JP6327382B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード）などの半導体発光素子を用いた発光装置は、バックライト、照明、車載ライトなどの市場において、小型化、光取り出しの高効率アップ、高出力化で高信頼性とする要求が、ますます、強くなっている。特に、バックライト用のサイドビュー型の発光装置は、小型化、薄型化しつつ、高効率、高出力の要求が強くなっている。

サイドビュー型の発光装置として、樹脂パッケージの凹部内に発光素子が搭載され、樹脂パッケージの凹部の開口から出射する光が照明光として用いられるものがある。このような構成の発光装置において、薄型化のために樹脂パッケージの凹部の開口の高さを低くすると、発光素子の側面と樹脂パッケージの凹部の内面との距離が短くなるため、樹脂パッケージの凹部の内側面に光が高強度に照射される。このため、発光素子からの光により樹脂パッケージが劣化して変色やクラックが発生し易くなり、結果として、発光装置の寿命を含めた信頼性の低下につながることとなる。
また、樹脂パッケージの下面側を実装面として半田実装する場合は、実装面と反対側の樹脂に内部応力が生じるため、実装後の使用により、樹脂パッケージの上面側にクラックが発生し易くなる。

例えば、特許文献１には、樹脂パッケージの凹部内に、平面視形状が正方形である１又は複数の発光素子を、配置面に垂直な軸回りに４５°回転した向きで配置する光半導体装置（発光装置）が記載されている。このように配置することで、発光素子からの光が樹脂パッケージの凹部の内面を照射する強度を低減させることができる。

特開２００５−５４３３号公報

しかしながら、特許文献１に記載された発光装置のように、平面視形状が正方形の発光素子を、配置面に垂直な軸回りに４５°回転した向きで配列すると、発光素子の載置スペースとして、少なくとも正方形の対角線分の幅及び高さが必要となる。このため、発光素子を実装するための実装領域において、単位面積当たりに配置される発光素子の面積が低下することとなり、発光装置の高出力化の効率が低下する。

本開示に係る実施形態は、小型でありながら、高効率な発光装置を提供することを課題とする。

本開示の実施形態に係る発光装置は、底面が長尺形状であり、前記底面に垂直な方向である正面方向に開口し、前記底面を囲む内壁が樹脂を主成分とする凹部を有するパッケージと、前記凹部の底面に配置され、正面視での形状が、全ての内角が１８０°未満であり、長尺形状の多角形である発光素子と、を備え、前記凹部の底面の短手方向を上下方向とし、前記凹部の底面の長手方向を横方向とし、前記パッケージの下方向の外面を実装面とした場合において、正面視で、前記発光素子の長手方向が横方向と略平行となり、前記凹部の底面の上辺に近接する前記発光素子の第１部分が、前記凹部の底面の下辺に近接する前記発光素子の第２部分よりも短くなるように、前記発光素子が配置される。

本開示の実施形態に係る発光装置によれば、小型でありながら、高効率とすることができる。

第１実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す底面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す右側面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置における発光素子の構成を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置における発光素子の構成を示す模式的断面図であり、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置における発光素子の平面視での形状を説明するための図である。 実装基板に実装された第１実施形態に係る発光装置において、発光素子の側面からの光取り出しを説明するための正面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子配置工程の詳細を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハを仮想的に区画する境界線を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハ上に発光素子が形成された状態を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である発光素子接合工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である配線工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である封止工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置において、外形形状が三角形の発光素子の配置を説明するための模式的正面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光装置において、外形形状が台形の発光素子の配置を説明するための模式的正面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的正面図である。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的正面図である。 第１実施形態に係る発光装置を用いた照明装置の構成を示す模式的断面図である。

以下、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、例えば平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
また、実施形態に係る発光装置及びその製造方法において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。

本開示の実施形態に係る発光装置は、底面が長尺形状であり、前記底面に垂直な方向である正面方向に開口し、前記底面を囲む内壁が樹脂を主成分とする凹部を有するパッケージと、前記凹部の底面に配置され、正面視での形状が、全ての内角が１８０°未満であり、長尺形状の多角形である発光素子と、を備え、前記凹部の底面の短手方向を上下方向とし、前記凹部の底面の長手方向を横方向とし、前記パッケージの下方向の外面を実装面とした場合において、正面視で、前記発光素子の長手方向が横方向と略平行となり、前記凹部の底面の上辺に近接する前記発光素子の第１部分が、前記凹部の底面の下辺に近接する前記発光素子の第２部分よりも短くなるように、前記発光素子が配置される。
なお、底面が長尺形状であり、前記底面に垂直な方向である正面方向に開口し、前記底面を囲む内壁が樹脂を主成分とする凹部を有するパッケージと、前記凹部の底面に配置され、正面視での形状が、全ての内角が１８０°未満であり、長尺形状の多角形である発光素子と、を備え、前記凹部の底面の短手方向を上下方向とし、前記凹部の底面の長手方向を横方向とし、前記パッケージの下方向の外面を実装面とした場合において、正面視で、前記発光素子の長手方向が横方向と略平行となり、前記凹部の底面の上辺に近接する前記発光素子の第１部分が、前記凹部の底面の下辺側の前記発光素子の辺の内で、横方向に対する傾斜が最も小さい辺の長さよりも短くなるように、前記発光素子が配置される発光装置としてもよい。
また、前記発光素子の正面視での形状が三角形であって、前記三角形の少なくとも最短ではない辺を底辺とし、当該底辺が横方向と略平行で、かつ当該底辺が下向きとなるように、前記発光素子が配置してもよい。
さらに、前記三角形は鈍角三角形であり、当該鈍角三角形の鈍角となる内角の対辺を底辺としてもよい。
また、前記三角形は２等辺三角形である発光装置、あるいは、前記三角形は直角三角形としてもよい。
そして、前記発光素子の正面視での形状が台形であって、前記台形の最も長い辺又はその対辺が横方向と略平行となるように、前記発光素子を配置してもよい。
さらに、前記台形は２つの底角が等しく、前記台形の底辺が横方向と略平行となるように配置してもよい。
また、前記発光素子は、正面視において、外部と接続するための１対の電極の一方を前記底辺の一端の近傍に設け、前記１対の電極の他方を前記底辺の他端の近傍に設けてもよい。
また、正面視において、前記凹部の底面の上辺と前記発光素子との最近接距離が、前記凹部の底面の下辺と前記発光素子との最近接距離と同じとしてもよい。
そして、複数の前記発光素子が、横方向に１列又は２列以上に配列してもよい。
前記実装面に半田を用いて実装してもよい。
さらに、前記発光素子は、シリコーン系のダイボンド樹脂を用いて前記凹部の底面に接合される、あるいは、更に、前記発光素子は封止樹脂により封止され、前記ダイボンド樹脂の屈折率は、前記封止樹脂の屈折率と同等以下としてもよい。

＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図１〜図３Ｂを参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図２Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図２Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す底面図である。図２Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す右側面図である。図３Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線における断面図である。図３Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図２ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。
なお、図１〜図３Ｂの各図には座標軸を示し、便宜的に、Ｙ軸のプラス方向に向かって見た図２Ａを正面図、Ｚ軸のマイナス方向に向かって見た図２Ｂを平面図（上面図）、Ｚ軸のプラス方向に向かって見た図２Ｃを底面図、Ｘ軸のマイナス方向に向かって見た図２Ｄを右側面図とする。

第１実施形態に係る発光装置１００は、発光素子１とパッケージ２とを備えて構成されている。
発光素子１は、パッケージ２の、正面に開口を有する凹部２３ａ内に設けられ、リード電極２１，２２の内部リード部２１ａ，２２ａと、それぞれワイヤ４で電気的に接続されている。発光素子１は、凹部２３ａの底面２３ｂにダイボンド樹脂５を用いて接合されている。更に、凹部２３ａ内には透光性を有する封止樹脂３が設けられ、発光素子１が封止されている。
また、発光素子１が発する光は、透光性を有する封止樹脂３を介して凹部２３ａの開口から正面方向（Ｙ軸のマイナス方向）に出射される。発光装置１００は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト用の光源に適するように、厚さ方向（Ｚ軸方向）に扁平に形成されている。

発光素子１は、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂ（Ｙ軸に垂直な面）に設けられた一方の極性の内部リード部２１ａにダイボンド樹脂５を用いて接合されている。また、発光素子１の正負のパッド電極（アノード及びカソード）は、それぞれ対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａとＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌなどのボンディング用のワイヤ４を用いて電気的に接続されている。
また、発光素子１は、１個のみ搭載されているが、複数搭載することもできる。複数の発光素子は、同じ色又は互いに異なる色を発するものでもよい。

なお、本実施形態において、発光装置１００はサイドビュー型（側面発光型）であるため、発光素子１の基板１１の主面が発光装置１００の上面に対して直交するように、発光素子１が実装される。本明細書において発光素子１の構成を説明する際に、便宜的に、発光素子１を平面視するとは、基板１１の主面の法線方向から観察することをいうものとする。従って、発光装置１００に実装された状態において、発光素子１の平面（上面）は、発光装置１００を正面視したときに観察される面のことである。

ここで、発光素子１の構成例について、図４Ａ〜図４Ｃを参照して説明する。
図４Ａは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の構成を示す模式的平面図である。図４Ｂは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の構成を示す模式的断面図であり、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。図４Ｃは、第１実施形態に係る発光装置における発光素子の平面視での形状を説明するための図である。

発光素子１は、ＬＥＤなどの半導体発光素子を好適に用いることができる。本実施形態における発光素子１は、平面視で横長の三角形に形成され、基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ側電極１３と、ｐ側電極１４と、絶縁膜１５と、保護膜１６とを備えて構成されている。また、本実施形態における発光素子１は、基板１１の一方の主面上に、ＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体積層体１２を備え、更に半導体積層体１２の一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１４とを備え、フェイスアップ型の実装に適した構造を有している。

発光素子１の平面視形状は三角形であり、図４Ｃに示すように、その三角形の３個の頂点をＡ〜Ｃとすると、辺ＡＢと辺ＢＣの長さが等しく、頂点Ｂの内角が９０°超の鈍角２等辺三角形である。また、発光素子１は、辺ＣＡを長手方向とし、頂点Ｂから辺ＣＡに下ろした垂線ＢＧを短手方向とするものである。従って、発光素子１は、凹部２３ａの底面２３ｂにおいて、辺ＣＡが底面２３ｂの長手方向と平行となり、頂点Ｂが底面２３ｂの上辺と対向する向きとなるように配置されている。また、発光素子１は、底面２３ｂの上辺と頂点Ｂとの距離が、底面２３ｂの下辺と辺ＣＡとの距離と略等しくなるように配置されることが好ましい。これによって、底面２３ｂの上辺に対応する上壁部２３ｃと、下辺に対応する下壁部２３ｄとに対する光の照射強度を、適切なバランスにすることができる。
本明細書において、発光素子１の長手方向と凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向とが「平行」又は「略平行」とは、平行からの傾斜角が１０°以内である場合を含むものとする。

なお、発光素子１の外形形状を鈍角三角形とすることにより、より横長形状とすることができ、薄型の発光装置１００の底面２３ｂ上に面積の使用効率よく配置することができて好ましい。また、外形形状を２等辺三角形とすることにより、発光装置１００の横方向の配光が左右対称となるため好ましい。
また、発光素子１の外形形状は鈍角２等辺三角形に限定されず、頂角が９０°以下であってもよく、辺ＡＢと辺ＢＣとが異なる長さであってもよい。更にまた、発光素子１の外形形状は三角形に限定されず、全ての内角が１８０°未満である凸多角形であってもよい。他の外形形状の例については後記する。

基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるために適した基板である。基板１１としては、例えば、半導体積層体１２をＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面の何れかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。

半導体積層体１２は、基板１１の上面である一方の主面上に、ｎ型半導体層１２ｎ及びｐ型半導体層１２ｐが積層されてなり、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４間に電流を通電することにより発光するようになっている。半導体積層体１２は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。

半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んだ段差部１２ｂが形成されている。段差部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎで構成されている。本実施形態では、段差部１２ｂは、発光素子１の外縁部に設けられており、左端部には段差部１２ｂが他部よりも広く設けられている。当該左端部に設けられた段差部１２ｂの底面の一部にｎ側電極１３が設けられ、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。

また、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、ｐ側電極１４の下層部として透光性電極１４１が設けられ、更に透光性電極１４１の上面の一部にパッド電極１４２が設けられている。また、平面視でパッド電極１４２が配置された領域の直下領域及びその近傍領域において、ｐ型半導体層１２ｐと透光性電極１４１との間に絶縁膜１５が設けられている。
また、パッド電極１３２及びパッド電極１４２の外部接続部を除き、半導体積層体１２、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４の表面は、保護膜１６で被覆されている。

半導体積層体１２は、液相成長法、ＨＤＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法により基板上にＺｎＳ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を積層して形成したものが好適に用いられる。半導体材料としては、混晶度の選択により、紫外光から赤外光までの発光波長を種々選択することができるため、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）で表される窒化ガリウム系の半導体をより好適に用いることができる。

ｎ側電極１３は、半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面において、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるように設けられ、発光素子１に外部からの電流を供給するための負極側の電極である。また、ｎ側電極１３は、光反射膜１３１とパッド電極１３２とが積層された構造を有している。
下層側の光反射膜１３１は、半導体積層体１２内を伝播してｎ側電極１３下面に入射する光を反射することで、ｎ側電極１３による光の吸収を抑制し、外部への光取り出し効率を高めるためのものである。そのため、光反射膜１３１は、半導体積層体１２が発する波長の光に対して、少なくともパッド電極１３２の下面よりも良好な光反射性を有するものが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を有するものを挙げることができる。

上層側のパッド電極１３２は、外部の電源と接続するための層である。パッド電極１３２は、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。

ｐ側電極１４は、ｐ型半導体層１２ｐの上面において、ｐ型半導体層１２ｐと電気的に接続されるように設けられ、発光素子１に外部からの電流を供給するための正極側の電極である。また、ｐ側電極１４は、透光性電極１４１とパッド電極１４２とが積層された構造を有している。

下層側の透光性電極１４１は、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を被覆するように設けられている。透光性電極１４１は、パッド電極１４２を介して外部から供給される電流をｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散するための電流拡散層として機能するものである。また、半導体積層体１２から発した光は、主として透光性電極１４１を介して外部に取り出される。このため、透光性電極１４１は、半導体積層体１２が発する光の波長に対して良好な透光性を有することが好ましい。

透光性電極１４１は、導電性金属酸化物から形成される。導電性金属酸化物としては、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｇａ（ガリウム）及びＴｉ（チタン）からなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物が挙げられる。具体的には、ＺｎＯ、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ₂Ｏ₃）、ＩＦＯ（ＦドープＩｎ₂Ｏ₃）、ＳｎＯ₂、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープＳｎＯ₂）、ＣＴＯ（ＣｄドープＳｎＯ₂）、ＴｉＯ₂などの導電性金属酸化物がある。
なかでも、ＩＴＯは、可視光（可視領域）において高い透光性を有し、導電率の高い材料であることから、ｐ型半導体層１２ｐ上の上面の略全面を覆うのに好適な材料である。

上層側のパッド電極１４２は、透光性電極１４１の上面の一部に設けられ、外部の電極と接続するための層である。また、パッド電極１４２は、ワイヤボンディングなどにより外部と接続するための外部接続部１４２ａと、当該外部接続部１４２ａから平面視での外形形状である三角形の中央近傍を経由してｎ側電極１３に向けて延伸して、電流をより効率的に拡散させるための延伸部１４２ｂとから構成されている。

パッド電極１４２は、前記したｎ側電極１３のパッド電極１３２と同様に、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。
なお、本実施形態において、パッド電極１４２は、外部接続部１４２ａ及び延伸部１４２ｂが、ともに同じ材料で構成されている。

絶縁膜１５は、ｐ型半導体層１２ｐ上であって、平面視で、パッド電極１４２が配置された領域の直下領域及びその近傍領域に、パッド電極１４２を包含するように設けられている。絶縁膜１５は、ｐ型半導体層１２ｐと透光性電極１４１との間に設けられることにより、パッド電極１４２の直下領域のｐ型半導体層１２ｐに流れる電流を抑制し、当該領域での発光を抑制させることができる。そして、パッド電極１４２に向かって伝播する光量を低減させることでパッド電極１４２によって吸収される光量を低減し、その結果として、半導体積層体１２全体としての発光量を増加させることができる。

また、絶縁膜１５は、透光性を有し、透光性電極１４１よりも屈折率が低い材料で構成されることが好ましい。絶縁膜１５をｐ型半導体層１２ｐ上に設けることにより、ｐ型半導体層１２ｐと絶縁膜１５との界面で、半導体積層体１２内を上方に伝播する光をスネルの法則に基づいて全反射させることができる。従って、絶縁膜１５を平面視でパッド電極１４２の直下領域及びその近傍領域に設け、パッド電極１４２に向かう光を手前で効率的に反射させることにより、パッド電極１４２による光吸収を低減させることができる。

絶縁膜１５としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの酸化物、ＳｉＮなどの窒化物、ＭｇＦなどのフッ化物を好適に用いることができる。これらの中で、屈折率が低いＳｉＯ₂をより好適に用いることができる。

保護膜１６は、透光性及び絶縁性を有し、基板１１の側面及び下面を除き、発光素子１の上面及び側面の略全体を被覆する膜である。また、保護膜１６は、パッド電極１３２の上面に開口部１６ｎを有し、パッド電極１４２の上面に開口部１６ｐを有している。
保護膜１６としては、前記した絶縁膜１５と同様の材料を用いることができ、例えば、ＳｉＯ₂を好適に用いることができる。

なお、発光素子１において、ｎ側電極１３，ｐ側電極１４、段差部１２ｂの配置領域や、パッド電極１３２，１４２の形状などは、本実施形態に限定されるものではなく、適宜な形状とすることができる。また、ｎ側電極１３についても延伸部を設けるようにしてもよい。

図１〜図３Ｂに戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
パッケージ２は、リード電極２１、２２と、樹脂部２３とを有して構成されている。パッケージ２は、外形が、発光装置１００の厚さ方向であるＺ軸方向に扁平に形成された略直方体形状を有しており、液晶ディスプレイのバックライト用の光源などに好適に用いられるサイドビュー型の実装に適している。

リード電極２１及びリード電極２２は、正負の極性に対応した一対の電極である。リード電極２１，２２は、樹脂部２３内に設けられ、発光素子１を搭載するための内部リード部２１ａ，２２ａと、樹脂部２３の底面側から突出し、実装基板と接続するための端子となる外部リード部２１ｂ，２２ｂとから構成されている。
リード電極２１，２２は、板状の金属を用いて形成され、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。その厚みは均一であってもよいし、部分的に厚く又は薄くなってもよい。

内部リード部２１ａ，２２ａは、樹脂部２３の凹部２３ａの底面２３ｂ（Ｙ軸に垂直な面）において、樹脂部２３から露出して設けられている。当該凹部２３ａの底面２３ｂにおいて、内部リード部２１ａと内部リード部２２ａとは、互いに電気的に分離されている。発光素子１は、半導体積層体１２が内部リード部２１ａと絶縁された状態で、ダイボンド樹脂を用いて当該内部リード部２１ａに接合されている。また、発光素子１の一対の電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１４は、ボンディング用のワイヤ４を用いて、それぞれが対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａと電気的に接続されている。

外部リード部２１ｂ，２２ｂは、それぞれ対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａと連続して形成されており、樹脂部２３の底面から突出し、樹脂部２３の底面に沿って背面側（Ｙ軸のプラス方向）に延伸するように屈曲し、更に一部が樹脂部２３の左右の側面に沿って上方（Ｚ軸のプラス方向）に延伸するように屈曲して設けられている。
発光装置１００は、底面を実装基板と対向させ、半田などの導電性の接着部材を用いて、外部リード部２１ｂ，２２ｂが実装基板の配線パターンと接合されることで実装される。

リード電極２１，２２を構成する材料は特に限定されないが、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子１で発生する熱を効率的に、外部リード部２１ｂ，２２ｂを介して外部に放熱することができる。リード電極２１，２２を構成する材料は、例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。また、内部リード部２１ａ，２２ａの凹部２３ａの底面２３ｂに露出した面には、搭載される発光素子１からの光を効率よく取り出すために、良好な光反射性を有するＡｇなどの反射メッキが施されていることが好ましい。

樹脂部２３は、内部リード部２１ａ，２２ａを取り囲むように設けられ、リード電極２１，２２を支持するためのパッケージ２の母体である。樹脂部２３の底面からは、内部リード部２１ａ，２２ａから連続する外部リード部２１ｂ，２２ｂが突出している。外部リード部２１ｂ，２２ｂは、屈曲しながら樹脂部２３の底面及び側面に沿うように設けられている。

樹脂部２３は、発光装置１００の正面側（Ｙ軸のマイナス方向）に開口する凹部２３ａを有している。当該凹部２３ａの底面２３ｂ（Ｙ軸のマイナス方向を法線ベクトルとする面）には、内部リード部２１ａ，２２ａが露出するように設けられ、更に内部リード部２１ａの樹脂部２３から露出した面に発光素子１が搭載されている。
また、樹脂部２３の背面には、射出成形法で樹脂部２３を形成する際の、金型内へ樹脂材料を注入するゲートの痕であるゲート痕２３ｆが形成されている。

樹脂部２３は、透光性を有する樹脂に光反射性物質の粒子を含有することで光反射性を付与された材料で形成され、凹部２３ａにおいて、発光素子１からの光を反射して、正面方向に効率的に出射させるための光反射部材としても機能する。
また、凹部２３ａ内には透光性の封止樹脂３が充填されている。

凹部２３ａは、正面視で、横長の開口部を有している。より具体的には、開口は、正面視で長方形の下辺の中央部が下方に台形状に膨らんだ八角形の形状をしている。また、凹部２３ａの底面２３ｂは、横長の八角形をした長尺形状を有しており、当該底面２３ｂに内部リード部２１ａ，２２ａが設けられている。また、凹部２３ａは、発光装置１００の厚さ方向（Ｚ軸方向）に互いに対向して設けられた上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄと、発光装置１００の幅方向（Ｘ軸方向）に互いに対向して設けられた２つの側壁部２３ｅとを持つ内壁で囲まれることによって構成されている。

ここで、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄは、側壁部２３ｅと比較して、薄く形成されている。また、凹部２３ａの底面２３ｂに設けられた内部リード部２１ａ，２２ａの一部が、一方の薄壁部である下壁部２３ｄの外側面の側まで延び、外部との接続用端子となる外部リード部２１ｂ，２２ｂとして当該外側面の側から突出し、更に屈曲して樹脂部２３の下面に沿って延伸するように設けられている。
このように、発光装置１００は、サイドビュー型の実装に適するようにリード電極２１，２２が設けられているとともに、サイドビュー型の発光装置１００として、より薄型となるように樹脂部２３が構成されている。

また、上壁部２３ｃ、下壁部２３ｄ及び側壁部２３ｅは、高さ方向（Ｚ軸方向）又は幅方向（Ｘ軸方向）について、発光素子１が搭載された凹部２３ａの底面２３ｂから開口に向かうほど、凹部２３ａが広がるように傾斜した内側面を有している。このため、発光素子１の側面（Ｙ軸に平行な面）から発して凹部２３ａの内側面に向かって伝播する光は、当該傾斜した内側面によって正面方向（−Ｙ軸方向）に向かって反射される。
なお、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄの内側面は、発光装置１００がより薄型の構造となるように傾斜を設けずに、凹部２３ａの底面２３ｂに対して略垂直な面で構成されてもよい。

樹脂部２３に用いられる樹脂材料としては、発光素子１が発する光の波長に対して良好な透光性を有することが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂又はこれらの樹脂を１種類以上含むハイブリッド樹脂などが挙げられる。なかでも、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフタルアミド樹脂が耐光性及び耐熱性に優れているため好ましい。ポリアミド樹脂は、ポリアミド６Ｔ、ポリアミド９Ｔ、ポリアミド１０Ｔ、ポリアミド６Ｃ、ポリアミド９Ｃなどを使用することができる。
また、サイドビュー型の発光装置１００では、発光素子１と樹脂部２３との間の距離が非常に短いので、光が樹脂部２３に高い強度で照射されるため、樹脂材料に耐光性が求められる。そのため、特に、化学構造にベンゼン環を含まないポリアミド樹脂、例えば、ポリアミド６Ｃ、ポリアミド９Ｃは、耐光性、耐熱性が優れているので好ましい。

樹脂部２３に含有させる光反射性物質としては、前記した樹脂材料との屈折率差が大きく、良好な透光性を有する材料の粒子を用いることが好ましい。
このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば１．８以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、２．０以上であることが好ましく、２．５以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば０．４以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、０．７以上であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径は、高い効率で光散乱効果を得られるように、０．０８μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。

なお、本明細書において、光反射性物質や波長変換物質などの粒子の平均粒径の値は、電子顕微鏡を用いた観察によるものとする。粒子は一定軸方向の長さについて測定する定方向径を使用し、電子顕微鏡（ＳＥＭ，ＴＥＭ）で粒子の大きさを測定する個数基準（個数分布）を用いる。

また、光反射性物質として、具体的には、ＴｉＯ₂（酸化チタン）、ＺｒＯ₂（酸化ジルコニウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＭｇＣＯ₃（炭酸マグネシウム）、Ｍｇ（ＯＨ）₂（水酸化マグネシウム）、ＣａＣＯ₃（炭酸カルシウム）、Ｃａ（ＯＨ）₂（水酸化カルシウム）、ＣａＳｉＯ₃（珪酸カルシウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＢａＴｉＯ₃（チタン酸バリウム）、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）などの白色顔料の粒子を用いることができる。なかでも、ＴｉＯ₂は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子１が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてＴｉＯ₂を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてＡｌ２Ｏ３を用いることが好ましい。

また、当該樹脂材料は、十分な光反射性が得られ、かつ、パッケージの形状を形成する際の成形性が損なわれない範囲で、光反射性物質が含有されている。そのためには、樹脂部２３に含有される光反射性物質の含有率は、１０質量％以上６０質量％以下とすることが好ましい。１０質量％以上とすることにより、樹脂の反射率を上げることができ、樹脂部２３からの光抜けを少なくし、発光装置１００の光取り出し効率を向上することができる。６０質量％以下とすることにより、樹脂の流動性をよくし、成形性を上げることができる。特に、サイドビュー型の発光装置１００の場合は、側壁が薄いため、樹脂の流動性が高いことが求められる。光取り出し効率を向上すること、及び成形性を向上することなどのために、樹脂部２３に含有される光反射性物質の含有率は、２０質量％以上５０質量％以下とすることがより好ましい。

封止樹脂３は、透光性を有する樹脂材料を主成分とし、樹脂部２３の凹部２３ａを充填するように設けられ、凹部２３ａの底面２３ｂに搭載される発光素子１を封止する部材である。また、封止樹脂３は、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質（蛍光体）を含有するようにしてもよい。例えば、発光素子１が青色光を発し、波長変換物質が青色光の一部を黄色光に変換するように構成することで、これらの光が混色した白色光を発光装置１００から出射させることができる。
なお、封止樹脂３に含有させる波長変換物質は複数種類でもよく、波長変換物質に代えて、又は加えて、光拡散性物質を含有させてもよい。

封止樹脂３としては、発光素子１が発する光の波長及び前記した波長変換物質が発する光の波長に対して良好な透光性を有し、封止部材として耐候性、耐光性及び耐熱性の良好な材料が好ましい。このような材料としては、前記した樹脂部２３と同様の樹脂材料やガラスなどを用いることができる。封止樹脂３の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、フッ素樹脂、フッ素変性樹脂、アダマンタン樹脂などが挙げられる。特に、耐熱性、耐光性に優れているため、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が好ましい。

また、波長変換物質（蛍光体）としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄）系蛍光体、緑色に発光する（Ｓｉ，Ａｌ）₆（Ｏ，Ｎ）₈：Ｅｕで表されるβサイアロン蛍光体、ＳｒＧａ₂Ｓ₄：Ｅｕで表される硫化物系蛍光体、赤色に発光するＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕで表されるＣＡＳＮ系又は（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕで表されるＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するＫＳＦ（Ｋ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎ）系蛍光体、赤色に発光する硫化物系蛍光体などが挙げられる。

また、封止樹脂３に含有させる光拡散性物質としては、具体的には、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂、ＣａＣＯ₃、Ｃａ（ＯＨ）₂、ＣａＳｉＯ₃、ＺｎＯ、ＢａＴｉＯ₃、Ａｌ₂Ｏ₃などの白色顔料の粒子を用いることができる。なかでも、ＴｉＯ₂は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
また、より良好な光散乱性を得るために、発光素子１が発する光が可視光の場合には、光拡散性物質としてＴｉＯ₂を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光拡散性物質としてＡｌ₂Ｏ₃を用いることが好ましい。

封止樹脂３に含有される光拡散性物質の粒子の平均粒径は、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、これによって高い効率の光散乱性を得ることができる。特に、封止樹脂３における光拡散性物質の粒子の平均粒径は、０．００１μｍ〜０．０５μｍがより好ましい。これによって、高い光散乱効果、つまり、レイリー散乱効果が得られ、発光装置１００としての光取り出し効率をより高くすることができる。
また、平均粒径が、好ましくは０．００１μｍ〜０．０５μｍの光拡散性物質の粒子と、前記した波長変換物質、特に、ＣＡＳＮ系、ＳＣＡＳＮ系のような窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系のようなフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体とを合わせて用いることにより、光取り出し効率を向上することができる。また、光取り出し効率が向上する分、波長変換物質の使用量を低減することで波長変換物質の発熱による温度上昇が抑制できるため、蛍光体の劣化が低減され、発光装置１００の信頼性を向上することができる。
特に、発光素子１が多角形ダイスであり、波長変換物質として硫化物系、フッ化物系又は窒化物系の蛍光体を有し、平均粒径が０．００１μｍ〜１０μｍの光拡散性物質を含む発光装置１００は、封止樹脂３や蛍光体の劣化を低減させたり、光取り出し効率を向上させたりすることができる。

ワイヤ４は、発光素子１のｎ側電極１３のパッド電極１３２及びｐ側電極１４のパッド電極１４２と、対応する極性の内部リード部２１ａ，２２ａとを電気的に接続するものである。Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。

ダイボンド樹脂５は、発光素子１を凹部２３ａの底面２３ｂに設けられた内部リード部２１ａに接着するための接着部材である。
ダイボンド樹脂５としては、発光素子１が発する光や熱によって変色や劣化が起き難い樹脂材料が好ましく、更に、良好な透光性を有し、封止樹脂３の屈折率と同等以下が好ましい。ダイボンド樹脂５の屈折率を封止樹脂３の屈折率と同等以下にすることで、発光素子１からダイボンド樹脂５を介して出射される光が、ダイボンド樹脂５と封止樹脂３との界面で全反射されずに、効率的に外部に取り出すことができる。このような樹脂材料としては、シロキサン骨格を有するシリコーン系のダイボンド樹脂が好ましい。シリコーン系のダイボンド樹脂としては、シリコーン樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、シリコーン変性樹脂が挙げられる。

［発光装置の動作］
次に、発光装置１００の動作について、図２Ａ〜図５を参照して説明する。図５は、実装基板に実装された第１実施形態に係る発光装置において、発光素子の側面からの光取り出しを説明するための正面図である。図５において、発光素子１の細部構造及びワイヤ４については、記載を省略している。
なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、封止樹脂３には青色光を吸収して黄色光を発光する波長変換物質が含有されているものとして説明する。

発光装置１００は、外部リード部２１ｂ，２２ｂを介して外部電源に接続されると、更に内部リード部２１ａ，２２ａ及びワイヤ４を介して発光素子１に電流が供給され、発光素子１が青色光を発する。発光素子１が発した青色光は、封止樹脂３を伝播する際に、一部が波長変換物質によって黄色光に変換される。そして、これらの光は、凹部２３ａ内に設けられている発光素子１、ダイボンド樹脂５、内部リード部２１ａ，２２ａ、樹脂部２３及び封止樹脂３の各部材の界面で一部が反射され、一部が吸収されながら、青色光と黄色光とが混色した白色光として、パッケージ２の凹部２３ａの開口面から出射される。

より詳細には、発光素子１の側面から出射して封止樹脂３内を縦方向（Ｚ軸方向）又は横方向（Ｘ軸方向）に伝播する光は、上壁部２３ｃ、下壁部２３ｄ又は側壁部２３ｅに照射される。これらの光のうちの一部は正面方向（−Ｙ軸方向）に反射される。また、発光素子１内を凹部２３ａの底面２３ｂに向かって伝播する光は、基板１１とダイボンド樹脂５との界面や、凹部２３ａの底面２３ｂで反射されることで、一部は発光素子１内に戻され、一部はダイボンド樹脂５内を横方向に伝播して封止樹脂３を介して外部に取り出される。

また、上壁部２３ｃ、下壁部２３ｄ及び側壁部２３ｅに照射された光の一部は、当該上壁部２３ｃ、下壁部２３ｄ又は側壁部２３ｅに吸収される。特に、薄型のパッケージ２では、発光素子１の側面と、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄとの間の距離を大きく取れないため、上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄに対する照射強度が高くなる。そして、照射強度に応じて吸収される光量も多くなるため、特に上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄが劣化し易くなる。

また、発光装置１００は、板状の基体２０１ａの表面に配線パターン２０１ｂが設けられた実装基板２０１に実装される。このとき、半田などの接合部材２０９を用いて、パッケージ２の下面側に設けられた外部リード部２１ｂ，２２ｂと配線パターン２０１ｂとが接合される。このため、下壁部２３ｄに比べて、上壁部２３ｃに大きな内部応力が生じるため、光照射による樹脂材料の劣化によって上壁部２３ｃにクラックが発生し易くなる。

正面視での配置を示した図５において、発光素子１は、三角形の外形形状の長手方向である辺１ｃ（辺ＣＡ）が、凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となるように配置されており、辺１ａ（辺ＡＢ）及び辺１ｂ（辺ＢＣ）が凹部２３ａの底面２３ｂの上辺と非平行に対向し、辺１ｃ（辺ＣＡ）が凹部２３ａの底面２３ｂの下辺と平行に対向している。

底面２３ｂの上辺と非平行となるように設けられた発光素子１の辺１ａ，１ｂに対応する側面から上壁部２３ｃの内側面に対して照射される光の照射強度は、底面２３ｂの下辺と平行となるように設けられた発光素子１の辺１ｃに対応する側面から下壁部２３ｄの内側面に対して照射される光の照射強度よりも、傾斜している分だけ低くすることができる。

また、辺１ａ，１ｂに対応する側面から上壁部２３ｃの内側面に対して照射される光は、当該内側面で辺１ａ，１ｂに対応する側面に対して斜め方向に反射される成分が多くなるため、発光素子１の側面と上壁部２３ｃの内側面との間で反射を繰り返す割合が低減され、外部により出され易くすることができる。

更にまた、発光素子１の側面と上壁部２３ｃの内側面との距離が大きくなるほど、その間の封止樹脂３を伝播する際に、波長変換物質、光拡散性物質などによって、光が波長変換や発散されるため、上壁部２３ｃに対して照射される光の照射強度が更に低減される。

このように、上壁部２３ｃに照射される光の照射強度が低減されるため、樹脂材料の劣化が抑制され、クラックの発生を防止することができる。その結果、発光装置１００を長寿命化することができる。また、長寿命化に代えて、又は加えて、発光装置１００を高出力化することもできる。

また、相対的にクラックの発生し難い下壁部２３ｄについては、発光素子１の外形形状の底面２３ｂの下辺に対向する辺１ｃを、当該下辺と平行となるように発光素子１を配置することにより、外形形状が正方形である発光素子を主面に垂直な軸回りに４５°回転下向きで配置する場合に比べて、配置に必要な面積当たりの発光素子の面積の割合を大きくすることができる。

すなわち、このような発光素子１の外形形状及び凹部２３ａへの配置は、パッケージ２の実装領域における発光素子１の、面積の観点での実装効率を向上させることができる。このため、パッケージ２が従来と同じ小型又は薄型でありながら、発光装置１００を高出力化することができる。また、発光装置１００の高出力化に代えて、又は加えて、発光装置１００を従来よりも小型化又は薄型化することができる。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００の製造方法について、図６Ａ〜図８Ｃを参照して説明する。図６Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図６Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子配置工程の詳細を示すフローチャートである。図７Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハを仮想的に区画する境界線を示す模式的平面図である。図７Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子準備工程において、ウエハ上に発光素子が形成された状態を示す模式的平面図である。図８Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である発光素子接合工程を示す模式的断面図である。図８Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である配線工程を示す模式的断面図である。図８Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子配置工程において、サブ工程である封止工程を示す模式的断面図である。

（発光装置の製造方法）
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程Ｓ１０１と、パッケージ準備工程Ｓ１０２と、発光素子配置工程Ｓ１０３とが含まれる。

発光素子準備工程Ｓ１０１は、図４Ａ〜図４Ｃに示したような構成の、個片化された発光素子１を準備する工程である。
以下に、ウエハレベルプロセスで発光素子１を製造する工程例について説明するが、これに限定されるものではない。なお、ウエハレベルプロセスで発光素子１を製造するに際しては、例えば図７Ａに示すように、個々の発光素子１を区画する仮想線である境界線ＢＤを定め、複数の同形状の発光素子１が形成される。

（半導体積層体形成工程）
具体的には、まず、サファイアなどの基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法などにより、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層した半導体積層体１２を形成する。その後、ｐ型半導体層１２ｐにｐ型化アニール処理をする。

（ｎ型半導体層露出工程）
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の表面の一部の領域について、上面側からｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの全部、並びにｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。

（絶縁膜形成工程）
次に、ｐ型半導体層１２ｐの上面において、ｐ側のパッド電極１４２が設けられる領域及びその近傍に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ₂などの絶縁材料を用いて絶縁膜１５を形成する。

（透光性電極形成工程）
その後、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように、スパッタリング法などにより、ＩＴＯなどの透光性導電材料を用いて透光性電極１４１を形成する。
（ｐ側パッド電極形成工程）
更に、透光性電極１４１の上面の一部に、スパッタリング法などにより、Ｃｕ、Ａｕなどの金属材料を用いてパッド電極１４２を形成することで、ｐ側電極１４を形成する。

（ｎ側パッド電極形成工程）
また、段差部１２ｂにおいて、スパッタリング法などにより、Ａｌなどの光反射性の良好な金属材料を用いて光反射膜１３１を形成し、更に光反射膜１３１の上面に、スパッタリング法などにより、Ｃｕ、Ａｕなどの金属材料を用いてパッド電極１３２を形成することで、ｎ側電極１３を形成する。
なお、ｎ側電極１３とｐ側電極１４とは、何れを先に形成してもよく、一部のサブ工程、例えば、パッド電極１３２とパッド電極１４２とを同じ工程で形成するようにしてもよい。

（保護膜形成工程）
次に、パッド電極１３２及びパッド電極１４２の上面の外部と接続するための領域に開口部１６ｎ，１６ｐを有するように、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ₂などの透光性の絶縁材料を用いて、ウエハ全体を被覆する保護膜１６を形成する。

なお、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４の各層、絶縁膜１５、保護膜１６は、フォトリソグラフィ法により適宜な形状のマスクを形成し、当該マスクを利用したエッチング法やリフトオフ法によりパターニングすることができる。
以上のサブ工程を行うことにより、図７Ｂに示したように、ウエハ状態の発光素子１を形成することができる。

（個片化工程）
次に、ウエハを境界線ＢＤに沿って切断することで、発光素子１を個片化する。
また、発光素子１の外形形状を三角形とすることにより、１枚のウエハ上に複数の発光素子１を形成する際に稠密に区画することができ、ダイシングソーを用いたダイシング法やスクライブ法を用いて、ウエハを直線状の切断加工のみで個片化できる。
また、ウエハを切断する前に、基板１１の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易にウエハを切断することができる。

なお、外形形状が台形の場合も、三角形の場合と同様に、ウエハを稠密に区画するとともに、直線状の切断のみで個片化することができる。また、五角形や六角形の場合は、面積の使用効率よく区画すると、直線状の切断加工のみでは個片化できない場合がある。この場合は、折れ線状に切断可能なレーザダイシング法を用いて個片化することができる。
レーザダイシング法は、基板１１の内部に集光されるようにレーザ光（好ましくは、フェムト秒のパルスレーザ光）を照射して、焦点の近傍の基板１１を変質させることで切断溝を形成する手法である。レーザ光を境界線ＢＤに沿って基板１１に照射することで、基板１１の内部に折れ線状の切断溝を形成することができる。その後、基板１１に、例えばローラなど用いて応力を印加することで、境界線ＢＤに沿って形成された切断溝を起点としてウエハを個片化することができる。
なお、レーザダイシング法を用いてウエハを非矩形の形状に切断する手法は、例えば、特開２００６−１３５３０９号公報に詳しいので、更なる説明は省略する。

パッケージ準備工程Ｓ１０２は、図１〜図３Ｂに示した発光装置１００の内のパッケージ２を準備する工程である。この工程で準備されるパッケージ２は、発光素子１が実装されず、封止樹脂３が設けられていない状態のものである。
パッケージ準備工程Ｓ１０２において、パッケージ２を準備するために、例えば、トランスファー成形法や射出成形法、圧縮成形法、押出成形法などの金型を用いた成形方法で製造するようにしてもよいし、市販のパッケージを入手するようにしてもよい。
なお、発光素子準備工程Ｓ１０１とパッケージ準備工程Ｓ１０２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行うようにしてもよい。

パッケージ２の製造方法の例について説明する。パッケージ２は、板金を打ち抜き加工して形成したリードフレーム（リード電極２１，２２）を、樹脂部２３の形状の空洞を有する上下の金型で挟み込み、金型の一部に設けられたゲート穴から樹脂材料を注入し、注入した樹脂材料を硬化又は固化させた後に金型から取り出すことで製造することができる。また、複数のパッケージ２がリードフレームで連結された状態で製造する場合は、リードフレームを切断することでパッケージ２を個片化する。
金型を用いたパッケージの製造方法は、例えば、特開２００８−７２０７４号公報に詳しいので、更なる説明は省略する。

発光素子配置工程Ｓ１０３は、パッケージ準備工程Ｓ１０２で準備されたパッケージ２の凹部２３ａに、発光素子準備工程Ｓ１０１で準備された発光素子１を実装する工程である。より詳細には、発光素子配置工程Ｓ１０３は、サブ工程として、発光素子接合工程Ｓ２０１と、配線工程Ｓ２０２と、封止工程Ｓ２０３とを含んで構成される。

まず、発光素子接合工程Ｓ２０１において、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂである内部リード部２１ａの上面に、ダイボンド樹脂５（好ましくは、シリコーン系のダイボンド樹脂）を用いて発光素子１を接合する。このとき、ディスペンサやピン転写などを用いて、内部リード部２１ａの上面の接合部位に適量のダイボンド樹脂５を供給する。そして、発光素子１を、ｎ側電極１３及びｐ側電極１４が設けられた面を上方に向けて、コレットなど用いて、ダイボンド樹脂５が配置された前記した接合部位に搬送し、発光素子１の長手方向である外形形状の三角形の底辺が凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となり、かつ、当該三角形の底辺と対向する頂点が底面２３ｂの上辺と対向する向きで基板１１側の面と内部リード部２１ａの上面とを接合させる。

次に、配線工程Ｓ２０２において、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１４が、それぞれ対応する極性のリード電極２１，２２の内部リード部２１ａ，２２ａと電気的に接続されるように、ワイヤ４を配線する。ワイヤ４は、ワイヤボンディング装置を用いて配線することができる。

次に、封止工程Ｓ２０３において、パッケージ２の凹部２３ａに、ポッティング法などにより液状の封止樹脂３を充填し、その後に封止樹脂３を硬化させることで発光素子１を封止する。封止樹脂３は、透光性を有する樹脂に、蛍光体（波長変換物質）の粒子や光拡散性物質の粒子を含有するようにしてもよい。
以上説明した手順により、発光装置１００を製造することができる。

＜変形例＞
次に、第１実施形態に係る発光装置１００に搭載される発光素子１の変形例について、図９Ａ〜図９Ｊを参照して説明する。
図９Ａは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｂは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｃは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｄは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｅは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｆは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｇは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｈは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｉは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。図９Ｊは、第１実施形態に係る発光装置に用いられる発光素子の他の例を示す模式的平面図である。

なお、図９Ａ〜図９Ｊにおいて、変形例に係る各発光素子１Ａ〜１Ｊは、平面視における外形とｎ側電極１３及びｐ側電極１４としてパッド電極の外部と接続するための領域のみを示し、他の詳細な構成は記載を省略している。また、これらの各図において、平面視における外形形状である多角形の頂点を適宜に、Ａ〜Ｆなどで示し、外形形状の長手方向の中心をＯで示す。また、発光素子１Ａ〜１Ｊは、それぞれの図面に一点鎖線で示すように、横方向が長手方向であり、縦方向が短手方向となるように示している。従って、発光素子１Ａ〜１Ｊは、何れも横方向が、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となるように、当該底面２３ｂ上に配置される。

発光素子１Ａ〜１Ｄは、外形形状が三角形の他の例である。発光素子１Ｅ〜１Ｇは、外形形状が台形の例である。発光素子１Ｈは、外形形状が六角形の例である。発光素子１Ｉ，１Ｊは、外形形状が五角形の例である。また、発光素子１Ｅ〜１Ｊは、何れも凸多角形である。更に、発光素子１Ａ〜１Ｊの外形形状は、何れも横方向の長さが縦方向の長さより長い横長の長尺形状を有している。

発光素子１Ａは、外形形状が正三角形である。発光素子１Ａは、一つの辺ＣＡを長手方向とし、頂点Ｂから辺ＣＡに降ろした垂線ＢＧの方向を短手方向とするものである。
発光素子１Ａのように外形形状が正三角形の場合も含めて、外形形状である三角形の３辺の内の最短ではない辺を底辺とし、当該底辺が横方向と平行で、かつ当該底辺が下向きとなるようにして用いることができる。これによって、外形形状が三角形の発光素子１Ａを横長形状の発光素子として用いることができる。次に説明する発光素子１Ｂ〜１Ｄも同様である。

発光素子１Ｂは、外形形状が、辺ＡＢと辺ＣＡの長さが等しく、頂点Ａにおける内角が９０°未満である鋭角２等辺三角形である。発光素子１Ｂは、一方の長辺である辺ＣＡを長手方向とし、頂点Ｂから辺ＣＡに降ろした垂線ＢＧを短手方向とするものである。

発光素子１Ｃは、外形形状が、頂点Ｃにおける内角が直角であり、辺ＣＡが辺ＢＣよりも長い直角三角形である。発光素子１Ｃは、直角の内角を挟む２辺の長い方の辺ＣＡを長手方向とし、辺ＢＣを短手方向とするものである。なお、辺ＢＣと辺ＡＣの長さが等しい直角２等辺三角形であってもよい。

発光素子１Ｄは、外形形状が発光素子１Ｃの外形形状と合同な直角三角であるが、斜辺ＡＢを長手方向とし、頂点Ｃから辺ＡＢへ下ろした垂線ＣＧを短手方向とするものである。

発光素子１Ｅは、外形形状が、辺ＢＣを上底、辺ＤＡを下底とし、脚ＡＢと脚ＣＤの長さが等しい等脚台形である。発光素子１Ｅは、下底ＤＡを長手方向とし、上底ＢＣ上の点Ｈから下底ＤＡに降ろした垂線ＨＧを短手方向とするものである。
また、外形形状が台形の場合、台形の下底を長手方向と平行とすることに限定されず、台形の４辺の内で、最長の辺又はその対辺を長手方向とすることで、横長の発光素子として用いることができる。次に説明する発光素子１Ｆ，１Ｇは、台形の脚を長手方向とする例である。

発光素子１Ｆは、外形形状が、辺ＡＢと辺ＣＤとが互いに平行で、頂点Ａ及び頂点Ｄにおける内角が直角である台形である。発光素子１Ｆは、辺ＤＡを長手方向とし、辺ＣＤを短手方向とするものである。
なお、頂点Ａ及び頂点Ｄは直角でなくともよいが、直角とすることで、配置領域である底面２３ｂの面積の使用効率よく発光素子１Ｆを配置することができる。

発光素子１Ｇは、外形形状が発光素子１Ｆと同じ台形であるが、辺ＢＣを長手方向とし、頂点Ｄから辺ＢＣに降ろした垂線ＤＧを短手方向とするものである。

発光素子１Ｈは、外形形状が六角形であり、一対の対辺である辺ＣＤと辺ＦＡとが平行で、辺ＣＤが辺ＦＡよりも短く、頂点Ａ及び頂点Ｆにおける内角が直角である。言い換えれば、発光素子１Ｈの外形形状は、横長の矩形形状から、上方の２つの角を面取りした形状の六角形である。発光素子１Ｈは、辺ＦＡを長手方向とし、辺ＤＣ上の点Ｈから辺ＦＡに降ろした垂線ＨＧを短手方向とするものである。
なお、頂点Ａ及び頂点Ｆは直角でなくともよいが、直角とすることで、配置領域の面積の使用効率よく発光素子１Ｈを配置することができる。

発光素子１Ｉは、外形形状が、正五角形の一つの辺ＥＡを下向きに、かつ、横方向と平行となるように配置し、更に全体を横方向に引き延ばした形状の横長の五角形を有している。発光素子１Ｉは、辺ＥＡと平行な対角線ＢＤを長手方向とし、頂点Ｃから辺ＥＡに下ろした垂線ＣＧを短手方向とするものである。

発光素子１Ｊは、外形形状が五角形であり、一つの辺ＥＡが他の辺よりも長く、辺ＥＡと対向する２つの辺である辺ＢＣ及び辺ＣＤの長さが等しく、頂点Ａ及び頂点Ｅにおける内角が直角である。発光素子１Ｊは、辺ＥＡを長手方向とし、頂点Ｃから辺ＥＡに下ろした垂線ＣＧを短手方向とするものである。言い換えれば、発光素子１Ｊは、発光素子１Ｉの外形形状について、頂点Ａ及び頂点Ｅにおける内角を直角となるように変形した形状である。頂点Ａ及び頂点Ｅを直角とすることで、配置領域の面積の使用効率よく発光素子１Ｊを配置することができる。

なお、発光素子１Ａ〜１Ｊの外形形状の対称性は特に限定されるものではないが、発光素子１Ａ，１Ｅ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊのように、底面２３ｂに配置されたときに左右対称であることが好ましい。このような発光素子１Ａ，１Ｅ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊを搭載することで、発光装置１００の横方向の配光特性を左右対称とすることができる。

また、発光素子１Ａ〜１Ｊの一対のパッド電極の一方を当該発光素子１Ａ〜１Ｊの外形形状の長手方向の一端近傍に設け、他方を当該長手方向の他端近傍に設けることが好ましい。これによって、発光素子１Ａ〜１Ｊと内部リード部２１ａ，２２ａとの間、及び／又は発光素子１Ａ〜１Ｊ同士を接続するワイヤ４を短くでき、また、発光素子１Ａ〜１Ｊからの出射光をワイヤ４が広く遮ることがないように配線することができる。これらにより、ワイヤ４による光吸収を低減できるため、効率よく、発光素子１Ａ〜１Ｊ及び波長変換物質からの光を外部へ出射できるようになる。その結果、、これらの発光素子１Ａ〜１Ｊを搭載した発光装置の出力、光取り出し効率を向上することができる。
なお、一対のパッド電極は、例えば発光素子１Ｅのように、外形形状の長手方向に平行な直線上に設けることに限らず、例えば発光素子１Ａのように、縦方向に位置がずれるように配置してもよい。また、縦方向に位置をずらして配置する場合においても、外形形状の辺の近傍に設けることが好ましい。

［発光素子の外形形状の条件］
ここで、図４Ｃ及び図９Ａ〜図９Ｊに示した多角形の外形形状を有する発光素子１〜１Ｊの平面視での外形形状及び底面２３ｂへの配置の向きの条件について、発光素子１及び発光素子１Ｅを例として、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して更に詳細に説明する。図１０Ａは、第１実施形態に係る発光装置において、外形形状が三角形の発光素子の配置を説明するための模式的正面図である。図１０Ｂは、第１実施形態の変形例に係る発光装置において、外形形状が台形の発光素子の配置を説明するための模式的正面図である。
また、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて、発光素子１，１Ｅの外形形状の頂点をＡ〜Ｄで示し、凹部２３ａの底面２３ｂの形状を、横長の矩形に単純化して示し、当該矩形の頂点をＰ〜Ｓで示す。従って、底面２３ｂの上辺ＱＲ及び底面２３ｂの下辺ＳＰは、底面２３ｂの長手方向と平行である。

前記した第１実施形態及びその変形例における発光素子１〜１Ｊは、何れもが、外形形状の長手方向が底面２３ｂの長手方向と平行となるように配置される。従って、発光素子１〜１Ｊの外形形状の長手方向と、上辺ＱＲ及び下辺ＳＰとは平行となる。
また、発光素子１〜１Ｊの外形形状を示す外形線において、上辺ＱＲと平行に対向する外形線の部分を第１の部分Ｗ１とし、下辺ＳＰと平行に対向する外形線の部分を第２の部分Ｗ２とする。言い換えれば、第１の部分Ｗ１とは上辺ＱＲと近接する外形線の部分であり、第２の部分Ｗ２とは下辺ＳＰと近接する外形線の部分である。

外形形状が三角形である発光素子１は、辺ＡＢ及び辺ＢＣの何れもが、上辺ＱＲと非平行に対向する。そのため、上辺ＱＲと近接する部分は頂点Ｂのみである。従って、この場合は、頂点Ｂが第１の部分Ｗ１である。
また、三角形の底辺ＣＡは、下辺ＳＰと平行に対向する。このため、下辺ＳＰと近接する部分は底辺ＣＡである。従って、この場合は、底辺ＣＡが第２の部分Ｗ２である。

外形形状が台形である発光素子１Ｅは、台形の上底ＢＣが上辺ＱＲと平行に対向し、脚ＡＢ及び脚ＣＤが上辺ＱＲと非平行に対向する。このため、上辺ＱＲと近接する部分は、上底ＢＣである。従って、この場合は、上底ＢＣが第１の部分Ｗ１である。
また、台形の下底ＤＡが下辺ＳＰと平行に対向する。このため、下辺ＳＰと近接する部分は下底ＤＡである。従って、この場合は、下底ＤＡが第２の部分Ｗ２である。

また、発光素子１Ｈ（図９Ｈ参照）のように、外形線において、底面２３ｂの長手方向と垂直な辺は、上辺ＱＲ及び下辺ＳＰの何れとも対向しない部分として取り扱う。従って、発光素子１Ｈについては、上辺ＱＲと平行に対向する辺ＣＤが第１の部分Ｗ１であり、下辺ＳＰと平行に対向する辺ＦＡが第２の部分Ｗ２である。

なお、下辺ＳＰと対向する外形線が、発光素子１〜１Ｊなどを底面２３ｂに配置する際に下辺ＳＰと僅かに平行から外れた場合や、下辺ＳＰと対向する外形線の部分に、１８０°に近い内角の頂点を有する場合は、下辺ＳＰに対する傾斜角が最も小さい辺が、下辺と最も近接する辺である。そこで、このような場合は、下辺ＳＰに対向する辺の内で、下辺ＳＰに対する傾斜角が最も小さい辺を第２の部分Ｗ２とする。

他の発光素子１Ａ〜１Ｄ，１Ｆ〜１Ｊについても、発光素子１，１Ｅについての説明と同様にして、第１の部分Ｗ１と第２の部分Ｗ２とを定めることができる。
前記した発光素子１〜１Ｊの何れについても、第１の部分Ｗ１の長さが、第２の部分Ｗ２の長さよりも短くなるように、底面２３ｂに発光素子１〜１Ｊが配置される。このため、発光素子１〜１Ｊの何れもの場合も、発光素子１〜１Ｊの側面から出射する光による上壁部２３ｃに対する照射強度が、下壁部２３ｄに対する照射強度よりも低減される。そして、上壁部２３ｃの光照射による劣化が抑制されて、クラックの発生が防止される。その結果、発光素子１〜１Ｊを搭載した発光装置１００の寿命を長くすることができる。また、長寿命化に代えて、又は加えて、発光装置１００を高出力化することもできる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的正面図である。
なお、図１１において、外部リード部及び封止樹脂は記載を省略している。

第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂに、複数個（本例では２個）の発光素子１を長手方向に１列に配列するように設けられている。各発光素子１は、第１実施形態に係る発光装置１００における発光素子１と同様の形状を有するとともに、横長の三角形の長手方向である底辺が、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となり、かつ、当該三角形の底辺と対向する頂点が底面２３ｂの上辺と対向するように配置されている。このため、発光素子１を高さ方向（図１１において縦方向）に挟む上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄの内側面の内で、実装後に内部応力が生じてクラックが発生し易い上壁部２３ｃに対して、当該発光素子１から出射される光の照射強度が低減され、上壁部２３ｃの劣化を抑制することができる。
また、横方向に隣接する発光素子１同士は、正面視で、外形形状である三角形の角と角とが対向するとともに、側面同士が非平行に対向するように構成することで、一方の発光素子１から出射された光が他方の発光素子１の側面から入射する光量が低減され、発光装置１００Ａからの光の取り出し効率が向上する。

また、２個の発光素子１は、ワイヤ４を用いて内部リード部２１ａ，２２ａと電気的に直列に接続されている。このとき、発光素子１の両極のパッド電極が、長手方向の各端部の近傍に設けられていることが好ましい。これによって、発光素子１同士、及び発光素子１と内部リード部２１ａ，２２ａとを接続するワイヤ４を短くすることができるとともに、ワイヤ４が発光素子１の光取り出し方向（凹部２３ａの開口面の方向）を覆う範囲を少なくすることができる。このため、ワイヤ４によって光取り出しが邪魔される光量が低減され、発光装置１００Ａからの光の取り出し効率が向上する。
複数の発光素子１は、直列接続に限定されず、並列接続や他の接続方法であってもよい。

なお、発光装置１００Ａは、複数個の発光素子１をパッケージ２の凹部２３ａに配置すること以外は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様にして製造することができるため、製造方法についての詳細な説明は省略する。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る発光装置について、図１２を参照して説明する。図１２は、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的正面図である。
なお、図１２において、外部リード部及び封止樹脂は記載を省略している。

第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂに、複数個（本例では１２個）の発光素子１を、長手方向の１列につき４個ずつ、短手方向に３列に配列するように設けられている。また、発光素子１は、長手方向の１列ごとに、すなわち４個ごとに、ワイヤ４を用いて内部リード部２１ａ，２２ａと電気的に直列に接続されている。

各発光素子１は、第１実施形態に係る発光装置１００における発光素子１と同様の形状を有するとともに、横長の三角形の長手方向が、パッケージ２の凹部２３ａの底面２３ｂの長手方向と平行となり、かつ、当該三角形の底辺と対向する頂点が底面２３ｂの上辺と対向するように配置されている。このため、発光素子１を高さ方向（図１２において縦方向）に挟む上壁部２３ｃ及び下壁部２３ｄの内側面の内で、実装後に内部応力が生じてクラックが発生し易い上壁部２３ｃに対して、当該発光素子１から出射される光の照射強度が低減され、上壁部２３ｃの劣化を抑制することができる。

また、３列に配列された発光素子１は、列ごとに発光素子１の横方向の配置位置がずれるように、すなわち千鳥状に配列することが好ましい。千鳥状に配置することにより、縦方向に隣接する発光素子１同士で正面視での外形線が対向する幅を小さくすることができる。これによって、縦方向に隣接する一方の発光素子１から出射された光が他方の発光素子１の側面から入射する光量が低減され、発光装置１００Ｂからの光の取り出し効率が向上する。

また、横方向に隣接する発光素子１同士は、第２実施形態に係る発光装置１００Ａの場合と同様であるから、発光素子１間での光の再入射が低減され、発光装置１００Ｂからの光の取り出し効率が向上する。

また、第２実施形態に係る発光装置１００Ａにおける発光素子１と同様に、発光素子１の両極のパッド電極が、長手方向の各端部の近傍に設けられていることが好ましい。
また、複数の発光素子１は、列ごとの直列接続に限定されず、全ての発光素子１を直列に接続しても、全ての発光素子１を並列に接続しても、更に他の接続方法にしてもよい。

なお、発光装置１００Ｂは、複数個の発光素子１を複数列にパッケージ２の凹部２３ａに配置すること以外は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様にして製造することができるため、製造方法についての詳細な説明は省略する。

また、第２実施形態に係る発光装置１００Ａ及び第３実施形態に係る発光装置１００Ｂにおいて、発光素子１に代えて、図９Ａ〜図９Ｊに示したような、他の外形形状を有する発光素子１Ａ〜１Ｊを用いることもできる。

＜応用例＞
［照明装置の構成］
次に、各実施形態に係る発光装置の応用例として、これらの発光装置を用いた照明装置について、図１３を参照して説明する。図１３は、第１実施形態に係る発光装置を用いた照明装置の構成を示す模式的断面図である。
なお、応用例として、第１実施形態に係る発光装置１００を用いる場合について説明するが、発光装置１００に代えて、他の実施形態に係る発光装置１００Ａ、１００Ｂやこれらの変形例に係る発光装置を用いることもできる。

本応用例に係る照明装置２００は、液晶表示装置などのバックライトに適した面発光型の光源装置である。照明装置２００は、発光装置１００が実装された実装基板２０１と、板状の導光部材２０２と、発光装置１００及び導光部材２０２の下面側に設けられた光反射シート２０３と、導光部材２０２の光取り出し面である上面側に積層して設けられた光拡散シート２０４及びプリズムシート２０５，２０６と、を備え、照明光の出射方向である上面に開口を有するフレーム２０７内に収容されている。また、実装基板２０１の配線パターンは、リード線２０８を介して外部の電源と接続され、発光装置１００の外部リード部２１ｂ，２２ｂは、それぞれ実装基板２０１の対応する極性の配線パターンと、半田などの導電性の接合部材２０９を用いて電気的に接合されている。

導光部材２０２は、透光性を有する樹脂などで形成され、光入射端面（右側面）側からその対向面（左側面）に向かって厚さが減少するテーパ断面形状を有している。導光部材２０２の光入射端面は発光装置１００の光出射面である凹部２３ａの開口面と密着するように配置され、光入射端面の高さと、発光装置１００の高さとが略一致するように設けられている。発光装置１００から出射された光は、光入射端面から導光部材２０２に入射され、導光部材２０２の内部を伝播しながら反射や拡散を繰り返しながら、導光部材２０２の上面側から出射される。

また、光反射シート２０３は、例えば、表面にＡｇやＡｌなどの反射膜が形成された樹脂などで形成され、発光装置１００や導光部材２０２からの漏れ光をこれらの部材に戻して、光の利用効率を高める機能を有する。光拡散シート２０４は、導光部材２０２の上面側から出射された光の強度分布を均等にする機能を有する。プリズムシート２０５，２０６は、表面に微小な三角プリズムが多数形成された透光性の樹脂などで形成され、下面からの入射光をシート面の法線方向に屈折させて集光する機能を有する。プリズムシート２０５とプリズムシート２０６とは、光を屈折させる方向が互いに直交するように配置される。フレーム２０７は、Ａｌやステンレス鋼などの板材を折り曲げ加工して箱状に形成したものである。

発光装置１００は、前記したように、パッケージ２の樹脂材料が発光素子１からの光によって劣化し難いように構成されているため、高効率で長寿命である。従って、この発光装置１００を用いた照明装置２００も、高効率で長寿命な面発光型の光源とすることができる。

以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など、種々の光源に利用することができる。

１ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１３ ｎ側電極
１３１ 光反射膜
１３２ パッド電極
１４ ｐ側電極
１４１ 透光性電極
１４２ パッド電極
１４２ａ 外部接続部
１４２ｂ 延伸部
１５ 絶縁膜
１６ 保護膜
１６ｎ，１６ｐ 開口部
２ パッケージ
２１，２２ リード電極
２１ａ，２２ａ 内部リード部
２１ｂ，２２ｂ 外部リード部
３ 樹脂部
２３ａ 凹部
２３ｂ 底面
２３ｃ 上壁部
２３ｄ 下壁部
２３ｅ 側壁部
２３ｆ ゲート痕
３ 封止樹脂
４ ワイヤ
５ ダイボンド樹脂
１００，１００Ａ，１００Ｂ 発光装置
２００ 照明装置
２０１ 実装基板
２０１ａ 基体
２０１ｂ 配線パターン
２０２ 導光部材
２０３ 光反射シート
２０４ 光拡散シート
２０５ プリズムシート
２０６ プリズムシート
２０７ フレーム
２０８ リード線
２０９ 接合部材
Ｗ１ 第１の部分
Ｗ２ 第２の部分

Claims (13)

1. 底面が長尺形状であり、前記底面に垂直な方向である正面方向に開口し、前記底面を囲む内壁が樹脂を主成分とする凹部を有するパッケージと、
   前記凹部の底面に配置され、正面視での形状が、全ての内角が１８０°未満であり、長尺形状の多角形である発光素子と、
   を備え、
   前記凹部の底面の短手方向を上下方向とし、前記凹部の底面の長手方向を横方向とし、前記パッケージの下方向の外面を実装面とした場合において、
   正面視で、前記発光素子の長手方向が横方向と略平行となり、前記凹部の底面の上辺に近接する前記発光素子の第１部分が、前記凹部の底面の下辺に近接する前記発光素子の第２部分よりも短くなるように、前記発光素子が配置され、
   前記発光素子の正面視での形状が六角形であり、一対の平行な対辺である前記第１部分及び前記第２部分が前記凹部の底面の横方方向と略平行で、かつ当該第２部分が前記底面の下辺の方向となるように、前記発光素子が配置される発光装置。
2. 底面が長尺形状であり、前記底面に垂直な方向である正面方向に開口し、前記底面を囲む内壁が樹脂を主成分とする凹部を有するパッケージと、
   前記凹部の底面に配置され、正面視での形状が、全ての内角が１８０°未満であり、長尺形状の多角形である発光素子と、
   を備え、
   前記凹部の底面の短手方向を上下方向とし、前記凹部の底面の長手方向を横方向とし、前記パッケージの下方向の外面を実装面とした場合において、
   正面視で、前記発光素子の長手方向が横方向と略平行となり、前記凹部の底面の上辺に近接する前記発光素子の第１部分が、前記凹部の底面の下辺に近接する前記発光素子の第２部分よりも短くなるように、前記発光素子が配置され、
   前記発光素子の正面視での形状が五角形であって、
   前記第１部分を前記五角形の１つの頂点とし、当該第１部分に対向する位置の当該五角形の一辺を第２部分として、前記第２部分が前記凹部の底面の下辺に略平行となるように、前記発光素子が配置される発光装置。
3. 前記六角形の少なくとも最短ではない辺を底辺とし、当該底辺が横方向と略平行で、かつ当該底辺が下向きとなるように、前記発光素子が配置される請求項１に記載の発光装置。
4. 前記五角形の少なくとも最短ではない辺を底辺とし、当該底辺が横方向と略平行で、かつ当該底辺が下向きとなるように、前記発光素子が配置される請求項２に記載の発光装置。
5. 前記六角形の第２部分となる辺の両側に位置する頂点が直角である請求項１又は請求項３に記載の発光装置。
6. 前記五角形の第２部分となる一辺が他の辺よりも長く、当該第２部分となる辺の両側に位置する頂点が直角である請求項２又は請求項４に記載の発光装置。
7. 前記発光素子は、正面視において、外部と接続するための１対の電極の一方を前記底辺の一端の近傍に設け、前記１対の電極の他方を前記底辺の他端の近傍に設ける請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
8. 正面視において、
   前記凹部の底面の上辺と前記発光素子との最近接距離が、前記凹部の底面の下辺と前記発光素子との最近接距離と同じである請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置。
9. 複数の前記発光素子が、横方向に１列又は２列以上に配列される請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の発光装置。
10. 前記実装面に半田を用いて実装される請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の発光装置。
11. 前記発光素子は、シリコーン系のダイボンド樹脂を用いて前記凹部の底面に接合される請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の発光装置。
12. 更に、前記発光素子は封止樹脂により封止され、
    前記ダイボンド樹脂の屈折率は、前記封止樹脂の屈折率と同等以下である請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記発光素子は、前記凹部の底面に配置されたときに左右対称となる請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の発光装置。

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