JP6286121B2 - アセトンからイソブチレンを製造する方法 - Google Patents
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Description
本実施例において、反応装置には固定床流通式触媒反応器を用いた。本実施例で使用した反応装置の概略を図3に示す。原料であるアセトンをマイクロフィーダー1から、同伴ガスである窒素(N2)をN2ボンベ3から流量計2を介して供給した。供給したアセトンを、テープヒーター4による加熱部分(130℃)において気化し、触媒を充填した固定床流通式反応器5に導入した。固定床流通式反応器5には、電気炉6及び熱電対7が備え付けられている。固定床流通式反応器5の出口部分も、テープヒーター8により加熱した(145℃)。ガス状の原料及び生成物をガスクロマトグラフ9に導入して分析した。分析ガス以外のガスはパージバルブ10から排気した。
原料及び生成物の分析は、ガスクロマトグラフ(GC)法で行った。
また、GCにより検出された各生成物のモル数をD(n)(モル)とした場合、各生成物の選択率S(n)(%)は以下のように表される。D(n)は、目的生成物であるイソブチレンの炭素数4を基準として換算した。
GC法により検出され同定された生成物は、オレフィン(エチレン、プロピレン、イソブチレン)の他、酢酸、パラフィン、芳香族化合物(ベンゼン、トルエン、キシレン)であった。不明成分は合算し、その他とした。炭素析出反応により析出し、反応後の触媒上に残存した炭素成分(コーク)の分析は、熱重量分析(TG)により行った。
(触媒調製)
・テンプレート除去
テンプレート含有NH4型ベータ型ゼオライト(商品名:「HSZ−930NHA」、東ソー株式会社製、略号:BEA、SiO2/Al2O3=27)を、空気中で、毎分1.94℃で350℃まで、3時間で昇温し、3時間保持した。その後、引き続いて毎分1.1℃で550℃まで、3時間で昇温し、48時間保持してテンプレートを除去した。
テンプレートを除去したNH4型ベータ型ゼオライト(H−BEA)5gを、蒸留水150mlに分散し、硝酸アンモニウム(NH4NO3)10gを添加して、70℃で3時間加熱還流した。還流終了後、蒸留水で洗浄し風乾した。この操作を合計3回行い、アンモニウム型BEA(NH4−BEA)を得た。ここで、2回目及び3回目の操作におけるNH4NO3量はそれぞれ15g及び20gとした。さらに、得られたNH4−BEA5gを蒸留水150mlに分散し、硝酸カリウム(KNO3)を添加して、70℃で3時間加熱還流した。このイオン交換処理を合計3回行い、カリウム型BEA(K−BEA)を得た。ここで、用いたKNO3量は、1回目:10g、2回目:15g及び3回目:20gとした。
反応前に、触媒を500℃で1時間空気焼成した。
アセトンとして、関東化学(株)製の特級アセトンを用いた。このアセトンについてカールフィッシャー法にて含水率を測定した結果、0.01質量%未満であった。このアセトンに和光純薬工業(株)製の蒸留水を加えて、含水率4.0質量%のアセトンを調製した。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.69gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率4.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分58.1cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図4に示す。なお、オレフィン選択率の下に示した括弧内の数字は、オレフィン中のイソブチレンの選択率を示す(図5から7、11及び12においても同様とする)。また、後述するすべての実施例、比較例の反応条件において、同伴ガス中のアセトン濃度とW/F値を統一するために、同伴ガス流量と触媒量をそれぞれわずかに変化させている。
(触媒調製)
実施例1と同様に、カリウム型BEA(K−BEA)を調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率3.5質量%のアセトンを調製した。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.69gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率3.5質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分58.3cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図5に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、カリウム型BEA(K−BEA)を調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率3.0質量%のアセトンを調製した。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.69gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率3.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分58.6cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図6に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、カリウム型BEA(K−BEA)を調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率2.0質量%のアセトンを調製した。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.70gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率2.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分59.1cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図7に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、カリウム型BEA(K−BEA)を調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率4.0質量%のアセトンを調製した。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.70gを触媒とし、W/F=1.0hで、含水率4.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分29.1cc(0.0018m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図8に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、調製したカリウム型BEA(K−BEA)にフェニルシラン処理を行ったPS1K−BEAを調製した。
前記イオン交換処理で得られたK−BEA 1.0gを有機ケイ素化合物処理装置のガラス製焼成管に充填し、石英ウールで固定した。40ml/minの空気流通下、550℃まで昇温し、550℃で1時間保持した。その後、流通ガスをN2ガスに切り替えて100℃まで放冷した。焼成炉が100℃に安定後、N2ガスにフェニルシラン(東京化成工業株式会社製、略号:PS)を47℃で気化器から同伴させ、K−BEAにPSを化学吸着させた。30分後気化装置を放冷し、40℃以下になった時点で焼成管も放冷した。焼成管を取り出し、軽く振とうしてゼオライト層をかき混ぜた後、再び焼成管を焼成炉に保持し、N2ガスを流通して100℃に加熱し、PSの化学吸着を繰り返した。その後、550℃で1.5時間N2ガス下焼成の後、引き続いて550℃で1.5時間空気焼成して有機シラン処理を行ったK−BEA(PS1K−BEA)を得た。
実施例1と同様の方法で、含水率4.0質量%のアセトンを調製した。
調製したPS1K−BEA(Si/Al=13.5)0.70gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率4.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分58.2cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図9に示す。
(触媒調製)
実施例6と同様に、PS1K−BEAを調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率4.0質量%のアセトンを調製した。
調製したPS1K−BEA(Si/Al=13.5)0.70gを触媒とし、W/F=1.0hで、含水率4.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分29.1cc(0.0018m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図10に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、カリウム型BEA(K−BEA)を調製した。
実施例1の関東化学(株)製の特級アセトンをそのまま用いた。
調製したK−BEA(Si/Al=13.5)0.69gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率0.01質量%未満のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分60.0cc(0.0036m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図11に示す。
(触媒調製)
実施例1と同様に、テンプレートを除去したNH4型ベータ型ゼオライト(H−BEA)を調製した。
実施例1と同様の方法で、含水率4.0質量%のアセトンを調製した。
調製したH−BEA(Si/Al=13.5)0.69gを触媒とし、W/F=0.5hで、含水率4.0質量%のアセトンを供給した。同伴ガスとしてN2ガスを毎分58.1cc(0.0035m3/h)で供給した。反応評価は500℃で行った。このときの反応時間に対するアセトンの転化率と生成物選択率を図12に示す。
2 流量計
3 N2ボンベ
4 テープヒーター
5 固定床流通式触媒反応器(触媒充填)
6 電気炉
7 熱電対
8 テープヒーター
9 ガスクロマトグラフ(GC)
10 パージバルブ
Claims (5)
- アルカリ金属イオンによりイオン交換された酸点を有する酸素10員環以上の細孔を有するゼオライトを触媒として用いて、含水率が1.0〜10質量%のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
- フェニルシランにより酸点を不活性化処理したベータ型ゼオライトを触媒として用いて、含水率が1.0〜10質量%のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
- 含水率が2.0〜4.0質量%のアセトンからイソブチレンを製造する請求項1に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
- ゼオライトがベータ型ゼオライト又はMFI型ゼオライトである請求項1に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
- アセトンがバイオマスを原料として製造されたアセトンである請求項1から4のいずれか1項に記載のアセトンからイソブチレンを製造する方法。
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