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JP6366289B2 - Status reporting apparatus, substrate processing apparatus, and status reporting method - Google Patents
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JP6366289B2 - Status reporting apparatus, substrate processing apparatus, and status reporting method - Google Patents

Status reporting apparatus, substrate processing apparatus, and status reporting method Download PDF

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Description

本発明は、状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法に関するものである。   The present invention relates to a status report device, a substrate processing apparatus, and a status report method.

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置が挙げられる。   In recent years, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer. As an example of the substrate processing apparatus, there is a CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus for polishing a substrate.

CMP装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード/アンロードユニットなどを備える。   The CMP apparatus is a polishing unit for performing a polishing process on a substrate, a cleaning unit for performing a cleaning process and a drying process on a substrate, a substrate that is transferred to the polishing unit and receives a substrate that has been cleaned and dried by the cleaning unit. Equipped with a load / unload unit.

基板処理装置は、ホストコンピュータとLANケーブルなどを介して接続されている。基板処理装置は、ホストコンピュータから送られる指令に基づいて、基板の研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。また、基板処理装置は、基板処理装置の状態を示すデータをホストコンピュータへ送信する。ホストコンピュータは、基板処理装置から受信したデータに基づいて基板処理装置を管理する。   The substrate processing apparatus is connected to a host computer via a LAN cable or the like. The substrate processing apparatus sequentially performs various processes such as polishing, cleaning, and drying of the substrate based on a command sent from the host computer. The substrate processing apparatus transmits data indicating the state of the substrate processing apparatus to the host computer. The host computer manages the substrate processing apparatus based on the data received from the substrate processing apparatus.

基板処理装置とホストコンピュータ間の通信は、例えばSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)などの通信規格に準拠しているのが一般的である。例えば、基板は自動的に基板処理装置の各ユニットへ搬送され、ホストコンピュータから指示された処理条件に基づいて処理される。また、例えば、基板処理装置の状態変化をホストコンピュータに通知するために、SEMIの通信規格にあるイベントレポートが使用される。   Communication between the substrate processing apparatus and the host computer is generally based on a communication standard such as SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International). For example, the substrate is automatically transferred to each unit of the substrate processing apparatus and processed based on processing conditions instructed by the host computer. Further, for example, an event report in the SEMI communication standard is used to notify the host computer of a change in the state of the substrate processing apparatus.

イベントレポートとは、基板処理装置の状態変化をホストコンピュータに報告するために使用されるものである。イベントレポートでは、例えば「プロセスが開始された」など基板処理装置の状態が変化(イベント)するたびに、基板処理装置の状態の変化がホストコンピュータへ報告される。種々の状態変化を識別するために、基板処理装置の通信仕様書には、基板処理装置が報告可能なイベントID(CEID)が定義されている。また、基板処理装置の通信仕様書には、基板処理装置の状態変化に付加して報告できる変数(VID)が定義されている。変数(VID)には、例えば、キャリアIDやロットIDなど様々な情報が含まれる。   The event report is used to report a change in the state of the substrate processing apparatus to the host computer. In the event report, for example, whenever the state of the substrate processing apparatus changes (event) such as “process started”, the change in the state of the substrate processing apparatus is reported to the host computer. In order to identify various state changes, an event ID (CEID) that can be reported by the substrate processing apparatus is defined in the communication specification of the substrate processing apparatus. The communication specification of the substrate processing apparatus defines a variable (VID) that can be reported in addition to a change in the state of the substrate processing apparatus. The variable (VID) includes various information such as a carrier ID and a lot ID.

また、イベントレポートには、基板処理装置の状態や処理結果など詳細な情報を付加して報告することができる。イベントごとに付加できる内容は異なる。イベントごとに報告可能な変数(VID)を定義したものがレポートID(RPTID)として定義されている。イベントが発生したら、イベントにリンクされた変数(VID)の内容がイベントレポートとしてホストコンピュータへ報告される。   In addition, detailed information such as the state of the substrate processing apparatus and processing results can be added to the event report. The contents that can be added differ depending on the event. A report ID (RPTID) that defines a variable (VID) that can be reported for each event is defined. When an event occurs, the contents of a variable (VID) linked to the event are reported to the host computer as an event report.

なお、イベントとレポートとを紐付けることをイベントリンクという。イベントリンクは、SEMIの通信規格を使用して行われる。イベントリンクを実施することによって、ホストコンピュータへイベント報告する内容が決定される。ホストコンピュータへイベント報告される内容は、再度イベントリンクするまで同じ内容となる。   Note that linking an event and a report is called an event link. The event link is performed using the SEMI communication standard. By executing the event link, the content of the event report to the host computer is determined. The contents reported to the host computer are the same until the event link is made again.

ここで、イベントレポートには、SEMIで定義されている項目のほかに、基板処理装
置固有のプロセスデータ等の報告がある。例えば、基板処理装置の各ユニットには、各種データを検出するためのセンサが設けられている。基板処理装置のユニットにおいて基板処理に関するプロセスが実行された際には、センサによって検出されたデータがプロセスデータとしてホストコンピュータへ送信(報告)される。例えば、基板処理装置のあるユニットが、同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて複数回(複数ステップ)実行する場合には、従来技術では、複数ステップの実行が終了したら、各ステップにおけるプロセスデータをまとめてホストコンピュータへ報告していた。
Here, the event report includes a report of process data unique to the substrate processing apparatus in addition to the items defined by SEMI. For example, each unit of the substrate processing apparatus is provided with a sensor for detecting various data. When a process related to substrate processing is executed in the unit of the substrate processing apparatus, data detected by the sensor is transmitted (reported) to the host computer as process data. For example, when a unit of a substrate processing apparatus executes the same processing content a plurality of times (a plurality of steps) based on different parameters, in the conventional technique, after the execution of a plurality of steps is completed, the process data at each step is stored. It was reported to the host computer collectively.

特開2009−141289号公報JP 2009-141289 A 特開2000−260676号公報JP 2000-260676 A 特開2006−93641号公報JP 2006-93641 A

従来技術は、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することについては考慮されていない。   The prior art does not consider reducing the communication load between the substrate processing apparatus and the host computer.

すなわち、近年の基板処理装置の多様化に合わせてプロセスデータは増加している。これに加え、従来技術では、ユニットが複数ステップを実行する場合に、複数ステップの実行が終了したタイミングで、各ステップにおけるプロセスデータをまとめてホストコンピュータへ報告していた。このため、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷が増大していた。   That is, process data is increasing with the recent diversification of substrate processing apparatuses. In addition, in the prior art, when the unit executes a plurality of steps, the process data in each step is collectively reported to the host computer at the timing when the execution of the plurality of steps is completed. For this reason, communication traffic between the substrate processing apparatus and the host computer increases intensively at a certain timing, and as a result, the communication load between the substrate processing apparatus and the host computer increases.

そこで、本願発明は、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することを課題とする。   Accordingly, an object of the present invention is to reduce the communication load between the substrate processing apparatus and the host computer.

本願発明の状態報告装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集部と、前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信部と、を備え、前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことを特徴とする。   One form of the status reporting device of the present invention is made in view of the above problems, and a sensor provided in the processing unit when a process related to substrate processing is executed for each of a plurality of processing units included in the substrate processing apparatus. And a communication unit that transmits the process data collected by the collection unit to a management device of the substrate processing apparatus, and the process includes a plurality of unit processes. And each time the execution of the unit processing is completed, the communication unit uses unit management data collected by the collection unit in response to the execution of the unit processing as process data relating to the unit processing. It is characterized by transmitting to.

また、状態報告装置の一形態において、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。   Further, in one form of the status reporting device, the communication unit may process the unit process data and an identifier for identifying the unit process each time the execution of the unit process is completed. To the management device.

また、状態報告装置の一形態において、前記複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されており、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。   Further, in one form of the status reporting device, a common transmission format is set for the plurality of unit processes, and the communication unit uses the transmission format every time execution of the unit processes is completed. The unit process data and an identifier for identifying the unit process can be transmitted to the management apparatus as process data relating to the unit process.

また、状態報告装置の一形態において、前記通信部は、前記複数の単位処理のうち実行
された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。
In one form of the status reporting device, the communication unit uses the transmission format to execute the unit processing executed among the plurality of unit processings every time the unit processing is completed. Process data and an identifier for identifying the unit process can be transmitted to the management apparatus as process data relating to the unit process.

また、状態報告装置の一形態において、前記複数の単位処理は、前記処理ユニットにおいて同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて実行する複数のステップである、ことができる。   Further, in one form of the status reporting device, the plurality of unit processes may be a plurality of steps for executing the same processing content in the processing unit based on different parameters.

また、状態報告装置の一形態において、前記収集部は、前記基板処理装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集し、前記膜厚の測定は、前記基板の複数の測定ポイントにおける膜厚の測定を含んでおり、前記通信部は、前記複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、前記一部の膜厚の測定に対応して前記収集部によって収集された単位測定結果を、前記一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして前記管理装置へ送信する、ことができる。   In one form of the status report device, the collection unit collects measurement results output from a film thickness measuring device that measures the film thickness of the substrate processed by the substrate processing apparatus, and the measurement of the film thickness , Including measurement of film thickness at a plurality of measurement points of the substrate, and the communication unit is configured to measure the partial film thickness each time measurement of a part of the plurality of measurement points is completed. The unit measurement results collected by the collection unit in response to the measurement can be transmitted to the management apparatus as film thickness data relating to the measurement of the partial film thickness.

また、本願発明の基板処理装置の一形態は、複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットに実行させるプロセスのレシピを入力するための操作部と、前記操作部を介して入力されたレシピを記憶するための記憶部と、前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記複数の処理ユニットに前記プロセスを実行させる制御部と、上記のいずれかの状態報告装置と、を備えることを特徴とする。   Further, one form of the substrate processing apparatus of the present invention is a plurality of processing units, an operation unit for inputting a recipe of a process to be executed by the plurality of processing units, and a recipe input via the operation unit. A storage unit for storing, a control unit that causes the plurality of processing units to execute the process based on a recipe stored in the storage unit, and any one of the above-described status reporting devices, To do.

また、基板処理装置の一形態において、前記複数の処理ユニットは、基板の研磨処理を行うための研磨ユニットと、前記基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニットと、前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード/アンロードユニットと、を備えることができる。   In one embodiment of the substrate processing apparatus, the plurality of processing units include a polishing unit for performing a polishing process on the substrate, a cleaning unit for performing a cleaning process and a drying process on the substrate, and a substrate to the polishing unit. And a load / unload unit that receives the substrate cleaned and dried by the cleaning unit.

また、本願発明の状態報告方法の一形態は、基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集ステップと、前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信ステップと、を備え、前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、前記通信ステップは、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことを特徴とする。   Further, according to one aspect of the status reporting method of the present invention, process data detected by a sensor provided in the processing unit when a process related to substrate processing is executed for each of a plurality of processing units included in the substrate processing apparatus. A collecting step for collecting, and a communication step for transmitting the process data collected by the collecting unit to a management device of the substrate processing apparatus, wherein the process includes a plurality of unit processes, and the communication step includes: The unit process data collected by the collection unit corresponding to the execution of the unit process is transmitted to the management apparatus as process data related to the unit process each time execution of the unit process ends. And

かかる本願発明によれば、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することができる。   According to the present invention, the communication load between the substrate processing apparatus and the host computer can be reduced.

図1は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus of the present embodiment. 図2は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the polishing unit. 図3(a)は、洗浄ユニットを示す平面図であり、図3(b)は、洗浄ユニットを示す側面図である。FIG. 3A is a plan view showing the cleaning unit, and FIG. 3B is a side view showing the cleaning unit. 図4は、状態報告装置及びCMP装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the status reporting device and the CMP device. 図5は、処理レシピの一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a processing recipe. 図6は、一般的なイベントリンク時のCMP装置−ホストコンピュータ間のメッセージのやり取りを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing message exchange between the CMP apparatus and the host computer at the time of general event linking. 図7は、イベント設定(S2F37)のメッセージフォーマットを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a message format of event setting (S2F37). 図8は、レポート定義(S2F33)のメッセージフォーマットを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a message format of the report definition (S2F33). 図9は、イベントリンクレポート(S2F35)のメッセージフォーマットを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a message format of the event link report (S2F35). 図10は、従来技術によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an event link created by the conventional technique. 図11は、本実施形態によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an example of an event link created according to the present embodiment. 図12は、ホストコンピュータからの要求に対するプロセスデータの報告の概略を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an outline of process data reporting in response to a request from the host computer. 図13は、従来技術によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a process data report according to a conventional technique. 図14は、S6F11のメッセージフォーマットを示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a message format of S6F11. 図15は、本実施形態によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a process data report according to the present embodiment. 図16は、膜厚測定器によって測定される膜厚データを報告する状態報告装置及びCMP装置の構成を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of a state reporting device and a CMP device that report film thickness data measured by a film thickness measuring instrument. 図17は、従来技術による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an outline of reporting of film thickness measurement data according to the prior art. 図18は、本実施形態による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an outline of reporting of film thickness measurement data according to the present embodiment.

以下、本願発明の一実施形態に係る状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、CMP装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、ロード/アンロードユニット2と、研磨ユニット3と、洗浄ユニット4と、を備える基板処理装置について説明するが、これには限られない。   Hereinafter, a status report device, a substrate processing apparatus, and a status report method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Hereinafter, a CMP apparatus will be described as an example of a substrate processing apparatus, but the present invention is not limited to this. Hereinafter, a substrate processing apparatus including the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 will be described, but the present invention is not limited to this.

まず、CMP装置の構成について説明し、その後に基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減について説明する。   First, the configuration of the CMP apparatus will be described, and then the reduction of communication load between the substrate processing apparatus and the host computer will be described.

<基板処理装置>
図1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、このCMP装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3と洗浄ユニット4とに区画されている。ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット4は、基板処理動作を制御する制御装置5を有している。
<Substrate processing equipment>
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the CMP apparatus includes a substantially rectangular housing 1, and the inside of the housing 1 is divided into a load / unload unit 2, a polishing unit 3, and a cleaning unit 4 by partition walls 1a and 1b. Has been. The load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 are assembled independently and exhausted independently. Further, the cleaning unit 4 has a control device 5 that controls the substrate processing operation.

<ロード/アンロードユニット>
ロード/アンロードユニット2は、多数のウェハ(基板)をストックするウェハカセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができるようになっている。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
<Load / Unload unit>
The load / unload unit 2 includes two or more (four in this embodiment) front load units 20 on which wafer cassettes for stocking a large number of wafers (substrates) are placed. These front load portions 20 are arranged adjacent to the housing 1 and are arranged along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus. The front load unit 20 can be equipped with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). Here, SMIF and FOUP are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a wafer cassette inside and covering with a partition wall.

また、ロード/アンロードユニット2には、フロントロード部20の並びに沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な2台の搬送ロボット(ローダー、搬送機構)22が設置されている。搬送ロボッ
ト22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。
The load / unload unit 2 has a traveling mechanism 21 laid along the front load portion 20, and two transfer robots that can move along the arrangement direction of the wafer cassettes on the traveling mechanism 21. (Loader, transport mechanism) 22 is installed. The transfer robot 22 can access the wafer cassette mounted on the front load unit 20 by moving on the traveling mechanism 21. Each transfer robot 22 has two hands up and down. The upper hand is used when returning processed wafers to the wafer cassette. The lower hand is used when a wafer before processing is taken out from the wafer cassette. In this way, the upper and lower hands can be used properly. Furthermore, the lower hand of the transfer robot 22 is configured to be able to reverse the wafer by rotating around its axis.

ロード/アンロードユニット2は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロードユニット2の内部は、CMP装置外部、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット3は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット3の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット4の内部圧力よりも低く維持されている。ロード/アンロードユニット2には、HEPAフィルタ、ULPAフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。   Since the load / unload unit 2 is an area where it is necessary to maintain the cleanest state, the load / unload unit 2 has a higher pressure inside the CMP apparatus, the polishing unit 3 and the cleaning unit 4 than the CMP apparatus. Always maintained. The polishing unit 3 is the most dirty region because slurry is used as the polishing liquid. Therefore, a negative pressure is formed inside the polishing unit 3, and the pressure is maintained lower than the internal pressure of the cleaning unit 4. The load / unload unit 2 is provided with a filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter, a ULPA filter, or a chemical filter. From the filter fan unit, particles, toxic vapor, Clean air from which toxic gases have been removed is constantly blowing out.

<研磨ユニット>
研磨ユニット3は、ウェハの研磨(平坦化)が行われる領域であり、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、第4研磨ユニット3Dを備えている。これらの第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、及び第4研磨ユニット3Dは、図1に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
<Polishing unit>
The polishing unit 3 is a region where the wafer is polished (flattened), and includes a first polishing unit 3A, a second polishing unit 3B, a third polishing unit 3C, and a fourth polishing unit 3D. The first polishing unit 3A, the second polishing unit 3B, the third polishing unit 3C, and the fourth polishing unit 3D are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus as shown in FIG.

図1に示すように、第1研磨ユニット3Aは、研磨面を有する研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Aと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル30A上の研磨パッド10に押圧しながら研磨するためのトップリング31Aと、研磨パッド10に研磨液やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル32Aと、研磨パッド10の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ33Aと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ34Aとを備えている。   As shown in FIG. 1, the first polishing unit 3A includes a polishing table 30A to which a polishing pad 10 having a polishing surface is attached, and polishing while holding the wafer and pressing the wafer against the polishing pad 10 on the polishing table 30A. A top ring 31A for polishing, a polishing liquid supply nozzle 32A for supplying a polishing liquid or a dressing liquid (for example, pure water) to the polishing pad 10, and a dresser 33A for dressing the polishing surface of the polishing pad 10. And an atomizer 34A for spraying a mixed fluid of liquid (for example, pure water) and gas (for example, nitrogen gas) or a liquid (for example, pure water) to the polishing surface in the form of a mist.

同様に、第2研磨ユニット3Bは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Bと、トップリング31Bと、研磨液供給ノズル32Bと、ドレッサ33Bと、アトマイザ34Bとを備えている。第3研磨ユニット3Cは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Cと、トップリング31Cと、研磨液供給ノズル32Cと、ドレッサ33Cと、アトマイザ34Cとを備えている。第4研磨ユニット3Dは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Dと、トップリング31Dと、研磨液供給ノズル32Dと、ドレッサ33Dと、アトマイザ34Dとを備えている。   Similarly, the second polishing unit 3B includes a polishing table 30B to which the polishing pad 10 is attached, a top ring 31B, a polishing liquid supply nozzle 32B, a dresser 33B, and an atomizer 34B. The third polishing unit 3C includes a polishing table 30C to which the polishing pad 10 is attached, a top ring 31C, a polishing liquid supply nozzle 32C, a dresser 33C, and an atomizer 34C. The fourth polishing unit 3D includes a polishing table 30D to which the polishing pad 10 is attached, a top ring 31D, a polishing liquid supply nozzle 32D, a dresser 33D, and an atomizer 34D.

第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、及び第4研磨ユニット3Dは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第1研磨ユニット31Aについて説明する。   Since the first polishing unit 3A, the second polishing unit 3B, the third polishing unit 3C, and the fourth polishing unit 3D have the same configuration, the first polishing unit 31A will be described below.

図2は、第1研磨ユニット3Aを模式的に示す斜視図である。トップリング31Aは、トップリングシャフト36に支持されている。研磨テーブル30Aの上面には研磨パッド10が貼付されており、この研磨パッド10の上面はウェハWを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド10に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング31A及び研磨テーブル30Aは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成され
ている。ウェハWは、トップリング31Aの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル32Aから研磨パッド10の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハWがトップリング31Aにより研磨面に押圧されて研磨される。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing the first polishing unit 3A. The top ring 31 </ b> A is supported by the top ring shaft 36. A polishing pad 10 is affixed to the upper surface of the polishing table 30A, and the upper surface of the polishing pad 10 constitutes a polishing surface for polishing the wafer W. Note that fixed abrasive grains may be used in place of the polishing pad 10. The top ring 31 </ b> A and the polishing table 30 </ b> A are configured to rotate around their axial centers as indicated by arrows. The wafer W is held on the lower surface of the top ring 31A by vacuum suction. At the time of polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 32A to the polishing surface of the polishing pad 10, and the wafer W to be polished is pressed against the polishing surface by the top ring 31A and polished.

次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図1に示すように、第1研磨ユニット3A及び第2研磨ユニット3Bに隣接して、第1リニアトランスポータ6が配置されている。この第1リニアトランスポータ6は、研磨ユニット3A,3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4とする)の間でウェハを搬送する機構である。   Next, a transport mechanism for transporting the wafer will be described. As shown in FIG. 1, a first linear transporter 6 is disposed adjacent to the first polishing unit 3A and the second polishing unit 3B. The first linear transporter 6 has four transfer positions (first transfer position TP1, second transfer position TP2, and third transfer in order from the load / unload unit side) along the direction in which the polishing units 3A and 3B are arranged. This is a mechanism for transferring the wafer between the position TP3 and the fourth transfer position TP4.

また、第3研磨ユニット3C及び第4研磨ユニット3Dに隣接して、第2リニアトランスポータ7が配置されている。この第2リニアトランスポータ7は、研磨ユニット3C,3Dが配列する方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7とする)の間でウェハを搬送する機構である。   Further, the second linear transporter 7 is disposed adjacent to the third polishing unit 3C and the fourth polishing unit 3D. The second linear transporter 7 has three transfer positions (a fifth transfer position TP5, a sixth transfer position TP6, and a seventh transfer in order from the load / unload unit side) along the direction in which the polishing units 3C and 3D are arranged. This is a mechanism for transporting the wafer between the positions TP7.

ウェハは、第1リニアトランスポータ6によって研磨ユニット3A,3Bに搬送される。第1研磨ユニット3Aのトップリング31Aは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第2搬送位置TP2との間を移動する。したがって、トップリング31Aへのウェハの受け渡しは第2搬送位置TP2で行われる。同様に、第2研磨ユニット3Bのトップリング31Bは研磨位置と第3搬送位置TP3との間を移動し、トップリング31Bへのウェハの受け渡しは第3搬送位置TP3で行われる。第3研磨ユニット3Cのトップリング31Cは研磨位置と第6搬送位置TP6との間を移動し、トップリング31Cへのウェハの受け渡しは第6搬送位置TP6で行われる。第4研磨ユニット3Dのトップリング31Dは研磨位置と第7搬送位置TP7との間を移動し、トップリング31Dへのウェハの受け渡しは第7搬送位置TP7で行われる。   The wafer is transferred to the polishing units 3A and 3B by the first linear transporter 6. The top ring 31A of the first polishing unit 3A moves between the polishing position and the second transport position TP2 by the swing operation of the top ring head. Therefore, the wafer is transferred to the top ring 31A at the second transfer position TP2. Similarly, the top ring 31B of the second polishing unit 3B moves between the polishing position and the third transfer position TP3, and the delivery of the wafer to the top ring 31B is performed at the third transfer position TP3. The top ring 31C of the third polishing unit 3C moves between the polishing position and the sixth transfer position TP6, and the delivery of the wafer to the top ring 31C is performed at the sixth transfer position TP6. The top ring 31D of the fourth polishing unit 3D moves between the polishing position and the seventh transfer position TP7, and the delivery of the wafer to the top ring 31D is performed at the seventh transfer position TP7.

第1搬送位置TP1には、搬送ロボット22からウェハを受け取るためのリフタ11が配置されている。ウェハはこのリフタ11を介して搬送ロボット22から第1リニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11にウェハが渡されるようになっている。また、第1リニアトランスポータ6と、第2リニアトランスポータ7と、洗浄ユニット4との間にはスイングトランスポータ12が配置されている。このスイングトランスポータ12は、第4搬送位置TP4と第5搬送位置TP5との間を移動可能なハンドを有しており、第1リニアトランスポータ6から第2リニアトランスポータ7へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ12によって行われる。ウェハは、第2リニアトランスポータ7によって第3研磨ユニット3C及び/または第4研磨ユニット3Dに搬送される。また、研磨ユニット3で研磨されたウェハはスイングトランスポータ12を経由して洗浄ユニット4に搬送される。   A lifter 11 for receiving a wafer from the transfer robot 22 is disposed at the first transfer position TP1. The wafer is transferred from the transfer robot 22 to the first linear transporter 6 through the lifter 11. A shutter (not shown) is provided between the lifter 11 and the transfer robot 22 in the partition wall 1a. When the wafer is transferred, the shutter is opened so that the wafer is transferred from the transfer robot 22 to the lifter 11. It has become. A swing transporter 12 is disposed between the first linear transporter 6, the second linear transporter 7, and the cleaning unit 4. The swing transporter 12 has a hand that can move between the fourth transfer position TP4 and the fifth transfer position TP5, and transfers the wafer from the first linear transporter 6 to the second linear transporter 7. Is performed by the swing transporter 12. The wafer is transferred to the third polishing unit 3C and / or the fourth polishing unit 3D by the second linear transporter 7. Further, the wafer polished by the polishing unit 3 is conveyed to the cleaning unit 4 via the swing transporter 12.

<洗浄ユニット>
図3(a)は洗浄ユニット4を示す平面図であり、図3(b)は洗浄ユニット4を示す側面図である。図3(a)及び図3(b)に示すように、洗浄ユニット4は、第1洗浄室190と、第1搬送室191と、第2洗浄室192と、第2搬送室193と、乾燥室194とに区画されている。第1洗浄室190内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール201A及び下側一次洗浄モジュール201Bが配置されている。上側一次洗浄モジュール201Aは下側一次洗浄モジュール201Bの上方に配置されている。同様に、第2洗浄室192内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール20
2A及び下側二次洗浄モジュール202Bが配置されている。上側二次洗浄モジュール202Aは下側二次洗浄モジュール202Bの上方に配置されている。一次及び二次洗浄モジュール201A,201B,202A,202Bは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次及び二次洗浄モジュール201A,201B,202A,202Bは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
<Washing unit>
FIG. 3A is a plan view showing the cleaning unit 4, and FIG. 3B is a side view showing the cleaning unit 4. As shown in FIGS. 3A and 3B, the cleaning unit 4 includes a first cleaning chamber 190, a first transfer chamber 191, a second cleaning chamber 192, a second transfer chamber 193, and a drying unit. It is partitioned into a chamber 194. In the first cleaning chamber 190, an upper primary cleaning module 201A and a lower primary cleaning module 201B arranged in the vertical direction are arranged. The upper primary cleaning module 201A is disposed above the lower primary cleaning module 201B. Similarly, in the second cleaning chamber 192, the upper secondary cleaning module 20 arranged along the vertical direction.
2A and the lower secondary cleaning module 202B are arranged. The upper secondary cleaning module 202A is disposed above the lower secondary cleaning module 202B. The primary and secondary cleaning modules 201A, 201B, 202A, and 202B are cleaning machines that clean the wafer using a cleaning liquid. Since these primary and secondary cleaning modules 201A, 201B, 202A, 202B are arranged along the vertical direction, there is an advantage that the footprint area is small.

上側二次洗浄モジュール202Aと下側二次洗浄モジュール202Bとの間には、ウェハの仮置き台203が設けられている。乾燥室194内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205Bが配置されている。これら上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205Bは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205Bの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール205A,205B内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット207,207が設けられている。上側一次洗浄モジュール201A、下側一次洗浄モジュール201B、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202B、仮置き台203、上側乾燥モジュール205A、及び下側乾燥モジュール205Bは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。   A temporary wafer placement table 203 is provided between the upper secondary cleaning module 202A and the lower secondary cleaning module 202B. In the drying chamber 194, an upper drying module 205A and a lower drying module 205B arranged in the vertical direction are arranged. These upper drying module 205A and lower drying module 205B are isolated from each other. Filter fan units 207 and 207 for supplying clean air into the drying modules 205A and 205B are provided above the upper drying module 205A and the lower drying module 205B, respectively. The upper primary cleaning module 201A, the lower primary cleaning module 201B, the upper secondary cleaning module 202A, the lower secondary cleaning module 202B, the temporary placement table 203, the upper drying module 205A, and the lower drying module 205B are arranged on a frame (not shown). It is fixed via bolts.

第1搬送室191には、上下動可能な第1搬送ロボット(搬送機構)209が配置され、第2搬送室193には、上下動可能な第2搬送ロボット210が配置されている。第1搬送ロボット209及び第2搬送ロボット210は、縦方向に延びる支持軸211,212にそれぞれ移動自在に支持されている。第1搬送ロボット209及び第2搬送ロボット210は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸211,212に沿って上下に移動自在となっている。第1搬送ロボット209は、搬送ロボット22と同様に、上下二段のハンドを有している。第1搬送ロボット209は、図3(a)の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台180にアクセス可能な位置に配置されている。第1搬送ロボット209の下側のハンドが仮置き台180にアクセスするときには、隔壁1bに設けられているシャッタ(図示せず)が開くようになっている。   A first transfer robot (transfer mechanism) 209 that can move up and down is arranged in the first transfer chamber 191, and a second transfer robot 210 that can move up and down is arranged in the second transfer chamber 193. The first transfer robot 209 and the second transfer robot 210 are movably supported by support shafts 211 and 212 extending in the vertical direction. The first transfer robot 209 and the second transfer robot 210 have a drive mechanism such as a motor inside thereof, and are movable up and down along the support shafts 211 and 212. The first transfer robot 209 has two upper and lower hands like the transfer robot 22. As shown by the dotted line in FIG. 3A, the first transfer robot 209 is disposed at a position where the lower hand can access the temporary table 180 described above. When the lower hand of the first transfer robot 209 accesses the temporary table 180, a shutter (not shown) provided on the partition wall 1b is opened.

第1搬送ロボット209は、仮置き台180、上側一次洗浄モジュール201A、下側一次洗浄モジュール201B、仮置き台203、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202Bの間でウェハWを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ(スラリーが付着しているウェハ)を搬送するときは、第1搬送ロボット209は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第2搬送ロボット210は、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202B、仮置き台203、上側乾燥モジュール205A、下側乾燥モジュール205Bの間でウェハWを搬送するように動作する。第2搬送ロボット210は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、1つのハンドのみを備えている。図1に示す搬送ロボット22は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール205Aまたは下側乾燥モジュール205Bからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット22の上側ハンドが乾燥モジュール205A,205Bにアクセスするときには、隔壁1aに設けられているシャッタ(図示せず)が開くようになっている。   The first transfer robot 209 transfers the wafer W between the temporary placing table 180, the upper primary cleaning module 201A, the lower primary cleaning module 201B, the temporary placing table 203, the upper secondary cleaning module 202A, and the lower secondary cleaning module 202B. Operates to carry. The first transfer robot 209 uses the lower hand when transferring the wafer before cleaning (the wafer to which the slurry is attached), and uses the upper hand when transferring the cleaned wafer. The second transfer robot 210 operates to transfer the wafer W between the upper secondary cleaning module 202A, the lower secondary cleaning module 202B, the temporary placement table 203, the upper drying module 205A, and the lower drying module 205B. Since the second transfer robot 210 transfers only the cleaned wafer, it has only one hand. The transfer robot 22 shown in FIG. 1 takes out the wafer from the upper drying module 205A or the lower drying module 205B using the upper hand, and returns the wafer to the wafer cassette. When the upper hand of the transfer robot 22 accesses the drying modules 205A and 205B, a shutter (not shown) provided on the partition wall 1a is opened.

<基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減>
次に、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減について説明する。
<Reduction of communication load between substrate processing apparatus and host computer>
Next, the reduction of communication load between the substrate processing apparatus and the host computer will be described.

図4は、図4は、状態報告装置及びCMP装置の構成を示す図である。上述のとおり、CMP装置には、ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、洗浄ユニット4など複数のユニットが含まれる。   FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the status reporting device and the CMP device. As described above, the CMP apparatus includes a plurality of units such as the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4.

ロード/アンロードユニット2には、ロード/アンロードユニット2内の複数の部品250−1〜250−m(搬送ロボット22など)の動作を制御するためのシーケンサ260が設けられている。また、ロード/アンロードユニット2には、ロード/アンロードユニット2の制御に関するデータを検出する複数のセンサ270−1〜270−aが設けられている。センサ270−1〜270−aには、例えば、搬送ロボット22にウェハが設置されたか否かを検出するセンサなどが含まれる。   The load / unload unit 2 is provided with a sequencer 260 for controlling the operations of a plurality of components 250-1 to 250-m (such as the transfer robot 22) in the load / unload unit 2. The load / unload unit 2 is provided with a plurality of sensors 270-1 to 270-a that detect data related to the control of the load / unload unit 2. The sensors 270-1 to 270-a include, for example, a sensor that detects whether or not a wafer is placed on the transfer robot 22.

研磨ユニット3には、研磨ユニット3内の複数の部品350−1〜350−n(研磨テーブル、トップリングなど)の動作を制御するためのシーケンサ360が設けられている。また、研磨ユニット3には、研磨ユニット3の制御に関するデータを検出する複数のセンサ370−1〜370−bが設けられている。センサ370−1〜370−bには、例えば、研磨パッド10に供給される研磨液の流量を検出するセンサ、研磨テーブル30の回転数を検出するセンサ、研磨テーブル30又はトップリング31の回転トルクを検出するセンサなどが含まれる。   The polishing unit 3 is provided with a sequencer 360 for controlling the operation of a plurality of components 350-1 to 350-n (polishing table, top ring, etc.) in the polishing unit 3. In addition, the polishing unit 3 is provided with a plurality of sensors 370-1 to 370-b that detect data related to the control of the polishing unit 3. The sensors 370-1 to 370-b include, for example, a sensor that detects the flow rate of the polishing liquid supplied to the polishing pad 10, a sensor that detects the rotational speed of the polishing table 30, and the rotational torque of the polishing table 30 or the top ring 31. And a sensor for detecting.

洗浄ユニット4には、洗浄ユニット4内の複数の部品450−1〜450−p(洗浄モジュール、搬送ロボットなど)の動作を制御するためのシーケンサ460が設けられている。また、洗浄ユニット4には、洗浄ユニット4の制御に関するデータを検出する複数のセンサ470−1〜470−cが設けられている。センサ470−1〜470−cには、例えば、ウェハに供給される洗浄液の流量を検出するセンサなどが含まれる。   The cleaning unit 4 is provided with a sequencer 460 for controlling operations of a plurality of components 450-1 to 450 -p (cleaning module, transfer robot, etc.) in the cleaning unit 4. Further, the cleaning unit 4 is provided with a plurality of sensors 470-1 to 470-c that detect data related to the control of the cleaning unit 4. The sensors 470-1 to 470-c include, for example, a sensor that detects the flow rate of the cleaning liquid supplied to the wafer.

制御装置5は、ロード/アンロードユニット2(シーケンサ260)、研磨ユニット3(シーケンサ360)、及び洗浄ユニット4(シーケンサ460)と接続されている。制御装置5は、状態報告装置510、操作部520、記憶部530、及び制御部540を備える。   The control device 5 is connected to the load / unload unit 2 (sequencer 260), the polishing unit 3 (sequencer 360), and the cleaning unit 4 (sequencer 460). The control device 5 includes a status reporting device 510, an operation unit 520, a storage unit 530, and a control unit 540.

操作部520は、オペレータ等が、ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4に実行させるプロセスのレシピを入力するための入力インターフェースとなる。記憶部530は、操作部520を介して入力されたレシピを記憶するための記憶媒体である。制御部540は、記憶部530に記憶されたレシピに基づいて、ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4にプロセスを実行させる指令信号を送信する。   The operation unit 520 serves as an input interface for an operator or the like to input a recipe of a process to be executed by the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4. The storage unit 530 is a storage medium for storing a recipe input via the operation unit 520. The control unit 540 transmits a command signal that causes the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 to execute processes based on the recipe stored in the storage unit 530.

状態報告装置510は、収集部512及び通信部514を備える。   The status reporting device 510 includes a collection unit 512 and a communication unit 514.

収集部512は、CMP装置に含まれるロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4それぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際にロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4に設けられたセンサ270,370,470によって検出されたプロセスデータを収集する。センサ270,370,470によって検出されたプロセスデータは、記憶部530に保存される。   The collection unit 512 performs load / unload unit 2, polishing unit 3, and cleaning when a process related to substrate processing is performed for each of load / unload unit 2, polishing unit 3, and cleaning unit 4 included in the CMP apparatus. Process data detected by sensors 270, 370, and 470 provided in the unit 4 are collected. Process data detected by the sensors 270, 370, and 470 is stored in the storage unit 530.

通信部514は、CMP装置の状態を示すデータ(一例として、収集部512によって収集されたプロセスデータ)をCMP装置の管理装置(ホストコンピュータ)600へ送信する。ホストコンピュータ600は、CMP装置に対して処理の指示を行うとともに、CMP装置の状態を示すデータに基づいてCMP装置の状態を管理するための装置である。   The communication unit 514 transmits data indicating the state of the CMP apparatus (for example, process data collected by the collection unit 512) to the management apparatus (host computer) 600 of the CMP apparatus. The host computer 600 is a device for instructing the CMP apparatus to perform processing and managing the state of the CMP apparatus based on data indicating the state of the CMP apparatus.

ここで、ロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4の少なくとも1つのユニットにおいて、基板処理に関するプロセスは、複数の単位処理を含んでいる場合がある。   Here, in at least one of the load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4, a process related to substrate processing may include a plurality of unit processes.

<レシピ例>
この点について説明する。図5は、処理レシピの一例を示す図である。図5に示すように、処理レシピ610は、研磨ユニット3、及び洗浄ユニット4などの処理ユニットにおける機器に対する制御パラメータをステップごとに規定したものである。処理レシピ610は、記憶部530に保存される。制御部540は、前記処理ユニットに処理の開始を指示し、前記処理ユニットのシーケンサは、記憶部530に保存された処理レシピ610に基づいて各ユニットの動作を制御する。研磨ユニット3の処理レシピ(処理条件)の一部を例に挙げると、制御パラメータ1(例えば研磨液の単位時間当たりの流量)はステップ1では50、ステップ2では100となる。また、制御パラメータ2(例えばトップリング31の回転数)はステップ1では100、ステップ2では200となる。また、制御パラメータ3(例えばトップリング31の回転トルク)はステップ1では25、ステップ2では30となる。
<Recipe example>
This point will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a processing recipe. As shown in FIG. 5, the processing recipe 610 defines control parameters for devices in processing units such as the polishing unit 3 and the cleaning unit 4 for each step. The processing recipe 610 is stored in the storage unit 530. The control unit 540 instructs the processing unit to start processing, and the sequencer of the processing unit controls the operation of each unit based on the processing recipe 610 stored in the storage unit 530. Taking a part of the processing recipe (processing conditions) of the polishing unit 3 as an example, the control parameter 1 (for example, the flow rate of polishing liquid per unit time) is 50 in step 1 and 100 in step 2. Further, the control parameter 2 (for example, the rotation speed of the top ring 31) is 100 in Step 1 and 200 in Step 2. Further, the control parameter 3 (for example, the rotational torque of the top ring 31) is 25 in Step 1 and 30 in Step 2.

なお、処理レシピ610は、オペレータ等によって操作部520を介して入力することができる。また、処理レシピ610は、ホストコンピュータ600から送信することもできる。   The processing recipe 610 can be input via the operation unit 520 by an operator or the like. Further, the processing recipe 610 can be transmitted from the host computer 600.

このように、基板の研磨プロセスは、同一の処理内容(例えば、所定の研磨流量、所定のトップリング31の回転数、及び所定のトップリング31の回転トルク、で基板を研磨する)を異なるパラメータ(制御パラメータ)に基づいて実行する複数のステップを含む。この場合、各ステップは、単位処理であるといえる。すなわち、基板の研磨プロセスは、複数の単位処理(ステップ)を含む。   In this way, the substrate polishing process uses different parameters for the same processing content (for example, polishing the substrate with a predetermined polishing flow rate, a predetermined top ring 31 rotation speed, and a predetermined top ring 31 rotation torque). It includes a plurality of steps to be executed based on (control parameter). In this case, each step can be said to be a unit process. That is, the substrate polishing process includes a plurality of unit processes (steps).

この場合、通信部514は、単位処理の実行が終了するたびに、単位処理の実行に対応して収集部512によって収集された単位プロセスデータを、単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。   In this case, the communication unit 514 transmits the unit process data collected by the collection unit 512 corresponding to the execution of the unit process to the host computer 600 as process data related to the unit process every time the execution of the unit process ends. .

具体的には、通信部514は、単位処理(ステップ)の実行が終了するたびに、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。   Specifically, the communication unit 514 transmits unit process data and an identifier for identifying the unit process to the host computer 600 as process data related to the unit process every time execution of the unit process (step) ends. To do.

また、複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されている場合には、通信部514は、単位処理の実行が終了するたびに、送信フォーマットを利用して、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。さらに、通信部514は、複数の単位処理のうち実行された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、送信フォーマットを利用して、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。   In addition, when a common transmission format is set for a plurality of unit processes, the communication unit 514 uses the transmission format to execute unit process data and a unit each time execution of the unit process ends. An identifier for identifying the process is transmitted to the host computer 600 as process data relating to the unit process. Further, the communication unit 514 uses the transmission format to identify the unit process data and the unit process for the unit process executed among the plurality of unit processes every time the execution of the unit process ends. The identifier is transmitted to the host computer 600 as process data relating to unit processing.

これらの点について、以下、詳細に説明する。状態報告装置510とホストコンピュータ600は、LANケーブルなどを介して接続されており、状態報告装置510とホストコンピュータ600との間の通信は、例えばSEMIなどの規格に準拠している。   These points will be described in detail below. The status reporting device 510 and the host computer 600 are connected via a LAN cable or the like, and communication between the status reporting device 510 and the host computer 600 conforms to a standard such as SEMI, for example.

<イベントレポート>
例えば、CMP装置の状態変化をホストコンピュータに通知するために、SEMIの通信規格にあるイベントレポートが使用される。イベントレポートとは、CMP装置の状態変化をホストコンピュータ600に報告するために使用されるものである。イベントレポートでは、例えば「プロセスが開始された」などCMP装置の状態が変化(イベント)するたびに、CMP装置の状態の変化がホストコンピュータ600へ報告される。種々の状
態変化を識別するために、CMP装置の通信仕様書には、CMP装置が報告可能なイベントID(CEID)が定義されている。また、CMP装置の通信仕様書には、CMP装置の状態変化に付加して報告できる変数(VID)が定義されている。変数(VID)には、例えば、キャリアIDやロットIDなど様々な情報が含まれる。
<Event report>
For example, an event report in the SEMI communication standard is used to notify the host computer of a change in the state of the CMP apparatus. The event report is used to report a change in the state of the CMP apparatus to the host computer 600. In the event report, for example, whenever the state of the CMP apparatus changes (event) such as “process started”, the change in the state of the CMP apparatus is reported to the host computer 600. In order to identify various state changes, an event ID (CEID) that can be reported by the CMP apparatus is defined in the communication specifications of the CMP apparatus. Further, a variable (VID) that can be reported in addition to a change in the state of the CMP apparatus is defined in the communication specification of the CMP apparatus. The variable (VID) includes various information such as a carrier ID and a lot ID.

また、イベントレポートには、CMP装置の状態や処理結果など詳細な情報を付加して報告することができる。イベントごとに付加できる内容は異なる。イベントごとに報告可能な変数(VID)を定義したものがレポートID(RPTID)として定義されている。イベントが発生したら、イベントにリンクされた変数(VID)の内容がイベントレポートとしてホストコンピュータへ報告される。   In addition, detailed information such as the state of the CMP apparatus and processing results can be added to the event report. The contents that can be added differ depending on the event. A report ID (RPTID) that defines a variable (VID) that can be reported for each event is defined. When an event occurs, the contents of a variable (VID) linked to the event are reported to the host computer as an event report.

<イベントリンク>
ここで、イベントとレポートとを紐付けることをイベントリンクという。イベントリンクは、SEMIの通信規格を使用して行われる。イベントリンクを実施することによって、ホストコンピュータへイベント報告する内容が決定される。ホストコンピュータへイベント報告される内容は、再度イベントリンクするまで同じ内容となる。
<Event link>
Here, linking an event and a report is called an event link. The event link is performed using the SEMI communication standard. By executing the event link, the content of the event report to the host computer is determined. The contents reported to the host computer are the same until the event link is made again.

図6は、一般的なイベントリンク時のCMP装置−ホストコンピュータ600間のメッセージのやり取りを示す図である。まず、ホストコンピュータ600は、イベント設定(S2F37)を使用してイベントを無効にするメッセージをCMP装置へ送信する。S2F37メッセージフォーマットは、イベントの有効/無効を指定するためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ600は、CMP装置のイベントを無効にする。図7は、イベント設定(S2F37)のメッセージフォーマットを示す図である。   FIG. 6 is a diagram illustrating message exchange between the CMP apparatus and the host computer 600 during a general event link. First, the host computer 600 transmits a message for invalidating the event to the CMP apparatus using the event setting (S2F37). The S2F37 message format is a format for designating validity / invalidity of an event. Thereby, the host computer 600 invalidates the event of the CMP apparatus. FIG. 7 is a diagram showing a message format of event setting (S2F37).

続いて、ホストコンピュータ600は、イベントリンクレポート(S2F35)を使用してすべてのイベントリンクレポートを無効にするメッセージをCMP装置へ送信する。これにより、ホストコンピュータ600は、イベントに対して現在リンクされているレポート(ホストコンピュータ600へ報告する内容)をクリアする。   Subsequently, the host computer 600 transmits a message for invalidating all the event link reports to the CMP apparatus using the event link report (S2F35). As a result, the host computer 600 clears the report currently linked to the event (contents to be reported to the host computer 600).

続いて、ホストコンピュータ600は、レポート作成(S2F33)を使用してすべてのレポート定義を無効にするメッセージをCMP装置へ送信する。これにより、ホストコンピュータ600は、すべてのレポート定義をクリアする。   Subsequently, the host computer 600 transmits a message for invalidating all report definitions to the CMP apparatus using report creation (S2F33). As a result, the host computer 600 clears all report definitions.

続いて、ホストコンピュータ600は、レポート定義(S2F33)を使用してレポートを定義するメッセージをCMP装置へ送信する。S2F33は、RPTIDにVIDを紐づけるためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ600は、レポートを作成する。図8は、レポート定義(S2F33)のメッセージフォーマットを示す図である。   Subsequently, the host computer 600 transmits a message for defining a report to the CMP apparatus using the report definition (S2F33). S2F33 is a format for associating a VID with an RPTID. As a result, the host computer 600 creates a report. FIG. 8 is a diagram showing a message format of the report definition (S2F33).

続いて、ホストコンピュータ600は、イベントリンクレポート(S2F35)を使用してレポートとイベントをリンクするメッセージをCMP装置へ送信する。S2F35は、CEIDにRPTIDを紐づけるためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ600は、CEIDとRPTIDとを紐づける。図9は、イベントリンクレポート(S2F35)のメッセージフォーマットを示す図である。   Subsequently, the host computer 600 uses the event link report (S2F35) to transmit a message for linking the report and the event to the CMP apparatus. S2F35 is a format for associating RPTID with CEID. As a result, the host computer 600 associates CEID and RPTID. FIG. 9 is a diagram showing a message format of the event link report (S2F35).

続いて、ホストコンピュータ600は、イベント設定(S2F37)を使用してイベントを有効にするメッセージをCMP装置へ送信する。S2F37メッセージフォーマットは、イベントの有効/無効を指定するためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ600は、CMP装置のイベントを有効にする。   Subsequently, the host computer 600 transmits a message for validating the event to the CMP apparatus using the event setting (S2F37). The S2F37 message format is a format for designating validity / invalidity of an event. As a result, the host computer 600 validates the event of the CMP apparatus.

<従来のイベントリンク例>
図10は、従来技術によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。図10に示すように、従来技術によって作成されたイベントリンクは、1つのイベント(例えば、研磨ユニットプロセス終了報告)に対して、全てのステップ(例えば10ステップ)の報告データを定義していた。言い換えると、従来技術によって作成されたイベントリンクは、1つのイベントに対して複数のステップの報告データを定義し、かつ、ステップごとに複数の制御パラメータを定義していた。
<Conventional event link example>
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an event link created by the conventional technique. As shown in FIG. 10, the event link created by the conventional technique defines report data of all steps (for example, 10 steps) for one event (for example, polishing unit process completion report). In other words, the event link created by the prior art defines report data of a plurality of steps for one event and defines a plurality of control parameters for each step.

<本実施形態のイベントリンク例>
図11は、本実施形態によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。図11に示すように、本実施形態によって作成されたイベントリンクは、1つのイベント(例えば、研磨ユニットステップ報告)に対して、1つのステップの報告データ(ステップ報告データ)が定義される。言い換えると、本実施形態では、ステップごとに報告データを割り付けないで、すべてのステップに共通の定義とする。通信部514は、ステップ報告データを送信する際には、各VIDに各プロセスデータを代入してホストコンピュータ600へ送信する。
<Event link example of this embodiment>
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of an event link created according to the present embodiment. As shown in FIG. 11, in the event link created by this embodiment, report data (step report data) of one step is defined for one event (for example, polishing unit step report). In other words, in this embodiment, the report data is not allocated for each step, and the definition is common to all steps. When transmitting the step report data, the communication unit 514 substitutes each process data for each VID and transmits it to the host computer 600.

さらに、ステップ報告データには、制御パラメータの他、ステップ番号を識別するための識別データが定義される。このように、本実施形態では、イベントリンクによって作成される報告データの定義の仕方を変えている。本実施形態では、ステップ単位の報告データにどのステップにおける情報であるかを識別するための識別データを付加しているので、どのステップに対する報告であるかを判別することができる。   Further, in the step report data, identification data for identifying the step number is defined in addition to the control parameter. Thus, in this embodiment, the method of defining the report data created by the event link is changed. In the present embodiment, since identification data for identifying which step is the information is added to the report data in step units, it is possible to determine which step the report is for.

<プロセスデータの報告の種類>
ここで、CMP装置からホストコンピュータ600へのプロセスデータの報告は、主に2種類ある。1つは、ホストコンピュータ600からの要求に対して、その時のCMP装置状態を返信するものである。CMP装置の状態を返信するデータ類は、例えば、トップリング31の回数数:101、トップリング31の回転トルク:102などのように、SVIDとしてCMP装置側に定義されている。図12は、ホストコンピュータ600からの要求に対するプロセスデータの報告の概略を示す図である。
<Types of process data reports>
Here, there are mainly two types of process data reports from the CMP apparatus to the host computer 600. One is to return the CMP apparatus status at that time in response to a request from the host computer 600. Data for returning the state of the CMP apparatus is defined on the CMP apparatus side as SVID, such as the number of times of the top ring 31: 101, the rotational torque of the top ring 31: 102, and the like. FIG. 12 is a diagram showing an outline of process data reporting in response to a request from the host computer 600.

図12に示すように、基板が処理ユニットに搬送され、プロセスが開始されると、状態報告装置510は、開始イベント(S6F11)をホストコンピュータ600へ送信する。プロセスの開始イベントを受信したホストコンピュータ600は、CMP装置の状態問合せ(S1F3)を状態報告装置510へ送信する。CMP装置の状態を返信するデータ類は、SVIDとしてCMP装置側に定義されている。状態報告装置510は、問い合わせのあったSVIDの内容をホストコンピュータ600へ返信(S1F4)する。例えば、ホストコンピュータ600がCMP装置に対して、S1F3にてSVID=101を付加して送信すると、CMP装置はトップリング31の回数数の情報をS1F4にて返信する。なお、S1F3/S1F4のメッセージフォーマットの詳細説明は省略する。   As shown in FIG. 12, when the substrate is transferred to the processing unit and the process is started, the state reporting device 510 transmits a start event (S6F11) to the host computer 600. Receiving the process start event, the host computer 600 transmits a CMP apparatus status inquiry (S1F3) to the status reporting apparatus 510. Data for returning the state of the CMP apparatus is defined on the CMP apparatus side as SVID. The status reporting device 510 returns the contents of the inquired SVID to the host computer 600 (S1F4). For example, when the host computer 600 adds SVID = 101 to S1F3 and transmits it to the CMP apparatus, the CMP apparatus returns information on the number of times of the top ring 31 in S1F4. A detailed description of the S1F3 / S1F4 message format is omitted.

ホストコンピュータ600は、返信された内容に基づいてCMP装置の状態を監視する。状態報告装置510とホストコンピュータ600は、CMP装置の状態問い合わせ(S1F3)と返信(S1F4)を繰り返す。   The host computer 600 monitors the state of the CMP apparatus based on the returned content. The status reporting device 510 and the host computer 600 repeat the CMP device status inquiry (S1F3) and reply (S1F4).

状態報告装置510は、プロセスが終了すると、終了イベント(S6F11)をホストコンピュータ600へ送信する。すると、ホストコンピュータ600は、CMP装置の状態問合せを止める。   When the process ends, the status reporting device 510 transmits an end event (S6F11) to the host computer 600. Then, the host computer 600 stops the inquiry about the state of the CMP apparatus.

一方、CMP装置からホストコンピュータ600へのプロセスデータの報告の2つ目は
、プロセス終了後に各プロセスデータの設定値、平均値、最大値、又は最小値などを報告するものである。このプロセスデータを報告するデータを分別するIDとして、DVIDが定義されている。例えば、トップリング31の回数数(平均値):1001、トップリング31の回転数(最大値):1002などである。本実施形態は、主に2つ目のプロセスデータの報告に関するものである。
On the other hand, the second process data report from the CMP apparatus to the host computer 600 is to report a set value, an average value, a maximum value, or a minimum value of each process data after the process is completed. DVID is defined as an ID for classifying data for reporting the process data. For example, the number of times of the top ring 31 (average value): 1001, the number of rotations of the top ring 31 (maximum value): 1002, and the like. The present embodiment mainly relates to the second process data report.

<プロセスデータ報告>
プロセスデータ報告は、例えば、SEMI−E5で定義されているS6F11のメッセージフォーマットを使用してホストコンピュータ600へ送信することができる。CEID、RPTID、及びVIDは、CMP装置側で定義されており、CMP装置の報告可能なイベントレポートはCMP装置の通信仕様書で開示されている。イベント報告には、SEMIで定義されている項目のほかに、CMP装置固有のプロセスデータ等の報告がある。
<従来のプロセスデータ報告例>
図13は、従来技術によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。図13に示すように、まず、状態報告装置510は、処理開始(S6F11)メッセージフォーマットをホストコンピュータ600へ送信する。
<Process data report>
The process data report can be transmitted to the host computer 600 using, for example, the S6F11 message format defined in SEMI-E5. CEID, RPTID, and VID are defined on the CMP apparatus side, and event reports that can be reported by the CMP apparatus are disclosed in the communication specifications of the CMP apparatus. In addition to the items defined by SEMI, the event report includes a report of process data unique to the CMP apparatus.
<Example of conventional process data report>
FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a process data report according to a conventional technique. As shown in FIG. 13, first, the status reporting device 510 transmits a processing start (S6F11) message format to the host computer 600.

続いて、CMP装置において複数のステップ(例えば10ステップ)の処理が終了すると、状態報告装置510は、処理終了(S6F11)をホストコンピュータ600へ送信する。   Subsequently, when the process of a plurality of steps (for example, 10 steps) is completed in the CMP apparatus, the status reporting apparatus 510 transmits a process end (S6F11) to the host computer 600.

S6F11は、報告データをホストコンピュータ600へ送信するためのフォーマットである。これにより、状態報告装置510は、報告データをホストコンピュータ600へ送信する。図14は、S6F11のメッセージフォーマットを示す図である。   S6F11 is a format for transmitting report data to the host computer 600. As a result, the status reporting device 510 transmits report data to the host computer 600. FIG. 14 is a diagram illustrating a message format of S6F11.

ここで、図10で説明したように、従来技術では、プロセスデータは、すべてのステップを含んでおり、ステップごとに報告データが定義されていた。また、図13に示すように、従来技術では、状態報告装置510は、すべてのプロセスが終了した時点で、すべてのステップのプロセスデータをまとめてホストコンピュータ600へ送信していた。   Here, as described with reference to FIG. 10, in the prior art, the process data includes all the steps, and the report data is defined for each step. As shown in FIG. 13, in the prior art, the status reporting device 510 transmits the process data of all steps to the host computer 600 at the time when all the processes are completed.

そのため、各ユニットにおける全てのステップ数の報告データの定義が必要となっていた。また、報告データの設定次第で、処理していないステップのデータも報告していたので、無駄な報告データが生じていた。また、イベントリンク次第で、報告するステップ数が決まっていた。さらに、CMP装置(状態報告装置510)とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信負荷が増大していた。このため、通信タイムアウト等が発生すると通信の切断などが発生するおそれがあった。   Therefore, it was necessary to define report data for all the steps in each unit. Further, depending on the setting of the report data, the data of the step that has not been processed was also reported, so that unnecessary report data was generated. Also, depending on the event link, the number of steps to report was decided. Further, communication traffic between the CMP apparatus (status reporting apparatus 510) and the host computer 600 increases intensively at a certain timing, and as a result, the communication load between the CMP apparatus and the host computer 600 increases. . For this reason, when a communication timeout or the like occurs, there is a possibility that the communication is disconnected.

<本実施形態のプロセスデータ報告例>
図15は、本実施形態によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。本実施形態では、図15に示すように、通信部514は、ステップ1の処理が終わると、ステップ1の処理において収集部512によって収集されたプロセスデータ(ステップ1におけるVID10001の制御パラメータ1、VID10002の制御パラメータ2、VID10003の制御パラメータ3などの単位プロセスデータ)を、ホストコンピュータ600へ送信する。続いて、通信部514は、ステップ2の処理が終わると、ステップ2の処理において収集部512によって収集されたプロセスデータ(単位プロセスデータ)を、ホストコンピュータ600へ送信する。通信部514は、ステップの処理が終わるごとに単位プロセスデータの送信を繰り返し、最終のステップ10の処理が終わると、ステップ10の処理において収集部512によって収集されたプロセスデータ(単位プロセスデータ)を
、ホストコンピュータ600へ送信する。
<Example of process data report of this embodiment>
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a process data report according to the present embodiment. In the present embodiment, as illustrated in FIG. 15, when the processing of step 1 is completed, the communication unit 514 completes the process data collected by the collection unit 512 in the processing of step 1 (control parameter 1, VID10002 of VID 10001 in step 1). Unit process data such as control parameter 2 of VID 10003 and control parameter 3 of VID 10003 are transmitted to the host computer 600. Subsequently, when the process of step 2 is completed, the communication unit 514 transmits the process data (unit process data) collected by the collection unit 512 in the process of step 2 to the host computer 600. The communication unit 514 repeats the transmission of the unit process data every time the processing of the step is finished, and when the processing of the final step 10 is finished, the process data (unit process data) collected by the collection unit 512 in the processing of step 10 is obtained. To the host computer 600.

すなわち、通信部514は、単位処理(ステップ)の実行が終了するたびに、単位処理(ステップ)の実行に対応して収集部512によって収集された単位プロセスデータを、単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。   That is, the communication unit 514 hosts the unit process data collected by the collection unit 512 corresponding to the execution of the unit process (step) as process data related to the unit process every time the execution of the unit process (step) ends. Send to computer 600.

さらに、図15に示すように、通信部514は、VID10001の制御パラメータ1、VID10002の制御パラメータ2、及びVID10003の制御パラメータ3だけではなく、VID10000の識別データ(ステップNo.)も、ホストコンピュータ600へ送信する。例えば、ステップ1の処理が終わると、VID10000の識別データに、ステップ1であることを示す識別データを入れて、ステップ1におけるVID10001の制御パラメータ1、VID10002の制御パラメータ2、及びVID10003の制御パラメータ3とともに、ホストコンピュータ600へ送信する。   Further, as shown in FIG. 15, the communication unit 514 includes not only the control parameter 1 of VID 10001, the control parameter 2 of VID10002, and the control parameter 3 of VID10003, but also identification data (step No.) of VID10000. Send to. For example, when the processing of step 1 is completed, identification data indicating that it is step 1 is put in the identification data of VID10000, control parameter 1 of VID10001 in step 1, control parameter 2 of VID10002, and control parameter 3 of VID10003. At the same time, it is transmitted to the host computer 600.

すなわち、通信部514は、単位処理(ステップ)の実行が終了するたびに、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ600へ送信する。   That is, every time the execution of the unit process (step) ends, the communication unit 514 transmits unit process data and an identifier for identifying the unit process to the host computer 600 as process data related to the unit process.

このように、本実施形態では、プロセスデータは、1ステップ分の報告データを定義する。通信部514は、ステップ終了時に各変数(VID)に結果を代入してイベント報告する。本実施形態によれば、プロセスデータはステップ単位に報告されるので、処理しなかったステップのデータは報告されない。その結果、無駄な報告データが生じるのを抑制することができる。   Thus, in this embodiment, the process data defines report data for one step. The communication unit 514 reports the event by assigning the result to each variable (VID) at the end of the step. According to the present embodiment, since process data is reported in units of steps, data of steps not processed is not reported. As a result, generation of useless report data can be suppressed.

また、本実施形態によれば、ステップ単位で報告データが送信されるので、CMP装置(状態報告装置510)とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックが分散される。その結果、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックが低減されるので、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信負荷を軽減することができる。また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ600がプロセスデータを受信するための負荷が分散される。また、本実施形態によれば、プロセスが複数ステップで処理される場合、各ステップが終了した早い時点でのCMP装置の状態がホストコンピュータ600へ送信される。より早い段階でプロセスデータを報告することにより、ホストコンピュータ600が報告データを早く確認することが可能になる。また、本実施形態によれば、従来複数ステップ分定義していた報告データを、1ステップ分定義するだけでよいので、報告データのデータ量を削減することができる。例えば、本実施形態では、複数のステップのうち実際に実行されたステップについてのみ、このステップの実行が終了するたびに、このステップに関するプロセスデータをホストコンピュータ600へ送信するので、実行されていないステップについてのデータを送る必要がない。その結果、CMP装置(状態報告装置510)とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックを軽減することができる。   Further, according to the present embodiment, since report data is transmitted in units of steps, communication traffic between the CMP apparatus (status report apparatus 510) and the host computer 600 is distributed. As a result, communication traffic between the CMP apparatus and the host computer 600 is reduced, so that the communication load between the CMP apparatus and the host computer 600 can be reduced. Further, according to the present embodiment, the load for the host computer 600 to receive process data is distributed. Further, according to the present embodiment, when the process is processed in a plurality of steps, the state of the CMP apparatus at the time when each step is completed is transmitted to the host computer 600. By reporting the process data at an earlier stage, the host computer 600 can confirm the report data earlier. Further, according to the present embodiment, since it is only necessary to define report data that has conventionally been defined for a plurality of steps, it is possible to reduce the amount of report data. For example, in the present embodiment, only the step that is actually executed out of the plurality of steps is transmitted to the host computer 600 each time the execution of this step is completed, and thus the step that has not been executed. There is no need to send data about. As a result, communication traffic between the CMP apparatus (status reporting apparatus 510) and the host computer 600 can be reduced.

なお、上記の実施形態は、単位処理が1ステップである場合を示したが、これには限られない。単位処理は、すべてのステップの一部の複数ステップとすることができる。   In the above embodiment, the case where the unit process is one step has been described, but the present invention is not limited to this. The unit process can be a plurality of steps as a part of all the steps.

<膜厚測定器への適用>
上記の説明では、センサ270,370,470によって検出されたプロセスデータをホストコンピュータ600へ報告する例を示したが、これには限られない。上記のプロセスデータの視点を膜厚測定器によって測定される膜厚データに当てはめることができる。
<Application to film thickness measuring instrument>
In the above description, the process data detected by the sensors 270, 370, and 470 is reported to the host computer 600. However, the present invention is not limited to this. The viewpoint of the process data can be applied to the film thickness data measured by the film thickness measuring instrument.

図16は、膜厚測定器によって測定される膜厚データを報告する状態報告装置及びCM
P装置の構成を示す図である。図16に示すように、CMP装置には、CMP装置(研磨ユニット3)によって処理される基板の膜厚を測定する膜厚測定器700が接続される。
FIG. 16 shows a state reporting device and CM for reporting film thickness data measured by a film thickness measuring instrument.
It is a figure which shows the structure of P apparatus. As shown in FIG. 16, a film thickness measuring device 700 for measuring the film thickness of a substrate processed by the CMP apparatus (polishing unit 3) is connected to the CMP apparatus.

<従来技術の膜厚測定データの報告>
図17は、従来技術による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。図17に示すように、CMP装置は、膜厚測定器700へ測定開始要求を出力する。膜厚測定器700は、測定開始要求を受信したら、基板の膜厚測定を開始する。
<Report of conventional film thickness measurement data>
FIG. 17 is a diagram showing an outline of reporting of film thickness measurement data according to the prior art. As shown in FIG. 17, the CMP apparatus outputs a measurement start request to the film thickness measuring device 700. When receiving the measurement start request, the film thickness measuring device 700 starts measuring the film thickness of the substrate.

例えば、測定ポイントが200箇所設定されていたとしたら、膜厚測定器700は、測定ポイント1〜測定ポイント200の基板の膜厚を順次測定する。膜厚測定器700は、すべての測定ポイントにおける基板の膜厚の測定を終了したら、200箇所分の測定結果をCMP装置へ送信する。CMP装置は、膜厚測定器700から送信された測定結果を受信したら、受信した測定結果をホストコンピュータ600へ送信する。   For example, if 200 measurement points are set, the film thickness measuring device 700 sequentially measures the film thickness of the substrate at the measurement points 1 to 200. When the film thickness measuring instrument 700 finishes measuring the film thickness of the substrate at all measurement points, it transmits the measurement results for 200 locations to the CMP apparatus. When the CMP apparatus receives the measurement result transmitted from the film thickness measuring instrument 700, the CMP apparatus transmits the received measurement result to the host computer 600.

従来技術の膜厚測定データの報告によれば、複数箇所の測定ポイントの測定結果が、まとめてホストコンピュータ600へ送信される。そのため、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信負荷が増大していた。   According to the report of the film thickness measurement data of the prior art, the measurement results at a plurality of measurement points are collectively transmitted to the host computer 600. Therefore, the communication traffic between the CMP apparatus and the host computer 600 increases intensively at a certain timing, and as a result, the communication load between the CMP apparatus and the host computer 600 increases.

<本実施形態の膜厚測定データの報告>
図18は、本実施形態による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。図18に示すように、CMP装置は、膜厚測定器700へ測定開始要求を出力する。膜厚測定器700は、測定開始要求を受信したら、基板の膜厚測定を開始する。
<Report of film thickness measurement data of this embodiment>
FIG. 18 is a diagram showing an outline of reporting of film thickness measurement data according to the present embodiment. As shown in FIG. 18, the CMP apparatus outputs a measurement start request to the film thickness measuring device 700. When receiving the measurement start request, the film thickness measuring device 700 starts measuring the film thickness of the substrate.

例えば、測定ポイントが200箇所設定されていたとしたら、膜厚測定器700は、測定ポイント1〜測定ポイント200の基板の膜厚を順次測定する。膜厚測定器700は、各測定ポイントにおける膜厚測定が終了するたびに、測定結果をCMP装置へ送信する。   For example, if 200 measurement points are set, the film thickness measuring device 700 sequentially measures the film thickness of the substrate at the measurement points 1 to 200. The film thickness measuring device 700 transmits the measurement result to the CMP apparatus every time the film thickness measurement at each measurement point is completed.

収集部512は、CMP装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集する。具体的には、収集部512は、複数の測定ポイントのうちの一部(例えば、1つの測定ポイント)の膜厚の測定が終了するたびに、一部の膜厚の測定結果を収集する。また、収集部512が収集する測定結果には、どの測定ポイントの膜厚データであるかを識別するために測定ポイント番号と、その測定ポイントにおける膜厚データ(単位膜厚データ)と、が含まれる。   The collection unit 512 collects measurement results output from a film thickness measuring device that measures the film thickness of the substrate processed by the CMP apparatus. Specifically, the collection unit 512 collects a part of film thickness measurement results each time measurement of a part of the plurality of measurement points (for example, one measurement point) is completed. Further, the measurement result collected by the collection unit 512 includes a measurement point number and film thickness data (unit film thickness data) at the measurement point in order to identify which measurement point the film thickness data is. It is.

収集部512は、測定ポイントごとの測定結果の収集を繰り返す。通信部514は、複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、一部の膜厚の測定に対応して収集部512によって収集された単位測定結果を、一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして管理装置(ホストコンピュータ600)へ送信する。   The collection unit 512 repeats collection of measurement results for each measurement point. The communication unit 514 partially displays the unit measurement results collected by the collection unit 512 in response to the measurement of some film thicknesses, every time measurement of some film thicknesses of the plurality of measurement points is completed. Is transmitted to the management apparatus (host computer 600) as film thickness data relating to the measurement of the film thickness.

本実施形態によれば、例えば測定ポイント単位で膜厚データが送信されるので、CMP装置(状態報告装置510)とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックが分散される。その結果、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信トラフィックが低減されるので、CMP装置とホストコンピュータ600との間の通信負荷を軽減することができる。また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ600がプロセスデータを受信するための負荷が分散される。また、本実施形態によれば、各測定ポイントにおける測定が終了した早い時点での基板の膜厚データがホストコンピュータ600へ送信される。より早い段階で膜厚データを報告することにより、ホストコンピュータ600が膜厚データを早く確認することが可能になる。また、従来の方法では、イベントリンクした測定ポイント数分しか報告できなかったが、本実施形態によれば、測定ポイント単位で送信
されるので、報告可能な測定ポイント数の上限が無くなる。
According to the present embodiment, film thickness data is transmitted in units of measurement points, for example, so that communication traffic between the CMP apparatus (status report apparatus 510) and the host computer 600 is distributed. As a result, communication traffic between the CMP apparatus and the host computer 600 is reduced, so that the communication load between the CMP apparatus and the host computer 600 can be reduced. Further, according to the present embodiment, the load for the host computer 600 to receive process data is distributed. In addition, according to the present embodiment, the film thickness data of the substrate at an early time point when the measurement at each measurement point is completed is transmitted to the host computer 600. By reporting the film thickness data at an earlier stage, the host computer 600 can quickly confirm the film thickness data. In addition, according to the conventional method, only the number of measurement points linked to the event can be reported. However, according to the present embodiment, since transmission is performed in units of measurement points, there is no upper limit on the number of measurement points that can be reported.

2 ロード/アンロードユニット
3 研磨ユニット
4 洗浄ユニット
5 制御装置
270,370,470 センサ
510 状態報告装置
512 収集部
514 通信部
520 操作部
530 記憶部
540 制御部
600 ホストコンピュータ
610 処理レシピ
700 膜厚測定器
2 Load / unload unit 3 Polishing unit 4 Cleaning unit 5 Control device 270, 370, 470 Sensor 510 Status reporting device 512 Collection unit 514 Communication unit 520 Operation unit 530 Storage unit 540 Control unit 600 Host computer 610 Processing recipe 700 Film thickness measurement vessel

Claims (9)

基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集部と、
前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信部と、を備え、
前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、
前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告装置。
For each of a plurality of processing units included in the substrate processing apparatus, a collection unit that collects process data detected by a sensor provided in the processing unit when a process related to substrate processing is executed;
A communication unit that transmits the process data collected by the collection unit to a management device of the substrate processing apparatus,
The process includes a plurality of unit processes,
The communication unit transmits unit process data collected by the collection unit corresponding to the execution of the unit process to the management apparatus as process data related to the unit process every time execution of the unit process is completed. ,
A status reporting device characterized by that.
請求項1の状態報告装置において、
前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告装置。
The status reporting device according to claim 1,
The communication unit transmits the unit process data and an identifier for identifying the unit process to the management apparatus as process data related to the unit process each time execution of the unit process ends.
A status reporting device characterized by that.
請求項2の状態報告装置において、
前記複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されており、
前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告装置。
The status reporting device according to claim 2,
A common transmission format is set for the plurality of unit processes,
Whenever the execution of the unit process is completed, the communication unit uses the transmission format to convert the unit process data and an identifier for identifying the unit process as process data related to the unit process. Send to the management device,
A status reporting device characterized by that.
請求項3の状態報告装置において、
前記通信部は、前記複数の単位処理のうち実行された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告装置。
The status reporting device according to claim 3,
The communication unit identifies the unit process data and the unit process by using the transmission format for each unit process executed out of the plurality of unit processes, every time execution of the unit process ends. And an identifier for transmitting to the management device as process data relating to the unit processing,
A status reporting device characterized by that.
請求項1〜4のいずれか1項の状態報告装置において、
前記複数の単位処理は、前記処理ユニットにおいて同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて実行する複数のステップである、
ことを特徴とする状態報告装置。
In the status reporting device according to any one of claims 1 to 4,
The plurality of unit processes are a plurality of steps for executing the same processing content in the processing unit based on different parameters.
A status reporting device characterized by that.
請求項1〜5のいずれか1項の状態報告装置において、
前記収集部は、前記基板処理装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集し、
前記膜厚の測定は、前記基板の複数の測定ポイントにおける膜厚の測定を含んでおり、
前記通信部は、前記複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、前記一部の膜厚の測定に対応して前記収集部によって収集された単位測定結果を、前記一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告装置。
In the status reporting device according to any one of claims 1 to 5,
The collection unit collects measurement results output from a film thickness measuring device that measures the film thickness of a substrate processed by the substrate processing apparatus,
The measurement of the film thickness includes measurement of film thickness at a plurality of measurement points of the substrate,
Each time the measurement of the film thickness of a part of the plurality of measurement points is completed, the communication unit, the unit measurement results collected by the collection unit corresponding to the measurement of the film thickness of the part, Send to the management device as film thickness data relating to the measurement of the part of the film thickness,
A status reporting device characterized by that.
複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットに実行させるプロセスのレシピを入力するための操作部と、
前記操作部を介して入力されたレシピを記憶するための記憶部と、
前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記複数の処理ユニットに前記プロセスを実行させる制御部と、
請求項1〜6のいずれか1項の状態報告装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
Multiple processing units;
An operation unit for inputting a recipe of a process to be executed by the plurality of processing units;
A storage unit for storing a recipe input via the operation unit;
A control unit that causes the plurality of processing units to execute the process based on a recipe stored in the storage unit;
The status reporting device according to any one of claims 1 to 6,
A substrate processing apparatus comprising:
請求項7の基板処理装置において、
前記複数の処理ユニットは、
基板の研磨処理を行うための研磨ユニットと、
前記基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニットと、
前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード/アンロードユニットと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 7,
The plurality of processing units are:
A polishing unit for polishing a substrate;
A cleaning unit for cleaning and drying the substrate;
A load / unload unit that delivers a substrate to the polishing unit and receives a substrate that has been cleaned and dried by the cleaning unit;
A substrate processing apparatus comprising:
基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集ステップと、
前記収集ステップによって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信ステップと、を備え、
前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、
前記通信ステップは、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集ステップによって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
ことを特徴とする状態報告方法。
For each of a plurality of processing units included in the substrate processing apparatus, a collection step of collecting process data detected by a sensor provided in the processing unit when a process related to substrate processing is executed;
A communication step of transmitting the process data collected by the collecting step to a management device of the substrate processing apparatus,
The process includes a plurality of unit processes,
The communication step transmits the unit process data collected by the collecting step corresponding to the execution of the unit process to the management apparatus as process data related to the unit process every time the execution of the unit process ends. ,
A state reporting method characterized by that.
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