JP6424809B2 - ウェーハの両面研磨方法 - Google Patents
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Description
また、キャリアの2段階両面研磨とウェーハの両面研磨を異なる両面研磨機で別に行うので、キャリアの2段階両面研磨で生じたパーティクルが両面研磨機内に残り、ウェーハを研磨する際にウェーハを傷つけることもない。
まず、図3に本発明の両面研磨方法に使用することができる両面研磨機の縦断面図の一例を示す。また図4は両面研磨機の平面図である。ここでは遊星式のものについて説明するが、本発明はこれに限定されず、揺動式のものとすることもできる。
なお、本発明においてはウェーハ研磨用とキャリア研磨用とで異なる両面研磨機が必要であるが、その基本的な構造は同じものとしても良いし、異なる構造としても良い。適切にウェーハやキャリアを両面研磨できるものであれば良い。ここでは基本的な構造が同様のものを使用する場合について説明する。
ただし、キャリア自体は共通である。すなわち、キャリア研磨用の両面研磨機で両面研磨されたキャリアが、ウェーハ研磨用の両面研磨機でウェーハを両面研磨する際に用いられることになる。
なお、図3、4は研磨対象がウェーハWの場合である。研磨対象がキャリア9の場合は、図3、4からウェーハWを除いた状態となる。
このときキャリア9は上下の研磨布4により両面を同時に研磨される。
また、ウェーハWが研磨対象である場合は、ウェーハWはキャリア9の保持孔10で保持されており、上下の研磨布4により両面が同時に研磨される。
なお、各々、研磨時には、ノズル5から貫通孔6を通してキャリア研磨用のスラリーまたはウェーハ研磨用のスラリーが供給される。温度調節器も備えられており、各スラリーは所望の温度で供給できるようになっている。
本発明のウェーハの両面研磨方法は、例えば、ウェーハを両面研磨するために初めて両面研磨機に配設する場合に適用することができる。キャリア交換で、メーカーから納品された新品のキャリアを用いる場合が考えられる(実施態様1)。
また、既にウェーハの両面研磨に用いたキャリアを両面研磨機から取り外して一旦保管し、次のウェーハを両面研磨するために、両面研磨機に再度配設する場合に適用することができる。研磨布などのキャリア以外の部品の交換、メンテナンス等のために、両面研磨機から一旦取り外したキャリアを用いる場合が考えられる(実施態様2)。
なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、両面研磨機にキャリアを配設してウェーハを両面研磨する場合であれば本発明を適用することができる。
まず、実施態様1の場合について図1を参照して説明する。
まず、キャリア交換のための新品のキャリアを用意する(工程B1)。なお、上記のように、本発明は特に金属製のものに特に有効であるが、その他、樹脂等の別の材質のものとすることもできる。メーカーから納品された新品のキャリアには自然酸化膜が通常形成されてしまっている。また、他の不純物が付着している場合も考えられる。この状態でウェーハの両面研磨のためにそのまま使うと、ウェーハの両面研磨中にそれらが剥がれ、研磨ウェーハ表面のキズの原因となってしまう。
また、このスラリーに関して、例えば砥粒濃度は10wt%以上20wt%以下とすることができ、pH10−11の無機アルカリ溶液とすることができる。
また、加工荷重は1次研磨では例えば100−200gf/cm2に設定することができる。
また、加工荷重は2次研磨では例えば50−100gf/cm2に設定することができる。
上記のようにして2段階両面研磨を行ったキャリアを両面研磨機Bから取り出す(工程B4)。
なお、工程B4の後、工程A1を行って後述する両面研磨を行うのは1時間以内とするのがより良い。自然酸化膜がキャリア表面に再度形成されたり、不純物が付着するのを抑制するためである。
そして、研磨後のウェーハを回収する(工程A4)。必要に応じて、工程A2−工程A4を連続して繰り返し(N回)行い、ウェーハの研磨、回収を行う。
次に、実施態様2について図2を参照して説明する。
研磨布の寿命、その他各種メンテナンスのため、ウェーハの両面研磨に用いたキャリアを両面研磨機Aから取り出し(工程A5)、両面研磨機Aを完全停止して(工程A6)、両面研磨機Aのメンテナンスを行う(工程A7)。
そして、再び両面研磨機Aのメンテナンスを行う場合、キャリアを取り出し(工程A5)、上記のような工程を再び繰り返すことができる。
(実施例)
図2に示す本発明のウェーハの両面研磨方法に従い、図3、4に示す両面研磨機1(両面研磨機A、両面研磨機B)を用いてキャリアおよびウェーハの研磨を行った。
研磨布の交換のため、ウェーハの両面研磨に使用していたキャリアを取り出し、両面研磨機Aを完全停止し、研磨布を交換した。一方、取り出したキャリアは一旦保管し、その後に両面研磨機Bを用いて2段階両面研磨を行った。その後、再度両面研磨機Aに配設し、ウェーハを投入して両面研磨を行い、回収した。なお、キャリアの再度の配設後、ウェーハの両面研磨は10バッチ行った。1バッチあたり5枚である。
なお、両面研磨機Bにおけるキャリアの研磨、両面研磨機Aにおけるウェーハの研磨の各条件は以下の通りである。
キャリア研磨は、ウェーハ研磨を実施する前の1時間以内に行った。
両面研磨機Bは、不二越機械工業株式会社製のDSP−20Bを用いた。
研磨布は、ショアA硬度86の発泡ポリウレタンパッドを用いた。
キャリアは、基板をチタンとした。インサート材には、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したFRPを用いた。
スラリーは1次研磨にシリカ砥粒含有・平均粒径89nm・砥粒濃度13wt%・pH10.5・KOHベースのものを用い、2次研磨にシリカ砥粒無し・pH11.0・KOHベース・35℃のものを用いた。
加工荷重は1次研磨では180gf/cm2、2次研磨では70gf/cm2に設定した。
加工時間は1次研磨の取り代が30nm以上(具体的には、50nm)となるように設定した。2次研磨では、5minとした。
各駆動部の回転速度は、上定盤は−13.4rpm、下定盤は35rpm、サンギヤは25rpm、インターナルギヤは7rpmに設定した。
研磨布のドレッシングは、ダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを所定圧で純水を流しながら上下の研磨布に摺接させることで行った。
ウェーハは直径300mmのP型シリコン単結晶ウェーハを用いた。
両面研磨機Aは、不二越機械工業株式会社製のDSP−20Bを用いた。これは、上記キャリア研磨を行った両面研磨機Bとは別の両面研磨機である。
研磨布は、ショアA硬度86の発泡ポリウレタンパッドを用いた。
キャリアは、上記のキャリア研磨を行った後のチタンキャリアを使用した。
スラリーはシリカ砥粒含有・平均粒径35nm・砥粒濃度1.0wt%・pH10.5・KOHベースのものを用いた。
加工荷重は150gf/cm2に設定した。
加工時間はウェーハ厚みがキャリアと同一になるように設定した。
各駆動部の回転速度は、上定盤は−13.4rpm、下定盤は35rpm、サンギヤは25rpm、インターナルギヤは7rpmに設定した。
研磨布のドレッシングは、ダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを所定圧で純水を流しながら上下の研磨布に摺接させることで行った。
ウェーハの洗浄として、SC−1洗浄を、NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:15で行った。
図5に示す従来のウェーハの研磨方法に従い、図3、4に示す両面研磨機と同様の両面研磨機を用いてウェーハの両面研磨を行った。図5に示すように、従来法では、本発明のような、キャリア保管後の両面研磨機Bを用いた2段階両面研磨は行わなかった。すなわち、キャリアを保管した後、2段階両面研磨は行わず、そのままチタンキャリアを両面研磨機に再度配設し、ウェーハの両面研磨を行った。それ以外の条件は実施例と同様にした。
そのスクラッチの一例(比較例)を図6に示す。点線で丸く囲まれたものがスクラッチの一例である。
また、バッチごとのスクラッチ数の推移をモニタリングした。バッチごとのスクラッチ数の推移を図7に示す。なお、各バッチとも、5枚の平均値である。
5…ノズル、 6…貫通孔、 7…サンギヤ、 8…インターナルギヤ、
9…キャリア、 10…保持孔、 W…ウェーハ。
Claims (8)
- 両面研磨機において研磨布が貼付された上下定盤の間にキャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨するウェーハの両面研磨方法であって、
前記両面研磨機に配設する前のキャリアに、予め、前記ウェーハを両面研磨するのに用いる両面研磨機とは異なる両面研磨機を用いて、砥粒を含むスラリーを用いた1次研磨と、砥粒を含まない無機アルカリ溶液を用いた2次研磨からなる2段階両面研磨を行い、該2段階両面研磨を行ったキャリアを前記ウェーハを両面研磨するのに用いる両面研磨機に配設してウェーハの両面研磨を行うことを特徴とするウェーハの両面研磨方法。 - 前記両面研磨機に配設する前に行うキャリアへの2段階両面研磨を、
前記ウェーハを両面研磨するために初めて配設する前に行うことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの両面研磨方法。 - 前記両面研磨機に配設する前に行うキャリアへの2段階両面研磨を、
前記ウェーハの両面研磨に用いたキャリアを前記両面研磨機から取り外して一旦保管し、次のウェーハを両面研磨するために再度配設する前に行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの両面研磨方法。 - 前記キャリアを金属製のものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの1次研磨において用いるスラリー中の砥粒を、直径70nm以上のものとすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの2段階両面研磨において用いる研磨布を、ショアA硬度80以上の発泡ポリウレタンパッドとすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの1次研磨における研磨取り代を、片面あたり30nm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの2次研磨において用いる無機アルカリ溶液の温度を、30℃以上とすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015241964A JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
| US15/779,141 US11298796B2 (en) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Method for double-side polishing wafer |
| DE112016005348.7T DE112016005348T5 (de) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Verfahren zum doppelseitigen Polieren von Wafern |
| PCT/JP2016/004942 WO2017098691A1 (ja) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | ウェーハの両面研磨方法 |
| CN201680069349.8A CN108290268B (zh) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | 晶圆的双面研磨方法 |
| KR1020187015445A KR102568201B1 (ko) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | 웨이퍼의 양면연마방법 |
| SG11201804539YA SG11201804539YA (en) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Method for double-side polishing wafer |
| TW105138413A TWI700147B (zh) | 2015-12-11 | 2016-11-23 | 晶圓的雙面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015241964A JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017104958A JP2017104958A (ja) | 2017-06-15 |
| JP6424809B2 true JP6424809B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=59013992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015241964A Active JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11298796B2 (ja) |
| JP (1) | JP6424809B2 (ja) |
| KR (1) | KR102568201B1 (ja) |
| CN (1) | CN108290268B (ja) |
| DE (1) | DE112016005348T5 (ja) |
| SG (1) | SG11201804539YA (ja) |
| TW (1) | TWI700147B (ja) |
| WO (1) | WO2017098691A1 (ja) |
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| JP7435436B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-02-21 | 株式会社Sumco | キャリアプレートの研磨方法 |
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-
2015
- 2015-12-11 JP JP2015241964A patent/JP6424809B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-22 DE DE112016005348.7T patent/DE112016005348T5/de active Pending
- 2016-11-22 WO PCT/JP2016/004942 patent/WO2017098691A1/ja not_active Ceased
- 2016-11-22 CN CN201680069349.8A patent/CN108290268B/zh active Active
- 2016-11-22 SG SG11201804539YA patent/SG11201804539YA/en unknown
- 2016-11-22 US US15/779,141 patent/US11298796B2/en active Active
- 2016-11-22 KR KR1020187015445A patent/KR102568201B1/ko active Active
- 2016-11-23 TW TW105138413A patent/TWI700147B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI700147B (zh) | 2020-08-01 |
| CN108290268B (zh) | 2020-12-11 |
| JP2017104958A (ja) | 2017-06-15 |
| US11298796B2 (en) | 2022-04-12 |
| DE112016005348T5 (de) | 2018-08-02 |
| SG11201804539YA (en) | 2018-06-28 |
| KR20180087275A (ko) | 2018-08-01 |
| KR102568201B1 (ko) | 2023-08-18 |
| CN108290268A (zh) | 2018-07-17 |
| TW201729938A (zh) | 2017-09-01 |
| US20180272497A1 (en) | 2018-09-27 |
| WO2017098691A1 (ja) | 2017-06-15 |
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