JP6440716B2 - 周期的エッチング工程を用いたエッチング停止層のエッチング方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、広くは、半導体デバイスの形成方法に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、概して、基板上に配置されたエッチング停止層を、半導体デバイスの製造のための周期的な（ｃｙｃｌｉｃａｌｌｙ）エッチング工程を用いてエッチングする方法に関する。

半ミクロンを切り、更に小さな特徴部（ｆｅａｔｕｒｅ）を高信頼で生産することが、半導体デバイスの次世代型超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び超々大規模集積（ＵＬＳＩ）における重要な技術的課題の１つである。しかしながら、回路技術の限界が押し広げられるにつれ、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの配線技術の寸法縮小によって処理能力に対する要求が更に高まっている。ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの達成にとって、また、回路密度及び個々の基板やダイの品質強化に対する継続的な努力にとって、基板上に高信頼のゲート構造を形成することは重要である。

通常、ゲート構造、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）、ビット線などの構造を基板上にエッチング工程によって形成する間、フォトレジスト層などのパターニングされたマスクが使用される。従来、パターニングされたマスクは、所望の限界寸法を有するパターンをフォトレジスト層に光学的に転写するリソグラフィ処理を用いて製造されている。次いで、フォトレジストの望ましくない部分を除去するためにフォトレジスト層が現像され、これにより、残存するフォトレジスト中に開口が作成される。

次世代型デバイス及び構造の製造を可能にするために、半導体デバイス用に形成されるために設計される構造の寸法形状の制限が技術的な限界へと押し進められており、高いアスペクト比を有する限界寸法の小さい構造物の製造プロセスの精密な制御の必要性が更に重要となっている。エッチング工程中の制御が良好でないと、構造の形状が不規則となってラインエッジが粗くなり、それにより、形成された構造のラインの一体性が不良となるであろう。更に、エッチング中に形成される不規則な形状、及びエッチング副生成物の成長によって、限界寸法の小さい構造の製造に用いる小孔が徐々にブロックされ、これにより、エッチングされた構造の形状の湾曲（ｂｏｗｅｄ）、歪曲、倒壊、又はねじれに帰着し得る。

更に、フィルムのスタック中に配置されるハードマスク層、隣接する層、及び下層のエッチング停止層、ひいては基板上の下層の材料用に選択される材料が類似していることによっても、それらの層間のエッチング特性が類似する結果となり得、これにより、エッチング中の選択性が良好でなくなる。ハードマスク層、隣接する層、及び基板上の材料の間の選択性が良好でないと、不均一な、傾斜した、及び変形した形状のハードマスク層という結果が生まれ、これにより、パターン転写が不良となり、構造の形状寸法を正確に制御することができなくなる。従って、下層材料の損傷からの保護を支援しオーバーエッチングの可能性を低減する、高いエッチング選択性をもたらし得るエッチング停止インターフェースを提供するために、エッチング停止層がしばしば用いられる。

従って、インターフェースの良好な制御をもたらすために、エッチング工程に用いられる化学エッチャントは、導電層であれ誘電体層であれ、隣接する材料層、エッチング停止層、及び下層にある材料層の上面のより高いエッチング選択性を有することが要求される。エッチング停止層がエッチングされると、隣接する材料層が反応性のエッチャント核種によって攻撃され得、隣接する材料層の上部及び／又は側壁の形状が不均一又は傾斜する結果となり、望ましくない形状変形が生じ得る。即ち、正確なパターン転写を促すために選択性の高いエッチャントが望まれている。しかしながら、従来型のエッチャントの選択性は、次世代デバイスの確実な製造を可能にするほど十分ではない。

従って、高い選択性と正確なプロセス及び形状制御とを備えた、半導体デバイス製造のためのエッチング停止層の改善されたエッチング方法に対する需要が存在する。

基板上に配置されたエッチング停止層を、周期的エッチング工程を用いてエッチングする方法が提供される。一実施形態で、エッチング停止層をエッチングする方法は、処理混合ガスを処理チャンバ内に供給して窒化ケイ素層を処理することにより、窒化ケイ素層が配置された基板に処理工程を実施することと、化学エッチング混合ガスを処理チャンバ内に供給することにより、基板に化学エッチング工程を実施することであって、化学エッチング混合ガスは、少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含み、化学エッチング工程は、処理された窒化ケイ素層をエッチングする、実施することと、を含む。

別の実施形態で、エッチング停止層をエッチングする方法は、窒化ケイ素層が配置された基板を、処理チャンバ内に移送することであって、窒化ケイ素層上に配置されたパターニングされた酸化ケイ素層が、パターニングされたマスク層と共に、窒化ケイ素層の一部分を露出している、移送することと、窒化ケイ素層の露出した部分を処理するための処理混合ガスを供給することであって、処理混合ガスは不活性ガスを含む、供給することと、処理チャンバ内に化学エッチング混合ガスを供給することであって、化学エッチング混合ガスは、処理された窒化ケイ素層をエッチングするために、少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含む、供給することと、を含む。

更に別の実施形態で、窒化ケイ素層をエッチングする方法は、メタルシリサイド構造上に窒化ケイ素層が配置された基板を、処理チャンバ内に移送することであって、窒化ケイ素層上に配置されたパターニングされた酸化ケイ素層が、パターニングされたマスク層と共に、窒化ケイ素層の一部分を露出している、移送することと、露出した窒化ケイ素層を処理するために、ＲＦバイアス電力を印加しながら、Ａｒ又はＨｅガスを供給することと、処理された窒化ケイ素層をエッチングするために、ＲＦソース電力を処理チャンバから遠隔で印加しながら、少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含む化学エッチング混合ガスを供給することと、ＲＦ電力を印加せずにＡｒ又はＨｅガスを処理チャンバに供給することと、を含む。

本発明の上述のような特徴が詳細に理解されるよう、上記で簡単に概説した本発明のより具体的な記載が、実施形態を参照することによって得られる。これら実施形態の幾つかは添付の図面で示される。しかしながら、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面はこの発明の典型的な実施形態のみを例示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。

本発明の実施形態が具現化され得る処理チャンバを示す断面図である。 例示的なマルチチャンバ処理システムの概略上面図である。 本発明の一実施形態による、周期的エッチング工程を用いてエッチング停止層をエッチングするフロー図である。 本発明の一実施形態による、半導体基板上に配置されたエッチング停止層のエッチング停止層をエッチング中の断面図である。

理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図されている。

しかしながら、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付図面はこの発明の典型的な実施形態のみを例示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。

本発明の実施形態は、半導体デバイスのための、基板上に形成されたエッチング停止層を、高い選択性と正確な形状制御でエッチングする方法を提供する。一実施形態で、エッチング工程は、低速な周期的エッチング工程を用いて、下層の基板が露出するまで、エッチング停止層を徐々にエッチングすることを含む。低速な周期的エッチング工程は、エッチング停止層を貫通してエッチングし下層の基板を露出させるための良好な形状制御がもたらされるよう、エッチング選択性の制御を支援し、インターフェースにおける相対的に正確なエッチング停止終点を提供する。一実施形態で、エッチング工程は、半導体デバイスのコンタクト構造で用いるエッチング停止層をエッチングするために用いられ得る。

本明細書で使用する「コンタクト構造」の語は、ゲート電極の部分を形成し得るメタルシリサイド（金属ケイ素化合物）（ｍｅｔａｌ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）を含む材料層を表す。一以上の実地形態で、メタルシリサイドはニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、チタンシリサイド、又はそれらの任意の組み合わせであり得る。メタルシリサイドは、タングステン、タングステンシリサイド、Ｔｉ／Ｃｏ合金シリサド、Ｔｉ／Ｎｉ合金シリサイド、Ｃｏ／Ｎｉ合金シリサイド、及びＮｉ／Ｐｔシリサイドも含み得る。コンタクト構造は、代替的に、シリコンベース、ゲルマニウムベース、又は、ゲルマニウムドーパント及び／又は他のドーパントを含むシリコンベースであり得る。

図１は、下記で更に説明するエッチング工程の実行に適した例示的な処理チャンバ１００の断面図である。チャンバ１００は、基板表面上に配置された材料層から材料を除去するように構成され得る。チャンバ１００は、プラズマ支援型ドライエッチ処理の実施に特に有用である。処理チャンバ１００は、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ州Ｓａｎｔａ ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能なＳｉｃｏｎｉ^（商標）チャンバであり得る。他の製造者から入手可能な他の真空処理チャンバも、本発明の実施に適応され得ることに留意されたい。

処理チャンバ１００は、真空を破ることなく、基板表面の加熱及び冷却を提供する。一実施形態で、処理チャンバ１００は、チャンバ本体１１２、リッドアセンブリ１４０、及び支持アセンブリ１８０を含む。リッドアセンブリ１４０はチャンバ本体１１２の上端に配置され、支持アセンブリ１８０は少なくとも部分的にチャンバ本体１１２内に配置されている。

処理チャンバ１００の内部へのアクセスを提供するためのスリットバルブ開口１１４が、チャンバ本体１１２の側壁に形成されている。スリットバルブ開口１１４は、ウエハ操作ロボット（図示せず）によるチャンバ本体１１２の内部へのアクセスを可能にするために、選択的に開閉される。

一又は複数の実施形態で、チャンバ本体１１２には、熱伝導流体が通流するためのチャネル１１５が形成されている。熱伝導流体は加熱流体又は冷却剤であり得、処理及び基板移送中のチャンバ本体１１２の温度を制御するのに用いられる。チャンバ壁へのガス又は副生成物の望ましくない凝集を防止するために、チャンバ本体１１２の温度の制御は重要である。例示的な熱伝導流体は、水、エチレングリコール、又はそれらの混合物を含む。例示的な熱伝導流体は窒素ガスも含み得る。

チャンバ本体１１２は、支持アセンブリ１８０を囲むライナー１２０を更に含み得る。ライナー１２０は、保守及び洗浄のために取り外し可能である。ライナー１２０は、アルミニウムなどの金属、セラミック材料、又は処理に適合する任意の他の材料で作製され得る。ライナー１２０は、その上に堆積する任意の材料の付着が増すよう、表面粗さ及び／又は表面積を増大させるためにビードブラストされ得、これにより、処理チャンバ１００の汚染の原因となる材料のフレーキング（ｆｌａｋｉｎｇ）を防止する。一又は複数の実施形態で、ライナー１２０には、一又は複数の開孔１２５と、真空システムと流体連通しているポンピングチャネル１２９とが形成されている。開孔１２５はポンピングチャネル１２９内へのガスの流路を提供し、ポンピングチャネル１２９は処理チャンバ１００内のガスに出口を提供している。

真空システムは、真空ポンプ１３０、及び処理チャンバ１００を通るガス流を調節するためのスロットルバルブ１３２を含み得る。真空ポンプ１３０は、チャンバ本体１１２内に配置された真空ポート１３１に連結されており、従って、ライナー１２０内に形成されたポンピングチャネル１２９と流体連通している。用語「ガス」及び「複数のガス（ｇａｓｅｓ）」は他に断りのない限り交換可能に用いられており、一又は複数の前駆体、リアクタント、触媒、キャリア、パージ、洗浄、それらの組み合わせ、及びチャンバ本体１１２に導入される任意の他の流体を表す。

リッドアセンブリ１４０は、スタックされた少なくとも２つの部品を含み、それら部品は互いの間にプラズマ容積又はキャビティを形成するように構成されている。一又は複数の実施形態で、リッドアセンブリ１４０は第２の電極１４５（「下方電極」）の上に垂直に配置された第１の電極１４３（「上方電極」）を含み、これら電極間にはプラズマ容積又はキャビティ１５０が画成されている。第１の電極１４３はＲＦ給電などの電源１５２に接続され、第２の電極１４５は接地に接続され、２つの電極１４３、１４５間でキャパシタンスが形成されている。

一又は複数の実施形態で、リッドアセンブリ１４０は、少なくとも部分的に第１の電極１４３の上方区域１５６内に形成された一又は複数のガス注入口１５４（１つのみ図示）を含む。一又は複数の処理ガスが、一又は複数のガス注入口１５４を通じてリッドアセンブリ１４０に入る。一又は複数のガス注入口１５４は、第１の端部でプラズマキャビティ１５０と流体連通しており、第２の端部で、一又は複数の上流源及び／又はガスミキサなどの他のガス送達部品に連結されている。

一又は複数の実施形態で、第１の電極１４３は、プラズマキャビティ１５０を収容する伸長区域１５５を有する。一又は複数の実施形態で、伸長区域１５５は、上方部分１５５Ａからその下方部分１５５Ｂまで徐々に増大する内面又は直径１５７を有する環状の部材である。従って、第１の電極１４３と第２の電極１４５との間の距離は可変である。この可変距離により、プラズマキャビティ１５０内で生成されるプラズマの形成及び安定性の制御が支援される。

一又は複数の実施形態で、伸長区域１５５は、反転した円錐台又は「じょうご（ｆｕｎｎｅｌ）」に似ている。一又は複数の実施形態で、伸長区域１５５の内面１５７は、伸長区域１５５の上方部分１５５Ａから下方部分１５５Ｂまで徐々に傾斜している。内径１５７の傾斜又は角度は、プロセス要件及び／又はプロセス制約に依存して変化し得る。伸長区域１５５の長さ又は高さもまた、具体的なプロセス要件及び／又は制約に依存して変化し得る。

上述のように、第１の電極１４３の内面１５７が徐々に増大するので、第１の電極１４３の伸長区域１５５は、第１の電極１４３と第２の電極１４５との間の垂直な距離、変化する。この可変距離は、プラズマキャビティ１５０内の電力レベルに直接関連する。理論に縛られることを意図していないが、２つの電極１４３、１４５間の距離の変化により、プラズマが、プラズマ空洞１５０の（プラズマ空洞１５０の全体ではなくとも）幾らかの部分内で自身を維持するのに必要な電力レベルを見出すことを可能にする。従って、プラズマキャビティ１５０内のプラズマの圧力への依存が低下し、より広い動作ウィンドウ内でプラズマが生成及び維持されることが可能となる。従って、反復性及び信頼性の増したプラズマがリッドアセンブリ１４０内で形成され得る。プラズマキャビティ１５０内で生成されたプラズマが、支持アセンブリ１８０の上方の処理領域１４１内（ここに基板が進む）に入る前にリッドアセンブリ１４０内で規定されるので、プラズマは、プラズマが処理領域１４１から離れて発生する遠隔プラズマ源とみなされる。

上述のように、伸長区域１５５はガス注入口１５４と流体連通している。一又は複数のガス注入口１５４の第１の端部が、伸長区域１５５の内径の最上点で、プラズマキャビティ１５０へと開口し得る。同様に、一又は複数のガス注入口１５４の第１の端部は、伸長区域１５５の内径１５７に沿った任意の高さ方向の距離において、プラズマキャビティ１５０へと開口していてよい。図示していないが、伸長区域１５５内への旋回フローパターン又は「渦（ｖｏｒｔｅｘ）」フローを作りだすために、２つのガス注入口１５４が伸長区域１５５の対向する両側に配置され得る。これらフローはプラズマキャビティ１５０内のガスの混合を助ける。

リッドアセンブリ１４０は、第１の電極１４３を第２の電極１４５から電気的に絶縁する絶縁リング１６０を更に含み得る。絶縁リング１６０は、アルミニウム酸化物又は任意の他の絶縁性の、プロセスに適合した材料から作製され得る。絶縁リング１６０は、少なくとも伸長区域１５５を囲んでいるか、又は実質的に囲んでいる。

リッドアセンブリ１４０は、第２の電極１４５に隣接した分配板１７０及び遮蔽板１７５を更に含み得る。第２の電極１４５、分配板１７０、及び遮蔽板１７５はスタックされ、チャンバ本体１１２に接続されたリッドリム１７８上に配置され得る。リッドリム１７８をチャンバ本体１１２に接続するのにヒンジアセンブリ（図示せず）が用いられ得る。リッドリム１７８は、熱伝導媒体を収容するための埋め込まれたチャネル又は通路１７９を含み得る。熱伝導媒体は、プロセス要件に応じて、加熱、冷却、又はそれら両方のために用いられ得る。

一又は複数の実施形態で、第２の電極又はｔｏｐ板１４５は、プラズマ空洞１５０の下に形成された、プラズマ空洞１５０からのガスが通流することを可能にする複数のガス通路又は開孔１６５を含み得る。分配板１７０は実質的にディスク形状であり、通流するガス流を分配するための複数の開孔１７２又は通路も含む。処理されるべき基板が位置するチャンバ本体１１２に、制御された均等なフロー分布をもたらすために、開孔１７２は、分配板１７０に合わせたサイズとされ且つその周囲に配置され得る。更に、開孔１７２は、ガス流の速度プロファイルを遅くし方向転換することにより、ガス（一又は複数）が基板表面に直接衝突することを防止し、且つ、ガス流を均等に分配することによって基板表面全体にわたる均等なガス分布をもたらす。

一又は複数の実施形態で、分配板１７０は、リッドアセンブリ１４０の温度制御を提供するためにヒータ又は加熱流体を収容する一又は複数の埋め込まれたチャネル又は通路１７４を含む。分配板１７０を加熱するために、抵抗加熱要素（図示せず）が通路１７４内に挿入され得る。分配板１７０の温度を調節するために、熱電対が分配板１７０に接続され得る。上述のように、加熱要素に印加される電流を制御するために、熱電対はフィードバックループで用いられ得る。

代替的に、熱伝導媒体が通路１７４内を通過させられてもよい。一又は複数の通路１７４は、チャンバ本体１１２内のプロセス要件に応じて、分配板１７０のより良好な温度制御のために、必要な場合には冷却媒体を収容し得る。例えば、窒素、水、エチレングリコール、又はそれらの混合物などの任意の適切な熱伝導媒体が用いられてよい。

一又は複数の実施形態で、リッドアセンブリ１４０は、一又は複数のヒートランプ（図示せず）を用いて加熱され得る。典型的に、ヒートランプは、分配板１７０を含むリッドアセンブリ１４０の部品を照射によって加熱するために、分配板１７０の上面の上に配置される。

遮蔽板１７５が存在する場合には、任意選択で、第２の電極１４５と分配板１７０との間に配置されてもよい。遮蔽板１７５は、第２の電極１４５の下方表面に取り外し可能に取り付けられる。遮蔽板１７５は、第２の電極１４５と熱的接触及び電気的に良好に接触していてよい。一又は複数の実施形態で、遮蔽板１７５は、ボルト又は同様の締結具を用いて第２の電極１４５に連結され得る。遮蔽板１７５はまた、第２の電極１４５の外径にねじ留め又は螺合され得る。

遮蔽板１７５は、第２の電極１４５から分配板１７０まで複数のガス通路を提供するための複数の開孔１７６を含む。開孔１７６は、制御された均等なガス流分布を分配板１７０に提供するために、遮蔽板１７５の大きさとされ且つその周囲に配置され得る。

支持アセンブリ１８０は、チャンバ本体１１２内での処理のために基板（この図では示さず）を支持するための支持部材１８５を含み得る。支持部材１８５は、チャンバ本体１１２の底面に形成された中央に位置する開口１１４を貫通して伸びるシャフト１８７を介して、リフト機構１８３に連結され得る。リフト機構１８３は、シャフト１８７周囲からの真空漏れを防ぐベローズ１８８によって、チャンバ本体１１２にフレキシブルに封止され得る。リフト機構１８３は、チャンバ本体１１２内で支持部材１８５が、処理位置と、より下方の移送位置との間で垂直に動くことを可能にする。移送位置は、チャンバ本体１１２の側壁に形成されたスリットバルブ開口１１４のわずかに下方である。

一又は複数の実施形態で、支持部材１８５は、処理されるべき基板を支持部材１８５の上で支持するための平坦な円形表面、又は実質的に平坦な円形表面を有する。支持部材１８５はアルミニウムで構成され得る。支持部材１８５は、基板の裏側汚染を低減するために、例えばシリコン又はセラミック材料などの何らかの他の材料で作製された取り外し可能な上部板１９０を含み得る。

一又は複数の実施形態で、基板（図示せず）は、真空チャックを用いて支持部材１８５に固定され得る。一又は複数の実施形態で、基板（図示せず）は、静電チャックを用いて支持部材１８５に固定され得る。典型的に、静電チャックは、電極１８１を囲む誘電体材料を少なくとも含み得、電極１８１は支持部材１８５内に位置するか、又は支持部材１８５の一体部分として形成されていてもよい。チャックの誘電部分は、基板から、及び支持アセンブリ１８０のその他の部分からチャック電極を電気的に絶縁する。

一実施形態で、電極１８１は複数のＲＦ電力バイアス源１８４、１８６に連結されている。ＲＦバイアス電源１８４、１８６は、支持部材１８５内に配置された電極１８１の間に連結される。ＲＦバイアス電力は、チャンバ本体の処理領域１４１内に配置されたガスから放出されたプラズマを、励起及び維持する。

図１に示す実施形態で、デュアルＲＦバイアス電源１８４、１８６は、支持部材１８５に配置された電極１８１に整合回路１８９を介して連結されている。プラズマ処理チャンバ１００内に供給される混合ガスをイオン化するために、ＲＦバイアス電源１８４、１８６によって生成された信号が、整合回路１８９を通って単一給電を介して支持部材１８５に送達され、これにより、堆積、又は他のプラズマ支援型の処理を実施するのに必要なイオンエネルギーを提供する。ＲＦバイアス電源１８４、１８６は一般に、約５０ｋＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数、及び約０ワット〜約５０００ワットの電力を有するＲＦ信号を生成できる。必要に応じて、プラズマの特性を制御するために追加のバイアス電源が電極１８１に連結されてもよい。

支持部材１８５を貫通して、リフトピン１９３（図１に１本のみ示す）を収容するためのボア１９２が形成され得る。各リフトピン１９３はセラミック又はセラミック含有材料で構成されており、基板の操作及び搬送に用いられる。リフトピン１９３は、チャンバ本体１１２内に配置された環状のリフトリング１９５に係合すると、それぞれのボア１９２内で可動である。リフトリング１９５が上方位置にあるときリフトピン１９３の上面が支持部材１８５の基板支持面の上に伸び得るように、リフトリング１９５は可動である。反対に、リフトリング１９５が下方位置にあるとき、リフトピン１９３の上面は支持部材１８５の基板支持面の下に位置する。従って、リフトリング１９５が下方位置から上方位置へ、上方位置から下方位置への何れかに動くと、各リフトピン１９３は支持部材１８５中のそれぞれのボア１９２内で動く。

支持アセンブリ１８０は、支持部材１８５の周囲に配置されたエッジリング１９６を更に含み得る。一又は複数の実施形態で、エッジリング１９６は、支持部材１８５の外周を覆い、支持部材１８５を堆積から保護するように適合された環状の部材である。エッジリング１９６は、支持部材１８５の外径とエッジリング１９６の内径との間に環状のパージガスチャネルを形成するために、支持部材１８５上に又はこれに隣接して位置し得る。環状のパージガスチャネルは、支持部材１８５及びシャフト１８７を貫通して形成されたパージガス導管１９７と流体連通し得る。パージガス導管１９７は、パージガスをパージガスチャネルに供給するためのパージガス供給（図示せず）と流体連通している。窒素、アルゴン、又はヘリウムなどの任意の適切なパージガスが、単独で或いは組み合わせて使用され得る。動作時、パージガスは前記導管１９７を通りパージガスチャネルへ、及び支持部材１８５上に配置された基板のエッジ周囲へ流れる。従って、パージガスはエッジリング１９６と協働して、基板のエッジ及び／又は裏側における堆積を防止する。

支持アセンブリ１８０の温度は、支持部材１８５の本体に埋め込まれた流体チャネル１９８を通って循環する流体によって制御され得る。一又は複数の実施形態で、流体チャネル１９８は、支持アセンブリ１８０のシャフト１８７を貫通して配置された熱伝導導管１９９と流体連通している。支持部材１８５の基板受容面に均一な熱伝導を提供するために、流体チャネル１９８は支持部材１８５の周囲に位置する。流体チャネル１９８及び熱伝導導管１９９は、支持部材１８５を加熱又は冷却するために、熱伝導流体を流すことができる。水、窒素、エチレングリコール、又はその混合物などの任意の適切な熱伝導流体が用いられてよい。支持アセンブリ１８０は、支持部材１８５の支持面の温度を監視するために、埋め込まれた熱電対（図示せず）を更に含み得る。例えば、流体チャネル１９８を通って循環する流体の温度又は流量を制御するために、熱電対からの信号がフィードバックループで使用され得る。

支持部材１８５とリッドアセンブリ１４０との間の距離が制御されるように、支持部材１８５はチャンバ本体１１２内で垂直に動かされ得る。センサ（図示せず）は、支持部材１８５のチャンバ１００内の位置に関する情報を供給できる。

動作時、処理されている基板の温度を制御するために、支持部材１８５がリッドアセンブリ１４０の近傍まで上昇され得る。従って、基板は、分配板１７０から放射される照射を介して加熱され得る。代替的に、基板は、加熱されたリッドアセンブリ１４０の近傍まで、リフトリング１９５によって駆動されるリフトピン１９３を用いて支持部材１８５から離れるように持ち上げられ得る。

処理チャンバ１００の動作を調節するためにシステムコントローラ（図示せず）が使用され得る。システムコントローラは、コンピュータのメモリ内に記憶されたコンピュータプログラムの制御下で動作し得る。コンピュータプログラムは、後述する前洗浄処理の処理チャンバ１００内での実施を可能にする命令を含み得る。例えば、コンピュータプログラムは、処理シーケンス及びタイミング、ガスの混合、チャンバ圧、ＲＦ電力レベル、サセプタの位置決め、スリットバルブの開閉、ウエハ冷却、及び具体的なプロセスの他のパラメータを指示し得る。

図２は、本明細書に記載のプロセスを実施するように適合され得る例示的なマルチチャンバ処理システム２００であって、処理チャンバ１００が連結されたシステムの概略上面図である。システム２００は、基板をシステム２００の内外に移送するための一又は複数のロードロックチャンバ２０２、２０４を含み得る。典型的に、システム２００は真空下にあるので、ロードロックチャンバ２０２、２０４は、システム２００へ導入される基板を「ポンプダウン」し得る。第１のロボット２１０が、ロードロックチャンバ２０２、２０４と、一又は複数の基板処理チャンバ２１２、２１４、２１６、１００（４つを図示する）の第１のセットとの間で、基板を移送し得る。各処理チャンバ２１２、２１４、２１６、１００は、エッチング工程、原子層エッチング（ＡＬＥ）、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、ガス抜き、配向、及びその他の基板処理などの基板処理工程のうちの少なくとも１つを実施するように構成されている。エッチング工程の実施に用いられる処理チャンバ１００の他のチャンバ２１２、２１４、２１６に対する位置は、例示のための位置であり、処理チャンバ１００の当該位置は、任意選択的に、所望であれば処理チャンバ２１２、２１４、２１６のうちの任意の１つと交換されてもよい。

第１のロボット２１０はまた、一又は複数の移送チャンバ２２２、２２４へ／一又は複数の移送チャンバ２２２、２２４から基板を移送し得る。移送チャンバ２２２、２２４は、超高真空状態を維持しながら、基板がシステム２００内で移送されることを可能にするために用いられ得る。第２のロボット２３０は、移送チャンバ２２２、２２４と一又は複数の処理チャンバ２３２、２３４、２３６、２３８の第２のセットとの間で基板を移送し得る。処理チャンバ２１２、２１４、２１６、１００と同様、処理チャンバ２３２、２３４、２３６、２３８は、本明細書に記載のドライエッチ処理、及び例えば、堆積、前洗浄、ガス抜き、及び配向を含む任意の他の適切な処理を含む様々な基板処理工程を実施するように装備され得る。システム２００によって実施される特定の処理に必要でない場合には、基板処理チャンバ２１２、２１４、２１６、１００、２３２、２３４、２３６、２３８のうちの任意のものがシステム２００から取り除かれ得る。

図３は、基板上に配置されたエッチング停止層を高い選択性及び良好な形状制御でエッチングするためのエッチング工程を実施する方法３００を示す。図３に示す方法３００は、後述する図４Ａ−４Ｄに示す製造段階のシーケンスに対応する。図４Ａ−４Ｄは、フィルムスタック４５０中に配置されたエッチング停止層４０４をエッチングするための方法３００で示した種々の段階中の、フィルムスタック４５０が形成された基板４０２の概略断面図を示す。

方法３００は、ブロック３０２で、図４Ａに示す基板４０２などの基板を、図１に示す処理チャンバ１００などの処理チャンバ、又はその他の適切な処理チャンバ内へ移送することにより開始される。基板４０２は、実質的に平面の表面、非均一な表面、又は、その上に構造が形成された実質的に平面の表面を有し得る。図４Ａに示す基板４０２は、基板４０２上に形成されたフィルムスタック４５０を含む。一実施形態で、基板４０２は、結晶シリコン（例えばＳｉ＜１００＞又はＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコンウエハ、パターン化された又はパターン化されていないウエハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料であり得る。基板４０２は、直径２００ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍウエハ、並びに長方形又は正方形のパネルなどの、様々な寸法を有し得る。別途記載のない限り、本明細書に記載の実施形態及び実施例は、３００ｍｍ直径又は４５０ｍｍ直径を有する基板に対して行われる。

一実施形態で、フィルムスタック４５０は、基板４０２上のエッチング停止層４０４上に配置された材料層４０６を含む。一実施形態で、材料層４０６及びエッチング停止層４０４は、前端工程又は後端工程中に、ゲート構造、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造、コンタクト構造、又は配線構造の形成に用いられ得る。一実施形態で、方法３００は、材料層４０６中及びその中のエッチング停止層４０４中にコンタクト構造を形成するために、エッチング停止層４０４に対して実施され得る。一実施形態で、エッチング停止層４０４は、窒化ケイ素層（ＳｉＮ）及び酸窒化ケイ素層（ＳｉＯＮ）などのシリコン誘電体層であり得る。コンタクト構造中にエッチング停止層４０４（例えば、窒化ケイ素層）が用いられる実施形態では、基板が、エッチング停止層４０４が除去されてエッチングにより取り除かれた後に露出するようエッチング停止層４０４の直下に形成されたコンタクトメタルシリサイドを含み得る。コンタクトメタルシリサイドの適切な例は、タングステン、タングステンシリサイド、Ｔｉ／Ｃｏ合金シリサイド、Ｔｉ／Ｎｉ合金シリサイド、Ｃｏ／Ｎｉ合金シリサイド、及びＮｉ／Ｐｔシリサイドを含み得る。

材料層４０６は、他にもあり得るが、酸化物層、窒化物層、チタン窒化物層、少なくとも２以上の酸化物層が窒化物層を挟んでいる酸化物及び窒化物の複合層、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される誘電体層であり得る。誘電体層として適切なその他の材料は、酸化ケイ素又はＴＥＯＳなどのドープされていないシリコンガラス（ＵＳＧ）、ホウ素−ケイ酸塩ガラス（ＢＳＧ）、リン−ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素−リン−ケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）、並びにそれらの組み合わせを含む。本明細書に記載の例示的な実施形態で、材料層４０６は、ドープされていないシリコンガラス（ＵＳＧ）層である。一実施形態で、誘電体材料層４０６は、約３０００Å〜約１５０００Å、例えば約４０００Å〜約１２０００Å、例えば約１００００Åの厚さを有する。

パターニングされたマスク層４１１が材料層４０６上に配置される。パターニングされたマスク層４１１は、エッチング停止層４０４の表面の部分４１３をエッチングのために露出する開口特徴部４１２を有する。一実施形態で、マスク層４１１は、ハードマスク層、フォトレジストマスク、又はそれらの組み合わせであり得る。マスク層４１１中の開口特徴部４１２はエッチング停止層４０４中に開口特徴部４１４を所望のアスペクト比で形成するためのエッチマスクとして使用される。本明細書に記載の開口特徴部４１４は、トレンチ、ビア、開孔などを含み得る。マスク層４１１がハードマスク層である実施形態では、マスク層４１１は、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、アモルファスカーボン、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される材料であり得る。マスク層４１１がパターニングされたフォトレジスト層である実施形態では、リソグラフィでパターニングされたマスクなどであり得る。フォトレジスト層は、ポジティブトーンフォトレジスト、ネガティブトーンフォトレジスト、ＵＶリソグラフィフォトレジスト、ｉ線フォトレジスト、ｅビームレジスト（例えば、化学的増幅型レジスト（ＣＡＲ））、又は他の適切なフォトレジストであり得る。図４Ａに示す例示的な実施形態では、パターニングされたマスク層４１１が、ハードマスク層４０８上に配置されたフォトレジスト層４１０の組み合わせであり、ハードマスク層４０８は窒化ケイ素層又は酸化ケイ素層である。

ブロック３０４で、後続する化学エッチング工程中にエッチング停止層４０４の除去が容易となるよう、エッチング停止層４０４の露出した４１３部分を処理して表面の特性を改変するための処理工程が実施される。ブロック３０４で実施される処理工程は、処理混合ガスをチャンバ１００内に供給することを含む。次いで、エッチング停止層４０４の表面の露出した部分４１３をプラズマ処理してエッチング停止層４０４を励起状態へと活性化するためのプラズマが、処理混合ガスから形成されて、図４Ｂに示すように、処理されたエッチング停止層４２６が形成される。次いで、これが、後に処理チャンバ１００に供給される化学エッチングガスと容易に反応して、処理チャンバ１００の外へ容易にポンプアウト可能な揮発性ガス副生成物を形成する。

一実施形態で、処理混合ガスは水素含有ガス、窒素含有ガス、又は不活性ガスのうちの少なくとも一種を含む。処理混合ガス中に供給される水素含有ガス、窒素含有ガス、又は不活性ガスは、処理混合ガスから形成されたプラズマ中のイオンのライフタイム増加を支援し得ると考えられている。イオンのライフタイムが延びることにより、基板４０２上のエッチング停止層４２６との反応及びその活性化がより徹底して支援され得、これにより、後続する化学エッチング工程中、活性化されたエッチング停止層４２６の基板４０２からの除去が強化される。処理混合ガス中に窒素含有ガスが用いられる実施形態では、窒素含有ガスからの窒素原子が材料層４０６及び／又はエッチング停止層４０４中の酸素原子と反応して、基板表面からの除去及び処理チャンバ外へのポンプアウトが容易であり得る揮発性の状態の窒素−酸素（ＮＯ又はＮＯ＊）化合物を形成し得る。処理混合ガス中で水素含有ガスが用いられる実施形態では、水素含有ガスからの水素原子がエッチング停止層４０４内に含まれるシリコン原子と反応し得、これにより、Ｓｉ−Ｈの弱結合及び未結合手、又はＳｉ−ＯＨ結合が、処理された材料層４２６の処理された表面（例えば、露出した部分４１３）上に形成される。Ｓｉ−Ｈ又はＳｉ−ＯＨ結合末端を有する、処理されたエッチング停止層４２６は、後で処理チャンバ１００に供給される他のエッチャントに容易に吸着され得、これにより、処理されたエッチング停止層４２６の基板表面からの除去を容易にすることを助ける。同様に、Ｈｅ又はＡｒなどの不活性ガスが用いられる実施形態では、不活性ガスがエッチング停止層４０４を処理し且つ穏やかにボンバード（衝突）してエッチング停止層４０４を励起状態へと活性化し得、これにより、処理チャンバ１００に供給されるエッチャントとの反応が支援され得る。

一実施形態で、処理チャンバ１００内に供給される水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｈ_２Ｏなどのうちの少なくとも一種を含む。処理チャンバ１００内に供給される窒素含有ガスは、Ｎ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、ＮＨ_３などを含む。処理チャンバ１００内に供給される不活性ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒなどのうちの少なくとも一種を含む。例示的な実施形態で、処理工程の実施のために処理チャンバ１００内に供給される水素含有ガスはＨ_２ガスであり、処理工程の実施のために処理チャンバ１００内に供給される窒素含有ガスはＮ_２ガスであり、不活性ガスはＨｅ又はＡｒである。

プラズマ処理工程中、当該前処理工程を制御するために幾つかの処理パラメータが調節され得る。例示的な一実施形態で、処理チャンバ１００内の処理圧力が、約１０ｍＴｏｒｒ〜約５０００ｍＴｏｒｒ、例えば約１０ｍＴｏｒｒ〜約２００ｍＴｏｒｒなどで調節される。処理混合ガス中のプラズマを維持するために、約１３ＭＨｚ周波数の低いＲＦバイアス電力が印加され得る。例えば、処理チャンバ１００内のプラズマを維持するために、約２００ワット未満、例えば約２０ワット〜約２００ワットなどのＲＦバイアス電力が印加され得る。チャンバ内に処理混合ガスが約２００ｓｃｃｍ〜約８００ｓｃｃｍの流量で流入され得る。基板温度は摂氏約２５度〜摂氏約３００度、例えば摂氏約５０度〜摂氏約１１０度などで維持される。

一実施形態で、動作温度、圧力、及びガス流量に応じて、基板は約５秒〜約５分間、当該処理工程に晒される。例えば、基板は、約３０秒〜約９０秒間、当該前処理工程に晒される。例示的な実施形態で、基板は、約９０秒間以下、当該処理工程に晒される。

ブロック３０６で、図４Ｃに示すように、処理されたエッチング停止層４２６を基板４０２から低速で除去するために、化学エッチング工程が実施される。化学エッチング工程は、処理されたエッチング停止層４２６をエッチングするため、化学エッチング混合ガスからプラズマキャビティ１５０内の遠隔プラズマ源を形成するために、化学エッチング混合ガスを、プラズマキャビティ１５０を通じて処理チャンバ１００内へ供給することによって実施される。処理されたエッチング停止層４２６が、Ｓｉ−Ｈの弱結合及び未結合手、又はＳｉ−ＯＨ結合をその表面上に有するように処理されると、化学エッチング混合ガスからの攻撃的なエッチャントは、Ｓｉ−Ｈの弱結合及び未結合手、又はＳｉ−ＯＨ結合を容易に攻撃し、化学エッチング工程中、処理されたエッチング停止層４２６を基板４０２から効率的に除去し得る。

一実施形態で、処理されたエッチング停止層４２６の除去に用いられる化学エッチング混合ガスは、アンモニア（ＮＨ_３）ガスと三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガスとの混合物である。処理チャンバに導入される各ガスの量は、例えば、除去されるべき処理されたエッチング停止層４２６の厚さ、洗浄される基板の形状寸法、プラズマキャビティの容積、チャンバ本体の容積、及びチャンバ本体に連結されている真空システムの容積に適合するよう、変更及び調整され得る。

一又は複数の実施形態で、化学エッチング混合ガスを提供するために添加されるガスは、少なくとも１：１のアンモニア（ＮＨ_３）：三フッ化窒素（ＮＦ_３）モル比を有する。一又は複数の実施形態で、化学エッチング混合ガスのモル比は、少なくとも約３：１（アンモニア：三フッ化窒素）である。ガスは、約３：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜約３０：１、例えば５：１などのモル比でチャンバ１００に導入される。アンモニア（ＮＨ_３）と三フッ化窒素（ＮＦ_３）との比は、処理されたエッチング停止層４２６と隣接する材料層４０６との間の選択性（例えば、酸化ケイ素層に対する窒化ケイ素層の選択性）、及び、処理されたエッチング停止層４２６と下層の基板４０２との間の選択性（例えば、他にもあり得るが、シリコン材料、導電性材料又はメタルシリサイド層などの基板の材料に対する窒化ケイ素層の選択性）を含む、エッチング選択性を向上させるためにも調整され得ることに留意されたい。

エッチング停止層４２６は、上部に配置される材料層４０６と比較して相対的に薄い厚さを有することが多いので、ブロック３０６で化学エッチング工程中にプラズマキャビティ１５０内で遠隔生成されたプラズマは、処理されたエッチング停止層４２６が、下層の基板４０２が露出するまで低速で、穏やかに且つ徐々にエッチングされるよう、相対的にマイルド且つ穏和（ｇｅｎｔｌｅ）なエッチャントを形成する解離されたエッチャントを有し得る。従来型のｉｎ−ｓｉｔｕプラズマエッチング工程と比較して、処理されたエッチング停止層４２６を除去するためにブロック３０６で実施される化学エッチング工程は、インターフェースエッチングの良好な制御をもたらすよう、遠隔プラズマ源を用いて約１Å毎秒〜約１０Å毎秒などの低速で進行するように制御され得、これにより、基板４０２から除去される処理されたエッチング停止層４２６の正確なエッチング終点が、隣接する材料層４０６を損傷することなく実現する。化学エッチング工程は、基板表面を過度に攻撃的且つ物理的にボンバード、スパッタリング、又はバイアスすることなく、処理されたエッチング停止層４２６と化学反応してこれを基板４０２から除去するように構成されており、これにより、処理されたエッチング停止層４２６を低速で除去するマイルドなエッチング工程が提供される。化学エッチング工程の各サイクルは、処理されたエッチング停止層４２６を良好な形状制御で低速で除去するように、処理されたエッチング停止層４２６を約２５Åのみエッチングで取り除き、これにより、基板へのオーバーエッチ、形状変形、又はＣＤ制御の損失の可能性が低減する。

更に、ＮＨ_３及びＮＦ_３などのエッチャントは、処理されたエッチング停止層４２６と攻撃的に反応するが、材料層４０６及び／又はマスク層４１１から放出される酸素原子／酸素ラジカルとは穏やかに反応し得ると考えられている。エッチング混合ガスから解離した窒素元素は材料層４０６から放出された酸素元素と即座に反応し得、これは、ブロック３０４の処理工程中、又はブロック３０６の化学エッチング工程中のいずれかに解離する。次いで、窒素元素及び酸素元素は反応して窒素−酸素（ＮＯ又はＮＯ＊）化合物を形成し、材料層４０６中の開口特徴部４１４の側壁を保護し、窒化ケイ素層の効率的なエッチングを助ける。材料層４０６の側壁が保護されているので、処理されたエッチング停止層４２６を異方的にエッチングするための望ましい指向性を有するエッチャントを閉じ込める助けとなり、これにより、エッチング効率及び形状制御が強化される。更に、エッチング工程中に生成される窒素−酸素（ＮＯ、又はＮＯ＊）化合物はまた、基板表面から容易に除去され得且つエッチング工程後に処理チャンバからポンプアウトされ得る揮発性の状態にあり得る。

化学エッチング工程中、ブロック３０６の化学エッチング工程を制御するために幾つかの処理パラメータが調節され得る。例示的な一実施形態で、処理チャンバ１００内の処理圧力が、約１０ｍＴｏｒｒ〜約５０００ｍＴｏｒｒ、例えば約８００ｍＴｏｒｒ〜約５Ｔｏｒｒなど、例えば約１５００ｍＴに調節される。化学エッチング混合ガス中のプラズマを維持するために、ＲＦソース電力が約６０ＭＨｚの周波数で供給される。ＲＦソース電力は例えば、約２０ワット〜約８００ワット、例えば約４００ワットなどであり得、化学エッチング混合ガスは約１５ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍの流量でチャンバへ流入され得る。一実施例では、ＮＨ_３ガスが、約５ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍ、例えば、約２０ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍなど、例えば約１００ｓｃｃｍなどの流量で、エッチング混合ガス中に供給され得る。ＮＦ_３ガスは、約５ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍ、例えば、約５ｓｃｃｍ〜約５０ｓｃｃｍなど、例えば約２０ｓｃｃｍなどの流量でエッチング混合ガス中に供給され得る。一実施形態で、Ａｒ又はＨｅなどの不活性ガスも、エッチング混合ガス中に供給され得る。一実施形態ではＨｅガスが用いられ、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍ、例えば約６００ｓｃｃｍでエッチング混合ガス中に供給される。基板温度は、摂氏約２５度〜摂氏約３００度、例えば、摂氏約５０度〜摂氏約１５０度など（例えば摂氏約１１０度など）に維持される。一実施形態では、イオンのボンバードメントを低減するために、化学エッチング工程中にバイアス電力が供給されない。

図４Ｃに示す実施形態で、化学エッチングの第１のサイクル後、処理された材料層４２６は、基板４０２から除去された約２０Å〜約５０Åの厚さ４２０を有し得る。

ブロック３０８で、エッチング残留物を基板表面から除去するための移行工程がオプションで実施され得る。エッチング残留物の処理チャンバからのポンピング／パージングを支援するために、パージガス又はキャリアガスを含む移行混合ガスが処理チャンバに供給され得る。適切なパージ／キャリアガスは、アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、又はそれらの組み合わせを含む。チャンバ内の動作圧力は変化し得る。ＲＦ源又はＲＦバイアス電力の印加がポンプ／パージ処理中に除外されてもよく、例えば、移行工程中にＲＦ電力を印加せずに移行工程が実施される。パージ／キャリアガスは、エッチング残留物の処理チャンバからのポンプ／パージを促進するために用いられ得る。一実施形態で、基板は移行工程に約５秒〜約５分間晒される。例えば、基板は移行工程に約５秒〜約１０秒間晒される。例示的な実施形態で、基板は、移行工程に約５秒間晒される。

ブロック３０４、３０６、及び３０８は図３のループ３１０に示すように繰り返し（即ち、周期的に）、マスク層４１１と材料層４０６との間に画定された特徴部４１４によって露出したエッチング停止層４０４が図４Ｄに示すように除去されて、下層の基板４０２の表面４３６が露出されるまで、実施され得ることに留意されたい。一実施形態で、エッチング停止層４０４は、約５ｎｍ〜約５００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ〜約３５ｎｍの厚さを有し得る。繰り返されるプロセスによって、材料層４０６を過度に攻撃的に攻撃することなく、処理されたエッチング停止層４２６が周期的に且つ漸進的にエッチングされ、これにより、良好なインターフェースエッチング制御及び正確なエッチング停止終点がもたらされる。繰り返しの処理による漸進的なエッチング、化学エッチング工程、及び／又はオプションの移行工程によって、特徴部の垂直形状及び材料層４０６とエッチング停止層４０４と下層の基板４０２との間のエッチング選択性が促進され、これにより、マスク層４１１及び材料層４０６からエッチング停止層４０４までの特徴部の限界寸法（ＣＤ）の転写のためのマスクの正確性が強化される。一実施形態で、マスク層４１１中に形成される特徴部は、４０ｎｍ未満のＣＤ、及び７よりも大きい、例えば約５〜約１０などのアスペクト比を有し得る。

従って、高い選択性及び良好な形状制御でエッチング停止層を周期的にエッチングする方法及び装置が提供される。本方法により、全体として容認可能な範囲のエッチングスループットがもたらされるとともに、正確なエッチング停止終点が良好なインターフェース制御で実現し得る。周期的な複数工程（例えば、処理工程、化学洗浄処理、及び、オプショナルな移行工程）を用いたエッチング工程により、材料層４０６を攻撃的に攻撃することなくエッチング停止層中に特徴部をエッチングすることができる。周期的な複数工程エッチング工程により、エッチング停止層が高い選択性及び良好な形状制御で、全体としての処理時間に大きな影響を及ぼすことなく効率的にエッチングされ得る。

上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の更なる実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

1. 窒化ケイ素層をエッチングする方法であって、
   （ａ）処理混合ガスを処理チャンバ内に供給して窒化ケイ素層を処理することにより、前記窒化ケイ素層が配置された基板に処理工程を実施するステップと、
   （ｂ）少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含む化学エッチング混合ガスを前記処理チャンバ内に供給することにより、処理された窒化ケイ素層をエッチングする化学エッチング工程を前記基板に実施するステップと
   ステップ（ａ）とステップ（ｂ）を反復して下地の基板が露出するようになるまで窒化ケイ素層をエッチングするステップを
   含む、方法。
2. （ｃ）ステップ（ｂ）の後に、前記処理チャンバ内に移行混合ガスを供給することにより、エッチングされた基板に移行工程を実施することを更に含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記移行混合ガスは、少なくとも、水素含有ガス、窒素含有ガス、又は不活性ガスを含む、請求項２に記載の方法。
4. 下層の基板が露出するまで前記窒化ケイ素層をエッチングするために、ステップ（ａ）からステップ（ｃ）を繰り返し実施することを更に含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記処理混合ガスは、少なくとも、水素含有ガス、窒素含有ガス、又は不活性ガスを含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記基板に前記処理工程を実施することが、前記処理混合ガスにＲＦバイアス電力を印加することを更に含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記基板に前記化学エッチング工程を実施することが、
   前記化学エッチング混合ガスに、前記処理チャンバから遠隔でＲＦソース電力を印加すること
   を更に含む、請求項１に記載の方法。
8. エッチングされた基板に対して前記移行工程を実施することが、
   ＲＦ電力を印加せずにエッチング残留物を除去するために、前記移行混合ガスを供給すること
   を更に含む、請求項２に記載の方法。
9. 前記基板に前記化学エッチング工程を実施することが、
   前記化学エッチング混合ガス中に、前記アンモニウムガス及び前記三フッ化窒素を約５：１からのモル比で供給すること
   を更に含む、請求項１に記載の方法。
10. 基板温度を摂氏約５０度から摂氏約１５０度で維持すること
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記窒化ケイ素層が、半導体デバイス中のコンタクト構造内で用いられるエッチング停止層である、請求項１に記載の方法。
12. 窒化ケイ素層をエッチングする方法であって、
    （ａ）窒化ケイ素層が配置された基板であって、窒化ケイ素層上に配置されたパターニングされたマスク層により窒化ケイ素層の一部が露出している基板を処理チャンバ内に移送するステップと、
    （ｂ）不活性ガスを含む処理混合ガスを供給して前記窒化ケイ素層の露出した部分を処理するステップと、
    （ｃ）前記処理チャンバ内に少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含む化学エッチング混合ガスを供給して処理された窒化ケイ素層をエッチングするステップと、
    前記窒化ケイ素層の露出した部分が基板から除去されるようになるまでステップ（ｂ）とテップ（ｃ）を反復するステップと
    を含む、方法。
13. （ｄ）不活性ガスを含む移行混合ガスを、前記処理チャンバに供給すること
    を更に含む、請求項１２に記載の方法。
14. 窒化ケイ素層をエッチングする方法であって、
    （ａ）メタルシリサイド構造上に窒化ケイ素層が配置された基板であって、窒化ケイ素層上に配置されたパターニングされたマスク層により窒化ケイ素層の一部が露出している基板を処理チャンバ内に移送するステップと、
    （ｂ）ＲＦバイアス電力を印加しながら、アルゴンガス又はヘリウムガスを供給して前記窒化ケイ素層の露出した部分を処理するステップと、
    （ｃ）前記処理チャンバから遠隔でＲＦソース電力を印加しながら、少なくともアンモニウムガス及び三フッ化窒素を含む化学エッチング混合ガスを前記処理チャンバ内に供給して処理された窒化ケイ素層をエッチングするステップと、
    （ｄ）ＲＦ電力を印加することなく、アルゴンガス又はヘリウムガスを前記処理チャンバに供給するステップと
    を含む、方法。
15. 前記窒化ケイ素層の露出した部分が除去されて下地のメタルシリサイド構造が露出するようになるまでステップ（ｂ）から（ｄ）を反復するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。

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