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JP6301987B2 - Dicing adhesive tape and semiconductor wafer full-cut dicing method - Google Patents
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JP6301987B2 - Dicing adhesive tape and semiconductor wafer full-cut dicing method - Google Patents

Dicing adhesive tape and semiconductor wafer full-cut dicing method Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェハや半導体パッケージ等を切断する際に使用するダイシング用粘着テープおよび半導体ウェハのフルカットダイシング方法に関する。   The present invention relates to a dicing adhesive tape used for cutting a semiconductor wafer, a semiconductor package, and the like, and a semiconductor wafer full-cut dicing method.

半導体ウェハなどを半導体チップに加工し、電子機器に実装するに至る工程は、例えば、半導体ウェハのパターン表面に半導体ウェハ表面保護テープを貼り付ける工程、半導体ウェハの裏面を研削し、厚みを薄くする工程、ダイシングテープ(ダイシング用粘着テープ)へ、前記工程で研削して厚みを薄くした半導体ウェハをマウントする工程、半導体ウェハから前記の半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離する工程、ダイシングにより半導体ウェハを分割する工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護のために樹脂で封止するモールド工程等により構成されている。   The process of processing a semiconductor wafer or the like into a semiconductor chip and mounting it on an electronic device is, for example, a process of attaching a semiconductor wafer surface protective tape to the pattern surface of the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and reducing the thickness. A process, a process of mounting a semiconductor wafer that has been ground and thinned in the above process on a dicing tape (a dicing adhesive tape), a process of peeling the adhesive tape for processing a semiconductor wafer from a semiconductor wafer, and a semiconductor wafer by dicing After a step of dividing, a die bonding step of bonding the divided semiconductor chip to the lead frame, a molding step of sealing the semiconductor chip with a resin for external protection is performed.

この一連の工程において、ダイシングテープは、少なくともダイシング工程からピックアップ工程に至る工程で使用され、半導体ウェハなどの被切断物は、ダイシングテープが貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンド、ピックアップ、マウントの各工程が行われる。
ここで、エキスパンドとは、ダイシング、洗浄、乾燥後に、ダイシングテープを引き伸ばし、半導体ウェハおよびダイボンディングフィルムを分割予定ラインに沿って半導体チップに分割し、半導体チップの間隔を広げる操作のことである。
In this series of processes, the dicing tape is used at least from the dicing process to the pick-up process, and the object to be cut such as a semiconductor wafer is diced, washed, dried, expanded, pick-up with the dicing tape attached. Each process of mounting is performed.
Here, expanding refers to an operation of stretching a dicing tape after dicing, cleaning, and drying to divide the semiconductor wafer and the die bonding film into semiconductor chips along the planned dividing line, thereby widening the interval between the semiconductor chips.

ダイシング工程におけるダイシング方法は、ブレードダイシング、レーザアブレーション、ステルスダイシングが知られている。ブレードダイシングは、高速回転するダイヤモンドブレードを半導体ウェハに押し当てながら切削加工を行うダイシング方法であり、レーザアブレーションは、対象材料に吸収される波長のレーザ光を用いて、半導体ウェハを表面層から溶融/蒸散させながら溝穴を掘り進んでいく レーザ加工方法で、ステルスダイシングは、対象材料を透過する波長のレーザ光を半導体ウェハ内部に集光して、ステルスダイシング層(SD層)と呼ばれる分断の起点となる層を選択的に形成し、テープエキスパンドなどの外力を加えることで、SD層から伸びる亀裂を表裏面に進展させ分割を行うダイシング方法である。   As a dicing method in the dicing step, blade dicing, laser ablation, and stealth dicing are known. Blade dicing is a dicing method that performs cutting while pressing a diamond blade that rotates at high speed against the semiconductor wafer. Laser ablation uses laser light of a wavelength that is absorbed by the target material to melt the semiconductor wafer from the surface layer. / Stealth dicing is a laser processing method that digs a groove hole while evaporating. The stealth dicing condenses laser light having a wavelength that passes through the target material inside the semiconductor wafer, and is called a stealth dicing layer (SD layer). In this dicing method, a starting layer is selectively formed and an external force such as a tape expand is applied to cause a crack extending from the SD layer to propagate to the front and back surfaces.

ここで、ブレードダイシングでは、以前は半導体ウェハの厚みの2/3程を切削するハーフカットが主流であったが、半導体ウェハのサイズの大径化に伴い、テープマウントの上で半導体ウェハを全部切り込むフルカットが主流になってきている。
ブレードダイシングは、従来から最も広く行われているダイシング方法であるが、接触式であるため、物理的ストレスが加わり、表裏面にチッピングが生じ、また、切削加工時には大きな接触摩擦熱が生じるため、冷却水が必要となり、さらには、切削によって生じた汚水の処理も必要となる。
Here, with blade dicing, half-cutting that cuts about 2/3 of the thickness of the semiconductor wafer has been the mainstream. However, as the size of the semiconductor wafer increases, the entire semiconductor wafer is mounted on the tape mount. Full cuts to cut are becoming mainstream.
Blade dicing is the most widely used dicing method, but since it is a contact type, physical stress is applied, chipping occurs on the front and back surfaces, and large contact frictional heat is generated during cutting, Cooling water is required, and further, treatment of sewage generated by cutting is also required.

しかも、上記に加え、半導体ウェハなどの被切断物を完全に切断すると同時に、ダイシングテープの粘着剤層や基材フィルムの一部もカットされることがある。この際、基材フィルムの一部がダイシングブレードとの摩擦熱により溶融し、さらに延伸されることによって、ダイシングライン上に糸状のダイシング屑が発生することがある。この糸状の屑には粘着剤が付着しており、このような糸状の屑が多くチップに付着したままで封止すると、封止の熱で糸状の屑が熱分解し、半導体パッケージを破壊したり、動作不良の原因となる。糸状の屑に粘着剤が付着していれば、洗浄により除去することが困難であるため極めて歩留まりが低下する。
近年では半導体ウェハの薄膜化が進み、ダイシング後の半導体ウェハの表面にダイシング屑が露出し、糸状のダイシング屑の発生を防止することが強く求められている。
In addition, in addition to the above, a part to be cut such as a semiconductor wafer may be cut at the same time as the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape or a part of the base film. At this time, a part of the base film is melted by frictional heat with the dicing blade and further stretched, whereby thread-like dicing waste may be generated on the dicing line. Adhesive is attached to this thread-like waste, and if a large amount of such thread-like waste adheres to the chip and is sealed, the thread-like waste is thermally decomposed by the heat of sealing, destroying the semiconductor package. Or cause malfunction. If the pressure-sensitive adhesive is attached to the thread-like waste, it is difficult to remove it by washing, and the yield is extremely reduced.
In recent years, thinning of semiconductor wafers has progressed, and dicing waste is exposed on the surface of the semiconductor wafer after dicing, and it is strongly required to prevent the generation of thread-like dicing waste.

このような課題の解決のために、ダイシングテープの基材フィルムを構成する樹脂の架橋度を高めることを目的に、1〜50Mradの電子線を照射し、ゲル分率が65%以上となるように架橋されたエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体を用いることが提案されている(特許文献1参照)。   In order to solve such problems, with the aim of increasing the degree of crosslinking of the resin constituting the base film of the dicing tape, an electron beam of 1 to 50 Mrad is irradiated so that the gel fraction becomes 65% or more. It has been proposed to use an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer cross-linked to (see Patent Document 1).

特開2005−033059号公報JP 2005-033059 A

しかしながら、特許文献1に記載の樹脂では、架橋度は増すものの、逆に、電子線の照射により、基材フィルムの弾性、強度が低下してしまうことがあった。すなわち、糸状のダイシング屑の発生を防止するためには、一定量以上の電子線の照射を行う必要があるが、この電子線照射による架橋のために樹脂の硬化が不必要なまでに進行し、弾性が低下し、脆くなってしまうことがあった。   However, in the resin described in Patent Document 1, although the degree of crosslinking increases, on the contrary, the elasticity and strength of the base film may be reduced by irradiation with an electron beam. That is, in order to prevent the generation of thread-like dicing waste, it is necessary to irradiate a certain amount of electron beams, but the resin proceeds to a point where crosslinking is not necessary due to this electron beam irradiation. In some cases, the elasticity is lowered and the brittleness becomes fragile.

しかも、近年では半導体チップの小型化が進んでおり、エキスパンド工程において半導体チップ間距離を十分に保つために、従来よりも高いエキスパンド性能が求められるようになった。   Moreover, in recent years, semiconductor chips have been miniaturized, and in order to maintain a sufficient distance between the semiconductor chips in the expanding process, higher expanding performance than before has been required.

このように、基材フィルムの弾性や強度が低下すると、ダイシング後に行われるエキスパンド工程において基材フィルムが破断してしまうことになり、ダイシング屑の発生の防止との両立の点で課題があった。 As described above, when the elasticity and strength of the base film are lowered, the base film is broken in an expanding process performed after dicing, and there is a problem in coexistence with prevention of generation of dicing waste. .

本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、半導体ウェハや半導体パッケージなどを切断する際に使用するダイシング用粘着テープにおいて、ダイシング時に発生するダイシング屑を低減でき、かつエキスパンド性に優れたダイシング用粘着テープを提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the prior art as described above, and can reduce dicing waste generated during dicing in a dicing adhesive tape used when cutting a semiconductor wafer, a semiconductor package or the like, and It is an object of the present invention to provide a dicing adhesive tape having excellent expandability.

本発明者らは、上記の課題を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、改めて、ダイシング屑が生じる原因、すなわち、i)ダイシング用粘着テープが貼着された半導体ウェハをダイシングする際、ダイシングブレードの摩擦熱で基材フィルムの温度が上昇し高温になること、ii)高温になり柔らかくなった基材フィルムの一部がダイシングブレードにより引伸ばされること、iii)引伸ばされた基材フィルムがダイシング時の冷却水で再固化しダイシング屑として残ること、を詳細に考慮、検討した。
これに基づき、基材フィルムの樹脂を種々検討した結果、ダイシング用粘着テープの基材フィルムに所定のゲル分率値を有する特定の樹脂を用いることにより、基材フィルムがブレードにより引伸ばされにくくなり、しかも、仮に引伸ばされたとしても、所定の引裂強度の値を有することで、ダイシング屑が長い糸状に成長する途中で千切れて、ダイシング時の冷却水で流されることで、半導体ウェハの表面にダイシング屑が露出するのを防止でき、かつエキスパンド時のダイシング用粘着テープの破断防止もでき、これらの防止がとも両立できることを見出し、この知見に基づき本発明を完成するに至った。
In order to achieve the above-mentioned problems, the present inventors have intensively studied, and as a result, dicing waste is generated again, i.e., when dicing a semiconductor wafer to which a dicing adhesive tape is attached. The temperature of the base film rises due to the frictional heat of the blade and becomes high temperature, ii) A part of the base film that becomes high temperature and softens is stretched by the dicing blade, iii) The stretched base film Was considered and examined in detail that re-solidifies with cooling water during dicing and remains as dicing waste.
Based on this, as a result of various investigations on the resin of the base film, the base film is difficult to be stretched by the blade by using a specific resin having a predetermined gel fraction value for the base film of the adhesive tape for dicing. In addition, even if it is stretched, it has a predetermined tear strength value, so that the dicing debris breaks up in the middle of growing into a long thread shape and is washed with cooling water at the time of dicing. It has been found that dicing debris can be prevented from being exposed on the surface, and that the adhesive tape for dicing can be prevented from breaking during expansion, and both of these preventions can be achieved, and the present invention has been completed based on this finding.

すなわち、本発明の上記課題は、以下の手段によって達成された。
<1>基材フィルムの少なくとも一方の面に粘着剤層を有するダイシング用粘着テープであって、
前記基材フィルムが、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂からなり、かつ該基材フィルムのゲル分率が30〜50%であり、
前記ダイシング用粘着テープの縦方向(MD)および横方向(TD)のJIS K 7128−1のトラウザー引裂法による引裂強度が、いずれも5〜12N/mmであることを特徴とするダイシング用粘着テープ。
<2>前記粘着剤層が、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体を成分とする放射線硬化型粘着剤からなることを特徴とする<1>に記載のダイシング用粘着テープ。
<3>前記<1>または<2>に記載のダイシング用粘着テープを使用し、該ダイシング用粘着テープの基材フィルムにダイシングブレードを切り込むことを特徴とする半導体ウェハのフルカットダイシング方法。
That is, the said subject of this invention was achieved by the following means.
<1> An adhesive tape for dicing having an adhesive layer on at least one surface of a substrate film,
The base film is made of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer ionomer resin, and the base film has a gel fraction of 30 to 50%,
The dicing pressure-sensitive adhesive tape is characterized in that the tear strength by the trouser tear method of JIS K 7128-1 in the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) of the dicing pressure-sensitive adhesive tape is 5 to 12 N / mm. .
<2> The pressure-sensitive adhesive for dicing according to <1>, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is composed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive containing a polymer having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in a side chain as a component. tape.
<3> A full cut dicing method for a semiconductor wafer, wherein the dicing adhesive tape according to <1> or <2> is used, and a dicing blade is cut into a base film of the dicing adhesive tape.

本発明により、半導体ウェハや半導体パッケージなどを切断する際に、ダイシング時に発生するダイシング屑を低減でき、かつエキスパンド性に優れたダイシング用粘着テープを提供することが可能となった。
これにより、従来、困難と思われていた、ダイシング工程におけるダイシング屑の発生防止と、エキスパンド工程におけるダイシング用粘着テープのテープ破断防止の両立が可能となった。
According to the present invention, it is possible to provide a dicing adhesive tape that can reduce dicing waste generated during dicing when cutting a semiconductor wafer, a semiconductor package, or the like and has excellent expandability.
As a result, it has become possible to both prevent the occurrence of dicing waste in the dicing process and prevent the tape breakage of the dicing adhesive tape in the expanding process, which has been conventionally considered difficult.

<<ダイシング用粘着テープ>>
本発明のダイシング用粘着テープは、基材フィルムの少なくとも一方の面に粘着剤層を有し、該基材フィルムが、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂からなり、かつ該基材フィルムのゲル分率が30〜50%であり、ダイシング用粘着テープの縦方向(MD)および横方向(TD)のJIS K 7128−1のトラウザー引裂法による引裂強度が5〜12N/mmである。
以下、基材フィルムから順に、詳細に説明する。
<< Adhesive tape for dicing >>
The pressure-sensitive adhesive tape for dicing of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a base film, the base film is made of an ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, and the group The gel fraction of the material film is 30 to 50%, and the tear strength by the trouser tear method of JIS K 7128-1 in the machine direction (MD) and the transverse direction (TD) of the adhesive tape for dicing is 5 to 12 N / mm is there.
Hereinafter, it demonstrates in detail from a base film in order.

<基材フィルム>
基材フィルムは、単層であっても複数の層が積層した積層体であってもよいが、本発明では、単層の基材フィルムである。
本発明では、基材フィルムは、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂からなる。
ここで、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂とは、少なくとも、エチレンおよび(メタ)アクリル酸を重合体の構成成分とする共重合体を金属イオンで架橋した樹脂である。なお、「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸およびメタクリル酸の両方を意味するものであり、いずれか一方でも、これらの混合物でもよい。また、他の類似用語についても同様である。
<Base film>
The base film may be a single layer or a laminate in which a plurality of layers are laminated. In the present invention, the base film is a single layer base film.
In the present invention, the base film is made of an ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer.
Here, the ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is a resin obtained by crosslinking at least a copolymer having ethylene and (meth) acrylic acid as constituent components of a polymer with metal ions. Note that “(meth) acrylic acid” means both acrylic acid and methacrylic acid, and either one or a mixture thereof may be used. The same applies to other similar terms.

アイオノマー樹脂に使用可能な金属イオンとしては、カリウムイオン、ナトリウムイオン、リチウムイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン等が挙げられるが、この中で、亜鉛イオン(Zn2+)は、架橋構造を安定化させ、それにより、ダイシング屑を出難くするという点で好ましい。なお、共重合体のカルボキシ基における陽イオンによる中和度は、好ましくは40〜75mol%である。 Examples of the metal ion that can be used for the ionomer resin include potassium ion, sodium ion, lithium ion, magnesium ion, and zinc ion. Among them, zinc ion (Zn 2+ ) stabilizes the crosslinked structure, Thereby, it is preferable in terms of making it difficult to produce dicing waste. In addition, the neutralization degree by the cation in the carboxy group of the copolymer is preferably 40 to 75 mol%.

エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂における共重合体のエチレン成分の含有量は、10〜98質量%が好ましく、30〜98質量%がより好ましく、50〜98質量%がさらに好ましく、60〜98質量%が特に好ましい。   10-98 mass% is preferable, as for content of the ethylene component of the copolymer in the ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, 30-98 mass% is more preferable, and 50-98 mass% is more preferable. 60 to 98% by mass is particularly preferable.

本発明では、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂における共重合体は、エチレンおよび(メタ)アクリル酸以外に、他の共重合モノマーからなる3元共重合体もしくは4元以上の共重合体であっても構わないが、2元または3元共重合体が好ましく、エチレンおよび(メタ)アクリル酸の2元共重合体がより好ましい。   In the present invention, the copolymer in the ionomer resin of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is a terpolymer or other quaternary copolymer composed of other copolymerization monomers in addition to ethylene and (meth) acrylic acid. Although it may be a copolymer, a binary or ternary copolymer is preferable, and a binary copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid is more preferable.

エチレンおよび(メタ)アクリル酸以外の共重合モノマーとしては、エチレン性二重結合を有する化合物であれば、どのような化合物でも構わない。
例えば、α−オレフィン、(メタ)アクリル酸エステル、スチレン、酢酸ビニル、ノルボルネン、アセチレン、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸、フマル酸、プロピオル酸、アセチレンなどが挙げられる。
As a copolymerization monomer other than ethylene and (meth) acrylic acid, any compound may be used as long as it is a compound having an ethylenic double bond.
Examples include α-olefin, (meth) acrylic acid ester, styrene, vinyl acetate, norbornene, acetylene, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, fumaric acid, propiolic acid, acetylene, and the like.

α−オレフィンとは、炭素−炭素二重結合がα位にある、すなわち末端にあるアルケンである。α−オレフィンとしては、炭素数3〜24が好ましく、例えば、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテンが挙げられる。   An α-olefin is an alkene having a carbon-carbon double bond in the α-position, that is, at the terminal. The α-olefin preferably has 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include propylene, 1-butene, 1-hexene and 1-octene.

(メタ)アクリル酸エステルは、アルコール部の炭素数が1〜24が好ましく、1〜8がより好ましい。例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸2−エチルプロピル、(メタ)アクリル酸2−メチルブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルブチル、(メタ)アクリル酸2−メチルヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸1,2−ジメチルブチル等が挙げられる。   The (meth) acrylic acid ester preferably has 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms in the alcohol part. For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid t -Butyl, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, 2-ethylpropyl (meth) acrylate, 2-methylbutyl (meth) acrylate, (meth) acrylic Examples include 2-ethylbutyl acid, 2-methylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 1,2-dimethylbutyl (meth) acrylate, and the like.

これらの共重合モノマーのうち、(メタ)アクリル酸エステルが好ましい。   Of these copolymer monomers, (meth) acrylic acid esters are preferred.

共重合モノマー成分の含有量は、3元共重合体の質量に基づき、1〜20質量%が好ましく、この場合、(メタ)アクリル酸成分の含有量は、3元共重合体の質量に基づき、1〜20質量%が好ましい。   The content of the copolymerization monomer component is preferably 1 to 20% by mass based on the mass of the ternary copolymer. In this case, the content of the (meth) acrylic acid component is based on the mass of the ternary copolymer. 1 to 20% by mass is preferable.

エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂の質量平均分子量は、1,000〜5,000,000が好ましく、10,000〜4,000,000がより好ましい。
なお、本発明において、質量平均分子量は、常法によるポリスチレン換算の質量平均分子量である。
The mass average molecular weight of the ionomer resin of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is preferably 1,000 to 5,000,000, and more preferably 10,000 to 4,000,000.
In the present invention, the mass average molecular weight is a polystyrene-reduced mass average molecular weight by a conventional method.

エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂は、1種であっても、2種以上を併用してもよい。   The ionomer resin of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer may be one kind or a combination of two or more kinds.

基材フィルムの厚さは、通常50〜200μmであるが、本発明では、70〜180μ mが好ましい。基材フィルムがこのような厚さであれば、ダイシングブレードの切込み深さを十分に確保できる。   Although the thickness of a base film is 50-200 micrometers normally, in this invention, 70-180 micrometers is preferable. If the base film has such a thickness, the cutting depth of the dicing blade can be sufficiently secured.

本発明では、基材フィルムのゲル分率は30〜50%である。
基材フィルムのゲル分率は、樹脂の架橋の程度を示すものであり、基材フィルムのゲル分率は35〜50%が好ましく、40〜50%がより好ましい。
ゲル分率が高くなると、ダイシング屑の発生防止の効果が高いが、基材フィルムの弾性や強度が低下してしまい、エキスパンド工程において基材フィルムが破断しやすくなる。また、ゲル分率が低くなると、ダイシング屑が多数発生してしまい、弾性や強度とエキスパンド性の両立が困難となる。
In the present invention, the gel fraction of the base film is 30 to 50%.
The gel fraction of the base film indicates the degree of crosslinking of the resin, and the gel fraction of the base film is preferably 35 to 50%, more preferably 40 to 50%.
When the gel fraction is high, the effect of preventing the generation of dicing waste is high, but the elasticity and strength of the base film are lowered, and the base film is easily broken in the expanding step. Further, when the gel fraction is low, a large amount of dicing waste is generated, and it becomes difficult to achieve both elasticity and strength and expandability.

基材フィルムのゲル分率は、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂の構成により調整される。エチレンとアクリル酸ベースの共重合体に、亜鉛やナトリウムなどの金属イオンを作用させることで架橋するため、アクリル酸の含有量と金属の種類を変化させることによりゲル分率の調整が可能である。   The gel fraction of a base film is adjusted with the structure of the ionomer resin of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer. Since it crosslinks by making metal ions such as zinc and sodium act on the copolymer of ethylene and acrylic acid, the gel fraction can be adjusted by changing the content of acrylic acid and the type of metal. .

ゲル分率は、特定の溶剤で基材フィルムを溶かしたときに、溶かされずに残存している部分をゲル(架橋部分はゲルとして残る)とし、このゲル部分の質量と溶剤で溶かす前の基材フィルム質量との比(百分率)である。   When the base film is melted with a specific solvent, the gel fraction is defined as the portion that remains undissolved as a gel (the cross-linked portion remains as a gel). It is a ratio (percentage) to the material film mass.

ゲル分率は、具体的には、以下のようにして求めることができる。
(1)ステンレス製メッシュ(例えば、400番、日本金網商工(株)製、質量測定済み)に包み、120℃のキシレン溶液に24時間浸漬する。
(2)2時間、風通しの良い場所に室温(25℃)で放置する。
(3)16時間80℃にて、10Pa(7.5×10−2torr)以下で真空乾燥を行った後、残った基材フィルムと金網の合計質量を測定する。
(4)次式に従い、ゲル分率を求める。
Specifically, the gel fraction can be determined as follows.
(1) Wrapped in a stainless steel mesh (for example, No. 400, manufactured by Nippon Wire Mesh Industrial Co., Ltd., mass measurement completed) and immersed in a 120 ° C. xylene solution for 24 hours.
(2) Leave in a well-ventilated place at room temperature (25 ° C.) for 2 hours.
(3) After vacuum drying at 80 Pa for 16 hours at 10 Pa (7.5 × 10 −2 torr) or less, the total mass of the remaining base film and wire mesh is measured.
(4) The gel fraction is determined according to the following formula.

ゲル分率(%)=
{(キシレン浸漬後の基材フィルムと金網の合計質量)−(金網の質量)}÷(キシレン浸漬前の基材フィルム質量)×100
Gel fraction (%) =
{(Total mass of base film and wire mesh after immersion in xylene)-(mass of wire mesh)} / (base film mass before immersion in xylene) × 100

ゲル分率は、基材フィルムを構成する樹脂の種類、架橋度や粘着剤の種類などによって調整できる。   The gel fraction can be adjusted by the type of resin constituting the base film, the degree of crosslinking, the type of pressure-sensitive adhesive, and the like.

<粘着剤層>
粘着剤層に用いる粘着剤としては、特に制限はないが、ベースポリマーが(メタ)アクリル系共重合体のアクリル系粘着剤が好ましい。本発明において粘着剤は、エキスパンド時において半導体ウェハとの剥離を生じない程度の保持性や、ピックアップ時において半導体チップとの剥離が容易となる特性を有するものであれば、これに限定されることはなく、種々の粘着剤により粘着剤層が形成され得る。このような粘着剤としては、例えばゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤を用いることも可能である。
<Adhesive layer>
The pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but an acrylic pressure-sensitive adhesive whose base polymer is a (meth) acrylic copolymer is preferable. In the present invention, the pressure-sensitive adhesive is limited to this as long as it has a holding property that does not cause separation from the semiconductor wafer during expansion and a property that facilitates separation from the semiconductor chip during pickup. However, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed of various pressure-sensitive adhesives. As such an adhesive, for example, an adhesive having a base polymer such as rubber, silicone, or polyvinyl ether can be used.

これらのベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベースポリマーに対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。   In order to add cohesion to these base polymers, a crosslinking agent can be blended. Examples of the crosslinking agent include an isocyanate-based crosslinking agent, an epoxy-based crosslinking agent, a metal chelate-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, and an amine resin corresponding to the base polymer. Further, the pressure-sensitive adhesive can contain various additive components as desired within the range in which the object of the present invention is not impaired.

粘着剤として、放射線硬化型、加熱発泡型または感圧型の粘着剤を用いることができる。放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。加熱発泡型の粘着剤としては、加熱により発泡剤や膨張剤により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば特公平1−56112号公報、特開平7−135189号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。   As the pressure-sensitive adhesive, a radiation curable, heat-foaming, or pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive can be used. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, a pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays, an electron beam, or the like and easily peels at the time of peeling can be used. As the heat-foaming pressure-sensitive adhesive, a pressure-sensitive adhesive that can be easily peeled off by a foaming agent or an expansion agent by heating can be used. As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, for example, those described in JP-B-1-56112 and JP-A-7-135189 are preferably used, but are not limited thereto.

(放射線硬化型粘着剤)
本発明においては、放射線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
放射線硬化型粘着剤は、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、大きく分けて、1)側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合(エチレン性二重結合)を有するベース樹脂(重合体)からなる粘着剤と、2)通常のゴム系あるいは(メタ)アクリル系の感圧性ベース樹脂(ポリマー)に対して、分子中に少なくとも2個の放射線重合性炭素−炭素二重結合(エチレン性二重結合)を有する低分子量化合物(以下、放射線重合性低分子量化合物という)および光重合開始剤を配合する粘着剤に分類される。
(Radiation curable adhesive)
In the present invention, it is preferable to use a radiation curable pressure-sensitive adhesive.
The radiation curable pressure-sensitive adhesive is only required to have a property of being cured by radiation to form a three-dimensional network, and is roughly divided into 1) having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) in the side chain. Compared with a pressure-sensitive adhesive composed of a base resin (polymer) and 2) a normal rubber-based or (meth) acrylic pressure-sensitive base resin (polymer), at least two radiation-polymerizable carbon-carbon molecules in the molecule. The pressure-sensitive adhesive is classified into a low molecular weight compound having a heavy bond (ethylenic double bond) (hereinafter referred to as a radiation polymerizable low molecular weight compound) and a photopolymerization initiator.

本発明では、ダイシング用粘着テープが低分子量化合物を多量に含んでいると、ダイシング用粘着テープを半導体ウェハに貼付した後、放射線照射やピックアップ工程までの期間が長いと、低分子量成分が、ダイシング用粘着テープと半導体チップの界面に移行することにより、密着性の上昇が著しくなり、ピックアップ時のダイシング用粘着テープと半導体チップの間の剥離が重くなる現象が見られる。このため、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合(エチレン性二重結合)を有するベース樹脂(重合体)からなる粘着剤が好ましい。   In the present invention, if the dicing adhesive tape contains a large amount of a low molecular weight compound, after the dicing adhesive tape is applied to a semiconductor wafer, if the period of time until irradiation or pick-up process is long, the low molecular weight component is dicing. By moving to the interface between the adhesive tape for the semiconductor and the semiconductor chip, the adhesiveness is remarkably increased, and a phenomenon that the peeling between the adhesive tape for dicing and the semiconductor chip during pick-up becomes heavy is observed. For this reason, the adhesive which consists of base resin (polymer) which has a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) in a side chain is preferable.

1)側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂からなる粘着剤
側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する粘着剤は、(メタ)アクリル系粘着剤が好ましく、ベース樹脂が(メタ)アクリル系重合体もしくは(メタ)アクリル系重合体を主成分として含むものが特に好ましい。
ここで、(メタ)アクリル系重合体を主成分とするとは、(メタ)アクリル系重合体成分が少なくとも50質量%以上であり、好ましくは80質量%以上(100質量%以下)である。
1) Adhesive comprising a base resin having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain The adhesive having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably a (meth) acrylic adhesive, It is particularly preferable that the base resin contains a (meth) acrylic polymer or a (meth) acrylic polymer as a main component.
Here, a (meth) acrylic polymer as a main component means that the (meth) acrylic polymer component is at least 50% by mass or more, preferably 80% by mass or more (100% by mass or less).

(メタ)アクリル系重合体は、少なくとも側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合(エチレン性二重結合)を有することで放射線照射による硬化が可能となり、さらにエポキシ基やカルボキシ基などの官能基を有してもよい。   The (meth) acrylic polymer has a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond (ethylenic double bond) at least in the side chain, so that it can be cured by irradiation, and further has a functional group such as an epoxy group or a carboxyl group. It may have a group.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル重合体は、どのようにして製造されたものでもよいが、例えば、側鎖に官能基(α)を有する(メタ)アクリル系重合体と、(メタ)アクリルロイル基、(メタ)アクリルロイルオキシ基などの放射線重合性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、この(メタ)アクリル系重合体の側鎖の官能基(α)と反応し得る官能基(β)をもつ化合物とを反応させて得たものが好ましい。
放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する基は、非芳香族性のエチレン性二重結合を有すればどのような基でも構わないが、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基、アリル基、1−プロペニル基、ビニル基(スチレンもしくは置換スチレンを含む)が好ましく、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基がより好ましい。
官能基(α)、(β)としては、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基(−N=C=O)等が挙げられる。
The (meth) acrylic polymer having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain may be produced by any method. For example, a (meth) acrylic having a functional group (α) in the side chain. Polymer and radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds such as (meth) acryloyl group and (meth) acryloyloxy group, and the side chain functional group of this (meth) acrylic polymer Those obtained by reacting a compound having a functional group (β) capable of reacting with (α) are preferred.
The group having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond may be any group as long as it has a non-aromatic ethylenic double bond, but a (meth) acryloyl group, a (meth) acryloyloxy group, (Meth) acryloylamino group, allyl group, 1-propenyl group and vinyl group (including styrene or substituted styrene) are preferable, and (meth) acryloyl group and (meth) acryloyloxy group are more preferable.
Examples of the functional groups (α) and (β) include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group (—N═C═O).

ここで、官能基(α)と官能基(β)のうちの一方の官能基が、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。   Here, when one functional group of the functional group (α) and the functional group (β) is a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, or a cyclic acid anhydride group, the other functional group is , An epoxy group, and an isocyanate group. When one functional group is a cyclic acid anhydride group, examples of the other functional group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, and a mercapto group. In addition, when one functional group is an epoxy group, the other functional group may be an epoxy group.

官能基(α)としては、カルボキシ基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
側鎖に官能基(α)を有する(メタ)アクリル系重合体は、官能基(α)を有する(メタ)アクリル系モノマー、好ましくは(メタ)アクリル酸エステル〔(特に、アルコール部に官能基(α)を有するもの〕をモノマー成分に使用することで得ることができる。
側鎖に官能基(α)を有する(メタ)アクリル系重合体は、共重合体である場合が好ましく、この共重合成分は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、なかでもアルコール部に官能基(α)や放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する基が置換していない(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。
As the functional group (α), a carboxy group and a hydroxyl group are preferable, and a hydroxyl group is particularly preferable.
The (meth) acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain is a (meth) acrylic monomer having a functional group (α), preferably a (meth) acrylic ester [(particularly, a functional group in the alcohol part). It can be obtained by using (having (α)) as a monomer component.
The (meth) acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain is preferably a copolymer, and this copolymerization component is a (meth) acrylic acid alkyl ester, in particular, a functional group ( α) and (meth) acrylic acid alkyl esters in which a group having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond is not substituted are preferred.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。
(メタ)アクリル酸エステルは1種でも2種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が5以下のものと炭素数が6〜12のものを併用することが好ましい。
Examples of (meth) acrylic acid esters include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, n-pentyl acrylate, n-hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2 -Ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate hexyl acrylate, and the corresponding methacrylates.
Although the (meth) acrylic acid ester may be one type or two or more types, it is preferable to use those having an alcohol part having 5 or less carbon atoms and those having 6 to 12 carbon atoms.

なお、アルコール部の炭素数の大きなモノマーを使用するほどガラス転移点(Tg)は低くなるので、所望のガラス転移点のものを得ることができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも好ましく、この場合、これらのモノマー成分の含有量は5質量%以下の範囲内が好ましい。   In addition, since a glass transition point (Tg) becomes so low that a monomer with large carbon number of an alcohol part is used, the thing of a desired glass transition point can be obtained. In addition to the glass transition point, it is also preferable to blend a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene or acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. The content of is preferably in the range of 5% by mass or less.

官能基(α)を有する(メタ)アクリル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシ基および光重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどが挙げられる。   Examples of (meth) acrylic monomers having a functional group (α) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycols Monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, Some of the isocyanate groups of itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and polyisocyanate compounds Alkoxy group and a photopolymerizable carbon - like those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond.

これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。   Among these, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate are preferable, and acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylate Are more preferable, and 2-hydroxyalkyl acrylates and 2-hydroxyalkyl methacrylates are more preferable.

放射線重合性炭素−炭素二重結合と官能基(β)を有する化合物における官能基(β)としては、イソシアネート基が好ましく、例えば、アルコール部にイソシアネート(−N=C=O)基を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート(−N=C=O)基で置換された(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、2−イソシアナトエチルメタクリレート、2−イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。
また、官能基(β)がイソシアネート基以外の場合の好ましい化合物は、官能基(α)を有する(メタ)アクリル系モノマーで例示した化合物が挙げられる。
The functional group (β) in the compound having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond and a functional group (β) is preferably an isocyanate group, and has, for example, an isocyanate (—N═C═O) group in the alcohol part ( Examples include (meth) acrylic acid esters, and (meth) acrylic acid alkyl esters substituted with an isocyanate (—N═C═O) group are particularly preferable. Examples of such a monomer include 2-isocyanatoethyl methacrylate and 2-isocyanatoethyl acrylate.
Moreover, the compound illustrated with the (meth) acrylic-type monomer which has a functional group ((alpha)) as a preferable compound in case a functional group ((beta)) is other than an isocyanate group is mentioned.

放射線重合性炭素−炭素二重結合と官能基(β)を有する化合物は、側鎖に官能基(α)を有する(メタ)アクリル系重合体に加えて重合体の側鎖の官能基(α)、好ましくは水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。   The compound having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond and a functional group (β) is added to the side chain functional group (α) in addition to the (meth) acrylic polymer having the functional group (α) in the side chain. ), Preferably by reacting with a hydroxyl group, a polymerizable group can be incorporated into the copolymer, and the adhesive strength after irradiation can be reduced.

(メタ)アクリル系共重合体の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般に(メタ)アクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましい。重合開始剤としては、α,α’−アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の(メタ)アクリル系共重合体を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素等の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。   In the synthesis of the (meth) acrylic copolymer, as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, Generally a good solvent of a (meth) acrylic polymer, such as ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. is preferable. As the polymerization initiator, radical generators such as azobis compounds such as α, α'-azobisisobutyronitrile and organic peroxide compounds such as benzoyl peroxide are usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, and a (meth) acrylic copolymer having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a solvent such as mercaptan or carbon tetrachloride. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂〔好ましくは(メタ)アクリル系共重合体〕の質量平均分子量は、20万〜100万程度が好ましい。
質量平均分子量が100万を越えると、放射線照射した場合に、放射線照射後の粘着剤の可撓性がなく、脆くなっているため、剥離時に半導体チップ面に糊残りを生じる。質量平均分子量が20万未満では、放射線照射前の凝集力が小さく、粘着力が弱いため、ダイシング時に十分に半導体チップを保持することができず、チップ飛びが生じるおそれがある。また、放射線照射後も硬化が不十分で、剥離時に半導体チップ面に糊残りを生じる。これらを極力防止するためには、質量平均分子量が20万以上であることが好ましい。
The mass average molecular weight of the base resin [preferably (meth) acrylic copolymer] having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably about 200,000 to 1,000,000.
If the mass average molecular weight exceeds 1,000,000, when irradiated, the adhesive after irradiation is not flexible and is brittle, so that adhesive residue is left on the surface of the semiconductor chip during peeling. If the mass average molecular weight is less than 200,000, the cohesive force before radiation irradiation is small and the adhesive force is weak, so that the semiconductor chip cannot be held sufficiently during dicing, and there is a possibility of chip fly. In addition, curing is insufficient after irradiation, and adhesive residue is left on the surface of the semiconductor chip during peeling. In order to prevent these as much as possible, the mass average molecular weight is preferably 200,000 or more.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂の放射線重合性炭素−炭素二重結合の導入量は、ヨウ素価〔ベース樹脂100gに付加するヨウ素(I)のg数〕で0.5〜20が好ましく、5〜15がより好ましい。ヨウ素価が0.5未満では、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくなるため粘着剤の硬化が不十分で、糊残りの原因となり、ヨウ素価が20を越えると、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分ではなく、粘着剤が脆くなっており、剥離時に硬化した粘着剤がちぎれて糊残りが生じてしまうほか、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂そのものの安定性に欠け、製造が困難になる。 The introduction amount of the radiation-polymerizable carbon-carbon double bond of the base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is the iodine value [g of iodine (I 2 ) added to 100 g of the base resin]. 0.5-20 are preferable and 5-15 are more preferable. If the iodine value is less than 0.5, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is reduced, resulting in insufficient curing of the adhesive, causing adhesive residue, and if the iodine value exceeds 20, adhesion after irradiation. In addition to the insufficient fluidity of the adhesive, the adhesive is brittle, the adhesive cured at the time of peeling is torn off and adhesive residue is generated, and the base resin has a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain It lacks stability and is difficult to manufacture.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂のガラス転移点は、−70〜−35℃が好ましく、−70〜−40℃がより好ましい。ガラス転移点が−70℃より低いと、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまい、−35℃より高いと流動性が不十分で半導体ウェハの裏面になじみにくく、エキスパンド時に半導体ウェハと剥がれる原因となってしまう。   The glass transition point of the base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is preferably −70 to −35 ° C., more preferably −70 to −40 ° C. If the glass transition point is lower than -70 ° C, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive is high and causes glue residue. If the glass transition point is higher than -35 ° C, the fluidity is insufficient and it is difficult to adjust to the back surface of the semiconductor wafer. It will cause peeling from the wafer.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂の酸価〔ベース樹脂1g中に存在する遊離脂肪酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのmg数〕は、0.5〜30が好ましく、1〜20がより好ましい。
側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂の水酸基価〔ベース樹脂1gをアセチル化させたとき、水酸基と結合した酢酸を中和するのに必要とする水酸化カリウムのmg数〕は、5〜100が好ましく、10〜80がより好ましい。
このようにすることで、さらにダイシング用粘着テープ剥離時の糊残り防止効果に優れる。
The acid value of the base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain [the number of mg of potassium hydroxide necessary for neutralizing free fatty acid present in 1 g of the base resin] is 0.5 to 30 is preferable and 1-20 is more preferable.
Hydroxyl value of base resin having radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in side chain [when 1 g of base resin is acetylated, mg of potassium hydroxide necessary to neutralize acetic acid bonded to hydroxyl group ] Is preferably 5 to 100, more preferably 10 to 80.
By doing in this way, it is excellent in the adhesive residue prevention effect at the time of peeling of the adhesive tape for dicing further.

なお、酸価や水酸基価の調製は、側鎖に官能基(α)を有する(メタ)アクリル系重合体と、放射線重合性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、この(メタ)アクリル系重合体の側鎖の官能基(α)と反応し得る官能基(β)をもつ化合物とを反応させる段階で、未反応の官能基を残すことにより所望のものに調製することができる。   In addition, the acid value and the hydroxyl value are prepared by a (meth) acrylic polymer having a functional group (α) in the side chain, a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, and this (meth) acrylic. In the step of reacting a compound having a functional group (β) capable of reacting with the functional group (α) of the side chain of the system polymer, it can be prepared as desired by leaving an unreacted functional group.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂を放射線照射によって硬化させる場合には、必要に応じて、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。
これら光重合開始剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対して0.01〜10質量部が好ましく、0.01〜5質量部がより好ましい。配合量が少なすぎると反応が不十分であり、配合量が多すぎると低分子成分が増加することで汚染性に影響を与えることになる。
When a base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain is cured by irradiation, a photopolymerization initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chloro Thioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, benzyl dimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane and the like can be used.
The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base resin. If the blending amount is too small, the reaction is insufficient, and if the blending amount is too large, the low molecular components increase, thereby affecting the contamination.

側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂からなる粘着剤は、架橋剤を含有することが好ましい。
このような架橋剤は、どのようなものでも構わないが、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂の群から選択される架橋剤が好ましい。
このなかでも、本発明では、ポリイソシアネート類が好ましい。
The pressure-sensitive adhesive made of a base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain preferably contains a crosslinking agent.
Such a crosslinking agent may be any, but a crosslinking agent selected from the group of polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins and epoxy resins is preferred.
Of these, polyisocyanates are preferred in the present invention.

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)等を用いることができる。   The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) or the like can be used.

メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックMX−45(三和ケミカル株式会社製、商品名)、メラン(日立化成工業株式会社製、商品名)等を用いることができる。   Specific examples of the melamine / formaldehyde resin include Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and the like.

エポキシ樹脂としては、TETRAD−X(三菱化学株式会社製、商品名)等を用いることができる。   As the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) or the like can be used.

架橋剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対して0.1〜10質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましい。
粘着剤塗布後に、架橋剤により、ベース樹脂が架橋構造を形成し、粘着剤の凝集力を向上させることができる。
0.1-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of base resins, and, as for the compounding quantity of a crosslinking agent, 1-10 mass parts is more preferable.
After application of the pressure-sensitive adhesive, the base resin forms a cross-linked structure with the cross-linking agent, and the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive can be improved.

架橋剤の配合量が0.1質量部未満では凝集力向上効果が十分でないため、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまい、また粘着剤面と被着体面がずれやすくエキスパンド時に剥がれてしまう。架橋剤の配合量が10質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に架橋構造が急速に形成され、硬化反応が進行するため、作業性が損なわれる。また、粘着剤の柔軟性が損なわれ、エキスパンド時の剥がれの原因となってしまう。   When the blending amount of the crosslinking agent is less than 0.1 parts by mass, the effect of improving the cohesive force is not sufficient, and the adhesive has high fluidity and causes adhesive residue, and the adhesive surface and the adherend surface are easily misaligned. Sometimes peel off. When the amount of the cross-linking agent exceeds 10 parts by mass, a cross-linking structure is rapidly formed during the mixing and application of the pressure-sensitive adhesive, and the curing reaction proceeds, so that workability is impaired. Moreover, the softness | flexibility of an adhesive will be impaired and it will cause the peeling at the time of an expansion.

2)放射線重合性低分子量化合物を含む粘着剤
放射線重合性低分子量化合物を含む粘着剤の主成分としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂〔(メタ)アクリル樹脂〕、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
この粘着剤としては、ベース樹脂としてのアクリル樹脂および放射線重合性低分子量化合物に加え、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製するのが好ましい。
2) Adhesive containing a radiation-polymerizable low molecular weight compound The main component of the adhesive containing a radiation-polymerizable low molecular weight compound is not particularly limited, and is a known chlorinated polypropylene resin or acrylic used for the adhesive. Resin [(meth) acrylic resin], polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin and the like can be used.
As this pressure-sensitive adhesive, it is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately blending a photopolymerization initiator, a curing agent and the like in addition to an acrylic resin as a base resin and a radiation polymerizable low molecular weight compound.

放射線重合性低分子量化合物としては、放射線照射によって三次元網状化しうる分子内に放射線重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物が用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートや、オリゴエステル(メタ)アクリレート等が適用可能である。
As the radiation-polymerizable low molecular weight compound, a low molecular weight compound having at least two radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by irradiation is used.
Specifically, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, oligoester (meth) acrylate, and the like are applicable.

また、上記のような(メタ)アクリレート系化合物のほかに、放射線重合性低分子量化合物として、ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン−4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。   In addition to the above (meth) acrylate compounds, urethane (meth) acrylate oligomers can also be used as radiation-polymerizable low molecular weight compounds. Urethane (meth) acrylate oligomers include a polyester compound or a polyether compound such as a polyether type and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3 (Xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4-diisocyanate, etc.) are reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer (hydroxy) having a hydroxyl group (for example, , 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by.

なお、粘着剤には光重合開始剤を添加してもよい。
光重合開始剤として、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。
これら光重合開始剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対して0.01〜10質量部が好ましく、0.01〜5質量部がより好ましい。配合量が少なすぎると反応が不十分であり、配合量が多すぎると低分子成分が増加することで汚染性に影響を与えることになる。
In addition, you may add a photoinitiator to an adhesive.
Examples of photopolymerization initiators include isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, benzyl dimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane, and the like. Can be used.
The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base resin. If the blending amount is too small, the reaction is insufficient, and if the blending amount is too large, the low molecular components increase, thereby affecting the contamination.

粘着剤には架橋剤を含有することが好ましい。
このような架橋剤は、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するベース樹脂からなる粘着剤で挙げた架橋剤が好ましい。
架橋剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対して0.1〜10質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましい。
The pressure-sensitive adhesive preferably contains a crosslinking agent.
Such a crosslinking agent is preferably the crosslinking agent mentioned in the pressure-sensitive adhesive made of a base resin having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in the side chain.
0.1-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of base resins, and, as for the compounding quantity of a crosslinking agent, 1-10 mass parts is more preferable.

粘着剤の厚さは特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、本発明では、5〜30μmが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited and may be appropriately set. In the present invention, 5 to 30 μm is preferable.

本発明のダイシング用粘着テープは、使用前にはこの粘着剤層を保護するため、粘着剤層の上面に剥離フィルムを仮粘着しておくことが好ましい。   In order to protect the pressure-sensitive adhesive layer before use, the pressure-sensitive adhesive tape for dicing of the present invention preferably has a release film temporarily adhered to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer.

<ダイシング用粘着テープの特性>
本発明のダイシング用粘着テープは、縦方向(MD)および横方向(TD)のJIS K 7128−1のトラウザー引裂法による引裂強度が5〜12N/mmである。
引裂強度をこの範囲とすることで、5〜12N/mmでダイシング屑の発生が抑制される。引裂強度が12N/mmを超えるとなると基材フィルムがダイシングブレードにより引伸ばされる過程で千切れず、長い糸状のダイシング屑となりやすい。また、引裂強度が5N/mm未満であると、エキスパンド時にダイシング用粘着テープ上のダイシングラインを起点に破断が生じやすくなる。
<Characteristics of dicing adhesive tape>
The adhesive tape for dicing of the present invention has a tear strength of 5-12 N / mm in the longitudinal (MD) and transverse (TD) JIS K 7128-1 trouser tear methods.
By setting the tear strength within this range, the generation of dicing waste is suppressed at 5 to 12 N / mm. When the tear strength exceeds 12 N / mm, the base film is not broken in the process of being stretched by the dicing blade, and tends to be long thread-like dicing waste. Further, when the tear strength is less than 5 N / mm, breakage tends to occur starting from a dicing line on the dicing adhesive tape during expansion.

<<ダイシング用粘着テープによる半導体ウェハのダイシング方法>>
本発明のダイシング用粘着テープを使用して行う半導体ウェハのダイシング方法自体は、通常の方法と同様にして行うことができるが、ダイシング用粘着テープの基材フィルムにダイシングブレードが切り込むフルカットダイシング方法が特に好ましい。
<< Dicing Method of Semiconductor Wafer with Dicing Adhesive Tape >>
The semiconductor wafer dicing method itself using the dicing adhesive tape of the present invention can be carried out in the same manner as a normal method, but a full-cut dicing method in which a dicing blade cuts into the base film of the dicing adhesive tape. Is particularly preferred.

以下に、本発明を実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited thereto.

最初に、下記の表1に示す基材フィルム1A〜1Iおよび粘着剤2A、2Bを調製した後、基材フィルム1A〜1I上に粘着剤2A、2Bの乾燥後の厚さが5μmになるように粘着剤2A、2Bを塗工し、110℃で3分間乾燥させて、下記の表2に示す実施例1〜5および比較例1〜5のダイシング用粘着テープを作製した。   First, after preparing the base films 1A to 1I and the adhesives 2A and 2B shown in Table 1 below, the thickness of the adhesives 2A and 2B after drying is 5 μm on the base films 1A to 1I. Adhesives 2A and 2B were applied to the substrate and dried at 110 ° C. for 3 minutes to prepare dicing adhesive tapes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 shown in Table 2 below.

(基材フィルム)
基材フィルム1A〜1Iとして、下記の表1に示す厚さ100〜150μmの基材フィルムを使用した。
(Base film)
As the base films 1A to 1I, base films having a thickness of 100 to 150 μm shown in Table 1 below were used.

Figure 0006301987
Figure 0006301987

・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂A
エチレン成分とメタクリル酸との共重合体で、金属イオンZn2+で架橋されたアイオノマー樹脂
・ Ionomer resin A of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer
An ionomer resin that is a copolymer of an ethylene component and methacrylic acid and is cross-linked with the metal ion Zn 2+

・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂B
エチレン成分とメタクリル酸との共重合体で、金属イオンZn2+で架橋されたアイオノマー樹脂
・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂C
エチレン成分とアクリル酸との共重合体で、金属イオンZn2+で架橋されたアイオノマー樹脂
・ Ionomer resin B of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer
An ionomer resin C which is a copolymer of an ethylene component and methacrylic acid and is cross-linked with a metal ion Zn 2+ and an ionomer resin C of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer
An ionomer resin that is a copolymer of an ethylene component and acrylic acid and is cross-linked with the metal ion Zn 2+

・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂D
エチレン成分とメタクリル酸との共重合体で、金属イオンNaで架橋されたアイオノマー樹脂
・ Ionomer resin D of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer
An ionomer resin that is a copolymer of an ethylene component and methacrylic acid and is crosslinked with the metal ion Na +

・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂E
エチレン成分とアクリル酸との共重合体で、金属イオンNaで架橋されたアイオノマー樹脂
・ Ionomer resin E of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer
An ionomer resin that is a copolymer of an ethylene component and acrylic acid and is cross-linked with the metal ion Na +

・PP/エラストマー共重合体
ポリプロピレンにエチレン−プロピレンゴムを微量分散させた熱可塑性エラストマー
・エチレン−酢酸ビニル共重合体
エチレン成分と酢酸ビニルとの共重合体
・エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂Aの電子線照射品
エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂Aに5Mradの電子線を照射して作製した。
PP / elastomer copolymer Thermoplastic elastomer in which a small amount of ethylene-propylene rubber is dispersed in polypropylene. Ethylene-vinyl acetate copolymer. Copolymer of ethylene component and vinyl acetate. Ethylene- (meth) acrylic acid copolymer. The ionomer resin A was irradiated with an electron beam of 5 Mrad on the ionomer resin A of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer.

(粘着剤の調製)
粘着剤2Aおよび2Bを以下のように調製した。
(Preparation of adhesive)
Adhesives 2A and 2B were prepared as follows.

<粘着剤2A>
粘着剤2Aは、ベース樹脂として、側鎖に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系粘着剤である。
2−エチルヘキシルアクリレート70mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート20mol%およびメチルメタクリレート10mol%を配合し、酢酸エチル溶液中で共重合させることにより(メタ)アクリル共重合体のポリマー溶液を得た。このポリマー100質量部に対して2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名、昭和電工株式会社製カレンズMOI)5.0質量部を加え、この溶液中で反応させてコポリマー側鎖のヒドロキシル基に前記イソシアネートに由来する二重結合含有基を付加させることで側鎖に二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマーを合成した。
側鎖に二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマーは、質量平均分子量60万、ガラス転移温度(Tg)−64℃、放射線硬化性炭素−炭素二重結合量0.6meq/gであった。
<Adhesive 2A>
The pressure-sensitive adhesive 2A is an acrylic pressure-sensitive adhesive having a radiation curable carbon-carbon double bond in the side chain as a base resin.
70 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 20 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate and 10 mol% of methyl methacrylate were blended and copolymerized in an ethyl acetate solution to obtain a polymer solution of (meth) acrylic copolymer. To 100 parts by mass of this polymer, 5.0 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (trade name, Karenz MOI manufactured by Showa Denko KK) is added and reacted in this solution to the hydroxyl group of the copolymer side chain. An acrylic copolymer polymer having a double bond-containing group in the side chain was synthesized by adding a double bond-containing group derived from the above.
The acrylic copolymer polymer having a double bond-containing group in the side chain has a mass average molecular weight of 600,000, a glass transition temperature (Tg) of −64 ° C., and a radiation curable carbon-carbon double bond content of 0.6 meq / g. It was.

この二重結合含有基を有するアクリル共重合体100質量部に対し、硬化剤としてコロネートL(商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製)を1質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを3質量配合し、粘着剤2Aの粘着剤組成物を得た。   For 100 parts by mass of the acrylic copolymer having a double bond-containing group, 1 part by mass of Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) is used as a curing agent, and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone is used as a photopolymerization initiator. 3 masses of was obtained, and the adhesive composition of adhesive 2A was obtained.

<粘着剤2B>
粘着剤2Bは、放射線重合性低分子量化合物を含むアクリル系粘着剤である。
2−エチルヘキシルアクリレート25mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート55mol%およびメチルメタクリレート20mol%を配合し、酢酸エチル溶液中で共重合させることにより(メタ)アクリル共重合体のポリマー溶液を得た。
得られた(メタ)アクリル共重合体は、質量平均分子量30万、ガラス転移温度(Tg)−30℃であった。
<Adhesive 2B>
The pressure-sensitive adhesive 2B is an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a radiation polymerizable low molecular weight compound.
A polymer solution of (meth) acrylic copolymer was obtained by blending 25 mol% 2-ethylhexyl acrylate, 55 mol% 2-hydroxyethyl acrylate and 20 mol% methyl methacrylate and copolymerizing them in an ethyl acetate solution.
The obtained (meth) acrylic copolymer had a mass average molecular weight of 300,000 and a glass transition temperature (Tg) of -30 ° C.

(メタ)アクリル共重合体100質量部に対し、放射線重合性低分子量化合物として、テトラメチロールメタンテトラアクリレート80質量部、硬化剤としてコロネートL(商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製)を1質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを5質量配合し、粘着剤2Bの粘着剤組成物を得た。   1 part by mass of coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a radiation-polymerizable low molecular weight compound as a radiation-polymerizable low molecular weight compound and 80 parts by mass of a tetramethylolmethane tetraacrylate as a curing agent with respect to 100 parts by mass of a (meth) acrylic copolymer. As a photopolymerization initiator, 5 masses of α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone was blended to obtain a pressure-sensitive adhesive composition of pressure-sensitive adhesive 2B.

上記粘着剤2A、2Bを基材フィルム1A〜1I上に、乾燥膜厚が5μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥させ、下記の表2に示す実施例1〜5および比較例1〜5のダイシング用粘着テープを作製した。 The pressure-sensitive adhesives 2A and 2B were applied on the base films 1A to 1I so that the dry film thickness was 5 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and Examples 1 to 5 and Comparative Examples shown in Table 2 below. 1 to 5 adhesive tapes for dicing were produced.

(評価試験)
実施例1〜5および比較例1〜5のダイシング用粘着テープにおいて、下記に示すように、引裂試験、ゲル分率、ダイシング屑発生数およびエキスパンド性の評価行った。
(Evaluation test)
In the adhesive tapes for dicing of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5, as shown below, the tear test, the gel fraction, the number of dicing scraps generated, and the expandability were evaluated.

[引裂試験]
JIS K 7128−1のトラウザー引裂法により、ダイシング用粘着テープの縦方向(MD)および横方向(TD)の引裂強度を測定した。
[Tear test]
The tear strength in the machine direction (MD) and transverse direction (TD) of the adhesive tape for dicing was measured by the trouser tear method of JIS K 7128-1.

[基材フィルムのゲル分率]
ゲル分率は以下の手順で測定した。
(1)質量を測定した基材フィルムをステンレス製メッシュ(400番、日本金網商工(株)製、重量測定済み)に包み、120℃のキシレン溶液に24時間浸漬した。
(2)2時間、風通しの良い箇所に室温で放置した。
(3)16時間80℃にて、10Pa(7.5×10−2torr)以下で真空乾燥を行った後、残った基材フィルムと金網の合計質量を測定した。
(4)次式で、ゲル分率を算出した。
[Gel fraction of base film]
The gel fraction was measured by the following procedure.
(1) The base film whose mass was measured was wrapped in a stainless steel mesh (No. 400, manufactured by Nippon Wire Mesh Commerce Co., Ltd., weight measurement completed) and immersed in a 120 ° C. xylene solution for 24 hours.
(2) It was left at room temperature in a well-ventilated place for 2 hours.
(3) After vacuum drying at 80 Pa for 16 hours at 10 Pa (7.5 × 10 −2 torr) or less, the total mass of the remaining base film and wire mesh was measured.
(4) The gel fraction was calculated by the following formula.

ゲル分率(%)=
{(キシレン浸漬後の基材フィルムと金網の合計質量)−(金網の質量)}÷(キシレン浸漬前の基材フィルム質量)×100
Gel fraction (%) =
{(Total mass of base film and wire mesh after immersion in xylene)-(mass of wire mesh)} / (base film mass before immersion in xylene) × 100

[ダイシング屑発生数]
以下の条件でダイシング処理された半導体ウェハについて、半導体ウェハの表面側より半導体ウェハ上に露出しているダイシング屑を光学顕微鏡(100倍)で観察し、ダイシング屑の個数をカウントした。
[Dicing waste generation number]
With respect to the semiconductor wafer diced under the following conditions, dicing waste exposed on the semiconductor wafer from the surface side of the semiconductor wafer was observed with an optical microscope (100 times), and the number of dicing waste was counted.

(ダイシング条件)
ダイシング装置:(株)DISCO製 DAD−340
ダイシングブレード:(株)DISCO製 NBC−ZH2030−27HCDD
ダイシングブレード回転数:50,000rpm
切削速度:80mm/s
冷却水量:20ml/s
ダイシングサイズ:2mm角
ダイシング用粘着テープへのダイシングブレードの切込み深さ:40μm
(Dicing conditions)
Dicing machine: DAD-340 manufactured by DISCO Corporation
Dicing blade: NBC-ZH2030-27HCDD manufactured by DISCO Corporation
Dicing blade rotation speed: 50,000 rpm
Cutting speed: 80 mm / s
Cooling water volume: 20 ml / s
Dicing size: 2mm square Dicing blade depth of cut into adhesive tape for dicing: 40μm

[エキスパンド性]
以下の条件でダイシング処理された半導体ウェハについて、以下の条件でエキスパンド性評価を行い、ダイシング用粘着テープの破断が発生しなかった場合を「○」、破断が発生した場合を「×」とした。
[Expandable]
For semiconductor wafers diced under the following conditions, the expandability evaluation was performed under the following conditions. When the rupture of the adhesive tape for dicing did not occur, “○”, and when rupture occurred, “X”. .

(ダイシング条件)
ダイシング装置:(株)DISCO製 DAD−340
ダイシングブレード:(株)DISCO製 NBC−ZH2030−27HCDD
ダイシングブレード回転数:50,000rpm
切削速度:80mm/s
冷却水量:20ml/s
ダイシングサイズ:2mm角
ダイシング用粘着テープへのダイシングブレードの切込み深さ:40μm
(Dicing conditions)
Dicing machine: DAD-340 manufactured by DISCO Corporation
Dicing blade: NBC-ZH2030-27HCDD manufactured by DISCO Corporation
Dicing blade rotation speed: 50,000 rpm
Cutting speed: 80 mm / s
Cooling water volume: 20 ml / s
Dicing size: 2mm square Dicing blade depth of cut into adhesive tape for dicing: 40μm

(エキスパンド条件)
エキスパンド装置:キャノンマシナリー(株)製 CAP−300II
エキスパンド拡張量:10mm
(Expanding condition)
Expanding device: CAP-300II manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.
Expandable expansion amount: 10mm

得られた結果を、下記表2にまとめて示す。   The obtained results are summarized in Table 2 below.

Figure 0006301987
Figure 0006301987

実施例1のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:5.5N/mm、TD:10.0N/mmと5〜12N/mmの範囲内であり、ゲル分率も42%で30〜50%の範囲内であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に1個しか発生が見られず良好であった。また、エキスパンド性も良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Example 1 has tear strengths in the ranges of MD: 5.5 N / mm, TD: 10.0 N / mm and 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is 42%, which is 30 to 50%. Therefore, only one dicing scrap was found on the semiconductor wafer surface, which was good. Also, the expandability was good and no breakage was observed.

実施例2のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:7.3N/mm、TD:10.9N/mmと5〜12N/mmの範囲内であり、ゲル分率も44%で30〜50%の範囲内であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に3個しか発生が見られず良好であった。また、エキスパンド性も良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Example 2 has a tear strength within the range of MD: 7.3 N / mm, TD: 10.9 N / mm and 5 to 12 N / mm, and a gel fraction of 44%, 30 to 50%. Therefore, only three dicing scraps were observed on the semiconductor wafer surface, which was good. Also, the expandability was good and no breakage was observed.

実施例3のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:5.7N/mm、TD:10.3N/mmと5〜12N/mmの範囲内であり、ゲル分率も42%で30〜50%の範囲内であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に2個しか発生が見られず良好であった。また、エキスパンド性も良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Example 3 has tear strengths in the ranges of MD: 5.7 N / mm, TD: 10.3 N / mm and 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is 42%, which is 30 to 50%. Therefore, only two dicing scraps were found on the semiconductor wafer surface, which was good. Also, the expandability was good and no breakage was observed.

実施例4のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:5.0N/mm、TD:5.9N/mmと5〜12N/mmの範囲内であり、ゲル分率も50%で30〜50%の範囲内であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に発生が見られず良好であった。また、エキスパンド性も良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Example 4 has a tear strength of MD: 5.0 N / mm, TD: 5.9 N / mm and 5 to 12 N / mm, and a gel fraction of 50%, which is 30 to 50%. Therefore, dicing waste was good because generation of dicing waste was not observed on the semiconductor wafer surface. Also, the expandability was good and no breakage was observed.

実施例5のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:10.2N/mm、TD:11.8N/mmと5〜12N/mmの範囲内であり、ゲル分率も35%で30〜50%の範囲内であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に9個しか発生が見られず良好であった。また、エキスパンド性も良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Example 5 has a tear strength of MD: 10.2 N / mm, TD: 11.8 N / mm and a range of 5 to 12 N / mm, and a gel fraction of 35%, which is 30 to 50%. Therefore, only nine dicing scraps were found on the semiconductor wafer surface, which was good. Also, the expandability was good and no breakage was observed.

比較例1のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:22.0N/mm、TD:19.0N/mmと5〜12N/mmの範囲外であり、ゲル分率は16%で30〜50%の範囲外であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に67個と多数の発生が見られた。ただし、エキスパンド性は良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Comparative Example 1 has a tear strength of MD: 22.0 N / mm, TD: 19.0 N / mm and outside the range of 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is 16%, which is 30 to 50%. Therefore, 67 dicing scraps were generated on the surface of the semiconductor wafer. However, the expandability was good and no breakage was observed.

比較例2のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:15.3N/mm、TD:17.1N/mmと5〜12N/mmの範囲外であり、ゲル分率は28%で30〜50%の範囲外であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に31個と多数の発生が見られた。ただし、エキスパンド性は良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Comparative Example 2 has a tear strength of MD: 15.3 N / mm, TD: 17.1 N / mm and outside the range of 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is 28%, 30 to 50%. Therefore, as many as 31 dicing scraps were observed on the semiconductor wafer surface. However, the expandability was good and no breakage was observed.

比較例3のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:96.7N/mm、TD:129.3N/mmと5〜12N/mmの範囲外であり、ゲル分率も5%と30〜50%の範囲外であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に97個と多数の発生が見られた。ただし、エキスパンド性は良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Comparative Example 3 has a tear strength of MD: 96.7 N / mm, TD: 129.3 N / mm and out of the range of 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is also 5% and 30 to 50%. Therefore, as many as 97 dicing scraps were observed on the semiconductor wafer surface. However, the expandability was good and no breakage was observed.

比較例4のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:70.1N/mm、TD:70.4N/mmと5〜12N/mmの範囲外であり、ゲル分率も5%と30〜50%の範囲外であるため、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に181個と多数の発生が見られた。ただし、エキスパンド性は良好で破断の発生は見られなかった。   The adhesive tape for dicing of Comparative Example 4 has a tear strength of MD: 70.1 N / mm, TD: 70.4 N / mm and outside the range of 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is also 5% and 30 to 50%. Therefore, as many as 181 dicing scraps were observed on the semiconductor wafer surface. However, the expandability was good and no breakage was observed.

比較例5のダイシング用粘着テープは引裂強度がMD:3.2N/mm、TD:4.8N/mmと5〜12N/mmの範囲外であり、ゲル分率も60%と30〜50%の範囲外であり、ダイシング屑は半導体ウェハ面上に0個であり発生は確認されなかったものの、エキスパンド性評価時にテープ破断が発生してしまった。   The adhesive tape for dicing of Comparative Example 5 has a tear strength of MD: 3.2 N / mm, TD: 4.8 N / mm and out of the range of 5 to 12 N / mm, and the gel fraction is also 60% and 30 to 50%. Although there was no dicing waste on the surface of the semiconductor wafer and generation was not confirmed, tape breakage occurred during the evaluation of expandability.

本発明の実施例1〜5のダイシング用粘着テープは、JIS K 7128−1のトラウザー引裂法によるダイシング用粘着テープの縦方向(MD)および横方向(TD)の引裂強度測定において、いずれも5〜12N/mmの範囲内にあること、および、ゲル分率測定における基材フィルムのゲル分率がいずれも30〜50%の範囲であることを満たしており、実施例1〜5の本実施例形態に係るダイシング用粘着テープを使用したときに、ダイシング屑の発生を防止できるとともに、エキスパンド工程におけるテープ破断を防止できることがわかった。   The dicing pressure-sensitive adhesive tapes of Examples 1 to 5 of the present invention are all 5 in the measurement of tearing strength in the machine direction (MD) and transverse direction (TD) of the pressure-sensitive adhesive tape for dicing by the trouser tear method of JIS K 7128-1. It is within the range of -12 N / mm, and the gel fraction of the base film in the gel fraction measurement satisfies that it is in the range of 30-50%. When using the adhesive tape for dicing which concerns on an example form, while generating generation | occurrence | production of dicing waste, it turned out that the tape fracture | rupture in an expansion process can be prevented.

以上より、本発明のダイシング用粘着テープを使用することにより、ダイシング用粘着テープの生産性に優れる、すなわち、ダイシング屑の発生防止とエキスパンド性を両立することが可能である。   As described above, by using the dicing adhesive tape of the present invention, the productivity of the dicing adhesive tape is excellent, that is, it is possible to achieve both prevention of dicing dust generation and expandability.

この結果、本発明のダイシング用粘着テープは、半導体ウェハをフルカットダイシング方法でダイシングするのに適したダイシング用粘着テープであることがわかる。   As a result, it can be seen that the dicing adhesive tape of the present invention is a dicing adhesive tape suitable for dicing a semiconductor wafer by a full-cut dicing method.

Claims (3)

基材フィルムの少なくとも一方の面に粘着剤層を有するダイシング用粘着テープであって、
前記基材フィルムが、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のアイオノマー樹脂からなり、かつ該基材フィルムのゲル分率が30〜50%であり、
前記ダイシング用粘着テープの縦方向(MD)および横方向(TD)のJIS K 7128−1のトラウザー引裂法による引裂強度が、いずれも5〜12N/mmであることを特徴とするダイシング用粘着テープ。
A pressure-sensitive adhesive tape for dicing having an adhesive layer on at least one surface of a base film,
The base film is made of an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer ionomer resin, and the base film has a gel fraction of 30 to 50%,
The dicing pressure-sensitive adhesive tape is characterized in that the tear strength by the trouser tear method of JIS K 7128-1 in the longitudinal direction (MD) and the transverse direction (TD) of the dicing pressure-sensitive adhesive tape is 5 to 12 N / mm. .
前記粘着剤層が、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体を成分とする放射線硬化型粘着剤からなることを特徴とする請求項1に記載のダイシング用粘着テープ。    2. The dicing pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a radiation-curable pressure-sensitive adhesive comprising a polymer having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in a side chain as a component. 請求項1または2に記載のダイシング用粘着テープを使用し、該ダイシング用粘着テープの基材フィルムにダイシングブレードを切り込むことを特徴とする半導体ウェハのフルカットダイシング方法。   A full cut dicing method for a semiconductor wafer, wherein the dicing adhesive tape according to claim 1 or 2 is used, and a dicing blade is cut into a base film of the dicing adhesive tape.
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JP2005068420A (en) * 2003-08-07 2005-03-17 Mitsui Chemicals Inc Adhesive sheet
JP4566527B2 (en) * 2003-08-08 2010-10-20 日東電工株式会社 Re-peelable adhesive sheet
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