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JP6333382B2 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Description

本発明は、表示装置に関し、特に電流駆動型の表示装置およびその駆動方法に関する。
近年、薄型、軽量、高速応答可能な表示装置として、有機EL(Electro Luminescence)表示装置が注目されている。有機EL表示装置は、2次元状に配置された複数の画素を備えている。有機EL表示装置の画素は、典型的には、1個の有機EL素子と1個の駆動用TFT(Thin Film Transistor)を含んでいる。有機EL素子は、通過する電流の量に応じた輝度で発光する。駆動用TFTは、有機EL素子と直列に設けられ、有機EL素子に流れる電流の量を制御する。
画素内の素子の特性には、製造時にばらつきが発生する。また、画素内の素子の特性は、時間の経過と共に変動する。例えば、駆動用TFTの特性は、発光輝度や発光時間に応じて個別に劣化する。有機EL素子の特性もこれと同様である。このため、駆動用TFTのゲート端子に同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度にはばらつきが発生する。そこで、有機EL表示装置において高画質表示を行うために、有機EL素子や駆動用TFTの特性のばらつきや変動を補償するように映像信号を補正する方法が知られている。例えば、特許文献1には、駆動電流を電源線経由で外部に読み出し、測定した駆動電流の量に基づき補正用ゲインと補正用オフセットを更新し、これらを用いて映像信号を補正する有機EL表示装置が記載されている。
また、有機EL表示装置に同じ画像を長時間に亙って表示した場合、画素内の素子の特性が表示画像のパターンに従って変動し、その影響が表示画面に現れることがある。この現象は、焼き付きと呼ばれる。焼き付きを防止する有機EL表示装置については、従来から以下の技術が知られている。特許文献2には、映像信号などに基づき画素の発光輝度の劣化特性を求め、劣化特性の境界付近で発光輝度が緩やかに変化するように映像信号を補正する表示装置が記載されている。特許文献3には、有機ELの各色の劣化特性が同等となる目標色度を設定し、焼き付き防止対象部の色度が目標色度に近づくように入力画像信号を補正する自発光型表示装置が記載されている。特許文献4には、補正対象画素の劣化量と基準画素の劣化量の差を累積加算し、今回の加算によって累積量が増加するか減少するかに応じて入力信号を補正するか否かを切り替える焼き付き現象補正方法が記載されている。
日本国特開2005−284172号公報 日本国特開2010−20078号公報 日本国特開2010−286783号公報 日本国特開2006−201630号公報
有機EL表示装置において高画質表示を行う方法として、駆動用TFTや有機EL素子を流れる電流を定期的に測定し、電流測定結果に基づき、有機EL素子を流れる電流が所望量(映像信号に応じた量)になるように映像信号を補正する方法が考えられる。この方法を用いれば、駆動用TFTや有機EL素子の特性にばらつきや変動が生じても、有機EL素子に所望量の電流を流すことができる。
しかしながら、有機EL素子の輝度は、通過する電流の量だけではなく、発光電流効率にも依存する。有機EL素子の発光電流効率は、発光輝度や発光時間に応じて個別に劣化する。このため、上記の方法を用いて有機EL素子に所望量の電流を流しても、有機EL素子は必ずしも所望の輝度(映像信号に応じた輝度)で発光する訳ではない。
また、チェッカーパターンやウェブコンテンツなどの画像を長時間に亙って表示した場合、有機EL素子が受ける電流ストレスは画素領域ごとに大きく異なる。この場合、有機EL素子の発光電流効率の劣化程度は、画素領域ごとに大きく異なる。このため、上記の方法を用いても、画素領域の境界で輝度差が発生し、表示画像の画質が低下する。
それ故に、本発明は、画素領域の境界における輝度差を低減できる表示装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の局面は、電流駆動型の表示装置であって、
表示素子と、前記表示素子と1対1に対応づけて前記表示素子と直列に設けられ、前記表示素子に流れる電流の量を制御する駆動素子とを含み、2次元状に配置された複数の画素と、
前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過せずに前記画素の外部に出力された電流を測定する電流測定回路と、
前記電流測定回路による電流測定結果に基づき、映像信号を補正する補正演算部と、
前記画素に対して補正後の映像信号に応じた電圧を書き込む駆動回路とを備え、
前記補正演算部は、
前記電流測定結果に基づき、前記表示素子の発光電流効率を画素ごとに求める発光電流効率算出部と、
前記電流測定結果と前記発光電流効率とに基づき、前記映像信号に対して画素ごとに、個々の画素の特性を考慮した補正を行う第1補正部と、
前記発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項を画素ごとに求める第2補正部とを含み、
前記第1補正部で補正した映像信号と前記第2補正部で求めた補正項とに基づき、前記補正後の映像信号を求めることを特徴とする。
本発明の第2の局面は、本発明の第1の局面において、
前記第2補正部は、画素ごとに、当該画素と近傍画素との間の発光電流効率の変化率の平均値を求め、前記平均値に基づき前記補正項を求めることを特徴とする。
本発明の第3の局面は、本発明の第2の局面において、
前記第2補正部は、画素ごとに、1から前記平均値を減算した値に係数を乗算することにより、前記補正項を求めることを特徴とする。
本発明の第4の局面は、本発明の第3の局面において、
前記第2補正部は、i行j列目の画素Pijの発光電流効率をηij、発光電流効率の変化率の増減量に基づき階調電圧の増減量を求めるための係数をδとしたとき、画素Pijを中心として水平方向に±p画素、垂直方向に±q画素の範囲内にある画素を近傍画素として、次式(a)に示す補正項を求めることを特徴とする。
Figure 0006333382
本発明の第5の局面は、本発明の第4の局面において、
前記第1補正部は、補正前の映像信号に応じた階調電圧をVg0、理想画素内の駆動素子の閾値電圧をVth0、理想画素内の駆動素子の電流係数をβ0、理想画素内の表示素子の発光電流効率をη0、画素Pij内の駆動素子の閾値電圧をVthij、画素Pij内の駆動素子の電流係数をβij、前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過しない電流の測定結果に基づき、前記駆動素子と前記表示素子を直列に接続した場合の電流を求めるための係数をα、階調電圧のオフセットをVofsとしたとき、次式(b)に示す演算を行い、
前記補正演算部は、前記第1補正部で補正した映像信号に前記第2補正部で求めた補正項を加算することにより、前記補正後の映像信号を求めることを特徴とする。
Figure 0006333382
本発明の第6の局面は、本発明の第1の局面において、
前記補正演算部は、前記発光電流効率算出部で求めた発光電流効率を画素ごとに記憶する発光電流効率記憶部をさらに含み、
前記第2補正部は、前記発光電流効率記憶部に記憶された発光電流効率に基づき、前記補正項を求めることを特徴とする。
本発明の第7の局面は、本発明の第1の局面において、
前記補正演算部は、
前記電流測定結果に基づき画素ごとに、初期状態の電流に対する比である初期電流比を求める初期電流比算出部と、
初期電流比と発光電流効率との関係を記憶したテーブルとをさらに含み、
前記発光電流効率算出部は、前記初期電流比算出部で求めた初期電流比を用いて前記テーブルを参照することにより、前記発光電流効率を求めることを特徴とする。
本発明の第8の局面は、本発明の第7の局面において、
前記テーブルは、温度と初期電流比と発光電流効率との関係を記憶しており、
前記発光電流効率算出部は、測定された動作温度と前記初期電流比算出部で求めた初期電流比とを用いて前記テーブルを参照することにより、前記発光電流効率を求めることを特徴とする。
本発明の第9の局面は、本発明の第1の局面において、
前記補正演算部は、前記第1補正部で補正した映像信号に前記第2補正部で求めた補正項を加算する加算器をさらに含むことを特徴とする。
本発明の第10の局面は、表示素子と、前記表示素子と1対1に対応づけて前記表示素子と直列に設けられ、前記表示素子に流れる電流の量を制御する駆動素子とを含み、2次元状に配置された複数の画素を有する電流駆動型の表示装置の駆動方法であって、
前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過せずに前記画素の外部に出力された電流を測定するステップと、
電流測定結果に基づき、前記表示素子の発光電流効率を画素ごとに求めるステップと、
前記電流測定結果と前記発光電流効率とに基づき、映像信号に対して画素ごとに、個々の画素の特性を考慮した補正を行う第1補正ステップと、
前記発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項を画素ごとに求める第2補正ステップと、
前記第1補正ステップで補正した映像信号と前記第2補正ステップで求めた補正項とに基づき、補正後の映像信号を求めるステップと、
前記画素に対して前記補正後の映像信号に応じた電圧を書き込むステップとを備える。
本発明の第1または第10の局面によれば、発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項を求め、求めた補正項を用いて映像信号を補正することにより、画素領域間で発光電流効率に差異がある場合でも、その差異を補償し、画素領域の境界における輝度差を低減することができる。
本発明の第2または第3の局面によれば、画素と近傍画素との間の発光電流効率の変化率の平均値に基づき補正項を求めることにより、画素領域間の発光電流効率の差異を補償する補正項を求めることができる。
本発明の第4の局面によれば、式(a)に従い、画素領域間の発光電流効率の差異を補償する補正項を求めることができる。
本発明の第5の局面によれば、式(a)および(b)に従い、補正後の映像信号を求めることができる。
本発明の第6の局面によれば、発光電流効率を画素ごとに記憶する発光電流効率記憶部を用いて、発光電流効率の2次元分布に基づく補正項を容易に求めることができる。
本発明の第7の局面によれば、初期電流比と発光電流効率との関係を記憶したテーブルを用いて、初期電流比に基づき発光電流効率を容易に求めることができる。
本発明の第8の局面によれば、初期電流比と発光電流効率との関係が温度に応じて変化する場合でも、動作温度と初期電流比と発光電流効率との関係を記憶したテーブルを用いて、動作温度に応じた発光電流効率を求めることができる。
本発明の第9の局面によれば、加算器を用いて、第1補正部で補正した映像信号に第2補正部で求めた補正項を加算した補正後の映像信号を求めることができる。
有機EL素子を含む画素の発光時の等価回路図である。 黒を表示する画素と白を表示する画素を示す図である。 図1に示す画素の電圧−電流特性を示す図である。 図1に示す画素の電圧−輝度特性を示す図である。 図1に示す画素について初期電流比と発光電流効率の関係を示す図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図6に示す表示装置に含まれる画素の回路図である。 図7に示す画素のタイミングチャートである。 図6に示す表示装置の補正演算部の詳細を示すブロック図である。 隣接する2個の画素領域を示す図である。 図10Aに示す画素領域に含まれる特定行の画素内の駆動用TFTの閾値電圧を示す図である。 図10Aに示す画素領域に含まれる特定行の画素内の有機EL素子の発光電流効率を示す図である。 比較例に係る表示装置について、図10Aに示す画素領域に含まれる特定行の画素の輝度を示す図である。 本発明の実施形態に係る表示装置について、図10Aに示す画素領域に含まれる特定行の画素の輝度を示す図である。
本発明の実施形態に係る表示装置を説明する前に、図1〜図5を参照して、本発明を導くための基礎検討について説明する。図1は、有機EL素子を含む画素の発光時の等価回路図である。図1に示す回路は、有機EL素子L1と駆動用TFT:Q1を含んでいる。有機EL素子L1は、通過する電流の量に応じた輝度で発光する自発光型の表示素子である。駆動用TFT:Q1は、有機EL素子L1と直列に接続され、有機EL素子L1に流れる電流の量を制御する駆動素子である。
駆動用TFT:Q1は、Nチャネル型トランジスタである。駆動用TFT:Q1のドレイン端子には、ハイレベル電源電圧Vanが印加される。駆動用TFT:Q1のソース端子は、有機EL素子L1のアノード端子に接続される。有機EL素子L1のカソード端子には、ローレベル電源電圧Vcaが印加される。駆動用TFT:Q1のゲート端子には、ゲート電圧Vgが印加される。
有機EL素子L1のアノード電圧(駆動用TFT:Q1のソース電圧に等しい)をVoled、駆動用TFT:Q1の閾値電圧をVth、有機EL素子L1の発光閾値電圧をVthoとする。また、有機EL素子L1の発光時に駆動用TFT:Q1を流れる電流をIds、有機EL素子L1を流れる電流をIoledとする。図1に示す回路では、駆動用TFT:Q1を流れる電流のほぼすべてが有機EL素子L1を流れるので、Ids=Ioledと考えてよい。以下、このように発光時に流れる電流を画素電流という。画素電流Idsは、駆動用TFT:Q1のゲート−ソース間電圧Vgs(=Vg−Voled)に応じて変化する。
図2に示すように、発光時に等価的に図1に示す回路になる2個の画素Pb、Pwがあり、初期状態から所定時間(以下、時間Tという)経過するまでの間、画素Pbは黒を表示し、画素Pwは白を表示したとする。図3は、画素Pb、Pwについて初期状態および時間T経過後の電圧−電流特性を示す図である。図3において、横軸はゲート電圧Vgを表し、縦軸は画素電流Idsを表す。なお、画素電流Idsは、初期状態でVg=6.0Vのときのレベルを1.0として正規化されている。
図3に示す例では、初期状態の画素Pb、Pwでは、Vth=2.0V、Vtho=3.0Vである。時間T経過後の画素Pbでは、Vth=2.5V、Vtho=3.2Vである。時間T経過後の画素Pwでは、Vth=3.0V、Vtho=3.4Vである。なお、これらの値は、図3から直接読み取れるものではない。駆動用TFT:Q1の閾値電圧Vthと有機EL素子L1の発光閾値電圧Vthoは、黒を表示した画素Pbよりも白を表示した画素Pwにおいて大きく変化する。
有機EL表示装置は、時間T経過後の画素電流Idsが初期状態の画素電流と一致するようにゲート電圧Vgを設定する。図3に示す例では、画素電流Idsが1.0となるゲート電圧Vgは、時間T経過後の画素Pbでは6.7V、時間T経過後の画素Pwでは7.4Vである。このため、時間T経過後のゲート電圧Vgは、画素Pbでは6.7Vに、画素Pwでは7.4Vに設定される。
図4は、画素Pb、Pwについて初期状態および時間T経過後の電圧−輝度特性を示す図である。図4において、横軸はゲート電圧Vgを表し、縦軸は画素の輝度Lを表す。上記の方法でゲート電圧Vgを設定した場合、時間T経過後の画素Pbの輝度は、初期状態と同じく1.0になる。一方、時間T経過後の画素Pwの輝度は0.9になり、画素Pbの輝度よりも10%低くなる。時間T経過後の画素Pb、Pwの輝度に差異が生じる理由は、画素Pwでは画素Pbよりも有機EL素子L1に多くの電流が流れ、有機EL素子L1の発光電流効率が大きく劣化したからである。
有機EL表示装置の表示画面において画素の輝度に10%程度以下のばらつきがランダムに発生しても、観測者は隣接する2個の画素の輝度差をほとんど認識できないので、表示画像の画質低下は問題にならない。しかしながら、黒を表示する画素領域Abと白を表示する画素領域Awが隣接している場合、画素領域Awでは画素領域Abよりも画素内の有機EL素子L1の発光電流効率が大きく劣化するので、観測者は画素領域Ab、Awの境界で輝度差を認識することがある。画素領域Ab、Awがある程度以上の大きさを有し、画素領域Abの平均輝度と画素領域Awの平均輝度の間に2%以上の差異がある場合、観測者は画素領域Ab、Awの境界で輝度差を認識する。輝度差は、例えば、チェッカーパターンやウェブコンテンツなどの画像を長時間に亙って表示した場合に発生しやすい。
図3および図4に示す特性を有する画素を備えた有機EL表示装置において、時間T経過後に、画素領域Ab内の画素ではゲート電圧Vgを6.7Vに、画素領域Aw内の画素ではゲート電圧Vgを7.4Vに設定した場合、画素領域Ab、Awの境界において10%の輝度差が発生する。この場合、画素領域Aw内の画素ではゲート電圧Vgを7.7Vに設定すれば、画素領域Ab、Awの境界における輝度差はほぼゼロになる。
一般に有機EL表示装置では、発光時間が長く、発光輝度が高い画素ほど、有機EL素子の特性と駆動用TFTの特性は大きく劣化する。また、有機EL表示装置の画素では、初期電流比Kと発光電流効率ηの間に一定の関係がある。図5は、図1に示す画素について初期電流比Kと発光電流効率ηの関係を示す図である。ここで、発光電流効率ηとは、有機EL素子の輝度を有機EL素子を流れる電流の密度で割った値をいう。初期電流比Kとは、駆動用TFTのゲート端子に所定の電圧を印加したときの画素電流を、初期状態で駆動用TFTのゲート端子に同じ電圧を印加したときの画素電流で割った値をいう。例えば、図1に示す画素については、初期状態で画素電流I0を流すために必要なゲート電圧をVg0、時間T経過後にゲート電圧をVg0に設定したときの画素電流をI1としたとき、K=I1/I0で与えられる。
有機EL表示装置において高画質表示を行うためには、有機EL素子の発光電流効率ηの変動を補償する必要がある。上述したように、初期電流比Kと発光電流効率ηの間には一定の関係がある。そこで本発明では、画素18に測定用電圧を書き込んだときに、駆動用TFT:Q1を通過し、有機EL素子L1を通過せずに画素の外部に出力された電流(以下、駆動用TFT:Q1のドレイン電流という)を測定して初期電流比Kを求め、求めた初期電流比Kに基づき発光電流効率ηを求める。したがって、本発明によれば、後述するように、ルックアップテーブルを参照してドレイン電流の変化率に基づき発光電流効率ηを求めることにより、有機EL素子を流れる電流を測定せずに映像信号を補正することができる。また、画素領域の境界における輝度差を低減するために、本発明では発光電流効率ηの2次元分布に基づき映像信号を補正する。したがって、本発明によれば、画素領域の境界における輝度差を低減し、高画質表示を行うことができる。
以下、図6〜図9を参照して、本発明の実施形態に係る表示装置について説明する。図6は、本発明の実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。図6に示す表示装置10は、表示部11、表示制御回路12、走査線駆動回路13、データ線駆動/電流測定回路14、A/D変換器15、温度センサ16、および、補正演算部17を備えた電流駆動型の有機EL表示装置である。以下、mおよびnは2以上の整数、iは1以上m以下の整数、jは1以上n以下の整数であるとする。
表示部11は、2m本の走査線GA1〜GAm、GB1〜GBm、n本のデータ線S1〜Sn、および、(m×n)個の画素18を含んでいる。走査線GA1〜GAm、GB1〜GBmは、互いに平行に配置される。データ線S1〜Snは、互いに平行に、かつ、走査線GA1〜GAm、GB1〜GBmと直交するように配置される。走査線GA1〜GAmとデータ線S1〜Snは、(m×n)箇所で交差する。(m×n)個の画素18は、走査線GA1〜GAmとデータ線S1〜Snの交点に対応して2次元状に配置される。画素18には、図示しない電極を用いてハイレベル電源電圧Vanとローレベル電源電圧Vcaが供給される。
表示装置10では、1フレーム期間は、m個のライン期間を含む映像信号期間と垂直帰線期間とに分割される。表示制御回路12は、表示装置10の制御回路である。表示制御回路12は、走査線駆動回路13に対して制御信号C1を出力し、データ線駆動/電流測定回路14に対して制御信号C2を出力し、補正演算部17に対して映像信号D1を出力する。
走査線駆動回路13は、制御信号C1に従い、走査線GA1〜GAm、GB1〜GBmを駆動する。より詳細には、走査線駆動回路13は、i番目のライン期間では走査線GAiの電圧をハイレベル(選択レベル)に、他の走査線の電圧をローレベル(非選択レベル)に制御する。走査線駆動回路13は、垂直帰線期間では走査線GA1〜GAm、GB1〜GBmの中から1対の走査線GAi、GBiを選択し、選択した走査線GAi、GBiの電圧を所定時間ずつ順にハイレベルに制御し、他の走査線の電圧をローレベルに制御する。垂直帰線期間で選択される走査線GAi、GBiは、2フレーム期間ごとに切り替えられる。
データ線駆動/電流測定回路14には、制御信号C2と、補正演算部17から出力された補正後の映像信号D2とが供給される。データ線駆動/電流測定回路14は、データ線S1〜Snを駆動する機能と、1行分の画素18(n個の画素18)からデータ線S1〜Snに出力された電流を測定する機能とを有する。より詳細には、データ線駆動/電流測定回路14は、映像信号期間では制御信号C2に従い、映像信号D2に応じたn個のデータ電圧をデータ線S1〜Snにそれぞれ印加する。データ線駆動/電流測定回路14は、垂直帰線期間では制御信号C2に従い、n個の測定用電圧をデータ線S1〜Snにそれぞれ印加し、そのときに1行分の画素18からデータ線S1〜Snに出力されたn個の電流をそれぞれ電圧に変換して出力する。データ線駆動/電流測定回路14は、画素に対して補正後の映像信号に応じた電圧を書き込む駆動回路として機能すると共に、駆動素子を通過した電流を測定する電流測定回路としても機能する。
A/D変換器15は、データ線駆動/電流測定回路14の出力電圧をデジタルの電流測定データE1に変換する。温度センサ16は、表示装置10の動作温度Tempを測定する。補正演算部17は、垂直帰線期間では、A/D変換器15から出力され電流測定データE1と温度センサ16で検知された動作温度Tempとに基づき、映像信号D1の補正に必要なデータ(以下、補正用データという)を求める。補正演算部17は、映像信号期間では、垂直帰線期間で求めた補正用データを参照して、表示制御回路12から出力された映像信号D1を補正し、補正後の映像信号D2を出力する。
以下、i行j列目の画素18をPijという。図7は、画素Pijの回路図である。図7に示すように、画素Pijは、有機EL素子L1、駆動用TFT:Q1、書き込み用TFT:Q2、読み出し用TFT:Q3、および、コンデンサC1を含み、走査線GAi、GBiとデータ線Sjに接続される。
3個のTFT:Q1〜Q3は、Nチャネル型トランジスタである。駆動用TFT:Q1のドレイン端子には、ハイレベル電源電圧Vanが印加される。駆動用TFT:Q1のソース端子は、有機EL素子L1のアノード端子に接続される。有機EL素子L1のカソード端子には、ローレベル電源電圧Vcaが印加される。書き込み用TFT:Q2と読み出し用TFT:Q3の一方の導通端子(図7では左側の端子)は、データ線Sjに接続される。書き込み用TFT:Q2の他方の導通端子は駆動用TFT:Q1のゲート端子に接続され、読み出し用TFT:Q3の他方の導通端子は駆動用TFT:Q1のソース端子と有機EL素子L1のアノード端子に接続される。書き込み用TFT:Q2のゲート端子は走査線GAiに接続され、読み出し用TFT:Q3のゲート端子は走査線GBiに接続される。コンデンサC1は、駆動用TFT:Q1のゲート端子とドレイン端子の間に設けられる。
図8は、画素Pijのタイミングチャートである。図8に示すように、映像信号期間内のi番目のライン期間Tiでは、走査線GAiの電圧はハイレベルになり、走査線GBiの電圧はローレベルになり、データ線Sjにはデータ電圧VDijが印加される。ライン期間Tiでは、書き込み用TFT:Q2はオンし、読み出し用TFT:Q3はオフし、駆動用TFT:Q1のゲート電圧Vgはデータ電圧VDijに等しくなる。ライン期間Tiの終了時に走査線GAiの電圧はローレベルに変化し、これに伴い書き込み用TFT:Q2はオフする。これ以降、駆動用TFT:Q1のゲート電圧Vgは、コンデンサC1の作用によって保持される。また、駆動用TFT:Q1と有機EL素子L1には駆動用TFT:Q1のゲート−ソース間電圧Vgsに応じた量の画素電流Idsが流れ、有機EL素子L1は駆動用TFT:Q1のゲート電圧Vgに応じた輝度で発光する。
走査線GAi、GBiが選択された垂直帰線期間には、図8に示す2個の期間Ta、Tbが設定される。期間Taでは、走査線GAiの電圧はハイレベルになり、走査線GBiの電圧はローレベルになり、データ線Sjには測定用電圧VMijが印加される。期間Taでは、書き込み用TFT:Q2はオンし、読み出し用TFT:Q3はオフし、駆動用TFT:Q1のゲート電圧Vgは測定用電圧VMijに等しくなる。期間Tbでは、走査線GAiの電圧はローレベルになり、走査線GBiの電圧はハイレベルになる。期間Tbでは、駆動用TFT:Q1と読み出し用TFT:Q3はオンし、書き込み用TFT:Q2はオフする。このとき駆動用TFT:Q1を通過した電流は、読み出し用TFT:Q3を経由してデータ線Sjに流れる。データ線駆動/電流測定回路14は、期間Tbにおいてデータ線Sjに出力された電流を電圧に変換して出力する。
以下、表示装置10における映像信号D1の補正について説明する。表示装置10では、データ線駆動/電流測定回路14は、表示部11に含まれる(m×n)個の画素18について、測定用電圧VMを書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流を測定する。A/D変換器15は、測定された電流をデジタル値に変換する。補正演算部17は、A/D変換器15で求めたデジタル値に基づき、(m×n)個の画素18について初期電流比Kを求め、初期電流比Kに基づき発光電流効率ηを求める。また、補正演算部17は、発光電流効率ηの2次元分布に基づき、映像信号D1を補正する。
まず、初期電流比Kを求める方法を説明する。表示装置10が最初に動作するときに(あるいは、表示装置10の工場出荷前に)、画素18に書き込む電圧を順に切り替えながら駆動用TFT:Q1のドレイン電流を測定することにより、各画素18について、駆動用TFT:Q1のドレイン電流が所定値I0になる初期階調値Zを求める。(m×n)個の初期階調値Zは、補正演算部17の内部に記憶される。データ線駆動/電流測定回路14は、表示装置10の動作中に垂直帰線期間において、各画素18について、第1測定用電圧VM1を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流と、第2測定用電圧VM2を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流とを測定する。補正演算部17は、各画素18について、2個の電流測定結果に基づき補間演算などによって、初期階調値Zに応じた電圧を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流の量を求め、求めたドレイン電流の量を値I0で割ることにより、画素18の初期電流比Kを求める。
あるいは、表示装置10が最初に動作するときに(あるいは、表示装置10の工場出荷前に)、画素18に所定の初期電圧を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流を測定することにより、各画素18について初期電流値Yを求める。(m×n)個の初期電流値Yは、補正演算部17の内部に記憶される。データ線駆動/電流測定回路14は、上記と同様の方法で、各画素18について2個の電流測定結果を求める。補正演算部17は、各画素18について、2個の電流測定結果に基づき補間演算などによって、初期電圧を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流の量を求め、求めたドレイン電流の量を初期電流値Yで割ることにより、画素18の初期電流比Kを求める。
次に、発光電流効率ηを求める方法を説明する。上述したように、初期電流比Kと発光電流効率ηの間には、例えば図5に示す関係がある。また、初期電流比Kと発光電流効率ηの間の関係は、温度に応じて変化する。そこで補正演算部17は、複数の動作温度Tempについて、初期電流比Kに対応づけて発光電流効率ηを記憶したルックアップテーブル(Look Up Table :以下、LUTという)を含んでいる。補正演算部17は、各画素18について、初期電流比Kと温度センサ16で測定した動作温度Tempとを用いてLUTを参照することにより、画素18の発光電流効率ηを求める。(m×n)個の発光電流効率ηは、補正演算部17の内部に記憶される。
次に、映像信号D1の補正について説明する。データ線駆動/電流測定回路14は、各画素18について、第1測定用電圧VM1を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流と、第2測定用電圧VM2を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流とを測定する。補正演算部17は、各画素18について、2個の電流測定結果に基づき、駆動用TFT:Q1の閾値電圧Vthと電流係数(ゲイン)βを求める。補正演算部17は、2個の電流測定結果を含み、閾値電圧Vthと電流係数βを未知数とする連立方程式を解くことにより、閾値電圧Vthと電流係数βを求めてもよい。あるいは、補正演算部17は、電流測定結果に応じて閾値電圧Vthと電流係数βを所定量だけ増加または減少させる処理を繰り返し行うことにより、閾値電圧Vthと電流係数βを求めてもよい。
補正演算部17は、各画素18について求めた閾値電圧Vthと電流係数βを用いて、映像信号D1に含まれる画素18に関するデータを補正する。また、補正演算部17は、画素18と複数の近傍画素について、画素18と近傍画素の間の発光電流効率ηの変化率の平均値を求め、求めた平均値に基づき、映像信号D1に含まれる画素18に関するデータの補正項を求める。補正演算部17は、閾値電圧Vthと電流係数βを用いて補正されたデータに対して補正項を加算することにより、補正後の映像信号D2に含まれる画素18に関するデータを求める。
以下、補正演算部17における処理をより詳細に説明する。以下の説明では、理想の特性を有する仮想的な画素を理想画素P0といい、画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧をVthij、電流係数をβijとする。補正演算部17は、画素Pijを流れる画素電流が理想画素P0を流れる画素電流I0に等しくなるように、画素Pij内の駆動用TFT:Q1のゲート電圧Vgijを決定する。このとき、次式(1)が成立する。
I0=(βij/2)(Vgij−Vthij2 …(1)
式(1)をVgijについて解き、オフセットVofsを考慮すると、次式(2)が導かれる。
Vgij=√(2I0/βij)+Vthij−Vofs …(2)
理想画素P0と画素Pijでは、駆動用TFT:Q1の閾値電圧は異なる。また、駆動用TFT:Q1が受ける電流電圧ストレスは、閾値電圧のレベルに応じて異なる。このため、理想画素P0と画素Pijに同じ電流ストレスを与えた場合、理想画素P0と画素Pijでは駆動用TFT:Q1の閾値電圧の変動量は異なる。
初期状態から時間Tだけ経過したときに、理想画素P0内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧はVth0からVth0’に変化し、電流係数はβ0からβ0’に変化し、駆動用TFT:Q1のゲート電圧をVg0に設定したときの画素電流はI0からI0’に変化したとする。このとき、次式(3a)、(3b)が成立する。
I0 =(β0/2)
×(Vg0−Vth0+Vofs)2 …(3a)
I0’=(β0’/2)
×(Vg0−Vth0’+Vofs)2 …(3b)
ΔVth0=Vth0’−Vth0とおくと、式(3a)、(3b)から次式(4)が導かれる。式(4)は、電流電圧ストレスを受けたときの理想画素P0内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の変動量を表す。
ΔVth0=a0{1−√(A0/B0)} …(4)
ただし、式(4)に含まれるa0、A0およびB0は、以下の式で与えられる。
a0=Vg0−Vth0+Vofs
A0=I0’/I0
B0=β0’/β0
また、初期状態から時間Tだけ経過したときに、画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧はVthijからVthij’に変化し、電流係数はβijからβij’に変化し、駆動用TFT:Q1のゲート電圧をVg0に設定したときの画素電流はIijからIij’に変化したとする。画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の変動量ΔVthijは、上記と同様に、次式(5)で与えられる。
ΔVthij=aij{1−√(Aij/Bij)} …(5)
ただし、式(5)に含まれるaij、AijおよびBijは、以下の式で与えられる。
ij=Vgij−Vthij+Vofs
ij=Iij’/Iij
ij=βij’/βij
理想画素P0内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の変動量ΔVth0と、画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の変動量ΔVthijは、同じ電流が流れた有機EL素子L1の発光電流効率ηに対応する。そこで、ΔVth0=ΔVthijとして、A0について解くと、次式(6a)が導かれる。
A0=B0[1−(aij/a0)
×{1−√(Aij/Bij)}]2 …(6a)
また、電流係数βの変動を無視してもよい場合には、式(6a)においてB0=Bij=1とおくと、次式(6b)が導かれる。
A0={1−(aij/a0)×(1−√Aij)}2 …(6b)
式(6a)または(6b)で求めた値A0を用いて、初期電流比Kの値に対応づけて発光電流効率ηを記憶したLUTを参照することにより、画素Pijの発光電流効率ηijを求めることができる。
補正演算部17は、次式(7)に従い映像信号D1を補正する。
Vg=f1(P0,Pij,η)+f2(η,i,j) …(7)
式(7)の第1項は、理想画素P0と画素Pij間の駆動用TFT:Q1の特性(閾値電圧と電流係数)および発光電流効率ηの差異に基づく階調電圧の補正項であり、次式(8)で与えられる。式(7)の第2項は、発光電流効率ηの2次元分布に基づく階調電圧の補正項であり、次式(9)で与えられる。このように式(7)の第1項は個々の画素の特性を考慮した補正項であり、式(7)の第2項は近傍画素との間の発光電流効率ηの差異を考慮した補正項である。
Figure 0006333382
なお、式(8)に含まれるαは、駆動用TFT:Q1が単独で存在する場合の駆動用TFT:Q1のドレイン電流に基づき、駆動用TFT:Q1と有機EL素子L1を直列に接続した場合の駆動用TFT:Q1のドレイン電流を求めるための係数である。言い換えると、αは、駆動素子を通過し、表示素子を通過しない電流の測定結果に基づき、駆動素子と表示素子を直列に接続した場合の電流を求めるための係数である。式(9)に含まれるpおよびqは、1以上の整数である。式(9)に含まれるδは、発光電流効率ηの変化率の増減量に基づき、階調電圧の増減量を求めるための係数である。係数δは、動作温度Tempに応じて変化してもよい。
式(9)では、画素Pijを中心として水平方向に±p画素、垂直方向に±q画素の範囲内にある{(2p+1)×(2q+1)}個の近傍画素について、画素Pijと近傍画素の間の発光電流効率ηの変化率の平均値を求め、1から平均値を引いて係数δを乗算することにより、階調電圧の補正項を求める。式(9)に示す補正項を用いることにより、隣接する画素領域間で画素内の素子の特性に差異がある場合に、有機EL素子L1の発光電流効率ηに差異があると判断して、補正後輝度の差異が小さくなるように映像信号D1を補正することができる。
図9は、補正演算部17の詳細を示すブロック図である。図9に示すように、補正演算部17は、初期値記憶部21、LUT22、TFT特性算出部23、TFT特性記憶部24、初期電流比算出部25、発光電流効率算出部26、発光電流効率記憶部27、第1補正部31、第2補正部32、および、加算器33を含んでいる。補正演算部17には、表示制御回路12から出力された映像信号D1、A/D変換器15から出力された電流測定データE1、および、温度センサ16で検知された動作温度Tempが入力される。補正演算部17は、これらのデータに基づき、補正後の映像信号D2を出力する。
初期値記憶部21は、(m×n)個の初期階調値Z、または、(m×n)個の初期電流値Yを記憶する。初期値記憶部21に記憶される初期値は、表示装置10が最初に動作するときに(あるいは、表示装置10の工場出荷前に)設定される。LUT22は、複数の動作温度Tempについて、初期電流比Kに対応づけて発光電流効率ηを記憶する。LUT22は、例えば、最低動作温度と最高動作温度の間の1℃刻みの動作温度Tempについて、初期電流比Kに対応づけて発光電流効率ηを記憶する。LUT22の内容は、表示装置10の工場出荷前に予め固定的に設定される。
電流測定データE1は、画素Pijに関するデータとして、画素Pijに第1測定用電圧VM1を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流と、画素Pijに第2測定用電圧VM2を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流とを含んでいる。TFT特性算出部23は、2個の電流測定結果に基づき、画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧Vthijと電流係数βijを求める。TFT特性算出部23は、(m×n)個の画素18について上記の処理を行うことにより、(m×n)個の閾値電圧Vthと(m×n)個の電流係数βを求める。TFT特性記憶部24は、TFT特性算出部23で求めた(m×n)個の閾値電圧Vthと(m×n)個の電流係数βを記憶する。
初期電流比算出部25は、2個の電流測定結果と初期値記憶部21に記憶された初期値(初期階調値Zijまたは初期電流値Yij)とに基づき、画素Pijの初期電流比Kijを求める。初期値記憶部21に初期階調値Zijが記憶されている場合、初期電流比算出部25は、2個の電流測定結果に基づき補間演算によって、初期階調値Zijに応じた電圧を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流の量を求め、求めたドレイン電流の量を初期階調値を求めたときのドレイン電流の量で割ることにより、画素Pijの初期電流比Kijを求める。初期値記憶部21に初期電流値Yijが記憶されている場合、初期電流比算出部25は、2個の電流測定結果に基づき補間演算によって、初期電圧(初期電流値Yijを求めたときの電圧)を書き込んだときの駆動用TFT:Q1のドレイン電流の量を求め、求めたドレイン電流の量を初期電流値Yijで割ることにより、画素Pijの初期電流比Kijを求める。
発光電流効率算出部26は、画素Pijの初期電流比Kijと温度センサ16で検知した動作温度Tempとを用いてLUT22を参照することにより、画素Pijの発光電流効率ηijを求める。初期電流比算出部25と発光電流効率算出部26は、(m×n)個の画素18について上記の処理を行うことにより、(m×n)個の発光電流効率ηを求める。発光電流効率記憶部27は、発光電流効率算出部26で求めた(m×n)個の発光電流効率ηを記憶する。
第1補正部31は、TFT特性記憶部24に記憶された画素Pij内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧Vthijと電流係数βij、および、発光電流効率記憶部27に記憶された発光電流効率ηijに基づき、映像信号D1に含まれる画素Pijに関するデータに対して式(8)に示す演算を行う。第2補正部32は、発光電流効率記憶部27に記憶された発光電流効率ηに基づき式(9)に従い、映像信号D1に含まれる画素Pijに関するデータの補正項を求める。加算器33は、第1補正部31の出力に対して、第2補正部32で求めた補正項を加算する。これにより、映像信号D1に対して、式(7)に示す補正演算が行われる。
加算器33の出力は、補正後の映像信号D2として、データ線駆動/電流測定回路14に出力される。データ線駆動/電流測定回路14は、映像信号期間では、データ線S1〜Snに対して補正後の映像信号D2に応じたデータ電圧を印加する。画素18内の有機EL素子L1は、補正後の映像信号D2に応じた輝度で発光する。
以下、図10A〜図10Eを参照して、本実施形態に係る表示装置10の効果を説明する。ここでは比較例に係る表示装置として、式(7)の第1項だけを用いて映像信号D1を補正する表示装置を考える。図10Aに示すように、2個の画素領域A1、A2が隣接する場合について検討する。画素領域A1に含まれる画素18内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の平均値はVth1であり、画素領域A2に含まれる画素18内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧の平均値はVth2(ただし、Vth1<Vth2)であるとする。
画素領域A1、A2内のある行(以下、行Rという)に配置された画素に着目する。行Rの画素内の駆動用TFT:Q1の閾値電圧Vthには、図10Bに示すばらつきが発生する。また、行Rの画素内の有機EL素子L1の発光電流効率ηには、図10Cに示すばらつきが発生する。なお、図10B〜図10Eにおいて、横軸は行R内の水平方向の位置を表す。
図10Dは、比較例に係る表示装置における、行Rの画素の輝度L0を示す図である。比較例に係る表示装置では、映像信号D1は式(7)の第1項だけを用いて補正される。この場合、画素領域A2では画素領域A1よりも、電流測定結果に基づく発光電流効率の推定値と実際の発光電流効率との差異が大きくなる。このため、画素領域A1、A2の境界において輝度差が発生する。なお、境界から離れた位置に発生する小さな起伏は、階調電圧の分解能による補正誤差に基づく。
図10Eは、本実施形態に係る表示装置10における、行Rの画素の輝度Lを示す図である。本実施形態に係る表示装置10では、映像信号D1は式(7)に従い、式(7)の第2項も含めて補正される。この場合、画素の輝度Lは画素領域A1、A2の境界付近で滑らかに変化する。したがって、本実施形態に係る表示装置10によれば、画素領域A1、A2の境界における輝度差を低減することができる。
以上に示すように、本実施形態に係る表示装置10は、表示素子(有機EL素子L1)と、表示素子と直列に設けられ、表示素子に流れる電流の量を制御する駆動素子(駆動用TFT:Q1)とを含み、2次元状に配置された複数の画素18と、駆動素子を通過し、表示素子を通過せずに、画素18の外部に出力された電流を測定する電流測定回路(データ線駆動/電流測定回路14)と、電流測定回路による電流測定結果に基づき、映像信号D1を補正する補正演算部17と、画素18に対して補正後の映像信号D2に応じた電圧を書き込む駆動回路(データ線駆動/電流測定回路14)とを備えている。補正演算部17は、電流測定結果(電流測定データE1)に基づき、表示素子の発光電流効率ηを画素ごとに求める発光電流効率算出部26と、電流測定結果に基づき、映像信号D1に対して画素18ごとに、個々の画素の特性を考慮した補正(式(7)の第1項の補正)を行う第1補正部31と、発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項(式(7)の第2項)を画素18ごとに求める第2補正部32とを含み、第1補正部31で補正した映像信号と第2補正部32で求めた補正項とに基づき、補正後の映像信号D2を求める。
本実施形態に係る表示装置10によれば、発光電流効率ηの2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率ηの差異を考慮した補正項(式(7)の第2項)を求め、この補正項を用いて映像信号D1を補正することにより、画素領域間に発光電流効率ηに差異がある場合でも、その差異を補償し、画素領域の境界における輝度差を低減することができる。
また、第2補正部32は、画素18ごとに、当該画素と近傍画素との間の発光電流効率の変化率の平均値を求め、求めた平均値に基づき補正項を求める。特に、第2補正部32は、画素18ごとに、1から求めた平均値を減算した値に係数δを乗算することにより、補正項を求める。このように画素18と近傍画素との間の発光電流効率ηの変化率の平均値に基づき補正項を求めることにより、画素領域間の発光電流効率の差異を補償する補正項を求めることができる。
また、補正演算部17は、発光電流効率算出部26で求めた発光電流効率ηを画素18ごとに記憶する発光電流効率記憶部27をさらに含み、第2補正部32は、発光電流効率記憶部27に記憶された発光電流効率ηに基づき、補正項を求める。したがって、発光電流効率記憶部27を用いて、発光電流効率ηの2次元分布に基づく補正項を容易に求めることができる。
また、補正演算部17は、電流測定結果に基づき画素18ごとに、初期状態の電流に対する比である初期電流比Kを求める初期電流比算出部25と、初期電流比Kと発光電流効率ηとの関係を記憶したテーブル(LUT22)とを含んでいる。発光電流効率算出部26は、初期電流比算出部25で求めた初期電流比Kを用いてテーブルを参照することにより、発光電流効率ηを求める。したがって、テーブルを用いて、初期電流比Kに基づき発光電流効率ηを容易に求めることができる。
また、テーブルは、温度と初期電流比と発光電流効率との関係を記憶しており、発光電流効率算出部26は、測定された動作温度と初期電流比算出部25で求めた初期電流比Kとを用いてテーブルを参照することにより、発光電流効率ηを求める。したがって、初期電流比Kと発光電流効率ηとの関係が温度に応じて変化する場合でも、テーブルを用いて、動作温度に応じた発光電流効率ηを求めることができる。
また、補正演算部17は、第1補正部31で補正した映像信号に第2補正部32で求めた補正項を加算する加算器33を含んでいる。したがって、加算器を用いて、第1補正部31で補正した映像信号に第2補正部32で求めた補正項を加算した補正後の映像信号D2を求めることができる。
なお、以上に述べた表示装置10は、本発明を適用した表示装置の一例である。本発明は、駆動素子を通過した電流を画素から読み出し可能に構成された表示装置に適用できる。駆動素子を通過した電流は、データ線経由で読み出してもよく、電流測定用のモニタ線経由で読み出してもよい。本発明は、図7に示す画素Pijに代えて、発光時に等価的に図1に示す回路になり、駆動用TFTを通過した電流を読み出し可能に構成された任意の画素を備えた表示装置にも適用できる。本発明は、図8に示すタイミング以外のタイミングで動作する表示装置にも適用できる。
本発明の表示装置は、画素領域の境界における輝度差を低減できるという特徴を有するので、有機EL表示装置など、表示素子と駆動素子とを含む画素を備えた各種の表示装置に利用することができる。
10…表示装置
11…表示部
12…表示制御回路
13…走査線駆動回路
14…データ線駆動/電流測定回路
15…A/D変換器
16…温度センサ
17…補正演算部
18…画素
21…初期値記憶部
22…LUT
23…TFT特性算出部
24…TFT特性記憶部
25…初期電流比算出部
26…発光電流効率算出部
27…発光電流効率記憶部
31…第1補正部
32…第2補正部
33…加算器
L1…有機EL素子(表示素子)
Q1…駆動用TFT(駆動素子)

Claims (10)

  1. 電流駆動型の表示装置であって、
    表示素子と、前記表示素子と1対1に対応づけて前記表示素子と直列に設けられ、前記表示素子に流れる電流の量を制御する駆動素子とを含み、2次元状に配置された複数の画素と、
    前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過せずに前記画素の外部に出力された電流を測定する電流測定回路と、
    前記電流測定回路による電流測定結果に基づき、映像信号を補正する補正演算部と、
    前記画素に対して補正後の映像信号に応じた電圧を書き込む駆動回路とを備え、
    前記補正演算部は、
    前記電流測定結果に基づき、前記表示素子の発光電流効率を画素ごとに求める発光電流効率算出部と、
    前記電流測定結果と前記発光電流効率とに基づき、前記映像信号に対して画素ごとに、個々の画素の特性を考慮した補正を行う第1補正部と、
    前記発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項を画素ごとに求める第2補正部とを含み、
    前記第1補正部で補正した映像信号と前記第2補正部で求めた補正項とに基づき、前記補正後の映像信号を求めることを特徴とする、表示装置。
  2. 前記第2補正部は、画素ごとに、当該画素と近傍画素との間の発光電流効率の変化率の平均値を求め、前記平均値に基づき前記補正項を求めることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第2補正部は、画素ごとに、1から前記平均値を減算した値に係数を乗算することにより、前記補正項を求めることを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記第2補正部は、i行j列目の画素Pijの発光電流効率をηij、発光電流効率の変化率の増減量に基づき階調電圧の増減量を求めるための係数をδとしたとき、画素Pijを中心として水平方向に±p画素、垂直方向に±q画素の範囲内にある画素を近傍画素として、次式(a)に示す補正項を求めることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。
    Figure 0006333382
  5. 前記第1補正部は、補正前の映像信号に応じた階調電圧をVg0、理想画素内の駆動素子の閾値電圧をVth0、理想画素内の駆動素子の電流係数をβ0、理想画素内の表示素子の発光電流効率をη0、画素Pij内の駆動素子の閾値電圧をVthij、画素Pij内の駆動素子の電流係数をβij、前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過しない電流の測定結果に基づき、前記駆動素子と前記表示素子を直列に接続した場合の電流を求めるための係数をα、階調電圧のオフセットをVofsとしたとき、次式(b)に示す演算を行い、
    前記補正演算部は、前記第1補正部で補正した映像信号に前記第2補正部で求めた補正項を加算することにより、前記補正後の映像信号を求めることを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
    Figure 0006333382
  6. 前記補正演算部は、前記発光電流効率算出部で求めた発光電流効率を画素ごとに記憶する発光電流効率記憶部をさらに含み、
    前記第2補正部は、前記発光電流効率記憶部に記憶された発光電流効率に基づき、前記補正項を求めることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  7. 前記補正演算部は、
    前記電流測定結果に基づき画素ごとに、初期状態の電流に対する比である初期電流比を求める初期電流比算出部と、
    初期電流比と発光電流効率との関係を記憶したテーブルとをさらに含み、
    前記発光電流効率算出部は、前記初期電流比算出部で求めた初期電流比を用いて前記テーブルを参照することにより、前記発光電流効率を求めることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  8. 前記テーブルは、温度と初期電流比と発光電流効率との関係を記憶しており、
    前記発光電流効率算出部は、測定された動作温度と前記初期電流比算出部で求めた初期電流比とを用いて前記テーブルを参照することにより、前記発光電流効率を求めることを特徴とする、請求項7に記載の表示装置。
  9. 前記補正演算部は、前記第1補正部で補正した映像信号に前記第2補正部で求めた補正項を加算する加算器をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  10. 表示素子と、前記表示素子と1対1に対応づけて前記表示素子と直列に設けられ、前記表示素子に流れる電流の量を制御する駆動素子とを含み、2次元状に配置された複数の画素を有する電流駆動型の表示装置の駆動方法であって、
    前記駆動素子を通過し、前記表示素子を通過せずに前記画素の外部に出力された電流を測定するステップと、
    電流測定結果に基づき、前記表示素子の発光電流効率を画素ごとに求めるステップと、
    前記電流測定結果と前記発光電流効率とに基づき、映像信号に対して画素ごとに、個々の画素の特性を考慮した補正を行う第1補正ステップと、
    前記発光電流効率の2次元分布に基づき、近傍画素との間の発光電流効率の差異を考慮した補正項を画素ごとに求める第2補正ステップと、
    前記第1補正ステップで補正した映像信号と前記第2補正ステップで求めた補正項とに基づき、補正後の映像信号を求めるステップと、
    前記画素に対して前記補正後の映像信号に応じた電圧を書き込むステップとを備えた、表示装置の駆動方法。
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