたチャンバと、
前記チャンバの一部を画定し、シリセン、又はシリセン誘導体から形成され、前記放射ビームが通過できて、汚染粒子の通過を防止するように構成された膜と、
気体が間接経路に沿って前記チャンバの内側から前記チャンバの外側へと流れることが可能なように構成された粒子トラップ構造であって、前記粒子トラップ構造の前記間接経路が、前記チャンバの内側から前記チャンバの外側への汚染粒子の通過を実質的に防止するように構成された粒子トラップ構造と、
を備えるリソグラフィ装置。
１９．前記膜及び粒子トラップ構造が、前記リソグラフィデバイスの放射源コレクタモジュール又は照明システムの一部である、条項１８に記載のリソグラフィ装置。
２０．リソグラフィ装置であって、放射ビームを生成するように構成された放射源と、前記放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、を備え、前記支持体に、シリセン又はシリセン誘導体の層を含むペリクルを設けたリソグラフィ装置。
２１．第１の材料及び第２の材料の交互の層を含む多層ミラーであって、前記交互の層の間にシリセン又はシリセン誘導体が設けられる多層ミラー。
２２．赤外線放射の通過を防止又は減少させるように構成されたグリッドを含むスペクトル純度フィルタであって、前記グリッドが、前記グリッドへの酸素の通過を防止するシリセン又はシリセン誘導体で覆われるスペクトル純度フィルタ。
２３．フラーレンの層を設けたパターン付反射面又は構造を含むリソグラフィマスク。
２４．フラーレンの層を備えるペリクル。
２５．支持材料の１つ以上の層をさらに含む、条項２４に記載のペリクル。
２６．前記ペリクルが、前記ペリクルの１つ以上の層を支持する支持構造をさらに含む、条項２４又は条項２５に記載のペリクル。
２７．フラーレンの層を含む反射面又は構造を含むリフレクタ。
２８．前記リフレクタが、多層スタックをさらに含む、条項２７に記載のリフレクタ。
２９．フラーレンの層を備えるスペクトル純度フィルタ。
３０．第１の波長の放射を遮断するかその強度を低下させる第１のフィルタと、第２の波長の放射を遮断するかその強度を低下させる第２のフィルタとを備え、前記第２のフィルタがフラーレンの層を含むスペクトル純度フィルタ。
３１．前記第１の波長が赤外線波長であり、前記第２の波長がＤＵＶ波長である、条項２９又は３０に記載のスペクトル純度フィルタ。
３２．条項２３に記載のリソグラフィマスクを保持する支持体、又は条項２４に記載の前記ペリクル、又は条項２７に記載の前記リフレクタ、又は条項２９又は３０に記載の前記スペクトル純度フィルタのうち１つ以上を備える装置。
３３．汚染粒子が付着することがあるフラーレンの層を含むマスクから汚染物を除去する方法であって、前記汚染粒子が前記フラーレン層から放出されるように、前記フラーレンの少なくとも一部を破壊するためにフラーレンエッチング物質を使用するステップを含む方法。
３４．前記マスク上の前記フラーレン層を交換又は補修するステップをさらに含む、条項３３に記載の方法。
３５．層を設けた反射面又は構造を含むリフレクタであって、前記層がシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むリフレクタ。
３６．前記層が単層である、条項３５に記載のリフレクタ。
３７．前記層が複数の層を含み、前記複数の層のうち少なくとも１つの層がシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む、条項３５又は３６に記載のリフレクタ。
３８．前記層がキャップ層である、条項３５〜３７のいずれかに記載のリフレクタ。
３９．前記リフレクタが第１の材料と第２の材料の交互の層を含む多層ミラーであって、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層が、前記交互の層のうち少なくとも２つの間に設けられる、条項３５〜３８のいずれか１項に記載のリフレクタ。
４０．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む反射面又は構造を含むリフレクタ。
４１．前記反射構造が多層スタックである、条項３５〜４０のいずれかに記載のリフレクタ。
４２．前記反射面が金属である、条項３５〜４１のいずれか１項に記載のリフレクタ。
４３．リフレクタにキャップ層を適用する方法であって、
シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層を材料上に形成するステップと、
前記層を前記リフレクタの表面に押しつけるステップと、
次にシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むキャップ層が前記リフレクタ上に形成されるように、前記材料をエッチングで除去するステップとを含む方法。
４４．リフレクタにキャップ層を適用する方法であって、
シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むフレークを形成するステップと、
前記フレークを溶液中に配置するステップと、
前記リフレクタを溶液中に配置するステップと、
前記リフレクタ上に前記キャップ層を形成するために前記フレークを前記リフレクタに引きつけるステップと、
を含む方法。
４５．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むリソグラフィマスクのペリクル。
４６．前記ペリクルが複数の層又はフレークを含む、条項４５に記載のペリクル。
４７．前記ペリクルの１つ以上の層を支持する支持材料又は支持構造の１つ以上の層をさらに含む、条項４５又は４６に記載のペリクル。
４８．放射ビームを生成するように構成された放射源と、前記放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを備え、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むペリクルが前記支持体に結合される装置。
４９．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層又はペリクルを設けたパターン付反射面又は構造を含むリソグラフィマスク。
５０．シリセン、シリセン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される材料の層で、汚染粒子が付着することがある層を含むリソグラフィマスクから汚染物を除去する方法であって、前記汚染粒子が前記層から放出されるように、前記材料の少なくとも一部を破壊するために材料エッチング物質を使用するステップを含む方法。
５１．前記マスク上の前記材料の層を交換又は補修するステップをさらに含む、条項５０に記載の方法。
５２．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含み、支持構造によって保持されたデブリ軽減の膜。
５３．リソグラフィ装置であって、
放射ビームを生成するように構成された放射源と、
前記放射ビームにパターンを与えてパターン付放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
前記放射源と前記支持体の間に配置され、前記放射ビームを反射するように構成された少なくとも１つの光学コンポーネントを含み、前記放射源からの放射が通過できるように構成されたチャンバと、
前記チャンバの一部を画定し、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含み、前記放射ビームが通過できて、汚染粒子の通過を防止するように構成された膜と、
気体が間接経路に沿って前記チャンバの内側から前記チャンバの外側へと流れることが可能なように構成された粒子トラップ構造であって、前記粒子トラップ構造の前記間接経路が、前記チャンバの内側から前記チャンバの外側への汚染粒子の通過を実質的に防止するように構成された粒子トラップ構造と、
を備えるリソグラフィ装置。
５４．前記膜及び粒子トラップ構造が、前記リソグラフィデバイスの放射源コレクタモジュール又は照明システムの一部である、条項５３に記載のリソグラフィ装置。
５５．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む膜を作成する方法であって、
シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層を材料上に形成するステップと、
シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む別の層を別の材料上に形成するステップと、
前記層を相互に押しつけるステップと、
次に前記相互に押しつけた層を支持構造に取り付けるステップと、
を含む方法。
５６．前記相互に押しつけた層を前記支持構造に取り付ける前に、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む１つ以上の追加の層を前記層に押しつける、条項５５に記載の方法。
５７．シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む、放射を除去するスペクトル純度フィルタ。
５８．赤外線放射の通過を防止又は低減するように構成されたグリッドを備え、前記グリッドが、シリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質で覆われる、条項５７に記載のスペクトル純度フィルタ。
５９．第１の波長の放射を遮断するかその強度を低下させる第１のフィルタ、及び第２の波長の放射を遮断するかその強度を低下させる第２のフィルタを備え、前記第２のフィルタがシリセン、又はシリセン誘導体、又はフラーレン、又はフラーレン誘導体、又はそれらの組合せの層を含む、条項５７又は５８に記載のスペクトル純度フィルタ。
６０．前記第１の波長が赤外線波長であり、前記第２の波長がＤＵＶ波長である、条項５９に記載のスペクトル純度フィルタ。
６１．条項３５に記載の前記リフレクタ、又は条項４５に記載の前記ペリクル、又は条項４９に記載の前記リソグラフィマスクを保持する支持体、又は条項５２に記載の前記膜、又は条項５７に記載の前記スペクトル純度フィルタのうち１つ以上を備える装置。
６２．前記装置が、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システム、
のうち１つ以上をさらに備える、条項６１に記載の装置。

Claims (15)

1. 層を設けた反射面又は構造を含むリフレクタであって、前記層がシリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むリフレクタ。
2. 前記層が単層である、請求項１に記載のリフレクタ。
3. 前記層が複数の層を含み、前記複数の層のうち少なくとも１つの層がシリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む、請求項１又は２に記載のリフレクタ。
4. 前記層がキャップ層である、請求項１〜３のいずれかに記載のリフレクタ。
5. 前記リフレクタが第１の材料と第２の材料の交互の層を含む多層ミラーであって、シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層が、前記交互の層のうち少なくとも２つの間に設けられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリフレクタ。
6. シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む反射面又は構造を含むリフレクタ。
7. 前記反射構造が多層スタックである、請求項１〜６のいずれかに記載のリフレクタ。
8. 前記反射面が金属である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のリフレクタ。
9. シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含むリソグラフィマスクのペリクル。
10. 前記ペリクルが複数の層又はフレークを含む、請求項９に記載のペリクル。
11. シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む層又はペリクルを設けたパターン付反射面又は構造を含むリソグラフィマスク。
12. シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含み、支持構造によって保持されたデブリ軽減の膜。
13. シリセン、又はシリセン誘導体、又はそれらの組合せから選択される物質を含む、放射を除去するスペクトル純度フィルタ。
14. 前記第１の波長が赤外線波長であり、前記第２の波長がＤＵＶ波長である、請求項１３に記載のスペクトル純度フィルタ。
15. 請求項１に記載の前記リフレクタ、又は請求項９に記載の前記ペリクル、又は請求項１１に記載の前記リソグラフィマスクを保持する支持体、又は請求項１２に記載の前記膜、又は請求項１３に記載の前記スペクトル純度フィルタのうち１つ以上を備える装置。