Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6422673B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6422673B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP6422673B2
JP6422673B2 JP2014113218A JP2014113218A JP6422673B2 JP 6422673 B2 JP6422673 B2 JP 6422673B2 JP 2014113218 A JP2014113218 A JP 2014113218A JP 2014113218 A JP2014113218 A JP 2014113218A JP 6422673 B2 JP6422673 B2 JP 6422673B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
mode
power saving
saving mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014113218A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015228410A (en
Inventor
友明 相原
友明 相原
修央 椋田
修央 椋田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2014113218A priority Critical patent/JP6422673B2/en
Publication of JP2015228410A publication Critical patent/JP2015228410A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6422673B2 publication Critical patent/JP6422673B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

この発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、OLED(有機エレクトロルミネッセンス)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, OLED (organic electroluminescence) substrates, optical disk substrates, and magnetic disk substrates. Substrates such as a substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, and a solar cell substrate are included.

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面を処理液で洗浄する処理などが行われる。基板処理装置は、基板を1枚ずつ処理する処理ユニットと、処理ユニットに対して処理液を供給する処理液供給装置とを含む。
下記特許文献1では、処理ユニット毎に省エネモードを設ける手法が開示されている。特許文献1では、復旧に必要な時間(復旧時間)が記憶されており、この復旧時間を見込んで復旧開始時刻を算出し、復旧開始時刻になると、対応する処理ユニットの復旧を開始している。
In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a treatment liquid is supplied to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel, and the surface of the substrate is washed with the treatment liquid. The substrate processing apparatus includes a processing unit that processes substrates one by one and a processing liquid supply device that supplies a processing liquid to the processing unit.
In the following Patent Document 1, a method of providing an energy saving mode for each processing unit is disclosed. In Patent Document 1, the time required for recovery (recovery time) is stored, and the recovery start time is calculated in consideration of this recovery time. When the recovery start time is reached, recovery of the corresponding processing unit is started. .

特許5091413号公報Japanese Patent No. 5091413

特許文献1の手法では、復旧時間を見込んで復旧開始時刻を算出しているため、処理ユニットの使用する時刻を把握する必要がある。
しかしながら、各処理ユニットに、基板が搬入されるタイミングが事前にわからないケースがある。また、複数の処理ユニットが同時稼働する装置等においては、ある特定の処理ユニットの稼働状況の変化が、別の処理ユニットの稼働状況の変化を生じさせる場合もありうる。こうした場合、相対的に算出した復旧開始時刻の信頼性が低下するおそれがある。
In the method of Patent Document 1, since the recovery start time is calculated in consideration of the recovery time, it is necessary to grasp the time used by the processing unit.
However, there is a case where the timing at which the substrate is carried into each processing unit is not known in advance. Further, in an apparatus or the like in which a plurality of processing units operate simultaneously, a change in the operating status of a specific processing unit may cause a change in the operating status of another processing unit. In such a case, there is a risk that the reliability of the relatively calculated recovery start time may be reduced.

また、特許文献1の手法では、算出した復旧開始時刻に基づいて、処理スケジュールを見直す必要がある。
いずれにしても、特許文献1の手法では、省用力モード(省エネモード)を好適に設けることができなかった。
そこで、この発明の目的は、省用力モードを好適に設けることができ、これにより、処理液供給装置で使用される用力の低減を図ることができる基板処理装置を提供することである。
In the method of Patent Document 1, it is necessary to review the processing schedule based on the calculated recovery start time.
In any case, the technique of Patent Document 1 cannot suitably provide the power saving mode (energy saving mode).
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can suitably provide a power saving mode, thereby reducing the power used in the processing liquid supply apparatus.

前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板(W)を保持する基板保持手段(63)と、前記基板保持手段に保持されている基板に対して処理液を吐出する処理液ノズル(64,65)と、前記処理液ノズルを、前記基板保持手段に保持されている基板の側方に位置するホーム位置と、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に位置する処理位置との間で移動させるためのノズル移動ユニット(75,77)とを有し、前記基板保持手段に保持されている基板に対して処理液を用いた処理を行うための処理ユニット(8)と、処理液を溜める処理液タンク(11,31)と、両端が前記処理液タンクに接続された循環配管(12,32)とを有し、前記処理液タンクと前記循環配管とを含む循環経路を循環する処理液を前記処理ユニットに供給する処理液供給装置(5,6)と、前記処理ユニットの所定の第2の機械動作をトリガーとして、前記処理液供給装置を、前記処理ユニットの処理液処理で使用可能な処理液を前記処理ユニットに供給可能なプロセスモードから前記プロセスモードよりも、前記循環経路を循環する処理液の温度および流量の少なくとも一方を所定の値に維持する用力の低減された省用力モードに切り換え、かつ前記処理ユニットの所定の第1の機械動作をトリガーとして、前記処理液供給装置を、前記省用力モードから前記プロセスモードに切り換えるモード切換え手段(7)と、前記第1の機械動作の後に、前記ノズル移動ユニットを制御して、前記ホーム位置から前記処理位置に向けて前記処理液ノズルを移動開始させるノズル移動制御手段(7)とを含み、前記省用力モードにおける前記所定の値が、前記ノズル移動ユニットにより前記処理液ノズルが前記処理位置に配置されるタイミングよりも前に、前記プロセスモード前記処理液供給装置復帰可能な状態となるように設定されている、基板処理装置(1)である。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means (63) for holding the substrate (W), and a processing liquid is discharged to the substrate held by the substrate holding means. A processing liquid nozzle (64, 65), and a position of the processing liquid nozzle positioned above the substrate held by the substrate holding means, and a home position positioned on the side of the substrate held by the substrate holding means. A processing unit for performing processing using a processing liquid on a substrate held by the substrate holding means. 8), a processing liquid tank (11, 31) for storing the processing liquid , and a circulation pipe (12, 32) having both ends connected to the processing liquid tank, and the processing liquid tank and the circulation pipe are connected to each other. a treatment liquid circulating in the circulation path including A serial processing process liquid supply apparatus which subjected the sheet to the unit (5,6), as a trigger a predetermined second machine operation of the processing unit, the processing liquid supply apparatus can be used in the processing liquid processing of the processing unit From the process mode capable of supplying a simple processing liquid to the processing unit, the power saving mode in which the power for maintaining at least one of the temperature and the flow rate of the processing liquid circulating in the circulation path at a predetermined value is reduced as compared with the process mode. And a mode switching means (7) for switching the processing liquid supply device from the power saving mode to the process mode using a predetermined first machine operation of the processing unit as a trigger, and the first machine operation After, the nozzle moving unit is controlled to start moving the processing liquid nozzle from the home position toward the processing position. And a turning control means (7), said predetermined value in the Ministry for force mode, before the timing of the treatment liquid nozzle is disposed in the processing position by the nozzle moving unit, said processing to said process mode is set to the liquid supply device so that the recoverable state, a substrate processing apparatus (1).

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、プロセスモードおよび省用力モードからの退避が、機械動作をトリガーとして行われる。すなわち、プロセスモードおよび省用力モードからの退避のための時刻を予め定めておく必要がない。したがって、移行時刻を定めることが困難な状況下において、プロセスモードおよび省用力モードからの退避を良好なタイミングで行うことができる。したがって、処理液供給装置に省用力モードを好適に設けることができ、これにより、処理液供給装置で使用される用力の低減を図ることができる。
In this section, the alphanumeric characters in parentheses represent reference signs of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited to the embodiments by these reference numerals.
According to this configuration, the evacuation from the process mode and the power saving mode is performed using the machine operation as a trigger. That is, it is not necessary to set in advance the time for evacuation from the process mode and the power saving mode. Therefore, in a situation where it is difficult to determine the transition time, it is possible to retreat from the process mode and the power saving mode with good timing. Therefore, it is possible to suitably provide a power saving mode in the processing liquid supply device, thereby reducing the power used in the processing liquid supply device.

すなわち、前記省用力モードに制御されている前記処理液供給装置の状態は、当該省用力モードの退避に続いて前記プロセスモードが実行されると仮定した場合に、前記処理液供給装置が前記処理液供給可能状態に短時間で復帰可能な(直ぐ戻れる)状態であ In other words , the state of the processing liquid supply apparatus that is controlled to the power saving mode assumes that the processing liquid supply apparatus performs the processing when the process mode is executed subsequent to the saving of the power saving mode. a short period of time (return immediately) that can be returned to the liquid can be supplied state situations that der.

また、第2の機械動作がトリガーとなって、プロセスモードから省用力モードに切り換えられる。また、第1の機械動作がトリガーとなって、省用力モードからプロセスモードに切り換えられる。省用力モードから回復モード等の中間モードを経ることなくプロセスモードに復帰するので、処理液供給装置を、処理液処理に使用可能な状態の処理液を直ちに処理ユニットに供給可能な状態に、短時間で復帰させることができる。 Also, the second machine operation is used as a trigger to switch from the process mode to the power saving mode. The first machine operation is a trigger to switch from the power saving mode to the process mode. Since the power saving mode returns to the process mode without passing through the intermediate mode such as the recovery mode, the processing liquid supply device can be changed to a state in which the processing liquid ready for processing liquid processing can be immediately supplied to the processing unit. It can be restored in time.

請求項に記載の発明は、前記処理液供給装置は、前記循環配管を流通する処理液を温度調整する温度調整機構(13,33)をさらに含み、前記省用力モードは、前記温度調整機構の電力消費量が前記プロセスモードよりも低減されているモードを含む、請求項1に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 2, wherein the process liquid supply apparatus, prior Symbol circulation pipe further includes a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the process liquid flowing through (13, 33), said Ministry for force mode, the temperature adjustment The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising a mode in which a power consumption of the mechanism is reduced as compared with the process mode.

この構成によれば、省用力モードは、循環配管を流通する処理液を温度調整する温度調整機構の電力消費量がプロセスモード中よりも低減されているモードである。したがって、省用力モードの実行によって、基板処理装置において電力消費量の低減を図ることができる。
なお、前記処理ユニットが複数設けられる場合には、複数の前記処理ユニットで循環配管が共用されていてもよい。
According to this configuration, the power saving mode is a mode in which the power consumption of the temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the processing liquid flowing through the circulation pipe is reduced compared to that in the process mode. Therefore, the power consumption can be reduced in the substrate processing apparatus by executing the power saving mode.
In the case where a plurality of the processing units are provided, a circulation pipe may be shared by the plurality of the processing units.

請求項に記載の発明は、前記処理液供給装置は、前記処理液タンクに溜められている処理液を、前記循環配管に送り出すポンプ(14)をさらに含み、前記省用力モードは、前記循環配管における処理液の循環流量が前記プロセスモードよりも低減されているモードを含む、請求項1または2に記載の基板処理装置である。 According to a third aspect of the present invention, the processing liquid supply device further includes a pump (14) for sending the processing liquid stored in the processing liquid tank to the circulation pipe , wherein the power saving mode is the circulation. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus includes a mode in which a circulation flow rate of the processing liquid in the pipe is reduced as compared with the process mode.

この構成によれば、省用力モードは、循環流量がプロセスモード中よりも低減されているモードである。したがって、省用力モードの実行によって、基板処理装置において駆動エアの用力の低減を図ることができる。このような省用力モードは、ポンプの駆動エアの削減を図るモードであ。より具体的には、処理液タンクに溜められている処理液を処理液供給配管に汲み出すポンプの駆動エア圧および/または駆動回数がプロセスモードよりも低減されているモードを例示することができる。 According to this configuration, the power saving mode is a mode in which the circulating flow rate is reduced as compared with that in the process mode. Therefore, by using the power saving mode, it is possible to reduce the driving air usage in the substrate processing apparatus. Such a saving for the force mode, Ru Oh in a mode to reduce the driving air of the pump. More specifically, it is possible to exemplify a mode in which the driving air pressure and / or the number of times of driving of the pump that pumps the processing liquid stored in the processing liquid tank to the processing liquid supply pipe is lower than the process mode. .

なお、前記処理ユニットが複数設けられる場合には、複数の前記処理ユニットで循環配管が共用されていてもよい。
請求項に記載のように、前記処理ユニットが、前記基板保持手段を収容するチャンバ(62)をさらに有し、前記第1の機械動作は、前記チャンバ内に基板を搬入する基板搬入動作であってもよい。
In the case where a plurality of the processing units are provided, a circulation pipe may be shared by the plurality of the processing units.
As described in claim 4, wherein the processing unit is pre SL has further Chang bus (62) for accommodating the substrate holding means, said first machine operation, the substrate carries the substrate into the chamber carrying It may be an action.

また、請求項に記載のように、前記チャンバは、前記基板保持手段を取り囲む側壁(61)と、前記側壁に形成された開口(67)であって前記基板を搬出入するための開口を閉塞するシャッタ(68)とを含み、前記基板搬入動作は、前記シャッタの開放動作である、請求項に記載の基板処理装置であってもよい。
さらに、請求項に記載のように、前記基板搬入動作は、前記基板保持手段による前記基板の保持動作であってもよい。
Further, as described in claim 5 , the chamber has a side wall (61) surrounding the substrate holding means and an opening (67) formed in the side wall for carrying the substrate in and out. The substrate processing apparatus according to claim 4 , further comprising: a shutter (68) that closes, wherein the substrate carry-in operation is an opening operation of the shutter.
Further, as described in claim 6 , the substrate carrying-in operation may be a holding operation of the substrate by the substrate holding means.

請求項に記載の発明は、前記第2の機械動作、前記処理位置からの前記処理液ノズルの退避動作であってもよい。 The invention according to claim 7, before Symbol second machine operation may be a retreating operation of the treatment liquid nozzle from the processing position.

請求項に記載の発明は、前記第1および/または第2の機械動作と、前記プロセスモードおよび/または前記省用力モードからの退避状況との対応関係を規定する機械動作−省用力モード対応テーブルを記憶するテーブル記憶部(53)を含み、前記モード切換え手段は、前記テーブル記憶部に記憶されている前記機械動作−省用力モード対応テーブルに基づいて、前記処理液供給装置の前記プロセスモードおよび/または前記省用力モードからの退避を制御する、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 8 is a machine operation-saving-power mode correspondence that defines a correspondence relationship between the first and / or second machine operation and the evacuation state from the process mode and / or the saving-power mode. table storage unit for storing a table comprises a (53), said mode switching means, the table storage unit to the stored previous SL machine械動work - on the basis of the saving for the power mode correspondence table, the said processing liquid supply unit controlling the evacuation from the process mode and / or the Ministry for force mode, a substrate processing apparatus according to any one of claims 1-7.

この構成によれば、記憶されているテーブル機械動作−省用力モード対応テーブルに基づいて、処理液供給装置の省用力モードからのプロセスモードおよび/または省用力モードからの退避が制御される。そのため、プロセスモードおよび/または省用力モードからの退避を、適切なタイミングで実行できる。
請求項に記載の発明は、前記プロセスモードおよび前記省用力モードは、省用力モードで低減すべき用力の対象に対応して、それぞれ複数設けられている、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, the process mode from the power saving mode and / or the saving from the power saving mode of the processing liquid supply device is controlled based on the stored table machine operation-saving power mode correspondence table. Therefore, evacuation from the process mode and / or the power saving mode can be executed at an appropriate timing.
The invention according to claim 9 is the method according to any one of claims 1 to 8 , wherein a plurality of the process mode and the power saving mode are provided corresponding to the targets of the power to be reduced in the power saving mode. The substrate processing apparatus according to the item.

この構成によれば、低減すべき用力の対象(たとえば温度調整機構の電力消費量、駆動エアの用力など)毎に、別個の省用力モードを実行させることができ、したがって、きめ細やかな省用力モードを実現できる。
請求項1に記載の発明は、前記処理液供給装置は、複数設けられており、各処理液供給装置に対応して、前記プロセスモードおよび前記省用力モードが設けられている、請求項1〜のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, it is possible to execute a separate power saving mode for each target of power to be reduced (for example, power consumption of the temperature adjustment mechanism, power of driving air, etc.), and thus fine power saving A mode can be realized.
The invention according to claim 1 0, wherein the process liquid supply apparatus is provided in plural, corresponding to the respective process liquid supply apparatus, said process mode and the Ministry for force mode is provided, according to claim 1 The substrate processing apparatus according to claim 9 .

この構成によれば、処理液供給装置毎に、別個の省用力モードを実行させることができる。この場合、省用力モードを処理液の種類に応じた内容に設けることができ、したがって、きめ細やかな省用力モードを実現できる。   According to this configuration, a separate power saving mode can be executed for each processing liquid supply apparatus. In this case, the power saving mode can be provided in accordance with the type of the processing liquid, and therefore a fine power saving mode can be realized.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 前記基板処理装置の図解的な側面図である。It is a schematic side view of the substrate processing apparatus. 前記基板処理装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows the structure of the said substrate processing apparatus typically. 前記基板処理装置の第1(第2)の温度調整機構の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the 1st (2nd) temperature adjustment mechanism of the said substrate processing apparatus. 前記第1(第2)の温度調整機構の第1(第2)の温度調整ユニットの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the 1st (2nd) temperature adjustment unit of the said 1st (2nd) temperature adjustment mechanism. 前記基板処理装置の処理ユニットの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the processing unit of the said substrate processing apparatus. 前記処理ユニットで実行される処理例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the example of a process performed with the said processing unit. 一方の処理ユニットで実行される処理例を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for explaining an example of processing performed by one processing unit. 他方の処理ユニットで実行される処理例を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating the example of a process performed with the other processing unit. モード切換えを説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating mode switching. 前記処理ユニットのシャッタの開制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the opening control of the shutter of the said processing unit. 前記処理ユニットのチャンバへの基板搬入制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of substrate carrying-in control to the chamber of the said processing unit. 前記処理ユニットの薬液ノズルの移動制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a movement control of the chemical | medical solution nozzle of the said processing unit. 前記処理ユニットのリンス液ノズルの移動制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the movement control of the rinse liquid nozzle of the said processing unit. 前記第1の処理液供給装置の薬液温度制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the chemical | medical solution temperature control of a said 1st process liquid supply apparatus. 図13に示す第1の省用力モードの流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the 1st power saving mode shown in FIG. 前記第1の処理液供給装置の薬液圧力制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the chemical | medical solution pressure control of a said 1st process liquid supply apparatus. 図15に示す第2の省用力モード(図21に示す第4の省用力モード)の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the 2nd power saving mode (4th power saving mode shown in FIG. 21) shown in FIG. 前記第2の省用力モード(前記第4の省用力モード)の開始時の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of the start of said 2nd power saving mode (4th power saving mode). 前記第2の省用力モード(前記第4の省用力モード)の退避時の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of retraction | saving of said 2nd power saving mode (said 4th power saving mode). 前記処理液供給装置のリンス液温度制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the rinse liquid temperature control of the said process liquid supply apparatus. 図19に示す第3の省用力モードの流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the 3rd power saving mode shown in FIG. 前記処理液供給装置のリンス液圧力制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the rinse liquid pressure control of the said process liquid supply apparatus. 変形例に係る第1(第3)の省用力モードの流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the 1st (3rd) power saving mode which concerns on a modification. 変形例に係る第2(第4)の省用力モードの流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the 2nd (4th) power saving mode which concerns on a modification. 図23に示す、変形例に係る第2(第4)の省用力モードの開始時の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of the start of the 2nd (4th) power saving mode which concerns on the modification shown in FIG. 図23に示す、変形例に係る第2(第4)の省用力モードの退避時の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of retraction | saving of the 2nd (4th) power saving mode which concerns on the modification shown in FIG.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図であり、図2はその図解的な側面図である。この基板処理装置は、インデクサセクション3と、処理セクション2とを含む。処理セクション2は、インデクサセクション3との間で基板Wを受け渡しするための受け渡しユニットPASSを備えている。インデクサセクション3は、未処理の基板Wを受け渡しユニットPASSに渡し、受け渡しユニットPASSから処理済みの基板Wを受け取る。処理セクション2は、受け渡しユニットPASSから未処理の基板Wを受け取って、その基板Wに対して、処理流体(処理液または処理ガス)を用いた処理を施す。そして、処理セクション2は、処理後の基板Wを受け渡しユニットPASSに渡す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic side view thereof. The substrate processing apparatus includes an indexer section 3 and a processing section 2. The processing section 2 includes a delivery unit PASS for delivering the substrate W to and from the indexer section 3. The indexer section 3 delivers the unprocessed substrate W to the delivery unit PASS and receives the processed substrate W from the delivery unit PASS. The processing section 2 receives an unprocessed substrate W from the delivery unit PASS and performs processing using the processing fluid (processing liquid or processing gas) on the substrate W. Then, the processing section 2 delivers the processed substrate W to the delivery unit PASS.

インデクサセクション3は、複数のステージST1〜ST4と、インデクサロボットIRとを含む。
ステージST1〜ST4は、複数枚の基板W(たとえば半導体ウエハ)を積層状態で収容した基板収容器Cをそれぞれ保持することができる基板収容器保持部である。基板収容器Cは、基板Wを密閉した状態で収納するFOUP(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)等であってもよい。たとえば、基板収容器CをステージST1〜ST4に載置したとき、基板収容器Cでは、水平姿勢の複数枚の基板Wが互いに間隔を開けて鉛直方向に積層された状態となる。
The indexer section 3 includes a plurality of stages ST1 to ST4 and an indexer robot IR.
Stages ST <b> 1 to ST <b> 4 are substrate container holders that can respectively hold a substrate container C that houses a plurality of substrates W (for example, semiconductor wafers) in a stacked state. The substrate container C may be a FOUP (Front Opening Unified Pod) that stores the substrate W in a sealed state, a SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod, an OC (Open Cassette), or the like. For example, when the substrate container C is placed on the stages ST <b> 1 to ST <b> 4, the substrate container C is in a state where a plurality of horizontal substrates W are stacked in the vertical direction with a space between each other.

図1および図2に示すように、インデクサロボットIRは、平面視U字状の2つのハンドHを備えている。各ハンドHは、基板Wを水平な姿勢で支持する。インデクサロボットIRは、ハンドHを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、インデクサロボットIRは、鉛直軸線まわりに回転(自転)することにより、ハンドHの向きを変更する。複数枚の基板Wを収容する複数の基板収容器Cは、水平な配列方向D1に配列されている。インデクサロボットIRは、配列方向D1に移動する。インデクサロボットIRは、いずれかのステージST1〜ST4に保持された任意の基板収容器Cおよび受け渡しユニットPASSにハンドHを対向させる。そして、インデクサロボットIRは、水平方向および鉛直方向のハンドHの移動によって、基板収容器Cから一枚の未処理基板WをハンドHで搬出して受け渡しユニットPASSに渡すように動作する。さらに、インデクサロボットIRは、水平方向および鉛直方向のハンドHの移動によって、受け渡しユニットPASSから一枚の処理済み基板WをハンドHで受け取って、いずれかのステージST1〜ST4に保持された基板収容器Cに収容するように動作する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the indexer robot IR includes two hands H having a U shape in plan view. Each hand H supports the substrate W in a horizontal posture. The indexer robot IR moves the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Further, the indexer robot IR changes the direction of the hand H by rotating (spinning) around the vertical axis. The plurality of substrate containers C that store the plurality of substrates W are arranged in the horizontal arrangement direction D1. The indexer robot IR moves in the arrangement direction D1. The indexer robot IR makes the hand H face the arbitrary substrate container C and the transfer unit PASS held on any of the stages ST1 to ST4. Then, the indexer robot IR operates to unload a single unprocessed substrate W from the substrate container C with the hand H and pass it to the delivery unit PASS by the movement of the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Further, the indexer robot IR receives one processed substrate W from the delivery unit PASS by the hand H by the movement of the hand H in the horizontal direction and the vertical direction, and accommodates the substrate held in any of the stages ST1 to ST4. It operates to be accommodated in the container C.

処理セクション2は、複数(この実施形態では8個)の処理ユニット81〜88(処理液ユニット8)と、主搬送ロボットCRと、前述の受け渡しユニットPASSとを含む。
処理ユニット81〜88は、この実施形態では、立体的に配置されている。より具体的には、二階建て構造をなすように複数の処理ユニット81〜88が配置されており、各階部分に4つの処理ユニットが配置されている。すなわち、一階部分に4つの処理ユニット81,83,85,87が配置され、二階部分に別の4つの処理ユニット82,84,86,88が配置されている。さらに具体的には、平面視において処理セクション2の中央に主搬送ロボットCRが配置されており、この主搬送ロボットCRとインデクサロボットIRとの間に受け渡しユニットPASSが配置されている。受け渡しユニットPASSを挟んで対向するように、2つの処理ユニット81,82を積層した第1の処理ユニット群G1と、別の2つの処理ユニット83,84を積層した第2の処理ユニット群G2とが配置されている。そして、第1の処理ユニット群G1に対してインデクサロボットIRから遠い側に隣接するように、2つの処理ユニット85,86を積層した第3の処理ユニット群G3が配置されている。同様に、第2の処理ユニット群G2に対してインデクサロボットIRから遠い側に隣接するように、2つの処理ユニット87,88を積層した第4の処理ユニット群G4が配置されている。第1〜第4の処理ユニット群G1〜G4によって、主搬送ロボットCRが取り囲まれている。
The processing section 2 includes a plurality (eight in this embodiment) of processing units 81 to 88 (processing liquid unit 8), the main transfer robot CR, and the above-described delivery unit PASS.
The processing units 81 to 88 are three-dimensionally arranged in this embodiment. More specifically, a plurality of processing units 81 to 88 are arranged so as to form a two-story structure, and four processing units are arranged on each floor portion. That is, four processing units 81, 83, 85, 87 are arranged on the first floor portion, and four other processing units 82, 84, 86, 88 are arranged on the second floor portion. More specifically, the main transfer robot CR is arranged at the center of the processing section 2 in plan view, and the transfer unit PASS is arranged between the main transfer robot CR and the indexer robot IR. A first processing unit group G1 in which two processing units 81 and 82 are stacked so as to face each other across the delivery unit PASS, and a second processing unit group G2 in which two other processing units 83 and 84 are stacked Is arranged. A third processing unit group G3 in which two processing units 85 and 86 are stacked is arranged so as to be adjacent to the first processing unit group G1 on the side far from the indexer robot IR. Similarly, a fourth processing unit group G4 in which two processing units 87 and 88 are stacked is arranged so as to be adjacent to the second processing unit group G2 on the side far from the indexer robot IR. The main transfer robot CR is surrounded by the first to fourth processing unit groups G1 to G4.

センターロボットCRは、インデクサロボットIRと同様、平面視U字状の2つのハンドHを備えている。各ハンドHは、基板Wを水平な姿勢で支持する。センターロボットCRは、ハンドHを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、センターロボットCRは、鉛直軸線まわりに回転(自転)することにより、ハンドHの向きを変更する。
センターロボットCRは、任意の処理ユニット8および受け渡しユニットPASSにハンドHを対向させる。そして、センターロボットCRは、水平方向および鉛直方向のハンドHの移動によって、主搬送ロボットCRは、受け渡しユニットPASSから未処理の一枚の基板WをハンドHで受け取り、その未処理の基板Wをいずれかの処理ユニット81〜88に搬入する。また、センターロボットCRは、水平方向および鉛直方向のハンドHの移動によって、処理ユニット81〜88で処理された処理済みの基板WをハンドHで受け取り、その基板Wを受け渡しユニットPASSに渡す。
As with the indexer robot IR, the center robot CR includes two hands H that are U-shaped in plan view. Each hand H supports the substrate W in a horizontal posture. The center robot CR moves the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Further, the center robot CR changes the direction of the hand H by rotating (spinning) around the vertical axis.
The center robot CR makes the hand H face the arbitrary processing unit 8 and the delivery unit PASS. Then, the center robot CR moves the hand H in the horizontal direction and the vertical direction, so that the main transfer robot CR receives the unprocessed substrate W from the delivery unit PASS with the hand H, and receives the unprocessed substrate W. Carry in one of the processing units 81-88. Further, the center robot CR receives the processed substrate W processed by the processing units 81 to 88 by the hand H by the movement of the hand H in the horizontal direction and the vertical direction, and transfers the substrate W to the transfer unit PASS.

図3は、基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。図4は、第1(第2)の温度調整機構13(33)の構成を模式的に示す図である。図5は、第1(第2)の温度調整機構13(33)の第1(第2)の温度調整ユニット25(45)の構成を模式的に示す断面図である。
処理ユニット81〜88は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットである。処理ユニット81〜88は、たとえば、1枚の基板Wを水平姿勢で保持して回転させるスピンチャック63(図7等参照)と、スピンチャック63に対して処理液(薬液またはリンス液)を供給する処理液ノズル64,65とをチャンバ62内に備えた、回転液処理ユニットである。
FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 1. FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of the first (second) temperature adjustment mechanism 13 (33). FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the first (second) temperature adjustment unit 25 (45) of the first (second) temperature adjustment mechanism 13 (33).
The processing units 81 to 88 are single wafer processing units that process the substrates W one by one. The processing units 81 to 88, for example, supply a processing solution (chemical solution or rinsing solution) to the spin chuck 63 (see FIG. 7 and the like) that holds and rotates one substrate W in a horizontal posture, and the spin chuck 63. This is a rotating liquid processing unit provided with processing liquid nozzles 64 and 65 in the chamber 62.

図3に示すように、基板処理装置1は、第1の処理液供給装置5と、第2の処理液供給装置6と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉などを制御する制御装置7とをさらに含む。第1の処理液供給装置5は、温度調整された薬液を処理液として処理セクション2に供給するものである。第2の処理液供給装置6は、温度調整されたリンスを処理液として処理セクション2に供給するものである。図3では、第1および第2の処理液供給装置5,6が、処理ユニット群G1〜G4毎に1つずつ設けられている場合を実線で示す。なお、図3の実線では、第1の処理ユニット群G1に含まれる処理ユニット81,82、ならびに第1の処理ユニット群G1に対応する第1および2の処理液供給装置5,6のみを図示している。以下の説明では、第1の処理ユニット群G1に対応する第1および2の処理液供給装置5,6を例に挙げて説明し、他の処理ユニット群G2〜G4に対応する処理液供給装置5,6についての説明を割愛する。   As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 performs operations of the first processing liquid supply apparatus 5, the second processing liquid supply apparatus 6, the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1, and opening / closing of valves. And a control device 7 for controlling. The first processing liquid supply device 5 supplies the temperature-adjusted chemical liquid to the processing section 2 as a processing liquid. The second processing liquid supply device 6 supplies the temperature adjusted rinse to the processing section 2 as a processing liquid. In FIG. 3, the case where the 1st and 2nd process liquid supply apparatuses 5 and 6 are provided for every process unit group G1-G4 is shown as a continuous line. 3, only the processing units 81 and 82 included in the first processing unit group G1 and the first and second processing liquid supply devices 5 and 6 corresponding to the first processing unit group G1 are illustrated. Show. In the following description, the first and second processing liquid supply devices 5 and 6 corresponding to the first processing unit group G1 will be described as an example, and the processing liquid supply devices corresponding to the other processing unit groups G2 to G4 will be described. The explanation about 5 and 6 is omitted.

第1の処理液供給装置5は、薬液を溜めるための薬液タンク11と、薬液タンク11に溜められている薬液を、第1の処理ユニット群G1に含まれる複数の処理ユニット8へと薬液を導くための第1の循環配管12とを含み、第1の循環配管12内で薬液を循環させて、第1の循環配管12内で内を流通する薬液を所望の温度に保持している。
第1の循環配管12は、その両端が薬液タンク11に接続されている。第1の循環配管12には、薬液流通方向に沿って、薬液タンク11側から順に、第1の温度調整機構13、第1のポンプ14、第1の循環バルブ15、第1のレギュレータ16および第1の帰還バルブ17が介装されている。第1の温度調整機構13は、第1の循環配管12を流通する薬液を加熱または冷却して、所望の温度に温度調整する。第1のポンプ14は、薬液タンク11から薬液を汲み出して第1の循環配管12に送り込む。第1のポンプ14は常時駆動されており、薬液タンク11内の薬液が常時汲み出されている。薬液は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえばTMAHなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。
The first processing liquid supply device 5 stores a chemical liquid tank 11 for storing the chemical liquid and the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 11 to the plurality of processing units 8 included in the first processing unit group G1. And a first circulation pipe 12 for guiding, the chemical liquid is circulated in the first circulation pipe 12, and the chemical liquid flowing through the first circulation pipe 12 is maintained at a desired temperature.
Both ends of the first circulation pipe 12 are connected to the chemical tank 11. In the first circulation pipe 12, a first temperature adjusting mechanism 13, a first pump 14, a first circulation valve 15, a first regulator 16, A first feedback valve 17 is interposed. The 1st temperature adjustment mechanism 13 heats or cools the chemical | medical solution which distribute | circulates the 1st circulation piping 12, and adjusts temperature to desired temperature. The first pump 14 pumps the chemical solution from the chemical solution tank 11 and sends it to the first circulation pipe 12. The first pump 14 is always driven, and the chemical solution in the chemical solution tank 11 is constantly pumped out. Chemical solution is hydrofluoric acid, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acid (eg citric acid, oxalic acid), organic alkali (eg TMAH), surfactant, corrosion prevention It may be a liquid containing at least one of the agents.

図4に示すように、第1の温度調整機構13は、第1の温度調整ユニット25と、第1の温度調整ユニット25によって加熱または冷却された薬液の温度を計測するための第1の温度計26と、第1の温度計26による計測温度に基づいて、第1の温度調整ユニット25の温度をPID制御する第1の温度制御部27とを含む。第1の温度制御部27は、たとえばリレー回路等によって設けられている。第1の温度制御部27には、制御装置7から設定温度(目標温度)が付与されており、第1の温度制御部27は、制御対象である第1の温度調整ユニット25(温度調整モジュール29A,29B)の温度が、設定温度になるようにPID制御する。   As shown in FIG. 4, the first temperature adjustment mechanism 13 includes a first temperature adjustment unit 25 and a first temperature for measuring the temperature of the chemical liquid heated or cooled by the first temperature adjustment unit 25. And a first temperature control unit 27 that PID-controls the temperature of the first temperature adjustment unit 25 based on the temperature measured by the first thermometer 26. The first temperature control unit 27 is provided by, for example, a relay circuit. The first temperature control unit 27 is given a set temperature (target temperature) from the control device 7, and the first temperature control unit 27 includes a first temperature adjustment unit 25 (temperature adjustment module) that is a control target. PID control is performed so that the temperature of 29A, 29B) becomes the set temperature.

図5に示すように、第1の温度調整ユニット25は、薬液を加熱または冷却するユニット(この実施形態では、「加熱」)である。第1の温度調整ユニット25は2台の温度調整単位ユニット26A,26Bを、薬液流通方向に繋げて構成されている。各温度調整単位ユニット26A,26Bは、箱体からなるハウジング27A,27Bを有している。各ハウジング27A,27B内には、薬液が流通する薬液流通空間28A,28Bが区画形成されている。各薬液流通空間28A,28Bには、温度調整モジュール29A,29Bが3個ずつ設けられている。すなわち、第1の温度調整ユニット25は、6個の温度調整モジュール29A,29Bを有している。   As shown in FIG. 5, the first temperature adjustment unit 25 is a unit (in this embodiment, “heating”) for heating or cooling the chemical solution. The first temperature adjustment unit 25 is configured by connecting two temperature adjustment unit units 26A and 26B in the chemical solution distribution direction. Each temperature adjustment unit 26A, 26B has a housing 27A, 27B made of a box. In each of the housings 27A and 27B, chemical solution distribution spaces 28A and 28B through which the chemical solution flows are defined. Three temperature adjustment modules 29A and 29B are provided in each chemical solution distribution space 28A and 28B. In other words, the first temperature adjustment unit 25 has six temperature adjustment modules 29A and 29B.

第1のポンプ14として、たとえばベローズポンプが採用されている。ベローズポンプは、シリンダ(図示しない)と、シリンダ内に往復移動可能に設けられた移動部材(図示しない)と、一端がシリンダに対して固定され、他端が移動部材に固定されたベローズ(図示しない)とを含む。シリンダ内は、ベローズによって、移動部材を往復移動させるためのエアが供給されるエア室(図示しない)と、移動部材の往復移動に伴って薬液が流出入する薬液室(図示しない)とが形成されている。移動部材が一方向に移動し、薬液室の容積が拡大すると、薬液タンク11からの薬液が薬液室内に吸い込まれる。この状態から、エア室に供給されるエアの圧力により、移動部材が他方向に移動し、薬液室の容積が縮小すると、薬液室内から薬液が送り出される。ベローズポンプは公知の構成(たとえば特開平11−174271号公報参照)であり、詳細な説明は省略する。   For example, a bellows pump is employed as the first pump 14. The bellows pump includes a cylinder (not shown), a moving member (not shown) provided in the cylinder so as to be capable of reciprocating movement, and a bellows (not shown) having one end fixed to the cylinder and the other end fixed to the moving member. Not). In the cylinder, an air chamber (not shown) to which air for reciprocating the moving member is supplied by a bellows and a chemical chamber (not shown) into which chemical liquid flows in and out as the moving member reciprocates are formed. Has been. When the moving member moves in one direction and the volume of the chemical solution chamber is increased, the chemical solution from the chemical solution tank 11 is sucked into the chemical solution chamber. From this state, when the moving member moves in the other direction by the pressure of the air supplied to the air chamber and the volume of the chemical solution chamber is reduced, the chemical solution is sent out from the chemical solution chamber. The bellows pump has a known configuration (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-174271), and detailed description thereof is omitted.

第1のポンプ14には、第1のポンプ14を駆動するための第1の駆動制御弁21が接続されている。第1の駆動制御弁21は、たとえば電磁弁によって構成されており、ベローズポンプからなる第1のポンプ14のエア室に供給/停止を制御するとともにエアの供給流量を制御して、第1のポンプ14の駆動エア圧(駆動エア圧)を制御する。
第1の循環配管12において、第1の循環バルブ15と第1のレギュレータ16との間には、処理ユニット群G1に含まれる処理ユニット8の個数に応じた本数(図3では2本)の第1の分岐配管18が分岐接続されている。各第1の分岐配管18の先端には、薬液ノズル64が取り付けられている。各第1の分岐配管18の途中部には、第1の分岐配管18を開閉するための薬液バルブ19が接続されている。
A first drive control valve 21 for driving the first pump 14 is connected to the first pump 14. The first drive control valve 21 is constituted by, for example, an electromagnetic valve, and controls the supply / stop of the air chamber of the first pump 14 formed of a bellows pump and the air supply flow rate to control the first drive control valve 21. The drive air pressure (drive air pressure) of the pump 14 is controlled.
In the first circulation pipe 12, between the first circulation valve 15 and the first regulator 16, a number corresponding to the number of processing units 8 included in the processing unit group G1 (two in FIG. 3). A first branch pipe 18 is branched and connected. A chemical nozzle 64 is attached to the tip of each first branch pipe 18. A chemical solution valve 19 for opening and closing the first branch pipe 18 is connected to a middle portion of each first branch pipe 18.

第1の処理液供給装置5は、第1の循環配管12の内部の圧力を計測するための第1の圧力計20をさらに含む。図3では、第1の圧力計20による計測位置を、第1の循環配管12において第1の分岐配管18の分岐位置18Aと第1のレギュレータ16との間の部分としているが、第1の圧力計20による計測位置は、第1の循環配管12の他の部分であってもよい。第1のレギュレータ16および第1の圧力計20は、第1の循環配管12の、後述する背圧制御に用いられる。   The first processing liquid supply device 5 further includes a first pressure gauge 20 for measuring the pressure inside the first circulation pipe 12. In FIG. 3, the measurement position by the first pressure gauge 20 is a portion between the branch position 18 </ b> A of the first branch pipe 18 and the first regulator 16 in the first circulation pipe 12. The measurement position by the pressure gauge 20 may be another part of the first circulation pipe 12. The first regulator 16 and the first pressure gauge 20 are used for back pressure control, which will be described later, of the first circulation pipe 12.

基板処理装置1の稼働時には、第1のポンプ14は常時駆動状態にある。この状態において、第1の循環バルブ15が開かれると、薬液タンク11から汲み出されて、第1の循環配管12に送り込まれた薬液が、第1の循環配管12を流通する。この場合において、全ての処理ユニット8に対応する薬液バルブ19が閉じられており、かつ第1の帰還バルブ17が開かれた状態では、第1の循環配管12を薬液が循環する。すなわち、薬液タンク11から汲み出された薬液は、第1の温度調整機構13、第1の循環バルブ15、および第1の第1の帰還バルブ17を通って、薬液タンク11に帰還する。   When the substrate processing apparatus 1 is in operation, the first pump 14 is always driven. In this state, when the first circulation valve 15 is opened, the chemical liquid drawn out from the chemical tank 11 and sent to the first circulation pipe 12 flows through the first circulation pipe 12. In this case, when the chemical liquid valves 19 corresponding to all the processing units 8 are closed and the first feedback valve 17 is opened, the chemical liquid circulates through the first circulation pipe 12. That is, the chemical liquid drawn out from the chemical liquid tank 11 returns to the chemical liquid tank 11 through the first temperature adjustment mechanism 13, the first circulation valve 15, and the first first feedback valve 17.

一方、第1のポンプ14が駆動され、かつ第1の循環バルブ15が開かれている状態において、第1の帰還バルブ17が閉じられると共に、ある処理ユニット8の薬液バルブ19が開かれると、薬液タンク11から汲み出された薬液が、第1の温度調整機構13、第1の循環バルブ15、第1の分岐配管18、および薬液バルブ19を通って薬液ノズル64に供給され、薬液ノズル64から薬液が吐出される。   On the other hand, when the first pump 14 is driven and the first circulation valve 15 is opened, the first feedback valve 17 is closed and the chemical valve 19 of a certain processing unit 8 is opened. The chemical liquid pumped from the chemical liquid tank 11 is supplied to the chemical liquid nozzle 64 through the first temperature adjustment mechanism 13, the first circulation valve 15, the first branch pipe 18, and the chemical liquid valve 19, and the chemical liquid nozzle 64. The chemical solution is discharged from.

薬液タンク11には、溜められている薬液の液位を計測するための第1の液位センサ22が設けられている。薬液タンク11には、薬液新液を補充するための新液補充管23が接続されている。第1の液位センサ22による薬液の液位の計測値が基準値以下になったときに、薬液タンク11への新液の補充が行われる。
第1の処理液供給装置5には、第1の省用力モードおよび第2の省用力モードが用意されている。第1の省用力モードは、第1の温度調整機構13の電力消費量が、薬液処理時よりも低減されているモードである。第1の処理液供給装置5には、第1のポンプ14における駆動エアの消費量に関するモードとして、第1の省用力モードと、薬液処理時の実行モードである第1のプロセスモードとの2つが用意されている。そのため、第1の省用力モードの非実行時には、第1のプロセスモードが実行される。
The chemical liquid tank 11 is provided with a first liquid level sensor 22 for measuring the liquid level of the stored chemical liquid. The chemical solution tank 11 is connected to a new solution replenishing pipe 23 for replenishing the chemical solution new solution. When the measured value of the liquid level of the chemical liquid by the first liquid level sensor 22 becomes equal to or less than the reference value, the chemical liquid tank 11 is replenished with a new liquid.
The first processing liquid supply device 5 is provided with a first power saving mode and a second power saving mode. The first power saving mode is a mode in which the power consumption of the first temperature adjustment mechanism 13 is reduced as compared with the time of chemical treatment. The first processing liquid supply device 5 includes a first power-saving mode and a first process mode that is an execution mode during chemical processing, as modes relating to consumption of driving air in the first pump 14. One is prepared. Therefore, the first process mode is executed when the first power saving mode is not executed.

第2の省用力モードは、第1のポンプ14における駆動エアの消費量が薬液処理時よりも低減されているモード、換言すると、第1の循環配管12における薬液の循環流量が、薬液処理時よりも低減されているモードである。第1の処理液供給装置5には、第1のポンプ14における駆動エアの消費量に関するモードとして、第2の省用力モードと、薬液処理時の実行モードである第2のプロセスモードとの2つが用意されている。そのため、第2の省用力モードの非実行時には、第2のプロセスモードが実行される。   The second power-saving mode is a mode in which the consumption amount of driving air in the first pump 14 is reduced as compared with the time of chemical processing, in other words, the circulation flow rate of the chemical in the first circulation pipe 12 is the time of chemical processing. It is a mode that has been reduced more. The first processing liquid supply device 5 includes a second power-saving mode and a second process mode that is an execution mode during chemical processing as modes relating to consumption of driving air in the first pump 14. One is prepared. Therefore, when the second power saving mode is not executed, the second process mode is executed.

第2の処理液供給装置6は、リンス液を溜めるためのリンス液タンク31と、リンス液タンク31に溜められているリンス液を、第1の処理ユニット群G1に含まれる複数の処理ユニット8へとリンス液を導くための第2の循環配管32とを含み、第2の循環配管32内でリンス液を循環させて、第2の循環配管32内で内を流通するリンス液を所望の温度に保持している。リンス液としては、DIW(脱イオン水)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水、還元水(水素水)、脱気水を含んでいてもよい。   The second processing liquid supply device 6 includes a rinsing liquid tank 31 for storing a rinsing liquid, and a plurality of processing units 8 included in the first processing unit group G1. And a second circulation pipe 32 for guiding the rinse liquid into the second circulation pipe 32. The rinse liquid is circulated in the second circulation pipe 32 so that the rinse liquid flowing through the second circulation pipe 32 is desired. Hold at temperature. The rinsing liquid includes DIW (deionized water), carbonated water, electrolytic ion water, ozone water, diluted hydrochloric acid water (for example, about 10 to 100 ppm), reduced water (hydrogen water), and deaerated water. Also good.

第2の循環配管32は、その両端がリンス液タンク31に接続されている。第2の循環配管32には、リンス液流通方向に沿って、リンス液タンク31側から順に、第2の温度調整機構33、第2のポンプ34、第2の循環バルブ35、第2のレギュレータ36および第2の帰還バルブ37が介装されている。第2の温度調整機構33は、第2の循環配管32を流通するリンス液を加熱または冷却して、所望の温度に温度調整する。第2のポンプ34は、リンス液タンク31からリンス液を汲み出して第2の循環配管32に送り込む。第2のポンプ34は常時駆動されており、リンス液タンク31内のリンス液が常時汲み出されている。   Both ends of the second circulation pipe 32 are connected to the rinse liquid tank 31. In the second circulation pipe 32, a second temperature adjustment mechanism 33, a second pump 34, a second circulation valve 35, and a second regulator are arranged in order from the rinse liquid tank 31 side along the rinse liquid flow direction. 36 and a second feedback valve 37 are interposed. The second temperature adjustment mechanism 33 heats or cools the rinse liquid flowing through the second circulation pipe 32 to adjust the temperature to a desired temperature. The second pump 34 pumps the rinse liquid from the rinse liquid tank 31 and sends it to the second circulation pipe 32. The second pump 34 is always driven, and the rinse liquid in the rinse liquid tank 31 is constantly pumped out.

図4に示すように、第2の温度調整機構33は、第2の温度調整ユニット45と、第2の温度調整ユニット45によって加熱または冷却されたリンス液の温度を計測するための第2の温度計46と、第2の温度計46による計測温度に基づいて、第2の温度調整ユニット45の温度をPID制御する第2の設定温度制御部47とを含む。第2の設定温度制御部47は、たとえばリレー回路等によって設けられている。第2の設定温度制御部47には、制御装置7から設定温度(目標温度)が付与されており、第2の設定温度制御部47は、制御対象である第2の温度調整ユニット45(温度調整モジュール49A,49B)の温度が、設定温度になるようにPID制御する。   As shown in FIG. 4, the second temperature adjusting mechanism 33 includes a second temperature adjusting unit 45 and a second temperature measuring unit 45 for measuring the temperature of the rinse liquid heated or cooled by the second temperature adjusting unit 45. A thermometer 46 and a second set temperature controller 47 that performs PID control of the temperature of the second temperature adjustment unit 45 based on the temperature measured by the second thermometer 46 are included. The second set temperature control unit 47 is provided by, for example, a relay circuit. The second set temperature control unit 47 is provided with a set temperature (target temperature) from the control device 7, and the second set temperature control unit 47 is controlled by the second temperature adjustment unit 45 (temperature). PID control is performed so that the temperature of the adjustment modules 49A and 49B) becomes the set temperature.

図5に示すように、第2の温度調整ユニット45は、リンス液を加熱または冷却するユニット(この実施形態では、「加熱」)である。第2の温度調整ユニット45は2台の温度調整単位ユニット46A,46Bを、リンス液流通方向に繋げて構成されている。各温度調整単位ユニット46A,46Bは、箱体からなるハウジング47A,47Bを有している。各ハウジング47A,47B内には、リンス液が流通するリンス液流通空間48A,48Bが区画形成されている。各リンス液流通空間48A,48Bには、温度調整モジュール49A,49Bが3個ずつ設けられている。すなわち、第2の温度調整ユニット45は、6個の温度調整モジュール49A,49Bを有している。   As shown in FIG. 5, the second temperature adjustment unit 45 is a unit (in this embodiment, “heating”) for heating or cooling the rinse liquid. The second temperature adjustment unit 45 is configured by connecting two temperature adjustment unit units 46A and 46B in the rinsing liquid flow direction. Each temperature adjustment unit 46A, 46B has a housing 47A, 47B made of a box. Rinse liquid circulation spaces 48A and 48B through which the rinse liquid flows are defined in the housings 47A and 47B. Three temperature adjustment modules 49A and 49B are provided in each of the rinse liquid circulation spaces 48A and 48B. In other words, the second temperature adjustment unit 45 has six temperature adjustment modules 49A and 49B.

第2のポンプ34として、たとえば、第1のポンプ14と同等のベローズポンプが採用されている。第2のポンプ34には、第2のポンプ34を駆動するための第2の駆動制御弁41が接続されている。第2の駆動制御弁41は、たとえば電磁弁によって構成されており、ベローズポンプからなる第2のポンプ34のエア室に供給/停止を制御するとともにエアの供給流量を制御して、第2のポンプ34の駆動エア圧(駆動エア圧)を制御する。   For example, a bellows pump equivalent to the first pump 14 is employed as the second pump 34. A second drive control valve 41 for driving the second pump 34 is connected to the second pump 34. The second drive control valve 41 is constituted by, for example, an electromagnetic valve, and controls the supply / stop of the air chamber of the second pump 34 formed of a bellows pump and the air supply flow rate to control the second drive control valve 41. The drive air pressure (drive air pressure) of the pump 34 is controlled.

第2の循環配管32において、第2の循環バルブ35と第2のレギュレータ36との間には、処理ユニット群G1に含まれる処理ユニット8の個数に応じた本数(図3では2本)の第2の分岐配管38が分岐接続されている。各第2の分岐配管38の先端には、リンス液ノズル65が取り付けられている。各第2の分岐配管38の途中部には、第2の分岐配管38を開閉するためのリンス液バルブ39が接続されている。   In the second circulation pipe 32, between the second circulation valve 35 and the second regulator 36, the number corresponding to the number of the processing units 8 included in the processing unit group G1 (two in FIG. 3). A second branch pipe 38 is branched and connected. A rinse liquid nozzle 65 is attached to the tip of each second branch pipe 38. A rinsing liquid valve 39 for opening and closing the second branch pipe 38 is connected to an intermediate portion of each second branch pipe 38.

第2の処理液供給装置6は、第2の循環配管32の内部の圧力を計測するための第2の圧力計40をさらに含む。図3では、第2の圧力計40による計測位置を、第2の循環配管32において第2の分岐配管38の分岐位置38Aと第2のレギュレータ36との間の部分としているが、第2の圧力計40による計測位置は、第2の循環配管32の他の部分であってもよい。第2のレギュレータ36および第2の圧力計40は、第2の循環配管32の、後述する背圧制御に用いられる。   The second processing liquid supply device 6 further includes a second pressure gauge 40 for measuring the pressure inside the second circulation pipe 32. In FIG. 3, the measurement position by the second pressure gauge 40 is a portion between the branch position 38 </ b> A of the second branch pipe 38 and the second regulator 36 in the second circulation pipe 32. The measurement position by the pressure gauge 40 may be another part of the second circulation pipe 32. The second regulator 36 and the second pressure gauge 40 are used for back pressure control, which will be described later, of the second circulation pipe 32.

基板処理装置1の稼働時には、第2のポンプ34は常時駆動状態にある。この状態において、第2の循環バルブ35が開かれると、リンス液タンク31から汲み出されて、第2の循環配管32に送り込まれたリンス液が、第2の循環配管32を流通する。この場合において、全ての処理ユニット8に対応するリンス液バルブ39が閉じられており、かつ第2の帰還バルブ37が開かれた状態では、第2の循環配管32をリンス液が循環する。すなわち、リンス液タンク31から汲み出されたリンス液は、第2の温度調整機構33、第2の循環バルブ35、および第2の帰還バルブ37を通って、リンス液タンク31に帰還する。   When the substrate processing apparatus 1 is in operation, the second pump 34 is always driven. In this state, when the second circulation valve 35 is opened, the rinse liquid pumped out from the rinse liquid tank 31 and sent to the second circulation pipe 32 flows through the second circulation pipe 32. In this case, the rinse liquid circulates through the second circulation pipe 32 in a state where the rinse liquid valves 39 corresponding to all the processing units 8 are closed and the second feedback valve 37 is opened. That is, the rinse liquid pumped from the rinse liquid tank 31 returns to the rinse liquid tank 31 through the second temperature adjustment mechanism 33, the second circulation valve 35, and the second feedback valve 37.

一方、第2のポンプ34が駆動され、かつ第2の循環バルブ35が開かれている状態において、第2の帰還バルブ37が閉じられると共に、ある処理ユニット8のリンス液バルブ39が開かれると、リンス液タンク31から汲み出されたリンス液が、第2の温度調整機構33、第2の循環バルブ35、第2の分岐配管38、およびリンス液バルブ39を通ってリンス液ノズル65に供給され、リンス液ノズル65からリンス液が吐出される。   On the other hand, when the second pump 34 is driven and the second circulation valve 35 is opened, the second feedback valve 37 is closed and the rinse liquid valve 39 of a certain processing unit 8 is opened. The rinse liquid pumped from the rinse liquid tank 31 is supplied to the rinse liquid nozzle 65 through the second temperature adjusting mechanism 33, the second circulation valve 35, the second branch pipe 38, and the rinse liquid valve 39. Then, the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 65.

リンス液タンク31には、溜められているリンス液の液位を計測するための第2の液位センサ42が設けられている。リンス液タンク31には、リンス液を補充するためのリンス液補充管43が接続されている。第2の液位センサ42によるリンス液の液位の計測値が基準値以下になったときに、リンス液タンク31への新液の補充が行われる。
第2の処理液供給装置6には、第3の省用力モードおよび第4の省用力モードが用意されている。第3の省用力モードは、第2の温度調整機構33の電力消費量が、リンス処理時よりも低減されているモードである。第2の処理液供給装置6には、第2の温度調整機構33の電力消費量に関するモードとして、第3の省用力モードと、リンス処理時の実行モードである第3のプロセスモードとの2つが用意されている。そのため、第3の省用力モードの非実行時には、第3のプロセスモードが実行される。
The rinse liquid tank 31 is provided with a second liquid level sensor 42 for measuring the liquid level of the accumulated rinse liquid. A rinse liquid replenishment pipe 43 for replenishing the rinse liquid is connected to the rinse liquid tank 31. When the measured value of the liquid level of the rinse liquid by the second liquid level sensor 42 becomes equal to or lower than the reference value, the new liquid is replenished to the rinse liquid tank 31.
The second processing liquid supply device 6 is provided with a third power saving mode and a fourth power saving mode. The third power saving mode is a mode in which the power consumption of the second temperature adjustment mechanism 33 is reduced as compared with the rinse process. The second processing liquid supply device 6 includes a second power saving mode and a third process mode that is an execution mode during the rinsing process as modes relating to the power consumption of the second temperature adjustment mechanism 33. One is prepared. Therefore, when the third power saving mode is not executed, the third process mode is executed.

第4の省用力モードは、第2のポンプ34における駆動エアの消費量がリンス処理時よりも低減されているモード、換言すると、第2の循環配管32におけるリンス液の循環流量が、リンス処理時よりも低減されているモードである。第2の処理液供給装置6には、第2の温度調整機構33の電力消費量に関するモードとして、第4の省用力モードと、リンス液処理時の実行モードである第4のプロセスモードとの2つが用意されている。そのため、第4の省用力モードの非実行時には、第4のプロセスモードが実行される。第1〜第4の省用力モード間に因果関係はなく、第1〜第4の省用力モードは、互いに独立して実行される。   The fourth power saving mode is a mode in which the consumption amount of driving air in the second pump 34 is reduced as compared with the time of the rinsing process, in other words, the circulation flow rate of the rinsing liquid in the second circulation pipe 32 is It is a mode that is reduced from the time. The second processing liquid supply device 6 includes a fourth power saving mode and a fourth process mode that is an execution mode during the rinsing liquid processing, as modes relating to the power consumption of the second temperature adjustment mechanism 33. Two are available. Therefore, when the fourth power saving mode is not executed, the fourth process mode is executed. There is no causal relationship between the first to fourth power saving modes, and the first to fourth power saving modes are executed independently of each other.

なお、第1および第2の処理液供給装置5,6が、処理ユニット群G1〜G4毎に1つずつ設けられている場合を例に挙げて説明したが、第1および第2の処理液供給装置5,6の循環経路(タンク11,31と、循環配管12,32と、循環配管12,32に介装されている機能部材13〜17,33〜37)の一部分を複数の処理ユニット群G1〜G4で共用し、前記の循環経路の他の部分については、処理ユニット群G1〜G4に設けるようしてもよい。   In addition, although the case where the 1st and 2nd process liquid supply apparatuses 5 and 6 were each provided for every process unit group G1-G4 was mentioned as an example, the 1st and 2nd process liquid was demonstrated. A part of the circulation path (tanks 11 and 31, circulation pipes 12 and 32, and functional members 13 to 17 and 33 to 37 interposed in the circulation pipes 12 and 32) of the supply devices 5 and 6 is a plurality of processing units. It may be shared by the groups G1 to G4, and other parts of the circulation path may be provided in the processing unit groups G1 to G4.

具体的には、第1の処理液供給装置5の第1の循環配管12において、図3に破線で示すように、第1のポンプ14と第1の循環バルブ15との間の位置と、第1のレギュレータ16と第1の帰還バルブ17との間の位置とを接続する第1の循環バイパス配管24が設けられている。第1の循環バイパス配管24は、第2〜第4の処理ユニット群G2〜G4に対して1本ずつ、合計3本設けられている。各第1の循環バイパス配管24には、薬液の流通方向に沿って、第1の循環バルブ15および第1のレギュレータ16が介装されている。また、第1の処理液供給装置5は、第1の循環バイパス配管24の内部の圧力を計測するための第1の圧力計20をさらに含む。各第1の循環バイパス配管24において、第1の循環バルブ15と第1のレギュレータ16との間には、対応する処理ユニット群G2〜G4に含まれる処理ユニット8の個数に応じた本数(図3では2本)の第1の分岐配管18が分岐接続されている。各第1の分岐配管18の途中部には、薬液バルブ19が接続されており、各第1の分岐配管18の先端には、薬液ノズル64(図3では図示していない)が取り付けられている。   Specifically, in the first circulation pipe 12 of the first treatment liquid supply device 5, as shown by a broken line in FIG. 3, the position between the first pump 14 and the first circulation valve 15; A first circulation bypass pipe 24 that connects the position between the first regulator 16 and the first feedback valve 17 is provided. Three first circulation bypass pipes 24 are provided, one for each of the second to fourth processing unit groups G2 to G4. Each first circulation bypass pipe 24 is provided with a first circulation valve 15 and a first regulator 16 along the flow direction of the chemical solution. The first processing liquid supply device 5 further includes a first pressure gauge 20 for measuring the pressure inside the first circulation bypass pipe 24. In each of the first circulation bypass pipes 24, the number according to the number of processing units 8 included in the corresponding processing unit group G <b> 2 to G <b> 4 between the first circulation valve 15 and the first regulator 16 (FIG. In FIG. 3, two first branch pipes 18 are branched and connected. A chemical liquid valve 19 is connected to a middle portion of each first branch pipe 18, and a chemical liquid nozzle 64 (not shown in FIG. 3) is attached to the tip of each first branch pipe 18. Yes.

また、この場合、第2の処理液供給装置6の第2の循環配管32において、図3に破線で示すように、第2のポンプ34と第2の循環バルブ35との間の位置と、第2のレギュレータ36と第2の帰還バルブ37との間の位置とを接続する第2の循環バイパス配管44が設けられている。第2の循環バイパス配管44は、第2〜第4の処理ユニット群G2〜G4に対して1本ずつ、合計3本設けられている。各第2の循環バイパス配管44には、リンス液の流通方向に沿って、第2の循環バルブ35および第2のレギュレータ36が介装されている。また、第2の処理液供給装置6は、第2の循環バイパス配管44の内部の圧力を計測するための第2の圧力計40をさらに含む。各第2の循環バイパス配管44において、第2の循環バルブ35と第2のレギュレータ36との間には、対応する処理ユニット群G2〜G4に含まれる処理ユニット8の個数に応じた本数(図3では2本)の第2の分岐配管38が分岐接続されている。各第2の分岐配管38の途中部には、リンス液バルブ39が接続されており、各第2の分岐配管38の先端には、リンス液ノズル65(図3では図示していない)が取り付けられている。   Further, in this case, in the second circulation pipe 32 of the second treatment liquid supply device 6, as shown by a broken line in FIG. 3, the position between the second pump 34 and the second circulation valve 35, A second circulation bypass pipe 44 that connects the position between the second regulator 36 and the second feedback valve 37 is provided. A total of three second circulation bypass pipes 44 are provided, one for each of the second to fourth processing unit groups G2 to G4. Each second circulation bypass pipe 44 is provided with a second circulation valve 35 and a second regulator 36 along the flow direction of the rinse liquid. The second treatment liquid supply device 6 further includes a second pressure gauge 40 for measuring the pressure inside the second circulation bypass pipe 44. In each of the second circulation bypass pipes 44, the number of the processing units 8 included in the corresponding processing unit group G2 to G4 between the second circulation valve 35 and the second regulator 36 (see FIG. In FIG. 3, two second branch pipes 38 are branched and connected. A rinsing liquid valve 39 is connected to the middle portion of each second branch pipe 38, and a rinse liquid nozzle 65 (not shown in FIG. 3) is attached to the tip of each second branch pipe 38. It has been.

制御装置7は、たとえばマイクロコンピュータなどによって構成されており、インデクサセクション3と、処理セクション2とが制御対象として接続されている。制御装置7は、CPU51と、レシピ記憶部52と、機械動作−省用力モード対応テーブル記憶部(テーブル記憶部)53と、第1〜第4のモード用カウンタ54〜57とを含む。
レシピ記憶部52には、基板Wの処理条件が規定されたレシピが複数記憶されている。レシピ記憶部52には、各レシピが独自のレシピIDが付された状態で格納されている。
The control device 7 is constituted by, for example, a microcomputer, and the indexer section 3 and the processing section 2 are connected as control targets. The control device 7 includes a CPU 51, a recipe storage unit 52, a machine operation / power saving mode correspondence table storage unit (table storage unit) 53, and first to fourth mode counters 54 to 57.
The recipe storage unit 52 stores a plurality of recipes that define processing conditions for the substrate W. Each recipe is stored in the recipe storage unit 52 with a unique recipe ID.

機械動作−省用力モード対応テーブル記憶部53には、第1〜第4の省用力モードの開始のトリガーとなる第の機械動作、および第1〜第4の省用力モードの退避のトリガーとなる第の機械動作がそれぞれ規定されている。
第1のモード用カウンタ54は、第1の省用力モードと、第1のプロセスモードとの切換えを規定するための加減算カウンタである。第1のモード用カウンタ54の値に基づいて、第1の省用力モードから第1のプロセスモードに切り換えられ、また、第1のプロセスモードから第1の省用力モードに切り換えられる。
The machine operation-saving power mode correspondence table storage unit 53 includes a second machine operation that triggers the start of the first to fourth saving power modes, and a retract trigger for the first to fourth saving power modes. first machine operation is defined respectively made.
The first mode counter 54 is an addition / subtraction counter for prescribing switching between the first power saving mode and the first process mode. Based on the value of the first mode counter 54, the first power saving mode is switched to the first process mode, and the first process mode is switched to the first power saving mode.

第2のモード用カウンタ55は、第2の省用力モードと、第2のプロセスモードとの切換えを規定するための加減算カウンタである。第2のモード用カウンタ55の値に基づいて、第2の省用力モードから第2のプロセスモードに切り換えられ、また、第2のプロセスモードから第2の省用力モードに切り換えられる。
第3のモード用カウンタ56は、第3の省用力モードと、第3のプロセスモードとの切換えを規定するための加減算カウンタである。第3のモード用カウンタ56の値に基づいて、第3の省用力モードから第3のプロセスモードに切り換えられ、また、第3のプロセスモードから第3の省用力モードに切り換えられる。
The second mode counter 55 is an addition / subtraction counter for defining switching between the second power saving mode and the second process mode. Based on the value of the second mode counter 55, the second power saving mode is switched to the second process mode, and the second process mode is switched to the second power saving mode.
The third mode counter 56 is an addition / subtraction counter for defining switching between the third power-saving mode and the third process mode. Based on the value of the third mode counter 56, the third power saving mode is switched to the third process mode, and the third process mode is switched to the third power saving mode.

第4のモード用カウンタ57は、第4の省用力モードと、第4のプロセスモードとの切換えを規定するための加減算カウンタである。第4のモード用カウンタ57に基づいて、第4の省用力モードから第4のプロセスモードに切り換えられ、また、第4のプロセスモードから第4の省用力モードに切り換えられる。
図6は、処理ユニット8の構成を水平方向に見た図である。
The fourth mode counter 57 is an addition / subtraction counter for defining switching between the fourth power saving mode and the fourth process mode. Based on the fourth mode counter 57, the fourth power saving mode is switched to the fourth process mode, and the fourth process mode is switched to the fourth power saving mode.
FIG. 6 is a diagram when the configuration of the processing unit 8 is viewed in the horizontal direction.

処理ユニット8は、円形の半導体ウエハ等の基板Wのデバイス形成領域側の表面に対して、洗浄処理やエッチング処理などの液処理を施すための枚葉型の装置である。
処理ユニット8は、側壁61で取り囲まれて、内部が密閉空間であるチャンバ62を有している。チャンバ62には、基板Wを保持して回転させるスピンチャック63と、スピンチャック63に保持されている基板Wの表面(上面)に、温度調整された薬液を供給するための薬液ノズル64と、スピンチャック63に保持されている基板Wの表面(上面)に、温度調整されたリンス液を供給するためのリンス液ノズル65と、スピンチャック63を収容する筒状の処理カップ66とが含まれている。
The processing unit 8 is a single wafer type apparatus for performing a liquid process such as a cleaning process or an etching process on the surface of the substrate W such as a circular semiconductor wafer on the device forming region side.
The processing unit 8 is surrounded by a side wall 61 and has a chamber 62 whose inside is a sealed space. In the chamber 62, a spin chuck 63 that holds and rotates the substrate W, a chemical nozzle 64 for supplying a temperature-adjusted chemical solution to the surface (upper surface) of the substrate W held on the spin chuck 63, The surface (upper surface) of the substrate W held by the spin chuck 63 includes a rinse liquid nozzle 65 for supplying a temperature-adjusted rinse liquid and a cylindrical processing cup 66 for accommodating the spin chuck 63. ing.

チャンバ62の側壁61には、チャンバ62内に対して基板Wを搬出入させるための開口67が形成されている。チャンバ62の外側に配置されたセンターロボットCR(図1および図2参照)は、開口67を通してチャンバ62内にハンドH(図1および図2参照)をアクセスさせ、未処理の基板Wをスピンチャック63上に載置したり、スピンチャック63上から処理済の基板Wを取り出したりできるようになっている。側壁61の外側には、開口67を上下方向に開閉するためのシャッタ68が設けられている。シャッタ68には、シャッタ68を閉位置(図6にて実線で図示)と、開位置(図6にて二点鎖線で図示)との間で上下動させるためのシャッタ駆動機構69が結合されている。   In the side wall 61 of the chamber 62, an opening 67 for carrying the substrate W in and out of the chamber 62 is formed. A central robot CR (see FIGS. 1 and 2) arranged outside the chamber 62 allows the hand H (see FIGS. 1 and 2) to access the chamber 62 through the opening 67, and spins the unprocessed substrate W into the spin chuck. The processed substrate W can be taken out from the spin chuck 63 or placed on the spin chuck 63. A shutter 68 for opening and closing the opening 67 in the vertical direction is provided outside the side wall 61. Coupled to the shutter 68 is a shutter drive mechanism 69 for moving the shutter 68 up and down between a closed position (shown by a solid line in FIG. 6) and an open position (shown by a two-dot chain line in FIG. 6). ing.

スピンチャック63として、基板Wを水平方向に挟んで基板Wを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック63は、スピンモータ70と、このスピンモータ70の駆動軸と一体化されたスピン軸71と、スピン軸71の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース72と、スピンベース72に配置された複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持ピン73とを含む。複数個の挟持ピン73は、スピンベース72の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。複数個の挟持ピン73には、挟持ピン駆動機構78が結合されている。挟持ピン駆動機構78は、これらの挟持ピン73を、互いに協動して基板Wを水平方向に挟持する挟持状態と、挟持状態から解除された非挟持状態との間で切り換える。制御装置7は、挟持状態の解除された基板Wを、センターロボットCRのハンドHにより掬い取り、基板WごとハンドHをチャンバ62内から退避させる。   As the spin chuck 63, a clamping chuck that holds the substrate W horizontally while sandwiching the substrate W in the horizontal direction is employed. Specifically, the spin chuck 63 includes a spin motor 70, a spin shaft 71 integrated with a drive shaft of the spin motor 70, and a disk-shaped spin base attached substantially horizontally to the upper end of the spin shaft 71. 72 and a plurality of (three or more, for example, six) clamping pins 73 arranged on the spin base 72. The plurality of sandwiching pins 73 are arranged at appropriate intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate W at the periphery of the upper surface of the spin base 72. A clamping pin drive mechanism 78 is coupled to the plurality of clamping pins 73. The sandwiching pin drive mechanism 78 switches these sandwiching pins 73 between a sandwiching state in which the substrates W are sandwiched in the horizontal direction in cooperation with each other and a non- sandwiching state released from the sandwiching state. The control device 7 picks up the substrate W released from the holding state by the hand H of the center robot CR, and retracts the hand H together with the substrate W from the chamber 62.

複数個の挟持ピン73が挟持状態にあるときに、スピンモータ70が駆動されると、その駆動力によってスピンベース72が所定の回転軸線(鉛直軸線)A1まわりに回転され、そのスピンベース72と共に、基板Wがほぼ水平な姿勢を保った状態で回転軸線A1まわりに回転される。
薬液ノズル64は、たとえば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルである。薬液ノズル64は、吐出口を略下方に向けた状態で、第1のノズルアーム74に取り付けられている。第1のノズルアーム74は水平方向に延びており、スピンチャック63の周囲で鉛直方向に延びる回転軸線(図示しない)まわりに回転可能に設けられている。第1のノズルアーム74には、薬液ノズル64を移動させる第1のノズル移動ユニット75が結合されている。第1のノズル移動ユニット75は、所定の回転軸線(図示しない)まわりに第1のノズルアーム74を回転させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル64を水平に移動させる。第1のノズル移動ユニット75は、薬液ノズル64から吐出された薬液が基板Wの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル64が平面視でスピンチャック63の側方に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル64を水平に移動させる。さらに、第1のノズル移動ユニット75は、薬液ノズル64から吐出された薬液が基板Wの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル64から吐出された薬液が基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル64を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。なお、薬液ノズル64は、吐出口が基板Wの上面の所定位置(たとえば中央部)に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。
When the spin motor 70 is driven while the plurality of clamping pins 73 are in the clamping state, the spin base 72 is rotated around a predetermined rotation axis (vertical axis) A1 by the driving force, and together with the spin base 72 The substrate W is rotated around the rotation axis A1 while maintaining a substantially horizontal posture.
The chemical nozzle 64 is, for example, a straight nozzle that discharges the chemical in a continuous flow state. The chemical nozzle 64 is attached to the first nozzle arm 74 with the discharge port facing substantially downward. The first nozzle arm 74 extends in the horizontal direction and is provided to be rotatable around a rotation axis (not shown) extending in the vertical direction around the spin chuck 63. A first nozzle moving unit 75 that moves the chemical nozzle 64 is coupled to the first nozzle arm 74. The first nozzle moving unit 75 rotates the first nozzle arm 74 around a predetermined rotation axis (not shown), thereby moving the chemical nozzle 64 along the trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view. Move horizontally. The first nozzle moving unit 75 includes a processing position where the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 64 is deposited on the upper surface of the substrate W, and a home position where the chemical liquid nozzle 64 is set to the side of the spin chuck 63 in plan view. In between, the chemical nozzle 64 is moved horizontally. Further, the first nozzle moving unit 75 includes a central position where the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 64 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W, and a chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 64 on the peripheral edge of the upper surface of the substrate W. The chemical nozzle 64 is moved horizontally between the peripheral positions where the liquid is deposited. The center position and the peripheral position are both processing positions. The chemical nozzle 64 may be a fixed nozzle whose discharge port is fixedly arranged toward a predetermined position (for example, the central portion) on the upper surface of the substrate W.

リンス液ノズル65は、たとえば、連続流の状態でリンス液を吐出するストレートノズルである。リンス液ノズル65は、吐出口を略下方に向けた状態で、第2のノズルアーム76に取り付けられている。第2のノズルアーム76は水平方向に延びており、スピンチャック63の周囲で鉛直方向に延びる回転軸線(図示しない)まわりに回転可能に設けられている。第2のノズルアーム76には、リンス液ノズル65を移動させる第2のノズル移動ユニット77が結合されている。第2のノズル移動ユニット77は、所定の回転軸線(図示しない)まわりに第2のノズルアーム76を回転させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿ってリンス液ノズル65を水平に移動させる。第2のノズル移動ユニット77は、薬液ノズル64から吐出されたリンス液が基板Wの上面の中央部に着液する中央位置と、リンス液ノズル65が平面視でスピンチャック63の側方に設定されたホーム位置との間で、リンス液ノズル65を水平に移動させる。なお、リンス液ノズル65は、吐出口が基板Wの上面の所定位置(たとえば中央部)に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。   The rinse liquid nozzle 65 is, for example, a straight nozzle that discharges the rinse liquid in a continuous flow state. The rinsing liquid nozzle 65 is attached to the second nozzle arm 76 with the discharge port facing substantially downward. The second nozzle arm 76 extends in the horizontal direction, and is provided so as to be rotatable around a rotation axis (not shown) extending in the vertical direction around the spin chuck 63. A second nozzle moving unit 77 for moving the rinsing liquid nozzle 65 is coupled to the second nozzle arm 76. The second nozzle moving unit 77 rotates the second nozzle arm 76 around a predetermined rotation axis (not shown), thereby rinsing liquid nozzle 65 along a path passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view. Move horizontally. The second nozzle moving unit 77 is set to a central position where the rinsing liquid discharged from the chemical liquid nozzle 64 reaches the central portion of the upper surface of the substrate W, and the rinsing liquid nozzle 65 is set to the side of the spin chuck 63 in plan view. The rinse liquid nozzle 65 is moved horizontally between the set home positions. The rinsing liquid nozzle 65 may be a fixed nozzle in which the discharge port is fixedly arranged toward a predetermined position (for example, the central portion) on the upper surface of the substrate W.

図7は、処理ユニット8で実行される処理例を説明するためのフローチャートである。図8A〜図8Cは、共通の処理ユニット群G1〜G4に含まれる2つの処理ユニット8で実行される処理例およびモード切換えを説明するためのタイミングチャートである。図9は、処理ユニット8のシャッタ68の開制御の流れを示すフローチャートである。図10は、処理ユニット8のチャンバ62への基板搬入制御の流れを示すフローチャートである。図11は、処理ユニット8の薬液ノズル64の移動制御の流れを示すフローチャートである。図12は、処理ユニット8のリンス液ノズル65の移動制御の流れを示すフローチャートである。   FIG. 7 is a flowchart for explaining a processing example executed by the processing unit 8. 8A to 8C are timing charts for explaining processing examples and mode switching executed by two processing units 8 included in a common processing unit group G1 to G4. FIG. 9 is a flowchart showing a flow of opening control of the shutter 68 of the processing unit 8. FIG. 10 is a flowchart showing the flow of substrate loading control into the chamber 62 of the processing unit 8. FIG. 11 is a flowchart showing a flow of movement control of the chemical liquid nozzle 64 of the processing unit 8. FIG. 12 is a flowchart showing a flow of movement control of the rinsing liquid nozzle 65 of the processing unit 8.

処理ユニット8で実行される処理例を、主として図1〜3、および図6〜8を参照しながら説明する。図9〜図12については、適宜参照する。
未処理の基板Wを収容したキャリアCが、ステージST1〜ST4(図1および図2参照)に載置される。キャリアCの載置に併せて、キャリアCに収容されている基板Wの基板IDと、当該基板IDに対応するレシピID等とが、たとえば、ホストコンピュータ(図示しない)から基板処理装置1に付与される。制御装置7は、レシピ記憶部52の記憶内容を参照して、処理対象の基板Wに対して施すべきレシピを読み出す。制御装置7は、読み出したレシピの内容と、機械動作−省用力モード対応テーブル記憶部53の記憶内容とを参照して、今回の処理における、第1〜第4の省用力モードの開始のトリガーとなる機械動作(以下、「第の機械動作」という)と、および第1〜第4のプロセスモードの開始のトリガーとなる機械動作(以下、「第の機械動作」という)とを把握する。次に述べる処理例では、第1の省用力モードの第の機械動作は、シャッタ68の開動作開始であり、第1の省用力モードの第の機械動作は、薬液ノズル64の処理位置からの退避開始である。第2の省用力モードの第の機械動作は、スピンチャック63による基板Wの保持完了(挟持完了)であり、第2の省用力モードの第の機械動作は、薬液ノズル64の処理位置からの退避開始である。第3の省用力モードの第の機械動作は、スピンチャック63による基板Wの保持完了(挟持完了)であり、第3の省用力モードの第の機械動作は、リンス液ノズル65の中央位置からの退避開始である。第4の省用力モードの第の機械動作は、リンス液ノズル65が中央位置に到達したことであり、第4の省用力モードの第の機械動作は、リンス液ノズル65の中央位置からの退避開始である。
An example of processing executed by the processing unit 8 will be described mainly with reference to FIGS. 1 to 3 and FIGS. 9 to 12 will be referred to as appropriate.
The carrier C containing the unprocessed substrate W is placed on the stages ST1 to ST4 (see FIGS. 1 and 2). Along with the placement of the carrier C, the substrate ID of the substrate W accommodated in the carrier C and the recipe ID corresponding to the substrate ID are given to the substrate processing apparatus 1 from a host computer (not shown), for example. Is done. The control device 7 reads the recipe to be applied to the substrate W to be processed with reference to the stored contents of the recipe storage unit 52. The control device 7 refers to the contents of the read recipe and the stored contents of the machine operation-saving power mode correspondence table storage unit 53, and triggers for starting the first to fourth saving power modes in the current process. become mechanical operation (hereinafter, referred to as "second machine operation") regarded as, and the first to fourth process mode start that will trigger the machine operation (hereinafter, referred to as "first machine operation") and To do. In the processing example described below, the second mechanical operation in the first power saving mode is the start of the opening operation of the shutter 68, and the first mechanical operation in the first power saving mode is the processing position of the chemical nozzle 64. The evacuation is started. The second mechanical operation in the second power-saving mode is completion of holding the substrate W by the spin chuck 63 (holding completion), and the first mechanical operation in the second power-saving mode is the processing position of the chemical solution nozzle 64. The evacuation is started. The second mechanical operation in the third power saving mode is completion of holding the substrate W by the spin chuck 63 (holding completion), and the first mechanical operation in the third power saving mode is the center of the rinse liquid nozzle 65. The evacuation starts from the position. The second mechanical operation in the fourth power saving mode is that the rinsing liquid nozzle 65 has reached the center position, and the first mechanical operation in the fourth power saving mode is performed from the central position of the rinsing liquid nozzle 65. Evacuation start.

インデクサロボットIRは、ハンドHを移動させて、キャリアCから基板Wを搬出すると共に、その基板Wを、センターロボットCRに引き渡す。センターロボットCRは、ハンドHを移動させて、処理ユニット8に基板Wを搬入する。
処理ユニット8に対する基板Wの搬入に際しては、制御装置7は、シャッタ駆動機構69を制御してシャッタ68を開状態にすると共に、センターロボットCRを制御して、処理ユニット8のチャンバ62内に未処理の基板Wを搬入する(ステップS1)。なお、基板Wの搬入前には、搬入の妨げにならないように、薬液ノズル64およびリンス液ノズル65は、ホーム位置に退避させられている。
The indexer robot IR moves the hand H, unloads the substrate W from the carrier C, and delivers the substrate W to the center robot CR. The center robot CR moves the hand H and carries the substrate W into the processing unit 8.
When carrying the substrate W into the processing unit 8, the control device 7 controls the shutter drive mechanism 69 to open the shutter 68 and controls the center robot CR to enter the chamber 62 of the processing unit 8. A substrate W for processing is carried in (step S1). Prior to the loading of the substrate W, the chemical nozzle 64 and the rinsing liquid nozzle 65 are retracted to the home position so as not to hinder the loading.

具体的には、図9に示すように、シャッタ68の閉状態において(図9のステップS11でYES)、シャッタ68を開くタイミングになると(図9のステップS12でYES)、制御装置7は、シャッタ駆動機構69を制御して、シャッタ68を閉位置から移動開始させ(図9のステップS13)、その結果、シャッタ68を開状態にする。シャッタ68の開動作が開始すると、第1および第2のモード用カウンタ54,55の値がインクリメント(+1)され(図9のステップS14)、その後、図9の処理はリターンされる。開口67が露出する。   Specifically, as shown in FIG. 9, when the shutter 68 is closed (YES in step S <b> 11 in FIG. 9), when it is time to open the shutter 68 (YES in step S <b> 12 in FIG. 9), the control device 7 The shutter driving mechanism 69 is controlled to start moving the shutter 68 from the closed position (step S13 in FIG. 9), and as a result, the shutter 68 is opened. When the opening operation of the shutter 68 starts, the values of the first and second mode counters 54 and 55 are incremented (+1) (step S14 in FIG. 9), and then the processing in FIG. 9 is returned. The opening 67 is exposed.

一方、シャッタ68の閉状態でない場合(ステップS11でNO)や、シャッタ68を開くタイミングでない場合(ステップS12でNO)には、図9のシャッタ開制御は、そのままリターンされる。
制御装置7は、センターロボットCRを制御して、図10に示すように、未処理の基板Wを保持したハンドHを、開放した開口67を通してチャンバ62内に進入させ(図10のステップ21)、その表面を上方に向けた状態で基板Wをスピンチャック63に載置(仮保持)させる(図10のステップ22)。具体的には、非挟持状態にある複数の挟持ピン73によって、基板の周縁部を下方から接触支持する。制御装置7は、センターロボットCRを制御して、基板Wを引き渡した後のハンドHを、開口67を通ってチャンバ62外に退避させる。ハンドHの退避後、制御装置7は、シャッタ駆動機構69を制御して、シャッタ68を閉状態にする。
On the other hand, when the shutter 68 is not in the closed state (NO in step S11) or when it is not time to open the shutter 68 (NO in step S12), the shutter opening control in FIG. 9 is returned as it is.
The control device 7 controls the center robot CR to cause the hand H holding the unprocessed substrate W to enter the chamber 62 through the opened opening 67 as shown in FIG. 10 (step 21 in FIG. 10). Then, the substrate W is placed (temporarily held) on the spin chuck 63 with the surface thereof facing upward (step 22 in FIG. 10). Specifically, the peripheral portion of the substrate is contact-supported from below by a plurality of clamping pins 73 in a non-clamping state. The control device 7 controls the center robot CR to retract the hand H after delivering the substrate W out of the chamber 62 through the opening 67. After the hand H is retracted, the control device 7 controls the shutter drive mechanism 69 to close the shutter 68.

スピンチャック63への基板Wの載置後、制御装置7は、挟持ピン駆動機構78を制御して、複数個の挟持ピン73を挟持状態から非挟持状態に切り換える。挟持ピン73を開状態から閉状態に切り換える(図10のステップS23)。挟持ピン73が非挟持状態に切り換わった後(図10のステップS24でYES)、第2および第3のモード用カウンタ55,56の値が、それぞれ、インクリメント(+1)され(図10のステップS25)、その後、図10の処理はリターンされる。   After the substrate W is placed on the spin chuck 63, the control device 7 controls the sandwiching pin drive mechanism 78 to switch the plurality of sandwiching pins 73 from the sandwiching state to the unpinching state. The holding pin 73 is switched from the open state to the closed state (step S23 in FIG. 10). After the pinching pin 73 is switched to the non-pinching state (YES in step S24 in FIG. 10), the values of the second and third mode counters 55 and 56 are respectively incremented (+1) (step in FIG. 10). After that, the process of FIG. 10 is returned.

基板Wの挟持後、制御装置7は、スピンモータ70によって基板Wの回転を開始させる(ステップS2)。基板Wは予め定める液処理速度(300〜1500rpmの範囲内で、たとえば500rpmまで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
基板Wの回転速度が液処理速度に達すると、次いで、制御装置7は、薬液を基板Wに供給する薬液供給工程(ステップS3)を行う。薬液供給工程(S3)では、薬液ノズル64から吐出される薬液が基板Wの上面中央部に着液する。
After sandwiching the substrate W, the control device 7 starts the rotation of the substrate W by the spin motor 70 (step S2). The substrate W is raised to a predetermined liquid processing speed (in the range of 300 to 1500 rpm, for example, up to 500 rpm, and maintained at the liquid processing speed.
When the rotation speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, the control device 7 then performs a chemical liquid supply process (step S3) for supplying the chemical liquid to the substrate W. In the chemical solution supply step (S3), the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 64 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W.

薬液供給工程(S3)の開始時には、制御装置7は、図11に示すように第1のノズル移動ユニット75を制御することにより、薬液ノズル64をホーム位置から処理位置に移動させる。具体的には、薬液ノズル64がホーム位置に位置する場合において(図11のステップS31でYES)、薬液ノズル64の移動開始タイミングになると(すなわち薬液供給工程(S3)の開始タイミングになると。図11のステップS32でYES)、制御装置7は、薬液ノズル64を処理位置に向けて移動させる。これにより、薬液ノズル64が基板Wの上方に配置させられる。   At the start of the chemical liquid supply step (S3), the control device 7 controls the first nozzle moving unit 75 to move the chemical liquid nozzle 64 from the home position to the processing position as shown in FIG. Specifically, when the chemical nozzle 64 is located at the home position (YES in step S31 of FIG. 11), when the movement start timing of the chemical nozzle 64 is reached (that is, when the chemical supply step (S3) starts). 11), the control device 7 moves the chemical nozzle 64 toward the processing position. Accordingly, the chemical nozzle 64 is disposed above the substrate W.

一方、薬液ノズル64の移動開始タイミングでない場合(図11のステップS32でNO)には、図11の薬液ノズル移動制御は、そのままリターンされる。
薬液ノズル64が基板Wの上方に配置された後、制御装置7は、薬液バルブ19を開く。これにより、第1の循環配管12を循環して、温度調整されている薬液が薬液ノズル64に供給され、その薬液が、薬液ノズル64の吐出口から吐出され、基板Wの上面に着液する。薬液ノズル64からの薬液の吐出は、薬液ノズル64を処理位置(たとえば中央位置)に静止させた状態で行われてもよいし、薬液の着液位置を、基板Wの上面中央部と周縁部との間で移動させながら行われてもよい。基板Wの上面に供給された薬液は、基板Wの回転による遠心力を受けて、基板Wの上面を周縁部に向けて拡がる。
On the other hand, when it is not the movement start timing of the chemical nozzle 64 (NO in step S32 of FIG. 11), the chemical nozzle movement control of FIG. 11 is returned as it is.
After the chemical nozzle 64 is disposed above the substrate W, the control device 7 opens the chemical valve 19. Accordingly, the temperature-adjusted chemical liquid is circulated through the first circulation pipe 12 and supplied to the chemical liquid nozzle 64, and the chemical liquid is discharged from the discharge port of the chemical liquid nozzle 64 to land on the upper surface of the substrate W. . The discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 64 may be performed in a state where the chemical solution nozzle 64 is stationary at the processing position (for example, the central position), and the liquid solution landing position is set to the central portion and the peripheral portion of the upper surface of the substrate W. It may be performed while moving between. The chemical solution supplied to the upper surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W and spreads the upper surface of the substrate W toward the peripheral portion.

薬液の吐出開始から予め定める薬液処理時間が経過すると、制御装置7は、薬液バルブ19を閉じて、薬液ノズル64からの薬液の吐出を停止する。また、制御装置7は、図11に示すように薬液ノズル64を処理位置からホーム位置に移動させる。具体的には、薬液ノズル64が処理位置に位置する場合において(図11のステップS34でYES)、薬液ノズル64の退避タイミングになると(前記の予め定める薬液処理時間が経過すると。図11のステップS35でYES)、制御装置7は、薬液ノズル64をホーム位置に向けて移動させるとともに(図11のステップS36)、第1および第2のモード用カウンタ54,55の値がデクリメント(−1)され(図11のステップS37)、その後、図11の処理はリターンされる。   When a predetermined chemical solution processing time has elapsed from the start of the discharge of the chemical solution, the control device 7 closes the chemical solution valve 19 and stops the discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 64. Moreover, the control apparatus 7 moves the chemical | medical solution nozzle 64 from a process position to a home position, as shown in FIG. Specifically, when the chemical nozzle 64 is located at the processing position (YES in step S34 of FIG. 11), when the timing of retracting the chemical nozzle 64 is reached (when the predetermined chemical processing time elapses). The control device 7 moves the chemical solution nozzle 64 toward the home position (step S36 in FIG. 11), and the values of the first and second mode counters 54 and 55 are decremented (−1). Then, the process of FIG. 11 is returned.

次いで、リンス液を基板Wに供給するリンス液供給工程(ステップS4)が行われる。 リンス液供給工程(S4)の開始時には、制御装置7は、図12に示すように第2のノズル移動ユニット77を制御することにより、リンス液ノズル65をホーム位置から中央位置に移動させる。具体的には、リンス液ノズル65がホーム位置に位置する場合において(図12のステップS41でYES)、リンス液ノズル65の移動開始タイミングになると(すなわちリンス液供給工程(S4)の開始タイミングになると。図12のステップS42でYES)、制御装置7は、リンス液ノズル65を中央位置に向けて移動させる。   Next, a rinsing liquid supply step (step S4) for supplying the rinsing liquid to the substrate W is performed. At the start of the rinsing liquid supply step (S4), the control device 7 moves the rinsing liquid nozzle 65 from the home position to the center position by controlling the second nozzle moving unit 77 as shown in FIG. Specifically, when the rinse liquid nozzle 65 is located at the home position (YES in step S41 in FIG. 12), when the movement start timing of the rinse liquid nozzle 65 is reached (that is, at the start timing of the rinse liquid supply step (S4)). Then, the control device 7 moves the rinsing liquid nozzle 65 toward the central position.

一方、リンス液ノズル65の移動開始タイミングでない場合(図12のステップS42でNO)であっても、リンス液ノズル65が中央位置に到達すると(ステップS44でYES)、第4のモード用カウンタ57の値がインクリメント(+1)される(図12のステップS45)。その後、図12の処理はリターンされる。
リンス液ノズル65が中央位置に配置された後、制御装置7は、リンス液バルブ39を開く。これにより、第2の循環配管32を循環して温度調整されているリンス液が、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル65から吐出する。基板Wの上面に供給されたリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて周縁部に向けて拡がり、これにより、基板Wの上面の全域において薬液が洗い流される。リンス液バルブ39が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置7は、リンス液バルブ39を閉じて、リンス液ノズル65からのリンス液の吐出を停止させる。また、制御装置7は、図12に示すようにリンス液ノズル65を処理位置からホーム位置に移動させる。具体的には、リンス液ノズル65が中央位置に位置する場合において(図12のステップS46でYES)、リンス液ノズル65の退避タイミングになると(前記の予め定めるリンス処理時間が経過すると。図12のステップS47でYES)、制御装置7は、リンス液ノズル65をホーム位置に向けて移動させるとともに(図12のステップS48)、第3および第4のモード用カウンタ56,57の値がデクリメント(−1)され(図12のステップS49)、その後、図12の処理はリターンされる。
On the other hand, even if it is not the movement start timing of the rinsing liquid nozzle 65 (NO in step S42 in FIG. 12), when the rinsing liquid nozzle 65 reaches the center position (YES in step S44), the fourth mode counter 57 is reached. Is incremented (+1) (step S45 in FIG. 12). Thereafter, the processing of FIG. 12 is returned.
After the rinse liquid nozzle 65 is disposed at the center position, the control device 7 opens the rinse liquid valve 39. Thus, the rinse liquid whose temperature is adjusted by circulating through the second circulation pipe 32 is discharged from the rinse liquid nozzle 65 toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid supplied to the upper surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W and spreads toward the peripheral portion, whereby the chemical liquid is washed away over the entire upper surface of the substrate W. When a predetermined time elapses after the rinse liquid valve 39 is opened, the control device 7 closes the rinse liquid valve 39 and stops the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 65. Further, the control device 7 moves the rinse liquid nozzle 65 from the processing position to the home position as shown in FIG. Specifically, when the rinsing liquid nozzle 65 is located at the center position (YES in step S46 in FIG. 12), when the rinsing liquid nozzle 65 is retracted (when the above-described predetermined rinsing time has elapsed). In step S47, YES), the control device 7 moves the rinse liquid nozzle 65 toward the home position (step S48 in FIG. 12), and the values of the third and fourth mode counters 56, 57 are decremented ( -1) (step S49 in FIG. 12), and then the processing in FIG. 12 is returned.

次に、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(ステップS5)が行われる。具体的には、制御装置7は、スピンモータ70を制御することにより、前記の液処理回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置7は、スピンモータ70を制御することにより、スピンチャック63による基板Wの回転を停止させる(ステップS6)。   Next, a spin dry process (step S5) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 7 controls the spin motor 70 to accelerate the substrate W to a drying rotation speed (for example, several thousand rpm) larger than the liquid processing rotation speed, and the substrate W at the drying rotation speed. Rotate. Thereby, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. When a predetermined time elapses after the high-speed rotation of the substrate W is started, the control device 7 controls the spin motor 70 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 63 (step S6).

次に、チャンバ62内から基板Wが搬出される(ステップS7)。具体的には、制御装置7は、シャッタ駆動機構69を制御して、シャッタ68を開状態にし、センターロボットCRのハンドHをチャンバ62内に進入させる。また、制御装置7は、挟持ピン駆動機構78を制御して、挟持ピン73の状態を、基板Wの挟持状態から非挟持状態に解除する。制御装置7は、挟持状態の解除された基板Wを、センターロボットCRのハンドHにより掬い取り、基板WごとハンドHをチャンバ62内から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバ62から搬出される。   Next, the substrate W is unloaded from the chamber 62 (step S7). Specifically, the control device 7 controls the shutter drive mechanism 69 to open the shutter 68 and cause the hand H of the center robot CR to enter the chamber 62. Further, the control device 7 controls the holding pin driving mechanism 78 to release the holding pin 73 from the holding state of the substrate W to the non-holding state. The control device 7 picks up the substrate W released from the holding state by the hand H of the center robot CR, and retracts the hand H together with the substrate W from the chamber 62. Thereby, the processed substrate W is unloaded from the chamber 62.

前述のように、制御装置7は、インデクサロボットIRにキャリアC内の未処理の基板Wを搬出させる。そして、制御装置7は、インデクサロボットIRに未処理の基板WをセンターロボットCRに渡させる。その後、制御装置7は、センターロボットに未処理の基板Wを処理ユニット8内に搬入させる。そして、前述のように、制御装置7は、レシピに基づいて処理ユニット8に基板Wを処理させる。制御装置7は、キャリアC内に含まれる複数枚の基板のそれぞれに対し、この一連の動作をインデクサロボットIR等に繰り返させる。したがって、図8Aおよび図8Bに示すように、複数枚の基板Wが複数の処理ユニット8に順次搬入され、複数の処理ユニット8での基板Wの処理が順次開始される。図8Aおよび図8Bでは、共通の処理ユニット群G1〜G4(たとえば処理ユニット群G1)に含まれる2つの処理ユニット8(たとえば処理ユニット81,82)で実行される処理例等をそれぞれ示す。   As described above, the control device 7 causes the indexer robot IR to carry out the unprocessed substrate W in the carrier C. Then, the control device 7 causes the indexer robot IR to pass the unprocessed substrate W to the center robot CR. Thereafter, the control device 7 causes the center robot to carry the unprocessed substrate W into the processing unit 8. Then, as described above, the control device 7 causes the processing unit 8 to process the substrate W based on the recipe. The control device 7 causes the indexer robot IR or the like to repeat this series of operations for each of the plurality of substrates included in the carrier C. Therefore, as shown in FIGS. 8A and 8B, a plurality of substrates W are sequentially loaded into the plurality of processing units 8, and the processing of the substrates W in the plurality of processing units 8 is sequentially started. FIGS. 8A and 8B respectively show processing examples executed by two processing units 8 (for example, processing units 81 and 82) included in a common processing unit group G1 to G4 (for example, processing unit group G1).

図13は、第1の処理液供給装置5の薬液温度制御の流れを示すフローチャートである。図14は、第1の省用力モードの流れを示すフローチャートである。図15は、第1の処理液供給装置5の薬液圧力制御の流れを示すフローチャートである。図16は、図15に示す第2の省用力モード(図21に示す第4の省用力モード)の流れを示すフローチャートである。図17は、第2の省用力モード(第4の省用力モード)の開始時の流れを示すフローチャートである。図18は、第2の省用力モード(第4の省用力モード)の退避時の流れを示すフローチャートである。図19は、第2の処理液供給装置6のリンス液温度制御の流れを示すフローチャートである。図20は、図19に示す第3の省用力モードの流れを示すフローチャートである。図21は、第2の処理液供給装置6のリンス液圧力制御の流れを示すフローチャートである。   FIG. 13 is a flowchart showing a flow of chemical temperature control of the first processing liquid supply device 5. FIG. 14 is a flowchart showing the flow of the first power saving mode. FIG. 15 is a flowchart showing a flow of chemical pressure control of the first processing liquid supply device 5. FIG. 16 is a flowchart showing the flow of the second power saving mode (the fourth power saving mode shown in FIG. 21) shown in FIG. FIG. 17 is a flowchart showing a flow at the start of the second power saving mode (fourth power saving mode). FIG. 18 is a flowchart showing a flow at the time of evacuation in the second power saving mode (fourth power saving mode). FIG. 19 is a flowchart showing a flow of rinsing liquid temperature control of the second processing liquid supply device 6. FIG. 20 is a flowchart showing the flow of the third power saving mode shown in FIG. FIG. 21 is a flowchart showing a flow of rinsing liquid pressure control of the second processing liquid supply device 6.

図3、図6、図8A〜図8C、図13〜図21を参照しながら、第1〜第4の省用力モード、ならびに第1〜第4のプロセスモードについて説明する。
前述のように、第1の処理液供給装置5には、第1のポンプ14における駆動エアの消費量に関するモードとして、第1の省用力モードと、第1のプロセスモードとの2つが用意されている。図13に示すように、制御装置7は、第1のモード用カウンタ54の値が零を超える(すなわち「1」以上)場合には(ステップS51でYES)、第1のプロセスモードが実行される(ステップS52)。一方、第1のモード用カウンタ54の値が零であるときには(ステップS51でNO)、第1の省用力モードが実行される(ステップS53)。
The first to fourth power saving modes and the first to fourth process modes will be described with reference to FIGS. 3, 6, 8 </ b> A to 8 </ b> C, and FIGS. 13 to 21.
As described above, the first processing liquid supply device 5 is provided with two modes, ie, the first power saving mode and the first process mode, as modes relating to the consumption amount of driving air in the first pump 14. ing. As shown in FIG. 13, when the value of the first mode counter 54 exceeds zero (that is, “1” or more) (YES in step S51), the control device 7 executes the first process mode. (Step S52). On the other hand, when the value of the first mode counter 54 is zero (NO in step S51), the first power saving mode is executed (step S53).

図14に示すように、第1のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第1の温度調整ユニット25(図4および図5参照)の設定温度は、所定の第1の設定温度(たとえば100℃)に設定されている。換言すると、薬液処理に使用可能な温度(処理液供給可能状態)に設定されている。これに対し、第1の省用力モード中には、第1の温度調整ユニット25の設定温度は、前記の第1の設定温度よりも低い、所定の第2の設定温度(たとえば90℃)に設定されている。   As shown in FIG. 14, during the first process mode (that is, during the process), the set temperature of the first temperature adjustment unit 25 (see FIGS. 4 and 5) is a predetermined first set temperature (for example, 100 ° C.). In other words, it is set to a temperature that can be used for chemical liquid processing (a state in which processing liquid can be supplied). On the other hand, during the first power saving mode, the set temperature of the first temperature adjustment unit 25 is set to a predetermined second set temperature (for example, 90 ° C.) that is lower than the first set temperature. Is set.

この第2の設定温度(たとえば90℃)は、第1の省用力モードから第1のプロセスモードに復帰した場合に、第1の温度制御部27による第1の温度調整ユニット25のPID制御により、第1の設定温度(たとえば100℃)に短時間で復帰可能な温度(処理液供給可能状態)である。すなわち、第1の省用力モードから第1のプロセスモードに復帰した際に、第1の循環配管12(図3参照)を循環している薬液の温度を短時間で第1の設定温度(たとえば100℃)に戻せるように第2の設定温度(たとえば90℃)が設定されている。   The second set temperature (for example, 90 ° C.) is obtained by PID control of the first temperature adjustment unit 25 by the first temperature control unit 27 when the first process power mode is returned to the first process mode. The temperature can be returned to the first set temperature (for example, 100 ° C.) in a short time (processing liquid can be supplied). That is, when returning from the first power-saving mode to the first process mode, the temperature of the chemical liquid circulating through the first circulation pipe 12 (see FIG. 3) can be reduced to the first set temperature (for example, The second set temperature (for example, 90 ° C.) is set so that it can be returned to 100 ° C.).

図8Cを参照して、第1のプロセスモードから第1の省用力モードに移行するトリガーは、先に処理が行われる処理ユニット81の、シャッタ68の開動作開始(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最先の第の機械動作)である。また、第1の省用力モードから第1のプロセスモードに移行するトリガーは、後に処理が行われる処理ユニット82の、薬液ノズル64の処理位置からの退避開始(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最後の第の機械動作)である。 Referring to FIG. 8C, the trigger for shifting from the first process mode to the first power saving mode is the start of the opening operation of the shutter 68 of the processing unit 81 in which processing is performed first (that is, a plurality of processing units 81). a second second machine operation the earliest of machine operations) to be performed at 82. The trigger for shifting from the first power saving mode to the first process mode is that the processing unit 82 to be processed later starts to be retracted from the processing position of the chemical nozzle 64 (that is, a plurality of processing units 81 and 82). it is in first mechanical operation of the last of the first machine operations performed).

第1の省用力モードでは、第1の温度調整ユニット25の設定温度が、第1のプロセスモードよりも低いため、第1のプロセスモードと比較して消費電力の低減が図られる。したがって、第1の省用力モードを設けることにより、第1の処理液供給装置5での消費電力の低減を図ることができる。
なお、第2の設定温度は、90℃に限られるものではなく、第1の省用力モードから第1のプロセスモードに復帰した場合に、先に処理が行われる処理ユニット81の薬液吐出開始までに、循環している薬液の温度が第1の設定温度(たとえば100℃)に戻せる範囲の温度であれば、90℃未満に設定してもよい。
In the first power saving mode, since the set temperature of the first temperature adjustment unit 25 is lower than that in the first process mode, power consumption can be reduced as compared with the first process mode. Therefore, by providing the first power saving mode, it is possible to reduce power consumption in the first processing liquid supply device 5.
Note that the second set temperature is not limited to 90 ° C., and until the start of the chemical solution discharge of the processing unit 81 that performs the process first when returning from the first power saving mode to the first process mode. If the temperature of the circulating chemical solution is within a range where it can be returned to the first set temperature (for example, 100 ° C.), it may be set to less than 90 ° C.

前述のように、第1の処理液供給装置5には、第1のポンプ14における駆動エアの消費量に関するモードとして、第2の省用力モードと、第2のプロセスモードとの2つが用意されている。図15に示すように、制御装置7は、第2のモード用カウンタ55の値が零を超える(すなわち「1」以上)場合には(ステップS61でYES)、第2のプロセスモードが実行される(ステップS62)。一方、第2のモード用カウンタ55の値が零であるときには(ステップS61でNO)、第2の省用力モードが実行される(ステップS63)。   As described above, the first processing liquid supply device 5 is provided with two modes, ie, the second power saving mode and the second process mode, as modes relating to the consumption amount of driving air in the first pump 14. ing. As shown in FIG. 15, when the value of the second mode counter 55 exceeds zero (that is, “1” or more) (YES in step S61), the control device 7 executes the second process mode. (Step S62). On the other hand, when the value of the second mode counter 55 is zero (NO in step S61), the second power saving mode is executed (step S63).

図16に示すように、第2のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第1のポンプ14の駆動圧(第1のポンプ14に供給される駆動エアの圧力)が、所定の第1の駆動圧(高圧)に設定されている。また、第1のレギュレータ16による第1の循環配管12の開度調整により、第1の循環配管12の薬液の循環圧が、所定の第1の循環圧(高圧)に設定されている。第1の循環配管12内を循環する薬液の循環圧の大きさは、各薬液ノズル64からの薬液の吐出圧に連動している。そのため、薬液ノズル64からの薬液吐出時には、薬液の吐出圧を確保すべく、第1の循環配管12の循環圧が高圧に保たれている必要がある。換言すると、第1のポンプ14の駆動圧および薬液の循環圧は、処理ユニット8に直ちに薬液を供給可能な圧力状態(処理液供給可能状態)である。   As shown in FIG. 16, during the second process mode (that is, during the process), the driving pressure of the first pump 14 (the pressure of the driving air supplied to the first pump 14) is a predetermined first level. The driving pressure (high pressure) is set. Further, by adjusting the opening degree of the first circulation pipe 12 by the first regulator 16, the circulation pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12 is set to a predetermined first circulation pressure (high pressure). The magnitude of the circulation pressure of the chemical liquid circulating in the first circulation pipe 12 is linked to the discharge pressure of the chemical liquid from each chemical liquid nozzle 64. Therefore, when the chemical solution is discharged from the chemical solution nozzle 64, the circulation pressure of the first circulation pipe 12 needs to be kept high in order to ensure the discharge pressure of the chemical solution. In other words, the driving pressure of the first pump 14 and the circulation pressure of the chemical liquid are in a pressure state (process liquid supply enabled state) in which the chemical liquid can be immediately supplied to the processing unit 8.

これに対し、第2の省用力モード中には、第1のポンプ14の駆動圧が、第1の駆動圧よりも低い(たとえば、第1の駆動圧の1/2〜1/10程度)の第2の駆動圧(低圧)に設定されていると共に、薬液の循環圧が、低い第2の循環圧(低圧)に設定されている。第2の省用力モードでは、薬液の液温を所定に保つべく循環自体が行われていれば足り、その循環流量は低くても構わない。   On the other hand, during the second power saving mode, the driving pressure of the first pump 14 is lower than the first driving pressure (for example, about 1/2 to 1/10 of the first driving pressure). The second driving pressure (low pressure) is set, and the circulating pressure of the chemical liquid is set to a low second circulating pressure (low pressure). In the second power saving mode, it is sufficient that the circulation itself is performed in order to keep the liquid temperature of the chemical liquid at a predetermined value, and the circulation flow rate may be low.

図8Cを参照して、第2のプロセスモードから第2の省用力モードに移行するトリガーは、先に処理が行われる処理ユニット81の、スピンチャック63による基板Wの保持(挟持つ)完了(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最先の第の機械動作)である。また、第2の省用力モードから第2のプロセスモードに移行するトリガーは、後に処理が行われる処理ユニット82の薬液ノズル64の処理位置からの退避開始(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最後の第の機械動作)である。 Referring to FIG. 8C, the trigger for shifting from the second process mode to the second power saving mode is the completion of holding (holding) the substrate W by the spin chuck 63 in the processing unit 81 where the processing is performed first ( that is, the second machine operation the earliest of the second machine operations performed by a plurality of processing units 81, 82). In addition, the trigger for shifting from the second power saving mode to the second process mode is the start of retreat from the processing position of the chemical nozzle 64 of the processing unit 82 to be processed later (that is, in the processing units 81 and 82). the last first machine operation) of the first machine operations performed.

第2の省用力モードでは、第1のポンプ14の駆動圧(第1のポンプ14に供給される駆動エアの圧力)が低いため、第2のプロセスモードと比較して、エアの消費量の低減が図られる(たとえば1/2〜1/10程度に低減)。第2の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6でのエアの消費量の低減を図ることができる。
また、第2の省用力モードでは、第1のポンプ14の駆動圧かつ薬液の循環圧が低くため、第1の循環配管12における薬液の循環流量が低減されている。第1の温度調整ユニット25はPID制御されているので、第1の循環配管12における薬液の循環流量が低減できれば、第1の温度調整ユニット25の消費電力の低減を図ることができる。換言すれば、循環する薬液の放熱分だけの消費電力で足りる。したがって、第2の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減も図ることができる。
In the second power saving mode, the driving pressure of the first pump 14 (the pressure of the driving air supplied to the first pump 14) is low. Therefore, compared with the second process mode, the amount of air consumption is reduced. Reduction is achieved (for example, reduction to about 1/2 to 1/10). By providing the second power saving mode, it is possible to reduce the amount of air consumed in the second processing liquid supply device 6.
Further, in the second power saving mode, the driving pressure of the first pump 14 and the circulation pressure of the chemical liquid are low, so that the circulation flow rate of the chemical liquid in the first circulation pipe 12 is reduced. Since the first temperature adjustment unit 25 is PID-controlled, the power consumption of the first temperature adjustment unit 25 can be reduced if the circulation flow rate of the chemical solution in the first circulation pipe 12 can be reduced. In other words, power consumption corresponding to the heat radiation of the circulating chemical solution is sufficient. Therefore, by providing the second power saving mode, power consumption in the second processing liquid supply device 6 can be reduced.

図17に示すように、第2の省用力モードの開始時には、制御装置7は、第1のレギュレータ16を制御して、第1の循環配管12における薬液の循環圧を低下させると共に(ステップS65)、第1の駆動制御弁21を制御して、第1のポンプ14の駆動圧を低下させる(ステップS66)。循環圧の低下およびポンプ駆動圧の低下は、徐々に行う(ステップS65,S66)。循環圧およびポンプ駆動圧が、それぞれ所定の圧力値まで低下すると(ステップS67でYES)、制御装置7は、循環圧およびポンプ駆動圧の低下を停止する。このような手法により、循環圧およびポンプ駆動圧をスムーズに低下させることができる。   As shown in FIG. 17, at the start of the second power saving mode, the control device 7 controls the first regulator 16 to lower the circulation pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12 (step S65). ), The first drive control valve 21 is controlled to reduce the drive pressure of the first pump 14 (step S66). The circulation pressure and the pump driving pressure are gradually reduced (steps S65 and S66). When the circulating pressure and the pump driving pressure are reduced to predetermined pressure values (YES in step S67), the control device 7 stops the reduction of the circulating pressure and the pump driving pressure. With such a method, the circulating pressure and the pump driving pressure can be smoothly reduced.

図18に示すように、第2の省用力モードの退避時(すなわち、第2のプロセスモードの開始時)には、制御装置7は、第1のレギュレータ16を制御して、第1の循環配管12における薬液の循環圧を上昇させると共に(ステップS68)、第1の駆動制御弁21を制御して、第1のポンプ14の駆動圧を上昇させる(ステップS69)。循環圧の上昇およびポンプ駆動圧の上昇は、徐々に行う(ステップS68,S69)。循環圧およびポンプ駆動圧が、それぞれ所定の圧力値まで戻ると(ステップS70でYES)、制御装置7は、循環圧およびポンプ駆動圧の圧力上昇制御を停止する。このような手法により、循環圧およびポンプ駆動圧をスムーズに上昇させることができる。   As shown in FIG. 18, when the second power saving mode is retracted (that is, when the second process mode is started), the control device 7 controls the first regulator 16 to perform the first circulation. While increasing the circulating pressure of the chemical solution in the pipe 12 (step S68), the first drive control valve 21 is controlled to increase the drive pressure of the first pump 14 (step S69). The circulation pressure and the pump driving pressure are gradually increased (steps S68 and S69). When the circulation pressure and the pump drive pressure return to the predetermined pressure values (YES in step S70), the control device 7 stops the pressure increase control of the circulation pressure and the pump drive pressure. With such a method, the circulating pressure and the pump driving pressure can be increased smoothly.

図17および図18に示す、薬液の循環圧の圧力変更、および第1のポンプ14の駆動圧の圧力変更は、それぞれ、比較的短時間で行うことができる。したがって、第2の省用力モードから第2のプロセスモードへの移行時において、第1の循環配管12における薬液の循環圧および第1のポンプ14の駆動圧を、処理ユニット8に直ちに薬液を供給可能な圧力状態(処理液供給可能状態)に、短時間で復帰させることができる。   The pressure change of the circulating pressure of the chemical solution and the pressure change of the driving pressure of the first pump 14 shown in FIGS. 17 and 18 can be performed in a relatively short time, respectively. Therefore, at the time of transition from the second power saving mode to the second process mode, the chemical solution is immediately supplied to the processing unit 8 using the circulation pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12 and the driving pressure of the first pump 14. It is possible to return to a possible pressure state (process liquid supply enabled state) in a short time.

前述のように、第2の処理液供給装置6には、第2の温度調整機構23の電力消費量に関するモードとして、第3の省用力モードと、第3のプロセスモードとの2つが用意されている。図19に示すように、制御装置7は、第3のモード用カウンタ56の値が零を超える(すなわち「1」以上)場合には(ステップS71でYES)、第3のプロセスモードが実行される(ステップS72)。一方、第3のモード用カウンタ56の値が零であるときには(ステップS71でNO)、第3の省用力モードが実行される(ステップS73)。   As described above, the second processing liquid supply device 6 is provided with two modes, ie, the third power saving mode and the third process mode, as modes relating to the power consumption of the second temperature adjustment mechanism 23. ing. As shown in FIG. 19, when the value of the third mode counter 56 exceeds zero (that is, “1” or more) (YES in step S71), the control device 7 executes the third process mode. (Step S72). On the other hand, when the value of the third mode counter 56 is zero (NO in step S71), the third power saving mode is executed (step S73).

図20に示すように、第3のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第2の温度調整ユニット45(図4および図5参照)の設定温度は、所定の第3の設定温度(たとえば60℃)に設定されている。換言すると、リンス処理に使用可能な温度(処理液供給可能状態)に設定されている。これに対し、第3の省用力モード中には、第2の温度調整ユニット45の設定温度は、前記の第3の設定温度よりも低い、所定の第4の設定温度(たとえば60℃)に設定されている。   As shown in FIG. 20, during the third process mode (that is, during the process), the set temperature of the second temperature adjustment unit 45 (see FIGS. 4 and 5) is set to a predetermined third set temperature (for example, 60 ° C.). In other words, it is set to a temperature that can be used for the rinsing process (a state in which processing liquid can be supplied). On the other hand, during the third power saving mode, the set temperature of the second temperature adjustment unit 45 is set to a predetermined fourth set temperature (for example, 60 ° C.) lower than the third set temperature. Is set.

この第4の設定温度(たとえば60℃)は、第3の省用力モードから第3のプロセスモードに復帰した場合に、第2の設定温度制御部47による第2の温度調整ユニット45のPID制御により、第3の設定温度(たとえば70℃)に短時間で復帰可能な温度である。すなわち、第3の省用力モードから第3のプロセスモードに復帰した際に、第2の循環配管32(図3参照)を循環しているリンス液の温度を短時間で第3の設定温度(たとえば70℃)に戻せるように第4の設定温度(たとえば60℃)が設定されている。   The fourth set temperature (for example, 60 ° C.) is the PID control of the second temperature adjustment unit 45 by the second set temperature control unit 47 when the third process power saving mode returns to the third process mode. Thus, the temperature can be restored to the third set temperature (for example, 70 ° C.) in a short time. That is, when returning from the third power saving mode to the third process mode, the temperature of the rinsing liquid circulating through the second circulation pipe 32 (see FIG. 3) is set to the third set temperature ( For example, a fourth set temperature (for example, 60 ° C.) is set so that the temperature can be returned to 70 ° C.

図8Cを参照して、第3のプロセスモードから第3の省用力モードに移行するトリガーは、先に処理が行われる処理ユニット81の、スピンチャック63による基板Wの保持(挟持)完了(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最先の第の機械動作)である。また、第3の省用力モードから第3のプロセスモードに移行するトリガーは、後に処理が行われる処理ユニット82の、リンス液ノズル65の中央位置からの退避開始(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最後の第の機械動作)である。 Referring to FIG. 8C, the trigger for shifting from the third process mode to the third power saving mode is the completion (holding) of holding (holding) the substrate W by the spin chuck 63 of the processing unit 81 where the processing is performed first. a second machine operation the earliest of the second machine operations performed by a plurality of processing units 81, 82). In addition, the trigger for shifting from the third power saving mode to the third process mode is the start of retreating of the processing unit 82 to be processed later from the central position of the rinse liquid nozzle 65 (that is, a plurality of processing units 81, 82 is the last of the first machine operation) of the first machine operations performed.

第3の省用力モードでは、第2の温度調整ユニット45の設定温度が、第3のプロセスモードよりも低いため、第3のプロセスモードと比較して消費電力の低減が図られる。したがって、第3の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減を図ることができる。
なお、第4の設定温度は、60℃に限られるものではなく、第3の省用力モードから第3のプロセスモードに復帰した場合に、先に処理が行われる処理ユニット81のリンス液吐出開始までに、循環しているリンス液の温度が第3の設定温度(たとえば70℃)に戻せる範囲の温度であれば、60℃未満に設定してもよい。
In the third power saving mode, since the set temperature of the second temperature adjustment unit 45 is lower than that in the third process mode, power consumption can be reduced as compared with the third process mode. Therefore, by providing the third power saving mode, power consumption in the second processing liquid supply device 6 can be reduced.
Note that the fourth set temperature is not limited to 60 ° C., and when the third process power-saving mode returns to the third process mode, the rinsing liquid discharge start of the processing unit 81 that performs the process first is performed. By the time, the temperature of the circulating rinsing liquid may be set to less than 60 ° C. as long as the temperature is within a range that can be returned to the third set temperature (for example, 70 ° C.).

前述のように、第2の処理液供給装置6には、第2のポンプ34における駆動エアの消費量に関するモードとして、第4の省用力モードと、第4のプロセスモードとの2つが用意されている。図21に示すように、制御装置7は、第4のモード用カウンタ57の値が零を超える(すなわち「1」以上)場合には(ステップS81でYES)、第4のプロセスモードが実行される(ステップS82)。一方、第4のモード用カウンタ57の値が零であるときには(ステップS81でNO)、第4の省用力モードが実行される(ステップS83)。   As described above, the second processing liquid supply device 6 is provided with two modes, the fourth power saving mode and the fourth process mode, as modes relating to the consumption amount of driving air in the second pump 34. ing. As shown in FIG. 21, when the value of the fourth mode counter 57 exceeds zero (that is, “1” or more) (YES in step S81), the control device 7 executes the fourth process mode. (Step S82). On the other hand, when the value of the fourth mode counter 57 is zero (NO in step S81), the fourth power saving mode is executed (step S83).

図16に示すように、第4のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第2のポンプ34の駆動圧(第2のポンプ34に供給される駆動エアの圧力)が、所定の第3の駆動圧(高圧)に設定されている。また、第2のレギュレータ36による第2の循環配管32の開度調整により、第2の循環配管32のリンス液の循環圧が、所定の第3の循環圧(高圧)に設定されている。第3の循環配管32内を循環するリンス液の循環圧の大きさは、各リンス液ノズル65からのリンス液の吐出圧に連動している。そのため、リンス液ノズル65からのリンス液吐出時には、リンス液の吐出圧を確保すべく、第3の循環配管12の循環圧が高圧に保たれている必要がある。換言すると、第2のポンプ34の駆動圧およびリンス液の循環圧は、処理ユニット8に直ちにリンス液を供給可能な圧力状態である。   As shown in FIG. 16, during the fourth process mode (that is, during the process), the driving pressure of the second pump 34 (the pressure of the driving air supplied to the second pump 34) is a predetermined third level. The driving pressure (high pressure) is set. Further, by adjusting the opening degree of the second circulation pipe 32 by the second regulator 36, the circulation pressure of the rinse liquid in the second circulation pipe 32 is set to a predetermined third circulation pressure (high pressure). The magnitude of the circulation pressure of the rinse liquid circulating in the third circulation pipe 32 is linked to the discharge pressure of the rinse liquid from each rinse liquid nozzle 65. Therefore, when the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 65, the circulation pressure of the third circulation pipe 12 needs to be kept high in order to ensure the discharge pressure of the rinse liquid. In other words, the driving pressure of the second pump 34 and the circulating pressure of the rinsing liquid are in a pressure state in which the rinsing liquid can be immediately supplied to the processing unit 8.

これに対し、第4の省用力モード中には、第2のポンプ34の駆動圧が、第3の駆動圧よりも低い(たとえば、第1の駆動圧の1/2〜1/10程度)の第4の駆動圧(低圧)に設定されていると共に、リンス液の循環圧が低い第4の循環圧(低圧)に設定されている。第4の省用力モードでは、リンス液の液温を所定に保つべく循環自体が行われていれば足り、その循環流量は低くても構わない。   On the other hand, during the fourth power saving mode, the driving pressure of the second pump 34 is lower than the third driving pressure (for example, about 1/2 to 1/10 of the first driving pressure). The fourth driving pressure (low pressure) is set to a fourth circulation pressure (low pressure), and the rinsing liquid circulation pressure is low. In the fourth power saving mode, it is sufficient that the circulation itself is performed so as to keep the temperature of the rinse liquid at a predetermined value, and the circulation flow rate may be low.

図8Cを参照して、第4のプロセスモードから第4の省用力モードに移行するトリガーは、先に処理が行われる処理ユニット81の、リンス液ノズルが中央位置に到達したこと(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最先の第の機械動作)である。また、第4の省用力モードから第4のプロセスモードに移行するトリガーは、後に処理が行われる処理ユニット82の、リンス液ノズル65の中央位置からの退避開始(すなわち、複数の処理ユニット81,82で実行される第の機械動作のうち最後の第の機械動作)である。 Referring to FIG. 8C, the trigger for shifting from the fourth process mode to the fourth power saving mode is that the rinse liquid nozzle of the processing unit 81 to be processed first has reached the center position (that is, a plurality of triggers). it is executed by the processing unit 81, 82 a second second machine operation the earliest of machine operations). Further, the trigger for shifting from the fourth power saving mode to the fourth process mode is the start of retreating of the processing unit 82 to be processed later from the central position of the rinsing liquid nozzle 65 (that is, a plurality of processing units 81, 82 is the last of the first machine operation) of the first machine operations performed.

第4の省用力モードでは、第2のポンプ34の駆動圧(第2のポンプ34に供給される駆動エアの圧力)が低いため、第4のプロセスモードと比較して、エアの消費量の低減が図られる(たとえば1/2〜1/10程度に低減)。第4の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6でのエアの消費量の低減を図ることができる。
また、第4の省用力モードでは、第3のポンプ34の駆動圧およびリンス液の循環圧が低く、第2の循環配管32におけるリンス液の循環流量が低減されている。第2の温度調整ユニット45はPID制御されているので、第2の循環配管32におけるリンス液の循環流量が低減できれば、第2の温度調整ユニット45の消費電力の低減を図ることができる。換言すれば、循環するリンス液の放熱分だけの消費電力で足りる。したがって、第4の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減も図ることができる。
In the fourth power saving mode, the driving pressure of the second pump 34 (the pressure of the driving air supplied to the second pump 34) is low. Therefore, compared with the fourth process mode, the amount of air consumption is reduced. Reduction is achieved (for example, reduction to about 1/2 to 1/10). By providing the fourth power saving mode, the amount of air consumed in the second processing liquid supply device 6 can be reduced.
In the fourth power saving mode, the driving pressure of the third pump 34 and the circulation pressure of the rinse liquid are low, and the circulation flow rate of the rinse liquid in the second circulation pipe 32 is reduced. Since the second temperature adjustment unit 45 is PID-controlled, if the circulation flow rate of the rinse liquid in the second circulation pipe 32 can be reduced, the power consumption of the second temperature adjustment unit 45 can be reduced. In other words, power consumption corresponding to the heat radiation of the circulating rinse liquid is sufficient. Therefore, by providing the fourth power saving mode, the power consumption in the second processing liquid supply device 6 can be reduced.

また、第4の省用力モードの開始時および第4のプロセスモードの開始時の流れは、図17および図18に示すように、それぞれ、第2の省用力モードの開始時および第2のプロセスモードの開始時と同等の処理が行われる。このようなリンス液の循環圧の圧力変更、および第2のポンプ34の駆動圧の圧力変更は、それぞれ、比較的短時間で行うことができる。したがって、第4の省用力モードから第4のプロセスモードへの移行時において、第2の循環配管32におけるリンス液の循環圧および第2のポンプ34の駆動圧を、処理ユニット8に直ちにリンス液を供給可能な圧力状態に、短時間で復帰させることができる。   The flow at the start of the fourth power saving mode and the start of the fourth process mode is as shown in FIGS. 17 and 18, respectively, at the start of the second power saving mode and the second process. Processing equivalent to that at the start of the mode is performed. Such a change in the circulation pressure of the rinse liquid and a change in the driving pressure of the second pump 34 can be performed in a relatively short time. Therefore, at the time of transition from the fourth power saving mode to the fourth process mode, the rinsing liquid circulation pressure in the second circulation pipe 32 and the driving pressure of the second pump 34 are immediately supplied to the processing unit 8. Can be restored in a short time to a pressure state in which can be supplied.

次に、変形例に係る第1のプロセスモードおよび第1の省用力モードについて説明する。図22は、変形例に係る第1(第3)の省用力モードの流れを示すフローチャートである。この第1のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第1の温度調整ユニット25は、6個の温度調整モジュール29A,29B(図5参照)を用いて薬液の温度制御を行っている。これに対し、変形例に係る第1の省用力モード中には、第1の温度調整ユニット25は、一方の温度調整単位ユニット26Aに含まれる3個の温度調整モジュール29A(図5参照)のみを用いて薬液の温度制御を行っている。すなわち、変形例に係る第1の省用力モード中には、他方の温度調整単位ユニット26Bに含まれる3個の温度調整モジュール29B(図5参照)に電力は供給されていない。   Next, the first process mode and the first power saving mode according to the modification will be described. FIG. 22 is a flowchart showing a flow of the first (third) power saving mode according to the modification. During the first process mode (that is, during the process), the first temperature adjustment unit 25 controls the temperature of the chemical solution using the six temperature adjustment modules 29A and 29B (see FIG. 5). On the other hand, during the first power saving mode according to the modification, the first temperature adjustment unit 25 includes only three temperature adjustment modules 29A (see FIG. 5) included in one temperature adjustment unit unit 26A. Is used to control the temperature of the chemical solution. That is, during the first power saving mode according to the modification, power is not supplied to the three temperature adjustment modules 29B (see FIG. 5) included in the other temperature adjustment unit 26B.

この変形例に係る第1の省用力モードでは、温度調整に用いられる温度調整モジュールの個数が、第1のプロセスモードよりも削減されているため、第1のプロセスモードと比較して消費電力の低減が図られる。したがって、第1の省用力モードを設けることにより、第1の処理液供給装置5での消費電力の低減を図ることができる。
また、変形例に係る第3のプロセスモードおよび第3の省用力モードも同様の手法が採用される。変形例に係る第1のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第3の温度調整ユニット45は、6個の温度調整モジュール49A,49B(図5参照)を用いて薬液の温度制御を行っている。これに対し、変形例に係る第3の省用力モード中には、第3の温度調整ユニット45は、一方の温度調整単位ユニット46Aに含まれる3個の温度調整モジュール49A(図5参照)のみを用いて薬液の温度制御を行っている。すなわち、変形例に係る第3の省用力モード中には、他方の温度調整単位ユニット46Bに含まれる3個の温度調整モジュール49B(図5参照)に電力は供給されていない。
In the first power-saving mode according to this modification, the number of temperature adjustment modules used for temperature adjustment is reduced as compared with the first process mode. Reduction is achieved. Therefore, by providing the first power saving mode, it is possible to reduce power consumption in the first processing liquid supply device 5.
Further, the same method is employed for the third process mode and the third power saving mode according to the modification. During the first process mode according to the modification (that is, during the process), the third temperature adjustment unit 45 controls the temperature of the chemical solution using the six temperature adjustment modules 49A and 49B (see FIG. 5). ing. On the other hand, during the third power saving mode according to the modified example, the third temperature adjustment unit 45 includes only three temperature adjustment modules 49A (see FIG. 5) included in one temperature adjustment unit unit 46A. Is used to control the temperature of the chemical solution. That is, during the third power saving mode according to the modification, power is not supplied to the three temperature adjustment modules 49B (see FIG. 5) included in the other temperature adjustment unit unit 46B.

この変形例に係る第3の省用力モードでは、温度調整に用いられる温度調整モジュールの個数が、第3のプロセスモードよりも削減されているため、第3のプロセスモードと比較して消費電力の低減が図られる。したがって、第3の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減を図ることができる。
次に、変形例に係る第2のプロセスモードおよび第2の省用力モードについて説明する。 図23は、変形例に係る第2(第4)の省用力モードの流れを示すフローチャートである。図24は、図23に示す、変形例に係る第2(第4)の省用力モードの開始時の流れを示すフローチャートである。図25は、図23に示す、変形例に係る第2(第4)の省用力モードの退避時の流れを示すフローチャートである。
In the third power saving mode according to this modification, the number of temperature adjustment modules used for temperature adjustment is reduced as compared with the third process mode. Reduction is achieved. Therefore, by providing the third power saving mode, power consumption in the second processing liquid supply device 6 can be reduced.
Next, the second process mode and the second power saving mode according to the modification will be described. FIG. 23 is a flowchart showing a flow of the second (fourth) power saving mode according to the modification. FIG. 24 is a flowchart showing a flow at the start of the second (fourth) power saving mode according to the modification shown in FIG. FIG. 25 is a flowchart showing a flow during retraction in the second (fourth) power saving mode according to the modification shown in FIG.

この第2のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第1のポンプ14の駆動回数(第1のポンプ14に駆動エアが供給される回数)が、所定の第1の駆動回数(高回数)に設定されている。
これに対し、変形例に係る第2の省用力モード中には、第1のポンプ14の駆動回数が、第1の駆動回数よりも少ない(たとえば、半分程度)の第2の駆動回数(低回数)に設定されていると共に、薬液の循環圧が低い第2の循環圧(低圧)に設定されている。第2の省用力モードでは、薬液の液温を所定に保つべく循環自体が行われていれば足り、その循環流量は低くても構わない。
During the second process mode (that is, during the process), the number of times the first pump 14 is driven (the number of times drive air is supplied to the first pump 14) is equal to the predetermined first number of times (high number of times). ) Is set.
On the other hand, during the second power saving mode according to the modified example, the number of times of driving the first pump 14 is smaller than the first number of times of driving (for example, about half). Frequency) and a second circulating pressure (low pressure) at which the circulating pressure of the chemical solution is low. In the second power saving mode, it is sufficient that the circulation itself is performed in order to keep the liquid temperature of the chemical liquid at a predetermined value, and the circulation flow rate may be low.

変形例に係る第2の省用力モードでは、第1のポンプ14の駆動回数(第1のポンプ14に駆動エアが供給される回数)が少ないため、第2のプロセスモードと比較して、エアの消費量の低減が図られる(たとえば1/2程度に低減)。これにより、第2の処理液供給装置6でのエアの消費量の低減を図ることができる。
また、第2の省用力モードでは、第1のポンプ14の駆動回数が少なくかつ薬液の循環圧が低くため、第1の循環配管12における薬液の循環流量が低減されている。第1の温度調整ユニット25はPID制御されているので、第1の循環配管12における薬液の循環流量が低減できれば、第1の温度調整ユニット25の消費電力の低減を図ることができる。換言すれば、循環する薬液の放熱分だけの消費電力で足りる。したがって、変形例に係る第2の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減も図ることができる。
In the second power saving mode according to the modified example, the number of times the first pump 14 is driven (the number of times the driving air is supplied to the first pump 14) is small. Consumption is reduced (for example, reduced to about 1/2). Thereby, reduction of the air consumption in the 2nd process liquid supply apparatus 6 can be aimed at.
Further, in the second power saving mode, the number of times the first pump 14 is driven and the circulation pressure of the chemical liquid is low, so that the circulation flow rate of the chemical liquid in the first circulation pipe 12 is reduced. Since the first temperature adjustment unit 25 is PID-controlled, the power consumption of the first temperature adjustment unit 25 can be reduced if the circulation flow rate of the chemical solution in the first circulation pipe 12 can be reduced. In other words, power consumption corresponding to the heat radiation of the circulating chemical solution is sufficient. Therefore, by providing the second power saving mode according to the modification, it is possible to reduce the power consumption in the second processing liquid supply device 6.

図24に示すように、変形例に係る第2の省用力モードの開始時には、制御装置7は、第1のレギュレータ16を制御して、第1の循環配管12における薬液の循環圧を低下させると共に(ステップS165)、第1の駆動制御弁21を制御して、第1のポンプ14の駆動回数を低下させる(ステップS166)。循環圧の低下およびポンプ駆動回数の低下は、徐々に行う(ステップS165,S166)。循環圧およびポンプ駆動回数が、それぞれ所定の値まで低下すると(ステップS167でYES)、制御装置7は、循環圧およびポンプ駆動回数の低下を停止する。このような手法により、循環圧およびポンプ駆動回数をスムーズに低下させることができる。   As shown in FIG. 24, at the start of the second power saving mode according to the modification, the control device 7 controls the first regulator 16 to reduce the circulation pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12. At the same time (step S165), the first drive control valve 21 is controlled to reduce the number of times of driving the first pump 14 (step S166). The circulation pressure and the pump driving frequency are gradually reduced (steps S165 and S166). When the circulating pressure and the number of times of pump driving are reduced to predetermined values (YES in step S167), control device 7 stops the decrease of the circulating pressure and the number of times of pump driving. With such a method, the circulating pressure and the number of pump driving operations can be smoothly reduced.

図25に示すように、変形例に係る第2の省用力モードの退避時(すなわち、変形例に係る第2のプロセスモードの開始時)には、制御装置7は、第1のレギュレータ16を制御して、第1の循環配管12における薬液の循環圧を上昇させると共に(ステップS168)、第1の駆動制御弁21を制御して、第1のポンプ14の駆動回数を上昇させる(ステップS169)。循環圧の上昇およびポンプ駆動回数の上昇は、徐々に行う(ステップS168,S169)。循環圧およびポンプ駆動回数が、それぞれ所定の値まで戻ると(ステップS170でYES)、制御装置7は、循環圧およびポンプ駆動回数の上昇を停止する。このような手法により、循環圧およびポンプ駆動回数をスムーズに上昇させることができる。   As shown in FIG. 25, when the second power saving mode according to the modified example is retracted (that is, at the start of the second process mode according to the modified example), the control device 7 controls the first regulator 16 to In addition to increasing the circulating pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12 (step S168), the first drive control valve 21 is controlled to increase the number of times of driving the first pump 14 (step S169). ). The circulation pressure and the pump driving frequency are gradually increased (steps S168 and S169). When the circulating pressure and the number of times of pump driving return to predetermined values (YES in step S170), control device 7 stops the increase of the circulating pressure and the number of times of pump driving. With such a method, the circulation pressure and the number of pump driving times can be increased smoothly.

図23および図24に示す、薬液の循環圧の圧力変更、および第1のポンプ14の駆動回数の圧力変更は、それぞれ、比較的短時間で行うことができる。したがって、第2の省用力モードから第2のプロセスモードへの移行時において、第1の循環配管12における薬液の循環圧および第1のポンプ14の駆動圧を、処理ユニット8に直ちに薬液を供給可能な圧力状態に、短時間で復帰させることができる。   The pressure change of the chemical circulation pressure and the pressure change of the driving frequency of the first pump 14 shown in FIGS. 23 and 24 can be performed in a relatively short time, respectively. Therefore, at the time of transition from the second power saving mode to the second process mode, the chemical solution is immediately supplied to the processing unit 8 using the circulation pressure of the chemical solution in the first circulation pipe 12 and the driving pressure of the first pump 14. It is possible to return to a possible pressure state in a short time.

図23に示すように、変形例に係る第4のプロセスモード中(すなわちプロセス時)には、第3のポンプ34の駆動回数(第3のポンプ34に駆動エアが供給される回数)が、所定の第3の駆動回数(高回数)に設定されている。
これに対し、変形例に係る第4の省用力モード中には、第3のポンプ34の駆動回数が、第3の駆動回数よりも少ない(たとえば、半分程度)の第4の駆動回数(低回数)に設定されていると共に、リンス液の循環圧が、低い第4の循環圧(低圧)に設定されている。第4の省用力モードでは、リンス液の液温を所定に保つべく循環自体が行われていれば足り、その循環流量は低くても構わない。
As shown in FIG. 23, during the fourth process mode according to the modification (that is, during the process), the number of times the third pump 34 is driven (the number of times drive air is supplied to the third pump 34) is The predetermined third number of times of driving (high number of times) is set.
On the other hand, during the fourth power saving mode according to the modified example, the number of times of driving the third pump 34 is smaller than the third number of times of driving (for example, about half) and the fourth number of times of driving (low). The circulation pressure of the rinse liquid is set to a low fourth circulation pressure (low pressure). In the fourth power saving mode, it is sufficient that the circulation itself is performed so as to keep the temperature of the rinse liquid at a predetermined value, and the circulation flow rate may be low.

変形例に係る第4の省用力モードでは、第3のポンプ34の駆動回数(第3のポンプ34に駆動エアが供給される回数)が少ないため、第4のプロセスモードと比較して、エアの消費量の低減が図られる(たとえば1/2程度に低減)。これにより、第2の処理液供給装置6でのエアの消費量の低減を図ることができる。
また、第4の省用力モードでは、第2のポンプ34の駆動回数が少なくかつリンス液の循環圧が低くため、第2の循環配管32におけるリンス液の循環流量が低減されている。第2の温度調整ユニット45はPID制御されているので、第2の循環配管32におけるリンス液の循環流量が低減できれば、第2の温度調整ユニット45の消費電力の低減を図ることができる。換言すれば、循環するリンス液の放熱分だけの消費電力で足りる。したがって、変形例に係る第4の省用力モードを設けることにより、第2の処理液供給装置6での消費電力の低減も図ることができる。
In the fourth power saving mode according to the modified example, the number of times the third pump 34 is driven (the number of times the driving air is supplied to the third pump 34) is small. Consumption is reduced (for example, reduced to about 1/2). Thereby, reduction of the air consumption in the 2nd process liquid supply apparatus 6 can be aimed at.
In the fourth power saving mode, the number of times the second pump 34 is driven and the circulation pressure of the rinse liquid is low, so that the circulation flow rate of the rinse liquid in the second circulation pipe 32 is reduced. Since the second temperature adjustment unit 45 is PID-controlled, if the circulation flow rate of the rinse liquid in the second circulation pipe 32 can be reduced, the power consumption of the second temperature adjustment unit 45 can be reduced. In other words, power consumption corresponding to the heat radiation of the circulating rinse liquid is sufficient. Therefore, by providing the fourth power saving mode according to the modification, it is possible to reduce power consumption in the second processing liquid supply device 6.

また、変形例に係る第4の省用力モードの開始時および変形例に係る第4のプロセスモードの開始時の流れは、図24および図25に示すように、それぞれ、変形例に係る第2の省用力モードの開始時および変形例に係る第2のプロセスモードの開始時と同等の処理が行われる。このようなリンス液の循環回数の回数変更、および第2のポンプ34の駆動圧の圧力変更は、それぞれ、比較的短時間で行うことができる。   Further, the flow at the start of the fourth power saving mode according to the modification and at the start of the fourth process mode according to the modification, as shown in FIG. 24 and FIG. The same process as that at the start of the power saving mode and at the start of the second process mode according to the modification is performed. Such a change in the number of times of rinsing liquid circulation and a change in the driving pressure of the second pump 34 can be performed in a relatively short time.

以上により、この実施形態によれば、第の機械動作がトリガーとなって、第1〜第4のプロセスモードから、第1〜第4の省用力モードに切り換えられる。また、第の機械動作がトリガーとなって、第1〜第4のプロセスモードから、第1〜第4の省用力モードに切り換えられる。第1〜第4のプロセスモードと第1〜第4の省用力モードとの間の移行を、第1および第2の機械動作をトリガーとして行うので、第1〜第4のプロセスモードと第1〜第4の省用力モードとの間の移行時刻を、予め定めておく必要がない。したがって、移行時刻を定めることが困難な状況下において、第1〜第4のプロセスモードおよび第1〜第4の省用力モードからの退避を良好なタイミングで行うことができる。したがって、第1および第2の処理液供給装置5,6に省用力モードを好適に設けることができ、これにより、各処理液供給装置5,6で使用される用力の低減を図ることができる。 As described above, according to this embodiment, the second machine operation is used as a trigger to switch from the first to fourth process modes to the first to fourth power saving modes. Further, the first machine operation is used as a trigger to switch from the first to fourth process modes to the first to fourth power saving modes. Since the transition between the first to fourth process modes and the first to fourth power saving modes is performed using the first and second machine operations as triggers, the first to fourth process modes and the first There is no need to predetermine the transition time between the fourth power saving mode. Therefore, in a situation where it is difficult to determine the transition time, the first to fourth process modes and the first to fourth power saving modes can be evacuated with good timing. Therefore, the first and second processing liquid supply devices 5 and 6 can be suitably provided with a power saving mode, whereby the power used in each of the processing liquid supply devices 5 and 6 can be reduced. .

また、第1〜第4の省用力モードから、回復モード等の中間モードを経ることなく、対応する第1〜第4のプロセスモードに復帰するので、第1および第2の処理液供給装置5,6を、処理液供給可能状態(処理液処理に使用可能な状態の処理液を処理ユニット8に直ちに供給可能な状態)に、短時間で復帰させることができる。
各処理ユニット8で実行される第の機械動作のうち、最先の第の機械動作をトリガーとして、第1および第2の処理液供給装置5,6が第1〜第4のプロセスモードから第1〜第4の省用力モードに移行させられる。また、各処理ユニット8で実行される第の機械動作のうち、最後の第の機械動作をトリガーとして、第1および第2の処理液供給装置5,6が第1〜第4の省用力モードから第1〜第4のプロセスモードに移行させられる。これにより、各処理液供給装置5,6が複数の処理ユニット8に対し処理液を供給する場合において、各処理ユニット8に対する処理液供給を良好に行いつつ、用力の低減を最大限に図ることができる。
Further, since the first to fourth process-saving power modes return to the corresponding first to fourth process modes without passing through the intermediate mode such as the recovery mode, the first and second processing liquid supply devices 5 are used. , 6 can be restored in a short time to a state in which the processing liquid can be supplied (a state in which a processing liquid usable for processing liquid processing can be immediately supplied to the processing unit 8).
Of the second machine operations executed by each processing unit 8, the first and second process liquid supply devices 5 and 6 are triggered by the earliest second machine operation as the first to fourth process modes. To the first to fourth power saving modes. Of the first machine operations executed by each processing unit 8, the first and second process liquid supply devices 5, 6 are first to fourth savings triggered by the last first machine operation. The utility mode is shifted to the first to fourth process modes. Thereby, in the case where each of the processing liquid supply devices 5 and 6 supplies the processing liquid to the plurality of processing units 8, the processing liquid is satisfactorily supplied to each of the processing units 8, and the utility is reduced to the maximum. Can do.

また、プロセスモードおよび省用力モードは、省用力モードで低減すべき用力の対象に対応して、それぞれ4つ(第1〜第4のプロセスモードおよび第1〜第4の省用力モード)設けられている。そのため、低減すべき用力の対象(たとえば温度調整機構13,33の電力消費量や駆動エアの用力など)毎に、別個の省用力モードを実行させることができ、したがって、きめ細やかな省用力モードを実現できる。   The process mode and the power saving mode are provided in four (first to fourth process modes and first to fourth power saving modes) corresponding to the power targets to be reduced in the power saving mode. ing. Therefore, a separate power saving mode can be executed for each target of the power to be reduced (for example, power consumption of the temperature adjustment mechanisms 13 and 33, power for driving air, etc.), and thus a detailed power saving mode. Can be realized.

また、処理液供給装置5,6毎に、別個の省用力モードを実行させることができる。省用力モードを、それぞれ薬液とリンス液とに応じた内容に設けることができるから、きめ細やかな省用力モードを実現できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
Further, a separate power saving mode can be executed for each of the processing liquid supply devices 5 and 6. Since the power saving mode can be provided in accordance with the contents corresponding to the chemical solution and the rinsing liquid, a detailed power saving mode can be realized.
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.

第2および第4の省用力モードとして、ポンプ14,34の駆動圧または駆動回数を低減させるものを例に挙げて説明したが、ポンプ14,34の駆動圧およびポンプ14,34の駆動圧の駆動回数の双方を、低減させるように駆動制御弁21,41を制御するようにしてもよい。
なお、第1の機械動作や第2の機械動作として、前述の説明では、シャッタ68の開動作や、薬液ノズル64の処理位置の退避動作、スピンチャック63による基板Wの保持動作、リンス液ノズル65の中央位置への配置動作、リンス液ノズル65の中央位置からの退避動作を例に挙げて説明したが、これ以外にも、スピンチャック63の回転動作や、処理ガスの吐出動作、他の処理液の吐出動作、基板の上面に対向配置されて、基板の上面の雰囲気制御を行う遮断部材の昇降動作、処理カップ66の昇降動作、種々のバルブの開閉動作等に関連して、第1および第2の機械動作が定められていてもよい。
The second and fourth power saving modes have been described by taking the example of reducing the driving pressure or the number of times of driving of the pumps 14 and 34. However, the driving pressures of the pumps 14 and 34 and the driving pressures of the pumps 14 and 34 are described. You may make it control the drive control valves 21 and 41 so that both the frequency | counts of a drive may be reduced.
As the first machine operation and the second machine operation, in the above description, the shutter 68 is opened, the processing position of the chemical nozzle 64 is retracted, the substrate W is held by the spin chuck 63, and the rinse liquid nozzle is used. The arrangement operation at the center position of 65 and the retraction operation from the center position of the rinsing liquid nozzle 65 have been described as examples. However, in addition to this, the rotation operation of the spin chuck 63, the discharge operation of the processing gas, In relation to the discharge operation of the processing liquid, the lifting and lowering operation of the blocking member disposed opposite to the upper surface of the substrate and controlling the atmosphere of the upper surface of the substrate, the lifting and lowering operation of the processing cup 66, the opening and closing operations of various valves And a second machine operation may be defined.

また、機械動作−省用力モード対応テーブルにおいて、省用力を行う対象が同じ(例えば薬液温度)であっても、レシピで読み込んだ処理条件に応じて、第1および第2の機械動作が異ならされていてもよい。
また、薬液を供給する第1の処理液供給装置5が、互いに異なる種類の薬液を供給すべく、複数の処理液供給機構(処理液供給装置)を備えた構成であってもよい。この場合、液の種類毎に、第1および第2の機械動作が異ならせてもよく、これにより、薬液の種類毎に異なる省エネプランを実行することも可能である。
Further, in the machine operation-saving power mode correspondence table, even if the object to be saved is the same (for example, chemical temperature), the first and second machine operations are made different according to the processing conditions read in the recipe. It may be.
Further, the first processing liquid supply device 5 that supplies the chemical liquid may be configured to include a plurality of processing liquid supply mechanisms (processing liquid supply apparatuses) so as to supply different types of chemical liquids. In this case, the first and second machine operations may be different for each type of liquid, and thus it is possible to execute different energy saving plans for each type of chemical liquid.

また、各処理ユニット群G1〜G4に2つの処理ユニット8が含まれる場合を例に挙げて説明したが、各処理ユニット群G1〜G4に3つ以上の処理ユニット8が含まれていてもよい。たとえば各処理ユニット群G1〜G4を3階建の構造にできる。
また、各処理ユニット群G1〜G4に1つの処理ユニット8しか含まれない構成であってもよい。この場合、1つの処理液供給装置5,6に対して、1つの処理ユニット8のみが対応している。
Moreover, although the case where two processing units 8 are included in each processing unit group G1 to G4 has been described as an example, each processing unit group G1 to G4 may include three or more processing units 8. . For example, each processing unit group G1-G4 can be made into a three-story structure.
Moreover, the structure by which only one processing unit 8 is included in each processing unit group G1-G4 may be sufficient. In this case, only one processing unit 8 corresponds to one processing liquid supply device 5 or 6.

また、処理液供給装置として薬液を供給する第1の処理液供給装置5と、リンス液を供給する第2の処理液供給装置6とを例に挙げて説明したが、第2の処理液供給装置6を設けないようにしてもよい。
また、処理ユニット8は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型以外にも、複数の基板Wを一括で処理液槽に浸漬させて処理する、いわゆるバッチ型であってもよい。
Moreover, although the 1st process liquid supply apparatus 5 which supplies a chemical | medical solution as a process liquid supply apparatus and the 2nd process liquid supply apparatus 6 which supplies a rinse liquid were mentioned as an example, the 2nd process liquid supply was demonstrated. The apparatus 6 may not be provided.
Further, the processing unit 8 may be a so-called batch type in which a plurality of substrates W are processed by immersing them in a processing solution tank at a time, in addition to the single wafer type that processes the substrates W one by one.

また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハWを取り上げたが、ウエハWに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。   In the above-described embodiment, the wafer W is taken up as a substrate to be processed. However, the wafer W is not limited to the wafer W. Other types of substrates such as a disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, and a solar cell substrate may be processed.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

1 基板処理装置
11 薬液タンク
12 第1の循環配管
13 第1の温度調整機構
31 リンス液タンク
32 第2の循環配管
33 第2の温度調整機構
53 機械動作−省用力モード対応テーブル(テーブル記憶部)
61 側壁
62 チャンバ
63 スピンチャック
64 薬液ノズル(処理液ノズル)
65 リンス液ノズル(処理液ノズル)
67 開口
68 シャッタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 11 Chemical solution tank 12 1st circulation piping 13 1st temperature adjustment mechanism 31 Rinse solution tank 32 2nd circulation piping 33 2nd temperature adjustment mechanism 53 Machine operation | movement-saving mode corresponding table (table storage part) )
61 Side wall 62 Chamber 63 Spin chuck 64 Chemical nozzle (treatment liquid nozzle)
65 Rinse solution nozzle (treatment solution nozzle)
67 Opening 68 Shutter

Claims (8)

基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている基板に対して処理液を吐出する処理液ノズルと、前記処理液ノズルを、前記基板保持手段に保持されている基板の側方に位置するホーム位置と、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に位置する処理位置との間で移動させるためのノズル移動ユニットとを有し、前記基板保持手段に保持されている基板に対して処理液を用いた処理を行うための処理ユニットと、
処理液を溜める処理液タンクと、両端が前記処理液タンクに接続された循環配管とを有し、前記処理液タンクと前記循環配管とを含む循環経路を循環する処理液を前記処理ユニットに供給する処理液供給装置と、
前記処理ユニットの所定の第の機械動作をトリガーとして、前記処理液供給装置を、前記処理ユニットの処理液処理で使用可能な処理液を前記処理ユニットに供給可能なプロセスモードから前記プロセスモードよりも、前記循環経路を循環する処理液の温度および流量の少なくとも一方を所定の値に維持する用力の低減された省用力モードに切り換え、かつ前記処理ユニットの所定の第の機械動作をトリガーとして、前記処理液供給装置を、前記省用力モードから前記プロセスモードに切り換えるモード切換え手段と、
前記第1の機械動作の後に、前記ノズル移動ユニットを制御して、前記ホーム位置から前記処理位置に向けて前記処理液ノズルを移動開始させるノズル移動制御手段とを含み、
前記省用力モードにおける前記所定の値が、前記ノズル移動ユニットにより前記処理液ノズルが前記処理位置に配置されるタイミングよりも前に、前記プロセスモードに前記処理液供給装置を復帰可能な状態となるように設定されている、基板処理装置。
A substrate holding means for holding the substrate; a processing liquid nozzle for discharging a processing liquid to the substrate held by the substrate holding means; and a side of the substrate on which the processing liquid nozzle is held by the substrate holding means And a nozzle moving unit for moving between a home position located on the side and a processing position located above the substrate held by the substrate holding means, and held by the substrate holding means. A processing unit for performing processing using a processing liquid on a substrate;
A processing liquid tank for storing the processing liquid and a circulation pipe having both ends connected to the processing liquid tank, and supplying the processing liquid circulating through a circulation path including the processing liquid tank and the circulation pipe to the processing unit A processing liquid supply device,
Triggered by a predetermined second mechanical operation of the processing unit, the processing liquid supply device starts from the process mode in which the processing liquid that can be used in the processing liquid processing of the processing unit can be supplied to the processing unit. Is switched to a power saving mode with reduced power for maintaining at least one of the temperature and the flow rate of the processing liquid circulating in the circulation path, and the predetermined first machine operation of the processing unit is used as a trigger. Mode switching means for switching the processing liquid supply device from the power saving mode to the process mode;
Nozzle movement control means for controlling the nozzle movement unit after the first machine operation to start moving the processing liquid nozzle from the home position toward the processing position;
The predetermined value in the power saving mode becomes a state in which the processing liquid supply device can be returned to the process mode before the timing at which the processing liquid nozzle is arranged at the processing position by the nozzle moving unit. The substrate processing apparatus is set as follows.
前記処理液供給装置は、前記循環配管を流通する処理液を温度調整する温度調整機構をさらに含み、
前記省用力モードは、前記温度調整機構の電力消費量が前記プロセスモードよりも低減されているモードを含む、請求項1に記載の基板処理装置。
The treatment liquid supply device further includes a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the treatment liquid flowing through the circulation pipe,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the power saving mode includes a mode in which power consumption of the temperature adjustment mechanism is reduced as compared with the process mode.
前記処理液供給装置は、前記処理液タンクに溜められている処理液を、前記循環配管に送り出すポンプをさらに含み、
前記省用力モードは、前記ポンプにおける駆動エアの消費量が前記プロセスモードよりも低減されているモードを含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。
The processing liquid supply device further includes a pump for sending the processing liquid stored in the processing liquid tank to the circulation pipe,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the power saving mode includes a mode in which a consumption amount of driving air in the pump is reduced as compared with the process mode.
前記処理ユニットは、前記基板保持手段を収容するチャンバをさらに有し、
前記第1の機械動作は、前記チャンバ内に基板を搬入する基板搬入動作である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The processing unit further includes a chamber for accommodating the substrate holding means,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first mechanical operation is a substrate carry-in operation for carrying a substrate into the chamber.
前記チャンバは、前記基板保持手段を取り囲む側壁と、前記側壁に形成された開口であって前記基板を搬出入するための開口を閉塞するシャッタとを含み、
前記基板搬入動作は、前記シャッタの開放動作である、請求項4に記載の基板処理装置。
The chamber includes a side wall that surrounds the substrate holding means, and a shutter that is an opening formed in the side wall and closes an opening for carrying the substrate in and out.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate carry-in operation is an opening operation of the shutter.
前記基板搬入動作は、前記基板保持手段による前記基板の保持動作である、請求項4に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate carry-in operation is a holding operation of the substrate by the substrate holding unit. 前記第2の機械動作は、前記処理位置からの前記処理液ノズルの退避動作である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second mechanical operation is a retreat operation of the processing liquid nozzle from the processing position. 前記第1および/または第2の機械動作と、前記プロセスモードおよび/または前記省用力モードからの退避状況との対応関係を規定する機械動作−省用力モード対応テーブルを記憶するテーブル記憶部を含み、
前記モード切換え手段は、前記テーブル記憶部に記憶されている前記機械動作−省用力モード対応テーブルに基づいて、前記処理液供給装置の前記プロセスモードおよび/または前記省用力モードからの退避を制御する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A table storage unit for storing a machine operation-saving power mode correspondence table that defines a correspondence relationship between the first and / or second machine operation and the process mode and / or the saving state from the saving power mode; ,
The mode switching means controls retreat of the processing liquid supply device from the process mode and / or the power saving mode based on the machine operation / power saving mode correspondence table stored in the table storage unit. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-7.
JP2014113218A 2014-05-30 2014-05-30 Substrate processing equipment Active JP6422673B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014113218A JP6422673B2 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014113218A JP6422673B2 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015228410A JP2015228410A (en) 2015-12-17
JP6422673B2 true JP6422673B2 (en) 2018-11-14

Family

ID=54885733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014113218A Active JP6422673B2 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6422673B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6916633B2 (en) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Screenホールディングス Processing liquid supply equipment, substrate processing equipment, and processing liquid supply method
JP6817860B2 (en) * 2017-03-21 2021-01-20 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method
KR101955597B1 (en) * 2017-05-17 2019-05-31 세메스 주식회사 Apparatus and method for manufacturing cleaning solution
CN113759675A (en) * 2020-06-05 2021-12-07 长鑫存储技术有限公司 Semiconductor device and method of operation

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3609936B2 (en) * 1998-03-11 2005-01-12 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2000124185A (en) * 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP3919962B2 (en) * 1999-01-25 2007-05-30 小松エレクトロニクス株式会社 Fluid temperature control device
JP4006130B2 (en) * 1999-03-30 2007-11-14 大日本スクリーン製造株式会社 Processing solution circulation device for substrate processing equipment
JP2000312864A (en) * 1999-04-27 2000-11-14 Ricoh Co Ltd Flexible substrate drainer
JP3898471B2 (en) * 2001-08-09 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 Cleaning processing apparatus and development processing apparatus
JP2004356295A (en) * 2003-05-28 2004-12-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005000746A (en) * 2003-06-10 2005-01-06 Sharp Corp Spin processing device
JP5091413B2 (en) * 2006-03-08 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and method for controlling substrate processing apparatus
JP2013202605A (en) * 2012-03-29 2013-10-07 Konica Minolta Inc Cleaning apparatus and method
JP6106394B2 (en) * 2012-09-20 2017-03-29 Hoya株式会社 Resist solution supply device, resist coating device, resist solution temperature control method, resist solution storage device, and mask blank manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015228410A (en) 2015-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102009597B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9004079B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20210042380A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI584390B (en) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
US20100174397A1 (en) Processing apparatus and operating method therefor
JP6422673B2 (en) Substrate processing equipment
JP2009267167A (en) Substrate-treating device
US12575354B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009231732A (en) Substrate processing device and substrate processing method
US20240203757A1 (en) Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same
JP7511422B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
JP2016149495A (en) Substrate processing system and exhaust amount adjustment method in the system
JP7785608B2 (en) Circulation device and method for controlling circulation device
KR100560623B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and operation method thereof
JP2013191689A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6803737B2 (en) Substrate processing method and substrate processing equipment
JP7792281B2 (en) Circulation device and method for controlling circulation device
JP7826081B2 (en) Circulation device and method for controlling circulation device
KR102723370B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7762100B2 (en) Circulation device and method for controlling circulation device
KR102779269B1 (en) Unit for supplying liquid, apparatus and method for treating substrate with the unit
US20240203773A1 (en) Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same
KR20240171747A (en) Apparatus for treating a substrate
JP2024094168A (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
JP2005064296A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180704

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180918

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6422673

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250