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JP6338458B2 - Photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, and method for manufacturing photoelectric conversion element - Google Patents
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Photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, and method for manufacturing photoelectric conversion element Download PDF

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Description

本発明は、光電変換素子、光電変換モジュールおよび光電変換素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion element, a photoelectric conversion module, and a method for manufacturing a photoelectric conversion element.

化石燃料に代わるエネルギー源として太陽光が注目されており、太陽光を電力に変換することができる太陽電池が注目されている。なかでも、色素増感太陽電池は、製造コストを低くすることができる等の利点を有するため、新しいタイプの太陽電池として注目を集めている。   Sunlight has attracted attention as an energy source to replace fossil fuels, and solar cells that can convert sunlight into electric power have attracted attention. Among them, the dye-sensitized solar cell has been attracting attention as a new type of solar cell because it has an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

たとえば、特許文献1には、光増感色素が吸着した多孔質電極と対極との間に電解質が充填された色素増感光電変換素子が開示されている。特許文献1の色素増感光電変換素子は、電解質の外部への漏洩を防止するために、多孔質電極が設けられた透明電極と、透明電極と間隔を空けて向かい合うようにして設けられた対極との間の領域の外周を取り囲む封止体を有している。   For example, Patent Document 1 discloses a dye-sensitized photoelectric conversion element in which an electrolyte is filled between a porous electrode on which a photosensitizing dye is adsorbed and a counter electrode. The dye-sensitized photoelectric conversion element of Patent Document 1 includes a transparent electrode provided with a porous electrode and a counter electrode provided so as to face the transparent electrode with a gap in order to prevent leakage of the electrolyte to the outside. The sealing body which surrounds the outer periphery of the area | region between is included.

しかしながら、特許文献1の色素増感光電変換素子には、封止体が1重にしか設けられていないため、電解質の漏洩を十分に防止することができなかった。   However, since the dye-sensitized photoelectric conversion element of Patent Document 1 is provided with only a single sealing body, leakage of the electrolyte could not be sufficiently prevented.

そこで、たとえば特許文献2には、電解質の漏洩を防止することを目的として、色素増感剤を含有する多孔質の酸化物半導体層と、酸化物半導体層に対向する対向基材の酸化物半導体層側の表面上に形成された対向電極層との間の電解質層の周囲に設けられた電解質層を封止する素子シール部の周囲にさらに外部シール部を設けた色素増感型太陽電池モジュールが開示されている。   Therefore, for example, in Patent Document 2, for the purpose of preventing leakage of the electrolyte, a porous oxide semiconductor layer containing a dye sensitizer and an oxide semiconductor of a counter substrate facing the oxide semiconductor layer are disclosed. Dye-sensitized solar cell module in which an outer seal portion is further provided around an element seal portion for sealing the electrolyte layer provided around the electrolyte layer between the counter electrode layer formed on the surface on the layer side Is disclosed.

また、たとえば特許文献3には、互いに間隔を空けて向かい合うようにして設けられた光電極側透明導電膜と対向電極側導電膜との間の領域の外周に内側メインシールと外側メインシールの二重のシールを設けることによって電解質溶液を封止した色素増感太陽電池が開示されている。   Further, for example, in Patent Document 3, two inner main seals and outer main seals are provided on the outer periphery of a region between the photoelectrode-side transparent conductive film and the counter electrode-side conductive film that are provided so as to face each other with a space therebetween. A dye-sensitized solar cell in which an electrolyte solution is sealed by providing a heavy seal is disclosed.

特開2013−122874号公報JP2013-122874A 特開2007−220606号公報JP 2007-220606 A 特開2010−92762号公報JP 2010-92762 A

しかしながら、特許文献2に記載の色素増感型太陽電池モジュールは、電極基材の酸化物半導体層の外周部に沿って素子シール部と外部シール部とを設置し、電極基材と対向電極基材とを熱圧着により貼り合わせて形成されている(特許文献2の段落[0101])。そのため、特許文献2に記載の色素増感型太陽電池モジュールにおいては、色素増感剤が加熱されることにより劣化し、変換効率が低下するという問題があった。   However, the dye-sensitized solar cell module described in Patent Document 2 is provided with an element seal portion and an external seal portion along the outer peripheral portion of the oxide semiconductor layer of the electrode base material, and the electrode base material and the counter electrode base It is formed by bonding materials together by thermocompression bonding (paragraph [0101] of Patent Document 2). Therefore, in the dye-sensitized solar cell module described in Patent Document 2, there is a problem that the dye sensitizer is deteriorated by being heated and the conversion efficiency is lowered.

また、特許文献3に記載の色素増感型太陽電池モジュールは、以下のように作製されている。すなわち、まず、増感色素が担持されたTiO2多孔質膜を包囲するように、光電極側透明基板上の光電極側透明導電膜上に内側メインシールとして紫外線硬化樹脂を環状に塗布し、内側メインシールを介して対向電極側基板を重ね合わせた状態で紫外線を照射することによって内側メインシールを硬化させる。次に、光電極側透明基板と対向電極側基板との周縁部の間隙に外側メインシールとして粘度の小さい紫外線硬化樹脂を毛細管現象を利用して注入し、紫外線を照射して硬化することによって、光電極側透明基板と対向電極側基板とを接合して形成されている(特許文献3の段落[0089]〜[0091])。 Moreover, the dye-sensitized solar cell module described in Patent Document 3 is manufactured as follows. That is, first, an ultraviolet curable resin is applied annularly as an inner main seal on the photoelectrode-side transparent conductive film on the photoelectrode-side transparent substrate so as to surround the TiO 2 porous film carrying the sensitizing dye, The inner main seal is cured by irradiating with ultraviolet rays in a state where the counter electrode side substrate is overlapped via the inner main seal. Next, by injecting UV curable resin having a low viscosity as an outer main seal into the gap between the peripheral edge of the photoelectrode side transparent substrate and the counter electrode side substrate using capillary action, and curing by irradiating with UV rays, The photoelectrode side transparent substrate and the counter electrode side substrate are joined to each other (paragraphs [0089] to [0091] in Patent Document 3).

特許文献3においては、対向電極側基板側から紫外線を照射した場合には、対向電極側基板上の対向電極によって紫外線が遮られるため、内側メインシールおよび外側メインシールとしての紫外線硬化樹脂を硬化させることができない。一方、光電極側透明基板から紫外線を照射した場合には、紫外線の照射によって増感色素が劣化し、変換効率が低下するという問題があった。   In Patent Document 3, when ultraviolet rays are irradiated from the counter electrode side substrate side, since the ultraviolet rays are blocked by the counter electrode on the counter electrode side substrate, the ultraviolet curable resin as the inner main seal and the outer main seal is cured. I can't. On the other hand, when ultraviolet rays are irradiated from the photoelectrode-side transparent substrate, there has been a problem that the sensitizing dye is deteriorated by the irradiation of ultraviolet rays and the conversion efficiency is lowered.

したがって、従来においては、電解質の外部への漏洩を抑制することができたとしても高い変換効率を実現することができないという課題があった。   Therefore, conventionally, there has been a problem that even if leakage of the electrolyte to the outside can be suppressed, high conversion efficiency cannot be realized.

ここで開示された実施形態は、第1基板と、第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、第1基板上に設けられた第1導電層と、第1導電層上に設けられた光電変換層と、光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、第1基板と第2基板との間の領域を取り囲むようにして設けられた封止材と、第1基板と第2基板と封止材とによって取り囲まれた領域内に配置された電解質とを備え、光電変換層は、多孔質半導体層と、多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、第2導電層は、第2基板と間隔を空けて、第2基板と向かい合うようにして多孔質絶縁層上に設けられており、封止材は、第1封止材と、第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含む光電変換素子である。   The embodiment disclosed herein is provided on a first substrate, a second substrate facing the first substrate with a space therebetween, a first conductive layer provided on the first substrate, and a first conductive layer. A photoelectric conversion layer, a porous insulating layer provided on the photoelectric conversion layer, a second conductive layer provided on the porous insulating layer, and a region between the first substrate and the second substrate. And an electrolyte disposed in a region surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing material, the photoelectric conversion layer comprising a porous semiconductor layer, a porous material A photosensitizer provided on the semiconductor layer, and the second conductive layer is provided on the porous insulating layer so as to face the second substrate at a distance from the second substrate. The material includes a first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material. The first sealing material is ultraviolet A photoelectric conversion element comprising a cured resin.

ここで開示された実施形態は、第1基板と、第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、第1基板と第2基板との間において電気的に接続された複数の光電変換セルとを備えた光電変換モジュールであって、複数の光電変換セルは、それぞれ、第1基板上に設けられた第1導電層と、第1導電層上に設けられた光電変換層と、光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、第1基板と第2基板との間の電解質とを備え、光電変換層は、多孔質半導体層と、多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、第2導電層は、第2基板と間隔を空けて、第2基板と向かい合うようにして多孔質絶縁層上に設けられており、光電変換モジュールは、第1基板と第2基板との間において、複数の光電変換セルを取り囲むようにして設けられた封止材を備え、封止材は、第1封止材と、第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含む光電変換モジュールである。   An embodiment disclosed herein includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate with a space therebetween, and a plurality of photoelectric conversion cells electrically connected between the first substrate and the second substrate. Each of the plurality of photoelectric conversion cells includes a first conductive layer provided on the first substrate, a photoelectric conversion layer provided on the first conductive layer, and a photoelectric conversion A porous insulating layer provided on the layer, a second conductive layer provided on the porous insulating layer, and an electrolyte between the first substrate and the second substrate, wherein the photoelectric conversion layer is porous A semiconductor layer and a photosensitizer provided on the porous semiconductor layer are provided, and the second conductive layer is provided on the porous insulating layer so as to face the second substrate at a distance from the second substrate. The photoelectric conversion module includes a plurality of photoelectric conversion cells between the first substrate and the second substrate. Including a sealing material provided so as to surround the first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material, The first sealing material is a photoelectric conversion module containing an ultraviolet curable resin.

ここで開示された実施形態は、第1基板上の第1導電層上に、光電変換層と、第2導電層とをこの順に含む積層体を形成する工程と、第1基板上に積層体を取り囲むようにして紫外線硬化樹脂を含む第1封止材前駆体を設置する工程と、第1基板上に第1封止材前駆体の外側に1つ以上の第2封止材前駆体を設置する工程と、第1基板と向かい合うようにして第1封止材前駆体および第2封止材前駆体上に第2基板を設置する工程と、第2基板が設置された状態の第1封止材前駆体に第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化する工程とを含む光電変換素子の製造方法である。   The embodiment disclosed herein includes a step of forming a stacked body including a photoelectric conversion layer and a second conductive layer in this order on a first conductive layer on a first substrate, and a stacked body on the first substrate. A step of installing a first encapsulant precursor containing an ultraviolet curable resin so as to surround the substrate, and one or more second encapsulant precursors outside the first encapsulant precursor on the first substrate. A step of installing, a step of installing the second substrate on the first sealing material precursor and the second sealing material precursor so as to face the first substrate, and a first state in which the second substrate is installed. And a step of curing the first sealing material precursor by irradiating the sealing material precursor with ultraviolet rays from the second substrate side.

ここで開示された実施形態によれば、電解質の外部への漏洩を抑制することができるとともに、高い変換効率を実現することができる。   According to the embodiment disclosed herein, leakage of the electrolyte to the outside can be suppressed, and high conversion efficiency can be realized.

実施形態1の光電変換素子の模式的な断面図である。2 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の光電変換素子の製造方法の一例のフローチャートである。2 is a flowchart of an example of a method for manufacturing the photoelectric conversion element of Embodiment 1. 実施形態1の光電変換素子の製造方法の一例の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the photoelectric conversion element according to the first embodiment. 第1基板と向かい合う第2導電層が第2基板に接して設けられた構造の光電変換素子を作製する場合を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating the case where the photoelectric conversion element of the structure where the 2nd conductive layer facing a 1st board | substrate was provided in contact with the 2nd board | substrate was produced. 実施形態2の光電変換素子の模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion element according to Embodiment 2. FIG. 実施形態3の光電変換素子の模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion element according to Embodiment 3. FIG. 実施形態4の光電変換モジュールの模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion module according to Embodiment 4. FIG. 実施例8の光電変換モジュールの模式的な断面図である。10 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion module of Example 8. FIG. 比較例2の光電変換素子の模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion element of Comparative Example 2. FIG.

以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Hereinafter, embodiments will be described. In the drawings used to describe the embodiments, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

[実施形態1]
<光電変換素子の構造>
図1に、実施形態1の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施形態1の光電変換素子は、第1基板1と、第1基板1上に設けられた第1導電層3と、第1導電層3上に設けられた光電変換層4と、光電変換層4上に設けられた多孔質絶縁層12と、多孔質絶縁層12上に設けられた触媒層10と、触媒層10上に設けられた第2導電層5と、第2導電層5と間隔を空けて第2導電層5と向かい合うようにして設けられた第2基板2とを備えている。
[Embodiment 1]
<Structure of photoelectric conversion element>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of Embodiment 1. The photoelectric conversion element of Embodiment 1 includes a first substrate 1, a first conductive layer 3 provided on the first substrate 1, a photoelectric conversion layer 4 provided on the first conductive layer 3, and a photoelectric conversion layer. 4, the porous insulating layer 12 provided on the porous insulating layer 12, the catalyst layer 10 provided on the porous insulating layer 12, the second conductive layer 5 provided on the catalyst layer 10, and the distance between the second conductive layer 5. And a second substrate 2 provided so as to face the second conductive layer 5.

第1基板1と第2基板2とは封止材41によって接合されており、第1基板1と第2基板2と封止材41とによって取り囲まれた領域には電解質6が配置されている。封止材41は、内側の第1封止材7と、第1封止材7の外側の第2封止材8とを備えている。   The first substrate 1 and the second substrate 2 are joined by a sealing material 41, and the electrolyte 6 is disposed in a region surrounded by the first substrate 1, the second substrate 2, and the sealing material 41. . The sealing material 41 includes an inner first sealing material 7 and a second sealing material 8 outside the first sealing material 7.

第1導電層3には第1導電層3を分断するように延在する帯状の分割溝13が形成されており、分割溝13は多孔質絶縁層12で埋められて、分断された第1導電層3同士が多孔質絶縁層12によって電気的に絶縁されている。   The first conductive layer 3 is formed with a strip-shaped dividing groove 13 extending so as to divide the first conductive layer 3, and the dividing groove 13 is filled with the porous insulating layer 12 to divide the first conductive layer 3. The conductive layers 3 are electrically insulated from each other by the porous insulating layer 12.

光電変換層4は、第1導電層3上に設けられた多孔質半導体層14を母体とし、多孔質半導体層14の孔の内部および孔の外部の表面に光増感剤(図示せず)を設置することにより構成されている。   The photoelectric conversion layer 4 is based on the porous semiconductor layer 14 provided on the first conductive layer 3, and a photosensitizer (not shown) is formed on the surface of the porous semiconductor layer 14 inside and outside the hole. It is comprised by installing.

第2導電層5の一端は、図1において右側と左側とに分断されている第1導電層3のうち、左側の第1導電層3に電気的に接続されている。また、第2導電層5の他端は、触媒層10に電気的に接続されている。   One end of the second conductive layer 5 is electrically connected to the first conductive layer 3 on the left side of the first conductive layer 3 divided into the right side and the left side in FIG. The other end of the second conductive layer 5 is electrically connected to the catalyst layer 10.

封止材41は、第1基板1上の第1導電層3上に設けられて、第1導電層3と第2基板2とを接合することによって、第1基板1と第2基板2とを接合している。   The sealing material 41 is provided on the first conductive layer 3 on the first substrate 1, and the first substrate 1 and the second substrate 2 are bonded by bonding the first conductive layer 3 and the second substrate 2. Are joined.

なお、図1においては、電解質6は、第2基板2と第2導電層5との間の領域のみに配置されているように図示されている。しかしながら、実施形態1においては、第2導電層5、触媒層10、多孔質絶縁層12および光電変換層4はそれぞれ複数の孔を有しているため、電解質6は、第2導電層5、触媒層10、多孔質絶縁層12および光電変換層4のそれぞれの複数の孔の内部にも存在している。   In FIG. 1, the electrolyte 6 is illustrated as being disposed only in a region between the second substrate 2 and the second conductive layer 5. However, in Embodiment 1, since the second conductive layer 5, the catalyst layer 10, the porous insulating layer 12, and the photoelectric conversion layer 4 each have a plurality of holes, the electrolyte 6 includes the second conductive layer 5, The catalyst layer 10, the porous insulating layer 12, and the photoelectric conversion layer 4 are also present inside the plurality of holes.

<光電変換素子の製造方法>
図2に、実施形態1の光電変換素子の製造方法の一例のフローチャートを示す。図2に示すように、実施形態1の光電変換素子の製造方法は、第1導電層の形成工程(S10)と、多孔質半導体層の形成工程(S20)と、多孔質絶縁層の形成工程(S30)と、触媒層の形成工程(S40)と、第2導電層の形成工程(S50)と、光増感剤の設置工程(S60)と、第1封止材前駆体の設置工程(S70)と、第2封止材前駆体の設置工程(S80)と、第2基板の設置工程(S90)と、紫外線の照射工程(S100)と、電解質の注入工程(S110)とを含んでおり、S10、S20、S30、S40、S50、S60、S70、S80、S90、S100およびS110の順に行われる。なお、実施形態1の光電変換素子の製造方法には、S10〜S110以外の工程が含まれていてもよく、工程の順序も以下に説明する工程の順序に限定されないことは言うまでもない。
<Method for producing photoelectric conversion element>
In FIG. 2, the flowchart of an example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of Embodiment 1 is shown. As shown in FIG. 2, the manufacturing method of the photoelectric conversion element of Embodiment 1 includes a first conductive layer forming step (S10), a porous semiconductor layer forming step (S20), and a porous insulating layer forming step. (S30), catalyst layer formation step (S40), second conductive layer formation step (S50), photosensitizer installation step (S60), and first sealing material precursor installation step ( S70), a second sealing material precursor installation step (S80), a second substrate installation step (S90), an ultraviolet irradiation step (S100), and an electrolyte injection step (S110). S10, S20, S30, S40, S50, S60, S70, S80, S90, S100 and S110 are performed in this order. In addition, it cannot be overemphasized that the process other than S10-S110 may be included in the manufacturing method of the photoelectric conversion element of Embodiment 1, and the order of a process is not limited to the order of the process demonstrated below.

(第1導電層の形成工程)
第1導電層の形成工程(S10)は、第1基板1上に第1導電層3を形成することにより行うことができる。第1導電層3を形成する方法としては、たとえば、スパッタ法およびスプレー法などの方法を用いることができる。また、第1基板1上に第1導電層3が予め設けられた基板を用意してもよい。
(First conductive layer forming step)
The step of forming the first conductive layer (S10) can be performed by forming the first conductive layer 3 on the first substrate 1. As a method of forming the first conductive layer 3, for example, a method such as a sputtering method or a spray method can be used. Further, a substrate in which the first conductive layer 3 is previously provided on the first substrate 1 may be prepared.

第1基板1としては、たとえば透光性を有する透光性基板を用いることができるが、たとえば後述する増感色素に実効的な感度を有する波長の光を実質的に透過させる材料で形成されていればよく、必ずしもすべての波長領域の光に対して透光性を有する必要はない。第1基板1の厚さは、0.2mm以上5mm以下であることが好ましい。   As the first substrate 1, for example, a translucent substrate having translucency can be used. For example, the first substrate 1 is formed of a material that substantially transmits light having a wavelength having effective sensitivity to a sensitizing dye described later. It is not necessary to have translucency with respect to light in all wavelength regions. It is preferable that the thickness of the 1st board | substrate 1 is 0.2 mm or more and 5 mm or less.

第1基板1としては、たとえば、ソーダガラス、溶融石英ガラス若しくは結晶石英ガラスなどのガラス基板、または可撓性フィルムなどの耐熱性樹脂板を用いることができる。   As the first substrate 1, for example, a glass substrate such as soda glass, fused silica glass or crystalline quartz glass, or a heat resistant resin plate such as a flexible film can be used.

第1導電層3としては、たとえば導電性および透光性を有するものであれば特に限定されず、たとえば、インジウム錫複合酸化物(ITO)、酸化錫(SnO2)、酸化錫にフッ素がドープされたもの(FTO)および酸化亜鉛(ZnO)からなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。 The first conductive layer 3 is not particularly limited as long as it has conductivity and translucency, for example, indium tin composite oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), tin oxide doped with fluorine. At least one selected from the group consisting of prepared (FTO) and zinc oxide (ZnO) can be used.

第1導電層3の厚さは、0.02μm以上5μm以下であることが好ましい。第1導電層3の電気抵抗は低いほど好ましく、40Ω/□以下であることが好ましい。   The thickness of the first conductive layer 3 is preferably 0.02 μm or more and 5 μm or less. The electric resistance of the first conductive layer 3 is preferably as low as possible, and is preferably 40Ω / □ or less.

(多孔質半導体層の形成工程)
多孔質半導体層の形成工程(S20)は、第1導電層3上に多孔質半導体層14を形成することにより行うことができる。多孔質半導体層14を形成する方法としては、特に限定されず、たとえば従来から公知の方法を用いることができる。たとえば、上述の半導体微粒子を含有する懸濁液を第1導電層3上に塗布し、乾燥および焼成の少なくとも一方を行う方法などを用いることができる。
(Porous semiconductor layer formation process)
The step of forming the porous semiconductor layer (S20) can be performed by forming the porous semiconductor layer 14 on the first conductive layer 3. The method for forming the porous semiconductor layer 14 is not particularly limited, and for example, a conventionally known method can be used. For example, a method of applying a suspension containing the above-described semiconductor fine particles on the first conductive layer 3 and performing at least one of drying and baking can be used.

多孔質半導体層14としては、一般に光電変換材料に使用されるものであれば特に限定されず、たとえば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛、リン化インジウム、銅−インジウム硫化物(CuInS2)、CuAlO2およびSrCu22からなる群から選択された少なくとも1種を用いることができ、なかでも、高い安定性を有する点から、酸化チタンを用いることが好ましい。 The porous semiconductor layer 14 is not particularly limited as long as it is generally used for photoelectric conversion materials. For example, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, iron oxide, niobium oxide, cerium oxide, tungsten oxide, titanate Use of at least one selected from the group consisting of barium, strontium titanate, cadmium sulfide, lead sulfide, zinc sulfide, indium phosphide, copper-indium sulfide (CuInS 2 ), CuAlO 2 and SrCu 2 O 2 Among them, it is preferable to use titanium oxide from the viewpoint of high stability.

多孔質半導体層14の厚さは、特に限定されないが、たとえば0.1μm以上100μm以下とすることができる。また、多孔質半導体層14の表面積は、10m2/g以上200m2/g以下であることが好ましい。 Although the thickness of the porous semiconductor layer 14 is not specifically limited, For example, it can be 0.1 micrometer or more and 100 micrometers or less. The surface area of the porous semiconductor layer 14 is preferably 10 m 2 / g or more and 200 m 2 / g or less.

(多孔質絶縁層の形成工程)
多孔質絶縁層の形成工程(S30)は、多孔質半導体層14上に多孔質絶縁層12を形成することにより行うことができる。多孔質絶縁層12の形成方法は、特に限定されないが、たとえば上記の多孔質半導体層14と同様の方法で形成することができる。
(Porous insulating layer formation process)
The step of forming the porous insulating layer (S30) can be performed by forming the porous insulating layer 12 on the porous semiconductor layer. Although the formation method of the porous insulating layer 12 is not specifically limited, For example, it can form by the method similar to said porous semiconductor layer 14. FIG.

多孔質絶縁層12としては、たとえば、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、シリカガラスまたはソーダガラスなどの酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよびチタン酸バリウムからなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。   As the porous insulating layer 12, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide such as titanium oxide, niobium oxide, zirconium oxide, silica glass or soda glass, aluminum oxide, and barium titanate can be used. .

(触媒層の形成工程)
触媒層の形成工程(S40)は、多孔質絶縁層12上に触媒層10を形成することにより行うことができる。触媒層10としては、たとえば、白金、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびフラーレンからなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。
(Catalyst layer formation process)
The catalyst layer forming step (S <b> 40) can be performed by forming the catalyst layer 10 on the porous insulating layer 12. As the catalyst layer 10, for example, at least one selected from the group consisting of platinum, carbon black, ketjen black, carbon nanotube, and fullerene can be used.

触媒層10の形成方法は、特に限定されず、たとえば従来から公知の方法を用いることができる。触媒層10として白金を用いる場合には、触媒層10の形成方法としては、たとえば、スパッタ法、塩化白金酸の熱分解または電着などの方法を用いることができる。また、触媒層10として、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびフラーレンなどのカーボンを用いる場合には、触媒層10の形成方法としては、たとえば、カーボンを溶剤に分散させたペーストをスクリーン印刷法などを用いて多孔質絶縁層12に塗布する方法などを用いることができる。   The formation method of the catalyst layer 10 is not specifically limited, For example, a conventionally well-known method can be used. When platinum is used as the catalyst layer 10, as a method for forming the catalyst layer 10, for example, a method such as sputtering, thermal decomposition or electrodeposition of chloroplatinic acid can be used. Further, when carbon such as carbon black, ketjen black, carbon nanotube, and fullerene is used as the catalyst layer 10, the catalyst layer 10 may be formed by, for example, a screen printing method using a paste in which carbon is dispersed in a solvent. The method etc. which apply | coat to the porous insulating layer 12 using etc. can be used.

(第2導電層の形成工程)
第2導電層の形成工程(S50)は、第2導電層5の一端が第1導電層3に電気的に接続されるとともに、他端が触媒層10に電気的に接続されるように、第2導電層5を形成することにより行うことができる。第2導電層5の形成方法は、特に限定されないがたとえばスパッタ法またはスプレー法などの方法を用いることができる。
(Second conductive layer forming step)
In the second conductive layer forming step (S50), one end of the second conductive layer 5 is electrically connected to the first conductive layer 3, and the other end is electrically connected to the catalyst layer 10. This can be done by forming the second conductive layer 5. Although the formation method of the 2nd conductive layer 5 is not specifically limited, For example, methods, such as a sputtering method or a spray method, can be used.

第2導電層5には、紫外線が透過しない材料が用いられる。紫外線が透過しない材料としては、紫外線の少なくとも一部が透過しない材料、好ましくは紫外線の全部が透過しない材料が用いられる。紫外線の少なくとも一部が透過しない材料、好ましくは紫外線の全部が透過しない材料としては、チタン、タングステン、金、銀、銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択された少なくとも1種を含む金属材料などが挙げられる。なお、紫外線とは、波長1nm以上400nm以下の電磁波である。   A material that does not transmit ultraviolet rays is used for the second conductive layer 5. As the material that does not transmit ultraviolet rays, a material that does not transmit at least part of ultraviolet rays, preferably a material that does not transmit all of ultraviolet rays, is used. As a material that does not transmit at least a part of ultraviolet rays, preferably a material that does not transmit all of ultraviolet rays, a metal material including at least one selected from the group consisting of titanium, tungsten, gold, silver, copper, aluminum and nickel, etc. Is mentioned. In addition, ultraviolet rays are electromagnetic waves with a wavelength of 1 nm or more and 400 nm or less.

第2導電層5の厚さは、0.02μm以上5μm以下であることが好ましい。第2導電層5の電気抵抗は低いほど好ましく、40Ω/□以下であることが好ましい。   The thickness of the second conductive layer 5 is preferably 0.02 μm or more and 5 μm or less. The electrical resistance of the second conductive layer 5 is preferably as low as possible, and is preferably 40Ω / □ or less.

(光増感剤の設置工程)
光増感剤の設置工程(S60)は、たとえば、多孔質半導体層14に光増感剤を設置することにより行うことができる。光増感剤としては、たとえば、有機色素および金属錯体色素などの増感色素を用いることができ、多孔質半導体層14に増感色素を吸着させることにより、多孔質半導体層14に光増感剤が設置されてなる光電変換層4を形成することができる。
(Installation process of photosensitizer)
The installation step (S60) of the photosensitizer can be performed, for example, by installing a photosensitizer on the porous semiconductor layer 14. As the photosensitizer, for example, a sensitizing dye such as an organic dye and a metal complex dye can be used. By adsorbing the sensitizing dye to the porous semiconductor layer 14, the photosensitization is performed on the porous semiconductor layer 14. The photoelectric conversion layer 4 in which an agent is installed can be formed.

多孔質半導体層14に増感色素を吸着させる方法としては、たとえば、増感色素を溶解させた色素吸着用溶液に多孔質半導体層14を浸漬する方法を用いることができる。増感色素を溶解させた色素吸着用溶液に多孔質半導体層14を浸漬する際に、色素吸着用溶液を多孔質半導体層14の孔の内部の奥まで浸透させるために、色素吸着用溶液を加熱してもよい。   As a method of adsorbing the sensitizing dye to the porous semiconductor layer 14, for example, a method of immersing the porous semiconductor layer 14 in a dye adsorbing solution in which the sensitizing dye is dissolved can be used. When the porous semiconductor layer 14 is immersed in the dye adsorption solution in which the sensitizing dye is dissolved, the dye adsorption solution is used to penetrate the interior of the pores of the porous semiconductor layer 14. You may heat.

なお、有機色素としては、たとえば、アゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、ポルフィリン系色素、ペリレン系色素、インジゴ系色素およびナフタロシアニン系色素からなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。有機色素の吸光係数は、一般に、遷移金属に分子が配位結合した形態をとる金属錯体色素の吸光係数に比べて大きくなる。   Examples of organic dyes include azo dyes, quinone dyes, quinone imine dyes, quinacridone dyes, squarylium dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes, triphenylmethane dyes, xanthene dyes, porphyrin dyes. In addition, at least one selected from the group consisting of perylene dyes, indigo dyes, and naphthalocyanine dyes can be used. In general, the extinction coefficient of an organic dye is larger than the extinction coefficient of a metal complex dye in which a molecule is coordinated to a transition metal.

また、金属錯体色素は、分子に金属が配位結合することによって構成されている。分子としては、たとえば、ポルフィリン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素またはルテニウム系色素などを挙げることができる。金属としては、たとえば、Cu、Ni、Fe、Co、V、Sn、Si、Ti、Ge、Cr、Zn、Ru、Mg、Al、Pb、Mn、In、Mo、Y、Zr、Nb、Sb、La、W、Pt、TA、Ir、Pd、Os、Ga、Tb、Eu、Rb、Bi、Se、As、Sc、Ag、Cd、Hf、Re、Au、Ac、Tc、TeおよびRhからなる群から選択された少なくとも1種を挙げることができる。なかでも、金属錯体色素として、フタロシアニン系色素またはルテニウム系色素に金属が配位したものを用いることが好ましく、ルテニウム系金属錯体色素を用いることが特に好ましい。   In addition, the metal complex dye is constituted by a metal coordinated to a molecule. Examples of the molecule include porphyrin dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, ruthenium dyes, and the like. Examples of the metal include Cu, Ni, Fe, Co, V, Sn, Si, Ti, Ge, Cr, Zn, Ru, Mg, Al, Pb, Mn, In, Mo, Y, Zr, Nb, Sb, La, W, Pt, TA, Ir, Pd, Os, Ga, Tb, Eu, Rb, Bi, Se, As, Sc, Ag, Cd, Hf, Re, Au, Ac, Tc, Te and Rh The at least 1 sort (s) selected from these can be mentioned. Among these, as the metal complex dye, it is preferable to use a phthalocyanine dye or a ruthenium dye with a metal coordinated, and it is particularly preferable to use a ruthenium metal complex dye.

ルテニウム系金属錯体色素としては、たとえば、Solaronix社製の商品名Ruthenium535色素、Ruthenium535−bisTBA色素、またはRuthenium620−1H3TBA色素などの市販のルテニウム系金属錯体色素を用いることができる。   As the ruthenium-based metal complex dye, for example, a commercially available ruthenium-based metal complex dye such as a trade name Ruthenium 535 dye, Ruthenium 535-bisTBA dye, or Ruthenium 620-1H3TBA dye manufactured by Solaronix can be used.

(第1封止材前駆体の設置工程)
第1封止材前駆体の設置工程(S70)は、硬化前の紫外線硬化樹脂を含む第1封止材前駆体を塗布することにより行うことができる。なお、第1封止材前駆体は、後述の紫外線の照射工程(S100)における紫外線の照射により第1封止材7となる材料である。第1封止材前駆体の塗布方法は特に限定されないが、たとえばディスペンサーを用いて、上述のように積層した多孔質半導体層14、多孔質絶縁層12、触媒層10および第2導電層5の積層体を取り囲むように、第1導電層3上に塗布することができる。
(Installation process of first sealing material precursor)
The installation process (S70) of a 1st sealing material precursor can be performed by apply | coating the 1st sealing material precursor containing the ultraviolet curable resin before hardening. In addition, a 1st sealing material precursor is a material used as the 1st sealing material 7 by the ultraviolet irradiation in the below-mentioned ultraviolet irradiation process (S100). The method for applying the first sealing material precursor is not particularly limited. For example, using a dispenser, the porous semiconductor layer 14, the porous insulating layer 12, the catalyst layer 10, and the second conductive layer 5 stacked as described above are used. It can apply | coat on the 1st conductive layer 3 so that a laminated body may be surrounded.

第1封止材前駆体に含まれる紫外線硬化樹脂としては、後述する紫外線の照射により硬化する樹脂であれば特に限定されないが、第1封止材7は電解質6に接するため、硬化後の第1封止材7が電解質6と化学反応しにくい材料を用いることが好ましい。硬化後の第1封止材7が電解質6と化学反応しにくい材料としては、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方の紫外線硬化樹脂を用いることが好ましく、ラジカル系樹脂の1種であるアクリル系樹脂を含む紫外線硬化樹脂を用いることがより好ましい。   The ultraviolet curable resin contained in the first encapsulant precursor is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by ultraviolet irradiation described later, but the first encapsulant 7 is in contact with the electrolyte 6, so It is preferable to use a material in which one sealing material 7 does not chemically react with the electrolyte 6. As a material in which the first sealing material 7 after curing hardly reacts chemically with the electrolyte 6, it is preferable to use at least one of a radical resin or a cationic resin, and an acrylic resin which is a kind of radical resin. It is more preferable to use an ultraviolet curable resin containing a resin.

なお、ラジカル系樹脂は、ラジカル重合(フリーラジカルを成長活性種とする連鎖重合)が進行して硬化する樹脂または硬化した樹脂のことである。また、カチオン系樹脂は、カチオン重合(陽イオンを成長活性種とする連鎖重合)が進行して硬化する樹脂または硬化した樹脂のことである。また、アクリル系樹脂は、ラジカル系樹脂の1種であり、メタクリル樹脂等のアクリル樹脂を主成分(アクリル系樹脂全体の50質量%以上)として含む樹脂であり、硬化前および硬化後のいずれの状態も含む。   The radical resin is a resin that is cured by radical polymerization (chain polymerization using free radicals as growth active species) or a cured resin. The cationic resin is a resin that cures or cures through cationic polymerization (chain polymerization using a cation as a growth active species). An acrylic resin is a kind of radical resin, and is a resin containing an acrylic resin such as a methacrylic resin as a main component (50% by mass or more of the entire acrylic resin). Including state.

(第2封止材前駆体の設置工程)
第2封止材前駆体の設置工程(S80)は、第1封止材前駆体の外側に第2封止材前駆体を塗布することにより行うことができる。なお、第2封止材前駆体は、第2封止材前駆体の硬化により第2封止材8となる材料である。第2封止材前駆体の塗布方法は特に限定されないが、たとえばディスペンサーを用いて、第1封止材前駆体を取り囲むように、第1導電層3上に塗布することができる。
(Installation process of second sealing material precursor)
The installation process (S80) of the second sealing material precursor can be performed by applying the second sealing material precursor to the outside of the first sealing material precursor. In addition, a 2nd sealing material precursor is a material used as the 2nd sealing material 8 by hardening of a 2nd sealing material precursor. The method for applying the second sealing material precursor is not particularly limited, but it can be applied on the first conductive layer 3 so as to surround the first sealing material precursor using, for example, a dispenser.

第2封止材前駆体は、硬化方法が特に限定されないため、硬化により第2封止材8を形成することができる材料であれば特に限定されない。しかしながら、第2封止材前駆体の硬化後の第2封止材8は大気に接するため、第2封止材前駆体としては、水分または酸素等の透過性が低く、第1導電層3および第2基板2との接着性の高い樹脂を用いることが好ましい。このような樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ホットメルト系樹脂、ラジカル系樹脂、カチオン系樹脂、およびオレフィン系樹脂からなる群から選択された少なくとも1種を含む樹脂を用いることが好ましい。   The second sealing material precursor is not particularly limited as long as it is a material that can form the second sealing material 8 by curing because the curing method is not particularly limited. However, since the second sealing material 8 after the curing of the second sealing material precursor is in contact with the atmosphere, the second sealing material precursor has low permeability such as moisture or oxygen, and the first conductive layer 3 It is preferable to use a resin having high adhesiveness with the second substrate 2. Examples of such a resin include a resin containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, silicone resins, fluorine resins, hot melt resins, radical resins, cationic resins, and olefin resins. It is preferable to use it.

なお、エポキシ系樹脂とは、エポキシ基の開環反応により硬化する樹脂のことである。また、シリコーン系樹脂とは、有機基を有する珪素と酸素との繰り返し単位を主骨格とする樹脂のことである。フッ素系樹脂とは、フッ素を含有する樹脂のことである。ホットメルト系樹脂とは、常温(25℃)においては固体であり、加熱により溶融する樹脂であり、たとえば、合成ゴム系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、直鎖状ポリエステル等が挙げられる。オレフィン系樹脂とは、エチレン系炭化水素を重合した樹脂である。なお、本明細書において、第1封止材前駆体および第2封止材前駆体は、それぞれ、硬化前の樹脂を意味しており、第1封止材および第2封止材は、それぞれ、硬化後の樹脂を意味している。   The epoxy resin is a resin that is cured by an epoxy group ring-opening reaction. The silicone resin is a resin having a repeating unit of silicon having an organic group and oxygen as a main skeleton. A fluorine-based resin is a resin containing fluorine. The hot melt resin is a resin that is solid at normal temperature (25 ° C.) and melts by heating. For example, synthetic rubber resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer Examples include coalesced and linear polyester. The olefin resin is a resin obtained by polymerizing ethylene hydrocarbon. In the present specification, the first sealing material precursor and the second sealing material precursor each mean a resin before curing, and the first sealing material and the second sealing material are respectively , Meaning a cured resin.

また、後述の紫外線の照射工程(S100)における紫外線の照射によって第1封止材前駆体とともに第2封止材前駆体を硬化することによって光電変換素子を作製する場合には光電変換素子を効率的に製造することができるため、第2封止材前駆体は紫外線硬化樹脂を含むことが好ましい。   Moreover, when producing a photoelectric conversion element by hardening a 2nd sealing material precursor with a 1st sealing material precursor by the ultraviolet irradiation in the below-mentioned ultraviolet irradiation process (S100), a photoelectric conversion element is made efficient. Therefore, it is preferable that the second sealing material precursor contains an ultraviolet curable resin.

第2封止材前駆体に含まれる紫外線硬化樹脂としては、第1封止材前駆体と同様に、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を用いることが好ましく、ラジカル系樹脂の1種であるアクリル系樹脂を用いることがより好ましい。   As the ultraviolet curable resin contained in the second sealing material precursor, it is preferable to use at least one of a radical resin or a cationic resin, as in the case of the first sealing material precursor. It is more preferable to use a certain acrylic resin.

第2封止材8は1つに限定されず2つ以上であってもよいため、2つ以上の第2封止材8を形成する場合には、第1封止材前駆体を取り囲むように二重以上の第2封止材前駆体を塗布することができる。なお、二重以上の第2封止材前駆体を塗布する場合には、第2封止材前駆体としては、少なくとも1つが異なる種類の材料を塗布してもよく、すべて同一種類の材料を塗布してもよい。   Since the second sealing material 8 is not limited to one and may be two or more, when two or more second sealing materials 8 are formed, the first sealing material precursor is surrounded. Two or more second sealing material precursors can be applied to the substrate. When applying a second or more second encapsulant precursor, at least one different type of material may be applied as the second encapsulant precursor, and all the same type of material may be applied. It may be applied.

(第2基板の設置工程)
第2基板の設置工程(S90)は、第1基板1と向かい合うようにして、第1封止材前駆体および第2封止材前駆体上に第2基板2を設置することによって行うことができる。
(Installation process of the second substrate)
The second substrate placement step (S90) can be performed by placing the second substrate 2 on the first sealing material precursor and the second sealing material precursor so as to face the first substrate 1. it can.

第2基板2としては、電解質6を封止することができるとともに、紫外線の少なくとも一部、好ましくは全部を透過することができる材料が用いられる。このような材料としては、たとえば通常のガラスからなる基板等を用いることができ、なかでも、アクリルガラスからなる基板を用いることが好ましい。アクリルガラスからなる基板を用いた場合には実施形態1の光電変換素子の軽量化を図ることができる。   As the second substrate 2, a material capable of sealing the electrolyte 6 and transmitting at least a part, preferably all of the ultraviolet rays is used. As such a material, for example, a substrate made of ordinary glass or the like can be used, and among these, it is preferable to use a substrate made of acrylic glass. When a substrate made of acrylic glass is used, the photoelectric conversion element of Embodiment 1 can be reduced in weight.

なお、アクリルガラスは、ポリメタクリル酸メチル樹脂の透明固体材である。
(紫外線の照射工程)
紫外線の照射工程(S100)は、たとえば図3の模式的断面図に示すように、第1基板1と第2基板2とを貼り合わせている未硬化の紫外線硬化樹脂からなる第1封止材前駆体7aに紫外線11を第2基板2側から照射することにより行うことができる。これにより、上述の第1封止材前駆体の設置工程(S70)で設置された未硬化の紫外線硬化樹脂を含む第1封止材前駆体7aが硬化することによって第1封止材7が形成される。
Acrylic glass is a transparent solid material of polymethyl methacrylate resin.
(UV irradiation process)
In the ultraviolet irradiation step (S100), for example, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 3, the first sealing material made of an uncured ultraviolet curable resin bonding the first substrate 1 and the second substrate 2 together. This can be performed by irradiating the precursor 7a with ultraviolet rays 11 from the second substrate 2 side. Thereby, the 1st sealing material 7 is hardened by hardening the 1st sealing material precursor 7a containing uncured ultraviolet curing resin installed at the above-mentioned installation process (S70) of the 1st sealing material precursor. It is formed.

なお、第2封止材前駆体8aが紫外線硬化樹脂を含む場合には、本工程において、第1封止材前駆体7aとともに第2封止材前駆体8aに紫外線11を照射することによって、第1封止材7とともに第2封止材8を形成することができる。また、第2封止材前駆体8aが熱硬化樹脂を含む場合には、紫外線11の照射による第1封止材前駆体7aの硬化後に第2封止材前駆体8aを局所的に加熱することによって硬化して第2封止材8を形成することができる。   In the case where the second sealing material precursor 8a contains an ultraviolet curable resin, in this step, by irradiating the second sealing material precursor 8a with the ultraviolet light 11 together with the first sealing material precursor 7a, The second sealing material 8 can be formed together with the first sealing material 7. Moreover, when the 2nd sealing material precursor 8a contains a thermosetting resin, the 2nd sealing material precursor 8a is heated locally after hardening of the 1st sealing material precursor 7a by irradiation of the ultraviolet-ray 11. FIG. Thus, the second sealing material 8 can be formed by curing.

上述のように、第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aをそれぞれ硬化して第1封止材7および第2封止材8を形成することによって、第1封止材7と第2封止材8とからなる封止材41を形成することができる。   As described above, the first sealing material precursor 7a and the second sealing material precursor 8a are cured to form the first sealing material 7 and the second sealing material 8, respectively. A sealing material 41 composed of the material 7 and the second sealing material 8 can be formed.

(電解質の注入工程)
電解質の注入工程(S110)は、第1基板1と第2基板2との間の封止材41で仕切られた空間に電解質6を注入することにより行うことができ、たとえば、第2基板2に電解質6の注入用の孔を設け、当該孔から電解質6を注入するという注入方法により行うことができる。また、第2基板2に電解質6の注入用の孔を設けず、第2基板2の設置工程の前に電解質6を注入した後に第2基板2を設置するというODF工法により行うこともできる。以上により、実施形態1の光電変換素子を作製することができる。
(Electrolyte injection process)
The electrolyte injection step (S110) can be performed by injecting the electrolyte 6 into the space partitioned by the sealing material 41 between the first substrate 1 and the second substrate 2, for example, the second substrate 2. An injection method for injecting the electrolyte 6 into the hole and injecting the electrolyte 6 from the hole can be performed. Alternatively, the second substrate 2 may be provided by an ODF method in which the second substrate 2 is not provided with a hole for injecting the electrolyte 6 but the electrolyte 6 is injected before the second substrate 2 is installed. As described above, the photoelectric conversion element of Embodiment 1 can be manufactured.

なお、電解質6としては、少なくとも流動性を有する電解質を用いることができ、たとえば電解液などの液体電解質を好適に用いることができる。液体電解質は、酸化還元種を含む液状物であればよく、たとえば、酸化還元種と、酸化還元種を溶解可能な溶剤とからなる液体電解質などを用いることができる。   As the electrolyte 6, an electrolyte having at least fluidity can be used. For example, a liquid electrolyte such as an electrolytic solution can be preferably used. The liquid electrolyte may be a liquid material containing redox species. For example, a liquid electrolyte composed of a redox species and a solvent capable of dissolving the redox species can be used.

酸化還元種としては、たとえば、I-/I3-系、Br2-/Br3-系、Fe2+/Fe3+系、キノン/ハイドロキノン系などを用いることができる。より具体的には、酸化還元種としては、ヨウ化リチウム(LiI)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、ヨウ化カリウム(KI)、ヨウ化カルシウム(CaI2)などの金属ヨウ化物とヨウ素(I2)との組み合わせを用いることができる。また、テトラエチルアンモニウムアイオダイド(TEAI)、テトラプロピルアンモニウムアイオダイド(TPAI)、テトラブチルアンモニウムアイオダイド(TBAI)、テトラヘキシルアンモニウムアイオダイド(THAI)などのテトラアルキルアンモニウム塩とヨウ素との組み合わせを用いることもできる。さらに、臭化リチウム(LiBr)、臭化ナトリウム(NaBr)、臭化カリウム(KBr)、臭化カルシウム(CaBr2)などの金属臭化物と臭素との組み合わせを用いることもできる。なかでも、酸化還元種としては、LiIとI2との組み合わせを用いることが特に好ましい。 As the redox species, for example, I / I 3− series, Br 2− / Br 3− series, Fe 2 + / Fe 3+ series, quinone / hydroquinone series and the like can be used. More specifically, examples of the redox species include metal iodides such as lithium iodide (LiI), sodium iodide (NaI), potassium iodide (KI), calcium iodide (CaI 2 ), and iodine (I 2 ) Can be used. Also, use a combination of tetraalkylammonium salt such as tetraethylammonium iodide (TEAI), tetrapropylammonium iodide (TPAI), tetrabutylammonium iodide (TBAI), tetrahexylammonium iodide (THAI) and iodine. You can also. Further, a combination of a metal bromide such as lithium bromide (LiBr), sodium bromide (NaBr), potassium bromide (KBr), calcium bromide (CaBr 2 ) and bromine can be used. Among these, it is particularly preferable to use a combination of LiI and I 2 as the redox species.

酸化還元種の溶剤としては、たとえば、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、アセトニトリルなどのニトリル化合物、エタノールなどのアルコール類、水および非プロトン極性物質からなる群から選択された少なくとも1種を含む溶剤を用いることが好ましく、なかでも、カーボネート化合物若しくはニトリル化合物を単独で、または混合して用いることがより好ましい。   As the solvent for the redox species, for example, a solvent containing at least one selected from the group consisting of carbonate compounds such as propylene carbonate, nitrile compounds such as acetonitrile, alcohols such as ethanol, water, and aprotic polar substances is used. Among them, it is more preferable to use a carbonate compound or a nitrile compound alone or in combination.

<作用効果>
本発明者が鋭意検討した結果、特許文献2に記載されているように封止材に熱硬化樹脂を用いた場合には、熱硬化樹脂の硬化時の加熱によって光電変換層の光増感剤が劣化し、光電変換素子の変換効率が低下することが判明した。光増感剤の熱劣化としては、たとえば、リガンドの酸化、リガンドの脱離および/若しくは置換、またはリガンドの異性化反応および/若しくは付加反応などが起こると考えられる。
<Effect>
As a result of intensive studies by the present inventor, when a thermosetting resin is used as the sealing material as described in Patent Document 2, the photosensitizer of the photoelectric conversion layer is heated by heating when the thermosetting resin is cured. It has been found that the conversion efficiency of the photoelectric conversion element decreases. As thermal degradation of the photosensitizer, for example, oxidation of the ligand, elimination and / or substitution of the ligand, or isomerization reaction and / or addition reaction of the ligand may occur.

そこで、本発明者が特許文献3のように、熱硬化樹脂の代わりに紫外線硬化樹脂を用いることを検討した。紫外線硬化樹脂を用いた場合には、封止材の作製時に光電変換層の光増感剤を加熱する必要がなく、光電変換素子の変換効率の低下を抑制できると考えたためである。   Then, this inventor examined using an ultraviolet curable resin instead of a thermosetting resin like patent document 3, for example. This is because when the ultraviolet curable resin is used, it is not necessary to heat the photosensitizer of the photoelectric conversion layer at the time of producing the sealing material, and it is thought that the decrease in the conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be suppressed.

その結果、図4の模式的断面図に示されるように、第2導電層5が第1導電層3と間隔を空けて第1導電層3と向かい合うように第2基板2の表面に接するようにして設けられた構造を有する光電変換素子を作製する場合には、第1基板1側から紫外線11を照射することによって紫外線硬化樹脂からなる第1封止材前駆体7aを硬化させる必要があった。そのため、光電変換層4中の光増感剤に紫外線11が照射されることによって光増感剤が劣化し、この場合にも、光電変換素子の変換効率が低下することが判明した。光増感剤の紫外線の照射による劣化としては、たとえば、リガンドの酸化、リガンドの脱離および/若しくは置換、またはリガンドの異性化反応および/若しくは付加反応などが起こると考えられる。   As a result, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4, the second conductive layer 5 is in contact with the surface of the second substrate 2 so as to face the first conductive layer 3 with a space from the first conductive layer 3. When the photoelectric conversion element having the structure provided as described above is manufactured, it is necessary to cure the first sealing material precursor 7a made of the ultraviolet curable resin by irradiating the ultraviolet rays 11 from the first substrate 1 side. It was. For this reason, it has been found that the photosensitizer is deteriorated by irradiating the photosensitizer in the photoelectric conversion layer 4 with the ultraviolet rays 11, and the conversion efficiency of the photoelectric conversion element is also lowered in this case. As the deterioration of the photosensitizer due to ultraviolet irradiation, for example, oxidation of the ligand, elimination and / or substitution of the ligand, or isomerization reaction and / or addition reaction of the ligand may occur.

そこで、本発明者がさらに鋭意検討を重ねた結果、図3に示すように、第1封止材前駆体7aに対して第2基板2側から紫外線11を照射することによって第1封止材前駆体7aを硬化できるとともに、光電変換層4に入射する紫外線11を第2導電層5によって遮ることができる構造を採用することによって、従来の特許文献3の場合と比べて、紫外線11の照射による光電変換層4中の光増感剤の劣化を抑制することができることを見い出した。   Therefore, as a result of further intensive studies by the inventor, as shown in FIG. 3, the first sealing material is irradiated by irradiating the first sealing material precursor 7a with ultraviolet rays 11 from the second substrate 2 side. By adopting a structure in which the precursor 7a can be cured and the ultraviolet ray 11 incident on the photoelectric conversion layer 4 can be blocked by the second conductive layer 5, the irradiation of the ultraviolet ray 11 compared with the case of the conventional Patent Document 3. It has been found that deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer 4 due to can be suppressed.

これにより、実施形態1においては、従来の特許文献2および特許文献3と比べて、光増感剤の劣化を抑制することができるため、光電変換素子の変換効率を向上することができる。   Thereby, in Embodiment 1, since deterioration of a photosensitizer can be suppressed compared with the conventional patent document 2 and patent document 3, the conversion efficiency of a photoelectric conversion element can be improved.

さらに、実施形態1においては、第1封止材7の外側に1つ以上の第2封止材8を設置しているため、電解質6の漏洩も抑制することができる。   Furthermore, in the first embodiment, since one or more second sealing materials 8 are installed outside the first sealing material 7, leakage of the electrolyte 6 can also be suppressed.

[実施形態2]
図5に、実施形態2の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施形態2の光電変換素子は、第2封止材8を2つ備えていることを特徴としている。実施形態2において、第2封止材8は、第1封止材7側の内側第2封止材81と、第2封止材81aの外側の外側第2封止材82とを備えている。実施形態2の光電変換素子は、封止材41が三重となっていることから、実施形態1と比べて、電解質6の漏洩をさらに抑制することができる。なお、封止材41を構成する封止材の数は2つ以上であれば特に限定されず、実施形態2のように3つであってもよく、4つ以上であってもよい。
[Embodiment 2]
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of the second embodiment. The photoelectric conversion element of Embodiment 2 is characterized by including two second sealing materials 8. In the second embodiment, the second sealing material 8 includes an inner second sealing material 81 on the first sealing material 7 side and an outer second sealing material 82 on the outer side of the second sealing material 81a. Yes. The photoelectric conversion element of Embodiment 2 can further suppress leakage of the electrolyte 6 as compared with Embodiment 1 because the sealing material 41 is triple. Note that the number of sealing materials constituting the sealing material 41 is not particularly limited as long as it is two or more, and may be three as in the second embodiment, or may be four or more.

実施形態2における上記以外の説明は、実施形態1と同様であるため、その説明については繰り返さない。   Since the description other than the above in Embodiment 2 is the same as that in Embodiment 1, the description thereof will not be repeated.

[実施形態3]
図6に、実施形態3の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施形態3の光電変換素子は、アクリルガラスからなる第2基板21を備えていることを特徴としている。実施形態3の光電変換素子は、アクリルガラスからなる第2基板21を用いているため、光電変換素子の軽量化を図ることができる。
[Embodiment 3]
FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion element of the third embodiment. The photoelectric conversion element of Embodiment 3 includes a second substrate 21 made of acrylic glass. Since the photoelectric conversion element of Embodiment 3 uses the second substrate 21 made of acrylic glass, the photoelectric conversion element can be reduced in weight.

実施形態3における上記以外の説明は、実施形態1および2と同様であるため、その説明については繰り返さない。   Since the description other than the above in Embodiment 3 is the same as in Embodiments 1 and 2, the description thereof will not be repeated.

[実施形態4]
図7に、実施形態4の光電変換モジュールの模式的な断面図を示す。実施形態4の光電変換モジュールは、複数の光電変換セル51a,51b,51cを備えていることを特徴としている。光電変換セル51a,51b,51cは、第1封止材7によって、個々のセルに仕切られている。複数の光電変換セル51a,51b,51cは、それぞれ、第1基板1上に、第1導電層3と、光電変換層4と、多孔質絶縁層12と、触媒層10と、第2導電層5とを備えているとともに、第1基板1と第2基板2と第1封止材7とによって取り囲まれた空間の電解質6を備えている。
[Embodiment 4]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module according to the fourth embodiment. The photoelectric conversion module of Embodiment 4 includes a plurality of photoelectric conversion cells 51a, 51b, and 51c. The photoelectric conversion cells 51 a, 51 b, 51 c are partitioned into individual cells by the first sealing material 7. The plurality of photoelectric conversion cells 51a, 51b, 51c are respectively provided on the first substrate 1 with the first conductive layer 3, the photoelectric conversion layer 4, the porous insulating layer 12, the catalyst layer 10, and the second conductive layer. 5 and an electrolyte 6 in a space surrounded by the first substrate 1, the second substrate 2 and the first sealing material 7.

また、光電変換セル51aの第1導電層3と光電変換セル51bの第2導電層5とが電気的に接続されることによって光電変換セル51aと光電変換セル51bとは電気的に直列に接続されている。また、光電変換セル51bの第1導電層3と光電変換セル51cの第2導電層5とが電気的に接続されることによって、光電変換セル51bと光電変換セル51cとは電気的に直列に接続されている。なお、光電変換セル51a,51b,51cは、電気的に並列に接続することもできる。これにより、光電変換セル51a,51b,51cは直列に接続されている。また、第1基板1と第2基板2との間の領域であって、電気的に直列または並列に接続されている光電変換セル51a,51b,51cの外周は第1封止材7と第2封止材8との二重の封止材41によって取り囲まれている。   Moreover, the photoelectric conversion cell 51a and the photoelectric conversion cell 51b are electrically connected in series by electrically connecting the first conductive layer 3 of the photoelectric conversion cell 51a and the second conductive layer 5 of the photoelectric conversion cell 51b. Has been. Moreover, the photoelectric conversion cell 51b and the photoelectric conversion cell 51c are electrically connected in series by electrically connecting the first conductive layer 3 of the photoelectric conversion cell 51b and the second conductive layer 5 of the photoelectric conversion cell 51c. It is connected. Note that the photoelectric conversion cells 51a, 51b, and 51c can be electrically connected in parallel. Thereby, the photoelectric conversion cells 51a, 51b, 51c are connected in series. In addition, the outer periphery of the photoelectric conversion cells 51a, 51b, 51c that are electrically connected in series or in parallel in the region between the first substrate 1 and the second substrate 2 is the first sealing material 7 and the second substrate 2. It is surrounded by a double sealing material 41 with two sealing materials 8.

実施形態4における上記以外の説明は、実施形態1〜3と同様であるため、その説明については繰り返さない。   Since the description other than the above in Embodiment 4 is the same as that in Embodiments 1 to 3, the description thereof will not be repeated.

<実施例1>
図1に示す構造を有する実施例1の光電変換素子を図2に示すフローチャートにしたがって作製した。
<Example 1>
A photoelectric conversion element of Example 1 having the structure shown in FIG. 1 was produced according to the flowchart shown in FIG.

(第1導電層の形成)
まず、長さ120mm×幅420mmの大きさの表面を有する日本板硝子株式会社製のSnO2膜付きガラス基板を用意し、レーザースクライブ法により直列接続方向と垂直な方向に沿って、直線状にSnO2膜を除去した。これにより、SnO2膜の除去部分である分割溝13がストライプ状に形成され、第1基板1としてのガラス基板上に、第1導電層3としてのSnO2膜をストライプ状に形成した。
(Formation of first conductive layer)
First, a glass substrate with SnO 2 film manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd. having a surface with a length of 120 mm × width of 420 mm is prepared, and SnO 2 is linearly formed along a direction perpendicular to the series connection direction by a laser scribing method. Two films were removed. Thus, the dividing groove 13 is removed portion of the SnO 2 film is formed in stripes, on a glass substrate as the first substrate 1, and the SnO 2 film as the first conductive layer 3 is formed in a stripe shape.

(多孔質半導体層の形成)
次に、スクリーン印刷機(ニューロング精密工業株式会社製LS−34TVA)を用いて、市販の酸化チタンペースト(Solaronix社製、商品名Ti−Nanoxide D/SP、平均粒径13nm)をスクライブライン間に位置するSnO2膜上に塗布した。
(Formation of porous semiconductor layer)
Next, using a screen printing machine (LS-34TVA manufactured by Neurong Seimitsu Kogyo Co., Ltd.), a commercially available titanium oxide paste (manufactured by Solaronix, trade name: Ti-Nanoxide D / SP, average particle size: 13 nm) between the scribe lines. It was applied on SnO 2 film located.

次に、室温にて酸化チタンペーストを1時間レベリングを行なって得られた塗膜を80℃で20分間予備乾燥して、450℃で1時間焼成を行なった。酸化チタンペーストの塗布工程、レベリング工程、予備乾燥工程、および焼成工程をこの順に繰り返すことによって、厚さ30μmの酸化チタンからなる多孔質半導体層14を形成した。   Next, the coating film obtained by leveling the titanium oxide paste at room temperature for 1 hour was pre-dried at 80 ° C. for 20 minutes, and baked at 450 ° C. for 1 hour. The porous semiconductor layer 14 made of titanium oxide having a thickness of 30 μm was formed by repeating the coating process, the leveling process, the preliminary drying process, and the firing process in this order.

(多孔質絶縁層の形成)
次に、粒径が100nmの酸化ジルコニウムの微粒子(シーアイ化成株式会社製)を含むペーストを上記と同様の方法で調製した。多孔質半導体層14の作製に用いたスクリーン版とスクリーン印刷機(ニューロング精密工業製LS−34TVA)とを用いて、多孔質半導体層14上に調製したペーストを塗布した。室温にて1時間レベリングを行なった後、80℃で20分間予備乾燥し、450℃で1時間焼成を行なった。この工程により、多孔質半導体層14上に、厚さ5μmの多孔質絶縁層12を形成した。
(Formation of porous insulation layer)
Next, a paste containing fine particles of zirconium oxide having a particle size of 100 nm (manufactured by CI Kasei Co., Ltd.) was prepared in the same manner as described above. The prepared paste was applied onto the porous semiconductor layer 14 using the screen plate used for the production of the porous semiconductor layer 14 and a screen printing machine (LS-34TVA manufactured by Neurong Seimitsu Kogyo). After leveling at room temperature for 1 hour, it was pre-dried at 80 ° C. for 20 minutes and baked at 450 ° C. for 1 hour. By this step, the porous insulating layer 12 having a thickness of 5 μm was formed on the porous semiconductor layer 14.

(触媒層の形成)
次に、電子ビーム蒸着器EVD−500A(ANELVA社製)を用いて、白金を0.1Å/Sの蒸着速度で蒸着させることによって、多孔質絶縁層12上に、厚さ5nmの白金膜からなる触媒層10を形成した。
(Catalyst layer formation)
Next, from a platinum film having a thickness of 5 nm on the porous insulating layer 12 by depositing platinum at an evaporation rate of 0.1 Å / S using an electron beam evaporator EVD-500A (manufactured by ANELVA). A catalyst layer 10 was formed.

(第2導電層の形成)
次に、電子ビーム蒸着器EVD−500A(ANELVA社製)を用いて、チタン(Ti)を0.1Å/Sの蒸着速度で蒸着させることによって、触媒層10上に、厚さ2μmのTi膜からなる第2導電層5を形成した。
(Formation of second conductive layer)
Next, using an electron beam evaporator EVD-500A (manufactured by ANELVA), titanium (Ti) is vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 Å / S to form a 2 μm thick Ti film on the catalyst layer 10. A second conductive layer 5 made of was formed.

(光増感剤の設置)
次に、増感色素として、以下の構造式(i)で表わされるRuthenium620−1H3TBA色素(Solaronix社製)を用い、これのアセトニトリル(Aldrich Chemical Company製)/t−ブチルアルコール(Aldrich Chemical Company製)の1:1溶液(増感色素の濃度;4×10-4モル/リットル)を調製した。この溶液に多孔質半導体層14を浸漬し、40℃の温度条件のもとで20時間放置した。その後、多孔質半導体層14をエタノール(Aldrich Chemical Company製)で洗浄した後に乾燥した。このように、多孔質半導体層14に増感色素を吸着させることによって、第1導電層3上に光電変換層4を形成した。なお、構造式(i)において、「TBA」は、テトラブチルアンモニウムを示す。
(Installation of photosensitizer)
Next, as a sensitizing dye, Ruthenium 620-1H3TBA dye (manufactured by Solaronix) represented by the following structural formula (i) was used, and acetonitrile (manufactured by Aldrich Chemical Company) / t-butyl alcohol (manufactured by Aldrich Chemical Company) A 1: 1 solution (concentration of sensitizing dye; 4 × 10 −4 mol / liter) was prepared. The porous semiconductor layer 14 was immersed in this solution and allowed to stand for 20 hours under a temperature condition of 40 ° C. Thereafter, the porous semiconductor layer 14 was washed with ethanol (manufactured by Aldrich Chemical Company) and then dried. In this manner, the photoelectric conversion layer 4 was formed on the first conductive layer 3 by adsorbing the sensitizing dye to the porous semiconductor layer 14. In the structural formula (i), “TBA” represents tetrabutylammonium.

Figure 0006338458
Figure 0006338458

(第1封止材の設置)
次に、第1封止材7の前駆体7aとして、紫外線硬化樹脂(TB3035B(スリーボンド社製))を上述のように積層した多孔質半導体層14、多孔質絶縁層12、触媒層10および第2導電層5の積層体を取り囲むように第1導電層3上に塗布した。
(Installation of first sealing material)
Next, as the precursor 7a of the first sealing material 7, the porous semiconductor layer 14, the porous insulating layer 12, the catalyst layer 10 and the first laminated layer of the ultraviolet curable resin (TB3035B (manufactured by ThreeBond)) as described above are used. It apply | coated on the 1st conductive layer 3 so that the laminated body of 2 conductive layers 5 might be surrounded.

(第2封止材の設置)
次に、第2封止材8の前駆体8aとして、紫外線硬化樹脂(TB3118(スリーボンド社製))を、第1封止材7の前駆体7aを取り囲むように第1導電層3上に塗布した。
(Installation of second sealing material)
Next, as the precursor 8 a of the second sealing material 8, an ultraviolet curable resin (TB3118 (manufactured by ThreeBond)) is applied on the first conductive layer 3 so as to surround the precursor 7 a of the first sealing material 7. did.

(第2基板の設置)
次に、第1基板1と向かい合うようにして、第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aの表面上にガラス基板である第2基板2を設置して、第1基板1と第2基板2とを貼り合わせた。
(Installation of second substrate)
Next, the second substrate 2 which is a glass substrate is placed on the surfaces of the first sealing material precursor 7a and the second sealing material precursor 8a so as to face the first substrate 1, and the first substrate 1 and the 2nd board | substrate 2 were bonded together.

(紫外線の照射)
次に、図3に示すように、第1基板1と第2基板2とを貼り合わせている第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aに紫外線11を第2基板2側から照射することにより、第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aをそれぞれ硬化して、第1の封止材7と第2の封止材8とからなる封止材41を形成した。これにより、第1基板1と第2基板2とを封止材41によって接合した。
(UV irradiation)
Next, as shown in FIG. 3, ultraviolet rays 11 are applied to the first sealing material precursor 7 a and the second sealing material precursor 8 a that are bonded to the first substrate 1 and the second substrate 2. By irradiating from the side, the first sealing material precursor 7a and the second sealing material precursor 8a are cured, respectively, and the sealing composed of the first sealing material 7 and the second sealing material 8 A material 41 was formed. Thereby, the 1st board | substrate 1 and the 2nd board | substrate 2 were joined by the sealing material 41. FIG.

(電解質の注入)
次に、電解質6として、溶媒にアセトニトリルを用いて、その中に1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾールアイオダイド(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide(四国化成工業株式会社製))を0.6モル/リットル、LiI(Aldrich Chemical Company製)を0.1モル/リットル、4−tert−ブチルピリジン(4-tert-butylpyridine(Aldrich Chemical Company製))を0.5モル/リットル、I2(東京化成工業株式会社製)を0.01モル/リットル溶解させた酸化還元性電解液を用意した。そして、第2基板2に予め設けられた電解質6の注入用の孔から、第1基板1と第2基板2との間の封止材41で仕切られた空間に、電解質6を注入した。以上により、実施例1の光電変換素子を作製した。
(Injection of electrolyte)
Next, as the electrolyte 6, acetonitrile is used as a solvent, and 1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) is used therein. 0.6 mol / liter, LiI (manufactured by Aldrich Chemical Company) 0.1 mol / liter, 4-tert-butylpyridine (4-tert-butylpyridine (manufactured by Aldrich Chemical Company)) 0.5 mol / liter, I 2 A redox electrolyte solution in which 0.01 mol / liter (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was dissolved was prepared. Then, the electrolyte 6 was injected into the space partitioned by the sealing material 41 between the first substrate 1 and the second substrate 2 from the hole for injecting the electrolyte 6 provided in advance in the second substrate 2. The photoelectric conversion element of Example 1 was produced by the above.

<実施例2>
第1封止材前駆体7aとしてニチバン株式会社製のUM(紫外線硬化樹脂)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の光電変換素子を作製した。
<Example 2>
A photoelectric conversion element of Example 2 was produced in the same manner as Example 1 except that UM (ultraviolet curable resin) manufactured by Nichiban Co., Ltd. was used as the first sealing material precursor 7a.

<実施例3>
第2封止材前駆体8aとして積水化学工業株式会社製のPhotolec(紫外線硬化樹脂)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例3の光電変換素子を作製した。
<Example 3>
A photoelectric conversion element of Example 3 was produced in the same manner as Example 1 except that Photolec (ultraviolet curable resin) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. was used as the second sealing material precursor 8a.

<実施例4>
図5に示す構造を有する実施例4の光電変換素子を作製した。実施例4の光電変換素子は、二重に塗布された紫外線硬化樹脂を取り囲むように予め加熱した東レ・ダウコーニング社製のホット・メルトシリコーン樹脂(熱硬化樹脂)をさらに塗布し、常温に戻すことによって硬化させたこと以外は実施例1と同様にして作製された。
<Example 4>
A photoelectric conversion element of Example 4 having the structure shown in FIG. 5 was produced. The photoelectric conversion element of Example 4 was further coated with a hot-melt silicone resin (thermosetting resin) manufactured by Toray Dow Corning Co., which was preheated so as to surround the double-coated ultraviolet curable resin, and returned to room temperature. This was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was cured.

<実施例5>
図6に示す構造を有する実施例5の光電変換素子を作製した。すなわち、実施例5の光電変換素子は、第2基板2に代えて、アクリルガラスからなる基板21を用いたこと以外は実施例1と同様にして作製した。
<Example 5>
A photoelectric conversion element of Example 5 having the structure shown in FIG. 6 was produced. That is, the photoelectric conversion element of Example 5 was produced in the same manner as Example 1 except that the substrate 21 made of acrylic glass was used instead of the second substrate 2.

<実施例6>
図7に示す構造の複数の光電変換セル51a,51b,51cが電気的に直列に接続された実施例6の光電変換モジュールを作製した。
<Example 6>
A photoelectric conversion module of Example 6 in which a plurality of photoelectric conversion cells 51a, 51b, 51c having the structure shown in FIG. 7 were electrically connected in series was produced.

<実施例7>
電解質6をODF工法により注入したこと以外は実施例1と同様にして実施例7の光電変換モジュールを作製した。具体的には、第1基板1上に、第1導電層3、光電変換層4、多孔質絶縁層12および触媒層10を形成した後に、光電変換層4、多孔質絶縁層12、触媒層10および第2導電層5の積層体を取り囲むようにして第1封止材前駆体7aを塗布し、その後、第1封止材前駆体7aを取り囲むように第2封止材前駆体8aを塗布した。第1封止材前駆体7aで取り囲まれた領域に電解質6を注入し、その後、第2基板2を貼り合わせ、第2基板2側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aをそれぞれ硬化して第1の封止材7と第2の封止材8とからなる封止材41を形成した。これにより、第1基板1と第2基板2とを封止材41によって接合して、実施例7の光電変換素子を作製した。
<Example 7>
A photoelectric conversion module of Example 7 was produced in the same manner as Example 1 except that the electrolyte 6 was injected by the ODF method. Specifically, after forming the first conductive layer 3, the photoelectric conversion layer 4, the porous insulating layer 12, and the catalyst layer 10 on the first substrate 1, the photoelectric conversion layer 4, the porous insulating layer 12, and the catalyst layer. The first sealing material precursor 7a is applied so as to surround the laminated body of the first conductive material 5 and the second conductive layer 5, and then the second sealing material precursor 8a is surrounded so as to surround the first sealing material precursor 7a. Applied. The electrolyte 6 is injected into a region surrounded by the first sealing material precursor 7a, and then the second substrate 2 is bonded and irradiated with ultraviolet rays from the second substrate 2 side, whereby the first sealing material precursor 7a. And the 2nd sealing material precursor 8a was hardened, respectively, and the sealing material 41 which consists of the 1st sealing material 7 and the 2nd sealing material 8 was formed. Thereby, the 1st board | substrate 1 and the 2nd board | substrate 2 were joined by the sealing material 41, and the photoelectric conversion element of Example 7 was produced.

<実施例8>
図8に示す構造の複数の光電変換セル51a,51b,51c,51dが電気的に並列に接続された実施例8の光電変換モジュールを作製した。具体的には、隣り合う光電変換セル51a,51bの第2導電層5は連続した一部材として設けられており、隣り合う光電変換セル51b,51cの第1導電層3は連続した一部材として設けられており、隣り合う光電変換セル51c,51dの第2導電層5は連続した一部材として設けられている。また、光電変換セル51a,51bの間および光電変換セル51c,51dの間にそれぞれ配置された第1の封止材7にはすべての光電変換セルの第2導電層5を電気的に接続するための集電電極9が設けられており、光電変換セル51b,51cの間に配置された第1の封止材7にはすべての光電変換セルの第1導電層3を電気的に接続するための集電電極9が設けられている。
<Example 8>
A photoelectric conversion module of Example 8 in which a plurality of photoelectric conversion cells 51a, 51b, 51c, 51d having the structure shown in FIG. 8 were electrically connected in parallel was produced. Specifically, the second conductive layer 5 of the adjacent photoelectric conversion cells 51a and 51b is provided as a continuous member, and the first conductive layer 3 of the adjacent photoelectric conversion cells 51b and 51c is provided as a continuous member. The second conductive layer 5 of the adjacent photoelectric conversion cells 51c and 51d is provided as a continuous member. The second conductive layers 5 of all the photoelectric conversion cells are electrically connected to the first sealing material 7 disposed between the photoelectric conversion cells 51a and 51b and between the photoelectric conversion cells 51c and 51d. Current collector electrode 9 is provided, and first conductive layer 3 of all the photoelectric conversion cells is electrically connected to first sealing material 7 disposed between photoelectric conversion cells 51b and 51c. A current collecting electrode 9 is provided.

<比較例1>
第2の封止材9を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、比較例1の光電変換素子を作製した。
<Comparative Example 1>
A photoelectric conversion element of Comparative Example 1 was produced in the same manner as Example 1 except that the second sealing material 9 was not formed.

<比較例2>
図9に示す構造を有する比較例2の光電変換素子を作製した。比較例2の光電変換素子は、第1導電層3と間隔を空けて向かい合う第2導電層5を第2基板2の表面に接して設けるとともに、多孔質絶縁層12および触媒層10を設けなかったこと以外は実施例1と同様にして作製した。また、比較例2の光電変換素子は、図4に示すように、第1基板1側から紫外線11を照射することによって第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aをそれぞれ硬化して作製した。
<Comparative example 2>
A photoelectric conversion element of Comparative Example 2 having the structure shown in FIG. 9 was produced. In the photoelectric conversion element of Comparative Example 2, the second conductive layer 5 facing the first conductive layer 3 with a space therebetween is provided in contact with the surface of the second substrate 2, and the porous insulating layer 12 and the catalyst layer 10 are not provided. This was prepared in the same manner as in Example 1 except that. Moreover, as shown in FIG. 4, the photoelectric conversion element of the comparative example 2 irradiates the ultraviolet-ray 11 from the 1st board | substrate 1 side, respectively, and makes 1st sealing material precursor 7a and 2nd sealing material precursor 8a each. Made by curing.

<比較例3>
第2の封止材8を形成しなかったこと以外は比較例2と同様にして、比較例3の光電変換素子を作製した。
<Comparative Example 3>
A photoelectric conversion element of Comparative Example 3 was produced in the same manner as Comparative Example 2 except that the second sealing material 8 was not formed.

<評価>
上記のようにして作製された実施例1〜実施例5、実施例7および比較例1〜比較例3の光電変換素子ならびに実施例6および実施例8の光電変換モジュールに、1mW/cm2のエネルギ密度の光(AM1.5ソーラーシミュレータ)を照射することによって、変換効率[%]を測定した。その結果を表1に示す。
<Evaluation>
The photoelectric conversion elements of Examples 1 to 5 and 7 and Comparative Examples 1 to 3 and the photoelectric conversion modules of Examples 6 and 8 produced as described above were 1 mW / cm 2 . Conversion efficiency [%] was measured by irradiating light of energy density (AM1.5 solar simulator). The results are shown in Table 1.

また、上記の変換効率の測定後の実施例1〜実施例5、実施例7および比較例1〜比較例3の光電変換素子ならびに実施例6および実施例8の光電変換モジュールのそれぞれを85℃の恒温槽に1000時間設置した後に電解質6の漏洩の有無を目視により確認した。その結果を表1に示す。   In addition, each of the photoelectric conversion elements of Examples 1 to 5 and 7 and Comparative Examples 1 to 3 and the photoelectric conversion modules of Examples 6 and 8 after the measurement of the conversion efficiency is 85 ° C. After being installed in the constant temperature bath for 1000 hours, the presence or absence of leakage of the electrolyte 6 was visually confirmed. The results are shown in Table 1.

Figure 0006338458
Figure 0006338458

なお、表1の構造の全体の欄において、「素子」は、図1、図5および図6に示すように、封止材41の内側に1つの光電変換セルのみが存在する構造を意味し、「モジュール」は、図7に示すように、封止材41の内側に複数の光電変換セルが存在する構造を意味する。   In the entire column of the structure in Table 1, “element” means a structure in which only one photoelectric conversion cell exists inside the sealing material 41 as shown in FIG. 1, FIG. 5, and FIG. , “Module” means a structure in which a plurality of photoelectric conversion cells exist inside the sealing material 41 as shown in FIG.

また、表1の構造の電極の欄において、「モノリシック構造」は、図1、図5、図6および図7に示すように、第2導電層5が第2基板2と間隔を空けて第2基板2と向かい合うようにして触媒層10上に形成されている構造を意味しており、「サンドイッチ構造」は、図8に示すように、第1導電層3と間隔を空けて向かい合うように第2導電層5が第2基板2の表面に接して設けられている構造を意味している。   Further, in the column of the electrode having the structure shown in Table 1, the “monolithic structure” indicates that the second conductive layer 5 is spaced apart from the second substrate 2 as shown in FIGS. 1, 5, 6, and 7. This means a structure formed on the catalyst layer 10 so as to face the two substrates 2, and the “sandwich structure” means to face the first conductive layer 3 with a gap as shown in FIG. This means a structure in which the second conductive layer 5 is provided in contact with the surface of the second substrate 2.

また、表1の評価の電解質の漏洩の欄において、「有」は、電解質の漏洩が確認されたことを意味しており、「無」は、電解質の漏洩が確認されなかったことを意味している。   In the column of electrolyte leakage in the evaluation of Table 1, “Yes” means that electrolyte leakage was confirmed, and “None” means that electrolyte leakage was not confirmed. ing.

表1に示すように、実施例1〜実施例5、実施例7の光電変換素子ならびに実施例6および実施例8の光電変換モジュールは、比較例2の光電変換素子より変換効率が高いことが確認された。これは、実施例1〜実施例8においては、図3に示すように、紫外線11を第2基板2側から照射することにより第1封止材前駆体7aおよび第2封止材前駆体8aをそれぞれ硬化している。これにより、実施例1〜実施例8においては、第2導電層5によって、紫外線11の光電変換層4への入射が遮られたため、光電変換層4中の増感色素の劣化を抑制できたことによるものと考えられる。一方、比較例2の光電変換素子の変換効率が低い理由としては、図4に示すように、紫外線11が第1基板2側から照射されているため、紫外線11の光電変換層4への入射を遮る部材が存在しておらず、光電変換層4中の増感色素の劣化が抑制できなかったことによるものと考えられる。   As shown in Table 1, the photoelectric conversion elements of Examples 1 to 5 and 7 and the photoelectric conversion modules of Examples 6 and 8 have higher conversion efficiency than the photoelectric conversion element of Comparative Example 2. confirmed. In Example 1 to Example 8, as shown in FIG. 3, the first sealing material precursor 7a and the second sealing material precursor 8a are irradiated by irradiating ultraviolet rays 11 from the second substrate 2 side. Each is cured. Thereby, in Example 1- Example 8, since the entrance to the photoelectric converting layer 4 of the ultraviolet-ray 11 was interrupted | blocked by the 2nd conductive layer 5, deterioration of the sensitizing dye in the photoelectric converting layer 4 could be suppressed. This is probably due to this. On the other hand, the reason why the conversion efficiency of the photoelectric conversion element of Comparative Example 2 is low is that ultraviolet rays 11 are irradiated from the first substrate 2 side as shown in FIG. This is considered to be because there was no member that blocks the deterioration of the sensitizing dye in the photoelectric conversion layer 4.

また、表1に示すように、実施例1〜実施例8においては、第1の封止材7と1つ以上の第2の封止材8との複数層の封止材41によって電解質6が封止されているため、単層の封止材のみによって電解質が封止されている比較例1および比較例3と比べて、電解質の漏洩を防止できたことによるものと考えられる。   Moreover, as shown in Table 1, in Examples 1 to 8, the electrolyte 6 is formed by a plurality of layers of the sealing material 41 including the first sealing material 7 and one or more second sealing materials 8. This is probably because the leakage of the electrolyte could be prevented as compared with Comparative Example 1 and Comparative Example 3 in which the electrolyte was sealed only by the single-layer sealing material.

[付記]
(1)ここで開示された実施形態は、第1基板と、第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、第1基板上に設けられた第1導電層と、第1導電層上に設けられた光電変換層と、光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、第1基板と第2基板との間の領域を取り囲むようにして設けられた封止材と、第1基板と第2基板と封止材とによって取り囲まれた領域内に配置された電解質とを備え、光電変換層は、多孔質半導体層と、多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、第2導電層は、第2基板と間隔を空けて、第2基板と向かい合うようにして多孔質絶縁層上に設けられており、封止材は、第1封止材と、第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含む光電変換素子である。この構成を有する光電変換素子においては、第1封止材前駆体に対して第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化できるとともに、光電変換層に入射する紫外線を第2導電層によって遮ることができるため、紫外線の照射による光電変換層中の光増感剤の劣化を抑制し、ひいては光電変換素子の変換効率の低下を抑制することができる。また、第1封止材の外側に1つ以上の第2封止材を設置しているため、電解質の漏洩も抑制することができる。
[Appendix]
(1) An embodiment disclosed herein includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate with a space therebetween, a first conductive layer provided on the first substrate, and a first conductive layer A photoelectric conversion layer provided on the substrate, a porous insulating layer provided on the photoelectric conversion layer, a second conductive layer provided on the porous insulating layer, and a region between the first substrate and the second substrate A sealing material provided so as to surround the substrate, and an electrolyte disposed in a region surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing material, and the photoelectric conversion layer includes a porous semiconductor layer, And a photosensitizer provided on the porous semiconductor layer, and the second conductive layer is provided on the porous insulating layer so as to face the second substrate at a distance from the second substrate. The sealing material includes a first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material. A photoelectric conversion element comprising an ultraviolet curable resin. In the photoelectric conversion element having this configuration, the first sealing material precursor can be cured by irradiating the first sealing material precursor with ultraviolet light from the second substrate side, and the ultraviolet light incident on the photoelectric conversion layer. Can be blocked by the second conductive layer, so that deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer due to irradiation of ultraviolet rays can be suppressed, and consequently, a decrease in conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be suppressed. Moreover, since the 1 or more 2nd sealing material is installed in the outer side of the 1st sealing material, the leakage of electrolyte can also be suppressed.

(2)第1封止材に含まれる前記紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。この場合には、第1封止材が電解質と化学反応しにくくなる。   (2) It is preferable that the ultraviolet curable resin contained in the first sealing material contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, it becomes difficult for the first sealing material to chemically react with the electrolyte.

(3)第2封止材は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ホットメルト系樹脂、ラジカル系樹脂、カチオン系樹脂、およびオレフィン系樹脂からなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材の水分または酸素等の透過性が低くなり、第1導電層と第2基板との接着性を高くすることができるため、第1基板と第2基板との接合強度を高くすることができる。   (3) The second sealing material includes at least one selected from the group consisting of epoxy resins, silicone resins, fluorine resins, hot melt resins, radical resins, cationic resins, and olefin resins. It is preferable to include. In this case, the permeability of the second sealing material such as moisture or oxygen is reduced, and the adhesion between the first conductive layer and the second substrate can be increased. The bonding strength of can be increased.

(4)第2封止材は、紫外線硬化樹脂を含むことが好ましい。この場合には、第1封止材前駆体とともに第2封止材前駆体に紫外線を照射することによってこれらを硬化して光電変換素子を効率的に製造することができる。   (4) The second sealing material preferably contains an ultraviolet curable resin. In this case, by irradiating the second sealing material precursor with ultraviolet light together with the first sealing material precursor, these can be cured to efficiently manufacture the photoelectric conversion element.

(5)第2封止材に含まれる紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材が電解質と化学反応しにくくなるため、仮に、電解質が第1封止材から漏洩してきたとしても、電解質との化学反応によって劣化しにくい第2封止材によって封止することができるため、電解質の漏洩をさらに防止することができる。   (5) The ultraviolet curable resin contained in the second sealing material preferably contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, since the second sealing material is less likely to chemically react with the electrolyte, even if the electrolyte leaks from the first sealing material, the second sealing material is less likely to deteriorate due to a chemical reaction with the electrolyte. Therefore, leakage of the electrolyte can be further prevented.

(6)第2基板は、紫外線が透過する材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化することができる。   (6) It is preferable that the 2nd board | substrate contains the material which permeate | transmits an ultraviolet-ray. In this case, the first sealing material precursor can be cured by irradiating ultraviolet rays from the second substrate side.

(7)第2導電層は、紫外線が透過しない材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射した場合でも、光電変換層への紫外線の入射を抑制することができるため、光電変換層の光増感剤の劣化を抑制して光電変換素子の変換効率を向上することができる。   (7) The second conductive layer preferably includes a material that does not transmit ultraviolet light. In this case, even when the ultraviolet rays are irradiated from the second substrate side, the incidence of the ultraviolet rays to the photoelectric conversion layer can be suppressed, so that the deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer is suppressed, and the photoelectric conversion element Conversion efficiency can be improved.

(8)第2基板は、アクリルガラスを含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することができるとともに、光電変換素子の軽量化を図ることもできる。   (8) The second substrate preferably includes acrylic glass. In this case, ultraviolet rays can be irradiated from the second substrate side, and the photoelectric conversion element can be reduced in weight.

(9)ここで開示された実施形態は、第1基板と、第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、第1基板と第2基板との間において電気的に接続された複数の光電変換セルとを備えた光電変換モジュールであって、複数の光電変換セルは、それぞれ、第1基板上に設けられた第1導電層と、第1導電層上に設けられた光電変換層と、光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、第1基板と第2基板との間の電解質とを備え、光電変換層は、多孔質半導体層と、多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、第2導電層は、第2基板と間隔を空けて、第2基板と向かい合うようにして多孔質絶縁層上に設けられており、光電変換モジュールは、第1基板と第2基板との間において、複数の光電変換セルを取り囲むようにして設けられた封止材を備え、封止材は、第1封止材と、第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含む光電変換モジュールである。この構成を有する光電変換モジュールにおいては、第1封止材前駆体に対して第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化できるとともに、光電変換層に入射する紫外線を第2導電層によって遮ることができるため、紫外線の照射による光電変換層中の光増感剤の劣化を抑制し、ひいては光電変換素子の変換効率の低下を抑制することができる。また、第1封止材の外側に1つ以上の第2封止材を設置しているため、電解質の漏洩も抑制することができる。   (9) The embodiment disclosed herein includes a plurality of electrical connections between the first substrate, the second substrate facing the first substrate with a space therebetween, and the first substrate and the second substrate. A photoelectric conversion module comprising a photoelectric conversion cell, wherein the plurality of photoelectric conversion cells are respectively a first conductive layer provided on the first substrate, a photoelectric conversion layer provided on the first conductive layer, A porous insulating layer provided on the photoelectric conversion layer, a second conductive layer provided on the porous insulating layer, and an electrolyte between the first substrate and the second substrate, the photoelectric conversion layer comprising: A porous semiconductor layer and a photosensitizer provided on the porous semiconductor layer, and the second conductive layer is spaced apart from the second substrate and faces the second substrate so as to face the second substrate. The photoelectric conversion module is provided between the first substrate and the second substrate. The sealing material is provided so as to surround the replacement cell, and the sealing material includes a first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material. The first sealing material is a photoelectric conversion module including an ultraviolet curable resin. In the photoelectric conversion module having this configuration, the first sealing material precursor can be cured by irradiating the first sealing material precursor with the ultraviolet light from the second substrate side, and the ultraviolet light incident on the photoelectric conversion layer. Can be blocked by the second conductive layer, so that deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer due to irradiation of ultraviolet rays can be suppressed, and consequently, a decrease in conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be suppressed. Moreover, since the 1 or more 2nd sealing material is installed in the outer side of the 1st sealing material, the leakage of electrolyte can also be suppressed.

(10)第1封止材に含まれる紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。この場合には、第1封止材が電解質と化学反応しにくくなる。   (10) The ultraviolet curable resin contained in the first sealing material preferably contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, it becomes difficult for the first sealing material to chemically react with the electrolyte.

(11)第2封止材は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ホットメルト系樹脂、ラジカル系樹脂、カチオン系樹脂、およびオレフィン系樹脂からなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材の水分または酸素等の透過性が低くなり、第1導電層と第2基板との接着性を高くすることができるため、第1基板と第2基板との接合強度を高くすることができる。   (11) The second sealing material is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, silicone resins, fluorine resins, hot melt resins, radical resins, cationic resins, and olefin resins. It is preferable to include. In this case, the permeability of the second sealing material such as moisture or oxygen is reduced, and the adhesion between the first conductive layer and the second substrate can be increased. The bonding strength of can be increased.

(12)第2封止材は、紫外線硬化樹脂を含むことが好ましい。この場合には、第1封止材前駆体とともに第2封止材前駆体に紫外線を照射することによってこれらを硬化して光電変換素子モジュールを効率的に製造することができる。   (12) The second sealing material preferably contains an ultraviolet curable resin. In this case, by irradiating the second sealing material precursor with ultraviolet light together with the first sealing material precursor, these can be cured to efficiently manufacture the photoelectric conversion element module.

(13)第2封止材に含まれる紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材が電解質と化学反応しにくくなるため、仮に、電解質が第1封止材から漏洩してきたとしても、電解質との化学反応によって劣化しにくい第2封止材によって封止することができるため、電解質の漏洩をさらに防止することができる。   (13) The ultraviolet curable resin contained in the second sealing material preferably contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, since the second sealing material is less likely to chemically react with the electrolyte, even if the electrolyte leaks from the first sealing material, the second sealing material is less likely to deteriorate due to a chemical reaction with the electrolyte. Therefore, leakage of the electrolyte can be further prevented.

(14)第2基板は、紫外線が透過する材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化することができる。   (14) The second substrate preferably includes a material that transmits ultraviolet light. In this case, the first sealing material precursor can be cured by irradiating ultraviolet rays from the second substrate side.

(15)第2導電層は、紫外線が透過しない材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射した場合でも、光電変換層への紫外線の入射を抑制することができるため、光電変換層の光増感剤の劣化を抑制して光電変換モジュールの変換効率を向上することができる。   (15) The second conductive layer preferably includes a material that does not transmit ultraviolet light. In this case, even when the ultraviolet rays are irradiated from the second substrate side, the incidence of the ultraviolet rays to the photoelectric conversion layer can be suppressed, so that the deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer is suppressed and the photoelectric conversion module is suppressed. Conversion efficiency can be improved.

(16)第2基板は、アクリルガラスを含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することができるとともに、光電変換モジュールの軽量化を図ることもできる。   (16) The second substrate preferably includes acrylic glass. In this case, it is possible to irradiate ultraviolet rays from the second substrate side, and it is also possible to reduce the weight of the photoelectric conversion module.

(17)複数の光電変換セルは、互いに隣り合う第1の光電変換セルと第2の光電変換セルとを含み、第1の光電変換セルの第1導電層と、第2の光電変換セルの第2導電層とが電気的に接続されてなることが好ましい。この場合には、第1の光電変換セルと第2の光電変換セルとを電気的に直列に接続することができるため、光電変換モジュールの変換効率を向上することができる。または、第1の光電変換セルの第1導電層と、第2の光電変換セルの第1導電層とが電気的に接続され、第1の光電変換セルの第2導電層と、第2の光電変換セルの第2導電層とが電気的に接続されてなることもできる。この場合には、第1の光電変換セルと第2の光電変換セルとを電気的に並列に接続することができるため、光電変換モジュールの変換効率を向上することができる。   (17) The plurality of photoelectric conversion cells include a first photoelectric conversion cell and a second photoelectric conversion cell adjacent to each other, the first conductive layer of the first photoelectric conversion cell, and the second photoelectric conversion cell. It is preferable that the second conductive layer is electrically connected. In this case, since the first photoelectric conversion cell and the second photoelectric conversion cell can be electrically connected in series, the conversion efficiency of the photoelectric conversion module can be improved. Alternatively, the first conductive layer of the first photoelectric conversion cell and the first conductive layer of the second photoelectric conversion cell are electrically connected, and the second conductive layer of the first photoelectric conversion cell and the second The second conductive layer of the photoelectric conversion cell may be electrically connected. In this case, since the first photoelectric conversion cell and the second photoelectric conversion cell can be electrically connected in parallel, the conversion efficiency of the photoelectric conversion module can be improved.

(18)複数の光電変換セルの間に第1封止材をさらに備えていることが好ましい。この場合には、複数の光電変換セル全体の外周を取り囲む第1封止材とともに、複数の光電変換セルを個々のセルに仕切る第1封止材とを紫外線の照射による同一の工程で形成することができる。   (18) It is preferable that a first sealing material is further provided between the plurality of photoelectric conversion cells. In this case, together with the first sealing material that surrounds the entire outer periphery of the plurality of photoelectric conversion cells, the first sealing material that partitions the plurality of photoelectric conversion cells into individual cells is formed in the same process by ultraviolet irradiation. be able to.

(19)ここで開示された実施形態は、第1基板上の第1導電層上に、光電変換層と、第2導電層とをこの順に含む積層体を形成する工程と、第1基板上に積層体を取り囲むようにして紫外線硬化樹脂を含む第1封止材前駆体を設置する工程と、第1基板上に第1封止材前駆体の外側に1つ以上の第2封止材前駆体を設置する工程と、第1基板と向かい合うようにして第1封止材前駆体および第2封止材前駆体上に第2基板を設置する工程と、第2基板が設置された状態の第1封止材前駆体に第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化する工程とを含む光電変換素子の製造方法である。この構成を有する光電変換素子の製造方法においては、第1封止材前駆体に対して第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化できるとともに、光電変換層に入射する紫外線を第2導電層によって遮ることができるため、紫外線の照射による光電変換層中の光増感剤の劣化を抑制し、ひいては光電変換素子の変換効率の低下を抑制することができる。また、第1封止材の外側に1つ以上の第2封止材を設置することができるため、電解質の漏洩も抑制することができる。   (19) In the embodiment disclosed herein, a step of forming a stacked body including a photoelectric conversion layer and a second conductive layer in this order on a first conductive layer on a first substrate; Installing a first encapsulant precursor containing an ultraviolet curable resin so as to surround the laminate, and at least one second encapsulant outside the first encapsulant precursor on the first substrate. A step of installing the precursor, a step of installing the second substrate on the first sealing material precursor and the second sealing material precursor so as to face the first substrate, and a state in which the second substrate is installed And a step of curing the first sealing material precursor by irradiating the first sealing material precursor with ultraviolet rays from the second substrate side. In the method for producing a photoelectric conversion element having this configuration, the first sealing material precursor can be cured by irradiating the first sealing material precursor with ultraviolet rays from the second substrate side, and the photoelectric conversion layer can be cured. Since the incident ultraviolet rays can be blocked by the second conductive layer, the deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer due to the irradiation of ultraviolet rays can be suppressed, and thus the conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be prevented from lowering. Moreover, since one or more 2nd sealing materials can be installed in the outer side of a 1st sealing material, the leakage of electrolyte can also be suppressed.

(20)第1封止材前駆体に含まれる紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合には、第1封止材が電解質と化学反応しにくくなる。   (20) The ultraviolet curable resin contained in the first sealing material precursor preferably contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, it becomes difficult for the first sealing material to chemically react with the electrolyte.

(21)第2封止材は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ホットメルト系樹脂、ラジカル系樹脂、カチオン系樹脂、およびオレフィン系樹脂からなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材の水分または酸素等の透過性が低くなり、第1導電層と第2基板との接着性を高くすることができるため、第1基板と第2基板との接合強度を高くすることができる。   (21) The second sealing material is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, silicone resins, fluorine resins, hot melt resins, radical resins, cationic resins, and olefin resins. It is preferable to include. In this case, the permeability of the second sealing material such as moisture or oxygen is reduced, and the adhesion between the first conductive layer and the second substrate can be increased. The bonding strength of can be increased.

(22)第2封止材は、紫外線硬化樹脂を含むことが好ましい。この場合には、第1封止材前駆体とともに第2封止材前駆体に紫外線を照射することによってこれらを硬化して光電変換素子素子を効率的に製造することができる。   (22) The second sealing material preferably contains an ultraviolet curable resin. In this case, by irradiating the second sealing material precursor with ultraviolet light together with the first sealing material precursor, these can be cured to efficiently manufacture the photoelectric conversion element element.

(23)第2封止材に含まれる紫外線硬化樹脂は、ラジカル系樹脂またはカチオン系樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合には、第2封止材が電解質と化学反応しにくくなるため、仮に、電解質が第1封止材から漏洩してきたとしても、電解質との化学反応によって劣化しにくい第2封止材によって封止することができるため、電解質の漏洩をさらに防止することができる。   (23) The ultraviolet curable resin contained in the second sealing material preferably contains at least one of a radical resin or a cationic resin. In this case, since the second sealing material is less likely to chemically react with the electrolyte, even if the electrolyte leaks from the first sealing material, the second sealing material is less likely to deteriorate due to a chemical reaction with the electrolyte. Therefore, leakage of the electrolyte can be further prevented.

(24)第2基板は、紫外線が透過する材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することによって第1封止材前駆体を硬化することができる。   (24) The second substrate preferably includes a material that transmits ultraviolet rays. In this case, the first sealing material precursor can be cured by irradiating ultraviolet rays from the second substrate side.

(25)第2導電層は、紫外線が透過しない材料を含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射した場合でも、光電変換層への紫外線の入射を抑制することができるため、光電変換層の光増感剤の劣化を抑制して光電変換素子の変換効率を向上することができる。   (25) The second conductive layer preferably contains a material that does not transmit ultraviolet rays. In this case, even when the ultraviolet rays are irradiated from the second substrate side, the incidence of the ultraviolet rays to the photoelectric conversion layer can be suppressed, so that the deterioration of the photosensitizer in the photoelectric conversion layer is suppressed, and the photoelectric conversion element Conversion efficiency can be improved.

(26)第2基板は、アクリルガラスを含むことが好ましい。この場合には、第2基板側から紫外線を照射することができるとともに、光電変換素子の軽量化を図ることもできる。   (26) The second substrate preferably includes acrylic glass. In this case, ultraviolet rays can be irradiated from the second substrate side, and the photoelectric conversion element can be reduced in weight.

以上のように実施形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施形態および各実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。   Although the embodiments and examples have been described above, it is also planned from the beginning to appropriately combine the configurations of the above-described embodiments and examples.

今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

ここで開示された実施形態は、光電変換素子、光電変換モジュールおよび光電変換素子の製造方法に利用することができ、特に、色素増感太陽電池、色素増感太陽電池モジュール、およびこれらの製造方法に好適に利用することができる。   Embodiment disclosed here can be utilized for the manufacturing method of a photoelectric conversion element, a photoelectric conversion module, and a photoelectric conversion element, especially a dye-sensitized solar cell, a dye-sensitized solar cell module, and these manufacturing methods Can be suitably used.

1 第1基板、2,21 第2基板、3 第1導電層、4 光電変換層、5 第2導電層、6 電解質、7 第1封止材、7a 第1封止材前駆体、8 第2封止材、8a 第2封止材前駆体、10 触媒層、11 紫外線、12 多孔質絶縁層、13 分割溝、14 多孔質半導体層、41 封止材、51a,51b,51c 光電変換セル、81 内側第2封止材、82 外側第2封止材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st board | substrate, 2,21 2nd board | substrate, 3 1st conductive layer, 4 photoelectric conversion layer, 5 2nd conductive layer, 6 electrolyte, 7 1st sealing material, 7a 1st sealing material precursor, 8 1st 2 sealing material, 8a 2nd sealing material precursor, 10 catalyst layer, 11 ultraviolet ray, 12 porous insulating layer, 13 dividing groove, 14 porous semiconductor layer, 41 sealing material, 51a, 51b, 51c photoelectric conversion cell 81 Inside 2nd sealing material, 82 Outside 2nd sealing material.

Claims (5)

第1基板と、
前記第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、
前記第1基板上に設けられた第1導電層と、
前記第1導電層上に設けられた光電変換層と、
前記光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、
前記多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、
前記第1基板と前記第2基板との間の領域を取り囲むようにして設けられた封止材と、
前記第1基板と前記第2基板と前記封止材とによって取り囲まれた前記領域内に配置された電解質と、を備え、
前記光電変換層は、多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、
前記第2導電層は、前記第2基板と間隔を空けて、前記第2基板と向かい合うようにして前記多孔質絶縁層上に設けられており、
前記封止材は、第1封止材と、前記第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、
前記第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含み、
前記第2封止材は、熱硬化樹脂を含む、光電変換素子。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate at an interval;
A first conductive layer provided on the first substrate;
A photoelectric conversion layer provided on the first conductive layer;
A porous insulating layer provided on the photoelectric conversion layer;
A second conductive layer provided on the porous insulating layer;
A sealing material provided so as to surround a region between the first substrate and the second substrate;
An electrolyte disposed in the region surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing material,
The photoelectric conversion layer includes a porous semiconductor layer and a photosensitizer provided in the porous semiconductor layer,
The second conductive layer is provided on the porous insulating layer so as to face the second substrate at a distance from the second substrate.
The sealing material includes a first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material,
Said first sealing member is seen containing an ultraviolet curable resin,
The second sealing material is a photoelectric conversion element including a thermosetting resin .
前記第2基板は、紫外線が透過する材料を含む、請求項1に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the second substrate includes a material that transmits ultraviolet light. 前記第2導電層は、紫外線が透過しない材料を含む、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the second conductive layer includes a material that does not transmit ultraviolet light. 第1基板と、
前記第1基板と間隔を空けて向かい合う第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間において電気的に接続された複数の光電変換セルとを備えた光電変換モジュールであって、
前記複数の光電変換セルは、それぞれ、前記第1基板上に設けられた第1導電層と、前記第1導電層上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層上に設けられた多孔質絶縁層と、前記多孔質絶縁層上に設けられた第2導電層と、前記第1基板と前記第2基板との間の電解質と、を備え、
前記光電変換層は、多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層に設けられた光増感剤とを備え、
前記第2導電層は、前記第2基板と間隔を空けて、前記第2基板と向かい合うようにして前記多孔質絶縁層上に設けられており、
前記光電変換モジュールは、前記第1基板と前記第2基板との間において前記複数の光電変換セルを取り囲むようにして設けられた封止材を備え、
前記封止材は、第1封止材と、前記第1封止材の外側に設けられた1つ以上の第2封止材とを備え、
前記第1封止材は、紫外線硬化樹脂を含み、
前記第2封止材は、熱硬化樹脂を含む、光電変換モジュール。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate at an interval;
A photoelectric conversion module comprising a plurality of photoelectric conversion cells electrically connected between the first substrate and the second substrate,
Each of the plurality of photoelectric conversion cells includes a first conductive layer provided on the first substrate, a photoelectric conversion layer provided on the first conductive layer, and a porous provided on the photoelectric conversion layer. An insulating layer, a second conductive layer provided on the porous insulating layer, and an electrolyte between the first substrate and the second substrate,
The photoelectric conversion layer includes a porous semiconductor layer and a photosensitizer provided in the porous semiconductor layer,
The second conductive layer is provided on the porous insulating layer so as to face the second substrate at a distance from the second substrate.
The photoelectric conversion module includes a sealing material provided so as to surround the plurality of photoelectric conversion cells between the first substrate and the second substrate,
The sealing material includes a first sealing material and one or more second sealing materials provided outside the first sealing material,
Said first sealing member is seen containing an ultraviolet curable resin,
The second sealing material is a photoelectric conversion module including a thermosetting resin .
第1基板上の第1導電層上に、光電変換層と、第2導電層とをこの順に含む積層体を形成する工程と、
前記第1基板上に前記積層体を取り囲むようにして紫外線硬化樹脂を含む第1封止材前駆体を設置する工程と、
前記第1基板上に前記第1封止材前駆体の外側に熱硬化樹脂を含む1つ以上の第2封止材前駆体を設置する工程と、
前記第1基板と向かい合うようにして前記第1封止材前駆体および前記第2封止材前駆体上に第2基板を設置する工程と、
前記第2基板が設置された状態の前記第1封止材前駆体に前記第2基板側から紫外線を照射することによって前記第1封止材前駆体を硬化する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。
Forming a stacked body including a photoelectric conversion layer and a second conductive layer in this order on the first conductive layer on the first substrate;
Installing a first encapsulant precursor containing an ultraviolet curable resin so as to surround the laminate on the first substrate;
Installing one or more second sealing material precursors including a thermosetting resin on the outside of the first sealing material precursor on the first substrate;
Installing a second substrate on the first sealing material precursor and the second sealing material precursor so as to face the first substrate;
Curing the first encapsulant precursor by irradiating the first encapsulant precursor in a state where the second substrate is installed from the second substrate side with ultraviolet rays. Device manufacturing method.
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