JP6347446B2 - 横結合型多重モードモノリシックフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、横結合型多重モードモノリシックフィルタに関する。

高周波通信用システムは、より高速および大容量の通信を行なうため、例えば２ＧＨｚ以上の高周波帯が使用されている。高周波数用のフィルタとして高音速の圧電膜を用いた横結合型多重モードモノリシックフィルタが知られている。横結合型多重モードモノリシックフィルタにおいては、圧電膜を挟んでグランド電極と信号電極とが形成される。信号電極は、複数の信号が印加される複数の電極を有する（例えば特許文献１および２）。

特開２００９−１８８４８４号公報 特開２００９−１８８５９９号公報

しかしながら、フィルタの入出力インピーダンスを調整するときに、信号電極のアスペクト比が大きくなってしまう場合がある。信号電極のアスペクト比が大きくなると、圧電膜に応力が集中しクラック等が生じるおそれがある。または、信号電極の側方に弾性波が漏れるおそれがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信号電極のアスペクト比を小さくすること、または弾性波の漏洩を抑制することを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上に形成された圧電膜と、前記圧電膜の第１面側に形成されたグランド電極と、前記圧電膜の前記第１面の反対の面である第２面側に形成され、各々が第１電極指および第２電極指を含み、互いに並列に接続された複数の信号電極と、を具備し、前記第１電極指および前記第２電極指は、互いに電位が異なり、前記複数の信号電極のうち隣接する信号電極は、前記第１電極指のピッチおよび前記第２電極指のピッチより大きな距離離れていることを特徴とする横結合型多重モードモノリシックフィルタである。

上記構成において、前記隣接する信号電極の間において前記圧電膜の少なくとも一部が除去されている構成とすることができる。

上記構成において、前記隣接する信号電極の間の前記圧電膜中に形成され、前記圧電膜とは異なる誘電体膜を具備する構成とすることができる。

上記構成において、それぞれが前記隣接する信号電極に含まれる隣接する電極指は同電位である構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の信号電極が単一の空隙上形成されるように前記グランド電極、前記圧電膜および前記複数の信号電極の下に、前記圧電膜を伝搬する弾性波を反射する前記空隙が形成される構成とすることができる。

上記構成において、前記信号電極は、前記第１電極指および前記第２電極指とは異なる電位の第３電極指を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の信号電極は、電気回路として並列接続されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第１電極指のピッチおよび前記第２電極指のピッチは、各々平均値である構成とすることができる。

本発明によれば、信号電極のアスペクト比を小さくすること、または弾性波の漏洩を抑制することができる。

図１（ａ）は、比較例１に係るフィルタの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、位置に対する圧電膜内の変位を示す図であり、図２（ｃ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。 図３（ａ）は、比較例２に係るフィルタの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、位置に対する圧電膜内の変位を示す図であり、図４（ｄ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。 図５（ａ）は、比較例３に係るフィルタの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図６（ａ）は、比較例４に係るフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図７（ａ）は、比較例３に係る別のフィルタの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図８（ａ）は、実施例１に係るフィルタの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図９（ａ）は、実施例１の変形例１に係るフィルタの平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１０（ａ）は、実施例１の変形例２に係るフィルタの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１１（ａ）は、実施例１の変形例３に係るフィルタの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１２（ａ）は、実施例１の変形例４に係るフィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１３（ａ）は、実施例２に係るフィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１４（ａ）は、実施例２の変形例１に係るフィルタの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１５（ａ）は、実施例２の変形例２に係るフィルタの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、それぞれ実施例３および実施例３の変形例１に係るフィルタの断面図である。

まず、比較例に係る横結合型多重モードモノリシックフィルタについて説明する。図１（ａ）は、比較例１に係るフィルタの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は、圧電膜１４を透過して図示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面を模式的に示した断面図であり、図１（ａ）と図１（ｂ）とは、細部までは対応していない。以下の図も同様である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、フィルタ１１０において、基板１０上に圧電膜１４が形成されている。圧電膜１４の第１面（図１（ｃ）および図１（ｄ）では下面）側にグランド電極１２が形成されている。圧電膜１４の第１面と反対の面である第２面（図１（ｃ）および図１（ｄ）では上面）側に信号電極１８が形成されている。グランド電極１２はグランド電位が供給される電極である。信号電極１８は、電極指１６ａおよび１６ｂを有する。電極指１６ａと１６ｂとは異なる電位である。基板１０とグランド電極１２との間には空隙３０が形成されている。

図２（ａ）および図２（ｂ）は、位置に対する圧電膜内の変位を示す図であり、図２（ｃ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。図２（ａ）および図２（ｂ）において、位置は、図１（ａ）のＡ−Ａの方向の位置であり、変位は圧電膜１４中の弾性波による変位である。図２（ｃ）において、減衰量は、電極指１６ａと１６ｂとの間を通過する高周波信号の減衰量である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、電極指１６ａおよび１６ｂに高周波信号を印加することで、圧電膜１４内には、圧電的に対称な対称モードＳ０と反対称な反対称モードＡ０が励起される。図２（ｃ）に示すように、減衰特性は、対称モードＳ０および反対称モードＡ０に相当する周波数で減衰量が小さくなり、その他の周波数で減衰量が大きくなる。これにより、フィルタ１１０は、バンドパスフィルタとして機能する。

図３（ａ）は、比較例２に係るフィルタの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、フィルタ１１２において、信号電極１８は、電極指１６ａおよび１６ｂと異なる電位の電極指１６ｃを有している。電極指１６ａから１６ｃの間隔は同じである。その他の構成は比較例１と同じであり、説明を省略する。

図４（ａ）から図４（ｃ）は、位置に対する圧電膜内の変位を示す図であり、図４（ｄ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。図４（ａ）から図４（ｃ）に示すように、電極指１６ｃをグランド電位とし、電極指１６ａおよび１６ｂに高周波信号が印加されると、圧電膜１４内には、圧電的に対称な２つの対称モードＳ０およびＳ１と反対称な反対称モードＡ０が励起される。図４（ｄ）に示すように、フィルタ特性は、２つの対称モードＳ０およびＳ１つの反対称モードＡ０によりバンドパスフィルタ特性となる。

図５（ａ）は、比較例３に係るフィルタの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、フィルタ１１４において、電極指１６ａが複数形成され、電極指１６ｂが複数形成される。隣接する電極指は異なる電位となるように電極指１６ａおよび１６ｂが配列している。このように、電極指１６ａと１６ｂとが多数の対を形成している。その他の構成は比較例１と同じであり説明を省略する。

図６（ａ）は、比較例４に係るフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、フィルタ１１６において、電極指１６ａが複数形成され、電極指１６ｂが複数形成され、電極指１６ｃが複数形成されている。このように、電極指１６ａ、１６ｂおよび１６ｃが多数のグループを形成している。その他の構成は比較例２と同じであり説明を省略する。

比較例３および４のように、電極指１６ａから１６ｃはそれぞれ複数であってもよい。これにより、比較例１および２と比べ、位相変化を急峻にできる。

比較例３を例に、フィルタを設計するときの入出力インピーダンスの設計方法を説明する。図７（ａ）は、比較例３に係る別のフィルタの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ｂ）に示すように、フィルタ１１４の信号電極１８の入出力インピーダンスは、電極指１６ａおよび１６ｂとグランド電極１２との間の容量値Ｃによりほぼ決まる。そこで、図７（ａ）に示すように、入出力インピーダンスは、電極指１６ａと１６ｂとが重なる幅である電極交叉幅Ｗにより設定する。電極交叉幅Ｗを大きくすると容量値Ｃが大きくなり、入出力インピーダンスが小さくなる。電極交叉幅Ｗを小さくすると容量値Ｃが小さくなり、入出力インピーダンスが大きくなる。

電極指１６ａおよび１６ｂの対数を多くすることにより入出力インピーダンスを小さくする方法も考えられる。しかし、対数を変えると、通過特性および減衰特性等のフィルタ特性が大きく変化してしまう。よって、フィルタ特性を変化させず入出力インピーダンスを設計するためには、電極交叉幅Ｗにより、入出力インピーダンスを設定することとなる。

しかしながら、電極交叉幅Ｗを大きくすると、信号電極１８のアスペクト比Ｗ／Ｌが大きくなる。アスペクト比が大きくなると圧電膜１４に応力が集中し、圧電膜１４にクラックが生じるおそれがある。例えば、電極指１６ａおよび１６ｂが単一の空隙３０上に形成される構造では、圧電膜１４に応力が集中したときに圧電膜１４が破損し易くなる。

図８（ａ）は、実施例１に係るフィルタの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、フィルタ１００において、信号電極１８ａは電極指１６ａおよび電極指１６ｂを含み、信号電極１８ｂは電極指１６ａおよび１６ｂを含む。信号電極１８ａおよび１８ｂは単一の空隙３０上に形成されている。信号電極１８ａと１８ｂとの間には電極指１６ａおよび１６ｂが形成されていないギャップ領域２２が形成されている。その他の構成は、比較例３と同じであり、説明を省略する。

基板１０としては、例えばシリコン基板もしくはＧａＡｓ基板等の半導体基板、または石英基板、ガラス基板もしくはセラミックス基板等の絶縁基板を用いることができる。グランド電極１２および信号電極１８としては、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｔ（白金）、Ｒｈ（ロジウム）またはＩｒ（イリジウム）等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。

圧電膜１４としては、（００２）方向を主軸とするＡｌＮ（窒化アルミニウム）膜、ＺｎＯ（酸化亜鉛）膜、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）膜、ＰｂＴｉＯ₃（チタン酸鉛）膜等を用いることができる。また、圧電膜１４がＡｌＮ膜の場合、共振特性の向上または圧電性の向上のため他の元素を含んでもよい。例えば、添加元素として、Ｓｃ（スカンジウム）、２価の元素と４価の元素との２つの元素、または２価と５価との２つの元素を用いることにより、圧電膜１４の圧電性が向上する。２価の元素は、例えばＣａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）またはＺｎ（亜鉛）である。４価の元素は、例えばＴｉ、Ｚｒ（ジルコニウム）またはＨｆ（ハフニウム）である。５価の元素は、例えばＴａ、Ｎｂ（ニオブ）またはＶ（バナジウム）である。

実施例１によれば、複数の信号電極１８ａおよび１８ｂが形成されている。信号電極１８ａおよび１８ｂは並列に配列されている。信号電極１８ａおよび１８ｂは、電気回路として並列接続されている。これにより、図８（ｂ）のように、グランド電極１２に対向する電極指１６ａ（第１電極指）および１６ｂ（第２電極指）の数が増えるため、比較例３と比べ電極交叉幅Ｗを小さくしても信号電極１８とグランド電極１２との間の容量値を大きくできる。よって信号電極１８のアスペクト比Ｗ／Ｌを比較例３より小さくできる。よって、圧電膜１４に応力が集中することを抑制し、圧電膜１４の破損を抑制できる。

さらに、隣接する信号電極１８ａおよび１８ｂは複数の電極指１６ａおよび１６ｂのピッチＰより大きな距離Ｇ離れている。これにより、信号電極１８ａから放射される弾性波がギャップ領域２２において減衰して信号電極１８ｂに至る。これにより、信号電極１８ａの特性が信号電極１８ｂから放射された弾性波により乱されることを抑制できる。このように、信号電極１８ａと１８ｂとの間の干渉を抑制できる。したがって、信号電極を１つ設けた場合と複数設けた場合との特性の差を小さくできる。また、１つの信号電極のインピーダンスに信号電極１８ａおよび１８ｂの個数を乗じることにより、簡単に入出力インピーダンスを設定できる。なお、例えば、複数の電極指１６ａおよび１６ｂの中でピッチが異なる場合、隣接する信号電極１８ａおよび１８ｂは複数の電極指１６ａおよび１６ｂの平均値のピッチＰより大きな距離Ｇ離れていればよい。

信号電極１８ａおよび１８ｂに印加される高周波信号が２ＧＨｚ程度の場合、圧電膜１４の膜厚は約１μｍ、ピッチＰは約３μｍ、距離Ｇは約１０μｍである。

図９（ａ）は、実施例１の変形例１に係るフィルタの平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、フィルタ１０１においては、ギャップ領域２２に圧電膜１４が除去された凹部２４が形成されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例１の変形例１によれば、隣接する信号電極１８ａおよび１８ｂの間において圧電膜１４の少なくとも一部が除去されている。凹部２４は、信号電極１８ａが放射した弾性波が信号電極１８ｂに到達することを抑制する。これにより、例えば、ギャップ領域２２の距離Ｇが小さくとも信号電極１８ａと１８ｂとの干渉を抑制できる。よって、フィルタをより小型化できる。

凹部２４は、圧電膜１４を上下に貫通していてもよいし、凹部２４の下に圧電膜１４が残存していてもよい。凹部２４は、電極交叉幅Ｗより長くてもよいし、電極交叉幅Ｗより短くてもよい。

図１０（ａ）は、実施例１の変形例２に係るフィルタの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、フィルタ１０２においては、ギャップ領域２２の圧電膜１４内に誘電体膜２６が形成されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例１の変形例２によれば、隣接する信号電極１８ａおよび１８ｂの間の圧電膜１４中に圧電膜１４とは異なる誘電体膜２６が形成されている。誘電体膜２６は、信号電極１８ａが放射した弾性波が信号電極１８ｂに到達することを抑制する。これにより、例えば、ギャップ領域２２の距離Ｇが小さくとも信号電極１８ａと１８ｂとの干渉を抑制できる。よって、フィルタをより小型化できる。

誘電体膜２６としては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化アルミニウム膜等を用いることができる。誘電体膜２６は、膜厚方向に圧電膜１４の少なくとも一部に形成されていればよい。誘電体膜２６は、電極交叉幅Ｗより長くてもよいし、電極交叉幅Ｗより短くてもよい。

図１１（ａ）は、実施例１の変形例３に係るフィルタの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、フィルタ１０３においては、ギャップ領域２２を挟み隣接する電極指が電極指１６ｂである。

実施例１の変形例２によれば、それぞれが隣接する信号電極１８ａおよび１８ｂに含まれる隣接する電極指１６ａまたは１６ｂは同電位である。これにより、信号電極１８ａから信号電極１８ｂに放射される弾性波と、信号電極１８ｂから信号電極１８ａに放射される弾性波と、は位相が反転する。これにより、信号電極１８ａの特性が信号電極１８ｂから放射された弾性波により乱されることを抑制できる。これにより、例えば、ギャップ領域２２の距離Ｇが小さくとも信号電極１８ａと１８ｂとの干渉を抑制できる。よって、フィルタをより小型化できる。

図１２（ａ）は、実施例１の変形例４に係るフィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、フィルタ１０４においては、信号電極１８ａおよび１８ｂは、電極指１６ａから１６ｃを有する。電極指１６ａから１６ｃは、それぞれ電位が異なる。例えば電極指１６ｃにはグランド電位が供給される。

実施例１の変形例４によれば、信号電極１８ａおよび１８ｂは、電極指１６ａおよび１６ｂとは異なる電位の電極指１６ｃを含む。このように、比較例４の信号電極１８ａおよび１８ｂを２つ以上、電気回路として並列接続してもよい。

実施例１の変形例４のように、実施例１およびその変形例１から３において、信号電極１８ａおよび１８ｂの各々に含まれる電極指には、２以上の異なる電位が印加されればよい。

実施例１およびその変形例において、信号電極１８ａおよび１８ｂは、３以上電気回路として並列接続されていてもよい。信号電極１８ａに含まれる電極指１６ａおよび１６ｂは比較例１のようにそれぞれ１本でもよく、複数でもよい。信号電極１８ｂに含まれる電極指１６ａおよび１６ｂについても同様である。

図１３（ａ）は、実施例２に係るフィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、フィルタ１０５において、信号電極１８は１つである。信号電極１８の電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向に凹部２４が形成されている。凹部２４の構成は、実施例１の変形例１と同じである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例２によれば、複数の電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向の外側において圧電膜１４の少なくとも一部が除去されている。これにより、信号電極１８の放射した弾性波が信号電極１８の側方に伝搬することを抑制できる。よって、例えば、信号電極１８に隣接する信号電極と干渉することを抑制できる。なお、凹部２４は、信号電極１８の両側のうち一方に設けられていればよい。実施例１およびその変形例においても、最も外側の信号電極１８の外側に凹部２４を設けることができる。

図１４（ａ）は、実施例２の変形例１に係るフィルタの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、フィルタ１０６において、信号電極１８は１つである。信号電極１８の電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向に誘電体膜２６が形成されている。誘電体膜２６の構成は、実施例１の変形例２と同じである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例２の変形例１によれば、圧電膜１４とは異なる誘電体膜２６が電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向の外側の圧電膜１４中に形成されている。これにより、信号電極１８の放射した弾性波が信号電極１８の側方に伝搬することを抑制できる。よって、例えば、信号電極１８に隣接する信号電極との干渉することを抑制できる。なお、誘電体膜２６は、信号電極１８の両側のうち一方に設けられていればよい。実施例１およびその変形例においても、最も外側の信号電極１８の外側に誘電体膜２６を設けることができる。

図１５（ａ）は、実施例２の変形例２に係るフィルタの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、フィルタ１０７において、信号電極１８は１つである。信号電極１８の電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向に逆相電極２０が形成されている。逆相電極２０は、電極指１６ａと同電位の電極指２１ａと電極指１６ｂと同電位の電極指２１ｂを含む。逆相電極２０は、信号電極１８が側方に放射する弾性波と逆相の弾性波を信号電極１８に放射する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例２の変形例２によれば、電極指１６ａおよび１６ｂの配列方向の外側に逆相電極２０が設けられている。逆相電極２０は、電極指１６ａと同電位の電極指２１ａ（第３電極指）と電極指１６ｂと同電位の電極指２１ｂ（第４電極指）を含む。電極指１６ａまたは１６ｂと電極指２１ａまたは２１ｂとのうち隣接する電極指は同電位である。このように、同電位の電極指１６ａと２１ａが連続し、同電位の電極指１６ｂと２１ｂが連続する。これにより、信号電極１８の放射した弾性波と電極指２１ａまたは２１ｂが放射した弾性波が補償し、信号電極１８の放射した弾性波が信号電極１８の側方に伝搬することを抑制できる。よって、例えば、信号電極１８に隣接する信号電極との干渉することを抑制できる。隣接する電極指１６ａと２１ａとの距離は、信号電極１８内の電極指１６ａと１６ｂとの距離と同じでもよいし、異なっていてもよい。逆相電極２０は、信号電極１８の両側のうち一方に設けられていればよい。実施例１およびその変形例においても、最も外側の信号電極１８の外側に逆相電極２０を設けることができる。

実施例２およびその変形例において、比較例４のように、電極指は、電極指１６ａおよび１６ｂとは異なる電位の電極指１６ｃを含んでもよい。このように、信号電極１８に含まれる電極指には、２以上の異なる電位が印加されればよい。また、信号電極１８含まれる電極指１６ａおよび１６ｂは比較例１のようにそれぞれ１本でもよく、複数でもよい。

実施例３およびその変形例は、空隙の構成を変えた例である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、それぞれ実施例３および実施例３の変形例１に係るフィルタの断面図である。図１６（ａ）に示すように、基板１０の上面に窪みが形成されている。グランド電極１２は、基板１０上に平坦に形成されている。これにより、空隙３０が、基板１０の窪みに形成されている。空隙３０は信号電極１８ａおよび１８ｂを含むように形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。空隙３０は、基板１０を貫通するように形成されていてもよい。なお、グランド電極１２の下面に絶縁膜が接して形成されていてもよい。すなわち、空隙３０は、基板１０とグランド電極１２に接する絶縁膜との間に形成されていてもよい。絶縁膜としては、例えば窒化アルミニウム膜を用いることができる。

図１６（ｂ）に示すように、グランド電極１２下に音響反射膜３１が形成されている。音響反射膜３１は、音響インピーダンスの低い膜３０ａと音響インピーダンスの高い膜３０ｂとが交互に設けられている。膜３０ａおよび３０ｂの膜厚は例えばそれぞれλ／４（λは弾性波の波長）である。膜３０ａと膜３０ｂの積層数は任意に設定できる。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。

なお、実施例１から２およびその変形例において、実施例３と同様に空隙３０を形成してもよく、実施例３の変形例１と同様に空隙３０の代わりに音響反射膜３１を形成してもよい。空隙３０および音響反射膜３１は、圧電膜１４内を伝搬する弾性波を反射する反射部として機能する。

実施例１から３およびその変形例においては、グランド電極１２が圧電膜１４の下面側、信号電極１８が圧電膜１４の上面側に形成されているが、グランド電極１２が圧電膜１４の上面側、信号電極１８が圧電膜１４の下面側に形成されていてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１２ グランド電極
１４ 圧電膜
１６ａ，１６ｂ、１６ｃ 電極指
１８ 信号電極
２０ 逆相電極
２１ａ、２１ｂ 電極指
２２ ギャップ領域
２４ 凹部
２６ 誘電体膜
３０ 空隙
３１ 音響反射膜

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された圧電膜と、
   前記圧電膜の第１面側に形成されたグランド電極と、
   前記圧電膜の前記第１面の反対の面である第２面側に形成され、各々が第１電極指および第２電極指を含み、互いに並列に接続された複数の信号電極と、
   を具備し、
   前記第１電極指および前記第２電極指は、互いに電位が異なり、
   前記複数の信号電極のうち隣接する信号電極は、前記第１電極指のピッチおよび前記第２電極指のピッチより大きな距離離れていることを特徴とする横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
2. 前記隣接する信号電極の間において前記圧電膜の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする請求項１記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
3. 前記隣接する信号電極の間の前記圧電膜中に形成され、前記圧電膜とは異なる誘電体膜を具備することを特徴とする請求項１記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
4. それぞれが前記隣接する信号電極に含まれる隣接する電極指は同電位であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
5. 前記複数の信号電極が単一の空隙上形成されるように前記グランド電極、前記圧電膜および前記複数の信号電極の下に、前記圧電膜を伝搬する弾性波を反射する前記空隙が形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
6. 前記複数の信号電極は、前記第１電極指および前記第２電極指の配列する方向に配列していることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
7. 前記複数の信号電極はバンドパスフィルタとして機能することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
8. 前記複数の信号電極のうち隣接する信号電極の間には、他の電極指の設けられていない領域であるギャップ領域が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
9. 前記信号電極は、前記第１電極指および前記第２電極指とは異なる電位の第３電極指を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
10. 前記複数の信号電極は、電気回路として並列接続されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。
11. 前記第１電極指のピッチおよび前記第２電極指のピッチは、各々平均値であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項記載の横結合型多重モードモノリシックフィルタ。

Images