JP6267984B2

JP6267984B2 - Electrospray equipment

Info

Publication number: JP6267984B2
Application number: JP2014024143A
Authority: JP
Inventors: 清人山本; 信也泉田
Original assignee: Toray Engineering Co Ltd
Current assignee: Toray Engineering Co Ltd
Priority date: 2014-02-12
Filing date: 2014-02-12
Publication date: 2018-01-24
Anticipated expiration: 2034-02-12
Also published as: JP2015150470A; WO2015122394A1

Description

この発明は、エレクトロスプレー装置に関し、特に、溶液材料に電圧を印加した状態で噴霧するノズルを備えるエレクトロスプレー装置に関する。 The present invention relates to an electrospray apparatus, and more particularly, to an electrospray apparatus including a nozzle that sprays a solution material while applying a voltage.

従来、溶液材料に電圧を印加した状態で噴霧するノズルを備えるエレクトロスプレー装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, an electrospray apparatus including a nozzle that sprays a solution material with a voltage applied is known (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献１には、溶液材料に電圧を印加した状態（溶液材料が帯電した状態）で噴霧するノズルと、ノズルから噴霧された溶液材料が堆積されて薄膜が形成される基板と、ノズルと基板との間に設けられるマスクとを備えるエレクトロスプレー装置が開示されている。このエレクトロスプレー装置では、基板のノズルと反対側の表面近傍に局所電極が設けられている。そして、溶液材料に印加される電圧と局所電極との間の電位差（電界）により、ノズルから基板に溶液材料が飛行することによって、基板に溶液材料が薄膜として堆積される。 In Patent Document 1, a nozzle that sprays a solution material in a state where a voltage is applied (a state in which the solution material is charged), a substrate on which a thin film is formed by depositing the solution material sprayed from the nozzle, a nozzle, An electrospray apparatus including a mask provided between the substrate and the substrate is disclosed. In this electrospray apparatus, a local electrode is provided near the surface of the substrate opposite to the nozzle. Then, due to the potential difference (electric field) between the voltage applied to the solution material and the local electrode, the solution material flies from the nozzle to the substrate, so that the solution material is deposited as a thin film on the substrate.

特開２０１１−１７５９２１号公報JP 2011-175922 A

しかしながら、上記特許文献１に記載のエレクトロスプレー装置では、溶液材料に印加される電圧（ノズル側の電圧）に起因して、基板のノズル側の表面が帯電する場合があるという不都合がある。この場合、成膜前に予め基板に設けられる半導体素子などが、基板のノズル側の表面に帯電する電荷によって破損する場合があるという問題点がある。 However, the electrospray device described in Patent Document 1 has a disadvantage that the surface on the nozzle side of the substrate may be charged due to the voltage (nozzle side voltage) applied to the solution material. In this case, there is a problem that a semiconductor element or the like that is provided in advance on the substrate before film formation may be damaged by the charge charged on the surface of the substrate on the nozzle side.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、基板のノズル側の表面に帯電する電荷に起因して、基板に設けられる素子などが破壊されるのを抑制することが可能なエレクトロスプレー装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to provide an element or the like provided on the substrate due to the charge charged on the nozzle side surface of the substrate. An electrospray apparatus capable of suppressing destruction is provided.

上記目的を達成するために、この発明の一の局面によるエレクトロスプレー装置は、ノズルから噴霧された溶液材料を、基板に薄膜として堆積するエレクトロスプレー装置であって、溶液材料に電圧を印加した状態で噴霧するノズルと、基板のノズル側の表面に接触するように設けられる第１導電体と、薄膜の形成時に基板のノズルとは反対側に配置され、ノズルとの間に電位差を形成するためのプレート部材とを備え、第１導電体を介して、基板のノズル側の表面を、接地するように構成されており、ノズルと基板との間の基板の近傍に配置され、所定の開口パターンを有する開口部を含む絶縁性のマスクをさらに備え、少なくともノズルから基板に溶液材料が噴霧されている際において、第１導電体は、マスクの基板側の表面と基板とに接触するように構成されている。 In order to achieve the above object, an electrospray apparatus according to one aspect of the present invention is an electrospray apparatus that deposits a solution material sprayed from a nozzle as a thin film on a substrate, in which a voltage is applied to the solution material. In order to form a potential difference between the nozzle to be sprayed on the substrate, the first conductor provided so as to be in contact with the surface of the substrate on the nozzle side, and the nozzle on the substrate when the thin film is formed. The plate member is configured to ground the nozzle side surface of the substrate via the first conductor, and is disposed in the vicinity of the substrate between the nozzle and the substrate, and has a predetermined opening pattern. An insulating mask including an opening having an opening, and at least when the solution material is sprayed from the nozzle onto the substrate, the first conductor is applied to the substrate-side surface of the mask and the substrate. It is configured to touch.

この一の局面によるエレクトロスプレー装置では、上記のように、第１導電体を介して、基板のノズル側の表面を、接地することによって、基板のノズル側の表面に電荷が帯電することを抑制することができるので、基板のノズル側の表面に帯電する電荷に起因して、基板に設けられる素子などが破壊されるのを抑制することができる。 In the electrospray apparatus according to this aspect, as described above, the surface of the nozzle side of the substrate is grounded via the first conductor, thereby suppressing the charge on the surface of the nozzle side of the substrate. Therefore, it is possible to suppress destruction of elements and the like provided on the substrate due to the electric charge charged on the nozzle side surface of the substrate.

また、薄膜の形成時に基板のノズルとは反対側に配置され、ノズルとの間に電位差を形成するためのプレート部材を設けることによって、ノズルとプレート部材との間の電位差（電界）によってノズルからプレート部材に向かって溶液材料（液滴）を飛行（飛翔）させることができる。これにより、ノズルとプレート部材との間に配置される基板に溶液材料（液滴）を堆積することができる。 Further, when a thin film is formed, the plate member is disposed on the side opposite to the nozzle of the substrate, and a potential difference (electric field) between the nozzle and the plate member is provided by the plate member for forming a potential difference between the nozzle and the nozzle. The solution material (droplet) can fly (fly) toward the plate member. Thereby, a solution material (droplet) can be deposited on the substrate disposed between the nozzle and the plate member.

上記一の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、第１導電体は、マスクの基板側の表面に取り付けられている。このように構成すれば、マスクとともに第１導電体を移動させて第１導電体を基板のノズル側の表面に接触させることができるので、マスクおよび第１導電体を個別に移動させる移動機構を設ける場合と異なり、エレクトロスプレー装置の構成を簡略化することができる。また、第１導電体を、マスクの基板側の表面に取り付けることによって、マスクおよび第１導電体を移動させる工程を同一の工程で行うことができるので、第１導電体を設けたとしても、基板への薄膜の堆積プロセスにおける工程数が増加するのを抑制することができる。 In the electrospray apparatus according to the aforementioned aspect , the first conductor is preferably attached to the surface of the mask on the substrate side. If comprised in this way, since a 1st conductor can be moved with a mask and a 1st conductor can be made to contact the surface by the side of the nozzle of a board | substrate, the moving mechanism which moves a mask and a 1st conductor separately is provided. Unlike the case where it is provided, the configuration of the electrospray apparatus can be simplified. Moreover, since the process of moving the mask and the first conductor can be performed in the same process by attaching the first conductor to the surface of the mask on the substrate side, even if the first conductor is provided, An increase in the number of steps in the thin film deposition process on the substrate can be suppressed.

上記一の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、基板は、絶縁性基板からなるとともに、基板のノズル側の表面には、第１導電体とは異なる第２導電体が設けられており、第２導電体と第１導電体とを介して、基板のノズル側の表面を、接地するように構成されている。このように構成すれば、第１導電体を第２導電体に接触させるだけで、容易に、絶縁性の基板のノズル側の表面を、接地することができる。

In the electrospray apparatus according to the above aspect, the substrate is preferably made of an insulating substrate , and a second conductor different from the first conductor is provided on the nozzle side surface of the substrate. The surface on the nozzle side of the substrate is configured to be grounded via the two conductors and the first conductor. If comprised in this way, the surface by the side of the nozzle of an insulating board | substrate can be easily earth | grounded only by making a 1st conductor contact a 2nd conductor.

この場合、好ましくは、基板は、半導体素子が表面に形成される半導体素子基板からなり、第２導電体は、半導体素子に電気的に接続されている端子を含む。このように構成すれば、第１導電体を端子に接触させることにより、半導体素子が第１導電体を介して接地されるので、基板のノズル側の表面に帯電する電荷に起因して半導体素子が破壊されるのを容易に抑制することができる。 In this case, preferably, the substrate is formed of a semiconductor element substrate on which a semiconductor element is formed, and the second conductor includes a terminal electrically connected to the semiconductor element. According to this structure, the semiconductor element is grounded through the first conductor by bringing the first conductor into contact with the terminal. Therefore, the semiconductor element is caused by the electric charge charged on the nozzle side surface of the substrate. Can be easily suppressed.

上記一の局面によるエレクトロスプレー装置において、好ましくは、第１導電体は、平面視において、基板のノズル側の表面の薄膜の塗布領域の外側に設けられている。このように構成すれば、接地のための第１導電体を設けたとしても、薄膜の形成時に、第１導電体が溶液材料の飛行の妨げになるのを抑制することができる。 In the electrospray apparatus according to the above aspect, the first conductor is preferably provided outside the thin film application region on the nozzle side surface of the substrate in plan view. If comprised in this way, even if it provides the 1st conductor for earthing | grounding, it can suppress that a 1st conductor becomes the obstruction of the flight of a solution material at the time of formation of a thin film.

本発明によれば、上記のように、基板のノズル側の表面に帯電する電荷に起因して、基板に設けられる素子などが破壊されるのを抑制することができる。 According to the present invention, as described above, it is possible to suppress destruction of elements and the like provided on the substrate due to the charge charged on the surface of the substrate on the nozzle side.

本発明の一実施形態によるエレクトロスプレー装置の概略の構成を示す全体図である。1 is an overall view showing a schematic configuration of an electrospray apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態によるエレクトロスプレー装置により溶液材料が噴霧される基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate with which solution material is sprayed by the electrospray apparatus by one Embodiment of this invention. 図３の基板に設けられる薄膜トランジスタの断面図である。It is sectional drawing of the thin-film transistor provided in the board | substrate of FIG. 本発明の一実施形態によるエレクトロスプレー装置のマスクの平面図である。It is a top view of the mask of the electrospray apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるエレクトロスプレー装置のマスクと基板とを重ねた状態を示す図である。It is a figure which shows the state which accumulated the mask and board | substrate of the electrospray apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の第１変形例によるエレクトロスプレー装置のマスクの平面図である。It is a top view of the mask of the electrospray apparatus by the 1st modification of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の第２変形例によるエレクトロスプレー装置のマスクの平面図である。It is a top view of the mask of the electrospray apparatus by the 2nd modification of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の第３変形例によるエレクトロスプレー装置のマスクの平面図である。It is a top view of the mask of the electrospray apparatus by the 3rd modification of one Embodiment of this invention.

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Embodiments of the invention will be described below with reference to the drawings.

図１〜図５を参照して、本実施形態によるエレクトロスプレー装置１００の構成について説明する。 With reference to FIGS. 1-5, the structure of the electrospray apparatus 100 by this embodiment is demonstrated.

図１に示すように、エレクトロスプレー装置１００は、ノズル１と、シリンジポンプ２と、アースプレート３と、マスク４と、昇降ユニット５とを備えている。また、アースプレート３とマスク４との間には、基板２００が配置されている。なお、アースプレート３は、本発明の「プレート部材」の一例である。 As shown in FIG. 1, the electrospray apparatus 100 includes a nozzle 1, a syringe pump 2, a ground plate 3, a mask 4, and an elevating unit 5. A substrate 200 is disposed between the earth plate 3 and the mask 4. The earth plate 3 is an example of the “plate member” in the present invention.

図２に示すように、本実施形態では、基板２００は、ガラスなどの絶縁性基板からなる。また、基板２００は、薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）２０１が形成されている半導体素子基板からなる。また、薄膜トランジスタ２０１は、基板２００のマスク４側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）にマトリクス状に設けられている。なお、薄膜トランジスタ２０１は、本発明の「半導体素子」の一例である。 As shown in FIG. 2, in this embodiment, the substrate 200 is made of an insulating substrate such as glass. The substrate 200 is made of a semiconductor element substrate on which a thin film transistor (TFT) 201 is formed. The thin film transistors 201 are provided in a matrix on the surface 200a (the surface on the Z2 direction side) of the substrate 200 on the mask 4 side. The thin film transistor 201 is an example of the “semiconductor element” in the present invention.

図３に示すように、薄膜トランジスタ２０１は、ゲート電極２０２と、ゲート絶縁膜２０３と、非晶質シリコン層２０４と、ソース電極２０５と、ドレイン電極２０６と、保護膜２０７と、透明電極２０８とを含む。ゲート電極２０２は、基板２００の表面２００ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜２０３は、ゲート電極２０２を覆うように、基板２００の表面２００ａ上に設けられている。非晶質シリコン層２０４は、ゲート絶縁膜２０３を介してゲート電極２０２と対向するように、ゲート絶縁膜２０３の表面上に設けられている。ソース電極２０５およびドレイン電極２０６は、非晶質シリコン層２０４の一方側（ソース側）および他方側（ドレイン側）にそれぞれ接続されている。また、透明電極２０８は、ドレイン電極２０６に接続されている。また、保護膜２０７は、ソース電極２０５、ドレイン電極２０６および非晶質シリコン層２０４を覆うように、基板２００上に設けられている。 As shown in FIG. 3, the thin film transistor 201 includes a gate electrode 202, a gate insulating film 203, an amorphous silicon layer 204, a source electrode 205, a drain electrode 206, a protective film 207, and a transparent electrode 208. Including. The gate electrode 202 is provided on the surface 200 a of the substrate 200. The gate insulating film 203 is provided on the surface 200 a of the substrate 200 so as to cover the gate electrode 202. The amorphous silicon layer 204 is provided on the surface of the gate insulating film 203 so as to face the gate electrode 202 with the gate insulating film 203 interposed therebetween. The source electrode 205 and the drain electrode 206 are connected to one side (source side) and the other side (drain side) of the amorphous silicon layer 204, respectively. The transparent electrode 208 is connected to the drain electrode 206. In addition, the protective film 207 is provided on the substrate 200 so as to cover the source electrode 205, the drain electrode 206, and the amorphous silicon layer 204.

また、本実施形態では、図２に示すように、基板２００のノズル１側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）には、端子２０９が設けられている。端子２０９は、複数設けられており、それぞれの端子２０９は、薄膜トランジスタ２０１に電気的に接続されている。たとえば、端子２０９は、薄膜トランジスタ２０１のゲート電極２０２（ゲート線２０２ａ）およびソース電極２０５（ソース線２０５ａ）に接続されている。また、端子２０９は、保護膜２０７（図３参照）などには覆われずに露出している。また、端子２０９は、ノズル１から溶液材料が噴霧される塗布領域２１０の外側に配置されている。なお、端子２０９は、本発明の「第２導電体」の一例である。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, a terminal 209 is provided on the surface 200 a (surface on the Z2 direction side) of the substrate 200 on the nozzle 1 side. A plurality of terminals 209 are provided, and each terminal 209 is electrically connected to the thin film transistor 201. For example, the terminal 209 is connected to the gate electrode 202 (gate line 202a) and the source electrode 205 (source line 205a) of the thin film transistor 201. Further, the terminal 209 is exposed without being covered with the protective film 207 (see FIG. 3) or the like. Further, the terminal 209 is disposed outside the application region 210 where the solution material is sprayed from the nozzle 1. The terminal 209 is an example of the “second conductor” in the present invention.

ノズル１は、溶液材料に電圧を印加した状態で、溶液材料を下方（Ｚ２方向）から上方（Ｚ１方向）に向かって噴霧するように構成されている。そして、ノズル１から噴霧された溶液材料が、基板２００に薄膜（図示せず）として堆積されるように構成されている。また、シリンジポンプ２は、ノズル１に溶液材料を送液するように構成されている。 The nozzle 1 is configured to spray the solution material from below (Z2 direction) to above (Z1 direction) while a voltage is applied to the solution material. The solution material sprayed from the nozzle 1 is configured to be deposited on the substrate 200 as a thin film (not shown). The syringe pump 2 is configured to send a solution material to the nozzle 1.

アースプレート３は、たとえば金属板から構成されており、平板状を有する。また、本実施形態では、アースプレート３は、薄膜の形成時（図１に示す状態）に、ノズル１とは反対側（Ｚ１方向側）に配置され、ノズル１との間に電位差を形成するように構成されている。具体的には、アースプレート３は、薄膜の形成時（図１に示す状態）に、基板２００に接触して基板２００のノズル１とは反対側の表面２００ｂ（Ｚ１方向側の面）を接地するように構成されている。 The earth plate 3 is made of, for example, a metal plate and has a flat plate shape. Further, in the present embodiment, the earth plate 3 is disposed on the opposite side (Z1 direction side) from the nozzle 1 when forming a thin film (the state shown in FIG. 1), and forms a potential difference with the nozzle 1. It is configured as follows. Specifically, the earth plate 3 contacts the substrate 200 and grounds the surface 200b (the surface on the Z1 direction side) opposite to the nozzle 1 of the substrate 200 when the thin film is formed (the state shown in FIG. 1). Is configured to do.

また、図１に示すように、マスク４は、ノズル１と基板２００との間の基板２００の近傍に配置され、所定の開口パターンを有する開口部４ａを含むように構成されている。具体的には、図４に示すように、開口部４ａは、平面視において、略矩形形状に形成されており、マスク４に１つ設けられている。そして、開口部４ａから露出する基板２００の部分に薄膜が堆積される。また、図１に示すように、マスク４は、マスク４の両端部が昇降ユニット５に支持されており、昇降ユニット５の昇降とともに昇降するように構成されている。なお、マスク４は、樹脂などの絶縁性部材により形成されており、薄膜の形成時には、マスク４に電荷が蓄積されるように構成されている。 As shown in FIG. 1, the mask 4 is arranged in the vicinity of the substrate 200 between the nozzle 1 and the substrate 200, and includes an opening 4 a having a predetermined opening pattern. Specifically, as shown in FIG. 4, the opening 4 a is formed in a substantially rectangular shape in plan view, and one opening 4 a is provided in the mask 4. Then, a thin film is deposited on the portion of the substrate 200 exposed from the opening 4a. Further, as shown in FIG. 1, the mask 4 is configured such that both ends of the mask 4 are supported by the elevating unit 5 and elevate as the elevating unit 5 elevates. Note that the mask 4 is formed of an insulating member such as resin, and is configured such that charges are accumulated in the mask 4 when a thin film is formed.

ここで、本実施形態では、図１および図４に示すように、マスク４の基板２００側の表面４ｂ（Ｚ１方向側の面）には、基板２００のノズル１側の表面２００ａに接触するように設けられる導電体６が取り付けられている。そして、導電体６を介して、基板２００のノズル１側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）が、接地されている。具体的には、図４に示すように、導電体６は、マスク４の基板２００側の表面４ｂ（Ｚ１方向側の面）に、開口部４ａを取り囲むように、枠状に設けられている。また、導電体６は、導電体６とアースプレート３とを接触させるための接触部６ａを含む。接触部６ａは、導電体６の枠状の部分（枠状部６ｂ）から、Ｘ方向の一方端側（Ｘ１方向側）に延びるように形成されているとともに、接触部６ａのＸ１方向側の端部（折曲部６ｃ）は、Ｚ１方向側（アースプレート３側）に９０度折り曲げられている。そして、折曲部６ｃが、アースプレート３に接触することにより、導電体６が接地される。これにより、マスク４と基板２００とを当接させた状態（図１に示す状態）で、導電体６を介して、基板２００のノズル１側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）が、接地される。なお、導電体６は、マスク４の表面４ｂから基板２００側に突出するように設けられている。また、導電体６は、たとえば、導電性の樹脂テープ、銅箔などにより構成されている。また、導電体６は、本発明の「第１導電体」の一例である。 Here, in the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 4, the surface 4 b (the surface on the Z1 direction side) of the substrate 4 on the mask 4 is in contact with the surface 200 a on the nozzle 1 side of the substrate 200. The electric conductor 6 provided in is attached. The surface 200a (surface on the Z2 direction side) of the substrate 200 on the nozzle 1 side is grounded via the conductor 6. Specifically, as shown in FIG. 4, the conductor 6 is provided in a frame shape on the surface 4 b (surface on the Z1 direction side) of the mask 4 on the substrate 200 side so as to surround the opening 4 a. . Conductor 6 includes a contact portion 6a for bringing conductor 6 and earth plate 3 into contact with each other. The contact portion 6a is formed so as to extend from the frame-like portion (frame-like portion 6b) of the conductor 6 to one end side (X1 direction side) in the X direction, and on the X1 direction side of the contact portion 6a. The end portion (folded portion 6c) is bent 90 degrees in the Z1 direction side (ground plate 3 side). And the conductor 6 is earth | grounded when the bending part 6c contacts the earth plate 3. FIG. As a result, in a state where the mask 4 and the substrate 200 are in contact with each other (the state shown in FIG. 1), the surface 200a on the nozzle 1 side (the surface on the Z2 direction side) of the substrate 200 is grounded via the conductor 6. Is done. The conductor 6 is provided so as to protrude from the surface 4b of the mask 4 to the substrate 200 side. Moreover, the conductor 6 is comprised by the electroconductive resin tape, copper foil, etc., for example. The conductor 6 is an example of the “first conductor” in the present invention.

また、導電体６は、マスク４の基板２００側の表面４ｂ（Ｚ１方向側の面）に設けられているため、マスク４のノズル１側の表面４ｃ（Ｚ２方向側の面）は、接地されない。これにより、マスク４のノズル１側の表面４ｃは帯電する（電荷が蓄積される）ので、ノズル１から噴霧された溶液材料は、マスク４のノズル１側の表面４ｃに蓄積された電荷に反発されて、マスク４の開口部４ａ側に誘導される。 In addition, since the conductor 6 is provided on the surface 4b (the surface on the Z1 direction side) of the mask 4 on the substrate 200 side, the surface 4c (the surface on the Z2 direction side) of the mask 4 is not grounded. . As a result, the surface 4c on the nozzle 1 side of the mask 4 is charged (charge is accumulated), so that the solution material sprayed from the nozzle 1 repels the charge accumulated on the surface 4c on the nozzle 1 side of the mask 4. Then, it is guided to the opening 4 a side of the mask 4.

また、本実施形態では、図５に示すように、導電体６は、平面視において、基板２００のノズル１側の表面２００ａの薄膜の塗布領域２１０の外側に設けられている。具体的には、導電体６（枠状部６ｂ）は、マスク４の開口部４ａから所定の間隔Ｄを隔てたマスク４の外周側の部分に配置されている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the conductor 6 is provided outside the thin film application region 210 on the surface 200 a of the substrate 200 on the nozzle 1 side in plan view. Specifically, the conductor 6 (frame portion 6 b) is disposed on the outer peripheral side portion of the mask 4 with a predetermined distance D from the opening 4 a of the mask 4.

また、図５に示すように、マスク４と基板２００とを重ねた状態において、平面視において、導電体６と、基板２００の端子２０９とが、オーバラップするように、導電体６がマスク４の表面４ｂ（Ｚ１方向側の面）に取り付けられている。そして、図１および図５に示すように、導電体６と、基板２００の端子２０９とが、接触した状態（電気的に接続された状態）で、基板２００の端子２０９と導電体６とを介して、基板２００のノズル１側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）が、接地される。具体的には、基板２００のノズル１側の表面２００ａ（Ｚ２方向側の面）に設けられる薄膜トランジスタ２０１が、ソース線２０５ａおよびゲート線２０２ａと、基板２００の端子２０９と、導電体６とを介して接地される。 Further, as shown in FIG. 5, when the mask 4 and the substrate 200 are overlapped, the conductor 6 is mask 4 so that the conductor 6 and the terminal 209 of the substrate 200 overlap in plan view. Is attached to the surface 4b (surface on the Z1 direction side). As shown in FIGS. 1 and 5, the terminal 209 and the conductor 6 of the substrate 200 are connected in a state where the conductor 6 and the terminal 209 of the substrate 200 are in contact (electrically connected). Accordingly, the surface 200a (surface on the Z2 direction side) on the nozzle 1 side of the substrate 200 is grounded. Specifically, the thin film transistor 201 provided on the nozzle 200 side surface 200a (the surface on the Z2 direction side) of the substrate 200 includes the source line 205a and the gate line 202a, the terminal 209 of the substrate 200, and the conductor 6. Grounded.

次に、本実施形態の効果について説明する。 Next, the effect of this embodiment will be described.

本実施形態では、上記のように、導電体６を介して、基板２００のノズル１側の表面２００ａを、接地することによって、基板２００のノズル１側の表面２００ａに電荷が帯電することを抑制することができるので、基板２００のノズル１側の表面２００ａに帯電する電荷に起因して、基板２００に設けられる素子（薄膜トランジスタ２０１）などが破壊されるのを抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, the surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200 is grounded via the conductor 6, thereby preventing the surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200 from being charged. Therefore, it is possible to suppress destruction of an element (the thin film transistor 201) provided on the substrate 200 due to the electric charge charged on the surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200.

また、本実施形態では、上記のように、薄膜の形成時に基板２００のノズル１とは反対側に配置され、ノズル１との間に電位差を形成するためのアースプレート３を設けることによって、ノズル１とアースプレート３との間の電位差（電界）によってノズル１からアースプレート３に向かって溶液材料（液滴）を飛行（飛翔）させることができる。これにより、ノズル１とアースプレート３との間に配置される基板２００に溶液材料（液滴）を堆積することができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the nozzle 200 is disposed on the opposite side of the substrate 200 from the nozzle 1 when the thin film is formed, and the ground plate 3 for forming a potential difference with the nozzle 1 is provided. The solution material (droplet) can fly (fly) from the nozzle 1 toward the earth plate 3 due to the potential difference (electric field) between 1 and the earth plate 3. As a result, the solution material (droplet) can be deposited on the substrate 200 disposed between the nozzle 1 and the earth plate 3.

また、本実施形態では、上記のように、ノズル１と基板２００との間の基板２００の近傍に配置され、所定の開口パターンを有する開口部４ａを含むマスク４を設けて、導電体６を、マスク４の基板２００側の表面４ｂに取り付ける。これにより、マスク４とともに導電体６を移動させて導電体６を基板２００のノズル１側の表面２００ａに接触させることができるので、マスク４および導電体６を個別に移動させる移動機構を設ける場合と異なり、エレクトロスプレー装置１００の構成を簡略化することができる。また、導電体６を、マスク４の基板２００側の表面４ｂに取り付けることによって、マスク４および導電体６を移動させる工程を同一の工程で行うことができるので、導電体６を設けたとしても、基板２００への薄膜の堆積プロセスにおける工程数が増加するのを抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, the conductor 6 is provided by providing the mask 4 that is disposed in the vicinity of the substrate 200 between the nozzle 1 and the substrate 200 and includes the opening 4a having a predetermined opening pattern. The mask 4 is attached to the surface 4b on the substrate 200 side. Accordingly, the conductor 6 can be moved together with the mask 4 so that the conductor 6 can be brought into contact with the surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200, so that a moving mechanism for individually moving the mask 4 and the conductor 6 is provided. Unlike the above, the configuration of the electrospray apparatus 100 can be simplified. Moreover, since the process of moving the mask 4 and the conductor 6 can be performed in the same process by attaching the conductor 6 to the surface 4b on the substrate 200 side of the mask 4, even if the conductor 6 is provided. It is possible to suppress an increase in the number of steps in the thin film deposition process on the substrate 200.

また、本実施形態では、上記のように、基板２００は、絶縁性基板からなるとともに、基板２００のノズル１側の表面２００ａには、端子２０９が設けられており、端子２０９と導電体６とを介して、基板２００のノズル１側の表面２００ａを、接地する。これにより、導電体６を端子２０９に接触させるだけで、容易に、絶縁性の基板２００のノズル１側の表面２００ａを、接地することができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the substrate 200 is made of an insulating substrate, and the terminal 200 is provided on the surface 200a of the substrate 200 on the nozzle 1 side. The surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200 is grounded via Thereby, the surface 200a on the nozzle 1 side of the insulating substrate 200 can be easily grounded simply by bringing the conductor 6 into contact with the terminal 209.

また、本実施形態では、上記のように、基板２００を、薄膜トランジスタ２０１が表面２００ａに形成される半導体素子基板から構成して、基板２００に薄膜トランジスタ２０１に電気的に接続されている端子２０９を設ける。これにより、導電体６を端子２０９に接触させることにより、薄膜トランジスタ２０１が導電体６を介して接地されるので、基板２００のノズル１側の表面２００ａに帯電する電荷に起因して薄膜トランジスタ２０１が破壊されるのを容易に抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, the substrate 200 is formed of a semiconductor element substrate on which the thin film transistor 201 is formed on the surface 200a, and the terminal 209 that is electrically connected to the thin film transistor 201 is provided on the substrate 200. . As a result, the thin film transistor 201 is grounded through the conductor 6 by bringing the conductor 6 into contact with the terminal 209. Therefore, the thin film transistor 201 is destroyed due to the electric charge charged on the surface 200a on the nozzle 1 side of the substrate 200. Can be easily suppressed.

また、本実施形態では、上記のように、導電体６を、平面視において、基板２００のノズル１側の表面２００ａの薄膜の塗布領域２１０の外側に設ける。これにより、接地のための導電体６を設けたとしても、薄膜の形成時に、導電体６が溶液材料の飛行の妨げになるのを抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, the conductor 6 is provided outside the thin film application region 210 on the surface 200a of the substrate 200 on the nozzle 1 side in plan view. Thereby, even if the conductor 6 for grounding is provided, it is possible to prevent the conductor 6 from obstructing the flight of the solution material when the thin film is formed.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、導電体が、マスクの基板側の表面に取り付けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図６に示す第１変形例によるエレクトロスプレー装置１０１のように、導電体７をマスク４には取り付けずに、マスク４と別個に配置してもよい。そして、導電体７を手動や移動機構（図示せず）により移動させて、基板２００に接触させてもよい。なお、導電体７は、本発明の「第１導電体」の一例である。また、導電体７のその他の構成は、上記実施形態の導電体６（図３参照）と同様である。 For example, in the said embodiment, although the conductor was attached to the surface by the side of the board | substrate of a mask, this invention is not limited to this. In the present invention, the conductor 7 may be disposed separately from the mask 4 without being attached to the mask 4 as in the electrospray apparatus 101 according to the first modification shown in FIG. Then, the conductor 7 may be moved manually or by a moving mechanism (not shown) and brought into contact with the substrate 200. The conductor 7 is an example of the “first conductor” in the present invention. Moreover, the other structure of the conductor 7 is the same as the conductor 6 (refer FIG. 3) of the said embodiment.

また、上記実施形態では、導電体が、枠状部と接触部とを含むように構成して、接触部をアースプレートに接触させることにより、導電体を接地する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、導電体をアースプレート以外の接地電位に接続するようにしてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the conductor comprised the frame-shaped part and the contact part, the example which earth | grounds a conductor by making a contact part contact an earth plate was shown, but this invention Is not limited to this. For example, the conductor may be connected to a ground potential other than the earth plate.

また、上記実施形態では、導電体が、マスクの基板側の表面に、開口部を取り囲むように、枠状に設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、導電体を枠状以外の形状に形成してもよい。たとえば、図７に示す第２変形例によるエレクトロスプレー装置１０２のように、基板２１１の表面に設けられる端子２１２が、開口部４ａのＹ方向の両側（Ｙ１方向、Ｙ２方向）にのみ設けられる場合には、導電体８ａおよび８ｂを、開口部４ａのＸ方向の両側には設けずに、開口部４ａのＹ方向の両側（Ｙ１方向、Ｙ２方向）にのみ設けてもよい。この場合、導電体８ａおよび８ｂは、アースプレート３に接触することにより、それぞれ、接地される。なお、導電体８ａおよび８ｂは、本発明の「第１導電体」の一例である。また、端子２１２は、本発明の「第２導電体」の一例である。 In the above embodiment, an example is shown in which the conductor is provided in a frame shape so as to surround the opening on the surface of the mask on the substrate side, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the conductor may be formed in a shape other than the frame shape. For example, as in the electrospray apparatus 102 according to the second modification shown in FIG. 7, the terminals 212 provided on the surface of the substrate 211 are provided only on both sides in the Y direction (Y1 direction, Y2 direction) of the opening 4a. Alternatively, the conductors 8a and 8b may be provided only on both sides of the opening 4a in the Y direction (Y1 direction, Y2 direction) without being provided on both sides of the opening 4a in the X direction. In this case, the conductors 8a and 8b are grounded by contacting the earth plate 3, respectively. The conductors 8a and 8b are examples of the “first conductor” in the present invention. The terminal 212 is an example of the “second conductor” in the present invention.

また、上記実施形態では、導電体が、マスクの基板側の表面から基板側に突出するように設けられる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図８に示す第３変形例によるエレクトロスプレー装置１０３のように、導電体９を、導電体９の表面９ａとマスク４ｄの表面４ｅとが略面一になるように、マスク４ｄに埋め込むように構成してもよい。これにより、マスク４ｄと基板２００との間に隙間が生じない状態で、基板２００に薄膜を堆積することができる。なお、導電体９は、本発明の「第１導電体」の一例である。 In the above-described embodiment, the example in which the conductor is provided so as to protrude from the surface of the mask on the substrate side to the substrate side has been described, but the present invention is not limited to this. For example, like the electrospray apparatus 103 according to the third modification shown in FIG. 8, the conductor 9 is embedded in the mask 4d so that the surface 9a of the conductor 9 and the surface 4e of the mask 4d are substantially flush with each other. You may comprise as follows. Thus, a thin film can be deposited on the substrate 200 in a state where no gap is generated between the mask 4d and the substrate 200. The conductor 9 is an example of the “first conductor” in the present invention.

また、上記実施形態では、マスクに開口部が１つ設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、マスクに開口部が複数設けられていてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the example in which one opening part was provided in the mask was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, a plurality of openings may be provided in the mask.

また、上記実施形態では、基板の表面に薄膜トランジスタが設けられる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、基板の表面に薄膜トランジスタ以外のダイオードなどの半導体素子が設けられていてもよい。また、薄膜トランジスタおよびダイオードなどの能動素子に限らず、抵抗、コンデンサなどの受動素子が基板の表面に設けられていてもよい。 Moreover, although the example in which the thin film transistor is provided on the surface of the substrate has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this. For example, a semiconductor element such as a diode other than a thin film transistor may be provided on the surface of the substrate. In addition to active elements such as thin film transistors and diodes, passive elements such as resistors and capacitors may be provided on the surface of the substrate.

また、上記実施形態では、基板の表面上に、薄膜トランジスタに電気的に接続される端子（第２導電体）が設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、基板の表面に、端子以外の透明電極などの導電体（第２導電体）が形成されていてもよい。この場合、透明電極に導電体（第１導電体）が接触することにより、透明電極が接地される。 In the above-described embodiment, an example in which a terminal (second conductor) electrically connected to the thin film transistor is provided on the surface of the substrate is shown, but the present invention is not limited to this. For example, a conductor (second conductor) such as a transparent electrode other than the terminal may be formed on the surface of the substrate. In this case, the transparent electrode is grounded when the conductor (first conductor) contacts the transparent electrode.

また、上記実施形態では、薄膜の形成時に、アースプレートが基板に接触して基板のノズルとは反対側の表面を接地することにより、ノズルとアースプレートとの間に電位差を形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、アースプレート（プレート部材）を接地電位以外の電位にして、ノズルとアースプレートとの間に電位差を形成してもよい。そして、アースプレートを基板に接触させずに、基板と離間した状態で基板のノズルとは反対側に配置して、ノズルとアースプレートとの間に電位差を形成してもよい。 Moreover, in the said embodiment, the example which forms an electric potential difference between a nozzle and an earth plate by earthing | grounding the surface on the opposite side to the nozzle of a board | substrate when a ground plate contacts a board | substrate at the time of formation of a thin film is shown. However, the present invention is not limited to this. For example, the ground plate (plate member) may be set to a potential other than the ground potential to form a potential difference between the nozzle and the ground plate. The potential difference may be formed between the nozzle and the ground plate by placing the ground plate on the opposite side of the substrate from the nozzle without contacting the substrate.

また、上記実施形態では、溶液材料が下方から上方に向かってノズルから噴霧される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、溶液材料が上方から下方に向かってノズルから噴霧されるようにしてもよい。また、溶液材料が横方に向かってノズルから噴霧されるようにしてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the solution material was sprayed from the nozzle toward the upper direction from the downward direction, the present invention is not limited to this. For example, the solution material may be sprayed from a nozzle from above to below. Alternatively, the solution material may be sprayed from the nozzle in the lateral direction.

１ノズル
３アースプレート（プレート部材）
４、４ｂマスク
４ａ開口部
４ｂ表面（基板側の表面）
６、７、８ａ、８ｂ、９導電体（第１導電体）
１００、１０１、１０２、１０３エレクトロスプレー装置
２００、２１１基板
２００ａ表面（ノズル側の表面）
２００ｂ表面（ノズルとは反対側の表面）
２０１薄膜トランジスタ（半導体素子）
２０９、２１２端子（第２導電体）
２１０塗布領域 1 Nozzle 3 Earth plate (plate member)
4, 4b Mask 4a Opening 4b Surface (substrate side surface)
6, 7, 8a, 8b, 9 Conductor (first conductor)
100, 101, 102, 103 Electrospray apparatus 200, 211 Substrate 200a Surface (surface on the nozzle side)
200b Surface (surface opposite to the nozzle)
201 Thin film transistor (semiconductor element)
209, 212 terminals (second conductor)
210 Application area

Claims

An electrospray apparatus for depositing a solution material sprayed from a nozzle as a thin film on a substrate,
The nozzle sprayed with a voltage applied to the solution material;
A first conductor provided in contact with the surface of the substrate on the nozzle side;
A plate member disposed on the side opposite to the nozzle of the substrate at the time of forming the thin film, and for forming a potential difference with the nozzle;
The surface on the nozzle side of the substrate is configured to be grounded via the first conductor ,
An insulating mask that is disposed in the vicinity of the substrate between the nozzle and the substrate and includes an opening having a predetermined opening pattern;
The electrospray apparatus is configured so that the first conductor is in contact with the substrate-side surface of the mask and the substrate when the solution material is sprayed from at least the nozzle onto the substrate .

Before Symbol first conductor is attached to the substrate-side surface of the mask, electrospray apparatus as claimed in claim 1.

The substrate is made of an insulating substrate, and a second conductor different from the first conductor is provided on a surface of the substrate on the nozzle side,
The electrospray apparatus according to claim 1, wherein the surface of the substrate on the nozzle side of the substrate is grounded via the second conductor and the first conductor.

The substrate comprises a semiconductor element substrate on which a semiconductor element is formed,
The electrospray apparatus according to claim 3, wherein the second conductor includes a terminal that is electrically connected to the semiconductor element.

5. The electrospray apparatus according to claim 1, wherein the first conductor is provided outside a thin film application region on a surface of the substrate on the nozzle side in a plan view.