JP6300544B2 - 真空蒸着装置および真空蒸着方法 - Google Patents
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Description
上記の放出部材は、蒸発材料を拡散させるための分散容器と、被蒸着部材に向けて突設され、被蒸着部材へ蒸発材料を放出するための絞り開口部を先端に有する複数のノズル部材と、を有する。
有機EL膜形成用の蒸着材料を加熱して蒸発材料を得るための蒸発源と、前記蒸発源で得られた蒸発材料を移送する誘導路と、前記誘導路から流入する蒸発材料を被蒸着部材へ放出する放出部材と、を備え、
前記放出部材が、前記蒸発材料を拡散させるための分散容器と、前記被蒸着部材に向けて突設され、前記被蒸着部材へ蒸発材料を放出するための絞り開口部を先端に有する複数のノズル部材と、を有する真空蒸着装置であって、
各ノズル部材は、ノズル部材の内直径D(mm)、ノズル部材の空間部の長さL(mm)、および絞り開口部の直径D’(mm)を有し、
前記ノズル部材の内直径D(mm)、前記ノズル部材の空間部の長さL(mm)、および前記絞り開口部の直径D’(mm)は、関係式:
L≧9DおよびD’≦2.7D 2 /L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たし、
前記放出部材が、各ノズル部材における蒸発材料の流量が所定値となるように、各ノズル部材の基部の開口でその開口度合いを調整して蒸発材料の流量を調整する手段を有することを特徴とする。
各ノズル部材に、ノズル部材の内直径D(mm)、ノズル部材の内部空間の長さL(mm)、および絞り開口部の直径D’(mm)を有し、前記ノズル部材の内直径D(mm)、前記ノズル部材の内部空間の長さL(mm)、および前記絞り開口部の直径D’(mm)が、関係式:
L≧9DおよびD’≦2.7D 2 /L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たすノズル部材を用い、かつ
各ノズル部材における蒸発材料の流量が所定値となるように、各ノズル部材の基部の開口でその開口度合いを調整して蒸発材料の流量を調整することを特徴とする。
L≧9DおよびD’≦2.7D2/L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たす。
cosnθ則のn値が小さいほど、蒸発材料は被蒸着部材の表面に拡がって堆積し、膜厚の均一性が高められる。cosnθ則のn値が約4〜4.1であり、膜厚の均一性をさらに高めることができるため、L≧9Dの場合、D’≦2D2/Lが好ましい。cosnθ則のn値が約4.05〜4.1であり、膜厚の均一性をさらに高めることができるため、L<9Dの場合、D’≦0.2Dが好ましい。
絞り開口部の直径D’の寸法精度の観点から、絞り開口部の直径D’は、例えば、1mm以上である。
図3は、L=30mm、D=7mm、D’=2mmの場合を示し、L<9Dの場合においてD’≦D/3を満たす。この場合、図3に示すように、cosnθ曲線に沿った角度分布が得られる。一方、図4は、L=30mm、D=7mm、D’=4mmの場合を示し、L<9Dの場合においてD’≦D/3を満たさない。この場合、図4に示すように、放射角度が20°付近より小さい領域においてcosnθ曲線から大きく外れる角度分布が得られる。
これに対して、本発明では、Lの値がDの値に比べて十分に大きいL≧9Dの場合でも、絞り開口部の直径D’を2.7D2/L以下に小さくして絞り開口部に衝突する蒸発材料の分子の割合を大きくすることで、絞り開口部から放出される蒸発材料に拡がりを与えて、蒸発材料の拡がり度合いをcosnθ曲線に近づけている。
そして、各ノズル部材に上記の本発明の真空蒸着装置で用いられるノズル部材を用いる。さらに、上記の本発明の真空蒸着装置における各ノズル部材における蒸発材料の流量を調整する手段で行われる各ノズル部材における蒸発材料の流量の調整を行う。
上記の蒸発材料の量の計測は、ノズル部材の出口(絞り開口部)の直上に形成された蒸着膜の厚さを計測して得られる計測結果に基づいて行われるのが好ましい。水晶振動子型の膜厚検出センサーのような膜厚検出手段等により蒸着膜の厚さを計測することでノズル部材から放出された蒸発材料の量を容易に求めることができる。
図5に示すように、真空蒸着装置1は、有機EL膜形成用の蒸着材料2を加熱して蒸発材料を得るための蒸発源としてのるつぼ3と、るつぼ3で得られた蒸発材料を移送する誘導路4と、誘導路4から流入する蒸発材料を被蒸着部材としての基板5へ放出する放出部材6と、を備える。放出部材6は、蒸発材料を拡散させるための分散容器としての円柱状のマニホールド7と、基板5に向けて突設された複数のノズル部材8とを、有する。
L≧9DおよびD’≦2.7D2/L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たす。
図5および6に示す真空蒸着装置を用い、るつぼ3および誘導路4がマニホールド7の中央部に配置される。各ノズル部材8の長さLを30mm、各ノズル部材8の内直径Dを7mm、絞り開口部8aの直径D’を2mmとする。ノズル部材8の絞り開口部8aと基板5(サイズ100mm×100mm)との間隔を、50mmとする。放出部材6において、16個のノズル部材8が所定の間隔で配置される。
予め、蒸着レート1.0Å/secで±3%以下となるように膜厚分布のシミュレーションを行い、各ノズル部材8からの蒸発材料の適正な放出量を求める。
1つのノズルから放出される蒸発材料はcosnθ則に沿って拡散する。このような拡散により基板に付着する蒸発材料の量、すなわち1つのノズルから放出される蒸発材料により基板の表面に形成される膜厚分布を求める。膜厚分布は、例えば、公知の手法(例えば、新版真空ハンドブック、(株)アルバック編、250頁)を用いて計算により求められる。
上記の蒸発材料の付着量(膜厚分布)を、各ノズルに対してそれぞれ求める。各ノズルから基板に到達する蒸発材料の付着量を基板各部で積分する。基板各部における蒸発材料の付着量の積分値の最大値および最小値を求め、以下の式により膜厚均一性を求める。
膜厚均一性(%)=(最大値−最小値)/(最大値+最小値)×100
そして、各ノズルからの蒸発材料の放出量を少しずつ変えて、膜厚均一性が±3%以下となる蒸発材料の放出量を求める。
次に、真空蒸着装置1のるつぼ3内に蒸着材料としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3)を投入する。各ノズル部材8から放出される蒸発材料の量を膜厚検出センサー14で計測する。その計測結果に基づいて、シミュレーションで求めた所定の流量になるように、ノズル部材8の分散容器側の基部付近の開口部に設けたニードル弁13を調整する。
水晶振動子型の膜厚検出センサー14を撤去する。その後、1.0Å/secの蒸着レートで基板5にAlq3の蒸着膜を生成する。このとき、蒸着膜の膜厚均一性を±3%以内に維持することができる。
本実施形態では、複数のノズル部材8を等間隔に一列に配置したが、複数のノズル部材8の配置形態はこれに限定されない。例えば、その一列の複数を並列に配置してもよい。
また、図8では円板状の遮蔽板23を用いたが、遮蔽板23の形状は、ノズル部材8の開口度合いを調整可能な形状であれば円板状以外でもよい。
2 蒸発材料
3 るつぼ
4 誘導路
5 基板
5a 基板ホルダー
6 放出部材
7 マニホールド
8 ノズル部材
8a 絞り開口部
9 蒸発容器
10 ヒータ
11 シャッター
12 膜厚検出センサー
13 ニードル弁
14 膜厚検出センサー
15 隔離壁
23 遮蔽板
23a 回転軸
Claims (2)
- 有機EL膜形成用の蒸着材料を加熱して蒸発材料を得るための蒸発源と、
前記蒸発源で得られた蒸発材料を移送する誘導路と、
前記誘導路から流入する蒸発材料を被蒸着部材へ放出する放出部材と、を備え、
前記放出部材が、
前記蒸発材料を拡散させるための分散容器と、
前記被蒸着部材に向けて突設され、前記被蒸着部材へ蒸発材料を放出するための絞り開口部を先端に有する複数のノズル部材と、を有する真空蒸着装置であって、
各ノズル部材は、ノズル部材の内直径D(mm)、ノズル部材の空間部の長さL(mm)、および絞り開口部の直径D’(mm)を有し、
前記ノズル部材の内直径D(mm)、前記ノズル部材の空間部の長さL(mm)、および前記絞り開口部の直径D’(mm)は、関係式:
L≧9DおよびD’≦2.7D 2 /L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たし、
前記放出部材が、各ノズル部材における蒸発材料の流量が所定値となるように、各ノズル部材の基部の開口でその開口度合いを調整して蒸発材料の流量を調整する手段を有する
ことを特徴とする真空蒸着装置。 - 有機EL膜形成用の蒸着材料を加熱して蒸発材料を得るための蒸発源と、
前記蒸発源で得られた蒸発材料を移送する誘導路と、
前記誘導路から流入する蒸発材料を被蒸着部材へ放出する放出部材と、を備え、
前記放出部材が、
前記蒸発材料を拡散させるための分散容器と、
前記被蒸着部材に向けて突設され、前記被蒸着部材へ蒸発材料を放出するための絞り開口部を先端に有する複数のノズル部材と、を有する真空蒸着装置を用いた真空蒸着方法であって、
各ノズル部材に、ノズル部材の内直径D(mm)、ノズル部材の内部空間の長さL(mm)、および絞り開口部の直径D’(mm)を有し、前記ノズル部材の内直径D(mm)、前記ノズル部材の内部空間の長さL(mm)、および前記絞り開口部の直径D’(mm)が、関係式:
L≧9DおよびD’≦2.7D 2 /L、または
L<9DおよびD’≦D/3
を満たすノズル部材を用い、かつ
各ノズル部材における蒸発材料の流量が所定値となるように、各ノズル部材の基部の開口でその開口度合いを調整して蒸発材料の流量を調整する
ことを特徴とする真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014015004A JP6300544B2 (ja) | 2013-01-31 | 2014-01-30 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013016271 | 2013-01-31 | ||
| JP2013016271 | 2013-01-31 | ||
| JP2014015004A JP6300544B2 (ja) | 2013-01-31 | 2014-01-30 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014167165A JP2014167165A (ja) | 2014-09-11 |
| JP6300544B2 true JP6300544B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=51236548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014015004A Active JP6300544B2 (ja) | 2013-01-31 | 2014-01-30 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6300544B2 (ja) |
| KR (1) | KR102192495B1 (ja) |
| CN (1) | CN103966554B (ja) |
| TW (1) | TWI604076B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101990619B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2019-06-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증발된 재료를 증착하기 위한 장치, 분배 파이프, 진공 증착 챔버, 및 증발된 재료를 증착하기 위한 방법 |
| CN104617223B (zh) * | 2015-02-03 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管器件及其制作方法和蒸镀设备 |
| JP6543664B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-07-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空堆積チャンバ |
| CN108570645B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-09-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法 |
| CN108198957B (zh) * | 2017-12-29 | 2019-11-12 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制备方法 |
| CN108754448A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-06 | 昆山国显光电有限公司 | 线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置 |
| JP2020176284A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社アルバック | 蒸着源、真空処理装置、及び成膜方法 |
| WO2022002349A1 (en) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Applied Materials, Inc. | Nozzle assembly, evaporation source, deposition system and method for depositing an evaporated material onto a substrate |
| CN114231913A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-03-25 | 深圳市锐欧光学股份有限公司 | 一种手机摄像头镜片镀ar膜装置及工艺 |
| JP7434261B2 (ja) * | 2021-12-02 | 2024-02-20 | 長州産業株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
| CN120989560A (zh) * | 2025-10-21 | 2025-11-21 | 浙江天牧光能科技有限公司 | 一种闪蒸器、送粉系统及薄膜沉积设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199653A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 微細エリアメッキ方法 |
| JP2004225058A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-08-12 | Sony Corp | 成膜装置および表示パネルの製造装置とその方法 |
| JP4476019B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2010-06-09 | 東北パイオニア株式会社 | 成膜源、真空成膜装置、有機el素子の製造方法 |
| JP4545010B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-09-15 | 日立造船株式会社 | 蒸着装置 |
| JP2007332458A (ja) | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Sony Corp | 蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法 |
| JP5567905B2 (ja) | 2009-07-24 | 2014-08-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空蒸着方法及びその装置 |
| CN201751427U (zh) * | 2010-03-25 | 2011-02-23 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种线性蒸发源 |
-
2014
- 2014-01-26 CN CN201410037012.1A patent/CN103966554B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-28 KR KR1020140010126A patent/KR102192495B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-29 TW TW103103522A patent/TWI604076B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-01-30 JP JP2014015004A patent/JP6300544B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI604076B (zh) | 2017-11-01 |
| CN103966554B (zh) | 2018-08-07 |
| CN103966554A (zh) | 2014-08-06 |
| TW201430157A (zh) | 2014-08-01 |
| KR20140098693A (ko) | 2014-08-08 |
| JP2014167165A (ja) | 2014-09-11 |
| KR102192495B1 (ko) | 2020-12-17 |
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| TR2024019798T2 (tr) | Bi̇r kaplama malzemesi̇ni̇ buharlaştirmaya yöneli̇k ci̇haz ve bunun kullanimi |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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