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JP6290666B2 - Multi-cavity wiring board, wiring board, and manufacturing method of multi-cavity wiring board - Google Patents
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Multi-cavity wiring board, wiring board, and manufacturing method of multi-cavity wiring board Download PDF

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Description

本発明は、複数の配線基板領域が母基板に縦横の並びに配列された多数個取り配線基板、その多数個取り配線基板から製作される配線基板、および多数個取り配線基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multi-cavity wiring board in which a plurality of wiring board regions are arranged vertically and horizontally on a mother board, a wiring board manufactured from the multi-cavity wiring board, and a manufacturing method of the multi-cavity wiring board. is there.

従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁基板に、電子部品を搭載するための搭載部を有している。絶縁基板は、一般に、四角平板状の基部と、搭載部を取り囲むように基部の上面に積層された四角枠状の枠部とからなる。枠部の上面には枠状メタライズ層が形成されており、この枠状メタライズ層にろう付けされた金属枠体を介して、または枠状メタライズ層に直接に金属蓋体が接合されて、搭載部(搭載部に搭載される電子部品)が気密封止される。   Conventionally, wiring boards used for mounting electronic components such as semiconductor elements and surface acoustic wave elements are electronic components on insulating substrates made of ceramic sintered bodies such as aluminum oxide sintered bodies and glass ceramic sintered bodies. It has a mounting part for mounting. The insulating substrate is generally composed of a square flat plate-like base portion and a square frame-like frame portion laminated on the upper surface of the base portion so as to surround the mounting portion. A frame-shaped metallized layer is formed on the upper surface of the frame part, and a metal lid is bonded to the frame-shaped metallized layer via a metal frame brazed to the frame-shaped metallized layer or mounted. The part (electronic component mounted on the mounting part) is hermetically sealed.

このような配線基板は、一般に、1枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横に配列されている。配線基板領域の境界に沿って、母基板の上面等の主面に分割溝が形成されている。この分割溝を挟んで母基板に曲げ応力が加えられて母基板が破断することによって、個片の配線基板に分割される。分割溝は、例えば、未焼成の母基板の主面の所定位置にカッター刃を押し込むことによって形成されている。   Such a wiring board is generally manufactured in the form of a so-called multi-cavity wiring board in which a plurality of wiring boards are obtained simultaneously from a single large-area mother board. In the multi-cavity wiring board, a plurality of wiring board regions are arranged vertically and horizontally on a mother board made of, for example, an aluminum oxide sintered body. A dividing groove is formed in the main surface such as the upper surface of the mother board along the boundary of the wiring board region. A bending stress is applied to the mother board across the dividing groove, and the mother board is broken, so that it is divided into individual wiring boards. The dividing groove is formed, for example, by pushing a cutter blade into a predetermined position on the main surface of the unfired mother substrate.

近年、配線基板は小さなものとなってきており、例えば平面視における縦横の寸法が1.6×1.2mmの大きさのものが製作されている。このような小型化が著しい配線基板領域が配列された多数個取り配線基板においては、隣り合う配線基板領域の境界にカッター刃等を用いて分割溝を設けることが難しい。そこで、焼成後の母基板において隣り合う配線基板領域の境界に、レーザー加工によって分割溝を成形する方法が提案されている(特許文献1を参照)。   In recent years, a wiring board has become small, and for example, a circuit board having a size of 1.6 × 1.2 mm in vertical and horizontal dimensions in plan view is manufactured. In such a multi-piece wiring board in which wiring board areas that are remarkably miniaturized are arranged, it is difficult to provide a dividing groove using a cutter blade or the like at the boundary between adjacent wiring board areas. In view of this, a method has been proposed in which dividing grooves are formed by laser processing at the boundary between adjacent wiring board regions in the fired mother board (see Patent Document 1).

特開2012−230945号公報JP 2012-230945

しかしながら、上述した多数個取り配線基板においては、配線基板領域の小型化に伴い次のような不具合が生じる可能性があった。すなわち、このような小型化が著しい配線基板においては、枠部および枠状メタライズ層の幅が非常に狭いものとなってきており、枠部の上面と枠状メタライズ層との接合面積が小さくなってきている。そのため、例えば金属蓋体の接合時の熱応力により枠状メタライズ層が剥がれやすくなるという問題があった。   However, in the above-described multi-cavity wiring board, there is a possibility that the following problems occur with the downsizing of the wiring board region. That is, in such a wiring board that is remarkably miniaturized, the width of the frame portion and the frame-like metallized layer has become very narrow, and the bonding area between the upper surface of the frame portion and the frame-like metallized layer is reduced. It is coming. Therefore, for example, there has been a problem that the frame-like metallized layer is easily peeled off due to thermal stress at the time of joining the metal lid.

このような不具合は、特に、レーザー加工で分割溝が形成されている場合に発生しやすい。これは、以下のような理由によると考えられる。すなわち、仮に分割溝がカッター刃で形成されたとすると、カッター刃の押し込みに伴いメタライズ層が分割溝内面に回り込んだ形状になり、剥がれやすさが低減される可能性がある。これに対し、レーザー加工で分割溝が形成されている場合には、このような効果が得られる可能性は小さい。したがっ
て、枠状メタライズ層の剥がれが発生しやすくなる。
Such a defect is likely to occur particularly when the dividing grooves are formed by laser processing. This is considered due to the following reasons. That is, if the dividing groove is formed with a cutter blade, the metallized layer is formed around the inner surface of the dividing groove as the cutter blade is pushed in, and the ease of peeling may be reduced. On the other hand, when the division grooves are formed by laser processing, the possibility of obtaining such an effect is small. Therefore, peeling of the frame-shaped metallized layer is likely to occur.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域が設けられており、該配線基板領域の外周に沿って設けられた分割溝を含む主面を有する母基板と、該母基板の前記主面に、前記分割溝に沿って設けられた枠状メタライズ層とを備えており、該枠状メタライズ層は、前記分割溝に接する外端部が前記母基板内に食い込んでおり、前記母基板内に食い込んだ領域において、前記分割溝に近いほど厚みが厚くなってる。
A multi-piece wiring board according to one aspect of the present invention is provided with a plurality of wiring board regions, and a mother board having a main surface including a dividing groove provided along an outer periphery of the wiring board region, The main surface of the mother board is provided with a frame-like metallization layer provided along the division grooves, and the frame-like metallization layer has an outer end portion that touches the division grooves bites into the mother board. cage, in the region bites into the mother substrate, the thickness closer to the dividing grooves that have thicker.

本発明の一つの態様の配線基板は、前記多数個取り配線基板が、前記配線基板領域毎に分割されてなる。
Wiring board of one embodiment of the present invention, the multi-cavity circuit board, ing is divided for each of the wiring substrate region.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法は、面を有しているとともに複数の配線基板領域が配列されたセラミックグリーンシートを準備する工程と、前記セラミックグリーンシート前記上面に、前記複数の配線基板領域の境界に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程と、前記複数の配線基板領域のそれぞれの境界に沿って分割溝を形成する工程とを備えており、前記メタライズ用ペーストを塗布する工程において、該メタライズ用ペーストを前記境界において前記セラミックグリーンシート内に食い込
ませる。
One method for producing a multi-piece wiring board aspect of the present invention includes the steps of preparing a ceramic green sheet having a plurality of wiring substrate areas with and has an upper surface is arranged, the upper surface of the ceramic green sheet And a step of applying a metallization paste in a frame shape along the boundaries of the plurality of wiring board regions, and a step of forming dividing grooves along the respective boundaries of the plurality of wiring board regions, in the step of applying the metallization paste, Ru said metallizing paste was bite into the ceramic greensheet in the boundary.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板によれば、複数の配線基板領域が配列されており、配線基板領域の外周に沿って設けられた分割溝を含む主面を有する母基板と、母基板の主面に、分割溝に沿って設けられた枠状メタライズ層とを備えており、枠状メタライズ層が、分割溝に接する外端部において母基板内に食い込んでおり、母基板内に食い込んだ領域において、分割溝に近いほど厚みが厚くなっていることから、枠状メタライズ層と母基板(枠部)との接合面積を大きくしてこれらの接合強度を大きくすることができるとともに、大きなアンカー効果が得られる。つまり、特に熱応力が大きく作用する傾向がある枠状メタライズ層の外端部が枠部に強固に接合されている。そのため、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制される配線基板を製造可能な多数個取り配線基板を提供することができる。 According to the multi- cavity wiring board of one aspect of the present invention, a plurality of wiring board regions are arranged, and a mother board having a main surface including a dividing groove provided along the outer periphery of the wiring board region; The main surface of the mother board is provided with a frame-like metallized layer provided along the dividing groove, and the frame-like metallized layer bites into the mother board at the outer end in contact with the dividing groove . Since the thickness of the region that has penetrated into the groove increases as it is closer to the dividing groove, the bonding area between the frame-like metallized layer and the mother substrate (frame portion) can be increased to increase their bonding strength. A large anchor effect can be obtained. That is, the outer end portion of the frame-like metallized layer that is particularly prone to large thermal stress is firmly joined to the frame portion. Therefore, it is possible to provide a multi-piece wiring board capable of manufacturing a wiring board in which the frame-like metallized layer is prevented from peeling off from the frame part.

本発明の一つの態様の配線基板によれば、上記構成の多数個取り配線基板が、配線基板領域毎に分割されてなることから、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制された配線基板を提供できる。   According to the wiring board of one aspect of the present invention, since the multi-piece wiring board having the above-described configuration is divided for each wiring board region, the wiring in which the frame-like metallized layer is prevented from being peeled off from the frame part. A substrate can be provided.

本発明の一つの態様の多数個取り配線基板の製造方法によれば、上記工程を含むことから、枠状メタライズ層と枠部との接合面積を大きくできるとともに、枠状メタライズ層の外端部を枠部の外周に強固に接合された構造を容易に形成することができる。したがって、枠状メタライズ層が枠部から剥がれることが抑制される配線基板を製造可能な多数個取り配線基板を容易に製作できる。   According to the method for manufacturing a multi-piece wiring board of one aspect of the present invention, since the above steps are included, the joint area between the frame-like metallized layer and the frame part can be increased, and the outer end part of the frame-like metallized layer It is possible to easily form a structure that is firmly joined to the outer periphery of the frame portion. Therefore, it is possible to easily manufacture a multi-piece wiring substrate capable of manufacturing a wiring substrate in which the frame-like metallized layer is prevented from being peeled from the frame portion.

(a)は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図であり、(b)は(a)のX−X’線における断面図である。(A) is a top view which shows the multi-piece wiring board of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of (a). 本発明の実施形態の配線基板を示す上面図である。It is a top view which shows the wiring board of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の配線基板の要部を示す断面拡大図である。It is a cross-sectional enlarged view which shows the principal part of the wiring board of embodiment of this invention. 図3の変形例の配線基板の要部を示す断面拡大図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a main part of a wiring board according to a modified example of FIG. 3. 図1に示す多数個取り配線基板の変形例における要部を示す上面図である。It is a top view which shows the principal part in the modification of the multi-cavity wiring board shown in FIG. (a)および(b)は、それぞれ図2の変形例の配線基板を示す上面図である。(A) And (b) is a top view which shows the wiring board of the modification of FIG. 2, respectively. (a)〜(c)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the principal part in the manufacturing method of the multi-cavity wiring board of embodiment of this invention in order of a process. (a)および(b)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the principal part in the manufacturing method of the multi-cavity wiring board of embodiment of this invention in order of a process. 図3の他の変形例における要部を示す断面拡大図である。It is a cross-sectional enlarged view which shows the principal part in the other modification of FIG.

本発明の多数個取り配線基板、および配線基板、ならびに多数個取り配線基板の製造方法について、添付の図面を参照しつつ説明する。   A multi-cavity wiring board, a wiring board, and a manufacturing method of the multi-cavity wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1(a)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のX−X’線における断面図である。また、図2は、図1に示す多数個取り配線基板から得られた配線基板を示す上面図である。   FIG. 1A is a top view illustrating a multi-piece wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line X-X ′ in FIG. 2 is a top view showing a wiring board obtained from the multi-cavity wiring board shown in FIG.

母基板100に複数の配線基板領域101が配列されて多数個取り配線基板が基本的に形成されている。実施形態の例において、母基板100は基部102と、基部102上に積層された枠部103とを有している。配線基板領域101には電子部品が収容される搭載部104が設けられている。また、この搭載部104を平面視で囲むように枠状メタライズ層105が設けられている。   A plurality of wiring board regions 101 are arranged on the mother board 100 to basically form a multi-piece wiring board. In the example of the embodiment, the mother board 100 includes a base portion 102 and a frame portion 103 stacked on the base portion 102. The wiring board region 101 is provided with a mounting portion 104 that accommodates electronic components. In addition, a frame-like metallized layer 105 is provided so as to surround the mounting portion 104 in plan view.

母基板100の上面に、配線基板領域101の境界116に沿って分割溝110が形成されている。多数個取り配線基板は、さらに多数の配線基板領域101が縦横の並びに配列されたもので
あってもよい。
Divided grooves 110 are formed on the upper surface of the mother board 100 along the boundary 116 of the wiring board region 101. The multi-cavity wiring board may have a larger number of wiring board regions 101 arranged vertically and horizontally.

母基板100は、平板状の基部102と、基部上に設けられた枠部103とによって基本的に形
成されている。枠部103は、複数の開口部(符号なし)を有している。この開口部と開口
部の内側で露出している基部102の上面とによって凹状の搭載部104が形成されている。すなわち、枠部103は、搭載部104を形成する複数の枠状の部位を有している。
The mother board 100 is basically formed by a flat base portion 102 and a frame portion 103 provided on the base portion. The frame portion 103 has a plurality of openings (no symbol). A concave mounting portion 104 is formed by this opening and the upper surface of the base 102 exposed inside the opening. That is, the frame portion 103 has a plurality of frame-like portions that form the mounting portion 104.

このような多数個取り配線基板(母基板100)が配線基板領域101の境界116に沿って分
割されて、例えば図2に示すような個片の配線基板101aが製作される。製作される配線
基板101aは、四角平板状の下側基板(母基板100の基部102)の上面に枠状の上側基板(
母基板100の枠部103)が積層されてなる絶縁基板(符号なし)に、上記枠状メタライズ層105および配線導体108等が設けられて、基本的に構成されている。
Such a multi-piece wiring board (mother board 100) is divided along the boundary 116 of the wiring board region 101, and for example, a piece of wiring board 101a as shown in FIG. 2 is manufactured. The wiring board 101a to be manufactured is a frame-shaped upper board (on the upper surface of a square flat board-like lower board (base 102 of the mother board 100)).
The frame-like metallized layer 105, the wiring conductors 108, and the like are basically provided on an insulating substrate (without reference numeral) in which the frame portion 103) of the mother substrate 100 is laminated.

母基板100は、酸化アルミニウム質焼結体,ガラスセラミック焼結体,窒化アルミニウ
ム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。
The base substrate 100 is a ceramic sintered body such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, or a mullite sintered body. It is formed by.

また、母基板100の外周には、配列された複数の配線基板領域101を取り囲むように捨て代領域(図示せず)が設けられていてもよい。捨て代領域は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。   Further, a margin area (not shown) may be provided on the outer periphery of the mother board 100 so as to surround the plurality of wiring board areas 101 arranged. The disposal allowance area is provided for facilitating handling of the multi-piece wiring board.

母基板100は、複数のセラミック絶縁層が一体焼成されて製作されている。すなわち、
酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の、ガラス成分を含む原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダーを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを製作する。次に、この複数のセラミックグリーンシートのうち一部のものについて打ち抜き加工を施して枠状に成形した後、平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートを積層する。その後、この積層体を一体焼成すれば、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる母基板100を製作することができる。この場合、複数のセラミック
グリーンシートのうち一部のセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して開口部を設けておき、開口部を設けたセラミックグリーンシート(枠部103になるもの)を上層に
積層すれば、上面に凹部を有する母基板100を製作することができる。
The mother board 100 is manufactured by integrally firing a plurality of ceramic insulating layers. That is,
A plurality of ceramic green sheets are manufactured by adding a suitable organic solvent and a binder to a raw material powder containing a glass component such as aluminum oxide and silicon oxide and forming into a sheet shape. Next, a part of the plurality of ceramic green sheets is punched and formed into a frame shape, and then the frame-shaped ceramic green sheets are stacked on the flat ceramic green sheets. Thereafter, if this laminate is integrally fired, a mother substrate 100 in which a plurality of ceramic insulating layers are laminated can be manufactured. In this case, a part of the ceramic green sheets is punched to provide an opening, and the ceramic green sheet having the opening (to become the frame 103) is laminated on the upper layer. For example, the mother substrate 100 having a recess on the upper surface can be manufactured.

母基板100に配列された複数の配線基板領域101は、中央部等に電子部品(図示せず)の搭載部104を有しており、それぞれが個片の配線基板101aとなる領域である。それぞれの配線基板領域101は、上記のように平板状の基部102の上面に枠部103が積層された形態で
ある。枠部103は、搭載部104に収容される電子部品を保護するためのものである。
The plurality of wiring board regions 101 arranged on the mother board 100 have a mounting part 104 for electronic components (not shown) in the center or the like, and each is a region that becomes an individual wiring board 101a. Each wiring board region 101 has a form in which the frame portion 103 is laminated on the upper surface of the flat base 102 as described above. The frame part 103 is for protecting the electronic components housed in the mounting part 104.

搭載部104に収容される電子部品としては、水晶振動素子等の圧電振動素子,弾性表面
波素子,半導体集積回路素子(IC)等の半導体素子,容量素子,インダクタ素子および抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
The electronic parts housed in the mounting unit 104 include various types of elements such as piezoelectric vibration elements such as crystal vibration elements, surface acoustic wave elements, semiconductor elements such as semiconductor integrated circuit elements (ICs), capacitive elements, inductor elements, and resistors. Mention electronic components.

母基板100の内部および表面には、搭載部104から母基板100の下面にかけて配線導体108が形成されている。配線導体108のうち母基板100の下面に形成された部位は、例えばそれぞれの配線基板領域101における下面の外周部に位置している。配線導体108のうち母基板100の内部に形成されたものは貫通導体(いわゆるビア導体等)や内部配線層等の形態で
ある。搭載部104に搭載される電子部品を搭載部104内に形成された配線導体108に電気的
に接続させることにより、配線導体108を介して電子部品が外部の電気回路に電気的に接
続される。
A wiring conductor 108 is formed on the inside and the surface of the mother board 100 from the mounting portion 104 to the lower surface of the mother board 100. A portion of the wiring conductor 108 formed on the lower surface of the mother board 100 is located, for example, on the outer peripheral portion of the lower surface of each wiring board region 101. Of the wiring conductors 108, those formed inside the mother board 100 are in the form of a through conductor (so-called via conductor or the like), an internal wiring layer, or the like. By electrically connecting the electronic component mounted on the mounting portion 104 to the wiring conductor 108 formed in the mounting portion 104, the electronic component is electrically connected to an external electric circuit via the wiring conductor 108. .

配線導体108は、例えば銅や銀,パラジウム,金,白金,タングステン,モリブデン,
マンガン等の金属材料からなる。配線導体108は、例えば、モリブデンからなる場合であ
れば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して製作した金属ペースト(メタライズ用ペースト)(図示せず)を母基板100となるセラミックグリーンシートに所
定パターンに塗布しておき、同時焼成することによって形成することができる。
The wiring conductor 108 is, for example, copper, silver, palladium, gold, platinum, tungsten, molybdenum,
Made of a metal material such as manganese. If the wiring conductor 108 is made of, for example, molybdenum, a ceramic green sheet that serves as a base substrate 100 is a metal paste (metallized paste) (not shown) manufactured by adding an organic solvent and a binder to molybdenum powder. It can be formed by coating in a predetermined pattern and firing simultaneously.

このような形態の多数個取り配線基板が個片に分割されて製作される配線基板101aに
は上記のような各種の電子部品が収容される。配線基板101aに電子部品が収容されてな
る電子装置は、各種の電子機器に部品として実装される。例えば、電子部品が圧電振動素子等の発振素子の場合であれば、電子装置は、携帯電話や自動車電話等の通信機器、コンピュータ、ICカード等の情報機器等の電子機器において、周波数や時間の基準となる発振器として使用される。
Various electronic components as described above are accommodated in the wiring board 101a manufactured by dividing the multi-piece wiring board having such a configuration into pieces. An electronic device in which electronic components are housed in the wiring board 101a is mounted as a component in various electronic devices. For example, if the electronic component is an oscillating element such as a piezoelectric vibration element, the electronic device is used in a communication device such as a mobile phone or a car phone, or in an electronic device such as a computer or an information device such as an IC card. Used as a reference oscillator.

母基板100の分割のために、配線基板領域101の境界116に沿って、母基板100の上面および下面には分割溝110が形成されている。分割溝110が形成されている部分(配線基板領域101の境界116)で母基板100に応力を加えて母基板100を厚み方向に破断させることによって、母基板100が個片の配線基板101aに分割されることになる。   In order to divide the mother board 100, dividing grooves 110 are formed on the upper and lower surfaces of the mother board 100 along the boundary 116 of the wiring board region 101. By applying stress to the mother board 100 at the portion where the dividing groove 110 is formed (border 116 of the wiring board region 101) and breaking the mother board 100 in the thickness direction, the mother board 100 becomes a piece of the wiring board 101a. Will be divided.

分割溝110は、例えば枠部103となるセラミックグリーンシート(図示せず)の各配線基板領域101の上面の全面に枠状メタライズ層105となるメタライズ用ペーストを印刷塗布した後、基部102となるセラミックグリーンシート(図示せず)上に枠部103となるセラミックグリーンシートを積層して積層体を得た後、積層体の上面側の隣接した配線基板領域101の境界116にカッター刃またはレーザー光等により切れ込みを入れることによって製作される。   The dividing groove 110 becomes the base 102 after printing and applying a metallization paste that becomes the frame-like metallization layer 105 on the entire upper surface of each wiring board region 101 of a ceramic green sheet (not shown) that becomes the frame 103, for example. After a ceramic green sheet (not shown) is laminated on a ceramic green sheet (not shown) to obtain a laminated body, a laminated body is obtained, and then a cutter blade or a laser beam is placed on the boundary 116 of the adjacent wiring board region 101 on the upper surface side of the laminated body. It is manufactured by making a notch with etc.

母基板100は、例えば、平面視における一辺の長さが60〜120mm程度の平板状である。この母基板100の外周部に形成されている捨て代領域(図示せず)の幅は5〜10mm程度
である。多数個取り配線基板について、母基板100の各配線基板領域101を個片に分割する方法としては、例えば、ローラー等で母基板100を上下から挟んで加圧する方法が挙げら
れる。具体的には、移送用ローラーおよび押圧用ローラーで母基板100が上下方向から挟
まれ、移送用ローラーを支点、押圧用ローラーを作用点として、分割溝110に沿って母基
板100の厚み方向に圧力が加えられて、この圧力で母基板100が厚み方向に破断されて各配
線基板101aに分割される方法が採用される。
The mother board 100 is, for example, a flat plate having a side length of about 60 to 120 mm in plan view. The width of a margin area (not shown) formed on the outer peripheral portion of the mother substrate 100 is about 5 to 10 mm. As a method of dividing each wiring board region 101 of the mother board 100 into pieces for a multi-piece wiring board, for example, a method of pressing the mother board 100 from above and below with a roller or the like can be cited. Specifically, the mother substrate 100 is sandwiched between the transfer roller and the pressing roller from above and below, and the transfer roller serves as a fulcrum and the pressing roller serves as an action point along the dividing groove 110 in the thickness direction of the mother substrate 100. A method is adopted in which pressure is applied, and the mother substrate 100 is broken in the thickness direction by this pressure and divided into each wiring substrate 101a.

分割溝110に接するそれぞれの配線基板領域101の上面には枠状メタライズ層105が形成
されている。そして、後述するように金属蓋体113が直接枠状メタライズ層105に、または枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して接合されて、搭載部104(搭
載部に搭載される電子部品)が気密封止される。図1および図2の例では、枠状メタライズ層105は、枠部103の上面の全面を覆っている。枠状メタライズ層105は、必ずしも枠部103の上面の全面を覆っているものである必要はないが、枠部103の上面の全面に枠状メタ
ライズ層105が設けられていれば、金属蓋体113の接合面積の確保等の点では有利である。
A frame-like metallized layer 105 is formed on the upper surface of each wiring board region 101 in contact with the dividing groove 110. Then, as will be described later, the metal lid 113 is joined directly to the frame-shaped metallized layer 105 or via the metal frame 115 brazed to the frame-shaped metallized layer 105, so that the mounting unit 104 (mounted on the mounting unit) Electronic component) is hermetically sealed. In the example of FIGS. 1 and 2, the frame-like metallized layer 105 covers the entire upper surface of the frame portion 103. The frame-like metallized layer 105 does not necessarily need to cover the entire upper surface of the frame part 103, but if the frame-like metallized layer 105 is provided on the entire upper surface of the frame part 103, the metal lid This is advantageous in terms of securing the bonding area 113.

枠状メタライズ層105は、例えばタングステンやモリブデン等の金属からなる。例えば
、枠状メタライズ層105がモリブデンのメタライズ層からなる場合であれば、モリブデン
の粉末、およびセラミック粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して製作したメタライズ用ペーストを、枠部103となるセラミックグリーンシートの上面に所定パターンで印刷し
ておくことにより形成することができる。
The frame-like metallized layer 105 is made of a metal such as tungsten or molybdenum. For example, if the frame-like metallized layer 105 is made of a molybdenum metallized layer, a ceramic powder that forms the frame 103 is made of a molybdenum powder and a metallized paste produced by adding an organic solvent, a binder, or the like to the ceramic powder. It can be formed by printing in a predetermined pattern on the upper surface of the sheet.

この実施形態の例においては、枠状メタライズ層105の上面にニッケルめっき層および
金めっき層等のめっき層112が被着されている。
In the example of this embodiment, a plating layer 112 such as a nickel plating layer and a gold plating layer is deposited on the upper surface of the frame-like metallized layer 105.

このめっき層112は、例えば、枠状メタライズ層105の酸化腐食を防止するとともに、ろう付け等の際のろう材114の濡れ性向上や接合力強化のために形成されたものである。め
っき層112は、例えば下側にニッケルめっき層が形成され、上側に金めっき層が形成され
てなる二層構造(図示せず)となっているのが好ましい。ここで、コストの面では、めっき層112は薄く形成されるのが好ましく、ニッケルめっき層は2〜20μm程度、金めっき層は0.1〜1.0μm程度に形成される。めっき層112は、例えばめっき液中で被めっき部(枠
状メタライズ層105の表面)にめっき被着用の電流を供給し、電解めっきを施すことによ
り形成することができる。
The plating layer 112 is formed, for example, for preventing the oxidative corrosion of the frame-like metallized layer 105 and for improving the wettability of the brazing material 114 at the time of brazing or the like and for enhancing the bonding strength. The plating layer 112 preferably has a two-layer structure (not shown) in which, for example, a nickel plating layer is formed on the lower side and a gold plating layer is formed on the upper side. Here, in terms of cost, the plating layer 112 is preferably formed thin, the nickel plating layer is formed to have a thickness of about 2 to 20 μm, and the gold plating layer is formed to have a thickness of about 0.1 to 1.0 μm. The plating layer 112 can be formed by, for example, supplying a plating deposition current to the portion to be plated (the surface of the frame-like metallized layer 105) in a plating solution and performing electrolytic plating.

枠状メタライズ層105は、例えば図1に示すように、分割溝110に接する外端部が母基板100内に食い込んでいる。このような構造としたことから、枠状メタライズ層105と枠部103との接合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくするこ
とができる。つまり、特に熱応力が大きく作用する傾向がある枠状メタライズ層105の外
周部が枠部103に強固に拘束されている。そのため、枠状メタライズ層105が枠部103から
剥がれることが抑制される配線基板101aを製造可能な多数個取り配線基板を提供するこ
とができる。
For example, as shown in FIG. 1, the frame-shaped metallized layer 105 has an outer end portion in contact with the dividing groove 110 biting into the mother substrate 100. With such a structure, the bonding area between the frame-shaped metallized layer 105 and the frame part 103 can be increased, and the bonding strength between the frame-shaped metallized layer 105 and the frame part 103 can be increased. In other words, the outer peripheral portion of the frame-like metallized layer 105, in particular, where thermal stress tends to act greatly, is firmly bound to the frame portion 103. Therefore, it is possible to provide a multi-piece wiring board capable of manufacturing the wiring board 101a in which the frame-like metallized layer 105 is prevented from being peeled off from the frame part 103.

なお、上記の熱応力は、例えば金属蓋体(図1では図示せず)が枠部103上に接合され
る時に、枠部103と金属蓋体との熱膨張率の差に起因して生じる。実際には、金属蓋体の
枠部103に対する接合は個片の配線基板101aに対して行なわれる。また、金属蓋体は、実際には枠部103の上面に設けられた枠状メタライズ層105に、ろう材等の接合材(図1では図示せず)を介して接合される。そのため、熱応力は配線基板101aの枠状メタライズ層105と金属蓋体との間で生じる。
Note that the above-described thermal stress is generated due to a difference in coefficient of thermal expansion between the frame 103 and the metal lid, for example, when a metal lid (not shown in FIG. 1) is bonded onto the frame 103. . Actually, the metal lid is joined to the frame portion 103 to the individual wiring board 101a. Further, the metal lid is actually bonded to the frame-like metallized layer 105 provided on the upper surface of the frame portion 103 via a bonding material such as a brazing material (not shown in FIG. 1). Therefore, thermal stress is generated between the frame-like metallized layer 105 of the wiring board 101a and the metal lid.

また、分割溝110に接する外端部が母基板100内に食い込んでいる枠状メタライズ層105
の形状としては、例えば図1(b)に示したように外端部における下部が下方に円弧状に突出した例が挙げられる。この、枠状メタライズ層105の円弧状の突出部分が配線基板領
域101の外周において母基板100(枠部103)内に食い込んでいる。
In addition, a frame-like metallized layer 105 whose outer end portion in contact with the dividing groove 110 bites into the mother substrate 100.
As the shape, for example, as shown in FIG. 1B, an example in which the lower part of the outer end protrudes downward in an arc shape can be given. The arc-shaped protruding portion of the frame-like metallized layer 105 bites into the mother board 100 (frame part 103) on the outer periphery of the wiring board region 101.

なお、枠状メタライズ層105は、配線基板領域101の境界116に近い部分においてその厚
みが他の部分よりも厚くなっているものとみなすこともできる。この場合、枠状メタライ
ズ層105の外端部(配線基板領域101の境界部分)における比較的厚い部分の厚み(突出高さ)は、例えば約10〜30μm程度に設定される。また、枠状メタライズ層105の外端部に
おける厚みは、例えば約15〜40μm程度に設定される。分割溝110は、枠状メタライズ層105の外端部の厚みが厚くなっている部分を切り込んで二分割している。各配線基板領域101の上面の外端部において、分割溝110内の表面に枠状メタライズ層105の一部が露出して
いる。
Note that the frame-like metallized layer 105 can also be regarded as having a thickness greater in the portion near the boundary 116 of the wiring board region 101 than in other portions. In this case, the thickness (projection height) of a relatively thick portion at the outer end portion (boundary portion of the wiring board region 101) of the frame-like metallized layer 105 is set to about 10 to 30 μm, for example. Further, the thickness at the outer end of the frame-like metallized layer 105 is set to about 15 to 40 μm, for example. The dividing groove 110 is divided into two by cutting a portion where the thickness of the outer end portion of the frame-like metallized layer 105 is thick. A part of the frame-like metallized layer 105 is exposed on the surface in the dividing groove 110 at the outer edge of the upper surface of each wiring board region 101.

外端部が母基板100内に食い込んでいる枠状メタライズ層105は、例えば上記のように、枠状メタライズ層105の厚みが外端部分(配線基板領域101の境界116に沿った部分)で他
の部分よりも厚くなるようにして、このより厚い部分が母基板100(枠部103)内に埋まるようにすればよい。具体的には、母基板100となるセラミックグリーンシートにメタライ
ズ用ペーストを塗布する際に、その厚みを配線基板領域101の境界116に沿った部分で他の部分よりも厚くなるようにして、このより厚い部分を加圧等の手段でセラミックグリーンシート内に食い込ませるようにすればよい。印刷厚みは、例えばスクリーン印刷用の版面(製版)とセラミックグリーンシートとの間の距離、メタライズ用ペーストの粘度または印刷回数等によって適宜調整することができる。
The frame-like metallized layer 105 whose outer end bites into the mother board 100 is, for example, as described above, where the thickness of the frame-like metallized layer 105 is the outer end part (the part along the boundary 116 of the wiring board region 101). What is necessary is just to make it thicker than another part so that this thicker part may be buried in the mother board | substrate 100 (frame part 103). Specifically, when the metallization paste is applied to the ceramic green sheet to be the mother substrate 100, the thickness is made thicker at the portion along the boundary 116 of the wiring board region 101 than at the other portions. What is necessary is just to make a thicker part bite into a ceramic green sheet by means, such as pressurization. The printing thickness can be appropriately adjusted depending on, for example, the distance between the screen printing plate (plate making) and the ceramic green sheet, the viscosity of the metallizing paste, the number of times of printing, and the like.

枠部103に形成された枠状メタライズ層105の上面に金属蓋体113が接合された状態の配
線基板101aの要部を図3に示す。図3は実施形態の配線基板の要部を示す断面拡大図で
ある。図3において図1および図2と同様の部位には同様の符号を付している。
FIG. 3 shows the main part of the wiring board 101a in a state where the metal lid 113 is bonded to the upper surface of the frame-like metallized layer 105 formed in the frame part 103. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the wiring board of the embodiment. In FIG. 3, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.

図3の例のように、枠状メタライズ層105は、外端部において配線基板101aの絶縁基板内に位置している下部層106と、下部層106上に設けられた上部層107とを含んでいてもよ
い。なお、配線基板101aの絶縁基板は母基板100が個片に分割されたものであるため、多数個取り配線基板についても、枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107を含む
ものとされ、下部層106が母基板100内に食い込んでいる。
As shown in the example of FIG. 3, the frame-like metallized layer 105 includes a lower layer 106 located in the insulating substrate of the wiring substrate 101 a at the outer end, and an upper layer 107 provided on the lower layer 106. You may go out. Since the insulating substrate of the wiring substrate 101a is obtained by dividing the mother substrate 100 into pieces, the frame-shaped metallized layer 105 is assumed to include the lower layer 106 and the upper layer 107 in the multi-piece wiring substrate. The lower layer 106 bites into the mother substrate 100.

この場合には、上記のように外端部における厚みが他の部分よりも厚く、この厚みの差による突出部分が母基板100内に食い込んだ枠状メタライズ層105の形成がより容易である。また、食い込み量の調整等もより容易である。そのため、枠状メタライズ層105の外端
部となる下部層106を枠部103の外周に拘束するためのメタライズ層としてより効果的に形成できる。また、金属蓋体113を枠状メタライズ層105の上面に接合するための上部層107
を広面積の接合面として効果的に形成できる。
In this case, as described above, the thickness at the outer end portion is thicker than the other portions, and it is easier to form the frame-like metallized layer 105 in which the protruding portion due to the difference in thickness bites into the mother substrate 100. In addition, the amount of biting can be easily adjusted. Therefore, the lower layer 106 serving as the outer end portion of the frame-shaped metallized layer 105 can be more effectively formed as a metallized layer for restraining the outer periphery of the frame 103. Further, an upper layer 107 for bonding the metal lid 113 to the upper surface of the frame-like metallized layer 105.
Can be effectively formed as a bonding surface having a large area.

図4は、図3の変形例の配線基板を示す断面拡大図である。図4において図3と同様の部位には同様の符号を付している。図4の例では、枠状メタライズ層105の上面に金属枠
体115が接合され、この金属枠体115の上面に金属蓋体113が接合されている。金属枠体115を介して金属蓋体113が枠状メタライズ層105(配線基板101a)に接合されている点以外
は、図3の例と図4の例とは、互いに同様の構成である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a wiring board according to a modification of FIG. 4, parts similar to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. In the example of FIG. 4, a metal frame 115 is bonded to the upper surface of the frame-shaped metallized layer 105, and a metal lid 113 is bonded to the upper surface of the metal frame 115. The example of FIG. 3 and the example of FIG. 4 have the same configuration except that the metal lid 113 is bonded to the frame-like metallized layer 105 (wiring substrate 101a) via the metal frame 115.

図3および図4の例において、枠状メタライズ層105の下部層106は、分割溝110に接す
る外端部(下部)が絶縁基板(母基板100)内に食い込んで形成されている。また、枠状
メタライズ層105の上部層107は、下部層106の上面の全面を覆うとともに、絶縁基板の枠
状の部分(枠部103)の上面の全面を覆って形成されている。
3 and 4, the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 is formed such that the outer end (lower part) in contact with the dividing groove 110 is bitten into the insulating substrate (mother substrate 100). The upper layer 107 of the frame-shaped metallized layer 105 covers the entire upper surface of the lower layer 106 and covers the entire upper surface of the frame-shaped portion (frame portion 103) of the insulating substrate.

ここで、このように枠状メタライズ層105の下部層106が絶縁基板(配線基板領域101)
の外周に食い込んでいる形状とするためには、例えば上記のように多数個取り配線基板として枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107を含むものとしておけばよい。す
なわち、まず、セラミックグリーンシート(母基板100)の配線基板領域101の境界116の
全周に沿って下部層106となる幅が狭い第1メタライズ用ペーストを印刷しておく。次に
、印刷した第1メタライズ用ペーストを覆うとともに、配線基板領域101の枠部103の全周に上部層107となる幅が広い第2メタライズ用ペーストを印刷する。その後、第1メタラ
イズ用ペーストおよび第2メタライズ用ペーストを同時に加圧し、同時焼成することにより、下部層106が枠部103内に埋設されて上部層107が枠部103の上面に平坦に形成された枠状メタライズ層105を形成することができる。
Here, the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 is thus an insulating substrate (wiring board region 101).
For example, as described above, the frame-like metallized layer 105 may include the lower layer 106 and the upper layer 107 as a multi-piece wiring board. That is, first, the first metallizing paste having a narrow width that becomes the lower layer 106 is printed along the entire circumference of the boundary 116 of the wiring board region 101 of the ceramic green sheet (mother board 100). Next, the second metallization paste having a wide width to be the upper layer 107 is printed on the entire periphery of the frame part 103 of the wiring board region 101 while covering the printed first metallization paste. Thereafter, the first metallization paste and the second metallization paste are simultaneously pressurized and fired simultaneously, whereby the lower layer 106 is embedded in the frame part 103 and the upper layer 107 is formed flat on the upper surface of the frame part 103. A frame-like metallized layer 105 can be formed.

なお、下部層106は、焼成後の厚みを10〜30μm程度とすることが好ましい。以下、多
数個取り配線基板の形態として説明する。下部層106の厚みが10μm未満の場合、枠状メ
タライズ層105の食い込んだ領域により枠状メタライズ層105の外端部を枠部103の外周に
拘束する効果が小さくなり、金属蓋体113の接合時等の熱応力による枠状メタライズ層105の剥がれを抑制する効果が低くなる可能性がある。また、下部層106の厚みが30μmを超
える場合、下部層106を枠部103内に食い込ませるメタライズ層としてのボリュームが大きくなり、下部層106を枠部103内に食い込ませる際の枠部103(セラミックグリーンシート
)の変形や割れが発生する可能性がある。よって、下部層106の厚みは10〜30μm程度で
あることが好ましい。そして、焼成後の枠状メタライズ層105における上部層107の厚みが5〜10μm程度となるように形成される。よって、この場合には、下部層106と上部層107が平面視で重なっている領域の枠状メタライズ層105の合計の厚みは、15〜40μm程度と
なる。
The lower layer 106 preferably has a thickness after firing of about 10 to 30 μm. Hereinafter, the multi-cavity wiring board will be described. When the thickness of the lower layer 106 is less than 10 μm, the effect of constraining the outer end of the frame-shaped metallized layer 105 to the outer periphery of the frame 103 is reduced by the area where the frame-shaped metallized layer 105 is bitten. There is a possibility that the effect of suppressing peeling of the frame-like metallized layer 105 due to thermal stress such as time may be reduced. In addition, when the thickness of the lower layer 106 exceeds 30 μm, the volume as a metallized layer that bites the lower layer 106 into the frame portion 103 is increased, and the frame portion 103 (when the lower layer 106 is bitten into the frame portion 103 ( Ceramic green sheet) may be deformed or cracked. Therefore, the thickness of the lower layer 106 is preferably about 10 to 30 μm. And it forms so that the thickness of the upper layer 107 in the frame-shaped metallized layer 105 after baking may be set to about 5-10 micrometers. Therefore, in this case, the total thickness of the frame-like metallized layer 105 in the region where the lower layer 106 and the upper layer 107 overlap in plan view is about 15 to 40 μm.

枠状メタライズ層105は、外端部において少なくとも下部層106にセラミック粒子が含有されていてもよい。この場合には、枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103(セラミ
ック)との接合強度を大きくすることができる。つまり、母基板100となる積層体の焼成
時に、下部層106となるメタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子と枠部103となるセラミックグリーンシート(積層体)とが反応することにより、接合強度を大きくすることができる。
The frame-like metallized layer 105 may contain ceramic particles in at least the lower layer 106 at the outer end. In this case, the bonding strength between the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 and the frame portion 103 (ceramic) can be increased. That is, during firing of the laminate that will be the mother substrate 100, the ceramic particles contained in the metallization paste that will be the lower layer 106 and the ceramic green sheet (laminate) that will be the frame portion 103 react with each other, thereby reducing the bonding strength. Can be bigger.

例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板100(個片の配線基板101aの絶縁基板)となる積層体に印刷されるメタライズ用ペーストの場合であれば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等の高融点金属粉末、および酸化アルミニウム等のセラミック粉末に有機溶剤、溶媒を添加してペースト状とする。この際に添加するセラミック粉末は、例えば母基板100となるセラミックグリーンシートに含まれるセラミック粉末と同様のも
のを使用すればよい。そして、下部層106におけるセラミック粒子の含有量を例えば5〜20vol%程度とすることにより、下部層106と枠部103との接合強度を大きくすることが
できる。
For example, in the case of a paste for metallization printed on a laminate that is a mother substrate 100 (an insulating substrate of a piece of wiring substrate 101a) made of an aluminum oxide sintered body, tungsten (W), molybdenum (Mo) An organic solvent and a solvent are added to a refractory metal powder such as aluminum powder and a ceramic powder such as aluminum oxide to obtain a paste. The ceramic powder added at this time may be the same as the ceramic powder contained in the ceramic green sheet used as the mother substrate 100, for example. The bonding strength between the lower layer 106 and the frame portion 103 can be increased by setting the content of ceramic particles in the lower layer 106 to about 5 to 20 vol%, for example.

そして、作製した下部層106となるメタライズ用ペーストをセラミックグリーンシート
の表面にスクリーン印刷等により被着させ、しかる後、セラミックグリーンシートを適宜積層して還元雰囲気中で1450〜1700℃の温度で焼成する。以上の工程により、酸化アルミニウム質焼結体の酸化アルミニウム結晶粒子間に介在するガラス成分の一部が高融点金属の金属粒子間に移行し、酸化アルミニウム粒子(上記粉末の焼結体)と高融点金属とがガラス成分を介して接着され、酸化アルミニウム質焼結体からなる枠部103(母基板100)に固着される。この際に、下部層106にセラミック粒子が含有されていることにより、枠部103(酸化アルミニウム質焼結体)の酸化アルミニウム結晶粒子間に介在するガラス成分の一部だけでなく、下部層106となるメタライズ用ペースト中のセラミック粒子と、枠部103となるセラミックグリーンシートとが反応するため、枠部103と下部層106との接合に寄与するためである。
Then, the prepared metallizing paste for the lower layer 106 is applied to the surface of the ceramic green sheet by screen printing or the like, and then the ceramic green sheet is appropriately laminated and fired at a temperature of 1450 to 1700 ° C. in a reducing atmosphere. To do. Through the above steps, part of the glass component interposed between the aluminum oxide crystal particles of the aluminum oxide sintered body is transferred between the metal particles of the refractory metal, and the aluminum oxide particles (sintered powder of the above powder) The melting point metal is bonded via a glass component, and is fixed to a frame portion 103 (mother substrate 100) made of an aluminum oxide sintered body. At this time, since the lower layer 106 contains ceramic particles, not only a part of the glass component interposed between the aluminum oxide crystal particles of the frame 103 (aluminum oxide sintered body), but also the lower layer 106. This is because the ceramic particles in the metallization paste to be reacted with the ceramic green sheet to be the frame portion 103 contributes to the bonding between the frame portion 103 and the lower layer 106.

一方で、上部層107にはセラミック粒子が含有されていないことが好ましい。上部層107にセラミック粒子が含有されていない場合には、上部層107にニッケルや金等のめっき層112が被着される際に、その被着がより良好に(容易かつ強固に)行なわれる。上部層107
にセラミック粒子が含有されていない場合でも、上部層107と枠部103(セラミック)との接合強度は、枠部103に含まれるガラス成分の一部で補われる。ガラス成分の一部が上部
層107内に移行したとしても、セラミック粒子が含有されていない上部層107の上面にはガラス成分が這い上がりにくい。そのため、金属成分が多い状態で枠状メタライズ層105の
上面が形成される。
On the other hand, it is preferable that the upper layer 107 does not contain ceramic particles. When the upper layer 107 does not contain ceramic particles, when the plating layer 112 such as nickel or gold is deposited on the upper layer 107, the deposition is performed better (easy and strong). . Upper layer 107
Even when the ceramic particles are not contained in the metal, the bonding strength between the upper layer 107 and the frame 103 (ceramic) is supplemented by a part of the glass component contained in the frame 103. Even if a part of the glass component moves into the upper layer 107, the glass component hardly crawls up on the upper surface of the upper layer 107 that does not contain ceramic particles. Therefore, the upper surface of the frame-like metallized layer 105 is formed with a large amount of metal components.

ただし、枠状メタライズ層105は、外端部において下部層106および上部層107の両方に
セラミック粒子が含有されていてもよい。この場合には、下部層106におけるセラミック
粒子の含有量が、上部層107におけるセラミック粒子の含有量よりも多いものとすること
が好ましい。この場合には、焼成時におけるセラミックグリーンシート(枠部103を含む
母基板100)とメタライズ用ペースト(枠状メタライズ層105)との収縮率の差がより低減される。そのため、この収縮率の違いにより配線基板領域101の封止面(枠状メタライズ
層105)が反ることをより効果的に抑制できる。つまり、封止面となる枠部103の上面の全面を覆う上部層107にもセラミック粒子が含有されていることから、枠部103となるセラミックグリーンシートと、上部層107となるメタライズ用ペーストとの焼成時の収縮率がよ
り近いものとなる。その結果、上部層107となるメタライズ用ペーストが枠部103となるセラミックグリーンシートを圧縮方向または収縮方向に拘束することが抑制されて配線基板領域101の封止面が反り難い。
However, the frame-like metallized layer 105 may contain ceramic particles in both the lower layer 106 and the upper layer 107 at the outer end. In this case, it is preferable that the content of ceramic particles in the lower layer 106 is larger than the content of ceramic particles in the upper layer 107. In this case, the difference in shrinkage between the ceramic green sheet (the mother substrate 100 including the frame portion 103) and the metallization paste (the frame-like metallized layer 105) during firing is further reduced. Therefore, it is possible to more effectively suppress the sealing surface (frame-like metallized layer 105) of the wiring board region 101 from warping due to the difference in shrinkage rate. That is, since the upper layer 107 covering the entire upper surface of the frame portion 103 serving as the sealing surface also contains ceramic particles, the ceramic green sheet serving as the frame portion 103 and the metallizing paste serving as the upper layer 107 The shrinkage rate during firing is closer. As a result, the metallizing paste that becomes the upper layer 107 is restrained from constraining the ceramic green sheet that becomes the frame portion 103 in the compression direction or the contraction direction, and the sealing surface of the wiring board region 101 is hardly warped.

また、枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103(セラミック)との接合強度をより
大きくすることができる。つまり、上部層107と枠部103との接合強度を、下部層106と同
様に、母基板100となる積層体の焼成時に、下部層106となるメタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子と枠部103となるセラミックグリーンシート(積層体)とが反応す
ることにより大きくすることができる。そして、下部層106におけるセラミック粒子の含
有量を上述したように例えば5〜20vol%程度とした場合、上部層107におけるセラミ
ック粒子の含有量を2〜5vol%程度とすることにより、めっき層112の被着性を犠牲
にすることなく下部層106と枠部103、および上部層107と枠部103との接合強度を大きくすることができる。また同時に、上部層107については下部層106よりもセラミック粒子の含有量が少ないため、上部層107の表面に露出するセラミック粒子の表面積が小さくなると
ともに、上部層107の上面にガラス成分が這い上がることが抑制される。そのため、金属
成分が比較的多い状態で枠状メタライズ層105の上面が形成されて、良好にニッケルや金
などのめっき層112が被着される。
Further, the bonding strength between the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 and the frame portion 103 (ceramic) can be further increased. That is, the bonding strength between the upper layer 107 and the frame portion 103 is set so that the ceramic particles and the frame portion included in the metallization paste that becomes the lower layer 106 when the laminate that becomes the mother substrate 100 is fired, like the lower layer 106. The size can be increased by reacting with the ceramic green sheet (laminate) to be 103. When the content of the ceramic particles in the lower layer 106 is, for example, about 5 to 20 vol% as described above, the content of the ceramic particles in the upper layer 107 is about 2 to 5 vol%. The bonding strength between the lower layer 106 and the frame portion 103 and between the upper layer 107 and the frame portion 103 can be increased without sacrificing the adherence. At the same time, since the upper layer 107 has a smaller ceramic particle content than the lower layer 106, the surface area of the ceramic particles exposed on the surface of the upper layer 107 is reduced, and the glass component rises on the upper surface of the upper layer 107. It is suppressed. Therefore, the upper surface of the frame-like metallized layer 105 is formed in a state where the metal component is relatively large, and the plating layer 112 such as nickel or gold is satisfactorily applied.

また、このような構成の場合、枠状メタライズ層105の外端部における下部層106と上部層107との接合においても、高融点金属粉末の焼結とともに下部層106となる第1メタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子に含有するガラス成分の一部と上部層107とな
る第2メタライズ用ペースト中に含まれるセラミック粒子に含有するガラス成分の一部が、下部層106と上部層107との接合に寄与して、枠状メタライズ層105の下部層106と上部層107との接合強度も強固なものとすることができる。
In the case of such a configuration, the first metallization paste that becomes the lower layer 106 together with the sintering of the refractory metal powder also in the joining of the lower layer 106 and the upper layer 107 at the outer end portion of the frame-shaped metallized layer 105. A part of the glass component contained in the ceramic particles contained therein and a part of the glass component contained in the ceramic particles contained in the second metallization paste to be the upper layer 107 are formed between the lower layer 106 and the upper layer 107. Contributing to the bonding, the bonding strength between the lower layer 106 and the upper layer 107 of the frame-like metallized layer 105 can also be made strong.

本実施形態において、下部層106は、枠状メタライズ層105の外端部に近いほど、その厚みが厚くなっている。この場合には、下部層106の厚みが厚い部分ほど下部層106が枠部103に対してより大きく食い込んで、より強固に接合される。そのため、熱応力がより大き
く作用する枠状メタライズ層105の外周部においても枠状メタライズ層105の剥がれがより効果的に抑制される。詳細には次の通りである。
In the present embodiment, the lower layer 106 is thicker as it is closer to the outer end of the frame-like metallized layer 105. In this case, as the thickness of the lower layer 106 increases, the lower layer 106 bites more into the frame portion 103 and is bonded more firmly. Therefore, the peeling of the frame-shaped metallized layer 105 is more effectively suppressed even at the outer peripheral portion of the frame-shaped metallized layer 105 where the thermal stress acts more greatly. Details are as follows.

すなわち、枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に金属蓋体113が、ろう材114を介して接合された際に、金属蓋体113の接合時の熱応力により、接合された金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用する。この際に、この枠状メタライズ層105の食い込ん
だ領域の最も応力が加わる外端部の枠状メタライズ層105の厚みが厚いことにより、枠状
メタライズ層105の外周部を枠部103の外周により強固に拘束することができる。
That is, when the metal lid 113 is joined to the frame-shaped metallized layer 105 via the metal frame 115 brazed to the frame-shaped metallized layer 105 or directly to the frame-shaped metallized layer 105 via the brazing material 114, the metal lid 113 Due to the thermal stress at the time of bonding, a thermal stress acts such that the bonded metal lid 113 pulls the frame-like metallized layer 105 toward the center of the insulating substrate. At this time, the outer peripheral portion of the frame-like metallized layer 105 is made thicker by the outer periphery of the frame portion 103 due to the thicker thickness of the outer-end portion of the frame-like metallized layer 105 to which the stress is applied. It can be firmly restrained.

また、外端部における下部層106の厚み(つまり枠部103への食い込みの深さ)を確保しつつ、枠状メタライズ層105としてのボリュームをより小さくすることができる。そのた
め、外端部が枠部103内に食い込んだ枠状メタライズ層105を含む構成において、熱応力がより低減され、この熱応力に起因した枠部103(セラミックグリーンシート)の変形や割
れをより効果的に抑制できる。
Further, the volume as the frame-like metallized layer 105 can be further reduced while ensuring the thickness of the lower layer 106 at the outer end portion (that is, the depth of biting into the frame portion 103). For this reason, in the configuration including the frame-like metallized layer 105 whose outer end bites into the frame portion 103, the thermal stress is further reduced, and the deformation and cracking of the frame portion 103 (ceramic green sheet) due to the thermal stress are further reduced. It can be effectively suppressed.

そして、枠状メタライズ層105は、外端部においてより強固な接合強度を有しながら、
金属蓋体113や金属枠体115が接合される封止面が平坦性よく形成される構造を実現できる。封止面が平坦であることは、金属蓋体113や金属枠体115を枠状メタライズ層105と接合
する際のろう材114のボリュームを抑制できる、つまり、封止面の凸凹形状にろう材114のボリュームが無駄に取られないという効果を有する。よって、銀ろう等のろう材114によ
り金属蓋体113を枠状メタライズ層105に接合する際に、部材コストの上昇を抑えながら、気密信頼性に優れた封止構造を実現できる。
And the frame-like metallized layer 105 has a stronger bonding strength at the outer end,
A structure in which the sealing surface to which the metal lid 113 and the metal frame 115 are joined is formed with good flatness can be realized. The flat sealing surface can suppress the volume of the brazing material 114 when the metal lid 113 or the metal frame 115 is joined to the frame-like metallized layer 105, that is, the brazing material has an uneven shape on the sealing surface. The effect is that 114 volumes are not wasted. Therefore, when the metal lid 113 is joined to the frame-like metallized layer 105 by the brazing material 114 such as silver brazing, a sealing structure with excellent hermetic reliability can be realized while suppressing an increase in member cost.

母基板100に形成される分割溝110は、例えばレーザー加工によって形成されている。レーザー加工は、焼成後の母基板100に対して施されてもよく、焼成前のセラミックグリー
ンシートに対して行なわれてもよい。この場合には、分割溝110の加工の加工精度がよく
小型の配線基板101aに対応することができる。また、枠状メタライズ層105の枠部103(
母基板100および個片の絶縁基板)に対する接合強度に優れた枠状メタライズ層105を実現できる。
The dividing grooves 110 formed on the mother substrate 100 are formed by, for example, laser processing. Laser processing may be performed on the mother substrate 100 after firing, or may be performed on the ceramic green sheet before firing. In this case, the processing accuracy of the dividing groove 110 is high, and it is possible to cope with a small wiring board 101a. Further, the frame portion 103 (
A frame-like metallized layer 105 having excellent bonding strength to the mother substrate 100 and individual insulating substrates) can be realized.

つまり、背景技術に関する説明で述べたように、レーザー加工は非接触加工であるために、枠状メタライズ層105の外端部にカッター刃等を押し入れて枠部103の外端部を変形させる(切り込みを入れる)ことで分割溝110を形成する場合に比べて、枠状メタライズ層105の外端部に剥離の起点ができやすい。そのため枠状メタライズ層105が剥離し易くなる
傾向がある。これに対して、本実施形態の多数個取り配線基板および配線基板は、上記構成の枠状メタライズ層105を有することから、枠状メタライズ層105の剥がれが効果的に抑制され得る。具体的には、カッター刃による分割溝110形成のときのような枠部103の変形を伴わない場合においても枠状メタライズ層105の外端部が母基板100(枠部103および個
片の絶縁基板)に食い込んでいるため、枠状メタライズ層105の剥がれが効果的に抑制で
きる。したがって、金属蓋体113や金属枠体115が上面に接合される枠状メタライズ層105
を、外端部に変形がなく接合強度に優れた広面積の接合面として効果的に形成できる。
That is, as described in the description of the background art, since laser processing is non-contact processing, a cutter blade or the like is pushed into the outer end portion of the frame-like metallized layer 105 to deform the outer end portion of the frame portion 103 ( Compared with the case where the dividing groove 110 is formed, a starting point of peeling can be easily formed at the outer end portion of the frame-like metallized layer 105. Therefore, the frame-like metallized layer 105 tends to be easily peeled off. On the other hand, since the multi-piece wiring board and the wiring board of the present embodiment have the frame-like metallized layer 105 having the above-described configuration, peeling of the frame-like metallized layer 105 can be effectively suppressed. Specifically, even when the frame 103 is not deformed as in the case of forming the dividing groove 110 by the cutter blade, the outer end of the frame-like metallized layer 105 is the base substrate 100 (insulating the frame 103 and the individual pieces). Therefore, the peeling of the frame-shaped metallized layer 105 can be effectively suppressed. Therefore, the frame-like metallized layer 105 to which the metal lid 113 and the metal frame 115 are bonded to the upper surface
Can be effectively formed as a large-area joint surface with no deformation at the outer end and excellent joint strength.

母基板100にレーザー加工により分割溝110を形成するためには、例えば、固体レーザー(例えばYAGレーザー)により励起された基本波のレーザー光(以下、単にレーザーという)を枠状メタライズ層105の上から照射し、境界116の部位にV字状の分割溝110を形
成する方法が挙げられる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートが積層されてなる積層体を製作しておき、この積層体に複数の配線基板領域101を縦横に配列するととも
に、配線基板領域101の境界116にレーザーを照射して分割溝110を形成すればよい。また
は、上記積層体に対する加工と同様の加工を母基板100に対して施してもよい。
In order to form the dividing grooves 110 on the mother substrate 100 by laser processing, for example, a fundamental laser beam (hereinafter simply referred to as a laser) excited by a solid laser (for example, a YAG laser) is formed on the frame-like metallized layer 105. And a V-shaped dividing groove 110 is formed at the boundary 116. Specifically, a laminated body in which a plurality of ceramic green sheets are laminated is manufactured, and a plurality of wiring board regions 101 are arranged vertically and horizontally in the laminated body, and a laser is applied to the boundary 116 of the wiring board region 101. Irradiation may form the dividing groove 110. Alternatively, the mother substrate 100 may be subjected to processing similar to the processing performed on the stacked body.

この場合には、図5で示したように、積層体の外周の捨て代領域に下部層106と同じ並
びの位置に位置決めパターン117を形成しておいてもよい。図5は、図1に示す多数個取
り配線基板の変形例における要部を示す上面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。位置決めパターン117は、レーザーが確実に下部層106を二分割できるように下部層106となるメタライズ用ペーストを枠部103となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷等で形成する際に、同時に印刷等で形成されたものである。こ
れにより、下部層106の全面が上部層107で覆われた枠状メタライズ層105であっても、下
部層106の位置を推定できることから、レーザーをより位置精度よく確実に下部層106に照射することが可能となり、下部層106を含む枠状メタライズ層105を二分割することができる。この際、位置決めパターン117は単層であり、枠状メタライズ層105よりも薄く形成されることから、加圧による母基板100への食い込みが抑制される。よって、位置決めパタ
ーン117の厚みの分だけレーザー加工による分割溝110の深さが浅く形成されるため、捨て代領域の強度を確保できるという効果もある。
In this case, as shown in FIG. 5, a positioning pattern 117 may be formed in the same marginal position as the lower layer 106 in the disposal margin region on the outer periphery of the stacked body. FIG. 5 is a top view showing a main part in a modification of the multi-cavity wiring board shown in FIG. 5, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The positioning pattern 117 is formed by printing or the like at the same time that the metallizing paste that becomes the lower layer 106 is formed on the ceramic green sheet that becomes the frame portion 103 by screen printing or the like so that the laser can surely divide the lower layer 106 into two. It has been done. As a result, even if the entire surface of the lower layer 106 is the frame-like metallized layer 105 covered with the upper layer 107, the position of the lower layer 106 can be estimated, and therefore the laser is irradiated to the lower layer 106 with higher positional accuracy and reliability. The frame-like metallized layer 105 including the lower layer 106 can be divided into two. At this time, since the positioning pattern 117 is a single layer and is formed thinner than the frame-like metallized layer 105, biting into the mother substrate 100 due to pressurization is suppressed. Therefore, since the depth of the dividing groove 110 is reduced by the laser processing by the thickness of the positioning pattern 117, there is also an effect that it is possible to secure the strength of the margin area.

母基板100は、例えば上記のようにアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素
、ムライト、フェライト、ガラスセラミックスなどを主成分とするセラミック焼結体で形成されている。このような材料によって、例えば25〜150μm程度の厚みのセラミックグ
リーンシートが複数積層され、例えば150〜500μmの厚みに形成されている。そして、母基板100には、レーザーの吸収率を高くするための成分として、Mg、Mn、Co、Cr
、Cu、Ni、及びFeの群から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物が含まれていてもよい。
The mother substrate 100 is formed of a ceramic sintered body mainly composed of alumina, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, mullite, ferrite, glass ceramics, or the like as described above. With such a material, a plurality of ceramic green sheets having a thickness of, for example, about 25 to 150 μm are stacked, and formed to have a thickness of, for example, 150 to 500 μm. The mother substrate 100 has Mg, Mn, Co, Cr as components for increasing the laser absorption rate.
At least one metal oxide selected from the group consisting of Cu, Ni, and Fe may be included.

母基板100は、前述したように、枠状メタライズ層105の露出表面に設けられためっき層112をさらに有するものであってもよい。これにより、枠状メタライズ層105の酸化の抑制、およびろう材114の濡れ性等に対して有利になる。   As described above, the mother substrate 100 may further include a plating layer 112 provided on the exposed surface of the frame-like metallized layer 105. This is advantageous for suppressing the oxidation of the frame-like metallized layer 105, the wettability of the brazing material 114, and the like.

また、分割溝110がレーザー加工によって形成されており、分割溝110の内面において枠状メタライズ層105の下部層106および上部層107の一部が露出しているとともに下部層106におけるセラミック粒子の含有量が比較的多い場合には、例えば図3および図4に示したように、めっき層112の厚みが、枠状メタライズ層105のうち下部層106において上部層107よりも薄い構造となっている。このような構造の場合には、配線基板101aの小型化が進
んで隣接する配線基板領域101の境界116に形成される分割溝110の幅が狭くなっても、隣
接する配線基板領域101の枠状メタライズ層105が分割溝110を挟んで隣り合った同士で、
めっき層112同士が互いに癒着するようなことが抑制される。したがって、母基板100を分割溝110に沿って個片に分割する際に配線基板101aにバリや欠けが発生することが抑制される。
Further, the dividing groove 110 is formed by laser processing, and a part of the lower layer 106 and the upper layer 107 of the frame-shaped metallized layer 105 is exposed on the inner surface of the dividing groove 110, and the ceramic particles are contained in the lower layer 106 When the amount is relatively large, for example, as shown in FIGS. 3 and 4, the thickness of the plating layer 112 has a structure that is thinner in the lower layer 106 than in the upper layer 107 in the frame-like metallized layer 105. . In the case of such a structure, even when the size of the wiring board 101a is reduced and the width of the dividing groove 110 formed at the boundary 116 of the adjacent wiring board area 101 is reduced, the frame of the adjacent wiring board area 101 is reduced. Between the adjacent metallized layers 105 across the dividing groove 110,
It is suppressed that the plating layers 112 adhere to each other. Therefore, when the mother board 100 is divided into individual pieces along the dividing groove 110, occurrence of burrs and chips on the wiring board 101a is suppressed.

つまり、分割溝110を形成する時に枠状メタライズ層105の上面からレーザー加工すると、非接触加工であり枠部103の変形がない状態でV字状の分割溝110が形成されるとともに、分割溝110側に下部層106が露出することになる。下部層106はセラミック粒子を比較的
多く含んでいるため、レーザー加工時の熱によりセラミック粒子中のガラス成分の一部が分割溝110側に露出した下部層106の表面に這い上がり、上部層107よりも多く形成される
。この状態で母基板100にめっき層112を被着すると、ガラス成分で一部が覆われた下部層106の表面にはめっき層112が形成され難くなる。
That is, when laser processing is performed from the upper surface of the frame-like metallized layer 105 when forming the dividing groove 110, the V-shaped dividing groove 110 is formed in a state of non-contact processing and the frame portion 103 is not deformed. The lower layer 106 is exposed on the 110 side. Since the lower layer 106 contains a relatively large amount of ceramic particles, a part of the glass component in the ceramic particles crawls up to the surface of the lower layer 106 exposed on the dividing groove 110 side by heat during laser processing, and the upper layer 107 Formed more. When the plating layer 112 is deposited on the mother substrate 100 in this state, the plating layer 112 is hardly formed on the surface of the lower layer 106 partially covered with the glass component.

その結果、図3や図4の断面図で示したように、めっき層112の厚みが枠状メタライズ
層105のうち下部層106において上部層107よりも薄い構造となることから、隣接する配線
基板領域101の枠状メタライズ層105が分割溝110を挟んで隣り合った同士で癒着するよう
なことが抑制される。分割溝110はV字状であり、隣接する配線基板領域101での上部層107の間隔(分割溝110の隙間)よりも下部層106の間隔が小さいため、このような構造は、
配線基板領域101同士の枠状メタライズ層105の癒着を抑制するうえで有効である。
As a result, as shown in the cross-sectional views of FIGS. 3 and 4, the plating layer 112 has a structure in which the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 is thinner than the upper layer 107, so that the adjacent wiring board The adhesion of the frame-like metallized layer 105 in the region 101 adjacent to each other across the dividing groove 110 is suppressed. Since the dividing groove 110 is V-shaped and the interval between the lower layers 106 is smaller than the interval between the upper layers 107 (gap between the dividing grooves 110) in the adjacent wiring board region 101, such a structure is
This is effective in suppressing the adhesion of the frame-like metallized layer 105 between the wiring board regions 101.

配線基板101aは、前述したように、上記いずれかの構成の多数個取り配線基板が、配
線基板領域101毎に分割されて製作されている。これにより、枠状メタライズ層105と枠部103との接合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくした
配線基板101aを提供できる。つまり、枠状メタライズ層105に直接に、または金属枠体11
5を介して金属蓋体113が接合される際に、金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用しても、この枠状メタライズ層105の食い込んだ
部分により枠状メタライズ層105の外周部が枠部103の外周に拘束される。そのため、枠状メタライズ層105が枠部103から剥がれることが抑制された配線基板101aとすることがで
きる。
As described above, the wiring board 101a is manufactured by dividing the multi-piece wiring board having any one of the above-described configurations into the wiring board regions 101. Thereby, it is possible to provide the wiring board 101a in which the bonding area between the frame-like metallized layer 105 and the frame part 103 is increased and the bonding strength between the frame-like metallized layer 105 and the frame part 103 is increased. That is, directly on the frame-like metallized layer 105 or on the metal frame 11
Even when the metal lid 113 is bonded via the thermal stress acting on the metal lid 113 pulling the frame-like metallized layer 105 toward the center of the insulating substrate, the frame-like metallized layer 105 The outer periphery of the frame-like metallized layer 105 is constrained to the outer periphery of the frame portion 103 by the portion that has been bitten. Therefore, the wiring substrate 101a in which the frame-like metallized layer 105 is prevented from being peeled off from the frame portion 103 can be obtained.

枠状メタライズ層105は、例えば枠部103の全面に形成されており、母基板100内に食い
込んでいる下部層106と、下部層106および枠部103の上面を覆って形成される上部層107とから構成されている。なお、図2に示す配線基板101aの例において、下部層106の形成位置が破線で示されている。この破線の位置に下部層106の内周が位置している。下部層106は、破線の外側に、枠部103の外周に沿って形成されている。そして、例えば、焼成後の
個片の配線基板101aにおける下部層106の幅が、30〜80μm程度となるように形成されている。分割溝110の形成による位置ずれや、レーザー加工による枠状メタライズ層105(メタライズ用ペースト)の消失等を考慮すると、下部層106の幅は50〜80μm程度が好まし
い。
The frame-like metallized layer 105 is formed, for example, on the entire surface of the frame portion 103, and a lower layer 106 that bites into the mother substrate 100, and an upper layer 107 that covers the upper surface of the lower layer 106 and the frame portion 103. It consists of and. In the example of the wiring board 101a shown in FIG. 2, the formation position of the lower layer 106 is indicated by a broken line. The inner circumference of the lower layer 106 is located at the position of this broken line. The lower layer 106 is formed along the outer periphery of the frame portion 103 outside the broken line. For example, the width of the lower layer 106 in the individual wiring board 101a after firing is formed to be about 30 to 80 μm. In consideration of misalignment due to the formation of the dividing grooves 110 and disappearance of the frame-like metallized layer 105 (metallized paste) due to laser processing, the width of the lower layer 106 is preferably about 50 to 80 μm.

また、下部層106は、必ずしも配線基板領域101の枠部103の外周に沿って連続的に形成
されている必要はなく、例えば図6に示すような形態でもよい。図6(a)および(b)は、それぞれ図2に示す配線基板の変形例を示す上面図である。図6(a)および(b)ともに、枠状メタライズ層105が下部層106と上部層107とからなる例を示している。図6
において図2と同様の部位には同様の符号を付している。
Further, the lower layer 106 does not necessarily need to be continuously formed along the outer periphery of the frame portion 103 of the wiring board region 101, and may have a form as shown in FIG. 6, for example. 6A and 6B are top views showing modifications of the wiring board shown in FIG. 6A and 6B show an example in which the frame-like metallized layer 105 is composed of a lower layer 106 and an upper layer 107. FIG. FIG.
In FIG. 2, the same parts as those in FIG.

図6(a)の例においては、キャスタレーション109に接する領域(コーナー部分)を
除く4辺に、下部層106が形成されている。これにより、キャスタレーション109を構成する小径の孔部の変形をより効果的に抑制することができる。
In the example of FIG. 6A, the lower layer 106 is formed on the four sides excluding the region (corner portion) in contact with the castellation 109. Thereby, deformation of the small-diameter hole constituting the castellation 109 can be more effectively suppressed.

また、図6(b)の例においては、枠部103の外周に沿って不連続に下部層106が形成されている。この場合には、母基板100内に食い込む枠状メタライズ層105の量を抑制しながら、枠状メタライズ層105の外端部におけるアンカー効果を効果的に得ることができる。
つまり、比較的幅が狭い枠部103内に埋まる枠状メタライズ層105の体積が抑制されるため、例えば枠部103に変形が生じる可能性がより低減され得る。この場合には、枠状メタラ
イズ層105のうち剥がれが発生しやすい傾向がある角部分またはその近くに下部層106が位置していることが好ましい。
In the example of FIG. 6B, the lower layer 106 is discontinuously formed along the outer periphery of the frame portion 103. In this case, the anchor effect at the outer end portion of the frame-like metallized layer 105 can be effectively obtained while suppressing the amount of the frame-like metallized layer 105 that bites into the mother substrate 100.
That is, since the volume of the frame-like metallized layer 105 embedded in the frame portion 103 having a relatively narrow width is suppressed, for example, the possibility that the frame portion 103 is deformed can be further reduced. In this case, it is preferable that the lower layer 106 is located at or near the corner portion of the frame-shaped metallized layer 105 where peeling tends to occur.

また、個片の配基板101aについても、上記多数個取り配線基板の場合と同様の構成が
含まれている場合には同様の効果が得られる。例えば、下部層106にセラミック粒子が含
有されている場合には、上述したように枠状メタライズ層105の下部層106と枠部103(セ
ラミック)との接合強度を大きくすることができる。さらに、下部層106および上部層107の両方にセラミック粒子が含有されている場合には、焼成時の枠部103上面部分の変形が
抑制され、配線基板領域101の封止面の反りが抑制された、気密封止性に優れた配線基板101aを実現できる。
Further, the same effect can be obtained for the individual distribution board 101a when the same configuration as that of the multi-piece wiring board is included. For example, when the lower layer 106 contains ceramic particles, the bonding strength between the lower layer 106 of the frame-like metallized layer 105 and the frame portion 103 (ceramic) can be increased as described above. Further, when ceramic particles are contained in both the lower layer 106 and the upper layer 107, deformation of the upper surface portion of the frame portion 103 during firing is suppressed, and warpage of the sealing surface of the wiring board region 101 is suppressed. In addition, the wiring board 101a having excellent hermetic sealing property can be realized.

また、下部層106が、枠状メタライズ層105の外周に近いほど、その厚みが厚くなっている場合には、枠状メタライズ層105にろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に金属蓋体113を、ろう材114を介して接合した際に、金属蓋体113の接合時の熱応力により接合された金属蓋体113が枠状メタライズ層105を絶縁基板の中央側に引っ張るような熱応力が作用しても、この枠状メタライズ層105の食い込んだ領域の最も
応力が加わる外端部の枠状メタライズ層105の厚みが厚いことにより、枠状メタライズ層105の外周部を枠部103の外周により強固に拘束することができる配線基板101aを実現できる。さらに、配線基板101aの外周面(多数個取り配線基板の分割溝内に位置していた表
面)がレーザー加工によって形成されている場合には、製品としての外形の寸法精度に優れ、上記外周面にバリや欠けが発生することが抑制された配線基板101aを実現できる。
When the lower layer 106 is closer to the outer periphery of the frame-like metallized layer 105, the thickness thereof is thicker. The metal layer 115 brazed to the frame-like metallized layer 105 is used or the frame is directly framed. When the metal lid 113 is joined to the metallized layer 105 via the brazing filler metal 114, the metal lid 113 joined by the thermal stress at the time of joining the metal lid 113 becomes the frame-like metallized layer 105 of the insulating substrate. Even when a thermal stress that pulls toward the center acts, the frame-shaped metallization layer 105 is thickened because the frame-like metallization layer 105 at the outer end to which the stress is applied is thickest. It is possible to realize the wiring board 101a that can firmly restrain the outer peripheral portion thereof by the outer periphery of the frame portion 103. Furthermore, when the outer peripheral surface of the wiring board 101a (the surface located in the dividing groove of the multi-cavity wiring board) is formed by laser processing, the outer peripheral surface is excellent in dimensional accuracy as a product. Thus, it is possible to realize the wiring board 101a in which the occurrence of burrs and chips is suppressed.

本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法について説明する。実施形態の多数個取り配線基板の製造方法は、以下の各工程を含んでいる。すなわち、上面を有しているとともに複数の配線基板領域101が配列されたセラミックグリーンシートを準備する工程
。セラミックグリーンシート(枠部103となるもの)の上面に、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程。および複数の配線基板領域101のそれぞれの境界116に沿って分割溝110を形成する工程である。また、メタライズ用ペーストを塗布する工程において、メタライズ用ペーストを境界116において積層体内に食い込
ませる。
A method for manufacturing a multi-piece wiring board according to an embodiment of the present invention will be described. The method for manufacturing a multi-piece wiring board according to the embodiment includes the following steps. That is, a step of preparing a ceramic green sheet having an upper surface and in which a plurality of wiring board regions 101 are arranged. A step of applying a metallizing paste in a frame shape along the boundary 116 of the wiring board region 101 on the upper surface of the ceramic green sheet (which becomes the frame portion 103). And a step of forming the dividing grooves 110 along the respective boundaries 116 of the plurality of wiring board regions 101. Further, in the step of applying the metallizing paste, the metallizing paste is bitten into the laminated body at the boundary 116.

メタライズ用ペーストを塗布するセラミックグリーンシートは、1層でもよく、複数の層が積層されたものでもよい。このような本発明の多数個取り配線基板の製造方法の工程順における要部を、図7(a)〜(c)および図8(a)、(b)に示した。図7(a)〜(c)および図8(a)、(b)は、本発明の実施形態の多数個取り配線基板の製造方法における要部を工程順に示す断面図である。図7および図8において図1と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図7および図8ならびに以下の説明においては、セラミックグリーンシートおよびメタライズ用ペーストとして別途符号を設けず、実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で用いたのと同様の符号を用いている。   The ceramic green sheet to which the metallizing paste is applied may be a single layer or a laminate of a plurality of layers. 7 (a) to 7 (c) and FIGS. 8 (a) and 8 (b) show the main parts in the process order of the method for manufacturing a multi-cavity wiring board of the present invention. FIGS. 7A to 7C and FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views showing the main parts in the manufacturing method of the multi-cavity wiring board according to the embodiment of the present invention in the order of steps. 7 and 8, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIG. 1. In FIGS. 7 and 8 and the following description, reference numerals similar to those used in the description of the multi-cavity wiring board of the embodiment are used without providing separate reference numerals for the ceramic green sheet and the metallizing paste. .

図7(a)は、セラミックグリーンシート(枠部103となるもの)を準備する工程と、
その上面に、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程の一部(第1補助工程)とを示している。セラミックグリーンシートおよびメタライズ用ペーストは実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製および塗布が可能である。塗布するメタライズ用ペーストは下部層106となるものである。この場合の塗布のパターンの幅は、下部層106と同様に比較的狭い幅(第1の幅)に設定する。
FIG. 7A shows a step of preparing a ceramic green sheet (which becomes the frame portion 103);
On the upper surface, a part of the process of applying the metallizing paste in a frame shape along the boundary 116 of the wiring board region 101 (first auxiliary process) is shown. The ceramic green sheet and the metallizing paste can be manufactured and applied by the same method using the same materials as those described in the description of the multi-cavity wiring board of the embodiment. The metallizing paste to be applied becomes the lower layer 106. The width of the coating pattern in this case is set to a relatively narrow width (first width) as in the lower layer 106.

図7(b)は、配線基板領域101の境界116に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程の一部(第2補助工程)とを示している。塗布するメタライズ用ペーストは上部層107となるものである。このメタライズ用ペーストも、実施形態の多数個取り配線基板
に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製および塗布することができる。この場合の塗布のパターンの幅は、下部層106を覆う上部層107と同様に比較的広い幅(第2の幅)に設定する。
FIG. 7B shows a part of the step of applying the metallizing paste in a frame shape along the boundary 116 of the wiring board region 101 (second auxiliary step). The metallizing paste to be applied is the upper layer 107. This metallizing paste can also be produced and applied by the same method using the same material as the example given in the description of the multi-cavity wiring board of the embodiment. The width of the coating pattern in this case is set to a relatively wide width (second width) in the same manner as the upper layer 107 covering the lower layer 106.

図7(c)は、メタライズ用ペースト(下部層106となるもの)を境界116において枠部103となる積層体内に食い込ませる工程を示している。この工程も、例えば前述したよう
にメタライズ用ペーストを加圧することにより行なわれる。
FIG. 7C shows a process in which the metallizing paste (which becomes the lower layer 106) is bitten into the laminated body which becomes the frame portion 103 at the boundary 116. This step is also performed, for example, by pressing the metallizing paste as described above.

図8(a)は、枠部103となるセラミックグリーンシートの下に基部102となるセラミックグリーンシートを積層する工程を示している。基部102となるセラミックグリーンシー
トも、実施形態の多数個取り配線基板に関する説明で挙げた例と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。
FIG. 8A shows a process of laminating the ceramic green sheet that becomes the base 102 under the ceramic green sheet that becomes the frame 103. The ceramic green sheet used as the base 102 can also be manufactured by the same method using the same material as the example given in the description of the multi-cavity wiring board of the embodiment.

図8(b)は、分割溝110を形成する工程を示している。分割溝110は、例えば上記と同様のレーザー加工で行なうことができる。分割溝110の形成に伴い、配線基板領域101の境界116に沿って、塗布したメタライズ用ペースト(下部層106および上部層107となるもの
)が長さ方向に二つに分割される。
FIG. 8B shows a process of forming the dividing groove 110. The dividing groove 110 can be performed by, for example, laser processing similar to the above. With the formation of the dividing groove 110, the applied metallizing paste (which becomes the lower layer 106 and the upper layer 107) is divided into two in the length direction along the boundary 116 of the wiring board region 101.

このような製造方法としたことから、枠状メタライズ層105の外端部となる下部層106が枠部103の外周に食い込んだ形態の多数個取り配線基板を容易に制作することができる。   With this manufacturing method, it is possible to easily produce a multi-piece wiring board in a form in which the lower layer 106 serving as the outer end portion of the frame-like metallized layer 105 is cut into the outer periphery of the frame portion 103.

つまり、分割溝110が形成される前の枠状メタライズ層105となるメタライズ用ペーストの外端部となる領域(境界116)の厚みを最も厚くしておくことにより、加圧する方向に
枠状メタライズ層105(メタライズ用ペースト)がセラミックグリーンシート内に食い込
む。この食い込みの形状は、丸みを帯びた形状となる。よって、下部層106となるメタラ
イズ用ペーストを境界116上において加圧により容易に食い込ませることができる。また
、配線基板領域101が小さくなり枠部103の幅が狭くなっても、見かけ上2つの枠部103が
接した幅広い状態で、下部層106となるメタライズ用ペーストを隣接する配線基板領域101の外端部に同時に形成できる。なお、セラミックグリーンシートへのメタライズ用ペーストの加圧は、搭載部104を形成するための枠部103を打ち抜く工程の前であってもよい。これにより、メタライズ用ペーストの加圧によるセラミックグリーンシートの変形が抑制される。
In other words, by making the thickness of the region (boundary 116) that becomes the outer end portion of the metallizing paste that becomes the frame-shaped metallized layer 105 before the dividing grooves 110 are formed, the frame-shaped metallization is increased in the pressing direction. Layer 105 (metallizing paste) bites into the ceramic green sheet. The shape of this bite is rounded. Therefore, the metallizing paste that becomes the lower layer 106 can be easily bitten by pressing on the boundary 116. Further, even if the wiring board region 101 becomes smaller and the width of the frame portion 103 becomes narrower, the metallization paste that becomes the lower layer 106 is applied to the adjacent wiring board region 101 in a wide state where the two frame portions 103 are apparently in contact with each other. It can be formed simultaneously on the outer end. The press of the metallizing paste to the ceramic green sheet may be performed before the step of punching out the frame portion 103 for forming the mounting portion 104. Thereby, the deformation | transformation of the ceramic green sheet by pressurization of the metallizing paste is suppressed.

そして、境界116に沿って分割溝110を形成した際に、配線基板領域101の枠部103の外端部に下部層106が食い込んで形成されることから、枠状メタライズ層105と枠部103との接
合面積を大きくして枠状メタライズ層105と枠部103との接合強度を大きくすることができる配線基板101aを効率よく製作することが可能な製造方法を提供できる。
When the dividing groove 110 is formed along the boundary 116, the lower layer 106 is formed by biting into the outer end portion of the frame portion 103 of the wiring board region 101. Therefore, the frame-like metallized layer 105 and the frame portion 103 are formed. It is possible to provide a manufacturing method capable of efficiently manufacturing the wiring substrate 101a that can increase the bonding area between the frame-like metallized layer 105 and the frame portion 103 by increasing the bonding area.

なお、本発明の多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態において、枠状メタライズ層105に、ろう付けされた金属枠体115を介して、または直接枠状メタライズ層105に平板
状の金属蓋体113をろう材114を介して接合した配線基板101aを示したが、金属蓋体113の代わりにキャップ状の金属蓋体(図示せず)が接合される平板状等の配線基板101aとし
てもよい。また、2層のセラミックグリーンシートから構成される配線基板101aを示し
たが、3層以上のセラミックグリーンシートから構成される配線基板101aとしてもよい
Note that the multi-cavity wiring board, the wiring board, and the manufacturing method of the multi-cavity wiring board of the present invention are not limited to the examples of the embodiments described above, and various methods are possible without departing from the gist of the present invention. You can make any changes. For example, in the above embodiment, a flat metal lid 113 is joined to the frame-shaped metallization layer 105 via the brazed metal frame 115 or directly to the frame-like metallization layer 105 via the brazing material 114. Although the wiring board 101a is shown, a flat board-like wiring board 101a to which a cap-like metal lid (not shown) is joined instead of the metal lid 113 may be used. Moreover, although the wiring board 101a comprised from the ceramic green sheet of 2 layers was shown, it is good also as the wiring board 101a comprised from the ceramic green sheet of 3 layers or more.

また、枠状メタライズ層105が下部層106および上部層107とからなるときに、例えば図
9に示すように、下部層106が枠部103の上面のほぼ全面を覆う程度に幅が広いものであり、上部層107の幅が下部層106の幅よりも小さいものであってもよい。図9は、図3の他の変形例における要部を示す断面拡大図である。図9において図3と同様の部位には同様の符号を付している。図9の例では、下部層106が配線基板領域101の境界部分(外端部)で下方に曲がって母基板100内に食い込んでいる。上部層107は、下部層106が母基板100内に食い込んでいる外端部において下部層106上に設けられている。この場合も、アンカー効
果等によって枠状メタライズ層105の外端部における剥がれが効果的に抑制され得る。た
だし、前述したように下部層106に比較的多くのセラミック粒子が含有される場合に、枠
状メタライズ層105にめっき層112が被着されるときには、図3または図4の例のように、上部層107が下部層106を覆っている形態の方が好ましい。
Further, when the frame-shaped metallized layer 105 is composed of the lower layer 106 and the upper layer 107, for example, as shown in FIG. 9, the lower layer 106 is wide enough to cover almost the entire upper surface of the frame portion 103. Yes, the width of the upper layer 107 may be smaller than the width of the lower layer 106. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a main part in another modification of FIG. 9, parts similar to those in FIG. 3 are given the same reference numerals. In the example of FIG. 9, the lower layer 106 is bent downward at the boundary portion (outer end portion) of the wiring board region 101 and bites into the mother board 100. The upper layer 107 is provided on the lower layer 106 at the outer end portion where the lower layer 106 bites into the mother substrate 100. Also in this case, peeling at the outer end portion of the frame-like metallized layer 105 can be effectively suppressed by an anchor effect or the like. However, when a relatively large amount of ceramic particles are contained in the lower layer 106 as described above, when the plating layer 112 is deposited on the frame-like metallized layer 105, as shown in the example of FIG. 3 or FIG. A form in which the upper layer 107 covers the lower layer 106 is preferable.

100・・・母基板
101・・・配線基板領域
101a・・・配線基板
102・・・基部
103・・・枠部
104・・・搭載部
105・・・枠状メタライズ層
106・・・下部層
107・・・上部層
108・・・配線導体
109・・・キャスタレーション
110・・・分割溝
111・・・外部接続導体
112・・・めっき層
113・・・金属蓋体
114・・・ろう材
115・・・金属枠体
116・・・境界
117・・・位置決めパターン
100 ... Mother board
101 ・ ・ ・ Wiring board area
101a ... Wiring board
102 ... Base
103 ・ ・ ・ Frame part
104 ・ ・ ・ Mounting part
105 ... Frame metallization layer
106 ... Lower layer
107 ... upper layer
108 ・ ・ ・ Wiring conductor
109 ・ ・ ・ Castellation
110 ・ ・ ・ Dividing groove
111 ・ ・ ・ External connection conductor
112 ・ ・ ・ Plating layer
113 ・ ・ ・ Metal lid
114 ... brazing material
115 ・ ・ ・ Metal frame
116 ... Boundary
117 ... Positioning pattern

Claims (10)

複数の配線基板領域が配列されており、該配線基板領域の外周に沿って設けられた分割溝を含む主面を有する母基板と、
該母基板の前記主面に、前記分割溝に沿って設けられた枠状メタライズ層とを備えており、
該枠状メタライズ層は、前記分割溝に接する外端部が前記母基板内に食い込んでおり、前記母基板内に食い込んだ領域において、前記分割溝に近いほど厚みが厚くなっていることを特徴とする多数個取り配線基板。
A plurality of wiring board regions are arranged, and a mother board having a main surface including a dividing groove provided along the outer periphery of the wiring board region;
A frame-like metallization layer provided along the dividing grooves on the main surface of the mother substrate;
The frame-shaped metallized layer has an outer end portion in contact with the dividing groove that has bitten into the mother substrate, and a region that has bitten into the mother substrate has a thickness that is closer to the dividing groove. Multi-cavity wiring board.
前記枠状メタライズ層は、前記外端部において前記母基板内に位置している下部層と、該下部層上に設けられた上部層とを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。 The said frame-shaped metallization layer is characterized by including the lower layer located in the said mother board | substrate in the said outer end part, and the upper layer provided on this lower layer. Multi-cavity wiring board. 前記枠状メタライズ層は、前記外端部において少なくとも前記下部層にセラミック粒子が含有されていることを特徴とする請求項2に記載の多数個取り配線基板。 The multi-piece wiring board according to claim 2, wherein the frame-shaped metallized layer contains ceramic particles in at least the lower layer at the outer end portion. 前記枠状メタライズ層は、前記外端部において前記下部層および前記上部層にセラミック粒子が含有されており、前記下部層における前記セラミック粒子の含有量が、前記上部層における前記セラミック粒子の含有量よりも多いことを特徴とする請求項3に記載の多数個取り配線基板。 The frame-shaped metallized layer contains ceramic particles in the lower layer and the upper layer at the outer end, and the content of the ceramic particles in the lower layer is the content of the ceramic particles in the upper layer. The multi-cavity wiring board according to claim 3, wherein the number of the wiring boards is larger. 前記下部層は、前記枠状メタライズ層の前記外端部に近いほど、その厚みが厚いことを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の多数個取り配線基板。 5. The multi-cavity wiring board according to claim 2, wherein the lower layer is thicker as it is closer to the outer end portion of the frame-shaped metallized layer. 前記分割溝がレーザー加工によって形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の多数個取り配線基板。 The multi-piece wiring board according to claim 1, wherein the division grooves are formed by laser processing. 前記枠状メタライズ層の露出表面に設けられためっき層をさらに備えており、前記分割溝がレーザー加工によって形成されており、前記めっき層の厚みが、前記枠状メタライズ層のうち前記下部層において前記上部層よりも薄いことを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれかに記載の多数個取り配線基板。 It further comprises a plating layer provided on the exposed surface of the frame-shaped metallized layer, the dividing groove is formed by laser processing, and the thickness of the plating layer is the lower layer of the frame-shaped metallized layer The multi-piece wiring board according to claim 3, wherein the multi-cavity wiring board is thinner than the upper layer. 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載された前記多数個取り配線基板が、前記配線基板領域毎に分割されてなることを特徴とする配線基板。 8. The wiring board according to claim 1, wherein the multi-cavity wiring board according to claim 1 is divided for each wiring board region. 上面を有しているとともに複数の配線基板領域が配列されたセラミックグリーンシートを準備する工程と、
前記セラミックグリーンシートの前記上面に、前記複数の配線基板領域の境界に沿って枠状にメタライズ用ペーストを塗布する工程と、
前記複数の配線基板領域のそれぞれの前記境界に沿って分割溝を形成する工程とを備えており、
前記メタライズ用ペーストを塗布する工程において、該メタライズ用ペーストを前記境界において前記セラミックグリーンシート内に食い込ませることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
Preparing a ceramic green sheet having an upper surface and a plurality of wiring board regions arranged;
Applying a metallizing paste in a frame shape along the boundaries of the plurality of wiring board regions on the upper surface of the ceramic green sheet;
Forming a dividing groove along each of the boundaries of the plurality of wiring board regions,
In the step of applying the metallization paste, the metallization paste is bitten into the ceramic green sheet at the boundary.
前記メタライズ用ペーストを塗布する工程は、該メタライズ用ペーストを前記配線基板領域の前記境界に沿って第1の幅で印刷する第1補助工程と、前記メタライズ用ペーストを前記第1の幅よりも広い第2の幅で、前記第1補助工程で印刷したメタライズ用ペーストから前記セラミックグリーンシートの表面にかけて覆うように印刷する第2補助工程とをさらに含むことを特徴とする請求項9記載の多数個取り配線基板の製造方法。 The step of applying the metallization paste includes a first auxiliary step of printing the metallization paste with a first width along the boundary of the wiring board region, and the metallization paste more than the first width. 10. The second auxiliary process of claim 9, further comprising a second auxiliary process of printing so as to cover the surface of the ceramic green sheet from the metallizing paste printed in the first auxiliary process with a wide second width. A manufacturing method of a single-piece wiring board.
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