JP6286033B2 - Phosphorescent organic light-emitting device having a hole-transporting host in the light-emitting region - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)デバイス、例えば、有機発光デバイス(ここではOLEDと略す)と、そのようなOLEDにおいて用いることができる物質に関する。 The present invention relates to organic electroluminescent (EL) devices, such as organic light emitting devices (abbreviated herein as OLEDs) and materials that can be used in such OLEDs.
アノードとカソードの間に配置された発光層を含む有機薄膜を有するOLEDは当技術分野で公知である。そのようなデバイスにおいて、発光は、発光層に注入された正孔と電子の再結合によって生じる励起子エネルギーから得ることができる。 OLEDs having an organic thin film that includes a light-emitting layer disposed between an anode and a cathode are known in the art. In such devices, light emission can be derived from exciton energy generated by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer.
OLEDは、電圧がそのデバイスを横切って印加されたときに光を発する薄い有機膜を用いる。一般に、OLEDはいくつかの有機層からなり、その層のうち少なくとも1つが、デバイスを横切って電圧を印加することによって電界発光(エレクトロルミネッセンス)するように作られることができる。デバイスを横切って電圧が印加された場合、カソードはそれに隣接する有機層を効果的に還元(すなわち電子を注入)し、アノードはそれに隣接する有機層を効果的に酸化(すなわち正孔を注入)する。正孔と電子はそのそれぞれと反対に帯電した電極のほうへデバイスを横切って移動する。正孔と電子が同じ分子上に局在すると、再結合が起こるといわれ、励起子が形成される。励起子は、励起エネルギー状態を有する局在化した電子−正孔対である。電界発光化合物において発光機構によって励起子が緩和するときに、光が発せられる(すなわちエレクトロルミネッセンス)。いくつかの場合には、励起子はエキシマー又はエキシプレックスの上に局在化されうる。 OLEDs use a thin organic film that emits light when a voltage is applied across the device. In general, an OLED consists of several organic layers, at least one of which can be made to be electroluminescent (electroluminescence) by applying a voltage across the device. When a voltage is applied across the device, the cathode effectively reduces (ie, injects electrons) the organic layer adjacent to it, and the anode effectively oxidizes (ie, injects holes) the adjacent organic layer. To do. Holes and electrons move across the device to the oppositely charged electrode. When holes and electrons are localized on the same molecule, recombination is said to occur and excitons are formed. An exciton is a localized electron-hole pair having an excited energy state. Light is emitted when excitons are relaxed by an emission mechanism in an electroluminescent compound (ie, electroluminescence). In some cases, excitons can be localized on excimers or exciplexes.
効率的な重金属燐光発光体の使用などの最近の発見及びそれによるOLED技術の発展にもかかわらず、より長期のデバイス安定性及びより高い効率に対する継続した要求がある。向上した寿命及び効率を示す改良されたOLEDデバイスは、関連する物質とともに本明細書に開示されており、その物質を用いてそのようなOLEDを構築することができる。 Despite recent discoveries such as the use of efficient heavy metal phosphorescent emitters and the resulting development of OLED technology, there is a continuing need for longer-term device stability and higher efficiency. Improved OLED devices that exhibit improved lifetime and efficiency are disclosed herein along with related materials that can be used to construct such OLEDs.
本明細書で用いる場合、「有機」の用語は、有機オプトエレクトロニクスデバイスを作製するために用いることができるポリマー物質並びに小分子有機物質を包含する。本明細書で用いる場合、「小分子(small molecule)」とは、ポリマー(すなわち、規定された分子量をもつ分子を有する有機物質)ではない任意の有機物質をいい、「小分子」は、実際は非常に大きくてもよい。小分子はいくつかの状況では繰り返し単位を含んでもよい(例えば、オリゴマー)。例えば、置換基として長鎖アルキル基を用いることは、分子を「小分子」の群から排除しない。小分子は、例えばポリマー主鎖上のペンダント基として、あるいは主鎖の一部として、ポリマー中に組み込まれてもよい。小分子は、コア残基上に作り上げられた一連の化学的殻からなるデンドリマーのコア残基として働くこともできる。デンドリマーのコア残基は、蛍光性又は燐光性小分子発光体であることができる。デンドリマーは「小分子」であることができ、OLEDの分野で現在用いられている全てのデンドリマーは小分子であると考えられる。 As used herein, the term “organic” includes polymeric materials as well as small molecule organic materials that can be used to make organic optoelectronic devices. As used herein, “small molecule” refers to any organic material that is not a polymer (ie, an organic material having a molecule with a defined molecular weight), and “small molecule” is actually It can be very large. Small molecules may include repeat units (eg, oligomers) in some situations. For example, using a long chain alkyl group as a substituent does not exclude a molecule from the “small molecule” group. Small molecules may be incorporated into the polymer, for example, as pendant groups on the polymer backbone or as part of the backbone. Small molecules can also serve as the core residue of a dendrimer consisting of a series of chemical shells built on the core residue. The core residue of the dendrimer can be a fluorescent or phosphorescent small molecule emitter. Dendrimers can be “small molecules” and all dendrimers currently used in the field of OLED are considered small molecules.
本明細書で用いる場合、「トップ」は、基材から最も遠くを意味する一方で、「ボトム」は基材に最も近いことを意味する。第一の層が第二の層の「上に配置される」と記載した場合は、第一の層は基材から、より遠くに配置される。第一の層が第二の層と「接触している」と特定されていない限り、第一の層と第二の層との間に別な層があってよい。例えば、カソードとアノードとの間に様々な有機層があったとしても、カソードはアノードの「上に配置される」と記載できる。 As used herein, “top” means furthest away from the substrate, while “bottom” means closest to the substrate. Where the first layer is described as “disposed on” the second layer, the first layer is disposed further from the substrate. There may be another layer between the first layer and the second layer, unless it is specified that the first layer is “in contact with” the second layer. For example, even if there are various organic layers between the cathode and the anode, the cathode can be described as “disposed on” the anode.
本明細書で用いる場合、「溶液処理(加工)可能」とは、溶液もしくは懸濁液の形態で、液体媒体中に溶解され、分散され、又は液体媒体中で輸送され、及び/又は液体媒体から堆積されうることを意味する。 As used herein, “solution processable” means dissolved, dispersed, or transported in and / or liquid medium in the form of a solution or suspension. It can be deposited from.
配位子が発光物質の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合は、その配位子は「光活性」ということができる。配位子が発光物質の光活性特性に寄与していないと考えられる場合は、配位子は「補助」ということができるが、補助配位子は光活性配位子の特性を変えうる。 If the ligand is thought to contribute directly to the photoactive properties of the luminescent material, it can be said to be “photoactive”. If the ligand is believed not to contribute to the photoactive properties of the luminescent material, the ligand can be referred to as “auxiliary”, but the auxiliary ligand can change the properties of the photoactive ligand.
本明細書で用いる場合、かつ当業者によって一般に理解されているように、第一の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)のエネルギー準位は、その第一のエネルギー準位が真空のエネルギー準位により近い場合には、第二のHOMO又はLUMOよりも「大きい」あるいは「高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は真空準位に対して負のエネルギーとして測定されるので、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さな絶対値をもつIPに対応する(より小さな負のIP)。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さな絶対値をもつ電子親和力(EA)に対応する(より小さな負のEA)。上(トップ)に真空準位をもつ従来のエネルギー準位図の上では、物質のLUMOエネルギー準位はその同じ物質のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりも、そのような図のトップのより近くに現れる。 As used herein and as generally understood by those skilled in the art, the energy level of the first “highest occupied molecular orbital” (HOMO) or “lowest unoccupied molecular orbital” (LUMO) is If one energy level is closer to the vacuum energy level, it is “larger” or “higher” than the second HOMO or LUMO. Since the ionization potential (IP) is measured as negative energy relative to the vacuum level, a higher HOMO energy level corresponds to an IP with a smaller absolute value (smaller negative IP). Similarly, a higher LUMO energy level corresponds to an electron affinity (EA) with a smaller absolute value (smaller negative EA). On the conventional energy level diagram with the vacuum level at the top (top), the LUMO energy level of a material is higher than the HOMO energy level of the same material. A “higher” HOMO or LUMO energy level appears closer to the top of such a diagram than a “lower” HOMO or LUMO energy level.
本明細書で用いる場合、また当業者によって一般に理解されるように、第一の仕事関数は、その第一の仕事関数がより大きな絶対値を有する場合には、第二の仕事関数よりも「大きい」あるいは「高い」。仕事関数は通常、真空準位に対して負の値として測定されるので、このことは「より高い」仕事関数は、より負であることを意味する。上(トップ)に真空準位をもつ従来のエネルギー準位図の上では、「より高い」仕事関数は真空準位から下向きの方向へ、より離れて図示される。したがって、HOMO及びLUMOエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に従う。 As used herein, and as generally understood by one of ordinary skill in the art, a first work function is “a work function that is greater than a second work function when the first work function has a larger absolute value. “Big” or “High”. Since the work function is usually measured as a negative value relative to the vacuum level, this means that the “higher” work function is more negative. On the conventional energy level diagram with the vacuum level at the top (top), the “higher” work function is illustrated further away from the vacuum level in the downward direction. Therefore, the definition of HOMO and LUMO energy levels follows conventions that are different from work functions.
[まとめ]
ここでの開示は、複数成分からなる発光層(多成分発光層)を有するOLEDを提供する。一つの側面では、ここで開示するOLEDは、アノード電極、カソード電極、及びそのアノード電極とカソード電極の間に配置された有機電界発光層(有機エレクトロルミネッセンス層)を含む。この有機エレクトロルミネッセンス層はホスト物質と燐光発光ドーパント物質を含む。ホスト物質は、少なくとも第一のホスト化合物と、第二のホスト化合物を含み、第一のホスト化合物は下記式H1によって表されるインデノカルバゾール環構造を有する:
The disclosure herein provides an OLED having a light-emitting layer (multi-component light-emitting layer) composed of a plurality of components. In one aspect, the OLED disclosed herein includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic electroluminescent layer (organic electroluminescence layer) disposed between the anode electrode and the cathode electrode. The organic electroluminescent layer includes a host material and a phosphorescent dopant material. The host material includes at least a first host compound and a second host compound, and the first host compound has an indenocarbazole ring structure represented by the following formula H1:
別の側面では、上述したOLEDは、エレクトロルミネッセンス層とアノードの間に配置された励起子/電子阻止層をさらに含み、その励起子/電子阻止層は、励起子又は電子の少なくとも1つを阻止し、かつ一般式H1で表される化合物である物質を含む。 In another aspect, the above-described OLED further includes an exciton / electron blocking layer disposed between the electroluminescent layer and the anode, the exciton / electron blocking layer blocking at least one of the excitons or electrons. And a substance which is a compound represented by the general formula H1.
本発明者は、ここで開示した教示を組み込んだOLEDが、発光スペクトルにおいて予想できないほど改善された彩度(color saturation)を示すことを発見している。 The inventor has discovered that OLEDs incorporating the teachings disclosed herein exhibit unexpectedly improved color saturation in the emission spectrum.
図面は必ずしも縮尺にはなっていない。 The drawings are not necessarily drawn to scale.
ここでの開示では、HILは正孔注入層をいい;HTLは正孔輸送層をいい;EBLは、励起子又は電子又はその両方を阻止しうる励起子/電子阻止層をいい;EMLは発光層をいい;HBLは正孔阻止層をいい;ETLは電子輸送層をいう。エレクトロルミネッセンス及び発光の用語は同じ意味で用いられる。 In this disclosure, HIL refers to a hole injection layer; HTL refers to a hole transport layer; EBL refers to an exciton / electron blocking layer that can block excitons and / or electrons; HBL refers to the hole blocking layer; ETL refers to the electron transport layer. The terms electroluminescence and light emission are used interchangeably.
ここでの開示は、ホスト物質中に分散された燐光発光ドーパントを含む有機エレクトロルミネッセンス層を有するOLEDを記載しており、そのホスト物質は第一のホスト化合物及び第二のホスト化合物を含む。第一のホスト化合物は、下記一般式H1で表される正孔輸送ホスト化合物である。
得られるOLEDは、発光スペクトルにおいて向上した彩度を示す。本開示の一つの側面によれば、ホスト物質は第三のホスト化合物を含むこともできる。第二及び第三のホスト化合物を以下で説明する。 The resulting OLED exhibits improved saturation in the emission spectrum. According to one aspect of the present disclosure, the host material can also include a third host compound. The second and third host compounds are described below.
図1はOLED100を示す。OLED100は、基材110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、及び電子阻止層130、発光層135、正孔阻止層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、及びカソード160を含んでいてよい。カソード160は、1つより多い導電層、例えば、示したように第一の導電層162及び第二の導電層164を有する複合カソードであることができる。OLED100は、記載した層を順番に堆積させることによって作製しうる。これら様々な層の特性及び機能、並びに例示物質は、米国特許第7,279,704号明細書の6〜10欄により詳細に記載されており、その開示は援用により全体を本明細書に援用する。
FIG. 1 shows an
具体的には説明していない構造および物質、例えばFriendらの米国特許第5,247,190号明細書(これはその全体を参照により援用する)に開示されているようなポリマー物質で構成されるOLED(PLED)、も使用することができる。さらなる例として、単一の有機層を有するOLEDを使用できる。OLEDは、例えば、Forrestらの米国特許第5,707,745号(これはその全体を参照により援用する)に記載されているように積み重ねられてもよい。OLEDの構造は、ここでの開示中で説明されている簡単な層状構造から逸脱していてもよい。例えば、基板は、光取出し(out-coupling)を向上させるために、Forrestらの米国特許第6,091,195号明細書(これはその全体を参照により援用する)に記載されているメサ構造、および/またはBulovicらの米国特許第5,834,893号明細書(これはその全体を参照により援用する)に記載されているピット構造などの、角度の付いた反射表面を含みうる。 Structures and materials not specifically described, such as OLEDs (PLEDs) composed of polymeric materials such as those disclosed in Friend et al. US Pat. No. 5,247,190, which is incorporated by reference in its entirety. ), Can also be used. As a further example, an OLED having a single organic layer can be used. OLEDs may be stacked as described, for example, in Forrest et al., US Pat. No. 5,707,745, which is incorporated by reference in its entirety. The structure of the OLED may deviate from the simple layered structure described in this disclosure. For example, the substrate may be a mesa structure as described in US Pat. No. 6,091,195 to Forrest et al., Which is incorporated by reference in its entirety, and / or to improve out-coupling. It may include an angled reflective surface, such as the pit structure described in US Pat. No. 5,834,893 to Bulovic et al., Which is incorporated by reference in its entirety.
特に断らないかぎり、様々な実施形態の層のいずれも、何らかの適切な方法によって堆積されうる。有機層については、好ましい方法には、熱蒸着(thermal evaporation)、インクジェット(例えば、米国特許第6,013,982号および米国特許第6,087,196号(これらはその全体を参照により援用する)に記載されている)、有機気相成長(organic vapor phase deposition、OVPD)(例えば、Forrestらの米国特許第6,337,102号(その全体を参照により援用する)に記載されている)、ならびに有機気相ジェットプリンティング(organic vapor jet printing、OVJP)による堆積(例えば、米国特許第7,431,968号(これはその全体を参照により援用する)に記載されている)が含まれる。他の適切な堆積方法には、スピンコーティングおよびその他の溶液に基づく方法が含まれる。溶液に基づく方法は、好ましくは、窒素または不活性雰囲気中で実施される。その他の層については、好ましい方法には熱蒸着が含まれる。好ましいパターニング方法には、マスクを通しての蒸着、圧接(cold welding)(例えば、米国特許第6,294,398号および米国特許第6,468,819号(これらはその全体を参照により援用する)に記載されている)、ならびにインクジェットおよびOVJDなどの堆積方法のいくつかに関連するパターニングが含まれる。その他の方法も用いることができる。堆積される物質は、それらを特定の堆積方法に適合させるために改変されてもよい。例えば、分枝した又は分枝していない、好ましくは少なくとも3個の炭素を含むアルキルおよびアリール基などの置換基を、溶液加工性を高めるために小分子に用いることができる。20個又はそれより多い炭素を有する置換基を用いてもよく、3〜20炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する物質は対称構造を有するものよりも溶液加工性により適しうるが、これは、非対称物質はより小さな再結晶化傾向を有しうるからである。デンドリマー置換基は、小分子が溶液加工を受ける能力を高めるために用いることができる。 Unless otherwise noted, any of the various embodiment layers may be deposited by any suitable method. For organic layers, preferred methods include thermal evaporation, ink jet (eg, described in US Pat. No. 6,013,982 and US Pat. No. 6,087,196, which are incorporated by reference in their entirety), Organic vapor phase deposition (OVPD) (described, for example, in Forrest et al. US Pat. No. 6,337,102, which is incorporated by reference in its entirety), as well as organic vapor jet printing OVJP), for example, as described in US Pat. No. 7,431,968, which is incorporated by reference in its entirety. Other suitable deposition methods include spin coating and other solution based methods. Solution based methods are preferably carried out in nitrogen or an inert atmosphere. For the other layers, preferred methods include thermal evaporation. Preferred patterning methods include vapor deposition through a mask, cold welding (eg, as described in US Pat. No. 6,294,398 and US Pat. No. 6,468,819, which are incorporated by reference in their entirety), and inkjet And patterning associated with some of the deposition methods such as OVJD. Other methods can also be used. The deposited materials may be modified to adapt them to a particular deposition method. For example, substituents such as branched and unbranched, preferably alkyl and aryl groups containing at least 3 carbons, can be used in small molecules to enhance solution processability. Substituents having 20 or more carbons may be used, with 3-20 carbons being a preferred range. A material with an asymmetric structure may be more suitable for solution processability than one with a symmetric structure, because an asymmetric material may have a smaller tendency to recrystallize. Dendrimer substituents can be used to increase the ability of small molecules to undergo solution processing.
本発明の実施形態により製造されたデバイスは多様な消費者製品に組み込むことができ、これらの製品には、フラットパネルディスプレイ、コンピュータのモニタ、テレビ、広告板、室内もしくは屋外の照明灯および/または信号灯、ヘッドアップディスプレイ、完全に透明な(fully transparent)ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンタ、電話機、携帯電話、携帯情報端末(personal digital assistant、PDA)、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダ、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、乗り物、大面積壁面(large area wall)、映画館またはスタジアムのスクリーン、あるいは標識が含まれる。パッシブマトリクスおよびアクティブマトリクスを含めて、様々な制御機構を用いて、本発明にしたがって製造されたデバイスを制御できる。デバイスの多くは、18℃から30℃、より好ましくは室温(20〜25℃)などの、人にとって快適な温度範囲において使用することが意図されている。 Devices manufactured according to embodiments of the present invention can be incorporated into a variety of consumer products, including flat panel displays, computer monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lights, and / or Signal lights, head-up displays, fully transparent displays, flexible displays, laser printers, telephones, mobile phones, personal digital assistants (PDAs), laptop computers, digital cameras, camcorders, viewfinders, Includes microdisplays, vehicles, large area walls, cinema or stadium screens, or signs. Various control mechanisms can be used to control devices manufactured in accordance with the present invention, including passive matrices and active matrices. Many of the devices are intended for use in a temperature range comfortable to humans, such as 18 ° C. to 30 ° C., more preferably room temperature (20-25 ° C.).
本明細書に記載した物質及び構造は、OLED以外のデバイスにおける用途を有しうる。例えば、その他のオプトエレクトロニクスデバイス、例えば、有機太陽電池及び有機光検出器は、これらの物質及び構造を用いることができる。より一般には、有機デバイス、例えば、有機トランジスタは、これらの物質及び構造を用いることができる。 The materials and structures described herein may have application in devices other than OLEDs. For example, other optoelectronic devices such as organic solar cells and organic photodetectors can use these materials and structures. More generally, organic devices, such as organic transistors, can use these materials and structures.
ハロ、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、ヘテロ環基、アリール、芳香族基、及びヘテロアリールの用語は、当分野で公知であり、米国特許第7,279,704号明細書の第31〜32欄で定義されており、その開示を本明細書に参照により全体を援用する。有機発光素子中の発光層のホスト物質は、アノードとカソードから注入された電荷キャリアの輸送及び再結合のための固体媒体を提供する。ホスト物質のために用いられる化合物は、それらの電荷輸送特性にしたがって分類することができる。いくつかのホスト化合物は主に電子輸送性であり、いくつかの別のものは主に正孔輸送性である。ホスト化合物は1つのタイプの電荷を主に輸送するものとして特徴づけることができるが、この化合物は両方のタイプの電荷を輸送することもできる。 The terms halo, halogen, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, aralkyl, heterocyclic group, aryl, aromatic group, and heteroaryl are known in the art and are described in U.S. Pat. Defined in column 32, the disclosure of which is hereby incorporated by reference in its entirety. The host material of the light emitting layer in the organic light emitting device provides a solid medium for transport and recombination of charge carriers injected from the anode and cathode. The compounds used for the host material can be classified according to their charge transport properties. Some host compounds are primarily electron transportable, and some others are primarily hole transportable. Although the host compound can be characterized as primarily transporting one type of charge, the compound can also transport both types of charge.
[発光体ドーパント]
任意の好適な燐光ドーパントを発光層に用いることができる。いくつかの例は下の表5に示されている。一つの態様では、燐光ドーパントは、燐光有機金属化合物を含む燐光発光物質であり、その化合物はその物質を横切って電圧を印加したときに三重項分子励起状態から燐光放射を発する。ホスト物質の選択は、燐光発光ドーパントの選択に応じて変わる。いくつかの態様では、エレクトロルミネセンス層は追加のドーパントを含む。
[Luminescent dopant]
Any suitable phosphorescent dopant can be used in the light emitting layer. Some examples are shown in Table 5 below. In one embodiment, the phosphorescent dopant is a phosphorescent material that includes a phosphorescent organometallic compound that emits phosphorescent radiation from a triplet excited state when a voltage is applied across the material. The choice of host material depends on the choice of phosphorescent dopant. In some embodiments, the electroluminescent layer includes an additional dopant.
一つの態様によれば、燐光発光体物質は、燐光有機金属白金化合物、有機金属イリジウム化合物、及び有機金属オスミウム化合物からなる群から選択される有機金属化合物である。この燐光有機金属化合物は、炭素−金属結合を含むことができる。有機金属白金化合物、イリジウム化合物、及びオスミウム化合物はそれぞれ芳香族配位子を含むことができる。 According to one embodiment, the phosphorescent emitter material is an organometallic compound selected from the group consisting of a phosphorescent organometallic platinum compound, an organometallic iridium compound, and an organometallic osmium compound. The phosphorescent organometallic compound can include a carbon-metal bond. The organometallic platinum compound, iridium compound, and osmium compound can each contain an aromatic ligand.
燐光有機金属化合物は、ヘテロ環上の広がった共役をもつヘテロレプティック錯体を含むことができる。そのようなヘテロレプティックイリジウム化合物の例は、2010年3月11日に刊行されたPCT国際公開第2010/028151号に記載されており、その開示はその全体を参照により本明細書に援用する。 The phosphorescent organometallic compound can include a heteroleptic complex with a broad conjugation on the heterocycle. Examples of such heteroleptic iridium compounds are described in PCT International Publication No. 2010/028151, published March 11, 2010, the disclosure of which is hereby incorporated by reference in its entirety. .
[正孔輸送ホスト化合物]
第一のホスト化合物は下の一般式H1によって表される。
The first host compound is represented by the general formula H1 below.
式H1の構造を有する具体的な化合物の例を以下に示す。第一のホスト化合物は、以下に示す化合物からなる群から選択することができ、式中、Dは重水素を表す。
好ましくは、第一のホスト化合物のHOMO準位は、発光体ドーパントのHOMO準位に比較的近く、このことが発光体ドーパント物質から正孔輸送機能の負荷をとり除くことを可能にする。これは、OLED中での発光体ドーパント物質の寿命を長くする。第一のホスト化合物が正孔輸送型なので、第一のホスト化合物のHOMO準位は他のホスト化合物のHOMOエネルギー準位よりも高い(電気陰性度がより小さい)。この正しいエネルギー準位の整列が、デバイス発光層中で電荷と励起子が分離し、三重項−ポーラロン消滅及び非発光性消光体形成を最小にすることを可能にする。これが、発光スペクトルにおけるOLEDの彩度を向上させる。 Preferably, the HOMO level of the first host compound is relatively close to the HOMO level of the emitter dopant, which allows the hole transport function load to be removed from the emitter dopant material. This increases the lifetime of the emitter dopant material in the OLED. Since the first host compound is a hole transport type, the HOMO level of the first host compound is higher than the HOMO energy level of the other host compounds (smaller electronegativity). This correct energy level alignment allows charge and excitons to separate in the device emissive layer, minimizing triplet-polaron annihilation and non-luminescent quencher formation. This improves the saturation of the OLED in the emission spectrum.
[第一のホスト化合物H1の例の合成] [Synthesis of Example of First Host Compound H1]
例1:化合物H1-1の合成
12,12-ジメチル-10-フェニル-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの合成
N-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-2-ブロモアニリン(18.5 g)、酢酸カリウム (6.98 g)、及びDMF(95 ml)を窒素置換した反応容器に入れ、窒素ガスを1時間通気した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.18 g)を添加した後、その混合物を加熱し、100℃で11時間撹拌した。その混合物を室温に冷やした後、その反応液を水(300 ml)に添加し、トルエン(300 ml)で抽出を行った。得られた有機層を水(200 ml)で2回洗い、無水硫酸マグネシウムで脱水し、減圧下で濃縮して粗生成物を得た。この粗生成物をカラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル;溶出液:トルエン/n-ヘキサン)で精製して、12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(7.9 g;収率55.2%)の淡黄色粉末を得た。
Example 1: Synthesis of compound H1-1
Synthesis of 12,12-dimethyl-10-phenyl-7- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole
Put N- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -2-bromoaniline (18.5 g), potassium acetate (6.98 g), and DMF (95 ml) in a nitrogen-substituted reaction vessel, Gas was bubbled for 1 hour. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.18 g) was added and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 11 hours. After the mixture was cooled to room temperature, the reaction solution was added to water (300 ml) and extracted with toluene (300 ml). The obtained organic layer was washed twice with water (200 ml), dehydrated with anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure to obtain a crude product. The crude product was purified by column chromatography (carrier: silica gel; eluent: toluene / n-hexane) to give 12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (7.9 g; yield 55.2%).
得られた12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(7.8 g)、ヨードベンゼン(3.7 ml)、亜硫酸ナトリウム(0.43 g)、粉末銅(0.17 g)、3,5-ジ(tert-ブチル)サリチル酸(0.69 g)、炭酸カリウム(5.71 g)、及びドデシルベンゼン(10 ml)を窒素置換した反応容器に入れ、加熱し、170℃で10時間撹拌した。その混合物を100℃に冷やし、トルエン(100 ml)を添加して抽出し、減圧下で濃縮し、n-ヘキサン(30 ml)を用いて結晶化させて、12,12-ジメチル-10-フェニル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの淡黄色粉末を得た(8.73 g;収率88.3%)。 The resulting 12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (7.8 g), iodobenzene (3.7 ml), sodium sulfite (0.43 g), powdered copper (0.17 g), 3,5-Di (tert-butyl) salicylic acid (0.69 g), potassium carbonate (5.71 g), and dodecylbenzene (10 ml) were placed in a reaction vessel purged with nitrogen, heated, and stirred at 170 ° C. for 10 hours. The mixture is cooled to 100 ° C., extracted by adding toluene (100 ml), concentrated under reduced pressure, crystallized using n-hexane (30 ml), and 12,12-dimethyl-10-phenyl. A pale yellow powder of -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole was obtained (8.73 g; yield 88.3%).
得られた12,12-ジメチル-10-フェニル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(7.5 g)及びDMF(53 ml)を反応容器に入れた。N-ブロモコハク酸イミド(3.72 g)を氷冷条件下で添加し、その混合物を9時間撹拌し、次に一晩放置した。水(260 ml)を添加し、その混合物をろ過にかけて7-ブロモ-12,12-ジメチル-10-フェニル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの茶色がかった白色の粉末を得た(8.67 g;収率94.6%)。 The resulting 12,12-dimethyl-10-phenyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (7.5 g) and DMF (53 ml) were placed in a reaction vessel. N-bromosuccinimide (3.72 g) was added under ice-cooling conditions and the mixture was stirred for 9 hours and then left overnight. Water (260 ml) is added and the mixture is filtered through 7-bromo-12,12-dimethyl-10-phenyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole brownish white powder (8.67 g; yield 94.6%).
得られた7-ブロモ-12,12-ジメチル-10-フェニル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(2.0 g)、9-フェニル-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9H-カルバゾール(1.68 g)、トルエン/エタノール(4/1, v/v)混合溶媒(15 ml)、及び2M炭酸カリウム水溶液(3.4 ml)を、窒素置換した反応容器に入れ、超音波照射下で、窒素ガスを30分間通気した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.26 g)を添加した後、その混合物を加熱し、73℃で5時間撹拌した。その混合物を室温に冷やした後、トルエン(30 ml)及び水(20 ml)を添加し、有機層を集めるために液分離を行った。有機層を飽和食塩水で洗い、無水硫酸マグネシウムで脱水し、減圧下で濃縮して粗生成物を得た。その粗生成物をクロマトグラフィー(担体:シリカゲル;溶出液:トルエン/n-ヘキサン)によって精製して、12,12-ジメチル-10-フェニル-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの白色粉末を得た(1.5 g;収率54.7%)。 The obtained 7-bromo-12,12-dimethyl-10-phenyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (2.0 g), 9-phenyl-3- (4,4,5, 5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9H-carbazole (1.68 g), toluene / ethanol (4/1, v / v) mixed solvent (15 ml), and 2M aqueous potassium carbonate solution (3.4 ml) was placed in a reaction vessel purged with nitrogen, and nitrogen gas was passed for 30 minutes under ultrasonic irradiation. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.26 g) was added and the mixture was heated and stirred at 73 ° C. for 5 hours. The mixture was cooled to room temperature, toluene (30 ml) and water (20 ml) were added, and liquid separation was performed to collect the organic layer. The organic layer was washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure to obtain a crude product. The crude product was purified by chromatography (carrier: silica gel; eluent: toluene / n-hexane) to give 12,12-dimethyl-10-phenyl-7- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl ) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole was obtained as a white powder (1.5 g; yield 54.7%).
得られた白色粉末の構造をNMRによって特定した。1H-NMR (THF-d8)で検出された32の水素シグナルは以下のとおりである。δ(ppm) = 8.66(1H), 8.64(1H), 8.59(1H), 8.23-8.29(1H), 7.88-7.90(1H), 7.83-7.85(1H), 7.78-7.80(1H), 7.66-7.71(8H), 7.42-7.53(7H), 7.37-7.40(1H), 7.31-7.33(1H), 7.26-7.29(1H), 7.21-7.24(1H), 1.51(6H)。 The structure of the obtained white powder was identified by NMR. The 32 hydrogen signals detected by 1 H-NMR (THF-d 8 ) are as follows. δ (ppm) = 8.66 (1H), 8.64 (1H), 8.59 (1H), 8.23-8.29 (1H), 7.88-7.90 (1H), 7.83-7.85 (1H), 7.78-7.80 (1H), 7.66- 7.71 (8H), 7.42-7.53 (7H), 7.37-7.40 (1H), 7.31-7.33 (1H), 7.26-7.29 (1H), 7.21-7.24 (1H), 1.51 (6H).
例2:化合物H1-118の合成
10-(ビフェニル-4-イル)-12,12-ジメチル-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの合成
例1で合成した12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(35.5 g)、4-ブロモビフェニル(35.0 g)、亜硫酸水素ナトリウム(6.0 g)、粉末銅(2.4 g)、3,5-ジ(tert-ブチル)サリチル酸(9.4 g)、炭酸カリウム(31.2 g)、及びドデシルベンゼン(52 ml)を窒素置換した反応容器に入れ、加熱し、190℃で26時間撹拌した。120℃に冷やした後、トルエン(35 ml)を添加した後でその混合物を撹拌し、粗生成物をろ過によって集めた。その粗生成物にトルエン(1.6 L)を添加した後、粗生成物を加熱し、110℃にて抽出した。室温に冷やした後、粗生成物を減圧下で濃縮した。生成物をメタノール(120 ml)で結晶化させて10-(ビフェニル-4-イル)-12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの白色粉末を得た(48.5 g;収率88.1%)。
Example 2: Synthesis of compound H1-118
Synthesis example of 10- (biphenyl-4-yl) -12,12-dimethyl-7- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole 12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (35.5 g), 4-bromobiphenyl (35.0 g), sodium bisulfite (6.0 g), powdered copper ( 2.4 g), 3,5-di (tert-butyl) salicylic acid (9.4 g), potassium carbonate (31.2 g), and dodecylbenzene (52 ml) were placed in a reaction vessel purged with nitrogen, heated, and heated at 190 ° C. Stir for hours. After cooling to 120 ° C., toluene (35 ml) was added and the mixture was stirred and the crude product was collected by filtration. Toluene (1.6 L) was added to the crude product, and then the crude product was heated and extracted at 110 ° C. After cooling to room temperature, the crude product was concentrated under reduced pressure. The product was crystallized from methanol (120 ml) to give a white powder of 10- (biphenyl-4-yl) -12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (48.5 g; yield 88.1%).
得られた10-(ビフェニル-4-イル)-12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(42.5 g)及びDMF(2.5 L)を反応容器に入れ、その混合物を70℃まで加熱して溶かした。室温に冷却後、N-ブロモコハク酸イミド(17.4 g)を添加し、その混合物を7時間撹拌した。水(2.5 L)を添加し、ろ過を行って、10-(ビフェニル-4-イル)-7-ブロモ-12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの白色粉末を得た(34.9 g;収率69.5%)。 The obtained 10- (biphenyl-4-yl) -12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (42.5 g) and DMF (2.5 L) were placed in a reaction vessel, The mixture was heated to 70 ° C to dissolve. After cooling to room temperature, N-bromosuccinimide (17.4 g) was added and the mixture was stirred for 7 hours. Water (2.5 L) was added, filtered, and 10- (biphenyl-4-yl) -7-bromo-12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole White powder was obtained (34.9 g; yield 69.5%).
得られた10-(ビフェニル-4-イル)-7-ブロモ-12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(16.5 g)、9-フェニル-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9H-カルバゾール(14.2 g)、トルエン/エタノール(4/1, v/v)混合溶媒(250 ml)、及び2M炭酸カリウム水溶液(48 ml))を窒素置換した反応容器に入れ、超音波照射下で30分間、窒素ガスを通気した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.9 g)を添加した後、その混合物を加熱し、73℃で5時間撹拌した。その混合物を室温まで冷やした後、沈殿した粗生成物をろ過によって集めた。その粗生成物に1,2-ジクロロベンゼン(450 ml)を添加し、加熱しながら粗生成物を溶かし、ろ過によって不溶物を除いた後、ろ液を減圧下で濃縮した。1,2-ジクロロベンゼン(150 ml)及びn-ヘキサン(300 ml)を用いる結晶化による精製を行い、10-(ビフェニル-4-イル)-12,12-ジメチル-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの白色粉末を得た(9.8 g;収率45.2%)。 The obtained 10- (biphenyl-4-yl) -7-bromo-12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (16.5 g), 9-phenyl-3- ( 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9H-carbazole (14.2 g), toluene / ethanol (4/1, v / v) mixed solvent (250 ml) And a 2M aqueous potassium carbonate solution (48 ml) were placed in a reaction vessel purged with nitrogen, and nitrogen gas was bubbled for 30 minutes under ultrasonic irradiation. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.9 g) was added and the mixture was heated and stirred at 73 ° C. for 5 hours. After the mixture was cooled to room temperature, the precipitated crude product was collected by filtration. 1,2-Dichlorobenzene (450 ml) was added to the crude product, the crude product was dissolved while heating, the insoluble material was removed by filtration, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. Purification by crystallization using 1,2-dichlorobenzene (150 ml) and n-hexane (300 ml) gave 10- (biphenyl-4-yl) -12,12-dimethyl-7- (9-phenyl- A white powder of 9H-carbazol-3-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole was obtained (9.8 g; yield 45.2%).
得られた白色粉末の構造はNMRによって特定した。1H-NMR (THF-d8)で検出した36の水素のシグナルは以下のとおりである。δ(ppm) = 8.69(1H), 8.64(1H), 8.59(1H), 8.28(1H), 7.99(2H), 7.89(1H), 7.85-7.78(6H), 7.66(4H), 7.56-7.49(6H), 7.44-7.37(4H), 7.32(1H), 7.27(1H), 7.23(1H), 1.52(6H)。 The structure of the obtained white powder was identified by NMR. The 36 hydrogen signals detected by 1 H-NMR (THF-d 8 ) are as follows. δ (ppm) = 8.69 (1H), 8.64 (1H), 8.59 (1H), 8.28 (1H), 7.99 (2H), 7.89 (1H), 7.85-7.78 (6H), 7.66 (4H), 7.56-7.49 (6H), 7.44-7.37 (4H), 7.32 (1H), 7.27 (1H), 7.23 (1H), 1.52 (6H).
例3:H1-119の合成
12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-yl)-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの合成
例1で合成した12,12-ジメチル-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(5.5 g)、2-ブロモ-9,9-ジメチル-9H-フルオレン(6.4 g)、亜硫酸水素ナトリウム(0.3 g)、粉末銅(0.1 g)、3,5-ジ(tert-ブチル)サリチル酸(0.5 g)、炭酸カリウム(4.0 g)、及びドデシルベンゼン(5 ml))を窒素置換した反応容器に入れ、加熱し、180℃で29時間撹拌した。その混合物を100℃に冷やし、トルエン(80 ml)を添加した後、不溶物をろ過により除去し、ろ液を濃縮した。n-ヘキサン(20 ml)を用いた結晶化を行い、12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの黄褐色粉末を得た(7.4 g;収率80.0%)。
Example 3: Synthesis of H1-119
12,12-Dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -7- (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) -10,12-dihydroindeno [2, Synthesis of 1-b] carbazole 12,12-dimethyl-10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (5.5 g) synthesized in Example 1, 2-bromo-9,9-dimethyl-9H- Fluorene (6.4 g), sodium bisulfite (0.3 g), powdered copper (0.1 g), 3,5-di (tert-butyl) salicylic acid (0.5 g), potassium carbonate (4.0 g), and dodecylbenzene (5 ml) )) Was placed in a reaction vessel purged with nitrogen, heated and stirred at 180 ° C. for 29 hours. The mixture was cooled to 100 ° C., toluene (80 ml) was added, insoluble matters were removed by filtration, and the filtrate was concentrated. Crystallization was performed using n-hexane (20 ml), and 12,12-dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1 -b] A tan powder of carbazole was obtained (7.4 g; yield 80.0%).
得られた12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(7.0 g)及びDMF(140 ml)を反応容器に入れた。その混合物を100℃まで加熱して溶かし、冷やした。N-ブロモコハク酸イミド(2.6 g)を氷冷条件下で添加し、その混合物を室温で1時間撹拌した。水(500 ml)を添加し、その混合物をろ過にかけて、7-ブロモ-12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの淡赤色粉末を得た(5.7 g;;収率70.3%)。 The resulting 12,12-dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (7.0 g) and DMF (140 ml) was placed in a reaction vessel. The mixture was heated to 100 ° C. to dissolve and cool. N-bromosuccinimide (2.6 g) was added under ice-cooling conditions and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Water (500 ml) is added and the mixture is filtered to give 7-bromo-12,12-dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -10,12-dihydroindeno. A light red powder of [2,1-b] carbazole was obtained (5.7 g; yield 70.3%).
得られた7-ブロモ-12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾール(4.0 g)、9-フェニル-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9H-カルバゾール(3.2 g)、トルエン/エタノール(4/1, v/v))混合溶媒(50 ml)、及び2M炭酸カリウム水溶液(10 ml))を窒素置換した反応容器に入れ、超音波照射下で30分間、窒素ガスを通気した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.4 g)を添加した後、その混合物を加熱し、71℃で7時間撹拌した。混合物を室温まで冷やした後、水(20 ml)を添加して、有機層を集めるために液体分離を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水し、減圧下で濃縮して粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル;溶出液:トルエン/シクロヘキサン)で精製して、12,12-ジメチル-10-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-7-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-10,12-ジヒドロインデノ[2,1-b]カルバゾールの白色粉末を得た(3.4 g;収率65.7%)。 Obtained 7-bromo-12,12-dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole (4.0 g) 9-phenyl-3- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9H-carbazole (3.2 g), toluene / ethanol (4/1, v / v)) A mixed solvent (50 ml) and a 2M aqueous potassium carbonate solution (10 ml)) were placed in a reaction vessel purged with nitrogen, and nitrogen gas was bubbled for 30 minutes under ultrasonic irradiation. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.4 g) was added and the mixture was heated and stirred at 71 ° C. for 7 hours. After the mixture was cooled to room temperature, water (20 ml) was added and liquid separation was performed to collect the organic layer. The organic layer was dehydrated with anhydrous magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure to obtain a crude product. The crude product was purified by column chromatography (carrier: silica gel; eluent: toluene / cyclohexane) to give 12,12-dimethyl-10- (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) -7- A white powder of (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) -10,12-dihydroindeno [2,1-b] carbazole was obtained (3.4 g; yield 65.7%).
得られた白色粉末の構造をNMRによって特定した。1H-NMR (THF-d8) で検出された40の水素のシグナルは以下のとおりである。δ(ppm) = 8.67(1H), 8.65(1H), 8.60(1H), 8.28(1H), 8.08(1H), 7.90-7.82(5H), 7.69-7.66(5H), 7.58-7.49(5H), 7.43(2H), 7.39(2H), 7.36(1H), 7.33(1H), 7.28(1H), 7.23(1H), 1.61(6H), 1.51(6H)。 The structure of the obtained white powder was identified by NMR. The 40 hydrogen signals detected by 1 H-NMR (THF-d 8 ) are as follows. δ (ppm) = 8.67 (1H), 8.65 (1H), 8.60 (1H), 8.28 (1H), 8.08 (1H), 7.90-7.82 (5H), 7.69-7.66 (5H), 7.58-7.49 (5H) , 7.43 (2H), 7.39 (2H), 7.36 (1H), 7.33 (1H), 7.28 (1H), 7.23 (1H), 1.61 (6H), 1.51 (6H).
第二及び第三のホスト化合物
第二及び第三のホスト化合物のそれぞれは、化合物H1と比較してさらに電子輸送性の高いワイドバンドギャップホスト化合物であり、分子中に以下の基の少なくとも1つを含むことができる。
ここでの開示の側面によれば、第二及び第三のホスト化合物中の任意の置換基は好ましくは、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1からなる群から独立に選択される非縮合置換基であるか、あるいは非置換であり、nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり、Ar1及びAr2は独立に、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択される。
According to aspects of the disclosure herein, any substituents in the second and third host compounds are preferably C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1) 2, n ( Ar 1) (Ar 2), CH = CHC n H 2n + 1, C = CHC n H 2n + 1,
別の態様によれば、第二のホスト化合物は、ベンゾ縮合したチオフェンを有するトリフェニレンを含む化合物であることができる。トリフェニレンは、高い三重項エネルギーと、それでもなお高い[π]共役、及び第一の一重項と第一の三重項準位の間の比較的小さなエネルギー差をもつ多環式芳香族炭化水素である。このことは、トリフェニレンが、似た三重項エネルギーをもつその他の芳香族化合物(例えば、ビフェニル)と比較して、比較的容易に利用可能なHOMO及びLUMO準位を有していることを示している。トリフェニレン及びその誘導体をホストとして用いることの利点は、それが赤、緑、及び青色燐光ドーパントでさえ適合して、エネルギー消光なしに高い効率を与えることができることである。トリフェニレンホストを用いて、高効率かつ高安定性の燐光OLED(PHOLED)をもたらすことができる。Kwong及びAlleyene, Triphenylene Hosts in Phosphorescent Light Emitting Diodes, 2006, 60頁, 米国特許出願公開第2006/0280965 A1号公報を参照されたい。ベンゾ縮合したチオフェン類は、正孔輸送性有機導体として用いることができる。さらに、ベンゾチオフェン類、すなわちジベンゾ[b,d]チオフェン(ここでは「ジベンゾチオフェン」という)、ベンゾ[b]チオフェン、及びベンゾ[c]チオフェンの三重項エネルギーは比較的高い。PHOLED中でのホストとしてのベンゾ縮合したチオフェン類とトリフェニレンの組み合わせは有利でありうる。さらに具体的には、ベンゾ縮合したチオフェン類は一般的には電子輸送性である以上に正孔輸送性であり、トリフェニレンは正孔輸送性である以上に電子輸送性である。したがって、一分子中でこれら2つの部分を組み合わせることは、改善された電荷バランスをもたらすことができ、これが寿命、効率、及び低電圧に関するデバイス性能を向上させうる。この2つの部分のさまざまな化学連結を用いて、結果として生じる化合物の特性を調節してその化合物を個別の燐光発光体、デバイス構造、及び/又は製造工程に対して最も適したようにすることができる。例えば、m-フェニレン連結基は、より高い三重項エネルギーとより大きな溶解度をもたらすことが予測されるが、一方で、p-フェニレン連結基はより低い三重項エネルギーとより小さな溶解度をもたらすことが予測される。 According to another aspect, the second host compound can be a compound comprising triphenylene with benzofused thiophene. Triphenylene is a polycyclic aromatic hydrocarbon with high triplet energy, yet high [π] conjugation, and a relatively small energy difference between the first singlet and the first triplet level . This indicates that triphenylene has relatively readily available HOMO and LUMO levels compared to other aromatic compounds with similar triplet energy (eg, biphenyl). Yes. The advantage of using triphenylene and its derivatives as a host is that it is compatible with even red, green, and blue phosphorescent dopants and can provide high efficiency without energy quenching. A triphenylene host can be used to provide a highly efficient and stable phosphorescent OLED (PHOLED). See Kwong and Alleyene, Triphenylene Hosts in Phosphorescent Light Emitting Diodes, 2006, p. 60, US Patent Application Publication No. 2006/0280965 A1. Benzo-fused thiophenes can be used as hole transporting organic conductors. Furthermore, the triplet energies of benzothiophenes, namely dibenzo [b, d] thiophene (herein referred to as “dibenzothiophene”), benzo [b] thiophene, and benzo [c] thiophene are relatively high. Combinations of benzofused thiophenes and triphenylene as hosts in PHOLEDs can be advantageous. More specifically, benzofused thiophenes are generally more hole transporting than electron transporting, and triphenylene is more electron transporting than hole transporting. Thus, combining these two parts in a molecule can result in improved charge balance, which can improve device performance with respect to lifetime, efficiency, and low voltage. Using various chemical linkages of the two parts to adjust the properties of the resulting compound to make it most suitable for a particular phosphor, device structure and / or manufacturing process. Can do. For example, m-phenylene linking groups are expected to provide higher triplet energy and greater solubility, whereas p-phenylene linking groups are expected to provide lower triplet energy and less solubility. Is done.
ベンゾ縮合チオフェン類の特性と同様に、ベンゾ縮合フラン類も一般的に比較的高い三重項エネルギーを有する正孔輸送物質である。ベンゾ縮合フラン類の例には、ベンゾフラン及びジベンゾフランが含まれる。したがって、トリフェニレンとベンゾフランを両方とも含む物質は、PHOLED中で発光体ホスト又は正孔阻止物質として有利に用いることができる。これら2つの基の両方を含む化合物は、向上した電子安定化をもたらし、これが低電圧でのデバイスの安定性及び効率を向上させうる。トリフェニレンを有するベンゾフラン化合物の特性は、トリフェニレンとベンゾフランを結合するために異なる化学連結を用いることによって必要に応じて調節しうる。 Similar to the properties of benzofused thiophenes, benzofused furans are generally hole transport materials with relatively high triplet energy. Examples of the benzo-fused furans include benzofuran and dibenzofuran. Therefore, a material containing both triphenylene and benzofuran can be advantageously used as a phosphor host or hole blocking material in a PHOLED. Compounds containing both of these two groups provide improved electronic stabilization, which can improve device stability and efficiency at low voltages. The properties of benzofuran compounds with triphenylene can be adjusted as needed by using different chemical linkages to join triphenylene and benzofuran.
第二のホスト化合物のための化合物は、必ずしもトリフェニレン類、ベンゾ縮合したチオフェン類、及びベンゾ縮合したフラン類ではない基で置換されていてもよい。好ましくは、その化合物の置換基として用いられる任意の基が、トリフェニレンベンゾ縮合チオフェン類又はベンゾ縮合フラン類を有することの利点を維持するために十分高い三重項エネルギーを有する(すなわち、その置換基の三重項エネルギーが、ベンゾ縮合チオフェン類、ベンゾ縮合フラン類、及びトリフェニレン類の高い三重項エネルギーを維持する)。上記化合物の置換基として用いうるそのような基の例には、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1からなる群から独立に選択されるいずれかの非縮合置換基、又は非置換が含まれ、nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり、Ar1及びAr2は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択される。本明細書に記載したホスト物質のための化合物は、十分に高い三重項エネルギーを有し、燐光青色発光物質を有するデバイスにおいて用いるために適している。 The compound for the second host compound may be substituted with groups that are not necessarily triphenylenes, benzo-fused thiophenes, and benzo-fused furans. Preferably, any group used as a substituent of the compound has a triplet energy high enough to maintain the advantage of having a triphenylenebenzofused thiophene or benzofused furan (ie, the substituent's Triplet energy maintains the high triplet energy of benzo-fused thiophenes, benzo-fused furans, and triphenylenes). Examples of such groups that can be used as substituents in the above compounds include C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) Independently selected from the group consisting of (Ar 2 ), CH = CH—C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 Any non-condensed substituent, or unsubstituted, n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10, Ar 1 and Ar 2 are independently benzene, Selected from the group consisting of biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs. The compounds for host materials described herein have sufficiently high triplet energy and are suitable for use in devices having phosphorescent blue light emitting materials.
ここに記載した化合物の置換基は非縮合であり、したがってそれらの置換基はその化合物のトリフェニレン、ベンゾ縮合フラン、又はベンゾ縮合チオフェン部分に縮合されていない。これら置換基は任意選択により内部縮合されていてもよい(すなわち互いに縮合されていてもよい)。 The substituents of the compounds described herein are non-condensable and therefore they are not fused to the triphenylene, benzo-fused furan, or benzo-fused thiophene moiety of the compound. These substituents may optionally be internally condensed (ie, may be condensed with each other).
ここで提供される物質はまた、蒸着及び溶液加工法の両方により作製された場合にデバイス中での改善されたフィルムの形成をもたらしうる。特に、改善された作製をもたらす物質は、中央にあるピリジン環を有し、そのピリジン環にベンゾ縮合チオフェン及びトリフェニレン、又はベンゾフラン及びトリフェニレンが結合している。この改善されたフィルム形成は、その化合物中での極性環及び非極性環の組み合わせの結果であると考えられる。 The materials provided herein can also result in improved film formation in the device when made by both vapor deposition and solution processing methods. In particular, materials that result in improved fabrication have a central pyridine ring to which benzo-fused thiophene and triphenylene, or benzofuran and triphenylene are attached. This improved film formation is believed to be the result of a combination of polar and nonpolar rings in the compound.
別の態様によれば、第二及び/又は第三のホスト化合物は、トリフェニレンを有するベンゾ縮合チオフェン類又はベンゾ縮合フラン類である。トリフェニレンを有するベンゾ縮合チオフェン類又はベンゾ縮合フラン類の例には、以下の式(H-IV)、(H-V)、及び(H-VI)の構造を有する化合物が含まれる。
式(H-V)において、XはS又はOであり;R1及びR2は、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;Ar1及びAr2は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;oは1、2、3、又は4であり;pは1又は2であり;R1及びR2のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。 In the formula (HV), X is S or O; R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and hydrogen A non-condensable substituent independently selected from the group; n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10; Ar 1 and Ar 2 are independently benzene, biphenyl , Naphthalene, triphenylene, carbazole, and heteroaromatic analogs thereof; o is 1, 2, 3, or 4; p is 1 or 2; of R 1 and R 2 At least one contains a triphenylene group.
式(H-VI)において、XはS又はOであり;R1及びR2は、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C=CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;Ar1及びAr2は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;o及びpは1、2、3、又は4であり;R1及びR2のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。 In the formula (H-VI), X is S or O; R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and hydrogen A non-condensed substituent independently selected from the group consisting of: n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10; Ar 1 and Ar 2 are independently benzene , Biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and heteroaromatic analogs thereof; o and p are 1, 2, 3, or 4; at least one of R 1 and R 2 is Contains a triphenylene group.
式(H-IV)の構造を有する化合物の例には以下のものが含まれる。
式(H-V)の構造を有する化合物の例には以下のものが含まれる。
式(H-VI)の構造を有する化合物の例には以下のものが含まれる。
ここで開示したホスト化合物物質の全ては、燐光ドーパントの三重項エネルギーよりも高い三重項エネルギーを有する化合物である。このエネルギー構成が、ドーパント上での三重項励起状態の閉じ込めを可能にする。発光層における追加のホスト物質の使用は、励起子と電荷キャリアとの相互作用を低減させることでき、それによって励起子の消光を低減し、これがデバイスの効率及び/又は寿命を向上させうる。 All of the host compound materials disclosed herein are compounds having a triplet energy higher than the triplet energy of the phosphorescent dopant. This energy configuration allows confinement of triplet excited states on the dopant. The use of an additional host material in the light emitting layer can reduce exciton and charge carrier interactions, thereby reducing exciton quenching, which can improve device efficiency and / or lifetime.
発光層中の第二のホスト化合物のためのワイドバンドギャップホスト化合物は、少なくとも2.0eVのHOMO−LUMOバンドギャップを有する。用いられる燐光ドーパントに応じて、いくつかの場合には、ワイドバンドギャップホスト化合物は少なくとも2.5eVの、いくつかの場合には少なくとも3.0eVのHOMO−LUMOバンドギャップを有する。いくつかの場合には、ワイドバンドギャップホスト化合物のHOMO−LUMOバンドギャップは、正孔輸送性の第一のホスト化合物のものと同じか、それより大きい。ワイドバンドギャップホスト化合物は、発光層中でいずれの種類の電荷も容易には輸送しない。特に、ワイドバンドギャップホスト化合物は、正孔輸送性の第一のホスト化合物よりも低い正孔移動度を有する。ホスト化合物は、発光層の他の成分と良く混合することができ、かつ非晶質膜の形成を促進することができることが好ましい。 The wide band gap host compound for the second host compound in the light emitting layer has a HOMO-LUMO band gap of at least 2.0 eV. Depending on the phosphorescent dopant used, in some cases the wide band gap host compound has a HOMO-LUMO band gap of at least 2.5 eV and in some cases at least 3.0 eV. In some cases, the HOMO-LUMO bandgap of the wide bandgap host compound is the same as or greater than that of the first host compound with hole transport properties. Wide bandgap host compounds do not easily transport any type of charge in the emissive layer. In particular, the wide band gap host compound has a lower hole mobility than the first host compound having a hole transporting property. It is preferable that the host compound can be well mixed with other components of the light emitting layer and can promote the formation of an amorphous film.
上述した第二のホスト化合物の具体例の合成の情報は、2009年2月12日に刊行されたPCT国際公開第2009/021126号(その内容を本明細書に援用する)及び2010年7月22日の刊行されたPCT国際公開第2010/083359号(その内容を本明細書に援用する)に見ることができる。 Information on the synthesis of specific examples of the second host compound described above can be found in PCT International Publication No. 2009/021126 published on February 12, 2009 (the contents of which are incorporated herein) and July 2010. PCT International Publication No. 2010/083359 published on the 22nd, the contents of which are incorporated herein by reference.
発光層のための化合物は、任意の好適な堆積手法を用いて堆積させることができ、それには、気相堆積法、例えば、真空熱蒸着が含まれる。発光層中のさまざまな化合物は、別個に又は組み合わせて堆積させることができる。例えば、各化合物は、個々に制御された速度で堆積させてもよく、あるいはそれに代えて、2以上のホスト化合物を予め混合し、次に一緒に蒸発させてもよい。 The compound for the light emitting layer can be deposited using any suitable deposition technique, including vapor deposition methods such as vacuum thermal evaporation. The various compounds in the emissive layer can be deposited separately or in combination. For example, each compound may be deposited at an individually controlled rate, or alternatively, two or more host compounds may be premixed and then evaporated together.
ここで議論した多成分発光層の成分は、全体の発光層物質のうちの質量%として定義した以下の量で用いることができる。一つの態様によれば、燐光ドーパントは0.5〜20%、より好ましくは1〜10%、最も好ましくは3〜7%で備えることができる。第一のホスト化合物は、25%以下、より好ましくは約10〜20%を構成することが好ましい。第二のホスト化合物は、好ましくは、約50〜90%、より好ましくは約60〜80%を構成する。第三のホスト化合物は、好ましくは、約10〜50%、より好ましくは約20〜40%を構成する。発光層中の発光ドーパントとホスト物質の相対量は、具体的な用途に応じて変わる。 The components of the multi-component light emitting layer discussed here can be used in the following amounts defined as mass% of the total light emitting layer material. According to one embodiment, the phosphorescent dopant may comprise 0.5-20%, more preferably 1-10%, most preferably 3-7%. The first host compound preferably constitutes 25% or less, more preferably about 10-20%. The second host compound preferably comprises about 50-90%, more preferably about 60-80%. The third host compound preferably comprises about 10-50%, more preferably about 20-40%. The relative amounts of luminescent dopant and host material in the luminescent layer will vary depending on the specific application.
励起子/電子阻止層
別の側面によれば、ここで開示したOLEDは、上述した一般式H1で表される化合物である物質から形成され、発光層とアノードの間に配置された励起子/電子阻止層(EBL)をさらに含むことができる。このEBLは、励起子と電子のうち少なくとも1つ又はこれら両方をブロックする。
Exciton / Electron Blocking Layer According to another aspect, the OLED disclosed herein is formed from a material that is a compound represented by the general formula H1 described above, and is disposed between the light emitting layer and the anode. An electron blocking layer (EBL) can further be included. The EBL blocks at least one or both of excitons and electrons.
EBLのための物質は、一般式H1を有する化合物の以下の例からなる群から選択することができる:化合物H1-1、化合物H1-2、化合物H1-3、化合物H1-4、化合物H1-5、化合物H1-6、化合物H1-7、化合物H1-8、化合物H1-9、化合物H1-10、化合物H1-11、化合物H1-12、化合物H1-13、化合物H1-14、化合物H1-15、化合物H1-16、化合物H1-17〜化合物H1-120(これらは本明細書に記載されている)。 The substance for EBL can be selected from the group consisting of the following examples of compounds having the general formula H1: Compound H1-1, Compound H1-2, Compound H1-3, Compound H1-4, Compound H1- 5, Compound H1-6, Compound H1-7, Compound H1-8, Compound H1-9, Compound H1-10, Compound H1-11, Compound H1-12, Compound H1-13, Compound H1-14, Compound H1- 15, Compound H1-16, Compound H1-17 to Compound H1-120 (these are described herein).
正孔輸送層
ここでの開示の別の側面によるOLEDは、発光層とアノードの間に配置された少なくとも1つの正孔輸送層をさらに含む。この少なくとも1つの正孔輸送層は、下に挙げた以下の式(HTL-I)〜(HTL-VI)から選択される式を有する化合物のうち少なくとも1つを含む物質である。
Hole Transport Layer The OLED according to another aspect of the present disclosure further includes at least one hole transport layer disposed between the light emitting layer and the anode. The at least one hole transport layer is a substance including at least one of compounds having a formula selected from the following formulas (HTL-I) to (HTL-VI) listed below.
(HTL-I)は下記式である。
(HTL-II)は下記式である。
A1は以下の構造式(a1)〜(i1)のいずれか1つで表される基を表す。
A 1 represents a group represented by any one of the following structural formulas (a1) to (i1).
(HTL-III)は下記式である。
A2は以下の構造式(j1)〜(n1)のいずれか1つで表される基を表す。
A 2 represents a group represented by any one of the following structural formulas (j1) to (n1).
(HTL-IV)は下記式である。
A3は以下の構造式(a2)〜(i2)のいずれか1つで表される基を表す。
A 3 represents a group represented by any one of the following structural formulas (a2) to (i2).
(HTL-V)は下記式である。
A4は以下の構造式(j2)〜(n2)のいずれか1つで表される基を表す。
A 4 represents a group represented by any one of the following structural formulas (j2) to (n2).
(HTL-VI)は下記式である。
を表す。
(HTL-VI) is the following formula.
Represents.
ここで用いる「低級アルキル基」及び「低級アルコキシ基」の用語は、「C1−4アルキル基」及び「C1−4アルコキシ基」をそれぞれ意味する。 The terms “lower alkyl group” and “lower alkoxy group” used herein mean “C 1-4 alkyl group” and “C 1-4 alkoxy group”, respectively.
式(HTL-I)〜(HTL-VI)の化合物の合成情報、及び式(HTL-I)〜(HTL-VI)の化合物の具体例は、Tomiyamaらの米国特許第5,707,747号明細書に提供されており、その内容を参照により本明細書に援用する。 Synthesis information for compounds of formula (HTL-I) to (HTL-VI) and specific examples of compounds of formula (HTL-I) to (HTL-VI) are provided in US Pat. No. 5,707,747 to Tomiyama et al. The contents of which are incorporated herein by reference.
式(HTL-I)〜(HTL-VI)の構造を有する化合物の例には以下のものが含まれる。 Examples of compounds having the structures of formulas (HTL-I) to (HTL-VI) include:
基材
本発明のOLEDは、OLEDを支持するための基材上に作ることができる。基材は、約400〜約700nmの可視領域内の光が少なくとも約50%の透過率を有する平坦な基板であることが好ましい。基材には、ガラス板、ポリマー板などが含まれる。特に、ガラス板には、ソーダライムガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、バリウムボロシリケートガラス、石英などが含まれる。ポリマー板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフィド、ポリスルホンなどが含まれる。
Substrate The OLED of the present invention can be made on a substrate for supporting the OLED. The substrate is preferably a flat substrate having a transmittance of at least about 50% for light in the visible region of about 400 to about 700 nm. The substrate includes a glass plate, a polymer plate and the like. In particular, the glass plate includes soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz and the like. The polymer plate includes polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like.
電極
本発明のOLED100のアノード3は、正孔注入層、正孔輸送層、又は発光層に正孔を注入する役割が考えられる。典型的には、アノードは4.5eV以上の仕事関数を有する。アノードとして用いるのに適した物質の具体例には、インジウムスズオキシド合金(ITO)、酸化スズ(NESA)、インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅などが含まれる。アノードは、蒸着法、スパッタリング等などの方法によって、上で論じたものなどの電極材料から薄膜を形成することによって作成できる。
Electrode The anode 3 of the
光が発光層から発せられる場合、アノードにおける可視光領域の光の透過率は、好ましくは10%より大きい。アノードのシート抵抗は好ましくは数百Ω/□以下である。アノードの膜厚はその物質に応じて選択され、一般的には約10nm〜約1μm、好ましくは約10nm〜約200nmの範囲である。 When light is emitted from the light emitting layer, the light transmittance in the visible light region at the anode is preferably greater than 10%. The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. The thickness of the anode is selected according to the material, and is generally in the range of about 10 nm to about 1 μm, preferably about 10 nm to about 200 nm.
カソード11は、好ましくは、電子注入層、電子輸送層、又は発光層に電子を注入する目的のために、小さな仕事関数を有する物質を含む。カソードとして用いるために適した物質には、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金などが含まれるがこれらに限定されない。透明又は上面発光デバイスのためには、米国特許第6,548,956号明細書に開示されているものなどのTOLEDカソードが好ましい。 The cathode 11 preferably comprises a material having a small work function for the purpose of injecting electrons into the electron injection layer, the electron transport layer, or the light emitting layer. Materials suitable for use as the cathode include indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, aluminum-lithium alloys, aluminum-scandium-lithium alloys, magnesium-silver alloys, and the like. It is not limited. For transparent or top-emitting devices, TOLED cathodes such as those disclosed in US Pat. No. 6,548,956 are preferred.
カソードはアノードの場合と同様に蒸着法、スパッタリング法などの方法によって薄膜を形成することによって作成できる。さらに、発光がカソード側から取り出される態様も同様に用いることができる。 The cathode can be formed by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering as in the case of the anode. Further, an embodiment in which light emission is extracted from the cathode side can be used in the same manner.
逆構造OLED
図6は、ここで開示する別の態様に従う逆構造OLED400を示す。このデバイスは、基材410、カソード415、発光層420、正孔輸送層425、及びアノード430を含む。OLED400は、記載した層を順に堆積させることによって作製できる。最も一般的なOLEDの構成はアノードの上方に配置されたカソードを有し、デバイス400はアノード430の下方に配置されたカソード415を有するので、デバイス400を逆構造OLEDとよぶことができる。OLED400も、図1のOLED 100に図示した層のいくつかがデバイス構造から省略されているOLEDの例を図示している。
Reverse structure OLED
FIG. 6 illustrates an
OLED 100、200、300、及び400の単純な層状化構造は非限定的な例として提供され、本発明の態様は、広い範囲のその他の構造と関連して用いられうることが理解される。記載されている具体的な物質および構造は事実上例示であり、その他の物質および構造も使用できる。設計、性能、およびコスト要因に基づいて、実用的なOLEDは様々なやり方で、上に記載した様々な層を組み合わせることによって実現でき、あるいは、いくつかの層は完全に省いてもよい。具体的に記載されていない他の層を含むこともできる。
It will be appreciated that simple layered structures of
本明細書に記載されている例の多くは単一の物質を含むものとして様々な層を記載しているが、物質の組合せ、あるいはより一般的には混合物を用いてもよいことが理解される。また、層は様々な副層(sublayer)を有してもよい。本明細書において様々な層に与えられている名称は、厳格に限定することを意図するものではない。例えば、デバイス400において、正孔輸送層425は正孔を輸送し且つ発光層420に正孔を注入し、正孔輸送層として、あるいは正孔注入層として説明されうる。一つの態様において、OLEDは、カソードとアノードとの間に配置された「有機層」を有するものとして説明できる。この有機層は単一の層を含むか、または、記載したように様々な有機物質の複数の層をさらに含むことができる。
Although many of the examples described herein describe various layers as containing a single material, it is understood that combinations of materials, or more generally mixtures, may be used. The The layer may also have various sublayers. The names given to the various layers herein are not intended to be strictly limiting. For example, in the
本発明を、以下の実施例デバイス及び比較例デバイスを参照してさらに詳細に説明する。しかし、本発明は以下の実施例に限定されない。実施例デバイスを作製するのに用いた具体的有機化合物H1-1、H1-118、H1-119、H、E1、G1、NPD、及びAlq3の化学構造を以下に示す。 The invention will be described in more detail with reference to the following example devices and comparative devices. However, the present invention is not limited to the following examples. The chemical structures of the specific organic compounds H1-1, H1-118, H1-119, H, E1, G1, NPD, and Alq 3 used to fabricate the example devices are shown below.
[ホストとしての化合物H1 - 実施例デバイス#1、#2、及び#3]
四成分発光層を有し、図2に示した構造を有する実施例の緑色PHOLEDを構築した。実施例デバイス#1、#2、及び#3はITOアノード(800Å)及びLiF/Alカソードを有していた。その2つの電極の間に以下の層を堆積させた:化合物LG-101(LG Chemical社から)で作られた100Åの厚さの正孔注入層(HIL)、NPDで作られた500Åの厚さの電子阻止層(EBL)、300Åの厚さの四成分発光層(EML)、化合物E1で作られた100Åの厚さの正孔阻止層(HBL)、及びAlq3で作られた400Åの厚さの電子輸送層。これらの試験デバイス中の四成分EMLは、3種のホスト化合物を用いて形成された。第一のホスト化合物は一般式H1を有する正孔輸送型ホスト化合物であり、第二のホスト化合物はワイドバンドギャップマトリクスホストとしての化合物Hであり、第三のホスト化合物は電子輸送ホストとしてのE1だった。表3の試験デバイスデータのまとめに示されているとおり、デバイス#1、#2、及び#3中の具体的な正孔輸送ホスト化合物は、それぞれH1-1、H1-119、及びH1-118だった。化合物G1は緑色発光体ドーパントだった。これらの化合物のHOMO-LUMOエネルギー準位は下の表1に示されている。
[Compound H1 as host-
An example green PHOLED having a four-component light emitting layer and having the structure shown in FIG. 2 was constructed.
ここでの開示に従う例示デバイスに用いられた有機化合物の機能は下の表2に示されている。 The functions of the organic compounds used in the exemplary devices according to the disclosure herein are shown in Table 2 below.
用いた発光層の各成分の量を、下の表3に示している。それらの量は、発光層中の質量%で示されている。例えば、例示デバイス#1中で、第一のホスト化合物H1-1、第二のホスト化合物H、第三のホスト化合物E1、及び発光体ドーパントG1の濃度はそれぞれ15質量%、60質量%、20質量%、及び5質量%である。
The amount of each component of the light emitting layer used is shown in Table 3 below. Those amounts are shown in mass% in the light emitting layer. For example, in the
一つの態様によるEML中のホストのうちの1つとして正孔輸送型ホストH1を組み込んだ図2のデバイスの四成分EMLに対するエネルギー準位図が図4に示されている。例示デバイス#4の四成分EML部分に対するエネルギー準位図が図5に示されている。化合物H1-1のHOMO準位は5.59eVであり、これはその他のホスト化合物H及びE1のHOMO準位(これらはそれぞれ5.96及び5.73である)よりも高い(すなわち、より電気陰性度が小さい)。したがってホスト化合物H及びE1は、正孔輸送型化合物H1-1、H1-118、及びH1-119よりも電子輸送性である。化合物H1-1、H1-118、及びH1-119のHOMO準位は、発光体ドーパントG1のHOMO準位(5.1eV)に比較的近く、上で論じたように、これが、正孔輸送ホスト化合物、例えば、H1-1、H1-118、及びH1-119が、発光体ドーパントから正孔輸送機能の負荷をとり除くことを可能にし、これがその発光体ドーパント物質の寿命を延ばす。 An energy level diagram for the four component EML of the device of FIG. 2 incorporating the hole transporting host H1 as one of the hosts in the EML according to one embodiment is shown in FIG. An energy level diagram for the four component EML portion of exemplary device # 4 is shown in FIG. Compound H1-1 has a HOMO level of 5.59 eV, which is higher (ie, more electrical) than the HOMO levels of other host compounds H and E1 (these are 5.96 and 5.73, respectively). Small negative degree). Therefore, the host compounds H and E1 are more electron transporting than the hole transporting compounds H1-1, H1-118, and H1-119. The HOMO levels of compounds H1-1, H1-118, and H1-119 are relatively close to the HOMO level (5.1 eV) of the emitter dopant G1, and as discussed above, this is a hole transport host. Compounds, such as H1-1, H1-118, and H1-119, allow the hole transport function load to be removed from the emitter dopant, which extends the lifetime of the emitter dopant material.
EML中の高い15質量%の化合物H1-1、H1-118、及びH1-119と低い5質量%のG1を備える例示デバイス#1〜#8において、正孔の大部分は正孔輸送ホスト化合物H1-1、H1-118、及びH1-119によって輸送され、これが電荷キャリアと励起子の分離を高め、濃度消光及びポーラロン-励起子相互作用を最小化すると考えられる。化合物H1-1の三重項エネルギー(2.80eV)は、G1の三重項エネルギー(2.4eV)よりも高く、発光消光を引き起こさない。
In
[ホスト及びEBLとしての化合物H1 − 例示デバイス#4〜#8]
例示デバイス#4、#5、#6、#7、及び#8は、図3に示された構造300を有していた。例示デバイス#4、#5、#6、#7、及び#8のEMLは、第一のホスト化合物として一般式H1を有する正孔輸送化合物(15質量%)、第二のホスト化合物としての化合物H(60質量%)、第三のホスト化合物としての化合物E1(20質量%)、及び発光体ドーパント化合物G1(5質量%)からなる四成分組成物を有していた。
[Compound H1 as Host and EBL-Exemplary Devices # 4 to # 8]
Exemplary devices # 4, # 5, # 6, # 7, and # 8 had the
例示デバイスからの発光スペクトルの測定されたCIE 1931座標、λmax、及びFWHM(半値全幅)を表3に示している。EML中の成分として化合物H1-1、H1-119、又はH1-118を備えた例示デバイス#1〜#8は、比較のための参照デバイスCEと比較してより良好な彩度(color saturation)を示した。表3に示したとおり、2つの群の例示デバイスを評価した:(1)EBLとしてのNPDとともに、発光層中のホスト化合物の1つとしてここで開示した正孔輸送型化合物を用いた第一の群(例示デバイス#1、#2、及び#4);及び(2)発光層中のホスト化合物の1つとして、さらにEBLとして、ここで開示した化合物を用いる第二の群(例示デバイス#5、#6、#8、#9、及び#14)。一般式H1によって表されるインデノカルバゾール誘導体化合物を、マトリクスホスト、H、電子輸送ホスト、E1、とともにホストとして用い、正孔輸送ホスト機能をもたらした。比較例示デバイスCEは2つのホスト化合物のみ、マトリクスホストHと電子輸送ホストE1、及びEBLとしてNPDを有していた。優れた彩度は、全ての例示デバイスで達成された。例示デバイスは、比較例デバイスよりも狭いFWHMを示した。本発明者は、これは、EMLへの正孔輸送ホストの添加によって引き起こされた、増大したミクロキャビティ効果の証拠でありうると考えている。これは、化合物H1の輸送機能に加えて、その屈折率がEML中の反射特性を改善し、それが発光のスペクトルを狭くすること及び高められた発光強度をもたらすことを示唆しているであろう。これらの有利な効果は予測できるものではなく、なぜならそのような効果は一般に化合物の化学構造に基づいては予測できないからである。
The measured CIE 1931 coordinates, λ max , and FWHM (full width at half maximum) of the emission spectrum from the example device are shown in Table 3.
HOMO、LUMO準位、及び三重項エネルギー準位を上の表1に示している。化合物H1-1、H1-118、及びH1-119の非常に浅いLUMO準位(それぞれ、2.10、2.20、及び2.33 eV)は、電子がHTLのなかへ漏れることを阻止し、化合物H1-1、H1-118、及びH1-119の高い三重項エネルギー(それぞれ、2.80、2.79、及び2.77 eV)は、励起子がHTLのなかへ漏れることを阻止する。励起子/電子阻止層としてH1-1、H1-118、又はH1-119などの化合物を用いたデバイス中の励起子及び電子は、発光層内により良く閉じ込められる。したがって、それは、発光層中での電荷−励起子分離と、励起子/電子阻止層における電子及び励起子のブロックの両方を兼ね備えている。 The HOMO, LUMO levels, and triplet energy levels are shown in Table 1 above. The very shallow LUMO levels of compounds H1-1, H1-118, and H1-119 (2.10, 2.20, and 2.33 eV, respectively) prevent electrons from leaking into the HTL, and compounds H1-1, The high triplet energies of H1-118 and H1-119 (2.80, 2.79, and 2.77 eV, respectively) prevent excitons from leaking into the HTL. Excitons and electrons in a device using a compound such as H1-1, H1-118, or H1-119 as an exciton / electron blocking layer are better confined in the light emitting layer. Thus, it combines both charge-exciton separation in the emissive layer and electron and exciton block in the exciton / electron blocking layer.
全ての有機層は、高真空条件下(1×10-7 Torr)で堆積した。PHOLEDは真空から不活性雰囲気のグローブボックスへと直接移し、グローブボックス中で水分吸収剤とともにUV硬化性エポキシ及びガラス蓋を用いてそれを密封した。 All organic layers were deposited under high vacuum conditions (1 × 10 −7 Torr). The PHOLED was transferred directly from the vacuum to a glove box with an inert atmosphere and sealed in the glove box using a UV curable epoxy and glass lid with a moisture absorber.
別の定めのない限り、ここに記載した発明のさまざまな態様の層のいずれも、任意の好適な方法で堆積できる。有機層については、好ましい方法には、熱蒸着、インクジェット(例えば米国特許第6,013,982号及び同6,087,196号明細書ものなど、それら全体を参照により援用する)、有機気相蒸着(OVPD)(例えば、Forrestらへの米国特許第6,337,102号明細書に記載されているものなど、それら全体を参照により援用する)、及び有機気相ジェット印刷(OVJP)(例えば、米国特許出願番号第10/233,470号に記載されているものなど、その全体を参照により援用する)が含まれる。その他の好適な堆積法には、スピンコーティング及びその他の溶液加工法が含まれる。溶液に基づく方法は、窒素又は不活性雰囲気下で実施されることが好ましい。その他に層のためには、好ましい方法には熱蒸着が含まれる。好ましいパターン形成法には、マスクを通した堆積、米国特許第6,294,398号及び同6,468,819号明細書に記載したものなどのコールドウェルディング(その全体を参照により援用する)、及びインクジェット及びOVJDなどのいくつかの堆積法に関連するパターン形成法が含まれる。その他の方法も用いることができる。堆積される物質は、それらを具体的な堆積法と相性が良いようにするために修飾してもよい。例えば、分岐又は非分岐の、そして好ましくは少なくとも3個の炭素を含むアルキル及びアリール基などの置換基を、小分子に用いて溶液加工を受けるそれらの能力を高めてもよい。20個以上の炭素を有する置換基を用いてもよく、3〜20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造をもつ物質は、対称構造を有するものよりも良好な溶液加工性を有し、なぜなら、非対称物質は再結晶化に対するより小さな傾向を有しうるからである。デンドリマー置換基を用いて、溶液加工性を受ける小分子の能力を高めてもよい。 Unless otherwise specified, any of the layers of the various aspects of the invention described herein can be deposited in any suitable manner. For organic layers, preferred methods include thermal evaporation, ink jet (eg, those of US Pat. Nos. 6,013,982 and 6,087,196, which are incorporated by reference in their entirety), organic vapor deposition (OVPD) (eg, Forrest Incorporated by reference in their entirety, such as those described in US Pat. No. 6,337,102, and organic vapor jet printing (OVJP) (eg, as described in US patent application Ser. No. 10 / 233,470). Which are incorporated by reference in their entirety). Other suitable deposition methods include spin coating and other solution processing methods. The solution based process is preferably carried out under nitrogen or an inert atmosphere. For other layers, preferred methods include thermal evaporation. Preferred patterning methods include deposition through a mask, cold welding (such as those described in US Pat. Nos. 6,294,398 and 6,468,819), and a number of such as ink jet and OVJD. Patterning methods associated with such deposition methods are included. Other methods can also be used. The deposited materials may be modified to make them compatible with specific deposition methods. For example, substituents such as branched and unbranched and preferably alkyl and aryl groups containing at least 3 carbons may be used in small molecules to enhance their ability to undergo solution processing. Substituents having 20 or more carbons may be used, and 3-20 carbons is a preferred range. A material with an asymmetric structure has better solution processability than one with a symmetric structure, because an asymmetric material can have a smaller tendency to recrystallization. Dendrimer substituents may be used to increase the ability of small molecules to undergo solution processability.
ここで説明した構造は例に過ぎず、開示した発明によるOLEDはその具体的な構造に限定されず、より多くの層又はより少ない層、あるいは層の別の組み合わせを含むことができる。 The structures described herein are merely examples, and an OLED according to the disclosed invention is not limited to that specific structure, and can include more or fewer layers, or other combinations of layers.
Claims (28)
第一のホスト化合物;
第二のホスト化合物;及び
第三のホスト化合物を含み、
前記第一のホスト化合物が下記一般式(H1)によって表されるインデノカルバゾール環構造を有し:
Ar1、Ar2、及びAr3は同じか異なり、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、あるいは置換又は非置換縮合多環式芳香族基であってよく、A及びAr2、あるいはAr2及びAr3は、単結合を介して、あるいは置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく;
R1〜R9は同じか異なり、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ、ニトロ、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキル、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキル、置換基を有していてもよい2〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルケニル、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキルオキシ、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキルオキシ、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、置換又は非置換縮合多環式芳香族基、あるいは置換又は非置換アリールオキシであってよく、これらは単結合、置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく;
R10及びR11は同じか異なり、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキル、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキル、置換基を有していてもよい2〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルケニル、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキルオキシ、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキルオキシ、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、置換又は非置換縮合多環式芳香族基、あるいは置換又は非置換アリールオキシであってよく、これらは単結合、置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。);
前記第二のホスト化合物が下記式(H-IV)、(H-V)、又は(H-VI)によって表される化合物であり:
R 1 、R 2 、及びR 3 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
pは1、2、3、又は4であり;
R 1 、R 2 、及びR 3 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);
R 1 及びR 2 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
oは1、2、3、又は4であり;pは1又は2であり;
R 1 及びR 2 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);
R 1 及びR 2 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
o及びpは1、2、3、又は4であり;
R 1 及びR 2 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);そして、
前記第三のホスト化合物は、前記第一のホスト化合物及び第二のホスト化合物とは異なる化合物であって、分子中に以下の基:
を少なくとも1つ含み、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、及びC n H 2n -Ar 1 (式中、nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり、Ar 1 及びAr 2 は独立に、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択される)からなる群から独立に選択される非縮合置換基で置換されているか又は非置換である化合物である、
有機発光デバイス。 The anode, cathode, and a plurality of organic layers disposed therebetween, the plurality of organic layers, the light-emitting layer containing a host material and a phosphorescent material A including the organic light emitting device, wherein the host material ,
A first host compound ;
A second host compound ; and
Including a third host compound ,
Have a indeno carbazole ring structure wherein the first host compound is represented by the following general formula (H1):
Ar 1 , Ar 2 , and Ar 3 are the same or different and are a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group, Well, A and Ar 2 , or Ar 2 and Ar 3 may be bonded to each other through a single bond, or through a substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom, or sulfur atom to form a ring;
R 1 to R 9 are the same or different and are a hydrogen atom, a deuterium atom, a fluorine atom, a chlorine atom, cyano, nitro, a linear or branched chain of 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent Alkyl, optionally substituted cycloalkyl of 5 to 10 carbon atoms, optionally substituted straight chain or branched alkenyl of 2 to 6 carbon atoms, substituted Linear or branched alkyloxy of 1 to 6 carbon atoms optionally substituted, cycloalkyloxy of 5 to 10 carbon atoms optionally substituted, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon It may be a group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group, or a substituted or unsubstituted aryloxy, which is a single bond, substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom Or bonded to each other through a sulfur atom to form a ring Even if the well;
R 10 and R 11 are the same or different and may have a linear or branched alkyl of 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, or 5 to 10 carbon atoms which may have a substituent. A cycloalkyl, an optionally substituted linear or branched alkenyl of 2 to 6 carbon atoms, an optionally substituted linear or branched chain of 1 to 6 carbon atoms Alkyloxy, optionally substituted cycloalkyloxy having 5 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted Fused polycyclic aromatic groups, or substituted or unsubstituted aryloxy, which are bonded to each other through a single bond, substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom, or sulfur atom to form a ring. Also good. );
The second host compound is a compound represented by the following formula (H-IV), (HV), or (H-VI):
R 1 , R 2 , and R 3 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and non-condensed substitution independently selected from the group consisting of hydrogen A group;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
p is 1, 2, 3, or 4;
At least one of R 1 , R 2 , and R 3 contains a triphenylene group. );
R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH═CH—C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and a non-condensed substituent independently selected from the group consisting of hydrogen;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
o is 1, 2, 3, or 4; p is 1 or 2;
At least one of R 1 and R 2 contains a triphenylene group. );
R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH═CH—C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and a non-condensed substituent independently selected from the group consisting of hydrogen;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
o and p are 1, 2, 3, or 4;
At least one of R 1 and R 2 contains a triphenylene group. ;; and
The third host compound is a compound different from the first host compound and the second host compound, and includes the following groups in the molecule:
, C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , and C n H 2n -Ar 1 (where n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 , 8, 9, or 10, wherein Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs) A compound that is substituted or unsubstituted with a non-condensable substituent selected from
Organic light emitting device.
発光層の前記ホスト物質が、
第一のホスト化合物;
第二のホスト化合物;及び
第三のホスト化合物を含み、
前記第一のホスト化合物が下記一般式(H1)によって表されるインデノカルバゾール環構造を有し:
Ar1、Ar2、及びAr3は同じか異なり、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、あるいは置換又は非置換縮合多環式芳香族基であってよく、A及びAr2、あるいはAr2及びAr3は、単結合を介して、あるいは置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく;
R1〜R9は同じか異なり、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ、ニトロ、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキル、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキル、置換基を有していてもよい2〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルケニル、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキルオキシ、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキルオキシ、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、置換又は非置換縮合多環式芳香族基、あるいは置換又は非置換アリールオキシであってよく、これらは単結合、置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく;
R10及びR11は同じか異なり、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキル、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキル、置換基を有していてもよい2〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルケニル、置換基を有していてもよい1〜6の炭素原子の直鎖又は分枝状のアルキルオキシ、置換基を有していてもよい5〜10の炭素原子のシクロアルキルオキシ、置換又は非置換芳香族炭化水素基、置換又は非置換芳香族へテロ環基、置換又は非置換縮合多環式芳香族基、あるいは置換又は非置換アリールオキシであってよく、これらは単結合、置換又は非置換メチレン、酸素原子、又は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。);
前記第二のホスト化合物が下記式(H-IV)、(H-V)、又は(H-VI)によって表される化合物であり:
R 1 、R 2 、及びR 3 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
pは1、2、3、又は4であり;
R 1 、R 2 、及びR 3 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);
R 1 及びR 2 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
oは1、2、3、又は4であり;pは1又は2であり;
R 1 及びR 2 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);
R 1 及びR 2 は、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、C n H 2n -Ar 1 、及び水素からなる群から独立に選択される非縮合置換基であり;
nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり;
Ar 1 及びAr 2 は独立にベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択され;
o及びpは1、2、3、又は4であり;
R 1 及びR 2 のうち少なくとも1つはトリフェニレン基を含む。);そして、
前記第三のホスト化合物は、前記第一のホスト化合物及び第二のホスト化合物とは異なる化合物であって、分子中に以下の基:
を少なくとも1つ含み、C n H 2n+1 、OC n H 2n+1 、OAr 1 、N(C n H 2n+1 ) 2 、N(Ar 1 )(Ar 2 )、CH=CH-C n H 2n+1 、C=CHC n H 2n+1 、Ar 1 、Ar 1 -Ar 2 、及びC n H 2n -Ar 1 (式中、nは1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10であり、Ar 1 及びAr 2 は独立に、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族類似体からなる群から選択される)からなる群から独立に選択される非縮合置換基で置換されているか又は非置換である化合物であり;かつ、
前記励起子/電子阻止層が、上記一般式H1で表されるインデノカルバゾール環構造を有
するブロッキング化合物を含み、前記励起子/電子阻止層が励起子と電子のうち少なくと
も1つをブロックし、
前記第一のホスト化合物と前記ブロッキング化合物が同じであるか又は異なる、有機発
光デバイス。 An anode, a cathode, and a plurality of organic layers disposed therebetween, wherein the plurality of organic layers are disposed between a light emitting layer including a host material and a phosphorescent material, and between the light emitting layer and the anode. An organic device comprising an exciton / electron blocking layer,
The host material of the light emitting layer is
A first host compound ;
A second host compound ; and
Including a third host compound ,
Have a indeno carbazole ring structure wherein the first host compound is represented by the following general formula (H1):
Ar 1 , Ar 2 , and Ar 3 are the same or different and are a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group, Well, A and Ar 2 , or Ar 2 and Ar 3 may be bonded to each other through a single bond, or through a substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom, or sulfur atom to form a ring;
R 1 to R 9 are the same or different and are a hydrogen atom, a deuterium atom, a fluorine atom, a chlorine atom, cyano, nitro, a linear or branched chain of 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent Alkyl, optionally substituted cycloalkyl of 5 to 10 carbon atoms, optionally substituted straight chain or branched alkenyl of 2 to 6 carbon atoms, substituted Linear or branched alkyloxy of 1 to 6 carbon atoms optionally substituted, cycloalkyloxy of 5 to 10 carbon atoms optionally substituted, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon It may be a group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group, or a substituted or unsubstituted aryloxy, which is a single bond, substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom Or bonded to each other through a sulfur atom to form a ring Even if the well;
R 10 and R 11 are the same or different and may have a linear or branched alkyl of 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, or 5 to 10 carbon atoms which may have a substituent. A cycloalkyl, an optionally substituted linear or branched alkenyl of 2 to 6 carbon atoms, an optionally substituted linear or branched chain of 1 to 6 carbon atoms Alkyloxy, optionally substituted cycloalkyloxy having 5 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted Fused polycyclic aromatic groups, or substituted or unsubstituted aryloxy, which are bonded to each other through a single bond, substituted or unsubstituted methylene, oxygen atom, or sulfur atom to form a ring. Also good. );
The second host compound is a compound represented by the following formula (H-IV), (HV), or (H-VI):
R 1 , R 2 , and R 3 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and non-condensed substitution independently selected from the group consisting of hydrogen A group;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
p is 1, 2, 3, or 4;
At least one of R 1 , R 2 , and R 3 contains a triphenylene group. );
R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH═CH—C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and a non-condensed substituent independently selected from the group consisting of hydrogen;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
o is 1, 2, 3, or 4; p is 1 or 2;
At least one of R 1 and R 2 contains a triphenylene group. );
R 1 and R 2 are C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH═CH—C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , C n H 2n -Ar 1 , and a non-condensed substituent independently selected from the group consisting of hydrogen;
n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10;
Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs;
o and p are 1, 2, 3, or 4;
At least one of R 1 and R 2 contains a triphenylene group. ;; and
The third host compound is a compound different from the first host compound and the second host compound, and includes the following groups in the molecule:
, C n H 2n + 1 , OC n H 2n + 1 , OAr 1 , N (C n H 2n + 1 ) 2 , N (Ar 1 ) (Ar 2 ), CH = CH-C n H 2n + 1 , C = CHC n H 2n + 1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , and C n H 2n -Ar 1 (where n is 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 , 8, 9, or 10, wherein Ar 1 and Ar 2 are independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and their heteroaromatic analogs) A compound that is substituted or unsubstituted with a non-condensable substituent selected from: and
The exciton / electron blocking layer includes a blocking compound having an indenocarbazole ring structure represented by the general formula H1, and the exciton / electron blocking layer blocks at least one of excitons and electrons;
An organic light emitting device wherein the first host compound and the blocking compound are the same or different.
前記ホスト物質が第一のホスト化合物及び第二のホスト化合物を含み、前記第一のホスト化合物が、
前記燐光発光物質が下記式G1:
The host material includes a first host compound and a second host compound, and the first host compound is
The phosphorescent material is represented by the following formula G1:
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