JP6409846B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本明細書で開示する技術は、半導体装置に関する。

特許文献１に、半導体装置が記載されている。この半導体装置は、半導体モジュールと、半導体モジュールを冷却する冷却器を備える。半導体モジュールは、モールド樹脂内に封止された半導体素子と、モールド樹脂の表面に露出する放熱板とを有する。冷却器は、半導体モジュールの放熱板に放熱グリスを介して配置された冷却プレートを有する。

半導体モジュールには、温度に応じた熱膨張が生じる。従って、半導体モジュールの温度が変動すると、半導体モジュールと冷却器との間の距離が変化して、それらの間に位置する放熱グリスが押し出されたり引き込まれたりする。このような放熱グリスの挙動（いわゆるポンプアウト現象）が生じると、放熱グリス内に空気が巻き込まれてしまい、半導体モジュールを冷却する能力が低下することがある。この点に関して、特許文献１の半導体装置では、冷却器内の圧力を調整することにより、半導体モジュールの熱膨張に応じて冷却プレートを変形させている。

特開２０１２−１０４５５０号公報

しかしながら、冷却器内の圧力を細かに調節することは難しい。また、冷却器内の圧力が意図せず変動することもあり、この場合、半導体モジュールと冷却器との間の距離が変動して、上述した放熱グリスのポンプアウト現象を誘発することになる。本明細書は、冷却器内の圧力制御を必要とすることなく、放熱グリスのポンプアウト現象を抑制し得る技術を提供する。

本明細書は、半導体装置を開示する。この半導体装置は、半導体モジュールと冷却器とを備える。半導体モジュールは、モールド樹脂内に封止された少なくとも一つの半導体素子と、モールド樹脂の表面に露出する放熱板とを有する。冷却器は、半導体モジュールの放熱板に放熱グリスを介して配置された冷却プレートを有する。冷却プレートは、第１金属層と、第１金属層と線膨張係数が異なる第２金属層とが積層されたバイメタル構造を有する。放熱板の冷却プレートに対向する対向面は、半導体モジュールの温度が上昇したときに、半導体モジュールの熱膨張によって冷却プレートに対して変位する。冷却プレートの放熱板に対向する対向面は、冷却プレートの温度が上昇したときに、バイメタル構造の熱膨張によって放熱板の対向面と同じ方向へ変位する。

上記した半導体装置では、半導体モジュールの温度が上昇すると、半導体モジュールの熱膨張によって、放熱板の冷却プレートに対向する対向面が、冷却プレートに対して変位する。また、半導体モジュールの温度上昇に伴って、冷却器の冷却プレートの温度も上昇する。冷却プレートの温度が上昇すると、バイメタル構造の熱膨張によって、冷却プレートの放熱板に対向する対向面が、放熱板の対向面と同じ方向へ変位する。即ち、例えば放熱板の対向面が冷却プレートの対向面へ接近するように変位する実施形態では、冷却プレートの対向面が放熱板の対向面から離間するように変位する。これにより、半導体モジュールの温度が変動したときでも、放熱グリスを挟持する二つの対向面の間の距離の変化が抑制される。即ち、放熱グリスのポンプアウト現象が抑制される。

実施例１の半導体装置１０の構成を模式的に示す図。 実施例１の半導体装置１０における冷却プレート４０の平面図。図中では、複数の半導体素子２０及び放熱板３２の対向面３２ａの位置関係が破線で示されている。 ヒータ５０の横断面を示す図。 ヒータ５０及びヒータコントローラ５８を示すブロック図。 室温における半導体モジュール１２及び冷却プレート４０の形状を模式的に示す図。 室温よりも高温における半導体モジュール１２及び冷却プレート４０の形状を模式的に示す図。 ヒータ５０の一変形例を示す図。 ヒータ５０の他の一変形例であって、複数のヒータ５０ａ−５０ｄを示す図。 ヒータ５０を保持する構造に係る一変形例を示す横断面図。 ヒータ５０を保持する構造に係る他の一変形例を示す横断面図。 実施例２の半導体装置１１０の構成を模式的に示す図。 実施例２の半導体装置１０における冷却プレート４０の平面図。図中では、複数の半導体素子２０及び放熱板３２の対向面３２ａの位置関係が破線で示されている。 プレート用アクチュエータ７０、７２とアクチュエータコントローラ７４を示すブロック図。 第１アクチュエータ７０による冷却プレート４０の変形を示す図。 第２アクチュエータ７２による冷却プレート４０の変形を示す図。 変形例の第１アクチュエータ７０による冷却プレート４０の変形を示す図。 変形例の第２アクチュエータ７２による冷却プレート４０の変形を示す図。 実施例３の半導体装置２１０の構成を模式的に示す図。 モジュール用アクチュエータ８０、８２と第２アクチュエータコントローラ８４を示すブロック図。

本技術の一実施形態では、半導体装置が、半導体モジュールの温度に応じて、冷却プレートの対向面と放熱板の対向面の少なくとも一方の変位量を調整する調整装置をさらに備えてもよい。このような構成によると、例えば半導体モジュールの熱変形に個体差が存在する場合に、冷却プレートの対向面と放熱板の対向面の少なくとも一方の変位量を、適切に調整することができる。あるいは、例えば半導体モジュールの温度変化に対して、冷却プレートの温度変化に遅れが生じる場合にも、冷却プレートの対向面と放熱板の対向面の少なくとも一方の変位量を、適切に調整することができる。

上記した実施形態において、調整装置は、冷却プレートを加熱する少なくとも一つのヒータと、半導体モジュールの温度に応じて少なくとも一つのヒータの発熱量を調節するヒータコントローラとを有することができる。このような形態によると、ヒータによってバイメタル構造を加熱し、その熱膨張量を調節することによって、冷却プレートの対向面の変位量を調節することができる。

上記した実施形態において、半導体モジュールは、第１半導体素子と第２半導体素子を含むことができる。また、少なくとも一つのヒータは、冷却プレートの対向面のなかで第１半導体素子に近接する範囲を加熱する第１ヒータと、冷却プレートの対向面のなかで第２半導体素子に近接する範囲を加熱する第２ヒータを含むことができる。そして、ヒータコントローラは、第１半導体素子の温度に応じて第１ヒータの発熱量を調節するとともに、第２半導体素子の温度に応じて第２ヒータの発熱量を調節するように構成することができる。このような形態によると、第１半導体素子と第２半導体素子の温度が互いに異なる場合でも、各々の半導体素子の温度に応じて、冷却プレートの対向面の変位量を適切に調節することができる。

上記に加え、又は代えて、調整装置は、冷却プレートに力を加えて冷却プレートを変形させるプレート用アクチュエータと、半導体モジュールの温度に応じてプレート用アクチュエータの動作を制御するアクチュエータコントローラとを有してもよい。このような構成によっても、半導体モジュールの温度（例えば半導体素子の温度）に応じて、冷却プレートの対向面の変位量を調整することができる。また、冷却プレートを加熱する形態と比較して、冷却器による冷却能力に与える影響も少ない。

上記に加え、又は代えて、調整装置は、半導体モジュールに力を加えて半導体モジュールを変形させるモジュール用アクチュエータと、半導体モジュールの温度に応じてモジュール用アクチュエータの動作を制御する第２アクチュエータコントローラとを備えてもよい。このような構成によると、半導体モジュールの温度（例えば半導体素子の温度）に応じて、放熱板の対向面の変位量を調整することができる。また、冷却プレートを加熱する形態と比較して、冷却器による冷却能力に与える影響も少ない。

（実施例１）
図面を参照して、実施例１の半導体装置１０について説明する。図１に示すように、半導体装置１０は、半導体モジュール１２と、半導体モジュール１２を冷却するための冷却器１４を備える。冷却器１４は、冷媒が流れる冷媒流路４８をその内部に有し、半導体モジュール１２の熱を冷媒によって回収することにより、半導体モジュール１２を冷却する。半導体モジュール１２は、押さえ板１６及び押さえばね１８により、冷却器１４に押し付けられている。

半導体モジュール１２は、モールド樹脂２２と、モールド樹脂２２内に封止された複数の半導体素子２０と、モールド樹脂２２の表面１２ｂに露出する放熱板３２とを有する。放熱板３２は、複数の半導体素子２０と熱的に接続されており、複数の半導体素子２０の熱を外部へ放出する。ここで、モールド樹脂２２は、概して板状の形状を有しており、放熱板３２が露出する表面１２ｂは、押さえばね１８によって押圧されている表面１２ａの反対側に位置する。以下、放熱板３２が露出するモールド樹脂２２の表面１２ｂを、半導体モジュール１２の下面１２ｂと称し、その上面１２ａの反対側に位置するモールド樹脂２２の表面１２ａを、半導体モジュール１２の上面１２ａと称することがある。

半導体モジュール１２の具体的な構成は特に限定されない。一例ではあるが、本実施例における半導体モジュール１２は、第１半導体素子２０ａ、第２半導体素子２０ｂ、第３半導体素子２０ｃ、第４半導体素子２０ｄを含む四つの半導体素子２０を備える（図２参照）。第１半導体素子２０ａと第３半導体素子２０ｃは、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）といったスイッチング素子であり、第２半導体素子２０ｂと第４半導体素子２０ｄは、ダイオードである。複数の半導体素子２０は、例えば金属材料で形成された導電性を有するベースプレート３０上に配置されており、それぞれベースプレート３０へ電気的に接続されている。ベースプレート３０は、絶縁層３１を介して放熱板３２に積層されており、複数の半導体素子２０を放熱板３２へ熱的に接続している。半導体モジュール１２は、それぞれモールド樹脂２２の内部から外部へ伸びる正極端子２８、負極端子２４及び信号端子２６を備える。正極端子２８は、モールド樹脂２２内でベースプレート３０へ電気的に接続されており、負極端子２４は、モールド樹脂２２内で複数の半導体素子２０へ電気的に接続されており、信号端子２６は、ワイヤ２６ａを介して複数の半導体素子２０の信号パッド（図示省略）に接続されている。

冷却器１４は、冷却プレート４０を有する。冷却プレート４０は、冷媒流路４８を画定しているとともに、半導体モジュール１２の放熱板３２に放熱グリス３６を介して配置されている。以下、冷却プレート４０の放熱板３２に対向する外表面４０ａを、冷却プレート４０の対向面４０ａと称し、放熱板３２の冷却プレート４０に対向する外表面３２ａを、放熱板３２の対向面３２ａと称する。冷却プレート４０の対向面４０ａは、放熱グリス３６を介して放熱板３２の対向面３２に対向している。

冷却プレート４０は、第１金属層４２と、第１金属層４２と線膨張係数が異なる第２金属層４４とが積層されたバイメタル構造を有する。第１金属層４２は第２金属層４４の外側（即ち、半導体モジュール１２側）に位置している。第１金属層４２及び第２金属層４４を構成する金属は、特に限定されない。一例として、本実施例では、第１金属層４２が銅で構成されており、第２金属層４４がアルミニウムで構成されている。第１金属層４２の線膨張係数は１７．７×１０^−６／Ｋであり、第２金属層４４の線膨張係数は２３．４×１０^−６／Ｋである。即ち、第１金属層４２の線膨張係数よりも、第２金属層４４の線膨張係数は大きい。従って、冷却プレート４０の温度が上昇していくと、冷却プレート４０の対向面４０ａが凹状へ変化するように（あるいは、凸状から平坦へ戻るように）、冷却プレート４０は変形する。ここで、冷却プレート４０の温度に対する変形量は、第１金属層４２及び第２金属層４４の間の線膨張係数の関係や、第１金属層４２及び第２金属層４４の間の厚みの関係により、適宜設計することができる。なお、半導体モジュール１２側に位置する第１金属層４２には、第２金属層４４と比較して、熱容量が大きい金属材料や、熱伝導率の高い金属材料を採用するとよい。また、第２金属層４４には、冷媒流路４８内へ突出する複数の放熱フィン４６を設けることができる。

図１−図４に示すように、半導体装置１０は、冷却プレート４０を加熱するヒータ５０と、ヒータ５０を制御するヒータコントローラ５８をさらに備える。ヒータコントローラ５８は、半導体モジュール１２の温度に応じて、ヒータ５０による発熱量を調節する。半導体モジュール１２の温度は、例えば一又は複数の半導体素子２０の温度であってよい。この場合、半導体素子２０が出力する温度信号を利用することができる。ヒータ５０とヒータコントローラ５８は、半導体モジュール１２の温度に応じて、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を調整する調整装置の一例である。即ち、ヒータ５０が冷却プレート４０を加熱すると、バイメタル構造を有する冷却プレート４０は変形する。それにより、冷却プレート４０の対向面４０ａは、半導体モジュール１２に対して（特に、放熱板３２の対向面３２ａに対して）、変位する。ヒータコントローラ５８が、半導体モジュール１２の温度に応じてヒータ５０による発熱量を調節することで、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量は、半導体モジュール１２の温度に応じて調節される。

ヒータ５０の具体的な構成は特に限定されない。一例ではあるが、本実施例のヒータ５０は、ジュール熱を発生する電気ヒータである。図２、図３に示すように、ヒータ５０は、例えばステンレス鋼といった導電性を有する抵抗線５２が、絶縁性を有するベースフィルム５４及びカバーフィルム５６によって覆われた構造を有する。ヒータ５０は、冷却プレート４０の対向面４０ａにおいて、放熱板３２の対向面３２ａに対向する範囲の外縁に沿って配設されている。ヒータ５０は、冷却プレート４０に設けられた溝４０ｂ内に配置されており、例えば接着剤によって固定されている。ヒータ５０は、電気コード６０を介してヒータコントローラ５８に接続されている。ヒータコントローラ５８は、例えばパルス幅変調（ＰＷＭ）制御により、ヒータ５０へ通電する電流を調節することによって、ヒータ５０による発熱量を調節する。

次に、図５、図６を参照して、半導体装置１０の挙動及び動作について説明する。図５は、室温における半導体モジュール１２及び冷却プレート４０の形状を模式的に示す。図５に示すように、半導体モジュール１２には、モールド樹脂２２の成形時における熱履歴に起因して、室温においても反りが生じていることがある。この場合、半導体モジュール１２の室温における形状に合わせて、冷却プレート４０の室温における形状も設計するとよい。図５に示す例では、半導体モジュール１２の下面１２ｂが凹状となるように、室温において半導体モジュール１２が変形している。この場合、冷却プレート４０の対向面４０ａが凸状となるように、冷却プレート４０の室温における形状を設計するとよい。即ち、冷却プレート４０のバイメタル構造の具体的な仕様を設計するとよい。なお、図５では、説明の明瞭化を目的として、半導体モジュール１２及び冷却プレート４０の変形が誇張して図示されている。

半導体素子２０に電流が流れると、半導体素子２０が発熱して、半導体モジュール１２の温度が上昇する。図６に示すように、半導体モジュール１２の温度が上昇すると、半導体モジュール１２の各構成要素が熱膨張することにより、半導体モジュール１２が変形する。半導体モジュール１２の変形により、放熱板３２の冷却プレート４０に対向する対向面３２ａは、冷却プレート４０に対して変位する。図６に示す例では、半導体モジュール１２が平坦となるように変形することで、放熱板３２の対向面３２ａは冷却プレート４０に接近するように変位する。なお、半導体モジュール１２が変形する態様は、半導体モジュール１２の構成に応じて異なる。即ち、半導体モジュール１２の構成によっては、半導体モジュール１２の温度が上昇したときに、放熱板３２の対向面３２ａが冷却プレート４０から離間するように変位することもある。

半導体モジュール１２の温度上昇に伴って、冷却プレート４０の温度も上昇する。冷却プレート４０の温度が上昇すると、バイメタル構造（即ち、第１金属層４２及び第２金属層４４）の熱膨張によって、冷却プレート４０にも変形が生じる。冷却プレート４０の変形により、冷却プレート４０の放熱板３２に対向する対向面４０ａは、放熱板３２に対して変位する。ここで、本実施例の冷却プレート４０では、第１金属層４２の線膨張係数よりも、第２金属層４４の線膨張係数の方が大きい。従って、冷却プレート４０の対向面４０ａは、放熱板３２から離間するように変位する。このとき、冷却プレート４０の対向面４０ａは、放熱板３２の対向面３２ａと同じ方向（図５、図６における下方）へ変位する。これにより、半導体モジュール１２の温度が変動したときでも、放熱グリス３６を挟持する二つの対向面３２ａ、４０ａの間の距離の変化が抑制される。即ち、放熱グリス３６のポンプアウト現象が抑制される。

半導体モジュール１２の熱膨張に起因する変形量は、半導体モジュール１２の構成に応じて変化する。そのことから、冷却プレート４０のバイメタル構造は、半導体モジュール１２の構成に応じて設計するとよく、それによって、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。しかしながら、工業製品である半導体モジュール１２では、同じ構成を有する製品群においても、製品毎に個体差が生じ得る。即ち、同一種類である二つの半導体モジュール１２の間でも、熱膨張に起因する変形量に差異が生じることがある。このような製品毎の個体差に応じて、冷却プレート４０のバイメタル構造を個別に設計してもよいが、産業上現実的ではない。

上記の点に関して、本実施例の半導体装置１０では、ヒータ５０及びヒータコントローラ５８を有する調整装置が設けられている。前述したように、調整装置は、半導体モジュール１２の温度に応じて、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を調整することができる。半導体モジュール１２の温度に応じた実際の変形量を予め測定し、設計値との差異に基づいて、ヒータコントローラ５８の動作態様を設定することにより、製品毎の個体差にかかわらず、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。

また、半導体モジュール１２の温度に応じて冷却プレート４０の温度も変化するが、半導体モジュール１２の温度変化に対して、冷却プレート４０の温度変化には遅れが生じ得る。このような場合でも、調整装置によって冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を調整することで、冷却プレート４０の温度変化の遅れにかかわらず、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。

上記した実施例１において、ヒータ５０の構成は適宜変更することができる。例えば図７に示すように、ヒータ５０は、放熱板３２の対向面３２ａが対向する範囲の外縁だけでなく、さらに当該範囲の内部を伸びるようにも配置することができる。また図８に示すように、ヒータ５０は、複数のヒータ５０ａ−５０ｄを有してもよい。図８に示す例では、複数のヒータ５０ａ−５０ｄは、第１ヒータ５０ａと第２ヒータ５０ｂと第３ヒータ５０ｃと第４ヒータ５０ｄを備える。第１ヒータ５０ａは、冷却プレート４０の対向面４０ａのなかで第１半導体素子２０ａに近接する範囲を加熱し、第２ヒータ５０ｂは、冷却プレート４０の対向面４０ａのなかで第２半導体素子２０ｂに近接する範囲を加熱する。同様に、第３ヒータ５０ｃは、冷却プレート４０の対向面４０ａのなかで第３半導体素子２０ｃに近接する範囲を加熱し、第４ヒータ５０ｄは、冷却プレート４０の対向面４０ａのなかで第４半導体素子２０ｄに近接する範囲を加熱する。ここでいう近接する範囲とは、少なくとも最寄りの位置を含む範囲を意味する。複数のヒータ５０ａ−５０ｄは、ヒータコントローラ５８によって一体的に又は個別に制御され得る。一例ではあるが、ヒータコントローラ５８は、第１半導体素子２０ａの温度に応じて第１ヒータ５０ａの発熱量を調節し、第２半導体素子２０ｂの温度に応じて第２ヒータ５０ｂの発熱量を調節するとよい。同様に、ヒータコントローラ５８は、第３半導体素子２０ｃの温度に応じて第３ヒータ５０ｃの発熱量を調節し、第４半導体素子２０ｄの温度に応じて第４ヒータ５０ｄの発熱量を調節するとよい。このような形態によると、各々の半導体素子２０ａ−２０ｄの温度が互いに異なる場合でも、各々の半導体素子２０ａ−２０ｄの温度に応じて、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を適切に調節することができる。

図９に示すように、ヒータ５０は、断熱材料６２によって覆われてもよい。この場合、断熱材料６２は、放熱グリス３６よりも熱伝導率が低いとよい。半導体モジュール１２とヒータ５０との間に断熱材料６２が介在することにより、ヒータ５０の熱が半導体モジュール１２へ伝搬することを抑制することができる。一例ではあるが、断熱材料６２は、液状硬化シール材であってよく、これによってヒータ５０を冷却プレート４０の溝４０ｂ内へ固定することができる。あるいは、図１０に示すように、半導体モジュール１２のモールド樹脂２２に、冷却プレート４０の溝４０ｂ内へ配置される突出部２２ａを設けてもよい。このような構成によると、例えば接着剤やシール材を用いることなく、ヒータ５０を溝４０ｂ内に保持することができる。

（実施例２）
図１１−図１３は、実施例２の半導体装置１１０を示す。実施例２の半導体装置１１０は、実施例１の半導体装置１０と比較して、調整装置の構成が変更されている。即ち、実施例２の半導体装置１１０は、実施例１で説明したヒータ５０及びヒータコントローラ５８に代えて、複数のプレート用アクチュエータ７０、７２と、複数のプレート用アクチュエータ７０、７２を制御するアクチュエータコントローラ７４を備える。複数のプレート用アクチュエータ７０、７２とアクチュエータコントローラ７４は、半導体モジュール１２の温度に応じて、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を調整する調整装置の一例である。

複数のプレート用アクチュエータ７０、７２は、冷却プレート４０に力を加えて冷却プレート４０を変形させることができる。各々のプレート用アクチュエータ７０、７２は、例えばシリンダ装置であってよい。複数のプレート用アクチュエータ７０、７２は、複数の第１アクチュエータ７０と複数の第２アクチュエータ７２を有する。第１アクチュエータ７０が力を加える方向は、冷却プレート４０の対向面４０ａに平行な方向であり、第２アクチュエータ７２が力を加える方向は、冷却プレート４０の対向面４０ａに垂直な方向である。複数のプレート用アクチュエータ７０、７２は、第１金属層４２の周縁に沿って配列されている。冷却プレート４０には、複数の第１アクチュエータ７０にそれぞれ接続された複数の第１接続部４０ｘと、複数の第２アクチュエータ７２にそれぞれ接続された複数の第２接続部４０ｙが設けられている。各々の第１接続部４０ｘは、冷却プレート４０の対向面４０ａに対して垂直に突出しており、各々の第２接続部４０ｙは、冷却プレート４０の対向面４０ａに対して平行に突出している。

図１４に示すように、複数の第１アクチュエータ７０が、冷却プレート４０の複数の第１接続部４０ｘを押圧すると、冷却プレート４０の対向面４０ａが凹状となるように冷却プレート４０は変形する。一方、図１５に示すように、複数の第２アクチュエータ７２が、冷却プレート４０の複数の第２接続部４０ｙを押圧すると、冷却プレート４０の対向面４０ａが凸状となるように冷却プレート４０は変形する。アクチュエータコントローラ７４は、半導体モジュール１２の温度に応じて、複数のプレート用アクチュエータ７０、７２の動作を制御する。それにより、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量が、半導体モジュール１２の温度に応じて調整される。

実施例２の半導体装置１１０においても、複数のプレート用アクチュエータ７０、７２及びアクチュエータコントローラ７４を有する調整装置が設けられており、半導体モジュール１２の温度に応じて、冷却プレート４０の対向面４０ａの変位量を調整することができる。これにより、半導体モジュール１２の熱変形に関する個体差にかかわらず、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。また、冷却プレート４０の温度変化に遅れが生じる場合でも、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。

図１６、図１７に示すように、第１アクチュエータ７０及び第２アクチュエータ７２は、冷却プレート４０に引っ張り力を加える構成であってもよい。この場合、図１６に示すように、複数の第１アクチュエータ７０が、冷却プレート４０の複数の第１接続部４０ｘを引っ張ると、冷却プレート４０の対向面４０ａが凸状となるように冷却プレート４０は変形する。一方、図１７に示すように、複数の第２アクチュエータ７２が、冷却プレート４０の複数の第２接続部４０ｙを引っ張ると、冷却プレート４０の対向面４０ａが凹状となるように冷却プレート４０は変形する。

プレート用アクチュエータ７０、７２の数や構成は特に限定されない。例えば、プレート用アクチュエータ７０、７２は、冷却器１４の内部に位置し、冷却プレート４０をその内面側から直接的に押圧する、又は引っ張るものであってもよい。また、実施例２の半導体装置１０は、実施例１における調整装置（即ち、ヒータ５０及びヒータコントローラ５８）をさらに備えてもよい。

（実施例３）
図１８、図１９は、実施例３の半導体装置２１０を示す。実施例３の半導体装置２１０は、実施例１の半導体装置１０と比較して、調整装置の構成が変更されている。即ち、実施例３の半導体装置２１０は、実施例１で説明したヒータ５０及びヒータコントローラ５８に代えて、複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２と、複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２を制御する第２アクチュエータコントローラ８４を備える。複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２と第２アクチュエータコントローラ８４は、半導体モジュール１２の温度に応じて、半導体モジュール１２の放熱板３２の対向面３２ａの変位量を調整する調整装置の一例である。

複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２は、半導体モジュール１２に力を加えて半導体モジュール１２を変形させることができる。各々のモジュール用アクチュエータ８０、８２は、例えばシリンダ装置であってよい。複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２は、複数の第３アクチュエータ８０と複数の第４アクチュエータ８２を有する。第３アクチュエータ８０が力を加える方向は、放熱板３２の対向面３２ａに平行な方向であり、第４アクチュエータ８２が力を加える方向は、放熱板３２の対向面３２ａに垂直な方向である。複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２は、モールド樹脂２２の周縁に沿って配列されている。モールド樹脂２２には、複数の第３アクチュエータ８０にそれぞれ接続された複数の第３接続部２２ｘと、複数の第４アクチュエータ８２にそれぞれ接続された複数の第４接続部２２ｙが設けられている。各々の第３接続部２２ｘは、放熱板３２の対向面３２ａに対して垂直なモールド樹脂２２の側面に設けられており、各々の第４接続部２２ｙは、放熱板３２の対向面３２ａに平行な方向に突出している。

第２アクチュエータコントローラ８４は、半導体モジュール１２の温度に応じて、複数のモジュール用アクチュエータ８０、８２の動作を制御する。それにより、半導体モジュール１２の温度に応じて、半導体モジュール１２の変形量が調整され、それによって放熱板３２の対向面３２ａの変位量が調整される。即ち、実施例２の半導体装置１１０と比較して、実施例３の半導体装置２１０では、冷却プレート４０の対向面４０ａに代えて、放熱板３２の対向面３２ａの変位量が調整される。このような構成によっても、実施例１又は２における調整装置と同様に、半導体モジュール１２の熱変形に関する個体差や、冷却プレート４０の温度変化の遅れにかかわらず、放熱グリス３６のポンプアウト現象を効果的に抑制することができる。

以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。以下に、本明細書の開示内容から把握される技術的事項を列記する。なお、以下に記載する技術的事項は、それぞれが独立した技術的事項であり、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。

１０、１１０、２１０：半導体装置
１２：半導体モジュール
１４：冷却器
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ：半導体素子
２２：モールド樹脂
３２：放熱板
３２ａ：放熱板の対向面
３６：放熱グリス
４０：冷却プレート
４０ａ：冷却プレートの対向面
４２：第１金属層
４４：第２金属層
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ：ヒータ
５２：ヒータの導電線
５８：ヒータコントローラ
７０、７２：プレート用アクチュエータ（第１及び第２アクチュエータ）
７４：アクチュエータコントローラ
８０、８２：モジュール用アクチュエータ（第３及び第４アクチュエータ）

Claims (6)

1. モールド樹脂内に封止された少なくとも一つの半導体素子と、前記モールド樹脂の表面に露出する放熱板とを有する半導体モジュールと、
   前記半導体モジュールの前記放熱板に放熱グリスを介して配置された冷却プレートを有する冷却器と、
   を備え、
   前記冷却プレートは、第１金属層と、前記第１金属層と線膨張係数が異なる第２金属層とが積層されたバイメタル構造を有し、
   前記放熱板の前記冷却プレートに対向する対向面は、前記半導体モジュールの温度が上昇したときに、前記半導体モジュールの熱膨張によって前記冷却プレートに対して変位し、
   前記冷却プレートの前記放熱板に対向する対向面は、前記冷却プレートの温度が上昇したときに、前記バイメタル構造の熱膨張によって前記放熱板の前記対向面と同じ方向へ変位する、
   半導体装置。
2. 前記半導体モジュールの温度に応じて、前記冷却プレートの前記対向面と前記放熱板の前記対向面の少なくとも一方の変位量を調整する調整装置をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記調整装置は、前記冷却プレートを加熱する少なくとも一つのヒータと、
   前記半導体モジュールの温度に応じて前記少なくとも一つのヒータの発熱量を調節するヒータコントローラとを有する、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記少なくとも一つの半導体素子は、第１半導体素子と第２半導体素子を含み、
   前記少なくとも一つのヒータは、前記冷却プレートの前記対向面のなかで前記第１半導体素子に近接する範囲を加熱する第１ヒータと、前記冷却プレートの前記対向面のなかで前記第２半導体素子に近接する範囲を加熱する第２ヒータを含み、
   前記ヒータコントローラは、前記第１半導体素子の温度に応じて第１ヒータの発熱量を調節するとともに、前記第２半導体素子の温度に応じて第２ヒータの発熱量を調節する、
   請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記調整装置は、前記冷却プレートに力を加えて前記冷却プレートを変形させるプレート用アクチュエータと、
   前記半導体モジュールの温度に応じて前記プレート用アクチュエータの動作を制御するアクチュエータコントローラとを有する、請求項２から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記調整装置は、前記半導体モジュールに力を加えて前記半導体モジュールを変形させるモジュール用アクチュエータと、
   前記半導体モジュールの温度に応じて前記モジュール用アクチュエータの動作を制御する第２アクチュエータコントローラとを有する、請求項２から５のいずれか一項に記載の半導体装置。

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