Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6425639B2 - Substrate processing system - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6425639B2 - Substrate processing system - Google Patents

Substrate processing system Download PDF

Info

Publication number
JP6425639B2
JP6425639B2 JP2015200126A JP2015200126A JP6425639B2 JP 6425639 B2 JP6425639 B2 JP 6425639B2 JP 2015200126 A JP2015200126 A JP 2015200126A JP 2015200126 A JP2015200126 A JP 2015200126A JP 6425639 B2 JP6425639 B2 JP 6425639B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
processing
delivery
transfer device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015200126A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016201526A (en
Inventor
天野 嘉文
嘉文 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to TW105109854A priority Critical patent/TWI637453B/en
Priority to KR1020160038442A priority patent/KR102478317B1/en
Priority to US15/090,655 priority patent/US11069546B2/en
Priority to CN201610214934.4A priority patent/CN106057706B/en
Publication of JP2016201526A publication Critical patent/JP2016201526A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6425639B2 publication Critical patent/JP6425639B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0451Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H10P72/0452Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/32Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/32Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H10P72/3211Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板処理システムに関する。   The disclosed embodiments relate to substrate processing systems.

従来、半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ等の基板に対してエッチング処理や洗浄処理あるいは成膜処理といった各種の処理が施される。   Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices, various processes such as etching process, cleaning process or film forming process are performed on a substrate such as a semiconductor wafer.

基板に対する処理としては、基板のおもて面を上向きにした状態で行われるものと、基板の裏面を上向きにした状態で行われるものとがある。このため、近年では、おもて面を上向きにした基板に対して基板処理を行う処理ユニットと、裏面を上向きにした基板に対して基板処理を行う処理ユニットとの両方を備える基板処理システムが提案されている。   There are two types of processing for the substrate: one performed with the front surface of the substrate facing upward and the one performed with the back surface of the substrate facing upward. Therefore, in recent years, a substrate processing system has both a processing unit that performs substrate processing on a substrate whose front surface is upward and a processing unit that performs substrate processing on a substrate whose back surface is upward. Proposed.

例えば、特許文献1には、基板のおもて面を上向きにした状態で基板のおもて面に洗浄液を供給する第1処理装置と、基板の裏面を上向きにした状態で基板の裏面に洗浄液を供給する第2処理装置と、基板の表裏を反転させる基板反転装置と、第1処理装置、第2処理装置および基板反転装置へアクセスして基板の搬入出を行う基板搬送装置とを備えた基板処理システムが開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a first processing apparatus that supplies a cleaning liquid to the front surface of the substrate with the front surface of the substrate facing upward, and a back surface of the substrate with the back surface of the substrate facing upward. A second processing apparatus for supplying a cleaning liquid, a substrate reversing apparatus for reversing the front and back of a substrate, and a substrate transfer apparatus for accessing a first processing apparatus, a second processing apparatus, and a substrate reversing apparatus to load and unload a substrate A substrate processing system is disclosed.

特開2013−21026号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-21026

しかしながら、特許文献1に記載の基板処理システムでは、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板とが混在するため、基板の状態管理が複雑化するおそれがある。   However, in the substrate processing system described in Patent Document 1, there is a possibility that the state management of the substrate may be complicated because the substrate with the front surface facing upward and the substrate with the back surface facing up are mixed.

実施形態の一態様は、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板の両方を取り扱う場合において、基板の表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる基板処理システムを提供することを目的とする。   One aspect of the embodiment provides a substrate processing system capable of suppressing complication of state management of the front and back of a substrate when handling both a front side up substrate and a back side up substrate. The purpose is

実施形態の一態様に係る基板処理システムは、第1処理ブロックと、第2処理ブロックと、反転機構とを備える。第1処理ブロックは、基板における第1の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第1処理ユニットと、第1処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第1搬送装置とを含む。第2処理ブロックは、基板における第1の面とは反対側の面である第2の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第2処理ユニットと、第2処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第2搬送装置とを含む。反転機構は、第1処理ブロックから第2処理ブロックへの基板の搬送経路の途中に配置され、基板を反転させる。   A substrate processing system according to an aspect of the embodiment includes a first processing block, a second processing block, and a reversing mechanism. The first processing block includes a first processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward, and a first transfer device that transfers the substrate to and from the first processing unit. The second processing block includes a second processing unit for processing the substrate with the second surface facing the first surface of the substrate facing upward, and a second processing unit for processing the substrate relative to the second processing unit. And a second transfer device for carrying in and out. The reversing mechanism is disposed in the middle of the transport path of the substrate from the first processing block to the second processing block, and reverses the substrate.

実施形態の一態様によれば、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板の両方を取り扱う場合において、基板の表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。   According to one aspect of the embodiment, in the case of handling both a substrate whose front surface is upward and a substrate whose back surface is upward, complication of state management of front and back of the substrate can be suppressed.

図1は、第1の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of the substrate processing system according to the first embodiment. 図2は、第1の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing system according to the first embodiment. 図3は、第1処理ユニットの模式平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of the first processing unit. 図4は、第1処理ユニットの模式側面図である。FIG. 4 is a schematic side view of the first processing unit. 図5は、第2処理ブロックの模式平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of the second processing block. 図6は、第2処理ユニットの模式平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of the second processing unit. 図7は、第2処理ユニットの模式側面図である。FIG. 7 is a schematic side view of the second processing unit. 図8は、第1バッファ部の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the first buffer unit. 図9は、第1バッファ部の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the first buffer unit. 図10は、主搬送装置、移し換え装置、第1搬送装置および第2搬送装置の配置図である。FIG. 10 is a layout view of the main transfer device, the transfer device, the first transfer device, and the second transfer device. 図11は、第1搬送装置が備えるウェハ保持部の模式平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view of a wafer holding unit provided in the first transfer device. 図12は、第2搬送装置が備えるウェハ保持部の模式平面図である。FIG. 12 is a schematic plan view of a wafer holding unit provided in the second transfer device. 図13は、第1の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a wafer transfer flow in the substrate processing system according to the first embodiment. 図14は、第2の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。FIG. 14 is a schematic plan view of the substrate processing system according to the second embodiment. 図15は、第2の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。FIG. 15 is a schematic side view of the substrate processing system according to the second embodiment. 図16は、第2の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of a wafer transfer flow in the substrate processing system according to the second embodiment. 図17は、第3の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。FIG. 17 is a schematic plan view of the substrate processing system according to the third embodiment. 図18は、第3の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of a wafer transfer flow in the substrate processing system according to the third embodiment. 図19は、第4の実施形態に係る第1処理ユニットの模式側面図である。FIG. 19 is a schematic side view of the first processing unit according to the fourth embodiment. 図20は、第5の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。FIG. 20 is a schematic plan view of the substrate processing system according to the fifth embodiment. 図21は、第5の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。FIG. 21 is a schematic side view of a substrate processing system according to a fifth embodiment. 図22は、第5の実施形態に係る第2処理ユニットの模式平面図である。FIG. 22 is a schematic plan view of a second processing unit according to the fifth embodiment. 図23は、第5の実施形態に係る受渡ブロックの模式背面図である。FIG. 23 is a schematic rear view of the delivery block according to the fifth embodiment. 図24は、バッファ部の模式平面図である。FIG. 24 is a schematic plan view of the buffer unit. 図25は、バッファ部の模式側面図である。FIG. 25 is a schematic side view of the buffer unit. 図26は、第5の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハWの搬送フローの説明図である。FIG. 26 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system according to the fifth embodiment. 図27は、第5の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハWの搬送フローの説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system according to the fifth embodiment. 図28は、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハの搬送フローの説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram of a wafer transfer flow when the front surface cleaning process is not performed.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a substrate processing system disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited by the embodiments described below.

(第1の実施形態)
<基板処理システム1の構成>
まず、第1の実施形態に係る基板処理システム1の構成について図1および図2を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る基板処理システム1の模式平面図である。また、図2は、第1の実施形態に係る基板処理システム1の模式側面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
First Embodiment
<Configuration of Substrate Processing System 1>
First, the configuration of a substrate processing system 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic plan view of the substrate processing system 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing system 1 according to the first embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis orthogonal to one another are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理システム1は、搬入出ブロック2と、処理ブロック3と、受渡ブロック4とを備える。これらは、搬入出ブロック2、受渡ブロック4および処理ブロック3の順に並べて配置される。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 according to the first embodiment includes a loading / unloading block 2, a processing block 3, and a delivery block 4. These are arranged in order of the loading and unloading block 2, the delivery block 4 and the processing block 3.

基板処理システム1は、搬入出ブロック2から搬入された基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を受渡ブロック4経由で処理ブロック3へ搬送し、処理ブロック3において処理する。また、基板処理システム1は、処理後のウェハWを処理ブロック3から受渡ブロック4経由で搬入出ブロック2へ戻し、搬入出ブロック2から外部へ払い出す。以下、各ブロック2〜4の構成について説明する。   The substrate processing system 1 transports the substrate carried in from the carry-in / out block 2, which is a semiconductor wafer (hereinafter, wafer W) in the present embodiment, to the processing block 3 via the delivery block 4 and processes it in the processing block 3. In addition, the substrate processing system 1 returns the processed wafer W from the processing block 3 to the loading / unloading block 2 via the delivery / receiving block 4 and delivers it from the loading / unloading block 2 to the outside. The configuration of each block 2 to 4 will be described below.

<搬入出ブロック2の構成>
搬入出ブロック2は、載置部11と、搬送部12とを備える。載置部11には、複数枚のウェハWを水平状態で収容する複数のカセットCが載置される。
<Configuration of import / output block 2>
The loading / unloading block 2 includes a placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of cassettes C each accommodating a plurality of wafers W in a horizontal state are placed on the placement unit 11.

搬送部12は、載置部11に隣接して配置され、内部に主搬送装置13を備える。主搬送装置13は、載置部11と受渡ブロック4との間でウェハWの搬送を行う。   The transport unit 12 is disposed adjacent to the placement unit 11 and includes a main transport device 13 therein. The main transfer device 13 transfers the wafer W between the placement unit 11 and the delivery block 4.

<処理ブロック3の構成>
図2に示すように、処理ブロック3は、第1処理ブロック3Uと、第2処理ブロック3Lとを備える。第1処理ブロック3Uと第2処理ブロック3Lとは、隔壁やシャッター等によって空間的に仕切られており、高さ方向に並べて配置される。本実施形態では、第1処理ブロック3Uが上段側に配置され、第2処理ブロック3Lが下段側に配置される。
<Configuration of Processing Block 3>
As shown in FIG. 2, the processing block 3 includes a first processing block 3U and a second processing block 3L. The first processing block 3U and the second processing block 3L are spatially separated by a partition wall, a shutter or the like, and are arranged side by side in the height direction. In the present embodiment, the first processing block 3U is disposed on the upper side, and the second processing block 3L is disposed on the lower side.

第1処理ブロック3Uでは、回路形成面(以下、「おもて面」と記載する)を上向きにした状態のウェハWに対して処理が行われる。一方、第2処理ブロック3Lでは、おもて面とは反対側の面である裏面を上向きにした状態のウェハWに対して処理が行われる。これら第1処理ブロック3Uおよび第2処理ブロック3Lの構成について説明する。   In the first processing block 3U, processing is performed on the wafer W in a state in which the circuit formation surface (hereinafter, referred to as "front surface") is directed upward. On the other hand, in the second processing block 3L, processing is performed on the wafer W in a state in which the back surface, which is the surface opposite to the front surface, is directed upward. The configurations of the first processing block 3U and the second processing block 3L will be described.

<第1処理ブロック3Uの構成>
第1処理ブロック3Uは、図1に示すように、搬送部16と、第1搬送装置17と、複数の第1処理ユニット18とを備える。第1搬送装置17は、搬送部16の内部に配置され、複数の第1処理ユニット18は、搬送部16の外部において搬送部16に隣接して配置される。
<Configuration of First Processing Block 3U>
As shown in FIG. 1, the first processing block 3U includes a transport unit 16, a first transport device 17, and a plurality of first processing units 18. The first conveyance device 17 is disposed inside the conveyance unit 16, and the plurality of first processing units 18 are disposed adjacent to the conveyance unit 16 outside the conveyance unit 16.

第1搬送装置17は、受渡ブロック4と第1処理ユニット18との間でウェハWの搬送を行う。具体的には、第1搬送装置17は、受渡ブロック4からウェハWを取り出して第1処理ユニット18へ搬送する処理と、第1処理ユニット18によって処理されたウェハWを第1処理ユニット18から取り出して受渡ブロック4へ搬送する処理とを行う。   The first transfer device 17 transfers the wafer W between the delivery block 4 and the first processing unit 18. Specifically, the first transfer device 17 takes out the wafer W from the delivery block 4 and transfers the wafer W to the first processing unit 18, and the wafer W processed by the first processing unit 18 from the first processing unit 18. A process of taking out and transporting to the delivery block 4 is performed.

第1処理ユニット18は、おもて面を上向きにした状態のウェハWに対してベベル洗浄処理を行う。ベベル洗浄処理とは、ウェハWの周縁部(ベベル部)に付着したパーティクルやボート痕等を除去する処理のことである。   The first processing unit 18 performs a bevel cleaning process on the wafer W with the front surface facing upward. The bevel cleaning process is a process for removing particles, boat marks and the like attached to the peripheral portion (bevel portion) of the wafer W.

ここで、第1処理ユニット18の構成について図3および図4を参照して説明する。図3は、第1処理ユニット18の模式平面図である。また、図4は、第1処理ユニット18の模式側面図である。   Here, the configuration of the first processing unit 18 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a schematic plan view of the first processing unit 18. FIG. 4 is a schematic side view of the first processing unit 18.

図3および図4に示すように、第1処理ユニット18は、第1チャンバ101と、第1保持部102と、第1回収カップ103と、ベベル洗浄部104と、第1吐出部105(図4参照)とを備える。   As shown in FIGS. 3 and 4, the first processing unit 18 includes a first chamber 101, a first holding unit 102, a first recovery cup 103, a bevel cleaning unit 104, and a first discharge unit 105 (see FIG. 4).

第1チャンバ101は、第1保持部102、第1回収カップ103、ベベル洗浄部104および第1吐出部105を収容する。第1チャンバ101の天井部には、第1チャンバ101内にダウンフローを形成するFFU(Fun Filter Unit)111が設けられる。   The first chamber 101 accommodates the first holding unit 102, the first recovery cup 103, the bevel cleaning unit 104, and the first discharge unit 105. A ceiling of the first chamber 101 is provided with a FFU (Fun Filter Unit) 111 that forms a downflow in the first chamber 101.

第1保持部102は、ウェハWを吸着保持する吸着保持部121と、吸着保持部121を支持する支柱部材122と、支柱部材122を回転させる駆動部123を備える。   The first holding unit 102 includes a suction holding unit 121 for holding the wafer W by suction, a support member 122 for supporting the suction holding unit 121, and a drive unit 123 for rotating the support member 122.

吸着保持部121は、真空ポンプなどの吸気装置(図示せず)に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウェハWの裏面を吸着することによってウェハWを水平に保持する。かかる吸着保持部121としては、たとえばポーラスチャックを用いることができる。なお、吸着方式は上記の例に限定されるものではなく、たとえば静電チャック等の他の方式を用いてもよい。   The suction holding unit 121 is connected to an intake device (not shown) such as a vacuum pump, and holds the wafer W horizontally by adsorbing the back surface of the wafer W using negative pressure generated by the intake of the intake device. Do. For example, a porous chuck can be used as the suction holding unit 121. The suction method is not limited to the above example, and another method such as an electrostatic chuck may be used.

吸着保持部121は、ウェハWよりも小径の吸着領域を有する。これにより、後述するベベル洗浄部104のベベルブラシ141をウェハWの周縁部に当接させることができる。   The suction holding unit 121 has a suction area smaller in diameter than the wafer W. Thereby, the bevel brush 141 of the bevel cleaning unit 104 described later can be brought into contact with the peripheral portion of the wafer W.

支柱部材122は、吸着保持部121の下部に設けられており、第1チャンバ101および第1回収カップ103に対して軸受(図示せず)を介して回転可能に支持される。駆動部123は、支柱部材122の下部に設けられ、支柱部材122を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、吸着保持部121に吸着保持されたウェハWが回転する。   The support member 122 is provided at the lower part of the suction holding portion 121, and is rotatably supported by the first chamber 101 and the first recovery cup 103 via a bearing (not shown). The drive unit 123 is provided at the lower part of the support member 122, and rotates the support member 122 about the vertical axis. Thus, the wafer W held by suction by the suction holding unit 121 is rotated.

第1回収カップ103は、第1保持部102を取り囲むように配置される。第1回収カップ103の底部には、第1吐出部105から吐出される薬液を第1チャンバ101の外部へ排出するための排液口131と、第1チャンバ101内の雰囲気を排気するための排気口132とが形成される。   The first recovery cup 103 is disposed to surround the first holding portion 102. At the bottom of the first recovery cup 103, a drainage port 131 for discharging the chemical solution discharged from the first discharge unit 105 to the outside of the first chamber 101, and for discharging the atmosphere in the first chamber 101. An exhaust port 132 is formed.

ベベル洗浄部104は、ベベルブラシ141と、水平方向(ここでは、Y軸方向)に延在し、シャフト142を介してベベルブラシ141を上方から支持するアーム143と、アーム143をレール144に沿って水平方向(ここでは、X軸方向)に移動させる移動機構145とを備える。移動機構145は、アーム143を鉛直方向(Z軸方向)にも移動させることが可能である。   The bevel cleaning unit 104 includes a bevel brush 141, an arm 143 extending in the horizontal direction (here, Y-axis direction) and supporting the bevel brush 141 from above via the shaft 142, and an arm 143 horizontally along the rail 144. And a moving mechanism 145 for moving in the direction (here, the X-axis direction). The moving mechanism 145 can move the arm 143 in the vertical direction (Z-axis direction).

第1吐出部105は、例えば第1回収カップ103の底部に設けられ、バルブ151や流量調整器(図示せず)等を介して薬液供給源152に接続される。かかる第1吐出部105は、薬液供給源152から供給される薬液をウェハWの裏面周縁部へ向けて吐出する。なお、薬液供給源152から供給される薬液としては、例えばSC1(アンモニア/過酸化水素/水の混合液)等を用いることができる。   The first discharge unit 105 is provided, for example, at the bottom of the first recovery cup 103, and is connected to the chemical solution supply source 152 via a valve 151, a flow rate regulator (not shown), and the like. The first discharge unit 105 discharges the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 152 toward the periphery of the back surface of the wafer W. Note that, for example, SC1 (a mixed solution of ammonia / hydrogen peroxide / water) or the like can be used as the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 152.

第1処理ユニット18は、上記のように構成されており、おもて面を上向きにしたウェハWの裏面を吸着保持部121で吸着保持した状態でウェハWを回転させる。そして、第1処理ユニット18は、回転するウェハWの裏面周縁部へ向けて第1吐出部105から薬液を吐出しながら、ベベル洗浄部104のベベルブラシ141をウェハWの周縁部に当接させる。このように、薬液による化学的な洗浄と、ベベルブラシ141による物理的な洗浄とを組み合わせることにより、パーティクルやボート痕等の除去性能を高めることができる。   The first processing unit 18 is configured as described above, and rotates the wafer W in a state where the rear surface of the wafer W whose front surface is upward is held by suction by the suction holding unit 121. Then, the first processing unit 18 brings the bevel brush 141 of the bevel cleaning unit 104 into contact with the peripheral portion of the wafer W while discharging the chemical solution from the first discharge unit 105 toward the rear surface peripheral portion of the rotating wafer W. As described above, by combining chemical cleaning with a chemical solution and physical cleaning with the bevel brush 141, the removal performance of particles, boat marks and the like can be enhanced.

なお、第1処理ユニット18は、ベベル洗浄処理後、第1吐出部105から純水等のリンス液を供給することによって、ウェハWの周縁部に残存する薬液を洗い流すリンス処理を行ってもよい。また、第1処理ユニット18は、リンス処理後、ウェハWを回転させることによってウェハWの周縁部を乾燥させる。   Note that the first processing unit 18 may perform a rinse process to wash away the chemical solution remaining on the peripheral portion of the wafer W by supplying a rinse liquid such as pure water from the first discharge unit 105 after the bevel cleaning process. . In addition, the first processing unit 18 dries the peripheral portion of the wafer W by rotating the wafer W after the rinse process.

<第2処理ブロック3Lの構成>
つづいて、第2処理ブロック3Lの構成について図5を参照して説明する。図5は、第2処理ブロック3Lの模式平面図である。
<Configuration of Second Processing Block 3L>
Subsequently, the configuration of the second processing block 3L will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic plan view of the second processing block 3L.

図5に示すように、第2処理ブロック3Lは、搬送部26と、第2搬送装置27と、複数の第2処理ユニット28とを備える。第2搬送装置27は、搬送部26の内部に配置され、複数の第2処理ユニット28は、搬送部26の外部において搬送部26に隣接して配置される。   As shown in FIG. 5, the second processing block 3 </ b> L includes a conveyance unit 26, a second conveyance device 27, and a plurality of second processing units 28. The second transport device 27 is disposed inside the transport unit 26, and the plurality of second processing units 28 are disposed adjacent to the transport unit 26 outside the transport unit 26.

第2搬送装置27は、受渡ブロック4と第2処理ユニット28との間でウェハWの搬送を行う。具体的には、第2搬送装置27は、受渡ブロック4からウェハWを取り出して第2処理ユニット28へ搬送する処理と、第2処理ユニット28によって処理されたウェハWを第2処理ユニット28から取り出して受渡ブロック4へ搬送する処理とを行う。   The second transfer unit 27 transfers the wafer W between the delivery block 4 and the second processing unit 28. Specifically, the second transfer device 27 takes out the wafer W from the delivery block 4 and transfers the wafer W to the second processing unit 28, and the wafer W processed by the second processing unit 28 from the second processing unit 28. A process of taking out and transporting to the delivery block 4 is performed.

第2処理ユニット28は、裏面を上向きにした状態のウェハWに対し、ウェハWの裏面に付着したパーティクル等を除去する裏面洗浄処理を行う。ここで、第2処理ユニット28の構成について図6および図7を参照して説明する。図6は、第2処理ユニット28の模式平面図である。また、図7は、第2処理ユニット28の模式側面図である。   The second processing unit 28 performs back surface cleaning processing for removing particles and the like attached to the back surface of the wafer W with the back surface facing upward. Here, the configuration of the second processing unit 28 will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a schematic plan view of the second processing unit 28. As shown in FIG. FIG. 7 is a schematic side view of the second processing unit 28.

図6および図7に示すように、第2処理ユニット28は、第2チャンバ201と、第2保持部202と、第2回収カップ203と、裏面洗浄部204と、第2吐出部205とを備える。   As shown in FIGS. 6 and 7, the second processing unit 28 includes a second chamber 201, a second holding unit 202, a second recovery cup 203, a back surface cleaning unit 204, and a second discharge unit 205. Prepare.

第2チャンバ201は、第2保持部202、第2回収カップ203、裏面洗浄部204および第2吐出部205を収容する。第2チャンバ201の天井部には、第2チャンバ201内にダウンフローを形成するFFU211が設けられる。   The second chamber 201 accommodates the second holding unit 202, the second recovery cup 203, the back surface cleaning unit 204, and the second discharge unit 205. The ceiling portion of the second chamber 201 is provided with an FFU 211 that forms a downflow in the second chamber 201.

第2保持部202は、ウェハWよりも大径の本体部221と、本体部221の上面に設けられた複数の把持部222と、本体部221を支持する支柱部材223と、支柱部材223を回転させる駆動部224を備える。   The second holding portion 202 includes a main body portion 221 having a diameter larger than that of the wafer W, a plurality of holding portions 222 provided on the upper surface of the main body portion 221, a support member 223 supporting the main body portion 221, and a support member 223. A drive unit 224 is provided to rotate.

かかる第2保持部202は、複数の把持部222を用いてウェハWの周縁部を把持することによってウェハWを保持する。これにより、ウェハWは、本体部221の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。   The second holding unit 202 holds the wafer W by holding the peripheral portion of the wafer W using the plurality of holding units 222. Thus, the wafer W is held horizontally in a state of being slightly separated from the upper surface of the main body portion 221.

なお、第2処理ユニット28では、裏面が上方を向いた状態、言い換えれば、おもて面が下方を向いた状態のウェハWに対して裏面洗浄処理が行われる。このため、第1保持部102(図4参照)のようにウェハWを吸着するタイプのものを第2処理ユニット28で使用すると、回路形成面であるおもて面を汚すおそれがある。そこで、基板処理システム1では、回路形成面を極力汚さないように、ウェハWの周縁部を把持するタイプのものを第2保持部202として用いることとしている。   In the second processing unit 28, the back surface cleaning process is performed on the wafer W in which the back surface is directed upward, in other words, the front surface is directed downward. For this reason, if the second processing unit 28 uses a type that adsorbs the wafer W as the first holding unit 102 (see FIG. 4), there is a possibility that the front surface, which is the circuit formation surface, may be soiled. Therefore, in the substrate processing system 1, the second holding unit 202 is of a type that holds the peripheral portion of the wafer W so as not to contaminate the circuit formation surface as much as possible.

第2回収カップ203は、第2保持部202を取り囲むように配置される。第2回収カップ203の底部には、第1回収カップ103と同様の排液口231と排気口232とが形成される。   The second recovery cup 203 is disposed to surround the second holding unit 202. At the bottom of the second recovery cup 203, the same drainage port 231 and exhaust port 232 as the first recovery cup 103 are formed.

裏面洗浄部204は、裏面ブラシ241と、水平方向(ここでは、Y軸方向)に延在し、シャフト242を介して裏面ブラシ241を上方から支持するアーム243と、アーム243をレール244に沿って水平方向(ここでは、X軸方向)に移動させる移動機構245とを備える。移動機構245は、アーム243を鉛直方向(Z軸方向)にも移動させることが可能である。また、裏面洗浄部204は、図示しない回転機構を備えており、かかる回転機構を用いて裏面ブラシ241をシャフト242まわりに回転させることができる。   The back surface cleaning unit 204 extends along the back surface brush 241, an arm 243 extending in the horizontal direction (here, Y axis direction) and supporting the back surface brush 241 from above via the shaft 242, and the arm 243 along the rail 244. And a moving mechanism 245 for moving in the horizontal direction (here, the X-axis direction). The moving mechanism 245 can move the arm 243 in the vertical direction (Z-axis direction). In addition, the back surface cleaning unit 204 includes a rotation mechanism (not shown), and can use the rotation mechanism to rotate the back surface brush 241 around the shaft 242.

第2吐出部205は、第2回収カップ203の外方に配置される。第2吐出部205は、ノズル251と、水平方向に延在し、ノズル251を支持するアーム252と、アーム252を旋回および昇降させる旋回昇降機構253とを備える。   The second discharge unit 205 is disposed outside the second recovery cup 203. The second discharge unit 205 includes a nozzle 251, an arm 252 extending in the horizontal direction and supporting the nozzle 251, and a pivoting elevating mechanism 253 that pivots and raises and lowers the arm 252.

図7に示すように、ノズル251は、バルブ255や流量調整器(図示せず)等を介して洗浄液供給源256に接続される。かかる第2吐出部205は、洗浄液供給源256から供給される洗浄液をウェハWへ向けて吐出する。なお、洗浄液供給源256から供給される洗浄液は、例えば純水である。なお、洗浄液として、薬液(例えばSC−1)を利用するようにしても良い。   As shown in FIG. 7, the nozzle 251 is connected to the cleaning liquid supply source 256 via a valve 255, a flow rate regulator (not shown), and the like. The second discharge unit 205 discharges the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 256 toward the wafer W. The cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 256 is, for example, pure water. In addition, you may make it utilize a chemical | medical solution (for example, SC-1) as a washing | cleaning liquid.

第2処理ユニット28は、上記のように構成されており、裏面を上向きにしたウェハWの周縁部を第2保持部202で保持して回転させる。つづいて、第2処理ユニット28は、回転するウェハWの上方に配置された裏面洗浄部204の裏面ブラシ241をウェハWに接触させる。また、第2処理ユニット28は、回転するウェハWの上方に配置された第2吐出部205からウェハWへ向けて洗浄液を吐出する。そして、第2処理ユニット28は、裏面ブラシ241を回転させながら、例えばウェハWの中心部から外周部へ移動させる。これにより、ウェハWの裏面に付着したパーティクル等が除去される。   The second processing unit 28 is configured as described above, and the second holding unit 202 holds and rotates the peripheral portion of the wafer W whose back surface is directed upward. Subsequently, the second processing unit 28 brings the back surface brush 241 of the back surface cleaning unit 204 disposed above the rotating wafer W into contact with the wafer W. In addition, the second processing unit 28 discharges the cleaning liquid toward the wafer W from the second discharge unit 205 disposed above the rotating wafer W. Then, the second processing unit 28 moves, for example, the central portion of the wafer W to the outer peripheral portion while rotating the back surface brush 241. Thereby, particles and the like attached to the back surface of the wafer W are removed.

<受渡ブロック4の構成>
次に、受渡ブロック4について説明する。図1および図2に示すように、受渡ブロック4の内部には、複数の移し換え装置15a,15bと、第1バッファ部21Uと、第2バッファ部21Lと、第1受渡部22Uと、第2受渡部22Lと、第1反転機構23aと、第2反転機構23bとが配置される。
<Configuration of Delivery Block 4>
Next, the delivery block 4 will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, inside the delivery block 4, a plurality of transfer devices 15a and 15b, a first buffer unit 21U, a second buffer unit 21L, a first delivery unit 22U, 2 delivery part 22L, the 1st reversal mechanism 23a, and the 2nd reversal mechanism 23b are arranged.

第1バッファ部21U、第2バッファ部21L、第1受渡部22U、第2受渡部22L、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bは、高さ方向に並べて配置される。具体的には、上から順に、第1受渡部22U、第1バッファ部21U、第2バッファ部21L、第2受渡部22L、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bの順番で配置されている(図2参照)。   The first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the first delivery unit 22U, the second delivery unit 22L, the first reversing mechanism 23a, and the second reversing mechanism 23b are arranged in the height direction. Specifically, the first delivery unit 22U, the first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the second delivery unit 22L, the first reversing mechanism 23a, and the second reversing mechanism 23b are arranged in order from the top (See Figure 2).

移し換え装置15a,15bは、図示しない昇降機構を備えており、かかる昇降機構を用いて鉛直方向に移動することにより、高さ方向に並べて配置された第1受渡部22U等に対してウェハWの搬入出を行う。移し換え装置15aは、第1受渡部22U等のY軸正方向側から第1受渡部22U等に対してアクセスする。また、移し換え装置15bは、第1受渡部22U等のY軸負方向側から第1受渡部22U等に対してアクセスする。   The transfer devices 15a and 15b are provided with a lifting mechanism (not shown), and move in the vertical direction using the lifting mechanism to move the wafer W to the first delivery units 22U and the like arranged in the height direction. Carry in and out The transfer device 15a accesses the first delivery unit 22U or the like from the Y-axis positive direction side of the first delivery unit 22U or the like. Further, the transfer device 15b accesses the first delivery unit 22U or the like from the Y-axis negative direction side of the first delivery unit 22U or the like.

第1バッファ部21U、第2バッファ部21L、第1受渡部22Uおよび第2受渡部22Lは、ウェハWを多段に収容可能なモジュールである。このうち、第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lは、主搬送装置13と移し換え装置15a,15bとによってアクセスされる。   The first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the first delivery unit 22U, and the second delivery unit 22L are modules capable of accommodating wafers W in multiple stages. Among these, the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L are accessed by the main transport device 13 and the transfer devices 15a and 15b.

ここで、第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lの構成について図8および図9を参照して説明する。図8および図9は、第1バッファ部21Uの構成を示す図である。なお、図8では一例として第1バッファ部21Uの構成を示すが、第2バッファ部21Lの構成も第1バッファ部21Uと同様である。   Here, configurations of the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 and 9 are diagrams showing the configuration of the first buffer unit 21U. Although FIG. 8 shows the configuration of the first buffer unit 21U as an example, the configuration of the second buffer unit 21L is the same as that of the first buffer unit 21U.

図8に示すように、第1バッファ部21Uは、ベース部211と、ベース部211上に立設された3つの支持部212,213,214とを備える。3つの支持部212,213,214は、円周方向に約120度の間隔で配置されており、先端においてウェハWの外周部をそれぞれ保持する。また、各支持部212,213,214は、高さ方向に沿って複数設けられている(たとえば図9に示す複数の支持部212を参照)。これにより、第1バッファ部21Uは、複数枚のウェハWを多段に収容することができる。   As shown in FIG. 8, the first buffer unit 21U includes a base unit 211 and three support units 212, 213, and 214 erected on the base unit 211. The three supports 212, 213, and 214 are arranged at intervals of about 120 degrees in the circumferential direction, and hold the outer peripheral portion of the wafer W at the tip. Further, a plurality of support portions 212, 213, and 214 are provided along the height direction (see, for example, a plurality of support portions 212 shown in FIG. 9). Thus, the first buffer unit 21U can accommodate a plurality of wafers W in multiple stages.

かかる第1バッファ部21Uには、主搬送装置13と移し換え装置15aとがそれぞれ異なる方向からアクセスする。具体的には、主搬送装置13は、第1バッファ部21UのX軸負方向側から支持部212および支持部214の間を通って第1バッファ部21U内に進入する。また、移し換え装置15aは、第1バッファ部21UのY軸正方向側から支持部212および支持部213の間を通って第1バッファ部21U内に進入する。   The main transfer device 13 and the transfer device 15a access the first buffer unit 21U from different directions. Specifically, the main transport device 13 enters the first buffer unit 21U from the X-axis negative direction side of the first buffer unit 21U, passing between the support unit 212 and the support unit 214. Further, the transfer device 15a enters the first buffer unit 21U from the positive side in the Y-axis direction of the first buffer unit 21U through the space between the support unit 212 and the support unit 213.

第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lには、いずれもおもて面を上向きにした状態のウェハWが収容される。   Each of the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L accommodates the wafer W with the front surface facing upward.

第1受渡部22Uには、第1搬送装置17と移し換え装置15a,15bとがアクセス可能であり、受渡ブロック4から第1処理ブロック3Uへ搬入されるウェハWまたは第1処理ブロック3Uから受渡ブロック4へ搬出されるウェハWが収容される。かかる第1受渡部22Uには、おもて面を上向きにした状態のウェハWが収容される。かかる第1受渡部22Uは、第1搬送装置17がアクセス可能な位置、具体的には、第1処理ブロック3Uの搬送部16に隣接する位置に配置される。   The first transfer unit 17 can transfer the first transfer unit 17 and the transfer units 15a and 15b to the first delivery unit 22U, and delivers the wafer W transferred from the delivery block 4 to the first processing block 3U or the first processing block 3U The wafer W carried out to the block 4 is accommodated. The first delivery unit 22U accommodates the wafer W with the front surface facing upward. The first delivery unit 22U is disposed at a position where the first transfer device 17 can access, specifically, a position adjacent to the transfer unit 16 of the first processing block 3U.

第2受渡部22Lには、第2搬送装置27と移し換え装置15a,15bとがアクセス可能であり、受渡ブロック4から第2処理ブロック3Lへ搬入されるウェハWまたは第2処理ブロック3Lから受渡ブロック4へ搬出されるウェハWが収容される。かかる第2受渡部22Lには、裏面を上向きにした状態のウェハWが収容される。かかる第2受渡部22Lは、第2搬送装置27がアクセス可能な位置、具体的には、第2処理ブロック3Lの搬送部26に隣接する位置に配置される。   The second transfer unit 27 and the transfer units 15a and 15b are accessible to the second delivery unit 22L, and the delivery block 4 transfers the wafer W transferred from the delivery block 4 to the second processing block 3L or the second processing block 3L The wafer W carried out to the block 4 is accommodated. The second delivery section 22L accommodates the wafer W with the back surface facing upward. The second delivery unit 22L is disposed at a position where the second transfer device 27 can access, specifically, a position adjacent to the transfer unit 26 of the second processing block 3L.

第1反転機構23aおよび第2反転機構23bは、ウェハWの表裏を反転させる。本実施形態では、第1反転機構23aが、おもて面を上向きにしたウェハWを反転させ、第2反転機構23bが、裏面を上向きにしたウェハWを反転させるものとするが、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bがいずれの表裏状態のウェハWを反転させるかについては、上記の例に限定されない。   The first reversing mechanism 23 a and the second reversing mechanism 23 b reverse the front and back of the wafer W. In the present embodiment, it is assumed that the first reversing mechanism 23a reverses the wafer W whose front surface is upward, and the second reversing mechanism 23b reverses the wafer W whose back surface is upward. It is not limited to the above-mentioned example as to whether the reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b reverse the wafer W in the front and back states.

このように、第1の実施形態に係る基板処理システム1では、おもて面を上向きにしたウェハWに対して処理を行う第1処理ユニット18を第1処理ブロック3Uに配置し、裏面を上向きにしたウェハWに対して処理を行う第2処理ユニット28を第1処理ブロック3Uと空間的に仕切られた第2処理ブロック3Lに配置することとした。また、第1の実施形態に係る基板処理システム1では、ウェハWの表裏を反転させる反転機構23a,23bを、第1処理ブロック3Uから第2処理ブロック3LへのウェハWの搬送経路である受渡ブロック4に配置することとした。   As described above, in the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the first processing unit 18 that performs processing on the wafer W with the front surface facing upward is disposed in the first processing block 3U, and the back surface is The second processing unit 28 that performs processing on the wafer W turned upward is disposed in the second processing block 3L spatially separated from the first processing block 3U. In addition, in the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the reversing mechanisms 23a and 23b for reversing the front and back of the wafer W are delivered as the transfer path of the wafer W from the first processing block 3U to the second processing block 3L. I decided to arrange in block 4.

このように構成することで、第1処理ブロック3Uにおいては、おもて面を上向きにしたウェハWのみを取り扱うことができ、第2処理ブロック3Lにおいては、裏面を上向きにしたウェハWのみを取り扱うことができる。すなわち、第1処理ブロック3Uおよび第2処理ブロック3Lのいずれにおいても、おもて面を上向きにしたウェハWと裏面を上向きにしたウェハWとが混在する状況が生じない。このため、第1の実施形態に係る基板処理システム1によれば、ウェハWの表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。   With this configuration, in the first processing block 3U, only the wafer W with the front surface facing upward can be handled, and in the second processing block 3L, only the wafer W with the back surface facing upward It can be handled. That is, in any of the first processing block 3U and the second processing block 3L, there is no situation where the wafer W whose front surface is upward and the wafer W whose back surface is upward are mixed. For this reason, according to the substrate processing system 1 according to the first embodiment, complication of state management of the front and back of the wafer W can be suppressed.

<制御装置5の構成>
基板処理システム1は、制御装置5(図1参照)を備える。制御装置5は、たとえばコンピュータであり、制御部51と記憶部52とを備える。記憶部52には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部51は、例えばCPU(Central Processing Unit)であり、記憶部52に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
<Configuration of Control Device 5>
The substrate processing system 1 includes a control device 5 (see FIG. 1). Control device 5 is, for example, a computer, and includes control unit 51 and storage unit 52. The storage unit 52 stores programs for controlling various processes performed in the substrate processing system 1. The control unit 51 is, for example, a central processing unit (CPU), and reads out and executes a program stored in the storage unit 52 to control the operation of the substrate processing system 1.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置5の記憶部52にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。なお、制御部51は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。   The program may be recorded in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage unit 52 of the control device 5 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card. The control unit 51 may be configured only by hardware without using a program.

<搬送手段の構成>
次に、基板処理システム1が備える搬送手段すなわち主搬送装置13、移し換え装置15a,15b、第1搬送装置17および第2搬送装置27の構成について図10を参照して説明する。図10は、主搬送装置13、移し換え装置15a,15b、第1搬送装置17および第2搬送装置27の配置図である。
<Configuration of transport means>
Next, the configuration of the transport means provided in the substrate processing system 1, that is, the main transport device 13, the transfer devices 15a and 15b, the first transport device 17, and the second transport device 27 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a layout view of the main transfer device 13, the transfer devices 15a and 15b, the first transfer device 17 and the second transfer device 27. As shown in FIG.

図10に示すように、主搬送装置13は、ウェハWを保持する複数(ここでは、5つ)のウェハ保持部130を備える。主搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持部130を用いてカセットCと第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lとの間で複数枚のウェハWを同時に搬送することができる。   As shown in FIG. 10, the main transfer device 13 includes a plurality of (here, five) wafer holders 130 for holding the wafer W. The main transfer unit 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can pivot around the vertical axis, and the wafer holding unit 130 is used to move the cassette C to the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L. A plurality of wafers W can be simultaneously transported between them.

移し換え装置15a,15bは、上述したように、図2に示す第1バッファ部21U、第2バッファ部21L、第1受渡部22U、第2受渡部22L、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bに対してウェハWの搬入出を行う。   As described above, the transfer devices 15a and 15b are the first buffer unit 21U, the second buffer unit 21L, the first delivery unit 22U, the second delivery unit 22L, the first reversing mechanism 23a, and the second reversing unit shown in FIG. The wafer W is carried into and out of the mechanism 23b.

第1搬送装置17および第2搬送装置27は、水平方向および鉛直方向への移動が可能である。第1搬送装置17は、ウェハ保持部170を用いて第1受渡部22Uと第1処理ユニット18との間でウェハWの搬送を行い、第2搬送装置27は、ウェハ保持部270を用いて第2受渡部22Lと第2処理ユニット28との間でウェハWの搬送を行う。   The first transport device 17 and the second transport device 27 can move in the horizontal direction and the vertical direction. The first transfer unit 17 transfers the wafer W between the first delivery unit 22U and the first processing unit 18 using the wafer holding unit 170, and the second transfer unit 27 uses the wafer holding unit 270. The wafer W is transported between the second delivery unit 22L and the second processing unit 28.

ここで、第1搬送装置17および第2搬送装置27が備えるウェハ保持部170,270の構成について図11および図12を参照して説明する。図11は、第1搬送装置17が備えるウェハ保持部170の模式平面図である。また、図12は、第2搬送装置27が備えるウェハ保持部270の模式平面図である。   Here, the configurations of the wafer holders 170 and 270 provided in the first transfer device 17 and the second transfer device 27 will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. 11 is a schematic plan view of the wafer holder 170 provided in the first transfer device 17. FIG. 12 is a schematic plan view of the wafer holder 270 provided in the second transfer device 27. As shown in FIG.

図11に示すように、第1搬送装置17が備えるウェハ保持部170は、先端部が二股状に分岐した形状を有する本体部171と、本体部171の上面に設けられ、ウェハWを吸着する複数の吸着部172とを備える。吸着部172は、例えば本体部171の基端部および二股状の各先端部にそれぞれ設けられる。各吸着部172は、真空ポンプなどの吸気装置(図示せず)に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウェハWを吸着する。   As shown in FIG. 11, the wafer holding unit 170 included in the first transfer device 17 is provided on the upper surface of the main body 171 having a bifurcated tip end and the main body 171 and adsorbs the wafer W. A plurality of suction units 172 are provided. The adsorbing portion 172 is provided, for example, on the base end portion of the main body portion 171 and each bifurcated distal end portion. Each suction unit 172 is connected to an intake device (not shown) such as a vacuum pump, and adsorbs the wafer W using the negative pressure generated by the intake of the intake device.

かかるウェハ保持部170は、吸着部172を用いてウェハWの裏面を吸着することによってウェハWを保持する。このため、ウェハ保持部170によれば、搬送中におけるウェハWの位置ずれを防止することができる。   The wafer holding unit 170 holds the wafer W by suctioning the back surface of the wafer W using the suction unit 172. For this reason, according to the wafer holding unit 170, positional deviation of the wafer W during transfer can be prevented.

第1処理ユニット18では、上述したようにベベル洗浄処理が行われる。ここで、ベベル洗浄処理を行う際にウェハWの位置がずれていると、ウェハWの周縁部に対してベベルブラシ141を適切に当接させることが難しい。このため、ベベル洗浄処理を行う場合には、ウェハWの中心が第1保持部102の回転中心と一致していることが好ましい。   In the first processing unit 18, the bevel cleaning process is performed as described above. Here, when the position of the wafer W is shifted when performing the bevel cleaning process, it is difficult to appropriately abut the bevel brush 141 with the peripheral portion of the wafer W. Therefore, when the bevel cleaning process is performed, it is preferable that the center of the wafer W coincides with the rotation center of the first holding unit 102.

ウェハWの位置ずれは、搬送中に生じることがある。このため、第1処理ユニット18へウェハWを搬送した後、ベベル洗浄処理の開始前に、ウェハWの位置調整を行って搬送によるウェハWの位置ずれを正すことが考えられる。しかし、このようにした場合、処理時間の増加によるスループットの低下や、位置調整用の機構の配置に伴うシステムの大型化等が生じるおそれがある。   Misalignment of the wafer W may occur during transfer. For this reason, it is conceivable to adjust the position of the wafer W and correct the positional deviation of the wafer W due to the transfer before transferring the wafer W to the first processing unit 18 and before starting the bevel cleaning processing. However, in this case, the throughput may decrease due to the increase of the processing time, or the system may be enlarged due to the arrangement of the position adjustment mechanism.

これに対し、第1の実施形態に係る基板処理システム1では、搬送中におけるウェハWの位置ずれを吸着部172によって防止することができるため、第1処理ユニット18の第1保持部102に対してウェハWを適切な位置で保持させることができる。したがって、位置調整処理や位置調整用の機構が不要であるため、スループットの低下やシステムの大型化を抑制することができる。   On the other hand, in the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the positional deviation of the wafer W during conveyance can be prevented by the suction unit 172, so the first holding unit 102 of the first processing unit 18 can be prevented. Thus, the wafer W can be held at an appropriate position. Therefore, since position adjustment processing and a mechanism for position adjustment are unnecessary, it is possible to suppress a decrease in throughput and an increase in size of the system.

つづいて、第2搬送装置27が備えるウェハ保持部270の構成について説明する。図12に示すように、第2搬送装置27が備えるウェハ保持部270は、ウェハWよりも大径の内周部を有する本体部271と、本体部271の内周部からかかる内周部の径方向内側へ突出する複数の爪部272とを備える。   Subsequently, the configuration of the wafer holding unit 270 provided in the second transfer device 27 will be described. As shown in FIG. 12, the wafer holding unit 270 provided in the second transfer device 27 includes a main body 271 having an inner periphery larger in diameter than the wafer W, and an inner periphery of the inner periphery of the main body 271. And a plurality of claws 272 projecting radially inward.

かかるウェハ保持部270は、ウェハWの外周部を爪部272に載置させることによってウェハWを保持する。したがって、ウェハ保持部270によれば、吸着痕等の汚れを極力生じさせることなくウェハWを搬送することができる。   The wafer holding unit 270 holds the wafer W by placing the outer peripheral portion of the wafer W on the claws 272. Therefore, according to wafer holder 270, wafer W can be transported without causing contamination such as suction marks as much as possible.

基板処理システム1において、第2搬送装置27は、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理の両方を終えた洗浄済みのウェハWを受渡ブロック4まで搬送することとなる。このため、基板処理システム1では、洗浄済みのウェハWを極力汚すことないウェハ保持部270を備える第2搬送装置27を第2処理ブロック3Lの搬送部26に配置することとしている。   In the substrate processing system 1, the second transfer apparatus 27 transfers to the delivery block 4 the cleaned wafer W on which both the bevel cleaning process and the back surface cleaning process have been completed. For this reason, in the substrate processing system 1, the second transfer unit 27 including the wafer holding unit 270 that does not contaminate the cleaned wafer W as much as possible is disposed in the transfer unit 26 of the second processing block 3L.

このように、第1処理ユニット18と第2処理ユニット28とでは、ウェハWの搬入出に適した搬送装置が異なる。これに対し、基板処理システム1では、処理ブロック3を第1処理ブロック3Uと第2処理ブロック3Lとに分けたため、第1処理ユニット18に適した第1搬送装置17と、第2処理ユニット28に適した第2搬送装置27との両方を使用することが可能である。   As described above, the first processing unit 18 and the second processing unit 28 differ in the transfer device suitable for loading and unloading the wafer W. On the other hand, in the substrate processing system 1, since the processing block 3 is divided into the first processing block 3U and the second processing block 3L, the first transfer device 17 suitable for the first processing unit 18, and the second processing unit 28. It is possible to use both the second transport device 27 suitable for

なお、図10では、移し換え装置15a,15b、第1搬送装置17および第2搬送装置27が1つのウェハ保持部を備える場合の例を示したが、移し換え装置15a,15b、第1搬送装置17および第2搬送装置27は、主搬送装置13と同様、複数のウェハ保持部を備えていてもよい。   Although FIG. 10 shows an example in which the transfer devices 15a and 15b, the first transfer device 17 and the second transfer device 27 have one wafer holding unit, the transfer devices 15a and 15b, and the first transfer The apparatus 17 and the second transfer apparatus 27 may be provided with a plurality of wafer holding units as the main transfer apparatus 13 does.

<ウェハWの搬送フロー>
次に、第1の実施形態に係る基板処理システム1におけるウェハWの搬送フローについて図13を参照して説明する。図13は、第1の実施形態に係る基板処理システム1におけるウェハWの搬送フローの説明図である。なお、図13では、おもて面を上向きにしたウェハWの搬送フローを実線で、裏面を上向きにしたウェハWの搬送フローを破線で示している。
<Transport Flow of Wafer W>
Next, the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1 according to the first embodiment. In FIG. 13, the transfer flow of the wafer W whose front surface is upward is shown by a solid line, and the transfer flow of the wafer W whose back surface is upward is shown by a broken line.

また、以下では、主搬送装置13を「CRA」、移し換え装置15a,15bを「MPRA」、第1搬送装置17を「PRA1」、第2搬送装置27を「PRA2」と記載する場合がある。また、第1バッファ部21Uを「SBU1」、第2バッファ部21L「SBU2」、第1受渡部22Uを「TRS1」、第2受渡部22Lを「TRS2」、第1反転機構23aを「RVS1」、第2反転機構23bを「RVS2」と記載する場合がある。また、第1処理ユニット18を「CH1」、第2処理ユニット28を「CH2」と記載する場合がある。なお、図13では、第1バッファ部21U(SBU1)、第2バッファ部21L(SBU2)、第1受渡部22U(TRS1)、第2受渡部22L(TRS2)、第1反転機構23a(RVS1)および第2反転機構23b(RVS2)については符号を省略して示している。   In the following, the main transport device 13 may be described as "CRA", the transfer devices 15a and 15b as "MPRA", the first transport device 17 as "PRA1", and the second transport device 27 as "PRA2". . The first buffer unit 21U is "SBU1", the second buffer unit 21L "SBU2", the first delivery unit 22U is "TRS1", the second delivery unit 22L is "TRS2", and the first reversing mechanism 23a is "RVS1". The second reversing mechanism 23b may be described as "RVS2". Also, the first processing unit 18 may be described as "CH1" and the second processing unit 28 as "CH2". In FIG. 13, the first buffer unit 21U (SBU1), the second buffer unit 21L (SBU2), the first delivery unit 22U (TRS1), the second delivery unit 22L (TRS2), and the first reversing mechanism 23a (RVS1). The second inversion mechanism 23b (RVS2) is shown with the reference numerals omitted.

図13に示すように、基板処理システム1では、まず、主搬送装置13(CRA)がカセットCから未処理のウェハWを複数枚まとめて取り出して第1バッファ部21U(SBU1)に収容する(ステップS101)。   As shown in FIG. 13, in the substrate processing system 1, first, the main transfer device 13 (CRA) takes out a plurality of unprocessed wafers W together from the cassette C and stores them in the first buffer unit 21U (SBU 1) ( Step S101).

つづいて、移し換え装置15a(MPRA)が、第1バッファ部21U(SBU1)から未処理のウェハWを取り出して第1受渡部22U(TRS1)に移し換える(ステップS102)。   Subsequently, the transfer device 15a (MPRA) takes out the unprocessed wafer W from the first buffer unit 21U (SBU1) and transfers it to the first delivery unit 22U (TRS1) (step S102).

つづいて、第1処理ブロック3Uの第1搬送装置17(PRA1)が、第1受渡部22U(TRS1)からウェハWを取り出して第1処理ユニット18(CH1)へ搬送し(ステップS103)、第1処理ユニット18(CH1)が、ウェハWに対してベベル洗浄処理を行う。また、ベベル洗浄処理が終了すると、第1搬送装置17(PRA1)が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1処理ユニット18(CH1)から取り出して第1受渡部22U(TRS1)に収容する(ステップS104)。   Subsequently, the first transfer device 17 (PRA1) of the first processing block 3U takes out the wafer W from the first delivery unit 22U (TRS1) and transfers it to the first processing unit 18 (CH1) (step S103). The first processing unit 18 (CH1) performs a bevel cleaning process on the wafer W. Further, when the bevel cleaning process is completed, the first transfer apparatus 17 (PRA1) takes out the wafer W subjected to the bevel cleaning process from the first processing unit 18 (CH1) and stores it in the first delivery unit 22U (TRS1) Step S104).

つづいて、移し換え装置15a(MPRA)が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1受渡部22U(TRS1)から取り出して第1反転機構23a(RVS1)へ移し換え(ステップS105)、第1反転機構23a(RVS1)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、裏面が上方を向いた状態となる。   Subsequently, the transfer device 15a (MPRA) takes out the bevel cleaned wafer W from the first delivery unit 22U (TRS1) and transfers it to the first reversing mechanism 23a (RVS1) (step S105), and the first reverse The mechanism 23a (RVS1) reverses the front and back of the wafer W. Thereby, the wafer W is in the state where the back surface is directed upward.

つづいて、移し換え装置15b(MPRA)が、第1反転機構23a(RVS1)からウェハWを取り出して第2受渡部22L(TRS2)へ移し換える(ステップS106)。   Subsequently, the transfer device 15b (MPRA) takes out the wafer W from the first reversing mechanism 23a (RVS1) and transfers it to the second delivery section 22L (TRS2) (step S106).

つづいて、第2処理ブロック3Lの第2搬送装置27(PRA2)が、第2受渡部22L(TRS2)からウェハWを取り出して第2処理ユニット28(CH2)へ搬送し(ステップS107)、第2処理ユニット28(CH2)が、ウェハWに対して裏面洗浄処理を行う。また、裏面洗浄処理が終了すると、第2搬送装置27(PRA2)が、裏面洗浄処理済みのウェハWを第2処理ユニット28(CH2)から取り出して第2受渡部22L(TRS2)に収容する(ステップS108)。   Subsequently, the second transfer device 27 (PRA2) of the second processing block 3L takes out the wafer W from the second delivery unit 22L (TRS2) and transfers it to the second processing unit 28 (CH2) (step S107). The second processing unit 28 (CH2) performs the back surface cleaning process on the wafer W. When the back surface cleaning process is completed, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W subjected to the back surface cleaning process from the second processing unit 28 (CH2) and stores it in the second delivery unit 22L (TRS2) Step S108).

なお、第2搬送装置27によるウェハWの搬送処理(ステップS107,S108)および第2処理ユニット28における裏面洗浄処理は、第1搬送装置17によるウェハWの搬送処理(ステップS103,S104)および第1処理ユニット18におけるベベル洗浄処理と並行して行われる。また、第1搬送装置17によるウェハWの搬送処理(ステップS103,S104)および第2搬送装置27によるウェハWの搬送処理(ステップS107,S108)は、移し換え装置15a,15b(MPRA)によるウェハWの搬送処理(ステップS102,S105,S106,S109,S110)と並行して行われる。これにより、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。   Note that the transfer process of the wafer W by the second transfer unit 27 (steps S107 and S108) and the back surface cleaning process by the second processing unit 28 are the transfer process of the wafer W by the first transfer unit 17 (steps S103 and S104) and It is performed in parallel with the bevel cleaning process in the processing unit 18. Further, the transfer processing of the wafer W by the first transfer unit 17 (steps S103 and S104) and the transfer processing of the wafer W by the second transfer unit 27 (steps S107 and S108) are performed by the transfer units 15a and 15b (MPRA). It is performed in parallel with the W transfer process (steps S102, S105, S106, S109, S110). Thereby, the throughput of a series of substrate processing can be improved.

つづいて、移し換え装置15b(MPRA)が、第2受渡部22L(TRS2)からウェハWを取り出して第2反転機構23b(RVS2)へ移し換え(ステップS109)、第2反転機構23b(RVS2)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、再びおもて面が上方を向いた状態となる。   Subsequently, the transfer device 15b (MPRA) takes out the wafer W from the second delivery unit 22L (TRS2) and transfers it to the second reversing mechanism 23b (RVS2) (step S109), and the second reversing mechanism 23b (RVS2) However, the front and back of the wafer W is reversed. As a result, the wafer W is again in the state where the front surface faces upward.

つづいて、移し換え装置15a(MPRA)が、第2反転機構23b(RVS2)からウェハWを取り出して第2バッファ部21L(SBU2)へ移し換え(ステップS110)、主搬送装置13(CRA)が、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理を終えたウェハWを第2バッファ部21L(SBU2)から複数枚まとめて取り出してカセットCへ収容する(ステップS111)。これにより、一連の基板処理が終了する。   Subsequently, the transfer device 15a (MPRA) takes out the wafer W from the second reversing mechanism 23b (RVS2) and transfers it to the second buffer unit 21L (SBU2) (step S110), and the main transfer device 13 (CRA) A plurality of wafers W subjected to the bevel cleaning process and the back surface cleaning process are collectively taken out from the second buffer unit 21L (SBU2) and stored in the cassette C (step S111). Thus, a series of substrate processing ends.

上述してきたように、第1の実施形態に係る基板処理システム1は、第1処理ブロック3Uと、第2処理ブロック3Lと、第1反転機構23aおよび第2反転機構23b(RVS1,RVS2)とを備える。第1処理ブロック3Uは、ウェハWにおけるおもて面(「第1の面」の一例に相当)を上向きにした状態でウェハWの処理を行う第1処理ユニット18(CH1)と、第1処理ユニット18(CH1)に対してウェハWの搬入出を行う第1搬送装置17(PRA1)とを含む。第2処理ブロック3Lは、ウェハWにおけるおもて面とは反対側の面である裏面(「第2の面」の一例に相当)を上向きにした状態でウェハWの処理を行う第2処理ユニット28(CH2)と、第2処理ユニット28(CH2)に対してウェハWの搬入出を行う第2搬送装置27(PRA2)とを含む。第1反転機構23aおよび第2反転機構23b(RVS1,RVS2)は、第1処理ブロック3Uから第2処理ブロック3LへのウェハWの搬送経路の途中に配置され、ウェハWを反転させる。   As described above, the substrate processing system 1 according to the first embodiment includes the first processing block 3U, the second processing block 3L, the first reversing mechanism 23a, and the second reversing mechanism 23b (RVS1, RVS2). Equipped with The first processing block 3U includes a first processing unit 18 (CH1) for processing the wafer W in a state in which the front surface (corresponding to an example of the “first surface”) of the wafer W is upward; And a first transfer device 17 (PRA1) that carries the wafer W into and out of the processing unit 18 (CH1). The second processing block 3L performs the processing of the wafer W in a state where the back surface (corresponding to an example of the “second surface”) which is the surface opposite to the front surface of the wafer W is directed upward A unit 28 (CH2) and a second transfer device 27 (PRA2) for carrying in and out the wafer W with respect to the second processing unit 28 (CH2) are included. The first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b (RVS1, RVS2) are disposed in the middle of the transfer path of the wafer W from the first processing block 3U to the second processing block 3L, and reverse the wafer W.

したがって、第1の実施形態に係る基板処理システム1によれば、おもて面を上向きにしたウェハWと裏面を上向きにしたウェハWの両方を取り扱う場合において、ウェハWの表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。   Therefore, according to the substrate processing system 1 according to the first embodiment, in the case of handling both the wafer W whose front surface is upward and the wafer W whose back surface is upward, the state management of the front and back of the wafer W is performed. The complexity can be reduced.

また、第1の実施形態に係る基板処理システム1では、第1反転機構23a(RVS1)および第2反転機構23b(RVS2)に対するウェハWの搬入出を移し換え装置15a,15b(MPRA)に行わせることとしている。これにより、第1搬送装置17(PRA1)および第2搬送装置27(PRA2)に対して上記ウェハWの搬入出を行わせる場合と比較して、第1搬送装置17(PRA1)および第2搬送装置27(PRA2)の処理負荷を低減させることができる。   Further, in the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the transfer devices 15a and 15b (MPRA) perform loading and unloading of the wafer W with respect to the first reversing mechanism 23a (RVS1) and the second reversing mechanism 23b (RVS2). It is supposed to Thus, the first transfer device 17 (PRA1) and the second transfer device 17 (PRA1) and the second transfer device 17 are compared with the case where the first transfer device 17 (PRA1) and the second transfer device 27 (PRA2) carry the wafer W The processing load of the device 27 (PRA 2) can be reduced.

なお、基板処理システム1は、第1反転機構23a(RVS1)および第2反転機構23b(RVS2)に対するウェハWの搬入または搬出を第1搬送装置17(PRA1)および第2搬送装置27(PRA2)に行わせてもよい。この場合には、第1反転機構23a(RVS1)および第2反転機構23b(RVS2)を第1搬送装置17(PRA1)や第2搬送装置27(PRA2)がアクセス可能な位置に配置すればよい。   The substrate processing system 1 carries in and out the wafer W with respect to the first reversing mechanism 23a (RVS1) and the second reversing mechanism 23b (RVS2) as the first transfer apparatus 17 (PRA1) and the second transfer apparatus 27 (PRA2). It may be done by In this case, the first reversing mechanism 23a (RVS1) and the second reversing mechanism 23b (RVS2) may be disposed at positions accessible by the first transfer device 17 (PRA1) and the second transfer device 27 (PRA2). .

また、第1の実施形態では、第1処理ブロック3Uが上段側に配置され、第2処理ブロック3Lが下段側に配置される場合の例を示したが、第1処理ブロック3Uおよび第2処理ブロック3Lの配置は逆でもよい。   In the first embodiment, the first processing block 3U is disposed on the upper side and the second processing block 3L is disposed on the lower side. However, the first processing block 3U and the second processing are described. The arrangement of the blocks 3L may be reversed.

(第2の実施形態)
<第2の実施形態に係る基板処理システム1Aの構成>
次に、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aについて説明する。まず、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aの構成について図14および図15を参照して説明する。図14は、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aの模式平面図である。また、図15は、第2の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
Second Embodiment
<Configuration of Substrate Processing System 1A According to Second Embodiment>
Next, a substrate processing system 1A according to the second embodiment will be described. First, the configuration of a substrate processing system 1A according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. FIG. 14 is a schematic plan view of a substrate processing system 1A according to the second embodiment. FIG. 15 is a schematic side view of the substrate processing system according to the second embodiment. In the following description, parts that are the same as the parts that have already been described will be assigned the same reference numerals as the parts that have already been described, and redundant descriptions will be omitted.

図14に示すように、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aは、搬入出ブロック2と、第1処理ブロック3Bと、第2処理ブロック3Fと、第1受渡ブロック4Fと、第2受渡ブロック4Bとを備える。これらは、搬入出ブロック2、第1受渡ブロック4F、第2処理ブロック3F、第2受渡ブロック4Bおよび第1処理ブロック3Bの順に並べて配置される。   As shown in FIG. 14, the substrate processing system 1A according to the second embodiment includes the loading / unloading block 2, the first processing block 3B, the second processing block 3F, the first delivery block 4F, and the second delivery. And block 4B. These are arranged in order of the loading / unloading block 2, the first delivery block 4F, the second processing block 3F, the second delivery block 4B, and the first processing block 3B.

なお、搬入出ブロック2および第1受渡ブロック4Fについては、第1の実施形態における搬入出ブロック2および受渡ブロック4Fと同様の構成であるため、ここでの説明は省略する。   In addition, about the carrying in / out block 2 and the 1st delivery block 4F, since it is the structure similar to the carrying in / out block 2 and the delivery block 4F in 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.

<第1処理ブロック3Bの構成>
第1処理ブロック3Bは、第2受渡ブロック4Bの後方すなわち基板処理システム1Aの最後方に配置される。かかる第1処理ブロック3Bは、第1搬送装置17と、複数の第1処理ユニット18とを備える。第1搬送装置17は、第1処理ユニット18および第2受渡ブロック4B間のウェハWの搬送を行う。
<Configuration of First Processing Block 3B>
The first processing block 3B is disposed behind the second delivery block 4B, that is, at the rear of the substrate processing system 1A. The first processing block 3 </ b> B includes a first transfer device 17 and a plurality of first processing units 18. The first transfer device 17 transfers the wafer W between the first processing unit 18 and the second delivery block 4B.

複数の第1処理ユニット18は、第1搬送装置17のY軸正方向側およびY軸負方向側に隣接して配置される。図15に示すように、複数の第1処理ユニット18は、高さ方向に並べて配置される。   The plurality of first processing units 18 are disposed adjacent to the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the first conveyance device 17. As shown in FIG. 15, the plurality of first processing units 18 are arranged side by side in the height direction.

<第2処理ブロック3Fの構成>
第2処理ブロック3Fは、第1受渡ブロック4Fと第2受渡ブロック4Bとの間に配置され、第2搬送装置27と、複数の第2処理ユニット28とを備える。第2搬送装置27は、第1受渡ブロック4Fおよび第2処理ユニット28間のウェハWの搬送を行う。また、第2搬送装置27は、第1受渡ブロック4Fおよび第2受渡ブロック4B間のウェハWの搬送も行う。
<Configuration of Second Processing Block 3F>
The second processing block 3F is disposed between the first delivery block 4F and the second delivery block 4B, and includes a second transport device 27 and a plurality of second processing units 28. The second transfer device 27 transfers the wafer W between the first delivery block 4F and the second processing unit 28. The second transfer device 27 also transfers the wafer W between the first delivery block 4F and the second delivery block 4B.

複数の第2処理ユニット28は、第2搬送装置27のY軸正方向側およびY軸負方向側に隣接して配置される。図15に示すように、複数の第2処理ユニット28は、高さ方向に並べて配置される。   The plurality of second processing units 28 are disposed adjacent to the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the second conveyance device 27. As shown in FIG. 15, the plurality of second processing units 28 are arranged side by side in the height direction.

<第2受渡ブロック4Bの構成>
第2受渡ブロック4Bは、第2処理ブロック3Fと第1処理ブロック3Bとの間に配置される。かかる第2受渡ブロック4Bの内部には、移し換え装置15cと、第3受渡部19とが配置される。
<Configuration of Second Delivery Block 4B>
The second delivery block 4B is disposed between the second processing block 3F and the first processing block 3B. Inside the second delivery block 4B, the transfer device 15c and the third delivery unit 19 are disposed.

移し換え装置15cは、上述した移し換え装置15a,15bと同様の構成を有し、第3受渡部19のY軸正方向側に配置される。なお、第2受渡ブロック4Bは、必ずしも移し換え装置15cを備えることを要しない。   The transfer device 15c has the same configuration as the transfer devices 15a and 15b described above, and is disposed on the Y-axis positive direction side of the third delivery unit 19. The second delivery block 4B does not necessarily have to include the transfer device 15c.

第3受渡部19は、複数枚のウェハWを多段に収納可能である。また、第3受渡部19は、水平方向(ここでは、X軸方向)に沿ってスライド可能に構成されており、X軸負方向側へスライドすることによって第2処理ブロック3Fの搬送部26へ進入して、第2搬送装置27との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。なお、第3受渡部19は、第1受渡部22Uおよび第2受渡部22Lと同様の構成を有するものであってもよい。   The third delivery unit 19 can store a plurality of wafers W in multiple stages. Further, the third delivery unit 19 is configured to be slidable along the horizontal direction (here, the X-axis direction), and slides to the transport unit 26 of the second processing block 3F by sliding in the X-axis negative direction side. Then, the wafer W can be delivered to and from the second transfer device 27. The third delivery unit 19 may have the same configuration as the first delivery unit 22U and the second delivery unit 22L.

第2の実施形態に係る基板処理システム1Aは、上記のように構成されており、搬入出ブロック2より搬入されたウェハWを第1受渡ブロック4F、第2処理ブロック3Fおよび第2受渡ブロック4Bを介して第1処理ブロック3Bへ搬送して、第1処理ブロック3Bにおいてベベル洗浄処理を行う。その後、基板処理システム1Aは、ベベル洗浄処理後のウェハWを第1処理ブロック3Bから第2受渡ブロック4B、第2処理ブロック3Fおよび第1受渡ブロック4Fへ戻した後、第2処理ブロック3Fへ搬送して、第2処理ブロック3Fにおいて裏面洗浄処理を行う。そして、基板処理システム1Aは、裏面洗浄処理後のウェハWを第2処理ブロック3Fから第1受渡ブロック4F経由で搬入出ブロック2へ搬送し、搬入出ブロック2から外部へ払い出す。   The substrate processing system 1A according to the second embodiment is configured as described above, and the first delivery block 4F, the second processing block 3F, and the second delivery block 4B are loaded with the wafer W from the loading / unloading block 2. Through the first processing block 3B, and bevel cleaning processing is performed in the first processing block 3B. Thereafter, the substrate processing system 1A returns the wafer W after bevel cleaning processing from the first processing block 3B to the second delivery block 4B, the second processing block 3F, and the first delivery block 4F, and then to the second processing block 3F. After being transported, the back surface cleaning process is performed in the second processing block 3F. Then, the substrate processing system 1A transports the wafer W after the back surface cleaning processing from the second processing block 3F to the loading / unloading block 2 via the first delivery block 4F, and delivers the wafer W from the loading / unloading block 2 to the outside.

<ウェハWの搬送フロー>
上記したウェハWの搬送フローについて図16を参照して具体的に説明する。図16は、第2の実施形態に係る基板処理システム1AにおけるウェハWの搬送フローの説明図である。なお、図16では、第3受渡部19を「TRS3」と記載する。また、図16では、第1バッファ部21U(SBU1)、第2バッファ部21L(SBU2)、第1受渡部22U(TRS1)、第2受渡部22L(TRS2)、第3受渡部19(TRS3)、第1反転機構23a(RVS1)、第2反転機構23b(RVS2)、第1処理ユニット18(CH1)および第2処理ユニット28(CH2)については符号を省略する。
<Transport Flow of Wafer W>
The above-described transfer flow of the wafer W will be specifically described with reference to FIG. FIG. 16 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1A according to the second embodiment. In FIG. 16, the third delivery unit 19 is described as “TRS3”. In FIG. 16, the first buffer unit 21U (SBU1), the second buffer unit 21L (SBU2), the first delivery unit 22U (TRS1), the second delivery unit 22L (TRS2), and the third delivery unit 19 (TRS3). The symbols of the first reversing mechanism 23a (RVS1), the second reversing mechanism 23b (RVS2), the first processing unit 18 (CH1) and the second processing unit 28 (CH2) will be omitted.

図16に示すステップS201,S202の処理は、図13に示すステップS101,S102の処理と同じである。すなわち、基板処理システム1Aでは、まず、主搬送装置13(CRA)が、カセットCから未処理のウェハWを複数枚まとめて取り出して第1バッファ部21U(SBU1)に収容(ステップS201)し、移し換え装置15a(MPRA)が、第1バッファ部21U(SBU1)から未処理のウェハWを取り出して第1受渡部22U(TRS1)に移し換える(ステップS202)。   The processes of steps S201 and S202 shown in FIG. 16 are the same as the processes of steps S101 and S102 shown in FIG. That is, in the substrate processing system 1A, first, the main transport apparatus 13 (CRA) takes out a plurality of unprocessed wafers W together from the cassette C and stores them in the first buffer unit 21U (SBU1) (step S201). The transfer device 15a (MPRA) takes out the unprocessed wafer W from the first buffer unit 21U (SBU1) and transfers it to the first delivery unit 22U (TRS1) (step S202).

つづいて、第2搬送装置27(PRA2)が、第1受渡部22U(TRS1)からウェハWを取り出して第3受渡部19(TRS3)へ搬送する(ステップS203)。そして、第1搬送装置17(PRA1)が、第3受渡部19(TRS3)からウェハWを取り出して第1処理ユニット18(CH1)へ搬送し(ステップS204)、第1処理ユニット18(CH1)が、ウェハWに対してベベル洗浄処理を行う。   Subsequently, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W from the first delivery unit 22U (TRS1) and transfers it to the third delivery unit 19 (TRS3) (step S203). Then, the first transfer apparatus 17 (PRA1) takes out the wafer W from the third delivery unit 19 (TRS3) and transfers it to the first processing unit 18 (CH1) (step S204), and the first processing unit 18 (CH1) Then, the wafer W is subjected to bevel cleaning processing.

つづいて、ベベル洗浄処理が終了すると、第1搬送装置17(PRA1)が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1処理ユニット18(CH1)から取り出して第3受渡部19(TRS3)に収容する(ステップS205)。そして、第2搬送装置27(PRA2)が、第3受渡部19(TRS3)からウェハWを取り出して第1受渡部22U(TRS1)に収納する(ステップS206)。その後の処理(ステップS207〜S213)は、図13に示すステップS105〜S111と同様であるため、ここでの説明は省略する。   Subsequently, when the bevel cleaning process is completed, the first transfer apparatus 17 (PRA1) takes out the wafer W subjected to the bevel cleaning process from the first processing unit 18 (CH1) and stores it in the third delivery unit 19 (TRS3). (Step S205). Then, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W from the third delivery unit 19 (TRS3) and stores it in the first delivery unit 22U (TRS1) (step S206). The subsequent processing (steps S207 to S213) is the same as steps S105 to S111 shown in FIG.

このように、第1処理ユニット18を備える第1処理ブロック3Bと、第2処理ユニット28を備える第2処理ブロック3Fとは、第1の実施形態に係る基板処理システム1のように高さ方向に並べて配置される場合に限らず、水平方向に並べて配置されてもよい。   As described above, the first processing block 3B including the first processing unit 18 and the second processing block 3F including the second processing unit 28 are in the height direction as in the substrate processing system 1 according to the first embodiment. Not limited to the case of being arranged side by side, it may be arranged side by side in the horizontal direction.

また、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aでは、第2処理ブロック3Fが第1処理ブロック3Bよりも前段側に、言い換えれば、搬入出ブロック2に近い位置に配置される。かかる配置とすることで、ウェハWを吸着保持する第1搬送装置17が、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理を終えた洗浄済みのウェハWを保持しないようにすることができる。このため、洗浄済みのウェハWに吸着痕等の汚れが付着することを抑制することが可能である。   Further, in the substrate processing system 1A according to the second embodiment, the second processing block 3F is disposed at a position upstream of the first processing block 3B, in other words, at a position near the loading / unloading block 2. With this arrangement, it is possible to prevent the first transfer apparatus 17 for holding the wafer W by suction from holding the cleaned wafer W after the bevel cleaning process and the back surface cleaning process. For this reason, it is possible to suppress the adhesion of dirt such as suction marks on the cleaned wafer W.

なお、第2の実施形態に係る基板処理システム1Aでは、第2処理ブロック3Fにおいておもて面を上向きにした状態のウェハWと、裏面を上向きにした状態のウェハWの両方が搬送されることとなる。しかし、おもて面を上向きにした状態のウェハWは、単に第2処理ブロック3Fを通過するだけであるため、第1の実施形態に係る基板処理システム1と比較してウェハWの表裏の状態管理が大きく複雑化することはない。   In the substrate processing system 1A according to the second embodiment, in the second processing block 3F, both the wafer W with the front surface facing upward and the wafer W with the back surface facing upward are transported. It will be. However, since the wafer W with the front surface facing upward merely passes through the second processing block 3F, compared to the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the front and back of the wafer W State management does not become large and complicated.

(第3の実施形態)
上述した第2の実施形態では、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bが第1受渡ブロック4Fに配置される場合の例について説明したが、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bの配置は上記の例に限定されるものではない。そこで、第3の実施形態では、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bの配置の変形例について説明する。
Third Embodiment
In the second embodiment described above, an example in which the first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b are disposed in the first delivery block 4F has been described, but in the first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b The arrangement is not limited to the above example. Thus, in the third embodiment, a modification of the arrangement of the first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b will be described.

図17は、第3の実施形態に係る基板処理システム1Bの模式平面図である。図17に示すように、第3の実施形態に係る基板処理システム1Bでは、第2受渡ブロック4Bに第1反転機構23aが配置され、第1受渡ブロック4Fには第2反転機構23bが配置される。   FIG. 17 is a schematic plan view of a substrate processing system 1B according to the third embodiment. As shown in FIG. 17, in the substrate processing system 1B according to the third embodiment, the first reversing mechanism 23a is disposed in the second delivery block 4B, and the second reversing mechanism 23b is disposed in the first delivery block 4F. Ru.

次に、第3の実施形態に係る基板処理システム1BにおけるウェハWの搬送フローについて図18を参照して説明する。図18は、第3の実施形態に係る基板処理システム1BにおけるウェハWの搬送フローの説明図である。   Next, the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1B according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 18 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1B according to the third embodiment.

なお、以下では、第1受渡ブロック4Fに配置される移し換え装置15a,15bを「第1移し換え装置15a,15b」と記載し、第2受渡ブロック4Bに配置される移し換え装置15cを「第2移し換え装置15c」と記載することする。また、図18においては、第1移し換え装置15a,15bを「MPRA1」、第2移し換え装置15cを「MPRA2」とそれぞれ記載する。   Hereinafter, the transfer devices 15a and 15b disposed in the first delivery block 4F will be referred to as "first transfer devices 15a and 15b", and the transfer device 15c disposed in the second delivery block 4B It describes as 2nd transfer apparatus 15c. Further, in FIG. 18, the first transfer devices 15a and 15b are described as "MPRA1", and the second transfer device 15c is described as "MPRA2".

また、図16と同様、図18では、第1バッファ部21U(SBU1)、第2バッファ部21L(SBU2)、第1受渡部22U(TRS1)、第2受渡部22L(TRS2)、第3受渡部19(TRS3)、第1反転機構23a(RVS1)、第2反転機構23b(RVS2)、第1処理ユニット18(CH1)および第2処理ユニット28(CH2)については符号を省略する。   Also, as in FIG. 16, in FIG. 18, the first buffer unit 21U (SBU1), the second buffer unit 21L (SBU2), the first delivery unit 22U (TRS1), the second delivery unit 22L (TRS2), and the third delivery unit. The code | symbol is abbreviate | omitted about the transfer part 19 (TRS3), 1st inversion mechanism 23a (RVS1), 2nd inversion mechanism 23b (RVS2), 1st processing unit 18 (CH1), and 2nd processing unit 28 (CH2).

図18に示すステップS301〜S305の処理は、図16に示すステップS201〜S205の処理と同じである。ステップS205の処理の後、第2移し換え装置15c(MPRA2)は、第3受渡部19(TRS3)からウェハWを取り出して第1反転機構23a(RVS1)に移し換え(ステップS306)、第1反転機構23a(RVS1)が、ウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、裏面が上方を向いた状態となる。   The process of steps S301 to S305 shown in FIG. 18 is the same as the process of steps S201 to S205 shown in FIG. After the process of step S205, the second transfer device 15c (MPRA2) takes out the wafer W from the third delivery unit 19 (TRS3) and transfers it to the first reversing mechanism 23a (RVS1) (step S306), The reversing mechanism 23a (RVS1) reverses the front and back of the wafer W. Thereby, the wafer W is in the state where the back surface is directed upward.

つづいて、第2移し換え装置15c(MPRA2)が、第1反転機構23a(RVS1)からウェハWを取り出して第3受渡部19(TRS3)へ移し換え(ステップS307)、第2搬送装置27(PRA2)が、第3受渡部19(TRS3)からウェハWを取り出して第2処理ユニット28へ搬送し(ステップS308)、第2処理ユニット28(CH2)が、ウェハWに対して裏面洗浄処理を行う。   Subsequently, the second transfer device 15c (MPRA2) takes out the wafer W from the first reversing mechanism 23a (RVS1) and transfers it to the third delivery unit 19 (TRS3) (step S307), and the second transfer device 27 ( The PRA 2) takes out the wafer W from the third delivery unit 19 (TRS 3) and transfers it to the second processing unit 28 (step S308), and the second processing unit 28 (CH 2) cleans the back surface of the wafer W Do.

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第2搬送装置27(PRA2)が、裏面洗浄処理済みのウェハWを第2処理ユニット28(CH2)から取り出して第2受渡部22L(TRS2)に収容する(ステップS309)。その後の処理(ステップS310〜S312)は、図16に示すステップS211〜213と同様であるため、ここでの説明は省略する。   Subsequently, when the back surface cleaning process is completed, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W subjected to the back surface cleaning process from the second processing unit 28 (CH2) and stores it in the second delivery unit 22L (TRS2). (Step S309). The subsequent processing (steps S310 to S312) is the same as steps S211 to S213 shown in FIG.

このように、第1反転機構23aおよび第2反転機構23bは、第1受渡ブロック4Fと第2受渡ブロック4Bとにそれぞれ配置されてもよい。   Thus, the first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b may be disposed in the first delivery block 4F and the second delivery block 4B, respectively.

(第4の実施形態)
上述してきた各実施形態では、第1処理ブロック3U,3Bにおいて、ベベル洗浄処理を行う場合の例について説明した。しかし、第1処理ブロック3U,3Bにおいて行われる基板処理は、ベベル洗浄処理に限定されない。そこで、第4の実施形態では、第1処理ブロック3U,3Bにおいて行われる基板処理の変形例について図19を参照して説明する。図19は、第4の実施形態に係る第1処理ユニット18Aの模式側面図である。
Fourth Embodiment
In each of the embodiments described above, an example in which the bevel cleaning processing is performed in the first processing blocks 3U and 3B has been described. However, the substrate processing performed in the first processing blocks 3U and 3B is not limited to the bevel cleaning processing. Therefore, in the fourth embodiment, a modified example of the substrate processing performed in the first processing blocks 3U and 3B will be described with reference to FIG. FIG. 19 is a schematic side view of the first processing unit 18A according to the fourth embodiment.

図19に示すように、第4の実施形態に係る第1処理ユニット18Aは、第3吐出部106をさらに備える。第3吐出部106は、バルブ161や流量調整器(図示せず)等を介してエッチング液供給源162に接続される。かかる第3吐出部106は、エッチング液供給源162から供給されるエッチング液をウェハWの上方からウェハWのおもて面側の外周部へ向けて吐出する。これにより、ウェハWの外周部に形成されていた膜が除去される。   As shown in FIG. 19, the first processing unit 18A according to the fourth embodiment further includes a third discharge unit 106. The third discharge unit 106 is connected to the etching solution supply source 162 via a valve 161, a flow rate regulator (not shown), and the like. The third discharge unit 106 discharges the etching solution supplied from the etching solution supply source 162 from the upper side of the wafer W toward the outer peripheral portion on the front surface side of the wafer W. Thus, the film formed on the outer peripheral portion of the wafer W is removed.

第1処理ユニット18Aは、上記のように構成されており、回転するウェハWに対し、ベベル洗浄部104および第1吐出部105を用いたベベル洗浄処理を行った後、第3吐出部106を用いたエッジカット処理を行う。   The first processing unit 18A is configured as described above and performs the bevel cleaning process on the rotating wafer W using the bevel cleaning unit 104 and the first ejection unit 105, and then the third ejection unit 106 Perform the edge cutting process used.

このように、第1処理ブロック3U,3Bにおいてベベル洗浄処理およびエッジカット処理を行った後で、第2処理ブロック3L,3Fにおいて裏面洗浄処理を行うようにしてもよい。   As described above, after the bevel cleaning process and the edge cutting process are performed in the first processing blocks 3U and 3B, the back surface cleaning process may be performed in the second processing blocks 3L and 3F.

なお、ここでは、第1処理ユニット18Aが、ベベル洗浄処理およびエッジカット処理の両方を行う場合の例について説明したが、ベベル洗浄処理を行う処理ユニットとエッジカット処理を行う処理ユニットとを分けて第1処理ブロック3U,3Bに配置してもよい。   Here, an example in which the first processing unit 18A performs both the bevel cleaning processing and the edge cutting processing has been described, but the processing unit performing the bevel cleaning processing and the processing unit performing the edge cutting processing are divided. You may arrange | position to 1st process block 3U and 3B.

(第5の実施形態)
<基板処理システム1Cの構成>
次に、第5の実施形態に係る基板処理システム1Cについて説明する。図20は、第5の実施形態に係る基板処理システム1Cの模式平面図であり、図21は、同模式側面図である。
Fifth Embodiment
<Configuration of Substrate Processing System 1C>
Next, a substrate processing system 1C according to the fifth embodiment will be described. FIG. 20 is a schematic plan view of a substrate processing system 1C according to the fifth embodiment, and FIG. 21 is a schematic side view of the same.

図20および図21に示すように、第5の実施形態に係る基板処理システム1Cは、第1の実施形態に係る基板処理システム1と概ね同様の構成を有するが、処理ブロック3Cおよび受渡ブロック4Cを備える点で、第1の実施形態に係る基板処理システム1と異なる。   As shown in FIGS. 20 and 21, a substrate processing system 1C according to the fifth embodiment has substantially the same configuration as the substrate processing system 1 according to the first embodiment, but a processing block 3C and a delivery block 4C. And the substrate processing system 1 according to the first embodiment.

図21に示すように、処理ブロック3Cは、第2処理ユニット28Cを備える。第2処理ユニット28Cは、第2処理ユニット28と異なり、裏面を上向きにした状態のウェハWに対する処理と、裏面を下向きにした状態(すなわち、おもて面を上向きにした状態)のウェハWに対する処理とを行う。   As shown in FIG. 21, the processing block 3C includes a second processing unit 28C. Unlike the second processing unit 28, the second processing unit 28C processes the wafer W with the back surface facing upward, and the wafer W with the back surface facing downward (ie, the front surface is facing upward) And processing for

<第2処理ユニット28Cの構成>
ここで、第2処理ユニット28Cの構成について図22を参照して説明する。図22は、第5の実施形態に係る第2処理ユニット28Cの模式平面図である。
<Configuration of Second Processing Unit 28C>
Here, the configuration of the second processing unit 28C will be described with reference to FIG. FIG. 22 is a schematic plan view of a second processing unit 28C according to the fifth embodiment.

図22に示すように、第2処理ユニット28Cは、第2チャンバ201と、第2保持部202と、第2回収カップ203と、裏面洗浄部204Cと、第2吐出部205と、第4吐出部206とを備える。なお、裏面洗浄部204Cおよび第4吐出部206以外の構成は、第2処理ユニット28と同様であるため、ここでの説明は省略する。   As shown in FIG. 22, the second processing unit 28C includes the second chamber 201, the second holding unit 202, the second recovery cup 203, the back surface cleaning unit 204C, the second discharge unit 205, and the fourth discharge. And a unit 206. The configuration other than the back surface cleaning unit 204C and the fourth discharge unit 206 is the same as that of the second processing unit 28, and thus the description thereof is omitted here.

裏面洗浄部204Cは、裏面ブラシ241と、水平方向(ここでは、Y軸方向)に延在し、シャフト242を介して裏面ブラシ241を上方から支持するアーム246と、アーム246を旋回および昇降させる旋回昇降機構247とを備える。また、裏面洗浄部204Cは、図示しない回転機構を備えており、かかる回転機構を用いて裏面ブラシ241をシャフト242まわりに回転させることができる。   The back surface cleaning unit 204C extends in the horizontal direction (here, the Y-axis direction) with the back surface brush 241, and supports the arm 246 supporting the back surface brush 241 from above via the shaft 242 and pivots and raises and lowers the arm 246. And a pivoting lift mechanism 247. Further, the back surface cleaning unit 204C includes a rotation mechanism (not shown), and can use the rotation mechanism to rotate the back surface brush 241 around the shaft 242.

裏面洗浄部204Cおよび第2吐出部205は、基板における第2の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第1処理部の一例に相当する。なお、第2処理ユニット28Cは、裏面洗浄部204Cに代えて、第2処理ユニット28が備える裏面洗浄部204を備えてもよい。   The back surface cleaning unit 204C and the second discharge unit 205 correspond to an example of a first processing unit that processes the substrate with the second surface of the substrate facing upward. The second processing unit 28C may include the back surface cleaning unit 204 provided in the second processing unit 28 instead of the back surface cleaning unit 204C.

第4吐出部206は、第2回収カップ203の外方に配置される。第4吐出部206は、ノズル261と、水平方向に延在し、ノズル261を支持するアーム262と、アーム262を旋回および昇降させる旋回昇降機構263とを備える。   The fourth discharge unit 206 is disposed outside the second recovery cup 203. The fourth discharge unit 206 includes a nozzle 261, an arm 262 extending in the horizontal direction and supporting the nozzle 261, and a pivoting elevating mechanism 263 for pivoting and elevating the arm 262.

ノズル261は、たとえば2流体ノズルであり、バルブ264および流量調整器(図示せず)等を介して洗浄液供給源265に接続されるとともに、バルブ266および流量調整器(図示せず)等を介して気体供給源267に接続される。   The nozzle 261 is, for example, a two-fluid nozzle, and is connected to the cleaning solution supply source 265 via a valve 264 and a flow rate regulator (not shown) and the like, and also via a valve 266 and a flow rate regulator (not shown) and the like Is connected to the gas supply source 267.

第4吐出部206は、洗浄液供給源265から供給される洗浄液(たとえば、純水)と気体供給源267から供給される気体(たとえば、窒素等の不活性ガス)とをノズル261内で混合し、これにより液滴状の又はミスト化した洗浄液をノズル261から基板へ供給する。   The fourth discharge unit 206 mixes the cleaning fluid (for example, pure water) supplied from the cleaning fluid supply source 265 and the gas (for example, inert gas such as nitrogen) supplied from the gas supply source 267 in the nozzle 261. Thus, the cleaning solution in the form of droplets or mist is supplied from the nozzle 261 to the substrate.

第4吐出部206は、基板における第1の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第2処理部の一例に相当する。なお、ここでは、第4吐出部206が備えるノズル261が2流体ノズルである場合の例を示したが、ノズル261は、通常のノズルであってもよい。   The fourth discharge unit 206 corresponds to an example of a second processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward. Although an example in which the nozzle 261 provided in the fourth ejection unit 206 is a two-fluid nozzle is shown here, the nozzle 261 may be a normal nozzle.

第2処理ユニット28Cは、裏面を上向きにしたウェハWが搬入された場合には、裏面洗浄部204Cおよび第2吐出部205を用いてウェハWを処理する。   The second processing unit 28 </ b> C processes the wafer W using the back surface cleaning unit 204 </ b> C and the second discharge unit 205 when the wafer W whose back surface is directed upward is carried in.

具体的には、第2処理ユニット28Cは、裏面を上向きにしたウェハWの周縁部を第2保持部202で保持して回転させる。つづいて、第2処理ユニット28Cは、回転するウェハWの上方に配置された裏面洗浄部204Cの裏面ブラシ241をウェハWに接触させる。また、第2処理ユニット28Cは、回転するウェハWの上方に配置された第2吐出部205からウェハWへ向けて洗浄液を吐出する。そして、第2処理ユニット28Cは、裏面ブラシ241を回転させながら、例えばウェハWの中心部から外周部へ移動させる。これにより、ウェハWの裏面に付着したパーティクル等が除去される。   Specifically, the second processing unit 28C holds and rotates the peripheral portion of the wafer W whose back surface is upward by the second holding unit 202. Subsequently, the second processing unit 28C brings the back surface brush 241 of the back surface cleaning unit 204C disposed above the rotating wafer W into contact with the wafer W. Further, the second processing unit 28C discharges the cleaning liquid toward the wafer W from the second discharge unit 205 disposed above the rotating wafer W. Then, the second processing unit 28C moves, for example, the central portion of the wafer W to the outer peripheral portion while rotating the back surface brush 241. Thereby, particles and the like attached to the back surface of the wafer W are removed.

また、第2処理ユニット28Cは、おもて面を上向きにしたウェハWが搬入された場合には、第4吐出部206を用いてウェハWを処理する。   The second processing unit 28 </ b> C processes the wafer W using the fourth discharge unit 206 when the wafer W with the front surface facing up is carried in.

具体的には、第2処理ユニット28Cは、おもて面を上向きにしたウェハWの周縁部を第2保持部202で保持して回転させる。つづいて、第2処理ユニット28Cは、回転するウェハWの上方に第4吐出部206のノズル261を配置させて、ノズル261からウェハWのおもて面に向けて液滴状の又はミスト化した洗浄液を供給する。これにより、ウェハWのおもて面が洗浄され、当初からおもて面に付着していたパーティクル等を除去することができる。また、当初は付着していなくても、たとえば、第1処理ユニット18での処理、第2処理ユニット28Cでの裏面処理、及びウェハWの搬送の過程で付着してしまったパーティクル等も除去することができる。   Specifically, the second processing unit 28C holds and rotates the peripheral portion of the wafer W whose front surface is upward by the second holding unit 202. Subsequently, the second processing unit 28C arranges the nozzle 261 of the fourth discharge unit 206 above the rotating wafer W, and forms droplets or mists from the nozzle 261 toward the front surface of the wafer W. Supply the cleaning solution. As a result, the front surface of the wafer W is cleaned, and particles and the like that have been attached to the front surface from the beginning can be removed. Further, even if not initially attached, for example, particles and the like that have been attached during the process of the first processing unit 18, the back surface process of the second processing unit 28C, and the transfer of the wafer W are also removed. be able to.

<受渡ブロック4Cの構成>
次に、受渡ブロック4Cの構成について図20、図21および図23を参照して説明する。図23は、第5の実施形態に係る受渡ブロック4Cの模式背面図である。
<Configuration of Delivery Block 4C>
Next, the configuration of the delivery block 4C will be described with reference to FIG. 20, FIG. 21 and FIG. FIG. 23 is a schematic rear view of the delivery block 4C according to the fifth embodiment.

図21および図23に示すように、受渡ブロック4Cの内部には、第1受渡部22Uと、バッファ部21と、第1反転機構23aと、第2受渡部22Lと、第2反転機構23bとが、上から順に上記の順番で高さ方向に並べて配置される。また、図20および図23に示すように、受渡ブロック4Cの内部には、第1移し換え装置15Caと、第2移し換え装置15Cbとが配置される。   As shown in FIGS. 21 and 23, inside the delivery block 4C, a first delivery unit 22U, a buffer unit 21, a first reversing mechanism 23a, a second delivery unit 22L, and a second reversing mechanism 23b Are arranged side by side in the height direction in the order described above from the top. Further, as shown in FIGS. 20 and 23, a first transfer device 15Ca and a second transfer device 15Cb are disposed inside the delivery block 4C.

第1移し換え装置15Caおよび第2移し換え装置15Cbは、図示しない昇降機構を備えており、かかる昇降機構を用いて鉛直方向に移動することにより、高さ方向に並べて配置された第1受渡部22U等に対してウェハWの搬入出を行う。なお、第1移し換え装置15Caは、第1受渡部22U等のY軸正方向側に配置され、第2移し換え装置15Cbは、第1受渡部22U等のY軸負方向側に配置される。   The first transfer device 15Ca and the second transfer device 15Cb have an elevating mechanism (not shown), and move in the vertical direction using the elevating mechanism to arrange the first delivery units arranged in the height direction. 22 W and the like are loaded and unloaded from the wafer W. The first transfer device 15Ca is disposed on the Y-axis positive direction side of the first delivery unit 22U and the like, and the second transfer device 15Cb is disposed on the Y-axis negative direction side of the first delivery unit 22U and the like. .

図23に示すように、第1移し換え装置15Caは、第1受渡部22Uおよびバッファ部21に対してアクセス可能である。これに対し、第2移し換え装置15Cbは、バッファ部21、第1反転機構23a、第2受渡部22Lおよび第2反転機構23bに対してアクセス可能である。   As shown in FIG. 23, the first transfer device 15Ca can access the first delivery unit 22U and the buffer unit 21. On the other hand, the second transfer device 15Cb can access the buffer unit 21, the first reversing mechanism 23a, the second delivery unit 22L, and the second reversing mechanism 23b.

このように、受渡ブロック4Cでは、第1移し換え装置15Caおよび第2移し換え装置15Cbの両方がアクセス可能な位置にバッファ部21が配置される。   Thus, in the delivery block 4C, the buffer unit 21 is disposed at a position where both the first transfer device 15Ca and the second transfer device 15Cb can access.

<バッファ部21の構成>
バッファ部21は、上述した第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lと概ね同様の構成を有するが、収容可能なウェハWの段数を第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lよりも多くした点で、第1バッファ部21Uおよび第2バッファ部21Lと異なる。
<Configuration of Buffer Unit 21>
The buffer unit 21 has substantially the same configuration as the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L described above, but the number of stages of wafers W that can be accommodated is larger than that of the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L. The second embodiment differs from the first buffer unit 21U and the second buffer unit 21L in point.

ここで、バッファ部21の構成について図24および図25を参照して説明する。図24は、バッファ部21の模式平面図であり、図25は、同模式側面図である。   Here, the configuration of the buffer unit 21 will be described with reference to FIGS. 24 and 25. FIG. FIG. 24 is a schematic plan view of the buffer unit 21 and FIG. 25 is a schematic side view of the same.

図24に示すように、バッファ部21には、主搬送装置13と第1移し換え装置15Caと第2移し換え装置15Cbとがそれぞれ異なる方向からアクセス可能である。具体的には、主搬送装置13は、バッファ部21のX軸負方向側から支持部212および支持部213の間を通ってバッファ部21内に進入する。また、第1移し換え装置15Caは、バッファ部21のY軸正方向側から支持部213および支持部214の間を通ってバッファ部21内に進入する。   As shown in FIG. 24, the main transport device 13, the first transfer device 15Ca, and the second transfer device 15Cb can access the buffer unit 21 from different directions. Specifically, the main transport device 13 enters the buffer unit 21 from the X-axis negative direction side of the buffer unit 21 through the space between the support unit 212 and the support unit 213. The first transfer device 15Ca enters the buffer unit 21 from the Y-axis positive direction side of the buffer unit 21 through the space between the support unit 213 and the support unit 214.

そして、第2移し換え装置15Cbは、バッファ部21のY軸負方向側から支持部212および支持部214の間を通ってバッファ部21内に進入する。なお、バッファ部21には、おもて面を上向きにした状態のウェハWが収容される。   Then, the second transfer device 15Cb enters the buffer unit 21 from the Y axis negative direction side of the buffer unit 21 through the space between the support unit 212 and the support unit 214. The buffer unit 21 accommodates the wafer W with the front surface facing upward.

図25に示すように、バッファ部21は、下方から順に、下段エリア210L、中段エリア210Mおよび上段エリア210Uの3つのエリアに区分けされている。下段エリア210Lには、未処理のウェハWが収容される。また、中段エリア210Mには、第1処理ユニット18により処理済みのウェハWが収容され、上段エリア210Uには、第1処理ユニット18および第2処理ユニット28Cにより処理済みのウェハWが収容される。   As shown in FIG. 25, the buffer unit 21 is divided into three areas of a lower area 210L, a middle area 210M, and an upper area 210U sequentially from the lower side. The lower wafer 210 is accommodated in the lower area 210L. In the middle area 210M, the wafer W processed by the first processing unit 18 is accommodated, and in the upper area 210U, the wafer W processed by the first processing unit 18 and the second processing unit 28C is accommodated. .

<ウェハWの搬送フロー>
次に、第5の実施形態に係る基板処理システム1CにおけるウェハWの搬送フローについて図26および図27を参照して説明する。図26および図27は、第5の実施形態に係る基板処理システム1CにおけるウェハWの搬送フローの説明図である。
<Transport Flow of Wafer W>
Next, the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1C according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. 26 and FIG. FIGS. 26 and 27 are explanatory diagrams of the transfer flow of the wafer W in the substrate processing system 1C according to the fifth embodiment.

なお、図26には、第1移し換え装置15Caから第2移し換え装置15CbへウェハWが受け渡される前までの搬送フローを示し、図27には、第2移し換え装置15CbへウェハWが受け渡された後の搬送フローを示している。   Note that FIG. 26 shows a transfer flow before the wafer W is delivered from the first transfer device 15Ca to the second transfer device 15Cb, and FIG. 27 shows the wafer W to the second transfer device 15Cb. The transport flow after delivery is shown.

また、図26および図27では、おもて面を上向きにしたウェハWの搬送フローを実線で、裏面を上向きにしたウェハWの搬送フローを破線で示している。また、以下では、第1移し換え装置15Caを「MPRA1」、第2移し換え装置15Cbを「MPRA2」と記載する場合がある。また、図26および図27では、バッファ部21(SBU)、第1受渡部22U(TRS1)、第2受渡部22L(TRS2)、第1反転機構23a(RVS1)および第2反転機構23b(RVS2)については符号を省略して示している。   In FIGS. 26 and 27, the transfer flow of the wafer W whose front surface is upward is shown by a solid line, and the transfer flow of the wafer W whose back surface is upward is shown by a broken line. In the following, the first transfer device 15Ca may be described as "MPRA1", and the second transfer device 15Cb may be described as "MPRA2". In FIGS. 26 and 27, the buffer unit 21 (SBU), the first delivery unit 22U (TRS1), the second delivery unit 22L (TRS2), the first reversing mechanism 23a (RVS1), and the second reversing mechanism 23b (RVS2). The symbol) is omitted.

第5の実施形態に係る基板処理システム1Cでは、第1移し換え装置15Caから第2移し換え装置15CbへのウェハWの受け渡しをバッファ部21を経由して行う。また、基板処理システム1Cでは、第2処理ユニット28Cが、裏面を上向きにしたウェハWに対する処理(裏面洗浄処理)に加え、おもて面を上向きにしたウェハWに対する処理(おもて面洗浄処理)も行う。   In the substrate processing system 1C according to the fifth embodiment, delivery of the wafer W from the first transfer device 15Ca to the second transfer device 15Cb is performed via the buffer unit 21. In addition, in the substrate processing system 1C, the second processing unit 28C adds the processing (back surface cleaning processing) to the wafer W with the back surface facing upward, and the processing (front surface cleaning) to the wafer W with the front surface facing upward. Process).

図26に示すように、基板処理システム1Cでは、まず、主搬送装置13(CRA)がカセットCから未処理のウェハWを複数枚まとめて取り出してバッファ部21(SBU)に収容する(ステップS401)。このとき、主搬送装置13(CRA)は、バッファ部21(SBU)の下段エリア210LにウェハWを収容する。   As shown in FIG. 26, in the substrate processing system 1C, first, the main transfer device 13 (CRA) takes out a plurality of unprocessed wafers W together from the cassette C and stores them in the buffer unit 21 (SBU) (step S401). ). At this time, the main transfer device 13 (CRA) accommodates the wafer W in the lower area 210L of the buffer unit 21 (SBU).

つづいて、第1移し換え装置15Ca(MPRA1)が、バッファ部21(SBU)から未処理のウェハWを取り出して第1受渡部22U(TRS1)に移し換える(ステップS402)。   Subsequently, the first transfer device 15Ca (MPRA1) takes out the unprocessed wafer W from the buffer unit 21 (SBU) and transfers it to the first delivery unit 22U (TRS1) (step S402).

つづいて、第1処理ブロック3Uの第1搬送装置17(PRA1)が、第1受渡部22U(TRS1)からウェハWを取り出して第1処理ユニット18(CH1)へ搬送し(ステップS403)、第1処理ユニット18(CH1)が、ウェハWに対してベベル洗浄処理を行う。また、ベベル洗浄処理が終了すると、第1搬送装置17(PRA1)が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1処理ユニット18(CH1)から取り出して第1受渡部22U(TRS1)に収容する(ステップS404)。   Subsequently, the first transfer device 17 (PRA1) of the first processing block 3U takes out the wafer W from the first delivery unit 22U (TRS1) and transfers it to the first processing unit 18 (CH1) (step S403), The first processing unit 18 (CH1) performs a bevel cleaning process on the wafer W. Further, when the bevel cleaning process is completed, the first transfer apparatus 17 (PRA1) takes out the wafer W subjected to the bevel cleaning process from the first processing unit 18 (CH1) and stores it in the first delivery unit 22U (TRS1) Step S404).

つづいて、第1移し換え装置15Ca(MPRA1)が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1受渡部22U(TRS1)から取り出してバッファ部21(SBU)に移し換える(ステップS405)。このとき、第1移し換え装置15Ca(MPRA1)は、バッファ部21(SBU)の中段エリア210MにウェハWを収容する。   Subsequently, the first transfer device 15Ca (MPRA1) takes out the wafer W subjected to the bevel cleaning processing from the first delivery unit 22U (TRS1) and transfers it to the buffer unit 21 (SBU) (step S405). At this time, the first transfer device 15Ca (MPRA1) accommodates the wafer W in the middle area 210M of the buffer unit 21 (SBU).

つづいて、図27に示すように、第2移し換え装置15Cb(MPRA2)が、バッファ部21(SBU)からウェハWを取り出して第2反転機構23b(RVS2)へ移し換え(ステップS406)、第2反転機構23b(RVS2)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、裏面が上方を向いた状態となる。   Subsequently, as shown in FIG. 27, the second transfer device 15Cb (MPRA2) takes out the wafer W from the buffer unit 21 (SBU) and transfers it to the second reversing mechanism 23b (RVS2) (step S406), The two-inversion mechanism 23b (RVS2) inverts the front and back of the wafer W. Thereby, the wafer W is in the state where the back surface is directed upward.

つづいて、第2処理ブロック3Lの第2搬送装置27(PRA2)が、第2反転機構23b(RVS2)からウェハWを取り出して第2処理ユニット28C(CH2)へ搬送する(ステップS407)。このとき、ウェハWは裏面が上方を向いた状態であるため、第2処理ユニット28C(CH2)では、ウェハWに対し、裏面洗浄部204Cおよび第2吐出部205を用いた裏面洗浄処理が行われる。ここで、複数の第2処理ユニット28Cの処理状況は、たとえば制御装置5によってリアルタイムに管理されており、空いているユニットから順にウェハWが搬送されていく。   Subsequently, the second transfer device 27 (PRA2) of the second processing block 3L takes out the wafer W from the second reversing mechanism 23b (RVS2) and transfers it to the second processing unit 28C (CH2) (step S407). At this time, since the back surface of the wafer W is facing upward, the back surface cleaning process using the back surface cleaning unit 204C and the second discharge unit 205 is performed on the wafer W in the second processing unit 28C (CH2). It will be. Here, the processing statuses of the plurality of second processing units 28C are managed in real time, for example, by the control device 5, and the wafer W is sequentially transferred from the vacant units.

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第2搬送装置27(PRA2)が、裏面洗浄処理済みのウェハWを第2処理ユニット28C(CH2)から取り出して第1反転機構23a(RVS1)へ搬送し(ステップS408)、第1反転機構23a(RVS1)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、おもて面が上方を向いた状態となる。   Subsequently, when the back surface cleaning process is completed, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W subjected to the back surface cleaning process from the second processing unit 28C (CH2) and transfers it to the first reversing mechanism 23a (RVS1). (Step S408) The first reversing mechanism 23a (RVS1) reverses the front and back of the wafer W. As a result, the wafer W is in a state in which the front surface faces upward.

つづいて、第2搬送装置27(PRA2)が、第1反転機構23a(RVS1)からウェハWを取り出して再度第2処理ユニット28C(CH2)へ搬送する(ステップS409)。このとき、ウェハWはおもて面が上方を向いた状態であるため、第2処理ユニット28C(CH2)では、ウェハWに対し、第4吐出部206を用いたおもて面洗浄処理が行われる。ここで、複数の第2処理ユニット28Cの処理状況は、たとえば制御装置5によってリアルタイムに管理されており、先の裏面洗浄処理が完了して空いているユニットから順にウェハWが搬送されていく。   Subsequently, the second transfer apparatus 27 (PRA2) takes out the wafer W from the first reversing mechanism 23a (RVS1) and transfers it again to the second processing unit 28C (CH2) (step S409). At this time, since the front surface of the wafer W is directed upward, in the second processing unit 28 C (CH 2), the front surface cleaning processing is performed on the wafer W using the fourth discharge unit 206. It will be. Here, the processing status of the plurality of second processing units 28C is managed, for example, in real time by the control device 5, and the wafer W is sequentially transferred from the vacant units after the back surface cleaning processing is completed.

つづいて、おもて面洗浄処理が終了すると、第2搬送装置27(PRA2)が、おもて面洗浄処理済みのウェハWを第2処理ユニット28C(CH2)から取り出して第2受渡部22L(TRS2)へ搬送する(ステップS410)。つづいて、第2移し換え装置15Cb(MPRA2)が、第2受渡部22L(TRS2)からウェハWを取り出してバッファ部21(SBU)へ移し換える(ステップS411)。このとき、第2移し換え装置15Cb(MPRA2)は、バッファ部21(SBU)の上段エリア210UにウェハWを収容する。   Subsequently, when the front surface cleaning process is completed, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W which has been subjected to the front surface cleaning process from the second processing unit 28C (CH2), and the second delivery unit 22L. Transport to (TRS 2) (step S410). Subsequently, the second transfer device 15Cb (MPRA2) takes out the wafer W from the second delivery unit 22L (TRS2) and transfers it to the buffer unit 21 (SBU) (step S411). At this time, the second transfer device 15Cb (MPRA2) stores the wafer W in the upper stage area 210U of the buffer unit 21 (SBU).

そして、主搬送装置13(CRA)が、処理済みのウェハWをバッファ部21(SBU)から複数枚まとめて取り出してカセットCへ収容する(ステップS412)。これにより、一連の基板処理が終了する。   Then, the main transfer device 13 (CRA) takes out a plurality of processed wafers W at once from the buffer unit 21 (SBU) and stores them in the cassette C (step S412). Thus, a series of substrate processing ends.

以上の構成により、第1移し換え装置15Caおよび第2移し換え装置15Cbが、おもて面が上方を向いたウェハWのみを取り扱うようになるため、ウェハWの状態管理の複雑化をさらに抑えることができる。   With the above configuration, since the first transfer device 15Ca and the second transfer device 15Cb handle only the wafer W whose front surface is directed upward, the complication of the state management of the wafer W is further suppressed. be able to.

また、第2移し換え装置15Cbから第2搬送装置27へのウェハWの受け渡しを第2受渡部22L経由ではなく第2反転機構23b経由で行うことにより、第2反転機構23bから第2受渡部22LへのウェハWの搬送が省略されるため、一連の基板処理の効率を高めることができる。   Further, by transferring the wafer W from the second transfer device 15Cb to the second transfer device 27 not via the second delivery unit 22L but via the second reversing mechanism 23b, the second reversing mechanism 23b to the second delivery unit Since the transfer of the wafer W to 22 L is omitted, the efficiency of the series of substrate processing can be enhanced.

また、第1受渡部22Uおよびバッファ部21へのアクセスを第1移し換え装置15Caに担当させ、バッファ部21、第1反転機構23a、第2受渡部22Lおよび第2反転機構23bへのアクセスを第2移し換え装置15Cbに担当させることで、第1移し換え装置15Caおよび第2移し換え装置15Cbの移動距離を短く抑えることができる。このため、これによっても、一連の基板処理の効率を高めることができる。   In addition, the first transfer device 15Ca is in charge of access to the first delivery unit 22U and the buffer unit 21, and access to the buffer unit 21, the first reversing mechanism 23a, the second delivery unit 22L, and the second reversing mechanism 23b. By having the second transfer device 15Cb take charge of, it is possible to shorten the moving distance of the first transfer device 15Ca and the second transfer device 15Cb. Thus, this also can increase the efficiency of the series of substrate processing.

なお、ここでは、複数の第2処理ユニット28Cが、裏面を上向きにしたウェハWに対する処理(裏面洗浄処理)に加え、おもて面を上向きにしたウェハWに対する処理(おもて面洗浄処理)も行うこととしたが、いずれか一方の処理を行うように予め機能を割り当てられていても良い。すなわち、たとえば10台の第2処理ユニット28Cのうち5台を裏面洗浄処理専用に割り当て、5台をおもて面洗浄処理専用に割り当てて、前者をステップS407での搬送先とし、後者をステップS409の搬送先とするようにしても良い。また、おもて面洗浄処理は、必ずしも実行されることを要しない。ここで、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハWの搬送フローについて図28を参照して説明する。図28は、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハWの搬送フローの説明図である。   Here, in addition to the processing (back surface cleaning processing) on the wafer W with the back surface facing upward, the plurality of second processing units 28C is a processing (front surface cleaning processing) on the wafer W with the front surface facing upward. ), But functions may be assigned in advance so as to perform any one of the processes. That is, for example, 5 out of 10 second processing units 28C are allocated for back surface cleaning processing only, 5 are allocated for front surface cleaning processing only, and the former is the transfer destination in step S407, the latter is the step You may make it the conveyance destination of S409. In addition, the front surface cleaning process does not necessarily have to be performed. Here, the transfer flow of the wafer W when the front surface cleaning process is not performed will be described with reference to FIG. FIG. 28 is an explanatory diagram of the transfer flow of the wafer W when the front surface cleaning process is not performed.

図26に示すステップS401〜S405の処理を終えた後、基板処理システム1Cでは、図28に示すように、第2移し換え装置15Cbが、バッファ部21(SBU)からウェハWを取り出して第2反転機構23b(RVS2)へ移し換え(ステップS501)、第2反転機構23b(RVS2)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、裏面が上方を向いた状態となる。   After finishing the processing of steps S401 to S405 shown in FIG. 26, in the substrate processing system 1C, as shown in FIG. 28, the second transfer apparatus 15Cb takes out the wafer W from the buffer unit 21 (SBU) and performs the second process. Transfer to the reversing mechanism 23b (RVS2) (step S501), and the second reversing mechanism 23b (RVS2) reverses the front and back of the wafer W. Thereby, the wafer W is in the state where the back surface is directed upward.

つづいて、第2処理ブロック3Lの第2搬送装置27(PRA2)が、第2反転機構23b(RVS2)からウェハWを取り出して第2処理ユニット28C(CH2)へ搬送する(ステップS502)。第2処理ユニット28C(CH2)では、ウェハWに対し、裏面洗浄部204Cおよび第2吐出部205を用いた裏面洗浄処理が行われる。   Subsequently, the second transfer device 27 (PRA2) of the second processing block 3L takes out the wafer W from the second reversing mechanism 23b (RVS2) and transfers it to the second processing unit 28C (CH2) (step S502). In the second processing unit 28C (CH2), the backside cleaning process using the backside cleaning unit 204C and the second discharge unit 205 is performed on the wafer W.

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第2搬送装置27(PRA2)が、裏面洗浄処理済みのウェハWを第2処理ユニット28C(CH2)から取り出して第1反転機構23a(RVS1)へ搬送し(ステップS503)、第1反転機構23a(RVS1)が、かかるウェハWの表裏を反転する。これにより、ウェハWは、おもて面が上方を向いた状態となる。   Subsequently, when the back surface cleaning process is completed, the second transfer device 27 (PRA2) takes out the wafer W subjected to the back surface cleaning process from the second processing unit 28C (CH2) and transfers it to the first reversing mechanism 23a (RVS1). (Step S503) The first reversing mechanism 23a (RVS1) reverses the front and back of the wafer W. As a result, the wafer W is in a state in which the front surface faces upward.

つづいて、第2移し換え装置15Cb(MPRA2)が、裏面洗浄処理済みのウェハWを第1反転機構23a(RVS1)から取り出してバッファ部21(SBU)へ移し換える(ステップS504)。第2移し換え装置15Cb(MPRA2)は、バッファ部21(SBU)の上段エリア210UにウェハWを収容する。そして、主搬送装置13(CRA)が、処理済みのウェハWをバッファ部21(SBU)から複数枚まとめて取り出してカセットCへ収容する(ステップS505)。これにより、一連の基板処理が終了する。   Subsequently, the second transfer device 15Cb (MPRA2) takes out the wafer W subjected to the back surface cleaning processing from the first reversing mechanism 23a (RVS1) and transfers it to the buffer unit 21 (SBU) (step S504). The second transfer device 15Cb (MPRA2) accommodates the wafer W in the upper area 210U of the buffer unit 21 (SBU). Then, the main transfer device 13 (CRA) takes out a plurality of processed wafers W together from the buffer unit 21 (SBU) and stores them in the cassette C (step S505). Thus, a series of substrate processing ends.

このように、基板処理システム1Cは、裏面洗浄処理後のおもて面洗浄処理を行うことなく、裏面洗浄処理済みのウェハWを払い出すこととしてもよい。この場合、基板処理システム1Cは、必ずしも第2受渡部22Lを備えることを要しない。また、基板処理システム1Cは、第2処理ユニット28Cに代えて、第2処理ユニット28(図6および図7参照)を備えることとしてもよい。   As described above, the substrate processing system 1C may dispense the wafer W after the back surface cleaning process without performing the front surface cleaning process after the back surface cleaning process. In this case, the substrate processing system 1C does not necessarily have to include the second delivery unit 22L. In addition, the substrate processing system 1C may include a second processing unit 28 (see FIGS. 6 and 7) instead of the second processing unit 28C.

また、ここでは、第2移し換え装置15Cbが第2反転機構23bにウェハWを搬入し(ステップS406)、第2搬送装置27が第1反転機構23aにウェハWを搬入する(ステップS408)こととした。しかし、この例に限らず、第2移し換え装置15Cbが第1反転機構23aにウェハWを搬入し、第2搬送装置27が第2反転機構23bにウェハWを搬入してもよい。また、第2移し換え装置15Cbおよび第2搬送装置27の双方が第1反転機構23aおよび第2反転機構23bの何れか一方にのみアクセスするようにしてもよい。この場合、受渡ブロック4Cは、必ずしも反転機構を2つ備えることを要しない。   Here, the second transfer device 15Cb carries the wafer W into the second reversing mechanism 23b (step S406), and the second transfer device 27 carries the wafer W into the first reversing mechanism 23a (step S408). And However, not limited to this example, the second transfer device 15Cb may load the wafer W into the first reversing mechanism 23a, and the second transfer device 27 may load the wafer W into the second reversing mechanism 23b. Further, both of the second transfer device 15Cb and the second transfer device 27 may access only one of the first reversing mechanism 23a and the second reversing mechanism 23b. In this case, the delivery block 4C does not necessarily have to include two reversing mechanisms.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the invention are not limited to the specific details and representative embodiments represented and described above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

W ウェハ
1 基板処理システム
2 搬入出ブロック
3 処理ブロック
3U 第1処理ブロック
3L 第2処理ブロック
4 受渡ブロック
5 制御装置
13 主搬送装置(CRA)
15a,15b 移し換え装置(MPRA)
17 第1搬送装置(PRA1)
18 第1処理ユニット(CH1)
27 第2搬送装置(PRA2)
28 第2処理ユニット(CH2)
21U 第1バッファ部(SBU1)
21L 第2バッファ部(SBU2)
22U 第1受渡部(TRS1)
22L 第2受渡部(TRS2)
23a 第1反転機構(RVS1)
23b 第2反転機構(RVS2)
W wafer 1 substrate processing system 2 loading / unloading block 3 processing block 3 U first processing block 3 L second processing block 4 delivery block 5 control device 13 main transport device (CRA)
15a, 15b Transfer device (MPRA)
17 First transport device (PRA1)
18 1st processing unit (CH1)
27 Second transport device (PRA2)
28 Second processing unit (CH2)
21U first buffer unit (SBU1)
21 L Second buffer unit (SBU2)
22U first delivery section (TRS1)
22L second delivery section (TRS2)
23a 1st reversing mechanism (RVS1)
23b Second reversing mechanism (RVS2)

Claims (16)

基板における第1の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第1処理ユニットと、前記第1処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第1搬送装置とを含む第1処理ブロックと、
前記基板における前記第1の面とは反対側の面である第2の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第2処理ユニットと、前記第2処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第2搬送装置とを含む第2処理ブロックと、
前記第1処理ブロックから前記第2処理ブロックへの前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板を反転させる反転機構と
前記第1搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第1受渡部と、前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第2の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第2受渡部と、前記第1受渡部および前記第2受渡部に対して前記基板の搬入出を行う移し換え装置とを含む受渡ブロックと
を備え
前記第1処理ブロックおよび前記第2処理ブロックは、高さ方向に並べて配置され、
前記反転機構は、
前記受渡ブロックに配置されることを特徴とする基板処理システム。
A first processing block including a first processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward, and a first transfer device that performs loading and unloading of the substrate with respect to the first processing unit When,
A second processing unit for processing the substrate with the second surface opposite to the first surface of the substrate facing upward, and loading of the substrate to the second processing unit A second processing block including a second transport device for
A reversing mechanism disposed in the middle of a transport path of the substrate from the first processing block to the second processing block, for reversing the substrate ;
A first delivery unit that is disposed at a position accessible by the first transport device and that accommodates the substrate with the first surface facing upward, and a position that is accessible by the second transport device; A delivery including a second delivery unit that accommodates the substrate with the second surface facing upward, and a transfer device that carries the substrate into and out of the first delivery unit and the second delivery unit. Equipped with blocks ,
The first processing block and the second processing block are arranged side by side in the height direction,
The reversing mechanism is
A substrate processing system disposed in the delivery block .
前記移し換え装置が、前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を前記第1受渡部へ搬送し、前記第1搬送装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記第1処理ユニットへ搬送するとともに、前記第1処理ユニットによって処理された前記基板を前記第1処理ユニットから取り出して前記第1受渡部へ搬送し、前記移し換え装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第2受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第2受渡部から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送すること
を特徴とする請求項に記載の基板処理システム。
The transfer device transports the substrate with the first surface facing upward to the first delivery unit, and the first transport device takes out the substrate from the first delivery unit and transfers the substrate to the first delivery unit. While transporting to the processing unit, the substrate processed by the first processing unit is taken out from the first processing unit and transported to the first delivery unit, and the transfer device transfers the substrate from the first delivery unit. Are taken out and transported to the reversing mechanism, and the substrate inverted by the reversing mechanism is removed from the reversing mechanism and transported to the second delivery unit, and the second delivery device transfers the substrate from the second delivery unit. The substrate processing system according to claim 1 , wherein the substrate is taken out and transported to the second processing unit.
基板における第1の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第1処理ユニットと、前記第1処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第1搬送装置とを含む第1処理ブロックと、
前記基板における前記第1の面とは反対側の面である第2の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第2処理ユニットと、前記第2処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第2搬送装置とを含む第2処理ブロックと、
前記第1処理ブロックから前記第2処理ブロックへの前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板を反転させる反転機構と
前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第1受渡部と、前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第2の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第2受渡部と、前記第1受渡部および前記第2受渡部に対して前記基板の搬入出を行う移し換え装置とを含み、前記第2処理ブロックに隣接して配置される第1受渡ブロックと、
前記第1搬送装置および前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面または前記第2の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第3受渡部を含み、前記第1処理ブロックと前記第2処理ブロックとの間に配置される第2受渡ブロックと
を備え
前記反転機構は、
前記第1受渡ブロックに配置されることを特徴とする基板処理システム。
A first processing block including a first processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward, and a first transfer device that performs loading and unloading of the substrate with respect to the first processing unit When,
A second processing unit for processing the substrate with the second surface opposite to the first surface of the substrate facing upward, and loading of the substrate to the second processing unit A second processing block including a second transport device for
A reversing mechanism disposed in the middle of a transport path of the substrate from the first processing block to the second processing block, for reversing the substrate ;
A first delivery unit that is disposed at a position accessible by the second transport device and that accommodates the substrate with the first surface facing upward, and a position that is accessible by the second transport device; A second delivery unit that accommodates the substrate with the second surface facing upward; and a transfer device that carries the substrate in and out of the first delivery unit and the second delivery unit, A first delivery block disposed adjacent to the second processing block;
And a third delivery unit disposed at a position accessible by the first transport device and the second transport device and containing the substrate with the first surface or the second surface facing upward. A second delivery block disposed between the first processing block and the second processing block ;
The reversing mechanism is
A substrate processing system disposed in the first delivery block .
前記移し換え装置が、前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を前記第1受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記第3受渡部へ搬送し、前記第1搬送装置が、前記第3受渡部から前記基板を取り出して前記第1処理ユニットへ搬送するとともに、前記第1処理ユニットによって処理された前記基板を前記第1処理ユニットから取り出して前記第3受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第3受渡部から前記基板を取り出して前記第1受渡部へ搬送し、前記移し換え装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第2受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第2受渡部から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送すること
を特徴とする請求項に記載の基板処理システム。
The transfer device transports the substrate with the first surface facing upward to the first delivery unit, and the second transport device takes out the substrate from the first delivery unit and performs the third transfer. The first transport device takes out the substrate from the third delivery unit and transports the substrate to the first processing unit, and transports the substrate processed by the first processing unit to the first processing unit. The substrate is taken out from the unit and conveyed to the third delivery unit, and the second conveyance device takes out the substrate from the third delivery unit and conveys the substrate to the first delivery unit, and the transfer device receives the first reception. The substrate is taken out from the transfer section and transported to the reversing mechanism, and the substrate reversed by the reversing mechanism is removed from the reversing mechanism and transported to the second delivery section, and the second transport apparatus Delivery The substrate processing system of claim 3, characterized by conveying to the second processing unit takes out the substrate from.
前記第1搬送装置、前記第2搬送装置および前記移し換え装置による前記基板の搬送が並行して行われること
を特徴とする請求項のいずれか一つに記載の基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 4 , wherein the transfer of the substrate by the first transfer device, the second transfer device, and the transfer device is performed in parallel.
基板における第1の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第1処理ユニットと、前記第1処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第1搬送装置とを含む第1処理ブロックと、
前記基板における前記第1の面とは反対側の面である第2の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第2処理ユニットと、前記第2処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第2搬送装置とを含む第2処理ブロックと、
前記第1処理ブロックから前記第2処理ブロックへの前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板を反転させる反転機構と
前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第1受渡部と、前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第2の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第2受渡部と、前記第1受渡部および前記第2受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第1移し換え装置とを含み、前記第2処理ブロックに隣接して配置される第1受渡ブロックと、
前記第1搬送装置および前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面または前記第2の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第3受渡部と、前記第3受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第2移し換え装置とを含み、前記第1処理ブロックと前記第2処理ブロックとの間に配置される第2受渡ブロックと
を備え
前記反転機構は、
前記第2受渡ブロックに配置されることを特徴とする基板処理システム。
A first processing block including a first processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward, and a first transfer device that performs loading and unloading of the substrate with respect to the first processing unit When,
A second processing unit for processing the substrate with the second surface opposite to the first surface of the substrate facing upward, and loading of the substrate to the second processing unit A second processing block including a second transport device for
A reversing mechanism disposed in the middle of a transport path of the substrate from the first processing block to the second processing block, for reversing the substrate ;
A first delivery unit that is disposed at a position accessible by the second transport device and that accommodates the substrate with the first surface facing upward, and a position that is accessible by the second transport device; A second delivery unit for accommodating the substrate with the second surface facing upward; and a first transfer device for carrying the substrate in and out of the first delivery unit and the second delivery unit. A first delivery block that is disposed adjacent to the second processing block,
A third delivery unit disposed at a position accessible by the first transport device and the second transport device and accommodating the substrate with the first surface or the second surface facing upward; And (3) a second transfer device for loading and unloading the substrate to and from the delivery section, and comprising a second delivery block disposed between the first processing block and the second processing block ,
The reversing mechanism is
A substrate processing system disposed in the second delivery block .
前記第1移し換え装置が、前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を前記第1受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記第3受渡部へ搬送し、前記第1搬送装置が、前記第3受渡部から前記基板を取り出して前記第1処理ユニットへ搬送するとともに、前記第1処理ユニットによって処理された前記基板を前記第1処理ユニットから取り出して前記第3受渡部へ搬送し、前記第2移し換え装置が、前記第3受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第3受渡部へ搬送し、前記第2搬送装置が、前記第3受渡部から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送すること
を特徴とする請求項に記載の基板処理システム。
The first transfer device transports the substrate with the first surface facing upward to the first delivery unit, and the second transfer device takes out the substrate from the first delivery unit and performs the transfer. The substrate is transported to a third delivery unit, and the first transport device takes out the substrate from the third delivery unit and transports the substrate to the first processing unit, and the substrate processed by the first processing unit is removed The substrate is taken out from the processing unit 1 and conveyed to the third delivery unit, and the second transfer device takes out the substrate from the third delivery unit and conveys the substrate to the reversing mechanism, and the reversal is performed by the reversing mechanism. The substrate is taken out of the reversing mechanism and conveyed to the third delivery unit, and the second conveyance device takes out the substrate from the third delivery unit and conveys the substrate to the second processing unit. A substrate processing system according to claim 6 .
前記第1搬送装置、前記第2搬送装置、前記第1移し換え装置および前記第2移し換え装置による前記基板の搬送が並行して行われること
を特徴とする請求項またはに記載の基板処理システム。
The substrate according to claim 6 or 7 , wherein the transfer of the substrate by the first transfer device, the second transfer device, the first transfer device, and the second transfer device is performed in parallel. Processing system.
前記第1受渡部、前記第2受渡部および前記反転機構は、
高さ方向に並べて配置されること
を特徴とする請求項のいずれか一つに記載の基板処理システム。
The first delivery unit, the second delivery unit, and the reversing mechanism
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 8 , which is arranged side by side in the height direction.
基板における第1の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第1処理ユニットと、前記第1処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第1搬送装置とを含む第1処理ブロックと、
前記基板における前記第1の面とは反対側の面である第2の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第2処理ユニットと、前記第2処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第2搬送装置とを含む第2処理ブロックと、
前記第1処理ブロックから前記第2処理ブロックへの前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板を反転させる反転機構と
前記第1搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第1受渡部と、前記第1受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第1移し換え装置と、前記反転機構に対して前記基板の搬入を行う第2移し換え装置と、前記第1移し換え装置および前記第2移し換え装置によりアクセス可能な位置に配置され、前記基板を一時的に収容するバッファ部とを含む受渡ブロックと
を備え
前記第1処理ブロックおよび前記第2処理ブロックは、高さ方向に並べて配置され、
前記反転機構は、
前記受渡ブロックに配置されることを特徴とする基板処理システム。
A first processing block including a first processing unit that processes the substrate with the first surface of the substrate facing upward, and a first transfer device that performs loading and unloading of the substrate with respect to the first processing unit When,
A second processing unit for processing the substrate with the second surface opposite to the first surface of the substrate facing upward, and loading of the substrate to the second processing unit A second processing block including a second transport device for
A reversing mechanism disposed in the middle of a transport path of the substrate from the first processing block to the second processing block, for reversing the substrate ;
A first delivery unit that is disposed at a position accessible by the first transport device and that accommodates the substrate with the first surface facing upward; and loading and unloading of the substrate with respect to the first delivery unit First transfer device to be carried out, second transfer device for loading the substrate to the reversing mechanism, and the first transfer device and the second transfer device are disposed at accessible positions, And a delivery block including a buffer unit for temporarily containing the substrate ,
The first processing block and the second processing block are arranged side by side in the height direction,
The reversing mechanism is
A substrate processing system disposed in the delivery block .
前記第1移し換え装置が、前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を前記第1受渡部へ搬送し、前記第1搬送装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記第1処理ユニットへ搬送するとともに、前記第1処理ユニットによって処理された前記基板を前記第1処理ユニットから取り出して前記第1受渡部へ搬送し、前記第1移し換え装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記バッファ部へ搬送し、前記第2移し換え装置が、前記バッファ部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第2搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送すること
を特徴とする請求項10に記載の基板処理システム。
The first transfer device transports the substrate with the first surface upward to the first delivery unit, and the first transport device takes out the substrate from the first delivery unit and performs the transfer. While transporting to the first processing unit, the substrate processed by the first processing unit is taken out of the first processing unit and transported to the first delivery unit, and the first transfer device receives the first receiving unit. The substrate is taken out from the transfer section and transported to the buffer section, the second transfer device takes out the substrate from the buffer section and transports the substrate to the reversing mechanism, and the reversing mechanism reverses the substrate, and The substrate processing system according to claim 10 , wherein a second transfer device takes out the substrate from the reversing mechanism and transfers it to the second processing unit.
前記受渡ブロックは、
前記第2搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第2受渡部
をさらに含み、
前記第2処理ユニットは、
前記基板における前記第2の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第1処理部と、
前記基板における前記第1の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第2処理部と
を備えることを特徴とする請求項10に記載の基板処理システム。
The delivery block is
And a second delivery unit disposed at a position accessible by the second transfer device and accommodating the substrate with the first surface facing upward.
The second processing unit is
A first processing unit that processes the substrate with the second surface of the substrate facing upward;
The substrate processing system according to claim 10 , further comprising: a second processing unit configured to process the substrate with the first surface of the substrate facing upward.
前記第1移し換え装置が、前記第1の面を上向きにした状態の前記基板を前記第1受渡部へ搬送し、前記第1搬送装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記第1処理ユニットへ搬送するとともに、前記第1処理ユニットによって処理された前記基板を前記第1処理ユニットから取り出して前記第1受渡部へ搬送し、前記第1移し換え装置が、前記第1受渡部から前記基板を取り出して前記バッファ部へ搬送し、前記第2移し換え装置が、前記バッファ部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第2搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送し、前記第2処理ユニットが前記第1処理部を用いて前記基板の処理を行い、前記第2搬送装置が、前記第2処理ユニットから前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第2搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第2処理ユニットへ搬送し、前記第2処理ユニットが前記第2処理部を用いて前記基板の処理を行うこと
を特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
The first transfer device transports the substrate with the first surface upward to the first delivery unit, and the first transport device takes out the substrate from the first delivery unit and performs the transfer. While transporting to the first processing unit, the substrate processed by the first processing unit is taken out of the first processing unit and transported to the first delivery unit, and the first transfer device receives the first receiving unit. The substrate is taken out from the transfer section and transported to the buffer section, the second transfer device takes out the substrate from the buffer section and transports the substrate to the reversing mechanism, and the reversing mechanism reverses the substrate, and The second transfer device takes out the substrate from the reversing mechanism and transfers it to the second processing unit, and the second processing unit processes the substrate using the first processing unit, and the second transfer device And removing the substrate from the second processing unit and transporting the substrate to the reversing mechanism, the reversing mechanism reverses the substrate, and the second transport device removes the substrate from the reversing mechanism and performs the second process. The substrate processing system according to claim 12 , wherein the substrate processing system is transported to a unit, and the second processing unit processes the substrate using the second processing unit.
前記第1処理ユニットは、
回路形成面である前記第1の面を上向きにした前記基板の前記第2の面を吸着保持した状態で、前記基板の周縁部を処理し、
前記第2処理ユニットは、
前記第2の面を上向きにした前記基板の周縁部を保持した状態で、前記基板の前記第2の面を処理すること
を特徴とする請求項1〜13のいずれか一つに記載の基板処理システム。
The first processing unit is
Processing the peripheral portion of the substrate in a state where the second surface of the substrate having the first surface facing up, which is a circuit formation surface, is held by suction;
The second processing unit is
The substrate according to any one of claims 1 to 13, wherein the second surface of the substrate is treated while holding the peripheral portion of the substrate with the second surface facing upward. Processing system.
前記第1搬送装置は、
前記基板を吸着する吸着部を備え、前記吸着部を用いて前記第2の面を吸着保持した状態で前記基板を搬送し、
前記第2搬送装置は、
前記基板よりも大径の内周部と、前記内周部から該内周部の径方向内側へ突出する複数の爪部とを備え、前記基板の外周部を前記爪部に載置させた状態で前記基板を搬送すること
を特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の基板処理システム。
The first transport device is
An adsorption unit for adsorbing the substrate, the substrate being transported in a state where the second surface is adsorbed and held using the adsorption unit,
The second transport device is
An inner peripheral portion larger in diameter than the substrate, and a plurality of claws projecting radially inward from the inner peripheral portion from the inner peripheral portion, the outer peripheral portion of the substrate is placed on the claws The substrate processing system according to any one of claims 1 to 14 , wherein the substrate is transported in a state.
前記第1処理ユニットによる処理と前記第2処理ユニットによる処理とが並行して行われること
を特徴とする請求項1〜15のいずれか一つに記載の基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 15 , wherein the processing by the first processing unit and the processing by the second processing unit are performed in parallel.
JP2015200126A 2015-04-08 2015-10-08 Substrate processing system Active JP6425639B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105109854A TWI637453B (en) 2015-04-08 2016-03-29 Substrate processing system
KR1020160038442A KR102478317B1 (en) 2015-04-08 2016-03-30 Substrate processing system
US15/090,655 US11069546B2 (en) 2015-04-08 2016-04-05 Substrate processing system
CN201610214934.4A CN106057706B (en) 2015-04-08 2016-04-08 Substrate Processing System

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015079183 2015-04-08
JP2015079183 2015-04-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016201526A JP2016201526A (en) 2016-12-01
JP6425639B2 true JP6425639B2 (en) 2018-11-21

Family

ID=57422778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015200126A Active JP6425639B2 (en) 2015-04-08 2015-10-08 Substrate processing system

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6425639B2 (en)
CN (1) CN106057706B (en)
TW (1) TWI637453B (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250124251A (en) * 2018-08-23 2025-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing system and substrate processing method
CN111162032A (en) * 2018-11-07 2020-05-15 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 A high-efficiency transfer system for double-sided processing of substrates
CN110112084A (en) * 2019-05-22 2019-08-09 长江存储科技有限责任公司 Semicoductor device washing apparatus
TWI860380B (en) * 2019-07-17 2024-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate machining device, substrate processing system, and substrate processing method
JP7458718B2 (en) 2019-07-19 2024-04-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment and substrate transport method
JP7387316B2 (en) 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Screenホールディングス Substrate processing system and substrate transport method
JP7360849B2 (en) 2019-08-30 2023-10-13 株式会社Screenホールディングス Substrate processing system and substrate transport method
JP7359610B2 (en) 2019-09-13 2023-10-11 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment
JP7377659B2 (en) 2019-09-27 2023-11-10 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment
JP7297650B2 (en) * 2019-11-27 2023-06-26 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD
JP7566526B2 (en) * 2020-07-29 2024-10-15 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD
JP7555210B2 (en) * 2020-07-29 2024-09-24 株式会社Screenホールディングス Substrate Processing Equipment
KR102583418B1 (en) * 2020-12-29 2023-09-27 세메스 주식회사 Apparatus and method for processing substrate
JP7428780B2 (en) 2021-12-24 2024-02-06 セメス株式会社 Substrate processing apparatus and method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3735175B2 (en) * 1997-03-04 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
KR100960765B1 (en) * 2005-04-22 2010-06-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Cartesian Robot Cluster Tool Architecture
JP5383979B2 (en) * 2007-02-01 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 Processing system
JP4999487B2 (en) * 2007-02-15 2012-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP5100179B2 (en) * 2007-03-30 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2009071235A (en) * 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk Substrate processing equipment
JP2010165741A (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Mini-environment substrate transport device, load port and method of eliminating electricity in substrate within transport container
US9685186B2 (en) * 2009-02-27 2017-06-20 Applied Materials, Inc. HDD pattern implant system
JP5469015B2 (en) * 2009-09-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate transfer method
US8985929B2 (en) * 2011-09-22 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP6118044B2 (en) * 2012-07-19 2017-04-19 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN106057706B (en) 2020-10-02
TWI637453B (en) 2018-10-01
TW201707119A (en) 2017-02-16
CN106057706A (en) 2016-10-26
JP2016201526A (en) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6425639B2 (en) Substrate processing system
JP6093328B2 (en) Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium
JP7113949B2 (en) Substrate processing equipment
CN107221491B (en) Substrate cleaning device
US10014190B2 (en) Liquid processing apparatus
JP6671459B2 (en) Substrate cleaning device
JP4989398B2 (en) Substrate processing equipment
JP2013038126A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2020017618A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN213635912U (en) Substrate grinding system
KR102478317B1 (en) Substrate processing system
JP2015201598A (en) Substrate processing equipment
US10892176B2 (en) Substrate processing apparatus having top plate with through hole and substrate processing method
KR102678998B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP7080331B2 (en) Board processing method and board processing equipment
JP2021158174A (en) Board processing method and board processing equipment
JP6808519B2 (en) Substrate cleaning equipment
JPWO2019012978A1 (en) Substrate transfer device and substrate transfer method
TW202207343A (en) Substrate processing apparatus and substrate conveyance method
JP2004235659A (en) Block for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
JP2007173847A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180731

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181009

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181023

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6425639

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250