JP6432582B2 - 光変調器、及び光送信装置 - Google Patents

Description

本発明は、光変調器に関し、特に、筐体に設けられた高周波信号入力用の導体（例えばリードピン）と光変調素子の電極との間を中継する中継基板を備える光変調器及び当該光変調器を用いた光送信装置に関する。

高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、導波路型の光変調素子を組み込んだ光変調器が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ_３（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

このＬＮ基板を用いた光変調素子では、マッハツェンダ型光導波路と、当該光導波路に変調信号である高周波信号を印加するためのＲＦ電極と、当該導波路における変調特性を良好に保つため種々の調整を行うためのバイアス電極と、が設けられている。そして、光変調素子に設けられたこれらの電極は、当該光変調素子を収容する光変調器の筐体に設けられたリードピンやコネクタを介して、光変調器に変調動作を行わせるための電子回路が搭載された回路基板に接続される。

光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）やＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization - Quadrature Phase Shift Keying）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっており、基幹光伝送ネットワークにおいて用いられているが、メトロネットワークにも導入されつつある。

ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＱＰＳＫ光変調器）やＤＰ−ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器）は、所謂ネスト型と呼ばれる入れ子構造になった複数のマハツェンダ型光導波路を備えるとともに、複数の高周波信号電極及び複数のバイアス電極を備えることから（例えば、特許文献１参照）、光変調器の筐体のサイズが大型化する傾向がある。しかし昨今では、これとは逆に当該変調器に対する小型化の要求が高まっている。

この小型化の要求に対応する一つの策として、従来、ＲＦ電極のインタフェースとして光変調器の筐体に設けられていたプッシュオン型の同軸コネクタを、バイアス電極用のインタフェースと同様のリードピン、及びこれらのリードピンと電気的に接続されるＦＰＣ（フレキシブル配線板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）に置き換えることで外部の回路基板との電気的接続を可能とした光変調器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

例えば、ＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器では、それぞれにＲＦ電極を有する４つのマッハツェンダ型光導波路で構成される光変調素子が用いられる。この場合、光変調器の筐体に４つのプッシュオン型同軸コネクタを設けたのでは筐体の大型化は避けられないが、同軸コネクタに代えてリードピンとＦＰＣとを用いれば、小型化が可能となる。

また、光変調器の筐体のリードピンと、当該光変調器に変調動作を行わせるための電子回路（駆動回路）が搭載された回路基板と、の間が、上記ＦＰＣを介して接続されるので、従来用いていた同軸ケーブルの余長処理を行う必要が無くなり、光送信装置内における光変調器の実装スペースを縮小することができる。

このような、筐体に高周波電気信号入力用のリードピンを備える光変調器では、一般に、当該リードピンと筐体内に収容された光変調素子の電極との間が、当該筐体内に配された中継基板を介して接続される（例えば、特許文献１参照）。

図１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、そのような従来の光変調器の構成の一例を示す図である。ここで、図１３Ａは、回路基板１３３０上に搭載された従来の光変調器１３００の構成を示す平面図、図１３Ｂは当該従来の光変調器１３００の側面図、図１３Ｃは当該従来の光変調器１３００の底面図である。本光変調器１３００は、光変調素子１３０２と、光変調素子１３０２を収容する筐体１３０４と、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）１３０６と、光変調素子１３０２に光を入射するための光ファイバ１３０８と、光変調素子１３０２から出力される光を筐体１３０４の外部へ導く光ファイバ１３１０と、を備える。

光変調素子１３０２は、例えばＬＮ基板上に設けられた４つのマッハツェンダ型光導波路と、当該マッハツェンダ型光導波路上にそれぞれ設けられて光導波路内を伝搬する光波を変調する４つの高周波電極（ＲＦ電極）１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄと、を備えたＤＰ―ＱＰＳＫ光変調器である。

筐体１３０４は、光変調素子１３０２が固定されるケース１３１４ａとカバー１３１４ｂとで構成されている。なお、筐体１３０４内部における構成の理解を容易するため、図１３Ａにおいては、カバー１３１４ｂの一部のみを図示左方に示している。

ケース１３０４ａには、４つのリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄが設けられている。これらのリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、ガラス封止部１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄ（後述）で封止されており、筐体１３０４の底面（図１３Ｃに示す面）から外部に延在し、ＦＰＣ１３０６上に形成されたスルーホールとハンダ等により接続されている。

リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、中継基板１３１８を介して、光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄの一端のそれぞれと、電気的に接続されている。

ＲＦ電極１３１２ａ，１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄの他端のそれぞれは、終端器１３２０により電気的に終端されている。

図１４Ａは、図１３Ａに示す光変調器１３００のＦ部の部分詳細図、図１４Ｂは、図１３Ａに示す光変調器１３００のＧＧ断面矢視図である。リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、ケース１３１４ａに設けられたガラス封止部１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄを介して、それぞれ筐体１３０４内部から筐体１３０４外部へ延在し、当該筐体１３０４の下面（図１３Ｃに示す面）から突出してＦＰＣ１３０６のスルーホールにハンダ固定されている。

リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄは、図１４Ａにおける中継基板１３１８の図示下側（図１４Ｂにおける中継基板１３１８の図示左側）の辺（リードピン側エッジ１４１０）の近傍に配されており、当該中継基板１３１８上に設けられた導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄに対し、それぞれハンダ１４０４ａ、１４０４ｂ、１４０４ｃ、１４０４ｄにより電気的に接続されている。

また、導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄは、図１４Ａにおける中継基板１３１８の図示上側（図１４Ｂにおける中継基板１３１８の図示右側）の辺（変調器側エッジ１４１２）の近傍に配された、光変調素子１３０２の図示下端部（図１４Ｂにおける光変調素子１３０２の図示左端）部のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ１４０６ａ、１４０６ｂ、１４０６ｃ、１４０６ｄにより電気的に接続されている。

中継基板１３１８上に形成される導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄは、通常、各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄから当該各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄに対応する各ＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄまでの高周波信号の伝搬距離を最短にして、信号伝搬損失とスキュー（伝搬遅延時間差）とを最小にすべく、互いに平行な直線パターンとして構成されている。したがって、光変調器１３００は、各リードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄ間の間隔と各ＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄ間の間隔とが同じとなるように構成されている。

また、一般に、上記ガラス封止部１４００ａ等により封止されたリードピン１３１６ａ等から入力される電気信号は数十ＧＨｚの高周波信号（マイクロ波信号）である。このためリードピン１３１６ａ等の設計インピーダンスと、中継基板１３１８上に形成される導体パターン１４０２ａ等の設計インピーダンス、及び光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ等の設計インピーダンスは例えば互いに同じ値（例えば５０Ω）にすることによりインピーダンス整合が図られる。これによりリードピン１３１６ａ等から中継基板１３１８上の導体パターン１４０２ａ等を経由して光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ等に至るまでの高周波伝送路における高周波信号の反射が抑制される。

上記構成により、光変調器１３００では、回路基板１３３０上に形成された導体パターン１３３２ａ、１３３２ｂ、１３３２ｃ、１３３２ｄ（図１Ａ）からＦＰＣ１３０６を介してリードピン１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄに入力された高周波電気信号が、中継基板１３１８を介して光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄへ入力される。

しかしながら、上記のようにインピーダンス整合を図った光変調器１３００においても、光変調器素子１３０２の各ＲＦ電極１３１２ａ等にノイズ信号成分が重畳され、光変調器１３００のアイパターン消光比やジッター等の高周波特性が劣化し、光送信装置の伝送特性が劣化するなどの問題が発生する場合がある。

本発明の発明者は、この問題について鋭意検討した結果、この問題の一因が、一の導体パターン（１４０２ａ等）を伝搬した高周波が中継基板の両端部において反射を繰り返して共振し、当該共振した高周波が他の導体パターン（１４０２ｂ等）と共鳴することにより、当該高周波のパワーの一部が当該他の導体パターンへ遷移する現象（以降、共鳴遷移と言う）であるとの知見を得た。

即ち、中継基板１３１８の一方の端部におけるリードピン１３１６ａ等との接続部は、当該リードピン１３１６ａ等を伝搬した高周波の伝搬方向が、中継基板１３１８上の導体パターン１４０２ａ等に向かって９０度屈曲する部分であり（図１４Ｂ）、リードピン１３１６ａ等と導体パターン１４０２ａ等との間で設計インピーダンスを合わせても、上記一方の端部での高周波の反射を十分に抑圧できないこととなり得る。

また、中継基板１３１８の他方の端部における光変調素子１３０２のＲＦ電極１３１２ａ等との接続部においても、中継基板１３１８（例えばセラミック）と光変調素子１３０２の基板（例えばニオブ酸リチウム）という相異なる誘電率を持つ２つの基板上にそれぞれ形成されたパターン（導体パターン１４０２ａ等とＲＦ電極１３１２ａ等）が空間を挟んで例えばワイヤを介して接続されることから、これらパターンの設計インピーダンスを同じにしても、上記他方の端部での高周波の反射を完全に抑圧することは困難である。

その結果、中継基板１３１８の両端部で発生する高周波の反射により、導体パターン１４０２ａ等を伝搬する高周波は、分布定数線路である当該導体パターン１４０２ａ等の電気長で定まる固有の共振周波数において極大パワーを持つこととなる。そして、当該極大パワーを持つ共振周波数成分は、反射波として電気信号源側に戻って外部回路（例えば、各ＲＦ電極１３１２ａ等のための高周波電気信号を出力するドライブ回路）の動作を不安定にさせたり、進行波（又は透過波）としてＲＦ電極１３１２ａ等に到達してノイズとなる。

特に、従来の光変調器１３００の中継基板１３１８では、上述したように、信号伝搬損失とスキューとを最小とすべく導体パターン１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄが互いに平行な直線パターンとして構成されているので、これら導体パターンのそれぞれにおける共振周波数は略同一となる。その結果、一の導体パターンに共振が発生すれば、極大パワーを持つこととなった当該共振周波数の高周波成分は、他の導体パターンに受信されて上記共鳴遷移が発生することとなる。

そして、このような共鳴遷移が発生する場合、一の導体パターンで発生した高パワーの共振周波数成分は、対応する一のＲＦ電極の動作に影響を与えるだけでなく、上記共鳴遷移を介して他のＲＦ電極の動作にも影響を与えるので、特にＤＰ−ＱＰＳＫ変調器のように４つのＲＦ電極が協働して光変調動作を行うデバイスの場合には、上記一の導体パターンで発生した高パワーの共振周波数成分は、４つのＲＦ電極のそれぞれに発生した４つのノイズの相乗効果となって現れ、変調光のアイパターン消光比やジッター等の高周波特性を悪化させることとなる。

また、このような共鳴遷移は、複数の高周波信号が狭い領域内において並行に伝搬される際に発生しやすく、且つ入力される高周波信号のパワー（例えば高周波信号の振幅）が大きいほど発生しやすい。例えば、４つの高周波信号入力を持つＤＰ−ＱＰＳＫ変調器では、それぞれの電極に半波長電圧の２倍もの振幅を持つ高周波信号が入力されることから、上述のようにＦＰＣを用いてリードピン間隔を狭めた構成においては、高パワーの高周波信号入力が狭い領域に集中することとなり、共鳴遷移がより発生しやすい環境となり得る。

特開２０１６-１０９９４１号

上記背景より、高周波信号入力用のリードピンと光変調素子の電極との間を中継する中継基板を備える光変調器において、当該中継基板上に形成された複数の導体パターン間における上記共鳴遷移の影響を低減し、光変調特性（例えば、アイパターン消光比や、ジッター等の高周波特性）の悪化を防止することが望まれている。

本発明の一の態様は、複数の信号電極を備える光変調素子と、高周波信号を入力するための複数のリードピンと、前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板と、を備える光変調器である。そして、当該光変調器における少なくとも一つの前記導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの前記導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、当該少なくとも一つの導体パターンに隣接する前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有することにより、当該少なくとも一つの前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、前記少なくとも他の一つの、前記導体パターンが有する共振周波数と異なるよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる物理的長さ有することにより、前記少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる幅を持つ部分を含むことにより、前記少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンの幅が少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる態様で変化するよう構成されていることにより、当該他の一つの導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、一つ又は複数の曲がり部分により区切られた部分を含み、且つ、当該区切られた部分の少なくとも一つにおける共振周波数が、他の一つの前記導体パターンの少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの導体パターンは、電気部品を介して接続されている部分を含み、当該電気部品を介して接続されている部分の少なくとも一つにおける共振周波数が、他の一つの前記導体パターンの、少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている。
本発明の他の態様によると、前記リードピンの少なくとも一つは、前記中継基板の外周の一部において前記導体パターンの一つと電気的に接続され、且つ、前記中継基板は、少なくとも一つの貫通孔を有し、前記リードピンの他の少なくとも一つは、前記貫通孔に挿通されて前記導体パターンの他の一つと電気的に接続されている。
本発明の他の態様によると、前記中継基板は、前記リードピンのそれぞれが挿通される複数の貫通孔を有し、前記リードピンは、それぞれ、前記貫通孔のそれぞれに挿通されて前記導体パターンのそれぞれと電気的に接続されており、且つ、前記光変調素子の前記信号電極は、前記中継基板の一の辺において前記導体パターンのそれぞれと電気的に接続されており、少なくとも一つの前記貫通孔から前記一の辺までの距離は、他の前記貫通孔から前記一の辺までの距離と異なっている。
本発明の他の態様によると、前記少なくとも一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数に対応する当該導体パターンの部分の電気長、及び前記少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数に対応する当該導体パターンの部分の電気長は、一方の電気長が他方の電気長の整数倍となっていないか、または、前記少なくとも一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数、及び前記少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数は、一方の共振周波数が他方の共振周波数の整数倍となっていない。
本発明の他の態様は、上述したいずれかの光変調器と、当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、を備える光送信装置である。

本発明の第１の実施形態に係る光変調器の構成を示す、当該光変調器の平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る光変調器の側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る光変調器の底面図である。 図１Ａに示す光変調器の、Ａ部の部分詳細図である。 図１Ａに示す光変調器の、ＢＢ断面矢視図である。 図２Ａに示す第１の実施形態に係る光変調器の中継基板の、第１の変形例を示す図である。 図２Ａに示す第１の実施形態に係る光変調器の中継基板の、第２の変形例を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る光変調器の構成を示す平面図である。 図５に示す光変調器の、Ｃ部の部分詳細図である。 図６に示す第２の実施形態に係る光変調器の中継基板の、変形例を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る光変調器の構成を示す平面図である。 図８に示す光変調器の、Ｄ部の部分詳細図である。 本発明の第４の実施形態に係る光変調器の構成を示す平面図である。 図１０に示す光変調器の、Ｅ部の部分詳細図である。 本発明の第５の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。 従来の光変調器の構成を示す、当該光変調器の平面図である。 従来の光変調器の側面図である。 従来の光変調器の底面図である。 図１３Ａに示す光変調器の、Ｆ部の部分詳細図である。 図１３Ａに示す光変調器の、ＧＧ断面矢視図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。ここで、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、それぞれ本光変調器の平面図、側面図、底面図である。
本光変調器１００は、光変調素子１０２と、光変調素子１０２を収容する筐体１０４と、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）１０６と、光変調素子１０２に光を入射するための光ファイバ１０８と、光変調素子１０２から出力される光を筐体１０４の外部へ導く光ファイバ１１０と、を備える。

光変調素子１０２は、例えばＬＮ基板上に設けられた４つのマッハツェンダ型光導波路と、当該マッハツェンダ型光導波路上にそれぞれ設けられて光導波路内を伝搬する光波を変調する４つの高周波電極（ＲＦ電極）１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと、を備えたＤＰ―ＱＰＳＫ光変調器である。光変調素子１０２から出力される２つの光は、例えばレンズ光学系（不図示）により偏波合成され、光ファイバ１１０を介して筐体１０４の外部へ導かれる。

筐体１０４は、光変調素子１０２が固定されるケース１１４ａとカバー１１４ｂとで構成されている。なお、筐体１０４内部における構成の理解を容易するため、図１Ａにおいては、カバー１１４ｂの一部のみを図示左方に示しているが、実際には、カバー１１４ｂは、箱状のケース１１４ａの全体を覆うように配されて筐体１０４の内部を気密封止する。

ケース１０４ａには、高周波信号入力用の導体である４つのリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄが設けられている。これらのリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、筐体１０４の底面（図１Ｃに示す面）から外部に延在し、ＦＰＣ１０６上に形成されたスルーホールとハンダ等により接続されている。

リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、中継基板１１８を介して光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの一端と、それぞれ電気的に接続されている。なお、中継基板１１８の構成については後述する。

ＲＦ電極１１２ａ，１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの他端のそれぞれは、終端器１２０により終端されている。

図２Ａは、図１Ａに示す光変調器１００のＡ部の部分詳細図、図２Ｂは、図１Ａに示す光変調器１００のＢＢ断面矢視図である。リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、ケース１０４ａに設けられたガラス封止部２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄを介して、それぞれ筐体１０４内部から筐体１０４外部へ延在し、当該筐体１０４の下面（図１Ｃに示す面）から突出してＦＰＣ１０６のスルーホールにハンダ固定されている。

リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄは、図２Ａにおける中継基板１１８の図示下側（図２Ｂにおける中継基板１１８の図示左側）の辺（リードピン側エッジ２１０）の近傍に配されており、当該中継基板１１８上に設けられた導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄに対し、それぞれハンダ２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄにより電気的に接続されている。

また、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、図２Ａにおける中継基板１１８の図示上側（図２Ｂにおける中継基板１１８の図示右側）の辺（変調器側エッジ２１２）の近傍に配された、光変調素子１０２の図示下端部（図２Ｂにおける光変調素子１０２の図示左端）部のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄにより電気的に接続されている。

なお、中継基板１１８上に設けられる導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、グランデットコプレーナ線路など、高周波用の信号線路として公知の線路構造を用いて構成されるものとすることができ、当該構造に合わせて、中継基板１１８上にはグランドパターンも設けられ得る（不図示）。また、当該グランドパターンは、ＦＰＣ１０６上の導体パターン（不図示）又は導電性の筐体１０４を介して外部のグランドラインに接続されると共に、従来技術に従い、ワイヤボンディング等により光変調素子１０２上のグランド用パターン（不図示）に接続される。

上記構成により、例えば筐体１０４外部に設けられた駆動装置（例えば駆動回路が構成されたプリント配線板（ＰＷＢ））から、ＦＰＣ１０６を介してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに入力された高周波信号は、中継基板１１８上の導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄを介して、それぞれ光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに入力され、光変調素子１０２において光変調動作が行われる。

本実施形態では、光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄは、それぞれリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと対向する位置に配されており、中継基板１１８上の導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄは、直線状パターンとして構成されている。

また、特に、本実施形態では、変調器側エッジ２１２の側における中継基板１１８上の導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの幅ｗ２２が、リードピン側エッジ２１０の側における導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの幅ｗ２１より広くなるように構成されている。また、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれにおける幅ｗ２２を持つ部分（幅広部分）の長さＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４が互いに異なっており、且つ、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄにおける幅ｗ２１を持つ部分（幅狭部分）の長さもそれぞれ異なっている。

これにより、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれの、分布定数線路としての電気長が互いに異なることとなり、リードピン側エッジ２１０及び変調器側エッジ２１２のそれぞれを反射端として発生する導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれにおける共振周波数が、互いに異なるものとなる。その結果、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ間における高周波パワーの共鳴遷移が抑制されることとなり、光変調器１００の光変調特性が良好に保たれる。

なお、本実施形態では、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄがそれぞれ異なる共振周波数を持つように構成されているが、これに限らず、例えば少なくとも一つの導体パターンが、他の少なくとも一つの導体パターンと異なる共振周波数を持つように構成してもよい。例えば、少なくとも一つの導体パターンにおける幅広部分の長さが他の少なくとも一つの導体パターンにおける幅広部分の長さと異なっているものとすることができる（例えば、Ｌ２１＝Ｌ２２＝Ｌ２３≠Ｌ２４）。このような構成においても、一定の（ある程度の）共鳴遷移の抑制効果を奏することができる。

また、少なくとも一つの導体パターンが、当該導体パターンに隣接する他の２つの導体パターンと異なる共振周波数をもつように（例えば、Ｌ２２≠Ｌ２１であって且つＬ２２≠Ｌ２３となるように、あるいは、（Ｌ２１＝Ｌ２３）≠（Ｌ２３＝Ｌ２４）となるように）構成してもよい。

上述したように、本実施形態は、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの幅をステップ状に変えて、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの電気長を互いに異ならせている。これにより、当該導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの共振周波数を互いに異ならせて、当該導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ間の共鳴遷移を防止するものである。

ここで、各導体パターンの幅の変化の態様は、本実施形態のように幅ｗ２１と幅ｗ２２との間でのステップ状の変化には限られず、複数の導体パターンの電気長を互いに異ならせて共振周波数を互いに異ならせることができる限りにおいて、任意の態様とすることができる。例えば、各導体パターンの幅が互いに異なる態様で（例えば単位長さ当たりの幅の変化率が導体パターン間において互いに異なるように）徐々に変化させたり、又図２Ａの各導体パターンの構成（２段構成）よりも更に多段階に（例えば、各段階の長さが導体パターン間において互いに異なるように）してもよい。また、例えば、各導体パターンが、互いに長さの異なる一つ又は複数の幅ｗ２１の部分と、互いに長さの異なる一つ又は複数の幅ｗ２２の部分と、で構成されるものとしてもよい。さらに、複数の導体パターンが、それぞれ互いに異なる幅を持つものとしてもよい。

なお、本実施形態は、上述の如く、複数の導体パターンの幅を部分的に変えて電気長を異ならせることで、当該複数の導体パターンの共振周波数を異ならせて共鳴遷移を防止するものであるが、これに限らず、複数の導体パターンの物理的な長さを異ならせることで電気長を異ならせてもよい。この場合、複数の導体パターン間において高周波信号伝搬のスキューが増大するが、このようなスキューは、光変調器１００に変調動作を行わせるための信号を出力する電子回路（駆動回路、ドライバ回路）においてデジタル・シグナル・プロセッサ（DSP、Digital Signal Processor）等を用いることにより補償することが可能である。

また、本実施形態では、複数の導体パターンのそれぞれが互いに異なる一つの共振周波数を有するものとしたが、これに限らず、各導体パターンがそれぞれ複数の共振周波数を持つものとし、少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、少なくとも他の一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるように構成してもよい。このような構成においても、複数の導体パターン間における共鳴遷移を或る程度抑制することができる。

次に、第１の実施形態の変形例を、図３及び図４を用いて説明する。以下に示す中継基板は、中継基板１１８に代えて光変調器１００に用いることができる。

〔第１の変形例〕
まず、第１の変形例について説明する。
図２Ａに示す中継基板１１８では、直線状の導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの電気長を互いに異ならせることにより、当該導体パターンの共振周波数を互いに異ならせて、導体パターン間の共鳴遷移を防止している。

これに対し、本変形例では、複数の導体パターンにそれぞれ曲がり部を設け、当該曲がり部により区切られた部分の物理的長さが、導体パターン間において互いに異なるように構成されている。

各導体パターンに設けられた曲がり部は高周波の反射点として機能するため、各導体パターンは、それぞれ複数の共振周波数を有することとなり、且つ、曲がり部により区切られた部分の物理的長さが導体パターン間において互いに異なるため、各導体パターンが有する当該複数の共振周波数は、導体パターン間において互いに異なるものとなる。その結果、導体パターン間における高周波パワーの共鳴遷移が軽減若しくは抑制され、又は防止される。

図３は、中継基板１１８に代えて用いることのできる本変形例に係る中継基板３１８の構成を、図２Ａに対応する部分詳細図により示した図である。図３において、図２Ａに示す中継基板１１８と同じ構成要素については、図２Ａにおける符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図２Ａについての説明を援用する。

図３に示す中継基板３１８は、図２Ａに示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは配置の異なる導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄを備える。ここで、光変調素子１０２のＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄは、それぞれリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと対向する位置から図示右方向へ（例えばリードピン側エッジ２１０又は変調器側エッジ２１２の方向に沿って）所定距離だけ変位している。このような構成は、例えば、光変調素子１０２をケース１０４ａに実装する際に、当該光変調素子１０２の実装位置を図示右方向へ上記所定距離だけずらすことで実現される。なお、図３に示す例では、全てのＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄが、リードピン側エッジ２１０又は変調器側エッジ２１２の方向に沿って同じ所定距離だけ変位しているものとしたが、所定距離は全て同じ距離でなくてもよい。例えば、光変調素子１０２においてＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの間隔を不等間隔とし、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄのそれぞれが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと対向する位置から、それぞれ異なる所定の距離だけ変位しているものとしてもよい。

中継基板３１８の各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄは、それぞれ２つの曲がり部Ｒ３１及びＲ３２、Ｒ３３及びＲ３４、Ｒ３５及びＲ３６、並びにＲ３７及びＲ３８を備えている。また、２つの曲がり部の間に、図示左右方向に所定距離にわたり延在する部分をそれぞれ有することにより、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄを、対応するリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに接続している。

特に、本変形例では、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄの、変調器側エッジ２１２から直近の曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７までの距離Ｌ３１、Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４が互いに異なっており、且つ、リードピン側エッジ２１０から直近の曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４、Ｒ３６、Ｒ３８までの距離も互いに異なっている。

上述したように、導体パターンの曲がり部は高周波信号の反射点として機能するため、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄは、それぞれ、リードピン側エッジ２１０と曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４、Ｒ３６、Ｒ３８との反射による共振周波数、及び変調器側エッジ２１２と曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７との反射による共振周波数を、それぞれ有することとなる。

そして、変調器側エッジ２１２から直近の曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７までの距離Ｌ３１、Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４が互いに異なっており、且つ、リードピン側エッジ２１０から直近の曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４、Ｒ３６、Ｒ３８までの距離も互いに異なっていることから、リードピン側エッジ２１０と曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４、Ｒ３６、Ｒ３８との反射による共振周波数、及び変調器側エッジ２１２と曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７との反射による共振周波数が、それぞれ、導体パターン間において互いに異なるものとなる。

その結果、導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ間における高周波パワーの共鳴遷移が防止される。また、本変形例では、導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ間の物理的長さが同一であるので、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄを伝搬する高周波信号のスキューをほぼゼロとすることができる。なお、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄにおけるリードピン側エッジ２１０における端面反射と変調器側エッジ２１２における端面反射とによる共振については、各導体パターンに設けられた曲がり部Ｒ３１等が高周波損失部として機能し、当該共振のＱ値は低下するので、曲がり部Ｒ３１等を含んだ導体パターン３０２ａ等の全体の電気長の共振への寄与を低減することができる。

また、本変形例においては、導体パターン３０２ａにおける曲がり部Ｒ３１とＲ３２との間の部分、導体パターン３０２ｂにおける曲がり部Ｒ３３とＲ３４との間の部分、導体パターン３０２ｃにおける曲がり部Ｒ３５とＲ３６との間の部分、導体パターン３０２ｄにおける曲がり部Ｒ３７とＲ３８との間の部分は、距離が短く当該部分における共振周波数が光変調素子１０２の動作周波数範囲外となることから、同じ物理的長さを持つように構成されている。ただし、これら部分の物理的長さも互いに異なるように構成してもよい。

さらに、本変形例では、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄは、それぞれ一定の幅を有するものとしているが、曲がり部Ｒ３１等により区切られた各部分が、導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成してもよい。より具体的には、曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７のそれぞれから変調器側エッジ２１２までの部分が導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成したり、曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７のそれぞれから曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４，Ｒ３６、Ｒ３８までの部分が導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成したり、及び又は曲がり部Ｒ３２、Ｒ３４，Ｒ３６、Ｒ３８のそれぞれからリードピン側エッジ２１０までの部分が導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成してもよい。この場合には、導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成した各部分は、導体パターン間において物理的長さが同じとなるように構成しても（例えば、曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７からそれぞれ変調器側エッジ２１２までの部分が導体パターン間において互いに異なる幅となるように構成した場合には、Ｌ３１＝Ｌ３２＝Ｌ３３＝Ｌ３４としても）、当該各部分の電気長が互いに異なるものとなるので、各導体パターンの共振周波数は互いに異なるものとなり、共鳴遷移を防止することができる。

また、本変形例では、導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄのそれぞれにおける変調器側エッジ２１２から直近の曲がり部Ｒ３１、Ｒ３３、Ｒ３５、Ｒ３７までの距離Ｌ３１、Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４の全てを互いに異ならせて、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄが（少なくとも光変調器１０２の動作周波数範囲内においては）それぞれ異なる共振周波数を持つものとしたが、これに限らず、少なくとも隣接する導体パターン間において、距離Ｌ３１、Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４が互いに異なるものとなるようにして（例えば、（Ｌ３１＝Ｌ３３）≠（Ｌ３２＝Ｌ３４）として）、当該隣接する導体パターン間において共振周波数が異なるものとしても、共鳴遷移を或る程度抑制することができる。

また、本変形例では、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄがそれぞれ異なる共振周波数を持つものとしたが、これに限らず、少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、少なくとも他の一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるように構成されていてもよい。このような構成でも、導体パターン間の共鳴遷移の影響をある程度低減して光変調特性の悪化を軽減又は防止することができる。この場合、上記少なくとも他の一つの導体パターンは、上記少なくとも一つの導体パターンに隣接する導体パターンであることが望ましい。例えば、一の導体パターンにおける、少なくとも一つの曲がり部により区切られた少なくとも一つの部分の電気長（例えば、物理的長さ又は幅）が、少なくとも他の一つの導体パターンにおける、少なくとも一つの曲がり部により区切られた少なくとも一つの部分の電気長と異なるよう構成することができる。

また、本変形例では、図３において、各導体パターン３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄのそれぞれにおける２つの曲がり部が、それぞれ対応する導体パターンを９０度屈曲させるものとして記載したが、これに限らず、当該曲がり部は、有限の曲率半径を持つ曲線で構成されるものとすることができる。また、当該曲がり部における曲げ角は、当該曲がり部分において共振に寄与する高周波反射が発生する限りにおいて、任意の角度とすることができる。

〔第２の変形例〕
次に、図１に示す光変調器１００に用いられる中継基板１１８の第２の変形例について説明する。

図２Ａに示す中継基板１１８では、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄのそれぞれが幅広部分と幅狭部分とを含み、導体パターン間において幅広部分及び幅狭部分の長さを互いに異ならせて各導体パターンの電気長を互いに異ならせることで、当該導体パターンの共振周波数を異ならせて、導体パターン間の共鳴遷移を防止している。

これに対し、本変形例の中継基板は、中継基板１１８と同様に、複数の導体パターンのそれぞれが幅広部分と幅狭部分とを含み、且つ当該幅広部分の長さ及び幅狭部分の長さは導体パターン間で互いに異なっているが、更に、幅広部分と幅狭部分とが電気部品（例えば、受動電気部品で構成されたハイパスフィルタやバンドパスフィルタ）を介して接続されている。当該電気部品と幅広部分及び幅狭部分との接続点は、それぞれ高周波の反射点として機能し、幅広部分及び幅狭部分のそれぞれにおいて共振を生じさせるため、本変形例では、複数の導体パターンのそれぞれが複数の共振周波数（幅広部分における共振周波数と幅狭部分における共振周波数）を有する。そして、当該幅広部分の長さ及び幅狭部分の長さは導体パターン間で互いに異なっていることから、複数の導体パターンのそれぞれが有する複数の共振周波数は、導体パターン間において互いに異なるものとなり、導体パターン間での高周波パワーの共鳴遷移が防止される。

図４は、中継基板１１８に代えて用いることのできる本変形例に係る中継基板４１８の構成を、図２Ａに対応する部分詳細図により示した図である。図４において、図２Ａに示す中継基板１１８と同じ構成要素については、図２Ａにおける符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図２Ａについての説明を援用する。

図４に示す中継基板４１８は、図２Ａに示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは構成の異なる直線状の導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄを備える。

各導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄは、それぞれ、リードピン側エッジ２１０から延在する幅ｗ４１を持つ幅狭部分と、幅ｗ４１よりも広い幅ｗ４２を持って変調器側エッジ２１２から延在する幅広部分とで構成されている。また、導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄは、それぞれ、幅狭部分と幅広部分とが、電気部品４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１０ｄを介して電気的に接続されている（すなわち、幅広部分と幅狭部分との間が間隙部分となっており、当該間隙を挟んで対向する幅広部分と幅狭部分とが電気部品により接続されている）。さらに、導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄのそれぞれの幅広部分は、互いに異なる長さＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４を有し、且つ導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄのそれぞれの幅狭部分も、互いに異なる長さを有している。

これにより、各導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄにおける幅広部分及び幅狭部分の電気長は、それぞれ、これら導体パターン間において互いに異なるものとなるので、これら幅広部分及び幅狭部分のそれぞれの共振周波数を導体パターン間において互いに異ならせて、導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ間の共鳴遷移を防止することができる。

特に、本変形例では、各導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄにおける幅広部分と幅狭部分とが電気部品を介して接続されているので、各導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄは、実質的には当該間隙部分で分断された独立する２つの分布定数線路で構成されているものとみなせる。このため、各導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄの両端部（リードピン側エッジ２１０における端部と変調器側エッジ２１２における端部）の反射に起因する共振は起こらず、図２Ａに示す中継基板１１８に比べて、より効果的に共鳴遷移を防止することができる。

なお、電気部品４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１０ｄとしては、例えば、光変調に必要な動作周波数域の高周波信号を透過するハイパスフィルタ（ローカットフィルタ）、バンドパスフィルタ、又はローパスフィルタ（ハイカットフィルタ）、あるいはその他の受動部品等とすることができる。また、各導体パターンに設けられた電気部品が高周波損失部として機能する場合、当該共振のＱ値は低下し、実質的に無視し得るものとなる。

また、本変形例では、導体パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄの全てに電気部品Ｌ４１０ａ等を設けるものとしたが、少なくとも一つの導体パターンについて電気部品を設け、他の導体パターンは、電気部品を設けず図２Ａと同様の構成としてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。図５において、図１Ａに示す第１の実施形態に係る光変調器１００と同じ構成要素については、図１における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した第１の実施形態についての説明を援用するものとする。

図５に示す本実施形態に係る光変調器５００は、第１の実施形態に係る光変調器１００と同様の構成を有するが、光変調素子１０２代えて光変調素子５０２を有し、中継基板１１８に代えて中継基板５１８を有する点が異なる。光変調素子５０２は、光変調素子１０２と同様の構成を有するが、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに代えてＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄを備える点が異なる。当該ＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄは、ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと同様の構成を有するが、光変調素子５０２の中継基板５１８側のエッジに配置されるＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄの互いの間隔が、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの間隔より狭くなっている点が異なる。

図６は、図５に示す光変調器５００のＣ部の部分詳細図である。中継基板５１８は、中継基板１１８と同様の構成を有するが、導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは配置の異なる導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄを備える。導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄは、それぞれ、中継基板５１８の図示下側の辺（リードピン側エッジ６１０）において、ハンダ６０４ａ、６０４ｂ、６０４ｃ、６０４ｄによりリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに電気的に接続されている。

また、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄは、図６における中継基板５１８の図示上側の辺（変調器側エッジ６１２）において、光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄにより電気的に接続されている。

特に、本実施形態においては、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄは、それぞれ、直線状であり、且つ、リードピン側エッジ２１０から延在する幅ｗ６１の幅狭部分と、幅ｗ６１より広い幅ｗ６２を持って変調器側エッジ６１２から延在する幅広部分とで構成されている。また、当該幅広部分の長さは、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄ間において互いに異なる長さとなるように構成され、且つ幅狭部分の長さも互いに異なるように構成されている。

さらに、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄは、ＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄの間隔とリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの間隔とが異なることから、それぞれ互いに異なる傾きをもってリードピン側エッジ６１０から変調器側エッジ６１２まで延在し、したがって、それぞれ異なる物理的長さＬ６１、Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４を有する。

これにより、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄのそれぞれの電気長は、図２Ａに示す導体パターン２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄの場合よりも更に大きく互いに異なることとなり、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄのそれぞれにおいてリードピン側エッジ６１０及び変調器側エッジ６１２のそれぞれを反射端として発生する共振周波数は、互いに大きく異なるものとなる。その結果、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄ間における高周波パワーの共鳴遷移が更に抑制される。

次に、第２の実施形態の変形例について説明する。本変形例は、図２Ａ、図３、図４、及び図６に示す導体パターンの構成特徴を組み合わせたものである。

図７は、中継基板５１８に代えて用いることのできる本変形例に係る中継基板７１８の構成を、図６に対応する部分詳細図により示した図である。図７において、図６に示す中継基板５１８と同じ構成要素については、図６における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した図６についての説明を援用する。

図７に示す中継基板７１８は、図６に示す中継基板５１８の導体パターン６０２ａ、６２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは配置の異なる導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄを備える。

導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、それそれ、２つの曲がり部を備え、図示左右方向に（例えばリードピン側エッジ６１０又は変調器側エッジ６１２の方向に沿って）延在する部分を有する。また、各導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄの、変調器側エッジ６１２から直近の曲がり部までの距離Ｌ７１、Ｌ７２、Ｌ７３、Ｌ７４は、互いに異なっており、したがって、リードピン側エッジ６１０から直近の曲がり部までの距離も互いに異なっている。また、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、それぞれ、２つの曲がり部で挟まれた部分（すなわち、図示左右方向に延在する部分）の長さも、互いに異なっている。

また、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、それぞれ、変調器側エッジ６１２に近い側の曲がり部が、それぞれ電気部品７１０ａ、７１０ｂ、７１０ｃ、７１０ｄを介して電気的に接続されている（すなわち、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、それぞれの当該曲がり部において間隙を有し、当該間隙を挟んで対向する導体部分が、対応する電気部品７１０ａ等により接続されている）。

さらに、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、それぞれ、リードピン側エッジ６１０から直近の曲がり部まで延在する部分が幅ｗ７１を有し、変調器側エッジ６１２から直近の曲がり部までの延在する部分が幅ｗ７１より広い幅ｗ７３を有し、２つの曲がり部で挟まれた部分が、幅ｗ７１より広く幅ｗ７３より狭い幅ｗ７２を有する。

これにより、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄのそれぞれは、幅ｗ７１の部分と、幅ｗ７２の部分と、幅ｗ７３の部分における共振周波数が互いに異なるものとなるので、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄ間における高周波パワーの共鳴遷移が効果的に防止される。また、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄは、その一部において間隙部分を有し、当該間隙部分を挟んで対向する部分が電気部品７１０ａ等を介して接続されているので、各導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄの両端部（リードピン側エッジ６１０における端部と変調器側エッジ６１２における端部）での反射に起因する共振は発生せず、より効果的に共鳴遷移が防止される。

なお、本変形例では、導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄの全てに電気部品Ｌ７１０ａ等を設けるものとしたが、少なくとも一つの導体パターンについて電気部品を設け、他の導体パターンは、電気部品を設けず図３の導体パターン３０２ａ等と同様の構成としてもよい。

また、本変形例では、電気部品７１０ａ、７１０ｂ、７１０ｃ、７１０ｄにより区切られた導体パターン７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄのそれぞれの、幅ｗ７３を持つ部分と幅ｗ７２を持つ部分とが、それぞれ、導体パターン間において互いに異なる電気長を有して互いに異なる共振周波数を持つものとしたが、これに限らず、少なくとも一つの導体パターンにおける、電気部品で区切られた少なくとも一つの部分における共振周波数が、少なくとも他の一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるように構成しても良い。

例えば、電気部品７１０ａにより区切られた導体パターン７０２ａと、図３の導体パターン３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄと、を用いて中継基板を構成し、電気部品７１０ａにより区切られた導体パターン７０２ａの幅ｗ７３を持つ部分及び又は幅ｗ７２を持つ部分の共振周波数が、他の導体パターンの少なくとも一つ（すなわち、導体パターン３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄのいずれか）が有する少なくとも一つの共振周波数と異なるものとすることができる。この場合、上記他の導体パターンの少なくとも一つは、導体パターン７０２ａに隣接する導体パターンであることが望ましい。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。図８において、図５に示す第２の実施形態に係る光変調器５００と同じ構成要素については、図５における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した第２の実施形態についての説明を援用するものとする。

図８に示す本実施形態に係る光変調器８００は、第２の実施形態に係る光変調器５００と同様の構成を有するが、ケース１１４ａを含む筐体１０４に代えて、ケース８１４ａを含む筐体８０４を備える。ケース８１４ａは、ケース１１４ａと同様の構成を有するが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに代えてリードピン８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄを備える点が異なる。

リードピン８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄは、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと同様の構成を有するが、光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄと対向する位置（対応するＲＦ電極に対し左右方向に変位しない位置）に配されており、且つ対応するＲＦ電極までの距離が、隣接するリードピンにおける当該距離と異なるように配されている（すなわち、リードピン８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄは、図示左右方向（例えば光変調素子５０２の長さ方向）に千鳥状に配されている）。また、光変調器８００は、中継基板５１８に代えて中継基板８１８を備える。

図９は、図８に示す光変調器８００のＤ部の部分詳細図である。中継基板８１８は、中継基板５１８と同様の構成を有するが、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは配置の異なる導体パターン９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄを備える。導体パターン９０２ａ、９０２ｃは、それぞれ、中継基板８１８の図示下側の辺（リードピン側エッジ９１０）において、ハンダ９０４ａ、９０４ｃによりリードピン８１６ａ、８１６ｃと電気的に接続されている。また、導体パターン９０２ｂ、９０２ｄは、それぞれ、中継基板８１８に設けられた孔（貫通孔）９２０ａ、９２０ｂに挿通されたリードピン８１６ｂ、８１６ｄと、ハンダ９０４ｂ、９０４ｄにより電気的に接続されている。

また、導体パターン９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄは、図９における中継基板８１８の図示上側の辺（変調器側エッジ９１２）において、光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄにより電気的に接続されている。

上述したように、リードピン８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄは、光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄと対向する位置（対応するＲＦ電極に対し左右方向に変位しない位置）に配され、且つ対応するＲＦ電極までの距離が、隣接するリードピンにおける当該距離と異なるように配されている。このため、導体パターン９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄは、それぞれの物理的長さが、隣接する導体パターンに対して異なるように構成される。

これにより、本実施形態では、導体パターン９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄのうち隣接する導体パターン間において共振周波数を異なるものとして、当該隣接する導体パターン間での高周波パワーの共鳴遷移を防止することができる。なお、本実施形態では、リードピン８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄが千鳥状に配され、リードピン８１６ａ、８１６ｃが、中継基板８１８の外周の一部（図９下側の辺）において導体パターン９０２ａ、９０２ｃと電気的に接続され、リードピン８１６ｂ、８１６ｄが、中継基板８１８に設けられた孔９２０ａ、９２０ｂに挿通されて導体パターン９０２ｂ、９０２ｄと接続されるものとしたが、これに限らず、導電パターン９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄの少なくとも一つの導電パターンの電気長が他の導電パターンの電気長と異なる限りにおいて、他の構成とすることもできる。例えば、リードピンの少なくとも一つが、中継基板の外周の一部において導体パターンの一つと電気的に接続され、リードピンの他の少なくとも一つが、中継基板に設けられた貫通孔に挿通されて導体パターンの他の一つと電気的に接続されているものとすることができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。図１０において、図５に示す第２の実施形態に係る光変調器５００と同じ構成要素については、図５における符号と同じ符号を用いるものとし、上述した第２の実施形態についての説明を援用するものとする。

図１０に示す本実施形態に係る光変調器１０００は、第２の実施形態に係る光変調器５００と同様の構成を有するが、ケース１１４ａを含む筐体１０４に代えて、ケース１０１４ａを含む筐体１００４を備える。ケース１０１４ａは、ケース１１４ａと同様の構成を有するが、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに代えてリードピン１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄを備える点が異なる。

リードピン１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄは、リードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄと同様の構成を有するが、図示左右方向（例えば光変調素子５０２の長さ方向）に千鳥状に配列されており、且つ互いの間隔が光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄの配置間隔よりも広い間隔となるように配置されている。また、光変調器１０００は、中継基板５１８に代えて中継基板１０１８を備える。

図１１は、図１０に示す光変調器１０００のＥ部の部分詳細図である。中継基板１０１８は、中継基板５１８と同様の構成を有するが、導体パターン６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄに代えて、これらの導体パターンとは配置の異なる導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄを備える。導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄは、それぞれ同じ幅を持つ直線状パターンであり、それぞれ、中継基板８１８に設けられた孔（貫通孔）１１２０ａ、１１２０ｂ、１１２０ｃ、１１２０ｄに挿通されたリードピン１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄと、ハンダ１１０４ａ、１１０４ｂ、１１０４ｃ、１１０４ｄにより電気的に接続されている。

また、導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄは、図１１における中継基板１０１８の図示上側の辺（変調器側エッジ１１１２）において、光変調素子５０２のＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄに対し、それぞれ例えば金ワイヤ６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄにより電気的に接続されている。

特に、本実施形態では、導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄは、リードピン１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄがＲＦ電極５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄの配置間隔よりも広い間隔で配されていることから、それぞれ互いに異なる傾きをもってリードピン側エッジ１１１０から変調器側エッジ１１１２まで延在し、且つリードピン１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄは千鳥状に配されている。このため、導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄは、互いに異なる物理的長さ持ち、従ってそれぞれが異なる電気長を有している。これにより、本実施形態では、導体パターン１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄのそれぞれの共振周波数を互いに異なるものとして、これら導体パターン間での高周波パワーの共鳴遷移を防止することができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、第１ないし第４の実施形態に係る図１Ａ、図５、図８、図１０に示す光変調器１００、５００、８００、１０００（図３、図４、図７に示す変形例に係る中継基板を備える光変調器を含む）のいずれかを搭載した光送信装置である。

図１２は、本実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。本光送信装置１２００は、光変調器１２０２と、光変調器１２０２に光を入射する光源１２０４と、変調信号生成部１２０６と、変調データ生成部１２０８と、を有する。

光変調器１２０２は、図１Ａ、図５、図８、図１０に示す光変調器１００、５００、８００、１０００（図３、図４、図７に示す変形例に係る中継基板を備える光変調器を含む）のいずれか一の光変調器とすることができる。ただし、以下の説明においては、冗長な記載を避けて理解を容易にするため、光変調器１２０２として光変調器１００が用いられているものとする。

変調データ生成部１２０８は、外部から与えられる送信データを受信して、当該送信データを送信するための変調データ（例えば、送信データを所定のデータフォーマットに変換又は加工したデータ）を生成し、当該生成した変調データを変調信号生成部１２０６へ出力する。

変調信号生成部１２０６は、光変調器１２０２に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路（ドライブ回路）であり、変調データ生成部１２０８が出力した変調データに基づき、光変調器１２０２に当該変調データに従った光変調動作を行わせるための高周波信号である変調信号を生成して、光変調器１２０２に入力する。当該変調信号は、光変調器１２０２である光変調器１００が備える光変調素子１０２の４つのＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対応する４つのＲＦ信号から成る。

当該４つのＲＦ信号は、光変調器１２０２である光変調器１００のＦＰＣ１０６を介してリードピン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄに入力され、中継基板１１８を介して上記ＲＦ電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄにそれぞれ印加される。

これにより、光源１２０４から出力された光は、光変調器１２０２により変調され、変調光となって光送信装置１２００から出力される。

特に、本光送信装置１２００では、光変調器１２０２として、上述した構成を有する光変調器１００（又は、図５、図８、図１０に示す光変調器１００、５００、８００、１０００（図３、図４、図７に示す変形例に係る中継基板を備える光変調器を含む）のいずれか一の光変調器）を用いるので、光変調器１２０２の内部に用いられる中継基板（１１８等）に設けられた導体パターン（２０２ａ等）間での高周波の共鳴遷移を防止して、安定且つ良好な光変調特性を確保することができ、従って、安定且つ良好な伝送特性を実現することができる。

なお、上述した各実施形態では、ＬＮを基板として用いた４つのＲＦ電極を有する光変調素子を備える光変調器を示したが、本発明は、これに限らず、４つ以外の数の複数のＲＦ電極を持つ光変調器、及び又はＬＮ以外の材料を基板として用いる光変調器にも、同様に適用することができる。

以上、説明したように、上述した第１ないし第４の実施形態及び関連する変形例に係る光変調器は、複数の信号電極（１１２ａ等）を備える光変調素子（１０２等）と、高周波信号を入力するための複数のリードピン（１１６ａ等）と、上記リードピンと上記信号電極とを電気的に接続する導体パターン（２０２ａ等）が形成された中継基板（１１８等）と、を備え、少なくとも一つの導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、少なくとも他の一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている。これにより、本発明に係る光変調器では、上記導体パターン間における共鳴遷移の影響を低減し、光変調特性の悪化を防止することができる。

なお、上記少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と、少なくとも他の一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数との関係は、基本波と高調波の関係でないこと、すなわち、いずれか一方の共振周波数が他方の共振周波数の整数倍でないものあることが好ましい。これにより、例えば少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数を基本波としたとき、当該基本波の高調波に相当する共振周波数を持つ他の一つの導体パターンと、上記少なくとも一つの導体パターンとの間で発生し得る共鳴遷移も、効果的に防止することができる。

このような構成は、例えば、少なくとも一つの導体パターンにおける少なくとも一つの共振周波数に対応する部分の電気長と、少なくとも他の一つの導体パターンにおける少なくとも一つの共振周波数に対応する部分の電気長とが、整数倍の関係にないこと、すなわち一方の電気長が他方の電気長の整数倍でないものとすることで、実現することができる。特に、中継基板上に設けられた導体パターンが形成する電気長（すなわち、共振に寄与する電気長）のうち一の最も短い電気長をＬｒとするとき、他の電気長を２Ｌｒより短く構成すれば、上記のような基本波と高調波との間での共鳴遷移を防止しつつ、中継基板を小型化して光変調器のサイズを低減することができる。

１００、５００、８００、１０００、１３００・・・光変調器、１０２、５０２、１３０２・・・光変調素子、１０４、８０４、１００４、１３０４・・・筐体、１０６、１３０６・・・ＦＰＣ、１０８、１１０、１３０８、１３１０・・・光ファイバ、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄ、１３１２ａ、１３１２ｂ、１３１２ｃ、１３１２ｄ・・・ＲＦ電極、１１４ａ、８１４ａ、１０１４ａ、１３１４ａ・・・ケース、１１４ｂ、１３１４ｂ・・・カバー、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、８１６ａ、８１６ｂ、８１６ｃ、８１６ｄ、１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、１０１６ｄ、１３１６ａ、１３１６ｂ、１３１６ｃ、１３１６ｄ・・・リードピン、１１８、３１８、４１８、５１８、７１８、８１８、１０１８、１３１８・・・中継基板、１２０、１３２０・・・終端器、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ、１４００ａ、１４００ｂ、１４００ｃ、１４００ｄ・・・ガラス封止部、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ、４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ、６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄ、７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ、７０２ｄ、９０２ａ、９０２ｂ、９０２ｃ、９０２ｄ、１１０２ａ、１１０２ｂ、１１０２ｃ、１１０２ｄ、１３３２ａ、１３３２ｂ、１３３２ｃ、１３３２ｄ、１４０２ａ、１４０２ｂ、１４０２ｃ、１４０２ｄ・・・導体パターン、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄ、６０４ａ、６０４ｂ、６０４ｃ、６０４ｄ、９０４ａ、９０４ｂ、９０４ｃ、９０４ｄ、１１０４ａ、１１０４ｂ、１１０４ｃ、１１０４ｄ、１４０４ａ、１４０４ｂ、１４０４ｃ、１４０４ｄ・・・ハンダ、２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄ、６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄ、１４０６ａ、１４０６ｂ、１４０６ｃ、１４０６ｄ・・・ワイヤ、２１０、６１０、９１０、１１１０、１４１０・・・リードピン側エッジ、２１２、６１２、９１２、１１１２、１４１２・・・変調器側エッジ、４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ、４１０ｄ、７１０ａ、７１０ｂ、７１０ｃ、７１０ｄ・・・電気部品、９２０ａ、９２０ｂ、１１２０ａ、１１２０ｂ、１１２０ｃ、１１２０ｄ・・・孔、１２００・・・光送信装置、１２０４・・・光源、１２０６・・・変調信号生成部、１２０８・・・変調データ生成部、１３３０・・・回路基板。

Claims (14)

1. 複数の信号電極を備える光変調素子と、
   ＦＰＣ基板を介して高周波信号が入力される複数のリードピンと、
   前記リードピンと前記信号電極とを電気的に接続する導体パターンが形成された中継基板と、
   を備えるＤＰ−ＱＰＳＫ構成の光変調器であって、
   前記中継基板と前記光変調素子とは離間しており、
   前記複数のリードピンと前記導体パターンとが略９０度で接続されることで第一の信号反射点を構成し、
   前記導体パターンと前記信号電極とがワイヤボンディング接続されることで第二の信号反射点を構成し、
   少なくとも一つの前記導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている、
   光変調器。
2. 前記複数のリードピンと前記導体パターンとはハンダで接続される、請求項１に記載の光変調器。
3. 前記信号電極は、互いに協働して前記光変調素子に光変調動作を行わせる４つの高周波信号のそれぞれが入力される４つの高周波電極で構成される、
   請求項１又は２に記載の光変調器。
4. 前記少なくとも一つの前記導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、当該少なくとも一つの導体パターンに隣接する前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている、
   請求項１ないし３のいずれか一項に記載の光変調器。
5. 前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有することにより、当該少なくとも一つの前記導体パターンが有する少なくとも一つの共振周波数が、前記少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する共振周波数と異なるよう構成されている、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
6. 前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる物理的長さ有することにより、前記少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている、
   請求項５に記載の光変調器。
7. 前記少なくとも一つの導体パターンは、少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる幅を持つ部分を含むことにより、前記少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている、
   請求項５に記載の光変調器。
8. 前記少なくとも一つの導体パターンは、当該少なくとも一つの導体パターンの幅が少なくとも他の一つの前記導体パターンと異なる態様で変化するよう構成されていることにより、当該他の一つの導体パターンと異なる電気長を有するよう構成されている、
   請求項５に記載の光変調器。
9. 前記少なくとも一つの導体パターンは、一つ又は複数の曲がり部分により区切られた部分を含み、且つ、当該区切られた部分の少なくとも一つにおける共振周波数が、他の一つの前記導体パターンの少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
10. 前記少なくとも一つの導体パターンは、電気部品を介して接続されている部分を含み、当該電気部品を介して接続されている部分の少なくとも一方における共振周波数が、他の一つの前記導体パターンの、少なくとも一つの共振周波数と異なるよう構成されている、
    請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
11. 前記リードピンの少なくとも一つは、前記中継基板の外周の一部において前記導体パターンの一つと電気的に接続され、且つ、
    前記中継基板は、少なくとも一つの貫通孔を有し、前記リードピンの他の少なくとも一つは、前記貫通孔に挿通されて前記導体パターンの他の一つと電気的に接続されている、
    請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
12. 前記中継基板は、前記リードピンのそれぞれが挿通される複数の貫通孔を有し、
    前記リードピンは、それぞれ、前記貫通孔のそれぞれに挿通されて前記導体パターンのそれぞれと電気的に接続されており、且つ、
    前記光変調素子の前記信号電極は、前記中継基板の一の辺において前記導体パターンのそれぞれと電気的に接続されており、
    少なくとも一つの前記貫通孔から前記一の辺までの距離は、他の前記貫通孔から前記一の辺までの距離と異なっている、
    請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光変調器。
13. 前記少なくとも一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数に対応する当該導体パターンの部分の電気長、及び前記少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数に対応する当該導体パターンの部分の電気長は、一方の電気長が他方の電気長の整数倍となっていないか、または、
    前記少なくとも一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数、及び前記少なくとも他の一つの前記導体パターンが有する前記少なくとも一つの共振周波数は、一方の共振周波数が他方の共振周波数の整数倍となっていない、
    請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の光変調器。
14. 請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の光変調器と、
    当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、
    を備える、
    光送信装置。

Images