JP6314530B2 - Pressure sensor and pressure detection device - Google Patents
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Description
本発明は圧力センサに関する。 The present invention relates to a pressure sensor.
薄膜によって隔てられた2つの空間の圧力差によって生じる薄膜の撓みを電気信号に変換することによって、圧力を測定する圧力センサが知られている。例えば、特許文献1には、導電性を有する薄膜と、この薄膜に対向して設けられた電極とで形成される静電容量の変化から、薄膜の撓み量を検出する技術が開示されている。 Pressure sensors are known that measure pressure by converting the deflection of the thin film caused by the pressure difference between two spaces separated by the thin film into an electrical signal. For example, Patent Document 1 discloses a technique for detecting the amount of bending of a thin film from a change in capacitance formed by a conductive thin film and an electrode provided opposite to the thin film. .
薄膜の撓み量を検出するためには、静電容量を測定し続けなくてはならない。圧力センサを動作させ続けるためには電力を供給し続ける必要があり、消費電力が大きくなってしまう。圧力センサは、密閉空間で使用される場合も多い。この場合、密閉空間外から電力供給を受けることは困難であり、電池等を電源として用いる必要がある。電池の交換のためには密閉空間からセンサを取り出す必要があるが、消費電力が大きいと、交換が頻繁になってしまうため、大きい容量の電池を用いる必要があり、コストアップにつながっていた。 In order to detect the amount of deflection of the thin film, the capacitance must be continuously measured. In order to continue operating the pressure sensor, it is necessary to continue to supply power, resulting in an increase in power consumption. The pressure sensor is often used in a sealed space. In this case, it is difficult to receive power supply from outside the sealed space, and it is necessary to use a battery or the like as a power source. In order to replace the battery, it is necessary to take out the sensor from the sealed space. However, if the power consumption is large, the replacement is frequently performed. Therefore, it is necessary to use a battery having a large capacity, leading to an increase in cost.
一方、配線もバッテリも用いない、いわゆるエネルギハーベスティング技術を用いることで、この課題を解決することも検討されている。エネルギハーベスティング技術とは、振動を電力に変換するトランスデューサと、トランスデューサによって発電された電力を蓄積するキャパシタとを有する素子を用いて、センサに必要な電力を得ようとするものである。しかしながら、このようなトランスデューサは未だ電力変換効率が低く、素子のサイズが大型になってしまう。そのため、設置スペースを確保しなくてはならず、また、作製のためのコストがかかってしまう。 On the other hand, it is also considered to solve this problem by using a so-called energy harvesting technique in which neither wiring nor a battery is used. In the energy harvesting technique, an element having a transducer that converts vibration into electric power and a capacitor that stores electric power generated by the transducer is used to obtain electric power necessary for the sensor. However, such a transducer still has low power conversion efficiency, and the element size becomes large. Therefore, an installation space must be ensured, and costs for production are increased.
したがって、エネルギハーベスティング技術を用いたとしても、結局のところ、圧力センサの消費電力をできるだけ抑制し、トランスデューサおよびキャパシタを含む素子を小型化して低コスト化することが望まれている。 Therefore, even if the energy harvesting technique is used, after all, it is desired to suppress the power consumption of the pressure sensor as much as possible and to reduce the size and cost of the element including the transducer and the capacitor.
本発明の目的の一つは、圧力センサを動作させる際の消費電力を抑制することにある。 One of the objects of the present invention is to suppress power consumption when operating a pressure sensor.
本発明の一実施形態によると、第1面および第2面を有し、前記第1面側に導電部を有する可撓部と、前記可撓部の周囲の少なくとも一部を固定する固定部と、前記可撓部の前記第1面側に形成され、前記導電部に対応する位置に導電性を有する接触検知面を有する第1室と、前記可撓部の前記第2面側に形成され、当該可撓部により前記第1室と隔てられた第2室と、前記第1室および前記第2室の少なくとも一方と外部空間とを接続する開口部と、を備え、前記可撓部は、前記第1室と前記第2室との圧力差の変化により撓み量が変化し、前記可撓部の撓みによって、前記導電部と前記接触検知面との接触または非接触とが切り替わることを特徴とする圧力センサが提供される。これによれば、圧力センサを動作させる際の消費電力を抑制することができる。 According to an embodiment of the present invention, a flexible portion having a first surface and a second surface, having a conductive portion on the first surface side, and a fixing portion for fixing at least a part of the periphery of the flexible portion. And a first chamber formed on the first surface side of the flexible portion and having a contact detection surface having conductivity at a position corresponding to the conductive portion, and formed on the second surface side of the flexible portion. A second chamber separated from the first chamber by the flexible portion; and an opening connecting at least one of the first chamber and the second chamber and an external space, the flexible portion The amount of deflection changes due to a change in the pressure difference between the first chamber and the second chamber, and the contact between the conductive portion and the contact detection surface is switched by the deflection of the flexible portion. A pressure sensor is provided. According to this, the power consumption at the time of operating a pressure sensor can be suppressed.
前記可撓部および前記固定部を有する第1基板と、前記接触検知面を有し、前記第1基板と前記第1面側で接合される第2基板と、を備え、前記第1室は、前記第1基板と前記第2基板との間に形成されてもよい。これによれば、接触検知面を有する第2基板を第1基板と接合することで導電部と接触検知面とを対向させることができるため、圧力センサを容易に製造することができる。 The first chamber includes: a first substrate having the flexible portion and the fixing portion; and a second substrate having the contact detection surface and bonded to the first substrate and the first surface. , And may be formed between the first substrate and the second substrate. According to this, since a conductive part and a contact detection surface can be made to oppose by joining the 2nd board | substrate which has a contact detection surface with a 1st board | substrate, a pressure sensor can be manufactured easily.
前記第1基板と前記第2面側で接合される第3基板をさらに備え、前記第2室は、前記第1基板と前記第3基板との間に形成されてもよい。これによれば、第3基板を第1基板に接合することで第2室を形成できるため、圧力センサを容易に製造することができる。 The apparatus may further include a third substrate bonded to the first substrate on the second surface side, and the second chamber may be formed between the first substrate and the third substrate. According to this, since a 2nd chamber can be formed by joining a 3rd board | substrate to a 1st board | substrate, a pressure sensor can be manufactured easily.
前記開口部は、前記第1基板に設けられ、前記第1室と前記外部空間とを接続してもよい。これによれば、第1室を形成するときに開口部をまとめて形成することができるため、圧力センサを容易に製造することができる。 The opening may be provided in the first substrate and connect the first chamber and the external space. According to this, since an opening part can be formed collectively when forming a 1st chamber, a pressure sensor can be manufactured easily.
前記開口部は、前記第2基板に設けられ、前記第1室と前記外部空間とを接続してもよい。これによれば、予め開口部が形成された第2基板を第1基板に接合することができ、圧力センサを容易に製造することができる。 The opening may be provided in the second substrate and connect the first chamber and the external space. According to this, the 2nd board | substrate with which the opening part was formed previously can be joined to a 1st board | substrate, and a pressure sensor can be manufactured easily.
前記開口部の内部表面には、前記第2基板の前記第1室の外部に設けられた導電層と前記接触検知面とを電気的に接続する貫通電極が形成されていてもよい。これによれば、第2基板に開口部を有する貫通電極を形成することにより、予め開口部を第2基板形成しておくことができ、この第2基板を第1基板に接合することができ、圧力センサを容易に製造することができる。 A through electrode that electrically connects the conductive layer provided outside the first chamber of the second substrate and the contact detection surface may be formed on the inner surface of the opening. According to this, the second substrate can be formed in advance by forming the through electrode having the opening in the second substrate, and the second substrate can be bonded to the first substrate. The pressure sensor can be easily manufactured.
前記導電部は、前記第1面から突出している。これによれば、検知すべき圧力値の調整を導電部により調整することができる。 The conductive portion protrudes from the first surface. According to this, the adjustment of the pressure value to be detected can be adjusted by the conductive portion.
前記第1室と前記第2室との圧力差がない場合には、前記導電部と前記接触検知面とが接触し、前記第1室の圧力が前記第2室の圧力より所定圧力値以上大きい場合に、前記導電部と前記接触検知面とが離隔してもよい。これによれば、減圧しすぎると異常値となるような測定環境に用いる際に大きく消費電力を低減することができる。 When there is no pressure difference between the first chamber and the second chamber, the conductive portion and the contact detection surface are in contact with each other, and the pressure in the first chamber is equal to or higher than a predetermined pressure value than the pressure in the second chamber. When it is large, the conductive portion and the contact detection surface may be separated from each other. According to this, power consumption can be greatly reduced when used in a measurement environment in which an abnormal value is obtained if the pressure is reduced too much.
前記可撓部の前記第1面側には複数の前記導電部が形成され、少なくとも1つの前記導電部の前記固定部からの距離は、他の前記導電部の前記固定部からの距離と異なり、前記接触検知面は、それぞれの前記導電部に対応して設けられていてもよい。これによれば、複数の圧力値を検知することができる。 A plurality of the conductive portions are formed on the first surface side of the flexible portion, and the distance of at least one of the conductive portions from the fixed portion is different from the distance of the other conductive portions from the fixed portion. The contact detection surface may be provided corresponding to each of the conductive portions. According to this, a plurality of pressure values can be detected.
前記可撓部の前記第1面側には複数の前記導電部が形成され、少なくとも1つの前記導電部の前記第1面からの突出量は、他の前記導電部の前記第1面からの突出量と異なり、前記接触検知面は、それぞれの前記導電部に対応して設けられていてもよい。これによれば、導電部の突出量により、検知すべき圧力値を調整することができる。 A plurality of the conductive portions are formed on the first surface side of the flexible portion, and the protruding amount of at least one of the conductive portions from the first surface is different from the first surface of the other conductive portions. Unlike the protrusion amount, the contact detection surface may be provided corresponding to each of the conductive portions. According to this, the pressure value which should be detected can be adjusted with the protrusion amount of an electroconductive part.
前記可撓部の前記第1面側には複数の前記導電部が形成され、前記接触検知面は、それぞれの前記導電部に対応して設けられ、前記可撓部が撓んでいないときの前記可撓部から少なくとも1つの前記接触検知面までの距離は、他の前記接触検知面までの距離とは異なってもよい。これによれば、複数の導電部の位置により、検知すべき圧力値を調整することができる。 A plurality of the conductive portions are formed on the first surface side of the flexible portion, and the contact detection surface is provided corresponding to each of the conductive portions, and the flexible portion is not bent. The distance from the flexible part to at least one of the contact detection surfaces may be different from the distance to the other contact detection surface. According to this, the pressure value which should be detected can be adjusted with the position of a some electroconductive part.
密閉空間に形成された上記記載の圧力センサと、前記導電部と前記接触検知面との接触を、当該導電部と当該接触検知面との導通の有無によって検知する検知部と、を備え、前記第1室と前記密閉空間とは、前記開口部を介して接続され、前記密閉空間の圧力が所定の圧力より低くなると、前記導電部と前記接触検知面とが接触することを特徴とする圧力検知装置を提供してもよい。これによれば、圧力センサを密閉空間で使用しても、異常値をユーザに通知することができる。 The pressure sensor described above formed in a sealed space, and a detection unit that detects contact between the conductive unit and the contact detection surface based on the presence or absence of conduction between the conductive unit and the contact detection surface, The pressure is characterized in that the first chamber and the sealed space are connected via the opening, and when the pressure in the sealed space becomes lower than a predetermined pressure, the conductive portion and the contact detection surface come into contact with each other. A sensing device may be provided. According to this, even if the pressure sensor is used in a sealed space, the abnormal value can be notified to the user.
本発明によると、圧力センサを動作させる際の消費電力を抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress power consumption when operating the pressure sensor.
<第1実施形態>
以下、本発明の第1実施形態に係る圧力センサについて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号(数字の後にA、B等を付しただけの符号)を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
<First Embodiment>
Hereinafter, a pressure sensor according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, embodiment shown below is an example of embodiment of this invention, This invention is limited to these embodiment, and is not interpreted. Note that in the drawings referred to in the present embodiment, the same portion or a portion having a similar function is denoted by the same reference symbol or a similar reference symbol (a reference symbol simply including A, B, etc. after a number) and repeated. The description of may be omitted. In addition, the dimensional ratio in the drawing may be different from the actual ratio for convenience of explanation, or a part of the configuration may be omitted from the drawing.
[圧力センサ1の構成]
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサ1の初期状態における断面図である。圧力センサ1は、第1基板10、第2基板20および第3基板30を組み合わせて形成されている。この例では、第1基板10はSOI(Silicon on Insulator)基板であり、第2基板20および第3基板30はガラス基板である。
[Configuration of Pressure Sensor 1]
FIG. 1 is a cross-sectional view of the pressure sensor 1 according to the first embodiment of the present invention in an initial state. The pressure sensor 1 is formed by combining the
第1基板10は、BOX層13、活性層15および支持層17を備える。BOX層13は酸化シリコンであり、活性層15および支持層17はシリコンである。活性層15は、導電性を有し、中央部分が薄く形成されている。この薄く形成された部分を可撓部151という。可撓部151は、周囲の少なくとも一部が固定されている。可撓部151を固定している部分を固定部160という。
The
可撓部151は、膜状に形成されている。可撓部151の第2基板20側の面(以下、第1面1511という)には、第1室110が形成されている。第1室110は、開口部115を介して圧力センサ1の外部空間1000に接続され、外部空間1000の圧力と同じになるように設計されている。この例では、開口部115は、活性層15の一部が除去されて形成されている。なお、開口部115は、複数箇所に設けられていてもよい。
The
可撓部151の第3基板30側の面(以下、第2面1512という)には、密閉された第2室120が形成されている。この例では、第2室120は、大気圧程度に設定されている。なお、密閉空間において圧力センサ1が用いられる場合等、測定対象物の近傍に壁面のような構造体が存在する場合には、第3基板30の代用としてその構造体を用いてもよい。すなわち、第2室120が形成されるように、その構造体と第1基板10の支持層17とを接合すればよい。
A sealed
このようにして、第1室110と第2室120とは可撓部151を介して隔てられた空間になっている。そのため、第1室110と第2室120との圧力差によって、可撓部151は撓む。例えば、第1室110の圧力が第2室120の圧力よりも高くなると、第2室120側に可撓部151が撓む(図2参照)。
In this way, the
可撓部151の第1面1511側には、導電性を有する導電部155が形成されている。導電部155は、可撓部151に電気的に接続され、可撓部151から突出した形状になっている。
A
第2基板20には、基板を貫通する貫通電極213、215が形成されている。第2基板20の第1室110側には、電極253、255が形成され、外部空間1000側には電極233、235が形成されている。なお、第2基板20において貫通電極が形成されていなくてもよい場合がある。この場合については、後述の第6実施形態において詳細を述べる。
The
電極253は活性層15と電気的に接続される。電極255は、導電部155の位置に対応して形成され、この例では、可撓部151が撓んでいない状態、または僅かに第2室120側に撓んだ状態で、導電部155と接するように形成されている。導電部155と電極255とが接しているときには、互いに電気的に接続される。貫通電極213は、電極253と電極233とを電気的に接続する。貫通電極215は、電極255と電極235とを電気的に接続する。したがって、電極255と導電部155とが接触しているときには、電極233と電極235とは導通状態になる。このように、電極255は、導電部155の接触を検知するための接触検知面として機能する。
The
図1では、外部空間1000が大気圧である場合、すなわち、第1室110と第2室120とが、ほぼ同じ圧力である場合の例を示している。この場合においては、可撓部151はほとんど撓まない状態であり、導電部155と電極255とが接触した状態になっている。以下の説明において、この状態を初期状態という場合がある。続いて、外部空間1000が大気圧よりも高い圧力(加圧状態)である場合について、図2を用いて説明する。
FIG. 1 shows an example where the
図2は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサ1の加圧状態における断面図である。外部空間1000の圧力が第2室120の圧力より高いと、開口部115を介して第1室110の圧力も第2室120の圧力より高くなり、可撓部151が第2室120側に撓む。これによって、導電部155と電極255とが離隔する。この結果、電極233と電極235とは非導通状態になる。
FIG. 2 is a sectional view of the pressure sensor 1 according to the first embodiment of the present invention in a pressurized state. When the pressure in the
なお、このとき、第1室110と第2室120との圧力差が所定値以上になると、導電部155と電極255とが離隔するようになっていてもよい。この場合、図1の状態において可撓部151が第1室110側に少し撓むことで、導電部155が電極255に押しつけられた状態になっていればよい。また、導電部155が存在しない構成としてもよく、この場合には、可撓部151の表面が導電部となる。
At this time, when the pressure difference between the
続いて、圧力センサ1の製造方法について説明する。 Then, the manufacturing method of the pressure sensor 1 is demonstrated.
[圧力センサ1の製造方法]
圧力センサ1は、第1基板10と第2基板20、第1基板10と第3基板30が接合されて形成される。第1基板10、第2基板20および第3基板30のそれぞれは、以下に説明する所定の製造工程を経てから接合される。
[Manufacturing Method of Pressure Sensor 1]
The pressure sensor 1 is formed by bonding a
[第1基板10に対する製造工程]
図3は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサ1の第1基板10の製造方法を説明するための断面図である。まず、図3(a)に示す第1基板10を準備する。第1基板10は、シリコンの活性層15および支持層17を備え、さらに、これらに挟まれた酸化シリコンのBOX層13を備えるSOI基板である。少なくとも活性層15は導電性を有している。
[Manufacturing Process for First Substrate 10]
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the
活性層15の一部をエッチングして第1窪み部1501および第2窪み部1502を形成する(図3(b))。このとき、BOX層13が露出しない程度に所定の厚さの膜が残るように活性層15をエッチングする。例えば、活性層15の表面に形成した酸化シリコン膜(熱酸化膜等)のうち、フォトリソグラフィによって第1窪み部1501および第2窪み部1502に対応する部分を開口させ、この酸化シリコン膜をマスクとしてTMAHを用いたウエットエッチングで活性層15をエッチングすればよい。エッチング時間は、残存させる膜厚から求められるエッチング量と活性層15のエッチングレートとに基づいて決められる。
A part of the
図4は、図3(b)における第1基板10を上面側から見た場合の図である。ここで、上面側から見るとは、第1基板10の活性層15に対向する側から第1基板10を見る場合である。この例では、第1窪み部1501は円形状にエッチングされて形成されている。この例では、直径が第2窪み部1502は、第1窪み部1501の外周の一部から直線状にエッチングされて形成されている。なお、この時点では導電部155(二点鎖線)は形成されていないが、将来的に形成される位置として示した。
FIG. 4 is a view of the
図3(b)に戻って説明を続ける。第1窪み部1501において残存する活性層15は、可撓部151となる部分である。したがって、残存させる膜厚は、圧力センサの使用環境に合わせて適宜設定される。例えば、測定環境(例えば、外部空間1000)の圧力変動が小さい場合には、小さい圧力変動で可撓部151が撓む必要があるため、残存させる膜が薄くなるように設定される。逆に、測定環境の圧力変動が大きい場合には、残存させる膜が厚くなるように設定される。
Returning to FIG. 3B, the description will be continued. The
例えば、可撓部151の直径が7.6mm程度である場合には、可撓部151の膜厚が10μm程度から200μm程度に設定される。膜厚が10μm程度であれば、第1室110と第2室120との圧力差が133Pa(1Torr)程度の場合に、可撓部151の中心部分の変位量が6μm程度となる。膜厚が100μm程度であれば、第1室110と第2室120との圧力差が13300Pa(100Torr)程度の場合に、可撓部151の中心部分の変位量が3μm程度となる。また、膜厚が200μm程度であれば、第1室110と第2室120との圧力差が133000Pa(1000Torr)程度の場合に、可撓部151の中心部分の変位量が3.5μm程度となる。
For example, when the diameter of the
次に、活性層15上に導電層1505を形成する(図3(c))。導電層1505は、例えば、アルミニウムである。フォトリソグラフィを用いて第1窪み部1501において一部を残すことによって、導電部155を形成する(図3(d))。そのため、導電層1505の膜厚が、導電部155の突出量(高さ)を規定することになる。
Next, a
[第2基板20に対する製造工程]
図5は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサ1の第2基板20の製造方法を説明するための断面図である。図5(a)に示すように、第2基板20には、導電材料(例えば、タングステン等)の貫通電極213、215が形成されている。この貫通電極213、215は、ガラス基板に貫通孔を形成し、導電材料を貫通孔に埋め込むことにより形成される。
[Manufacturing Process for Second Substrate 20]
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the
次に、貫通電極213に接続された電極253、および貫通電極215に接続された電極255が形成される(図5(b))。電極253、255は、例えば、貫通電極と接触するクロムと、クロム上に形成された金の積層構造等を成膜してフォトリソグラフィを用いて形成されればよい。
Next, an
[第1基板10と第2基板20との接合]
このように形成された第1基板10と第2基板20とは、第1基板10の導電部155と第2基板20の電極255とを対向させて接合される。この接合は、例えば陽極接合が用いられる。この接合によって、導電部155と電極255とが接触する。ただし、上述したとおり、導電部155と電極255とは離隔可能に形成されている。
[Bonding of the
The
[第1基板10と第2基板20との接合後の圧力センサ1の製造工程]
図6は、本発明の第1実施形態に係る第1基板10と第2基板20とが接合された後の圧力センサ1の製造方法を説明するための断面図である。図6(a)は、第1基板10と第2基板20とが接合された後の圧力センサ1を示している。電極253は、活性層15と接触し導通している。電極255は、導電部155と離隔可能に接触している。電極255と導電部155とは接触時は導通し、非接触時には非導通となる。
[Manufacturing Process of Pressure Sensor 1 After Bonding of
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing the pressure sensor 1 after the
また、第1窪み部1501に対応する位置に、第1室110が形成される。また、第2窪み部1502に対応する位置に、開口部115が形成される。第1室110は、開口部155を介して外部空間1000に接続される。
In addition, the
次に、第2基板20の外面側(第1室100とは反対側)に電極233、235を形成する(図6(b))。電極233、235は、半田用の電極パッドとなるものであって、例えば、銅、チタン、ニッケル、金等の積層構造として形成される。電極233は、貫通電極213と接続される。電極235は貫通電極215と接続される。なお、電極233、235は、貫通電極213、235と直接的に接続される場合に限られず、別の金属配線を介して電気的に接続されていてもよい。
Next,
次に、支持層17をエッチングし、さらにBOX層13をエッチングして、第3窪み部1503を形成する(図6(c))。例えば、フォトリソグラフィにより、BOX層13をエッチングストッパとして支持層17をエッチングし、その後、活性層15をエッチングストッパとしてBOX層13をエッチングする。このエッチングはドライエッチングが用いられてもよいし、ウエットエッチングが用いられてもよい。これにより、可撓部151が形成される。
Next, the
次に、第3窪み部1503を塞ぐように第3基板30が第1基板10(支持層17)に接合される(図6(d))。これによって、第3窪み部1503に対応する部分には、第2室120が形成される。第2室120の圧力は、第1基板10と第3基板30とが接合されるときの雰囲気による。この例では、第2室120の圧力は、大気圧に設定される。したがって、大気圧下で第1基板10と第3基板30との接合が行われる。上述した圧力センサ1は、一基板上に複数形成されている。したがって、それぞれの圧力センサ1を個片化するためにダイシングを行う。なお、上述した製造方法における各構成の材料、エッチング方法等の各種条件については一例であって、様々な条件に設定可能である。以上が、圧力センサ1の製造方法についての説明である。
Next, the
このようにして製造された圧力センサ1は、以下のような特徴を有する。図1に示すように第1室110と第2室120の圧力差が小さく、または、第2室120の圧力より第1室110の圧力が小さい場合には、導電部155と電極255とが接触して導通している。一方、第2室200の圧力より第1室100の圧力が大きくなってくると、図2に示すように、可撓部151が第2室120側に撓み、導電部155と電極255とが離隔して非導通となる。
The pressure sensor 1 manufactured in this way has the following characteristics. As shown in FIG. 1, when the pressure difference between the
これにより、外部空間1000の圧力が、第2室120の圧力よりも所定の圧力だけ高い状態を維持し、それよりも圧力差が小さくなってしまった場合を異常値として検出したい場合に、第1実施形態に係る圧力センサ1を使用することが効果的である。すなわち、外部空間1000の圧力が正常値である場合には、導電部155と電極255とは非導通であり、ほとんど電力を消費しない。
As a result, when the pressure in the
一方、外部空間1000の圧力が下がることにより異常値になると、導電部155と電極255とが接触して導通する。導通した状態を検出することによって異常値を検出するため、この際の電力消費は大きくなるが、一般的には通常使用時は正常値である前提で用いられるため、この圧力センサ1を用いれば、電力消費を抑えることができる。
On the other hand, when the pressure in the
ただし、圧力センサ1は、必ずしも図1に示す初期状態を異常値、図2に示す加圧状態を正常値として用いられる場合に限られない。すなわち、圧力センサ1は、第1室110と第2室120との圧力差をアナログ値として検出するのでは無く、デジタル値として検出する場合に用いられればよく、上述の例は、圧力センサ1を特に効果的に使用する例を示したものである。この例でのデジタル値とは、外部空間1000(第1室110)の圧力が所定の圧力値以上であるか、それ未満であるかの2値で表される。
However, the pressure sensor 1 is not necessarily limited to the case where the initial state shown in FIG. 1 is used as an abnormal value and the pressurized state shown in FIG. 2 is used as a normal value. That is, the pressure sensor 1 may be used when the pressure difference between the
<第2実施形態>
第1実施形態においては、圧力センサ1は、外部空間1000(第1室110)の圧力が所定の圧力値以上であるか、それ未満であるかを判定するために用いられていた。第2実施形態においては、外部空間1000の圧力の判定をさらに多くの圧力値で行うことができる圧力センサ1Aについて説明する。
Second Embodiment
In the first embodiment, the pressure sensor 1 is used to determine whether the pressure in the external space 1000 (first chamber 110) is equal to or higher than a predetermined pressure value. In the second embodiment, a
図7は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサ1Aの動作を説明するための断面図である。まず、圧力センサ1Aは、可撓部151に複数の導電部155が設けられている。図7に示す例では、導電部155−1、155−2の2つの導電部155が可撓部151に設けられている。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the operation of the
導電部155−1、155−2は、可撓部151の周囲を固定する固定部160(例えば、BOX層13の内周端、可撓部151の外縁)からの距離が異なる位置に設けられている。すなわち、導電部155−1と導電部155−2とは、可撓部151が撓む際に、可撓部151の変位量が異なる位置に設けられている。
The conductive portions 155-1 and 155-2 are provided at different positions from the fixing portion 160 (for example, the inner peripheral end of the
導電部155−1、155−2のそれぞれに対応して、電極255−1、255−2、貫通電極215−1、215−2、および電極235−1、235−2が設けられている。 Corresponding to each of the conductive portions 155-1 and 155-2, electrodes 255-1 and 255-2, through electrodes 215-1 and 215-2, and electrodes 235-1 and 235-2 are provided.
図7(a)に示す例は、外部空間1000に接続されている第1室110と第2室120との圧力差が少なく、導電部155−1と電極255−1とは導通した状態であり、導電部155−2と電極255−2とは導通した状態である。したがって、電極233と電極235−1、235−2は、互いに導通した状態である。
In the example shown in FIG. 7A, the pressure difference between the
図7(b)に示す例は、第1室110の圧力が第2室120の圧力より高くなり、第1しきい圧力値以上に高くなった場合である。このような状態になると、可撓部151が撓んだ際に、変位量が大きい可撓部151の中心部に近い導電部155−1が、電極255−1から離隔する一方、固定部160に近い導電部155−2については、電極255−2と接触したまま、導通した状態になっている。したがって、電極233は、電極235−2とは導通しているが、電極235−1とは非導通の状態になっている。
The example shown in FIG. 7B is a case where the pressure in the
図7(c)に示す例は、図7(b)に示す場合よりもさらに、第1室110の圧力が高くなり、第2しきい圧力値以上に高くなった場合である。このような状態になると、さらに可撓部151が撓み、導電部155−2も電極255−2から離隔する。したがって、電極233は、電極235−1、235−2の双方と非導通の状態になっている。
The example shown in FIG. 7C is a case where the pressure in the
この圧力センサ1Aを用いると、例えば、外部空間1000の圧力が、第2しきい圧力値以上である場合に正常値とし、第1しきい圧力値以上第2しきい圧力値未満である場合に警告値とし、第1しきい圧力値未満である場合に異常値として検出することができる。すなわち圧力センサ1Aを用いることで、外部空間1000の圧力を3値のデジタル値として検出することできる。
When this
なお、圧力センサ1Aは、2つの導電部155−1、155−2を用いたが、さらに多くの導電部155を用いることによって、さらに検出可能なデジタル値を多値化してもよい。
Although the
また、図7(b)に示す状態において、導電部155−1が電極235−1から離隔する一方、導電部155−2が電極235−2に接触した状態をより確実に実現するため、例えば、導電部155−2を導電部155−1よりも高くしたり、電極255−2を電極255−1よりも高くしたりしてもよい。なお、この場合には、必ずしも、固定部160から導電部155−1までの距離および導電部155−2までの距離が異ならなくてもよい。
Further, in the state shown in FIG. 7B, in order to more reliably realize the state where the conductive portion 155-1 is separated from the electrode 235-1 while the conductive portion 155-2 is in contact with the electrode 235-2, The conductive portion 155-2 may be higher than the conductive portion 155-1 or the electrode 255-2 may be higher than the electrode 255-1. In this case, the distance from the fixing
<第3実施形態>
第1実施形態においては、外部空間1000と第1室110とを開口部115を介して接続する一方、第2室120は外部空間1000とは接続されていない圧力センサ1について説明した。第3実施形態においては、第2室120Bが外部空間1000と接続される圧力センサ1Bについて説明する。
<Third Embodiment>
In the first embodiment, the pressure sensor 1 in which the
図8は、本発明の第3実施形態に係る圧力センサ1Bを説明するための断面図である。圧力センサ1Bは、第1室110Bが外部空間1000と隔てられ、第2室120Bが外部空間1000と接続されている。第1室110Bは、活性層15B(および可撓部151)と第2基板20とによって形成される空間であり、例えば、大気圧になるように設定されている。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a
第3基板30Bには、開口部325が形成されている。第2室120Bは、開口部325を介して外部空間1000と接続されている。したがって、圧力センサ1Bでは、第1室110Bと第2室120Bとの圧力差が小さい場合に、導電部155と電極255とが接触している状態になるのは、上述した圧力センサ1、1Bと同様である。一方、外部空間1000(第2室120B)の圧力が、第1室110Bの圧力より所定の圧力値以上に低くなると、可撓部151が第2室120B側に撓んで、導電部155と電極255とが離隔して非導通となる。
An
なお、第2室120Bを外部空間1000と接続する開口部は、支持層17に設けてもよい。また、可撓部151を保護する必要が無いような環境で圧力センサ1Bを使用するときには、第3基板30Bを用いなくてもよい。この場合には、第2室120Bは、第3窪み部1503で囲まれた空間であり、第3窪み部1503の外部空間1000側の開口が外部空間1000と接続される開口部として定義される(図6(c)参照)。
Note that an opening that connects the
<第4実施形態>
第1実施形態では、第1室110と外部空間1000とは、活性層15に形成された開口部115を介して接続されていた。第4実施形態においては、別の場所に開口部が設けられた圧力センサ1Cについて説明する。
<Fourth embodiment>
In the first embodiment, the
図9は、本発明の第4実施形態に係る圧力センサ1Cを説明するための断面図である。圧力センサ1Cでは、第1室110Cと外部空間1000と接続するための開口部が第2基板20Cに設けられている。この例では、貫通電極213C、215Cが第2基板20Cに形成されている。この貫通電極213C、215Cは、第2基板20Cの貫通孔を塞ぐように形成されているのではなく、内部に開口部2135C、2155Cが形成されている。第1室110Cは、これらの開口2135C、2155Cを介して外部空間1000に接続される。なお、この例においても、第1実施形態で説明した開口部115を併用することもできる。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a
<第5実施形態>
第1実施形態では、第1室110と第2室120との圧力差が小さい場合に、導電部155と電極255とが接触するように圧力センサ1が形成されていた。第5実施形態では、第1室110と第2室120との圧力差が小さい場合に、導電部155と電極255とが接触しないように形成された圧力センサ1Dについて説明する。
<Fifth Embodiment>
In the first embodiment, when the pressure difference between the
図10は、本発明の第5実施形態に係る圧力センサ1Dの動作を説明するための断面図である。図10(a)は、第1室110と第2室120との圧力差が少ない場合の圧力センサ1Dの状態を示している。この例では、可撓部151が撓んでいない場合に、導電部155Dと電極255Dとが接触しないように形成されている。これは、導電部155D、電極255Dの高さを第1実施形態の場合より低くしたり、可撓部151と第2基板20との距離が大きくなるようにしたりして、設計されればよい。
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the operation of the
図10(b)は、外部空間1000(第1室110)の圧力が、第2室120の圧力より低くなって可撓部151が撓み、導電部155Dと電極255Dとが接触した場合を示している。
FIG. 10B shows a case where the pressure in the external space 1000 (first chamber 110) is lower than the pressure in the
なお、この圧力センサ1Dにおいて、第1室110が外部空間1000に接続されるのではなく、上述した第2実施形態の圧力センサ1Aのように、第2室120が外部空間1000と接続されるように形成されていてもよい。
In this
<第6実施形態>
第6実施形態では、第2基板20に貫通電極213、215が形成されていない場合の圧力センサ1Eについて説明する。
<Sixth Embodiment>
In the sixth embodiment, a
図11は、本発明の第6実施形態に係る圧力センサ1Eを説明するための断面図である。圧力センサ1Eは、第2基板20Eが第1基板10の外側まで拡がっている。第2基板20Eには、接触検知面として機能する電極255E1と、電極255E1の下層に第1室110から開口部115を通過して外部空間1000まで延在する電極255E2が設けられている。また、第1実施形態における電極235に対応する電極235Eが、半田用の電極パッドとして電極255E2上に形成されている。電極255E2は、開口部115を通過しているため、第1室100から外部空間1000まで活性層15と接触せずに延在することができる。このように電極を配置することにより、貫通電極215を用いずに外部空間1000に電極を引き出すことができる。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a
また、第2基板20Eには、活性層15と第2基板20Eとに挟まれた領域から外部空間1000まで延在している電極253Eが設けられている。電極253は活性層15と接触して電気的に接続されている。また、第1実施形態における電極233に対応する電極233Eが、半田用の電極パッドとして電極253E上に形成されている。このように電極を配置することにより、貫通電極213を用いずに外部空間1000に電極を引き出すことができる。なお、電極253Eは、活性層15と第2基板20Eとに挟まれて配置されなくても、活性層15の外側面と電気的に接触して配置されてもよい。
The
なお、第2基板20と活性層15との間に電極253Eが存在することにより、活性層15と第2基板20Eとの接続がしにくくなるが、接合強度に問題は生じない。陽極接合を用いて接合すれば、強固な接合強度を維持することができる。また、電極233に沿って空間が形成され、気密性が保てない場合もあるが、第1室100が開口部115を介して外部空間1000と接続されている場合には、特に問題は生じない。
Note that the presence of the
第6実施形態では、貫通電極233、235を用いない場合について説明したが、貫通電極233または貫通電極235のいずれか一方のみを用いないようにしてもよい。
In the sixth embodiment, the case where the through
<第7実施形態>
第7実施形態においては、上述した第1実施形態における圧力センサ1を用いて外部空間の圧力変化を検知する圧力検知装置100について説明する。
<Seventh embodiment>
In the seventh embodiment, a
図12は、本発明の第7実施形態に係る圧力検知装置100の構成を示すブロック図である。圧力検知装置100は、例えば、車両のタイヤ内部等の密閉空間の圧力を検知する。圧力検知装置100は、圧力センサ1、検知部2、送信部3および電源4を有する。また、受信部6および通知部7と圧力検知装置100とで圧力検知システム500を構成する。
FIG. 12 is a block diagram showing the configuration of the
電源4は電池であり、検知部2および送信部3に電力を供給する。なお、電源4が充電可能な電池である場合には、発電機41を別途備えていてもよい。図12示す例では、発電機41が存在する場合を示している。この発電機41は、例えば、ピエゾ素子等を用いてタイヤの回転に伴う運動や振動を電力に変換するトランスデューサであればよい。また、この場合には、電源4は充電可能な二次電池に限らず、トランスデューサが発電した電力を蓄積するキャパシタであってもよい。
The power source 4 is a battery and supplies power to the
検知部2は、圧力センサ1における電極233と電極235に接続され、これらの電極が導通状態にあるか非導通状態にあるかを検知する。
The
送信部3は、検知部2において電極233と電極235とが導通状態になったことを検知すると、検知信号を無線で出力する。この検知信号は、受信部6において受信される。受信部6は、検知信号を受信すると、通知部7に検知信号を受信したことを通知する。通知部7は、受信部6からの通知を受けると、圧力検知装置100において電極233と電極235とが導通状態になったこと、すなわち導電部155と電極255とが接触したことを、ユーザに通知する。通知部7の通知は、タイヤ内の圧力が所定の圧力より低くなったことをユーザに通知するものであればよく、例えば、アラーム音の発生、ディスプレイへの表示等、予め決められた方法でユーザに通知されればよい。
When the transmission unit 3 detects that the
このように圧力検知装置100がタイヤ内に設置され、タイヤの圧力を測定対象とする場合には、タイヤ内の圧力が大気圧まで下がってしまう前にユーザに通知する必要があるため、第1室110の圧力がタイヤの規定圧力の30%減等になったときに、導電部155と電極255とが接触するように設定する。この設定は、圧力センサ1を製造する際に、例えば、第2室120の圧力を当該規定圧力の30%減程度に設定してもよい。また、第2室120の圧力は大気圧とした場合、可撓部151の残存膜厚を大きくして、第1室110が大気圧である場合でも導電部155が電極255に押しつけられ、可撓部151が第2室120側に撓むようにしてもよい。このとき、可撓部151の残存膜厚を大きくする代わりに、またはこれと併用して、導電部155および電極255の少なくとも一方の高さ(膜厚)を大きくしてもよい。
As described above, when the
<第8実施形態>
上述した圧力検知装置100において、複数の圧力センサ1を用いてもよい。この場合には、複数の圧力センサ1のそれぞれは、導電部155と電極255とが離隔した状態から接触した状態に変化するときの外部空間1000(第1室110)の圧力が、異なっている。
<Eighth Embodiment>
In the
このようにすると、第2実施形態において説明した圧力センサ1Aを用いた場合と同様に、外部空間1000の圧力を3値以上のデジタル値として検出することができる。例えば、2種類の圧力センサ1として、外部空間1000の圧力が第1しきい圧力以下になると導電部155と電極255とが導通する圧力センサ1と、外部空間1000の圧力が第2しきい圧力以下になると導電部155と電極255とが導通する圧力センサ1とを用いる。この場合には、外部空間1000の圧力が、第2しきい圧力値以上である場合に正常値とし、第1しきい圧力値以上第2しきい圧力値未満である場合に警告値とし、第1しきい圧力値未満である場合に異常値として検出することができる。
In this way, as in the case of using the
導電部155と電極255とが非導通状態から導通状態に変化する際の外部空間1000の圧力を変化させるためには、圧力センサ1の製造時において、可撓部151の厚さ、大きさ(円形である場合には直径、円形でない場合には、例えば固定部160間の距離)、導電部155の高さ(厚さ)、電極255の高さ(厚さ)、可撓部151と第2基板20との距離、第2室120の圧力等の少なくとも一つのパラメータを、圧力センサ1毎に異ならせればよい。なお、可撓部151を厚くする場合には、可撓部151そのものを厚くする場合に限らず、可撓部151が撓みにくくなるように、導電部155等の別の部材を大きな面積で形成してもよい。
In order to change the pressure of the
1,1A,1B,1C,1D…圧力センサ、2…検知部、3…送信部、4…電源、6…受信部、7…通信部、10…第1基板、13…BOX層、15,15B…活性層、17…支持層、20,20C…第2基板、30,30B…第3基板、100…圧力検知装置、110,110B…第1室、115,325,2135C,2155C…開口部、120,120B…第2室、151…可撓部、155,155−1,155−2,155D…導電部、160…固定部、213,215,213C,215C…貫通電極、233,235,235−1,235−2,253,255,255−1,255−2,255D…電極、500…圧力検知システム、1000…外部空間、1501…第1窪み部、1502…第2窪み部、1503…第3窪み部、1505…導電層、1511…第1面、1512…第2面
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記可撓部の周囲の少なくとも一部を固定する固定部と、
前記可撓部の前記第1面側に形成され、前記導電部に対応する位置に導電性を有する接触検知面を有する第1室と、
前記可撓部の前記第2面側に形成され、当該可撓部により前記第1室と隔てられた第2室と、
前記第1室および前記第2室の少なくとも一方と外部空間とを接続する開口部と、
を備え、
前記可撓部は、前記第1室と前記第2室との圧力差の変化により撓み量が変化し、
前記可撓部の撓みによって、前記導電部と前記接触検知面との接触または非接触とが切り替わり、
前記可撓部の前記第1面側には複数の前記導電部が形成され、
少なくとも1つの前記導電部の前記固定部からの距離は、他の前記導電部の前記固定部からの距離と異なり、
前記接触検知面は、それぞれの前記導電部に対応して設けられていることを特徴とする圧力センサ。 A flexible portion having a first surface and a second surface, and having a conductive portion on the first surface side;
A fixing portion for fixing at least a part of the periphery of the flexible portion;
A first chamber formed on the first surface side of the flexible portion and having a contact detection surface having conductivity at a position corresponding to the conductive portion;
A second chamber formed on the second surface side of the flexible portion and separated from the first chamber by the flexible portion;
An opening for connecting at least one of the first chamber and the second chamber to an external space;
With
The amount of deflection of the flexible portion changes due to a change in pressure difference between the first chamber and the second chamber,
By the deflection of the flexible portion, Ri and the conductive portion and the contact or non-contact with the contact detection surface switches,
A plurality of the conductive portions are formed on the first surface side of the flexible portion,
The distance from the fixed part of at least one of the conductive parts is different from the distance from the fixed part of the other conductive parts,
The pressure sensor , wherein the contact detection surface is provided corresponding to each of the conductive portions .
前記可撓部の周囲の少なくとも一部を固定する固定部と、
前記可撓部の前記第1面側に形成され、前記導電部に対応する位置に導電性を有する接触検知面を有する第1室と、
前記可撓部の前記第2面側に形成され、当該可撓部により前記第1室と隔てられた第2室と、
前記第1室および前記第2室の少なくとも一方と外部空間とを接続する開口部と、
を備え、
前記可撓部は、前記第1室と前記第2室との圧力差の変化により撓み量が変化し、
前記可撓部の撓みによって、前記導電部と前記接触検知面との接触または非接触とが切り替わり、
前記可撓部の前記第1面側には複数の前記導電部が形成され、
少なくとも1つの前記導電部の前記第1面からの突出量は、他の前記導電部の前記第1面からの突出量と異なり、
前記接触検知面は、それぞれの前記導電部に対応して設けられていることを特徴とする圧力センサ。 A flexible portion having a first surface and a second surface, and having a conductive portion on the first surface side;
A fixing portion for fixing at least a part of the periphery of the flexible portion;
A first chamber formed on the first surface side of the flexible portion and having a contact detection surface having conductivity at a position corresponding to the conductive portion;
A second chamber formed on the second surface side of the flexible portion and separated from the first chamber by the flexible portion;
An opening for connecting at least one of the first chamber and the second chamber to an external space;
With
The amount of deflection of the flexible portion changes due to a change in pressure difference between the first chamber and the second chamber,
By the bending of the flexible portion, the contact or non-contact between the conductive portion and the contact detection surface is switched,
A plurality of the conductive portions are formed on the first surface side of the flexible portion,
The amount of protrusion of the at least one conductive part from the first surface is different from the amount of protrusion of the other conductive part from the first surface,
The pressure sensor , wherein the contact detection surface is provided corresponding to each of the conductive portions .
前記接触検知面を有し、前記第1基板と前記第1面側で接合される第2基板と、
を備え、
前記第1室は、前記第1基板と前記第2基板との間に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の圧力センサ。 A first substrate having the flexible portion and the fixing portion;
A second substrate having the contact detection surface and bonded to the first substrate on the first surface side;
With
The first chamber, the pressure sensor according to claim 1 or 2, characterized in that it is formed between the first substrate and the second substrate.
前記第2室は、前記第1基板と前記第3基板との間に形成されることを特徴とする請求項3に記載の圧力センサ。 A third substrate bonded to the first substrate on the second surface side;
The pressure sensor according to claim 3 , wherein the second chamber is formed between the first substrate and the third substrate.
前記第1室の圧力が前記第2室の圧力より所定圧力値以上大きい場合に、前記導電部と前記接触検知面とが離隔することを特徴とする請求項8に記載の圧力センサ。 When there is no pressure difference between the first chamber and the second chamber, the conductive portion and the contact detection surface are in contact with each other,
9. The pressure sensor according to claim 8 , wherein when the pressure in the first chamber is larger than a pressure value in the second chamber by a predetermined pressure value or more, the conductive portion and the contact detection surface are separated from each other.
前記導電部と前記接触検知面との接触を、当該導電部と当該接触検知面との導通の有無によって検知する検知部と、
を備え、
前記第1室と前記密閉空間とは、前記開口部を介して接続され、
前記密閉空間の圧力が所定の圧力より低くなると、前記導電部と前記接触検知面とが接触することを特徴とする圧力検知装置。
The pressure sensor according to any one of claims 1 to 9 , wherein the pressure sensor is formed in a sealed space;
A detection unit that detects contact between the conductive unit and the contact detection surface based on the presence or absence of conduction between the conductive unit and the contact detection surface;
With
The first chamber and the sealed space are connected via the opening,
When the pressure in the sealed space is lower than a predetermined pressure, the pressure detecting device is characterized in that the conductive portion comes into contact with the contact detection surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014031548A JP6314530B2 (en) | 2014-02-21 | 2014-02-21 | Pressure sensor and pressure detection device |
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