JP6314519B2 - 導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置 - Google Patents

Description

本発明は、導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置に関するものである。

例えば印刷用紙等のような記録媒体に印刷を施す際には、液滴吐出ヘッドを備えた印刷装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドは、インクを一時的に貯留する圧力発生室およびそれに連通し圧力発生室内のインクを液滴として吐出する吐出口が形成された流路形成基板と、流路形成基板上に設けられ、圧力発生室に供給するインクを予備的に保持するリザーバーの一部が形成されたリザーバー形成基板と、を備えている。また、圧力発生室に隣接して圧電素子が配置されている。この圧電素子は、当該圧電素子の駆動を制御するドライバーＩＣに対し、配線パターン（導通構造）を介して電気的に接続されている。そして、圧電素子が駆動することにより、吐出口からインク滴を確実に吐出することができる。

ここで、圧電素子は、流路形成基板に設けられた圧電素子保持部という空間内に設けられている。そして、圧電素子とドライバーＩＣとを接続する配線パターンは、流路形成基板に設けられた傾斜面に沿って敷設されている。このような圧電素子とドライバーＩＣとの間を接続する配線パターン（導通構造）は、様々な方法で形成される。例えば、特許文献１では、傾斜面およびドライバーＩＣの搭載面に敷設された電気配線とドライバーＩＣの接続端子とを位置合わせしつつ、リザーバー形成基板とドライバーＩＣとを接着し、その後、無電解メッキ法により、リザーバー形成基板側の電気配線とドライバーＩＣ側の接続端子の双方にメッキを析出させる方法が採用されている。そして、相互に結合するまで双方にメッキを析出させることにより、リザーバー形成基板の電気配線とドライバーＩＣの接続端子とが電気的に接続される。
一方、特許文献２、３にも、配線基板上に半導体素子を配置した後、無電解メッキ法により配線基板の接続端子と半導体素子の接続端子の双方からメッキ金属を成長させ、配線基板と半導体素子とを電気的に接続する方法が開示されている。

特開２００６−２８９９４３号公報 特開２００５−３１１１２２号公報 特開２００６−１４０２４７号公報

しかしながら、特許文献１に開示の方法では、リザーバー形成基板のうちドライバーＩＣの搭載面に敷設された電気配線と、ドライバーＩＣの接続端子とが、互いに向かい合う状態で保持し、その後、無電解メッキ法に供されることになる。このため、ドライバーＩＣの実装方式は、いわゆるフェイスダウン方式に制限される。その結果、ドライバーＩＣの実装においては、フェイスダウン実装用の平坦面、すなわち上述のドライバーＩＣの搭載面に相当する面を用意する必要がある。このため、搭載面を広く確保する必要があり、また、配線パターンの線路長が長くなり、電気配線の配設密度を十分に高めることが難しくなる。

一方、特許文献２、３に開示の方法では、配線基板の接続端子と半導体素子の接続端子とが互いに離れている状態から、無電解メッキ法においてメッキが等方成長することを利用し、互いに離れている接続端子同士の間にメッキを繋げることで、電気的な接続を図っている。
しかしながら、前述したようにメッキは等方成長するため、互いに離れている接続端子同士の間を繋げるようにメッキが成長したとき、同時に、メッキで形成された配線パターンの幅方向（繋げようとする接続端子同士を結ぶ方向に直交する方向）にも大きく広がってしまうことになる。このため、意図しない短絡を防止するためには、配線基板の隣り合う接続端子同士、あるいは、半導体素子の隣り合う接続端子同士を十分に離す必要が生じる。その結果、接続端子の配設密度を十分に高めることができず、配線基板や半導体素子の小型化が困難になる。
本発明の目的は、基板間の配線の高密度化を図り易い導通構造、かかる導通構造を効率よく製造し得る導通構造の製造方法、前記導通構造を備え小型化が容易な液滴吐出ヘッド、およびかかる液滴吐出ヘッドを備える印刷装置を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導通構造は、主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第１導電部とを備える第１基板と、
主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第２導電部とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが向かい合うように設けられた第２基板と、
前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に接続するメッキ層と、
を有し、
前記第１導電部と前記第２導電部との間の前記メッキ層の厚さが、前記第１導電部および前記第２導電部のそれぞれの厚さよりも厚いことを特徴とする。
これにより、各基板の端面を利用して導電層を形成し、その導電層に金属を析出させてメッキ層を得ているので、形成しようとする配線の配設密度が高い場合でも、正確に配線を形成することができる。したがって、基板間の配線の高密度化を図り易い導通構造が得られる。
また、導通構造の小型化を図りつつ、端面に対して導電層を容易に形成することができる。

本発明の導通構造では、前記第２基板は、シリコンを主材料とするものであることが好ましい。
これにより、第２基板をＩＣとした場合、性能に優れたものとなる。また、第１基板もシリコンを主材料とするものである場合、第１基板と第２基板の熱膨張率が近くなるため、導通構造において反り等の不具合が発生するのを抑制することができる。

本発明の導通構造では、前記第２基板の前記端面は、シリコンの面方位（１，１，１）の面で構成されていることが好ましい。
これにより、端面の平坦性を高めるとともに、主面に対する傾斜角度の精度を高めることができる。その結果、端面に導電層とメッキ層とを形成して配線としたとき、配線の配設密度をより高めることができる。

本発明の導通構造では、前記第１基板の前記端面と前記第２基板の前記端面とが互いに同一の面上に位置していることが好ましい。
これにより、第１基板の端面に設けられた第１導電部および第２基板の端面に設けられた第２導電部の視認性が高くなり、検査作業の効率を高めることができる。すなわち、第１導電部および第２導電部を拡大観察する際に、第１導電部および第２導電部に対して拡大鏡の焦点を合わせ易いため、第１導電部および第２導電部の視認に要する時間を短縮し、検査作業に要する時間を短縮することができる。

本発明の導通構造では、前記第１基板の前記端面と前記第２基板の前記端面とが互いにずれるように位置していることが好ましい。
これにより、第１基板の主面に導電層が設けられている場合、この導電層とメッキ層との接触面積が増大する。その結果、導電層とメッキ層との間における電気的接続の信頼性をより高めることができる。

本発明の導通構造では、前記第１基板は、さらに、前記第１導電部と接続された電気回路を備えていることが好ましい。
これにより、第１導電部と電気回路との接続抵抗が小さくなるので、電気回路の動作安定性をより高めることができる。
本発明の導通構造では、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着剤層を有することが好ましい。

本発明の導通構造の製造方法は、主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第１導電部とを備える第１基板と、主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第２導電部とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが向かい合うように設けられた第２基板と、前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に接続するメッキ層と、を有する導通構造を製造する方法であって、
前記第１導電部の位置と前記第２導電部の位置とを合わせた状態で前記第１基板と前記第２基板とを接着する工程と、
メッキ法により、前記第１導電部と前記第２導電部との間の前記メッキ層の厚さが前記第１導電部および前記第２導電部のそれぞれの厚さよりも厚くなるように、前記第１導電部および前記第２導電部からそれぞれ前記メッキ層を析出させる工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、基板間の配線の高密度化を図り易い導通構造を効率よく製造することができる。

本発明の導通構造の製造方法では、前記第１基板の前記端面および前記第２基板の前記端面は、それぞれ異方性エッチング法により形成された面であることが好ましい。
これにより、被加工物である母材の主面と加工すべき面（端面）との角度を、設計通りに出し易い。このため、目的とする形状の加工を容易に行うことができ、端面の傾斜角度を設計通りに近づけることができる。

本発明の導通構造の製造方法では、前記第１導電部および前記第２導電部は、それぞれスパッタリング法により金属膜を成膜した後、前記金属膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成されたものであることが好ましい。
スパッタリング法は、比較的低温下でも密着性の高い金属膜を成膜することができるので、成膜に伴う各基板の熱影響を最小限に抑え、高精度の導通構造の実現に寄与する。また、膜厚の制御が比較的容易であるため、膜厚の均一性が高い金属膜を得ることができ、最終的には、配線のパターニング精度を高め、配線の高密度化に寄与することができる。

本発明の導通構造の製造方法では、前記メッキ法は、無電解メッキ法であることが好ましい。
これにより、各導電部に対して選択的に金属を析出させることができ、メッキ層を容易に形成することができる。
本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の導通構造を備えることを特徴とする。
これにより、小型で信頼性の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
本発明の印刷装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、小型で信頼性の高い印刷装置が得られる。

本発明の導通構造の第１実施形態を適用した液滴吐出ヘッド（本発明の液滴吐出ヘッドの第１実施形態）示す断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドを矢印Ａ方向から見た図（平面図）である。 図２中の一点鎖線で囲まれた領域［Ｂ］の拡大詳細図である。 図１中の一点鎖線で囲まれた領域［Ｃ］の拡大詳細図である。 本発明の導通構造の製造方法の第１実施形態を説明するための断面図である。 本発明の導通構造の製造方法の第１実施形態を説明するための断面図である。 本発明の導通構造の製造方法の第１実施形態を説明するための断面図である。 本発明の印刷装置の実施形態を示す斜視図である。 本発明の導通構造の第２実施形態を適用した液滴吐出ヘッド（本発明の液滴吐出ヘッドの第２実施形態）を示す部分拡大断面図である。 本発明の導通構造の第３実施形態を適用した半導体装置を示す部分拡大断面図である。

以下、本発明の導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
［液滴吐出ヘッドおよび導通構造］
図１は、本発明の導通構造の第１実施形態を適用した液滴吐出ヘッド（本発明の液滴吐出ヘッドの第１実施形態）示す断面図、図２は、図１に示す液滴吐出ヘッドを矢印Ａ方向から見た図（平面図）、図３は、図２中の一点鎖線で囲まれた領域［Ｂ］の拡大詳細図、図４は、図１中の一点鎖線で囲まれた領域［Ｃ］の拡大詳細図、図５〜７は、それぞれ本発明の導通構造の製造方法の第１実施形態を説明するための断面図、図８は、本発明の印刷装置の実施形態を示す斜視図である。なお、以下では、説明の都合上、図１、図４〜７の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。

図１〜４に示す液滴吐出ヘッド１は、板状体で構成されたベース基板２と、ベース基板２上に配置されたＩＣ（Integrated Circuit）９と、を備えている。この液滴吐出ヘッド１は、後述するように印刷装置（液滴吐出装置）１００に搭載され、例えば印刷用紙等のような記録媒体２００上にインク３００を液滴として吐出して、当該記録媒体２００に印刷を施すことができる（図８参照）。

図２に示すように、ベース基板２は、平面視で長方形をなしている。このベース基板２は、封止板１０Ａと、デバイス基板１０Ｂと、ノズル基板（ノズルプレート）２１とを有し、下側からノズル基板２１、デバイス基板１０Ｂ、封止板１０Ａの順に積層された積層体で構成されている。また、封止板１０Ａとデバイス基板１０Ｂとは、接着剤層（接着剤）１１を介して接着されている。そして、デバイス基板１０Ｂの上面と封止板１０Ａの下面とが向かい合うように配置され、それらの間に接着剤層１１が介挿されることにより接着されている。

一方、ＩＣ９と封止板１０Ａとは、接着剤層（接着剤）１４を介して接着されている。そして、封止板１０Ａの上面とＩＣ９の下面とが向かい合うように配置され、それらの間に接着剤層１４が介挿されることにより接着されている。
なお、本実施形態および後述する第２実施形態に係るデバイス基板１０Ｂ、封止板１０ＡおよびＩＣ９は、いずれも図４の左右方向に広がる板状をなしている。そこで、本実施形態および第２実施形態についての説明では、デバイス基板１０Ｂ、封止板１０ＡおよびＩＣ９がそれぞれ有する２つの主面のうち、図４の上方に位置する主面を「上面」といい、下方に位置する主面を「下面」という。
これらの接着剤層１１、１４の厚さとしては、特に限定されず、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下であるのがより好ましい。また、デバイス基板１０Ｂとノズル基板２１も、接着剤層（図示せず）を介して接着されている。

封止板１０Ａは、積層体で構成され、リザーバー形成基板（保護基板）２４と、コンプライアンス基板２６と有し、これらがこの順に下側から積層されたものとなっている。また、デバイス基板１０Ｂも、それぞれ積層体で構成され、流路形成基板２２と、振動板２３と、複数の圧電素子２５とを有し、これらがこの順に下側から積層されたものとなっている。そして、各積層体では、当該積層体を構成する各層が例えば図示しない接着剤層や熱溶着フィルム等を介して接着されている。
このようにベース基板２が積層体で構成されていることにより、当該積層体を構成する各層をそれぞれ用途、機能に応じて使用することができる。これにより、薄型の液滴吐出ヘッド１を得ることができ、印刷装置１００の小型化に寄与する。

図１に示すように、ノズル基板２１は、当該ノズル基板２１を貫通して、すなわちベース基板２（板状体）の下面２１２に開口して形成された吐出口（ノズル開口）２１１を複数有している。これらの吐出口２１１は、行列状に配置されている。本実施形態では、吐出口２１１は、ベース基板２の長手方向（長辺方向）に１個以上、幅方向（短辺方向）に２列に配置されている。
なお、各吐出口２１１には、撥水性を有するコーティング層が設けられているのが好ましい。これにより、各吐出口２１１から吐出された液滴は、それぞれ、鉛直下方に向かって落下し易くなり、記録媒体２００上の着弾されるべき位置に確実に着弾することができる。

また、ノズル基板２１の構成材料は、特に限定されないが、例えば、シリコン材料またはステンレス鋼が好ましく用いられる。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインク３００に曝されたとしても、ノズル基板２１が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズル基板２１が得られる。このため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。

流路形成基板２２には、各吐出口２１１に向かってインク３００が通過する流路（キャビティー）２２１が形成されている。この流路２２１は、例えばエッチングにより形成される。図１に示すように、各流路２２１は、それぞれ、圧力発生室２２２と、中継室（連通部）２２３と、圧力発生室２２２と中継室２２３とを連通させる連通路（供給路）２２４とに分けることができる。

圧力発生室２２２は、各吐出口２１１にそれぞれ対応して設けられ、当該吐出口２１１を介して外部と連通している。
中継室２２３は、圧力発生室２２２よりも上流側に設けられている。
また、連通路２２４は、圧力発生室２２２と中継室２２３との間に設けられている。
なお、流路形成基板２２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ノズル基板２１の構成材料と同じものを用いることができる。

振動板２３は、後述する圧電素子２５の駆動により、その厚さ方向に振動し得るものである。また、振動板２３は、その一部が圧力発生室２２２に臨んでいる。そして、振動板２３が振動することにより、圧力発生室２２２内の圧力が変化し、圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。
このような振動板２３は、流路形成基板２２側から順に弾性膜２３１と下電極膜２３２とを積層してなるものである。弾性膜２３１は、例えば１μｍ以上２μｍ以下程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。下電極膜２３２は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３２は、流路形成基板２２とリザーバー形成基板２４との間に配される複数の圧電素子２５の共通電極としても機能する。

リザーバー形成基板２４には、インク３００を一時的に貯留するリザーバー２４１が、流路形成基板２２の各流路２２１にそれぞれ連通して形成されている。図１に示すように、各リザーバー２４１は、それぞれ、第１室（リザーバー部）２４２と、第２室（導入路）２４３と、第１室２４２と第２室２４３とを連通させる連通路２４４とに分けることができる。

第１室２４２は、流路形成基板２２の流路２２１の中継室２２３の上方に位置している。なお、振動板２３は、第１室２４２と中継室２２３との間の部分が貫通しており、これにより、第１室２４２と中継室２２３とが連通する。
第２室２４３は、第１室２４２よりも上流側に設けられている。
また、連通路２４４は、第１室２４２と第２室２４３との間に設けられている。

なお、液滴吐出ヘッド１では、中継室２２３がリザーバー２４１の一部を構成しているということもできる。
また、リザーバー形成基板２４には、各圧電素子２５をそれぞれ収納する圧電素子収納室２４５が形成されている。圧電素子収納室２４５は、リザーバー２４１と独立して形成されている。
リザーバー形成基板２４の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シリコンやガラス等を用いることができる。

各圧電素子２５は、それぞれ、下電極膜２３２側から順に圧電体膜（ピエゾ素子）２５１と、上電極膜２５２とを積層してなるものである。そして、上電極膜２５２と下電極膜２３２との間に電圧を印加した際、圧電効果により圧電体膜２５１が変形する。この変形により、振動板２３が上下方向に振動する。前述したように、振動板２３の振動により、圧力発生室２２２内の圧力が変化して、当該圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。このようにして、各圧電素子２５は、それぞれ振動板２３を介して吐出口２１１からインク３００（液滴）を吐出させるように構成されている。

コンプライアンス基板２６は、リザーバー形成基板２４側から順に封止膜２６１と固定板２６２とを積層してなるものである。封止膜２６１は、可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）で構成されている。この封止膜２６１の一部は、リザーバー２４１に臨んでいる。また、固定板２６２は、金属材料等のような比較的硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）で構成されている。この固定板２６２のうち、リザーバー２４１側に臨む部分には、当該部分が欠損した欠損部２６３が形成されている。

また、コンプライアンス基板２６には、封止膜２６１と固定板２６２とを一括して貫通する導入口２６４が形成されている。導入口２６４は、各リザーバー２４１にそれぞれ連通しており、当該リザーバー２４１にインク３００を導入する部分である。
そして、以上のような積層体で構成されたベース基板２には、図１に示すように、封止板１０Ａ（コンプライアンス基板２６）の上面２６５の中央部に開口する凹部２７が形成されている。この凹部２７は、例えばエッチングで、封止板１０Ａをその厚さ方向に貫通するまで欠損させることにより形成されている。

また、図１、図２に示すように、凹部２７は、ベース基板２の長手方向に沿った溝状をなしている。そして、この凹部２７は、底部２７１と、底部２７１から立設し、凹部２７（溝）の幅方向（交差する方向）に対向する第１の側壁部（側壁部）２７２ａ、２７２ｂと、底部２７１から立設し、凹部２７の長手方向に対向する第２の側壁部２７３ａ、２７３ｂとで構成されている。
凹部２７０のうち、底部２７１は、平坦な部分となっている。

また、第１の側壁部２７２ａと第１の側壁部２７２ｂとは、それぞれ、底部２７１（および封止板１０Ａの上面２６５）に対し傾斜している。なお、その傾斜角度は、特に限定されないが、例えば、リザーバー形成基板２４をシリコンで構成した場合、その面方位によって適宜設定され、５４．７度や３５．７度といった角度のものが形成され易い。また、第１の側壁部２７２ａと第１の側壁部２７２ｂとは、互いの離間距離が上面２６５側に向かって漸増するように構成されている。

第２の側壁部２７３ａと第２の側壁部２７３ｂも、それぞれ、第１の側壁部２７２ａ、２７２ｂと同様に、底部２７１に対し傾斜している。また、第２の側壁部２７３ａと第２の側壁部２７３ｂとは、互いの離間距離が上面２６５側に向かって漸増している。
このように第１の側壁部２７２ａと第１の側壁部２７２ｂと第２の側壁部２７３ａと第２の側壁部２７３ｂとがそれぞれ傾斜していることにより、凹部２７を例えばエッチングにより形成する際に、その形成を容易かつ確実に行なうことができる。

換言すれば、底部２７１は、デバイス基板１０Ｂの上面に相当する部位である。また、第１の側壁部２７２ａ、第１の側壁部２７２ｂ、第２の側壁部２７３ａおよび第２の側壁部２７３ｂは、それぞれ封止板１０Ａの端面で構成されている。この端面は、封止板１０Ａの上面および下面に対して連続しており、かつ、上面および下面に対して前述したように傾斜しているといえる。

ＩＣ９は、図１に示すように、半導体基板上に形成された図示しない電子回路（電気回路）と、この電子回路と電気的に接続された複数の端子９３とを有している。
本実施形態では、図１〜３に示すように、凹部２７を挟んで２つのＩＣ９が配置されている。
このようなＩＣ９は、例えばシリコン、ゲルマニウム、化合物半導体材料等の各種半導体材料を主材料として構成されており、その中でもシリコンを主材料とするものが好ましく用いられる。シリコンを主材料とするＩＣ９は、性能に優れるとともに、リザーバー形成基板２４と熱膨張率が近くなるため、反り等の発生を抑制することができる。
ＩＣ９は、前述したように、その下面９１が接着剤層１４を介して封止板１０Ａの上面２６５と接着されている。また、ＩＣ９の上面９２は、下面９１とほぼ平行である。

一方、ＩＣ９の端面９４ａは、図４に示すように、前述した封止板１０Ａの第１の側壁部２７２ａと互いに同一の面上に位置している。また、凹部２７の幅方向において端面９４ａに対向する位置には、上述したＩＣ９とは別のＩＣ９の端面９４ｂがある。この端面９４ｂも、図１に示すように、前述した封止板１０Ａの第１の側壁部２７２ｂと互いに同一の面上に位置している。

これらの端面９４ａ、９４ｂは、図４に示すように、ＩＣ９の下面９１に対して非平行の関係を満足していればよい。すなわち、端面９４ａ、９４ｂと下面９１とがなす角度が、それぞれ０°超であればよい。
また、端面９４ａ、９４ｂと下面９１とがなす角度は、それぞれ９０°（直角）であってもよい。ただし、液滴吐出ヘッド１の小型化等を考慮した場合、端面９４ａ、９４ｂと下面９１とがなす角度は、それぞれ９０°未満、すなわち端面９４ａ、９４ｂが下面９１に対して傾斜しているのが好ましく、３０°以上７５°以下程度にするのがより好ましい。これにより、導通構造および液滴吐出ヘッド１の小型化を図りつつ、端面９４ａ、９４ｂに対して配線パターン２８を容易に形成することができる。

また、シリコンを主材料とするＩＣ９の場合、端面９４ａ、９４ｂをシリコンの面方位（１，１，１）の面で構成するのが好ましい。このような面を端面９４ａ、９４ｂとして用いることにより、端面９４ａ、９４ｂの平坦性を高めるとともに、端面９４ａ、９４ｂの傾斜角度の精度を高めることができる。これにより、後述するようにして端面９４ａ、９４ｂに配線パターン２８を形成したとき、配設密度をより高めることができる。

また、この場合、リザーバー形成基板２４についても、第１の側壁部２７２ａ、２７２ｂをシリコンの面方位（１，１，１）の面で構成するのが好ましい。これにより、端面９４ａと第１の側壁部２７２ａとは互いに平行になり、かつ、端面９４ｂと第１の側壁部２７２ｂも互いに平行になる。このため、端面９４ａと第１の側壁部２７２ａとを互いに同一の面上に位置させることが容易になり、同様に、端面９４ｂと第１の側壁部２７２ｂも互いに同一の面上に位置させるのが容易になる。

なお、端面９４ａ、９４ｂを構成するシリコンの面方位は、上記のものに限定されず、例えば面方位（１，０，０）の面等であってもよい。
端子９３は、ＩＣ９の入出力用端子であり、ＩＣ９の上面９２の一部に露出するよう設けられている。なお、後述する配線パターンの配線長を考慮した場合、端子９３は、端面９４ａ、９４ｂの近傍に位置しているのが好ましい。端子９３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金や銅等のような電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。

図１、３、４に示すように、凹部２７には、配線パターン２８が設けられている。この配線パターン２８は、線状をなす多数本の配線２８０で構成されている。これらの配線２８０は、第１の側壁部２７２ａ側と第１の側壁部２７２ｂ側とにそれぞれ分散配置されている。なお、図２では、配線パターン２８の図示を省略している。
また、第１の側壁部２７２ａ側にある多数本の配線２８０と、第１の側壁部２７２ｂ側にある多数本の配線２８０とは、凹部２７（ベース基板２）の幅方向に互いに離間している。

さらに、図３に示すように、第１の側壁部２７２ａ側において隣り合う配線２８０は、凹部２７の長手方向に互いに離間している、すなわち、凹部２７の長手方向に沿って間隔を置いて配置されている。なお、これらの配線２８０の間隔は、凹部２７の底部２７１側に向かって漸増している。このような間隙が形成されていることにより、第１の側壁部２７２ａ側では、隣り合う配線２８０がショートする（短絡する）のが防止される。
これと同様に、第１の側壁部２７２ｂ側において隣り合う配線２８０も、凹部２７の長手方向に沿って間隔を置いて配置されている。そして、これらの配線２８０の間隔も、凹部２７の底部２７１側に向かって漸増している。

以下、各配線２８０の構成についてさらに詳述するが、以下の説明では、代表的に図４に示す配線２８０について説明する。なお、他の配線２８０についても、以下と同様の説明が適用可能である。
図４に示す配線２８０は、ＩＣ９の上面９２から凹部２７の底部２７１までの間を、ＩＣ９の端面９４ａおよび第１の側壁部２７２ａを経て電気的に接続する１本の連続した導電路である。このような配線２８０を備える導通構造により、ＩＣ９と圧電素子２５とが電気的に接続され、液滴吐出ヘッド１を作動させることができる。ここで、本実施形態に係る配線２８０は、積層構造になっており、図４において端面９４ａ側、第１の側壁部２７２ａ側あるいは圧電体膜２５１側に位置する導電部２８１と、導電部２８１のうち、端面９４ａ、第１の側壁部２７２ａおよび圧電体膜２５１側とは反対側に重なるように設けられたメッキ層２８２とを備えている。このように配線２８０を２層構造にすることで、配線パターン２８の電気抵抗を低下させ、液滴吐出ヘッド１の消費電力の削減や圧電素子２５の作動の高速化等を図ることができる。また、配線２８０が断線し難くなるため、液滴吐出ヘッド１の信頼性を高めることができる。

配線２８０のうち、図４に示す導電部２８１は、３つの部分に分けられる。具体的には、凹部２７の底部２７１（デバイス基板１０Ｂの上面）に設けられた導電部２９１と、ＩＣ９の上面９２から端面９４ａにかけて設けられた導電部２９２と、封止板１０Ａの端面（凹部２７の第１の側壁部２７２ａ）に設けられた導電部２９３とに分けられる。なお、導電部２９１と導電部２９３との間、および、導電部２９２と導電部２９３との間は、それぞれ互いに接触していてもよいが、本実施形態では図４に示すようにそれぞれ互いに離間している。また、本実施形態に係る導電部２９１は、圧電素子２５の上電極膜２５２の一部である。

なお、前述したように、ＩＣ９の端面９４ａと封止板１０Ａの端面（凹部２７の第１の側壁部２７２ａ）とは、互いに同一の面上に位置している。これにより、これらの端面に設けられた導電部２８１の視認性が高くなり、検査作業の効率を高めることができる。すなわち、導電部２８１を拡大観察する際に、導電部２８１の各部に対して拡大鏡の焦点を合わせ易いため、導電部２８１の視認に要する時間を短縮し、検査作業に要する時間を短縮することができる。
なお、ＩＣ９の端面９４ａと封止板１０Ａの端面とが互いに同一の面上に位置しているとは、２つの面がなす角度が５°未満であり、かつ、２つの面の段差が１００μｍ未満である状態のことをいう。

一方、図４に示すメッキ層２８２は、導電部２８１に重なるように設けられている。これにより、導電部２８１が補強されるとともに、互いに離間している導電部２９１と導電部２９３との間および導電部２９２と導電部２９３との間がそれぞれ電気的に接続される。その結果、信頼性が高くかつ導電性に優れた配線２８０が得られる。
このようなメッキ層２８２は、各種メッキ法により形成される。メッキ法では、下地部に金属成分が析出することによって膜を形成することができる。このため、導電部２８１をあらかじめ線状に成形しておくことにより、メッキ層２８２も自ずと線状に成長することになる。換言すれば、下地である導電部２８１の形状を維持しながらメッキ層２８２を形成することができる。その結果、配線２８０は、高密度に形成されている場合（細線パターンが狭ピッチで形成されている場合）であっても正確な製造が容易な構成を有している。

さらには、配線２８０は、前述したように２層構造を有しているとともに、２層のうちの１層はメッキ層２８２であることから、膜厚の調整が容易である。このため、配線２８０の高密度化と低抵抗化とを容易に両立させることができ、液滴吐出ヘッド１の消費電力の削減と圧電素子２５の作動の高速化とを両立させることができる。
換言すれば、配線２８０を２層構造にすることで、配線２８０の細線化が容易になる。配線２８０を２層構造にすることで、同じ線幅であっても電気抵抗の上昇を抑え易くなるため、配線２８０の細線化をより図り易くなるからである。このため、かかる観点からも、配線２８０の高密度化を図ることができる。

また、本実施形態に係る液滴吐出ヘッド１では、ＩＣ９の端子９３が実装面とは反対側に位置している状態、いわゆるフェイスアップの状態でＩＣ９が実装されている。このため、いわゆるフェイスダウンの状態で実装されている場合に比べて、ＩＣ９をベース基板２に実装した状態であっても、端子９３と配線２８０との接続部を直接視認することができる。その結果、端子９３と配線２８０との接続状態の検査作業を容易に行うことができるという利点もある。
さらに、本実施形態に係る配線２８０は、前述したように傾斜している面を利用して敷設されているので、図１のＡ方向から容易に視認することができる。このため、配線２８０の検査作業が容易になるとともに、後述する成膜法によって導電部２８１を容易に形成することができ、かつ、導電部２８１の膜厚の均一化も図られ易いという利点もある。

一方、本実施形態に係る封止板１０Ａは、リザーバー形成基板２４の上面に設けられた導電層２４６を備えている。この導電層２４６は、必要に応じて設けられ、省略されてもよいが、例えばパターニングによって形成された電気配線を有していてもよい。すなわち、封止板１０Ａにも、任意の電子回路が形成されていてもよい。この場合、導電層２４６の一部を前述した導電部２９３とすることにより、導電層２４６が配線２８０と電気的に接続されることになるので、封止板１０Ａに形成された電子回路をＩＣ９や圧電素子２５と電気的に接続することもできる。換言すれば、ＩＣ９、封止板１０Ａの電子回路、および圧電素子２５を、配線２８０を介して三次元的に接続することができる。

なお、導電層２４６と配線２８０との間は、各配線２８０の全てにおいて接続されていてもよく、任意の配線２８０を選択的に接続されていてもよい。すなわち、配線パターン２８には、圧電素子２５とＩＣ９とを電気的に接続する配線２８０の他、導電層２４６と圧電素子２５とを接続する配線２８０、ＩＣ９と導電層２４６とを接続する配線２８０等が含まれていてもよい。

また、導電部２８１や導電層２４６は、それぞれ導電性を有する材料、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｕの単体または化合物等が挙げられる。
さらに、導電部２８１や導電層２４６は、それぞれ単層構造であってもよく、複数の層が重なった積層構造であってもよい。後者の場合、下地側の層（メッキ層２８２から遠い側の層）をＮｉ−Ｃｒ系合金で構成し、メッキ層２８２側の層をＡｕで構成するのが好ましい。これにより、導電部２８１の密着性と導電性とを両立させることができる。

一方、メッキ層２８２は、導電性を有し、かつメッキ法で析出可能な材料で構成される。かかる材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ａｇ等が挙げられる。また、メッキ層２８２には、メッキ法において共析し得る物質が含まれていてもよい。かかる物質としては、例えば、Ｐ、Ｂ、Ｂｉ等が挙げられる。
以上のような配線パターン２８を介してＩＣ９と圧電素子２５との導通を図るように構成された本実施形態に係る導通構造は、配線パターン２８の高密度化が可能であるとともに、容易に製造可能であるという点で有用である。加えて、かかる導通構造は、傾斜面を利用して配線パターン２８を敷設するように構成されているため、フォトリソグラフィー法等の精密加工技術の適用が可能であるという利点がある。このため、本実施形態に係る導通構造は、積層された基板の厚さ方向に沿って基板同士を繋ぐように配線パターン２８を敷設する場合において、特に高密度化と製造容易性とを両立し得る点で利用価値が高いといえる。

なお、必要に応じて、ＩＣ９とデバイス基板１０Ｂとの間に、複数枚の封止板１０Ａを介挿するようにしてもよい。また、封止板１０Ａに準じた別の部材が介挿されていてもよい。このような場合でも、上述した効果を得ることができる。
また、１つの液滴吐出ヘッド１に搭載されるＩＣ９の数は、特に限定されず、本実施形態より多くても少なくてもよい。

一方、各ＩＣ９のうち、配線パターン２８が敷設されている端面９４ａとは反対側の端面９４ａ’には、導電部２８１’とメッキ層２８２’とを備える配線２８０’からなる配線パターン２８’が敷設されている。このような配線２８０’（配線パターン２８’）の構成も、上述した配線２８０（配線パターン２８）と同様である。したがって、配線２８０’においても、配線２８０がもたらす上述したような効果が発揮される。すなわち、配線２８０’は、ＩＣ９の端子９３と導電層２４６とを電気的に接続している。その配線２８０’の高密度化および高信頼性化が図られることにより、液滴吐出ヘッド１のさらなる小型化と高信頼性化とを図ることができる。
なお、各図では、ＩＣ９の端面に敷設されている配線２８０と配線２８０’とが導電層２４６を介して電気的に接続されているように図示されているが、図示の便宜上そのようになっているだけであって、電気的に絶縁されていてもよい。

［導通構造の製造方法］
次に、本発明の導通構造の製造方法の実施形態を含む液滴吐出ヘッド（図１に示す液滴吐出ヘッド１）の製造方法について説明する。なお、図５〜７では、液滴吐出ヘッド１のうち、一部のみを図示しており、他部の図示は省略している。
液滴吐出ヘッド１の製造方法は、導電部２９１を備えるデバイス基板１０Ｂ、導電部２９２を備えるＩＣ９、および導電部２９３を備える封止板１０Ａを用意し、導電部２９１の位置と導電部２９３の位置とを合わせた状態でデバイス基板１０Ｂと封止板１０Ａとを接着するとともに、導電部２９２の位置と導電部２９３の位置とを合わせた状態で封止板１０ＡとＩＣ９とを接着する工程と、メッキ法により、導電部２９１、導電部２９２および導電部２９３からそれぞれメッキ層２８２を析出させる工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。

［１］まず、図５（ａ）に示すようなリザーバー形成基板２４を用意する。このリザーバー形成基板２４は、例えば未加工の母材に異方性エッチング等の加工を施すことにより形成される。異方性エッチング法によれば、母材の主面と加工面との角度を、設計通りに出し易い。このため、目的とする形状の加工を容易に行うことができる。特に、凹部２７の第１の側壁部２７２ａを形成する際、その傾斜角度を設計通りに近づけることができ、リザーバー形成基板２４の寸法精度を特に高めることができる。

異方性エッチングを施す場合、まず、母材を熱酸化させて、例えば厚さ７００ｎｍ程度のＳｉＯ_２膜を母材の外表面に形成する。次いで、レジストを母材の両面に塗布してパターニングを施す。次いで、母材をフッ酸に浸漬し、ＳｉＯ_２膜の一部を除去し母材の外表面を露出させる。次いで、レジストを剥離した後、濃度３５％程度のＫＯＨ溶液に母材を浸漬し、当該母材に凹部２７や圧電素子収納室２４５等を形成する。これにより、リザーバー形成基板２４が得られる。次いで、フッ酸でＳｉＯ_２膜をエッチングした後、リザーバー形成基板２４を再度熱酸化させ、当該リザーバー形成基板２４の外表面を絶縁化する。

次に、図５（ｂ）に示すように、リザーバー形成基板２４の上面に導電層２４６を形成する。その後、必要に応じて、導電層２４６をパターニングする。これにより、導電層２４６中に電子回路を形成することができる。なお、導電層２４６の形成方法およびパターニング方法は、後述する導電部２９２、２９２’の形成方法およびパターニング方法と同様である。

また、導電層２４６の形成にあたっては、リザーバー形成基板２４の端面側、すなわち凹部２７の第１の側壁部２７２ａ側にも延長させるように形成する。これにより、前述した導電部２９３を得ることができる。
以上のようにして封止板１０Ａが得られる。
続いて、図５（ｃ）に示すようなデバイス基板１０Ｂを用意する。このデバイス基板１０Ｂは、前述したように、流路形成基板２２、振動板２３および複数の圧電素子２５等を備えている。そして、接着剤層１１を介して封止板１０Ａとデバイス基板１０Ｂとを接着する。なお、流路形成基板２２は封止板１０Ａとデバイス基板１０Ｂとを接着した後に形成する。

接着剤層１１を構成する接着剤の組成は、特に限定されず、いかなるものであってもよいが、熱硬化性樹脂を主成分とするものが好ましく用いられる。このような接着剤は、比較的耐熱性や耐薬品性が高いことから、メッキ処理において劣化し難い接着剤層１１を形成することができる。具体的には、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、オレフィン系接着剤等が挙げられる。

また、デバイス基板１０Ｂの下面にノズル基板２１を接着する。また、図５（ｃ）には図示しないものの、コンプライアンス基板２６等も形成する。以上のようにして図５（ｃ）に示すベース基板２が得られる。
なお、デバイス基板１０Ｂの上面に封止板１０Ａを接着すると、デバイス基板１０Ｂが備える導電部２９１と封止板１０Ａが備える導電部２９３との間には、接着剤層１１の膜厚に相当する長さの隙間２９４が生じることとなる。この隙間２９４の長さ（図５の上下方向における長さ）は、接着剤層１１の膜厚や導電部２９３のパターンに応じて異なるものの、０．１μｍ以上５μｍ以下に設定されるのが好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下に設定されるのがより好ましい。このような長さの隙間２９４であれば、後述するメッキ層２８２によってこの隙間２９４を十分に埋めることができ、信頼性の高い配線２８０を得ることができる。

次に、図６（ｄ）に示すように、ＩＣ９を用意する。このＩＣ９は、基板状をなしており、上面９２に設けられた端子９３を備えている。また、端面９４ａは、前述したように傾斜面になっている。
続いて、図６（ｅ）に示すように、導電部２９２および導電部２９２’を形成する。これらの導電部２９２、２９２’は、例えば、ＩＣ９の全体に対して金属膜を成膜した後、パターニングを施すことによって形成される。以下、詳細に説明する。

金属膜は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法のような各種成膜法、メッキ法等により成膜される。このうち、スパッタリング法が好ましく用いられる。スパッタリング法は、比較的低温下でも密着性の高い金属膜を成膜することができるので、成膜に伴うベース基板２の熱影響を最小限に抑え、高精度の液滴吐出ヘッド１の実現に寄与する。また、膜厚の制御が比較的容易であるため、膜厚の均一性が高い金属膜を得ることができ、最終的には、導電部２９２、２９２’（導電部２８１）のパターニング精度を高め、配線２８０の高密度化に寄与することができる。なお、この金属膜は、導電部２９２、２９２’を形成するためのものであり、したがって前述したように単層であっても多層であってもよい。

次いで、得られた金属膜状にレジストを形成する。そして、フォトリソグラフィー（露光、現像）法により、レジストのパターニングを行う。
続いて、金属膜にエッチング処理を施す。ウェットエッチングの場合、エッチング液としてはヨウ素系のもの、硝酸系のもの、塩酸系のもの、過酸化水素系のものが好ましく用いられる。

次いで、レジストを剥離する。これにより、金属膜にパターニングが施され、図６（ｅ）に示す導電部２９２、２９２’が得られる。そして、互いに離間した導電部２９１、導電部２９２および導電部２９３を備える導電部２８１が得られる。
次いで、図６（ｆ）に示すように、ベース基板２の上面に、導電部２９２、２９２’を形成したＩＣ９を接着する。この接着には、接着剤層１４を用いるが、このとき、凹部２７の第１の側壁部２７２ａとＩＣ９の端面９４ａとが同一の面上に位置するように、ＩＣ９の配置を調整する。同様に、凹部２７の第１の側壁部２７２ｂとＩＣ９の端面９４ｂとが同一の面上に位置するように、ＩＣ９の位置を調整する。
接着剤層１４を構成する接着剤の組成も、特に限定されず、前述した接着剤層１１を構成する接着剤の組成と同様である。

なお、ベース基板２の上面にＩＣ９を接着すると、ベース基板２が備える導電部２９３とＩＣ９に設けられた導電部２９２との間には、接着剤層１４の膜厚に相当する長さの隙間２９５が生じることとなる。この隙間２９５の長さ（図６の上下方向における長さ）は、接着剤層１４の膜厚や導電部２９２および導電部２９３のパターンに応じて異なるものの、０．１μｍ以上５μｍ以下に設定されるのが好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下に設定されるのがより好ましい。このような長さの隙間２９５であれば、後述するメッキ層２８２によってこの隙間２９５を十分に埋めることができ、信頼性の高い配線２８０を得ることができる。

また、後述する工程においてメッキ層２８２を形成する観点からは、図５において接着剤層１１の端部のうち凹部２７側の端部は、リザーバー形成基板２４の下端部と揃っているか、あるいは、リザーバー形成基板２４の下端部よりも凹部２７側とは反対側に若干後退しているのが好ましい。これにより、メッキ層２８２を析出させたとき、接着剤層１１との干渉によってメッキ層２８２が途切れることが抑制され、配線２８０の信頼性をより高めることができる。

また、これと同様に、図６において接着剤層１４の端部のうち凹部２７側の端部は、ＩＣ９の下端部と揃っているか、あるいは、ＩＣ９の下端部より凹部２７側とは反対側に若干後退しているのが好ましい。これにより、メッキ層２８２を析出させたとき、接着剤層１４との干渉によってメッキ層２８２が途切れることが抑制され、導電部２８１の信頼性をＩＣ９と封止板１０Ａとの間で金属膜が途切れ難くなり、配線２８０の信頼性をより高めることができる。

なお、接着剤層１１、１４が後退しているとき、その後退量は、特に限定されないが、０．１μｍ以上５μｍ以下に設定されるのが好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下に設定されるのがより好ましい。接着剤層１１、１４の後退量を前記範囲内に設定することで、前述した隙間２９４、２９５の幅（図５、６の左右方向における長さ）が一定程度確保されることとなる。その結果、後述する工程においてこれらの隙間２９４、２９５にメッキ層２８２が入り込むことにより、メッキ層２８２の密着性が向上し、液滴吐出ヘッド１の信頼性をさらに高めることができる。

［２］次に、メッキ法により、図７（ｇ）に示すように、導電部２８１に対してメッキ金属Ｍを析出させる。同様に、導電部２９２’および導電層２４６に対してメッキ金属Ｍを析出させる。これにより、図７（ｈ）に示す配線２８０、２８０’（配線パターン２８、２８’）が形成される。
メッキ法は、電解メッキ法であってもよいが、好ましくは無電解メッキ法が用いられる。無電解メッキ法によれば、図７（ｇ）に矢印で示すように、導電部２８１等に対して選択的にメッキ金属Ｍを析出させ、メッキ層２８２、２８２’を容易に形成することができる。また、電極の取り付けといった作業が不要であり、また、凹部２７があってもメッキ液が浸入しさえすればメッキが可能であるため、特に液滴吐出ヘッド１のような形態に対して好適に適用される。

ここで、メッキ法では、導電部２８１からメッキ金属Ｍが等方的に析出し、成長する。このため、互いに離間している導電部２９１、導電部２９２および導電部２９３においてメッキ金属Ｍが徐々に成長するに伴って、前述した隙間２９４、２９５が徐々に狭まる。そして、最終的には、隙間２９４、２９５がメッキ金属Ｍで埋まることにより、導電部２９１と導電部２９３との間、および、導電部２９２と導電部２９３との間をそれぞれ電気的に接続することができる。

なお、メッキ法の場合、導電部２８１からメッキ金属Ｍが等方的に析出するため、メッキ層２８２は導電部２８１の厚さ方向のみならず、幅方向にも成長する。このとき、隣り合う導電部２８１同士の離間距離が小さい場合、短絡が生じるおそれがある。これに対し、本実施形態では、前述したように、金属膜をパターニングして導電部２８１を形成し、その後、隙間２９４、２９５を埋めて電気的な接続を図ることを主な目的としてメッキ層２８２を形成している。このため、メッキ層２８２の厚さは、メッキ層２８２によって隙間２９４、２９５を埋める程度の厚さであれば十分であり、必要以上に厚くする必要がないといえる。したがって、隣り合う導電部２８１同士の離間距離が小さい場合にも、メッキ層２８２を形成することが可能になり、その結果、配線２８０の高密度化と低抵抗化とを両立させることができる。

また、本実施形態では、ＩＣ９に対して導電部２９２、封止板１０Ａに対して導電部２９３、およびデバイス基板１０Ｂに対して導電部２９１をあらかじめそれぞれ形成して、ＩＣ９と封止板１０Ａとデバイス基板１０Ｂとを接着した後、メッキ層２８２を形成している。このため、導電部２９１、導電部２９２および導電部２９３のパターニングの形状を適宜設定することによって、導電部２９１と導電部２９３との離間距離、および、導電部２９２と導電部２９３との離間距離を十分に短くしておくことが容易であり、したがって、隙間２９４、２９５の長さを前述したような非常に短い長さに設定することが容易である。

なお、本実施形態では、金属膜のパターニングにより導電部２８１を形成した後、それに対してメッキ層２８２を析出させているので、得られる配線２８０の精細度を、ほぼ導電部２８１の精細度に近づけることができる。したがって、導電部２８１を例えばフォトリソグラフィー法により形成することで、精細度の高い導電部２８１を得ることができ、最終的に精細度の高い配線２８０を得ることができる。かかる観点からも、配線２８０の高密度化を図り、もって、液滴吐出ヘッド１の小型化を図ることができる。

以上のようにして得られた液滴吐出ヘッド１は、配線２８０の高密度化によって小型化を図り易く、また、配線２８０の低抵抗化によって作動性能の向上（例えば高速化等）や信頼性の向上が図り易いという利点を有するものとなる。
なお、本実施形態は、１枚の母材から１枚のリザーバー形成基板２４を形成するようにした例であるが、本発明はこれに限定されず、１枚の母材から複数のリザーバー形成基板２４を形成し、最終的には個片化作業を経て、１つの液滴吐出ヘッド１を製造するようにしてもよい。

［印刷装置］
次に、液滴吐出ヘッド１を備えた印刷装置１００について説明する。
図８に示す印刷装置１００は、記録媒体２００にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この印刷装置１００は、装置本体５０と、液滴吐出ヘッド１が搭載された記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂと、インク３００を供給するインクカートリッジ３０Ａおよび３０Ｂと、記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂを搬送するキャリッジ４０と、キャリッジ４０を移動させる移動機構７０と、キャリッジ４０を移動可能に支持する（案内する）キャリッジ軸６０とを備えている。

インクカートリッジ３０Ａは、記録ヘッドユニット２０Ａに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ａにインク３００（ブラックインク組成物）を供給することができる。
インクカートリッジ３０Ｂも、記録ヘッドユニット２０Ｂに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ｂにインク３００（カラーインク組成物）を供給することができる。

移動機構７０は、駆動モーター７０１と、駆動モーター７０１に連結されたタイミングベルト７０２とを有している。そして、駆動モーター７０１の駆動力（回転力）がタイミングベルト７０２を介してキャリッジ４０に伝達されることにより、キャリッジ４０を記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂごとキャリッジ軸６０方向に沿って移動させることができる。

また、装置本体５０には、キャリッジ軸６０の下側にその軸方向に沿ってプラテン８０が設けられている。図示しない給紙ローラーなどにより給紙された記録媒体２００がプラテン８０上に搬送されるようになっている。そして、プラテン８０上で記録媒体２００に対してインク３００が吐出されて印刷が施される。
本発明によれば、液滴吐出ヘッド１の小型化と信頼性の向上とを図ることができるので、かかる印刷装置１００についても小型化および信頼性の向上が図られる。

＜第２実施形態＞
図９は、本発明の導通構造の第２実施形態を適用した液滴吐出ヘッド（本発明の液滴吐出ヘッドの第２実施形態）を示す部分拡大断面図である。なお、以下の説明では、説明の都合上、図９の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
以下、第２実施形態について説明するが、以下の説明では、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

第２実施形態に係る液滴吐出ヘッド１は、ＩＣ９の端面９４ａと、凹部２７の第１の側壁部２７２ａとが、互いにずれるように位置していること以外、第１実施形態に係る液滴吐出ヘッド１と同様である。なお、図９において、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図９に示すＩＣ９は、その端面９４ａが、凹部２７の第１の側壁部２７２ａの延長線よりも図９の左側（凹部２７側とは反対側）にずれるように配置されている。このように配置した結果、端面９４ａと第１の側壁部２７２ａとの間には段差が形成される。図９では、封止板１０Ａの上面２６５が、端面９４ａと第１の側壁部２７２ａとの間に露出することとなり、これが段差となる。

したがって、メッキ層２８２は、この段差にも析出することとなり、段差を設けることによってメッキ層２８２と導電層２４６との接触面積が増大することとなる。これにより、メッキ層２８２と導電層２４６との接続抵抗をより小さくすることができ、メッキ層２８２と導電層２４６との間における電気的接続の信頼性をより高めることができる。特に導電層２４６がパターニングされて電子回路が形成されている場合、電子回路の動作安定性等の観点から有用である。

端面９４ａと第１の側壁部２７２ａとのずれ量は、液滴吐出ヘッド１の大きさに応じて適宜設定され、特に限定されないが、一例として５０μｍ以上２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００μｍ以上１０００μｍ以下程度であるのがより好ましい。ずれ量を前記範囲内に設定することで、導通構造の大型化を抑制しつつ、上述したメッキ層２８２と導電層２４６との接続抵抗を十分に小さくすることができる。
なお、このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の作用、効果が得られる。

＜第３実施形態＞
図１０は、本発明の導通構造の第３実施形態を適用した半導体装置を示す部分拡大断面図である。なお、以下の説明では、説明の都合上、図１０の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
以下、第３実施形態について説明するが、以下の説明では、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図１０において、前述した第１、第２実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。

第３実施形態に係る導通構造を備える半導体装置１０００は、半導体用のパッケージ基板９５と、その上に搭載された第１の半導体チップ９Ａと、さらにその上に積層された第２の半導体チップ９Ｂと、を備えている。このような半導体装置１０００は、パッケージ基板９５の下面に設けられた図示しない端子を電気回路に接続することにより、積層型の半導体素子として作動する。なお、本実施形態に係るパッケージ基板９５、第１の半導体チップ９Ａおよび第２の半導体チップ９Ｂは、いずれも図１０の左右方向に広がる板状をなしている。そこで、本実施形態についての説明では、パッケージ基板９５、第１の半導体チップ９Ａおよび第２の半導体チップ９Ｂがそれぞれ有する２つの主面のうち、図１０の上方に位置する主面を「上面」といい、下方に位置する主面を「下面」という。

パッケージ基板９５は、絶縁性基板９５１とその上面に設けられた導電層９５２とを備えている。絶縁性基板９５１や導電層９５２の各構成材料としては、公知のパッケージ基板と同様のものが用いられる。
パッケージ基板９５の上面には、接着剤層１４Ａを介して第１の半導体チップ９Ａが接着されている。この第１の半導体チップ９Ａは、第１実施形態に係るＩＣ９と同様の構成を有する。
第１の半導体チップ９Ａは、下面９１Ａおよび上面９２Ａは互いにほぼ平行であり、下面９１Ａがパッケージ基板９５の上面に対してほぼ平行になるように接着されている。

一方、第１の半導体チップ９Ａの端面９４１、９４１は、それぞれ下面９１Ａおよび上面９２Ａの双方に対して傾斜し、かつ連続している面である。これらの端面９４１、９４１は、第１実施形態に係るＩＣ９の端面９４ａと同様の構成を有する。
そして、第１の半導体チップ９Ａは、その上面９２Ａに露出するように設けられた端子９３を備えている。この端子９３をパッケージ基板９５と接続することにより、第１の半導体チップ９Ａを作動させることができる。

第１の半導体チップ９Ａの上面には、接着剤層１４Ｂを介して第２の半導体チップ９Ｂが接着されている。この第２の半導体チップ９Ｂも、第１実施形態に係るＩＣ９と同様の構成を有する。
第２の半導体チップ９Ｂの構成は、下面９１Ｂおよび上面９２Ｂの大きさがそれぞれ第１の半導体チップ９Ａよりも小さい以外、第１の半導体チップ９Ａの構成と同様である。

一方、第２の半導体チップ９Ｂの端面９４２、９４２は、それぞれ下面９１Ｂおよび上面９２Ｂの双方に対して傾斜し、かつ連続している面である。これらの端面９４２、９４２も、第１実施形態に係るＩＣ９の端面９４ａと同様の構成を有する。
そして、第２の半導体チップ９Ｂは、その上面９２Ｂに露出するように設けられた端子９３を備えている。この端子９３をパッケージ基板９５と接続することにより、第２の半導体チップ９Ｂを作動させることができる。

ここで、第１の半導体チップ９Ａおよび第２の半導体チップ９Ｂは、第２実施形態と同様、端面９４１と端面９４２とが互いにずれるように配置されている。そして、半導体装置１０００は、第２実施形態に係る導通構造と同様の導電部２８１およびメッキ層２８２を有している。具体的には、図１０に示す導電部２８１は、第２の半導体チップ９Ｂの上面９２Ｂから端面９４２にかけて設けられた導電部２９２と、第１の半導体チップ９Ａの上面９２Ａから端面９４１にかけて設けられた導電部２９３と、パッケージ基板９５の上面に設けられた導電部２９１と、を備えている。
このような導電部２８１およびメッキ層２８２を備える配線２８０は、前記各実施形態と同様、高密度化と低抵抗化とを両立することが可能である。したがって、かかる配線２８０（配線パターン２８）を備えた導通構造を有する半導体装置１０００は、小型化が容易でかつ信頼性の高いものとなる。

なお、このような第３実施形態においても、前述した第１、第２実施形態と同様の作用、効果が得られる。
また、半導体チップの積層数は、２層に限定されず、３層以上であってもよい。
そして、このような半導体装置１０００を電子機器に搭載することで、小型でかつ信頼性の高い電子機器が得られる。

かかる電子機器としては、例えば、パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等が挙げられる。
以上、本発明の導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、導通構造、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。

また、前記第１、第２実施形態では、第１基板の例として封止板を挙げ、第２基板の例としてＩＣを挙げ、第３基板の例としてデバイス基板を挙げている。また、前記第３実施形態では、第１基板および第２基板の例としてそれぞれ半導体チップを挙げ、第３基板の例としてパッケージ基板を挙げている。ただし、本発明では、これらに限定されず、第１〜第３基板は、それぞれ任意の機能を有する機能であればよい。同様に、前記各実施形態では、それぞれ、導電部２９３が「第１導電部」に相当し、導電部２９２が「第２導電部」に相当しているが、本発明では、これらに限定されない。

また、本発明の導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置は、前記各実施形態のうちの任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、液滴吐出ヘッド（印刷装置）は、前記実施形態では、印刷用紙等のような記録媒体にインクを液滴として吐出して印刷を施すように構成されたものである。本発明では、これに限定されず、例えば、液晶表示デバイス形成用材料を液滴として吐出して液晶表示デバイス（液晶表示装置）を製造したり、有機ＥＬ形成用材料を液滴として吐出して有機ＥＬ表示デバイス（有機ＥＬ装置）を製造したり、配線パターン形成用材料を液滴として吐出して電気回路の配線パターンを形成して回路基板を製造することもできる。

１……液滴吐出ヘッド ２……ベース基板 ９Ａ……第１の半導体チップ ９Ｂ……第２の半導体チップ １０Ａ……封止板 １０Ｂ……デバイス基板 １１……接着剤層 １４……接着剤層 １４Ａ……接着剤層 １４Ｂ……接着剤層 ２０Ａ……記録ヘッドユニット ２０Ｂ……記録ヘッドユニット ２１……ノズル基板 ２２……流路形成基板 ２３……振動板 ２４……リザーバー形成基板 ２５……圧電素子 ２６……コンプライアンス基板 ２７……凹部 ２８……配線パターン ２８’……配線パターン ３０Ａ……インクカートリッジ ３０Ｂ……インクカートリッジ ４０……キャリッジ ５０……装置本体 ６０……キャリッジ軸 ７０……移動機構 ８０……プラテン ９１……下面 ９１Ａ……下面 ９１Ｂ……下面 ９２……上面 ９２Ａ……上面 ９２Ｂ……上面 ９３……端子 ９４ａ……端面 ９４ａ’……端面 ９４ｂ……端面 ９５……パッケージ基板 １００……印刷装置 ２００……記録媒体 ２１１……吐出口 ２２１……流路 ２２２……圧力発生室 ２２３……中継室 ２２４……連通路 ２３１……弾性膜 ２３２……下電極膜 ２４１……リザーバー ２４２……第１室 ２４３……第２室 ２４４……連通路 ２４５……圧電素子収納室 ２４６……導電層 ２４６ａ……延長部 ２５１……圧電体膜 ２５２……上電極膜 ２６１……封止膜 ２６２……固定板 ２６３……欠損部 ２６４……導入口 ２６５……上面 ２７０……凹部 ２７１……底部 ２７２ａ……第１の側壁部 ２７２ｂ……第１の側壁部 ２７３ａ……第２の側壁部 ２７３ｂ……第２の側壁部 ２８０……配線 ２８０’……配線 ２８１……導電部 ２８１’……導電部 ２８２……メッキ層 ２８２’……メッキ層 ２９１……導電部 ２９２……導電部 ２９３……導電部 ２９４……隙間 ２９５……隙間 ３００……インク ７０１……駆動モーター ７０２……タイミングベルト ９４１……端面 ９４２……端面 ９５１……絶縁性基板 ９５２……導電層 １０００……半導体装置

Claims (13)

1. 主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第１導電部とを備える第１基板と、
   主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第２導電部とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが向かい合うように設けられた第２基板と、
   前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に接続するメッキ層と、
   を有し、
   前記第１導電部と前記第２導電部との間の前記メッキ層の厚さが、前記第１導電部および前記第２導電部のそれぞれの厚さよりも厚いことを特徴とする導通構造。
2. 前記第２基板は、シリコンを主材料とするものである請求項１に記載の導通構造。
3. 前記第２基板の前記端面は、シリコンの面方位（１，１，１）の面で構成されている請求項２に記載の導通構造。
4. 前記第１基板の前記端面と前記第２基板の前記端面とが互いに同一の面上に位置している請求項１ないし３のいずれか１項に記載の導通構造。
5. 前記第１基板の前記端面と前記第２基板の前記端面とが互いにずれるように位置している請求項１ないし３のいずれか１項に記載の導通構造。
6. 前記第１基板は、さらに、前記第１導電部と接続された電気回路を備えている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の導通構造。
7. 前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着剤層を有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の導通構造。
8. 主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第１導電部とを備える第１基板と、主面と該主面に対して０°超９０°未満の角度で傾斜しかつ連続している端面と該端面に設けられた第２導電部とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが向かい合うように設けられた第２基板と、前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に接続するメッキ層と、を有する導通構造を製造する方法であって、
   前記第１導電部の位置と前記第２導電部の位置とを合わせた状態で前記第１基板と前記第２基板とを接着する工程と、
   メッキ法により、前記第１導電部と前記第２導電部との間の前記メッキ層の厚さが前記第１導電部および前記第２導電部のそれぞれの厚さよりも厚くなるように、前記第１導電部および前記第２導電部からそれぞれ前記メッキ層を析出させる工程と、
   を有することを特徴とする導通構造の製造方法。
9. 前記第１基板の前記端面および前記第２基板の前記端面は、それぞれ異方性エッチング法により形成された面である請求項８に記載の導通構造の製造方法。
10. 前記第１導電部および前記第２導電部は、それぞれスパッタリング法により金属膜を成膜した後、前記金属膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成されたものである請求項８または９に記載の導通構造の製造方法。
11. 前記メッキ法は、無電解メッキ法である請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の導通構造の製造方法。
12. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の導通構造を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
13. 請求項１２に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする印刷装置。

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