JP6375889B2 - 電子部品内蔵基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、コア基板と、コア基板の一方主面に実装された電子部品と、その電子部品を埋設して設けられた樹脂層とを備える電子部品内蔵基板、およびその製造方法に関するものである。

近年、携帯型電子機器の薄型化を受けて、国際公開第２０１１／１３５９２６号（特許文献１）のように、基板内部に電子部品を埋設することにより基板の薄型化を図った電子部品内蔵基板が提案されている。

図１１は、特許文献１に記載されている電子部品内蔵基板１００の断面図である。図１１に記載の電子部品内蔵基板１００では、コア基板１０８に電子部品１０１、１０２が実装され、それらの電子部品１０１、１０２が埋設されるように樹脂層１０９が形成されている。

このような電子部品内蔵基板１００は、軽量であり、かつセラミック基板のように高温焼成を伴わないため、内蔵する電子部品に制約が少ないという利点がある。

ここで、特許文献１に記載の電子部品内蔵基板１００の樹脂層１０９に埋設される電子部品１０１、１０２として、積層セラミックコンデンサを考える。図１２に、積層セラミックコンデンサ２０１の断面図を示す。

積層セラミックコンデンサ２０１は、セラミック積層体２０２と、セラミック積層体２０２の表面に設けられる第１の外部電極２０３および第２の外部電極２０４とを備える。セラミック積層体２０２は、セラミック誘電体層２０５が第１の内部電極２０６と第２の内部電極２０７との間に挿入されてなるコンデンサ素子が、並列接続されて積層されたものである。そのような積層セラミックコンデンサ２０１は、信頼性および耐久性に優れ、小型でありながら大容量を実現することができる。

小型大容量の積層セラミックコンデンサ２０１は、セラミック積層体２０２を構成するセラミック誘電体層２０５の材料として、チタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料を用いることが多い。そのようなセラミック積層体２０２を備える積層セラミックコンデンサ２０１に電圧を印加すると、電歪効果および逆圧電効果により、印加された電圧の大きさに応じた歪みがセラミック積層体２０２に発生する。それに伴い、セラミック積層体２０２が、積層方向への膨張、積層方向と直交する面方向への収縮を繰り返す。

近年、積層セラミックコンデンサ２０１の小型化・薄層化の進展に伴い、誘電体に印加される電界強度が高くなったため、上記のセラミック積層体２０２の歪みの度合いも大きくなっている。

ここで、図１３（Ａ）に示すように、積層セラミックコンデンサ２０１が、はんだなどの接合部材Ｓにより基板Ｂに実装された場合を考える。積層セラミックコンデンサ２０１に電圧が印加されると、図１３（Ｂ）に示すように、セラミック積層体２０２に発生した歪みが、接合部材Ｓを介して積層セラミックコンデンサ２０１に固着されている基板Ｂを振動させる。

このような基板Ｂの振動は、基板Ｂに例えばショックセンサなどの加速度センサが実装されていた場合、加速度センサの誤作動を引き起こす可能性がある。

また、その振動数が可聴域である２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚである場合、可聴音として人間の耳に認識される。この現象は「鳴き（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）」とも言われ、電子機器の静寂化に伴い、ノートパソコン、携帯電話、デジタルカメラなどの様々なアプリケーションの電源回路などにおける設計の課題となっている。

国際公開第２０１１／１３５９２６号

積層セラミックコンデンサ２０１を上記のように基板Ｂに接合部材Ｓにより実装し、さらに特許文献１に記載のように樹脂層に埋設した場合、接合部材Ｓと樹脂層とが共にセラミック積層体２０２の歪みを基板Ｂに伝達することが考えられる。その場合、前述の基板Ｂの振動が大きくなり、また可聴音が大きくなることが懸念される。

そこで、この発明の目的は、樹脂層に埋設されている電子部品に電圧の印加による歪みが発生したとしても、振動が低減され、さらに振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板、およびその製造方法を提供することである。

この発明では、樹脂層に埋設されている電子部品に電圧の印加による歪みが発生したとしても、電子部品内蔵基板の振動を低減し、さらに振動による可聴音の発生を防止または低減するため、樹脂層の形態についての改良が図られる。

この発明は、まず電子部品内蔵基板に向けられる。

この発明に係る電子部品内蔵基板は、コア基板と、コア基板の一方主面に接合部材により実装された、少なくとも１つの電子部品と、コア基板の一方主面に、電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える。

上記の電子部品は、積層体と、第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサである。

積層体は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含む。また、積層体は、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の端面上に設けられる端面部を有し、その端面部において第１の内部電極および第２の内部電極とそれぞれ接続される。

そして、樹脂層の、第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第１の非接着面を含み、かつ第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第２の非接着面を含む。

上記の電子部品内蔵基板では、樹脂層の、第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第１の非接着面を含み、かつ第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第２の非接着面を含む。そのため、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品の端面が凹面となる歪みが樹脂層に伝達されない（図１３（Ｂ）参照）。

したがって、樹脂層を介した電子部品の端面近傍の歪みがコア基板に半波で断続的にしか伝達されないため、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

この発明に係る電子部品内蔵基板における好ましい実施形態では、樹脂層の、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所と接している面が、第３の非接着面を含む。

上記の電子部品内蔵基板では、第１の非接着面および第２の非接着面に加えて、樹脂層の、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所と接している面が第３の非接着面を含む。そのため、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品の端面が凹面となる歪みに加えて、側面が凹面となる歪みも樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層を介した電子部品の歪みのコア基板への伝達がさらに抑制されることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

また、この発明は、電子部品内蔵基板の製造方法にも向けられる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、コア基板と、コア基板の一方主面に接合部材により実装された、少なくとも１つの電子部品と、コア基板の一方主面に、電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板を対象とする。

上記の電子部品は、積層体と、第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサである。

積層体は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含む。また、積層体は、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の端面上に設けられる端面部を有し、その端面部において第１の内部電極および第２の内部電極とそれぞれ接続される。

そして、この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、実装工程と、接着阻害材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

実装工程は、コア基板の一方主面に、電子部品を実装する工程である。

接着阻害材付与工程は、コア基板に実装された電子部品の第１の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上の少なくとも一部と、第２の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上の少なくとも一部とに、接着阻害材を付与する工程である。

未硬化樹脂層付与工程は、コア基板の一方主面に、接着阻害材を付与した電子部品を埋設する未硬化樹脂層を付与する工程である。

樹脂層形成工程は、未硬化樹脂層を加熱硬化させると共に、接着阻害材により、樹脂層の、第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面の少なくとも一部を第１の非接着面とし、かつ樹脂層の、第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面の少なくとも一部を第２の非接着面とする工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法の好ましい実施形態では、接着阻害材付与工程は、積層体の第１の外部電極および第２の外部電極により被覆されていない箇所上の少なくとも一部に、接着阻害材をさらに付与する工程である。

また、樹脂層形成工程は、未硬化樹脂層の加熱硬化ならびに第１の非接着面および第２の非接着面の形成に加えて、接着阻害材により、樹脂層の、積層体の第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所と接している面の少なくとも一部を、第３の非接着面とする工程である。

上記の電子部品内蔵基板の製造方法では、これらの工程を備えることにより、電子部品内蔵基板の振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明に係る電子部品内蔵基板では、樹脂層の、第１の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第１の非接着面を含み、かつ第２の外部電極の端面部およびその端面部上の接合部材と接している面が第２の非接着面を含む。そのため、電子部品に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品の端面が凹面となる歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層を介した電子部品の端面近傍の歪みがコア基板に半波で断続的にしか伝達されないため、電子部品内蔵基板の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

また、この発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法では、実装工程と、接着阻害材付与工程と、未硬化樹脂層付与工程と、樹脂層形成工程と、を備える。

そして、接着阻害材付与工程において、コア基板に実装された電子部品の第１の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上と、第２の外部電極の端面部上およびその端面部上の接合部材上とに、接着阻害材を付与する。

さらに、樹脂層形成工程において、未硬化樹脂層を加熱硬化させた際に、接着阻害材により、樹脂層の、第１および第２の外部電極の端面部ならびにそれらの端面部上の接合部材と接している面を、それぞれ第１および第２の非接着面とする。

したがって、この製造方法により、電子部品内蔵基板の振動が低減されることで、振動による可聴音の発生が防止または低減された電子部品内蔵基板を、効率的に製造することができる。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の上面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の断面図である。（Ａ）は図１のＹ１−Ｙ１線を含む面の矢視断面図である。（Ｂ）は図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図である。 図１および図２に示したこの発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）および（Ｂ）は実装工程、ならびに（Ｃ）は接着阻害材付与工程を模式的に示す図である。 図１および図２に示したこの発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例を説明するためのもので、（Ａ）は未硬化樹脂層付与工程、ならびに（Ｂ）および（Ｃ）は樹脂層形成工程を模式的に示す図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第１の変形例１Ａの、図１に相当する上面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第１の変形例１Ａの、図２に相当する断面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第２の変形例１Ｂの、図１に相当する上面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第２の変形例１Ｂの、図２に相当する断面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第３の変形例１Ｃの、図１に相当する上面図である。 この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板における第３の変形例１Ｃの、図２に相当する断面図である。 背景技術の電子部品内蔵基板１００の断面図である。 この発明が解決しようとする課題を説明するための、積層セラミックコンデンサの断面図である。 この発明が解決しようとする課題を説明するための、積層セラミックコンデンサを基板に実装した状態の断面図である。（Ａ）は電圧が印加されていない状態である。（Ｂ）は電圧が印加されたときの歪みの状態を説明する概略断面図である。

以下にこの発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。

−電子部品内蔵基板の実施形態−
この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１について、図１および図２を用いて説明する。

＜電子部品内蔵基板の構造＞
図１は、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の上面図である。図１における点線は、樹脂層Ｒを透視した場合の電子部品１０の各構成要素と、第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２とを表している。また、図２（Ａ）は図１のＹ１−Ｙ１線を含む面の矢視断面図である。図２（Ｂ）は図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図である。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１は、コア基板Ｂと、コア基板Ｂの一方主面に接合部材Ｓにより実装された電子部品１０と、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設して設けられた樹脂層Ｒと、を備える。

なお、コア基板Ｂは、前述の図１１に相当する多層基板であり、内部電極やビアなどを不図示として、簡略化して図示されている。また、この発明の実施形態では、電子部品１０を強調するため、コア基板Ｂと、電子部品１０との大きさの関係は、実際のものとは異なっている。

電子部品１０は、セラミック積層体１１と、第１の外部電極１２および第２の外部電極１３とを備える積層セラミックコンデンサである。セラミック積層体１１は、セラミック誘電体層１４が第１の内部電極１５と第２の内部電極１６との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部ＣＰが、第１のセラミック保護部Ｐ１および第２のセラミック保護部Ｐ２で挟まれた構造となっている。また、セラミック積層体１１は、互いに対向する２つの端面と、２つの端面を接続する側面とを有する。

セラミック誘電体層１４が電歪性または逆圧電効果を有することにより、セラミック誘電体層１４を含む電子部品１０は、電圧印加時に歪みが発生する。代表的な電歪性または逆圧電効果を有するセラミック材料としては、例えばチタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料が挙げられる。

この実施形態においては、電子部品１０として上記のように積層セラミックコンデンサを例示しているが、この発明は、電子部品１０として誘電体層が樹脂材料により構成された積層コンデンサである積層型金属化フィルムコンデンサを用いた場合についても適用できる。

第１の外部電極１２および第２の外部電極１３は、それぞれセラミック積層体１１の表面に設けられる。第１の外部電極１２は、セラミック積層体１１の一方端面上に設けられる端面部ＴＰ１２と、端面部ＴＰ１２からセラミック積層体１１の側面に延出した側面部ＳＰ１２を有する。また、第２の外部電極１３は、セラミック積層体１１の他方端面上に設けられる端面部ＴＰ１３と、端面部ＴＰ１３からセラミック積層体１１の側面に延出した側面部ＳＰ１３を有する。なお、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２および第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３は、セラミック積層体１１の各端面全体を被覆していなくてもよい。

第１の外部電極１２は、端面部ＴＰ１２において第１の内部電極１５と接続され、第２の外部電極１３は、端面部ＴＰ１３において第２の内部電極１６と接続されている。

この実施形態においては、電子部品１０は、セラミック積層体１１のコンデンサ素子の積層方向がコア基板Ｂの一方主面と直交するようにして、コア基板Ｂに実装されている。そして、積層方向において、セラミック積層体１１のうち静電容量発現部ＣＰの下側、すなわち静電容量発現部ＣＰとコア基板Ｂの一方主面との間に位置する部分が第１の保護部Ｐ１となり、静電容量発現部ＣＰの上側が第２の保護部Ｐ２となる。

なお、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１は、コンデンサ素子の積層方向がコア基板Ｂの一方主面に沿うようにして、電子部品１０をコア基板Ｂに実装してもよい。

図２（Ａ）および（Ｂ）において、電子部品１０は、第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２上に接合部材Ｓを用いて接続されている。第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２の材質ならびに接合部材の材質は、既存のものから適宜選択して用いることができる。接合部材Ｓとしては、例えばはんだ、導電性接着剤、ビア導体などを用いることができる。第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２は、不図示の導電パターンを含んでなる配線上にある。電子部品１０には、この配線を通じて電圧が印加されることになる。

なお、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１は、複数の電子部品１０が実装されていてもよい。また、同様に電子部品内蔵基板１には、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品が実装されていてもよい。

樹脂層Ｒは、後述するようにフィラーとしてガラス材料やシリカなどを分散させた樹脂材料を用いて形成される。樹脂層Ｒは、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設するように設けられている。なお、樹脂層Ｒの表面には、導電材料部を形成するようにしてもよい。

積層セラミックコンデンサである電子部品１０は、前述のようにチタン酸バリウムを基本材料とする高誘電率のセラミック材料が用いられることが多いため、電圧印加時の歪みにより振動する虞がある。この振動は、接合部材Ｓを介して電子部品１０に固着されている基板Ｂに伝達されるが、電子部品１０が樹脂層Ｒに埋設されている場合には、樹脂層Ｒを介しても基板Ｂに伝達され得る。

一方、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１では、樹脂層Ｒの、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２および端面部ＴＰ１２上の接合部材Ｓと接している面が、第１の非接着面ＵＡ１を含む。また、樹脂層Ｒの、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３および端面部ＴＰ１３上の接合部材Ｓと接している面が、第２の非接着面ＵＡ２を含む。

第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２は、上面から樹脂層Ｒを透視した場合を示す図１において、ハッチング部分として表されている。また、Ｙ１−Ｙ１線を含む面の矢視断面図である図２（Ａ）において、樹脂層Ｒを透視した太い点線部分として表されている。さらに、図２（Ｂ）では、太い実線部分として表されている。

ここで、樹脂層Ｒの各非接着面とは、電子部品１０に電圧が印加されていない状態において、各外部電極の端面部および各端面部上の接合部材と接してはいるが、接着はしていない面を指す。なお、樹脂層Ｒと各外部電極の端面部および各端面部上の接合部材との間には、後述する製造方法で用いた接着阻害材などの介在物が残留する可能性もある。しかしながら、この状態も、樹脂層Ｒと各外部電極の端面部および各端面部上の接合部材とが接している状態と見なす。

その結果、樹脂層Ｒは、各外部電極の端面部および各端面部上の接合部材が樹脂層Ｒから離れるように歪む際、その歪みに追従しない。この歪みは、図１３（Ｂ）に図示した、電圧印加時における電子部品１０の端面が凹面となる歪みに対応する。

すなわち、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１では、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品１０の端面が凹面となる歪みが樹脂層Ｒに伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の端面近傍の歪みがコア基板Ｂに半波で断続的にしか伝達されないため、電子部品内蔵基板１の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図１および図２では、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２は同一の形状となっているが、これに限らず、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２が非対称の形状となっていてもよい。

また、接合部材Ｓが第１の外部電極１２の側面部ＳＰ１２と第１の実装ランドＬ１１とを接続し、端面部ＴＰ１２にはかかっていない場合、樹脂層Ｒの、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２と接している面が、第１の非接着面ＵＡ１を含むようにしてもよい。同様に、接合部材Ｓが第２の外部電極１３の側面部ＳＰ１３と第２の実装ランドＬ１２とを接続し、端面部ＴＰ１３にはかかっていない場合、樹脂層Ｒの、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３と接している面が、第２の非接着面ＵＡ２を含むようにしてもよい。

さらに、樹脂層Ｒの、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２および端面部ＴＰ１２の上の接合部材Ｓと接している面のうち、静電容量発現部ＣＰに接している面が第１の非接着面ＵＡ１を含むようにしてもよい。同様に、樹脂層Ｒの、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３および端面部ＴＰ１３の上の接合部材Ｓと接している面のうち、静電容量発現部ＣＰに接している面が第２の非接着面ＵＡ２を含むようにしてもよい。

電子部品１０に電圧を印加すると、電歪効果および逆圧電効果により、印加された電圧の大きさに応じた歪みがセラミック積層体１１に発生するが、この歪みは静電容量発現部ＣＰの歪みによるものである。

したがって、静電容量発現部ＣＰ上の、樹脂層Ｒの、各外部電極の端面部および各端面部上の接合部材Ｓと接している面が非接着面を含んでいれば、上記のように電子部品内蔵基板１の振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図１および図２に示した実施形態においては、セラミック積層体１１の第１の保護部Ｐ１の厚みと第２の保護部Ｐ２の厚みとが実質的に同じとなっているが、電子部品１０の第１の保護部Ｐ１の厚みを第２の保護部Ｐ２の厚みよりも厚くしてもよい。

＜電子部品内蔵基板の製造方法＞
この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法の一例について、図３および図４を用いて説明する。図３および図４は、電子部品内蔵基板１の製造方法の一例において順次行なわれる実装工程、接着阻害材付与工程、未硬化樹脂層付与工程、および樹脂層形成工程をそれぞれ模式的に示す図である。なお、図３および図４の各図は、図１のＸ１−Ｘ１線を含む面の矢視断面図（図２（Ｂ））に相当する。

＜実装工程＞
図３（Ａ）および（Ｂ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の実装工程を模式的に示す図である。実装工程により、電子部品１０は、コア基板Ｂの一方主面に実装された状態となる。

図３（Ａ）は、電子部品１０と、電子部品１０を実装するコア基板Ｂとを準備する段階を示す。電子部品１０は、前述の構造を有し、電圧印加時に歪みが発生する積層セラミックコンデンサである。コア基板１０は、電子部品１０を接合するための第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２（第２の実装ランドＬ１２は不図示）を一方主面に備えている。

図３（Ｂ）は、電子部品１０を、接合部材Ｓを用いて第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２に接合することにより、コア基板１０の一方主面に実装した段階を示す。図３（Ｂ）の場合、電子部品１０は、電子部品１０は、セラミック積層体１１のコンデンサ素子が積層された方向である積層方向がコア基板Ｂの一方主面と直交するようにして、コア基板Ｂに実装されている。なお、前述のように、コンデンサ素子の積層方向がコア基板Ｂの一方主面に沿うようにして、電子部品１０をコア基板Ｂに実装してもよい。

＜接着阻害材付与工程＞
図３（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の接着阻害材付与工程を模式的に示す図である。接着阻害材付与工程により、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２上および端面部ＴＰ１２上の接合部材Ｓ上と、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３上および端面部ＴＰ１３上の接合部材Ｓ上とに、接着阻害材ＲＬが付与された状態となる。接着阻害材ＲＬは、図３（Ｃ）において太い実線部分として表されている。

接着阻害材ＲＬは、例えばシリコーン系またはフッ素系の離型剤などを用いることができる。接着阻害材ＲＬの各端面部上および各接合部材上への付与は、液状の接着阻害材ＲＬを、不図示のディスペンサやスプレーなどによって行なうことができる。

なお、図３（Ｃ）は、接着阻害材ＲＬを、同一の材料を用いて、同一の体積となるように、各端面部上および各接合部材上に付与した場合を示す。一方、接着阻害材ＲＬは、第１の外部電極１２側と第２の外部電極１３側とで異なる材料を用いてもよい。また、第１の外部電極１２側と第２の外部電極１３側とで異なる面積となるように付与してもよい。さらに、各端面部上および各接合部材上を部分的に覆うように付与してもよい。

＜未硬化樹脂層付与工程＞
図４（Ａ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の未硬化樹脂層付与工程を模式的に示す図である。未硬化樹脂層付与工程により、コア基板Ｂの一方主面に、未硬化の樹脂層ＵＣＲが付与され、その中に接着阻害材ＲＬが付与された電子部品１０が埋設された状態となる。

図４（Ａ）は、接着阻害材ＲＬが付与された電子部品１０が実装されたコア基板Ｂの一方主面に、例えばディスペンサＤにより、一点鎖線で表される所定の厚みとなるように、液状の樹脂ＬＲを塗布する様子を示す。

塗布に用いる装置は、上記のディスペンサＤに限らず、既存の塗布装置を用いることができる。例えば、カーテンコーターやスピンコーターなどの種々のコーターを用いてもよい。

また、液状の樹脂ＬＲは、単一の樹脂材料からなるものに限らず、樹脂材料中にフィラーとしてガラス材料やシリカなどを含むものを用いることができる。

なお、未硬化の樹脂層ＵＣＲは、図４（Ａ）のような液状の樹脂ＬＲを塗布する方法に限らず、半硬化状態でシート状のプリプレグをコア基板Ｂの一方主面に載置し、接着阻害材ＲＬが付与された電子部品１０が埋設されるように押圧することにより付与してもよい。

＜樹脂層形成工程＞
図４（Ｂ）および（Ｃ）は、電子部品内蔵基板１の製造方法の樹脂層形成工程を模式的に示す図である。樹脂層形成工程により、未硬化の樹脂層ＵＣＲが加熱硬化され、コア基板Ｂの一方主面に、電子部品１０を埋設して樹脂層Ｒが設けられた状態となる。その際、前述の接着阻害材付与工程により接着阻害材ＲＬが付与された箇所が非接着面となる。

図４（Ｂ）は、接着阻害材ＲＬが付与された電子部品１０が埋設された未硬化の樹脂層ＵＣＲを加熱硬化させている段階を示す。なお、この段階で、接着阻害材ＲＬを未硬化の樹脂層ＵＣＲ中に吸収させるようにしてもよい。一方、接着阻害材ＲＬが介在物として樹脂層Ｒと外部電極の各端面部上および各接合部材との間に残留するようにしてもよい。

その結果、樹脂層Ｒの、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２および端面部ＴＰ１２上の接合部材Ｓと接している面のうち、接着阻害材ＲＬが付与された箇所が第１の非接着面ＵＡ１となる。また、樹脂層Ｒの、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３および端面部ＴＰ１３上の接合部材Ｓと接している面のうち、接着阻害材ＲＬが付与された箇所が第２の非接着面ＵＡ２となる。

図４（Ｃ）は、以上の工程により、電子部品１０を埋設すると共に、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２を含む樹脂層Ｒをコア基板Ｂの一方主面に有する、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板１が完成した段階を示す。

樹脂層Ｒの厚みの調整は、未硬化の樹脂層ＵＣＲの硬化時の体積変化を見込んで、液状の樹脂ＬＲをコア基板Ｂに塗布することが好ましい。また、予め多めに液状の樹脂ＬＲを塗布し、硬化後に余分な樹脂を除去することにより、樹脂層の厚みを所望の値とするようにしてもよい。

＜実施形態の第１の変形例＞
この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａについて、図５および図６を用いて説明する。

なお、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａは、樹脂層Ｒが含む非接着面の態様が、前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図５は、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａの上面図である。図６（Ａ）は図５のＹ２−Ｙ２線を含む面の矢視断面図である。図６（Ｂ）は図５のＸ２−Ｘ２線を含む面の矢視断面図である。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａでは、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２に加えて、樹脂層Ｒの、セラミック積層体１１の第１の外部電極１２および第２の外部電極１３により被覆されていない箇所と接している面が第３の非接着面ＵＡ３を含む。

なお、図５および図６は、第３の非接着面ＵＡ３がセラミック積層体１１の側面を環状に取り囲むと共に、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２と接続し、一体の非接着面ＵＡとなっている場合を示す。

一体の非接着面ＵＡは、上面から樹脂層Ｒを透視した場合を示す図５において、ハッチング部分として表されている。また、Ｙ２−Ｙ２線を含む面の矢視断面図である図６（Ａ）において、太い実線部分と樹脂層Ｒを透視した太い点線部分として表されている。さらに、図６（Ｂ）では、太い実線部分として表されている。

上記の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａは、前述の電子部品内蔵基板の製造方法の接着阻害材付与工程において、コア基板Ｂの一方主面に実装された電子部品１０を包むように接着阻害材を付与することにより製造される。

すなわち、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第１の変形例１Ａでは、電子部品１０に電圧印加による歪みが発生したとしても、電子部品１０の端面が凹面となる歪みに加えて、側面が凹面となる歪みも樹脂層Ｒに伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の歪みのコア基板Ｂへの伝達がさらに抑制されることにより、電子部品内蔵基板１Ａの振動がさらに低減され、振動による可聴音の発生が効果的に防止または低減される。

なお、図６（Ｂ）では、第１の非接着面ＵＡ１、第２の非接着面ＵＡ２および第３の非接着面ＵＡ３が接続し、一体の非接着面ＵＡとなっている場合を示したが、図６（Ｃ）に示すように、それぞれが独立して形成されてもよい。

また、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２の形成の態様については、前述の実施形態に準じることができる。

＜実施形態の第２の変形例＞
この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂについて、図７および図８を用いて説明する。

なお、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂは、電子部品１０の態様が前述の電子部品内蔵基板１と異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図７は、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂの上面図である。図８（Ａ）は図７のＹ３−Ｙ３線を含む面の矢視断面図である。図８（Ｂ）は図７のＸ３−Ｘ３線を含む面の矢視断面図である。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂでは、電子部品１０が、電極端子付き積層コンデンサである。電極端子付き積層コンデンサは、接合部材Ｓによって一方側が第１の外部電極１２に接続された第１の電極端子Ｔ１１と、一方側が第２の外部電極１３に接続された第２の電極端子Ｔ１２とを備える。

そして、この電子部品１０は、第１の電極端子Ｔ１１の他方側が接合部材Ｓによって第１の実装ランドＬ１１に接続されると共に、第２の電極端子Ｔ１２の他方側が第２の実装ランドＬ１２に接続されることにより、コア基板Ｂの一方主面に実装されている。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第２の変形例１Ｂでは、樹脂層Ｒの第１の電極端子Ｔ１１および第１の電極端子Ｔ１１上の接合部材Ｓと接している面が、第１の非接着面ＵＡ１を含む。また、樹脂層Ｒの第２の電極端子Ｔ１２および第２の電極端子Ｔ１２上の接合部材Ｓと接している面が、第２の非接着面ＵＡ２を含む。

第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２は、上面から樹脂層Ｒを透視した場合を示す図７において、ハッチング部分として表されている。また、Ｙ３−Ｙ３線を含む面の矢視断面図である図８（Ａ）において、樹脂層Ｒを透視した太い点線部分として表されている。さらに、図８（Ｂ）では、太い実線部分として表されている。

電子部品内蔵基板１Ｂにおいては、樹脂層Ｒが上記の箇所に非接着面を含むため、前述の電子部品内蔵基板１および１Ａと同じく、電子部品１０の端面が凹面となる歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の端面近傍の歪みがコア基板Ｂに半波で断続的にしか伝達されないため、電子部品内蔵基板１Ｂの振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図８（Ｂ）では、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２がそれぞれ第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２まで到達している場合を示した。一方、図８（Ｃ）に示すように、各非接着面が第１の電極端子Ｔ１１および第２の電極端子Ｔ１２のコア基板Ｂに対して直立している部分の途中で止まるようにしてもよい。

＜実施形態の第３の変形例＞
この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃについて、図９および図１０を用いて説明する。

なお、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃは、電子部品１０の態様が前述の電子部品内蔵基板１、１Ａおよび１Ｂと異なるが、それ以外は共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。なお、コア基板Ｂは、前述の実施形態と同様に、簡略化して図示されている。

図９は、この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃの上面図である。図１０（Ａ）は図９のＹ４−Ｙ４線を含む面の矢視断面図である。図１０（Ｂ）は図９のＸ４−Ｘ４線を含む面の矢視断面図である。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃでは、電子部品１０が、いわゆるインターポーザＩを有している。インターポーザＩは、実質的に平行な一方主面と他方主面とを有し、一方主面に第３の実装ランドＩＬ１１および第４の実装ランドＩＬ１２が設けられており、他方主面に第１の実装電極ＩＬ２１および第２の実装電極ＩＬ２２が設けられている。第３の実装ランドＩＬ１１および第４の実装ランドＩＬ１２は、それぞれ第１の実装電極ＩＬ２１および第２の実装電極ＩＬ２２と導通している。

インターポーザＩの第３の実装ランドＩＬ１１および第４の実装ランドＩＬ１２は、接合部材Ｓにより、それぞれ第１の外部電極１２および第２の外部電極１３と接続されている。また、インターポーザＩの他方主面に設けられた第１の実装電極ＩＬ２１および第２の実装電極ＩＬ２２は、接合部材Ｓにより、それぞれコア基板Ｂ上の第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２と接続されている。

この発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の第３の変形例１Ｃでは、樹脂層Ｒの、第１の外部電極１２の端面部ＴＰ１２、端面部ＴＰ１２上の接合部材Ｓ、インターポーザＩ、およびインターポーザＩと第１の実装ランドＬ１１とを接続する接合部材Ｓと接している面が、第１の非接着面ＵＡ１を含む。また、樹脂層Ｒの、第２の外部電極１３の端面部ＴＰ１３、端面部ＴＰ１３上の接合部材Ｓ、インターポーザＩ、およびインターポーザＩと第２の実装ランドＬ１２とを接続する接合部材Ｓと接している面が、第２の非接着面ＵＡ２を含む。

第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２は、上面から樹脂層Ｒを透視した場合を示す図９において、ハッチング部分として表されている。また、Ｙ４−Ｙ４線を含む面の矢視断面図である図１０（Ａ）において、樹脂層Ｒを透視した太い点線部分として表されている。さらに、図１０（Ｂ）では、太い実線部分として表されている。

電子部品内蔵基板１Ｃにおいては、樹脂層Ｒが上記の箇所に非接着面を含むため、前述の電子部品内蔵基板１、１Ａおよび１Ｂと同じく、電子部品１０の端面が凹面となる歪みが樹脂層に伝達されない。

したがって、樹脂層Ｒを介した電子部品１０の端面近傍の歪みがコア基板Ｂに半波で断続的にしか伝達されないため、電子部品内蔵基板１Ｃの振動が低減され、振動による可聴音の発生が防止または低減される。

なお、図８（Ｂ）では、第１の非接着面ＵＡ１および第２の非接着面ＵＡ２がそれぞれ第１の実装ランドＬ１１および第２の実装ランドＬ１２まで到達している場合を示した。一方、図８（Ｃ）に示すように、各非接着面がインターポーザＩの上面で止まるようにしてもよい。

なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１ 電子部品内蔵基板
１０ 電子部品（積層セラミックコンデンサ）
１１ セラミック積層体
１２ 第１の外部電極
１３ 第２の外部電極
１４ セラミック誘電体層
１５ 第１の内部電極
１６ 第２の内部電極
Ｂ コア基板
ＣＰ 静電容量発現部
Ｐ１ 第１のセラミック保護部
Ｐ２ 第２のセラミック保護部
Ｒ 樹脂層
Ｓ 接合部材
ＴＰ１２ 第１の外部電極の端面部
ＴＰ１３ 第２の外部電極の端面部
ＵＡ１ 第１の非接着面
ＵＡ２ 第２の非接着面
ＵＡ３ 第３の非接着面
ＵＣＲ 未硬化樹脂層
ＲＬ 接着阻害材

Claims (4)

1. コア基板と、
   前記コア基板の一方主面に接合部材により実装された、少なくとも１つの電子部品と、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板であって、
   前記電子部品は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、前記静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含み、互いに対向する２つの端面と、前記２つの端面を接続する側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面上に設けられる端面部を有し、前記端面部において前記第１の内部電極および前記第２の内部電極とそれぞれ接続される第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサであり、
   前記樹脂層の、前記第１の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材と接している面が第１の非接着面を含み、かつ前記第２の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材と接している面が第２の非接着面を含むことを特徴とする、電子部品内蔵基板。
2. 前記樹脂層の、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所と接している面が、第３の非接着面を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
3. コア基板と、前記コア基板の一方主面に実装された、少なくとも１つの電子部品と、前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を埋設して設けられた樹脂層と、を備える電子部品内蔵基板の製造方法であって、
   前記電子部品は、誘電体層が第１の内部電極と第２の内部電極との間に挿入されてなるコンデンサ素子が積層された静電容量発現部と、前記静電容量発現部を挟む第１の保護部および第２の保護部とを含み、互いに対向する２つの端面と、前記２つの端面を接続する側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面上に設けられる端面部を有し、前記端面部において前記第１の内部電極および前記第２の内部電極とそれぞれ接続される第１の外部電極および第２の外部電極と、を備える積層コンデンサであり、
   前記コア基板の一方主面に、前記電子部品を実装する実装工程と、
   前記コア基板に実装された前記電子部品の前記第１の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上の少なくとも一部と、前記第２の外部電極の端面部上および該端面部上の接合部材上の少なくとも一部とに、接着阻害材を付与する接着阻害材付与工程と、
   前記コア基板の一方主面に、前記接着阻害材を付与した前記電子部品を埋設する未硬化樹脂層を付与する未硬化樹脂層付与工程と、
   前記未硬化樹脂層を加熱硬化させると共に、前記接着阻害材により、前記樹脂層の、前記第１の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材と接している面の少なくとも一部を第１の非接着面とし、かつ前記樹脂層の、前記第２の外部電極の端面部および該端面部上の接合部材と接している面の少なくとも一部を第２の非接着面とする樹脂層形成工程と、
   を備えることを特徴とする、電子部品内蔵基板の製造方法。
4. 前記接着阻害材付与工程は、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所上の少なくとも一部に、前記接着阻害材をさらに付与し、
   前記樹脂層形成工程は、前記未硬化樹脂層の加熱硬化ならびに前記第１の非接着面および前記第２の非接着面の形成に加えて、前記接着阻害材により、前記樹脂層の、前記積層体の前記第１の外部電極および前記第２の外部電極により被覆されていない箇所と接している面の少なくとも一部を、第３の非接着面とすることを特徴とする、請求項３に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。

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