JP6340787B2 - 透明電極、その製造方法及び電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、透明電極、その製造方法及び電子デバイスに関し、より詳しくは導電性と光透過性とを兼ね備え、更に耐久性に優れた透明電極、その製造方法及びこの透明電極を具備した電子デバイスに関する。

タッチパネル、液晶表示素子、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す。）を利用した有機ＥＬ素子（有機電界発光素子ともいう。）、太陽電池などの電子デバイスに用いられる光取り出し側の電極として、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略記。）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられている。

ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った材料の検討が、例えば、特開２００２−１５６２３号公報、特開２００６−１６４９６１号公報においてなされている。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルであるインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度でアニール処理する必要があり、さらに低抵抗値化には限界がある等の問題がある。

そこで、電気伝導率の高い銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を用いて薄膜を構成する技術や、インジウムに代えて、安価で入手容易な金属材料を原料として薄膜を構成する技術が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。

特許文献１に記載の発明では、電極材料として銀とマグネシウムの合金を用いることにより、銀単独で形成した電極に比べ、薄膜条件で所望の導電性を得ることができ、透過率と導電性の両立を図ることができるとされている。

しかしながら、特許文献１に記載されている方法で得られる電極の抵抗値としては、せいぜい１００Ω／□前後で、透明電極の導電性としては不十分であり、加えてマグネシウムは、酸化されやすい特性あるため、高温高湿環境下で長期間にわたり保存した際により性能が劣化し、具体的には透明電極の抵抗値のバラツキ幅が増大しやすいという問題を抱えている。

また、特許文献２においては、インジウム（Ｉｎ）の代わりに、安価で入手が容易な亜鉛（Ｚｎ）や錫（Ｓｎ）などの金属材料を原料として用いた透明導電膜が開示されている。

しかしながら、これらの代替金属では十分に抵抗値が下がらないこと、加えて、亜鉛を含有したＺｎＯ系の透明導電膜は、水と反応して性能が変動しやすくなる特性を有している。また、錫を含有したＳｎＯ_２系の透明導電膜は、エッチングによる加工が困難であるという問題を有していることが判明した。

一方、膜厚が１５ｎｍ程度の薄膜で、光透過性が高い銀膜を蒸着して陰極として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかしながら、特許文献３で提案されている方法では、形成している銀膜は、電極としてはいまだ厚いため、透明電極としての光透過率（透明性）が十分でなく、マイグレーション（原子の移動）を起こしやすい。また、銀膜を更に薄くすると、導電性等を維持することが難しくなり、また高温高湿環境下で長期間にわたり保存した際に、透明電極の抵抗値のバラツキ幅が増大しやすくなり、光透過性と導電性を両立すると共に、高い耐久性能を実現する技術開発が切望されている。

我々は既に、銀薄膜と当該銀薄膜に接する中間層として銀と相互作用の強い有機化合物を用いた透明電極を報告しているが（例えば、特許文献４参照。）、それらはＩＴＯ電極に対して抵抗値、透過率及び保存性に優れているが、電子デバイス用途としてはさらなる高性能化（導電性及び光透過性等）、高耐久性に優れた透明電極が求められている。

特開２００６−３４４４９７号公報 特開２００７−０３１７８６号公報 米国特許出願公開第２０１１／０２６０１４８号明細書 国際公開第２０１３／１０５５６９号

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ低シート抵抗値を有し、耐久性（シート抵抗安定性）に優れた透明電極とその製造方法、当該透明電極を備え、十分な導電性と光透過性を有し、低駆動電圧で、耐久性に優れた電子デバイスを提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、導電性層と、導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層と、を備え、導電性層が、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成され、中間層には、１配位、２配位、３配位及び４配位のいずれかである金属錯体が含有されることで、優れた導電性と光透過率とを両立し、更に耐久性に優れた透明電極を実現できることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．透明な導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の透明な中間層との積層構造を有する透明電極であって、
前記透明電極の波長５５０ｎｍでの光透過率が、５０％以上であり、
前記導電性層が、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成され、
前記中間層が、１配位、２配位、３配位及び４配位のいずれかである金属錯体からなり、かつ、当該金属錯体が下記一般式（１）〜（５）のいずれかで表される構造を有する低分子化合物であることを特徴とする透明電極。

〔一般式（１）〜（５）中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）のいずれか一種であり、多座配位子と共有結合及び配位結合を形成している。多座配位子は、互いに結合して三座配位子又は四座配位子となってもよい。Ｌは、補助配位子を表し、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している。ｎは、０〜２の整数を表す。ｎが１のとき、Ｌは単座配位子又は多座配位子のいずれであってもよく、ｎが２のとき、Ｌは同一であっても異なっていてもよいが、分子全体における電荷は中性である。〕

２．前記金属が、銅であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

３．前記一般式（１）で表される金属錯体が、下記一般式（１−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

一般式（１−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｌ_１及びＬ_２は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

４．前記一般式（２）で表される金属錯体が、下記一般式（２−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

一般式（２−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_３及びＲ_４ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｒ_５〜Ｒ_１２ で表される置換基としては、それぞれ独立に、前記Ｒ _３ 及びＲ _４ と同義の置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。

５．前記一般式（３）で表される金属錯体が、下記一般式（３−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

一般式（３−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｘ_１〜Ｘ_４は、それぞれ独立に、−ＣＲ_２１又は窒素原子を表し、Ｒ_２１は、水素原子又は置換基を表し、置換基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｒ_１３〜Ｒ_２０ で表される置換基としては、それぞれ独立に、前記Ｒ _２１ と同義の置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。

６．前記一般式（４）で表される金属錯体が、下記一般式（４−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

一般式（４−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_２２〜Ｒ_２５ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。環Ａは、窒素原子及び炭素原子とともに形成される五員又は六員の芳香族複素環を表し、更に前記Ｒ _２２ 〜Ｒ _２５ と同義の置換基を有していてもよく、それらの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Ｌ_３及びＬ_４は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

７．前記一般式（５）で表される金属錯体が、下記一般式（５−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。

一般式（５−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_２６〜Ｒ_２９ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ_５及びＸ_６は、それぞれ独立に、−ＣＲ_３０又は窒素原子を表し、Ｒ_３０は水素原子又は前記Ｒ _２６ 〜Ｒ _２９ と同義の置換基を表す。Ｒ_３１は、水素原子又は前記Ｒ _２６ 〜Ｒ _２９ と同義の置換基を表す。Ｌ_５及びＬ_６は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

８．前記遷移金属原子が、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明電極。

９．前記遷移金属原子が、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする第８項に記載の透明電極。

１０．前記遷移金属原子が、Ａｕ（III）であることを特徴とする第９項に記載の透明電極。

１１．前記中間層が、前記導電性層側から順に、第１中間層及び第２中間層の２層から構成され、
前記第１中間層が、前記金属錯体を含有する層であり、
前記第２中間層が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物を含有する層であり、
前記第１中間層の層厚が、０．５〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする第１項から第１０項までのいずかれ一項に記載の透明電極。

１２．第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の透明電極を製造する透明電極の製造方法であって、
前記導電性層を、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分とし、かつ有機溶媒を含有する導電性インクを用いて、湿式法により形成することを特徴とする透明電極の製造方法。

１３．第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の透明電極が備えられたことを特徴とする電子デバイス。

本発明の上記手段により、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ低シート抵抗値を有し、耐久性（シート抵抗安定性）に優れた透明電極、その製造方法及び当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することができる。

本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

本発明の透明電極は、中間層の上部に、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている導電性層が設けられており、かつ中間層には、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体が含有されている、という構成である。

１配位〜４配位までの低配位の金属錯体においては、中心金属の周辺が配位子により混み合っておらず、表出していることが多く、一般的な例として、図１（ａ）に示すような平面性を有する金属錯体が挙げられる。平面金属錯体では、中心金属の垂直軸方向表面が表出しているため、図１（ｂ）に示すとおり、この空間を配位サイトとして、新たな配位子が中心金属と軸配位し、錯体を形成することが知られている。

一方、五配位以上の配位数を有する金属錯体においては、その中心金属周辺が、複数のあるいは嵩高い配位子により混み入っているため、図１（ｃ）に示すように、分子全体が立体的な構造となり、中心金属表面の表出している部分は少ない。

つまり、１配位〜４配位までの低配位の金属錯体においては、その中心金属周辺に、導電性層の主成分である銅、金、又は白金のいずれかの金属と相互作用が生じるための充分な空間を有している。これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際、導電性層を構成する銅、金、又は白金のいずれかの金属原子が中間層に含有されている該金属錯体の中心金属と相互作用し、中間層表面上での銅、金、又は白金のいずれかの金属原子の拡散距離が減少し、特異箇所での当該金属の凝集を抑制することができたものである。

これに対し、配位数が五配位以上の金属錯体である場合には、銅、金、又は白金のいずれかの金属との相互作用が生じるための空間が少ないため、銅、金、又は白金のいずれかの金属との相互作用が小さくなり、当該金属の凝集を抑制できず、膜質を低下させてしまうものと考えられる。

すなわち、銅、金、又は白金のいずれかの金属は、まず当該金属と親和性のある原子を有する親和性化合物を含有する中間層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。

一般的には、中間層表面において付着した銅、金、又は白金のいずれかの金属が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。

しかし、本発明においては、中間層に含有されている銅、金、又は白金のいずれかの金属との親和性化合物である１配位〜４配位のいずれかである金属錯体により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。

したがって、薄い層厚でありながらも、均一な層厚の導電性層が得られるようになる。その結果、より薄い層厚として光透過率を保ちつつも、導電性が確保され、更には耐久性にも優れた透明電極とすることができる。

なお、金属錯体の全体構造（配位様式）は、構成している配位子と中心金属の配位数により決定される。したがって、これらの種類や組み合わせを適切に選択することで、銅、金、又は白金のいずれかの金属との相互作用を生じさせるための充分な空間を有する所望の金属錯体を形成することができる。

金属錯体の配位様式を示す模式図 本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極の別の構成の一例を示す概略断面図 透明電極に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図 電極パターンを有する透明電極対を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図 タッチパネルを構成する各透明電極の電極パターンの一例を示す平面図 タッチパネルを構成する電極部分の一例を示す平面模式図 タッチパネルの構成の一例を示す概略断面図 タッチパネルの構成の他の一例を示す概略断面図 タッチパネルの構成の他の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた液晶表示素子の概略断面図

本発明の透明電極は、透明な導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の透明な中間層との積層構造を有する透明電極であって、
前記透明電極の波長５５０ｎｍでの光透過率が、５０％以上であり、
前記導電性層が、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成され、
前記中間層には、１配位、２配位、３配位及び４配位のいずれかである金属錯体からなり、かつ、当該金属錯体が前記一般式（１）〜（５）のいずれかで表される構造を有する低分子化合物であることを特徴とする。この特徴は、請求項１〜１３までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、前記金属が銅であることが、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ低シート抵抗値を有し、耐久性（シート抵抗安定性）に優れた透明電極を提供する観点から、好ましい。

また、中間層に含有される金属錯体が、有機配位子を有することが、多様な金属錯体を形成できるという観点から好ましい。

本発明の実施態様としては、中間層に含有される金属錯体の分子全体における電荷が、中性であることが、真空蒸着法による成膜ができるという観点から好ましい。

本発明の実施態様としては、中間層に含有される金属錯体が、遷移金属原子を有する化合物であることが、原子半径が大きく、銅、金、又は白金のいずれかの金属との相互作用が発現しやすい効果が得られることから好ましい。さらには、金属錯体の配位子中の配位原子が、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子及びカルベン炭素原子のいずれかであることがより好ましい。

本発明の実施態様としては、中間層に含有される金属錯体が、一般式（１）〜（５）で表される構造を有する化合物であり、更には、一般式（１−１）、（２−１）、（３−１）、（４−１）及び（５−１）で表される構造を有する化合物であることが、配位子自体の平面性が高く、結果として金属錯体全体も平面性の高いものになることから好ましい。

本発明の実施態様としては、平面金属錯体を形成しやすいという観点から、中間層に含有される金属錯体の中心金属である遷移金属原子が、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることが好ましく、中でもＣｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることがより好ましく、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることが更に好ましく、Ａｕ（III）であることが最も好ましい。

本発明の実施態様としては、中間層が、導電性層側から順に、第１中間層及び第２中間層の２層から構成され、第１中間層が、金属錯体を含有する層であり、第２中間層が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物を含有する層であり、第１中間層の層厚が、０．５〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

中間層が、第１中間層及び第２中間層の２層からなる構成の場合、第１中間層の層厚は０．５〜１０ｎｍの範囲内と薄いために完全な連続膜となっておらず、導電性層が第２中間層と接している部位が存在し得る。その結果、導電性層の銅、金、又は白金のいずれかの金属が、第２中間層に含有される窒素原子及び第１中間層に含有される金属錯体の中心金属の両者とそれぞれ相互作用し、より当該金属の凝集を抑制するという効果を得ることができる。

本発明の実施態様としては、導電性層が、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分とし、かつ有機溶媒を含有する導電性インクを用いて、湿式法により形成することもできる。

また、本発明の透明電極は、電子デバイスに好適に具備され得る。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

［第１の実施形態］
≪１．透明電極≫
＜透明電極の構成＞
図２に示すように、透明電極１は、中間層１ａと、この中間層１ａの上部に導電性層１ｂとが積層された２層構造であり、例えば、基材１１の上部に、中間層１ａ、導電性層１ｂの順に設けられている。中間層１ａは、１配位〜４配位までのいずれかである金属錯体が含有されて構成されている層であり、導電性層１ｂは、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている層である。導電性層１ｂの上にさらに中間層１ａが積層されていてもよく、導電性層表面を平滑にして、上層との密着性等を向上する観点から好ましい態様である。

なお、導電性層１ｂの主成分とは、導電性層１ｂを構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。導電性層１ｂにおける銅、金、又は白金のいずれかの金属の構成比率としては、６０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることが特に好ましい。

また、透明電極１の透明とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

次に、このような積層構造の透明電極１が設けられる基材１１、透明電極１を構成する中間層１ａ及び導電性層１ｂの順に、詳細な構成を説明する。

〔基材〕
本発明の透明電極１が形成される基材１１としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材１１は、透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極１が、基材１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材１１としては、ガラス、石英又は透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層１ａとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

上記したように、樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のガスバリアー性フィルム（ガスバリアー膜等ともいう）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、及び水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。

以上のようなガスバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機ＥＬ素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、当該ガスバリアー性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層（無機層）と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

ガスバリアー性フィルムの作製方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 一方、基材１１を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。

〔中間層〕
本発明に係る中間層１ａは、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いて構成された層である。

金属錯体の配位子としては、有機配位子であることが好ましい。

また、金属錯体の分子全体における電荷が、中性であることが好ましい。すなわち、金属錯体が、カウンターアニオン（対イオン）を有さずに、中心金属及び配位子のみからなる構造で、その電荷が中性（電荷量が０）となっていることが好ましい。

本発明に係る金属錯体の配位子としては、複数の配位サイトを持つキレート型配位子であることが好ましい。キレート型配位子は、それ自身が平面性の高い構造を有しており、より容易に平面性を有する金属錯体を形成することができる。また、キレート型配位子は、中心金属に対して複座で配位しているため、結合が強く、安定である。

したがって、より平面性が高く、より安定な金属錯体を形成できる観点から、少なくとも一つのキレート型配位子を用いることが好ましく、キレート型配位子のみ用いることがより好ましい。

キレート型配位子としては、従来公知の中から適宜選択して用いることができるが、中でも、多様な中心金属と錯体を形成できるという観点から、アセチルアセトナート型配位子、サレン型配位子、ポルフィリン型配位子、フタロシアニン型配位子、フェニルピリジン型配位子、フェニルイミダゾール型配位子、フェニルイミダゾールカルベン型配位子であることが好ましい。

一方、中心金属の選択も、平面性の金属錯体を形成するために重要な要素である。

例えば、４配位の金属錯体の場合、正四面体型と平面四角形型の２種類がある。いずれも本発明の効果発現がなされる態様ではあるものの、中心金属周辺がより表出している点で、後者の平面四角形型が好ましいことは明らかである。

このような平面四角形型の金属錯体を形成するには、その中心金属の最外殻のｄ軌道を満たしている電子の個数（ｄ^ｎ電子配置という。）や周期数（周期表の横軸）を考慮する必要がある。中心金属が、ｄ^７、ｄ^８及びｄ^９電子配置のとき、より好ましくはｄ^８電子配置のとき、平面四角形型になりやすく、また、高周期遷移金属原子になるほど平面四角形型になりやすい。

上記理由から、平面四角形型で、かつキレート型配位子のみからなる金属錯体を形成し得る中心金属の種類は多くはない。本発明においては、中心金属が、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選択されるいずれ
か一種であることが好ましい。

Ｃｏ（II）はｄ^７電子配置、Ｎｉ（II）はｄ^８電子配置であり、平面四角形型を形成することがある。

Ｐｄ（II）及びＰｔ（II）は、ｄ^８電子配置であり、かつそれぞれ第５列、第６列周期の高周期遷移金属原子であり、平面四角形型錯体を形成するため、より好ましい。

また、金属錯体の中心金属と後述する導電性層の銅、金、又は白金のいずれかの金属原子との相互作用は、主に金属−金属結合である。異なる金属種同士の親和性を予測する一つの指標に相図があり、合金の実現や特性について予測がなされるが、化学的特性が似ている同族（周期表の縦列）の金属同士は、一般的に親和性が高い。したがって、例えば銅及び金と親和性が高く、金属−金属結合を形成しやすい遷移金属原子は、同じ第１１族である銅及び金であると推察される。同様なことは第１０族原子である白金についてもいえる。

上記の観点から、Ｃｕ（II）は、ｄ^９電子配置で平面四角形型を形成することがあり、かつ第１１族で銅及び金原子との相互作用が強いため、より好ましい。

Ａｕ（III）は、ｄ^８電子配置で、第６列周期の高周期遷移金属原子であるため平面四
角形型錯体を形成し、かつ第１１族で銅及び金原子との相互作用が強いため、最も好ましい。

以下、本発明に係る中間層１ａに用いられる一般式（１）〜（５）で表される構造を有する金属錯体について説明する。

（一般式（１）〜（５）で表される構造を有する金属錯体）
中間層１ａに含有される金属錯体としては、下記一般式（１）〜（５）で表される構造を有する金属錯体である。

一般式（１）〜（５）中、Ｍは遷移金属原子を表し、多座配位子と共有結合及び配位結合を形成している。多座配位子は、互いに結合して三座配位子又は四座配位子となってもよい。Ｌは補助配位子を表し、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している。ｎは、０〜２の整数を表す。ｎが１のとき、Ｌは単座配位子又は多座配位子のいずれであってもよく、ｎが２のとき、Ｌは同一であっても異なっていてもよいが、分子全体の電荷は中性である。

一般式（１）〜（５）において、Ｍで表される遷移金属原子としては、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であり、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）又はＡｕ（III）であることが好ましく、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）又はＡｕ（III）であることがより好ましく、Ａｕ（III）であることが最も好ましい。

上記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体は、下記一般式（１−１）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。

一般式（１−１）中、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｌ_１及びＬ_２は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

一般式（１−１）におけるＭは、一般式（１）〜（５）におけるＭと同義である。

一般式（１−１）において、Ｒ_１及びＲ_２で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

上記一般式（２）で表される構造を有する金属錯体は、下記一般式（２−１）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。

一般式（２−１）中、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ_５〜Ｒ_１２は、それぞれ独立に、置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（２−１）におけるＭは、一般式（１）〜（５）におけるＭと同義である。

一般式（２−１）において、Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、一般式（１−１）におけるＲ_１及びＲ_２で表される置換基と同様のものが挙げられる。

一般式（２−１）において、Ｒ_５〜Ｒ_１２で表される置換基としては、前記Ｒ _３ 及びＲ _４ と同義の置換基が挙げられる。

上記一般式（３）で表される構造を有する金属錯体は、下記一般式（３−１）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。

一般式（３−１）中、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｘ_１〜Ｘ_４は、それぞれ独立に、−ＣＲ_２１又は窒素原子を表し、Ｒ_２１は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ_１３〜Ｒ_２０は、それぞれ独立に、置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（３−１）におけるＭは、一般式（１）〜（５）におけるＭと同義である。

一般式（３−１）において、Ｒ_２１で表される置換基としては、一般式（１−１）におけるＲ_１及びＲ_２で表される置換基と同様のものが挙げられる。

一般式（３−１）において、Ｒ_１３〜Ｒ_２０で表される置換基としては、前記Ｒ _２１ と同義の置換基が挙げられる。

上記一般式（４）で表される構造を有する金属錯体は、下記一般式（４−１）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。

一般式（４−１）中、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｒ_２２〜Ｒ_２５は、それぞれ独立に、置換基を表す。環Ａは、窒素原子及び炭素原子とともに形成される五員又は六員の芳香族複素環を表し、更に置換基を有していてもよく、それらの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Ｌ_３及びＬ_４は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

一般式（４−１）におけるＭは、一般式（１）〜（５）におけるＭと同義である。

一般式（４−１）において、Ｒ_２２〜Ｒ_２５で表される置換基としては、一般式（１−１）におけるＲ_１及びＲ_２で表される置換基と同様のものが挙げられる。

上記一般式（５）で表される構造を有する金属錯体は、下記一般式（５−１）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。

一般式（５−１）中、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｒ_２６〜Ｒ_２９は、それぞれ独立に、置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ_５及びＸ_６は、それぞれ独立に、−ＣＲ_３０又は窒素原子を表し、Ｒ_３０は水素原子又は置換基を表す。Ｒ_３１は、水素原子又は置換基を表す。Ｌ_５及びＬ_６は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。

一般式（５−１）におけるＭは、一般式（１）〜（５）におけるＭと同義である。

一般式（５−１）において、Ｒ_２６〜Ｒ_２９で表される置換基としては、一般式（１−１）におけるＲ_１及びＲ_２で表される置換基と同様のものが挙げられる。

一般式（５−１）において、Ｒ_３０及びＲ_３１で表される置換基としては、前記Ｒ _２６ 〜Ｒ _２９ と同義の置換基が挙げられる。

以下に、本発明に係る中間層１ａに含有される金属錯体の具体例（例示化合物（１）〜（２５８））を示すが、これらに限定されるものではない。

中間層１ａに用いることのできる金属錯体は、従来公知の方法により合成することができる。

このような中間層１ａが基材１１上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。

中間層１ａの層厚としては、５．０〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

〔導電性層〕
本発明に係る導電性層１ｂは、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている層であって、中間層１ａ上に成膜された層である。

導電性層１ｂは、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている層が、必要に応じて、複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

なお、本発明において、導電性層１ｂの主成分とは、導電性層１ｂ中の銅、金、又は白金のいずれかの金属の含有量が６０質量％以上であることをいい、好ましくは当該金属の含有量が８０質量％以上であり、より好ましくは含有量が９０質量％以上であり、特に好ましくは含有量が９８質量％以上である。

導電性層１ｂに用いられる金属としては、銅であることが特に好ましい。

導電性層１ｂは、層厚が５〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、５〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

層厚が２０ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極１の透過率が向上するため好ましい。また、層厚が５ｎｍより厚い場合には、層の導電性が十分になるため好ましい。

なお、以上のような中間層１ａとこの上部に成膜された導電性層１ｂとからなる積層構造の透明電極１は、導電性層１ｂの上部が保護膜で覆われていてもよいし、別の中間層や導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の中間層や導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、中間層１ａの下部、すなわち中間層１ａと基材１１との間にも、必要に応じた層を設けた構成としてもよい。

導電性層１ｂの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。

中でも、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分とし、かつ有機溶媒を含有する導電性インクを用い、湿式法により導電性層１ｂを成膜することもできる。

有機溶媒としては、本発明の透明電極１の効果を阻害しない限りにおいて、従来公知のものを特に制限なく使用することができる。

また、導電性層１ｂは、中間層１ａ上に成膜されることにより、導電性層成膜後の高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。

＜透明電極の効果＞
以上のような構成の透明電極１は、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いて構成されている中間層１ａ上に、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている導電性層１ｂを設けた構成である。これにより、中間層１ａの上部に導電性層１ｂを成膜する際には、導電性層１ｂを構成する銅、金、又は白金のいずれかの金属原子が中間層１ａを構成する金属錯体の中心金属と相互作用し、銅、金、又は白金のいずれかの金属原子の中間層１ａ表面での拡散距離が減少し、当該金属の凝集が抑えられる。

ここで、一般的に銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている導電性層の成膜においては、島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）で薄膜成長するため、銅、金、又は白金のいずれかの金属原子が島状に孤立しやすく、層厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。 したがって、導電性を確保するには層厚を厚くする必要があるが、層厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。

しかしながら、本発明構成の透明電極１によれば、上述したように中間層１ａ上において銅、金、又は白金のいずれかの金属の凝集が抑えられるため、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている導電性層１ｂの成膜においては、層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。

また、本発明の透明電極１の透明とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいうが、中間層１ａとして用いられる上述した各材料は、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分とした導電性層１ｂと比較して、十分に光透過性の良好な膜を形成する。光透過率は、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは８０％以上である。

一方、透明電極１の導電性は、主に、導電性層１ｂによって確保される。したがって、上述のように、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成されている導電性層１ｂが、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなることにより、透明電極１の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になるのである。

本発明に係る導電性層１ｂは、均一の金属原子により構成されている薄膜電極であり、成膜方法としては、例えば、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。上記成膜方法のなかでも、蒸着法が好ましく適用される。また、本発明に係る導電性層１ｂは、中間層１ａ上に成膜されることにより、金属電極薄膜を成膜した後の高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を施しても良い。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は、主に、下記の点で第１の実施形態と異なっている。

＜透明電極の構成＞
図３に示すように、透明電極２は、前記導電性層側から順に、２層からなる中間層２ａ１及び２ａ２が積層された３層構造となっている。すなわち、このような透明電極２は、基材１１の上部に、第１中間層２ａ１、第２中間層２ａ２、導電性層１ｂの順に設けられている。

〔中間層〕
中間層２ａは、１配位〜４配位までのいずれかである金属錯体が含有されて構成されている第１中間層２ａ１と、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物が含有されて構成されている第２中間層２ａ２とを有している。

第１中間層２ａ１は、第１の実施形態に係る中間層１ａと同様であるが、第２中間層２ａ２とともに導電性層１ｂに含有される銅、金、又は白金のいずれかの金属の凝集を抑制する観点から、その層厚は０．５〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

第２中間層２ａ２の層厚としては、２０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。

第２中間層２ａ２は、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物が含有されて構成されている層である。

第２中間層２ａ２の成膜方法としては、第１中間層２ａ１同様に、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。

（芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物）
本発明の透明電極１においては、第２中間層２ａ２は、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物を主成分として含有することが好ましい。

本発明でいう主成分とは、前述のとおり、中間層全質量に対し、本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物を５０．０質量％以上含有していることを意味し、好ましくは５５．０〜９９．５質量％の範囲内であり、好ましくは、９０．０〜９９．５質量％の範囲内であり、さらに好ましくは、９５．０〜９９．０質量％の範囲内である。

本発明において、「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」とは、非共有電子対を持つ窒素原子であって、当該非共有電子対が不飽和環状化合物の芳香族性に必須要素として直接的に関与していない窒素原子のことをいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、非共有電子対が、化学構造式上、芳香性発現のために必須のものとして関与していない窒素原子をいう。

以下、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」について説明する。

窒素原子は第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となるため、通常窒素原子の結合本数は３本である。

例えば、アミノ基（−ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（−ＮＯ_２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ_２）、アジド基（−Ｎ_３）、ウレア結合（−ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられ、これらは本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。なお、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ置換基を表す。

このうち、例えば、ニトロ基（−ＮＯ_２）の共鳴式は、下記のように表すことができる。ニトロ基における窒素原子の非共有電子対は、厳密には、酸素原子との共鳴構造に利用されているが、本発明においては、ニトロ基の窒素原子も非共有電子対を持つこと定義する。

一方、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。例えば、下記に示すように、テトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）は、四つ目のブチル基が窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。

また、トリス（２-フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）は、イリジウム原子と窒素原子が配位結合している中性の金属錯体である。これらの化合物は窒素原子を有するものの、その非共有電子対がそれぞれイオン結合、配位結合に利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。

すなわち、本発明は、結合に利用されていない窒素原子の非共有電子対を有効利用するというものである。

下記に示す構造式において、左側はテトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）、右側はトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）の構造を示す。

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、などが挙げられる。

ピリジン環の場合、下記に示すように、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。

したがって、ピリジン環の窒素原子は、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。以下に、ピリジン環の分子軌道を示す。

ピロール環の場合は、下記に示すように、５員環内を構成する炭素原子の一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員されている。

したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、芳香族性発現のために必須のものとして利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。

以下に、ピロール環の分子軌道を示す。

一方、イミダゾール環は、下記に示すように、５員環内に二つの窒素原子が１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子である。一方、窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子である。

したがって、イミダゾール環の窒素原子Ｎ^１は、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。以下に、イミダゾール環の分子軌道を示す。

また、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様である。例えば、δ-カルボリンは、下記に示すように、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は、１個の不対電子のみを、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は、非共有電子対を、それぞれπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。

したがって、δ-カルボリンの二つの窒素原子のうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当するが、ピロール環の窒素原子Ｎ^４はこれに該当しない。

このように、ピリジン環やピロール環は、その骨格が縮環化合物中に組み込まれている場合でも、その効果が阻害されたり抑制されたりすることはなく、単環として利用したときとなんら相違はない。以下に、δ−カルボリンの分子軌道を示す。

以上のように、本発明で規定する「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」は、その非共有電子対を導電性層の主成分である銅、金、又は白金と強い相互作用を発現するために重要である。そのような窒素原子としては、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物としては、芳香族複素環を有することが好ましく、該芳香族複素環としては、ピリジン環が好ましい。

また、本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物は、臭素原子、ヨウ素原子又は硫黄原子を有する有機化合物であることが好ましい。中間層に含有される有機化合物は、これらの原子を用いることで、主骨格によることなく、本発明の目的とする効果を発現できる。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物の具体的化合物として、特に制限はないが、下記一般式（Ｉ）〜一般式（IV）で表される化合物を一例として挙げることができる。

本発明の透明電極１において、中間層３に芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）において、ＸはＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立にＣＲ_２又は窒素原子を表し、少なくとも１つは窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_１で表される置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、ホスホノ基等が挙げられる。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_２で表される置換基としては、Ｒ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（II）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（II）において、Ｅ_９〜Ｅ_１５はそれぞれ独立にＣＲ_４を表す。Ｒ_３及びＲ_４はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（II）において、Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（III）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（III）において、Ｅ_１６〜Ｅ_２２はそれぞれ独立にＣＲ_５を表す。Ｒ_５は水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（III）において、Ｒ_５で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（IV）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（IV）において、Ｅ_２３〜Ｅ_２８はそれぞれ独立にＣＲ_７を表す。Ｒ_６及びＲ_７はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（IV）において、Ｒ_６及びＲ_７で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

以下に、本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物の具体例として、上記一般式（Ｉ）〜一般式（IV）で表される化合物例と、その他の構造を有する当該有機化合物例を示すが、本発明においてはこれら例示する有機化合物にのみ限定されるものではない。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成して得ることができる。

《２．透明電極の用途》
上述した構成の透明電極１は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、タッチパネル、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、太陽電池等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極１を用いることができる。

以下では、用途の一例として、本発明の透明電極１を用いたタッチパネル及び液晶表示素子の実施形態を説明する。また、透明電極に用いる本発明に係る金属として銅（Ｃｕ）を例にして説明する。

＜２．１タッチパネル＞
［電極パターンを有する透明電極の形成方法］
本発明に係る透明電極においては、上記のように透明基板１１上に、本発明に係る中間層３（図２では中間層１ａに相当）及び導電性層である銅薄膜電極５（図２では導電性層１ｂに相当）を積層した後、フォトリソグラフィー法により、好ましくは少なくとも有機溶媒を含有するエッチング液を用いて、例えば、図５〜図７に示すような電極パターンを形成することができる。

〔エッチング液：有機溶媒〕
本発明に用いられるエッチング液は、少なくとも有機溶媒を含有していることが好ましい。有機溶媒として、特に制限はないが、中間層に対する溶解能を備えた有機溶媒であることが好ましく、より好ましくは、エーテルアルコール、ケトン及びエステルから選ばれる少なくとも１種である。

〈エーテルアルコール〉
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なエーテルアルコールとしては、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を挙げることができ、その中でも、ジエチレングリコールが好ましい。

〈ケトン〉
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なケトンとしては、例えば、アセトン、ジイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン等を挙げることができるが、その中でも、アセトン、メチルエチルケトンが好ましい。

〈エステル〉
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なエステルとしては、例えば、ギ酸イソアミル、ギ酸イソブチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸プロピル、酢酸メチル、炭酸ジエチル、炭酸ジメチル等を挙げることができ、その中でも、酢酸エチルが好ましい。

（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。

本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、銅薄膜電極を、図５〜図７に示すような所望のパターンに加工する方法である。

本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び銅薄膜電極の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。

次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。

図４は、透明電極に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。

第１ステップとして、図４の（ａ）で示すように、透明基板１１上に中間層３及び銅薄膜電極５を積層して、未加工の透明電極１を作製する。

次いで、図４の（ｂ）で示すレジスト膜の形成工程で、銅薄膜電極５上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜６を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。

塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって銅薄膜電極上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０℃以上、１５０℃以下の範囲で３０秒〜３０分間行うことができる。

次いで、図４の（ｃ）に示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク７を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ^２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。

次いで、図４の（ｄ）に示す現像工程で、露光済みの透明電極を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜６を溶解する。

現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種あるいは２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０℃以上１５０℃以下の範囲で乾燥ベークを行ってもよい。

次いで、図４の（ｅ）に示すように、本発明に用いられるエッチング液９を用いたエッチング処理を行う。

具体的には、例えば、エーテルアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒を含むエッチング液に、透明電極１を浸漬し、レジスト膜６で保護されていない領域の中間層３を溶解するとともに及び中間層に保持されている薄膜の銅薄膜電極も同時に除去することにより、所定の電極パターンを形成する。

最後に、図４の（ｆ）に示すように、レジスト膜剥離液、例えば、ナガセケムテックス社製のＮ−３００に浸漬して、銅薄膜電極５（１ｂ）上のレジスト膜６を除去する。

［タッチパネルの構成］
次いで、本発明のタッチパネルの製造方法により作製されるタッチパネルの構成について、代表的な実施形態の詳細について説明する。

〔実施形態１：２枚の透明基板上に透明電極を設けた構成〕
図５は、上述したタッチパネル用の透明電極を用いたタッチパネル２１の概略構成を示す斜視図である。また、図６は、タッチパネル２１の電極構成を示す２枚の透明電極１−１及び１−２の平面図である。

これらの図に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板１１−１及び１１−２の一主面上に、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。

第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２は、それぞれが、図２を用いて説明したタッチパネル用の電極パターンが形成された透明電極１である。したがって、第１の透明電極１−１は、第１の中間層３−１と第１の銅薄膜電極５−１とがこの順に積層された構成である。同様に第２の透明電極１−２は、第２の中間層３−２と第２の銅薄膜電極５−２とがこの順に積層された構成である。

以下、タッチパネル２１を構成する主要各層の詳細を、透明基板１１−１側から順に説明する。なお、ここでは、図５及び図６とともに、図７の電極部分の平面模式図及び、そのＡ−Ａ断面に相当する図８の断面模式図を用いて説明を行う。

（透明基板１１）
図５及び図７に示す透明基板１１−１及び１１−２は、先の透明電極１で説明した透明基板１１である。

（第１の中間層３−１（第１の透明電極１−１））
第１の中間層３−１は、先の透明電極１で説明した中間層３（図２では中間層１ａ）であり、透明基板１１−１上に成膜されている。ここでは一例として、第１の中間層３−１は、透明基板１１−１に銅薄膜電極５−１と同一形状にパターニングされている。

（第１の銅薄膜電極５−１（第１の透明電極１−１））
第１の銅薄膜電極５−１は、先の透明電極で説明した銅薄膜電極５（図２では導電性層１ｂ）であり、第１の中間層３−１上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等として構成されている。各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等は、例えば、ｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近において、ｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。

また、各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等には、それぞれの端部にｘ配線１７ｘが接続されている。これらのｘ配線１７ｘは、透明基板１１−１上における周縁領域において配線され、透明基板１１−１の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線１７ｘは、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と同様に、銅を主成分とする第１の銅薄膜電極５−１として構成されたものである。

（第２の中間層３−２（第２の透明電極１−２））
第２の中間層３−２は、先の透明電極１で説明した中間層３（１ａ）であり、透明基板１１−２上に成膜されていて、第２の電極層５−２と同一形状にパターニングされている。

（第２の電極層５−２（第２の透明電極１−２））
第２の電極層５−２は、先の透明電極１で説明した銅薄膜電極５（１ｂ）であり、第２の中間層３−２上においてパターニングされた複数のｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等として構成されている。各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、例えば、ｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状であることとする。

ここで、図７に示すように、各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板１１−２の中央部の領域においては、第１の電極層５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及び第２の電極層５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認され難い構成となっている。

各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と積層される。これらの積層部分には、第２の中間層３−２が挟持され、これによってｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等とｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等との絶縁性が確保された状態となっている。

また、各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等には、それぞれの端部にｙ配線１７ｙが接続されている。これらのｙ配線１７ｙは、透明基板１１−２上における周縁領域において配線され、ｘ配線１７ｘと並ぶように透明基板１１の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線１７ｙは、ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等と同様に、銅を主成分とする第２の銅薄膜電極５−２として構成されたものである。

なお、透明基板１１−１及び１１−２の端縁に引き出されたｘ配線１７ｘ及びｙ配線１７ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。

（前面板１３）
図５に図示した前面板１３は、タッチパネル２１において入力位置に対応する部分が押圧される板材である。このような前面板１３は、光透過性を有する板材であって、透明基板１１と同様のものが用いられる。またこの前面板１３は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いても良い。このような前面板１３は、例えば接着剤１５に（図８参照。）よって第２の透明電極１−２側に張り合わせられていることとする。この接着剤１５は、光透過性を有するものであれば、特に材料が限定されることはない。

またこの前面板１３には、透明基板１１の周縁を覆う遮光膜が設けられ、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等から引き出されたｘ配線１７ｘ、及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等から引き出されたｙ配線１７ｙが、前面板１３側から視認されることを防止している。

（タッチパネルの動作）
以上のようなタッチパネル２１を動作させる場合、ｘ配線１７ｘ及びｙ配線１７ｙに接続させたフレキシブルプリント基板などから、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等に対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板１３の表面に指又はタッチペンが触れると、タッチパネル２１内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等の電圧の変化となって現れる。この変化は、指又はタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指又はタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等でアドレスされた位置が、指又はタッチペンが触れた位置として検出される。

（タッチパネル２１の効果）
以上のようなタッチパネル２１は、２層の透明電極１−１及び１−２として、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用の透明電極を用いている。これにより、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、タッチパネル用の透明電極を大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル２１の大型化をすることが可能となる。

特に、このタッチパネル２１は、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びこれに直交して配置された電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等を有する投影型静電容量式である。このため、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等には、高い導電性が要求される。しかしながら、これらのｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、先に説明したタッチパネル用透明電極の電極層５であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等自体が視認され難くなり、タッチパネル２１を介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

図８は、実施形態のタッチパネルで、本発明で特に好ましく適用することができるタッチパネルの構成を説明するための断面模式図であり、図７に示したＡ−Ａ断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル２１は、２枚の透明基板１１−１及び１１−２の一主面上に、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を設けた構成であり、それ以外の構成は先に説明した実施形態１と同様である。このため、先の実施形態１のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち、図８に示す変形例のタッチパネル２１ａは、第１の透明電極１−１が設けられた第１の透明基板１１−１と、第２の透明電極１−２が設けられた第２の透明基板１１−２とを有する。これらの透明基板１１−１及び１１−２は、透明電極１−１及び１−２の形成面を同一方向に向け、第１の透明基板１１−１における第１の透明電極１−１の形成面上に、第２の透明基板１１−２が位置するように重ねて配置されている。

第１の透明基板１１−１及び第２の透明基板１１−２は、先のタッチパネル用の透明電極で説明したと同様の透明基板１１である。また、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２は、それぞれが先の実施形態１と同様の構成であり、それぞれが透明基板１１−１及び１１−２上に、中間層３−１及び３−２と、銅薄膜電極５−１及び５−２をこの順に積層した構成となっている。

さらに各銅薄膜電極５−１及び５−２の構成も、先の実施形態１と同様であり、第１の電極層５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等、及び第２の電極層５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の電極層５−１と第２の電極層５−２との間は、第２の透明基板１１−２と第２の中間層３−２とによって絶縁性が確保された状態となっている。

また、積層された第１の透明基板１１−１と第２の透明基板１１−２との間は、ここでの図示を省略した接着剤によって貼り合せられていることとし、この接着剤によっても、第１の電極層５−１と第２の電極層５−２とが絶縁される。

以上のようなタッチパネル２１であっても、先の実施形態１のタッチパネルと同様に動作させることができる。

（タッチパネル２１の効果）
図８に示すような構成のタッチパネル２１であっても、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に説明した実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル２１を介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

〔実施形態２：１枚の透明基板を用いた構成〕
図９は、実施形態のタッチパネルの他の一例を説明するための断面模式図であり、図７のＡ−Ａ断面に相当する図である。図９に示すタッチパネル２１ａは、透明基板１１の上に第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を設けた構成であり、それ以外の構成は先の実施形態１と同様である。このため、先の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち、実施形態２で示すタッチパネル２１ａは、一枚の透明基板１１と、透明基板１１の一主面側に設けられた第１の透明電極１−１と、その上に設けられた第２の透明電極１−２とを有する。このうち第１の透明電極１−１は、中間層３−１及び銅薄膜電極５−１がこの順に透明基板１１の一主面上に積層された構成である。一方、第２の透明電極１−２は、中間層３−２及び銅薄膜電極５−２がこの順に第１の透明電極面上に積層された構成である。

透明基板１１は、先のタッチパネル用の透明電極で説明したと同様のものである。また第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を構成する上記の各層は、先の実施形態と同様のものである。

さらに各電極層５−１及び５−２の構成も、先の実施形態と同様であり、第１の電極層５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及び第２の電極層５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の電極層５−１と第２の電極層５−２との間は、第１の中間層３−１、透明基板１１、及び第２の中間層３−２によって絶縁性が確保された状態となっている。

以上のようなタッチパネル２１ａであっても、先の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

（タッチパネル２１ａの効果）
このような変形例１のタッチパネル２１ａあっても、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に説明した実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル２１ａを介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

〔実施形態３：透明基板の両面に１層ずつ透明電極を設けた構成〕
図１０は、実施形態のタッチパネルの他の一例を説明するための断面模式図であり、図７のＡ−Ａ断面に相当する図である。図１０に示すタッチパネル２１ｂは、透明基板１１の両面に第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を設けた構成であり、それ以外の構成は先の実施形態１及び２と同様である。このため、先の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち、実施形態３で示すタッチパネル２１ｂは、一枚の透明基板１１と、透明基板１１の一主面側に設けられた第１の透明電極１−１と、透明基板１１の他主面側に設けられた第２の透明電極１−２とを有する。このうち第１の透明電極１−１は、中間層３−１及び銅薄膜電極５−１がこの順に透明基板１１の一主面上に積層された構成である。一方、第２の透明電極１−２は、中間層３−２及び銅薄膜電極５−２がこの順に透明基板１１の他主面上に積層された構成である。

透明基板１１は、先のタッチパネル用の透明電極で説明したと同様のものである。また第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を構成する上記の各層は、先の実施形態と同様のものである。

さらに各電極層５−１及び５−２の構成も、先の実施形態と同様であり、第１の電極層５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及び第２の電極層５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の電極層５−１と第２の電極層５−２との間は、第１の中間層３−１、透明基板１１、及び第２の中間層３−２によって絶縁性が確保された状態となっている。

以上のようなタッチパネル２１ｂであっても、先の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

（タッチパネル２１ｂの効果）
このような変形例２のタッチパネル２１ｂあっても、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に説明した実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル２１ｂを介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

＜２．２液晶表示素子＞
図１１に、本発明の透明電極を用いた液晶表示素子の構成を示す概略断面図を示す。この液晶表示素子の構成は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

液晶表示素子は、一般に液晶表示装置、液晶ディスプレイともいい、液晶の駆動方式によって、ＳＴＮ、ＴＮ、ＯＣＢ、ＨＡＮ、ＶＡ（ＭＶＡ、ＰＶＡ）、ＩＰＳ、ＯＣＢなどの各種駆動方式の液晶表示装置が挙げられる。通常液晶ディプレイとしてＴＶや液晶パネル等に好ましく用いられる駆動方式はＶＡ（ＭＶＡ，ＰＶＡ）型液晶表示装置である。

図１１で示す液晶表示素子３１は、バックライト側から、偏光フィルター３２−１、ガラス基板３３−１、透明電極３４−１、配向膜３５−１、液晶３６、スペーサー３７、配向膜３５−２、透明電極３４−２、カラーフィルター３８、ガラス基板３３−２、偏光フィルター３２−２の構成であり、本発明の透明電極は十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ低シート抵抗値を有し、耐久性に優れていることから、上記透明電極３４−１及び３４−２として好ましく用いることができる。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。

実施例１
《透明電極の作製》
以下に説明するように、透明電極１０１〜１２５を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極１０１〜１０４は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極１０５〜１２５は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極１０１の作製
まず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅（Ｃｕ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚５ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性層を成膜し、単層構造の透明電極１０１を作製した。

（２）透明電極１０２〜１０４の作製
透明電極１０１の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極１０２〜１０４を作製した。
（ ３）透明電極１０５の作製
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記に示す比較化合物（１）をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、比較化合物（１）の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚２５ｎｍの比較化合物（１）からなる中間層を設けた。

次に、中間層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銅（Ｃｕ）の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚８ｎｍの銅からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１０５を作製した。

（４）透明電極１０６及び１０７の作製
透明電極１０５の作製において、中間層の構成材料をそれぞれ下記に示す比較化合物（２）及び（３）に変更した以外は同様にして、透明電極１０６及び１０７を作製した。

（１０）透明電極１１５〜１２２の作製
透明電極１０５の作製において、中間層の構成材料を比較化合物（１）から、表１に記載の化合物に変更し、導電性層の層厚を８ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極１１５〜１２２を作製した。

（１１）透明電極１２３〜１２５の作製
透明電極１２０〜１２２の作製において、基材を無アルカリガラスからＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極１２３〜１２５を作製した。

《透明電極の評価》
作製した透明電極１０１〜１２５について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値、耐久性（電極寿命）及びｐＨ１０の炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命の測定を行った。

（１）光透過率の測定
作製した各透明電極について、分光光度計（日立ハイテクフィールディング製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基材をリファレンスとして、波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。

測定結果を表１に示す。

（２）シート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／□）を測定した。

測定結果を表１に示す。

（３）電極寿命の測定
作製した各透明電極に、大気下において１０Ａの電流を流し続け、シート抵抗値が初期値の２倍のシート抵抗値になるのに要する時間を測定した。

なお、電極寿命は、透明電極１０６の電極寿命を１００とする相対値で示している。

（４）炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命
炭酸塩緩衝液として市販されている、炭酸塩ｐＨ標準液 (ｐＨ１０．０１)（和光純薬工業(株)） をビーカーに入れ、溶液の温度が２５℃を保つように調整した。

作製した透明電極を、導電性領域の面積（５ｃｍ×５ｃｍ）が炭酸塩緩衝液に完全に浸漬するようにして静置させ、２０分間おきに取り出してその都度シート抵抗値を測定した。

炭酸塩緩衝液浸漬下の電極寿命として、透明電極１０６（比較化合物（２））のシート抵抗値が初期値の２倍となるに要する時間を１００とする相対値を求めた。

透明電極の構成及び測定結果を表１に示す。

（５）まとめ
表１から明らかなように、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いた中間層上に銅（Ｃｕ）を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極１１５〜１２５は、いずれも光透過率が５５％以上であり、シート抵抗値が１６．１Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極１０１〜１０７は、光透過率が５５％未満のものがあり、しかもシート抵抗値が１６．１Ω／□を超えるものがあった。

また、耐久性（電極寿命）においても、本発明の透明電極１１５〜１２５が、比較例の透明電極１０１〜１０７と比較して、優れていることがわかる。

また、ｐＨ１０の炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命においても、本発明の透明電極１１５〜１２５が、比較例の透明電極１０１〜１０７と比較して、優れていることがわかる。

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

実施例２
《透明電極の作製》
実施例１と同様に、透明電極２０１〜２２３を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極２０１〜２０４は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極２０５〜２２３は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極２０１の作製
まず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅（Ｃｕ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚５ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性層を成膜し、単層構造の透明電極２０１を作製した。

（２）透明電極２０２〜２０４の作製
透明電極２０１の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２０２〜２０４を作製した。

（３）透明電極２０５の作製
透明な無アルカリガラス製の基材に、比較化合物（１）のトルエン溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、層厚２５ｎｍの比較化合物（１）からなる中間層を設けた。

この中間層上に、透明電極２０１と同様の方法にて、層厚８ｎｍの銅からなる導電性層を蒸着成膜して、透明電極２０５を作製した。

（４）透明電極２０６及び２０７の作製
透明電極２０５の作製において、中間層の構成材料をそれぞれ比較化合物（２）及び（３）に変更した以外は同様にして、透明電極２０６及び２０７を作製した。
（５）透明電極２０８の作製
透明電極２０５の作製において、中間層の構成材料を例示化合物（３）に変更し、導電性層の層厚を５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２０８を作製した。

（６）透明電極２０９〜２１１の作製
透明電極２０８の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２０９〜２１１を作製した。

（７）透明電極２１３〜２２０の作製
透明電極２０９の作製において、中間層の構成材料を表２に記載の例示化合物に変更した以外は同様にして、透明電極２１３〜２２０を作製した。
（８）透明電極２２１〜２２３の作製
透明電極２１８〜２２０の作製において、基材を無アルカリガラスからＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極２２１〜２２３を作製した。

《透明電極の評価》
作製した透明電極２０１〜２２３について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び耐久性（電極寿命）の測定を行った。

（１）光透過率及びシート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、実施例１と同様にして、光透過率（％）及びシート抵抗値（Ω／□）を測定した。

測定結果を表２に示す。

（２）電極寿命の測定
作製した各透明電極に、大気下において８Ａの電流を流し続け、シート抵抗値が初期値の２倍のシート抵抗値になるのに要する時間を測定した。

（３）炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命
実施例１と同様に温度２５℃、ｐＨ１０の炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命について、シート抵抗値が浸漬前の２倍になるのに要する時間を測定した。

透明電極の構成及測定結果を表２に示す。

なお、電極寿命は、透明電極２０６の電極寿命を１００とする相対値で示している。

（４）まとめ
表２から明らかなように、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いた中間層上に銅（Ｃｕ）を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極２０８〜２２３は、いずれも光透過率が５４％以上であり、シート抵抗値が１７．１Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極２０１〜２０７は、光透過率が５４％未満のものがあり、しかもシート抵抗値が１７．１Ω／□を超えるものがあった。

また、耐久性（電極寿命）においても、本発明の透明電極２０８〜２２３が、比較例の透明電極２０１〜２０７と比較して、優れていることがわかる。

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

実施例３
《透明電極の作製》
実施例１と同様に、透明電極３０１〜３１８を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極３０１及び３０２は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極３０３〜３１８は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極３０１の作製
透明な無アルカリガラス製の基材上に、導電性層材料として銅ナノインク（石原ケミカル株式会社）０．１ｍＬを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１３０℃で５分間焼成し、層厚１２ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性層を形成し、単層構造の透明電極３０１を作製した。

（２）透明電極３０２の作製
透明電極３０１の作製において、導電性層の層厚を２０ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極３０２を作製した。

（３）透明電極３０３の作製
無アルカリガラス製の基材上に、比較化合物（１）のトルエン溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、層厚４０ｎｍの比較化合物（１）からなる中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として銅ナノインク（石原ケミカル株式会社）０．１ｍＬを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１３０℃で５分間焼成し、層厚１２ｎｍの銅からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極３０３を作製した。

（４）透明電極３０４〜３１５の作製
透明電極３０３の作製において、中間層の構成材料をそれぞれ表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極３０４〜３１５を作製した。なお、透明電極３０７の導電性層の層厚は、２０ｎｍとした。

（５）透明電極３１６〜３１８の作製
透明電極３１３〜３１５の作製において、基材を無アルカリガラスからＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極３１６〜３１８を作製した。

《透明電極の評価》
（１）光透過率、シート抵抗値及び電極寿命の測定
作製した各透明電極について、実施例１と同様にして、光透過率（％）、シート抵抗値（Ω／□）、電極寿命及び炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命を測定した。なお、電極寿命は、透明電極３０４の電極寿命を１００とする相対値で示している。

透明電極の構成及測定結果を表３に示す。

（２）まとめ
表３から明らかなように、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いた中間層上に銅（Ｃｕ）を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極３０６〜３１８は、いずれも光透過率が５５％以上であり、シート抵抗値が１６．１Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極３０１〜３０５は、光透過率が５５％未満のものがあり、しかもシート抵抗値が１６．１Ω／□を超えるものがあった。

また、耐久性（電極寿命）においても、本発明の透明電極３０６〜３１８が、比較例の透明電極３０１〜３０５と比較して、優れていることがわかる。

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

実施例４
《透明電極の作製》
実施例１と同様に、透明電極４０１〜４２１を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極４０１〜４０４は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極４０５〜４２１は、第１中間層、第２中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極４０１の作製
まず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅（Ｃｕ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚５ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる導電性層を成膜し、単層構造の透明電極４０１を作製した。

（２）透明電極４０２〜４０４の作製
透明電極４０１の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極４０２〜４０４を作製した。

（３）透明電極４０５の作製
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物である化合物（１８）をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。次いで、真空蒸着装置の第１真空槽を真空度４×１０^−４Ｐａまで減圧し、上記材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚２０ｎｍの芳香族複素環化合物（１８）からなる第２中間層２ａ２を設けた。

次いで、実施例１の透明電極１１２の作製と同様にして、比較化合物（１）の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚５ｎｍの比較化合物（１）からなる第１中間層２ａ１を設けた。

次に、第１中間層２ａ１まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銅（Ｃｕ）の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚８ｎｍの銅からなる導電性層１ｂを形成し、第２中間層２ａ２、第１中間層２ａ１及び導電性層１ｂの積層構造からなる透明電極４０５を作製した。

（４）透明電極４０６及び４０７の作製
透明電極４０５の作製において、第１中間層２ａ１の構成材料をそれぞれ比較化合物（２）及び（３）に変更した以外は同様にして、透明電極４０６及び４０７を作製した。

（６）透明電極４１２及び４１３の作製
透明電極４０８の作製において、第１中間層２ａ１の構成材料をそれぞれ例示化合物（５６）及び例示化合物（７７）に、導電性層１ｂの層厚をそれぞれ１０ｎｍ及び１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極４１２及び４１３を作製した。

（８）透明電極４１６〜４１８の作製
透明電極４０８の作製において、第１中間層２ａ１の構成材料をそれぞれ例示化合物（１０８）、例示化合物（１９１）及び例示化合物（２５８）に変更した以外は同様にして、透明電極４１６〜４１８を作製した。

（８）透明電極４１９〜４２１の作製
透明電極４０８の作製において、基材を無アルカリガラスからＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに、第１中間層２ａ１の構成材料をそれぞれ例示化合物（１０８）、例示化合物（１９１）及び例示化合物（２５８）に変更した以外は同様にして、透明電極４１９〜４２１を作製した。

《透明電極の評価》
作製した透明電極４０１〜４２１について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び耐久性（電極寿命）の測定を行った。

（１）光透過率及びシート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、実施例１と同様にして、光透過率（％）及びシート抵抗値（Ω／□）を測定した。

透明電極の構成及び測定結果を表４に示す。

（２）炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命
実施例１と同様に温度２５℃、ｐＨ１０の炭酸塩緩衝液に浸漬下の電極寿命について、シート抵抗値が浸漬前の２倍になるのに要する時間を測定した。

測定結果を表４に示す。

なお、電極寿命は、透明電極４０６の電極寿命を１００とする相対値で示している。

（３）まとめ
表４から明らかなように、１配位〜４配位のいずれかである金属錯体を用いた中間層上に銅（Ｃｕ）を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極４１２、４１３及び４１６〜４２１は、いずれも光透過率が６１％以上であり、シート抵抗値が１３．８Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極４０１〜４０７は、光透過率が６１％未満のものがあり、しかもシート抵抗値が１３．８Ω／□を超えるものがあった。

また、耐久性（電極寿命）においても、本発明の透明電極４１２、４１３及び４１６〜４２１は、比較例の透明電極４０１〜４０７と比較して、優れていることがわかる。

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

１ 透明電極
１ａ 中間層
１ｂ 導電性層
２ 透明電極
２ａ 中間層
２ａ１ 第１中間層
２ａ２ 第２中間層
１−１、１−２ 透明電極
３、３Ａ、３Ｂ、３−１、３−２ 中間層
５、５−１、５−２ 銅薄膜電極
５ｘ１、５ｘ２、５ｘ３等 ｘ電極パターン（第１の銅薄膜電極）
５ｙ１，５ｙ２、５ｙ３等 ｙ電極パターン（第２の銅薄膜電極）
６ レジスト膜
７ マスク
８ 露光機
９ エッチング液
１１、１１−１、１１−２ 透明基板
１３ 前面板
１５ 接着剤
１７、１７ｘ，１７ｙ 配線
２１、２１ａ タッチパネル
３１ 液晶表示素子
３２−１、３２−２ 偏光フィルター
３３−１、３３−２ ガラス基板
３４−１、３４−２ 透明電極
３５−１、３５−２ 配向膜
３６ 液晶
３７ スペーサー

Claims (13)

1. 透明な導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の透明な中間層との積層構造を有する透明電極であって、
   前記透明電極の波長５５０ｎｍでの光透過率が、５０％以上であり、
   前記導電性層が、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分として構成され、
   前記中間層が、１配位、２配位、３配位及び４配位のいずれかである金属錯体からなり、かつ、当該金属錯体が下記一般式（１）〜（５）のいずれかで表される構造を有する低分子化合物であることを特徴とする透明電極。
   

   

   

   

   

   

   〔一般式（１）〜（５）中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）のいずれか一種であり、多座配位子と共有結合及び配位結合を形成している。多座配位子は、互いに結合して三座配位子又は四座配位子となってもよい。Ｌは、補助配位子を表し、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している。ｎは、０〜２の整数を表す。ｎが１のとき、Ｌは単座配位子又は多座配位子のいずれであってもよく、ｎが２のとき、Ｌは同一であっても異なっていてもよいが、分子全体における電荷は中性である。〕
2. 前記金属が、銅であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
3. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（１−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（１−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｌ_１及びＬ_２は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。〕
4. 前記一般式（２）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（２−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（２−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_３及びＲ_４ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｒ_５〜Ｒ_１２ で表される置換基としては、それぞれ独立に、前記Ｒ _３ 及びＲ _４ と同義の置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。〕
5. 前記一般式（３）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（３−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（３−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｘ_１〜Ｘ_４は、それぞれ独立に、−ＣＲ_２１又は窒素原子を表し、Ｒ_２１は、水素原子又は置換基を表し、置換基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。Ｒ_１３〜Ｒ_２０ で表される置換基としては、それぞれ独立に、前記Ｒ _２１ と同義の置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。〕
6. 前記一般式（４）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（４−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（４−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_２２〜Ｒ_２５ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表す。環Ａは、窒素原子及び炭素原子とともに形成される五員又は六員の芳香族複素環を表し、更に前記Ｒ _２２ 〜Ｒ _２５ と同義の置換基を有していてもよく、それらの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Ｌ_３及びＬ_４は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。〕
7. 前記一般式（５）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（５−１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
   

   

   〔一般式（５−１）中、Ｍは前記遷移金属原子を表す。Ｒ_２６〜Ｒ_２９ で表される置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、又は亜リン酸エステル基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ_５及びＸ_６は、それぞれ独立に、−ＣＲ_３０又は窒素原子を表し、Ｒ_３０は水素原子又は前記Ｒ _２６ 〜Ｒ _２９ と同義の置換基を表す。Ｒ_３１は、水素原子又は前記Ｒ _２６ 〜Ｒ _２９ と同義の置換基を表す。Ｌ_５及びＬ_６は、Ｍと共有結合又は配位結合を形成している配位子を表し、互いに結合して二座配位子を形成してもよい。〕。
8. 前記遷移金属原子が、Ｃｕ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明電極。
9. 前記遷移金属原子が、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）及びＡｕ（III）の中から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする請求項８に記載の透明電極
10. 前記遷移金属原子が、Ａｕ（III）であることを特徴とする請求項９に記載の透明電極。
11. 前記中間層が、前記導電性層側から順に、第１中間層及び第２中間層の２層から構成され、
    前記第１中間層が、前記金属錯体を含有する層であり、
    前記第２中間層が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物を含有する層であり、
    前記第１中間層の層厚が、０．５〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずかれ一項に記載の透明電極。
12. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の透明電極を製造する透明電極の製造方法であって、
    前記導電性層を、銅、金、又は白金のいずれかの金属を主成分とし、かつ有機溶媒を含有する導電性インクを用いて、湿式法により形成することを特徴とする透明電極の製造方法。
13. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の透明電極が備えられたことを特徴とする電子デバイス。

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