JP6384879B2 - 撮像装置、および内視鏡 - Google Patents

Description

本発明は、受光面に対して鋭角に傾斜している傾斜面に複数の電極パッドが列設されている撮像素子と、前記撮像素子の前記複数の電極パッドのそれぞれと半田バンプを介して接合されている複数の第１の接合電極が端部に列設されている配線板と、を具備する撮像装置、および前記撮像装置を具備する内視鏡に関する。

ウエハレベルＣＳＰ技術により作製される撮像装置は小型であるため、内視鏡の細径化に大きく寄与している。

ウエハレベルＣＳＰ型の撮像装置の製造方法では、最初に、半導体ウエハに、複数の受光部と、それぞれの受光部と接続された複数の外部電極が形成される。半導体ウエハの受光面にガラスウエハが接着されて接合ウエハが作製される。接合ウエハの受光面と対向する対向面側から外部電極に到達するビアが形成される。接合ウエハの切断により得られた撮像装置の受光面はカバーガラスで覆われているが、ビアの底面に露出している外部電極を介して受光部と電気信号を送受信することができる。

日本国特開２０１４−７５７６４号公報には、貫通トレンチの傾斜している壁面に、それぞれが受光面の外部電極と接続されている複数の電極パッドが列設されている撮像素子が開示されている。複数の電極パッドのそれぞれは、バンプを介して配線板の端部に列設された複数の接合電極と接合されている。配線板のもう一方の端部には信号ケーブルが接合されている。

小型の撮像装置の電極パッドの配設間隔（配設ピッチ）は非常に狭い。このため、撮像素子の電極パッドと配線板の接合電極とを半田接合するときに、半田バンプの大きさが大きいと、溶融した半田が広がってしまい、隣り合うバンプ同士が短絡してしまうおそれがあった。このため、配設ピッチに応じた小さな（高さの低い）半田バンプを配設する必要がある。一方、配線板と信号ケーブルとは、接合信頼性を担保するには、大きな半田バンプを介して接合する必要がある。

すなわち、信号ケーブルとの接合と撮像素子との接合とで、適切な半田バンプの大きさが異なるための、両者の接合信頼性を両立することは容易ではなかった。

なお、特開２００９−０１６６２３号公報には、対向面側から受光面に達する溝（幅広のビア）を形成することで、溝の底面に複数の外部電極を露出した撮像装置が開示されている。

特開２０１４−０７５７６４号公報 特開２００９−０１６６２３号公報

本発明は、信頼性の高い撮像装置、および前記撮像装置を具備する内視鏡を提供することを目的とする。

本発明の実施形態の撮像装置は、受光面に受光部が形成されており、前記受光面に対して傾斜している傾斜面に前記受光部と接続されている複数の電極パッドが列設されている、撮像素子と、前記受光面を覆うように接着層を介して接着されている透明部材と、第１の主面の第１の端部に、前記撮像素子の前記複数の電極パッドのそれぞれと第１の半田バンプを介して接合されている複数の第１の接合電極が列設されており、前記第１の端部と対向している第２の端部に複数の第２の接合電極が列設されている配線板と、前記配線板の前記複数の第２の接合電極のそれぞれと、前記第１の半田バンプよりも高さの高い第２の半田バンプを介して接合されている複数の導線を有する信号ケーブルと、を具備する撮像装置であって、
前記第１の主面の前記第１の端部を覆う、前記複数の第１の半田バンプを取り囲んでいる、前記第１のバンプの高さよりも厚い、第１の保護膜と、前記第１の主面の前記第２の端部を覆う、前記複数の第２の半田バンプを取り囲んでいる、前記第１の保護膜の厚さおよび前記第２の半田バンプの高さよりも厚い、第２の保護膜と、を前記配線板が有する。

また、別の実施形態の内視鏡は、受光面に受光部が形成されており、前記受光面に対して傾斜している傾斜面に前記受光部と接続されている複数の電極パッドが列設されている、撮像素子と、前記受光面を覆うように接着層を介して接着されている透明部材と、第１の主面の第１の端部に、前記撮像素子の前記複数の電極パッドのそれぞれと第１の半田バンプを介して接合されている複数の第１の接合電極が列設されており、前記第１の端部と対向している第２の端部に複数の第２の接合電極が列設されている配線板と、前記配線板の前記複数の第２の接合電極のそれぞれと、前記第１の半田バンプよりも高さの高い第２の半田バンプを介して接合されている複数の導線を有する信号ケーブルと、を具備する撮像装置であって、
前記第１の主面の前記第１の端部を覆う、前記複数の第１の半田バンプを取り囲んでいる、前記第１のバンプの高さよりも厚い、第１の保護膜と、前記第１の主面の前記第２の端部を覆う、前記複数の第２の半田バンプを取り囲んでいる、前記第１の保護膜の厚さおよび前記第２の半田バンプの高さよりも厚い、第２の保護膜と、を前記配線板が有する撮像装置を、挿入部の先端部に具備する。

本発明によれば、信頼性の高い撮像装置、および信頼性の高い撮像装置を具備する内視鏡を提供できる。

第１実施形態の撮像装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 第１実施形態の撮像装置の配線板の分解斜視図である。 第１実施形態の撮像装置の撮像素子の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の撮像装置の撮像素子の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の撮像装置の撮像素子の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の変形例の撮像装置の撮像素子の製造方法を説明するための断面図である。 第２実施形態の撮像装置の配線板の分解斜視図である。 第２実施形態の変形例の撮像装置の配線板の分解斜視図である。 第３実施形態の撮像装置の配線板の分解斜視図である。 第３実施形態の撮像装置の断面図である。 第３実施形態の内視鏡を含む内視鏡システムの斜視図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率、電極パッドの数、配列ピットなどは現実のものとは異なる。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。さらに、一部の構成、例えば、シリコン基板の表面の酸化シリコン層および配線等は図示を省略している。

図１から図３に示すように、撮像装置１は、シリコン基板からなる撮像素子１０と、配線板４０と、信号ケーブル５０と、を具備する。略矩形の撮像素子１０の受光部１１が形成された受光面１０ＳＡの端部には、受光部１１と配線（不図示）を介して電気的に接続されている複数の外部電極１２が列設されている。

撮像素子１０の受光面１０ＳＡの全面は接着層２０を介して透明部材であるカバーガラス３０に覆われている。

撮像素子１０の対向面１０ＳＢ側には、ともに受光面１０ＳＡに対して鋭角に傾斜している傾斜面１０ＳＳおよび傾斜面１０ＳＴを壁面とする溝１０Ｔがある。溝１０Ｔの底面には外部電極１２の裏面が露出している。すなわち、溝１０Ｔはシリコン基板を貫通している幅広のビアである。

そして、傾斜面１０ＳＳには、それぞれが外部電極１２と、配線１３Ｌを介して電気的に接続された複数の電極パッド１３が列設されている。このため、電極パッド１３は、受光部１１と電気的に接続されている。なお、配線１３Ｌの延設部が電極パッド１３であってもよい。

一方、平板状の配線板４０の基体４１の第１の主面４０ＳＡには、第１の端部４０Ｓ１に複数の第１の接合電極４４が列設されており、第１の端部と対向している第２の端部４０Ｓ２に複数の第２の接合電極４６が列設されている。第１の接合電極４４は第１の半田バンプ５４を介して電極パッド１３と接合されている。一方、第２の接合電極４６は第２の半田バンプ５６を介して信号ケーブル５０の導線５１と接合されている。第１の接合電極４４と第２の接合電極４６とは配線（不図示）を介して電気的に接続されている。

接合信頼性を高めるため、第１の接合電極４４と電極パッド１３との接合箇所は封止樹脂５７で封止されている。

第１の接合電極４４の配設ピッチは、第２の接合電極４６の配設ピッチよりも狭い。また、第１の半田バンプ５４の高さＨ５４は、第２の半田バンプ５６の高さＨ５４よりも低い。例えば、第１の半田バンプ５４は、高さＨ５４が１０μｍなのに対して、第２の半田バンプ５６は、高さＨ５６が５０μｍである。

配線板４０の第１の主面４０ＳＡの第１の端部４０Ｓ１には、複数の第１の半田バンプ５４を取り囲んでいる第１の保護膜４２が配設されている。一方、第１の端部４０Ｓ１と対向する第２の端部４０Ｓ２には、複数の第２の半田バンプ５６を取り囲んでいる第２の保護膜４３が配設されている。すなわち、第１の保護膜４２には複数の開口４２Ｈがあり、第２の保護膜４３には複数の開口４３Ｈがある。

第２の保護膜４３の厚さＤ４３は、第１の保護膜４２の厚さＤ４２よりも厚い。例えば、第１の保護膜４２は厚さＤ４２が１．０μｍであるのに対して、第２の保護膜４３は厚さＤ４３が３０μｍである。

撮像装置１は、第１の半田バンプ５４の高さＨ５４と第２の半田バンプ５６の高さＨ５６とが大きく異なっている。しかし、第１の半田バンプ５４、第２の半田バンプ５６は、それぞれの高さに応じた厚さの第１の保護膜４２、第２の保護膜４３に取り囲まれている。このため、溶融しても半田が周囲に広がることはなく、かつ、確実に両者を接合できる、すなわち、撮像装置１は接合箇所の信頼性が高い。

＜製造方法＞
次に撮像装置１の製造方法を説明する。なお、カバーガラス３０が接着された撮像素子１０は、接合ウエハの切断により作製されるが、以下は個々の撮像素子として説明する。

図４Ａに示すように、シリコン基板（撮像素子）１０の受光面１０ＳＡに公知の半導体製造技術を用いて受光部１１と、受光部１１と配線（不図示）で接続された複数の外部電極１２と、が形成される。外部電極１２は、銅またはアルミニウム等の金属導体からなる。受光面１０ＳＡに接着層２０を介してカバーガラス３０（ガラスウエハ）が接着される。接着層２０は例えば透明の紫外線硬化型樹脂からなる。そして、シリコン基板１０の受光面１０ＳＡと対抗する対向面１０ＳＢに、例えば、フォトレジストからなるエッチングマスク１９が配設される。エッチングマスク１９には、エッチング領域、すなわち、外部電極１２の直上に略矩形の開口がある。

図４Ｂに示すように、シリコン基板１０が対向面１０ＳＢ側から、例えば、ＫＯＨまたはＴＭＡＨ等のアルカリ溶液を用いたウエットエッチング処理され、溝１０Ｔが形成される。溝１０Ｔはシリコン基板１０を貫通している幅広のビアである。

異方性エッチングにより形成された溝１０Ｔの壁面は、受光面１０ＳＡに対して鋭角の傾斜面１０ＳＳ、１０ＳＴとなる。そして、溝１０Ｔの底面には複数の外部電極１２の裏面が露出している。なお、溝１０Ｔの製造方法等については、出願人が特開２００９−０１６６２３号公報に詳細に開示している。

図４Ｃに示すように、傾斜面１０ＳＳに電極パッド１３が配設される。電極パッド１３は、溝１０Ｔの底面から傾斜面１０ＳＳまで延設された配線１３Ｌにより、外部電極１２と電気的に接続されている。

なお、図５に示すように、溝１０Ｔに替えて、切り欠き部１０Ｃを形成してもよい。切り欠き１０Ｃは、ドライエッチング、物理的エッチングまたは機械的な研削等によって形成してもよい。切り欠き部１０Ｃのある撮像素子を有する変形例の撮像装置は、撮像装置１よりも小径である。

一方、配線板４０は、図３で示したように、例えばポリイミドを基体４１とするフレキシブル配線板である。基体４１としては、ガラスエポキシ樹脂等からなる非可撓性基板であってもよい。しかし、後述するように、撮像素子１０の投影面内に収容するためには、可撓性基板であることが好ましい。

第１の保護膜４２の厚さは、小型の撮像装置１の第１の接合電極４４の配設ピッチ、言い替えれば、第１の半田バンプ５４の高さＨ５４に応じた厚さ、例えば０．１μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましい。上記範囲の薄い膜厚であっても、隣り合う第１の半田バンプ５４の短絡を防止するために、第１の保護膜４２は、撥半田材料からなることが好ましい。撥半田材料は半田濡れ性が悪い、いわゆる「半田をはじく」材料であり、もちろん、耐熱温度が半田接合温度より高い材料である。

第１の保護膜４２には、半田に対する接触角θが４５度以上、好ましくは６０度以上の撥半田材料を用いることができる。第１の保護膜４２の半田に対する接触角θが前記範囲以上であれば、半田が広がることを防止できる。接触角θは大きいほど好ましく上限は１８０度であってもよい。

撥半田材料として、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化シリコン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化カルシウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、またはテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等を用いることができる。

撥半田材料としては、成膜およびパターニングが容易な、酸化シリコンまたは窒化シリコンが特に好ましい。撥半田材料はスパッタ法、蒸着法またはＣＶＤ法により成膜される。なお、第１の保護膜４２の開口４２Ｈおよび第１の端部４０Ｓ１以外の領域は、例えば、第１の主面４０ＳＡの全面に第１の保護膜４２を配設後に、エッチング等により除去される。

なお、半田濡れ性は、試験面に半田２０ｍｇを溶かし、溶融した半田の試験面に対する接触角θを測定することで評価できる。接合部材２３の配線板の基体４１であるポリイミドに対する接触角θは３０度未満であったのに対して、酸化シリコンに対する接触角θは７０度以上であった。

一方、第２の保護膜４３は、厚さが第２の半田バンプ５６の高さＨ５６に応じて、例えば５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。上記範囲の厚さの第２の保護膜４３は、エポキシ樹脂等からなるソルダレジストを印刷法またはインクジェット法等により配設することが好ましい。なお、樹脂からなる第２の保護膜４３は可撓性に優れているため、厚くても配線板４０の可撓性を損なうことはない。

第２の保護膜４３を印刷法で配設する場合には、第２の保護膜４３の開口４３Ｈは、印刷スクリーンの設計時に考慮される。

配線板４０に第１の半田バンプ５４および第２の半田バンプ５６が配設される。第１の半田バンプ５４と第２の半田バンプ５６とは、例えば、ＳｎＡｇＣｕ合金、ＳｎＺｎＡｌ合金等の鉛フリー半田からなり、両者の組成は同じでも良いし異なっていてもよい。例えば、第１の半田バンプ５４、５６は、半田ペーストを接合電極４４、４６の上に印刷してもよいし、めっき法により配設してもよい。なお、撮像素子１０の電極パッド１３に第１の半田バンプ５４を配設してもよい。

図２等に示すように、配線板４０の第１の接合電極４４と撮像素子１０の電極パッド１３とが第１の半田バンプ５４を介して接合される。すなわち、配線板４０の第１の端部４０Ｓ１は、撮像素子１０の受光面１０ＳＡに対して撮像素子１０の傾斜面１０ＳＳと同じように鋭角に傾斜した角度で固定される。第１の半田バンプ５４は高さＨ５４に応じた厚さの第１の保護膜４２で取り囲まれている。このため第１の半田バンプ５４は溶融しても周囲に広がることはなく、かつ、配線板４０の第１の接合電極４４と撮像素子１０の電極パッド１３とを接合する。

封止樹脂５７が接合箇所に充填され硬化処理される。封止樹脂５７は、例えば、未硬化状態では液体の熱硬化型のエポキシ樹脂である。

次に、配線板４０の第２の接合電極４６に信号ケーブル５０の導線５１が第２の半田バンプ５６を介して接合される。第２の半田バンプ５６は高さＨ５６に応じた厚さの第２の保護膜４３で取り囲まれている。このため、第２の半田バンプ５６は溶融しても周囲に広がることはなく、かつ、配線板４０の第２の接合電極４６と信号ケーブル５０の導線５１とを接合する。

なお、信号ケーブル５０が接合された配線板４０が撮像素子１０に接合されてもよい。また、仮固定された、撮像素子１０、配線板４０および信号ケーブル５０が、同時にリフロー処理により接合されてもよい。

以上の説明のように、撮像装置１は接合箇所の信頼性が高い。特に、第１保護膜４２は、ソルダレジストからなる第２保護膜４３と比較すると非常に薄いが、撥半田材料からなるため、溶融した半田が周囲に広がって短絡が発生することがない。

なお、撮像装置１は、撮像素子１０よりも後方側（カバーガラスと反対側）に位置する配線板４０は、撮像素子１０を厚み方向から平面視すると、撮像素子１０に重なる領域、すなわち撮像素子１０の投影面内に全体が位置している。特に、配線板４０が可撓性の場合には、配線板４０の長さが長くても湾曲変形することにより撮像素子１０の投影面内に全体を配置することができる。撮像装置１は、配線板４０が撮像素子１０の外形よりも外側にはみ出していないため、細径である。

＜第２実施形態＞
次に第２実施形態の撮像装置１Ａおよび第２実施形態の変形例の撮像装置１Ｂについて説明する。なお、撮像装置１Ａ、１Ｂは、撮像装置１と類似しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

図６に示すように、撮像装置１Ａでは、第１の保護膜４２Ａが配線板４０の第１の主面４０ＳＡの第１の端部４０Ｓ１だけでなく、全体を覆っている。第１の保護膜４２Ａには、第１の半田バンプ５４に対応した開口４２Ｈ１だけでなく、第２の半田バンプ５６に対応した開口４２Ｈ３がある。すなわち、第１の保護膜４２Ａは、第１の半田バンプ５４および第２の半田バンプ５６を取り囲んでいる。

撮像装置１Ａは、第２の半田バンプ５６は、第２の保護膜４３の開口４３Ｈ３だけでなく第１の保護膜４２の開口４２Ｈ３を介して導線５１と接合されている。

一方、図７に示すように、変形例の撮像装置１Ｂでは、第１の保護膜４２Ｂが配線板４０の第１の主面４０ＳＡの第１の端部４０Ｓ１だけでなく、全体を覆っている。一方、第２の保護膜４３Ｂは、配線板４０の第１の主面４０ＳＡの第１の端部４０Ｓ１を除く領域を覆っている。

撮像装置１Ａおよび撮像装置１Ｂは、撮像装置１の効果を有する。さらに撮像装置１Ａは、第２の半田バンプ５６が第１の保護膜４２Ａにも取り囲まれているため、撮像装置１よりも信頼性が高い。
また撮像装置１Ｂは、第１の保護膜４２Ａが第１の端部４０Ｓ１を除いて第２の保護膜４３Ｂで覆われているため、配線板４０が大きく変形しても、ひび割れ等が発生しやすい第１の保護膜４２Ａが可撓性の厚い第２の保護膜４３Ｂで覆われているため、撮像装置１Ａよりも更に信頼性が高い。

＜第３実施形態＞
次に第３実施形態の撮像装置１Ｃについて説明する。なお、撮像装置１Ｃは、撮像装置１、１Ａ、１Ｂと類似しており、同様の効果を有するため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

図８および図９に示すように、撮像装置１Ｃの配線板４０Ｃの第１の主面４０ＳＡには、電子部品６０が実装されている。すなわち、配線板４０Ｃの第１の主面４０ＳＡに複数の第３の接合電極４５が配設されており、電子部品６０が複数の第３の接合電極４５のそれぞれと、第３の半田バンプ５５を介して接合されている。そして、第１の保護膜４２Ｃおよび第２の保護膜４３Ｃが複数の第３の半田バンプ５５を取り囲んでいる、すなわち、第１の保護膜４２Ｃには開口４２Ｈ２があり、第２の保護膜４３Ｃには開口４３Ｈ２がある。

第３の接合電極４５の位置は、チップコンデンサ、チップインダクタ等の電子部品６０の接合部の位置に応じて設計される。また。ひとつの電子部品６０の接合部の数が３以上であってもよい。さらに、配線板４０Ｃには、１個の電子部品６０しか実装されていないが、複数の電子部品６０が実装されていてもよい。また、第２の主面２０ＳＢにも電子部品６０が実装されていてもよい。

撮像装置１Ｃは、電子部品６０が実装されている配線板４０Ｃが、撮像素子１０の外形よりも外側にはみ出していないため、細径である。

＜第４実施形態＞
次に第３実施形態の内視鏡２について説明する。なお、内視鏡２は、すでに説明した撮像装置１、１Ａ〜１Ｃを挿入部３の先端部３Ａに具備する。このため、撮像装置１等の説明は省略する。

図１０に示すように、内視鏡２を含む内視鏡システム９は、内視鏡２と、プロセッサ５Ａと、光源装置５Ｂと、モニタ５Ｃと、を具備する。内視鏡２は、挿入部３を被検体の体腔内に挿入することによって、被検体の体内画像を撮像し撮像信号を出力する。すなわち、内視鏡２は挿入部３の先端部に、撮像装置１、１Ａ〜１Ｆのいずれかを具備する。

内視鏡２の挿入部３の基端側には、内視鏡２を操作する各種ボタン類が設けられた操作部４が配設されている。操作部４には、被検体の体腔内に、生体鉗子、電気メスおよび検査プローブ等の処置具を挿入するチャンネルの処置具挿入口４Ａがある。

挿入部３は、撮像装置１が配設されている先端部３Ａと、先端部３Ａの基端側に連設された湾曲自在な湾曲部３Ｂと、この湾曲部３Ｂの基端側に連設された可撓管部３Ｃとによって構成される。湾曲部３Ｂは、操作部４の操作によって湾曲する。

操作部４の基端部側に配設されたユニバーサルコード４Ｂには、先端部３Ａの撮像装置１と接続された信号ケーブル５０が挿通している。

ユニバーサルコード４Ｂは、コネクタ４Ｃを介してプロセッサ５Ａおよび光源装置５Ｂに接続される。プロセッサ５Ａは内視鏡システム９の全体を制御するとともに、撮像装置１が出力する撮像信号に信号処理を行い画像信号として出力する。モニタ５Ｃは、プロセッサ５Ａが出力する画像信号を表示する。

光源装置５Ｂは、例えば、白色ＬＥＤを有する。光源装置５Ｂが出射する白色光は、ユニバーサルコード４Ｂを挿通するライトガイド（不図示）を介して先端部３Ａの照明光学系３Ｄ（図２Ｂ参照）に導光され、被写体を照明する。

内視鏡２は、挿入部３の先端部３Ａに信頼性の高い撮像装置１、１Ａ〜１Ｃを具備するため、信頼性が高い。

本発明は上述した実施形態、または変形例等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変、組み合わせ等ができる。

１、１Ａ〜１Ｃ…撮像装置
２…内視鏡
９…内視鏡システム
１０…撮像素子
１０Ｔ…溝
１１…受光部
１２…外部電極
１３…電極パッド
１９…エッチングマスク
２０…接着層
２３…接合部材
３０…カバーガラス
４０…配線板
４１…基体
４２…第１の保護膜
４３…第２の保護膜
４４…第１の接合電極
４５…第３の接合電極
４６…第２の接合電極
５０…信号ケーブル
５１…導線
５４…第１の半田バンプ
５５…第３の半田バンプ
５６…第２の半田バンプ
５６…バンプ
６０…電子部品

Claims (10)

1. 受光面に受光部が形成されており、前記受光面に対して傾斜している傾斜面に前記受光部と接続されている複数の電極パッドが列設されている、撮像素子と、
   前記受光面を覆うように接着層を介して接着されている透明部材と、
   第１の主面の第１の端部に、前記撮像素子の前記複数の電極パッドのそれぞれと第１の半田バンプを介して接合されている複数の第１の接合電極が列設されており、前記第１の端部と対向している第２の端部に複数の第２の接合電極が列設されている配線板と、
   前記配線板の前記複数の第２の接合電極のそれぞれと、前記第１の半田バンプよりも高さの高い第２の半田バンプを介して接合されている複数の導線を有する信号ケーブルと、を具備する撮像装置であって、
   前記第１の主面の前記第１の端部を覆う、前記複数の第１の半田バンプを取り囲んでいる、厚さが前記第１のバンプの高さよりも小さい、第１の保護膜と、
   前記第１の主面の前記第２の端部を覆う、前記複数の第２の半田バンプを取り囲んでいる、厚さが、前記第１の保護膜の厚さよりも大きく、かつ、前記第２の半田バンプの高さよりも小さい、第２の保護膜と、を前記配線板が有することを特徴とする撮像装置。
2. 前記第１の保護膜が、撥半田材料からなり
   前記第２の保護膜が、ソルダレジストからなることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記第１の保護膜が、酸化シリコン、または窒化シリコンからなることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
4. 前記第１の保護膜が、スパッタ法、蒸着法またはＣＶＤ法により成膜されており、
   前記第２の保護膜が印刷法により成膜されていることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
5. 前記第１の保護膜の厚さが、０．１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
6. 前記第１の保護膜が、前記第１の主面を覆っており、前記複数の第２の接合電極を取り囲んでいることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
7. 前記配線板が可撓性であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
8. 前記複数の電極パッドと前記複数の第１の接合電極との接合部が、封止用樹脂で封止されていることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
9. 前記配線板の前記第１の主面に複数の第３の接合電極が配設されており、
   前記第１の保護膜および前記第２の保護膜が前記複数の第３の接合電極を取り囲んでおり、
   電子部品が、前記複数の第３の接合電極のそれぞれと、第３の半田バンプを介して接合されていることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の撮像装置を具備することを特徴とする内視鏡。

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