JP6402196B2 - パターン状被めっき層含有積層体の製造方法、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、パターン状被めっき層含有積層体、金属層含有積層体 - Google Patents

Description

本発明は、パターン状被めっき層含有積層体の製造方法、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、パターン状被めっき層含有積層体、および、金属層含有積層体に関する。

基板上に導電層（導電性細線）が形成された導電性フィルムは、種々の用途に使用されており、特に、近年、携帯電話や携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用の導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
導電層の作製方法としては種々の方法が提案されており、例えば、特許文献１においては、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基および重合性基を有する樹脂と、重合開始剤とを含む樹脂組成物層（被めっき層形成用層）を用いて、被めっき層を基板全面に形成して、めっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき処理を行い、被めっき層上に金属層を形成した後、フォトリソグラフィー工程によって不必要な金属層の一部を除去して導電層を形成する方法（サブトラクティブ法）が提案されている。なお、特許文献１の実施例欄においては、重合開始剤としてイルガキュアＯＸＥ−０２などが使用されている。

特開２０１２−０９７２９６号公報

一方、タッチパネルセンサー用の導電性フィルムとしては、基板の両面に導電層が配置された導電性フィルムが使用される場合がある。
上述した特許文献１に記載の方法を用いて、上記のような導電性フィルムを作製しようとする場合、基板の一方の主面上に上記樹脂組成物層を配置して、パターン状の露光を行い、樹脂組成物層の未露光領域を除去してパターン状の被めっき層を形成し、その後、めっき処理を行い被めっき層上に金属層を配置する処理を実施し、その後、基板の他方の主面上にも同様の処理を実施して、基板の両面に金属層を配置する方法がある。しかしながら、この方法では、基板のそれぞれの面に対して各工程を実施する、つまり、各工程を２回実施する必要があり、工程数が多くなり、必ずしも工業的に好ましくない。さらに、一方を処理したことによる基板の伸縮により、他方のパターンがずれる可能性がある。
それに対して、基板の両面に上記樹脂組成物層をそれぞれ配置して、基板の両面からそれぞれパターン状に露光を行い、その後、樹脂組成物層中の未露光領域を除去して、基板の両面にパターン状の被めっき層を形成し、その後、めっき処理を行うことができれば、樹脂組成物層中の未露光領域の除去処理、および、めっき処理を１回実施するだけでよく、工程数を減らすことができる。また、両面のパターンがずれる可能性が低い。

しかしながら、本発明者は、特許文献１に具体的に開示されているイルガキュアＯＸＥ−０２を含む樹脂組成物層を基板の両面に配置して、両面からパターン状の光照射を実施すると、基板の一方の表面側から照射した光が他方の表面側まで到達してしまい、基板の他方の表面側に配置される樹脂組成物層まで感光されてしまうという問題があることを知見した。

本発明は、上記実情に鑑みて、より簡便に、基板の両面に配置されたパターン状被めっき層を有するパターン状被めっき層含有積層体を製造できる方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、パターン状被めっき層含有積層体、および、金属層含有積層体を提供することも課題とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、重合開始剤および基板の光吸収特性と、照射する光の波長を制御することにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

（１） ２つの主面を有する基板と、基板の２つの主面上にそれぞれ配置された、重合開始剤、および、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、を有する積層体を作製する工程Ａと、
積層体中の基板の一方の主面側から、以下の要件１または要件２を満たすように、被めっき層形成用層の一方に対してパターン状に光を照射する工程Ｂ−１、および、基板の他方の主面側から、以下の要件１または要件２を満たすように、被めっき層形成用層の他方に対してパターン状に光を照射する工程Ｂ−２を含む工程Ｂと、
被めっき層形成用層中の光が照射されていない領域を除去して、基板の２つの主面上にパターン状被めっき層をそれぞれ形成する工程Ｃと、を有する、パターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
要件１：重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側にある場合、重合開始剤が感光する波長の光を被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
要件２：重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にある場合、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を除いた光であって、重合開始剤が感光する波長の光を被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
（２） 要件２において、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を少なくとも遮光する遮光フィルターを用いて、光の照射を行う、（１）に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
（３） 基板が、樹脂基板である、（１）または（２）に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
（４） 基板に、紫外線吸収剤が含まれる、（１）〜（３）のいずれかに記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
（５） 基板が、支持体と、支持体上に配置された、紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層とを有する積層体である、（１）〜（４）のいずれかに記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
（６） （１）〜（５）のいずれかに記載の製造方法より得られるパターン状被めっき層含有積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程を有する、金属層含有積層体の製造方法。
（７） （６）に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含むタッチパネルセンサー。
（８） （６）に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含むタッチパネル。
（９） ２つの主面を有する基板と、
基板の２つの主面上にそれぞれ配置された、めっき触媒またはその前駆体が担持されるために用いられるパターン状被めっき層とを有し、
基板の２つの主面上にそれぞれ配置されたパターン状被めっき層のパターンが異なる、パターン状被めっき層含有積層体。
（１０） （９）に記載のパターン状被めっき層含有積層体と、パターン状被めっき層含有積層体中のパターン状被めっき層の基板との接触面以外の表面上に配置された金属層とを有する、金属層含有積層体。

本発明によれば、より簡便に、基板の両面に配置されたパターン状被めっき層を有するパターン状被めっき層含有積層体を製造できる方法を提供することができる。
また、本発明によれば、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、パターン状被めっき層含有積層体、および、金属層含有積層体を提供することもできる。

従来技術の問題点を表す概念図である。 本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第１の実施態様における、重合開始剤と基板の紫外可視吸収スペクトルの関係を表す図である。 本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の機構を表す概念図である。 本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第２の実施態様における、重合開始剤と基板の紫外可視吸収スペクトルの関係を表す図である。 本発明のパターン状被めっき層含有積層体および金属層含有積層体の製造方法の第１の実施態様を工程順に示す断面図である。 金属層含有積層体の一実施態様を表す平面図である。 図６中の切断線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。 遮光フィルターを用いた照射工程の概要を表す図である。

以下に、本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法などについて詳述する。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係や位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。

本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の特徴点の一つとしては、重合開始剤および基板の光吸収特性と、照射する光の波長を制御している点が挙げられる。
以下では、まず、従来技術の問題点について詳述する。
特許文献１においては、イルガキュアＯＸＥ−０２を含む樹脂組成物層が使用されており、ＵＶ（紫外線）露光機（波長：３６５ｎｍ）で照射する旨が開示されている。図１に示すように、基板１２０の両面に上記樹脂組成物層１４０Ａおよび１４０Ｂを配置して、基板の一方の表面側から上記ＵＶ露光機によりパターン状に光照射を行うと、樹脂組成物層１４０Ａの所定の領域が感光される。一方で、樹脂組成物層１４０Ａの照射領域１６０に照射された光の一部は基板１２０を透過して、樹脂組成物層１４０Ｂまで到達してしまい、樹脂組成物層１４０Ｂの感光させたくない領域まで感光されるという問題がある。
以下、上記問題を解決した本発明について詳述する。
まず、本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第１の実施態様では、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側に位置する。重合開始剤および基板の紫外可視吸収スペクトルの関係を図２に示す。図２に示すように、上記第１の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端ＡＥ１が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端ＡＥ２よりも短波長側に位置する。この態様では、重合開始剤の吸収波長領域が、基板の吸収波長領域と重複している。従って、このような態様において、図３に示すように、基板１２の両面に配置された被めっき層形成用層（第１被めっき層形成用層１４Ａおよび第２被めっき層形成用層１４Ｂ）に、重合開始剤が感光する波長の光（つまり、基板の吸収端ＡＥ２よりも短波長側の波長であり、かつ、重合開始剤が感光する波長の光であり、言い換えれば、重合開始剤の吸収端ＡＥ１よりも短波長側の波長の光。）を照射すると、第１被めっき層形成用層１４Ａの照射領域１６Ａを透過した光は基板１２によって吸収されるため、第２被めっき層形成用層１４Ｂに到達することを抑制することができる。
また、本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第２の実施態様では、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側に位置する。第２の実施態様における、重合開始剤および基板の紫外可視吸収スペクトルの関係を図４に示す。図４に示すように、上記第２の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端ＡＥ１が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端ＡＥ２よりも長波長側に位置する。このような態様においては、図４の白抜き矢印に示すように、基板の吸収端ＡＥ２よりも短波長側の波長の光（つまり、基板の吸収端ＡＥ２よりも短波長側の波長であり、かつ、重合開始剤が感光する波長の光。言い換えれば、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を除いた（含まない）光であって、重合開始剤が感光する波長の光）を照射することにより、上記第１の実施態様と同様に、第１被めっき層形成用層１４Ａの照射領域１６Ａを透過した光は基板１２によって吸収されるため、第２被めっき層形成用層１４Ｂに到達することを抑制することができる。

＜＜第１の実施態様＞＞
本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第１の実施態様は、２つの主面を有する基板と、基板の２つの主面上にそれぞれ配置された被めっき層形成用層とを有する積層体を作製する工程Ａ（積層体作製工程）と、被めっき層形成用層に光をパターン状に照射する工程Ｂ（照射工程）、被めっき層形成用層中の未照射領域を除去して、パターン状被めっき層を基板の両面にそれぞれ形成する工程Ｃ（被めっき層形成工程）とを有する。
なお、第１の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側にある。この関係は、上記図２で説明した関係に該当する。
図５は、本発明のパターン状被めっき層含有積層体および金属層含有積層体の製造方法の第１の実施態様を工程順に示す断面図である。以下に、図面を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。

＜積層体作製工程＞
本工程は、２つの主面を有する基板と、基板の２つの主面上にそれぞれ配置された被めっき層形成用層とを有する積層体を作製する工程である。より具体的には、図５（Ａ）に示すように、本工程では、基板１２と、基板１２の２つの主面上に配置された第１被めっき層形成用層１４Ａおよび第２被めっき層形成用層１４Ｂとを備える積層体１０を製造する。本工程で得られる積層体は、後述する光照射が施される被めっき層形成用層を備える前駆体に該当する。
以下では、まず、積層体に含まれる各部材・各材料について詳述し、その後、工程の手順を詳述する。

［基板］
基板は、２つの主面を有し、後述する重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端と所定の関係を満たすものであれば特に制限されず、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができ、樹脂基板が好ましい。なお、樹脂基板としては、後述する粘着シートも含まれる。
樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂などが挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、または、ポリオレフィンが好ましい。
また、基板としては、粘着性のある基板、つまり、粘着シートを使用してもよい。粘着シートを構成する材料としては公知の材料（アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤など）が使用できる。

基板の厚み（ｍｍ）は特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、樹脂基板では０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．０２〜１ｍｍがより好ましく、０．０３〜０．１ｍｍが最も好ましい。また、ガラス基板では、０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．３〜０．８ｍｍがより好ましく、０．４〜０．７ｍｍが最も好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。

基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の位置は特に制限されないが、形成されるパターン状被めっき層含有積層体の透明性および視認性に優れる点で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３８０ｎｍ以下であることがより好ましく、３２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限は特に制限されないが、材料特性の点から、２５０ｎｍ以上の場合が多い。
基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の位置は、通常、基板の材料に依存する。
なお、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端とは、基板の紫外可視吸収スペクトルをＵＶ−３０００（島津製作所）にて測定した際に、吸光度が１．０以下となる最も長波長側の波長を意図する。

基板には、紫外線吸収剤が含まれていてもよい。基板に紫外線吸収剤が含まれることにより、基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端がより長波長側に移動し、後述する重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの吸収端よりも長波長側に位置しやすい。
なお、紫外線吸収剤としては、後述する重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側に吸収端を有する紫外線吸収剤を選択することが好ましい。つまり、使用される紫外線吸収剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にあることが好ましい。
なお、紫外線吸収剤を用いた場合の基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の測定方法も、上記と同様の手順が挙げられる。

使用される紫外線吸収剤の種類は特に制限されず、公知の紫外線吸収剤を使用でき、例えば、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸アニリド系紫外線吸収剤等が挙げられる。
上記サリチル酸系紫外線吸収剤としては、フェニルサリシート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシート、ｐ−オクチルフェニルサリシートが挙げられる。
上記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４、４′−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニル）メタン等が挙げられる。
上記ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−４′−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレート、エチル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレート等が挙げられる。

基板は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。
基板が複層構造である場合、例えば、基板としては、支持体と、支持体上に配置された、紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層とを有する積層体が挙げられる。
支持体には、紫外線吸収剤が含まれていなくても、含まれていてもよく、その種類としては上述した基板として例示したものが挙げられる。
紫外線吸収層には、少なくとも紫外線吸収剤が含まれる。紫外線吸収剤としては、上述したものが挙げられる。なお、紫外線吸収剤には、樹脂などのバインダーが含まれていてもよい。

［被めっき層形成用層］
被めっき層形成用層は、後述する光照射により被めっき層となる層であり、重合開始剤、および、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを少なくとも含む。より具体的には、被めっき層形成用層は、重合開始剤と化合物Ｘとを含む層であっても、重合開始剤と組成物Ｙとを含む層であってもよい。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
以下では、まず、被めっき層形成用層に含まれる材料について詳述する。

（重合開始剤）
重合開始剤としては特に制限はなく、上述した基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端と所定の関係を満たせばよく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、アゾ化合物等およびその誘導体を挙げることができる。
なお、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの吸収端とは、重合開始剤濃度が０．０１質量％の溶液（溶媒としては、重合開始剤が溶解する溶媒、例えば、アセトニトリルを使用）を用意し、ＵＶ−３０００にて測定した際に、吸光度が１．０以下となる最も長波長側の波長を意図する。

第１の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端は、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側に位置していればよく、両者の波長差（基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長（ｎｍ）−重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長（ｎｍ））としては、光が基板により吸収されやすくなる点で、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１５０ｎｍ程度の場合が多い。

被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用層全質量に対して、０．０１〜５質量％であることが好ましく、０．１〜３質量％であることがより好ましい。

（化合物Ｘ）
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。
相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、または、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がさらに好ましい。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。

重合性基は、エネルギー付与により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、スチリル基がより好ましい。
化合物Ｘ中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物Ｘ中に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。

上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、溶解性など取扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、さらに好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。

（ポリマーの好適態様１）
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）を表す。なお、置換基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子などが挙げられる。
なお、Ｒ¹としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ²としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ³としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁴としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁵としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。

Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。

上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ¹およびＬ²は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた２価の有機基と同義である。
Ｌ¹としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ¹の総炭素数とは、Ｌ¹で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

また、Ｌ²は、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ²は、単結合、または、総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ²の総炭素数とは、Ｌ²で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。

上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。

（ポリマーの好適態様２）
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。

式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、ＸおよびＬ²と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。

式（Ｃ）中、Ｒ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ³は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ¹およびＬ²で表される２価の有機基と同義である。Ｌ³としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。

式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボキシル基などが挙げられる。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。

上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。

上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。

（モノマーの好適態様）
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｘ）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。なお、Ｒ¹¹としては、水素原子、またはメチル基が好ましい。Ｒ¹²としては、水素原子が好ましい。Ｒ¹³としては、水素原子が好ましい。

Ｌ¹⁰は、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ¹⁰の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。

Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。

上記化合物がいわゆるモノマーである場合、他の好適態様の一つとして式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ¹⁰は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン（ナトリウムイオン、カルシウムイオン）、銅イオン、パラジウムイオン、銀イオンなどが挙げられる。なお、金属カチオンとしては、主に１価または２価のものが使用され、２価のもの（例えば、パラジウムイオン）が使用される場合、後述するｎは２を表す。
第四級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
なかでも、めっき触媒またはその前駆体の付着、および、パターニング後の金属残渣の点から、水素原子であることが好ましい。

式（１）中のＬ¹⁰の定義は、上述した式（Ｘ）中のＬ¹⁰の定義と同義であり、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。

式（１）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義は、上述した式（Ｘ）中のＲ¹¹〜Ｒ¹³の定義と同義であり、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。なお、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³の好適態様は上述の通りである。
ｎは、１または２の整数を表す。なかでも、化合物の入手性の観点から、ｎは１であることが好ましい。

式（１）で表される化合物の好適態様として、式（２）で表される化合物が挙げられる。

式（２）中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびｎは、上記の定義と同じである。
Ｌ¹¹は、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、またはフェニレン基を表す。なかでも、Ｌ¹¹がアミド基であると、耐溶剤性（例えば、アルカリ溶剤耐性）が向上する。
Ｌ¹²は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数３〜５）、または、２価の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。なお、Ｌ¹²が単結合の場合、Ｌ¹¹はフェニレン基を表す。

式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、揮発性、溶剤への溶解性、成膜性、および、取扱い性などの観点から、１００〜１０００が好ましく、１００〜３００がより好ましい。

（組成物Ｙ）
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物とは、相互作用性基を有する化合物である。相互作用性基の定義は上述の通りである。このような化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれない。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、さらに好ましくは２００〜７００である。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがさらに好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。

重合性基を有する化合物の好適形態の一つとしては、以下の式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ₂₀は、重合性基を表す。
Ｌは、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。
Ｑは、ｎ価の有機基を表す。ｎ価の有機基としては、下記式（１Ａ）で表される基、下記式（１Ｂ）で表される基、

−ＮＨ−、−ＮＲ（Ｒ：アルキル基）−、−Ｏ−、−Ｓ−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、芳香族基、ヘテロ環基、および、これらを２種以上組み合わせた基からなるｎ価の有機基を好ましい例として挙げることができる。
ｎは、２以上の整数を表し、２〜６が好ましい。

なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に制限されないが、形成される被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜５がより好ましい。

被めっき層形成用層中の化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に制限されないが、被めっき層形成用層全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましい。

被めっき層形成用層には、上記重合開始剤、化合物Ｘ、組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、被めっき層形成用層には、モノマー（但し、上記式（Ｘ）または式（１）で表される化合物を除く）が含まれていてもよい。モノマーが含まれることにより、被めっき層中の架橋密度などを適宜制御することができる。
使用されるモノマーは特に制限されず、例えば、付加重合性を有する化合物としてはエチレン性不飽和結合を有する化合物、開環重合性を有する化合物としてはエポキシ基を有する化合物等が挙げられる。なかでも、被めっき層中の架橋密度を向上する点から、多官能モノマーを使用することが好ましい。多官能モノマーとは、重合性基を２個以上有するモノマーを意味する。具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。

被めっき層形成用層には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤など）を必要に応じて添加してもよい。

（積層体の製造方法）
上記基板および基板の両面上に配置された被めっき層形成用層を含む積層体の製造方法は特に制限されず、基板の両面上に上述した各種成分を含む組成物を塗布して被めっき層形成用層を形成し、積層体を形成する方法（塗布法）や、仮基板上に被めっき層形成用層を形成して、基板の両面上に転写する方法（転写法）などが挙げられる。なかでも、厚みの制御がしやすい点、塗布法が好ましい。
以下、塗布法の態様について詳述する。

塗布法で使用される組成物には、上述した重合開始剤、および、化合物Ｘまたは組成物Ｙが少なくとも含まれる。必要に応じて、上述した他の成分が含まれていてもよい。
なお、組成物には、取扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤；酢酸などの酸；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤；この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
このなかでも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましい。
組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、層厚の制御などがしやすい。

塗布法の場合に、組成物を基板上に塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）を使用できる。
なお、基板の両面に被めっき層形成用層を配置するためには、基板の片面ずつに組成物を塗布してもよいし、組成物中に基板を浸漬して基板の両面に一度に塗布してもよい。
取り扱い性や製造効率の観点からは、組成物を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥処理を行って残存する溶剤を除去して、被めっき層形成用層を形成する態様が好ましい。
なお、乾燥処理の条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。

被めっき層形成用層の厚みは特に制限されないが、０．０１〜２０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１〜５μｍがさらに好ましい。

なお、上記積層体には、基板と被めっき層形成用層以外の他の層が含まれていてもよい。
例えば、基板と被めっき層形成用層との間には、プライマー層が配置されていてもよい。プライマー層が配置されることにより、後述するパターン状被めっき層と基板との密着性が向上する。
プライマー層によってパターン状被めっき層の密着性を高めるためには、表面エネルギーを制御すること、パターン状被めっき層との化学結合を形成すること、または、応力緩和による粘着力を利用する等、種々の密着力向上の手段を取ることができる。表面エネルギー制御の場合、例えば、パターン状被めっき層の表面エネルギーに近い低分子層や高分子層を用いることができる。化学結合を形成する場合は、重合活性部位を有する低分子層や高分子層を用いることができる。応力緩和による粘着力を利用する場合は、弾性率の低いゴム性の樹脂等を用いることができる。

プライマー層の厚みは特に制限されないが、一般的には、０．０１〜１００μｍが好ましく、０．０５〜２０μｍがより好ましく、０．０５〜１０μｍがさらに好ましい。
プライマー層の材料は特に制限されず、基板との密着性が良好な樹脂であることが好ましい。樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene）樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。また、シアノ基を含有する樹脂を使用してもよく、具体的には、ＡＢＳ樹脂や、特開２０１０−８４１９６号の段落〔００３９〕〜〔００６３〕記載の「側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマー」を用いてもよい。
また、ＮＢＲゴム（アクリロニトリル・ブタジエンゴム）やＳＢＲゴム（スチレン・ブタジエンゴム）などのゴム成分を用いることもできる。

プライマー層を構成する材料の好適態様の一つとしては、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーが挙げられる。共役ジエン化合物単位とは、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位を意味する。共役ジエン化合物としては、一つの単結合で隔てられた、二つの炭素−炭素二重結合を有する分子構造を有する化合物であれば特に制限されない。
共役ジエン化合物由来の繰り返し単位の好適態様の一つとしては、ブタジエン骨格を有する化合物が重合反応することで生成する繰り返し単位が挙げられる。
上記共役ジエン化合物単位は水素添加されていてもよく、水素添加された共役ジエン化合物単位を含む場合、パターン状金属層の密着性がより向上し好ましい。つまり、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位中の二重結合が水素添加されていてもよい。
水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーには、上述した相互作用性基が含まれていてもよい。
このポリマーの好適な態様としては、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、カルボキシル基含有ニトリルゴム（ＸＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレンゴム（ＮＢＩＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、または、これらの水素添加物（例えば、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム）などが挙げられる。

プライマー層には、他の添加剤（例えば、増感剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤など）が含まれていてもよい。

プライマー層の形成方法は特に制限されず、使用される樹脂を基板上にラミネートする方法や、必要な成分を溶解可能な溶剤に溶解し、塗布などの方法で基板表面上に塗布・乾燥する方法などが挙げられる。
塗布方法における加熱温度と時間は、塗布溶剤が充分乾燥し得る条件を選択すればよいが、製造適性の点からは、加熱温度２００℃以下、時間６０分以内の範囲の加熱条件を選択することが好ましく、加熱温度４０〜１００℃、時間２０分以内の範囲の加熱条件を選択することがより好ましい。なお、使用される溶剤は、使用する樹脂に応じて適宜最適な溶剤（例えば、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン）が選択される。

＜照射工程＞
本工程は、上記工程で作製した積層体中の２つの被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程（パターン状に露光を行う工程）である。つまり、本工程は、積層体中の基板の一方の主面側から、基板の一方の主面上に配置された一方の被めっき層形成用層に対して、重合開始剤が感光する波長の光をパターン状に照射する工程、および、基板の他方の主面側から、基板の他方の主面上に配置された他方の被めっき層形成用層に対して、重合開始剤が感光する波長の光をパターン状に照射する工程を少なくとも含む工程である。なお、後述するように、さらに、被めっき層形成用層の未照射領域を除去して、パターン状被めっき層を形成する。なお、上記光は、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側の波長であり、かつ、重合開始剤が感光する波長の光に該当する。
より具体的には、まず、図５（Ｂ）に示すように、第１被めっき層形成用層１４Ａの所定の照射領域１６Ａ（光が照射される領域）に対して、重合開始剤が感光する波長の光を照射する。次に、図５（Ｃ）に示すように、第２被めっき層形成用層１４Ｂの所定の照射領域１６Ｂに対して、重合開始剤が感光する波長の光を照射する。上述したように、本実施態様では、第１被めっき層形成用層１４Ａに照射された光は基板１２によって吸収されるため、第２被めっき層形成用層１４Ｂへの到達が抑制される。なお、第２被めっき層形成用層１４Ｂに照射された光に関しても、基板１２によって吸収されるため、第１被めっき層形成用層１４Ａへの到達が抑制される。結果として、第１被めっき層形成用層１４Ａおよび第２被めっき層形成用層１４Ｂに、所望の照射領域を形成することができる。
以下、本工程の手順に関して、基板の一方の主面上に配置された第１被めっき層形成用層に対して、所定の波長の光をパターン状に照射する第１照射工程と、基板の他方の主面上に配置された第２被めっき層形成用層に対して、所定の波長の光をパターン状に照射する第２照射工程とに分けて説明する。なお、第１照射工程と第２照射工程は同時に実施してもよい。

（第１照射工程）
本工程では、積層体中の基板の一方の主面側から、基板の一方の主面上に配置された第１被めっき層形成用層に対して、重合開始剤が感光する波長の光をパターン状に照射する工程である。つまり、以下の要件１を満たすように、パターン状の光照射が実施される。
要件１：重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側にある場合、重合開始剤が感光する波長の光を被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
光が照射された領域においては、重合性基間の重合や、基板と重合性基との反応などが進行し、硬化して、不溶部となる。この不要部は、いわゆる被めっき層となる。
本工程で第１被めっき層形成用層に対して照射される光は、被めっき層形成用層中の重合開始剤が感光する波長の光である。より具体的には、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側の波長の光である。なお、本工程で第１被めっき層形成用層に対して照射される光としては、重合開始剤が感光する波長の光が含まれていればよく、それ以外の波長の光が含まれていてもよい。つまり、第１被めっき層形成用層に対して照射される光には、重合開始剤が感光する波長の光が含まれていればよく、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側の波長の光が含まれていてもよい。
照射される光は上記要件を満たしていれば、単色光であっても、連続光であってもよい。上記のような要件を満たす光を照射する際には、光源を適宜選択する方法や、光源と所定の遮光フィルターを用いて特定の波長の光を選択する方法などが挙げられる。

基板上の第１被めっき層形成用層にパターン状にエネルギー付与する方法は特に制限されない。
照射処理に用いられる光源は特に制限されず、上記波長の光を出射できればよく、例えば、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。
露光時間としては、反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。
なお、上記露光処理をパターン状に実施する方法は特に制限されず、公知の方法が採用され、例えば、マスクを介して露光光を第１被めっき層形成用層に照射すればよい。

（第２照射工程）
本工程では、積層体中の基板の他方の主面側から、基板の他方の主面上に配置された第２被めっき層形成用層に対して、重合開始剤が感光する波長の光をパターン状に照射する工程である。つまり、本工程でも上述した要件１を満たすように、パターン状の光照射が実施される。
本工程の手順は、上記第１照射工程と同様である。第１照射工程と第２照射工程の照射条件は異なっていてもよい。
なお、本工程にて照射されるパターン形状は、第１照射工程のパターン形状と異なっていてもよい。

＜除去工程＞
本工程は、上記照射工程（第１照射工程および第２照射工程）が施された被めっき層形成用層（第１被めっき層形成用層および第２被めっき層形成用層）の未照射領域（未露光領域）を除去する工程である。本工程を実施することにより、被めっき層形成用層中の未照射領域が除去され、パターン状被めっき層（第１パターン状被めっき層および第２パターン状被めっき層）が形成される。より具体的には、図５（Ｄ）に示すように、得られた積層体に本処理を施すことにより、未照射領域を除去して、第１パターン状被めっき層１８Ａおよび第２パターン状被めっき層１８Ｂを有するパターン状被めっき層含有積層体２０が得られる。
上記除去方法は特に制限されず、被めっき層形成用層中に含まれる化合物によって適宜最適な方法が選択されるが、通常、上記化合物が溶解する溶剤を被めっき層形成用層に接触させる方法が挙げられる。
より具体的には、アルカリ性溶液を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、未照射領域を除去する場合は、照射工程が施された積層体をアルカリ性溶液中に浸漬させる方法や、その被めっき層形成用層上にアルカリ性溶液を塗布する方法などが挙げられるが、浸漬する方法が好ましい。浸漬する方法の場合、浸漬時間としては生産性・作業性などの観点から、１分から３０分程度が好ましい。

上記手順によって、基板と、基板の両面に配置されたパターン状被めっき層とを有するパターン状被めっき層含有積層体が得られる。
この積層体は、金属膜（導電膜）を形成する用途に好適に適用できる。つまり、積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、さらに、めっき処理を施すことにより、パターン状被めっき層上に金属層を形成することができる。つまり、パターン状被めっき層の形状を制御することにより、金属層のパターンを制御することができる。また、このようなパターン状被めっき層を使用することにより、金属層の基板に対する密着性が優れる。
以下、上記金属層を形成する工程（金属層形成工程）について詳述する。

＜金属層形成工程＞
本工程は、パターン状被めっき層含有積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図５（Ｅ）に示すように、第１パターン状被めっき層１８Ａおよび第２パターン状被めっき層１８Ｂ上に金属層２２が形成され、金属層含有積層体２４が得られる。
以下では、パターン状被めっき層（第１パターン状被めっき層および第２パターン状被めっき層）にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。

（工程Ｘ：めっき触媒付与工程）
本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。上記化合物由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。より具体的には、パターン状被めっき層中およびパターン状被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体が付与される。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。

本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏなどが挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕが特に好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ₃)_n、ＭＣｌ_n、Ｍ_2/n(ＳＯ₄)、Ｍ_3/n(ＰＯ₄)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、Ｃｕイオンが好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。

めっき触媒またはその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を適切な溶剤に分散または溶解させた溶液（めっき触媒またはその前駆体、および、溶媒を含む触媒付与液）を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、または、その溶液中にパターン状被めっき層が形成された積層体を浸漬すればよい。
上記溶剤としては、水や有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透しうる溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。

めっき触媒またはその前駆体、および、溶剤を含む触媒付与液のｐＨは特に制限されないが、後述するめっき処理の際に、所望の位置に所望の量の金属層が形成されやすい点で、３．０〜７．０であることが好ましく、３．２〜６．８がより好ましく、３．５〜６．６がさらに好ましい。
触媒付与液の調製方法は特に制限されず、所定の金属塩を適切な溶剤で溶解させ、必要に応じて、酸またはアルカリを用いてｐＨを所定の範囲に調整する。

溶液中のめっき触媒またはその前駆体の濃度は特に制限されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。

パターン状被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ²が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ²がより好ましく、特に２０〜６００ｍｇ／ｍ²が好ましい。

（工程Ｙ：めっき処理工程）
次に、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上記無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応などによって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、さらにその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。

無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を備える積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、銀、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。

本工程おいては、パターン状被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属層の厚みを適宜調整可能である。
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。

上記工程を実施することにより、パターン状被めっき層上に金属層（めっき層）を形成することができる。
上述した特許文献１に記載のサブトラクティブ法を用いた場合、パターン状の金属層間に親水性樹脂などで構成される被めっき層が存在するために、金属層のパターンがより微細化した際には金属層間の被めっき層の影響により金属イオンのマイグレーションが生じやすく、絶縁性が低下する懸念がある。一方、本発明の上記手順では、パターン状被めっき層を形成し、そのパターン状被めっき層上に導電層に該当する金属層を形成する、いわゆるアディティブ法であり、この方法で得られる金属層含有積層体では金属層間に被めっき層が残存しないため、マイグレーションの発生がより抑制され、タッチパネルセンサー用の導電性フィルムとして好適に使用できる。
なお、図５（Ｅ）においては、第１パターン状被めっき層１８Ａの上面のみに金属層２２が配置される態様を示しているが、この態様には限定されず、図５（Ｆ）に示すように、第１パターン状被めっき層１８Ａの基板１２との接触面以外の表面上に金属層２２が配置される態様であってもよい。つまり、パターン状被めっき層の基板との接触面以外の表面を覆うように金属層が配置されていてもよい。

（用途）
上記処理により得られた金属層を有する金属層含有積層体は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、マザーボード等の種々の用途に適用することができる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記金属層含有積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、金属層含有積層体中の金属層がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electro-luminescence）表示装置）を組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。

また、金属層含有積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合の一実施態様を図６および図７に示す。
図６に示すように、金属層含有積層体１２４は、基板１２と、基板１２の一方の主面上に配置された第１パターン状被めっき層１８Ａと、第１パターン状被めっき層１８Ａ上に配置された第１検出電極２６および第１引き出し配線２８と、基板１２の他方の主面上に配置された第２パターン状被めっき層１８Ｂと、第２パターン状被めっき層１８Ｂ上に配置された第２検出電極３０および第２引き出し配線３２とを有する。なお、第１検出電極２６、第１引き出し配線２８、第２検出電極３０、および、第２引き出し配線３２は、上述した金属層で構成されている。
このような金属層含有積層体を製造するためには、第１検出電極２６、第１引き出し配線２８、第２検出電極３０、および、第２引き出し配線３２を配置させたい位置に第１パターン状被めっき層１８Ａおよび第２パターン状被めっき層１８Ｂを形成し、これらの上に金属層を形成することにより得られる。つまり、第１検出電極２６および第１引き出し配線２８と基板１２との間には、第１パターン状被めっき層１８Ａが配置され、第２検出電極３０および第２引き出し配線３２と基板１２との間には、第２パターン状被めっき層１８Ｂが配置される。

なお、第１検出電極２６および第２検出電極３０は、この金属層含有積層体を含むタッチパネルセンサーがタッチパネルの部材として組み込まれた際には、静電容量の変化を感知するセンシング電極として機能し、感知部（センシング部）を構成する。つまり、指先をタッチパネルに接触させると、第１検出電極２６および第２検出電極３０の間の相互静電容量が変化し、この変化量に基づいて指先の位置をＩＣ（integrated circuit）回路によって演算する。
第１検出電極２６は、タッチパネルセンサーの入力領域に接近した操作者の指のＸ方向における入力位置の検出を行う役割を有するものであり、指との間に静電容量を発生する機能を有している。第１検出電極２６は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
第２検出電極３０は、タッチパネルセンサーの入力領域に接近した操作者の指のＹ方向における入力位置の検出を行う役割を有するものであり、指との間に静電容量を発生する機能を有している。第２検出電極３０は、第２方向（Ｙ方向）に延び、第１方向（Ｘ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。図６においては、第１検出電極２６は５つ、第２検出電極３０は５つ設けられているが、その数は特に制限されず複数あればよい。
第１引き出し配線２８および第２引き出し配線３２は、それぞれ第１検出電極２６および第２検出電極３０に電圧を印加するための役割を担う部材である。

＜＜第２の実施態様＞＞
本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法の第２の実施態様は、２つの主面を有する基板と、基板の２つの主面上にそれぞれ配置された被めっき層形成用層とを有する積層体を作製する工程（積層体作製工程）と、被めっき層形成用層に光をパターン状に照射する工程Ｂ（照射工程）、被めっき層形成用層中の未照射領域を除去して、パターン状被めっき層を基板の両面にそれぞれ形成する工程Ｃ（被めっき層形成工程）とを有し、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にある。
第２の実施態様は、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端と基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端との位置関係が異なり、被めっき層形成用層への照射条件が異なる点を除いて、上記第１の実施態様と同じであり、各工程の手順も同じであるため、以下では、主に第１の実施態様と異なる点について主に説明する。

第２の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にある。この関係は、上記図４で説明した関係に該当する。
使用される重合開始剤や基板は、上記関係を満たすように適宜選択され、第１の実施態様で説明した重合開始剤や基板が適宜使用される。
第２の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端は、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側に位置していればよく、両者の波長差（重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の波長（ｎｍ）−基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の波長（ｎｍ））は特に制限されないが、１０〜１５０ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましい。

第２の実施態様においては、第１照射工程および第２照射工程において、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を除いた光であって、重合開始剤が感光する波長の光が被めっき層形成用層にパターン状に照射される。つまり、以下の要件２を満たすように、パターン状の光照射が実施される。
要件２：重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にある場合、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を除いた光であって、重合開始剤が感光する波長の光を被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
上記のように、第２の実施態様においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの吸収端は、基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端よりも長波長側に位置しているため、上記光であれば被めっき層形成用層中の重合開始剤は感光する。
また、上記基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側の波長の光は、第１照射工程において第１被めっき層形成用層に照射されるが、第１の実施態様と同様に、上記の光のうち第１被めっき層形成用層を透過した光は基板で吸収され、反対側に位置する第２被めっき層形成用層までは到達しない。第２照射工程においても、第１の実施態様と同様に、照射された光が基板より吸収される。
また、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光は、被めっき層形成用層に照射する光に含まれないため、例えば、第１被めっき層形成用層に照射光によって第２被めっき層形成用層中の重合開始剤が感光することは抑制されている。
なお、本態様で被めっき層形成用層（第１被めっき層形成用層および第２被めっき層形成用層）に対して照射される光としては、上記のように、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光が含まれず、かつ、重合開始剤が感光する波長の光が含まれていればよく、それ以外の波長の光が含まれていてもよい。つまり、被めっき層形成用層に対して照射される光には、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側の波長の光が含まれていてもよい。

第２の実施態様では、第１照射工程および第２照射工程において、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を少なくとも遮光する遮光フィルターを用いて、光の照射を行うことが好ましい。より具体的には、図８に示すように、遮光フィルター３４を光源（図示しない）と積層体１０との間に配置する。この場合、光源より出射される光のうち、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を遮光することができ、第１被めっき層形成用層１４Ａに、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端より短波長側の波長の光のみを照射することができる。その結果、基板１４で照射された光を吸収でき、第２被めっき層形成用層１４Ｂ中の重合開始剤が感光するのを抑制することができる。
なお、上記遮光フィルターを使用することにより、種々の光源を使用することできる。
上記遮光フィルターの態様は特に制限されず、公知の遮光フィルターを使用することができるが、例えば、特定波長を少なくとも吸収できる吸収剤（例えば、色素または顔料）を含有する吸収型フィルター；バンドパスフィルター（誘電体多層膜）のような反射型フィルターが挙げられる。

以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（合成例１：ポリマー１）
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却した。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて３時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーＭ１（２０ｇ）を得た。

５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇを入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。そこへ、モノマーＭ１：１４．３ｇ、アクリロニトリル（東京化成工業（株）製）３．０ｇ、アクリル酸（東京化成製）６．５ｇ、Ｖ−６５（和光純薬製）０．４ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１を１２ｇ得た。
得られたポリマー１の同定をＩＲ測定機（（株）堀場製作所製）を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させＫＢｒ結晶を用いて行った。ＩＲ測定の結果、２２４０ｃｍ^-１付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸基含有ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）に溶解させ、ブルカー製３００ＭＨｚのＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）（ＡＶ−３００）にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（５Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが７．８−８．１ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．８−５．６ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．４−５．２ｐｐｍ（１Ｈ分）、４．２−３．９ｐｐｍ（２Ｈ分）、３．３−３．５ｐｐｍ（２Ｈ分）、２．５−０．７ｐｐｍ（６Ｈ分）にブロードに観察され、カルボン酸基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（３Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基含有ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であることが分かった。

＜組成物の調製＞
イソプロパノール（ＩＰＡ）、ポリマー１、ポリアクリル酸、メチレンビスアクリルアミド（ＭＢＡ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（ＢＡＳＦ製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９（ＢＡＳＦ製）を表１に従って調液し、組成物１〜４を得た。
なお、表１中、各成分の含有量は、組成物全量に対する質量％として表示される。

＜プライマー層形成用組成物＞
水素化ニトリルブタジエンゴムＺｅｔｐｏｌｅ００２０（日本ゼオン製）１００ｇをシクロペンタノン（東京化成製）９００ｇに溶解させた液をプライマー層形成用組成物とした。

＜基板の作製＞
〔基板Ｓ１−１の作製〕
ＺＦ１４（ゼオン製ゼオノアフィルム）をトルエンに溶解させＵＶ吸収剤ＬＡ−２９（ＡＤＥＫＡ製）を樹脂成分中５質量％になるよう添加し、１００μｍの厚みになるように製膜した基板をＳ１−１とした。
〔基板Ｓ１−２の作製〕
Ｆ５０２３（ＪＳＲ製アートンフィルム）をトルエンに溶解させＵＶ吸収剤ＬＡ−２９（ＡＤＥＫＡ製）を樹脂成分中５質量％になるよう添加し、１００μｍの厚みになるように製膜した基板をＳ１−２とした。
〔基板Ｓ２−０〜２−４の作製〕
１００μｍ厚のＡ４３００（東洋紡製ＰＥＴフィルム）、１００μｍのＺＦ１４、１００μｍのＦ５０２３、基板Ｓ１−１、および、基板Ｓ１−２のそれぞれの表面上にバーコートによってプライマー層形成用組成物を２μｍの膜厚になるように塗布して、プライマー層を両面に成膜した基板をそれぞれＳ２−０〜Ｓ２−４とした。より具体的には、１００μｍ厚のＡ４３００の両面にプライマー層を配置した基板をＳ２−０、１００μｍのＺＦ１４の両面にプライマー層を配置した基板をＳ２−１、１００μｍのＦ５０２３の両面にプライマー層を配置した基板をＳ２−２、基板Ｓ１−１の両面にプライマー層を配置した基板をＳ２−３、および、基板Ｓ１−２の両面にプライマー層を配置した基板をＳ２−４とした。

＜積層体の作製＞
〔積層体Ｓ３−１〜１０〕
基板Ｓ２−０〜Ｓ２−４と組成物１〜４を表２のように組み合わせて、基板の両面に被めっき層形成用層をバーコートによって０．２５μｍの厚みになるように成膜し、積層体Ｓ３−１〜１０とした。

＜比較例１〜５および実施例１〜６＞
積層体Ｓ３−１を異なるパターンを有するマスク二枚にて挟み込み、３００ｎｍ以下の波長の光を含む出射光を出射できるＵＶランプＤｅｅｐ ＵＶ Ｌａｍｐ（Ｕｓｈｉｏ製）を用いて、積層体の両面をそれぞれ所定のパターン状にて露光エネルギーが１００ｍＪになるよう露光した後、４０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して現像して、パターン状被めっき層を含むサンプルを得た。なお、積層体の両面に照射される光の照射領域は異なる。つまり、積層体の両面に照射される照射パターン（露光パターン）はそれぞれ異なる。また、上記ＵＶランプより出射される出射光には、３００ｎｍ以下の波長の光のみならず、３００ｎｍ超の波長の光も含まれる。
積層体Ｓ３−１の代わりに積層体Ｓ３−２〜Ｓ３−１０を用いた以外は、上記と同様の手順に従って、サンプルを得た。
ただし、実施例６のみ露光する際、光源とマスクの間に３００ｎｍから４００ｎｍの光をカットするバンドパスフィルター（朝日分光製）を用いた。なお、実施例６で使用される重合開始剤であるＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端は４００ｎｍよりも短波長側に位置する。
また、比較例５のみ光源として、ＵＶ露光機（波長：３６５ｎｍ（ソーダガラスを用いて短波側波長カット）三永電機製作所社製、型番：ＵＶＦ-５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ-５０１ＭＤ）を用いた。

＜両面パターニング性評価＞
比較例１〜５および実施例１〜６のサンプルを０．０５質量％のローダミン６Ｇ水溶液に５分間浸漬して染色した後、基板の両面に配置されているパターン状被めっき層がそれぞれ使用したマスクと同じパターン形状になっているか否かを光学顕微鏡にて観察した。基板の両面に配置されるそれぞれのパターン状被めっき層のパターンがマスクと同じ所望のパターンである場合を「Ａ」、いずれか一方のパターン状被めっき層のパターンが所望のパターンでない場合（一方の面上からの光照射によって他方の面上のパターン状被めっき層のパターンが影響を受けている場合）を「Ｂ」とした。結果を表２にまとめて示す。

なお、表２中、「開始剤の吸収端」とは、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の位置（ｎｍ）を表す。この吸収端の決定方法は、上述の通りである。
「開始剤吸収端」欄において、「＞３００」とは重合開始剤の吸収端の位置が３００ｎｍ超であることを意図し、「＜３００」とは重合開始剤の吸収端の位置が３００ｎｍ未満であることを意図する。
「基板の吸収端」とは、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の位置（ｎｍ）を表す。この吸収端の決定方法は、上述の通りである。
「基板の吸収端」欄において、「＜２５０」とは基板の吸収端の位置が２５０ｎｍ未満であることを意図する。
なお、表２中、「開始剤の吸収端」が「＜３００」で、かつ、「基板の吸収端」が「＜２５０」である場合（比較例３および４）は、開始剤の吸収端は基板の吸収端よりも長波長側に位置する。

表２に示すように、本発明のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法によれば、基板の両面に配置されたパターン状被めっき層のパターンを精度よく、かつ、効率的に作製することができた。なお、実施例１〜５は上述した要件１を満たし、実施例６は上述した要件２を満たす。
一方、本発明の要件を満たさない、比較例１〜５においては、所望の効果は得られなかった。より具体的には、比較例１〜５においては、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側で、かつ、重合開始剤を感光する波長の光が被めっき層形成用層に照射されるため、基板の一方の面上に配置された被めっき層形成用層に照射した光が、基板を通過して、基板の他方の面上に配置された被めっき層形成用層に到達し、かつ、重合開始剤を感光してしまうため、所望のパターンが形成されなかった。
なお、比較例５は、特許文献１を参照した態様に該当する。

＜タッチパネルとしての駆動確認＞
実施例１〜６のサンプルを形成する際、マスクとして、図６に示すような、検出電極部分（第１検出電極２６、第２検出電極３０）および引き出し配線部分（第１引き出し配線２８、第２引き出し配線３２）の位置に開口部が設けられたマスクを用いて露光を行い、パターン状被めっき層を有するサンプルをそれぞれ得た。
得られたサンプルに対して、次のように無電解めっきを施し、パターン状被めっき層上に金属層を形成した。得られたサンプルを、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したものに室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。次に、還元剤ＭＡＢ（上村工業製）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業製）に室温にてそれぞれ６０分浸漬し、純水にて洗浄しタッチパネル用配線の形成された金属層含有積層体を得た。なお、得られた金属層は、パターン状被めっき層の基板との接触面以外の表面を覆うように配置されていた。
得られた金属層含有積層体をそれぞれ用いてタッチパネルセンサーを作製し、各種部材を貼り合せてタッチパネルとして駆動させたところ良好な駆動性が確認された。

１０ 積層体
１２，１２０ 基板
１４Ａ 第１被めっき層形成用層
１４Ｂ 第２被めっき層形成用層
１６Ａ，１６Ｂ，１６０ 照射領域
１８Ａ 第１パターン状被めっき層
１８Ｂ 第２パターン状被めっき層
２０ パターン状被めっき層含有積層体
２２ 金属層
２４，１２４ 金属層含有積層体
２６ 第１検出電極
２８ 第１引き出し配線
３０ 第２検出電極
３２ 第２引き出し配線
３４ 遮光フィルター
１４０Ａ，１４０Ｂ 樹脂組成物層

Claims (6)

1. ２つの主面を有する基板と、前記基板の２つの主面上にそれぞれ配置された、重合開始剤、および、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、を有する積層体を作製する工程Ａと、
   前記積層体中の前記基板の一方の主面側から、以下の要件１または要件２を満たすように、前記被めっき層形成用層の一方に対してパターン状に光を照射する工程Ｂ−１、および、前記基板の他方の主面側から、以下の要件１または要件２を満たすように、前記被めっき層形成用層の他方に対してパターン状に光を照射する工程Ｂ−２を含む工程Ｂと、
   前記被めっき層形成用層中の前記光が照射されていない領域を除去して、前記基板の２つの主面上にパターン状被めっき層をそれぞれ形成する工程Ｃと、を有する、パターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
   化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
   組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
   要件１：前記重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、前記基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも短波長側にある場合、前記重合開始剤が感光する波長の光を前記被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
   要件２：前記重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、前記基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端よりも長波長側にある場合、前記基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以上で前記重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を除いた光であって、前記重合開始剤が感光する波長の光を前記被めっき層形成用層にパターン状に照射する。
2. 前記要件２において、前記重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長以下の範囲の光を少なくとも遮光する遮光フィルターを用いて、光の照射を行う、請求項１に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
3. 前記基板が、樹脂基板である、請求項１また２に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
4. 前記基板に、紫外線吸収剤が含まれる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
5. 前記基板が、支持体と、前記支持体上に配置された、紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層とを有する積層体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン状被めっき層含有積層体の製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法より得られるパターン状被めっき層含有積層体中の前記パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、前記めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、前記パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程を有する、金属層含有積層体の製造方法。