JP6436277B2 - 磁界結合素子、アンテナ装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波回路に用いられる磁界結合素子、それを備えるアンテナ装置および電子機器に関するものである。

周波数帯域を広帯域化するため、または複数の周波数帯域に対応するために、直接的または間接的に結合する２つの放射素子を備えるアンテナ装置が用いられている。また、２つの放射素子と、この２つの放射素子に対する給電を制御する結合度調整回路とを備えたアンテナ装置が特許文献１に示されている。

図５１は特許文献１に示されている結合度調整回路を多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。各層は誘電体シートまたは磁性体シートで構成され、基材層５１ａ〜５１ｆに導体パターンが形成されている。図５１に表れている範囲で、基材層５１ａに導体パターン７４が形成されている。基材層５１ｂには導体パターン７２が形成され、基材層５１ｃに導体パターン７１，７３が形成されている。基材層５１ｄには導体パターン６１，６３が形成され、基材層５１ｅに導体パターン６２が形成され、基材層５１ｆの下面に給電端子８１、グランド端子８３、第１放射素子の接続ポートであるアンテナ端子８２および第２放射素子の接続ポートであるアンテナ端子８４がそれぞれ形成されている。複数の基材層５１ａ〜５１ｆのうち所定位置に、縦方向に延びる破線で表す層間接続導体が形成されている。導体パターン７２の右半分と導体パターン７１とによってコイル素子Ｌ１ａが構成されている。また、導体パターン７２の左半分と導体パターン７３とによってコイル素子Ｌ１ｂが構成されている。また、導体パターン６１と導体パターン６２の右半分とによってコイル素子Ｌ２ａが構成されている。また、導体パターン６２の左半分と導体パターン６３とによってコイル素子Ｌ２ｂが構成されている。

以上のように、結合度調整回路は、コイル素子Ｌ１ａ，Ｌ１ｂによる一次コイル（第１コイル）とコイル素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂによる二次コイル（第２コイル）とが結合したトランスで構成される。

国際公開第２０１２／１５３６９０号

特許文献１に示されるアンテナ装置は、第１放射素子と第２放射素子とがトランスを介して結合され、その結合の設定により、給電回路とアンテナ装置との整合がとられる。この特許文献１に示されるアンテナ装置によれば、第１放射素子と第２放射素子とを並走させなくてもよいので、それらのパターンの設計上の自由度が高い。また、第１放射素子と第２放射素子とをより近づけても、所定の結合度に定めることができるので、給電回路と複共振アンテナとの整合が容易になる。

しかし、トランスが有するインダクタンス（一次インダクタンス、二次インダクタンスおよび漏れインダクタンス）により、放射素子に生じる電流分布は変化するので、トランスのインダクタンス成分が大きいと放射素子の放射特性が劣化するおそれがある。一方、トランスのインダクタンス成分を低減するために第１コイルおよび第２コイルのターン数を少なくすると、両コイル間の結合係数が低下し、結合度調整回路としての充分な作用が得られない。

本発明の目的は、インダクタンス成分が小さく且つ第１コイルと第２コイルとの結合係数の高い磁界結合素子、それを備えるアンテナ装置および電子機器を提供することにある。

（１）本発明の磁界結合素子は、
絶縁層を介して積層された複数の層に配置された複数の導体パターンと、前記複数の導体パターンの所定位置同士を層間接続する複数の層間接続導体と、を有し、
前記複数の導体パターンは、前記積層の方向の順にそれぞれ異なる層に配置された第１導体パターン、第２導体パターン、第３導体パターンおよび第４導体パターンを含み、
前記複数の層間接続導体は、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを層間接続する第１層間接続導体と、前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとを層間接続する第２層間接続導体と、を含み、
前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記第１層間接続導体で第１コイルが構成され、
前記第３導体パターン、前記第４導体パターンおよび前記第２層間接続導体で第２コイルが構成され、
前記積層の方向において、前記第１コイルおよび前記第２コイルは、複数の前記絶縁層からなる積層体の積層高さの１／３未満の領域に形成されている、ことを特徴とする。

上記構成によれば、コイルのインダクタンスを抑えつつ結合係数が高まる。また、周辺に近接する電子部品や導体、積層体内にある他の導体パターンとの不要結合が抑制される。

（２）前記第２導体パターンと前記第３導体パターンとの結合方向と、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体との結合方向は同じであることが好ましい。これにより、第１コイルと第２コイルとの結合係数がより高まる。

（３）前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とは、前記絶縁層の平面視で重なる、ことが好ましい。これにより、層間接続導体が平面視で重なっていることで、互いに積層方向に配置されている第１層間接続導体と第２層間接続導体との結合が加わり、第１コイルと第２コイルとの結合係数が高まる。また、層間接続導体が平面視で重なっているので、従来構造のように、複数の層間接続導体が、平面視で分散配置されている構造に比べて、層間接続導体による磁界結合の妨げが少ない。この作用によっても、第１コイルと第２コイルとの結合係数が高まる。

（４）前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体は前記複数の絶縁層のうち単一の絶縁層を介して前記積層の方向に配置されていることが好ましい。これにより、第１層間接続導体と第２層間接続導体とが最接近し、上記結合係数の向上効果がより高まる。

（５）前記第１導体パターンおよび前記第４導体パターンは、前記第２導体パターンおよび前記第３導体パターンに比べてターン数が少ないことが好ましい。これにより、周辺に近接する電子部品や導体との不要結合が抑制される。

（６）前記第２導体パターンと前記第３導体パターンの少なくとも一方は、前記積層の方向で対面して部分的に容量を形成する容量形成用導体パターンを有することが好ましい。これにより、上記容量は、この磁界結合素子に接続される高周波回路のインピーダンス整合回路として用いることができる。

（７）前記第２導体パターンまたは前記第３導体パターンのうち一方の導体パターンは前記絶縁層の端部に達する引出導体パターンを有し、他方の導体パターンは前記引出導体パターンに対向する容量形成用導体パターンを有することが好ましい。これにより、本来的に必要な引出導体パターンを容量形成用導体パターンの一方に兼用でき、その分、より小型化できる。

（８）複数の前記絶縁層により直方体状の積層体が構成され、この積層体の第１面と、当該第１面とは反対側の面である第２面とを備え、第１コイルの第１端に繋がる端子、第１コイルの第２端に繋がる端子、第２コイルの第１端に繋がる端子、および第２コイルの第２端に繋がる端子それぞれは、第１面および第２面に形成されていることが好ましい。この構造により、磁界結合素子の第１面、第２面のいずれかを実装面として回路基板に実装できる。第１面を実装面とする場合と第２面を実装面とする場合とで、第１コイルの第１端、第２端、および第２コイルの第１端、第２端の引き出し方向が左右対称の関係となる。したがって、第１コイルおよび第２コイルの接続先の回路や素子の位置に適した位置に各端子が配置されるように、磁界結合素子の第１面、第２面のいずれかを実装面として回路基板に実装できる。

（９）本発明のアンテナ装置は、上記（１）から（８）のいずれかに記載の磁界結合素子と、前記第１コイルの第１端に接続された放射素子と、前記第２コイルの第１端に接続された無給電共振回路と、を備え、前記第１コイルの第１端は給電回路接続部であり、
前記第２コイルの第１端はグランドに接続されていることを特徴とする。

上記構成により、給電回路から視た放射素子の反射損失の周波数特性が、無給電共振回路の共振特性によって調整され、所望の周波数帯にポールが生じて、アンテナの周波数特性が広帯域化される。

（１０）前記第１コイルの第２端から第１端への巻回方向と、前記第２コイルの第１端から第２端への巻回方向は逆であることが好ましい。これにより、第１コイルおよび第２コイルのインダクタンスは、第１コイルと第２コイルとの結合による相互インダクタンスにより低下し、放射素子の回路特性および放射特性への影響が小さい。

（１１）前記給電回路接続部と前記第１コイルとの間に接続される、周波数依存性を有する移相器を更に備えることが好ましい。これにより、広帯域に亘ってインピーダンス整合するアンテナ装置が構成できる。

（１２）前記第２コイルの前記無給電共振回路が接続される第１端子とは反対側の第２端子は前記グランドに接続されて、前記第１コイルと前記給電回路との間の線路の長さ、および前記第２コイルの前記第２端子と前記グランドとの間の線路の長さは、共振周波数の１／８波長未満であることが好ましい。

磁界結合素子は主に磁界結合を利用しているため、流れる電流が強い箇所に磁界結合素子を挿入する方が強く結合する。強く結合することにより、磁界結合素子と無給電素子とを追加することによる共振の影響を強くすることができ、共振帯域幅が拡がるので通信可能な周波数帯が拡がる、また、信号強度が強くなり、通信特性が高まる。

（１３）アンテナ装置は、前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続されたインダクタを備えてもよい。これにより、電流が小さい箇所にインダクタが挿入されるので、結合の変化を抑えつつ（インピーダンスの整合性の変化を抑えつつ）、無給電共振回路側の共振周波数を下げることができ、所望の通信帯域を得られる。または共振周波数を維持しつつ無給電共振回路の長さを短くすることができ、スペースが抑えられる。

（１４）アンテナ装置は、前記第２コイルの前記第１端子と前記グランドとの間に接続されたインダクタを備えてもよい。これにより、磁界結合素子を挿入したことによる、グランドと磁界結合素子との間の寄生容量によるリアクタンスを抑制でき、磁界結合素子を実装しない状態での整合状態からの変化を抑えることができる。また、無給電共振回路の共振周波数を下げることができ、所望の通信帯域や通信特性が得られる。または共振周波数を維持しつつアンテナの長さを短くすることができ、スペースが抑えられる。

（１５）アンテナ装置は、前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続されたキャパシタを備えてもよい。これにより、無給電共振回路側の共振周波数を上げることができ、所望の通信帯域を得られる。

（１６）アンテナ装置は、前記第２コイルの前記第１端子と前記グランドとの間に接続されたキャパシタを備えてもよい。これにより、磁界結合素子を挿入したことによる、グランドと磁界結合素子間の寄生容量を弱めることができ、磁界結合素子を実装しない状態での整合状態からの変化を抑えることができる。また、無給電共振回路側の共振周波数を上げることができ、所望の通信帯域や通信特性を得られる。

（１７）アンテナ装置は、前記第１コイルと前記給電回路との間に接続される第３コイルと、当該第３コイルに結合する第４コイルを有する第２磁界結合素子を備え、
前記第４コイルに接続される第２無給電共振回路を備える、構成としてもよい。これにより、追加できる共振の数を増やすことができ、帯域幅が拡がるので通信できる領域が拡がる。共振の周波数が同じであればインピーダンスの整合性が向上する。

（１８）アンテナ装置は、前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続される第３コイルと、当該第３コイルに結合する第４コイルを有する第２磁界結合素子を備え、
前記第４コイルに接続される第２無給電共振回路を備えてもよい。この構造によれば、複数の無給電共振回路を利用でき、通信特性が向上する。

（１９）アンテナ装置は、前記無給電共振回路と前記グランドとの間に接続されるスイッチを備えてもよい。これにより、磁界結合素子と無給電共振回路とを設けることにより追加する共振周波数を変化させたり、マッチングを変化させたりしてインピーダンスの整合性を改善できる。また、磁界結合素子と無給電共振回路に結合しやすいように共振周波数を変化させたり、マッチングを変化させたりしてインピーダンスの整合性を改善することができる。

（２０）前記磁界結合素子が寄生容量を備える場合に、アンテナ装置は、前記磁界結合素子に接続され、前記寄生容量との並列共振によって、前記磁界結合素子に生じるリアクタンス成分を抑制するインダクタを備えることが好ましい。これにより、磁界結合素子を挿入することで付与されるリアクタンス成分が打ち消され、磁界結合素子を実装しない状態での整合状態からの変化が抑えられる。

（２１）本発明のアンテナ装置は、上記（１）から（８）のいずれかに記載の磁界結合素子と、第１箇所が前記第１コイルの第１端に接続され、第２箇所が給電回路に接続される放射素子と、前記第２コイルの第１端に接続された無給電共振回路と、を備え、前記第１コイルの第２端はグランドに接続され、前記第２コイルの第２端はグランドに接続されていることを特徴とする。

上記構成により、磁界結合素子の第１コイルに接続された放射素子と、磁界結合素子の第２結合素子に接続された無給電共振回路とは、放射に関して互いに干渉せず、放射素子の放射特性が悪影響を受けない。また、無給電共振回路の共振特性によって、給電回路から視た放射素子の反射損失の周波数特性が調整され、所望の周波数帯にポールが生じて、アンテナの周波数特性が広帯域化される。特に、グランドに接続される部分は電流強度が強いため、磁界結合素子を介して放射素子と無給電共振回路とを結合させることができる。また、磁界結合素子および無給電共振回路の配置自由度が高まる。

（２２）本発明の電子機器は、上記アンテナ装置と、前記磁界結合素子に接続される給電回路と、当該給電回路を収める筐体と、を備え、前記放射素子の一部または全部は前記筐体の一部であることを特徴とする。

上記構成により、放射素子専用の導電性部材や導体パターンを設ける必要がなく、小型化できる。また、金属筐体を備える電子機器においても、金属筐体で遮蔽されることがない。

本発明によれば、インダクタンス成分が小さく且つ第１コイルと第２コイルとの結合係数の高い磁界結合素子、それを備えるアンテナ装置および電子機器が得られる。

図１は、本発明の実施形態に係る磁界結合素子の一例である結合回路３０の斜視図である。 図２は結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。 図３は、結合回路３０の回路図である。 図４は本発明の実施形態に係るアンテナ装置１０１と、それを備える電子機器の主要な構成を示す斜視図である。 図５はアンテナ装置１０１の主要部の平面図である。 図６は、結合回路３０と、それに接続される回路の構成を示す図である。 図７（Ａ）はハイバンドにおけるアンテナ装置１０１の等価回路図である。図７（Ｂ）はローバンドにおけるアンテナ装置１０１の等価回路図である。 図８はアンテナ装置１０１と比較例のアンテナ装置とについて、それらの反射損失の周波数特性を示す図である。 図９は、結合回路の結合の強さによるインピーダンス整合の違いについて示す概念図である。 図１０（Ａ）〜（Ｈ）は第１コイルまたは第２コイルの幾つかの導体パターンの例を示す図である。 図１１は、第２の実施形態に係るアンテナ装置１０２の回路構成を示す図である。 図１２は、第３の実施形態に係るアンテナ装置１０３の回路構成を示す図である。 図１３は、第４の実施形態に係るアンテナ装置１０４の回路構成を示す図である。 図１４は、第５の実施形態に係るアンテナ装置１０５の回路構成を示す図である。 図１５は、第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ａの回路構成を示す図である。 図１６は、第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｂの回路構成を示す図である。 図１７は、第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｃの回路構成を示す図である。 図１８は、第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｄの回路構成を示す図である。 図１９（Ａ）は第７の実施形態に係るアンテナ装置１０７Ａの回路構成を示す図であり、図１９（Ｂ）は第７の実施形態に係るアンテナ装置１０７Ｂの回路構成を示す図である。 図２０は、第７の実施形態に係る結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。 図２１は第７の実施形態に係る結合回路３０の断面図である。 図２２は、第７の実施形態に係る結合回路３０の、特に導体パターンＬ１２と導体パターンＬ２１との重なりを示す平面図である。 図２３は、第７の実施形態に係る、別の結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。 図２４は、第８の実施形態に係るアンテナ装置１０８の回路構成を示す図である。 図２５は、第９の実施形態に係るアンテナ装置１０９の回路構成を示す図である。 図２６は、第１０の実施形態に係るアンテナ装置１１０の回路構成を示す図である。 図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）は、第１１の実施形態に係るアンテナ装置１１１Ａ，１１１Ｂの回路構成を示す図である。 図２８は、第１２の実施形態に係るアンテナ装置１１２の回路構成を示す図である。 図２９は、第１３の実施形態に係るアンテナ装置１１３の回路構成を示す図である。 図３０は、第１４の実施形態に係るアンテナ装置１１４の回路構成を示す図である。 図３１（Ａ）は、第１５の実施形態に係るアンテナ装置１１５の回路構成を示す図である。図３１（Ｂ）は、図３１（Ａ）に示したアンテナ装置１１５と比較例のアンテナ装置について、それらの反射損失の周波数特性を示す図である。 図３２は、第１６の実施形態に係るアンテナ装置１１６の回路構成を示す図である。 図３３は第１７の実施形態に係るアンテナ装置１１７の回路構成を示す図である。 図３４はアンテナ装置１１７の反射損失の周波数特性を示す図である。 図３５は第１８の実施形態に係るアンテナ装置１１８Ａの回路図である。 図３６は第１８の実施形態に係る別のアンテナ装置１１８Ｂの回路図である。 図３７は第１８の実施形態に係る更に別のアンテナ装置１１８Ｃの回路図である。 図３８は第１９の実施形態に係るアンテナ装置１１９の主要部の平面図である。 図３９は第１９の実施形態の結合回路３０の斜視図である。 図４０は、第１９の実施形態の別の結合回路３０の構成を示す図であり、結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。 図４１は、給電回路１が接続される、第２０の実施形態に係るアンテナ装置１２０の回路図である。 図４２は、第２０の実施形態に係る移相器５０を、理想トランスＩＴと寄生インダクタンス成分とに分けて表した等価回路図である。 図４３は移相器５０の移相量の周波数特性を示す図である。 図４４（Ａ）は、移相器５０を備えない、第１の実施形態で示したアンテナ装置の回路図であり、図４４（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。 図４５（Ａ）は移相器５０を追加したアンテナ装置の回路図であり、図４５（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。 図４６（Ａ）はインピーダンス整合用キャパシタＣ５を備えるアンテナ装置の回路図であり、図４６（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。 図４７は、図４４（Ａ）、図４６（Ａ）に示した各アンテナ装置および比較例のアンテナ装置の反射損失の周波数特性を示す図である。 図４８は移相器５０の外観斜視図である。 図４９は移相器５０の各層の平面図である。 図５０は移相器５０の断面図である。 図５１は特許文献１に示されている結合度調整回路を多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。

《第１の実施形態》
図１は、本発明の磁界結合素子の一例である結合回路３０の斜視図であり、図２は結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

本実施形態の結合回路３０は電子機器内の回路基板に実装される、直方体状のチップ部品である。図１においては、結合回路３０の外形とその内部の構造とを分離して図示している。結合回路３０の外形は二点鎖線で表している。結合回路３０の外面には、給電回路接続端子ＰＦ、放射素子接続端子ＰＡ、グランド端子ＰＧ、および無給電共振回路接続端子ＰＳが形成されている。また、結合回路３０は第１面ＭＳ１と当該第１面とは反対側の面である第２面ＭＳ２とを備える。本実施形態では、第１面ＭＳ１が実装面であり、この面が回路基板に対向する。実装面（第１面）ＭＳ１とは反対側の面である天面（第２面）には方向識別マークＤＤＭが付与されている。この方向識別マークＤＤＭは、例えば結合回路３０を実装機でチップ部品を回路基板へ実装する際に、チップ部品の方向を検出するために利用される。

結合回路３０の内部には、第１導体パターンＬ１１、第２導体パターンＬ１２、第３導体パターンＬ２１、第４導体パターンＬ２２が形成されている。第１導体パターンＬ１１と第２導体パターンＬ１２とは層間接続導体Ｖ１を介して接続されている。第３導体パターンＬ２１と第４導体パターンＬ２２とは層間接続導体Ｖ２を介して接続されている。なお、図１においては、上記各導体パターンが形成された絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２を積層方向に分離して表している。これら絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２はLTCC（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）等で構成された非磁性セラミック積層体であってもよいし、ポリイミドや液晶ポリマー等の樹脂材料で構成した樹脂積層体であってもよい。このように、基材層が非磁性体であることにより（磁性体フェライトではないので）、数100MHzを超える高周波数帯でも結合回路として用いることができる。

上記各導体パターンおよび層間接続導体は、AgやCuを主成分とする比抵抗の小さな導体材料によって構成される。基材層がセラミックであれば、例えば、AgやCuを主成分とする導電性ペーストのスクリーン印刷および焼成により形成される。また、基材層が樹脂であれば、例えば、Al箔やCu箔等の金属箔がエッチング等によりパターニングされることにより形成される。

給電回路接続端子ＰＦおよび放射素子接続端子ＰＡは第１コイルの両端が接続される端子であり、放射素子接続端子ＰＡおよびグランド端子ＰＧは第２コイルの両端が接続される端子である。各端子の名称は、後に示すアンテナ装置に適用した場合の名称であるが、ここでは、その名称を用いる。

図２に表れているように、絶縁基材Ｓ１１に第１導体パターンＬ１１、絶縁基材Ｓ１２に第２導体パターンＬ１２、絶縁基材Ｓ２１に第３導体パターンＬ２１、絶縁基材Ｓ２２に第４導体パターンＬ２２、がそれぞれ形成されている。これらコイル導体パターンは、実装面に近い層から順に第１導体パターンＬ１１、第２導体パターンＬ１２、第３導体パターンＬ２１、第４導体パターンＬ２２が配置されるように、絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２が積層されている。なお、図２では、コイル導体パターンが形成されている絶縁基材について表している。本実施形態の結合回路３０は、絶縁基材Ｓ１１より下方、絶縁基材Ｓ２２より上方のそれぞれに、コイル導体パターンが形成されていない絶縁基材が積層されている。

第１導体パターンＬ１１の第１端は放射素子接続端子ＰＡに接続されていて、第２端は層間接続導体Ｖ１を介して第２導体パターンＬ１２の第１端に接続されている。第２導体パターンＬ１２の第２端は給電回路接続端子ＰＦに接続されている。また、第３導体パターンＬ２１の第１端は無給電共振回路接続端子ＰＳに接続されていて、第３導体パターンＬ２１の第２端は層間接続導体Ｖ２を介して第４導体パターンＬ２２の第１端に接続されている。第４導体パターンＬ２２の第２端はグランド端子ＰＧに接続されている。

上記第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２とは、絶縁層の平面視で重なっている。図２に示す例では、第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２とは平面視で同一位置に存在する。

結合回路３０を樹脂多層基板で構成する場合、上記絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２は例えば液晶ポリマー（LCP）シートであり、導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は例えば銅箔をパターンニングしたものである。また、結合回路３０をセラミック多層基板で構成する場合、上記絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２は例えばLTCCであり、導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は例えば銅ペーストを印刷形成したものである。

図３は、上記４つのコイル導体パターンを含む結合回路３０の回路図である。第２導体パターンＬ１２と第１導体パターンＬ１１は直列接続されて第１コイル３１を構成している。同様に、第４導体パターンＬ２２と第３導体パターンＬ２１は直列接続されて第２コイル３２を構成している。第２導体パターンＬ１２と第３導体パターンＬ２１とは積層方向に隣接していて、この第２導体パターンＬ１２と第３導体パターンＬ２１との磁界結合が特に強いので、図３においては、左右に隣接させて描いている。もちろん、第２導体パターンＬ１２および第１導体パターンＬ１１は第４導体パターンＬ２２および第３導体パターンＬ２１とそれぞれ磁界結合する。なお、後に示す電子機器における結合回路３０の配置との対応をとるために、図３では右側を一次、左側を二次として表している。

上記構成により、各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は平面視で全周に亘って重なり、各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は積層方向に最も近接している（他の絶縁基材を介さないで積層方向に隣接している）ので、第１コイルと第２コイルとの結合係数が高い。さらに、第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２とは、互いに積層方向に配置されて平面視で重なっているので、第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２とが磁界結合する。そのため、第１コイルと第２コイルとの結合係数が高まる。また、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２が平面視で重なっているので、従来構造のように、複数の層間接続導体が、平面視で分散配置されている構造に比べて、層間接続導体による磁界結合の妨げが少ない。この作用によっても、第１コイルと第２コイルとの結合係数が高まる。

また、第１コイル３１の放射素子接続端子ＰＡから給電回路接続端子ＰＦへの巻回方向と、第２コイル３２の無給電共振回路接続端子ＰＳからグランド端子ＰＧへの巻回方向とは同じであり、且つ層間接続導体Ｖ１の一端（導体パターンＬ１１との接続点）から他端（導体パターンＬ１２との接続点）までの方向と、層間接続導体Ｖ２の一端（導体パターンＬ２１との接続点）から他端（導体パターンＬ２２との接続点）までの方向とは同じである。つまり、層間接続導体Ｖ１と層間接続導体Ｖ２との磁界結合の極性は、導体パターンＬ１１，Ｌ１２と、導体パターンＬ２１，Ｌ２２との磁界結合の極性と同じである。したがって、層間接続導体Ｖ１と層間接続導体Ｖ２との結合は、第１コイル３１と第２コイル３２との結合を強める。よって、この作用によっても、第１コイル３１と第２コイル３２との結合係数が高まる。

また、本実施形態では、第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２は、複数の絶縁層のうち単一の絶縁層（第３導体パターンＬ２１が形成されている絶縁基材Ｓ２１）のみを介して積層方向に配置されている。これにより、第１層間接続導体Ｖ１と第２層間接続導体Ｖ２とが最接近するので、上記結合係数の向上効果がより高い。

図２に表れているように、第１導体パターンＬ１１は約０．５ターン、第２導体パターンＬ１２は約１ターン、第３導体パターンＬ２１は約０．７５ターン、第４導体パターンＬ２２は約０．７５ターン、である。つまり、第１コイル３１は１．５ターンであり、第２コイル３２は１．５ターンである。このように、第１コイルおよび第２コイルのターン数は一般的な高周波トランスより少なく、一次インダクタンスおよび二次インダクタンスは小さい。具体的には、第１コイル３１および第２コイル３２の少なくとも一方のコイルの巻回数が２ターン未満であることが好ましい。その上、上述したとおり、第１コイル３１と第２コイル３２との結合係数は高い（例えば約０．８）ため、漏れインダクタンスも小さい。また、漏れ磁束を抑制するためにコイル軸方向に平面視で第１コイル３１と第２コイル３２それぞれはループしてコイルが閉じていること、言い換えるとトーラス形状となっていること、が好ましい。つまり１ターン以上巻回されていることが好ましい。

図１０（Ａ）〜（Ｈ）は第１コイルまたは第２コイルの幾つかの導体パターンの例を示す図である。異なる層に形成されている導体パターンは平面視で重なっているが、何ターンであるかを示すために、図１０（Ａ）〜（Ｈ）においては、各層の導体パターンの重なりを敢えてずらして図示している。

結合回路３０を構成する積層体が直方体であり、直方体の１つの側面にコイルの両端部が引き出される場合は、図１０（Ａ）（Ｂ）に例示するように、第１コイル３１、第２コイル３２それぞれのターン数ｎは、１．７５＜ｎ＜２．２５であることが好ましい。図１０（Ａ）は導体パターンを２層の絶縁層に形成した例であり、１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約０．７５ターンとすれば、約１．７５ターンで、１つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。図１０（Ｂ）は導体パターンを３層の絶縁層に形成した例であり、１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約１ターン、３層目の導体パターンを約０．２５ターンとすれば、約２．２５ターンで、１つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。

結合回路３０を構成する積層体が直方体であり、直方体の１つの側面にコイルの一端部が引き出され、コイルの巻回方向に隣接する他の側面にコイルの他端部が引き出される場合、コイルのターン数は１＜ｎ＜１．５であることが好ましい。図１０（Ｃ）は導体パターンを２層で構成する場合の例であり、１層目の導体パターンを約０．７５ターン、２層目の導体パターンを約０．２５ターンとすれば、約１ターンで、２つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。図１０（Ｄ）は導体パターンを２層で構成する場合の例であり、１層目の導体パターンを約０．７５ターン、２層目の導体パターンを約０．７５ターンとすれば、約１．５ターンで、２つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。

結合回路３０を構成する積層体が直方体であり、直方体の１つの側面にコイルの一端部が引き出され、コイルの巻回方向とは逆方向に隣接する他の側面にコイルの他端部が引き出される場合、コイルのターン数は１．５＜ｎ＜２であることが好ましい。図１０（Ｅ）は導体パターンを２層で構成する場合であり、１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約０．５ターンとすれば、約１．５ターンで、２つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。図１０（Ｆ）は導体パターンを２層で構成する場合であり、１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約１ターンとすれば、約２ターンで、２つの側面にコイルの両端部を引き出すことができる。

結合回路３０を構成する積層体が直方体であり、直方体の１つの側面にコイルの一端部が引き出され、その側面に対向する他の側面にコイルの他端部が引き出される場合、コイルのターン数は１．２５＜ｎ＜１．７５であることが好ましい。図１０（Ｇ）は、導体パターンを２層の絶縁層に形成した例であり、１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約０．２５ターンとすれば、約１．２５ターンという少ないターン数で、対向する２つの側面にコイルの両端部をそれぞれ引き出すことができる。図１０（Ｈ）は１層目の導体パターンを約１ターン、２層目の導体パターンを約０．７５ターンとすれば、約１．７５ターンで、対向する２つの側面にコイルの両端部をそれぞれ引き出すことができる。

また、第１コイル３１および第２コイル３２を構成する各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は、積層方向において、結合回路３０を構成する積層体の積層高さの１／３未満の範囲に収まっている。そのため、第１コイル３１と第２コイル３２との結合係数が高い。つまり、積層体において、よりコイルのターン数を増やすことができるにも関わらず、コイルのターン数を増やさないことにより、コイルのインダクタンスを抑えつつ結合係数を高めている。また、この構造により、積層体内の各導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２と、周辺に近接する電子部品や導体との不要結合が抑制される。

積層体内部に容量パターン等の第１コイル３１および第２コイル３２のいずれにも接続されない他のパターンがある場合には次のように構成する。まず、他のパターンと積層体の上面または実装面との間の領域に第１コイル３１および第２コイル３２が設けられている場合、第１コイル３１および第２コイル３２は当該領域の積層高さの１／３未満の範囲に収まっていることが好ましい。また２つの「他のパターン」があって、その２つの他のパターンの間の領域に第１コイル３１および第２コイル３２が設けられている場合、第１コイル３１および第２コイル３２は、上記２つの「他のパターン」間の領域の積層高さの１／３未満の範囲に収まっていることが好ましい。これにより、周辺に近接する電子部品や導体、積層体内にある他の導体パターンとの不要結合を抑制する。

また、第１導体パターンＬ１１および第４導体パターンＬ２２は、第２導体パターンＬ１２および第３導体パターンＬ２１に比べてターン数が少ない。つまり、内層より外層に近い側のコイル導体パターンの導体パターン長が相対的に短い。これにより、周辺に近接する電子部品や導体と結合回路３０との対向面積が小さくなり、不要結合が抑制される。

本実施形態によれば、インダクタンス成分が小さく且つ第１コイルと第２コイルとの結合係数の高い磁界結合素子が得られる。

図２に示した例では、第２導体パターンＬ１２の一部に容量形成用導体パターンＣ１１が形成されていて、第３導体パターンＬ２１の一部に容量形成用導体パターンＣ１２が形成されている。

そのため、図３に示すように、第２導体パターンＬ１２の途中と無給電共振回路接続端子ＰＳとの間に容量Ｃ１が構成される。この容量Ｃ１は、この結合回路３０に接続される高周波回路のインピーダンス整合回路として作用する。

容量形成用導体パターンＣ１１は、第２導体パターンＬ１２から、この第２導体パターンＬ１２の周回範囲より外方へ突出する形状である。また、容量形成用導体パターンＣ１２は、第３導体パターンＬ２１から、この第３導体パターンＬ２１の周回範囲より外方へ突出する形状である。このように、容量形成用導体パターンを備えながらも、コイル形成用の導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２は平面視で全周に亘って重なるので、容量形成用導体パターンが、コイル開口を透過する磁束を妨げず、第１コイルと第２コイルとの結合係数を高く維持できる。

また、容量形成用導体パターンＣ１１，Ｃ１２はコイル形成用の導体パターンの一部に（部分的に）形成しているので、これら容量形成用導体パターンと、周辺に近接する電子部品や導体との不要結合が抑制される。

また、容量形成用導体パターンＣ１２は、絶縁基材Ｓ２１の端部である無給電共振回路接続端子ＰＳに達する引出導体パターンの一部でもある。このように、本来的に必要な引出導体パターンを容量形成用導体パターンの一方に兼用することで、その分、結合回路３０を小型化できる。

次に、結合回路３０を備えるアンテナ装置および電子機器について示す。図４はアンテナ装置１０１と、それを備える電子機器の主要な構成を示す斜視図である。図５はアンテナ装置１０１の主要部の平面図である。

電子機器の金属筐体は金属筐体端部である放射素子１０と金属筐体主要部４０とを備える。金属筐体主要部４０は、平面部４１、側面部４２，４３で構成される。

アンテナ装置１０１は、放射素子１０と、無給電共振回路２０と、結合回路３０と、を備える。

放射素子１０は金属筐体端部であり、端面部１１、側面部１２，１３で構成されている。側面部１２の端部はインダクタ８を介して回路基板６のグランドに接続（接地）されている。側面部１３の端部は開放されているが、この開放端とグランドとの間に寄生容量Ｃが生じる。なお、回路基板６にＵＳＢ等のコネクタ７が搭載されていて、端面部１１にコネクタ７のための開口が形成されているが、このコネクタ７はアンテナ装置１０１の構成要素ではない。

回路基板６は、グランド電極ＧＮＤが形成されているグランド領域ＧＺと、グランド電極が形成されていない非グランド領域ＮＧＺを有する。放射素子１０である金属筐体端部は非グランド領域の側に位置する。回路基板６の非グランド領域ＮＧＺには、導体パターンによる無給電共振回路２０が形成されている。また、回路基板６の非グランド領域ＮＧＺに、結合回路３０と放射素子１０とを接続する給電線路９が形成されている。

図５に表れているように、無給電共振回路２０は、途中に折り返し部２０ＦＢを有する線状の導体パターンで構成されている。このように、途中に折り返し部を有する線状の導体パターンで構成されることにより、無給電共振回路２０は省スペースに設けられる。また、本実施形態では、結合回路３０から延伸する第１線状導体パターン部２１と、放射素子１０から遠ざかる側に折り返された第２線状導体パターン部２２とを有する。この構造により、放射素子１０（特に端面部１１）に近接する部分は短く、且つ、延伸方向が互いに逆方向であるので、放射素子１０（特に端面部１１）との実質的な結合は小さい。これにより、無給電共振回路２０と放射素子１０との不要な結合が抑制される。

なお、第２線状導体パターン部２２は第１線状導体パターン部２１より線幅が太いので、共振する帯域幅を広げることができる。

図６は、結合回路３０と、それに接続される回路の構成を示す図である。結合回路３０は第１コイル３１と第２コイル３２とを有し、第１コイル３１と第２コイル３２とでトランスが構成されている。第１コイル３１と第２コイル３２のインダクタンスは小さく、それぞれ１０ｎＨ以下である。放射素子１０と無給電共振回路２０は、結合回路３０を介して結合係数０．５以上、好ましくは結合係数０．８以上で結合する。結合素子のインダクタンスが小さいほど放射素子１０の回路特性および放射特性への影響が抑えることができる。結合係数が大きいほど放射素子１０と無給電共振回路２０とを電気的に接続することができ、無給電共振回路２０が共振に大きく寄与する周波数のみに共振点を加えることができる。このように、第１コイル３１と第２コイル３２とが電磁界結合するトランスを構成することにより、第１コイル３１と第２コイル３２との結合係数の高い結合回路が構成され、給電回路１から放射素子１０を視たときの無給電共振回路２０の共振特性が顕れやすい。

第１コイル３１は放射素子１０と給電回路１との間に接続される。第２コイル３２の第１端は無給電共振回路２０に接続され、第２端は回路基板６のグランドに接続（接地）される。

本実施形態の電子機器によれば、給電回路を収める筐体の金属部を放射素子として利用するので、放射素子専用の導電性部材や導体パターンを設ける必要がなく、小型化できる。また、金属筐体を備える電子機器においても、金属筐体で遮蔽されることがない。

図７（Ａ）はハイバンドにおけるアンテナ装置１０１の等価回路図である。ハイバンド（例えば1.6GHz〜2.3GHz）でインダクタ８（図５、図６参照）は所定の高インピーダンスとなって、放射素子１０の先端は等価的に開放状態となる。この状態で放射素子１０は３／４波長または（２ｎ＋１）／４波長（ｎは自然数）で共振するモノポール系アンテナとして作用する。

図７（Ｂ）はローバンドにおけるアンテナ装置１０１の等価回路図である。ローバンド（例えば700MHz〜900MHz）でインダクタ８は所定のインダクタンスを示し、放射素子１０の先端はインダクタ８を介して接地される。この状態で放射素子１０は１波長またはその整数倍波長のループアンテナとして作用する。

図７（Ａ）（Ｂ）に示すインダクタＬ２０およびキャパシタＣ２０による直列回路は、無給電共振回路２０を集中定数回路で簡素に記述した等価回路として表すための素子である。無給電共振回路２０は、所定周波数で３／４波長または（２ｎ＋１）／４波長（ｎは自然数）で共振するオープンスタブのように作用する。そのため、図７（Ａ）（Ｂ）ではキャパシタＣ２０で表している。無給電共振回路２０は例えば2.1GHzを中心とする周波数帯で共振する。但し、本実施形態では、無給電共振回路２０は、線状導体パターンが途中で折り返された形状であるため、単純な直線状の導体パターンに比べて、線状導体パターンに顕著な定在波が形成されず、共振回路としての共振のＱ値は比較的小さい。

図８はアンテナ装置１０１と比較例のアンテナ装置とについて、それらの反射損失の周波数特性を示す図である。図８において、反射損失特性ＲＬ１は本実施形態のアンテナ装置１０１の反射損失、反射損失特性ＲＬ２は比較例のアンテナ装置の反射損失である。比較例のアンテナ装置は、結合回路３０および無給電共振回路２０を備えないアンテナ装置である。いずれのアンテナ装置においても、ローバンド（700MHz〜900MHz）の中心周波数Ｆ１にポールが生じている。これは、図７（Ｂ）に示したループアンテナの共振特性によるものである。また、周波数Ｆ２（1.75GHz付近）にポールが生じている。これは、図７（Ａ）に示したモノポールアンテナの３／４波長共振によるものである。さらに、周波数Ｆ３（2.3GHz付近）にポールが生じている。これは、図７（Ａ）に示したモノポールアンテナの５／４波長共振によるものである。

なお、図６に示した第１コイル３１と給電回路１との間の線路の長さ“ｒ１”、および第２コイル３２の端部とグランドとの間の線路の長さ“ｒ２”は、共振周波数の１／８波長未満であることが好ましい。ここでの波長とは、磁性体や誘電体による波長短縮効果を考慮した実効波長の意味を含む。「１／８波長」を閾値としているのは、１／８波長電流が１／√２になる、言い換えると伝送できる電力が半分になる、条件までは実用的である、ということに基づいている。

ここで、上記結合の強さによるインピーダンス整合の違いについて、概念図を図９に示す。図９において、軌跡Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３は、給電回路１からアンテナ装置１０１を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。軌跡Ｔ１は結合回路３０および無給電共振回路２０が無い状態での特性であり、軌跡Ｔ２は、結合回路３０の第１コイル３１と第２コイル３２とが適度に結合した状態での特性であり、軌跡Ｔ３は、結合回路３０の第１コイル３１と第２コイル３２との結合が強すぎる状態での特性である。

このように、結合回路３０の第１コイル３１と第２コイル３２との結合が強すぎても、給電回路から視た入力インピーダンスが給電回路（および伝送線路）側のインピーダンス（例えば５０Ω）から外れる。したがって、結合回路３０の第１コイル３１と第２コイル３２とが適度に結合することが重要である。上記第１コイル３１と給電回路１との間の線路の長さ“ｒ１”、および第２コイル３２の端部とグランドとの間の線路の長さ“ｒ２”は、共振周波数の１／８波長未満の範囲で定めることで、結合回路３０による結合を適度に定めることができる。

本実施形態のアンテナ装置１０１においては、周波数Ｆ０（2.1GHz付近）にもポールが生じている。これは、無給電共振回路２０の共振特性によるものである。すなわち、無給電共振回路２０は中心周波数2.1GHzの周波数帯域で共振するため、給電回路１から視たアンテナ装置１０１の反射損失の周波数特性には、この2.1GHzでポールが生じる。本実施形態のアンテナ装置１０１によれば、1.6GHz〜2.3GHzにわたって、ハイバンドの適用周波数帯が広帯域化される。

また、ローバンドにおいて無給電共振回路２０は共振せず、ローバンドの反射損失特性に影響を与えない。つまり、給電回路１から視た反射損失特性において、例えば1.6GHz以上の周波数帯で無給電共振回路２０が影響を与え、それより低い周波数帯では無給電共振回路２０は実質的に影響を与えない。

上述のとおり、結合回路３０は、そのインダクタンス成分は小さいので、この結合回路３０をアンテナ回路に挿入した場合でも放射素子の放射特性に影響を与えにくい。また、結合回路３０の第１コイルと第２コイルとの結合係数が高いので、給電回路１から放射素子１０を視たときの無給電共振回路２０の共振特性が顕れやすい。このことで、新たな深い共振点が追加され、放射素子と給電回路とが整合する周波数帯域が広がる。

上記周波数Ｆ０付近の反射損失の特性は、無給電共振回路２０の共振特性によって定まるので、無給電共振回路２０を構成する導体パターンの形状によって、周波数Ｆ０付近の反射損失の特性を適宜定めることができる。本実施形態では、無給電共振回路２０は、途中に折り返し部を有する線状の導体パターンで構成されているので、無給電共振回路２０の共振の鋭さが緩くなり、無給電共振回路２０により、上記周波数Ｆ０に生じるポールを含むその近傍域で反射係数を広く減衰させることができる。

なお、オープンスタブのように作用する無給電共振回路２０は、放射素子１０とは実質的に独立して設けられているので、例えば放射素子にスタブを形成するような場合に比較してローバンドに対する影響が無い。

また、第１コイル３１の給電回路接続端子ＰＦから放射素子接続端子ＰＡへの巻回方向と、第２コイル３２の無給電共振回路接続端子ＰＳからグランド端子ＰＧへの巻回方向は逆である。つまり、第１コイル３１に給電回路接続端子ＰＦから放射素子接続端子ＰＡへの方向で電流が流れたときに発生する磁界（磁束）と、第２コイル３２に無給電共振回路接続端子ＰＳからグランド端子ＰＧへの方向で電流が流れたときに発生する磁界（磁束）とは、互いに弱めあう。ここで、放射素子接続端子ＰＡがモノポールアンテナとして共振しているとき、給電回路１およびグランド電極ＧＮＤを介して接続される結合回路３０での第１コイル３１と第２コイル３２との極性は互いに逆となり、第１コイル３１には給電回路接続端子ＰＦから放射素子接続端子ＰＡへ電流が流れ、第２コイル３２には無給電共振回路接続端子ＰＳからグランド端子ＰＧへ電流が流れ、発生する磁界（磁束）は互いに弱めあう。これにより、第１コイル３１および第２コイル３２のインダクタンスは、第１コイル３１と第２コイル３２との結合による相互インダクタンスにより低下し、放射素子１０の回路特性および放射特性への影響が小さい。

また、結合回路３０は容量Ｃ１を備えていて、この容量Ｃ１は給電回路接続端子ＰＦに接続される給電回路と、無給電共振回路接続端子ＰＳに接続される無給電共振回路とのインピーダンス整合回路として作用する。

また、無給電共振回路２０はハイバンドにおいて共振して放射素子として寄与してもよい。さらには、無給電共振回路２０はハイバンドにおいて、放射素子１０、金属筐体主要部４０、と共に共振して放射素子として寄与してもよい。

《第２の実施形態》
図１１は第２の実施形態に係るアンテナ装置１０２の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０２は、結合回路３０の第２コイル３２と無給電共振回路２０との間にインダクタ３５が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

本実施形態によれば、電流の小さい箇所にインダクタ３５が挿入されることになるので、結合回路３０の結合の変化を抑えつつ無給電共振回路２０の共振周波数を下げることができ、所望の通信帯域を得られる。または、共振周波数を維持しつつ無給電共振回路２０の長さを短くすることができ、省スペース化される。

なお、上記インダクタ３５は結合回路３０に一体化してもよい。但し、第１コイル３１とは結合しないように構成することが好ましい。

《第３の実施形態》
図１２は第３の実施形態に係るアンテナ装置１０３の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０３は、結合回路３０の第２コイル３２とグランドとの間にインダクタ３５が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置に結合回路３０を付加すると、グランドと結合回路３０との間に寄生容量が生じる。本実施形態によれば、上記インダクタ３５と上記寄生容量が共振することで、リアクタンス成分を抑制できる。したがって、アンテナ装置に結合回路３０を付加することによってアンテナ特性を変化させたくない周波数帯で、上記寄生容量と共振するようなインダクタンスのインダクタ３５を挿入することで、結合回路３０を実装しない状態での整合状態からの変化を抑えることができる。

また、インダクタ３５の挿入によって無給電共振回路２０の共振周波数を下げることができ、所望の通信帯域や通信特性が得られる。または共振周波数を維持しつつアンテナの長さを短くすることができ、スペースが抑えられる。

なお、上記インダクタ３５は結合回路３０に一体化してもよい。但し、第１コイル３１とは結合しないように構成することが好ましい。

《第４の実施形態》
図１３は第４の実施形態に係るアンテナ装置１０４の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０４は、結合回路３０の第２コイル３２と無給電共振回路２０との間にキャパシタ３６が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

本実施形態によれば、無給電共振回路側の共振周波数を上げることができ、所望の通信帯域を得られる。

なお、上記キャパシタ３６は結合回路３０に一体化してもよい。

《第５の実施形態》
図１４は第５の実施形態に係るアンテナ装置１０５の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０５は、結合回路３０の第２コイル３２とグランドとの間にキャパシタ３６が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

本実施形態によれば、結合回路３０を挿入したことによる、グランドと結合回路３０との間の寄生容量を弱めることができ（合成キャパシタンスが低減され）、結合回路３０を実装しない状態での整合状態からの変化を抑えることができる。また、無給電共振回路２０の共振周波数を上げることができ、所望の通信帯域や通信特性を得られる。

なお、上記キャパシタ３６は結合回路３０に一体化してもよい。

《第６の実施形態》
図１５は第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ａの回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０６Ａは、結合回路３０の第１コイル３１と放射素子１０との間にインダクタ３５が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置１０６Ａの構成によれば、挿入したインダクタ３５よりも電流の強い側である給電側に第１コイル３１が存在するため、無給電共振回路２０に供給される電力比を維持しながら、放射素子１０の共振周波数を変えたり、インピーダンス整合の度合いを調整したりできる。また、第１コイル３１、第２コイル３２によるインダクタンスと、第１コイル３１と第２コイル３２との間に生じる寄生容量とで定まる自己共振周波数が低下し難いので、自己共振周波数が通信周波数帯での使用に悪影響を与えることがない。つまり、自己共振する状態では、その周波数帯のエネルギーがグランドに落ちてしまって放射されないが、自己共振周波数が通信周波数帯より高い状態であれば、そのような問題が生じない。

図１６は第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｂの回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０６Ｂは、結合回路３０の第１コイル３１と給電回路１との間にインダクタ３５が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置１０６Ｂの構成によれば、結合回路３０の第１コイル３１がインダクタ３５の位置よりも電流の弱い側に挿入されているため、放射素子１０と第１コイル３１との間にインダクタを挿入した場合と比較して、結合回路３０および無給電共振回路２０により付加される共振での（共振周波数における）インピーダンス整合の度合いを適度に調整することができる。具体的には、入力インピーダンスが過剰に変化してインピーダンス整合が外れる、といった状況を回避できる。

また、インダクタ３５の挿入により、結合回路３０の自己共振周波数を下げることができるので、放射させたくない周波数帯に上記自己共振周波数を定めることで、不要な放射を抑制できる。

図１７は第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｃの回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０６Ｃは、結合回路３０の第１コイル３１と放射素子１０との間にキャパシタ３６が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置１０６Ｃの構成によれば、挿入したキャパシタ３６のキャパシタンスによって放射素子１０の共振周波数を調整したり、インピーダンス整合の度合いを調整したりできる。

図１８は第６の実施形態に係るアンテナ装置１０６Ｄの回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０６Ｄは、結合回路３０の第１コイル３１と給電回路１との間にキャパシタ３６が接続（挿入）されている。その他の構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置１０６Ｄの構成によれば、挿入したキャパシタ３６のキャパシタンスによって放射素子１０の共振周波数を調整したり、インピーダンス整合の度合いを調整したりできる。また、給電回路１と第１結合素子３１との間にキャパシタ３６が挿入されているので、第１結合素子３１と第２結合素子３２との間に生じる寄生容量と、キャパシタ３６とが直列接続される構造となる。そのため、自己共振回路系に含まれる合成容量が低下して、自己共振周波数が高くなる。このことで、使用する通信帯域から自己共振周波数を外すことができる。

《第７の実施形態》
図１９（Ａ）は第７の実施形態に係るアンテナ装置１０７Ａの回路構成を示す図であり、図１９（Ｂ）は第７の実施形態に係るアンテナ装置１０７Ｂの回路構成を示す図である。これらアンテナ装置１０７Ａ，１０７Ｂの構成は、第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。但し、結合回路３０の第１コイル３１の自己インダクタンスをＬ１、第２コイル３２の自己インダクタンスをＬ２で表すとき、アンテナ装置１０７Ａに設けられた結合回路３０の第１コイル３１、第２コイル３２は、Ｌ２＞Ｌ１の関係にあり、アンテナ装置１０７Ｂでは、Ｌ２＜Ｌ１の関係にある。 Ｌ２＞Ｌ１の関係にあれば、Ｌ１＝Ｌ２である場合に比べて、無給電共振回路２０の共振周波数を下げることができる。または、同じ共振周波数で比較すれば、無給電共振回路２０を短くできる。

また、Ｌ２＞Ｌ１である場合、結合回路３０の外側で第２コイル３２にインダクタが接続（付加）された構成に比べて、相対的に大きな自己インダクタンスの第２コイル３２全体が第１コイル３１との結合に寄与するため、無給電共振回路２０に供給される電力比を大きくできる。

また、Ｌ２＜Ｌ１である場合、結合回路３０の外側で第１コイル３１にインダクタが接続（付加）された構成に比べて、相対的に大きな自己インダクタンスの第１コイル３１全体が第２コイル３２との結合に寄与するため、無給電共振回路２０に供給される電力比を大きくできる。

図２０は本実施形態に係る結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。本実施形態のアンテナ装置が備える結合回路３０は回路基板に実装される、直方体状のチップ部品である。

絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３には、導体パターンＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３がそれぞれ形成されている。導体パターンＬ１１の第１端は放射素子接続端子ＰＡに接続されていて、第２端は層間接続導体Ｖ１を介して導体パターンＬ１２の第１端に接続されている。導体パターンＬ１２の第２端は給電回路接続端子ＰＦに接続されている。導体パターンＬ２１の第１端は無給電共振回路接続端子ＰＳに接続されていて、第２端は層間接続導体Ｖ２１を介して導体パターンＬ２２の第１端に接続されている。導体パターンＬ２２の第２端は層間接続導体Ｖ２２を介して導体パターンＬ２３の第１端に接続されている。そして導体パターンＬ２３の第２端はグランド端子ＰＧに接続されている。

図２１は上記結合回路３０の断面図である。図２２は、特に導体パターンＬ１２と導体パターンＬ２１との重なりを示す平面図である。第１コイル３１を構成する導体パターンＬ１１，Ｌ１２のコイル開口またはコイル径は、第２コイル３２を構成する導体パターンＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３のコイル開口またはコイル径より小さい。また、導体パターンＬ１１，Ｌ１２と導体パターンＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３とは、それらの線幅の一部が重なっている。図２１、図２２に示す例では全周に亘って約１／２の幅だけ重なっている。

図２３は、第７の実施形態に係る、別の結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。図２０に示した例とは、各導体パターンの形状と大きさが異なる。図２３に示す結合回路の各導体パターンのうち、第１コイル３１を構成する導体パターンＬ１１，Ｌ１２のコイル外径は、第２コイル３２を構成する導体パターンＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３のコイル内径より小さい。

図２０〜図２３に示した構成によれば、第１コイル３１を構成する導体パターン（Ｌ１１，Ｌ１２）と、第２コイル３２を構成する導体パターン（Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３）との間に生じる寄生容量が抑制される。そのため、第１コイル３１、第２コイル３２によるインダクタンスと、上記寄生容量とで定まる自己共振周波数が高くなり、使用通信帯域から自己共振周波数を外すことができる。また、第１コイル３１を構成する導体パターン（Ｌ１１，Ｌ１２）と、第２コイル３２を構成する導体パターン（Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３）との面方向（図２２に示すＸ−Ｙ面方向）の位置ずれがあっても、第１コイル３１のコイル開口と第２コイル３２のコイル開口とが重なる部分は一定に保たれるので、第１コイル３１を構成する導体パターン（Ｌ１１，Ｌ１２）と、第２コイル３２を構成する導体パターン（Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３）との面方向の位置ずれに対する、第１コイル３１と第２コイル３２との磁界結合の結合度の変化は小さい。

図２０、図２３のいずれの例も、上記Ｌ１＜Ｌ２の関係にある結合回路の例である。Ｌ１＞Ｌ２とする場合には、第１コイル３１を、相対的にコイル開口の大きな導体パターンで構成すればよい。

なお、図２０、図２３では、第１コイル３１を構成する導体パターン（Ｌ１１，Ｌ１２）と第２コイル３２を構成する導体パターン（Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３）との位置ずれに対する影響を緩和する例を示したが、同様にして、第１コイル３１を構成する各導体パターン同士の面方向の位置ずれに対する影響や、第２コイル３２を構成する各導体パターン同士の面方向の位置ずれに対する影響を緩和することもできる。例えば、積層方向に隣接する導体パターンＬ１１，Ｌ１２の、コイル開口またはコイル径は互いに異なるものとし、それらの線幅の一部が重なる構造としてもよい。同様に、例えば、積層方向に隣接する導体パターンＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３の、コイル開口またはコイル径が交互に互いに異なるものとし、それらの線幅の一部が重なる構造としてもよい。

《第８の実施形態》
図２４は第８の実施形態に係るアンテナ装置１０８の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０８は、第１結合回路３０Ａ、第２結合回路３０Ｂ、第１無給電共振回路２０Ａ、および第２無給電共振回路２０Ｂを備える。第２結合回路３０Ｂは、互いに結合する第３コイル３３および第４コイル３４を有する。第１コイル３１と給電回路１との間に第２結合回路３０Ｂの第３コイル３３が接続されている。第２コイル３２には第１無給電共振回路２０Ａが接続されていて、第４コイル３４には第２無給電共振回路２０Ｂが接続されている。その他の構成は第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

第１無給電共振回路２０Ａと第２無給電共振回路２０Ｂの共振周波数を異なるものとすることで、それらの共振周波数に応じた複数のポールが生じることになり、通信帯域幅が拡がる。また、第１無給電共振回路２０Ａと第２無給電共振回路２０Ｂの共振周波数を実質的に等しくすれば、二つの無給電共振回路で生じるポールが深くなり、その周波数帯でのインピーダンスの整合性が向上する。

《第９の実施形態》
図２５は第９の実施形態に係るアンテナ装置１０９の回路構成を示す図である。このアンテナ装置１０９は、第１結合回路３０Ａ、第２結合回路３０Ｂ、第１無給電共振回路２０Ａ、および第２無給電共振回路２０Ｂを備える。第２結合回路３０Ｂは、互いに結合する第３コイル３３および第４コイル３４を有する。

第２コイル３２と第１無給電共振回路２０Ａとの間には第３コイル３３が接続されている。第２コイル３２には第１無給電共振回路２０Ａが接続されていて、第４コイル３４には第２無給電共振回路２０Ｂが接続されている。その他の構成は第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

本実施形態では、第１無給電共振回路２０Ａと第２無給電共振回路２０Ｂの共振周波数を実質的に等しくすることで、二つの無給電共振回路で生じるポールが深くなり、その周波数帯でのインピーダンスの整合性が向上する。

《第１０の実施形態》
図２６は第１０の実施形態に係るアンテナ装置１１０の回路図である。このアンテナ装置１１０は、無給電共振回路２０とグランドとの間に接続されるスイッチ３７を備える。また、放射素子１０とグランドとの間にスイッチ３８を備える。その他の構成は第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

上記スイッチ３７，３８は独立して、または連動して、切り替えられる。スイッチ３７の状態に応じて、結合回路３０と無給電共振回路２０とを設けることによって生じるポールの周波数を変化させたり、整合状態を変化させたりして、インピーダンスの整合性を改善できる。また、結合回路３０を介して給電回路１に無給電共振回路２０を結合しやすいように、無給電共振回路２０の共振周波数を変化させたり、結合回路３０および無給電共振回路２０による回路とのインピーダンス整合状態を変化させたりしてインピーダンスの整合性を改善することができる。

また、スイッチ３８の状態に応じて、放射素子１０の共振によって生じるポールの周波数を変化させることができる。

《第１１の実施形態》
図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）は、第１１の実施形態に係るアンテナ装置１１１Ａ，１１１Ｂの回路構成を示す図である。図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）いずれの例でも、結合回路３０の第１コイル３１と第２コイル３２との間に、キャパシタＣｓ１，Ｃｓ２等で示す寄生容量を備える。また、結合回路３０は、第１コイル３１と第２コイル３２との間に接続されたインダクタＬ３を備える。

上記インダクタＬ３と寄生容量によるキャパシタＣｓ１，Ｃｓ２とは並列共振する。したがって、結合回路３０に生じるリアクタンス成分はこの並列共振周波数帯で抑制される。これにより、結合回路３０を挿入することで付与されるリアクタンス成分が打ち消され、結合回路３０を実装しない状態での整合状態からの変化が抑えられる。

《第１２の実施形態》
図２８は第１２の実施形態に係るアンテナ装置１１２の回路構成を示す図である。

本実施形態のアンテナ装置１１２は、給電回路１が接続される放射素子１０と、放射素子１０とグランドとの間に接続される第１コイル３１、および当該第１コイル３１に結合する第２コイル３２を有する結合回路３０と、第２コイル３２に接続される無給電共振回路２０と、を備える。また、この例では第１コイル３１とグランドとの間にインダクタ３５が挿入されている。

上記構成により、放射素子１０と無給電共振回路２０とは、放射に関して互いに干渉せず、放射素子１０の放射特性は悪影響を受けない。また、無給電共振回路２０の共振特性によって、給電回路１から視た放射素子１０の反射損失の周波数特性が調整され、所望の周波数帯にポールが生じて、アンテナの周波数特性が広帯域化される。特に、グランドに接続される部分は電流強度が強いため、結合回路３０を介して放射素子１０と無給電共振回路２０とを結合させることができる。また、結合回路３０および無給電共振回路２０の配置自由度が高まる。

《第１３の実施形態》
図２９は第１３の実施形態に係るアンテナ装置１１３の回路構成を示す図である。

本実施形態のアンテナ装置１１３は、結合回路３０および無給電共振回路２０がそれぞれ導体パターンによって形成された基板５を備える。その他の構成は第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

上記基板５は樹脂多層基板またはセラミック多層基板で構成される。樹脂多層基板である場合は、例えば、表面に銅箔のパターンが形成された複数の熱可塑性樹脂基材が積層され、加熱プレスされた基板である。セラミック多層基板である場合は、表面に導体ペーストのパターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが積層され、焼成された基板である。

なお、結合回路３０と無給電共振回路２０とを別体で構成する場合、無給電共振回路２０は上記樹脂多層基板またはセラミック多層基板で構成してもよい。

本実施形態によれば、結合回路３０と無給電共振回路２０とが一体化されるので、省スペース化される。

《第１４の実施形態》
第１４の実施形態では、PIFA（planar inverted-F antenna）と無給電放射素子とを備えるアンテナ装置について示す。

図３０は第１４の実施形態に係るアンテナ装置１１４の回路構成を示す図である。本実施形態のアンテナ装置１１４は、給電放射素子１０Ａ、給電経路１０ＡＦ、無給電放射素子１０Ｂ、結合回路３０を備えている。給電経路１０ＡＦとグランドとの間には給電回路１が接続される。結合回路３０の構成および作用は、上記各実施形態で示したとおりである。

結合回路３０の第１コイル３１は給電放射素子１０Ａと給電経路１０ＡＦとの接続点Ｐｓとグランドとの間に接続されている。この給電放射素子１０Ａと、給電経路１０ＡＦと、第１コイル３１とでPIFAが構成されている。つまり、結合回路３０の第１コイル３１はPIFAのショートピンの箇所に設けられている。ここでいうショートピンは接続点Ｐｓとグランドとの間を接続するものである。この部分にキャパシタやインダクタを備えてもよい。

無給電放射素子１０Ｂはモノポール型の無給電放射素子である。この無給電放射素子１０Ｂのグランド端近傍に結合回路３０の第２コイル３２が挿入されている。

上記給電放射素子１０Ａの開放端と第１コイル３１の接地端との間に給電放射素子の共振電流ｉＡが流れる。また、無給電放射素子１０Ｂの開放端と第２コイル３２の接地端との間に共振電流ｉＢが流れる。給電放射素子１０Ａに流れる電流ｉＡと無給電放射素子１０Ｂに流れる電流ｉＢとは位相が異なる。

一般に、給電放射素子の共振と無給電放射素子の共振とが同位相であると、アンテナ装置の周波数特性において、その二つの共振周波数の間にノッチが入る。そのため、無給電放射素子を設けても広帯域化できない。つまり、広帯域化を目的とする場合に、無給電放射素子は給電放射素子に対して隣接配置できない。

これに対し、本実施形態では、結合回路３０の第１コイル３１に流れる電流と第２コイル３２に流れる電流とは位相差があるので、給電放射素子１０Ａによる共振と無給電放射素子１０Ｂの共振とが同位相とならず、この二つの共振周波数の間にノッチは入らない。第１コイル３１と第２コイル３２とは位相差が最大１８０°であり、寄生成分によって、１８０°以下の位相差が生じる。つまり、第１コイル３１と第２コイル３２との寄生容量の作用により、第１コイル３１に流れる電流と第２コイル３２に流れる電流との位相差は、０°を超え、１８０°未満である。

図３０に示したように、PIFAではその開放端とショート位置との間に共振電流ｉＡが流れるので、給電回路１に流れる電流の位相は共振電流ｉＡの位相とは異なっている。そのため、仮に、給電経路１０ＡＦに結合回路３０の第１コイル３１を挿入し、第２コイル３２に無給電放射素子１０Ｂを接続した場合、無給電放射素子１０Ｂに流れる電流ｉＢの位相と、給電放射素子１０Ａに流れる電流ｉＡの位相とは相関がないため、上述のとおり、給電放射素子１０Ａによる共振と無給電放射素子１０Ｂの共振とが同位相になる可能性があり、その場合に上記ノッチが入る。本実施形態では、このような問題が生じることなく、無給電放射素子１０Ｂを給電放射素子１０Ａに隣接配置可能となる。

なお、本実施形態は給電放射素子をPIFAとして構成する例であるが、給電放射素子はPIFAに限らず、一般的な逆Ｆ型アンテナであってもよく、同様の作用効果を奏する。

《第１５の実施形態》
第１５の実施形態では、複数の無給電放射素子を備えるアンテナ装置の例を示す。

図３１（Ａ）は第１５の実施形態に係るアンテナ装置１１５の回路構成を示す図である。本実施形態のアンテナ装置１１５は、給電放射素子１０Ａ、給電経路１０ＡＦ、無給電放射素子１０Ｂ，１０Ｃ、結合回路３０を備えている。給電経路１０ＡＦとグランドとの間には給電回路１が接続される。

無給電放射素子１０Ｃは、その接地端付近が、主に給電放射素子１０Ａへの給電経路１０ＡＦに結合する。その他の構成は図３０に示したアンテナ装置１１４と同様である。

図３１（Ｂ）は、図３１（Ａ）に示したアンテナ装置１１５と比較例のアンテナ装置について、それらの反射損失の周波数特性を示す図である。図３１（Ｂ）において、反射損失特性ＲＬ１は本実施形態のアンテナ装置１１５の反射損失、反射損失特性ＲＬ２は比較例のアンテナ装置の反射損失である。比較例のアンテナ装置は、結合回路３０および無給電放射素子１０Ｂを備えないで、第１コイル３１をPIFAの単なるショートピンとしたアンテナ装置である。いずれのアンテナ装置においても、ローバンドの中心周波数Ｆ１にポールが生じている。これは、給電放射素子１０Ａの１／４波長共振によるものである。また、周波数Ｆ２にポールが生じている。これは、給電放射素子１０Ａの３／４波長共振によるものである。さらに、周波数Ｆ３にポールが生じている。これは、モノポール型の無給電放射素子１０Ｃの１／４波長共振によるものである。

本実施形態のアンテナ装置１１５においては、周波数Ｆ０にもポールが生じている。これは、無給電放射素子１０Ｂの共振特性によるものである。このように、結合回路３０に接続された無給電放射素子１０Ｂと、結合回路３０による結合を介さない無給電放射素子１０Ｃとを備えるアンテナ装置を構成することもできる。

なお、本実施形態においても、給電放射素子はPIFAに限定されず、一般的な逆Ｆ型アンテナであってもよく、同様の作用効果を奏する。

《第１６の実施形態》
第１６の実施形態では、複数の無給電放射素子を備えるアンテナ装置の例を示す。

図３２は第１６の実施形態に係るアンテナ装置１１６の回路構成を示す図である。本実施形態のアンテナ装置１１６は、給電放射素子１０Ａ、給電経路１０ＡＦ、ショートピン１０ＡＳ、無給電放射素子１０Ｂ，１０Ｃ、結合回路３０を備えている。給電放射素子１０ＡはPIFAの放射素子である。

本実施形態では、結合回路３０の第１コイル３１が無給電放射素子１０Ｂの接地端付近に挿入されていて、結合回路３０の第２コイル３２が無給電放射素子１０Ｃの接地端付近に挿入されている。無給電放射素子１０Ｂは、その接地端付近が、主に給電放射素子１０Ａへの給電経路１０ＡＦに結合する。

本実施形態のように、二つの無給電放射素子１０Ｂ，１０Ｃが結合回路３０を介して結合するように構成してもよい。

なお、本実施形態において、給電放射素子はPIFAや逆Ｆ型アンテナに限定されず、例えばモノポール型の放射素子であってもよい。つまり、無給電放射素子１０Ｂ等と結合する給電放射素子であればよく、同様の作用効果を奏する。

《第１７の実施形態》
図３３は第１７の実施形態に係るアンテナ装置１１７の回路構成を示す図である。本実施形態のアンテナ装置１１７は、給電放射素子１０Ｕ，１０Ｖ、給電経路１０ＡＦ、無給電放射素子１０Ｂ、無給電放射素子１０Ｃ、および結合回路３０を備えている。給電経路１０ＡＦとグランドとの間には給電回路１が接続される。結合回路３０の構成および作用は、上記各実施形態で示したとおりである。

給電放射素子１０Ｕ，１０Ｖおよび給電経路１０ＡＦによって分岐給電のモノポールアンテナまたは分岐給電のPIFAが構成されている。無給電放射素子１０Ｃは、主に給電経路１０ＡＦと結合して、モノポール型または逆Ｌ型のアンテナとして作用する。

図３４は、アンテナ装置１１７の反射損失の周波数特性を示す図である。図３４において、周波数Ｆ１で示すポールは、給電放射素子１０Ｕ，１０Ｖ、給電経路１０ＡＦによる分岐アンテナのうち、主に、給電放射素子１０Ｕおよび給電経路１０ＡＦに生じる基本波によるものである。周波数Ｆ２で示すポールは無給電放射素子１０Ｃに生じる基本波によるものである。周波数Ｆ３で示すポールは、主に、給電放射素子１０Ｕおよび給電経路１０ＡＦに生じる、例えば３／４波長高調波によるものである。周波数Ｆ４で示すポールは、無給電放射素子１０Ｂに生じる基本波によるものである。周波数Ｆ５で示すポールは、給電放射素子１０Ｕ，１０Ｖ、給電経路１０ＡＦによる分岐アンテナのうち、主に、給電放射素子１０Ｖに生じる共振によるものである。

なお、給電放射素子１０Ｖと無給電放射素子１０Ｂとの間に積極的に寄生容量を生じさせることで、給電放射素子１０Ｖと無給電放射素子１０Ｂとの共振電流の位相差を約９０°にしている。このことにより、周波数Ｆ４で示す、給電放射素子１０Ｖによるポールと、周波数Ｆ５で示す、無給電放射素子１０Ｂによるポールとを生じさせている。

本実施形態のアンテナ装置では、給電放射素子１０Ｖを含む分岐アンテナを備えることにより、2700MHzまで拡張された通信帯域をカバーすることができ、700MHz〜900MHzのローバンドと、1700MHz〜2700MHzのハイバンドをカバーする広帯域アンテナを構成できる。

《第１８の実施形態》
図３５は第１８の実施形態に係るアンテナ装置１１８Ａの回路図である。このアンテナ装置１１８Ａは、金属筐体の側面部で無給電放射素子１０Ｂが構成されている。結合回路３０の第２コイル３２は無給電放射素子１０Ｂに接続されている。その他の構成は第１の実施形態で図６に示した回路と同じである。

アンテナ装置１１８Ａの構造によれば、放射素子１０から無給電放射素子１０Ｂを離すことができ、結合回路３０および無給電放射素子１０Ｂによって追加した共振周波数で良好な放射特性が得られる。しかも、この共振周波数以外の周波数で放射素子１０が有する放射特性を劣化させない。

図３６は第１８の実施形態に係る別のアンテナ装置１１８Ｂの回路図である。このアンテナ装置１１８Ｂは、金属筐体の側面部で無給電放射素子１０Ｂが構成されている。無給電放射素子１０Ｂの端部はインダクタ８を介して回路基板等のグランドに接続（接地）されている。この無給電放射素子１０Ｂは１／２波長共振型のアンテナとして作用する。

アンテナ装置１１８Ｂの構造によれば、金属筐体の側面部の先端が接地されていることで、周辺環境の変化によるアンテナ特性の変動を抑制できる。また、金属筐体の側面部の先端の先に、スリットを挟んで接地された他の金属筐体の側面部が存在する場合でも、金属筐体の側面部の先端が接地されていることにより、電界最大位置が無給電放射素子１０Ｂの先端から中央方向へ移動するため、結合回路３０によって追加した共振周波数で良好な放射特性を得ることができる。さらに、インダクタ８のインダクタンスによって、共振周波数を容易に調整できる。

図３７は第１８の実施形態に係る更に別のアンテナ装置１１８Ｃの回路図である。このアンテナ装置１１８Ｃは、金属筐体の端面部から側面部にかけて給電放射素子１０Ａが構成されている。同様に、金属筐体の端面部から側面部にかけて無給電放射素子１０Ｂが構成されている。このように無給電放射素子１０Ｂの主要部が金属筐体の端面部にあってもよい。また、無給電放射素子１０Ｂが給電放射素子１０Ａの接地端に近接していてもよい。この構造により、給電放射素子１０Ａの電界最大位置が接地端から中央方向へ移動するため、給電放射素子１０Ａと無給電放射素子１０Ｂとの不要な干渉が抑制できる。

《第１９の実施形態》
図３８は、第１９の実施形態に係るアンテナ装置１１９の主要部の平面図である。

電子機器の金属筐体は金属筐体端部である放射素子１０を備える。第１の実施形態で図５に示したアンテナ装置１０１とは、放射素子１０に対する給電線路９の接続位置および無給電共振回路２０の位置が異なる。

本実施形態では、回路基板６の平面視で、放射素子１０の左側の側面部１３に給電線路９が接続されている。これに伴い、結合回路３０の右側に無給電共振回路２０が配置されている。これらの位置関係は、図５に示した例とは左右逆（左右対称関係）である。その他の構成は第１の実施形態で示したとおりである。

図３９は本実施形態の結合回路３０の斜視図である。この結合回路３０の外形は二点鎖線で表している。結合回路３０の外面には、給電回路接続端子ＰＦ、放射素子接続端子ＰＡ、グランド端子ＰＧ、および無給電共振回路接続端子ＰＳが形成されている。この結合回路３０は第１の実施形態で図１に示した結合回路３０と実質的に同じ素子である。但し、第２面ＭＳ２が実装面であり、この面が回路基板に対向する。実装面（第２面）ＭＳ２とは反対側の面である天面（第１面）に方向識別マークＤＤＭが付与されている。したがって、図１に示した結合回路３０とは、平面視での各端子の位置が異なる。図１に示した結合回路３０では、平面視で、放射素子接続端子ＰＡから右回りに、グランド端子ＰＧ、給電回路接続端子ＰＦおよび無給電共振回路接続端子ＰＳの順に形成されている。第１９の実施形態では、図３９に表れているように、放射素子接続端子ＰＡから左回りに、グランド端子ＰＧ、給電回路接続端子ＰＦおよび無給電共振回路接続端子ＰＳの順に形成されている。

上述のとおり、第１面ＭＳ１、第２面ＭＳ２の両面に、第１コイルの第１端、第２端、および第２コイルの第１端、第２端が形成されていることにより、第１面、第２面のいずれも実装面とすることができる。したがって、この結合回路３０に形成されている第１コイルおよび第２コイルの接続先の回路や素子の位置に適した位置に各端子が配置されるように、結合回路３０の第１面ＭＳ１、第２面ＭＳ２のいずれかを選択的に実装面として回路基板に実装できる。

なお、図１、図３９に示した例では、第１面ＭＳ１に形成された４つの端子と第２面ＭＳ２に形成された４つの端子とを接続する層間接続導体が積層体の端面に形成された例を示したが、積層体の内部に複数のビア導体を形成して、これらビア導体を介して、第１面ＭＳ１に形成された４つの端子と第２面ＭＳ２に形成された４つの端子とを接続するようにしてもよい。

また、上記ビア導体を形成すると共に、結合回路３０の実装面にLGA（Land Grid Array ）型の端子を形成してもよい。

図４０は、本実施形態の別の結合回路３０の構成を示す図であり、結合回路３０の各層に形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

図４０に表れているように、絶縁基材Ｓ１１に第１導体パターンＬ１１、絶縁基材Ｓ１２に第２導体パターンＬ１２、絶縁基材Ｓ２１に第３導体パターンＬ２１、絶縁基材Ｓ２２に第４導体パターンＬ２２、がそれぞれ形成されている。これらコイル導体パターンは、実装面に近い層から順に第１導体パターンＬ１１、第２導体パターンＬ１２、第３導体パターンＬ２１、第４導体パターンＬ２２が配置されるように、絶縁基材Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２が積層されている。

第１導体パターンＬ１１の第１端は放射素子接続端子ＰＡに接続されていて、第２端は層間接続導体Ｖ１を介して第２導体パターンＬ１２の第１端に接続されている。第２導体パターンＬ１２の第２端は給電回路接続端子ＰＦに接続されている。また、第３導体パターンＬ２１の第１端は無給電共振回路接続端子ＰＳに接続されていて、第３導体パターンＬ２１の第２端は層間接続導体Ｖ２を介して第４導体パターンＬ２２の第１端に接続されている。第４導体パターンＬ２２の第２端はグランド端子ＰＧに接続されている。

図４０に示す各層の導体パターンは、図２に示した導体パターンとは左右対称の関係にある。したがって、これら導体パターンを備える結合回路は、平面視で、放射素子接続端子ＰＡから左回りに、グランド端子ＰＧ、給電回路接続端子ＰＦおよび無給電共振回路接続端子ＰＳの順に形成されている。

この例のように、結合回路３０は、それに形成されている第１コイルおよび第２コイルの接続先の回路や素子の位置に適した位置に各端子を配置してもよい。

《第２０の実施形態》
第２０の実施形態では、移相器を更に備えたアンテナ装置について示す。

図４１は、給電回路１が接続される、第２０の実施形態に係るアンテナ装置１２０の回路図である。このアンテナ装置１２０は、給電回路１と結合回路３０の第１コイル３１との間に移相器５０が接続されている。この移相器５０は、周波数に応じて移相量が変化する（周波数依存性を有する）移相器である。移相器５０は互いに結合する第１コイルＬｐ、第２コイルＬｓおよびキャパシタＣ３を備える。

なお、この例では、給電回路１と移相器５０との間に、インピーダンス整合用のキャパシタＣ４，Ｃ５が接続されている。

結合回路３０、放射素子１０、無給電共振回路２０の構成は第１の実施形態で示したものと同様である。

図４２は、上記移相器５０を、理想トランスＩＴと寄生インダクタンス成分（直列寄生インダクタンス成分Ｌａ，Ｌｃ、並列寄生インダクタンス成分Ｌｂ）とに分けて表した等価回路図である。

上記寄生インダクタンス成分（インダクタＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ）によって、トランスのインピーダンスは規定値（例えば50Ω）から外れてしまうが、図４１に示したキャパシタＣ２を備えることで、トランスのインピーダンスが規定値に調整される。特に、キャパシタＣ２は並列寄生インダクタンス成分Ｌｂによるインピーダンスのずれを補正するように作用し、キャパシタＣ３は直列寄生インダクタンス成分Ｌａ，Ｌｃによるインピーダンスのずれを補正するように作用する。

図４１に示した第１コイルＬｐと第２コイルＬｓとの結合係数は一般的な高周波トランスに比べて小さく、これに伴い、直列寄生インダクタンス成分Ｌｃは大きい。しかし、キャパシタＣ３のキャパシタンスも大きいことにより、インピーダンス整合が確保される。また、キャパシタＣ３のキャパシタンスが大きいことにより、ハイバンドの信号は、第１コイルＬｐと第２コイルＬｓによるトランスよりもキャパシタＣ３をバイパスする割合が大きく、トランスによる移相作用は小さい。一方、ローバンドについては、キャパシタＣ３をバイパスする量は相対的に小さく、トランスによる移相作用が大きい。このことにより、ローバンドの信号に対する移相量がほぼ１８０°、ハイバンドの信号に対する移相量がほぼ９０°となるように、結合係数が定められている。

図４３は移相器５０の移相量の周波数特性を示す図である。この例では、ローバンド（700MHzから900MHz帯）で移相量はほぼ１８０°、ハイバンド（1.7GHzから2.7GHz帯）で移相量はほぼ９０°である。

次に、上記結合回路３０と共に移相器５０を設けたことによる作用効果について示す。図４４（Ａ）は、上記移相器５０を備えない、第１の実施形態で示したアンテナ装置の回路図であり、図４４（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。

図４５（Ａ）は上記移相器５０を追加したアンテナ装置の回路図であり、図４５（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。このアンテナ装置は、図４１に示した回路においてキャパシタＣ５を備えない回路である。

図４６（Ａ）はインピーダンス整合用キャパシタＣ５を備えるアンテナ装置の回路図（図４１に示したものと同じ）であり、図４６（Ｂ）は、給電回路１からそのアンテナ装置を視たインピーダンスをスミスチャート上に表したインピーダンス軌跡である。

図４４（Ｂ）において、軌跡Ｔ０は結合回路３０および無給電共振回路２０を設けない比較例のアンテナ装置のインピーダンス軌跡であり、軌跡Ｔ１は図４４（Ａ）に示したアンテナ装置のインピーダンス軌跡である。いずれも1.7GHzから2.7GHzまでスイープした結果である。この図４４（Ｂ）から明らかなように、結合回路３０および無給電共振回路２０を備えることにより、既に述べたとおり、アンテナの周波数特性にポール（チャート上では小ループ）が生じ、また、これに伴い共振周波数帯域がチャートの中心方向へ移動する。但し、より高周波数域は未だチャートの周辺部にあって、高周波数域はマッチングし難いことが分かる。

図４５（Ｂ）において、軌跡Ｔ２は移相器５０、結合回路３０および無給電共振回路２０を備えるアンテナ装置のインピーダンス軌跡であり、軌跡Ｔ１は図４４（Ａ）に示した軌跡Ｔ１と同じである。いずれも1.7GHzから2.7GHzまでスイープした結果である。この図４５（Ｂ）から明らかなように、移相器５０を備えることにより、ローバンドで約１８０°位相が進み、ハイバンドで約９０°位相が進む。このことにより、高周波数域もチャートの中心方向に移動する。

図４６（Ｂ）において、軌跡Ｔ３は図４６（Ａ）に示したアンテナ装置のインピーダンス軌跡であり、1.7GHzから2.7GHzまでスイープした結果である。図４５（Ｂ）に示した軌跡Ｔ２と比較すれば明らかなように、シャント接続のキャパシタＣ５の作用によって、高周波数域が右回転している。このことによって、全周波数域に亘ってよりマッチングする。

図４７は、図４４（Ａ）、図４６（Ａ）に示した各アンテナ装置および比較例のアンテナ装置の反射損失の周波数特性を示す図である。図４７において、反射損失特性ＲＬ１は結合回路３０および無給電共振回路２０を備えない比較例のアンテナ装置の反射損失の特性、反射損失特性ＲＬ２は図４４（Ａ）に示したアンテナ装置の反射損失の特性、反射損失特性ＲＬ３は図４６（Ａ）に示したアンテナ装置の反射損失の特性である。図４７における反射損失特性ＲＬ１，ＲＬ２は図８に示したものと同じである。反射損失特性ＲＬ２とＲＬ３とを比較すると、全域に亘って反射損失が小さく、同じ放射素子を用いながらも、ハイバンドを例えば1.4GHzから2.6GHzまでの広い帯域に拡張されることが分かる。

図４８は移相器５０の外観斜視図であり、図４９は移相器５０の各層の平面図である。また、図５０は移相器５０の断面図である。

基材Ｓ１の上面は積層体１００の実装面（下面）に相当する。基材Ｓ１には第１ポートＰ１としての端子Ｔ１、第２ポートＰ２としての端子Ｔ２、グランド端子Ｇ、空き端子ＮＣが形成されている。

積層体１００の各基材層はLTCC等で構成された非磁性セラミック積層体であってもよいし、ポリイミドや液晶ポリマー等の樹脂材料で構成した樹脂積層体であってもよい。このように、基材層が非磁性体であることにより（磁性体フェライトではないので）、数100MHzを超える高周波数帯でも所定インダクタンス、所定結合係数のトランスおよび移相器として用いることができる。

上記導体パターンおよび層間接続導体は、AgやCuを主成分とする比抵抗の小さな導体材料によって構成される。基材層がセラミックであれば、例えば、AgやCuを主成分とする導電性ペーストのスクリーン印刷および焼成により形成される。また、基材層が樹脂であれば、例えば、Al箔やCu箔等の金属箔がエッチング等によりパターニングされることにより形成される。

移相器５０は、複数の絶縁性の基材Ｓ１〜Ｓ９を備えている。基材Ｓ１〜Ｓ９には各種導体パターンが形成されている。「各種導体パターン」には、基材の表面に形成された導体パターンだけでなく、層間接続導体を含む。層間接続導体はビア導体だけでなく、積層体の端面に形成される端面電極も含む。

基材Ｓ１の上面は積層体の実装面（下面）に相当する。基材Ｓ１には第１ポートＰ１としての端子Ｔ１、第２ポートＰ２としての端子Ｔ２、グランド端子Ｇ、空き端子ＮＣが形成されている。

基材Ｓ５，Ｓ４には、導体Ｌ１Ａ１，Ｌ１Ａ２がそれぞれ形成されている。基材Ｓ３には導体Ｌ１Ａ３，Ｌ１Ｂ１が形成されている。基材Ｓ２には導体Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃが形成されている。

導体Ｌ１Ａ１の第１端は第１ポートの端子Ｔ１に接続されている。導体Ｌ１Ａ１の第２端は層間接続導体Ｖ１１を介して導体Ｌ１Ａ２の第１端に接続されている。導体Ｌ１Ａ２の第２端は層間接続導体Ｖ１２を介して導体Ｌ１Ａ３の第１端に接続されている。導体Ｌ１Ａ３の第２端は導体Ｌ１Ｂ１の第１端に接続されている。導体Ｌ１Ａ３の第２端および導体Ｌ１Ｂ１の第１端は層間接続導体Ｖ１３を介して導体Ｌ１Ｂ２の第１端に接続されている。導体Ｌ１Ｂ１の第２端は層間接続導体Ｖ１４を介して導体Ｌ１Ｂ２の第２端に接続されている。導体Ｌ１Ｂ２の第２端は導体Ｌ１Ｃの第１端に接続されている。導体Ｌ１Ｃの第２端はグランド端子Ｇに接続されている。

基材Ｓ６，Ｓ７には、導体Ｌ２Ａ１，Ｌ２Ａ２がそれぞれ形成されている。基材Ｓ８には導体Ｌ２Ａ３，Ｌ２Ｂ１が形成されている。基材Ｓ９には導体Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃが形成されている。

導体Ｌ２Ａ１の第１端は第２ポートの端子Ｔ２に接続されている。導体Ｌ２Ａ１の第２端は層間接続導体Ｖ２１を介して導体Ｌ２Ａ２の第１端に接続されている。導体Ｌ２Ａ２の第２端は層間接続導体Ｖ２２を介して導体Ｌ２Ａ３の第１端に接続されている。導体Ｌ２Ａ３の第２端は導体Ｌ２Ｂ１の第１端に接続されている。導体Ｌ２Ａ３の第２端および導体Ｌ２Ｂ１の第１端は層間接続導体Ｖ２３を介して導体Ｌ２Ｂ２の第１端に接続されている。導体Ｌ２Ｂ１の第２端は層間接続導体Ｖ２４を介して導体Ｌ２Ｂ２の第２端に接続されている。導体Ｌ２Ｂ２の第２端は導体Ｌ２Ｃの第１端に接続されている。導体Ｌ２Ｃの第２端はグランド端子Ｇに接続されている。

上記導体Ｌ１Ａ１，Ｌ１Ａ２，Ｌ１Ａ３，Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃおよび層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４によって第１コイルＬｐが構成される。また、上記導体Ｌ２Ａ１，Ｌ２Ａ２，Ｌ２Ａ３，Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃおよび層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４によって第２コイルＬｓが構成される。第１コイルＬｐ、第２コイルＬｓは共に矩形ヘリカル状のコイルである。

《他の実施形態》
以上に示した実施形態では、第１導体パターンと第２導体パターンとによって矩形ヘリカル状の第１コイルが形成され、第３導体パターンと第４導体パターンとによって矩形ヘリカル状の第２コイルが形成される例を示したが、各導体パターンの平面形状は円形、楕円形、長円形、角部が丸みを帯びた四角形状などであってもよい。

以上に示した例では、無給電共振回路２０の基本波共振を利用する例を主に説明したが、無給電共振回路２０の２倍波共振（２次共振）、３倍波共振（３次共振）、３／２倍波共振等の高調波共振を利用してもよい。また、基本波共振と高調波共振の両方を利用してもよいし、複数の高調波共振を利用してもよい。

また、放射素子１０についても同様に、２倍波共振（２次共振）、３倍波共振（３次共振）、３／２倍波共振等の高調波共振を利用してもよい。また、基本波共振と高調波共振の両方を利用してもよいし、複数の高調波共振を利用してもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

Ｃ，Ｃ１…容量
Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…キャパシタ
Ｃ５…インピーダンス整合用キャパシタ
Ｃ１１，Ｃ１２…容量形成用導体パターン
Ｃ２０…キャパシタ
Ｃｓ１，Ｃｓ２…キャパシタ（寄生容量）
Ｇ…グランド端子
ＧＮＤ…グランド電極
ＧＺ…グランド領域
ＩＴ…理想トランス
Ｌ１Ａ１，Ｌ１Ａ２，Ｌ１Ａ３，Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃ…導体
Ｌ２Ａ１，Ｌ２Ａ２，Ｌ２Ａ３，Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃ…導体
Ｌａ，Ｌｃ…直列寄生インダクタンス成分
Ｌｂ…並列寄生インダクタンス成分
Ｌｐ…第１コイル
Ｌｓ…第２コイル
Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ…コイル素子
Ｌ１１…第１導体パターン
Ｌ１２…第２導体パターン
Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ…コイル素子
Ｌ２０…インダクタ
Ｌ２１…第３導体パターン
Ｌ２２…第４導体パターン
Ｌ２１〜Ｌ２３…導体パターン
Ｌａ…インダクタ
ＭＳ１…第１面
ＭＳ２…第２面
ＮＧＺ…非グランド領域
ＰＡ…放射素子接続端子
ＰＦ…給電回路接続端子
ＰＧ…グランド端子
Ｐｓ…接続点
ＰＳ…無給電共振回路接続端子
Ｐ１…第１ポート
Ｐ２…第２ポート
Ｓ１〜Ｓ９…基材
Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３…絶縁基材
Ｖ１…第１層間接続導体
Ｖ２…第２層間接続導体
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４…層間接続導体
１…給電回路
５…基板
６…回路基板
７…コネクタ
８…インダクタ
９…給電線路
１０…放射素子
１０Ａ…給電放射素子
１０ＡＦ…給電経路
１０ＡＳ…ショートピン
１０Ｂ，１０Ｃ…無給電放射素子
１０Ｕ，１０Ｖ…給電放射素子
１１…端面部
１２，１３…側面部
２０，２０Ａ，２０Ｂ…無給電共振回路
２１…第１線状導体パターン部
２２…第２線状導体パターン部
３０，３０Ａ，３０Ｂ…結合回路（磁界結合素子）
３１…第１コイル
３２…第２コイル
３３…第３コイル
３４…第４コイル
３５…インダクタ
３６…キャパシタ
３７，３８…スイッチ
４０…金属筐体主要部
４１…平面部
４２，４３…側面部
５０…移相器
５１ａ〜５１ｆ…基材層
６１〜６３…導体パターン
７１〜７４…導体パターン
８１…給電端子
８２…アンテナ端子
８３…グランド端子
８４…アンテナ端子
１００…積層体
１０１〜１０５…アンテナ装置
１０６Ａ〜１０６Ｄ…アンテナ装置
１０７Ａ，１０７Ｂ…アンテナ装置
１０８〜１１０…アンテナ装置
１１１Ａ，１１１Ｂ…アンテナ装置
１１２〜１１７…アンテナ装置
１１８Ａ〜１１８Ｃ…アンテナ装置
１１９，１２０…アンテナ装置

Claims (22)

1. 絶縁層を介して積層された複数の層に配置された複数の導体パターンと、前記複数の導体パターンの所定位置同士を層間接続する複数の層間接続導体と、を有し、
   前記複数の導体パターンは、前記積層の方向の順にそれぞれ異なる層に配置された第１導体パターン、第２導体パターン、第３導体パターンおよび第４導体パターンを含み、
   前記複数の層間接続導体は、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを層間接続する第１層間接続導体と、前記第３導体パターンと前記第４導体パターンとを層間接続する第２層間接続導体と、を含み、
   前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記第１層間接続導体で第１コイルが構成され、
   前記第３導体パターン、前記第４導体パターンおよび前記第２層間接続導体で第２コイルが構成され、
   前記積層の方向において、前記第１コイルおよび前記第２コイルは、複数の前記絶縁層からなる積層体の積層高さの１／３未満の領域に形成されている、
   磁界結合素子。
2. 前記第２導体パターンと前記第３導体パターンとの結合方向と、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体との結合方向は同じである請求項１に記載の磁界結合素子。
3. 前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体とは、前記絶縁層の平面視で重なる、請求項１または２に記載の磁界結合素子。
4. 前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体は前記複数の絶縁層のうち単一の絶縁層を介して前記積層の方向に配置されている、請求項１から３のいずれかに記載の磁界結合素子。
5. 前記第１導体パターンおよび前記第４導体パターンは、前記第２導体パターンおよび前記第３導体パターンに比べてターン数が少ない、請求項１から４のいずれかに記載の磁界結合素子。
6. 前記第２導体パターンと前記第３導体パターンの少なくとも一方は、前記積層の方向で対面して部分的に容量を形成する容量形成用導体パターンを有する請求項１から５のいずれかに記載の磁界結合素子。
7. 前記第２導体パターンまたは前記第３導体パターンのうち一方の導体パターンは前記絶縁層の端部に達する引出導体パターンを有し、他方の導体パターンは前記引出導体パターンに対向する容量形成用導体パターンを有する、請求項６に記載の磁界結合素子。
8. 複数の前記絶縁層により直方体状の積層体が構成され、
   前記積層体の第１面と、当該第１面とは反対側の面である第２面とを備え、
   前記第１コイルの第１端に繋がる端子、前記第１コイルの第２端に繋がる端子、前記第２コイルの第１端に繋がる端子、および前記第２コイルの第２端に繋がる端子、それぞれは、前記第１面および前記第２面に形成されている、
   請求項１から７のいずれかに記載の磁界結合素子。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の磁界結合素子と、
   前記第１コイルの第１端に接続された放射素子と、
   前記第２コイルの第１端に接続された無給電共振回路と、を備え、
   前記第１コイルの第２端は給電回路接続部であり、
   前記第２コイルの第２端はグランドに接続された、
   アンテナ装置。
10. 前記第１コイルの第２端から第１端への巻回方向と、前記第２コイルの第１端から第２端への巻回方向は逆である請求項９に記載のアンテナ装置。
11. 前記給電回路接続部と前記第１コイルとの間に接続される、周波数依存性を有する移相器を更に備える、請求項９または１０に記載のアンテナ装置。
12. 前記第２コイルの前記無給電共振回路が接続される第１端子とは反対側の第２端子は前記グランドに接続されて、
    前記第１コイルと前記給電回路との間の線路の長さ、および前記第２コイルの前記第２端子と前記グランドとの間の線路の長さは、共振周波数の１／８波長未満である、請求項９から１１のいずれかに記載のアンテナ装置。
13. 前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続されたインダクタを備える、請求項９から１２のいずれかに記載のアンテナ装置。
14. 前記第２コイルの前記第１端子と前記グランドとの間に接続されたインダクタを備える、請求項１２に記載のアンテナ装置。
15. 前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続されたキャパシタを備える、請求項９から１４のいずれかに記載のアンテナ装置。
16. 前記第２コイルの前記第１端子と前記グランドとの間に接続されたキャパシタを備える、請求項１２に記載のアンテナ装置。
17. 前記第１コイルと前記給電回路との間に接続される第３コイルと、当該第３コイルに結合する第４コイルを有する第２磁界結合素子を備え、
    前記第４コイルに接続される第２無給電共振回路を備える、請求項９から１６のいずれかに記載のアンテナ装置。
18. 前記第２コイルと前記無給電共振回路との間に接続される第３コイルと、当該第３コイルに結合する第４コイルを有する第２磁界結合素子を備え、
    前記第４コイルに接続される第２無給電共振回路を備える、請求項９から１６のいずれかに記載のアンテナ装置。
19. 前記無給電共振回路と前記グランドとの間に接続されるスイッチを備える、請求項９から１８のいずれかに記載のアンテナ装置。
20. 前記磁界結合素子は寄生容量を備え、
    前記磁界結合素子に接続され、前記寄生容量との並列共振によって、前記磁界結合素子に生じるリアクタンス成分を抑制するインダクタを備える、請求項９から１９のいずれかに記載のアンテナ装置。
21. 請求項１から８のいずれかに記載の磁界結合素子と、
    第１箇所が前記第１コイルの第１端に接続され、第２箇所が給電回路に接続される放射素子と、
    前記第２コイルの第１端に接続された無給電共振回路と、を備え、
    前記第１コイルの第２端はグランドに接続され、
    前記第２コイルの第２端はグランドに接続された、
    アンテナ装置。
22. 請求項９から２１のいずれかに記載のアンテナ装置と、前記磁界結合素子に接続される給電回路と、当該給電回路を収める筐体と、を備え、
    前記放射素子の一部または全部は前記筐体の一部である、電子機器。

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