JP6338657B2 - インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 - Google Patents
インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6338657B2 JP6338657B2 JP2016520293A JP2016520293A JP6338657B2 JP 6338657 B2 JP6338657 B2 JP 6338657B2 JP 2016520293 A JP2016520293 A JP 2016520293A JP 2016520293 A JP2016520293 A JP 2016520293A JP 6338657 B2 JP6338657 B2 JP 6338657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint
- imprint material
- stamp
- less
- material according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/005—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2085/00—Use of polymers having elements other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
・多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)
・ポリジメチルシロキサン(PDMS)
・テトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)
・ポリ(オルガノ)シロキサン(シリコーン)
・ペルフルオロポリエーテル(PFPE)。
・アクリル及び/又は(ポリ)アクリレート
・エポキシド
・エポキシ樹脂
・フェノール
・アルカン
・アルケン
・アルキン
・ベンゼン
・エーテル
・エステル
・カルボン酸
・ケトン
・アルコール。
・アセトン
・アセトニトリル
・アニリン
・シクロヘキサン
・n−ペンタン
・トリエチレングリコールジメチルエーテル(Triglyme)
・ジメチルアセトアミド
・ジメチルホルムアミド
・ジメチルスルホキシド
・1,4−ジオキサン
・氷酢酸
・無水酢酸
・酢酸エチルエステル
・エタノール
・エチレンジクロリド
・エチレングリコール
・アニソール
・ベンゼン
・ベンゾニトリル
・エチレングリコールジメチルエーテル
・石油エーテル/軽ベンジン
・ピペリジン
・プロパノール
・プロピレンカーボネート(4−メチル−1,3−ジオキソール−2−オン)
・ピリジン
・γ−ブチロラクトン
・キノリン
・クロロベンゼン
・クロロホルム
・n−ヘプタン
・2−プロパノール(イソプロピルアルコール)
・メタノール
・3−メチル−1−ブタノール(イソアミルアルコール)
・2−メチル−2−プロパノール(t−ブタノール)
・メチレンクロリド
・メチルエチルケトン(ブタノン)
・N−メチル−2−ピロリドン(NMP)
・N−メチルホルムアミド
・テトラヒドロフラン
・乳酸エチルエステル
・トルエン
・ジブチルエーテル
・ジエチレングリコール
・ジエチルエーテル
・ブロモベンゼン
・1−ブタノール
・t−ブチルメチルエーテル(TBME)
・トリエチルアミン
・トリエチレングリコール
・ホルムアミド
・n−ヘキサン
・ニトロベンゼン
・ニトロメタン
・1,1,1−トリクロロエタン
・トリクロロエテン
・硫化炭素
・スルホラン
・テトラクロロエテン
・四塩化炭素
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
・水。
第一の本発明による、特に独自の実施態様では、本発明によるインプリント材料を保護材料として、又はカプセル材料として使用する。このためにインプリント材料を、第一の方法による工程で、保護すべき構造にわたって施与する。その後、好適には構造化されていない平らなインプリントスタンプによるインプリント材料の平坦化、又は構造化されたインプリントスタンプによる構造化を行う。本発明によるインプリント材料の平坦化は特に、平坦面を前提とするさらなる加工工程に役立つ。本発明によるインプリント材料の構造化により、本来は保護材料としてのみ備えられているインプリント材料の機能化が可能になる。本発明による使用として考えられるのは、レンズ、マイクロ流体装置のための1つ以上の流路若しくはMEMS用キャビティをインプリントするための使用、又は保護若しくは封入すべき構造によるさらなる機能性部材のために構造化するための使用である。保護材料は保護層として、様々な課題を満たすことができる。保護層が光学的に透明であれば、特定の波長領域における電磁線に対する透明性を制限することなく、その下にある部材を電気的及び/又は磁性的に絶縁することが可能になる。これによって特に、保護材料を通じて、2つのオプトエレクトリック部材の間で連通させることが考えられる。デバイスは、本発明によれば周辺と電気的及び/又は磁性的に絶縁可能であり、それにも拘わらず連通可能である。保護材料は特に、電気的に絶縁性である。電気的な絶縁は、誘電体の特性である。特にSiO2系材料は、その結合構造と帯状構造に基づき、部材を電気的に絶縁するために特に適している。こうして周囲と電気的に分離される。保護材料は好適には、非常に熱安定性である。とりわけ無機材料、特に酸化セラミックは、融点が非常に高いため、本発明による実施態様によって、ある温度から非常に高温まで安定的な保護カバーが作製できる。さらに、本発明によるインプリント材料は、特に化学的に不活性である。これによって、インプリント材料は酸、塩基、酸化、還元に対して抵抗性となる。これらの化学的な妨害は、部材のさらなる加工、又は後の使用時に現れることがある。
以下に本発明の実施態様を示す:
[実施態様1]
インプリントリソグラフィーに使用可能で、硬化可能なインプリント材料であって、
・二酸化ケイ素系の重合可能な主成分少なくとも1種、及び
・副成分少なくとも1種、該副成分により、前記インプリント材料の親水性及び/又は疎水性が調整可能である、
から構成される混合物から成る、前記インプリント材料であり、
前記インプリント材料とインプリントスタンプとの付着性が、2.5J/m 2 未満である、前記インプリント材料。
[実施態様2]
特に無機の、好適には二酸化ケイ素系の主成分が、以下の材料少なくとも1種:
・多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)
・ポリジメチルシロキサン(PDMS)
・テトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)
・ポリ(オルガノ)シロキサン(シリコーン)
・ペルフルオロポリエーテル(PFPE)
から形成されている、実施態様1に記載のインプリント材料。
[実施態様3]
特に有機の副成分が、以下の化合物少なくとも1種:
・アクリル
・エポキシド
・エポキシ樹脂
・フェノール
・アルカン
・アルケン
・アルキン
・ベンゼン
から成る、
実施態様1又は2に記載のインプリント材料。
[実施態様4]
重合されたモノマーの鎖から成る、特に少なくとも2個のモノマー、好適には少なくとも10個のモノマー、さらに好適には少なくとも100個のモノマー、さらに好適には少なくとも1000個のモノマーの鎖長を有する、重合されたモノマーの鎖から成る、実施態様1から3までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
[実施態様5]
前記インプリント材料が、インプリント面で親水性のインプリントスタンプに当たる場合には疎水性に、インプリント面で疎水性のインプリントスタンプに当たる場合には、親水性に形成されている、実施態様1から4までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
[実施態様6]
前記インプリント材料は、主成分の質量割合が、50%〜100%未満、好適には52%〜90%、さらに好適には54%〜80%、特に好適には56%〜70%、とりわけ好適にはちょうど60%であり、副成分は、100%から前記主成分の質量割合を引いた割合である、実施態様1から5までのいずれか1項に記載のインプリント材料。
[実施態様7]
実施態様1から6までのいずれか1項に記載のインプリント材料の使用であって、(4,4’,4”,4''',4 IV )というインプリント形状を成形するための、前記使用であり、
前記インプリント材料を、保護材料又は封入材料として使用する、前記使用。
[実施態様8]
実施態様1から6までのいずれか1項に記載のインプリント材料の使用であって、(4,4’,4”,4''',4 IV )というインプリント形状を成形するための、前記使用であり、
前記インプリント材料を、機能性ユニットのための基礎材料として使用する、前記使用。
[実施態様9]
実施態様1から6までのいずれか1項に記載のインプリント材料の使用であって、(4,4’,4”,4''',4 IV )というインプリント形状を成形するための、前記使用であり、
前記インプリント材料を、光学要素を製造するために使用する、前記使用。
[実施態様10]
実施態様1から6までのいずれか1項に記載のインプリント材料の使用であって、(4,4’,4”,4''',4 IV )というインプリント形状を成形するための、前記使用であり、
前記インプリント材料を、転写エッチング工程用のマスキングとして使用する、前記使用。
Claims (4)
- 疎水性のスタンプ表面を有するスタンプと、インプリントリソグラフィーに使用可能で、硬化可能な、疎水性表面を有するインプリント材料との組み合わせであって、前記インプリント材料が、
・二酸化ケイ素系の重合可能な主成分少なくとも1種、及び
・親水性及び/又は疎水性を調整するための副成分少なくとも1種、及び
・ 開始剤、及び
・ 溶剤
から構成される混合物から成り、前記開始剤は活性化に際し前記少なくとも1種の主成分のみを重合させるものであり、前記主成分は、以下の材料少なくとも1種:
・ 多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)
・ ポリ(オルガノ)シロキサン(シリコーン)
から形成されており、
前記インプリント材料とインプリントスタンプとの付着性が、2.5J/m2未満である、前記組み合わせ。 - 前記副成分が、以下の化合物少なくとも1種:
・ポリアクリレート
・エーテル
・エポキシ樹脂
から成る、
請求項1に記載の組み合わせ。 - 前記インプリント材料が、少なくとも2個のモノマーの鎖長を有する、重合されたモノマーの鎖から成る、請求項1または2に記載の組み合わせ。
- 前記インプリント材料が、前記インプリント材料の質量に対して
・ 10質量%未満の前記主成分、
・ 2質量%未満の前記副成分、
・ 2質量%未満の前記開始剤、及び
・ 90質量%未満の前記溶剤
を含む、請求項1から3までのいずれか1項に記載の組み合わせ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2013/062711 WO2014202127A1 (de) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | Prägemasse für die prägelithographie |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018089325A Division JP6608997B2 (ja) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016524330A JP2016524330A (ja) | 2016-08-12 |
| JP6338657B2 true JP6338657B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=48699750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016520293A Active JP6338657B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9981419B2 (ja) |
| EP (2) | EP3324236B1 (ja) |
| JP (1) | JP6338657B2 (ja) |
| KR (2) | KR102233597B1 (ja) |
| CN (3) | CN110713722B (ja) |
| SG (1) | SG11201510349TA (ja) |
| TW (4) | TWI675883B (ja) |
| WO (1) | WO2014202127A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6338657B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2018-06-06 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
| DE102014113854A1 (de) | 2014-09-24 | 2016-03-24 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Glaselements |
| JP6484493B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-03-13 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 |
| US11884976B2 (en) | 2018-07-20 | 2024-01-30 | Illumina, Inc. | Resin composition and flow cells incorporating the same |
| EP3824350A4 (en) | 2018-07-20 | 2022-05-18 | Illumina, Inc. | Resin composition and flow cells incorporating the same |
| PH12021553301A1 (en) | 2019-12-23 | 2022-08-15 | Illumina Inc | Resin composition and flow cells incorporating the same |
| KR20220163368A (ko) | 2020-04-01 | 2022-12-09 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 사출 성형을 위한 장치 및 방법 |
| DE102020118733B4 (de) | 2020-07-15 | 2022-11-24 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Aufbringung eines Schutzschichtmaterials |
| TWI883322B (zh) * | 2022-04-28 | 2025-05-11 | 聯華電子股份有限公司 | 利用二次奈米壓印在基板上製作圖案的方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04289865A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Fujitsu Ltd | 配線構造の製造方法 |
| US8603386B2 (en) | 1995-11-15 | 2013-12-10 | Stephen Y. Chou | Compositions and processes for nanoimprinting |
| US6673287B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer |
| DE10217089A1 (de) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Transferverfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Substrate |
| WO2004044654A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
| KR101117437B1 (ko) | 2003-12-27 | 2012-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조방법 및 장치 |
| US7435074B2 (en) * | 2004-03-13 | 2008-10-14 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning |
| KR100667134B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 평판표시소자의 제조방법 및 장치 |
| US20080113283A1 (en) * | 2006-04-28 | 2008-05-15 | Polyset Company, Inc. | Siloxane epoxy polymers for redistribution layer applications |
| KR101345280B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2013-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴형성용 레진 조성물 및 이를 이용하는 인-플레인프린팅 공정방법 |
| JP2007329276A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターンの形成方法 |
| KR101358255B1 (ko) | 2006-06-27 | 2014-02-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법 |
| KR101319325B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴의 형성 방법 |
| US8734708B2 (en) | 2007-10-29 | 2014-05-27 | Dow Corning Corporation | Polar polydimethysiloxane molds, methods of making the molds, and methods of using the molds for pattern transfer |
| FR2926162B1 (fr) * | 2008-01-03 | 2017-09-01 | Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs | Procede de modification localisee de l'energie de surface d'un substrat |
| US8029716B2 (en) * | 2008-02-01 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use |
| US8293354B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of Michigan | UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography |
| JP2010006870A (ja) | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
| CN101477304B (zh) * | 2008-11-04 | 2011-08-17 | 南京大学 | 在复杂形状表面复制高分辨率纳米结构的压印方法 |
| JP5215833B2 (ja) | 2008-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| EP2199855B1 (en) * | 2008-12-19 | 2016-07-20 | Obducat | Methods and processes for modifying polymer material surface interactions |
| JP5052534B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2012-10-17 | 株式会社ブリヂストン | 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法 |
| JP2010280159A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Osaka Univ | ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法 |
| US8168109B2 (en) * | 2009-08-21 | 2012-05-01 | International Business Machines Corporation | Stabilizers for vinyl ether resist formulations for imprint lithography |
| JP2011216684A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | テンプレートの表面処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2011155582A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写用スタンパ及び微細構造転写装置 |
| SG188504A1 (en) * | 2010-10-20 | 2013-05-31 | Tokuyama Corp | Photo-curable nanoimprint composition, method for forming pattern using the composition, and nanoimprint replica mold comprising cured product of composition |
| JP5958338B2 (ja) | 2011-04-15 | 2016-07-27 | 三菱レイヨン株式会社 | 微細凹凸構造体、撥水性物品、モールド、及び微細凹凸構造体の製造方法 |
| JP5829177B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
| CN103087087B (zh) | 2011-10-27 | 2015-11-25 | 上海交通大学 | 含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板 |
| JP6338657B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2018-06-06 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 |
-
2013
- 2013-06-19 JP JP2016520293A patent/JP6338657B2/ja active Active
- 2013-06-19 US US14/897,366 patent/US9981419B2/en active Active
- 2013-06-19 KR KR1020207006351A patent/KR102233597B1/ko active Active
- 2013-06-19 CN CN201911093950.2A patent/CN110713722B/zh active Active
- 2013-06-19 WO PCT/EP2013/062711 patent/WO2014202127A1/de not_active Ceased
- 2013-06-19 EP EP17209605.9A patent/EP3324236B1/de active Active
- 2013-06-19 EP EP13731723.6A patent/EP3011390B1/de active Active
- 2013-06-19 CN CN201911094280.6A patent/CN110764365B/zh active Active
- 2013-06-19 CN CN201380077583.1A patent/CN105283805B/zh active Active
- 2013-06-19 KR KR1020157036149A patent/KR102087472B1/ko active Active
- 2013-06-19 SG SG11201510349TA patent/SG11201510349TA/en unknown
-
2014
- 2014-04-25 TW TW107137029A patent/TWI675883B/zh active
- 2014-04-25 TW TW107137028A patent/TWI684510B/zh active
- 2014-04-25 TW TW107137027A patent/TWI677537B/zh active
- 2014-04-25 TW TW103115076A patent/TWI655246B/zh active
-
2018
- 2018-04-13 US US15/952,795 patent/US10589457B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI684510B (zh) | 2020-02-11 |
| CN110713722A (zh) | 2020-01-21 |
| CN105283805A (zh) | 2016-01-27 |
| TW201903054A (zh) | 2019-01-16 |
| US20160136873A1 (en) | 2016-05-19 |
| KR20200027057A (ko) | 2020-03-11 |
| US9981419B2 (en) | 2018-05-29 |
| EP3324236A1 (de) | 2018-05-23 |
| EP3324236B1 (de) | 2024-01-03 |
| SG11201510349TA (en) | 2016-01-28 |
| TWI655246B (zh) | 2019-04-01 |
| WO2014202127A1 (de) | 2014-12-24 |
| KR102233597B1 (ko) | 2021-03-30 |
| TW201918523A (zh) | 2019-05-16 |
| EP3011390A1 (de) | 2016-04-27 |
| CN110764365A (zh) | 2020-02-07 |
| TW201903053A (zh) | 2019-01-16 |
| TW201502206A (zh) | 2015-01-16 |
| US20180229419A1 (en) | 2018-08-16 |
| JP2016524330A (ja) | 2016-08-12 |
| KR102087472B1 (ko) | 2020-03-11 |
| CN110764365B (zh) | 2023-10-27 |
| CN110713722B (zh) | 2022-03-29 |
| TWI675883B (zh) | 2019-11-01 |
| EP3011390B1 (de) | 2018-02-21 |
| US10589457B2 (en) | 2020-03-17 |
| TWI677537B (zh) | 2019-11-21 |
| CN105283805B (zh) | 2019-12-17 |
| KR20160022311A (ko) | 2016-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6338657B2 (ja) | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 | |
| US9298089B1 (en) | Composition for resist patterning and method of manufacturing optical structures using imprint lithography | |
| WO2018107094A1 (en) | Master mold for pattern transfer | |
| Xuan et al. | Crack-free controlled wrinkling of a bilayer film with a gradient interface | |
| JP6608997B2 (ja) | インプリントリソグラフィーのためのインプリント材料 | |
| CN108886064A (zh) | 用于在光学和相关装置中应用的纳米图案化表面的制造 | |
| De Marco et al. | Organic Light‐Emitting Nanofibers by Solvent‐Resistant Nanofluidics | |
| JP2020097521A (ja) | 光学ガラス素子を製造するための方法 | |
| Park et al. | Non-sticky silicate replica mold by phase conversion approach for nanoimprint lithography applications | |
| Gvishi et al. | UV-curable glassy material for the manufacture of bulk and nano-structured elements | |
| Wolf et al. | Fabrication of polymeric micro-optical components with integrated nano-topography for advanced photonic applications | |
| Vogler et al. | Low-viscosity and fast-curing polymer system for UV-based nanoimprint lithography and its processing | |
| Wan et al. | Micro-patterning replication of planar optical elements on silicone LED encapsulant film using imprinting technique | |
| Nam et al. | Development of a polymer coating-based microlens array on isotropically wet-etched quartz substrates for maskless lithography application | |
| JP2025075013A (ja) | 微細パターン形成体の製造方法、微細パターン形成体、及び微細パターン形成用溶液 | |
| Choi et al. | P‐60: Surface Modifications of Flexible Gas Barrier Films by Mimicking Structures of Nature | |
| Lee et al. | Fabrication of guided-mode resonance devices by soft lithography in hybrimers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160219 |
|
| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20160218 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160606 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170306 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170516 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171030 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180319 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180410 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180508 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6338657 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |