JP6375829B2

JP6375829B2 - Ａｇ合金スパッタリングターゲット

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Publication number: JP6375829B2
Application number: JP2014195264A
Authority: JP
Inventors: 野中　荘平; 荘平野中; 小見山　昌三; 昌三小見山; 悠人歳森
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2014-09-25
Filing date: 2014-09-25
Publication date: 2018-08-22
Anticipated expiration: 2034-09-25
Also published as: JP2016065290A

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の反射電極膜やタッチパネルの配線膜等の導電性膜を形成する際に使用するＡｇ合金スパッタリングターゲットに関し、特に、大面積のスパッタリング表面を有する大型のＡｇ合金スパッタリングターゲットに関する。

有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ発光層を挟み込むように配置された陽極と陰極との間に電圧を印加し、陽極からは正孔を、陰極からは電子をそれぞれ有機ＥＬ膜に注入し、有機ＥＬ発光層で正孔と電子とが結合する際に発光する原理を利用した発光素子である。
このような有機ＥＬは、近年、ディスプレイデバイス用の発光素子として注目されている。

有機ＥＬ素子の駆動方式としては、パッシブマトリックス方式と、アクティブマトリックス方式と、がある。アクティブマトリックス方式は、１つの画素に、１つ以上の薄膜トランジスタを設けることで、スイッチング速度の高速化が実現可能であるため、高コントラスト比、高精細化に有利である。
したがって、アクティブマトリックス方式は、有機ＥＬ素子の特性を発揮させやすい駆動方式である。

一方、有機ＥＬ素子の光の取り出し方式としては、透明基板側から光を取り出すボトムエミッション方式と、透明基板の反対側に光を取り出すトップエミッション方式と、がある。トップエミッション方式は、開口率が高いため、高輝度化に有利な方式である。

トップエミッション方式が適用された有機ＥＬ素子を構成する反射電極膜は、有機ＥＬ発光層で発光した光を効率良く反射するために、反射率が高く、かつ耐食性に優れていることが好ましい。また、トップエミッション方式が適用された有機ＥＬ素子を構成する電極としては、低抵抗であることが好ましい。

従来、電極の低抵抗化を図ることの可能な材料として、Ａｇ合金やＡｌ合金が知られている。より高輝度の有機ＥＬ素子を得るためには、Ａｌ合金よりも可視光反射率の高いＡｇ合金が好ましい。
有機ＥＬ素子の反射電極膜としてＡｇ合金膜を用いる場合には、スパッタリング法が採用されている。この場合、スパッタリング装置のターゲットとしては、Ａｇ合金スパッタリングターゲットが用いられている（例えば、特許文献１参照。）。

ところで、Ａｇは、高い導電性や高い反射率を有する金属であり、これらの特性を活かし、近年では、有機ＥＬパネルの反射電極膜として使用されている。
一方、純Ａｇ膜は、高い導電性、及び高い反射率を有する反面、耐食性（特に、耐硫化性）や熱的な安定性に欠けるため、有機ＥＬパネルの反射電極膜に適用するためには、これらの特性を改善する必要がある。
上記純Ａｇの特性を改善する手段として、Ｉｎが添加されたＡｇ合金よりなるスパッタ用ターゲットが提案されている（例えば、特許文献２，３参照。）。

近年、有機ＥＬ素子製造時のガラス基板の大型化に伴い、反射電極膜を形成する際に使用されるＡｇ合金スパッタリングターゲットも大型化が進展している。
しかし、生産性の向上の観点から、大型化されたＡｇ合金スパッタリングターゲットに高い電力を投入してスパッタリングすると、異常放電が発生すると共に、スプラッシュと呼ばれる現象（溶融した微粒子が基板に付着してしまう現象）が発生してしまう。

このような現象が発生すると、微粒子によって、配線や電極間がショートするため、有機ＥＬ素子の歩留りが低下してしまう。
トップエミッション方式の有機ＥＬ素子を構成する反射電極層は、有機ＥＬ発光層の下地層となるため、高い平坦性が要求される。したがって、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子では、異常放電やスプラッシュ現象を抑制することが重要となる。

上記異常放電やスプラッシュ現象を抑制するために、特許文献２，３にされたＡｇ合金ターゲットでは、合金の結晶粒の平均粒径を１５０〜４００μｍとし、結晶粒の粒径のばらつきを平均粒径の２０％以下としている。これにより、大型化されたスパッタリングターゲットに大電力が投入された場合でも、異常放電やスプラッシュ現象を抑制することが可能となる。

国際公開第０２／０７７３１７号特開２０１１−１００７１９号公報特開２０１１−１６２８７６号公報

しかしながら、マグネトロンスパッタリングにおいては、ターゲットが局所的に掘られてエロージョンが形成されるため、ターゲットの結晶に異方性があると、エロージョン部分の表面に現れる結晶面が、最初のターゲット表面の結晶面から変化してしまう。
これにより、ターゲットのスパッタレートが経時的に変化するため、ターゲットの使用量によりスパッタ膜の成膜レートが変化してしまうという問題があった。

そこで、本発明は、スパッタされることによるスパッタリング表面の経時的な変化に依存することなく、スパッタ膜の成膜レートを安定させることの可能なＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一観点によれば、０．１〜１．５質量％のＩｎを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物よりなるＡｇ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリング表面のＸ線回折測定において検出される（２００）面／（１１１）面の回折強度比が０．２５以上０．５５以下、（２２０）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下、（３１１）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下であることを特徴とするＡｇ合金スパッタリングターゲットが提供される。

本発明によれば、Ａｇ合金スパッタリングターゲットが０．１〜１．５質量％のＩｎを含むことで、スパッタ膜の表面に酸化被膜を形成しやすくなるため、耐硫化性を向上させることができる。また、Ｉｎの添加量を０．１〜１．５質量％の範囲内とすることで、スパッタ膜の反射率の低下を抑制できる。

また、（２００）面／（１１１）面の回折強度比を０．２５以上０．５５以下、（２２０）面／（１１１）面の回折強度の比を０．１０以上０．４０以下、（３１１）面／（１１１）面の回折強度の比を０．１０以上０．４０以下とすることで、結晶配向の異方性が無くなる（言い換えれば、無配向となる。）。
これにより、スパッタリング表面内におけるＡｇ合金スパッタリングターゲットのスパッタレートの経時変化を小さくすることが可能となるので、スパッタ膜の成膜レートを安定させることができる。

上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタリング表面における平均結晶粒径は、１５０μｍ以下であってもよい。これによりスパッタリング表面に凹凸が生じることを抑制可能となるので、異常放電の発生を抑制できる。

上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタリング表面の面積が、０．２５ｍ^２以上であってもよい。

このような大型化されたＡｇ合金スパッタリングターゲット（スパッタリング表面の面積が０．２５ｍ^２以上のＡｇ合金スパッタリングターゲット）に適用した場合でも、大電力が投入されたスパッタ膜の成膜処理を可能とし、異常放電やスプラッシュ現象の発生を十分に抑制した上で、耐熱性に優れたスパッタ膜を成膜することができる。

上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、さらに、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種を、０．０１〜３．５質量％含有してもよい。

これにより、スパッタ膜の耐熱性、耐湿性、耐食性（具体的には、耐硫化性や耐塩水性）をさらに向上させることができる。
また、スパッタ膜を成膜後に行われる工程（具体的には、例えば、熱処理工程や、薬品を使用したエッチング工程等）において、製品として出荷された後で生じるスパッタ膜の変質（例えば、熱による凝集や腐食）による特性の低下をより一層抑制することができる。

本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、スパッタされることによるスパッタリング表面の経時的な変化に依存することなく、スパッタ膜の成膜レートを安定させることができる。

以下、本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。

（実施の形態）
＜Ａｇ合金スパッタリングターゲット＞
本発明の実施の形態のＡｇ合金（Ａｇ−Ｉｎ合金）スパッタリングターゲットは、有機ＥＬ素子の反射電極膜やタッチパネルの配線膜等の導電膜の母材となるスパッタ膜（Ａｇ合金薄膜）等を成膜する際に使用するＡｇ合金スパッタリングターゲットである。

本実施の形態のＡｇ合金スパッタリングターゲットは、０．１〜１．５質量％のＩｎを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物よりなるＡｇ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリング表面のＸ線回折測定において検出される（２００）面／（１１１）面の回折強度比が０．２５以上０．５５以下、（２２０）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下、（３１１）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下となるように構成されている。

ここで、Ａｇ合金スパッタリングターゲットに含まれるＩｎの含有量として、０．１〜１．５質量％の範囲内が好ましい理由について説明する。
Ｉｎの含有量が０．１質量％よりも少ないと、スパッタ膜の耐硫化性を向上させることが困難となってしまう。一方、Ｉｎの含有量が１．５質量％よりも多いと、スパッタ膜の反射率が低下してしまう。

よって、Ａｇ合金スパッタリングターゲットに含まれるＩｎの含有量を、０．１〜１．５質量％の範囲内とすることで、スパッタ膜の反射率を低下させることなく、スパッタ膜の耐硫化性を向上させることができる。

また、上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットは、スパッタリング表面における平均結晶粒径を１５０μｍ以下にすることが好ましい。これによりスパッタリング表面に凹凸が生じることを抑制可能となるので、異常放電の発生を抑制できる。

また、上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットは、スパッタリング表面の面積が、０．２５ｍ^２以上の大型化されたＡｇ合金スパッタリングターゲットに適用することが好ましい。
このような大型化されたＡｇ合金スパッタリングターゲットに適用した場合でも、大電力が投入されたスパッタ膜の成膜処理を可能とし、異常放電やスプラッシュ現象の発生を十分に抑制した上で、耐熱性に優れたスパッタ膜を成膜することができる。

また、上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットは、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種を、０．０１〜３．５質量％含有してもよい。
Ａｇ合金スパッタリングターゲットが、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種を、０．０１〜３．５質量％含有することで、スパッタ膜の耐熱性、耐湿性、耐食性をさらに向上させることができる。
これにより、スパッタ膜を成膜後に行われる工程において、製品として出荷された後で生じるスパッタ膜の変質による特性の低下をより一層抑制することができる。

Ａｇ合金スパッタリングターゲットに含まれるＳｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種の含有量が０．０１質量％よりも少ないと、上記効果を得ることができない。
一方、Ａｇ合金スパッタリングターゲットに含まれるＳｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種の含有量が３．５質量％を超えると、スパッタ膜の電気抵抗が高くなりすぎたり、スパッタ膜の反射率が低下したりしてしまう。

スパッタ膜の耐熱性、耐湿性、耐食性のより一層の向上や、出荷後のスパッタ膜の変質による特性の低下をより抑制する観点から、Ａｇ−Ｉｎ合金（Ａｇ合金スパッタリングターゲットの材料）に、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種の元素を添加する際には、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅの各元素の組成範囲を限定することが好ましい。

具体的には、各元素の組成の範囲は、例えば、Ｓｂが０．１〜３．５質量％、Ｍｇが０．０１〜０．５質量％、Ｐｄが０．１〜３．５質量％、Ｃｕが０．２〜２．５質量％、Ｓｎが０．１〜２．０質量％、Ｇｅが０．２〜２．５質量％とすることができる。
添加量が上記各範囲の下限値に満たない場合には、上記説明したような効果を得ることができない。一方、添加量が上記各範囲の上限を超える場合には、スパッタ膜の電気抵抗が高くなったり、スパッタ膜の反射率が低下したりする恐れがある。

以上、Ａｇ−Ｉｎ合金に、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種の元素を添加する場合について説明したが、これらの元素が添加されたＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜されたスパッタ膜は、例えば、Ｓｂの添加により、耐熱性及び耐湿性を向上させることができる。
また、Ｍｇを添加することで、スパッタ膜の耐熱性及び耐塩水性を向上させることができる。また、Ｐｄを添加することで、スパッタ膜の耐湿性、耐硫化性、及び耐塩水性を向上させることができる。
また、Ｃｕを添加することで、スパッタ膜の耐熱性及び耐硫化性を向上させることができる。また、Ｓｎを添加することで、スパッタ膜の耐熱性、耐湿性、及び耐硫化性を向上させることができる。
さらに、Ｇｅを添加することで、スパッタ膜の反射率を低下させることなく、耐熱性を向上させることができる。

上記説明したように、本実施の形態のＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、マグネトロンスパッタリングに使用されるＡｇ合金スパッタリングターゲットを無配向とすることで、スパッタされていない初期のスパッタリング表面に出てくる結晶面と、使用が進み、経時的に変化したスパッタリング表面に出でくる結晶面と、の両方をランダムな結晶面にすることが可能となる。
これにより、Ａｇ合金スパッタリングターゲットのスパッタリング率が経時的に変化することを抑制可能となるので、ターゲットの使用量（ターゲットの経時的な変化）に起因する成膜レートの変化を抑制できる。

＜Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法＞
次に、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
始めに、純度が９９．９９質量％以上のＡｇと、純度が９９．９９質量％以上のＩｎと、純度が９９．９９質量％以上とされた添加剤（具体的には、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種）と、を準備する。
次いで、高周波真空溶解炉内に、所望の質量比となるように、Ａｇと、Ｉｎと、添加剤と、をセットする。

次いで、高周波真空溶解炉の真空チャンバー内を真空排気した後、アルゴンガスで置換し、その後、Ａｇを溶解させる。次いで、アルゴンガス雰囲気中において、溶解したＡｇに、Ｉｎと、添加剤と、を添加し、合金溶湯を黒鉛製鋳型に注いで鋳造することで、溶解鋳造インゴットを作製する。なお、不活性ガスであるアルゴンガス雰囲気に替えて、真空中において、Ａｇ、Ｉｎ、及び添加剤を溶解させてもよい。

鋳造処理の方法としては、例えば、一方向凝固法を用いて実施することができる。一方向凝固法は、例えば、鋳型の底部を水冷させた状態で、抵抗加熱により予め側面部を加熱した鋳型に、溶湯を鋳込み、その後、鋳型下部の抵抗加熱部の設定温度を徐々に低下させることで実施できる。
なお、鋳造処理の方法としては、上記説明した一方向凝固法に替えて、完全連続鋳造法や半連続鋳造法等の方法を用いて行ってもよい。

次いで、溶解鋳造インゴットを熱間圧延することで、所望の厚さとされた板材（Ａｇ合金スパッタリングターゲットの母材）を作製する。このとき、総圧下率が６５％以上９０％以下の条件で、１パスあたりの圧下率を５〜２５％の範囲とし、繰り返し熱間圧延することで、無配向とされた板材を作製することができる。
なお、ここでの１パスあたりの圧下率は、下記（１）式により算出することができる。
１パスあたりの圧下率（％）＝（パス前の厚み−パス後の厚み)÷パス前の厚さ×１００・・・（１）
次いで、上記板材を急冷（例えば、加熱された温度から目的の温度までを２００℃／分以上の冷却速度で冷却）する。これにより、板材の平均結晶粒径を１５０μｍ以下にすることができる。
その後、該板材を機械加工することで、本実施の形態のＡｇ合金スパッタリングターゲットが製造される。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

以下、実施例及び比較例について説明するが、本発明は、下記実施例に限定されない。

＜実施例１〜１１のＡｇ合金スパッタリングターゲットＴ１〜Ｔ１１の作製＞
始めに、表１に示す実施例１〜１１の組成となるように、各金属を秤量し、高周波真空溶解炉内に装入した。このとき、Ａｇ、Ｉｎ、及び添加剤（Ｓｂ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｇｅ）は、純度が９９．９９質量％のものを用いた。

次いで、高周波真空溶解炉の真空チャンバー内を真空排気した後、アルゴンガスで置換し、その後、Ａｇを溶解させた。このとき、溶解時の総重量は、約３５０ｋｇとした。
次いで、アルゴンガス雰囲気中において、溶解したＡｇに、Ｉｎ及び添加剤を添加し、合金溶湯を黒鉛製鋳型に注いで鋳造することで、溶解鋳造インゴットを作製した。鋳造処理の方法としては、先に説明した一方向凝固法を用いた。

次いで、鋳造後、溶湯表面に浮上した酸化膜等の異物を含むインゴット上部の引け巣部分を切断し、健全部として、約３２５ｋｇのＡｇ合金インゴット（４００ｍｍ×４３５ｍｍ×１８０ｍｍ）を作製した。

次いで、Ａｇ合金インゴットを熱間圧延させることで、無配向とされた板材（Ａｇ合金スパッタリングターゲットの母材）を作製した。
具体的には、Ａｇ合金インゴットを７７０℃まで加熱した後、一方向に圧延を繰り返すことで、４００ｍｍから１２００ｍｍまで伸ばし、これを９０度回転させた後、さらにもう一方の方向である４３５ｍｍの方向の圧延を繰り返し行うことで、板材（縦１２００ｍｍ×横１３００ｍｍ×厚さ２０ｍｍ）を作製した。

上記熱間圧延は、合計で１２回のパスを繰り返した。このときの熱間圧延全体の総圧延率は、約８９％であった。
なお、総圧下率は、下記（２）式により算出した。
総圧下率＝｛｛熱間圧延前のＡｇ合金インゴットの厚さ｝−（熱間圧延後のＡｇ合金インゴットの厚さ）｝／｛熱間圧延前のＡｇ合金インゴットの厚さ｝・・・（２）

その後、実施例１〜１０では、圧延後の板材の温度が７７０℃から２００℃となるように、約３００℃／ｍｉｎの平均冷却速度で板材を水シャワーにより急冷させることで、平均結晶粒径を細かくした。
一方、実施例１１では、圧延後の板材の温度が７７０℃から２００℃となるように、約２０℃／ｍｉｎの平均冷却速度でゆっくりと板材を冷却（放冷）した。

次いで、冷却された板材をローラレベラーに通して、実施例１〜１０の板材の急冷に起因するひずみを矯正した。
その後、得られた板材を、１１００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法に機械加工することで、実施例１〜１１のＡｇ合金スパッタリングターゲットＴ１〜Ｔ１１を作製した。

＜比較例のＡｇ合金スパッタリングターゲットＳ１の作製＞
比較例では、一方向凝固に替えて、通常の黒鉛製鋳型に鋳込んだこと以外は、先に説明した実施例１と同様な手法により、Ａｇ−Ｉｎ合金インゴット（３２５ｍｍ×３２８ｍｍ×２５０ｍｍ）を作製した。
次いで、実施例１と同様な熱間圧延処理をＡｇ−Ｉｎ合金インゴットに行うことで、板材（１４５０ｍｍ×１５２０ｍｍ×１４ｍｍ）を作製した。このとき、熱間圧延全体の総圧延率は、約９４．４％であった。
その後、実施例１と同様な処理を行うことで、１１００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法とされた比較例のＡｇ合金スパッタリングターゲットＳ１を作製した。

＜Ｘ線回折測定、及びＸ線回折ピークの強度比の算出＞
各Ａｇ合金スパッタリングターゲットＴ１〜Ｔ１１，Ｓ１の中心部と角部との計３箇所から２０ｍｍ□のサンプルを切り出し（以下、これらのサンプルを「第１〜第３のサンプル」という）、第１〜第３のサンプルの表面（スパッタリング面に相当する面）を鏡面研磨した。
次いで、株式会社リガク製のＸ線回折装置であるＲＩＮＴ−ＵＬＴＩＭＡIIIを用いて、第１〜第３のサンプルの表面における２θ−θの回折測定を行った。
このとき、Ｃｕを陽極に用いた管球を用い、２θを０．０５°刻みのステップスキャンとして、１ステップあたり２秒のＸ線を照射して回折測定を行った。また、Ｘ線回折測定は、第１〜第３のサンプルを回転させながら行った。

その後、第１〜第３のサンプルの回折測定結果から、（２００）面／（１１１）面の回折強度比、（２２０）面／（１１１）面の回折強度の比、及び（３１１）面／（１１１）面の回折強度の比を算出した。この結果を表２に示す。

＜実施例１〜１１及び比較例のスパッタリング表面における平均結晶粒径の算出＞
次いで、各Ａｇ合金スパッタリングターゲットＴ１〜Ｔ１１，Ｓ１の中心部から１０ｍｍ□のサンプルを切り出しサンプルの表面（スパッタリング面に相当する面）を鏡面研磨した後、研磨された表面の結晶粒界をエッチングした。
この際用いたエッチング液は、水：２８%アンモニア水：３１％過酸化水素水を体積比にて、４：１：１に混合することで作製した。
次に、光学顕微鏡を用いて、実施例１〜１１及び比較例の研磨面を観察し、１００倍の倍率にて組織写真を撮影し、組織写真中の結晶粒径を、ＡＳＴＭＥ１１２に記載の切断法にて計測し、平均化することで平均結晶粒径を求めた。この結果を表２に示す。

＜実施例１〜１１及び比較例の異常放電の評価＞
実施例１〜１１及び比較例のＡｇ合金スパッタリングターゲットＴ１〜Ｔ１１，Ｓ１から直径１５４．２ｍｍの円盤を切り出して、機械加工により厚さ６ｍｍとし、その後、無酸素銅製のバッキングプレートにＩｎはんだを用いて接合することで、実施例１〜１１及び比較例の評価用Ａｇ合金スパッタリングターゲットを作製した。

次いで、スパッタリング装置に、評価用Ａｇ合金スパッタリングターゲットを装着し、直流１０００Ｗの電力、アルゴンガス圧が０．５Ｐａの条件にて、１時間のスパッタリング放電を実施し、この放電中に発生する異常放電の回数を直流電源に搭載されている異常放電検知機能を用いて計測した。この結果を表２に示す。
なお、スパッタリング装置としては、直流マグネトロンスパッタリング装置である株式会社アルバック製のＳＩＨ−４５０Ｈを用いた。

＜表２に示す評価結果について＞
表２を参照するに、実施例１〜１１において、（２００）面／（１１１）面の回折強度比は、０．２８〜０．５１であり、０．２５以上０．５５以下の範囲内であった。実施例１〜１１において、（２２０）面／（１１１）面の回折強度比は、０．１３〜０．３９であり、０．１０以上０．４０以下の範囲内であった。
また、実施例１〜１１において、（３１１）面／（１１１）面の回折強度比は、０．１９〜０．３４であり、０．１０以上０．４０以下の範囲内であった。
一方、比較例では、（２００）面／（１１１）面の回折強度比が０．５５よりも大きく、（３１１）面／（１１１）面の回折強度比が０．１０よりも小さい結果となった。

実施例１１の平均結晶粒径は、実施例１〜１０の平均結晶粒径よりも大きな値（１９５μｍ）となり、１５０μｍを超える値となった。これは、実施例１１では、熱間圧延後にゆっくりと冷却したため、結晶粒径が微細化しなかったためと推測される。

スパッタ時の異常放電については、実施例１〜１１及び比較例ともに良好な結果が得られた。なお、実施例１１の異常放電回数が比較例の異常放電回数よりも多くなっているが、問題のない範囲である。

＜実施例１〜１１及び比較例のスパッタ膜の成膜レート＞
次いで、上記スパッタリング装置のチャンバー内に配置された基板ホルダーに、マスキングテープ付き基板を固定させた。基板は、Ａｇ合金スパッタリングターゲットと平行に対向するように配置させた。また、基板とＡｇ合金スパッタリングターゲットとの距離は、７０ｍｍとした。
基板としては、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの四角形とされたガラス基板（具体的には、コーニング社製のイーグルＸＧ）を用いた。基板に貼り付けたマスキングテープとしては、中興化成工業株式会社製のＡＧＦ−１００ＦＲを縦５ｍｍ×横２０ｍｍの大きさに切断したものを用いた。

次いで、スパッタリング装置のチャンバー内を真空排気することで、チャンバー内の圧力を５×１０^−５Ｐａ以下とした。次いで、チャンバー内にアルゴンガスを導入することで、０．５Ｐａのスパッタガス圧とした。
続いて、直流電源を用いて、Ａｇ合金スパッタリングターゲットに１０００Ｗの直流電力を印加し、基板を加熱することなく、４５秒間スパッタ膜を成膜した。
これにより、実施例１〜１１のスパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１、及び比較例のスパッタ膜Ｑ１を成膜した。

次いで、スパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１，Ｑ１が形成された基板を取り出した後、マスキングテープを剥がし、スパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１，Ｑ１と基板との間に形成される段差（言い換えれば、スパッタ膜の厚さ）をＢｒｕｋｅｒＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の触針式段差計であるＤｅｋｔａｋ８を用いて測定した。これにより、スパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１，Ｑ１の厚さを求めた。
そして、スパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１，Ｑ１の厚さと、成膜時間である４５秒と、に基づいて、スパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１，Ｑ１の成膜レート（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。

次いで、上記スパッタ条件と同じ条件で、基板を装着せず、シャッターを閉じたままのダミー空スパッタを１時間行い、その後、チャンバー内にマスキングテープ付き基板を配置させ、上記スパッタ条件を用いて、スパッタ膜を成膜し、成膜レートを算出した。この作業を４回繰り返し行うことで、５つの成膜レートを取得した。この結果を表３に示す。

＜表３に示す評価結果について＞
表３を参照するに、実施例１〜１１のスパッタ膜Ｐ１〜Ｐ１１の成膜レートは、上記のスパッタ試験の間ほぼ一定の成膜レートを示した。一方、比較例のスパッタ膜Ｑ１の成膜レートは、ターゲットの使用時間経過に伴い、成膜レートが減少する傾向を示した。
このことから、実施例１〜１１では、ターゲット使用時間経過に対する成膜レートの変化が少ないことが確認できた。

Claims

０．１〜１．５質量％のＩｎを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物よりなるＡｇ合金スパッタリングターゲットであって、
スパッタリング表面のＸ線回折測定において検出される（２００）面／（１１１）面の回折強度比が０．２５以上０．５５以下、（２２０）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下、（３１１）面／（１１１）面の回折強度の比が０．１０以上０．４０以下であることを特徴とするＡｇ合金スパッタリングターゲット。
前記スパッタリング表面における平均結晶粒径は、１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
前記スパッタリング表面の面積が、０．２５ｍ^２以上であることを特徴とする請求項１または２記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
さらに、Ｓｂ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅのうち、少なくとも１種を、０．０１〜３．５質量％含有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。