JP6300231B2 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents

Description

本願は、電気的発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（以下「有機ＥＬ素子」と略する）に関する。

有機ＥＬ素子は、陽極および陰極と、これらの間に配置された発光層を含む有機層とを含む積層体を備える。上記積層体は、一般に、例えばガラス基板などの基材上に設けられ、封止材で覆われている。封止材の外側には、陽極および陰極のそれぞれに電気的に接続された陽極取り出し部および陰極取り出し部が設けられている。これらの取り出し部を介して、外部の電源から電極間に電圧が印加される。有機ＥＬ素子の駆動には、電極間に電圧を印加し、陽極から有機層に注入されるホールと、陰極から有機層に注入される電子との再結合によって発生する電界発光現象を利用する。

近年、有機ＥＬ素子の基材として、導電性表面を有する基材を用いることが提案されている。導電性表面を有する基材は、例えば金属箔、金属膜などの導電膜で被覆された樹脂膜、導電膜で被覆されたガラス基板などを含む。なかでも、金属箔、金属膜で被覆された樹脂膜などは可撓性を有するので、このような基材を用いることにより、巻き取りや折り曲げが可能なフレキシブルな有機ＥＬ素子（以下、「フレキシブル有機ＥＬ素子」）を実現できる。フレキシブル有機ＥＬ素子は、例えば、ロールツーロール方式を利用して製造され得る。

導電性表面を有する基材を用いた有機ＥＬ素子の構成は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に開示された有機ＥＬ素子では、基材の導電性表面を利用して陰極および陰極取り出し部を構成している。

図８は、特許文献１に開示された有機ＥＬデバイスを示す断面図である。有機ＥＬデバイスは、陰極層として機能し得る第１の基材２と、第１の基材２上に形成された有機層３と、有機層３上に形成された陽極層４（４１，４２）と、接着層５を介して陽極層４と接合される第２の基材６とを備える。第１の基材２および陽極層４は、それぞれ、有機層３のある領域より外周側に延設され、第２の基材６から露出して、陰極取り出し部４０ａおよび陽極取り出し部４０ｂを構成している。第１の基材２の延設された部分と陽極層４の延設された部分とは、絶縁層７で絶縁されている。

特開第２０１２−１７４５５８号公報

上述したように、従来の有機ＥＬ素子では、発光領域以外の領域において、電極間の短絡を抑制するために絶縁層が設けられる場合がある。このような有機ＥＬ素子の信頼性をさらに高めることが求められている。

本開示の一態様は、高い信頼性を有し得る有機ＥＬ素子を提供する。

本開示の一態様は、第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に形成された、発光層を含む有機ＥＬ層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間で、前記有機ＥＬ層を含まない領域に形成された絶縁層と、前記第２の電極層の一部上に配置された封止層とを備え、前記絶縁層は、第１の部分と前記第１の部分よりも厚い第２の部分とを有し、前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記有機ＥＬ層側に位置しており、前記第１の電極層の法線方向から見たとき、前記封止層は、前記有機ＥＬ層と前記絶縁層の一部とを覆っており、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間において、前記絶縁層のうち前記封止層から露出されている部分は、全て前記第２の部分である有機ＥＬ素子を含む。

本開示の一態様は、高い信頼性を有し得る有機ＥＬ素子を提供する。

（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、実施形態の有機ＥＬ素子１００の断面図および平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ素子１００における封止層７０の位置を例示する断面図である。 （ａ）は比較例の有機ＥＬ素子における有機ＥＬ層３１の形状を示す断面図であり、（ｂ）は有機ＥＬ素子１００における有機ＥＬ層３０の形状を例示する断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、実施形態の他の有機ＥＬ素子１０１の断面図および平面図である。 実施形態のさらに他の有機ＥＬ素子１０２の断面図である。 実施形態のさらに他の有機ＥＬ素子１０３の平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、複数の有機ＥＬ素子１００を形成した基材の断面図および平面図である。 特許文献１に開示された従来の有機ＥＬデバイスの断面図である。

本発明の基礎となった知見は以下のとおりである。

前述したように、有機ＥＬ素子は、一対の電極と、その間に位置する有機ＥＬ層とを含む積層体を有している。一般に、積層体は、封止材によって外部から封止されている。一方、有機ＥＬ素子の一対の電極には、素子外部にある電源（外部電源）から電流が供給される。このため、有機ＥＬ素子の電極の一部は、封止材の外側に引き出され、引き出された部分が外部電源に接続される。

例えば、導電性表面を有する基材を用いて有機ＥＬ素子を構成する場合、特許文献１で開示されているように、一対の電極のうち基材側に位置する電極（「下部電極」と称する）は、基材の導電性表面を利用して、外部電源と電気的に接続される。他方の電極（「上部電極」と称する）は、例えば封止材外側まで延びる引き出し電極を介して外部電源に電気的に接続される。このとき、引き出し電極と、基材の導電性表面との短絡を防ぐために、これらの間に、電気的な絶縁性を確保するための絶縁層が設けられる。絶縁層は、例えば、基材の法線方向から見た以外の領域に配置される。

本願発明者が検討したところ、上記の従来の有機ＥＬ素子では、絶縁層を電極間の所定の位置に形成する必要があり、製造工程が複雑になるおそれがあることが分かった。

また、本願発明者は、さらに検討を重ねた結果、次のような課題があることを見出した。一般的に、電子部品の電極などとして、銀、銅をはじめ、鉛、錫、亜鉛などの金属材料が使用される場合、電極が大気中に露出していると、封止材で封止されている場合よりも、イオンマイグレーションが生じやすいと考えられる。

特許文献１などに開示された有機ＥＬ素子では、基材の導電性表面の一部と引き出し電極の一部は大気中に曝される。引き出し電極として、銀や銅などの金属材料を用いた場合、引き出し電極のうち大気中に曝された部分で生じるイオンマイグレーションに起因して、電極間の絶縁不良が生じる可能性があると考えられる。また、基材の導電性表面が金属層である場合にも同様の絶縁不良が起こり得ると考えられる。

さらに、導電性表面を有する基材を用いない場合でも、基材の法線方向から見たとき、発光領域以外の領域において、上部電極およびその引き出し電極を含む電極層の少なくとも一部が、下部電極およびその引き出し電極を含む電極層と重なるように配置されていれば、これらの電極層間に絶縁層を設ける構成が考えられる。この構成においても、上記と同様の課題が生じ得る。

これに対し、本願発明者は、絶縁層に厚さの異なる部分を設けることにより、絶縁層の厚さの差を利用して、有機ＥＬ素子をより簡便に製造できるという知見を得た。また、絶縁層に厚さの異なる部分を設けることにより、イオンマイグレーションに起因する絶縁不良を抑制できるので、有機ＥＬ素子の信頼性をさらに向上できるという知見を得た。

本発明の一態様の概要は以下のとおりである。

本発明の一態様である有機ＥＬ素子は、第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に形成された、発光層を含む有機ＥＬ層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間で、前記有機ＥＬ層を含まない領域に形成された絶縁層と、前記第２の電極層の一部上に配置された封止層とを備え、前記絶縁層は、第１の部分と前記第１の部分よりも厚い第２の部分とを有し、前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記有機ＥＬ層側に位置しており、前記第１の電極層の法線方向から見たとき、前記封止層は、前記有機ＥＬ層と前記絶縁層の一部とを覆っており、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間において、前記絶縁層のうち前記封止層から露出されている部分は、全て前記第２の部分である。

前記第１の電極層は、例えば、導電性表面を有する基材を含み、前記絶縁層は、前記基材の前記導電性表面上に、前記導電性表面と接して設けられていてもよい。

前記第１の電極層は、前記基材の前記導電性表面と前記有機ＥＬ層との間に配置された下部電極をさらに含んでもよい。

前記絶縁層の上面は、例えば、前記第２の部分の最も厚い部分と前記第１の部分の最も薄い部分との間に段差を有しており、前記第２の電極層の上面は、例えば、前記絶縁層の前記段差を反映した段差を有しており、前記封止層の端部は、前記第２の電極層の上面のうち前記段差を構成する面上にあってもよい。

前記第２の電極層は、前記有機ＥＬ層と接する上部電極と、前記上部電極と電気的に接続され、かつ、その一部が前記封止層から露出するように延設された少なくとも１つの引き出し電極とを含んでもよい。

前記少なくとも１つの引き出し電極は、例えば、第１の電極部分と、前記第１の電極部分よりも薄い第２の電極部分とを有し、前記第１の電極部分は前記第２の電極部分よりも前記有機ＥＬ層側に位置し、前記少なくとも１つの引き出し電極のうち前記封止層で覆われた部分は全部、前記第２の電極部分であってもよい。

前記少なくとも１つの引き出し電極のうち前記封止層で覆われた部分の厚さは、前記有機ＥＬ層の近傍で、前記封止層の端部の近傍よりも小さくてもよい。

上記有機ＥＬ素子は、例えば、前記絶縁層の前記封止層で覆われた部分上に、前記第１の電極層の法線方向から見たとき前記有機ＥＬ層を包囲するように配置されたバスバー電極をさらに備え、前記バスバー電極と前記少なくとも１つの引き出し電極とは一体的に形成されていてもよい。

前記第１の電極層ＬＥのうち絶縁層と接する面および第２の電極層のうち絶縁層と接する面の少なくとも一方は金属材料を含んでもよい。

前記有機ＥＬ層の周縁は、前記絶縁層の前記第１の部分上に位置していてもよい。

（第１の実施形態）
以下、有機ＥＬ素子の第１の実施形態を説明する。

図１（ａ）は、有機ＥＬ素子１００の一部を示す断面図であり、図１（ｂ）は、有機ＥＬ素子１００の平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）に示すＡ−Ａ’線の断面構造を示す。

有機ＥＬ素子１００は、第１の電極層ＬＥと、第２の電極層ＵＥと、発光層を含む有機ＥＬ層３０と、絶縁層５０と、封止層７０とを備える。有機ＥＬ層３０は、第１の電極層ＬＥと第２の電極層ＵＥとの間に形成されている。

絶縁層５０は、第１の電極層ＬＥと第２の電極層ＵＥとの間で、少なくとも有機ＥＬ層３０を含まない領域に形成されている。この例では、第１の電極層ＬＥの法線方向から見たとき、絶縁層５０は、例えば有機ＥＬ層３０の周辺に配置されている。絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部は、有機ＥＬ層３０と接していてもよい。図１に示す例のように、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部は、有機ＥＬ層３０で覆われていてもよい。

封止層７０は、第２の電極層ＵＥの一部上に配置されている。封止層７０は、第１の電極層ＬＥの法線方向から見たとき、有機ＥＬ層３０と、絶縁層５０の一部とを覆っている。この例では、封止層７０は、有機ＥＬ層３０の上方から、その周辺に位置する絶縁層５０上まで延設されている。絶縁層５０の一部は封止層７０から露出している。

図１（ａ）に示すように、絶縁層５０は、第１の部分５０ａと、第１の部分５０ａよりも厚い第２の部分５０ｂとを有している。第１の部分５０ａは、第２の部分５０ｂよりも有機ＥＬ層３０側に位置している。第１の電極層ＬＥと第２の電極層ＵＥとの間において、絶縁層５０のうち封止層７０から露出されている部分（以下、「露出部分」と略する。）５０Ｅは、全て第２の部分５０ｂである。なお、本明細書では、絶縁層５０の第１の部分５０ａは、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部を含む部分をいう。第２の部分５０ｂは、全体に亘って第１の部分５０ａよりも厚く、かつ、第１の部分５０ａよりも素子の周縁側に位置する部分をいう。

この例では、絶縁層５０は、有機ＥＬ層３０の近傍に位置する比較的平坦な第１平坦部分（厚さ：ｔ１）ｐ１と、素子の周縁側に位置する比較的平坦な第２平坦部分（厚さ：ｔ２、ｔ２＞ｔ１）ｐ２と、これらの平坦部分の間に位置し、厚さがｔ１からｔ２に変化する傾斜部分ｐ３とを含む。この場合、絶縁層５０の第１の部分５０ａは第１平坦部分ｐ１であり、第２の部分５０ｂは、第２平坦部分ｐ２および傾斜部分ｐ３を含む。封止層７０は、第１平坦部分ｐ１および傾斜部分ｐ３を覆い、第２の部分５０ｂの一部である第２平坦部分ｐ２を露出するように配置されている。封止層７０の端部は傾斜部分ｐ３上に位置している。絶縁層５０の露出部分５０Ｅの厚さはｔ２である。従って、露出部分５０Ｅは、全体に亘って、絶縁層５０のうち封止層７０で覆われている部分（以下、「封止部分」と略する。）５０Ｃよりも厚い。

なお、絶縁層５０と封止層７０との配置は、図１（ａ）に示す例に限定されない。例えば図２（ａ）に例示するように、封止層７０は、第１平坦部分ｐ１と、傾斜部分ｐ３の一部とを覆っていてもよい。この例では、絶縁層５０の露出部分５０Ｅは、全体に亘って、封止部分５０Ｃよりも厚くなる。あるいは、封止部分５０Ｃの一部の厚さが露出部分５０Ｅの厚さと同程度であってもよい。例えば図２（ｂ）に示すように、第２の部分５０ｂの平坦な部分の一部のみが封止層７０から露出していてもよい。この例では、封止部分５０Ｃが厚さの異なる複数の部分を含んでおり、封止部分５０Ｃにおける最大厚さをｔｃとすると、露出部分５０Ｅの厚さが、全体に亘って、最大厚さｔｃ以上である。

絶縁層５０の断面形状も図１に示す例に限定されない。絶縁層５０は、第１平坦部分ｐ２と第２平坦部分ｐ２との間に、絶縁層５０の下面に略垂直な段差を有していてもよい。また、絶縁層５０は、比較的平坦な部分を有していなくてもよい。例えば、有機ＥＬ層３０側から素子周縁に向かって徐々に厚くなるような形状であってもよい。

第１の電極層ＬＥは、導電性表面１０ｓを有する基材１０を含んでもよい。基材１０は、金属箔などの導電性基材であってもよいし、絶縁性の支持体の表面に導電膜が形成された構造を有していてもよい。

第１の電極層ＬＥは、基材１０のみから構成されていてもよい。あるいは、第１の電極層ＬＥは、例えば、基材１０と、基材１０の導電性表面１０ｓと有機ＥＬ層３０との間に配置された下部電極２０とを有していてもよい。この場合、基材１０の導電性表面１０ｓは、下部電極２０に電気的に接続され、かつ、封止層７０の外側まで延設される。このため、第１の電極層ＬＥにおける引き出し電極として機能させてもよい。なお、基材１０の導電性表面１０ｓを引き出し電極として利用する場合には、絶縁層５０は、導電性表面１０ｓ上に、導電性表面１０ｓと接して設けられる。

第２の電極層ＵＥは、有機ＥＬ層３０と接する上部電極４０と、引き出し電極６０とを含んでいてもよい。引き出し電極６０は、上部電極４０と電気的に接続され、かつ、その一部が封止層７０から露出するように延設されている。この例では、複数の引き出し電極６０が間隔を空けて設けられている。上部電極４０と引き出し電極６０とは異なる導電材料から形成されていてもよい。あるいは、上部電極４０と引き出し電極６０とは、同じ導電材料を用いて一体的に形成されていてもよい。

第１の電極層ＬＥのうち絶縁層５０と接する面（ここでは、基材１０の導電性表面１０ｓ）および第２の電極層ＵＥのうち絶縁層５０と接する面（ここでは、引き出し電極６０の表面）の少なくとも一方は、銀、銅、鉛、錫、亜鉛などの金属材料を含んでいてもよい。

有機ＥＬ素子１００において、絶縁層５０は、少なくとも引き出し電極６０と基材１０の導電性表面１０ｓとの間に配置されていればよい。この例では、絶縁層５０は、基材１０の上面に、有機ＥＬ層３０の側面を包囲するように設けられている。絶縁層５０によって、有機ＥＬ層３０を含む発光領域の周縁（ここでは四辺）が画定され得る。なお、絶縁層５０は、引き出し電極６０の下方にのみ配置されていてもよい。

有機ＥＬ素子１００は、例えばトップエミッション型の発光素子であってもよい。この場合、上部電極４０に透明導電性酸化物などからなる透光性の高い材料を用い、封止層７０に透光性の高い無機材料や有機材料を用いてもよい。これにより、上部電極４０側から光を取り出すことが可能となる。なお、有機ＥＬ素子１００はボトムエミッション型の発光素子であってもよい。この場合、基材１０および下部電極２０に透光性の高い材料を用いてもよい。さらには、有機ＥＬ素子１００は、上部電極４０側および下部電極２０側の両方から光を取り出すことの可能な発光素子であってもよい。

本実施形態の有機ＥＬ素子１００では、高い信頼性を有し得る。特に、第１および第２の電極層ＬＥ、ＵＥの少なくとも一方が金属材料を含む場合、前述したマイグレーションに起因する絶縁不良を効果的に抑制できるので、長期間の信頼性をより効果的に確保できる。以下、この理由をより詳しく説明する。

有機ＥＬ素子１００では、電極層ＵＥ、ＬＥおよび絶縁層５０からなる積層構造の一部は封止層７０から露出している。前述したように、電極層ＵＥ、ＬＥのうち大気中に露出していると、封止層７０で覆われているよりも、イオンマイグレーションが生じやすいと考えられる。本実施形態では、絶縁層５０のうち封止層７０から露出している露出部分５０Ｅを、厚さの大きい第２の部分５０ｂで構成する。これにより、絶縁層５０の露出部分５０Ｅを介した、イオンマイグレーションに起因する電極層間の絶縁不良を抑制できる。一方、イオンマイグレーションが生じにくい封止層７０の内部では、絶縁層５０を薄くできるので、従来よりも素子サイズを大幅に増大させることなく、信頼性を向上できる。

絶縁層５０の露出部分５０Ｅの厚さは、特に限定しないが、例えば１００μｍ以上であることが好ましい。これにより、より確実にマイグレーションによる絶縁不良を抑制できる。一方、露出部分５０Ｅの厚さは、素子の小型化の観点から、例えば１ｍｍ以下であってもよい。

また、有機ＥＬ素子１００は、より簡便に製造され得るというメリットを有する。

有機ＥＬ素子１００を製造する際には、例えば、有機ＥＬ層３０および電極構造を形成した後で、その一部を覆うように封止層７０を形成することができる。封止層は、例えば液状の材料を所定の領域に付与した後、これを固化させることにより形成され得る。

本実施形態では、絶縁層５０は、その素子周縁側で有機ＥＬ層３０側よりも厚い。絶縁層５０上の第２の電極層ＵＥは、絶縁層５０の厚さの差を反映した表面形状を有している。このため、封止層７０を、絶縁層５０のうち有機ＥＬ層３０側の一部を覆うように配置しやすい。特に、液状の材料を所定の領域に付与することによって封止層７０を形成する場合、液状の材料を絶縁層５０のうち厚さの小さい部分（凹部）に選択的に付与することが可能になる。ロールツーロールで有機ＥＬ素子を製造する際には、より簡便に、所定の位置に封止層７０を形成できる。また、後述するように、同一の基材上に複数の有機ＥＬ素子を製造する（多面取り）場合に、素子ごとに分離した封止層を簡便に形成できる。

また、絶縁層５０の上面において、有機ＥＬ層側の薄い部分（第１平坦部分ｐ１）と、素子周縁側の厚い部分（第２平坦部分ｐ２）との間に段差を有していると、段差によって封止層７０の端部の位置を画定できる。例えば、第２の電極層ＵＥの上面は、絶縁層５０の段差を反映した段差を有し、封止層７０の端部は、第２の電極層ＵＥの上面のうち段差を構成する面上に位置する。絶縁層５０の段差、ここでは有機ＥＬ層３０側の端部の厚さｔ１と、素子周縁側の最も厚い部分の厚さｔ２との差は、例えば１０μｍ以上であることが好ましい。

特に本実施形態では、第１平坦部分ｐ１と第２平坦部分ｐ２との間の段差部分を傾斜させて、傾斜部分ｐ３を設けている。この傾斜部分ｐ３を設けたことで、その上面に形成される引き出し電極６０の断線を抑制できる。

さらに、本実施形態によると、次のような効果も得られる。

有機ＥＬ素子１００を製造する際に、後述するように、まず、第１の電極層ＬＥ（例えば基材１０）の一部上に絶縁層５０を形成し、その後、第１の電極層ＬＥの上面のうち絶縁層５０を形成しなかった領域に有機ＥＬ層３０を形成してもよい。この場合、電極層ＬＥ、ＵＥ間の短絡を抑制するために、有機ＥＬ層３０は絶縁層５０と接触するように配置されてもよい。より確実に短絡を抑制するために、有機ＥＬ層３０の周縁が絶縁層５０の端部上に位置するように、すなわち有機ＥＬ層３０の周縁部が絶縁層５０と重なるように、有機ＥＬ層３０を配置してもよい。

一般的に、有機ＥＬ層は真空蒸着などの真空プロセスや、スピンコート、スロットダイ塗布、インクジェット印刷などのウェットプロセスで形成される。また、蒸着などの真空プロセスで形成される場合もある。有機ＥＬ層を構成する各有機膜の厚さは例えばｎｍオーダーである。このように薄い有機膜を、その周縁部が絶縁層と重なるように形成すると、絶縁層の厚さによって、絶縁層近傍の有機膜の厚さが不均一になる可能性がある。その結果、有機ＥＬ層の厚さの均一性が低下し、発光均一性も低下する可能性がある。この問題については、有機ＥＬ層の形成プロセスに依存するため、後で形成プロセスごとに詳述する。

これに対し、本実施形態では、絶縁層５０のうち有機ＥＬ層３０側に位置する第１平坦部分ｐ１の厚さｔ１は、より高い絶縁性が要求される露出部分５０Ｅの厚さｔ２よりも小さい。このため、絶縁層５０の端部近傍で有機ＥＬ層の厚さが不均一になるのを抑制でき、より均一な有機ＥＬ層を形成できる。従って、本実施形態によると、第１および第２の電極層ＬＥ、ＵＥ間のマイグレーションに起因する絶縁不良を低減しつつ、有機ＥＬ層３０の厚さの均一性の低下を抑えることが可能となる。

有機ＥＬ層３０の周縁は、絶縁層５０の第１の部分上（ここでは第１平坦部分ｐ１上）に位置するように配置されてもよい。これにより、より確実に上記効果が得られる。また、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部の厚さｔ１は、特に限定しないが、例えば１μｍ１０μｍ以下であることが好ましい。これにより、絶縁層５０の端部上に、有機ＥＬ層３０をより均一に形成できる。一方、絶縁層５０の厚さｔ１は１００μｍ以上であることが好ましい。これにより、封止層７０内部において、第１および第２の電極層ＬＥ、ＵＥ間の絶縁性をより確実に保つことができる。厚さｔ１の好ましい範囲については、後で詳述するように、絶縁層５０の材料や形成プロセスによって変わり得る。

さらに、本実施形態によると、絶縁層５０の全体の厚さを、絶縁不良の低減を考慮した厚さ（ｔ２）に設定する場合と比べて、絶縁層材料の使用量を節約することができる。

＜有機ＥＬ素子の各構成要素の説明＞
以下、有機ＥＬ素子１００の各構成要素について詳細に説明する。

基材１０は、例えば矩形状の平面視形状を有する。ここで、基材１０の平面視形状は、矩形状に限らず、例えば、矩形状以外の多角形状、円形状などでもよい。

基材１０としては、ガラス基材、プラスチック基材、金属箔などを用いてもよい。本実施形態では、基材１０は導電性表面１０ｓを有する。このような基材１０は、金属箔などの導電性基材であってもよいし、金属膜の積層体であってもよい。あるいは、上述したプラスチック基材やガラス基材などの絶縁性の支持体の表面に、金属膜などの導電膜が形成された構造を有していてもよい。また、導電性表面１０ｓを有する基材１０は、ロールツーロールに適用可能な程度の可撓性を有していてもよい。ロールツーロールで有機ＥＬ素子を製造する際には、封止層７０をより簡便に所定の位置に形成できるので、より顕著な効果が得られる。可撓性を有する基材として金属箔を用いてもよい。金属箔は、大気中の水分や酸素に対して高いバリア性を有し得る。あるいは、フレキシブルな絶縁性の支持体の表面に、導電膜が形成された構造を有していてもよい。例えば、支持体として有機樹脂フィルムを用いる場合、有機樹脂は大気中の水分や酸素に対してバリア性が低いため、水分、酸素の透過を低減するバリア層として表面に金属膜を設けた構造を有していてもよい。

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例では、下部電極２０が陽極を構成し、上部電極４０が陰極を構成している。この場合、下部電極２０から有機ＥＬ層３０へ注入する第１キャリアは正孔であり、上部電極４０から発光層へ注入する第２キャリアは電子である。

有機ＥＬ層３０は、下部電極２０側から順に、第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、発光層、第２キャリア輸送層、第２キャリア注入層を備えていてもよい。ここにおいて、第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、第２キャリア輸送層、第２キャリア注入層は、それぞれ、ホール注入層、ホール輸送、電子輸送層、電子注入層である。上述の有機ＥＬ層３０の構造は、図１の例に限らず、例えば、下部電極２０と有機ＥＬ層３０との間に、第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層を設けたり、有機ＥＬ層３０と上部電極４０との間に第２キャリア輸送層、第２キャリア注入層を設けたりした構造でもよい。なお、下部電極２０が陰極を構成し、上部電極４０が陽極を構成する場合には、例えば、第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、第２キャリア輸送層、第２キャリア注入層は、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層となる。

また、有機ＥＬ層３０は、少なくとも発光層を含んでいればよく（つまり、有機ＥＬ層３０は、発光層のみでもよく）、発光層以外の、第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、第２キャリア輸送層、第２キャリア注入層などは適宜設ければよい。発光層は、単層構造でも多層構造でもよい。例えば、所望の発光色が白色の場合には、発光層中に赤色、緑色、青色の３種類のドーパント色素をドーピングするようにしてもよいし、青色正孔輸送性発光層と緑色電子輸送性発光層と赤色電子輸送性発光層との積層構造を採用してもよいし、青色電子輸送性発光層と緑色電子輸送性発光層と赤色電子輸送性発光層との積層構造を採用してもよい。

発光層は、塗布法（例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法など）のような湿式プロセスによって成膜することが好ましい。例えば、第１の電極層ＬＥの上面の一部上に絶縁層５０を形成した後、絶縁層５０で包囲された領域（凹部領域）に、液状の材料を付与することによって有機ＥＬ層３０を形成してもよい。ただし、発光層の成膜方法は、塗布法に限らず、例えば、真空蒸着法、転写法などの乾式プロセスによって発光層を成膜してもよい。

電子注入層の材料は、例えば、フッ化リチウムやフッ化マグネシウムなどの金属フッ化物、塩化ナトリウム、塩化マグネシウムなどに代表される金属塩化物などの金属ハロゲン化物や、チタン、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウムなどの酸化物、などを用いることができる。これらの材料の場合、電子注入層は、真空蒸着法により形成することができる。また、電子注入層の材料は、例えば、電子注入を促進させるドーパント（アルカリ金属など）を混合した有機半導体材料を用いることができる。このような材料の場合、電子注入層は、塗布法により形成することができる。

また、電子輸送層の材料は、電子輸送性を有する化合物の群から選定することができる。この種の化合物としては、Ａｌｑ３等の電子輸送性材料として知られる金属錯体や、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、テトラジン誘導体、オキサジアゾール誘導体などのヘテロ環を有する化合物などが挙げられるが、この限りではなく、一般に知られる任意の電子輸送材料を用いることが可能である。

ホール輸送層の材料としては、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が小さい低分子材料や高分子材料を用いることができる。

ホール注入層の材料としては、例えば、チオフェン、トリフェニルメタン、ヒドラゾリン、アミールアミン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニルアミンなどを含む有機材料が挙げられる。

陰極は、機能層中に第２電荷である電子（第２キャリア）を注入するための電極である。上部電極４０が陰極の場合、陰極の材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、ＬＵＭＯ準位との差が大きくなりすぎないように仕事関数が１．９ｅＶ以上５ｅＶ以下のものを用いるのが好ましい。上部電極が、機能層中に第１電荷であるホール（第１キャリア）を注入するための電極である陽極を構成する場合、第２電極の材料としては、仕事関数の大きい金属を用いることが好ましく、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位との差が大きくなりすぎないように仕事関数が４ｅＶ以上６ｅＶ以下のものを用いるのが好ましい。また、上部電極に透光性の高い導電性透明酸化物や、導電性高分子を用いることもできる。

引き出し電極６０は、銀、アルミニウム、銅、金などを真空蒸着やスパッタなどの真空プロセスにより形成することができる。また、金属の粉末に有機バインダおよび有機溶剤を混合させたペースト（印刷インク）を、例えばスクリーン印刷法、グラビア印刷法などにより印刷して形成することができる。有機バインダとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の２種以上の共重合体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

補助電極を形成する場合、補助電極の材料としては、引き出し電極６０と同じ材料を用いることができるが、特に限定するものではない。引き出し電極６０の材料と上部電極４０の補助電極の材料とが同じ場合には、引き出し電極６０と補助電極とを同時に形成することが可能となる。また、引き出し電極６０と上部電極４０とを同じ材料で一体的に形成してもよい。

なお、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子では、下部電極２０の厚さを１０〜２００ｎｍ、第１キャリア注入層の厚さを１０〜２００ｎｍ、第１キャリア輸送層の厚さを１０〜１００ｎｍ、発光層の厚さを１０〜２００ｎｍ、第２キャリア注入層の厚さを１〜３０ｎｍ、第２電極の厚さを１０〜２００ｎｍにそれぞれ設定してあるが、これらの数値は一例であって、特に限定するものではない。

補助電極の電極パターンの一例としては、格子状（網状）に形成されており、複数の開口部を有している。この場合、各開口部の各々の平面視形状が正方形状や長方形状となる。

上部電極４０は、正方格子状の寸法に関して、例えば、線幅Ｌ１を１μｍ〜１００μｍ、高さＨ１を５０ｎｍ〜１００μｍ、ピッチＰ１を１００μｍ〜２０００μｍとすればよい。ただし、上部電極４０の補助電極の線幅Ｌ１、高さＨ１およびピッチＰ１それぞれの数値範囲は、特に限定するものではなく、素子部の平面サイズに基づいて適宜設定すればよい。ここにおいて、上部電極４０の補助電極の線幅Ｌ１については、発光層で発光する光の利用効率の観点からは狭い方が好ましく、上部電極４０の低抵抗化によって輝度むらを低減するという観点からは広い方が好ましいので、有機エレクトロルミネッセンス素子の平面サイズなどに基づいて適宜設定することが好ましい。また、上部電極４０の補助電極の高さＨ１については、上部電極４０の低抵抗化の観点、補助電極をスクリーン印刷法などの塗布法により形成する際の補助電極の材料の使用効率（材料使用効率）の観点、機能層から放射される光の放射角の観点などから、１００ｎｍ以上１０μｍ以下が、より好ましい。

補助電極を格子状の形状とする場合、各開口部の各々の平面視形状は正方形状に限らず、例えば、長方形状や正三角形状や正六角形状の形状としてもよい。

補助電極は、各開口部の各々の平面視形状が正三角形状の場合、三角格子状の形状となり、各開口部の各々の平面視形状が正六角形状の場合、六角格子状の形状となる。なお、補助電極は、格子状の形状に限らず、例えば、櫛形状の形状でもよいし、２つの櫛形状の電極パターンにより構成してもよい。また、補助電極は、開口部の数も特に限定するものではなく、複数に限らず、１つでもよい。例えば、補助電極を櫛形状にしたり、２つの櫛形状の電極パターンにより構成した場合などは、開口部の数を１つとすることが可能である。

封止層７０としては、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などを用いてもよい。ガラス基材の材料としては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどを採用することができる。また、プラスチック基材の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネートなどを採用することができる。プラスチック基材を用いる場合は、水分や酸素に対するバリア性を確保するバリア層を形成する必要がある。

これらの基材を上部電極上に素子部が覆われるように、接合材料で接合することで封止層を形成できる。この場合、接合材料としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの熱硬化型材料や光硬化型材料を使用することができる。また、これらの接合材料にはフィラー（例えば、シリカ、アルミナなど）を含有させたものを用いてもよい。

なお、基材１０が、ガラス基材やプラスチック基材など透光性のある基材からなり、かつ、第１電極も透光性のある材料からなる場合、封止層の材料として金属箔なども採用することができる。

本実施形態では、封止層７０として、平板状のものを用いているが、これに限らず、基材１０との対向面に、上述の素子部を収納する収納凹所を形成したものを用い、上記対向面における収納凹所の周部を全周に亘って基材１０側と接合するようにしてもよい。一方、平板状の封止層７０とは別に、枠状のフレーム部とを別部材により構成している場合には、封止層７０に要求される光学的な物性（光透過率、屈折率など）と、フレーム部に要求される物性（ガスバリア性など）との両方の要求を各別に満たす材料を採用することが可能になるという利点がある。

この場合、フレーム部と基材１０の上記一表面側とを接合する第１接合材料としては、エポキシ樹脂を用いることができるが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂などを採用してもよい。第１接合材料として用いるエポキシ樹脂やアクリル樹脂は、例えば、光硬化型のものでもよいし、熱硬化型のものでもよい。また、第１接合材料として、エポキシ樹脂にフィラー（例えば、シリカ、アルミナなど）を含有させたものを用いてもよい。ここで、フレーム部は、基材１０の上記一表面側に対して、フレーム部における基材１０側との対向面を全周に亘って気密的に接合してある。また、フレーム部と封止層７０とを接合する第２接合材料としては、エポキシ樹脂を用いることができるが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂、フリットガラスなどを採用してもよい。第２接合材料として用いるエポキシ樹脂やアクリル樹脂は、例えば、光硬化型のものでもよいし、熱硬化型のものでもよい。また、第２接合材料として、エポキシ樹脂にフィラー（例えば、シリカ、アルミナなど）を含有させたものを用いてもよい。ここで、フレーム部は、封止層７０に対して、フレーム部における封止層７０との対向面を全周に亘って気密的に接合してある。

絶縁層５０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いることができる。これらの材料をスクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷などの各種印刷方法、スピンコート形成後にフォトリソグラフィ工程でパターニング形成する方法などで形成できるが、特に限定されない。

また、封止層７０における外面側（基材１０側とは反対の面側）には、発光層から放射された光の上記外面での反射を抑制する光取り出し構造部（図示せず）を備えていることが好ましい。このような光取り出し構造部としては、例えば、２次元周期構造を有した凹凸構造部が挙げられる。このような２次元周期構造の周期は、発光層で発光する光の波長が例えば３００〜８００ｎｍの範囲内にある場合、媒質内の波長をλ（真空中の波長を媒質の屈折率で除した値）とすれば、波長λの１／４〜１０倍の範囲で適宜設定することが望ましい。このような凹凸構造部は、例えば、封止層７０の上記外面側に、例えば、熱インプリント法（熱ナノインプリント法）、光インプリント法（光ナノインプリント法）などのインプリント法により、予め形成することが可能である。また、封止層７０の材料によっては、封止層７０を射出成形により形成するようにし、射出成形時に適宜の金型を用いて、封止層７０に凹凸構造部を直接形成することも可能である。また、凹凸構造部は、封止層７０とは別部材により構成することも可能であり、例えば、プリズムシート（例えば、株式会社きもと製のライトアップ（登録商標）ＧＭ３のような光拡散フィルムなど）により構成することができる。

＜有機ＥＬ素子１００の製造方法＞
以下、有機ＥＬ素子１００の製造方法の一例を説明する。なお、本実施形態の製造方法や各構成要素の材料、厚さなどは、以下に示す例に限定されない。

まず、導電性表面１０ｓを有する基材１０を用意する。基材１０として、例えばＡｇが表面に製膜されたポリエチレンテレフタラートを用いる。

次に、基材１０の導電性表面１０ｓのうち発光領域となる領域上に、例えばスパッタ法で下部電極２０を形成する。下部電極２０として、例えばＩＴＯ膜（厚さ：例えば１５ｎｍ）を用いる。

次いで、基材１０のうち発光領域となる領域以外の領域に、絶縁層５０を形成する。ここでは、例えばポリイミド樹脂をスクリーン印刷で塗布し、パターニングすることによって、絶縁層５０を得る。絶縁層５０の第１平坦部分ｐ１の厚さｔ１は例えば１μｍ以上１０μｍ以下、第２平坦部分ｐ２の厚さｔ２は例えば１００μｍ以上１ｍｍ以下に設定する。絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端面は、テーパー形状を有してもよい。また、絶縁層５０の第１平坦部分ｐ１と第２平坦部分ｐ２との間に位置する傾斜部分（段差）ｐ３の傾斜角度（導電性表面１０ｓと傾斜部分ｐ３の上面とのなす角度）は、例えば１０°以上６０°以下である。

次いで、基材１０のうち絶縁層５０が形成されていない凹部領域に、下部電極２０と接するように有機ＥＬ層（厚さ：例えば３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下）３０を形成する。有機ＥＬ層３０は、例えばスピンコート、スロットダイなどの塗布、蒸着などにより形成され得る。形成方法は後で詳述する。なお、塗布方法では、液状の材料（ソリッドコンテンツ０．５ｗｔ％）を基材１０上に付与することにより有機ＥＬ層３０が形成される。この場合、液状の材料は絶縁層５０の端面上にも付与される（図３参照）。

続いて、有機ＥＬ層３０上に、例えばスパッタ法で上部電極４０を形成する。上部電極４０として、例えばＩＴＯ膜（厚さ：例えば１００ｎｍ）を用いる。

この後、絶縁層５０上に、上部電極４０と接する引き出し電極６０を例えば真空蒸着法で形成する。引き出し電極６０は、例えばＡｇ膜（厚さ：例えば５００ｎｍ）を用いて形成される。

続いて、引き出し電極６０および上部電極４０上に、封止層７０を形成する。封止層７０は、例えばディスペンサ法で、液状の材料（例えばエポキシ樹脂）を付与することによって形成される。このようにして、有機ＥＬ素子１００が得られる。

共通の基材上に複数の有機ＥＬ素子を同時に製造してもよい（多面取り）。

図７（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、複数の有機ＥＬ素子１００が形成された基材１０の断面図および平面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）に示すＣ−Ｃ’線の断面構造を示す。図１と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。

共通の基材上に複数の有機ＥＬ素子１００を製造する際は、上述したように、基材１０上に絶縁層５０を形成した後で、湿式プロセスにより、有機ＥＬ層３０、上部電極４０および封止層７０を形成してもよい。この場合、絶縁層５０のパターンを利用して有機ＥＬ層３０を形成し、絶縁層５０の厚さの差を利用して、所定の位置に封止層７０を形成できる。

複数の有機ＥＬ素子１００を同時に製造する際には、例えばロールツーロール方式を用いることができる。この方式では、まず、ロール状にまかれた状態の基材１０を成膜装置に連続的に供給する。成膜装置で各構成要素を形成する。例えば有機ＥＬ層および封止層を塗布法で、絶縁層や電極を例えばスクリーン印刷法で形成する。各構成要素が形成された後の基材を、ロール状に回収する。

ここで、有機ＥＬ層３０の形成方法ごとに、絶縁層５０の厚さと、有機ＥＬ層３０の厚さの均一性との関係を詳しく述べる。

まず、塗布方法の１つであるスピンコートで有機ＥＬ層３０を形成する場合について説明する。有機ＥＬ層３０のうち例えばホール注入層を形成する際、その塗布材料として、固形分濃度１ｗｔ％程度のものが一般的に用いられる。このような濃度の溶液を用いる場合、厚さ１００ｎｍ程度の薄膜を得るには、乾燥前のウェット膜厚は例えば１０μｍ程度である。

比較例として、第１の電極層ＬＥ上に、比較的厚い絶縁層（厚さｔ２：例えば１００μｍ）５１の端部と接するように有機ＥＬ層３１を形成した例を図３（ａ）に示す。図示するように、ウェット膜の厚さに対して絶縁層５１の有機ＥＬ層３１側の端部の厚さｔ２が大きいと、回転による遠心力で溶液が外側に移動する際に、絶縁層５１が障害となる。この結果、絶縁層５１の端部近傍に、液溜まりや液の少ない部分が生じて、厚さの不均一な膜が得られる。この例では、有機ＥＬ層３１は絶縁層５１の側面近傍で他の領域よりも厚くなっている。この結果、有機ＥＬ層３１のうち厚さの均一な領域３１ｒ、すなわち均一な発光面を構成する領域は、絶縁層５１によって規定される領域よりも狭くなる可能性がある。従って、発光領域近傍では、絶縁層はなるべく薄い方がよい。

本実施形態では、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０の端部の厚さｔ１を、素子周縁側よりも小さく設定している。厚さｔ１は、例えばウェット膜厚と同程度以下（ここでは１０μｍ以下）であることが好ましい。これにより、図３（ｂ）に例示するように、有機ＥＬ層３０の絶縁層５０近傍の厚さは、図３（ａ）に示す有機ＥＬ層３１よりも均一になる。この結果、有機ＥＬ層３０のうち厚さの均一な領域３０ｒを、図３（ａ）に示す領域３１ｒよりも拡大でき、発光均一性を向上できる。従って、本実施形態によると、第１および第２の電極層ＬＥ、ＵＥ間のマイグレーションに起因する絶縁不良を低減しつつ、有機ＥＬ層３０の厚さの均一性の低下を抑えることが可能となる。

一方、絶縁層５０の厚さｔ１は、第１および第２電極層ＬＥ、ＵＥ間の絶縁性をより確実に保つことができる厚さ以上であることが好ましい。そのような厚さは、絶縁材料の耐電圧に依存する。例えば、参考文献１（プラスチック材料の各動特性の試験法と評価結果、三菱化学ＨＰより、掲載シリーズ１５）の図１３にあるように、ポリアミドやエポキシなどの樹脂材料の耐電圧は１０ｋＶ／ｍｍ程度である。有機ＥＬ素子には、例えば１０Ｖ程度の電圧が印加される。従って、絶縁層５０の材料として上記樹脂材料を用いる場合、絶縁層５０の厚さｔ１は例えば１μｍ程度以上であることが好ましい。絶縁層５０の材料として無機材料を使用した場合でも、絶縁性を確保するためには、絶縁層５０の厚さｔ１は数百ｎｍ以上であることが好ましい。ただし、これは一例であり、絶縁耐圧がさらに高い材料を使用した場合、厚さｔ１をさらに小さくできる。

続いて、他の塗布方法であるスロットダイを用いて有機ＥＬ層３０を形成する場合について説明する。スロットダイの先端と塗布面との距離（ギャップ）は、均一な塗布膜を得るのに重要なパラメータである。参考文献２（スロットダイ塗工における最小塗工厚み限界の予測：日東電工技報２０１２， ｖ４８， ９１， Ｐ４８）に記載されているように、ギャップが大きくなりすぎると、一部の領域で塗布ができなくなる。また、参考文献３（ダイ塗布方式における巾方向膜厚精度設計技術：リコー技報２００２， ｖ２８， Ｐ６６）には、スロットダイ先端と塗布面のギャップが変化することにより、塗出量の変化が生じて、膜厚の均一性に影響を及ぼすことが報告されている。例えば、ホール注入材料の固形分濃度１〜０．５ｗｔ％程度の溶液を用いた場合、１００ｎｍの厚さの膜を得るには、１０〜５０μｍ程度の厚さ（ウェット厚）のウェット膜が必要である。参考文献２によると、ウェット厚３０μｍ狙いにおいて、高さが５μｍまたは１０μｍの段差部によるギャップ変化があるとき、Ｃａ０．２５において１０〜２０％程度、Ｃａ１．０でも１０〜１５％程度のウェット厚の差が生じる。上記Ｃａはウェット厚に対する最終膜厚の割合である。これら文献で用いた材料はモデル材料であるものの、数１０μｍのウェット厚を狙う際には、スロットダイと塗布面のギャップとが例えば５μｍ変わると膜厚に影響があり、１０μｍ変わると膜厚がより不均一になることが分かる。従って、スロットダイを用いる場合でも、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部の厚さｔ１を１０μｍ以下に抑えることが好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。これにより、より均一な膜を形成できるとともに、均一な発光が可能な領域をより大きくできる。なお、絶縁層５０の厚さｔ１の下限値については、前述のとおり、材料の耐絶縁性に依存する。

次いで、真空蒸着で有機ＥＬ層３０を形成する場合ついて説明する。有機層を蒸着する際に、発光領域の近傍に障害物があると、蒸着源から見て障害物による影が生じ、影で無い部分に比べて蒸着膜の厚さが小さくなる。障害物が発光領域に近いほど、また、障害物が高いほど影が大きくなる。このため、絶縁層５０の有機ＥＬ層３０側の端部の厚さｔ１は小さい方がよく、例えば１０μｍ以下であることが好ましい。さらに、絶縁層５０のうち厚さが大きい部分（厚さ：例えば１００μｍ以上）は、発光領域から離れていることが好ましい。

＜有機ＥＬ素子の変形例１＞
図４（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の他の有機ＥＬ素子１０１を例示する断面図および平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線の断面構造を示す。

有機ＥＬ素子１０１は、引き出し電極６０の厚さを部分的に異ならせている点で、図１に示す有機ＥＬ素子１００と異なっている。

この例では、引き出し電極６０の厚さは、絶縁層５０の第２の部分（第２平坦部分ｐ２）上で、絶縁層５０の第１の部分（第１平坦部分ｐ１および傾斜部ｐ３）上よりも小さい。具体的には、絶縁層５０の第１平坦部分ｐ１上に位置する第１電極部６０ａと、傾斜部ｐ３上に位置する傾斜電極部６０ｂと、第２平坦部分ｐ２上に位置する第２電極部６０ｃとを有している。封止層７０は、第２電極部６０ｃの少なくとも一部を露出するように配置されている。第２電極部６０ｃの厚さは、第１電極部６０ａおよび傾斜電極部６０ｂの厚さよりも小さい。これにより、引き出し電極６０のうち封止層７０から露出した部分の厚さを小さくできるので、封止層７０自体の厚さを変えることなく、有機ＥＬ素子１０１の厚さ（封止層７０から露出した部分の厚さ）を小さくできる。

なお、図４では、封止層７０は第２電極部６０ｃの全体を露出しているが、封止層７０は第２電極部６０ｃの一部を覆っていてもよい。引き出し電極６０が、有機ＥＬ層３０側に位置する第１の電極部分と、素子周縁側に位置し、第１の電極部分よりも薄い第２の電極部分とを有し、引き出し電極６０のうち封止層７０から露出した部分が全て第２の電極部分であれば、上記と同様の効果が得られる。

＜有機ＥＬ素子の変形例２＞
図５は、本実施形態の他の有機ＥＬ素子１０２を例示する断面図である。平面構造は、図４（ｂ）に示す構造と同じなので、平面図を省略する。図５は、図４（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線の断面構造を示す。

有機ＥＬ素子１０２は、封止層７０内部において、引き出し電極６０の厚さを部分的に異ならせている点で、図４に示す有機ＥＬ素子１０１と異なっている。

引き出し電極６０のうち封止層７０で覆われた部分は、有機ＥＬ層３０の近傍で、封止層７０の端部近傍よりも薄い。この例では、絶縁層５０の第１平坦部分ｐ１上に位置する第１電極部６０ａの厚さは、傾斜部ｐ３上に位置する傾斜電極部６０ｂの厚さよりも小さい。

有機ＥＬ層３０から離れた領域に比べ、有機ＥＬ層３０近傍で引き出し電極６０の厚さを小さくすることで、有機ＥＬ層３０の厚さの均一性および発光の取り出しに対する引き出し電極６０の影響を軽減することが可能となる。また、有機ＥＬ層３０から離れた領域では引き出し電極６０を厚くすることで、引き出し電極６０の段切れを抑制できる。

＜有機ＥＬ素子の変形例３＞
図６は、本実施形態のさらに他の有機ＥＬ素子１０３を例示する平面図である。断面構造は、他の有機ＥＬ素子１００等と同様であるため、断面図を省略する。

有機ＥＬ素子１０３は、封止層７０内部にバスバー電極６２を有する点で、図１、図４、および図５に示す有機ＥＬ素子１０１〜１０３と異なっている。

この例では、バスバー電極６２は、第１の電極層ＬＥの法線方向から見たとき、封止層７０内部において、有機ＥＬ層３０を包囲するように配置されている。バスバー電極６２は、絶縁層５０と封止層７０との間に設けられている。バスバー電極６２は、引き出し電極６０と同じ導電材料を用いて一体的に形成されていてもよい。引き出し電極６０がバスバー電極６２を兼用することにより、製造工程を増やすことなく、発光均一性に寄与するバスバー電極６２を形成できる。

また、バスバー電極６２を、封止層７０の内部に配置することにより、バスバー電極の一部または全体を封止層から露出させる場合と比べて、マイグレーションに起因する絶縁不良を低減できる。

上述のように、本実施形態によると、封止層７０から露出している電極間の、金属材料のイオンマイグレーションに起因する絶縁不良の発生が抑制された、信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供できる。あるいは、絶縁層５０の厚さの差を利用して、より簡便に製造可能な有機ＥＬ素子を提供できる。または、これらの両方の効果を奏する有機ＥＬ素子を提供できる。

なお、上述の実施形態において説明した各図は、模式的なものであり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際のものの寸法比を反映しているとは限らない。

本開示の有機ＥＬ素子は、携帯電話機用のディスプレイやテレビなどの表示素子、各種光源などに利用可能である。いずれの用途においても、低輝度から光源用途等の高輝度まで幅広い輝度範囲で低電圧駆動される有機ＥＬ素子として適用できる。このような高性能により、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ、照明光源等として、幅広い利用が可能である。

１０ 基材
１０ｓ 導電性表面
２０ 下部電極
３０ 有機ＥＬ層
４０ 上部電極
５０ 絶縁層
５０ａ 絶縁層の第１の部分
５０ｂ 絶縁層の第２の部分
５０Ｅ 絶縁層の露出部分
５０Ｃ 絶縁層の封止部分
６０ 引き出し電極
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ 引き出し電極の各電極部
６２ バスバー電極
７０ 封止層
１００、１０１、１０２、１０３ 有機ＥＬ素子

Claims (10)

1. 第１の電極層と、
   第２の電極層と、
   前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に形成された、発光層を含む有機ＥＬ層と、
   前記第１の電極層と前記第２の電極層との間で、前記有機ＥＬ層を含まない領域に形成された絶縁層と、
   前記第２の電極層の一部上に配置された封止層と
   を備え、
   前記絶縁層は、第１の部分と前記第１の部分よりも厚い第２の部分とを有し、前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記有機ＥＬ層側に位置しており、
   前記第１の電極層の法線方向から見たとき、前記封止層は、前記有機ＥＬ層と前記絶縁層の一部とを覆っており、
   前記第１の電極層と前記第２の電極層との間において、前記絶縁層のうち前記封止層から露出されている部分は、全て前記第２の部分である、有機ＥＬ素子。
2. 前記第１の電極層は、導電性表面を有する基材を含み、前記絶縁層は、前記基材の前記導電性表面上に、前記導電性表面と接して設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
3. 前記第１の電極層は、前記基材の前記導電性表面と前記有機ＥＬ層との間に配置された下部電極をさらに含む、請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
4. 前記絶縁層の上面は、前記第２の部分の最も厚い部分と前記第１の部分の最も薄い部分との間に段差を有しており、前記第２の電極層の上面は、前記絶縁層の前記段差を反映した段差を有しており、前記封止層の端部は、前記第２の電極層の上面のうち前記段差を構成する面上にある、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
5. 前記第２の電極層は、
   前記有機ＥＬ層と接する上部電極と、
   前記上部電極と電気的に接続され、かつ、その一部が前記封止層から露出するように延設された少なくとも１つの引き出し電極と
   を含む、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
6. 前記少なくとも１つの引き出し電極は、第１の電極部分と、前記第１の電極部分よりも薄い第２の電極部分とを有し、前記第１の電極部分は前記第２の電極部分よりも前記有機ＥＬ層側に位置し、
   前記少なくとも１つの引き出し電極のうち前記封止層から露出した部分は全部、前記第２の電極部分である、請求項５に記載の有機ＥＬ素子。
7. 前記少なくとも１つの引き出し電極のうち前記封止層で覆われた部分の厚さは、前記有機ＥＬ層の近傍で、前記封止層の端部の近傍よりも小さい、請求項５または６に記載の有機ＥＬ素子。
8. 前記絶縁層の前記封止層で覆われた部分上に、前記第１の電極層の法線方向から見たとき前記有機ＥＬ層を包囲するように配置されたバスバー電極をさらに備え、
   前記バスバー電極と前記少なくとも１つの引き出し電極とは一体的に形成されている、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
9. 前記第１の電極層のうち絶縁層と接する面および前記第２の電極層のうち絶縁層と接する面の少なくとも一方は金属材料を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
10. 前記有機ＥＬ層の周縁は、前記絶縁層の前記第１の部分上に位置している、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。

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