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JP6431440B2 - Substrate storage container - Google Patents
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JP6431440B2 - Substrate storage container - Google Patents

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JP6431440B2 JP2015107492A JP2015107492A JP6431440B2 JP 6431440 B2 JP6431440 B2 JP 6431440B2 JP 2015107492 A JP2015107492 A JP 2015107492A JP 2015107492 A JP2015107492 A JP 2015107492A JP 6431440 B2 JP6431440 B2 JP 6431440B2
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Description

本発明は、容器本体内の気体が不活性ガス等のパージガスにパージされる基板収納容器に関するものである。   The present invention relates to a substrate storage container in which a gas in a container body is purged with a purge gas such as an inert gas.

従来におけるFOUP等の基板収納容器は、図18に部分的に示すように、複数枚の半導体ウェーハWを上下方向に並べて収納可能なフロントオープンボックスの容器本体1と、この容器本体1の開口した正面を閉鎖する蓋体とを備え、容器本体1の底板の前後部に、一対の給気バルブと排気バルブとがそれぞれ配設されており、これら給気バルブと排気バルブとにより、内部の空気がパージされるとともに、窒素ガス等の不活性ガス(図18の矢印参照)に置換されることで、半導体ウェーハWの表面酸化や汚染、配線の腐食が防止される(特許文献1、2参照)。   A conventional substrate storage container such as a FOUP has a front open box container body 1 capable of storing a plurality of semiconductor wafers W arranged in the vertical direction and an opening of the container body 1 as shown in part in FIG. And a pair of air supply valves and exhaust valves are disposed on the front and rear portions of the bottom plate of the container main body 1, respectively. Is purged and replaced with an inert gas such as nitrogen gas (see the arrow in FIG. 18), thereby preventing surface oxidation and contamination of the semiconductor wafer W and corrosion of the wiring (see Patent Documents 1 and 2). ).

容器本体1は、その左右両側壁の内面に、半導体ウェーハWを水平に支持する左右一対の支持片が対設され、この一対の支持片が上下方向に所定の間隔で配列されており、上下方向に隣接する支持片と支持片との間に、半導体ウェーハWの周縁部に摺接する断面略V字形のスロットが凹み形成されている。この容器本体1は、パージ装置71の付設された蓋体開閉装置72に搭載され、この蓋体開閉装置72により、開口した正面に蓋体が嵌合されたり、正面から蓋体が取り外されたりする。   The container body 1 is provided with a pair of left and right support pieces for horizontally supporting the semiconductor wafer W on the inner surfaces of the left and right side walls, and the pair of support pieces are arranged at predetermined intervals in the vertical direction. Between the support pieces adjacent to each other in the direction, a slot having a substantially V-shaped cross section that is in slidable contact with the peripheral edge of the semiconductor wafer W is formed as a recess. The container body 1 is mounted on a lid opening / closing device 72 to which a purge device 71 is attached. The lid opening / closing device 72 allows the lid body to be fitted to the opened front surface or the lid body to be removed from the front surface. To do.

一対の給気バルブと排気バルブとは、例えばパージ装置71から容器本体1の内部に不活性ガスを給気する一対の給気バルブが容器本体1の底板後方にそれぞれ嵌着され、容器本体1の内部から外部に空気を排気する一対の排気バルブが容器本体1の底板前方にそれぞれ嵌着されている。   The pair of air supply valves and exhaust valves are, for example, a pair of air supply valves for supplying an inert gas from the purge device 71 to the inside of the container main body 1, respectively, fitted on the rear side of the bottom plate of the container main body 1. A pair of exhaust valves for exhausting air from the inside to the outside are respectively fitted in front of the bottom plate of the container body 1.

一対の給気バルブには、不活性ガスの流通制御に資する観点から、中空の円柱形等に形成されたタワーノズル70の下端部がそれぞれ装着される。この一対のタワーノズル70は、容器本体1の上下方向に指向し、周壁の上下方向に複数の吹出口が並んで穿孔されており、この複数の吹出口から吹き出る不活性ガスの流れが交差しないよう装着角度が調整される(特許文献3参照)。   The pair of air supply valves are each fitted with a lower end portion of a tower nozzle 70 formed in a hollow cylindrical shape from the viewpoint of contributing to the flow control of the inert gas. The pair of tower nozzles 70 are oriented in the vertical direction of the container main body 1, and a plurality of air outlets are perforated in the vertical direction of the peripheral wall, and the flow of the inert gas that blows out from the air outlets does not intersect. The mounting angle is adjusted (see Patent Document 3).

このような基板収納容器は、容器本体1の正面が蓋体に閉鎖された状態でパージ装置71の付設された蓋体開閉装置72に搭載されると、パージ装置71から容器本体1の内部に不活性ガスが各給気バルブを経由して給気され、タワーノズル70の周壁上下方向に並んだ複数の吹出口から不活性ガスが半導体ウェーハWに接触しつつ蓋体方向に吹き出て容器本体1内に充満する。不活性ガスが容器本体1内に充満すると、容器本体1内の空気が外部に各排気バルブを経由してパージされ、容器本体1内の気体が空気から不活性ガスに置換されることとなる。   When such a substrate storage container is mounted on the lid opening / closing device 72 to which the purge device 71 is attached in a state where the front surface of the container main body 1 is closed by the lid, the substrate storage container is brought into the container main body 1 from the purge device 71. The inert gas is supplied through each supply valve, and the inert gas is blown out toward the lid while contacting the semiconductor wafer W from a plurality of outlets arranged in the vertical direction of the peripheral wall of the tower nozzle 70. 1 is full. When the inert gas is filled in the container main body 1, the air in the container main body 1 is purged to the outside via each exhaust valve, and the gas in the container main body 1 is replaced with the inert gas from the air. .

ところで、基板収納容器は、一般的には容器本体1の正面が蓋体により閉鎖された状態でパージされるが、容器本体1内の相対湿度を一定水準以下に均一に低下させたい場合には、容器本体1の正面から蓋体が蓋体開閉装置72により取り外され、容器本体1の正面が開口した状態でパージされることがある(特許文献4参照)。   By the way, the substrate storage container is generally purged in a state where the front surface of the container body 1 is closed by the lid, but when the relative humidity in the container body 1 is desired to be uniformly lowered to a certain level or less. The lid body may be removed from the front surface of the container body 1 by the lid body opening / closing device 72 and purged with the front surface of the container body 1 opened (see Patent Document 4).

この容器本体1の正面が開口した状態でパージされる場合には図18に示すように、EFEM(Equipment Front End Module)73に併設された蓋体開閉装置72に基板収納容器の容器本体1が搭載され、この容器本体1の正面から蓋体が蓋体開閉装置72により取り外された後、EFEM73天井のファンフィルターユニット74から床方向に大量のクリーンエア(同図の矢印参照)がダウンフローされるとともに、パージ装置71から容器本体1内に不活性ガスが給気バルブを介して供給される。   When purging with the front surface of the container body 1 opened, as shown in FIG. 18, the container body 1 of the substrate storage container is attached to a lid opening / closing device 72 attached to an EFEM (Equipment Front End Module) 73. After the lid is mounted and removed from the front of the container body 1 by the lid opening / closing device 72, a large amount of clean air (see the arrow in the figure) is down-flowed from the fan filter unit 74 on the ceiling of the EFEM 73 to the floor. In addition, an inert gas is supplied from the purge device 71 into the container main body 1 via the air supply valve.

供給された不活性ガスは、タワーノズル70の下端部から上部に流動し、タワーノズル70の各吹出口から半導体ウェーハWに接触しつつ、容器本体1の開口した正面方向に吹き出ることとなる。   The supplied inert gas flows upward from the lower end of the tower nozzle 70, and blows out in the front direction in which the container body 1 is opened while contacting the semiconductor wafer W from each outlet of the tower nozzle 70.

特開2003‐168728号公報JP 2003-168728 A 特開2010‐161157号公報JP 2010-161157 A 特開2012‐114133号公報JP 2012-114133 A 特開2004‐327911号公報JP 2004-327911 A

従来における基板収納容器は、以上のように構成され、優れた効果が期待できるものの、容器本体1の給気バルブにタワーノズル70の開口した下端部が単に装着されるに止まるので、容器本体1の半導体ウェーハW間における湿度にバラツキ、換言すれば、容器本体1の支持片間における湿度にバラツキが生じ、不具合が発生するおそれが考えられる。この点について詳しく説明すると、タワーノズル70の内部に給気された不活性ガスは、タワーノズル70の下方から上方に流動するにしたがい、タワーノズル70の上方側に徐々に蓄積されて圧力が高まり、下方の吹出口よりも上方の吹出口から強く大量に吹き出すので、タワーノズル70の上下方向で吹き出し量に差異が生じることとなる。   The conventional substrate storage container is configured as described above and can be expected to have an excellent effect. However, since the lower end of the tower nozzle 70 is simply attached to the air supply valve of the container body 1, the container body 1 There is a possibility that the humidity between the semiconductor wafers W varies, in other words, the humidity between the support pieces of the container main body 1 varies and a defect may occur. This point will be described in detail. As the inert gas supplied to the inside of the tower nozzle 70 flows upward from below the tower nozzle 70, it gradually accumulates on the upper side of the tower nozzle 70 and the pressure increases. Since a large amount of air is blown out from the upper air outlet more than the lower air outlet, a difference occurs in the amount of air blown in the vertical direction of the tower nozzle 70.

タワーノズル70の高さに依存して各吹出口からの不活性ガスの吹き出し量に差異が生じると、複数枚の半導体ウェーハWを整列収納した容器本体1の支持片間における湿度がばらつき、半導体ウェーハWを支持する支持片によっては湿度が低下しないので、容器本体1内の相対湿度を均一に下げることができないおそれが考えられる。   When there is a difference in the amount of inert gas blown from each outlet depending on the height of the tower nozzle 70, the humidity varies between the support pieces of the container body 1 in which a plurality of semiconductor wafers W are aligned and stored, and the semiconductor Since the humidity does not decrease depending on the support piece that supports the wafer W, there is a possibility that the relative humidity in the container body 1 cannot be reduced uniformly.

この問題は、図18に示すように、容器本体1の正面を開口させて不活性ガスに置換する場合、容器本体1の正面下方付近で不活性ガスと大量にダウンフローされたクリーンエアとが部分的に衝突し、容器本体1内の空気が不活性ガスに置換されずに滞留(同図の折り返しの矢印参照)したり、半導体ウェーハWを支持する支持片間における湿度のバラツキが大きくなるので、より重大で深刻となる。   As shown in FIG. 18, when the front surface of the container body 1 is opened and replaced with an inert gas, as shown in FIG. It collides partly, the air in the container body 1 stays without being replaced with the inert gas (see the folded arrow in the figure), and the humidity variation between the support pieces supporting the semiconductor wafer W increases. So become more serious and serious.

係る問題を解消する手段としては、タワーノズル70の高さに応じ、吹出口の大きさを変更するという方法があげられる。しかしながら、ユーザによっては、不活性ガスの供給条件が異なったり、クリーンエアのダウンフローの流量が相違するので、吹出口の大きさを変更するという方法では、最適なタワーノズル70を必ずしも得ることができず、係る問題を解消することは困難である。   As a means for solving such a problem, there is a method of changing the size of the outlet according to the height of the tower nozzle 70. However, depending on the user, the inert gas supply conditions are different or the flow rate of the clean air downflow is different. Therefore, the method of changing the size of the blow-out port does not necessarily provide the optimum tower nozzle 70. It is not possible to solve such a problem.

本発明は上記に鑑みなされたもので、基板を支持する支持片間における湿度がばらつくのを低減することのできる基板収納容器を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a substrate storage container that can reduce variation in humidity between support pieces that support a substrate.

本発明においては上記課題を解決するため、複数枚の基板を上下方向に並べて収納可能なフロントオープンボックスの容器本体と、この容器本体の外部から内部にパージガスを供給可能な給気部材と、この給気部材からのパージガスを容器本体の内部後方から正面方向に供給可能なパージユニットとを備えたものであって、
容器本体の内部両側に、基板を略水平に支持する一対の支持片を対向させて設け、この一対の支持片を上下方向に所定の間隔で配列し、
パージユニットは、容器本体の底部後方の給気部材に上流が連通されるパージガス用の導通部材と、この導通部材の下流の導出部から導出したパージガスを容器本体の正面方向に吹き出す縦長のユニット本体とを含んで容器本体の内部後方に位置し、導通部材の導出部を、ユニット本体の中央部あるいは中央部付近に設け、ユニット本体の容器本体正面に対向する対向部の上下方向に、パージガス用の複数の吹出口を設けたことを特徴としている。
In the present invention, in order to solve the above problems, a container body of a front open box capable of storing a plurality of substrates arranged in the vertical direction, an air supply member capable of supplying purge gas from the outside to the inside of the container body, A purge unit capable of supplying the purge gas from the air supply member in the front direction from the inside rear of the container body,
A pair of support pieces for supporting the substrate substantially horizontally are provided on both sides inside the container body so as to face each other, and the pair of support pieces are arranged at predetermined intervals in the vertical direction.
Purge unit comprises a conductive member for purge gas is upstream in the bottom rear of the air supply member of the container body is communicating, elongated unit body for blowing a purge gas derived from the downstream outlet portion of the conductive member in the front direction of the container body located inside the rear of the container body including the door, a lead portion of the conductive member, disposed in the vicinity of the center portion or the central portion of the unit body, in the vertical direction of the facing portion which faces the container body front of the unit body, for purge gas It is characterized by providing a plurality of outlets .

なお、パージユニットの導通部材を、給気部材に下端部が連通される薄い導通管とするとともに、ユニット本体を、容器本体の上下方向に指向する中空の薄い板形に形成して容器本体の内部後方に立て設け、導通管を屈曲形成してその上端部の導出部をユニット本体の周壁の中央部あるいは中央部付近に接続し、ユニット本体の容器本体正面に対向する正面壁の上下方向に、複数の吹出口を並べ設けることができる。 Incidentally, the conductive member of the purge unit, the lower end portion to the air supply member is a thin conduit which is communicating, the unit body, the container body is formed into a hollow thin plate shape oriented in the vertical direction of the container body provided upright inside the rear, the conduit bent to connect the lead portion of the upper portion in the vicinity of the center portion or the central portion of the peripheral wall of the unit body, in the vertical direction of the front wall which faces the container body front side of the unit body A plurality of air outlets can be provided side by side.

また、パージユニットの導通部材とユニット本体とを、正面の上下方向に複数の吹出口を並べ備えた縦長のパージボックスに一体構成するとともに、このパージボックスを容器本体の内部後方に立て設けてその正面を容器本体の正面方向に向け、パージボックスの下部側方に給気部材用の接続管を設け、パージボックスの内部をパージ空間に形成し、このパージ空間の側部に、接続管に連通したパージ空間の下部から略中央部付近に伸びるパージガス用の導通路を形成し、この導通路の上端部に、パージ空間の横方向に指向してパージ空間の中央部付近に位置するパージガス用の導出路を連通形成するとともに、この導出路によりパージ空間を上下に二分し、導出路から複数の吹出口に対向するパージガス用の分岐路をそれぞれ分岐し、この複数の分岐路をパージ空間の上下方向に伸長することができる。 In addition, the conducting member of the purge unit and the unit main body are integrally formed in a vertically long purge box having a plurality of outlets arranged in the vertical direction on the front, and the purge box is provided upright on the rear side inside the container main body. With the front facing the front of the container body, a connection pipe for the air supply member is provided on the lower side of the purge box, the purge box is formed in the purge space, and the side of the purge space communicates with the connection pipe. A purge gas conduction path extending from the lower portion of the purge space to approximately the central portion is formed, and a purge gas purge passage located near the central portion of the purge space in the lateral direction of the purge space is formed at the upper end of the conduction path. The lead-out path is formed in communication, and the purge space is divided into two parts by the lead-out path, and the purge gas branch paths facing the plurality of outlets are branched from the lead-out path. It may extend the number of branch paths in the vertical direction of the purge space.

また、パージボックスを正面の開口した略箱形に形成してその下部側方に給気部材用の接続管を設け、パージボックスの正面に、複数の吹出口を並べ備えたパージプレートを取り付け、これらパージボックスとパージプレートとの間に、濾過用のフィルタを介在することもできる。   In addition, the purge box is formed in a substantially box shape with an opening at the front, and a connection pipe for an air supply member is provided on the lower side of the purge box, and a purge plate having a plurality of air outlets is attached to the front of the purge box, A filter for filtration may be interposed between the purge box and the purge plate.

また、パージボックスの内部を複数のパージ空間に分割し、パージ空間の側部に、接続管に連通したパージ空間の下部から略中央部付近に伸びるパージガス用の導通路を形成し、この導通路に、パージ空間の幅方向に指向してパージ空間を上下に分割するパージガス用の導出路を形成するとともに、この導出路から複数の吹出口にフィルタを介して対向するパージガス用の複数の分岐路をそれぞれ分岐し、この複数の分岐路をパージ空間の上下方向に伸長することが可能である。   Further, the inside of the purge box is divided into a plurality of purge spaces, and a conduction path for purge gas extending from the lower part of the purge space communicating with the connecting pipe to the vicinity of the central portion is formed on the side of the purge space. In addition, a purge gas lead-out path that divides the purge space in the vertical direction in the width direction of the purge space is formed, and a plurality of purge gas branch paths facing the plurality of outlets from the lead-out path through a filter Can be branched, and the plurality of branch paths can be extended in the vertical direction of the purge space.

また、導出路の長手方向に複数の分岐路を並べ備え、この複数の分岐路の幅を導出路の導通路側から導出路の末端部方向に向かうにしたがい狭くすることが可能である。
また、分岐路の幅を導出路側から末端部方向に向かうにしたがい狭くすることも可能である。
さらに、分岐路の深さを導出路側から末端部方向に向かうにしたがい浅くすることができる。
Further, a plurality of branch paths can be arranged in the longitudinal direction of the lead-out path, and the width of the plurality of branch paths can be narrowed from the conduction path side of the lead-out path toward the end portion of the lead-out path.
It is also possible to reduce the width of the branch path from the outlet path side toward the end portion.
Furthermore, the depth of the branch path can be made shallower from the outlet path side toward the end portion.

ここで、特許請求の範囲における基板には、少なくとも各種のウェーハや液晶ガラス等が含まれる。容器本体は、透明、不透明、半透明のいずれでも良い。この容器本体の底部前方には、容器本体の内部から外部に気体を排気可能な排気部材を取り付けることができる。 Here, the substrate in the claims includes at least various wafers, liquid crystal glass, and the like. The container body may be transparent, opaque, or translucent . This bottom front of the container body, it is possible to attach the evacuable exhaust member gas from the inside to the outside of the container body.

パージガスには、少なくとも各種の不活性ガス(例えば、窒素ガスやアルゴンガス)とドライエア等が含まれる。さらに、吹出口や分岐路の形は、必要に応じ、溝形、円形、楕円形、三角形や台形等の多角形とすることができる。 The purge gas includes at least various inert gases (for example, nitrogen gas or argon gas) and dry air . Further, the shape of the air outlet and the branching path can be a polygonal shape such as a groove shape, a circular shape, an elliptical shape, a triangular shape, and a trapezoidal shape, if necessary.

本発明によれば、基板収納容器をパージする場合には、蓋体開閉装置等に基板収納容器の容器本体を搭載し、容器本体の外部から内部にパージガスを供給する。すると、パージガスは、容器本体の給気部材からパージユニットの導通部材に流入し、この導通部材内を流れてその下流の導出部からユニット本体の中央部あるいは中央部付近の内部に流入し、この内部から上下方向にそれぞれ分流して流通し、その後、ユニット本体の吹出口から吹き出る。 According to the present invention, when purging the substrate storage container, the container main body of the substrate storage container is mounted on the lid opening / closing device or the like, and the purge gas is supplied from the outside to the inside of the container main body. Then, the purge gas flows from the air supply member of the container body into the conducting member of the purge unit, flows through the conducting member, and flows into the central portion of the unit body or the vicinity of the central portion from the outlet portion downstream thereof. It circulates in the vertical direction from the inside and then blows out from the outlet of the unit body.

この際、ユニット本体の下部ではなく、中央部あるいは中央部付近にパージガスが流入するので、ユニット本体の上下方向におけるパージガスの圧力の不均衡が減少する。ユニット本体の吹出口からパージガスが吹き出すと、このパージガスが容器本体の内部後方から基板に接触しつつ複数の基板間を経由して容器本体の正面方向に流出し、容器本体内の気体が容器本体の外部にパージされ、パージガスに置換される。 At this time, since the purge gas flows into the central portion or the vicinity of the central portion instead of the lower portion of the unit main body, the imbalance of the purge gas pressure in the vertical direction of the unit main body is reduced. When the purge gas is blown out from the outlet of the unit body, the purge gas flows out from the inside rear of the container body to the front of the container body through the plurality of substrates while contacting the substrate, and the gas in the container body is discharged from the container body. And purged with purge gas.

本発明によれば、パージガスがユニット本体の下部ではなく、中央部あるいは中央部付近から上下方向に流入・分流し、各吹出口から吹き出るので、圧力の不均衡により、パージガスが下方の吹出口よりも上方の吹出口から強く大量に吹き出る事態が減少する。この減少により、ユニット本体の上下方向でパージガスの吹き出し量に差異が生じるのを抑制することができ、基板を収納した容器本体の支持片間における湿度がばらつき、容器本体内の相対湿度を均一に下げることができないおそれを排除することができるという効果がある。特に、最上段と最下段のパージガスの吹き出し量が略均一化するので、従来、問題となった最上段と最下段の基板を支持する支持片間における湿度のバラツキが大きくなるおそれを有効に抑制することができる。また、ユニット本体の高さに応じ、吹出口の大きさを変更する作業を省略することが可能となる。 According to the present invention, the purge gas flows in and out from the central portion or near the central portion, not the lower portion of the unit body, and blows out from each outlet, so that the purge gas is discharged from the lower outlet due to pressure imbalance. However, the situation where a large amount of air is blown out from the upper outlet is reduced. Due to this decrease, it is possible to suppress the occurrence of a difference in the amount of purge gas blown in the vertical direction of the unit main body, the humidity varies between the support pieces of the container main body containing the substrate, and the relative humidity in the container main body is made uniform. There is an effect that the fear that it cannot be lowered can be eliminated. In particular, the amount of purge gas blown out at the uppermost and lowermost stages is almost uniform, which effectively suppresses the risk of large variations in humidity between the support pieces supporting the uppermost and lowermost substrates, which has been a problem in the past. can do. Moreover, it becomes possible to omit the operation | work which changes the magnitude | size of a blower outlet according to the height of a unit main body.

請求項2記載の発明によれば、パージユニットの導通管とユニット本体とがそれぞれ薄く形成され、容器本体の前後方向に大きなスペースを占有しないので、容器本体の内部後方に容易に設置することが可能になる。 According to the second aspect of the present invention, the conducting pipe of the purge unit and the unit main body are formed to be thin and do not occupy a large space in the front-rear direction of the container main body. It becomes possible.

請求項3記載の発明によれば、パージガスがパージボックスの導通路、導出路、及び分岐路に順次流入してパージボックスの上下方向に流れ、複数の吹出口から吹き出るので、パージガスが圧力の不均衡により、下方の吹出口よりも上方の吹出口から強く大量に吹き出る事態を減少させることができる。したがって、パージボックスの上下方向でパージガスの吹き出し量が相違するのを有効に抑制することができ、容器本体内の基板間における湿度がばらつくのを防ぎ、容器本体内の相対湿度の均一化に資することができる。   According to the third aspect of the present invention, the purge gas sequentially flows into the conduction path, the outlet path, and the branch path of the purge box, flows in the vertical direction of the purge box, and blows out from the plurality of outlets. Due to the balance, it is possible to reduce a situation in which a large amount of air is blown out from the upper air outlet rather than the lower air outlet. Therefore, it is possible to effectively suppress the difference in the amount of purge gas blown out in the vertical direction of the purge box, to prevent the humidity between the substrates in the container main body from varying, and to contribute to the equalization of the relative humidity in the container main body. be able to.

請求項4記載の発明によれば、導出路の上流と下流におけるパージガスの圧力の均一化に資することが可能になる。
請求項5記載の発明によれば、分岐路の末端部側の幅を狭くするので、分岐路の末端部側から吹き出すパージガスの吹き出し量を増加させ、複数の基板間に対する略均等な吹き出しの実現を図ることが可能になる。
請求項6記載の発明によれば、分岐路の末端部側の深さを浅くするので、分岐路の末端部側から吹き出すパージガスの吹き出し量を増加させ、複数の基板間に対する略均等な吹き出しの実現に資することが可能になる。
According to the fourth aspect of the invention, it is possible to contribute to equalizing the pressure of the purge gas upstream and downstream of the outlet passage.
According to the fifth aspect of the present invention, since the width of the end portion side of the branch path is narrowed, the amount of purge gas blown from the end portion side of the branch path is increased, and substantially uniform blowing between a plurality of substrates is realized. Can be achieved.
According to the sixth aspect of the present invention, since the depth on the terminal end side of the branch path is made shallow, the amount of purge gas blown out from the terminal end side of the branch path is increased, and a substantially uniform gas blowing between a plurality of substrates is performed. It becomes possible to contribute to realization.

本発明に係る基板収納容器の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically an embodiment of a substrate storage container concerning the present invention. 本発明に係る基板収納容器の実施形態における容器本体とパージユニットとを模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the container main body and purge unit in embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の実施形態におけるパージユニットを模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the purge unit in embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の実施形態における容器本体からパージユニットを取り外した状態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the state which removed the purge unit from the container main body in embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の実施形態におけるパージユニットに不活性ガスが導入される状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state by which an inert gas is introduce | transduced into the purge unit in embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態における容器本体とパージユニットとを模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the container main body and purge unit in 2nd Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態における容器本体とパージユニットとを模式的に示す部分斜視説明図である。It is a fragmentary perspective explanatory view showing typically a container main part and a purge unit in a 2nd embodiment of a substrate storage container concerning the present invention. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態におけるパージユニットのパージボックスを模式的に示す分解斜視説明図である。It is a disassembled perspective explanatory drawing which shows typically the purge box of the purge unit in 2nd Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態におけるパージボックスからパージプレートの一部を取り外した状態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the state which removed some purge plates from the purge box in 2nd Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically a 2nd embodiment of a substrate storage container concerning the present invention. 図9のパージボックスに不活性ガスが流通する状態を模式的に示す正面説明図である。FIG. 10 is a front explanatory view schematically showing a state where an inert gas flows in the purge box of FIG. 9. 本発明に係る基板収納容器の第2の実施形態におけるパージボックスのパージ空間からパージプレートを取り外した状態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the state which removed the purge plate from the purge space of the purge box in 2nd Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第3の実施形態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically 3rd Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第4の実施形態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically 4th Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第5の実施形態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically 5th Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第6の実施形態を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically 6th Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 本発明に係る基板収納容器の第7の実施形態を模式的に示す側面説明図である。It is side surface explanatory drawing which shows typically 7th Embodiment of the substrate storage container which concerns on this invention. 基板収納容器の容器本体正面から蓋体を取り外し、容器本体の正面を開口させてパージする状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which removes a cover body from the container main body front of a substrate storage container, opens the front of a container main body, and purges.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における基板収納容器は、図1ないし図5、図18の一部に示すように、複数枚の半導体ウェーハWを上下方向に並べて整列収納可能な容器本体1と、この容器本体1の正面を嵌合閉鎖する着脱自在の蓋体10と、容器本体1の正面を閉鎖した蓋体10を施錠する施錠機構20と、容器本体1の外部から内部に不活性ガスを供給可能な一対の給気バルブ30と、容器本体1の内部から外部に空気を排気可能な一対の排気バルブ40と、各給気バルブ30からの不活性ガスを容器本体1の内部後方から正面方向に供給可能なパージユニット50とを備え、このパージユニット50の導通部材である導通管51の導出部52を、ユニット本体53の下部以外の部分に接続するようにしている。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A substrate storage container in the present embodiment includes a plurality of semiconductor wafers W as shown in a part of FIGS. A container body 1 that can be arranged and stored in the vertical direction, a removable lid 10 that fits and closes the front of the container body 1, and a locking mechanism 20 that locks the lid 10 that closes the front of the container body 1. A pair of air supply valves 30 capable of supplying an inert gas from the outside of the container body 1 to the inside, a pair of exhaust valves 40 capable of exhausting air from the inside of the container body 1 to the outside, and the air supply valves 30 And a purge unit 50 capable of supplying the inert gas in the front direction from the rear of the container body 1, and the lead-out portion 52 of the conduction pipe 51, which is a conduction member of the purge unit 50, other than the lower part of the unit body 53. Touching part It is way.

各半導体ウェーハWは、図1に示すように、例えば表面に回路パターンが形成されたφ300mmやφ450mmの薄く丸いシリコンウェーハからなり、図示しない専用のロボット装置のアームにより、容器本体1の内部に水平に支持収納されたり、取り出されたりする。   As shown in FIG. 1, each semiconductor wafer W is made of, for example, a φ300 mm or φ450 mm thin round silicon wafer having a circuit pattern formed on the surface thereof, and is horizontally placed inside the container body 1 by an arm of a dedicated robot apparatus (not shown). It is supported and stored in the storage.

容器本体1、蓋体10、施錠機構20、一対の給気バルブ30、一対の排気バルブ40、及びパージユニット50は、所定の樹脂を含有する成形材料により射出成形される。この成形材料に含まれる樹脂としては、例えばポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、液晶ポリマーといった熱可塑性樹脂やこれらのアロイ等があげられる。   The container body 1, the lid 10, the locking mechanism 20, the pair of air supply valves 30, the pair of exhaust valves 40, and the purge unit 50 are injection-molded with a molding material containing a predetermined resin. Examples of the resin contained in the molding material include thermoplastic resins such as polycarbonate, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer, polyetherimide, polyether ketone, polyether ether ketone, polybutylene terephthalate, polyacetal, and liquid crystal polymer, and alloys thereof. Etc.

容器本体1は、図1、図2、図4に示すように、正面の開口したフロントオープンボックスタイプに成形され、底板2にインターフェイスとなる平坦なボトムプレート3が下方から螺着されており、このボトムプレート3がパージ装置71の付設された蓋体開閉装置72等に対する位置決め機能や固定機能を発揮する。   As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the container body 1 is formed into a front open box type with an opening on the front, and a flat bottom plate 3 serving as an interface is screwed to the bottom plate 2 from below. The bottom plate 3 exhibits a positioning function and a fixing function with respect to the lid opening / closing device 72 to which the purge device 71 is attached.

容器本体1の左右両側壁の内面には、半導体ウェーハWの周縁部両側を略水平に支持する左右一対の支持片4が対設され、この一対の支持片4が容器本体1の上下方向に所定の間隔で配列されており、各支持片4が容器本体1の前後方向に指向する長板に形成されるとともに、この支持片4の表面先端部には、半導体ウェーハWの前方への飛び出しを規制する飛び出し防止段差部5が半導体ウェーハWの肉厚以上の厚さで一体形成される。   A pair of left and right support pieces 4 that support both sides of the periphery of the semiconductor wafer W substantially horizontally are provided on the inner surfaces of the left and right side walls of the container body 1, and the pair of support pieces 4 extend in the vertical direction of the container body 1. The support pieces 4 are arranged at predetermined intervals, and each support piece 4 is formed as a long plate oriented in the front-rear direction of the container body 1, and the semiconductor wafer W protrudes forward from the front end portion of the support piece 4. The pop-out preventing stepped portion 5 that regulates the above is integrally formed with a thickness greater than or equal to the thickness of the semiconductor wafer W.

容器本体1の底板2における後部両側付近には、容器本体1の背面壁に近接する給気バルブ30用の取付孔6がそれぞれ丸く貫通して穿孔され、底板2における前部両側付近には、排気バルブ40用の取付孔6がそれぞれ丸く貫通して穿孔される。各取付孔6は、半導体ウェーハWの円滑な出し入れに資するよう、半導体ウェーハWの底板2に対する投影領域から外れる箇所に穿孔される。また、容器本体1の天板中央部には、半導体製造工場の天井搬送機構に把持される搬送用のトップフランジ7が着脱自在に装着され、容器本体1の正面内周における上下部の両側には、蓋体10用の施錠穴がそれぞれ穿孔される。   In the vicinity of both sides of the rear part of the bottom plate 2 of the container body 1, mounting holes 6 for the air supply valve 30 adjacent to the rear wall of the container body 1 are respectively drilled in a round shape. The mounting holes 6 for the exhaust valve 40 are respectively drilled through in a round shape. Each attachment hole 6 is perforated at a location outside the projection region of the semiconductor wafer W with respect to the bottom plate 2 so as to contribute to smooth insertion and removal of the semiconductor wafer W. In addition, a top flange 7 for transportation that is gripped by a ceiling transportation mechanism of a semiconductor manufacturing factory is detachably attached to the central portion of the top plate of the container body 1. Are each provided with a locking hole for the lid 10.

容器本体1の両側壁の中央部には、握持操作用に機能するグリップ部8がそれぞれ着脱自在に装着される。また、容器本体1の両側壁の下部には、搬送用のサイドレール9がそれぞれ選択的に装着される。
このような容器本体1は、蓋体開閉装置72に位置決めして搭載され、開口した正面に蓋体10が圧入して嵌合された状態でパージされたり、EFEM73に併設された蓋体開閉装置72に位置決めして搭載され、蓋体開閉装置72により正面からシール状態の蓋体10が取り外された後、正面が開口した状態でパージされる。
Grip portions 8 that function for gripping operation are detachably attached to the center portions of both side walls of the container body 1. Moreover, the side rails 9 for conveyance are each selectively attached to the lower part of the both side walls of the container body 1.
Such a container main body 1 is positioned and mounted on the lid opening / closing device 72 and purged in a state where the lid 10 is press-fitted and fitted to the opened front, or the lid opening / closing device attached to the EFEM 73. It is positioned and mounted at 72, and after the lid 10 in a sealed state is removed from the front by the lid opening / closing device 72, it is purged with the front opened.

蓋体10は、図1に示すように、容器本体1の開口した正面内に圧入して嵌合される蓋本体11と、この蓋本体11の開口した正面を被覆する表面プレート13と、容器本体1の正面内周と蓋本体11との間に介在される密封封止用のシールガスケットとを備え、蓋本体11と表面プレート13との間に施錠用の施錠機構20が介在して設置される。   As shown in FIG. 1, the lid 10 includes a lid body 11 that is press-fitted into the open front of the container body 1, a surface plate 13 that covers the open front of the lid main body 11, and a container. A sealing gasket for sealing and sealing interposed between the front inner periphery of the main body 1 and the lid main body 11 is provided, and a locking mechanism 20 for locking is interposed between the lid main body 11 and the surface plate 13. Is done.

蓋本体11は、基本的には底の浅い断面略皿形に形成され、内部に補強用や取付用のリブが複数配設されており、半導体ウェーハWに対向する対向面である裏面の中央部付近に、半導体ウェーハWとの接触を回避する凹部が形成されるとともに、この凹部には、半導体ウェーハWの周縁部前方を弾発的に保持するフロントリテーナ12が装着される。   The lid body 11 is basically formed in a substantially dish-shaped section with a shallow bottom, and is provided with a plurality of reinforcing and mounting ribs therein, and the center of the back surface, which is the facing surface facing the semiconductor wafer W. A recess that avoids contact with the semiconductor wafer W is formed in the vicinity of the portion, and a front retainer 12 that elastically holds the front of the peripheral edge of the semiconductor wafer W is attached to the recess.

蓋本体11の裏面周縁部には枠形の嵌合溝が凹み形成され、この嵌合溝内に、容器本体1の正面内周に圧接する弾性のシールガスケットが密嵌されており、蓋本体11の周壁における上下部の両側には、容器本体1の施錠穴に対向する施錠機構20用の出没孔が貫通して穿孔される。
表面プレート13は、横長の正面矩形に形成され、補強用や取付用のリブ、螺子孔等が複数配設される。この表面プレート13の両側部には、施錠機構20用の操作孔がそれぞれ穿孔される。
A frame-shaped fitting groove is formed in the periphery of the back surface of the lid body 11, and an elastic seal gasket that press-contacts the front inner periphery of the container body 1 is tightly fitted in the fitting groove. On both sides of the upper and lower portions of the peripheral wall of 11, a recess / exit hole for the locking mechanism 20 facing the locking hole of the container body 1 is penetrated and drilled.
The surface plate 13 is formed in a horizontally long front rectangle, and a plurality of reinforcing and mounting ribs, screw holes, and the like are provided. On both sides of the surface plate 13, operation holes for the locking mechanism 20 are formed.

施錠機構20は、図1に部分的に示すように、蓋体10の蓋本体11における左右両側部にそれぞれ軸支され、外部から回転操作される左右一対の回転プレートと、各回転プレートの回転に伴い蓋体10の上下方向にスライドする複数の進退動プレートと、各進退動プレートのスライドに伴い蓋本体11の出没孔から出没して容器本体1の施錠穴に接離する複数の施錠爪とを備えて構成される。   As shown partially in FIG. 1, the locking mechanism 20 is pivotally supported on both left and right side portions of the lid body 11 of the lid body 10, and a pair of left and right rotating plates that are rotationally operated from the outside, and the rotation of each rotating plate. A plurality of advance / retreat plates that slide in the vertical direction of the lid body 10 and a plurality of locking claws that come in and out of the intrusion hole of the lid body 11 and slide into and out of the lock hole of the container body 1 as each advance / retreat plate slides. And is configured.

各回転プレートは、蓋体10の表面プレート13の操作孔に対向し、この操作孔を貫通した蓋体開閉装置72の操作キーにより回転操作される。この回転プレートの周縁部付近には、湾曲した一対のカム溝が所定の間隔をおいて切り欠かれ、各カム溝に進退動プレートの末端部の連結ピンがスライド可能に嵌入される。   Each rotary plate is opposed to the operation hole of the surface plate 13 of the lid 10 and is rotated by an operation key of the lid opening / closing device 72 penetrating through the operation hole. A pair of curved cam grooves are cut out at a predetermined interval in the vicinity of the peripheral edge of the rotating plate, and a connecting pin at the end of the advancing / retracting plate is slidably fitted into each cam groove.

各給気バルブ30は、図1に部分的に示すように、容器本体1の内部に臨む略円筒形の第一のハウジング31と、この第一のハウジング31の開口下部にOリングを介し着脱自在に嵌合されて容器本体1の外部に露出する略円筒形の第二のハウジングとを備え、これら第一、第二のハウジングが螺子を介して螺合されており、蓋体開閉装置72に容器本体1が位置決めして搭載される際、蓋体開閉装置72のパージ装置71に接続される。   As shown partially in FIG. 1, each air supply valve 30 is attached to and detached from a substantially cylindrical first housing 31 facing the inside of the container body 1 and an opening lower portion of the first housing 31 via an O-ring. A substantially cylindrical second housing that is freely fitted and exposed to the outside of the container body 1, and the first and second housings are screwed together via screws, and the lid opening / closing device 72. When the container main body 1 is positioned and mounted, it is connected to the purge device 71 of the lid opening / closing device 72.

第一、第二のハウジングの外周面には平面略リング形の係止フランジがそれぞれ周設され、これらの係止フランジが容器本体1の取付孔6の周縁部に上下方向からOリングを介して係止することにより、容器本体1の底板2に給気バルブ30が強固に嵌着固定されて容器本体1の背面壁に近接する。   A flat ring-shaped locking flange is provided on the outer peripheral surface of each of the first and second housings, and these locking flanges are inserted into the peripheral portion of the mounting hole 6 of the container body 1 through an O-ring from above and below. As a result, the air supply valve 30 is firmly fitted and fixed to the bottom plate 2 of the container main body 1 and is close to the back wall of the container main body 1.

第一のハウジング31は、その開口した上端部が容器本体1内に露出し、内部に濾過用のフィルタが収納される。また、第二のハウジングは、第一のハウジング31よりも低く短く形成され、下部に接続用の継手が必要に応じて一体形成されており、パージ装置71からの不活性ガスを第一のハウジング31方向に供給する。   As for the 1st housing 31, the open upper end part is exposed in the container main body 1, and the filter for filtration is accommodated in the inside. Further, the second housing is formed shorter and shorter than the first housing 31, and a connecting joint is integrally formed at the lower portion as necessary, and the inert gas from the purge device 71 is removed from the first housing. Supply in 31 directions.

各排気バルブ40は、図1に部分的に示すように、容器本体1の底板2における前部両側付近の取付孔6にOリングを介し嵌合される円筒形のケースを備え、このケースには、空気の流通を制御する逆止弁である開閉弁がコイルバネを介し上下動可能に内蔵されており、ケースの開口した上下部には、濾過用のフィルタ41がそれぞれ嵌合される。このような排気バルブ40は、蓋体開閉装置72に容器本体1が位置決めして搭載され、給気バルブ30が不活性ガスを給気すると、正面が蓋体10により閉鎖された容器本体1内の空気を蓋体開閉装置72のパージ装置71に排気するよう機能する。   As shown partially in FIG. 1, each exhaust valve 40 includes a cylindrical case that is fitted to an attachment hole 6 near both sides of the front portion of the bottom plate 2 of the container body 1 via an O-ring. Has a built-in open / close valve that is a check valve that controls the flow of air so as to be movable up and down via a coil spring, and a filter 41 for filtration is fitted to the upper and lower portions of the case. Such an exhaust valve 40 is mounted in the lid body opening / closing device 72 with the container body 1 positioned, and when the air supply valve 30 feeds an inert gas, the front surface is closed in the container body 1 by the lid body 10. The air is exhausted to the purge device 71 of the lid opening / closing device 72.

パージユニット50は、図1ないし図3、図5に示すように、容器本体1の一対の給気バルブ30にそれぞれ連通されて不活性ガス(図5の矢印参照)を導通する一対の導通管51と、各導通管51の導出部52から導出した不活性ガス(図1の矢印参照)を容器本体1の正面方向に吹き出す一対のユニット本体53とを備え、容器本体1の内部後方、具体的には容器本体1の背面壁内面寄りに位置する。   As shown in FIGS. 1 to 3 and 5, the purge unit 50 communicates with a pair of air supply valves 30 of the container body 1 to conduct an inert gas (see arrows in FIG. 5). 51 and a pair of unit main bodies 53 for blowing out an inert gas (see arrow in FIG. 1) derived from the lead-out portion 52 of each conducting pipe 51 in the front direction of the container main body 1, Specifically, it is located closer to the inner surface of the back wall of the container body 1.

各導通管51は、容器本体1の下方向から上方向に伸長して左右横方向に屈曲する中空の薄い略L字形に屈曲形成され、下端部が不活性ガス用の上流の導入部として給気バルブ30に接続されており、上端部が不活性ガス用の下流の導出部52としてユニット本体53の周壁の上下両端部以外の部分、具体的には側壁の中央部やその付近に接続される。   Each conducting pipe 51 is bent and formed into a hollow thin substantially L-shape that extends upward from the lower direction of the container body 1 and bends in the left-right lateral direction, and its lower end is supplied as an upstream introduction part for the inert gas. The upper end is connected to the air valve 30, and the upper end is connected to a portion other than the upper and lower ends of the peripheral wall of the unit main body 53, specifically, the central portion of the side wall and the vicinity thereof as the downstream outlet 52 for the inert gas. The

各ユニット本体53は、縦長で中空の薄い板形に形成され、容器本体1正面に対向する正面壁の上下方向に、不活性ガス用の複数の吹出口54が所定の等間隔で並設されており、容器本体1の背面壁内面寄りに超音波溶着、螺子結合、凹凸結合等の方法で立設される。各ユニット本体53の内部正面には、不活性ガス中の微粒子を除去する濾過用のメンブレンフィルタ55が貼着される。   Each unit main body 53 is formed in a vertically long hollow thin plate shape, and a plurality of inert gas outlets 54 are arranged in parallel at predetermined equal intervals in the vertical direction of the front wall facing the front of the container main body 1. The container body 1 is erected near the inner surface of the back wall of the container body 1 by a method such as ultrasonic welding, screw connection, or uneven connection. A membrane filter 55 for filtration that removes fine particles in the inert gas is attached to the front face of each unit main body 53.

複数の吹出口54は、支持片4に支持されて容器本体1の上下方向に並ぶ複数枚の半導体ウェーハWの配列ピッチに応じ、等間隔に配列される。各吹出口54は、溝形に形成されて容器本体1の左右横方向に伸長し、容器本体1の上下方向に隣接する複数枚の半導体ウェーハW間に不活性ガスを吹き出すよう機能する。   The plurality of air outlets 54 are arranged at equal intervals according to the arrangement pitch of the plurality of semiconductor wafers W supported by the support piece 4 and arranged in the vertical direction of the container body 1. Each outlet 54 is formed in a groove shape and extends in the lateral direction of the container body 1 and functions to blow out an inert gas between a plurality of semiconductor wafers W adjacent in the vertical direction of the container body 1.

上記構成において、容器本体1の正面を蓋体10により閉鎖した状態でパージする場合には、蓋体開閉装置72に基板収納容器の容器本体1を位置決め搭載し、容器本体1の外部から内部に不活性ガスを供給すれば良い。すると、不活性ガスは、蓋体開閉装置72のパージ装置71から給気バルブ30を経由して導通管51に流入し、この導通管51を導通して導出部52からユニット本体53の内部中央に流入し、このユニット本体53内の中央部から上下方向にそれぞれ分流して流通(図5の矢印参照)した後、メンブレンフィルタ55を通過して各吹出口54から吹き出る。   In the above configuration, when purging with the front surface of the container body 1 closed by the lid body 10, the container body 1 of the substrate storage container is positioned and mounted on the lid body opening / closing device 72, and the container body 1 is moved from the outside to the inside. An inert gas may be supplied. Then, the inert gas flows from the purge device 71 of the lid opening / closing device 72 into the conduction pipe 51 via the air supply valve 30, and is conducted through the conduction pipe 51 from the outlet 52 to the center of the unit main body 53. And flows through the central portion of the unit main body 53 in the vertical direction (see the arrows in FIG. 5), then passes through the membrane filter 55 and is blown out from each outlet 54.

この際、不活性ガスは、ユニット本体53の上下両端部における圧力が増大するので、上下両端部における流速がそれぞれ高まることとなる。各吹出口54から不活性ガスが吹き出すと、この不活性ガスが半導体ウェーハWに接触しつつ複数枚の半導体ウェーハW間を経由して容器本体1の正面方向に流出し、容器本体1内の空気が排気バルブ40から外部にパージされ、不活性ガスに置換されることとなる。   At this time, since the pressure of the inert gas at the upper and lower end portions of the unit body 53 increases, the flow velocity at the upper and lower end portions increases. When the inert gas is blown out from each outlet 54, the inert gas flows out in the front direction of the container body 1 through the plurality of semiconductor wafers W while contacting the semiconductor wafer W, Air is purged to the outside from the exhaust valve 40 and is replaced with an inert gas.

これに対し、容器本体1の正面を開口させた状態でパージする場合には、EFEM73に併設された蓋体開閉装置72に基板収納容器の容器本体1を位置決め搭載し、この容器本体1から蓋体10を蓋体開閉装置72により取り外した後、EFEM73天井のファンフィルターユニット74から床方向に大量のクリーンエアをダウンフローするとともに、容器本体1の外部から内部に不活性ガスを供給する。   On the other hand, when purging with the front surface of the container main body 1 opened, the container main body 1 of the substrate storage container is positioned and mounted on the lid opening / closing device 72 provided along with the EFEM 73, and the lid is opened from the container main body 1. After the body 10 is removed by the lid opening / closing device 72, a large amount of clean air is flowed down from the fan filter unit 74 on the ceiling of the EFEM 73 toward the floor, and an inert gas is supplied from the outside of the container body 1 to the inside.

すると、不活性ガスは、蓋体開閉装置72のパージ装置71から給気バルブ30を経由して導通管51に流入し、この導通管51を導通して導出部52からユニット本体53の内部中央に流入し、このユニット本体53内部の中央から上下方向にそれぞれ分流して流通した後、メンブレンフィルタ55を通過して各吹出口54から吹き出る。この際にも、不活性ガスは、ユニット本体53の上下両端部における圧力が増大するので、上下両端部における流速がそれぞれ増速する。   Then, the inert gas flows from the purge device 71 of the lid opening / closing device 72 into the conduction pipe 51 via the air supply valve 30, and is conducted through the conduction pipe 51 from the outlet 52 to the center of the unit main body 53. After flowing through the center of the unit main body 53 in the vertical direction, the unit body 53 passes through the membrane filter 55 and blows out from each outlet 54. Also at this time, since the pressure of the inert gas at the upper and lower ends of the unit body 53 increases, the flow velocity at the upper and lower ends increases.

各吹出口54から不活性ガスが吹き出すと、この不活性ガスが半導体ウェーハWに接触しつつ複数枚の半導体ウェーハW間を経由して容器本体1の開口した正面方向に流出し、容器本体1内の空気が容器本体1の正面から外部にパージされ、不活性ガスに置換されることとなる。   When the inert gas is blown out from each outlet 54, the inert gas flows out between the plurality of semiconductor wafers W in contact with the semiconductor wafer W and flows out in the front direction in which the container body 1 is opened. The inside air is purged from the front of the container body 1 to the outside, and is replaced with an inert gas.

上記構成によれば、不活性ガスがユニット本体53の下端部ではなく、中央部から上下方向に流入・分流し、各吹出口54から吹き出るので、圧力の不均衡により、不活性ガスが下方の吹出口54よりも上方の吹出口54から強く大量に吹き出る事態が減少する。この減少により、ユニット本体53の上下方向で不活性ガスの吹き出し量に差異が生じるのを有効に抑制することができるので、半導体ウェーハWを収納した容器本体1の支持片4間における湿度がばらつき、容器本体1内の相対湿度を均一に下げることができないおそれを排除することができる。   According to the above configuration, since the inert gas flows in and out from the central portion, not the lower end portion of the unit main body 53, and blows out from each outlet 54, the inert gas flows downward due to pressure imbalance. The situation in which a large amount of air is strongly blown out from the air outlet 54 above the air outlet 54 is reduced. Due to this reduction, it is possible to effectively suppress a difference in the amount of inert gas blown out in the vertical direction of the unit main body 53, so that the humidity between the support pieces 4 of the container main body 1 containing the semiconductor wafer W varies. The possibility that the relative humidity in the container body 1 cannot be reduced uniformly can be eliminated.

特に、最上段と最下段の不活性ガスの吹き出し量が略均一化するので、従来、問題となった最上段と最下段の半導体ウェーハWを支持する支持片4間における湿度のバラツキが大きくなるおそれをきわめて有効に排除することができる。また、ユニット本体53の高さに応じ、吹出口54の大きさを変更する作業を確実に省略することが可能になる。さらに、パージユニット50の導通管51とユニット本体53とがそれぞれ薄く形成され、容器本体1の前後方向に大きなスペースを占有しないので、容器本体1の内部後方に容易に設置することが可能になる。   In particular, since the blowout amount of the inert gas at the uppermost and lowermost stages is substantially uniform, the variation in humidity between the support pieces 4 that support the uppermost and lowermost semiconductor wafers W, which has been a problem in the past, increases. The fear can be eliminated very effectively. Further, it is possible to reliably omit the work of changing the size of the air outlet 54 according to the height of the unit main body 53. Furthermore, since the conducting pipe 51 and the unit main body 53 of the purge unit 50 are formed thin and do not occupy a large space in the front-rear direction of the container main body 1, it is possible to easily install the container main body 1 at the rear inside. .

次に、図6ないし図12は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、パージユニット50の導通部材とユニット本体53とを、正面のパージプレート61に複数の吹出口62を並べ備えたパージボックス56に一体構成し、このパージボックス56の内部に、給気バルブ30に連通して容器本体1の上下方向に指向する導通路58を形成し、この導通路58に、容器本体1の左右幅方向に指向する導出路59を連通形成するとともに、この導出路59からパージプレート61の吹出口62に対向する分岐路60を分岐して容器本体1の上下方向に伸長するようにしている。   Next, FIGS. 6 to 12 show a second embodiment of the present invention. In this case, the conducting member of the purge unit 50 and the unit main body 53 are connected to the front purge plate 61 with a plurality of outlets. 62 is formed integrally with the purge box 56, and a conduction path 58 that communicates with the air supply valve 30 and is directed in the vertical direction of the container body 1 is formed inside the purge box 56. In addition, a lead-out path 59 directed in the left-right width direction of the container body 1 is formed in communication, and a branch path 60 facing the outlet 62 of the purge plate 61 is branched from the lead-out path 59 to extend in the vertical direction of the container body 1. Like to do.

パージボックス56は、図6ないし図8、図10に示すように、正面の開口した縦長の薄く浅い箱形に形成され、正面に左右一対のパージプレート61が覆着されるとともに、各パージプレート61との間に、不活性ガス中の微粒子を除去する縦長のメンブレンフィルタ55が介在されており、容器本体1の背面壁内面寄りに立設されて正面のパージプレート61が容器本体1の正面方向に向けられる。   As shown in FIGS. 6 to 8 and 10, the purge box 56 is formed in a vertically thin and shallow box shape with a front opening, and a pair of left and right purge plates 61 are covered on the front, and each purge plate A longitudinally long membrane filter 55 that removes fine particles in the inert gas is interposed between the front plate 61 and the front purge plate 61 that stands near the inner surface of the back wall of the container body 1. Directed in the direction.

パージボックス56は、容器本体1の背面壁内面の中央部付近に対向し、下部両側には、下方に伸びる接続管がそれぞれ接続されており、各接続管が給気バルブ30に接続支持される。このパージボックス56は、必要に応じ、容器本体1の底板2後方、側壁後方、背面壁、天板後方に超音波溶着、螺子結合、凹凸結合等の方法で固定される。   The purge box 56 faces the vicinity of the center of the inner surface of the back wall of the container body 1, and connecting pipes extending downward are connected to both sides of the lower part, and each connecting pipe is connected and supported by the air supply valve 30. . The purge box 56 is fixed to the back of the bottom plate 2, the back of the side wall, the back wall, and the back of the top plate of the container body 1 by a method such as ultrasonic welding, screw connection, and uneven connection, as necessary.

パージボックス56の内部は、図8、図9、図11、図12に示すように、左右一対のパージ空間57に分割され、各パージ空間57がメンブレンフィルタ55に対応する正面矩形の縦長に区画形成される。各パージ空間57の側部には、接続管に連通したパージ空間57の下部から中央部付近に伸びる不活性ガス用の導通路58が略I字の溝形に区画形成され、この導通路58の下流の上端部には、パージ空間57の左右横方向に指向する不活性ガス用の導出路59が連通形成されており、この導出路59が略I字の溝形に形成されてパージ空間57の中央部付近に位置するとともに、パージ空間57を上下に二分する。   As shown in FIGS. 8, 9, 11, and 12, the inside of the purge box 56 is divided into a pair of left and right purge spaces 57, and each purge space 57 is partitioned into a vertically long front rectangle corresponding to the membrane filter 55. It is formed. On the side of each purge space 57, a conductive path 58 for an inert gas extending from the lower portion of the purge space 57 communicating with the connecting pipe to the vicinity of the central portion is partitioned and formed in a substantially I-shaped groove shape. An inert gas lead-out path 59 directed in the left-right lateral direction of the purge space 57 is formed in communication with the upper end downstream of the purge space 57, and the lead-out path 59 is formed in a substantially I-shaped groove shape to form the purge space. The purge space 57 is divided into two parts in the vertical direction.

導出路59の上下部からは複数の吹出口62にメンブレンフィルタ55を介して対向する不活性ガス用の複数の分岐路60がそれぞれ分岐してパージ空間57の上下方向に伸長する。この複数の分岐路60は、図12に示すように、導出路59の長手方向に所定の間隔で並行に配列され、各分岐路60が同じ幅・深さで略I字の溝形に区画形成される。   From the upper and lower parts of the lead-out path 59, a plurality of inert gas branch paths 60 facing the plurality of air outlets 62 via the membrane filter 55 respectively branch and extend in the vertical direction of the purge space 57. As shown in FIG. 12, the plurality of branch paths 60 are arranged in parallel in the longitudinal direction of the lead-out path 59 at predetermined intervals, and each branch path 60 is partitioned into a substantially I-shaped groove shape with the same width and depth. It is formed.

各パージプレート61は、図6ないし図9、図11に示すように、各メンブレンフィルタ55や各パージ空間57に対応する正面矩形で縦長の薄板に形成され、上下方向に、容器本体1の上下方向に並ぶ複数枚の半導体ウェーハWの配列ピッチに対応する複数の吹出口62が等間隔に並設される。各吹出口62は、溝形に形成されて容器本体1の左右横方向に伸長するとともに、メンブレンフィルタ55や複数の分岐路60に対向し、複数枚の半導体ウェーハW間に不活性ガスを吹き出すよう機能する。   As shown in FIGS. 6 to 9 and 11, each purge plate 61 is formed as a vertically long thin plate with a front rectangular shape corresponding to each membrane filter 55 and each purge space 57, and is arranged vertically on the container body 1 in the vertical direction. A plurality of air outlets 62 corresponding to the arrangement pitch of the plurality of semiconductor wafers W arranged in the direction are arranged in parallel at equal intervals. Each air outlet 62 is formed in a groove shape and extends in the lateral direction of the container body 1, faces the membrane filter 55 and the plurality of branch paths 60, and blows out an inert gas between the plurality of semiconductor wafers W. It works as follows.

上記構成において、容器本体1の正面を蓋体10により閉鎖した状態でパージする場合には、蓋体開閉装置72に基板収納容器の容器本体1を位置決め搭載し、容器本体1の外部から内部に不活性ガスを供給すれば良い。すると、不活性ガスは、蓋体開閉装置72のパージ装置71から給気バルブ30を経由してパージボックス56の接続管に流入し、この接続管を流通して導通路58と導出路59とに順次導入され、導出路59から複数の分岐路60にそれぞれ分流して上下方向に流通した後、メンブレンフィルタ55を通過して各吹出口62から吹き出る(図11の矢印参照)。   In the above configuration, when purging with the front surface of the container body 1 closed by the lid body 10, the container body 1 of the substrate storage container is positioned and mounted on the lid body opening / closing device 72, and the container body 1 is moved from the outside to the inside. An inert gas may be supplied. Then, the inert gas flows from the purge device 71 of the lid opening / closing device 72 into the connection pipe of the purge box 56 via the air supply valve 30, and flows through this connection pipe to connect the conduction path 58 and the outlet path 59. Are sequentially introduced to the plurality of branch paths 60 and distributed in the vertical direction, then pass through the membrane filter 55 and blow out from the respective outlets 62 (see arrows in FIG. 11).

この際、不活性ガスは、複数の分岐路60の上下両端部における圧力が増大するので、分岐路60の上下両端部における流速がそれぞれ増速する。各吹出口62から不活性ガス(図10の矢印参照)が吹き出すと、この不活性ガスが半導体ウェーハWに接触しつつ複数枚の半導体ウェーハW間を経由して容器本体1の正面方向に流出し、容器本体1内の空気が排気バルブ40により外部にパージされ、不活性ガスに置換される。   At this time, the pressure of the inert gas at the upper and lower ends of the plurality of branch paths 60 increases, so that the flow velocity at the upper and lower ends of the branch path 60 increases. When an inert gas (see an arrow in FIG. 10) blows out from each outlet 62, the inert gas flows out in the front direction of the container body 1 through a plurality of semiconductor wafers W while contacting the semiconductor wafers W. Then, the air in the container body 1 is purged to the outside by the exhaust valve 40 and replaced with an inert gas.

これに対し、容器本体1の正面を開口させた状態でパージする場合には、EFEM73に併設された蓋体開閉装置72に容器本体1を位置決め搭載し、この容器本体1から蓋体10を蓋体開閉装置72により取り外した後、EFEM73天井のファンフィルターユニット74から床方向に大量のクリーンエアをダウンフローするとともに、容器本体1の外部から内部に不活性ガスを供給する。   On the other hand, when purging with the front surface of the container main body 1 opened, the container main body 1 is positioned and mounted on the lid opening / closing device 72 attached to the EFEM 73, and the lid body 10 is covered with the lid body 10 from the container main body 1. After being removed by the body opening / closing device 72, a large amount of clean air is flowed down from the fan filter unit 74 on the ceiling of the EFEM 73 toward the floor, and an inert gas is supplied from the outside of the container body 1 to the inside.

すると、不活性ガスは、蓋体開閉装置72のパージ装置71から給気バルブ30を経由してパージボックス56の接続管に流入し、この接続管を流通して導通路58、導出路59に順次導入され、導出路59から複数の分岐路60にそれぞれ分流して上下方向に流通した後、メンブレンフィルタ55を通過して各吹出口62から吹き出る。この際にも、不活性ガスは、複数の分岐路60の上下両端部における圧力が増大するので、分岐路60の上下両端部における流速がそれぞれ増速する。   Then, the inert gas flows from the purge device 71 of the lid opening / closing device 72 into the connection pipe of the purge box 56 via the air supply valve 30 and flows through this connection pipe to the conduction path 58 and the lead-out path 59. After being sequentially introduced and branched from the lead-out path 59 to the plurality of branch paths 60 and circulated in the vertical direction, they pass through the membrane filter 55 and blow out from the respective outlets 62. Also in this case, since the pressure of the inert gas at the upper and lower ends of the plurality of branch paths 60 increases, the flow velocity at the upper and lower ends of the branch path 60 increases.

各吹出口62から不活性ガス(図7の矢印参照)が吹き出すと、この不活性ガスが半導体ウェーハWに接触しつつ複数枚の半導体ウェーハW間を経由して容器本体1の開口した正面方向に流出し、容器本体1内の空気が容器本体1の正面から外部にパージされ、不活性ガスに置換される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   When an inert gas (see the arrow in FIG. 7) blows out from each outlet 62, the front direction in which the container main body 1 is opened through the plurality of semiconductor wafers W while the inert gas is in contact with the semiconductor wafers W. The air in the container body 1 is purged from the front of the container body 1 to the outside, and is replaced with an inert gas. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、不活性ガスがパージボックス56の導通路58、導出路59、及び複数の分岐路60に順次流入してパージ空間57の上下方向に流れ、各吹出口62から吹き出るので、不活性ガスが圧力の不均衡により、下方の吹出口62よりも上方の吹出口62から強く大量に吹き出る事態が減少するのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected. In addition, the inert gas sequentially flows into the conduction path 58, the lead-out path 59, and the plurality of branch paths 60 of the purge box 56, so that the purge space 57 Since it flows in the up-down direction and blows out from each blower outlet 62, it is clear that the situation where the inert gas is blown out in a large amount from the blower outlet 62 above the lower blower outlet 62 due to pressure imbalance is reduced.

したがって、パージボックス56の上下方向で不活性ガスの吹き出し量に差異が生じるのを有効に抑制することができるので、半導体ウェーハWを収納した容器本体1の支持片4間における湿度がばらつき、容器本体1内の相対湿度を均一に下げることができないおそれを排除することができる。特に、従来、問題となった最上段と最下段の半導体ウェーハWを支持する支持片4間における湿度のバラツキが大きくなるおそれをきわめて有効に排除することができる。また、パージユニット50の導通部材とユニット本体53とを大きなスペースを占有しない薄形のパージボックス56に一体構成するので、容器本体1内に簡単に設置することができる。   Therefore, since it is possible to effectively suppress the difference in the amount of the inert gas blown out in the vertical direction of the purge box 56, the humidity between the support pieces 4 of the container body 1 containing the semiconductor wafer W varies, and the container The possibility that the relative humidity in the main body 1 cannot be lowered uniformly can be eliminated. In particular, it is possible to very effectively eliminate the possibility that the variation in humidity between the support pieces 4 supporting the uppermost and lowermost semiconductor wafers W, which has been a problem in the past, will increase. In addition, since the conducting member of the purge unit 50 and the unit main body 53 are integrally configured in a thin purge box 56 that does not occupy a large space, it can be easily installed in the container main body 1.

次に、図13は本発明の第3の実施形態を示すもので、この場合には、導出路59の長手方向に複数の分岐路60を配列し、この複数の分岐路60の幅(太さ)を上流である導出路59の導通路58側から下流である導出路59の閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に狭くするようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 13 shows a third embodiment of the present invention. In this case, a plurality of branch paths 60 are arranged in the longitudinal direction of the lead-out path 59, and the width (thickness) of the plurality of branch paths 60 is shown. Is gradually narrowed from the conduction path 58 side of the upstream outlet path 59 toward the closed end portion of the downstream outlet path 59. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、複数の分岐路60の幅を導出路59の上流方向から下流方向に向かうにしたがい狭くするので、導出路59の上流と下流における不活性ガスの圧力の均一化を図ったり、不活性ガスの圧力や流速を容易に制御することができる。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and the width of the plurality of branch paths 60 is narrowed from the upstream direction of the derivation path 59 toward the downstream direction. It is possible to equalize the pressure of the inert gas downstream, and to easily control the pressure and flow rate of the inert gas.

次に、図14は本発明の第4の実施形態を示すもので、この場合には、導出路59の先端部と上下部とから複数の吹出口62に対向するパージガス用の分岐路60を分岐し、この分岐路60を大きな正面略菱形に膨出形成して容器本体1の上下方向に伸長するようにしている。
分岐路60の幅は、上流である導出路59側から下流である上下の閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に狭く先細りになるよう形成される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
Next, FIG. 14 shows a fourth embodiment of the present invention. In this case, the purge gas branch passages 60 facing the plurality of outlets 62 from the front end portion and the upper and lower portions of the outlet passage 59 are provided. The branch path 60 bulges into a large frontal diamond shape so as to extend in the vertical direction of the container body 1.
The width of the branch path 60 is formed so as to be gradually narrowed from the upstream outlet path 59 side toward the upper and lower closed end portions. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、分岐路60の幅が導出路59側から末端部方向に向かうにしたがい徐々に鋭利な先細りになるので、不活性ガスの圧力や流速を容易に制御することができる。また、分岐路60の末端部側の幅を先細りとすれば、分岐路60の末端部側における不活性ガスの圧力増大が期待できるので、分岐路60の末端部側から吹き出す不活性ガスの吹き出し量を増加させ、全半導体ウェーハW間に対する均等な吹き出しの実現を容易に図ることができる。また、分岐路60を複数ではなく、単数とするので、パージボックス56の製造の容易化の他、パージボックス56の構成の簡素化を図ることが可能となる。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and the width of the branch path 60 gradually becomes sharply tapered from the lead-out path 59 side toward the end portion. The pressure and flow rate can be easily controlled. Further, if the width on the end portion side of the branch path 60 is tapered, an increase in the pressure of the inert gas on the end portion side of the branch path 60 can be expected, so that the inert gas blown out from the end portion side of the branch path 60 can be expected. By increasing the amount, it is possible to easily realize uniform blowout between all the semiconductor wafers W. In addition, since the number of branch paths 60 is not single but single, it is possible to simplify the construction of the purge box 56 in addition to facilitating the manufacture of the purge box 56.

次に、図15は本発明の第5の実施形態を示すもので、この場合には、導出路59の長手方向に複数の分岐路60を配列し、各分岐路60の幅を導出路59側から上下の閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に狭い鋭利な先細りに形成するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 15 shows a fifth embodiment of the present invention. In this case, a plurality of branch paths 60 are arranged in the longitudinal direction of the lead-out paths 59, and the width of each branch path 60 is determined as the lead-out paths 59. A sharp and narrow taper is formed gradually from the side toward the upper and lower closed end portions. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、不活性ガスの圧力や流速の容易な制御が大いに期待できる。また、分岐路60の末端部側の幅を鋭利な先細りとすれば、分岐路60の末端部側における不活性ガスの圧力増大が期待できるので、分岐路60の末端部側から吹き出す不活性ガスの吹き出し量を増加させ、全半導体ウェーハW間に対する均等な吹き出しの実現を容易に図ることができる。さらに、各分岐路60の形状の多様化も期待できる。   In this embodiment, the same effect as the above embodiment can be expected, and easy control of the pressure and flow rate of the inert gas can be greatly expected. Further, if the width of the end portion side of the branch path 60 is sharply tapered, an increase in the pressure of the inert gas at the end portion side of the branch path 60 can be expected, so the inert gas blown out from the end portion side of the branch path 60 It is possible to easily achieve uniform blowout between all the semiconductor wafers W. Furthermore, diversification of the shape of each branch path 60 can be expected.

次に、図16は本発明の第6の実施形態を示すもので、この場合には、導出路59の先端部と上下部とから複数の吹出口62に対向するパージガス用の分岐路60を分岐し、この分岐路60を菱形に類似した大きな正面多角形に膨出形成して容器本体1の上下方向に伸長するようにしている。
分岐路60の幅は、導出路59側から上下の閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に狭く先細りになるよう形成される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
Next, FIG. 16 shows a sixth embodiment of the present invention. In this case, the purge gas branch passages 60 facing the plurality of outlets 62 from the front end portion and the upper and lower portions of the lead-out passage 59 are shown. The branch path 60 bulges into a large front polygon similar to a rhombus and extends in the vertical direction of the container body 1.
The width of the branch path 60 is formed so as to be gradually narrowed and tapered from the outlet path 59 side toward the upper and lower closed end portions. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、不活性ガスの圧力や流速の容易な制御、分岐路60の形状の多様化が期待できる。また、分岐路60の末端部側の幅を狭い先細りとすれば、分岐路60の末端部側における不活性ガスの圧力増大が期待できるので、分岐路60の末端部側から吹き出す不活性ガスの吹き出し量を増加させ、全半導体ウェーハW間に対する均等な吹き出しの実現を図ることが可能になる。   Also in this embodiment, the same effect as the above-described embodiment can be expected, and the control of the inert gas pressure and flow velocity can be easily controlled, and the diversification of the shape of the branch path 60 can be expected. Further, if the width of the end portion side of the branch path 60 is narrowed, an increase in the pressure of the inert gas at the end portion side of the branch path 60 can be expected, so that the inert gas blown out from the end portion side of the branch path 60 can be expected. By increasing the amount of blowout, it becomes possible to achieve uniform blowout between all the semiconductor wafers W.

次に、図17は本発明の第7の実施形態を示すもので、この場合には、複数の分岐路60のうち、少なくとも所定の分岐路60の深さ(厚さ)を上流である導出路59側から下流である閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に浅くするようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 17 shows a seventh embodiment of the present invention. In this case, at least the depth (thickness) of a predetermined branch path 60 among a plurality of branch paths 60 is derived upstream. As it goes from the side of the passage 59 toward the closed end portion downstream, it gradually becomes shallower. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、不活性ガスの圧力や流速の容易な制御、分岐路60の形状の多様化が期待できる。また、分岐路60の末端部側の深さを浅くすれば、分岐路60の末端部側における不活性ガスの圧力増大が期待できるので、分岐路60の末端部側から吹き出す不活性ガスの吹き出し量を増加させ、全半導体ウェーハW間に対する均等な吹き出しの実現が期待できる。   Also in this embodiment, the same effect as the above-described embodiment can be expected, and the control of the inert gas pressure and flow velocity can be easily controlled, and the diversification of the shape of the branch path 60 can be expected. Further, if the depth on the terminal end side of the branch path 60 is made shallow, an increase in the pressure of the inert gas on the terminal end side of the branch path 60 can be expected, so that the inert gas blown out from the terminal end side of the branch path 60 can be expected. The amount can be increased, and it can be expected that uniform blowout between all the semiconductor wafers W will be realized.

なお、上記実施形態では給気バルブ30に導通管51を直接接続したが、給気バルブ30に導通管51を継手部材を介して接続しても良い。また、給気バルブ30にパージボックス56の接続管を直接接続しても良いが、給気バルブ30に接続管を継手部材を介して接続しても良い。また、ユニット本体53の側壁の中央部付近に導通管51の導出部52を接続したが、EFEM73の条件に応じ、ユニット本体53側壁の上部、上部と中央部との間、中央部等に導通管51の導出部52を接続しても良い。   In the above embodiment, the conducting pipe 51 is directly connected to the air supply valve 30, but the conducting pipe 51 may be connected to the air supply valve 30 via a joint member. Further, the connection pipe of the purge box 56 may be directly connected to the air supply valve 30, but the connection pipe may be connected to the air supply valve 30 via a joint member. Further, the lead-out portion 52 of the conducting tube 51 is connected to the vicinity of the central portion of the side wall of the unit main body 53. However, depending on the conditions of the EFEM 73, the conductive portion 51 is electrically connected to the upper portion of the side wall of the unit main body 53. You may connect the derivation | leading-out part 52 of the pipe | tube 51. FIG.

また、パージユニット50のユニット本体53やパージボックス56を合成樹脂により成形したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、ユニット本体53やパージボックス56を通気性の多孔質パイプ製等することもできる。また、ユニット本体53を中空の円柱形や角柱形等とすることもできる。また、パージボックス56の内部を複数のパージ空間57に分割したり、単一のパージ空間57とすることも可能である。   Moreover, although the unit main body 53 and the purge box 56 of the purge unit 50 are formed of synthetic resin, the present invention is not limited to this. For example, the unit main body 53 and the purge box 56 can be made of a breathable porous pipe. Further, the unit main body 53 can be formed in a hollow cylindrical shape, a prismatic shape, or the like. Further, the inside of the purge box 56 can be divided into a plurality of purge spaces 57, or a single purge space 57 can be formed.

また、導通路58と導出路59とをL字形に組み合わせても良いが、何らこれに限定されるものではなく、例えばT字形等に組み合わせることも可能である。さらに、分岐路60の幅を導出路59側から閉じた末端部方向に向かうにしたがい徐々に狭くするとともに、分岐路60の深さを導出路59側から末端部方向に向かうにしたがい徐々に浅くすることも可能である。   In addition, the conduction path 58 and the lead-out path 59 may be combined in an L shape, but the present invention is not limited to this, and may be combined in, for example, a T shape. Further, the width of the branch path 60 is gradually reduced from the outlet path 59 toward the closed end portion, and the depth of the branch path 60 is gradually decreased from the outlet path 59 toward the end section. It is also possible to do.

本発明に係る基板収納容器は、半導体、液晶ガラス、レチクル等の製造分野で使用される。   The substrate storage container according to the present invention is used in the field of manufacturing semiconductors, liquid crystal glass, reticles and the like.

1 容器本体
2 底板(底部)
4 支持片
6 取付孔
10 蓋体
20 施錠機構
30 給気バルブ(給気部材)
40 排気バルブ
50 パージユニット
51 導通管(導通部材)
52 導出部
53 ユニット本体
54 吹出口
55 メンブレンフィルタ
56 パージボックス
57 パージ空間
58 導通路(導通部材)
59 導出路(導通部材)
60 分岐路
61 パージプレート(正面壁)
62 吹出口
71 パージ装置
72 蓋体開閉装置
73 EFEM
74 ファンフィルターユニット
W 半導体ウェーハ(基板)
1 Container body 2 Bottom plate (bottom)
4 Supporting piece 6 Mounting hole 10 Lid 20 Locking mechanism 30 Air supply valve (air supply member)
40 Exhaust valve 50 Purge unit 51 Conducting pipe (conducting member)
52 Lead-out part 53 Unit main body 54 Air outlet 55 Membrane filter 56 Purge box 57 Purge space 58 Conducting path (conducting member)
59 Leading path (conduction member)
60 Branch 61 Purge plate (front wall)
62 Air outlet 71 Purge device 72 Lid opening / closing device 73 EFEM
74 Fan filter unit W Semiconductor wafer (substrate)

Claims (6)

複数枚の基板を上下方向に並べて収納可能なフロントオープンボックスの容器本体と、この容器本体の外部から内部にパージガスを供給可能な給気部材と、この給気部材からのパージガスを容器本体の内部後方から正面方向に供給可能なパージユニットとを備えた基板収納容器であって、
容器本体の内部両側に、基板を略水平に支持する一対の支持片を対向させて設け、この一対の支持片を上下方向に所定の間隔で配列し、
パージユニットは、容器本体の底部後方の給気部材に上流が連通されるパージガス用の導通部材と、この導通部材の下流の導出部から導出したパージガスを容器本体の正面方向に吹き出す縦長のユニット本体とを含んで容器本体の内部後方に位置し、導通部材の導出部を、ユニット本体の中央部あるいは中央部付近に設け、ユニット本体の容器本体正面に対向する対向部の上下方向に、パージガス用の複数の吹出口を設けたことを特徴とする基板収納容器。
A container body of a front open box that can store a plurality of substrates arranged in the vertical direction, an air supply member that can supply purge gas from the outside of the container body to the inside, and purge gas from the air supply member inside the container body A substrate storage container provided with a purge unit that can be supplied in the front direction from the back,
A pair of support pieces for supporting the substrate substantially horizontally are provided on both sides inside the container body so as to face each other, and the pair of support pieces are arranged at predetermined intervals in the vertical direction.
Purge unit comprises a conductive member for purge gas is upstream in the bottom rear of the air supply member of the container body is communicating, elongated unit body for blowing a purge gas derived from the downstream outlet portion of the conductive member in the front direction of the container body located inside the rear of the container body including the door, a lead portion of the conductive member, disposed in the vicinity of the center portion or the central portion of the unit body, in the vertical direction of the facing portion which faces the container body front of the unit body, for purge gas A substrate storage container provided with a plurality of air outlets .
パージユニットの導通部材を、給気部材に下端部が連通される薄い導通管とするとともに、ユニット本体を、容器本体の上下方向に指向する中空の薄い板形に形成して容器本体の内部後方に立て設け、導通管を屈曲形成してその上端部の導出部をユニット本体の周壁の中央部あるいは中央部付近に接続し、ユニット本体の容器本体正面に対向する正面壁の上下方向に、複数の吹出口を並べ設けた請求項1記載の基板収納容器。 The conductive member of the purge unit, the lower end portion to the air supply member is a thin conduit which is communicating, the unit body, the inside rear of the hollow formed in a thin plate shape with the container body directed in the vertical direction of the container body stand provided, the conduit bent to connect the lead portion of the upper portion in the vicinity of the center portion or the central portion of the peripheral wall of the unit body, in the vertical direction of the front wall which faces the container body front face of the unit body, a plurality The substrate storage container according to claim 1 , wherein the air outlets are arranged side by side. パージユニットの導通部材とユニット本体とを、正面の上下方向に複数の吹出口を並べ備えた縦長のパージボックスに一体構成するとともに、このパージボックスを容器本体の内部後方に立て設けてその正面を容器本体の正面方向に向け、パージボックスの下部側方に給気部材用の接続管を設け、パージボックスの内部をパージ空間に形成し、このパージ空間の側部に、接続管に連通したパージ空間の下部から略中央部付近に伸びるパージガス用の導通路を形成し、この導通路の上端部に、パージ空間の横方向に指向してパージ空間の中央部付近に位置するパージガス用の導出路を連通形成するとともに、この導出路によりパージ空間を上下に二分し、導出路から複数の吹出口に対向するパージガス用の分岐路をそれぞれ分岐し、この複数の分岐路をパージ空間の上下方向に伸長した請求項1記載の基板収納容器。 The conducting member of the purge unit and the unit main body are integrally formed in a vertically long purge box having a plurality of outlets arranged in the vertical direction of the front, and the purge box is provided upright on the rear side inside the container main body and the front thereof is A connection pipe for the air supply member is provided on the lower side of the purge box toward the front of the container body, the purge box is formed in the purge space, and a purge connected to the connection pipe on the side of the purge space. A purge gas conduction path extending from the lower part of the space to approximately the central part is formed, and a purge gas lead-out path located near the central part of the purge space in the lateral direction of the purge space at the upper end of the conduction path. The purge space is divided into two vertically by this lead-out path, and the purge gas branch paths facing the plurality of outlets are respectively branched from the lead-out path. Substrate storage container according to claim 1, wherein the elongated a crossroads in the vertical direction of the purge space. 導出路の長手方向に複数の分岐路を並べ備え、この複数の分岐路の幅を導出路の導通路側から導出路の末端部方向に向かうにしたがい狭くした請求項3記載の基板収納容器。   4. The substrate storage container according to claim 3, wherein a plurality of branch paths are arranged in the longitudinal direction of the lead-out path, and the width of the plurality of branch paths is narrowed from the conduction path side of the lead-out path toward the end portion of the lead-out path. 分岐路の幅を導出路側から末端部方向に向かうにしたがい狭くした請求項3又は4記載の基板収納容器。   The substrate storage container according to claim 3 or 4, wherein the width of the branch path is narrowed from the outlet path side toward the end portion. 分岐路の深さを導出路側から末端部方向に向かうにしたがい浅くした請求項3、4、又は5記載の基板収納容器。   6. A substrate storage container according to claim 3, wherein the depth of the branch path is made shallower as it goes from the lead-out path side toward the end part.
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