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JP6414295B2 - Optical device and optical device manufacturing method - Google Patents
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JP6414295B2 - Optical device and optical device manufacturing method - Google Patents

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Description

この発明は、光デバイス及び光デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical device and an optical device manufacturing method.

従来、光導波路から出射される光を受光する受光素子を、光導波路を有する基板の前方または側方において基板の外側に設けることがあるが、この構造では、基板に受光素子が外付けされるため、受光素子の分だけ光デバイスのパッケージが大型化してしまう。   Conventionally, a light receiving element that receives light emitted from an optical waveguide is sometimes provided outside or on the front or side of the substrate having the optical waveguide. In this structure, the light receiving element is externally attached to the substrate. For this reason, the package of the optical device is increased by the amount of the light receiving element.

ところで、基板にチップがフリップチップで実装され、両者の間にアンダーフィル材が充填された構造において、基板に設けた溝によって、アンダーフィル材を充填したくない領域に接着剤などのアンダーフィル材が侵入するのを防ぐ技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、光導波路の端部に設けた凸部によって、光導波路端部の反射面へ接着剤が流れ出すのを防ぐ技術が開示されている(例えば、特許文献2参照)。   By the way, in the structure in which the chip is mounted on the substrate by flip chip and the underfill material is filled between the two, an underfill material such as an adhesive is applied to the region where the underfill material is not filled by the groove provided in the substrate. Has been disclosed (for example, see Patent Document 1). Further, a technique for preventing the adhesive from flowing out to the reflection surface of the end portion of the optical waveguide by a convex portion provided at the end portion of the optical waveguide is disclosed (for example, see Patent Document 2).

特開2003−243444号公報JP 2003-243444 A 特開2008−145684号公報JP 2008-145684 A

基板の外側に受光素子を設けずに、基板の表面に受光素子を例えば接着剤で接着するようにしてもよい。このようにすれば、基板の大きさの中に受光素子を納めることができるため、パッケージを小型化することができる。しかしながら、光導波路から受光素子へ入射する光が、気泡を含む接着剤の中を通ると、気泡によって光が乱反射するため、受光素子で受光される光の光量が小さくなってしまう。基板に溝を設けて、光導波路から受光素子への光路中に接着剤が流れ込むのを防ぐ場合、光導波路を横切るように溝を設けることができないため、接着剤が流れ込むのを防ぐことができない場合がある。   You may make it adhere | attach a light receiving element on the surface of a board | substrate with an adhesive agent, for example, without providing a light receiving element in the outer side of a board | substrate. In this way, since the light receiving element can be accommodated in the size of the substrate, the package can be reduced in size. However, when light incident on the light receiving element from the optical waveguide passes through the adhesive containing bubbles, the light is irregularly reflected by the bubbles, so that the amount of light received by the light receiving element is reduced. When a groove is provided in the substrate to prevent the adhesive from flowing into the optical path from the optical waveguide to the light receiving element, the groove cannot be provided so as to cross the optical waveguide, so that the adhesive cannot be prevented from flowing in. There is a case.

光導波路内を進む光を、基板表面に固定された受光素子で受光することができる光デバイス及びその光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an optical device capable of receiving light traveling in an optical waveguide with a light receiving element fixed to the surface of the substrate, and a method for manufacturing the optical device.

一つの案では、光デバイスは、信号光とモニタ光に分岐される光導波路と、モニタ光の前記光導波路の途中位置に設けられ、当該光導波路から出射する光が底面で反射する反射溝、を有し、電気光学効果を有する基板と、前記反射溝の上で前記基板に固定される受光素子と、前記反射溝の周囲を囲むように所定高さを有する凸状に設けられ、当該凸面に前記受光素子が接して設けられ、前記基板に前記受光素子を固定する接着剤が、前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分へ流れ込むのを防ぐ反射溝保護用凸部と、を備え、前記光導波路から前記反射溝内へ出射する光が、前記反射溝内の空間を通過する途中で前記反射溝の底面で反射して前記受光素子へ入射し、前記反射溝保護用凸部の位置上で、前記受光素子にワイヤがワイヤボンディングによって接続されることを要件とする。   In one proposal, the optical device includes an optical waveguide branched into signal light and monitor light, a reflection groove provided at a midway position of the optical waveguide of the monitor light, and the light emitted from the optical waveguide is reflected at the bottom surface, A substrate having an electro-optic effect, a light receiving element fixed to the substrate on the reflective groove, and a convex surface having a predetermined height so as to surround the reflective groove. A reflective groove protecting convex portion that is provided in contact with the light receiving element and prevents an adhesive that fixes the light receiving element to the substrate from flowing into a portion of the reflective groove where the light passes. The light emitted from the optical waveguide into the reflection groove is reflected on the bottom surface of the reflection groove while passing through the space in the reflection groove and is incident on the light receiving element. The wire is connected to the light receiving element at the position of It is a requirement to be connected by the bindings.

この光デバイスによれば、光導波路内を進む光を、基板表面に固定された受光素子で受光することができる。また、この光デバイスの製造方法によれば、光導波路内を進む光を、基板表面に固定された受光素子で受光することができる光デバイスを製造することができる。   According to this optical device, light traveling in the optical waveguide can be received by the light receiving element fixed to the substrate surface. Further, according to this method of manufacturing an optical device, it is possible to manufacture an optical device that can receive light traveling in the optical waveguide with a light receiving element fixed to the substrate surface.

図1は、実施の形態にかかる光デバイスの一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an optical device according to an embodiment. 図2は、実施の形態にかかるLN変調器の第1の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a first example of the LN modulator according to the embodiment. 図3は、図2の切断線A−A’における基板厚さ方向の断面を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the cutting line A-A ′ of FIG. 2. 図4は、実施の形態にかかるLN変調器の第2の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a second example of the LN modulator according to the embodiment. 図5は、図4の切断線B−B’における基板厚さ方向の断面を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the cutting line B-B ′ of FIG. 4. 図6は、実施の形態にかかるLN変調器の第3の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a third example of the LN modulator according to the embodiment. 図7は、図6の切断線C−C’における基板厚さ方向の断面を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the section line C-C ′ of FIG. 6. 図8は、実施の形態にかかるLN変調器の第4の例を示す図であり、図6の切断線C−C’における基板厚さ方向の断面を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a fourth example of the LN modulator according to the embodiment, and is a diagram illustrating a cross section in the substrate thickness direction along the section line C-C ′ of FIG. 6. 図9は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第1の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a first example of a pattern of a reflection groove protecting convex portion and a wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. 図10は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第2の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a second example of the pattern of the reflection groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. 図11は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第3の例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a third example of the pattern of the reflection groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. 図12は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第4の例を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a fourth example of the pattern of the reflection groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. 図13は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第5の例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a fifth example of the pattern of the reflection groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. 図14は、実施の形態にかかるLN変調器の第5の例を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a fifth example of the LN modulator according to the embodiment. 図15は、実施の形態にかかるLN変調器の第6の例を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a sixth example of the LN modulator according to the embodiment. 図16は、信号光とモニタ光との位相がずれている状態の波形を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a waveform in a state where the phase of the signal light and the monitor light are out of phase. 図17は、実施の形態にかかるLN変調器の第7の例を示す図であり、図2の切断線A−A’における基板厚さ方向の断面を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a seventh example of the LN modulator according to the embodiment, and is a diagram illustrating a cross section in the substrate thickness direction along a cutting line A-A ′ of FIG. 2. 図18は、実施の形態にかかる光デバイスの製造方法の一例を示す図(その1)である。FIG. 18 is a diagram (part 1) illustrating an example of the method of manufacturing the optical device according to the embodiment. 図19は、実施の形態にかかる光デバイスの製造方法の一例を示す図(その2)である。FIG. 19 is a second diagram illustrating an example of the method of manufacturing the optical device according to the embodiment. 図20は、実施の形態にかかる光デバイスの製造方法の一例を示す図(その3)である。FIG. 20 is a diagram (No. 3) illustrating an example of the optical device manufacturing method according to the embodiment.

以下に添付図面を参照して、この光デバイス及び光デバイスの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。以下の各実施例の説明においては、同様の構成要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。   Exemplary embodiments of an optical device and a method for manufacturing the optical device will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of each embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

・光デバイスの一例
図1は、実施の形態にかかる光デバイスの一例を示す図である。図1に示すように、光デバイスは、基板1に、光を導く光導波路2、及び光が反射する反射溝3を有する。基板1は、電気光学効果を有する。LiNbO3(以下、LNと略す)またはLiTaO2などの例えばZ−カットの結晶基板は、電気光学効果を有する基板1の一例である。
Example of Optical Device FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an optical device according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the optical device has an optical waveguide 2 that guides light and a reflection groove 3 that reflects light on a substrate 1. The substrate 1 has an electro-optic effect. A Z-cut crystal substrate such as LiNbO 3 (hereinafter abbreviated as LN) or LiTaO 2 is an example of the substrate 1 having an electro-optic effect.

反射溝3は、光導波路2の一部に設けられている。反射溝3は、光導波路2から出射する光が反射する底面4を有する。受光素子5は、反射溝3の上で基板1に固定されている。例えばフォトダイオード(Photodiode、PD)は、受光素子5の一例である。   The reflection groove 3 is provided in a part of the optical waveguide 2. The reflection groove 3 has a bottom surface 4 on which light emitted from the optical waveguide 2 is reflected. The light receiving element 5 is fixed to the substrate 1 on the reflection groove 3. For example, a photodiode (PD) is an example of the light receiving element 5.

図1に示す光デバイスにおいて、光導波路2内を進んできた光の少なくとも一部の光6aは、反射溝3の端面において、光導波路2の媒質と反射溝3内の空間7の媒質とによって決まる屈折角で屈折して、反射溝3内へ出射する。反射溝3内へ入射した光6bは、反射溝3の底面4へ向かって進み、反射溝3内の空間7を通過する途中で反射溝3の底面4で反射する。   In the optical device shown in FIG. 1, at least a part of the light 6 a that has traveled in the optical waveguide 2 is caused by the medium of the optical waveguide 2 and the medium of the space 7 in the reflection groove 3 at the end face of the reflection groove 3. The light is refracted at a determined refraction angle and is emitted into the reflection groove 3. The light 6 b incident on the reflection groove 3 travels toward the bottom surface 4 of the reflection groove 3 and is reflected on the bottom surface 4 of the reflection groove 3 while passing through the space 7 in the reflection groove 3.

反射溝3の底面4で反射した光6cは、上方へ向かって進む。図1に示す例では、受光素子5は、例えば裏面入射型の素子であるため、反射溝3の底面4で反射した光6cは、受光素子5の裏面において、反射溝3内の空間7の媒質と受光素子5の媒質とによって決まる屈折角で屈折して、受光素子5へ入射する。受光素子5へ入射した光6dは、受光素子5の受光部8へ入射する。   The light 6c reflected by the bottom surface 4 of the reflection groove 3 travels upward. In the example shown in FIG. 1, the light receiving element 5 is, for example, a back-illuminated type element. Therefore, the light 6 c reflected by the bottom surface 4 of the reflecting groove 3 is reflected in the space 7 in the reflecting groove 3 on the back surface of the light receiving element 5. The light is refracted at a refraction angle determined by the medium and the medium of the light receiving element 5 and enters the light receiving element 5. The light 6 d incident on the light receiving element 5 enters the light receiving portion 8 of the light receiving element 5.

図1に示す光デバイスによれば、光導波路2から出射した光を反射溝3の底面4で反射させて上方へ向かわせるため、光導波路2の中を進む光を、基板1の表面に固定された受光素子5で受光することができる。   According to the optical device shown in FIG. 1, the light traveling from the optical waveguide 2 is fixed to the surface of the substrate 1 in order to reflect the light emitted from the optical waveguide 2 on the bottom surface 4 of the reflection groove 3 and to go upward. The received light receiving element 5 can receive light.

図1に示す光デバイスは、例えばLiNbO3外部変調器(以下、LN変調器と称する)、ポリマ材料やInPやSiなどの半導体材料を用いた光変調器、またはPLC(Planar Lightwave Circuit、平面光回路)で形成されるマッハツェンダ型の可変光アッテネータなどの光デバイスに適用することができる。以下に、図1に示す光デバイスを、例えば偏波多重機能を有するコヒーレント通信用のLN変調器に適用する場合について説明する。 The optical device shown in FIG. 1 is, for example, a LiNbO 3 external modulator (hereinafter referred to as an LN modulator), an optical modulator using a polymer material or a semiconductor material such as InP or Si, or a PLC (Planar Lightwave Circuit), planar light. The present invention can be applied to an optical device such as a Mach-Zehnder variable optical attenuator formed by a circuit). The case where the optical device shown in FIG. 1 is applied to an LN modulator for coherent communication having a polarization multiplexing function will be described below.

・LN変調器の第1の例
図2は、実施の形態にかかるLN変調器の第1の例を示す図である。図3は、図2の切断線A−A’における基板厚さ方向の断面を示す図である。切断線A−A’は、受光素子5の近傍部分において、受光素子5を通り、かつLN変調器へ入力する光の入力方向またはLN変調器から出力される信号光の出力方向に平行な方向へ伸びる。従って、図3には、受光素子5の近傍部分を、受光素子5を通り、かつLN変調器へ入力する光の入力方向またはLN変調器から出力される信号光の出力方向に平行な方向に切断した断面が示されている。
First Example of LN Modulator FIG. 2 is a diagram illustrating a first example of the LN modulator according to the embodiment. FIG. 3 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the cutting line AA ′ in FIG. 2. The cutting line AA ′ is a direction in the vicinity of the light receiving element 5 that passes through the light receiving element 5 and is parallel to the input direction of light input to the LN modulator or the output direction of signal light output from the LN modulator. Extend to. Therefore, in FIG. 3, the vicinity of the light receiving element 5 passes through the light receiving element 5 and is parallel to the input direction of light input to the LN modulator or the output direction of signal light output from the LN modulator. A cut section is shown.

図2及び図3に示すように、LN変調器は、基板1に、例えばX偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12を有する。X偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12の上には、それぞれ図示省略する変調用の電極が設けられている。X偏波IQ変調部用光導波路11からは、X偏波信号光が出力される。Y偏波IQ変調部用光導波路12からは、Y偏波信号光が出力される。LN変調域から出力されたX偏波信号光及びY偏波信号光は、例えば図示しない偏波多重部において多重されてもよい。   As illustrated in FIGS. 2 and 3, the LN modulator includes, for example, an X-polarization IQ modulation unit optical waveguide 11 and a Y-polarization IQ modulation unit optical waveguide 12 on a substrate 1. A modulation electrode (not shown) is provided on the X-polarization IQ modulator optical waveguide 11 and the Y-polarization IQ modulator optical waveguide 12, respectively. X-polarized signal light is output from the optical waveguide 11 for X-polarization IQ modulation section. Y-polarized signal light is output from the optical waveguide 12 for Y-polarization IQ modulation section. The X-polarized signal light and the Y-polarized signal light output from the LN modulation area may be multiplexed, for example, in a polarization multiplexing unit (not shown).

モニタ用の受光素子5は、X偏波IQ変調部用光導波路11からモニタ用に分岐する光導波路2、及びY偏波IQ変調部用光導波路12からモニタ用に分岐する光導波路2のそれぞれに設けられている。   The monitoring light receiving element 5 includes an optical waveguide 2 branched from the X-polarization IQ modulation unit optical waveguide 11 for monitoring and an optical waveguide 2 branched from the Y-polarization IQ modulation unit optical waveguide 12 for monitoring. Is provided.

反射溝3は、モニタ用の光導波路2において、受光素子5の下に形成されている。反射溝3は、光導波路2の厚さよりも浅く形成されていてもよいし、光導波路2の厚さと同じ深さまで形成されていてもよい。反射溝3の深さは、例えば1〜15μm程度であってもよい。反射溝3の深さが1〜15μm程度であれば、光導波路2内を進んできた光の少なくとも一部の光6aが反射溝3内へ出射する。反射溝3内の空間7において光が通過する部分は、空気で満たされていてもよい。   The reflection groove 3 is formed below the light receiving element 5 in the monitoring optical waveguide 2. The reflection groove 3 may be formed shallower than the thickness of the optical waveguide 2 or may be formed to the same depth as the thickness of the optical waveguide 2. The depth of the reflection groove 3 may be, for example, about 1 to 15 μm. If the depth of the reflection groove 3 is about 1 to 15 μm, at least part of the light 6 a that has traveled through the optical waveguide 2 is emitted into the reflection groove 3. A portion through which light passes in the space 7 in the reflection groove 3 may be filled with air.

反射溝3において、光導波路2から光が出射する端面は、光導波路2から出射する光を反射溝3の底面4へ向かうように屈折させる傾斜面13になっている。それによって、光導波路2から出射して反射溝3内へ入射した光6bを、反射溝3の底面4へ向かって進ませることができる。   In the reflection groove 3, an end surface from which light is emitted from the optical waveguide 2 is an inclined surface 13 that refracts light emitted from the optical waveguide 2 toward the bottom surface 4 of the reflection groove 3. As a result, the light 6 b emitted from the optical waveguide 2 and entering the reflection groove 3 can be advanced toward the bottom surface 4 of the reflection groove 3.

この傾斜面13は、基板1の厚さ方向に対して、光導波路2内を進む光6aが傾斜面13で全反射する角度よりも小さい角度をなす。例えば、反射溝3内の空間7において光が通過する部分が空気で満たされている場合、LiNbO3の屈折率が2.2であり、空気の屈折率が1であるため、両屈折率の差により、光導波路2内を進む光6aが傾斜面13で全反射する角度は、基板1の厚さ方向に対して27.85°である。 The inclined surface 13 forms an angle smaller than the angle at which the light 6 a traveling in the optical waveguide 2 is totally reflected by the inclined surface 13 with respect to the thickness direction of the substrate 1. For example, when a portion where light passes in the space 7 in the reflection groove 3 is filled with air, the refractive index of LiNbO 3 is 2.2 and the refractive index of air is 1, so Due to the difference, the angle at which the light 6 a traveling in the optical waveguide 2 is totally reflected by the inclined surface 13 is 27.85 ° with respect to the thickness direction of the substrate 1.

従って、傾斜面13が基板1の厚さ方向に対してなす角度は、27.85°よりも小さくてもよい。傾斜面13が基板1の厚さ方向に対して27.85°よりも小さい角度で傾いていれば、光導波路2内を進む光6aが傾斜面13で全反射するのを防いで、光導波路2内を進む光6aを反射溝3内へ出射させることができる。   Therefore, the angle formed by the inclined surface 13 with respect to the thickness direction of the substrate 1 may be smaller than 27.85 °. If the inclined surface 13 is inclined at an angle smaller than 27.85 ° with respect to the thickness direction of the substrate 1, the light 6 a traveling in the optical waveguide 2 is prevented from being totally reflected by the inclined surface 13. 2 can be emitted into the reflection groove 3.

傾斜面13が基板1の厚さ方向に対してなす角度を、例えば5°以上20°以下に設定してもよい。このようにすれば、反射溝3を製造する際の誤差によって傾斜面13の傾きが設定値からずれても、傾斜面13が基板1の厚さ方向に対してなす角度を全反射が起こる角度、すなわち27.85°よりも小さい角度にすることができる。   The angle formed by the inclined surface 13 with respect to the thickness direction of the substrate 1 may be set to, for example, 5 ° to 20 °. In this way, even when the inclination of the inclined surface 13 deviates from the set value due to an error in manufacturing the reflection groove 3, the angle at which the inclined surface 13 forms with respect to the thickness direction of the substrate 1 is the angle at which total reflection occurs. That is, the angle can be smaller than 27.85 °.

反射溝3において、光導波路2から光が出射する傾斜面13を除いて、内側の面には、反射膜14が設けられている。反射膜14によって反射溝3の底面4での反射率が改善されるため、反射溝3の底面4で反射した光6cの光量を増やすことができる。反射膜14は、例えばAu(金)などの金属でできていてもよい。   In the reflection groove 3, a reflection film 14 is provided on the inner surface except for the inclined surface 13 from which light is emitted from the optical waveguide 2. Since the reflectance at the bottom surface 4 of the reflection groove 3 is improved by the reflection film 14, the amount of light 6c reflected by the bottom surface 4 of the reflection groove 3 can be increased. The reflective film 14 may be made of a metal such as Au (gold).

また、反射膜14は、反射溝3の底面4から反射溝3内への光の入射を遮る遮光膜となっている。それによって、光導波路2内を進んできた光6aのうち、反射溝3の傾斜面13から出射せずに光導波路2内を進む光が、反射溝3の底面4から反射溝3内へ染み出すのを防ぐことができる。   The reflective film 14 is a light shielding film that blocks light from entering the reflective groove 3 from the bottom surface 4 of the reflective groove 3. As a result, of the light 6 a that has traveled in the optical waveguide 2, the light traveling in the optical waveguide 2 without being emitted from the inclined surface 13 of the reflection groove 3 penetrates into the reflection groove 3 from the bottom surface 4 of the reflection groove 3. Can be prevented.

基板1の表面には、バッファ層及びSi層15が設けられていてもよい。バッファ層及びSi層15のうち、バッファ層によって、例えば基板表面に設けられる電極や電気配線による光の吸収損失を防いだり、インピーダンス整合を取ることができる。Si層によって、例えば温度ドリフトを抑圧することができる。受光素子5は、バッファ層及びSi層15に例えば接着剤16によって受光素子5の裏面が接着されることによって、基板1に固定されていてもよい。   A buffer layer and an Si layer 15 may be provided on the surface of the substrate 1. Of the buffer layer and the Si layer 15, the buffer layer can prevent light absorption loss due to, for example, electrodes provided on the substrate surface or electrical wiring, and can achieve impedance matching. For example, temperature drift can be suppressed by the Si layer. The light receiving element 5 may be fixed to the substrate 1 by bonding the back surface of the light receiving element 5 to the buffer layer and the Si layer 15 with, for example, an adhesive 16.

基板1の表面、厳密にはバッファ層及びSi層15の表面には、受光素子用電気配線17,18、並びにX偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12のそれぞれの上の図示省略する変調用の電極が設けられている。受光素子用電気配線17,18には、金属製のワイヤ19の一端がワイヤボンディングによって接続されている。このワイヤ19の他端は、受光素子5のアノードまたはカソードの電極20にワイヤボンディングによって接続されている。つまり、受光素子用電気配線17,18と受光素子5とは、ワイヤ19によって電気的に接続されている。受光素子用電気配線17,18は、LN変調器を収納するパッケージの端子に電気的に接続されている。   On the surface of the substrate 1, strictly speaking, on the surface of the buffer layer and the Si layer 15, the light receiving element electrical wires 17, 18, the X polarization IQ modulation unit optical waveguide 11 and the Y polarization IQ modulation unit optical waveguide 12 are provided. A modulation electrode (not shown) is provided on each of the above. One end of a metal wire 19 is connected to the light receiving element electrical wires 17 and 18 by wire bonding. The other end of the wire 19 is connected to the anode or cathode electrode 20 of the light receiving element 5 by wire bonding. That is, the light receiving element electrical wires 17 and 18 and the light receiving element 5 are electrically connected by the wire 19. The light receiving element electrical wires 17 and 18 are electrically connected to terminals of a package that houses the LN modulator.

受光素子5の電極20の少なくとも一部が接着剤16の上に載り、接着剤16が受光素子5の電極20を下から支えるようになっていてもよい。そうすれば、受光素子5の電極20の下が中空である場合に比べて、ワイヤボンディング時に受光素子5の電極20に超音波をより強く作用させることができるため、ワイヤボンディングによるワイヤ19の接合強度をあげることができる。   At least a part of the electrode 20 of the light receiving element 5 may be placed on the adhesive 16, and the adhesive 16 may support the electrode 20 of the light receiving element 5 from below. By doing so, the ultrasonic wave can be applied more strongly to the electrode 20 of the light receiving element 5 during wire bonding than when the electrode 20 of the light receiving element 5 is hollow, so that the bonding of the wire 19 by wire bonding is possible. Strength can be increased.

図2及び図3に示すLN変調器によれば、光導波路2から出射して反射溝3内へ入射した光6bを反射溝3の底面4の反射膜14で反射させて上方へ向かわせるため、光導波路2の中を進む光を、基板1の表面に固定された受光素子5で受光することができる。また、図2及び図3に示すLN変調器によれば、反射溝3内の空間7において光が通過する部分が空気で満たされていることによって、光が通過する部分に、例えば接着剤中の気泡などのような光の乱反射の原因となるものがない。従って、反射溝3内の空間7を通過する光が乱反射することなく受光素子5へ入射するため、受光素子5が受光する光量を増やすことができる。   According to the LN modulator shown in FIGS. 2 and 3, the light 6 b emitted from the optical waveguide 2 and entering the reflecting groove 3 is reflected by the reflecting film 14 on the bottom surface 4 of the reflecting groove 3 and directed upward. The light traveling in the optical waveguide 2 can be received by the light receiving element 5 fixed to the surface of the substrate 1. Further, according to the LN modulator shown in FIG. 2 and FIG. 3, since the portion through which light passes in the space 7 in the reflection groove 3 is filled with air, the portion through which light passes, for example, in the adhesive There is nothing that causes diffuse reflection of light such as bubbles. Therefore, since the light passing through the space 7 in the reflection groove 3 enters the light receiving element 5 without irregular reflection, the amount of light received by the light receiving element 5 can be increased.

例えば、光導波路から染み出す光を受光素子で受光する場合のモニタ用の光の受光感度がおおよそ50mA/Wであるのに対して、図2及び図3に示すLN変調器によれば、受光素子5が受光する光量が増えるため、モニタ用の光の受光感度がおおよそ200mA/Wに改善される。また、図2及び図3に示すLN変調器によれば、受光素子5が基板1の表面に設けられているため、受光素子5を基板1の外に設ける場合よりも、LN変調器を収納するパッケージを小型化することができる。   For example, the light receiving sensitivity of the monitoring light when the light leaking from the optical waveguide is received by the light receiving element is approximately 50 mA / W, whereas the LN modulator shown in FIGS. Since the amount of light received by the element 5 increases, the light receiving sensitivity of the monitoring light is improved to approximately 200 mA / W. Further, according to the LN modulator shown in FIGS. 2 and 3, since the light receiving element 5 is provided on the surface of the substrate 1, the LN modulator is accommodated as compared with the case where the light receiving element 5 is provided outside the substrate 1. The package to be made can be downsized.

・LN変調器の第2の例
図4は、実施の形態にかかるLN変調器の第2の例を示す図である。図5は、図4の切断線B−B’における基板厚さ方向の断面を示す図である。切断線B−B’は、上述した切断線A−A’と同様である。従って、図5には、図3と同様の断面が示されている。
Second Example of LN Modulator FIG. 4 is a diagram illustrating a second example of the LN modulator according to the embodiment. FIG. 5 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the cutting line BB ′ of FIG. The cutting line BB ′ is the same as the cutting line AA ′ described above. Accordingly, FIG. 5 shows a cross section similar to FIG.

図4及び図5に示すように、LN変調器の第2の例では、受光素子5は、受光部8を反射溝3の底面4に臨ませ、フリップチップボンディングによる接合によって受光素子5の電極20と受光素子用電気配線17,18とが電気的に接続された状態で、基板1に固定されている。受光素子5の電極20と受光素子用電気配線17,18との接合箇所にアンダーフィル剤が充填されていてもよい。そうすれば、受光素子5の電極20と受光素子用電気配線17,18との接合強度が増すため、基板1に対して受光素子5を強固に固定することができる。   As shown in FIGS. 4 and 5, in the second example of the LN modulator, the light receiving element 5 has the light receiving portion 8 facing the bottom surface 4 of the reflection groove 3 and is bonded to the electrode of the light receiving element 5 by flip chip bonding. 20 and the light receiving element electrical wirings 17 and 18 are fixed to the substrate 1 in an electrically connected state. An underfill agent may be filled in a joint portion between the electrode 20 of the light receiving element 5 and the light receiving element electrical wirings 17 and 18. Then, since the bonding strength between the electrode 20 of the light receiving element 5 and the light receiving element electrical wirings 17 and 18 increases, the light receiving element 5 can be firmly fixed to the substrate 1.

この場合、反射溝3内の空間7において光が通過する部分にアンダーフィル剤が流れ込んでいると、アンダーフィル剤中の気泡によって光が乱反射するおそれがある。従って、反射溝3内の空間7において光が通過する部分には、アンダーフィル剤が流れ込んでいないのが好ましい。   In this case, if the underfill agent flows into a portion where light passes through the space 7 in the reflection groove 3, the light may be irregularly reflected by bubbles in the underfill agent. Therefore, it is preferable that the underfill agent does not flow into a portion where light passes in the space 7 in the reflection groove 3.

また、受光素子5に、受光素子用電気配線17,18との接合に用いられる電極20以外のダミーの電極が設けられており、このダミーの電極がフリップチップボンディングによって基板1に接合されていてもよい。このようにすることによっても、基板1に対して受光素子5を強固に固定することができる。また、ダミーの電極を設けることによって接合強度を高める場合、アンダーフィル剤を用いずに済むため、反射溝3内の空間7において光が通過する部分にアンダーフィル剤が流れ込むのを回避することができる。   The light receiving element 5 is provided with a dummy electrode other than the electrode 20 used for bonding to the light receiving element electrical wirings 17 and 18, and the dummy electrode is bonded to the substrate 1 by flip chip bonding. Also good. Also by doing in this way, the light receiving element 5 can be firmly fixed to the substrate 1. In addition, when the bonding strength is increased by providing a dummy electrode, it is not necessary to use an underfill agent, so that the underfill agent can be prevented from flowing into a portion of the space 7 in the reflection groove 3 through which light passes. it can.

その他の構成については、図2及び図3に示すLN変調器の第1の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。   Other configurations are the same as those of the first example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted.

図4及び図5に示すLN変調器によれば、受光素子5が基板1の表面にフリップチップボンディングによって固定される場合でも、光導波路2の中を進む光を受光素子5で受光することができる。また、図4及び図5に示すLN変調器によれば、フリップチップボンディングによって受光素子5の実装面積を小さくすることができるため、LN変調器を小型化することができる。従って、図4及び図5に示すLN変調器は、より小型化が要求される用途に適している。   According to the LN modulator shown in FIGS. 4 and 5, even when the light receiving element 5 is fixed to the surface of the substrate 1 by flip chip bonding, the light traveling through the optical waveguide 2 can be received by the light receiving element 5. it can. Further, according to the LN modulator shown in FIGS. 4 and 5, the mounting area of the light receiving element 5 can be reduced by flip-chip bonding, so that the LN modulator can be reduced in size. Therefore, the LN modulators shown in FIGS. 4 and 5 are suitable for applications that require further miniaturization.

・LN変調器の第3の例
図6は、実施の形態にかかるLN変調器の第3の例を示す図である。図7は、図6の切断線C−C’における基板厚さ方向の断面を示す図である。切断線C−C’は、上述した切断線A−A’と同様である。従って、図7には、図3と同様の断面が示されている。
Third Example of LN Modulator FIG. 6 is a diagram illustrating a third example of the LN modulator according to the embodiment. FIG. 7 is a diagram showing a cross section in the substrate thickness direction along the cutting line CC ′ of FIG. The cutting line CC ′ is the same as the cutting line AA ′ described above. Accordingly, FIG. 7 shows a cross section similar to FIG.

図6及び図7に示すように、LN変調器の第3の例は、反射溝3の周囲に反射溝保護用凸部21を有する。反射溝保護用凸部21は、基板1の表面から例えば堤防状に突出し、接着剤16による接着箇所の内側で反射溝3を囲んでいてもよい。反射溝保護用凸部21は、例えば受光素子用電気配線17,18、またはX偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12のそれぞれの上の変調用の電極と同じ材料でできていてもよい。例えば、反射溝保護用凸部21は、Auなどの金属でできていてもよい。   As shown in FIGS. 6 and 7, the third example of the LN modulator has a reflection groove protecting convex portion 21 around the reflection groove 3. The reflection groove protecting convex portion 21 may protrude from the surface of the substrate 1 in a bank shape, for example, and may surround the reflection groove 3 on the inner side of the portion bonded by the adhesive 16. The reflection groove protecting convex portion 21 is, for example, a modulation electrode on each of the light receiving element electrical wirings 17 and 18 or the X polarization IQ modulation portion optical waveguide 11 and the Y polarization IQ modulation portion optical waveguide 12. It may be made of the same material. For example, the reflection groove protecting convex portion 21 may be made of a metal such as Au.

また、LN変調器の第3の例は、接着剤16による接着箇所と受光素子用電気配線17,18との間に配線保護用凸部22を有していてもよい。配線保護用凸部22は、基板1の表面から例えば堤防状に突出し、接着剤16による接着箇所の外側で受光素子5を囲んでいてもよい。配線保護用凸部22は、例えば受光素子用電気配線17,18、またはX偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12のそれぞれの上の変調用の電極と同じ材料でできていてもよい。例えば、配線保護用凸部22は、Auなどの金属でできていてもよい。   In addition, the third example of the LN modulator may have a wiring protection convex portion 22 between a portion where the adhesive 16 is bonded and the light receiving element electric wires 17 and 18. The wiring protection convex portion 22 may protrude from the surface of the substrate 1 in a bank shape, for example, and may surround the light receiving element 5 outside the portion where the adhesive 16 is bonded. The wiring protecting convex portion 22 is, for example, a light receiving element electrical wiring 17, 18 or a modulation electrode on each of the X polarization IQ modulation section optical waveguide 11 and the Y polarization IQ modulation section optical waveguide 12. It may be made of the same material. For example, the wiring protecting convex portion 22 may be made of a metal such as Au.

その他の構成については、図2及び図3に示すLN変調器の第1の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。なお、図4及び図5に示すLN変調器の第2の例のように、受光素子5がフリップチップボンディングによって基板1に固定されており、反射溝保護用凸部21がアンダーフィル剤の流れ込みを防いでいてもよい。   Other configurations are the same as those of the first example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted. As in the second example of the LN modulator shown in FIGS. 4 and 5, the light receiving element 5 is fixed to the substrate 1 by flip chip bonding, and the reflection groove protecting convex portion 21 flows into the underfill agent. May be prevented.

図6及び図7に示すLN変調器によれば、反射溝保護用凸部21によって、反射溝3内の空間7において光が通過する部分に接着剤16が流れ込むのを防ぐことができる。そのため、反射溝3内の空間7において光が通過する部分に、例えば接着剤中の気泡などのような光の乱反射の原因となるものがない。従って、反射溝3内の空間7を通過する光が乱反射することなく受光素子5へ入射するため、受光素子5が受光する光量を増やすことができる。また、図6及び図7に示すLN変調器によれば、配線保護用凸部22によって、受光素子用電気配線17,18へ接着剤16が流れ出すのを防ぐことができる。また、反射溝保護用凸部21の上に受光素子5が載るため、受光素子5の高さを反射溝保護用凸部21の高さにすることができる。従って、反射溝保護用凸部21の高さを調整することによって、受光素子5の高さを調整することができる。   According to the LN modulator shown in FIGS. 6 and 7, the reflective groove protecting convex portion 21 can prevent the adhesive 16 from flowing into a portion through which light passes in the space 7 in the reflective groove 3. Therefore, there is nothing that causes diffuse reflection of light, such as bubbles in the adhesive, in a portion where light passes in the space 7 in the reflection groove 3. Therefore, since the light passing through the space 7 in the reflection groove 3 enters the light receiving element 5 without irregular reflection, the amount of light received by the light receiving element 5 can be increased. Further, according to the LN modulator shown in FIG. 6 and FIG. 7, the adhesive 16 can be prevented from flowing out to the light receiving element electric wires 17 and 18 by the wiring protecting convex portion 22. Further, since the light receiving element 5 is placed on the reflection groove protecting convex portion 21, the height of the light receiving element 5 can be set to the height of the reflection groove protecting convex portion 21. Therefore, the height of the light receiving element 5 can be adjusted by adjusting the height of the reflection groove protecting convex portion 21.

・LN変調器の第4の例
図8は、実施の形態にかかるLN変調器の第4の例を示す図であり、図6の切断線C−C’における基板厚さ方向の断面を示す図である。図8には、図3と同様の断面が示されている。
FIG. 8 is a diagram illustrating a fourth example of the LN modulator according to the embodiment, and illustrates a cross section in the substrate thickness direction along the section line CC ′ in FIG. 6. FIG. FIG. 8 shows a cross section similar to FIG.

図8に示すように、LN変調器の第4の例は、反射溝3の周囲に反射溝保護用凸部21を多重に有する。図8に示す例では、受光素子5の下に反射溝保護用凸部21が2重に設けられているが、3重以上設けられていてもよい。多重の反射溝保護用凸部21のうちの一つは、受光素子5の電極20の真下に設けられていてもよい。その他の構成については、図6及び図7に示すLN変調器の第3の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。   As shown in FIG. 8, the fourth example of the LN modulator has multiple reflection groove protecting convex portions 21 around the reflection groove 3. In the example shown in FIG. 8, the reflection groove protecting convex portions 21 are provided double below the light receiving element 5, but may be provided three or more. One of the multiple reflection groove protecting convex portions 21 may be provided directly below the electrode 20 of the light receiving element 5. Other configurations are the same as those of the third example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted.

図8に示すLN変調器によれば、反射溝保護用凸部21によって、反射溝3内の空間7において光が通過する部分に接着剤16が流れ込むのを防ぐことができるため、図6及び図7に示すLN変調器の第3の例と同様に、受光素子5が受光する光量を増やすことができる。また、図8に示すLN変調器によれば、受光素子5の電極20が、その真下にある反射溝保護用凸部21によって下から支えられるため、受光素子5の電極20の下が中空である場合に比べて、ワイヤボンディング時に受光素子5の電極20に超音波をより強く作用させることができる。従って、ワイヤボンディングによるワイヤ19の接合強度をあげることができる。   According to the LN modulator shown in FIG. 8, the reflection groove protecting convex portion 21 can prevent the adhesive 16 from flowing into the portion of the space 7 in the reflection groove 3 where light passes. As in the third example of the LN modulator shown in FIG. 7, the amount of light received by the light receiving element 5 can be increased. Further, according to the LN modulator shown in FIG. 8, the electrode 20 of the light receiving element 5 is supported from below by the reflection groove protecting convex portion 21 immediately below the light receiving element 5. Compared with a certain case, ultrasonic waves can be applied more strongly to the electrode 20 of the light receiving element 5 during wire bonding. Therefore, the bonding strength of the wire 19 by wire bonding can be increased.

なお、受光素子5の電極20の真下に、反射溝保護用凸部21を設ける代わりに、受光素子5の電極20を下から支える台座を設けることによって、ワイヤボンディング時に受光素子5の電極20に超音波をより強く作用させるようにしてもよい。このようにしても、受光素子5の電極20の下が中空である場合に比べて、ワイヤボンディングによるワイヤ19の接合強度をあげることができる。   Instead of providing the reflection groove protecting convex portion 21 directly below the electrode 20 of the light receiving element 5, a pedestal that supports the electrode 20 of the light receiving element 5 from below is provided, so that the electrode 20 of the light receiving element 5 can be attached to the electrode 20 during wire bonding. You may make it make an ultrasonic wave act stronger. Even if it does in this way, compared with the case where the lower part of the electrode 20 of the light receiving element 5 is hollow, the joining strength of the wire 19 by wire bonding can be raised.

なお、図4及び図5に示すLN変調器の第2の例のように、受光素子5がフリップチップボンディングによって基板1に固定されている場合において、フリップチップボンディングによる接合箇所の内側に反射溝保護用凸部21が多重に設けられていてもよい。この場合、反射溝保護用凸部21によって、アンダーフィル剤が反射溝3内へ流れ込むのを防ぐことができる。   When the light receiving element 5 is fixed to the substrate 1 by flip chip bonding as in the second example of the LN modulator shown in FIG. 4 and FIG. The protective convex portions 21 may be provided in multiple. In this case, the underfill agent can be prevented from flowing into the reflection groove 3 by the reflection groove protecting convex portion 21.

・反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第1の例
図9は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第1の例を示す図である。図9には、受光素子5が取り付けられる部分が拡大されて示されており、受光素子5、受光素子5の受光部8及び受光素子5の電極20は、仮想線で示されている。
FIG. 9 is a first example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. It is a figure which shows the example of. In FIG. 9, a portion to which the light receiving element 5 is attached is shown enlarged, and the light receiving element 5, the light receiving portion 8 of the light receiving element 5, and the electrode 20 of the light receiving element 5 are indicated by virtual lines.

図9に示すように、反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第1の例では、反射溝保護用凸部21は、受光素子5の内側で反射溝3を囲むように設けられている。また、配線保護用凸部22は、受光素子5の外側で例えば2個の受光素子5を囲むように設けられている。   As shown in FIG. 9, in the first example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion, the reflective groove protecting convex portion 21 surrounds the reflective groove 3 inside the light receiving element 5. Is provided. Further, the wiring protecting convex portion 22 is provided outside the light receiving element 5 so as to surround, for example, two light receiving elements 5.

反射溝保護用凸部21は、受光素子5の電極20の真下に設けられており、受光素子5の電極20を下から支える台座を兼ねている。反射溝保護用凸部21または配線保護用凸部22の高さは、特に限定しないが、例えば5μm以上40μm以下であってもよい。そうすれば、反射溝保護用凸部21によって反射溝3内に接着剤16が流れ込むのを防ぐことができる。また、配線保護用凸部22によって受光素子用電気配線17,18へ接着剤16が流れ出すのを防ぐことができる。図9において、符号23は、LN変調器から出力されるX偏波信号光またはY偏波信号光を導く光導波路である。   The reflection groove protecting convex portion 21 is provided directly below the electrode 20 of the light receiving element 5 and also serves as a pedestal that supports the electrode 20 of the light receiving element 5 from below. The height of the reflective groove protecting convex portion 21 or the wiring protecting convex portion 22 is not particularly limited, but may be, for example, 5 μm or more and 40 μm or less. If it does so, it can prevent that the adhesive agent 16 flows in into the reflective groove 3 by the convex part 21 for reflective groove protection. Further, the adhesive 16 can be prevented from flowing out to the light receiving element electric wires 17 and 18 by the wiring protecting convex portion 22. In FIG. 9, reference numeral 23 denotes an optical waveguide that guides X-polarized signal light or Y-polarized signal light output from the LN modulator.

・反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第2の例
図10は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第2の例を示す図である。図10には、受光素子5が取り付けられる部分が拡大されて示されており、受光素子5、受光素子5の受光部8及び受光素子5の電極20は、仮想線で示されている。
Second Example of Patterns of Reflective Groove Protection Protrusions and Wiring Protection Protrusions FIG. 10 shows a second pattern of reflective groove protection convexes and wiring protection convex parts in the LN modulator according to the embodiment. It is a figure which shows the example of. In FIG. 10, the portion to which the light receiving element 5 is attached is shown enlarged, and the light receiving element 5, the light receiving portion 8 of the light receiving element 5, and the electrode 20 of the light receiving element 5 are indicated by virtual lines.

図10に示すように、反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第2の例では、反射溝保護用凸部21が2重に設けられている。従って、接着剤16が外側の反射溝保護用凸部21を乗り越えて外側の反射溝保護用凸部21の内側に流れ込んでも、内側の反射溝保護用凸部21によって反射溝3内に接着剤16が流れ込むのを防ぐことができる。図10に示すパターンは、接着剤16の量が多い場合に適している。反射溝保護用凸部21は、3重以上に設けられていてもよい。   As shown in FIG. 10, in the second example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion, the reflective groove protecting convex portion 21 is provided in a double manner. Therefore, even if the adhesive 16 gets over the outer reflection groove protecting convex portion 21 and flows into the outer reflection groove protecting convex portion 21, the inner reflection groove protecting convex portion 21 causes the adhesive 16 to enter the reflecting groove 3. 16 can be prevented from flowing. The pattern shown in FIG. 10 is suitable when the amount of the adhesive 16 is large. The reflection groove protecting convex portion 21 may be provided in three or more layers.

また、反射溝保護用凸部21とは別に、受光素子5の電極20の真下に、受光素子5の電極20を下から支える台座24が設けられている。台座24の高さは、反射溝保護用凸部21の高さと同じであってもよい。台座24は、例えば受光素子用電気配線17,18、またはX偏波IQ変調部用光導波路11及びY偏波IQ変調部用光導波路12のそれぞれの上の変調用の電極と同じ材料でできていてもよい。例えば、台座24は、Auなどの金属でできていてもよい。台座24を設けることによって、受光素子5の電極20の下が中空である場合に比べて、ワイヤボンディング時に受光素子5の電極20に超音波をより強く作用させることができるため、ワイヤ19の接合強度をあげることができる。   In addition to the reflection groove protecting projection 21, a pedestal 24 that supports the electrode 20 of the light receiving element 5 from below is provided directly below the electrode 20 of the light receiving element 5. The height of the base 24 may be the same as the height of the reflection groove protecting convex portion 21. The pedestal 24 can be made of, for example, the same material as the modulation electrodes on each of the light receiving element electrical wires 17 and 18 or the X polarization IQ modulation unit optical waveguide 11 and the Y polarization IQ modulation unit optical waveguide 12. It may be. For example, the base 24 may be made of a metal such as Au. By providing the pedestal 24, ultrasonic waves can be applied more strongly to the electrode 20 of the light receiving element 5 during wire bonding than when the bottom of the electrode 20 of the light receiving element 5 is hollow. Strength can be increased.

なお、図10に示す例では、配線保護用凸部22は1重であるが、多重にしてもよい。そうすれば、受光素子用電気配線17,18へ接着剤16が流れ出すのを防ぐ能力を高くすることができる。また、配線保護用凸部22の高さを反射溝保護用凸部21の高さよりも高くしてもよい。そうすることによっても、受光素子用電気配線17,18へ接着剤16が流れ出すのを防ぐ能力を高くすることができる。例えば、反射溝保護用凸部21の高さを5μmとし、配線保護用凸部22の高さを20μmとしてもよい。   In the example shown in FIG. 10, the wiring protection convex portion 22 is single, but may be multiplexed. If it does so, the capability to prevent the adhesive agent 16 from flowing out to the electric wiring 17 and 18 for light receiving elements can be made high. Further, the height of the wiring protecting convex portion 22 may be made higher than the height of the reflecting groove protecting convex portion 21. Also by doing so, the ability to prevent the adhesive 16 from flowing out to the light receiving element electrical wirings 17 and 18 can be enhanced. For example, the height of the reflective groove protecting convex portion 21 may be 5 μm, and the height of the wiring protecting convex portion 22 may be 20 μm.

・反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第3の例
図11は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第3の例を示す図である。図11には、受光素子5が取り付けられる部分が拡大されて示されており、受光素子5、受光素子5の受光部8及び受光素子5の電極20は、仮想線で示されている。
Third Example of Patterns of Reflective Groove Protection Protrusions and Wiring Protection Protrusions FIG. 11 shows a third pattern of reflective groove protection convexes and wiring protection convex parts in the LN modulator according to the embodiment. It is a figure which shows the example of. In FIG. 11, the portion to which the light receiving element 5 is attached is shown enlarged, and the light receiving element 5, the light receiving portion 8 of the light receiving element 5, and the electrode 20 of the light receiving element 5 are indicated by virtual lines.

図11に示すように、反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第3の例では、反射溝保護用凸部21及び配線保護用凸部22が梯子状に設けられている。配線保護用凸部22は、受光素子用電気配線17,18に沿って伸びるように設けられており、複数の反射溝保護用凸部21が、一対の配線保護用凸部22の間に掛け渡されている。   As shown in FIG. 11, in the third example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion, the reflective groove protecting convex portion 21 and the wiring protecting convex portion 22 are provided in a ladder shape. . The wiring protecting projections 22 are provided so as to extend along the light receiving element electrical wirings 17 and 18, and a plurality of reflection groove protecting projections 21 are hung between the pair of wiring protecting projections 22. Has been passed.

接着剤16による接着箇所と反射溝3との間に複数の反射溝保護用凸部21があり、隣り合う反射溝保護用凸部21の間に接着剤16が流れ込んでも、接着剤16が反射溝保護用凸部21に沿って流れるため、接着剤16が反射溝3内に流れ込むのを防ぐことができる。例えば、反射溝保護用凸部21の高さを5μmとし、配線保護用凸部22の高さを20μmとしてもよい。   There are a plurality of reflective groove protecting convex portions 21 between the adhesion portion by the adhesive 16 and the reflective groove 3, and even if the adhesive 16 flows between the adjacent reflective groove protecting convex portions 21, the adhesive 16 is reflected. Since it flows along the groove protecting convex portion 21, the adhesive 16 can be prevented from flowing into the reflection groove 3. For example, the height of the reflective groove protecting convex portion 21 may be 5 μm, and the height of the wiring protecting convex portion 22 may be 20 μm.

・反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第4の例
図12は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第4の例を示す図である。図12には、受光素子5が取り付けられる部分が拡大されて示されており、受光素子5、受光素子5の受光部8及び受光素子5の電極20は、仮想線で示されている。
FIG. 12 illustrates a fourth example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. It is a figure which shows the example of. In FIG. 12, a portion to which the light receiving element 5 is attached is shown enlarged, and the light receiving element 5, the light receiving portion 8 of the light receiving element 5, and the electrode 20 of the light receiving element 5 are indicated by virtual lines.

図12に示すように、反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第4の例では、反射溝保護用凸部21が反射溝3を2重に囲み、そのうちの外側の反射溝保護用凸部21が受光素子5の電極20を下から支える台座を兼ねている。また、基板1の表面に、接着剤16が塗布される領域を囲む例えば堤防状の凸部25を有する。接着剤16は、この凸部25によって囲まれる閉領域に塗布される。例えば、凸部25は、基板1において、受光素子5の四隅に対応する箇所に設けられている。凸部25の高さ及び材料は、例えば反射溝保護用凸部21と同じであってもよい。   As shown in FIG. 12, in the fourth example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion, the reflective groove protecting convex portion 21 surrounds the reflective groove 3 twice, and the outer reflection thereof The groove protecting convex portion 21 also serves as a pedestal that supports the electrode 20 of the light receiving element 5 from below. In addition, the surface of the substrate 1 has, for example, a bank-like convex portion 25 surrounding a region where the adhesive 16 is applied. The adhesive 16 is applied to a closed region surrounded by the convex portion 25. For example, the convex portions 25 are provided on the substrate 1 at locations corresponding to the four corners of the light receiving element 5. The height and material of the convex part 25 may be the same as the convex part 21 for reflection groove protection, for example.

図12に示す例において、受光素子用電気配線17,18に近い側の受光素子5に対して、凸部25と凸部25とを接続する凸部26が受光素子用電気配線17,18に対して平行に設けられている。それによって、凸部25によって囲まれる閉領域から接着剤16が流れ出した場合に、流れ出した接着剤16が凸部26に沿って流れるため、流れ出した接着剤16が受光素子用電気配線17,18へ向かって流れるのを防ぐことができる。   In the example shown in FIG. 12, with respect to the light receiving element 5 on the side close to the light receiving element electrical wirings 17 and 18, a convex part 26 connecting the convex part 25 and the convex part 25 is formed on the light receiving element electrical wirings 17 and 18. It is provided in parallel to. Accordingly, when the adhesive 16 flows out from the closed region surrounded by the convex portion 25, the flowed out adhesive 16 flows along the convex portion 26, and thus the flowed out adhesive 16 flows into the light receiving element electrical wirings 17, 18. Can be prevented from flowing toward.

また、受光素子用電気配線17,18から遠い側の受光素子5に対しては、各凸部25から外向きに凸部27が伸びている。これは、受光素子用電気配線17,18が離れているため、凸部25によって囲まれる閉領域から接着剤16が流れ出した場合に、流れ出した接着剤16を外側へ向かって流してもよいからである。   In addition, with respect to the light receiving element 5 on the side far from the light receiving element electrical wirings 17 and 18, a convex part 27 extends outward from each convex part 25. This is because, since the light receiving element electrical wires 17 and 18 are separated from each other, when the adhesive 16 flows out from the closed region surrounded by the convex portion 25, the flowed out adhesive 16 may flow outward. It is.

凸部25によって接着剤16の塗布領域が囲まれていることによって、この塗布領域に塗布された接着剤16が反射溝3内へ流れ込むのを防ぐことができる。また、基板1に接着剤16を塗布する際に、凸部25が塗布領域の目印となり、かつ凸部25によって接着剤16を受ける器ができるため、適量の接着剤16を容易に塗布することができる。   Since the application area | region of the adhesive agent 16 is surrounded by the convex part 25, it can prevent that the adhesive agent 16 apply | coated to this application | coating area | region flows into the reflective groove | channel 3. Further, when the adhesive 16 is applied to the substrate 1, the convex portion 25 serves as a mark of the application region, and a container for receiving the adhesive 16 by the convex portion 25 can be formed. Therefore, an appropriate amount of the adhesive 16 can be easily applied. Can do.

・反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第5の例
図13は、実施の形態にかかるLN変調器における反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第5の例を示す図である。図13には、受光素子5が取り付けられる部分が拡大されて示されており、受光素子5、受光素子5の受光部8及び受光素子5の電極20は、仮想線で示されている。
FIG. 13 is a fifth example of the pattern of the reflective groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion in the LN modulator according to the embodiment. It is a figure which shows the example of. In FIG. 13, the portion to which the light receiving element 5 is attached is shown enlarged, and the light receiving element 5, the light receiving portion 8 of the light receiving element 5, and the electrode 20 of the light receiving element 5 are indicated by virtual lines.

図13に示すように、反射溝保護用凸部及び配線保護用凸部のパターンの第5の例では、接着剤16が塗布される領域において配線保護用凸部22が外側へ張り出している。それによって、接着剤16が塗布される領域が拡大されている。図13に示すパターンは、接着剤16の量が多い場合に適している。   As shown in FIG. 13, in the fifth example of the pattern of the reflection groove protecting convex portion and the wiring protecting convex portion, the wiring protecting convex portion 22 projects outward in the region where the adhesive 16 is applied. Thereby, the area | region where the adhesive agent 16 is apply | coated is expanded. The pattern shown in FIG. 13 is suitable when the amount of the adhesive 16 is large.

・LN変調器の第5の例
図14は、実施の形態にかかるLN変調器の第5の例を示す図である。図14に示すように、LN変調器の第5の例は、図2に示すLN変調器の第1の例において、2個の受光素子5の代わりに、2個の受光部8を有する受光素子28を用いたものである。受光素子28は、LN変調器へ入力する光の入力方向またはLN変調器から出力される信号光の出力方向に対して交差する方向における基板1の幅と同じ長さを有していてもよい。この場合、基板1の側面から接着剤16を塗布することによって、基板1に受光素子28を固定してもよい。
FIG. 14 is a diagram illustrating a fifth example of the LN modulator according to the embodiment. As shown in FIG. 14, the fifth example of the LN modulator is a light receiving unit having two light receiving units 8 instead of the two light receiving elements 5 in the first example of the LN modulator shown in FIG. 2. The element 28 is used. The light receiving element 28 may have the same length as the width of the substrate 1 in the input direction of the light input to the LN modulator or the direction intersecting the output direction of the signal light output from the LN modulator. . In this case, the light receiving element 28 may be fixed to the substrate 1 by applying the adhesive 16 from the side surface of the substrate 1.

その他の構成については、図2及び図3に示すLN変調器の第1の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。なお、図4及び図5に示すLN変調器の第2の例、図6及び図7に示すLN変調器の第3の例、または図8に示すLN変調器の第4の例においても、2個の受光部8を有する受光素子28を用いてもよい。   Other configurations are the same as those of the first example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted. In the second example of the LN modulator shown in FIGS. 4 and 5, the third example of the LN modulator shown in FIGS. 6 and 7, or the fourth example of the LN modulator shown in FIG. A light receiving element 28 having two light receiving portions 8 may be used.

・LN変調器の第6の例
図15は、実施の形態にかかるLN変調器の第6の例を示す図である。図16は、信号光とモニタ光との位相がずれている状態の波形を示す図である。図16において、横軸はマッハツェンダ干渉計に印加する電圧であり、縦軸は光出力パワーである。図15に示すように、LN変調器の第6の例は、図2に示すLN変調器の第1の例において、受光素子5の直前にガード溝29を有するものである。
FIG. 15 is a diagram illustrating a sixth example of the LN modulator according to the embodiment. FIG. 16 is a diagram illustrating a waveform in a state where the phase of the signal light and the monitor light are out of phase. In FIG. 16, the horizontal axis represents the voltage applied to the Mach-Zehnder interferometer, and the vertical axis represents the optical output power. As shown in FIG. 15, the sixth example of the LN modulator has a guard groove 29 immediately before the light receiving element 5 in the first example of the LN modulator shown in FIG. 2.

不要光は、例えば入力光の結合損失成分やカプラの過剰損失成分などに起因して発生することがある。不要光が反射溝3内に入射して受光素子5で受光されると、図16に示すように、モニタ光の位相がシフトしてしまい、信号光とモニタ光との位相が理想状態、すなわち信号光とモニタ光との位相差が180°である状態からずれることがある。信号光とモニタ光との位相が理想状態からずれると、LN変調器の動作点を制御するのが困難となる。従って、不要光が発生する場合には、反射溝3内に不要光が入射しないようにするのが好ましい。ガード溝29を設けることによって、不要光が反射溝3内に入射するのを抑制することができる。   Unnecessary light may be generated due to, for example, a coupling loss component of input light or an excessive loss component of a coupler. When unnecessary light enters the reflection groove 3 and is received by the light receiving element 5, the phase of the monitor light shifts as shown in FIG. 16, and the phase of the signal light and the monitor light is in an ideal state, that is, The phase difference between the signal light and the monitor light may deviate from the state of 180 °. If the phase of the signal light and the monitor light deviates from the ideal state, it becomes difficult to control the operating point of the LN modulator. Therefore, when unnecessary light is generated, it is preferable to prevent unnecessary light from entering the reflection groove 3. By providing the guard groove 29, it is possible to suppress unnecessary light from entering the reflection groove 3.

その他の構成については、図2及び図3に示すLN変調器の第1の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。なお、図4及び図5に示すLN変調器の第2の例、図6及び図7に示すLN変調器の第3の例、図8に示すLN変調器の第4の例、または図14に示すLN変調器の第5の例においても、ガード溝29を設けてもよい。   Other configurations are the same as those of the first example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted. 4 and 5, the third example of the LN modulator shown in FIGS. 6 and 7, the fourth example of the LN modulator shown in FIG. 8, or FIG. 14. The guard groove 29 may be provided also in the fifth example of the LN modulator shown in FIG.

・LN変調器の第7の例
図17は、実施の形態にかかるLN変調器の第7の例を示す図であり、図2の切断線A−A’における基板厚さ方向の断面を示す図である。図17には、図3と同様の断面が示されている。図17に示すように、LN変調器の第7の例は、図3に示すLN変調器の第1の例において、反射溝3の空間7が接着剤16で満たされているものである。反射溝3の空間7を接着剤16で満たす場合には、接着剤16には気泡が含まれていないのが好ましい。
Seventh Example of LN Modulator FIG. 17 is a diagram showing a seventh example of the LN modulator according to the embodiment, and shows a cross section in the substrate thickness direction along the section line AA ′ of FIG. FIG. FIG. 17 shows a cross section similar to FIG. As shown in FIG. 17, the seventh example of the LN modulator is one in which the space 7 of the reflection groove 3 is filled with the adhesive 16 in the first example of the LN modulator shown in FIG. 3. When the space 7 of the reflection groove 3 is filled with the adhesive 16, it is preferable that the adhesive 16 does not contain bubbles.

例えば、反射溝3の深さが3μmである場合、反射溝3の傾斜面13が基板1の厚さ方向に対してなす角度が、10°〜15°の範囲でばらつくとする。このばらついた場合について、傾斜面13の中央部から反射溝3内へ入射した光6bの光路を図17に二点鎖線で示す。反射溝3の空間7が接着剤16で満たされている場合、傾斜面13の中央部から反射溝3内へ入射した光6bが受光素子5の受光部8に到達するときの到達位置のばらつきは、例えば31μmである。   For example, when the depth of the reflection groove 3 is 3 μm, the angle formed by the inclined surface 13 of the reflection groove 3 with respect to the thickness direction of the substrate 1 varies in the range of 10 ° to 15 °. In this case, the optical path of the light 6b incident from the center of the inclined surface 13 into the reflection groove 3 is indicated by a two-dot chain line in FIG. When the space 7 of the reflection groove 3 is filled with the adhesive 16, variation in the arrival position when the light 6 b that has entered the reflection groove 3 from the center of the inclined surface 13 reaches the light receiving unit 8 of the light receiving element 5. Is, for example, 31 μm.

一方、図3に示すLN変調器の第1の例において、同じようにばらついた場合について、傾斜面13の中央部から反射溝3内へ入射した光6bの光路を図3に二点鎖線で示す。反射溝3の空間7が空気で満たされている場合、傾斜面13の中央部から反射溝3内へ入射した光6bが受光素子5の受光部8に到達するときの到達位置のばらつきは、例えば13μmである。   On the other hand, in the case of the same variation in the first example of the LN modulator shown in FIG. 3, the optical path of the light 6b that has entered the reflecting groove 3 from the central portion of the inclined surface 13 is indicated by a two-dot chain line in FIG. Show. When the space 7 of the reflection groove 3 is filled with air, the variation in the arrival position when the light 6b incident into the reflection groove 3 from the central portion of the inclined surface 13 reaches the light receiving portion 8 of the light receiving element 5 is as follows. For example, 13 μm.

従って、受光素子5の受光部8が広い場合には、LN変調器の第1の例及びLN変調器の第7の例のいずれも用いることができる。それに対して、受光素子5の受光部8が狭い場合には、LN変調器の第1の例を用いるのがよい。   Therefore, when the light receiving portion 8 of the light receiving element 5 is wide, both the first example of the LN modulator and the seventh example of the LN modulator can be used. On the other hand, when the light receiving portion 8 of the light receiving element 5 is narrow, it is preferable to use the first example of the LN modulator.

その他の構成については、図2及び図3に示すLN変調器の第1の例と同様である。従って、重複する説明を省略する。なお、図4及び図5に示すLN変調器の第2の例、図6及び図7に示すLN変調器の第3の例、図8に示すLN変調器の第4の例、図14に示すLN変調器の第5の例、または図15に示すLN変調器の第6の例においても、反射溝3の空間7を、気泡を含まない接着剤16で満たしてもよい。   Other configurations are the same as those of the first example of the LN modulator shown in FIGS. Therefore, the overlapping description is omitted. 4 and 5, a third example of the LN modulator shown in FIGS. 6 and 7, a fourth example of the LN modulator shown in FIG. 8, and FIG. 14. Also in the fifth example of the LN modulator shown or the sixth example of the LN modulator shown in FIG. 15, the space 7 of the reflection groove 3 may be filled with an adhesive 16 that does not contain bubbles.

・光デバイスの製造方法の一例
図18〜図20は、実施の形態にかかる光デバイスの製造方法の一例を示す図である。
Example of Manufacturing Method of Optical Device FIGS. 18 to 20 are diagrams illustrating an example of a manufacturing method of the optical device according to the embodiment.

図18において、まず、符号101で示すように、基板1を用意する。次いで、符号102で示すように、基板1の表面に例えばTi(チタン)を蒸着して例えば1000Åの厚さのTi膜31を生成する。次いで、符号103で示すように、Ti膜31の上にフォトレジスト32を例えば1μm前後の厚さに塗布し、フォトリソグラフィー法によりフォトレジスト32をパターニングし、ドライエッチングまたはウェットエッチングによってTi膜31をパターン化する。   In FIG. 18, first, a substrate 1 is prepared as indicated by reference numeral 101. Next, as indicated by reference numeral 102, for example, Ti (titanium) is deposited on the surface of the substrate 1 to generate a Ti film 31 having a thickness of, for example, 1000 mm. Next, as indicated by reference numeral 103, a photoresist 32 is applied on the Ti film 31 to a thickness of, for example, about 1 μm, the photoresist 32 is patterned by a photolithography method, and the Ti film 31 is formed by dry etching or wet etching. Pattern it.

Ti膜31をパターン化するときに、光変調器、光スイッチ、フィルタもしくは可変光アッテネータなどで一般的な方向性結合器や、Y分岐を用いたマッハツェンダ干渉計を形成する。次いで、符号104で示すように、例えば1000℃〜1100℃の温度で基板1内にTiを拡散させて、光導波路2を形成する。光導波路2には、例えば図2に示すLN変調器のX偏波IQ変調部用光導波路11、Y偏波IQ変調部用光導波路12、及びそれらの光導波路11,12から分岐するモニタ用の光導波路2が含まれる。なお、Tiの代わりにMg(マグネシウム)を用いて光導波路2を形成してもよいし、プロトン交換法によって光導波路2を形成してもよい。   When the Ti film 31 is patterned, a general directional coupler such as an optical modulator, an optical switch, a filter, or a variable optical attenuator, or a Mach-Zehnder interferometer using a Y branch is formed. Next, as indicated by reference numeral 104, for example, Ti is diffused into the substrate 1 at a temperature of 1000 ° C. to 1100 ° C. to form the optical waveguide 2. The optical waveguide 2 includes, for example, an optical waveguide 11 for an X polarization IQ modulator, an optical waveguide 12 for a Y polarization IQ modulator, and a monitor branching from these optical waveguides 11 and 12 of the LN modulator shown in FIG. The optical waveguide 2 is included. The optical waveguide 2 may be formed using Mg (magnesium) instead of Ti, or the optical waveguide 2 may be formed by a proton exchange method.

次いで、図19において符号105で示すように、基板1の表面にフォトレジスト33を塗布し、フォトリソグラフィー法によりフォトレジスト33をパターニングして、反射溝3を形成するためのパターンを作成する。次いで、符号106で示すように、ポストベークを行い、パターン化後のフォトレジスト33に残留する溶媒や現像液を除去し、フォトレジスト33と基板1との密着性を高める。   Next, as indicated by reference numeral 105 in FIG. 19, a photoresist 33 is applied to the surface of the substrate 1, and the photoresist 33 is patterned by a photolithography method to form a pattern for forming the reflective grooves 3. Next, as shown by reference numeral 106, post-baking is performed to remove the solvent and developer remaining on the patterned photoresist 33, thereby improving the adhesion between the photoresist 33 and the substrate 1.

次いで、符号107で示すように、パターン化後のフォトレジスト33をマスクにして、例えばRIE(Reactive Ion Etching、反応性イオンエッチング)などのドライエッチングによって、反射溝3を形成する。反射溝3を形成するときに、反射溝3内に不要光が入射するのを抑制するガード溝29を形成してもよい。溝形成後、符号108で示すように、マスクとしたフォトレジスト33を除去する。   Next, as indicated by reference numeral 107, the reflective groove 3 is formed by dry etching such as RIE (Reactive Ion Etching) using the patterned photoresist 33 as a mask. When the reflection groove 3 is formed, a guard groove 29 that suppresses unnecessary light from entering the reflection groove 3 may be formed. After the groove formation, as shown by reference numeral 108, the photoresist 33 used as a mask is removed.

次いで、図20において符号109で示すように、例えばスパッタまたはEB(Electron Beam、電子ビーム)蒸着器によって、基板1の表面にバッファ層34を生成する。バッファ層34の厚さは、必要帯域や電気反射量によって最適化されるが、例えば0.5μm〜1.0μm程度であってもよい。   Next, as indicated by reference numeral 109 in FIG. 20, the buffer layer 34 is formed on the surface of the substrate 1 by, for example, sputtering or EB (Electron Beam) deposition. The thickness of the buffer layer 34 is optimized depending on the necessary band and the amount of electrical reflection, but may be, for example, about 0.5 μm to 1.0 μm.

次いで、符号110で示すように、例えばスパッタによって、バッファ層34の表面にSi層35を生成する。Si層35の厚さは、例えば0.1μm程度であってもよい。バッファ層34及びSi層35は、例えば図3に示すLN変調器のバッファ層及びSi層15となる。   Next, as indicated by reference numeral 110, the Si layer 35 is generated on the surface of the buffer layer 34 by, for example, sputtering. The thickness of the Si layer 35 may be, for example, about 0.1 μm. The buffer layer 34 and the Si layer 35 become, for example, the buffer layer and the Si layer 15 of the LN modulator shown in FIG.

次いで、符号111で示すように、例えばEB蒸着器によって、Si層35の表面にAuを蒸着して、電気配線や電極の下地となるAu膜を生成する。電極下地用のAu膜を生成するときに、例えば図3に示すLN変調器の反射膜14を形成してもよい。電極下地用のAu膜の厚さは、例えば0.1μm程度であってもよい。   Next, as indicated by reference numeral 111, Au is deposited on the surface of the Si layer 35 by, for example, an EB vapor deposition device to generate an Au film serving as a base for electrical wiring and electrodes. When generating the Au film for the electrode substrate, for example, the reflective film 14 of the LN modulator shown in FIG. 3 may be formed. The thickness of the Au film for the electrode base may be, for example, about 0.1 μm.

そして、電極下地用のAu膜の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によりフォトレジストをパターニングし、エッチングしてAu膜をパターン化した後、Auメッキを行い、電極下地用のAu膜の上に電極36を形成する。Auメッキの厚さは、必要帯域や電気反射量によって最適化されるが、例えば5μm〜40μm程度であってもよい。電極36には、例えば図2に示すLN変調器の受光素子用電気配線17,18、X偏波IQ変調部用光導波路11の上の変調用の電極、及びY偏波IQ変調部用光導波路12の上の変調用の電極が含まれる。なお、Auに限らず、Cu(銅)などの他の金属によって、電気配線や電極の下地となる膜、または電極36を形成してもよい。   Then, a photoresist is applied on the Au film for the electrode base, the photoresist is patterned by a photolithography method, and the Au film is patterned by etching, and then Au plating is performed. An electrode 36 is formed thereon. The thickness of the Au plating is optimized depending on the necessary band and the amount of electric reflection, but may be, for example, about 5 μm to 40 μm. The electrodes 36 include, for example, the light receiving element electrical wires 17 and 18 of the LN modulator shown in FIG. 2, the modulation electrode on the optical waveguide 11 for the X polarization IQ modulation unit, and the light for the Y polarization IQ modulation unit. A modulation electrode on the waveguide 12 is included. It should be noted that the film serving as a base of the electrical wiring or the electrode or the electrode 36 may be formed not only by Au but also by other metal such as Cu (copper).

電極36を形成するときに、例えば図6及び図7に示すLN変調器の反射溝保護用凸部21及び配線保護用凸部22を形成してもよい。また、電極36を形成するときに、例えば図10に示すパターンの台座24を形成してもよい。また、電極36を形成するときに、例えば図12に示すパターンの凸部25〜27を形成してもよい。これら反射溝保護用凸部21、配線保護用凸部22、台座24及び凸部25〜27の厚さは、例えば5μm〜40μm程度であってもよい。   When the electrode 36 is formed, for example, the reflection groove protecting convex portion 21 and the wiring protecting convex portion 22 of the LN modulator shown in FIGS. 6 and 7 may be formed. Moreover, when forming the electrode 36, you may form the base 24 of the pattern shown, for example in FIG. Moreover, when forming the electrode 36, you may form the convex parts 25-27 of the pattern shown, for example in FIG. The thicknesses of the reflective groove protecting convex portion 21, the wiring protecting convex portion 22, the pedestal 24, and the convex portions 25 to 27 may be, for example, about 5 μm to 40 μm.

次いで、基板1を所望のサイズの光デバイスチップに切断する。次いで、光デバイスチップに受光素子5を、接着剤16を用いたダイボンディング、またはフリップチップボンディングによって固定する。例えば図6または図7に示すLN変調器の場合、LN変調器チップの所望の位置に、反射溝保護用凸部21及び配線保護用凸部22から接着剤16があふれ出さないように、ディスペンサなどの容量を制御できる器具を用いて接着剤16を塗布する。   Next, the substrate 1 is cut into optical device chips of a desired size. Next, the light receiving element 5 is fixed to the optical device chip by die bonding using the adhesive 16 or flip chip bonding. For example, in the case of the LN modulator shown in FIG. 6 or FIG. 7, a dispenser is used so that the adhesive 16 does not overflow from the reflective groove protecting convex portion 21 and the wiring protecting convex portion 22 to a desired position of the LN modulator chip. The adhesive 16 is applied using a device capable of controlling the volume.

そして、受光素子用電気配線17,18のパッドの角を基準として、所望の位置に受光素子5の表面のパターンがくるように、カメラで画像を認識しながら受光素子5の位置調整をして受光素子5を配置する。例えば受光素子5の受光部8の中心を、位置合わせ用のパターンとしてもよい。受光素子5を配置した後、紫外線を照射して接着剤16を硬化させてLN変調器チップに受光素子5を固定する。その後、熱処理によってキュアを行う。最後に、ワイヤボンディングを行って、受光素子5の電極20と受光素子用電気配線17,18とを電気的に接続する。   Then, the position of the light receiving element 5 is adjusted while recognizing an image with a camera so that the pattern of the surface of the light receiving element 5 comes to a desired position with reference to the corner of the pad of the light receiving element electrical wirings 17 and 18. The light receiving element 5 is arranged. For example, the center of the light receiving portion 8 of the light receiving element 5 may be a pattern for alignment. After the light receiving element 5 is arranged, the adhesive 16 is cured by irradiating ultraviolet rays, and the light receiving element 5 is fixed to the LN modulator chip. Thereafter, curing is performed by heat treatment. Finally, wire bonding is performed to electrically connect the electrode 20 of the light receiving element 5 and the electric wires 17 and 18 for the light receiving element.

図18〜図20に示す光デバイスの製造方法によれば、光導波路2内を進む光を、基板1の表面に固定された受光素子5で受光することができる光デバイスを製造することができる。また、図18〜図20に示す光デバイスの製造方法によれば、電極36を形成するときに反射溝保護用凸部21や配線保護用凸部22や台座24や凸部25〜27も形成されるため、工程を増やさずに済む。また、図18〜図20に示す光デバイスの製造方法によれば、電極用の下地を形成するときに反射膜14も形成されるため、工程を増やさずに済む。従って、製造コストが増えるのを抑えることができる。   According to the optical device manufacturing method shown in FIGS. 18 to 20, it is possible to manufacture an optical device that can receive light traveling in the optical waveguide 2 by the light receiving element 5 fixed to the surface of the substrate 1. . In addition, according to the method of manufacturing an optical device shown in FIGS. 18 to 20, when the electrode 36 is formed, the reflective groove protecting convex portion 21, the wiring protecting convex portion 22, the pedestal 24, and the convex portions 25 to 27 are also formed. Therefore, it is not necessary to increase the number of processes. In addition, according to the method of manufacturing an optical device shown in FIGS. 18 to 20, the reflective film 14 is also formed when the base for the electrode is formed, so that the number of steps is not increased. Therefore, an increase in manufacturing cost can be suppressed.

上述した各実施例を含む実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。   The following additional notes are further disclosed with respect to the embodiments including the above-described examples.

(付記1)光を導く光導波路、及び前記光導波路から出射する光が底面で反射する反射溝、を有し、電気光学効果を有する基板と、前記反射溝の上で前記基板に固定される受光素子と、を備え、前記光導波路から前記反射溝内へ出射する光が、前記反射溝内の空間を通過する途中で前記反射溝の底面で反射して前記受光素子へ入射することを特徴とする光デバイス。 (Supplementary Note 1) An optical waveguide that guides light, and a reflection groove that reflects light emitted from the optical waveguide at a bottom surface, and has a substrate having an electro-optic effect, and is fixed to the substrate on the reflection groove A light receiving element, and the light emitted from the optical waveguide into the reflection groove is reflected on the bottom surface of the reflection groove while passing through the space in the reflection groove and is incident on the light receiving element. And optical device.

(付記2)前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分は、空気で満たされていることを特徴とする付記1に記載の光デバイス。 (Supplementary note 2) The optical device according to supplementary note 1, wherein a portion through which the light passes in a space in the reflection groove is filled with air.

(付記3)前記光導波路から光が出射する前記反射溝の端面は、前記光導波路から出射する光が前記反射溝の底面へ向かうように屈折させる傾斜面になっていることを特徴とする付記1または2に記載の光デバイス。 (Additional remark 3) The end surface of the said reflective groove where light radiate | emits from the said optical waveguide is an inclined surface which refracts so that the light radiate | emitted from the said optical waveguide may go to the bottom face of the said reflective groove, It is characterized by the above-mentioned. The optical device according to 1 or 2.

(付記4)前記傾斜面は、前記基板の厚さ方向に対して、前記光導波路内を進む光が前記傾斜面で全反射する角度よりも小さい角度をなすことを特徴とする付記3に記載の光デバイス。 (Supplementary note 4) The supplementary note 3, wherein the inclined surface forms an angle smaller than an angle at which light traveling in the optical waveguide is totally reflected by the inclined surface with respect to a thickness direction of the substrate. Optical devices.

(付記5)前記反射溝の周囲に、前記基板に前記受光素子を固定する接着剤が、前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分へ流れ込むのを防ぐ反射溝保護用凸部を有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか一つに記載の光デバイス。 (Additional remark 5) It has a reflective groove protection convex part which prevents the adhesive which fixes the said light receiving element to the said board | substrate to the part which the said light passes in the space in the said reflective groove around the said reflective groove. The optical device according to any one of appendices 1 to 4, characterized in that:

(付記6)前記受光素子に電気的に接続される受光素子用電気配線と前記接着剤による接着箇所との間に、前記接着剤が前記受光素子用電気配線へ流れ出すのを防ぐ配線保護用凸部を有し、前記配線保護用凸部の前記基板の表面からの高さが前記反射溝保護用凸部の前記基板の表面からの高さよりも高いことを特徴とする付記5に記載の光デバイス。 (Additional remark 6) Between the electrical wiring for light receiving elements electrically connected to the said light receiving element, and the adhesion part by the said adhesive agent, the convex for wiring protection which prevents the said adhesive agent flowing out to the said electrical wiring for light receiving elements The light according to appendix 5, wherein the height of the wiring protection convex portion from the surface of the substrate is higher than the height of the reflective groove protective convex portion from the surface of the substrate. device.

(付記7)前記接着剤または前記反射溝保護用凸部の上で、前記受光素子にワイヤがワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする付記5または6に記載の光デバイス。 (Appendix 7) The optical device according to appendix 5 or 6, wherein a wire is connected to the light receiving element by wire bonding on the adhesive or the convex portion for protecting the reflection groove.

(付記8)前記受光素子は、前記基板にフリップチップボンディングによって固定されていることを特徴とする付記1乃至6のいずれか一つに記載の光デバイス。 (Supplementary note 8) The optical device according to any one of supplementary notes 1 to 6, wherein the light receiving element is fixed to the substrate by flip chip bonding.

(付記9)前記傾斜面は、前記基板の厚さ方向に対して5°以上20°以下の角度をなすことを特徴とする付記3に記載の光デバイス。 (Supplementary note 9) The optical device according to supplementary note 3, wherein the inclined surface forms an angle of 5 ° to 20 ° with respect to a thickness direction of the substrate.

(付記10)前記反射溝の底面に反射膜を有することを特徴とする付記1乃至9のいずれか一つに記載の光デバイス。 (Supplementary note 10) The optical device according to any one of supplementary notes 1 to 9, further comprising a reflective film on a bottom surface of the reflective groove.

(付記11)光を導く光導波路、及び前記光導波路から出射する光が底面で反射する反射溝、を有し、電気光学効果を有する基板と、前記反射溝の上で前記基板に固定される受光素子と、を備え、前記光導波路から前記反射溝内へ出射する光が、前記反射溝内の空間を通過する途中で前記反射溝の底面で反射して前記受光素子へ入射する光デバイスを製造するにあたって、前記基板に前記光導波路を形成し、前記光導波路の一部に前記反射溝を形成し、前記基板の表面に電極及び電気配線を形成し、前記基板を切断してチップにし、前記チップの前記反射溝の上に前記受光素子を固定し、前記受光素子と前記チップの受光素子用電気配線とを電気的に接続することを特徴とする光デバイスの製造方法。 (Additional remark 11) It has the optical waveguide which guides light, and the reflective groove which the light radiate | emitted from the said optical waveguide reflects on a bottom face, and is fixed to the said board | substrate on the said reflective groove on the board | substrate which has an electrooptic effect A light receiving element, and an optical device in which light emitted from the optical waveguide into the reflection groove is reflected on the bottom surface of the reflection groove while passing through the space in the reflection groove and is incident on the light reception element. In manufacturing, forming the optical waveguide in the substrate, forming the reflection groove in a part of the optical waveguide, forming electrodes and electrical wiring on the surface of the substrate, cutting the substrate into a chip, A method of manufacturing an optical device, comprising: fixing the light receiving element on the reflection groove of the chip, and electrically connecting the light receiving element and an electric wiring for the light receiving element of the chip.

(付記12)前記電極を形成するときに、前記反射溝の周囲に、前記基板に前記受光素子を固定する接着剤が、前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分へ流れ込むのを防ぐ反射溝保護用凸部を形成することを特徴とする付記11に記載の光デバイスの製造方法。 (Additional remark 12) When forming the said electrode, the adhesive agent which fixes the said light receiving element to the said board | substrate around the said reflection groove prevents flowing into the part which the said light passes in the space in the said reflection groove The method for manufacturing an optical device according to appendix 11, wherein a convex for protecting the reflection groove is formed.

(付記13)前記電極を形成する前に、前記電極の形成箇所に電極用下地を形成するとともに、前記反射溝の底面に反射膜を形成することを特徴とする付記11または12に記載の光デバイスの製造方法。 (Additional remark 13) Before forming the said electrode, while forming the base for electrodes in the formation location of the said electrode, a reflective film is formed in the bottom face of the said reflective groove | channel, The light of Additional remark 11 or 12 characterized by the above-mentioned Device manufacturing method.

1 基板
2 光導波路
3 反射溝
4 反射溝の底面
5 受光素子
6a 光導波路内を進んできた光
6b 反射溝内へ入射した光
6c 反射溝の底面で反射した光
6d 受光素子へ入射した光
7 反射溝内の空間
13 傾斜面
14 反射膜
16 接着剤
17,18 受光素子用電気配線
19 ワイヤ
21 反射溝保護用凸部
22 配線保護用凸部
36 電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Optical waveguide 3 Reflective groove 4 Bottom surface of reflective groove 5 Light receiving element 6a Light traveling in the optical waveguide 6b Light incident on the reflective groove 6c Light reflected on the bottom surface of the reflective groove 6d Light incident on the light receiving element 7 Space in reflection groove 13 Inclined surface 14 Reflective film 16 Adhesive 17, 18 Light-receiving element electrical wiring 19 Wire 21 Reflection groove protection convex portion 22 Wire protection convex portion 36 Electrode

Claims (6)

信号光とモニタ光に分岐される光導波路と、モニタ光の前記光導波路の途中位置に設けられ、当該光導波路から出射する光が底面で反射する反射溝、を有し、電気光学効果を有する基板と、
前記反射溝の上で前記基板に固定される受光素子と、
前記反射溝の周囲を囲むように所定高さを有する凸状に設けられ、当該凸面に前記受光素子が接して設けられ、前記基板に前記受光素子を固定する接着剤が、前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分へ流れ込むのを防ぐ反射溝保護用凸部と、を備え、
前記光導波路から前記反射溝内へ出射する光が、前記反射溝内の空間を通過する途中で前記反射溝の底面で反射して前記受光素子へ入射し、
前記反射溝保護用凸部の位置上で、前記受光素子にワイヤがワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする光デバイス。
An optical waveguide branched into signal light and monitor light, and a reflection groove that is provided in the middle of the optical waveguide of the monitor light and reflects the light emitted from the optical waveguide at the bottom surface, and has an electro-optic effect A substrate,
A light receiving element fixed to the substrate on the reflection groove;
Provided in a convex shape having a predetermined height so as to surround the periphery of the reflective groove, the light receiving element is provided in contact with the convex surface, and an adhesive for fixing the light receiving element to the substrate is provided in the reflective groove. A reflective groove protection convex portion for preventing the light from flowing into a portion through which light passes,
Light emitted from the optical waveguide into the reflection groove is reflected on the bottom surface of the reflection groove while passing through the space in the reflection groove, and enters the light receiving element.
An optical device, wherein a wire is connected to the light receiving element by wire bonding on the position of the reflection groove protecting convex portion.
前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分は、空気で満たされていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 1, wherein a portion through which the light passes in the space in the reflection groove is filled with air. 前記光導波路から光が出射する前記反射溝の端面は、前記光導波路から出射する光が前記反射溝の底面へ向かうように屈折させる傾斜面になっていることを特徴とする請求項1または2に記載の光デバイス。   The end surface of the reflection groove from which light is emitted from the optical waveguide is an inclined surface that refracts light emitted from the optical waveguide toward the bottom surface of the reflection groove. The optical device according to. 前記傾斜面は、前記基板の厚さ方向に対して、前記光導波路内を進む光が前記傾斜面で全反射する角度よりも小さい角度をなすことを特徴とする請求項3に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 3, wherein the inclined surface forms an angle smaller than an angle at which light traveling in the optical waveguide is totally reflected by the inclined surface with respect to a thickness direction of the substrate. . 前記受光素子に電気的に接続される受光素子用電気配線と前記接着剤による接着箇所との間に、前記接着剤が前記受光素子用電気配線へ流れ出すのを防ぐ配線保護用凸部を有し、
前記配線保護用凸部の前記基板の表面からの高さが前記反射溝保護用凸部の前記基板の表面からの高さよりも高いことを特徴とする請求項4に記載の光デバイス。
Between the electrical wiring for the light receiving element electrically connected to the light receiving element and the bonding location by the adhesive, the wiring protective convex portion for preventing the adhesive from flowing out to the electrical wiring for the light receiving element ,
5. The optical device according to claim 4, wherein the height of the wiring protecting convex portion from the surface of the substrate is higher than the height of the reflecting groove protecting convex portion from the surface of the substrate.
信号光とモニタ光に分岐される光導波路と、モニタ光の前記光導波路の途中位置に設けられ、当該光導波路から出射する光が底面で反射する反射溝、を有し、電気光学効果を有する基板と、前記反射溝の上で前記基板に固定される受光素子と、前記反射溝の周囲を囲むように設けられ、前記基板に前記受光素子を固定する接着剤が、前記反射溝内の空間において前記光が通過する部分へ流れ込むのを防ぐ反射溝保護用凸部と、を備え、前記光導波路から前記反射溝内へ出射する光が、前記反射溝内の空間を通過する途中で前記反射溝の底面で反射して前記受光素子へ入射する光デバイスを製造するにあたって、
前記基板に前記光導波路を形成し、
モニタ用の前記光導波路の途中位置に前記反射溝を形成し、
前記反射溝の周囲を囲むように所定高さを有する凸状に前記反射溝保護用凸部を形成し、
前記基板の表面に電極及び電気配線を形成し、
前記基板を切断してチップにし、
前記チップの前記反射溝の位置上に、前記反射溝用凸部の凸面に接するように、前記受光素子を固定し、
前記受光素子と前記チップの受光素子用電気配線とを電気的に接続し、
前記反射溝保護用凸部の位置上で、前記受光素子にワイヤをワイヤボンディングで接続することを特徴とする光デバイスの製造方法。
An optical waveguide branched into signal light and monitor light, and a reflection groove that is provided in the middle of the optical waveguide of the monitor light and reflects the light emitted from the optical waveguide at the bottom surface, and has an electro-optic effect A substrate, a light receiving element fixed to the substrate on the reflection groove, and an adhesive for fixing the light reception element to the substrate are provided in a space in the reflection groove. A projection for protecting the reflection groove that prevents the light from flowing into a portion through which the light passes, and the light emitted from the optical waveguide into the reflection groove is reflected in the middle of passing through the space in the reflection groove. In manufacturing an optical device that reflects on the bottom surface of the groove and enters the light receiving element,
Forming the optical waveguide on the substrate;
Forming the reflection groove in the middle of the optical waveguide for monitoring,
Forming the reflective groove protecting convex portion into a convex shape having a predetermined height so as to surround the reflective groove;
Forming electrodes and electrical wiring on the surface of the substrate;
Cutting the substrate into chips,
Fixing the light receiving element on the position of the reflective groove of the chip so as to contact the convex surface of the convex part for the reflective groove;
Electrically connecting the light receiving element and the electric wiring for the light receiving element of the chip;
A method of manufacturing an optical device, comprising: connecting a wire to the light receiving element by wire bonding on a position of the convex portion for protecting the reflection groove.
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