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JP6320192B2 - 波長可変光源および波長可変光源モジュール - Google Patents
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Description

本発明は、複数の半導体レーザを集積した波長可変光源および当該波長可変光源を備える波長可変光源モジュールに関する。
近年、通信需要の飛躍的な増加に伴い、波長が異なる複数の信号光を多重化することによって1本の光ファイバで大容量伝送を可能とする波長分割多重通信システムが実現されている。
上記の波長分割多重通信システムに用いられる光源としては、少なくとも30〜40dB以上の高いサイドモード抑圧比(Side Mode Suppression Ratio:SMSR)が得られる単一モードのLD(Laser Diode)(以下、単一モードLDという)が好適である。単一モードLDには、例えば、分布帰還型LD(Distributed Feedback Laser Diode、以下、DFB−LDという)や、分布ブラッグ反射型LD(Distributed Bragg Reflector Laser Diode、以下、DBR−LDという)等がある。
また、波長分割多重通信システムを実現するためには、全波長帯域をカバーする低コストの波長可変光源が必要となる。当該波長可変光源としては、同一基板上にモノリシック集積されたLD光源が注目されている。
一般的に、上記の波長可変光源は、データ信号を生成する外部変調器モジュールと組み合わせて用いられるが、他に電界吸収(Electro absorption:EA)型光変調器やマッハツェンダ(Mach Zehnder:MZ)型光変調器を同一基板上にモノリシック集積する研究も行われている。
従来、複数のDFB−LDの出力側が多モード干渉(Multi Mode Interference)型の光合波回路(以下、MMIという)の入力導波路に接続され、MMIにて合波された光が出力導波路から出力するよう構成された波長可変光源が開示されている(例えば、特許文献1参照)。なお、以下では、K入力(Kは自然数)、L出力(Lは自然数)のMMIのことを、K×L−MMIと記す。すなわち、K入力とはMMIに接続されるK本の入力導波路のことをいい、L出力とはMMIに接続されるL本の出力導波路のことをいう。
また、複数のLDの出力側がN×2−MMI(Nは3以上の自然数)に接続され、MMIの2本の出力導波路がマッハツェンダ変調器の2本のアームに接続された波長可変光源が開示されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2によれば、N×1−MMIを用いる場合と比較して、光損失を改善することが可能となる。
また、複数のDFB−LDの出力側がMMIに接続され、MMIの2本の出力導波路の各々にて位相調整を行った後、他のMMIを介して1本の出力導波路から光が出力されるよう構成された波長可変光源が開示されている(例えば、特許文献3参照)。特許文献3によれば、高出力化とSN比(Signal to Noise ratio)の改善が可能となる。
特許第3887744号公報 特許第4728746号公報 特開2011−44581号公報
幹線系において伝送速度40Gbps以上の波長分割多重通信システムでは、近年、光位相変調を用いたデジタルコヒーレント通信が実用化されつつある。デジタルコヒーレント通信を採用した波長分割多重通信システムでは、レーザ発振線幅が1MHz以下、より望ましくは500kHz以下の狭線幅波長可変光源が送受信用の光源として用いられている。
上記のデジタルコヒーレント通信を採用した波長分割多重通信において、送信用および受信用で使用する光信号の波長が異なる場合、送信用と受信用とで別個の波長可変光源が必要であり、当該波長可変光源を備える送受信装置全体の消費電力が増加する。
一方、上記のデジタルコヒーレント通信を採用した波長分割多重通信において、送信用および受信用で使用する光信号の波長が同じ場合も多くあり、一般的に送信用と受信用とで必要とされる狭線幅波長可変光源の光出力は異なる。このような場合は、送受信装置全体の消費電力の低減や実装面積の低減の観点から、1つの波長可変光源を送受信用の光源として兼用することが望ましい。
例えば、特許文献1〜3の波長可変光源を送受信用の光源として兼用する場合において、特許文献1〜3の波長可変光源は1出力であるため偏波保持カプラによって2出力にする必要がある。しかし、このような構成では偏波保持カプラで分岐損が生じてしまうため、当該分岐損を補うために波長可変光源の出力側に設けられた半導体光増幅素子(Semiconductor Optical Amplifier、以下、SOAという)に対する注入電流を増やして波長可変光源からの光出力を増加させる必要があるが、消費電力やレーザ発振線幅の増大の原因になるという問題がある。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、送受信用の光源として兼用し、かつレーザ発振線幅および消費電力の増大を抑制することが可能な波長可変光源および波長可変モジュールを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明による波長可変光源は、入力側および出力側を有し、入力側に複数の第1の入力導波路の一端が接続され、出力側に複数の第1の出力導波路が接続され、かつ各第1の入力導波路から入力された光を合波し、当該合波した光を各第1の出力導波路に出力する第1の光合波回路と、各第1の入力導波路の他端に接続され、各々が異なる波長で単一モード発振可能な複数の半導体レーザと、各第1の出力導波路のうちの2つの第1の出力導波路に各々接続され、互いの増幅率が同一ではない2つの光増幅器とを備え、各光増幅器は、出力端側が曲がり導波路として形成され、第1の入力導波路は、10本以上であり、第1の光合波回路の入力側の入力端面および出力側の出力端面の幅がWであり、第1の入力導波路がN本(Nは10以上の自然数)、かつ第1の出力導波路が2本存在する場合において、第1の入力導波路は、入力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの間隔で配置され、第1の出力導波路は、出力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの0.7倍以上1.1倍以下の間隔で配置されることを特徴とする。
本発明によると、入力側および出力側を有し、入力側に複数の第1の入力導波路の一端が接続され、出力側に複数の第1の出力導波路が接続され、かつ各第1の入力導波路から入力された光を合波し、当該合波した光を各第1の出力導波路に出力する第1の光合波回路と、各第1の入力導波路の他端に接続され、各々が異なる波長で単一モード発振可能な複数の半導体レーザと、各第1の出力導波路のうちの2つの第1の出力導波路に各々接続され、互いの増幅率が同一ではない2つの光増幅器とを備え、各光増幅器は、出力端側が曲がり導波路として形成され、第1の入力導波路は、10本以上であり、第1の光合波回路の入力側の入力端面および出力側の出力端面の幅がWであり、第1の入力導波路がN本(Nは10以上の自然数)、かつ第1の出力導波路が2本存在する場合において、第1の入力導波路は、入力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの間隔で配置され、第1の出力導波路は、出力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの0.7倍以上1.1倍以下の間隔で配置されることを特徴とするため、送受信用の光源として兼用し、かつレーザ発振線幅および消費電力の増大を抑制することが可能となる。

本発明の実施の形態1による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態2による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態3による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態4による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態5による波長可変光源におけるMMI分岐特性の出力導波路間隔依存性を示す図である。 本発明の実施の形態6による波長可変光源におけるMMI分岐特性の最大導波路幅依存性を示す図である。 本発明の実施の形態7による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態8による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態9による波長可変光源モジュールの構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態10による送受信装置の構成の一例を示す図である。 前提技術による波長可変光源の構成の一例を示す図である。 前提技術による波長可変光源におけるMMI入力導波路の構成の一例を示す断面図である。 前提技術による波長可変光源におけるSOAの構成の一例を示す断面図である。 前提技術による送受信装置の構成の一例を示す図である。 前提技術による波長可変光源モジュールの構成の一例を示す図である。
本発明の実施の形態について、図面に基づいて以下に説明する。
なお、以下、各図において同一または同様の構成部分については同じ符号あるいは同じ名称を付しており、それらの機能も同様である。
また、各実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、あるいはそれらの相対的な配置などは本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。
<前提技術>
まず、本発明の前提技術について説明する。
図11は、前提技術による波長可変光源の構成の一例を示す図であり、発振波長が異なる複数の単一モードLDを用いた波長可変光源の構成の一例を示している。
DFB−LDアレイ2は、N個のDFB−LD1から構成され、N×1−MMI3(Nは3以上の自然数)のMMI入力導波路4に接続されている。
SOA6は、N×1−MMI3のMMI出力導波路5に接続されている。
上記の構成において、DFB−LDアレイ2のうちの任意のDFB−LD1をレーザ発振させると、DFB−LD1から出力された光(以下、LD出力光という)の1/NはMMI出力導波路5にて結合し、残りの(N−1)/NはMMI出力導波路5の外に放射される。分岐損失や結合損失等の補償は、SOA6に対して電流注入することによって行われ、SOA6からは高い送信用光出力7が外部に出力される。
図12は、図11のA−A断面の一例を示す断面図であり、MMI入力導波路4の構成の一例を示している。
MMI入力導波路4は、InP基板40上に、InP下部クラッド層41、InP電流ブロック層44およびInGaAsP導波層42、InP上部クラッド層43を順に積層して形成している。InGaAsP導波層42には、LD出力光に対する吸収のないInGaAsP系材料が用いられている。InGaAsP導波層42は、バルクのエピタキシャル層でもよく、多重量子井戸(Multiple Quantum Well:MQW)層でもよい。
なお、図12では、MMI入力導波路4の構成について示しているが、MMI出力導波路5の構成についても同様である。
また、N×1−MMI3の幅広の多モード領域における構成は、InGaAsP導波層42の幅(図12の紙面左右方向の幅)がMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5よりも広くなっていることを除けば、MMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の構成と同様である。
図13は、図11のB−B断面の一例を示す断面図であり、SOA6の構成の一例を示している。
SOA6は、InP基板40上に、InP下部クラッド層41、InP電流ブロック層44およびInGaAsP活性層45、InP上部クラッド層43、InGaAsPコンタクト層46を順に積層して形成している。InGaAsP活性層45には、MMI出力導波路5を通過する光(以下、導波光という)に対して利得を有するInGaAsP系材料が用いられている。InGaAsP活性層45は、バルクのエピタキシャル層でもよく、多重量子井戸(Multiple Quantum Well:MQW)層でもよい。
なお、図13では、SOA6の構成について示しているが、DFB−LD1の構成についても同様である。DFB−LD1およびSOA6では、InP基板40およびInGaAsPコンタクト層46に設けられた電極(図示せず)を介して電流注入を行うと、InGaAsP活性層45に利得が生じて自然放出光が発生する。DFB−LD1では、回折格子によって反射された特定の波長の自然放出光が誘導放出の種光となり、予め定められた閾値電流を超えるとレーザ発振する。一方、SOA6は、LD出力光に対する増幅器として機能するが、単独でレーザ発振しないように設計されている。
DFB−LD1の発振波長は、DFB−LD1の温度(以下、素子温度という)に応じて約0.1nm/℃の割合で変化する。従って、素子温度を所定の範囲(例えば、10〜50℃)で変化させたときに、DFB−LDアレイ2(例えば、N=10〜16)のうちの任意のDFB−LD1の発振波長が、隣接する他のDFB−LD1の発振波長と一致するように、各DFB−LD1の発振波長の間隔を設計しておく。このとき、DFB−LD1の選択と素子温度調整との併用によって、ワンチップで形成されたDFB−LDアレイ2でC帯(Conventional band)またはL帯(Long band)の全波長帯域(約30〜40nm)をカバーすることができる。
図14は、前提技術による送受信装置8の構成の一例を示す図であり、デジタルコヒーレント通信システム用の送受信装置8の構成を示している。
波長可変光源モジュール9から出力された送信用光出力7は、変調器モジュール10にて変調された後、送信信号11として外部に出力される。
また、外部から受信した受信信号12は、波長可変光源モジュール9から出力された受信用光出力13とともに受信モジュール14に入力され、信号処理後に復元される。
図14に示す送受信装置8において、変調器モジュール10にて挿入損失が生じるため、一般的に送信用光出力7は高い出力を必要とするが、受信用光出力13は相対的に低い出力であってもよい。
しかし、上述の通り、送信用および受信用で使用する光信号の波長が同じ場合は、送受信装置8全体の消費電力の低減や実装面積の低減の観点から、1つの波長可変光源モジュールを送受信用の光源として兼用することが望ましい。
図15は、前提技術による波長可変光源モジュール9の構成の一例を示す図であり、送信用および受信用で使用する光信号の波長が同じであり、1つの波長可変光源モジュールを送受信用の光源として兼用した場合の構成を示している。
波長可変光源モジュール9は、波長可変光源15と、結合光学系16と、ビームスプリッタ18と、モニタ19とを備えている。また、波長可変光源モジュール9のLD出力側には、光ファイバ17および偏波保持カプラ20が接続されている。
波長可変光源15は単一モードのLD出力光を出射し、出射されたLD出力光はレンズや光アイソレータ(図示せず)等を含む結合光学系16を介して光ファイバ17に結合する。光ファイバ17に結合したLD出力光は、偏波保持カプラ20によって所定の比率に分岐され、分岐された各々のLD出力光は送信用光出力7および受信用光出力13として出力される。
また、結合光学系16を通過するLD出力光の一部は、ビームスプリッタ18にて取り出され、波長フィルタやフォトダイオード等(図示せず)を含むモニタ19にてLD出力光の波長や出力レベルが検出される。
上記の構成において、波長可変光源15は1出力であるため、偏波保持カプラによって2出力にしている。しかし、このような構成では偏波保持カプラで分岐損が生じてしまうため、当該分岐損を補うために波長可変光源の出力側に設けられたSOA(図示せず)に対する注入電流を増やして波長可変光源15からのLD出力光の出力を増加させる必要があるが、消費電力やレーザ発振線幅の増大の原因になるという問題がある。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、以下に詳細に説明する。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
本実施の形態1による波長可変光源は、12個のDFB−LD1(半導体レーザ)から構成されるDFB−LDアレイ2と、MMI入力導波路4(第1の入力導波路)と、12×2−MMI21(第1の光合波回路)と、第1のSOA22および第2のSOA23(光増幅器)とを備えており、それらの出力端側が曲がり導波路24として形成されている。図11に示す前提技術による波長可変光源との差異は、本実施の形態1の12×2−MMI21に2つのMMI出力導波路5が接続されている点である。
なお、図11の前提技術および本実施の形態における説明図では、簡単のため出力光を水平方向に描いているが、実際には出射導波路の曲がり角で決まる方向に出射されることは言うまでもない。後述するように、各々の出力光は、小型レンズ光学系により、2本の光ファイバに独立して結合することができる。
12×2−MMI21は、入力側および出力側を有し、入力側に12本のMMI入力導波路4の一端が接続され、出力側に2本のMMI出力導波路5が接続され、かつ各MMI入力導波路4から入力されたLD出力光を合波し、当該合波したLD出力光を各MMI出力導波路5に出力する。
12個のDFB−LD1は、各MMI入力導波路4の他端に接続され、各々が異なる波長で単一モード発振可能である。
第1のSOA22および第2のSOA23は、各MMI出力導波路5のうちの2つのMMI出力導波路5に各々接続されている。
2つのMMI出力導波路5の出射端側には、長さ(LD出力光の通過方向の長さ)以外は同一の導波路型のSOA(第1のSOA22および第2のSOA23)が設けられており、第1のSOA22および第2のSOA23の各々には電流注入機構(図示せず)が独立して接続されている。第1のSOA22および第2のSOA23は、MMI出力導波路5の所定の箇所をエッチングで除去した後、バットジョイント成長と呼ばれる再成長技術によって、MMI出力導波路5の断面と第1のSOA22および第2のSOA23の断面とが直接接合するように形成される。また、出力端での反射戻り光の発生を抑制するために、出力端面には無反射コーティング(図示せず)が施されており、かつ第1のSOA22および第2のSOA23の出力端側に曲がり導波路24を形成することによって、出力端面からの反射戻り光を低減し、レーザ発振線幅の増大を抑制している。反射戻り光の発生を抑制することによって、レーザ発振線幅の増大を抑制することができる。
なお、MMI入力導波路4、MMI出力導波路5、DFB−LD1、第1のSOA22、および第2のSOA23の構成は、図12および図13に示す構成と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、波長可変光源の動作について説明する。
任意のDFB−LD1を選択して閾値電流以上の電流注入を行うと、当該選択されたDFB−LD1にてレーザ発振が生じる。DFB−LD1から出力されたLD出力光は、MMI入力導波路4を介して12×2−MMI21の多モード領域に入力される。後述の通り(実施の形態3,5,6参照)、12×2−MMI21が適切に設計されていれば、全波長帯域に渡って2つのMMI出力導波路5に略等しく、それぞれ前提技術によるDFB−LD1(図11参照)と略同程度である約1/12の割合でLD出力光を結合させることができる。従って、2つのMMI出力導波路5を設けたとしても、前提技術によるDFB−LD1よりも駆動電流を増大させる必要はない(すなわち、DFB−LD1の駆動電流は前提技術と同程度でよい)。
第1のSOA22および第2のSOA23に対して電流注入を行うと、各MMI出力導波路5を進行するLD出力光は増幅され、電流値を増やすと第1のSOA22および第2のSOA23における増幅率も増大する。当該増幅率は、入力光を基準とした出力光強度を対数表示することによって表されるが、一般的に非線形的な振る舞いを示す。すなわち、入力光が弱い(低出力)と増幅率は略一定であるが、入力光が強い(高出力)と増幅率が低下するため、最大出力が入力光強度とともに飽和する傾向を示す。また、第1のSOA22および第2のSOA23の単位長さ当たりの飽和出力は、第1のSOA22および第2のSOA23の活性層(図13のInGaAsP活性層45に相当)の光閉じ込め係数や電流密度によって決まる。従って、第1のSOA22および第2のSOA23の活性層の光閉じ込め係数や電流密度が同じであれば、第1のSOA22および第2のSOA23の最大出力は、第1のSOA22および第2のSOA23の長さによって決定される。
図1に示すように、第1のSOA22の長さは第2のSOA23の長さよりも長く、活性層の幅や光閉じ込め係数は同一である。従って、同じ電流密度における最大出力は、第1のSOA22の方が第2のSOA23よりも高くなる。すなわち、第1のSOA22の方が第2のSOA23よりも増幅率が高い。
上述の通り、デジタルコヒーレント通信システム用の送受信装置では、受信用光出力13は送信用光出力7よりも低くてもよいため、第1のSOA22にて増幅された光を送信用光出力7として用い、第2のSOA23にて増幅された光を受信用光出力13として用いることが可能となる。
換言すれば、第1のSOA22の長さが前提技術によるSOA6(図11参照)と同一であれば、同等の送信用光出力7を得るために必要なDFB−LD1の駆動電流と第1のSOA22に対する注入電流は同じであり、受信用光出力13を得るために必要な第2のSOA23に対する注入電流は前提技術よりも少ない。従って、図1に示す本実施の形態1による1つの波長可変光源を送受信装置に用いた場合、別個の波長可変光源を用いた前提技術による送受信装置(図14参照)に比べて、消費電力を1/2以下に低減することができる。
以上のことから、本実施の形態1によれば、波長可変光源を送受信用の光源として兼用し、かつレーザ発振線幅および消費電力の増大を抑制することが可能となる。
<実施の形態2>
図2は、本発明の実施の形態2による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
図2に示すように、本実施の形態2による波長可変光源は、12×3−MMI25を備えることを特徴としている。すなわち、MMI出力導波路5を3つ備えることを特徴としている。その他の構成および動作は実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
3つのMMI出力導波路5のうちの2つには、実施の形態1と同様に第1のSOA22および第2のSOA23が形成されている。また、残り1つのMMI出力導波路5にはSOAが形成されず、モニタ用光出力26として用いられる。
次に、波長可変光源の動作について説明する。
任意のDFB−LD1を選択して閾値電流以上の電流注入を行うと、当該選択されたDFB−LD1にてレーザ発振が生じる。DFB−LD1から出力されたLD出力光は、MMI入力導波路4を介して12×3−MMI25の多モード領域に入力される。後述の通り(実施の形態4参照)、12×3−MMI25が適切に設計されていれば、全波長帯域に渡って2つのMMI出力導波路5に略等しく、それぞれ前提技術によるDFB−LD1(図11参照)と略同程度である約1/12の割合でLD出力光を結合させることができ、前提技術によるDFB−LD1よりも駆動電流を増大させる必要はない(すなわち、DFB−LD1の駆動電流は前提技術と同程度でよい)。
第1のSOA22および第2のSOA23に対して電流注入を行うと、各MMI出力導波路5を進行するLD出力光は増幅され、第1のSOA22にて増幅された光を送信用光出力7として用い、第2のSOA23にて増幅された光を受信用光出力13として用いる。
また、モニタ用光出力26は、適切なフォトダイオードやエタロンの組み合わせで受光することによって、光出力あるいは発振波長のモニタ用として用いることができる。
以上のことから、本実施の形態2によれば、実施の形態1による効果に加えて、LD出力光の発振波長や光出力をモニタすることができる。
<実施の形態3>
図3は、本発明の実施の形態3による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
本実施の形態3では、N×2−MMI(Nは3以上の自然数)を適切に設計すること、すなわち、N×2−MMIに対してMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5を適切に配置することについて説明する。
なお、本実施の形態3による波長可変光源の構成および動作は、実施の形態1(図1参照)と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図3に示すように、N×2−MMI21(N=12)の多モード領域の横幅(N×2−MMI21の入力側の入力端面および出力側の出力端面の幅)をW、長さ(入力端面および出力端面と直交する面の長さ)をLとする。
12本のMMI入力導波路4の配置位置は、12×2−MMI21の多モード領域の横幅中央を原点(座標0)として(入力端面のW/2を中心として)、対称かつW/Nの間隔で配置されている。また、両外側の2本のMMI入力導波路4は、12×2−MMI21の多モード領域の端からW/(2N)の位置、すなわち座標(W/2−W/24、−W/2+W/24)に配置されている。
一方、2つのMMI出力導波路5も、出力端面のW/2を中心として、対称かつW/Nの間隔で配置され、図3の例では12本のMMI入力導波路4のうちの中央に配置される2本のMMI入力導波路4と同じ中心対称位置、すなわち座標(±W/24)に配置される。
なお、12×2−MMI21の多モード領域の長さLは、MMI入力導波路4の配置を上記と同様にした場合におけるN×1−MMI3の長さLの最適値と略同じでよい。
以上のことから、本実施の形態3によれば、N×2−MMIに対するMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5を適切に配置することによって、実施の形態1と同様の効果が得られる。
<実施の形態4>
図4は、本発明の実施の形態4による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
本実施の形態4では、N×3−MMI(Nは3以上の自然数)を適切に設計すること、すなわち、N×3−MMIに対してMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5を適切に配置することについて説明する。
なお、本実施の形態4による波長可変光源の構成および動作は、実施の形態2(図2参照)と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図4に示すように、N×3−MMI25(N=12)の多モード領域の横幅(N×2−MMI21の入力側の入力端面および出力側の出力端面の幅)をW、長さ(入力端面および出力端面と直交する面の長さ)をLとする。
12本のMMI入力導波路4の配置位置は、12×3−MMI25の多モード領域の横幅中央を原点(座標0)として(入力端面のW/2を中心として)、対称かつW/Nの間隔で配置されている。また、両外側の2本のMMI入力導波路4は、12×3−MMI25の多モード領域の端からW/(2N)の位置、すなわち座標(W/2−W/24、−W/2+W/24)に配置されている。
一方、2つのMMI出力導波路5も、出力端面のW/2を中心として、対称かつW/Nの間隔で配置され、図4の例では12本のMMI入力導波路4のうちの中央に配置される3本のMMI入力導波路4と同じ中心対称位置、すなわち座標(0、±W/24)に配置される。
なお、12×3−MMI25の多モード領域の長さLは、MMI入力導波路4の配置を上記と同様にした場合におけるN×1−MMI3の長さLの最適値と略同じでよい。
以上のことから、本実施の形態4によれば、N×3−MMIに対するMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5を適切に配置することによって、実施の形態2と同様の効果が得られる。
<実施の形態5>
実施の形態3の波長可変光源において、N×2−MMI21(N=12)の2本のMMI出力導波路5は、多モード領域(横幅W、長さL)の横幅中央を原点(座標0)として、W/Nの間隔で中心対称位置の座標(±W/24)に配置された。
MMI入力導波路4とMMI出力導波路5とは、前提技術による波長可変光源と略同程度の割合でLD出力光を結合させることができるが、厳密には入力導波路位置や波長によるばらつきが存在する。ここで、MMI入力導波路4から1本のMMI出力導波路5までの結合量ばらつきを結合損失分散、2本のMMI出力導波路5同士の結合量ばらつきを出力差分散と定義する。結合損失分散および出力差分散は、共に最小になることが望ましい。
出力導波路5の間隔を最適化することによって、実施の形態3よりも結合損失分散および出力差分散を改善することが可能である。図5は、12×2−MMIにおける結合損失分散および出力差分散の出力導波路間隔依存性を示す図である。横軸の導波路間隔は、標準の導波路間隔(W/N)に対して規格化されている。
図5に示すように、MMI出力導波路5の間隔がW/Nの0.9倍である場合において、結合損失分散および出力差分散が最適(最小)となることが分かる。また、MMI出力導波路5の間隔の0.7倍以上かつ1.1倍以下の範囲において、出力差分散の最適値からのずれを2dB以下に抑えることが可能である。
以上のことから、本実施の形態5によれば、MMI出力導波路5を、出力端面のW/2を中心として対称とし、W/Nの0.7倍以上かつ1.1倍以下の間隔で配置することによって、実施の形態3よりも結合損失分散および出力差分散を改善する効果が得られる。
<実施の形態6>
実施の形態5による波長可変光源において、MMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の幅W0は一定であった。各導波路の中心間隔dは、MMI入力導波路4側がW/N、MMI出力導波路5側がW/Nの0.7倍以上かつ1.1倍以下である。
MMI多モード領域(横幅W、長さL)の近傍において、MMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の幅をW0から広げるテーパ導波路(Wtaper、最大d以下)を導入することによって、結合損失分散および出力差分散を実施の形態5よりも改善することができる。図6は、12×2−MMIにおける結合損失分散および出力差分散のテーパ導波路幅依存性を示す図である。横軸のテーパ導波路幅は、標準の導波路幅W0に対して規格化されている。
図6に示すように、テーパ導波路幅を、標準の導波路幅W0の1.05倍以上かつ最大で導波路間隔以下までテーパ状に広げる(すなわち、MMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の各々の幅を、MMI多モード領域(第1の光合波回路)の入力端面および出力端面に近づくに従って、W0の1.05倍以上、かつMMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の配置間隔以下までテーパ状に広げる)ことによって、テーパなしの場合よりも結合損失分散を1dB、出力差分散を2dB以上改善できることが可能である。
以上のことから、本実施の形態6によれば、MMI入力導波路4およびMMI出力導波路5の各々の幅を、標準の導波路幅W0の1.05倍以上かつ最大で導波路間隔以下までテーパ状に広げることによって、実施の形態5よりも結合損失分散および出力差分散を改善する効果が得られる。
<実施の形態7>
図7は、本発明の実施の形態7による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
本実施の形態7では、12×2−MMI21が、3×1−MMI27(第2の光合波回路)と4×2−MMI28(第3の光合波回路)とによって構成されることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1(図1参照)と同様であるため、ここでは説明を省略する。
12×2−MMI21は、4個の3×1−MMI27と、1個の4×2−MMI28とから構成されている。
12個のDFB−LD1(図示せず)は、3個を一組として4組に分かれて配置され、各々3個のDFB−LD1がMMI入力導波路4に接続されている。
各々3本のMMI入力導波路4は、3×1−MMI27の入力側に接続されている。また、1本の出力導波路(第2の出力導波路)が出力側に接続されている。
各3×1−MMI27の出力導波路は、入力導波路(第2の入力導波路)として4×2−MMI28の入力側に接続されている。また、2本のMMI出力導波路5が4×2−MMI28の出力側に接続されている。
以上のことから、本実施の形態7によれば、12×2−MMI21を、3×1−MMI27と4×2−MMI28とによって構成しても、実施の形態2と同様の効果が得られる。すなわち、DFB−LD1がm個(mは2以上の自然数)を一組としてn組(nは2以上の自然数)存在する場合において、12×2−MMI21が、各々m本のMMI入力導波路4が入力側に接続され、1本の出力導波路が出力側に接続されたn個の3×1−MMI27と、各3×1−MMI27に接続された合計n本の出力導波路が入力導波路として入力側に接続され、MMI出力導波路5が出力側に接続された4×2−MMI28とを備えるよう構成しても、実施の形態1と同様の効果が得られる。
なお、本実施の形態7では、実施の形態1と同様の構成である場合について説明したが、N×2−MMIを備える波長可変光源であれば適用可能である。
<実施の形態8>
図8は、本発明の実施の形態8による波長可変光源の構成の一例を示す図である。
本実施の形態8では、12×3−MMI25が、3×1−MMI27と4×3−MMI29とによって構成されることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態2(図2参照)と同様であるため、ここでは説明を省略する。
12×3−MMI25は、4個の3×1−MMI27と、1個の4×3−MMI29とから構成されている。
12個のDFB−LD1(図示せず)は、3個を一組として4組に分かれて配置され、各々3個のDFB−LD1がMMI入力導波路4に接続されている。
各々3本のMMI入力導波路4は、3×1−MMI27の入力側に接続されている。また、1本の出力導波路(第2の出力導波路)が出力側に接続されている。
各3×1−MMI27の出力導波路は、入力導波路として4×3−MMI29の入力側に接続されている。また、3本のMMI出力導波路5が4×3−MMI29の出力側に接続されている。
以上のことから、本実施の形態8によれば、12×3−MMI25を、3×1−MMI27と4×3−MMI29とによって構成しても、実施の形態3と同様の効果が得られる。すなわち、DFB−LD1がm個(mは2以上の自然数)を一組としてn組(nは2以上の自然数)存在する場合において、12×3−MMI25が、各々m本のMMI入力導波路4が入力側に接続され、1本の出力導波路が出力側に接続されたn個の3×1−MMI27と、各3×1−MMI27に接続された合計n本の出力導波路が入力導波路として入力側に接続され、MMI出力導波路5が出力側に接続された4×3−MMI29とを備えるよう構成しても、実施の形態2と同様の効果が得られる。
なお、本実施の形態8では、実施の形態2と同様の構成である場合について説明したが、N×3−MMIを備える波長可変光源であれば適用可能である。
<実施の形態9>
図9は、本発明の実施の形態9による波長可変光源モジュール30の構成の一例を示す図である。
本実施の形態9では、実施の形態1〜8による波長可変光源のいずれかを、波長可変光源モジュール30の波長可変光源31として用いることを特徴としている。波長可変光源モジュール30におけるその他の構成および動作は、図15の前提技術による波長可変光源モジュール9と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図9に示すように、波長可変光源モジュール30の2つの出力ポートは、結合光学系16によって2本の光ファイバ17に分離して結像され、各光ファイバ17から出力される光を送信用光出力7および受信用光出力13として用いることができる。すなわち、波長可変光源31から出力された複数の出力光の各々を別個に取り出している。
以上のことから、本実施の形態9によれば、図15の前提技術による波長可変光源モジュール9の出力側に設けた偏波保持カプラ20が不要となるため、前提技術による波長可変光源モジュール9よりもレーザ発振線幅の増大を抑制することができる。
<実施の形態10>
図10は、本発明の実施の形態10による送受信装置32の構成の一例を示す図である。
本実施の形態10では、送受信装置32が、実施の形態8による波長可変光源モジュール30を備えることを特徴としている。
波長可変光源モジュール30から出力された送信用光出力7は、変調器モジュール10にて変調された後、送信信号11として外部に出力される。
また、外部から受信した受信信号12は、波長可変光源モジュール30から出力された受信用光出力13とともに受信モジュール14に入力され、信号処理後に復元される。
このように、波長可変光源モジュール30は、送受信用の光源モジュールとして兼用されている。
以上のことから、本実施の形態10によれば、波長可変光源モジュール30を送受信用の光源モジュールとして兼用することができるため、前提技術による2つの波長可変光源モジュール9を用いた送受信装置8(図14参照)よりも消費電力を低減することができる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1 DFB−LD、2 DFB−LDアレイ、3 MMI、4 MMI入力導波路、5 MMI出力導波路、6 SOA、7 送信用光出力、8 送受信装置、9 波長可変光源モジュール、10 変調器モジュール、11 送信信号、12 受信信号、13 受信用光出力、14 受信モジュール、15 波長可変光源、16 結合光学系、17 光ファイバ、18 ビームスプリッタ、19 モニタ、20 偏波保持カプラ、21 12×2−MMI、22 第1のSOA、23 第2のSOA、24 曲がり導波路、25 12×3−MMI、26 モニタ用光出力、27 3×1−MMI、28 4×2−MMI、29 4×3−MMI、30 波長可変光源モジュール、31 波長可変光源、32 送受信装置、40 InP基板、41 InP下部クラッド層、42 InGaAsP導波層、43 InP上部クラッド層、44 InP電流ブロック層、45 InGaAsP活性層、46 InGaAsPコンタクト層。

Claims (4)

  1. 入力側および出力側を有し、前記入力側に複数の第1の入力導波路の一端が接続され、前記出力側に複数の第1の出力導波路が接続され、かつ各前記第1の入力導波路から入力された光を合波し、当該合波した前記光を各前記第1の出力導波路に出力する第1の光合波回路と、
    各前記第1の入力導波路の他端に接続され、各々が異なる波長で単一モード発振可能な複数の半導体レーザと、
    各前記第1の出力導波路のうちの2つの前記第1の出力導波路に各々接続され、互いの増幅率が同一ではない2つの光増幅器と、
    を備え、
    各前記光増幅器は、出力端側が曲がり導波路として形成され、
    前記第1の入力導波路は、10本以上であり、
    前記第1の光合波回路の前記入力側の入力端面および前記出力側の出力端面の幅がWであり、前記第1の入力導波路がN本(Nは10以上の自然数)、かつ前記第1の出力導波路が2本存在する場合において、
    前記第1の入力導波路は、前記入力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの間隔で配置され、
    前記第1の出力導波路は、前記出力端面のW/2を中心として対称かつW/Nの0.7倍以上1.1倍以下の間隔で配置されることを特徴とする、波長可変光源。
  2. 前記第1の入力導波路および前記第1の出力導波路の各々の幅は、前記第1の光合波回路の前記入力端面および前記出力端面の近傍を除き一定幅であり、かつ前記近傍では前記第1の光合波回路の前記入力端面および前記出力端面に近づくに従って、前記一定幅の1.05倍以上、かつ前記第1の入力導波路および前記第1の出力導波路の配置間隔以下までテーパ状に広がることを特徴とする、請求項に記載の波長可変光源。
  3. 前記半導体レーザがm個(mは2以上の自然数)を一組としてn組(nは2以上の自然数)存在する場合において、
    前記第1の光合波回路は、
    各々m本の前記第1の入力導波路が入力側に接続され、1本の第2の出力導波路が出力側に接続されたn個の第2の光合波回路と、
    各前記第2の光合波回路に接続された合計n本の前記第2の出力導波路が第2の入力導波路として入力側に接続され、前記第1の出力導波路が出力側に接続された第3の光合波回路と、
    を備えることを特徴とする、請求項1に記載の波長可変光源。
  4. 請求項1ないしのいずれかに記載の波長可変光源を備え、
    前記波長可変光源から出力された複数の出力光の各々を別個に取り出し可能であることを特徴とする、波長可変光源モジュール。
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