JP6447185B2 - Method for manufacturing conductive substrate, method for manufacturing laminated conductive substrate - Google Patents
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Description
本発明は、導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive substrate, a laminated conductive substrate, a method for producing a conductive substrate, and a method for producing a laminated conductive substrate.
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の配線材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。 The capacitive touch panel converts information on the position of an adjacent object on the panel surface into an electrical signal by detecting a change in electrostatic capacitance caused by the object adjacent to the panel surface. Since the conductive substrate used for the capacitive touch panel is installed on the surface of the display, the wiring material of the conductive substrate is required to have low reflectance and be difficult to be visually recognized.
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる配線材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。 Therefore, as a wiring material used for the capacitive touch panel, a material having low reflectivity and not easily visible is used, and the wiring is formed on a transparent substrate or a transparent film.
例えば特許文献1には、高分子フィルム上に透明導電膜としてITO(酸化インジウム−スズ)膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film.
近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ITOは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。 In recent years, display screens equipped with a touch panel have been increased in screen size. Correspondingly, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area. However, since ITO has a high electric resistance value and causes signal deterioration, there is a problem that ITO is not suitable for a large panel.
このため、例えば特許文献2、3に開示されているようにITO膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば金属層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。 For this reason, for example, as disclosed in Patent Documents 2 and 3, the use of a metal foil such as copper instead of the ITO film has been studied. However, for example, when copper is used for the metal layer, since copper has a metallic luster, there is a problem in that the visibility of the display is lowered due to reflection.
そこで、銅等の金属箔により構成される金属層と共に、金属層の上面および下面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。 Therefore, a conductive substrate in which a blackened layer made of a black material is formed on the upper and lower surfaces of a metal layer together with a metal layer made of a metal foil such as copper has been studied.
しかしながら従来、黒化層はいずれも乾式法により成膜されており、金属箔により構成される金属層の金属光沢を十分に抑制できる黒化層を形成するためには時間を要し、生産性が低いという問題があった。 Conventionally, however, all blackening layers are formed by a dry method, and it takes time to form a blackening layer that can sufficiently suppress the metallic luster of a metal layer composed of metal foil, and productivity There was a problem of low.
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above-described problems of the related art, an object of one aspect of the present invention is to provide a method for manufacturing a conductive substrate that has a small electrical resistance value, can suppress light reflection, and can be manufactured with high productivity.
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層上に湿式法により、ニッケルと硫黄とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有し、
前記黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合が重量比で40wt%以上99wt%以下である導電性基板の製造方法を提供する。
In order to solve the above problems, in one aspect of the present invention,
A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface of the transparent substrate ;
A blackening layer forming step of forming a blackening layer containing nickel and sulfur on the metal layer by a wet method,
Provided is a method for manufacturing a conductive substrate in which the proportion of nickel in nickel and sulfur contained in the blackening layer is 40 wt% or more and 99 wt% or less by weight .
本発明の一側面によれば、電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板の製造方法を提供することができる。
According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a conductive substrate that has a small electrical resistance value, can suppress reflection of light, and can be manufactured with high productivity.
以下、本発明の導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
(導電性基板)
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと硫黄とを含有する黒化層と、を有することができる。
Hereinafter, an embodiment of a conductive substrate, a laminated conductive substrate, a method for producing a conductive substrate, and a method for producing a laminated conductive substrate according to the present invention will be described.
(Conductive substrate)
The conductive substrate of the present embodiment includes a transparent base material, a metal layer formed on at least one surface of the transparent base material, and a black containing nickel and sulfur formed on the metal layer by a wet method. And a stratified layer.
なお、本実施形態における導電性基板とは、透明基材の表面に、パターン化する前の金属層や黒化層を有する導電性基板、及び透明基材の表面に、パターン化した銅層や黒化層を有する導電性基板、すなわち配線基板を含む。また、金属層、及び黒化層をパターン化した後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。 The conductive substrate in this embodiment is a conductive substrate having a metal layer or a blackened layer before patterning on the surface of the transparent substrate, and a patterned copper layer on the surface of the transparent substrate. A conductive substrate having a blackened layer, that is, a wiring substrate is included. Moreover, since the conductive substrate after patterning the metal layer and the blackening layer includes a region where the transparent base material is not covered with the metal layer or the like, it can transmit light, and becomes a transparent conductive substrate. Yes.
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。 First, each member included in the conductive substrate of this embodiment will be described below.
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板(樹脂フィルム)や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。 It does not specifically limit as a transparent base material, The resin substrate (resin film) which permeate | transmits visible light, a glass substrate etc. can be used preferably.
可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、PET(ポリエチレンテレフタレート)、COP(シクロオレフィンポリマー)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。 As a material for the resin substrate that transmits visible light, for example, a polyamide resin, a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate resin, a cycloolefin resin, a polyimide resin, a polycarbonate resin, or the like can be preferably used. In particular, PET (polyethylene terephthalate), COP (cycloolefin polymer), PEN (polyethylene naphthalate), polyimide, polycarbonate, and the like can be more preferably used as the material for the resin substrate that transmits visible light.
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば10μm以上200μm以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは20μm以上120μm以下とすることが好ましく、20μm以上100μm以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは20μm以上50μm以下であることが好ましい。 It does not specifically limit about the thickness of a transparent base material, It can select arbitrarily according to the intensity | strength, electrostatic capacitance, light transmittance, etc. which are required when it is set as an electroconductive board | substrate. The thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. In particular, when used for touch panel applications, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 120 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 100 μm or less. In the case of use for touch panel applications, for example, particularly in applications where it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 50 μm or less.
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は30%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。 The total light transmittance of the transparent substrate is preferably higher. For example, the total light transmittance is preferably 30% or more, and more preferably 60% or more. When the total light transmittance of the transparent substrate is in the above range, the visibility of the display can be sufficiently ensured when used for, for example, a touch panel.
なお透明基材の全光線透過率はJIS K 7361−1に規定される方法により評価することができる。 In addition, the total light transmittance of a transparent base material can be evaluated by the method prescribed | regulated to JISK7361-1.
透明基材は第1の主平面と、第2の主平面とを有することができる。ここでいう主平面とは透明基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第1の主平面と、第2の主平面とは1つの透明基材の中で対向して配置された面を意味する。 The transparent substrate can have a first main plane and a second main plane. The main plane here refers to the plane portion having the largest area among the planes included in the transparent substrate. And a 1st main plane and a 2nd main plane mean the surface arrange | positioned facing in one transparent base material.
次に、金属層について説明する。 Next, the metal layer will be described.
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Cuと、Ni,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Mn,Co,Wから選ばれる少なくとも1種の以上の金属との銅合金、または、銅を含むことが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。 Although the material which comprises a metal layer is not specifically limited, The material which has the electrical conductivity according to the application can be selected, For example, the material which comprises a metal layer is Cu, Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr , Fe, Mn, Co, and W, it is preferable to include a copper alloy with at least one or more metals selected from W, or copper. The metal layer can be a copper layer made of copper.
透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合、金属層は密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。 The method for forming the metal layer on the transparent substrate is not particularly limited, but it is preferable not to place an adhesive between the transparent substrate and the metal layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the metal layer is preferably formed directly on at least one surface of the transparent substrate. In addition, when arrange | positioning an adhesion layer between a transparent base material and a metal layer as mentioned later, it is preferable that the metal layer is directly formed on the upper surface of the adhesion layer.
透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。 In order to directly form the metal layer on the upper surface of the transparent substrate, the metal layer preferably has a metal thin film layer. Moreover, the metal layer may have a metal thin film layer and a metal plating layer.
例えば透明基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。 For example, a metal thin film layer can be formed on a transparent substrate by a dry plating method, and the metal thin film layer can be used as a metal layer. Thereby, a metal layer can be directly formed on the transparent substrate without using an adhesive. The dry plating method will be described in detail later. For example, a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like can be preferably used.
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。 In addition, when increasing the thickness of the metal layer, the metal thin film layer and the metal plating layer are formed by forming the metal plating layer by electroplating, which is a kind of wet plating method, using the metal thin film layer as a power feeding layer. It can also be a metal layer. Since the metal layer has the metal thin film layer and the metal plating layer, the metal layer can be directly formed on the transparent substrate without using an adhesive.
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。 The thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like.
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際のエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは5μm以下であることが好ましく、3μm以下であることがより好ましい。 However, when the metal layer becomes thick, it takes time to perform etching to form a wiring pattern, so that side etching is likely to occur, and it may be difficult to form fine lines. For this reason, the thickness of the metal layer is preferably 5 μm or less, and more preferably 3 μm or less.
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが50nm以上であることが好ましく、60nm以上であることがより好ましく、150nm以上であることがさらに好ましい。 In particular, from the viewpoint of reducing the resistance value of the conductive substrate and supplying a sufficient current, for example, the metal layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and 150 nm. More preferably, it is the above.
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 In addition, when a metal layer has a metal thin film layer and a metal plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a metal thin film layer and the thickness of a metal plating layer is the said range.
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれも場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば50nm以上500nm以下とすることが好ましい。 The thickness of the metal thin film layer is not particularly limited in either case where the metal layer is constituted by the metal thin film layer or in the case of being constituted by the metal thin film layer and the metal plating layer. The thickness is preferably 500 nm or more.
金属層は後述するように例えば所望の形状の配線パターンにパターン化することにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたITOよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。 As described later, the metal layer can be used as a wiring by patterning it into a wiring pattern of a desired shape, for example. And since a metal layer can make an electrical resistance value lower than ITO conventionally used as a transparent conductive film, the electrical resistance value of an electroconductive board | substrate can be made small by providing a metal layer.
次に黒化層について説明する。 Next, the blackened layer will be described.
黒化層は、金属層の上面に形成することができる。 The blackening layer can be formed on the upper surface of the metal layer.
黒化層は湿式法により形成することができ、ニッケルと硫黄とを含有することができる。 The blackened layer can be formed by a wet method and can contain nickel and sulfur.
上述のように従来の導電性基板においては黒化層もすべて乾式めっき法により形成されていた。これに対して本実施形態の導電性基板においては、黒化層を湿式法で形成することにより乾式めっき法よりも短い時間で黒化層を成膜することができ、生産性を高めることができる。また、黒化層を設けることにより、金属層の上面における光の反射を抑制することができる。 As described above, in the conventional conductive substrate, all blackening layers are also formed by the dry plating method. On the other hand, in the conductive substrate of the present embodiment, the blackened layer can be formed in a shorter time than the dry plating method by forming the blackened layer by a wet method, thereby improving productivity. it can. Further, by providing the blackening layer, it is possible to suppress reflection of light on the upper surface of the metal layer.
黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法としては例えば無電解めっき法を好適に用いることができる。 The method for forming the blackened layer is not particularly limited as long as it is a wet method, and examples thereof include a method of newly forming and laminating a blackened layer on the metal layer by a wet plating method. As the wet plating method in this case, for example, an electroless plating method can be suitably used.
黒化層に含まれるニッケルと硫黄との比率は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合が重量比で40wt%以上99wt%以下であることが好ましい。 The ratio of nickel and sulfur contained in the blackened layer is not particularly limited, but the proportion of nickel in the nickel and sulfur contained in the blackened layer is 40 wt% or more and 99 wt% or less by weight. It is preferable.
なお、ここでいう黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうちニッケルの占める割合とは、黒化層に含まれるニッケルと硫黄との合計量を100wt%としたときのニッケルの割合を示しており、残部は硫黄の比率となる。このため上述の範囲を黒化層中のニッケル:硫黄の重量の比率で示した場合、40:60以上99:1以下であることが好ましいことを意味している。 In addition, the ratio for which nickel occupies the nickel and sulfur contained in the blackened layer here indicates the ratio of nickel when the total amount of nickel and sulfur contained in the blackened layer is 100 wt%. The balance is the sulfur ratio. For this reason, when the above-mentioned range is expressed by the weight ratio of nickel: sulfur in the blackened layer, it means that it is preferably 40:60 or more and 99: 1 or less.
黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合を40wt%以上とすることにより、黒化層表面の色のムラを抑制することができる。黒化層表面の色のムラを抑制することにより、例えば金属層及び黒化層をパターン化した導電性基板とした場合に、金属層及び黒化層をパターン化した配線部をより目立たなくすることができ、美観を高めることができるため好ましい。 By setting the proportion of nickel in the blackened layer and sulfur contained in the blackened layer to 40 wt% or more, color unevenness on the blackened layer surface can be suppressed. By suppressing color unevenness on the surface of the blackened layer, for example, when a conductive substrate in which the metal layer and the blackened layer are patterned is used, the wiring portion in which the metal layer and the blackened layer are patterned becomes less noticeable. This is preferable because it can enhance aesthetics.
また、黒化層はニッケル及び硫黄を含有することにより、比率によらず金属層による光の反射を抑制できる色になるが、黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合が99wt%以下の場合、特に金属層による光の反射を抑制でき、好ましい。 In addition, the blackened layer contains nickel and sulfur, so that the reflection of light by the metal layer can be suppressed regardless of the ratio, but the nickel occupies the proportion of nickel and sulfur contained in the blackened layer. In the case of 99 wt% or less, reflection of light by the metal layer can be particularly suppressed, which is preferable.
特に黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合は重量比で70wt%以上99wt%以下であることがより好ましく、75wt%以上99wt%以下であることがさらに好ましい。 In particular, of the nickel and sulfur contained in the blackened layer, the proportion of nickel is more preferably 70 wt% or more and 99 wt% or less, and further preferably 75 wt% or more and 99 wt% or less.
黒化層は、ニッケル及び硫黄以外にも任意の成分を含むことができ、その組成は特に限定されるものではないが、ニッケル及び硫黄が主成分であることが好ましく、ニッケル及び硫黄から構成されていることがより好ましい。なお、ニッケル及び硫黄が主成分であるとは、黒化層中にニッケル及び硫黄が50wt%より多く含まれていることを意味している。黒化層がニッケル及び硫黄から構成されている場合においても不純物成分や、不可避成分が含まれていることを排除するものではなく、湿式めっき法により黒化層を成膜した場合に、ニッケル及び硫黄以外にもめっき液由来の成分が黒化層に含まれていてもよい。 The blackening layer can contain any component other than nickel and sulfur, and the composition thereof is not particularly limited, but nickel and sulfur are preferably the main components, and are composed of nickel and sulfur. More preferably. In addition, that nickel and sulfur are the main components means that nickel and sulfur are contained more than 50 wt% in the blackened layer. Even when the blackened layer is composed of nickel and sulfur, it does not exclude the inclusion of impurity components and inevitable components.When the blackened layer is formed by a wet plating method, nickel and sulfur are not excluded. In addition to sulfur, a component derived from the plating solution may be contained in the blackened layer.
また、導電性基板は上述の透明基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。 In addition, the conductive substrate can be provided with an arbitrary layer other than the above-described transparent base material, metal layer, and blackening layer. For example, an adhesion layer can be provided.
密着層の構成例について説明する。 A configuration example of the adhesion layer will be described.
上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性が十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。 As described above, the metal layer can be formed on the transparent substrate, but when the metal layer is directly formed on the transparent substrate, the adhesion between the transparent substrate and the metal layer may not be sufficient. . For this reason, when a metal layer is directly formed on the upper surface of the transparent substrate, the metal layer may be peeled off from the transparent substrate during the production process or use.
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。 Therefore, in the conductive substrate of the present embodiment, an adhesion layer can be disposed on the transparent substrate in order to improve the adhesion between the transparent substrate and the metal layer.
透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。 By disposing the adhesion layer between the transparent substrate and the metal layer, the adhesion between the transparent substrate and the metal layer can be improved, and the metal layer can be prevented from peeling from the transparent substrate.
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。 Further, the adhesion layer can function as a blackening layer. For this reason, it becomes possible to suppress the reflection of the light of the metal layer by the light from the lower surface side of the metal layer, that is, the transparent base material side.
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境(例えば湿度や、温度)に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。 The material constituting the adhesion layer is not particularly limited, the adhesion strength with the transparent base material and the metal layer, the degree of suppression of light reflection on the surface of the required metal layer, and the use of a conductive substrate It can be arbitrarily selected according to the degree of stability to the environment (for example, humidity and temperature).
密着層は例えば、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも1種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素をさらに含むこともできる。 The adhesion layer preferably contains at least one metal selected from, for example, Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. The adhesion layer may further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen.
なお、密着層は、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも2種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ni,Zn,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Co,W,Cu,Sn,Mnから選ばれる少なくとも2種以上の金属を含む金属合金としては、Cu−Ti−Fe合金や、Cu−Ni−Fe合金、Ni−Cu合金、Ni−Zn合金、Ni−Ti合金、Ni−W合金、Ni−Cr合金、Ni−Cu−Cr合金等を好ましく用いることができる。 The adhesion layer can include a metal alloy including at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. Also in this case, the adhesion layer can further include one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen. At this time, as a metal alloy containing at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn, a Cu—Ti—Fe alloy is used. Alternatively, a Cu—Ni—Fe alloy, Ni—Cu alloy, Ni—Zn alloy, Ni—Ti alloy, Ni—W alloy, Ni—Cr alloy, Ni—Cu—Cr alloy and the like can be preferably used.
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 The method for forming the adhesion layer is not particularly limited, but it is preferable to form the film by a dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used. In the case where the adhesion layer is formed by a dry method, it is more preferable to use a sputtering method because the film thickness can be easily controlled. Note that, as described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, a reactive sputtering method can be more preferably used.
密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび/または二酸化炭素ガスを、窒素を添加する場合には窒素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび/または水を、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 When the adhesion layer contains one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen in the atmosphere when forming the adhesion layer Can be added to the adhesion layer. For example, carbon is added to the adhesion layer when carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas is added, nitrogen gas is added when nitrogen is added, oxygen gas is added when oxygen is added, and hydrogen is added. In some cases, hydrogen gas and / or water can be added to the atmosphere during dry plating.
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas during dry plating. Although it does not specifically limit as an inert gas, For example, argon can be used preferably.
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。 By forming the adhesion layer by dry plating as described above, the adhesion between the transparent substrate and the adhesion layer can be enhanced. And since an adhesion layer can contain a metal as a main component, for example, its adhesiveness with a metal layer is also high. For this reason, peeling of a metal layer can be suppressed by arrange | positioning an adhesion layer between a transparent base material and a metal layer.
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば3nm以上50nm以下とすることが好ましく、3nm以上35nm以下とすることがより好ましく、3nm以上33nm以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm to 50 nm, for example, more preferably 3 nm to 35 nm, and still more preferably 3 nm to 33 nm.
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように3nm以上とすることが好ましい。 When the adhesion layer also functions as a blackening layer, that is, when light reflection on the metal layer is suppressed, the thickness of the adhesion layer is preferably 3 nm or more as described above.
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように50nm以下とすることが好ましく、35nm以下とすることがより好ましく、33nm以下とすることがさらに好ましい。 The upper limit value of the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming the wiring are increased, resulting in an increase in cost. Will be invited. For this reason, the thickness of the adhesion layer is preferably 50 nm or less as described above, more preferably 35 nm or less, and further preferably 33 nm or less.
次に、導電性基板の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the conductive substrate will be described.
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、黒化層と、を備え、例えば透明基材上に、金属層、黒化層、をその順で積層した構成とすることができる。 As described above, the conductive substrate of this embodiment includes a transparent base material, a metal layer, and a blackened layer. For example, a metal layer and a blackened layer are laminated in that order on the transparent base material. It can be configured.
具体的な構成例について、図1を用いて以下に説明する。図1は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。 A specific configuration example will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows an example of a cross-sectional view of the conductive substrate of the present embodiment on a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer.
例えば、図1(A)に示した導電性基板10Aのように、透明基材11の第1の主平面11a側に金属層12と、黒化層13と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図1(B)に示した導電性基板10Bのように、透明基材11の第1の主平面11a側と、第2の主平面11b側と、にそれぞれ金属層12A、12Bと、黒化層13A、13Bと、を一層ずつその順に積層することもできる。
For example, as in the
本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる、金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。 The conductive substrate of the present embodiment can be used for various applications such as a touch panel. And when using for various uses, it is preferable that the metal layer and blackening layer which are contained in the electroconductive board | substrate of this embodiment are patterned. The metal layer and the blackened layer can be patterned in accordance with a desired wiring pattern, for example, and the metal layer and the blackened layer are preferably patterned in the same shape.
本実施形態の導電性基板においては上述のように、金属層12(12A、12B)の上面に黒化層13(13A、13B)を配置することができる。このため、金属層12(12A、12B)の上面側からの光の反射を抑制することができる。 In the conductive substrate of this embodiment, as described above, the blackening layer 13 (13A, 13B) can be disposed on the upper surface of the metal layer 12 (12A, 12B). For this reason, reflection of the light from the upper surface side of the metal layer 12 (12A, 12B) can be suppressed.
また、既述のように例えば透明基材11と金属層12との間には図示しない密着層を設けることもできる。なお、図1(B)に示した導電性基板10Bの場合、透明基材11と金属層12Aとの間、および/または透明基材11と金属層12Bとの間に密着層を設けることができる。密着層を設けることにより、透明基材11と金属層12(12A、12B)との密着性を高めることができ、透明基材11から金属層12(12A、12B)が剥離することを特に抑制することができる。また、密着層を設けることにより、金属層12(12A、12B)の黒化層を設けていない面についても光の反射を抑制することが可能になり好ましい。
Further, as described above, for example, an adhesion layer (not shown) can be provided between the
なお、金属層及び黒化層をパターン化する際、密着層についても例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、密着層、金属層、及び黒化層を同じ形状にパターン化することが好ましい。 When the metal layer and the blackened layer are patterned, the adhesive layer can also be patterned in accordance with, for example, a desired wiring pattern, and the adhesive layer, the metal layer, and the blackened layer are patterned in the same shape. It is preferable.
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長400nm以上700nm以下の光の反射率(正反射率)は35%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましい。波長400nm以上700nm以下の光の反射率が35%以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。 The degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited. For example, the reflectance (regular reflectance) of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 35% or less, More preferably, it is 30% or less. When the reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 35% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel, the display visibility is hardly deteriorated, which is preferable.
導電性基板の光の反射率の測定は、黒化層13(13A、13B)に光を照射するようにして測定を行うことができる。 The light reflectance of the conductive substrate can be measured by irradiating the blackened layer 13 (13A, 13B) with light.
具体的には例えば図1(A)のように透明基材11の第1の主平面11a側に金属層12、黒化層13の順に積層した場合、黒化層13の積層方向上方から、黒化層13の表面13aに光を照射するようにして測定できる。そして、波長400nm以上700nm以下の範囲内で波長を所定の間隔で変化させ、各波長の光について反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の波長400nm以上700nm以下の光の反射率とすることができる。測定に当たっては、上記波長範囲の光について例えば波長1nm間隔で波長を変化させて測定を行うことができる。
Specifically, for example, when the
また、本実施形態の導電性基板の黒化層13(13A、13B)の表面については、L*a*b*表色系のうちの明度(L*)の数値が小さいことが好ましい。これは明度(L*)の数値が小さくなるほど黒化層13(13A、13B)及び金属層12(12A、12B)が目立たなくなるためであり、黒化層13(13A、13B)の表面の明度(L*)は60以下であることが好ましい。 Further, regarding the surface of the blackening layer 13 (13A, 13B) of the conductive substrate of the present embodiment, it is preferable that the value of lightness (L * ) in the L * a * b * color system is small. This is because the blackened layer 13 (13A, 13B) and the metal layer 12 (12A, 12B) become less conspicuous as the value of the lightness (L * ) decreases, and the lightness of the surface of the blackened layer 13 (13A, 13B). (L * ) is preferably 60 or less.
そして、本実施形態の導電性基板においては上述のように金属層を設けていることから、導電性基板の表面抵抗を小さくすることができる。表面抵抗は、0.2Ω/□未満であることが好ましく、0.15Ω/□未満であることがより好ましく、0.06Ω/□未満であることがさらに好ましい。表面抵抗の測定方法は特に限定されないが、例えば、4探針法により測定することができ、導電性基板の黒化層に探針が接触するようにして測定を行うことが好ましい。 And since the metal layer is provided in the conductive substrate of this embodiment as mentioned above, the surface resistance of a conductive substrate can be made small. The surface resistance is preferably less than 0.2Ω / □, more preferably less than 0.15Ω / □, and even more preferably less than 0.06Ω / □. The method for measuring the surface resistance is not particularly limited. For example, the surface resistance can be measured by a four-probe method, and the measurement is preferably performed such that the probe contacts the blackened layer of the conductive substrate.
ここまで本実施形態の導電性基板について説明したが、本実施形態の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板とすることもできる。導電性基板を積層する場合、導電性基板に含まれる金属層、黒化層は上述のようにパターン化されていることが好ましい。また、密着層を設ける場合には、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。 Although the conductive substrate of this embodiment has been described so far, a laminated conductive substrate in which a plurality of conductive substrates of this embodiment are stacked may be used. When laminating a conductive substrate, it is preferable that the metal layer and the blackened layer included in the conductive substrate are patterned as described above. Moreover, when providing an adhesion layer, it is preferable that the adhesion layer is also patterned.
特にタッチパネルの用途に用いる場合、導電性基板、または、積層導電性基板は、後述のようにメッシュ状の配線を備えていることが好ましい。 In particular, when used for touch panel applications, the conductive substrate or the laminated conductive substrate preferably includes a mesh-like wiring as described later.
ここで、2枚の導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前の導電性基板に形成する金属層、及び金属層のパターンの形状の構成例について図2を用いて説明する。なお、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および/または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。 Here, taking as an example the case of forming a laminated conductive substrate having mesh-like wiring by laminating two conductive substrates, the metal layer formed on the conductive substrate before lamination, and the pattern of the metal layer A configuration example of the shape will be described with reference to FIG. Although the patterned metal layer functions as a wiring, the adhesion layer and / or the blackened layer can also constitute a part of the wiring depending on the electric resistance value.
図2(A)は、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を構成する2枚の導電性基板のうち、一方の導電性基板について、導電性基板20を上面側、すなわち、透明基材11の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図2(B)は、図2(A)のA−A´線における断面図を示している。
FIG. 2A shows the
図2(A)、図2(B)に示すように導電性基板20において、透明基材11の第1の主平面11a上のパターン化された金属層22、及び黒化層23は、同じ形状を有することができる。例えばパターン化された黒化層23は図2(A)中に示した直線形状の複数のパターン(黒化層パターン23A〜23G)を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Y軸に平行に、かつ、図中X軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図2(A)に示したように透明基材11が四角形状を有する場合、透明基材11の一辺と平行になるように、黒化層のパターン(黒化層パターン23A〜23G)は配置されることが好ましい。
2A and 2B, in the
なお、上述のように、パターン化された金属層22もパターン化された黒化層23と同様にパターン化されており、直線形状の複数のパターン(金属層パターン)を有し、係る複数のパターンは互いに平行に離隔して配置できる。また、図示しない密着層を設ける場合、密着層についても同様のパターンとすることができる。このため、パターン間では透明基材11の第1の主平面11aが露出することとなる。
As described above, the patterned metal layer 22 is also patterned in the same manner as the patterned blackened
図2(A)、図2(B)に示した、パターン化された金属層22、及び黒化層23のパターン形成方法は特に限定されない。例えば黒化層23を形成後、黒化層23上に、形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置し、エッチングすることによりパターン形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングする層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。
The pattern forming method of the patterned metal layer 22 and the blackened
そして、金属層、及び黒化層がパターン化された2枚の導電性基板を積層することにより、積層導電性基板を形成することができる。積層導電性基板について、図3を用いて説明する。図3(A)は、積層導電性基板30を上面側、すなわち、2枚の導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図3(B)は、図3(A)のB−B´線における断面図を示している。
And a laminated conductive substrate can be formed by laminating | stacking two conductive substrates in which the metal layer and the blackening layer were patterned. A laminated conductive substrate will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows a view of the laminated
積層導電性基板30は、図3(B)に示すように導電性基板201と、導電性基板202と、を積層して得られたものである。なお、導電性基板201、202は共に、透明基材111(112)の第1の主平面111a(112a)上に、パターン化された金属層221(222)、及び黒化層231(232)が積層されている。導電性基板201、202のパターン化された金属層221(222)、及び黒化層231(232)は、いずれも上述した導電性基板20と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターン化されている。
The laminated
そして、一方の導電性基板201の透明基材111の第1の主平面111aと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層されている。
The first
なお、一方の導電性基板201の上下を逆にして、一方の導電性基板201の透明基材111の第2の主平面111bと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図4と同様の配置となる。
Note that one conductive substrate 201 is turned upside down, and the second
2枚の導電性基板を積層する際、図3(A)、図3(B)に示すように、一方の導電性基板201のパターン化された金属層221と、他方の導電性基板202のパターン化された金属層222と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図3(A)において、一方の導電性基板201のパターン化された金属層221はそのパターンの長さ方向が図中のX軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方の導電性基板202のパターン化された金属層222はそのパターンの長さ方向が図中のY軸方向と平行になるように配置することができる。
When two conductive substrates are stacked, as shown in FIGS. 3A and 3B, the patterned metal layer 221 of one conductive substrate 201 and the other
なお、図3(A)は上述のように積層導電性基板30の積層方向に沿って見た図のため、各導電性基板201、202の最上部に配置されたパターン化された黒化層231、232を示している。パターン化された金属層221、222もパターン化された黒化層231、232と同じパターンとなっているため、パターン化された金属層221、222もパターン化された黒化層231、232と同様にメッシュ状となる。また、密着層を設けた場合、パターン化された密着層についてもパターン化された黒化層231、232と同様のメッシュ状とすることができる。
Note that FIG. 3A is a view seen along the stacking direction of the stacked
積層した2枚の導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。 The method for adhering two laminated conductive substrates is not particularly limited. For example, the conductive substrates can be bonded and fixed with an adhesive or the like.
以上に説明したように一方の導電性基板201と、他方の導電性基板202と、を積層することにより、図3(A)に示したように、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板30とすることができる。
As described above, by laminating one conductive substrate 201 and the other
なお、図3(A)、(B)においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線(配線パターン)を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。 3A and 3B show an example in which a mesh-like wiring (wiring pattern) is formed by combining linear wiring, but the present invention is not limited to such a form. The wiring constituting the pattern can have any shape. For example, the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display.
ここでは、2枚の導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた(積層)導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図1(B)に示した、透明基材11の第1の主平面11a、第2の主平面11bに金属層12A、12B、黒化層13A、13Bを積層した導電性基板10Bからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。
Here, an example in which a laminated conductive substrate having a mesh-like wiring is formed by laminating two conductive substrates has been described, but a (laminated) conductive substrate having a mesh-like wiring is used. The method is not limited to such a form. For example, from the
この場合、透明基材11の第1の主平面11a側に積層した、金属層12A、及び黒化層13Aを、図1(B)中のY軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。また、透明基材11の第2の主平面11b側に積層した、金属層12B、及び黒化層13Bを図1(B)中のX軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。パターン化は上述のように例えばエッチングにより実施できる。これにより、図4に示したように、透明基材11を挟んで、透明基材の第1の主平面11a側に形成したパターン化された金属層42Aと、第2の主平面11b側に形成したパターン化された金属層42Bと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。
In this case, the
なお、パターン化された金属層42A、及びパターン化された金属層42B上には図4に示したように、金属層42A(42B)と同様の形状にパターン化された黒化層43A、43Bが配置されることになる。
As shown in FIG. 4, blackened
ここまで、透明基材の少なくとも一方の面上にパターン化された金属層、及び同様の形状にパターン化された黒化層を積層した(積層)導電性基板の例を説明したが係る形態に限定されるものではない。パターン化された金属層の上面だけではなく、側面にも黒化層を配置した(積層)導電性基板とすることもできる。 Up to this point, an example of a conductive substrate in which a metal layer patterned on at least one surface of a transparent base material and a blackened layer patterned in the same shape is laminated (laminated) has been described. It is not limited. A conductive substrate in which a blackened layer is disposed not only on the upper surface of the patterned metal layer but also on the side surface can be provided.
例えばまず、透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成した後、黒化層を形成する前に金属層を所望の形状にパターン化することができる。なお、既述のように透明基材と金属層との間に密着層を形成することもでき、密着層を形成した場合には、金属層をパターン化する際に、密着層もパターン化することができる。そして、金属層等のパターン化後に、パターン化された金属層の表面を覆うように黒化層を形成することができる。 For example, first, after forming a metal layer on at least one surface of the transparent substrate, the metal layer can be patterned into a desired shape before forming the blackened layer. As described above, an adhesion layer can be formed between the transparent substrate and the metal layer. When the adhesion layer is formed, the adhesion layer is also patterned when the metal layer is patterned. be able to. And after patterning a metal layer etc., a blackening layer can be formed so that the surface of the patterned metal layer may be covered.
金属層等をパターン化してから黒化層を形成することで、例えば図2(A)、(B)に示した場合と同様に金属層を直線形状にパターン化した場合、図2(B)の場合と同様にパターン化された金属層22の上面に黒化層を形成することができる。そしてこの際あわせて、パターン化された金属層22の側面、すなわちパターン化された金属層22のうち透明基材11と垂直な面の表面にも黒化層を形成することができる。
When the blackened layer is formed after patterning the metal layer or the like, for example, when the metal layer is patterned into a linear shape in the same manner as shown in FIGS. 2A and 2B, FIG. A blackened layer can be formed on the upper surface of the patterned metal layer 22 as in the case of. At the same time, a blackened layer can also be formed on the side surface of the patterned metal layer 22, that is, on the surface of the patterned metal layer 22 that is perpendicular to the
このように、例えば図2(A)、(B)に示した導電性基板20において、パターン化された金属層22の側面にも黒化層を形成した導電性基板とすることでパターン化された金属層22の側面での光の反射も抑制することが可能になる。このため、タッチパネル等の用途に用いた場合、特にディスプレイの視認性を高めることが可能になる。
Thus, for example, in the
なお、図2(A)、(B)に示した導電性基板20のパターン化された金属層22の側面にも黒化層を形成した導電性基板を例に説明したが、図4に示した導電性基板40において、パターン化された金属層42A、42Bの側面にも同様にして黒化層を配置することもできる。また、図3(A)、(B)に示した積層導電性基板30においても同様にパターン化された金属層221、222の側面にも黒化層を配置することもできる。
The conductive substrate in which the blackened layer is also formed on the side surface of the patterned metal layer 22 of the
以上に説明した(積層)導電性基板によれば、パターン化された金属層はその上面にパターン化された黒化層が配置されている。このため、パターン化された金属層表面での光の反射を抑制できる。また、金属層を配置しているため、電気抵抗値を小さくすることができる。さらに、上述のように黒化層は湿式法により形成されるため生産性良く製造することができる。
(導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法)
次に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
According to the (laminated) conductive substrate described above, the patterned metal layer has the patterned blackened layer disposed on the upper surface thereof. For this reason, reflection of light on the surface of the patterned metal layer can be suppressed. Moreover, since the metal layer is disposed, the electrical resistance value can be reduced. Furthermore, since the blackened layer is formed by a wet method as described above, it can be manufactured with high productivity.
(Method for producing conductive substrate, method for producing laminated conductive substrate)
Next, the structural example of the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment and the manufacturing method of a laminated conductive substrate is demonstrated.
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。
金属層上に湿式法により、ニッケルと硫黄とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程。
The manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment can have the following processes.
A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface of the transparent substrate.
A blackening layer forming step of forming a blackening layer containing nickel and sulfur on the metal layer by a wet method.
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板、積層導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため重複する部分については説明を一部省略する。 Although the manufacturing method of the electroconductive board | substrate of this embodiment and the manufacturing method of a laminated electroconductive board | substrate are demonstrated below, except the point demonstrated below, the structure similar to the case of the above-mentioned electroconductive board | substrate and a laminated electroconductive board | substrate is demonstrated. Therefore, a part of the description of the overlapping parts is omitted.
金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板(樹脂フィルム)や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。 The transparent base material used for the metal layer forming step can be prepared in advance. Although the kind of transparent base material to be used is not particularly limited, a resin substrate (resin film) that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used as described above. The transparent base material can be cut into an arbitrary size in advance if necessary.
そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。 And as above-mentioned, it is preferable that a metal layer has a metal thin film layer. The metal layer can also have a metal thin film layer and a metal plating layer. For this reason, a metal layer formation process can have a process of forming a metal thin film layer, for example by a dry-type plating method. The metal layer forming step includes a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method, a step of forming a metal plating layer by an electroplating method which is a kind of wet plating method, using the metal thin film layer as a power feeding layer, You may have.
金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。 The dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer is not particularly limited, and for example, an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used. In addition, as a vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method can be used preferably. As the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer, it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness is particularly easy to control.
金属薄膜層をスパッタリング法により成膜する場合、例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。 When forming a metal thin film layer by sputtering, it can be suitably formed using, for example, a roll-to-roll sputtering apparatus.
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いた場合を例に金属薄膜層の形成方法を説明する。
A method for forming a metal thin film layer will be described by taking as an example the case where the roll-to-
図5はロール・ツー・ロールスパッタリング装置50の一構成例を示している。
FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50は、その構成部品のほとんどを収納した筐体51を備えている。
The roll-to-
図5において筐体51の形状は直方体形状として示しているが、筐体51の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体51の形状は円筒形状とすることもできる。
In FIG. 5, the shape of the
ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体51内部は10−3Pa以下まで減圧できることが好ましく、10−4Pa以下まで減圧できることがより好ましい。なお、筐体51内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール53が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
However, in order to remove residual gas not related to film formation at the start of film formation, it is preferable that the inside of the
筐体51内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール52、キャンロール53、スパッタリングカソード54a〜54d、前フィードロール55a、後フィードロール55b、テンションロール56a、56b、巻取ロール57を配置することができる。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール58a〜58hや、ヒーター61等を設けることもできる。
In the
巻出ロール52、キャンロール53、前フィードロール55a、巻取ロール57にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール52、巻取ロール57は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって金属薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるように構成できる。
The unwinding
キャンロール53の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体51の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
The configuration of the can roll 53 is not particularly limited. For example, the surface of the can roll 53 is finished with hard chrome plating, and a coolant and a heating medium supplied from the outside of the
テンションロール56a、56bは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。 For example, the tension rolls 56a and 56b are preferably finished with hard chrome plating and provided with a tension sensor.
また、前フィードロール55aや、後フィードロール55b、ガイドロール58a〜58hについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
The
スパッタリングカソード54a〜54dは、マグネトロンカソード式でキャンロール53に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード54a〜54dのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード54a〜54dの金属薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
The sputtering cathodes 54 a to 54 d are preferably magnetron cathode types and arranged to face the can roll 53. The size of the
金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置50内を搬送されて、キャンロール53に対向するスパッタリングカソード54a〜54dで金属薄膜層が成膜される。
The base material on which the metal thin film layer is formed is transported through a roll-to-
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて金属薄膜層を成膜する場合、所定のターゲットをスパッタリングカソード54a〜54dに装着し、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール52にセットした装置内を真空ポンプ60a、60bにより真空排気する。そしてその後、スパッタリングガスを気体供給手段59により筐体51内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ60bと筐体51との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば0.13Pa以上13Pa以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
When forming a metal thin film layer using the roll-to-
この状態で、巻出ロール52から基材を例えば毎分1m以上20m以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続成膜することができる。
In this state, while discharging the base material from the unwinding
次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。 Next, the process of forming a metal plating layer will be described. The conditions in the step of forming the metal plating layer by the wet plating method, that is, the conditions for the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted. For example, a metal plating layer can be formed by supplying a base material on which a metal thin film layer is formed in a plating tank containing a metal plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
次に、黒化層形成工程について説明する。 Next, the blackening layer forming process will be described.
黒化層形成工程においては、湿式法により黒化層を形成することができる。黒化層を湿式法で形成することにより、従来の乾式法のみで黒化層を形成していた場合と比較して、導電性基板を生産性良く製造できる。 In the blackened layer forming step, the blackened layer can be formed by a wet method. By forming the blackening layer by a wet method, the conductive substrate can be manufactured with high productivity as compared with the case where the blackening layer is formed only by a conventional dry method.
また、従来のように乾式法により黒化層を成膜する場合、例えば湿式法で金属めっき層を成膜すると、金属めっき層の成膜後、湿式法の成膜装置から被成膜体を取り出し、被成膜体を乾燥させた上で乾式法の装置にセットする必要があり生産性が低下していた。これに対して本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層も湿式法で形成するため、湿式法の装置で金属めっき層を成膜した場合でも、金属めっき層と黒化層とを連続して形成でき、特に生産性を高めることができる。 Further, when the blackening layer is formed by a dry method as in the conventional case, for example, when a metal plating layer is formed by a wet method, after the metal plating layer is formed, the deposition target is removed from the wet method film forming apparatus. Since it was necessary to take out and dry a to-be-film-formed body, it was necessary to set it to the apparatus of a dry process, and productivity fell. On the other hand, in the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment, since the blackened layer is also formed by a wet method, the metal plated layer and the blackened layer are formed even when the metal plated layer is formed by a wet method apparatus. Can be formed continuously, and productivity can be particularly improved.
黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法は例えば無電解めっき法を好ましく用いることができる。 The method for forming the blackened layer is not particularly limited as long as it is a wet method, and examples thereof include a method of newly forming and laminating a blackened layer on the metal layer by a wet plating method. In this case, for example, an electroless plating method can be preferably used as the wet plating method.
また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、ニッケル及び硫黄を含有するめっき液を用いて、電気めっき法により黒化層を形成する方法が挙げられる。この際用いるめっき液の種類は特に限定されるものではなく、例えばニッケル及び硫黄を含有するめっき液を好ましく用いることができる。なお、予めめっき液の組成と、成膜される黒化層の組成との関係について予備試験を行い、所望の組成の黒化層が得られるようにめっき液の組成を選択しておくことが好ましい。 Moreover, as a specific method for forming the blackened layer by a wet method, a method for forming the blackened layer by an electroplating method using a plating solution containing nickel and sulfur can be given. The kind of the plating solution used in this case is not particularly limited, and for example, a plating solution containing nickel and sulfur can be preferably used. In addition, it is possible to conduct a preliminary test on the relationship between the composition of the plating solution and the composition of the blackened layer to be formed in advance and select the composition of the plating solution so that a blackened layer having a desired composition can be obtained. preferable.
また、さらに任意の工程を実施することができる。例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程で説明した金属薄膜層を成膜する基材とは、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材となる。 Furthermore, an arbitrary process can be performed. For example, when forming an adhesion layer between a transparent substrate and a metal layer, an adhesion layer forming step of forming an adhesion layer on the surface of the transparent substrate on which the metal layer is formed can be performed. When carrying out the adhesion layer forming step, the metal layer forming step can be carried out after the adhesion layer forming step, and is transparent in this step with the substrate on which the metal thin film layer described in the metal layer forming step is formed. The base material has an adhesion layer formed on the base material.
密着層は例えば図1(A)において、透明基材11の一方の主平面である第1の主平面11a上に形成することができる。また、図1(B)に示した導電性基板10Bの場合、透明基材11の第1の主平面11a及び第2の主平面11bの両方に密着層を形成することもできる。透明基材11の第1の主平面11a及び第2の主平面11bの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。
For example, in FIG. 1A, the adhesion layer can be formed on the first
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境(例えば湿度や、温度)に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。 The material constituting the adhesion layer is not particularly limited, the adhesion strength with the transparent substrate and the metal layer, the degree of suppression of light reflection on the surface of the metal layer, and the environment in which the conductive substrate is used ( For example, it can be arbitrarily selected according to the degree of stability with respect to humidity and temperature. Since materials that can be suitably used as the material constituting the adhesion layer have already been described, description thereof is omitted here.
密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。 The method for forming the adhesion layer is not particularly limited. For example, as described above, the adhesion layer can be formed by a dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used. In the case where the adhesion layer is formed by a dry method, it is more preferable to use a sputtering method because the film thickness can be easily controlled.
密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素も添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can also be added to the adhesion layer, and in this case, a reactive sputtering method can be more preferably used.
なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび/または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび/または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 In the case where the adhesion layer contains one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen, one or more selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen in the atmosphere when forming the adhesion layer By adding a gas containing these elements, it can be added to the adhesion layer. For example, when adding carbon to the adhesion layer, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas, when adding oxygen, oxygen gas, when adding hydrogen, hydrogen gas and / or water, In the case of adding nitrogen, nitrogen gas can be added to the atmosphere when dry plating is performed.
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる1種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas during dry plating. Although it does not specifically limit as an inert gas, For example, argon can be used preferably.
反応性スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。 When the adhesion layer is formed by a reactive sputtering method, a target containing a metal species that constitutes the adhesion layer can be used as the target. When the adhesion layer contains an alloy, a target may be used for each metal species contained in the adhesion layer, and the alloy may be formed on the surface of the film-formed body such as a transparent substrate. An alloyed target can also be used.
密着層は例えば図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて好適に成膜することができる。
The adhesion layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。 Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof is omitted here.
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50を用いて密着層を成膜する場合、密着層を構成する金属のターゲットをスパッタリングカソード54a〜54dに装着し、密着層を形成する基材、例えば透明基材を巻出ロール52にセットする。そして、装置内、例えば筐体51内を真空ポンプ60a、60bにより真空排気する。そしてその後、アルゴンガス等のスパッタリングガスを気体供給手段59により筐体51内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ60bと筐体51との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば0.13Pa以上13Pa以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
When forming the adhesion layer using the roll-to-
この状態で、巻出ロール52から基材を例えば毎分0.5m以上10m以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の密着層を連続成膜することができる。
In this state, while discharging the base material from the unwinding
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。 By forming the adhesion layer by dry plating as described above, the adhesion between the transparent substrate and the adhesion layer can be enhanced. And since an adhesion layer can contain a metal as a main component, for example, its adhesiveness with a metal layer is also high. For this reason, peeling of a metal layer can be suppressed by arrange | positioning an adhesion layer between a transparent base material and a metal layer.
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば3nm以上50nm以下とすることが好ましく、3nm以上35nm以下とすることがより好ましく、3nm以上33nm以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm to 50 nm, for example, more preferably 3 nm to 35 nm, and still more preferably 3 nm to 33 nm.
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。 The conductive substrate obtained by the method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can be used for various applications such as a touch panel. And when using for various uses, it is preferable that the metal layer and blackening layer which are contained in the electroconductive board | substrate of this embodiment are patterned. In addition, when providing an adhesion layer, it is preferable that the adhesion layer is also patterned. The metal layer and the blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be patterned, for example, in accordance with a desired wiring pattern. The metal layer and the blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be patterned in the same shape. It is preferable that
このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層及び黒化層をパターン化するパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び黒化層をパターン化する工程とすることができる。 For this reason, the manufacturing method of the electroconductive board | substrate of this embodiment can have the patterning process which patterns a metal layer and a blackening layer. When the adhesion layer is formed, the patterning step can be a step of patterning the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer.
パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図1(A)のように透明基材11上に金属層12、黒化層13が積層された導電性基板10Aの場合、まず黒化層13上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施することができる。次いで、黒化層13の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
The specific procedure of the patterning step is not particularly limited, and can be performed by an arbitrary procedure. For example, in the case of the
エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。 The etching solution used in the etching step is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the material constituting the layer to be etched. For example, the etching solution can be changed for each layer, and the metal layer and the blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be etched simultaneously with the same etching solution.
エッチング工程で形成するパターンは特に限定されない。例えば金属層及び黒化層を、直線形状の複数のパターンとなるようにパターン化することができる。直線形状の複数のパターンにパターン化した場合、図2(A)、図2(B)に示すように、パターン化された金属層22及び黒化層23は互いに平行に、かつ、離隔するようなパターンとすることができる。
The pattern formed in the etching process is not particularly limited. For example, the metal layer and the blackened layer can be patterned to form a plurality of linear patterns. When patterning into a plurality of linear patterns, as shown in FIGS. 2A and 2B, the patterned metal layer 22 and the blackened
また、図1(B)のように透明基材11の第1の主平面11a、第2の主平面11bに金属層12A、12B、黒化層13A、13Bを積層した導電性基板10Bについてもパターン化するパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層13A、13B上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層13A、13Bの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
Further, as shown in FIG. 1B, the
エッチング工程において例えば、透明基材11の第1の主平面11a側に積層した金属層12A及び黒化層13Aを、図1(B)中のY軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。また、透明基材11の第2の主平面11b側に積層した金属層12B及び黒化層13Bを図1(B)中のX軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。これにより、図4に示したように、透明基材11を挟んで、透明基材の第1の主平面11a側に形成したパターン化された金属層42Aと、第2の主平面11b側に形成したパターン化された金属層42Bと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。
In the etching step, for example, the
なお、既述のようにパターニング工程は、金属層形成工程を実施後、黒化層形成工程の実施前に実施することもできる。この場合、パターニング工程では、金属層をパターン化することとなる。なお、密着層を形成した場合には、密着層、及び金属層をパターン化することとなる。 As described above, the patterning step can be performed after the metal layer forming step and before the blackening layer forming step. In this case, the metal layer is patterned in the patterning step. When the adhesion layer is formed, the adhesion layer and the metal layer are patterned.
黒化層形成工程の前にパターニング工程を実施する場合、既述のマスク配置工程では金属層上に所望のパターンを有するマスクを配置することになる。また、エッチング工程では、金属層の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給することとなる。 When the patterning step is performed before the blackening layer forming step, a mask having a desired pattern is placed on the metal layer in the mask placement step described above. In the etching process, an etching solution is supplied to the upper surface of the metal layer, that is, the surface side where the mask is disposed.
パターニング工程でパターン化する金属層等の形状は特に限定されるものではないが、例えば上述のように直線形状等の任意の形状にパターン化することができる。そして、パターニング工程後に黒化層形成工程を実施することで、パターン化された金属層の側面にも黒化層を形成することができ、金属層表面での光の反射を特に抑制することができる。 The shape of the metal layer or the like to be patterned in the patterning step is not particularly limited, but can be patterned into an arbitrary shape such as a linear shape as described above. Then, by performing the blackened layer forming step after the patterning step, the blackened layer can be formed also on the side surface of the patterned metal layer, and the reflection of light on the surface of the metal layer is particularly suppressed. it can.
そして、ここまで説明した導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。 And the laminated conductive substrate which laminated | stacked several conductive substrates demonstrated so far can also be manufactured. The method for producing a laminated conductive substrate can include a lamination step of laminating a plurality of conductive substrates obtained by the above-described method for producing a conductive substrate.
積層工程では例えば、図2(A)、図2(B)に示したパターン化された導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図3(A)、図3(B)に示したように、一方の導電性基板201の透明基材111の第1の主平面111aと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層することにより実施できる。
In the stacking step, for example, a plurality of patterned conductive substrates shown in FIGS. 2A and 2B can be stacked. Specifically, as shown in FIGS. 3A and 3B, the first
積層後、2枚の導電性基板201、202は例えば接着剤等により固定することができる。
After lamination, the two
なお、一方の導電性基板201の上下を逆にして、一方の導電性基板201の透明基材111の第2の主平面111bと、他方の導電性基板202の透明基材112の第2の主平面112bとが対向するように積層してもよい。
Note that one conductive substrate 201 is turned upside down, and the second
メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする場合、積層工程では、図3(A)、図3(B)に示したように、一方の導電性基板201に予め形成したパターン化された金属層221と、他方の導電性基板202に予め形成したパターン化された金属層222と、が交差するように積層できる。
In the case of a laminated conductive substrate provided with a mesh-like wiring, in the lamination step, as shown in FIGS. 3A and 3B, a pattern formed in advance on one conductive substrate 201 is formed. The metal layer 221 and the patterned
図3(A)、(B)においては、直線形状にパターン化された金属層を組み合わせてメッシュ状の配線(配線パターン)を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された金属層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ(干渉縞)が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線(ジグザグ直線)等の各種形状にすることもできる。なお、既述のように、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および/または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法により得られる導電性基板及び積層導電性基板によれば、金属層を設けたため、電気抵抗値が小さくできる。また、金属層上に黒化層を配置したため、光の反射を抑制できる。さらに、黒化層を湿式法により形成できるため生産性良く製造することができる。
3A and 3B show an example in which a mesh-like wiring (wiring pattern) is formed by combining metal layers patterned in a linear shape, but the present invention is not limited to such a form. Absent. The wiring constituting the wiring pattern, that is, the shape of the patterned metal layer can be any shape. For example, the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display. As described above, the patterned metal layer functions as a wiring, but the adhesion layer and / or the blackened layer can also constitute a part of the wiring depending on the electric resistance value.
According to the conductive substrate and the laminated conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method and the laminated conductive substrate manufacturing method of the present embodiment described above, the electric resistance value can be reduced because the metal layer is provided. Moreover, since the blackening layer is arrange | positioned on the metal layer, reflection of light can be suppressed. Furthermore, since the blackened layer can be formed by a wet method, it can be manufactured with high productivity.
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(評価方法)
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
(黒化層の組成)
得られた導電性基板の表面に形成された黒化層の組成分析はEPMA(Electron Probe MicroAnalyser 日本電子株式会社製 型式:JXA−8900R)を用いて行った。測定結果から、黒化層に含まれるNi及びS(硫黄)の重量の和を100とした場合の、Ni及びSの重量%を算出した。
Specific examples and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
(Evaluation method)
First, a method for evaluating the obtained conductive substrate will be described.
(Composition of blackened layer)
Composition analysis of the blackened layer formed on the surface of the obtained conductive substrate was performed using EPMA (Electron Probe MicroAnalyzer JEOL Ltd., model: JXA-8900R). From the measurement results, the weight percent of Ni and S was calculated when the sum of the weights of Ni and S (sulfur) contained in the blackened layer was taken as 100.
(表面抵抗)
低抵抗率計(株式会社ダイアインスツルメンツ製 型番:ロレスターEP MCP−T360)を用いて、以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の表面抵抗を測定した。測定は4探針法により行い、黒化層に探針が接触するようにして測定を行った。
(Surface resistance)
The surface resistance of the conductive substrates produced in the following examples and comparative examples was measured using a low resistivity meter (model number: Lorester EP MCP-T360, manufactured by Dia Instruments Co., Ltd.). The measurement was performed by the 4-probe method, and the measurement was performed such that the probe was in contact with the blackened layer.
(外観評価)
黒化層の表面を視認し、外観の評価を行った。評価に当たっては黒化層の表面の色が均一でムラがない場合には〇、ムラが少しでも見られた場合には△、黒化層の表面全体に渡ってムラが見られた場合には×と評価した。
(Appearance evaluation)
The surface of the blackened layer was visually confirmed and the appearance was evaluated. In the evaluation, when the surface color of the blackened layer is uniform and there is no unevenness, ◯, when even a little unevenness is seen, Δ, when unevenness is seen over the entire surface of the blackened layer X was evaluated.
(正反射率)
測定は、紫外可視分光光度計(株式会社 島津製作所製 型式:UV−2600)に反射率測定ユニットを設置して行った。
(Regular reflectance)
The measurement was performed by installing a reflectance measurement unit in an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2600).
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角5°、受光角5°として、波長400nm以上700nm以下の光を波長1nm間隔で照射して各波長の光について正反射率を測定し、測定結果の平均値を該導電性基板の正反射率とした。
(明度)
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面について、紫外可視分光光度計(株式会社 島津製作所製 型式:UV−2600)により波長400nm以上700nm以下の光を波長1nm間隔で照射して明度を測定した。
(試料の作製条件)
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
[実施例1]
(密着層形成工程)
幅500mm、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート樹脂(PET)製の透明基材を図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50にセットした。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をJIS K 7361−1に規定された方法により評価を行ったところ97%であった。
The surface of the blackened layer of the conductive substrate prepared in the following examples and comparative examples is irradiated with light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less at intervals of 1 nm at an incident angle of 5 ° and a light receiving angle of 5 °. The regular reflectance of each light was measured, and the average value of the measurement results was taken as the regular reflectance of the conductive substrate.
(brightness)
About the blackening layer surface of the electroconductive board | substrate produced by the following example and the comparative example, light with a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is wavelength 1 nm intervals with an ultraviolet visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation model: UV-2600). The brightness was measured by irradiation.
(Sample preparation conditions)
As examples and comparative examples, conductive substrates were produced under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method.
[Example 1]
(Adhesion layer forming process)
A transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 μm was set in the roll-to-
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50により、透明基材の一方の主平面に密着層を成膜した。密着層としては酸素を含有するNi−Cr合金層を形成した。
Then, an adhesion layer was formed on one main plane of the transparent substrate by the roll-to-
密着層の成膜条件について説明する。 The conditions for forming the adhesion layer will be described.
図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のスパッタリングカソード54a〜54dにNi−17重量%Cr合金のターゲットを接続した。
Ni-17 wt% Cr alloy targets were connected to the
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のヒーター61を60℃に加熱し、透明基材を加熱し、透明基材中に含まれる水分を除去した。
The
続いて筐体51内を1×10−3Paまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、筐体51内の圧力が1.3Paになるように調整した。この際、筐体51内の雰囲気が体積比で30%酸素、残部がアルゴンになるようにアルゴンガスと酸素ガスの供給量を調整した。
Subsequently, after the inside of the
そして、透明基材を巻出ロール52から搬送しながら、スパッタリングカソード54a〜54dに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に所望の密着層を連続成膜した。係る操作により透明基材の一方の主平面上に密着層を厚さ20nmになるように成膜した。
(金属層形成工程)
金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。
And while conveying a transparent base material from the unwinding
(Metal layer forming process)
In the metal layer forming step, a metal thin film layer forming step and a metal plating layer forming step were performed.
まず、金属薄膜層形成工程について説明する。 First, the metal thin film layer forming step will be described.
密着層上にロール・ツー・ロールスパッタリング装置50により金属薄膜層を成膜した。金属薄膜層としては銅薄膜層を形成した。
A metal thin film layer was formed on the adhesion layer using a roll-to-
金属薄膜層形成工程では、図5に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置50のスパッタリングカソード54a〜54dに銅のターゲットを接続して成膜し、基材としては、密着層形成工程で透明基材上に密着層を成膜したものを用いた。
In the metal thin film layer forming step, a copper target is connected to the
金属薄膜層の成膜時の条件としては、以下の2点と上述のようにターゲットを変更した点以外は密着層形成工程と同様にして実施した。 The metal thin film layer was formed in the same manner as the adhesion layer forming step except that the following two points and the target were changed as described above.
筐体51内を1×10−3Paまで排気した後、アルゴンガスを導入し、筐体51内の圧力が1.3Paになるように調整した点。
A point in which the inside of the
金属薄膜層である銅薄膜層を膜厚が150nmになるように成膜した点。 The point which formed the copper thin film layer which is a metal thin film layer so that film thickness might be set to 150 nm.
次に、金属めっき層形成工程においては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。電気めっき法により、銅めっき層を厚さが2.0μmになるように成膜した。
(黒化層形成工程)
めっき液中のNiと、Sとの重量比を90:10に調製しためっき液を用い、電気めっき法により、金属層表面に黒化層を厚さが0.4μmとなるように成膜した。
Next, in the metal plating layer forming step, a copper plating layer was formed as the metal plating layer. A copper plating layer was formed to have a thickness of 2.0 μm by electroplating.
(Blackening layer forming process)
Using a plating solution prepared by setting the weight ratio of Ni and S in the plating solution to 90:10, a blackened layer was formed on the surface of the metal layer to a thickness of 0.4 μm by electroplating. .
これにより、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に黒化層を形成し、透明基材上に、密着層、金属層、黒化層がその順で積層された導電性基板が得られた。 As a result, a blackening layer is formed on the upper surface of the metal layer, that is, the surface opposite to the surface of the metal layer facing the adhesion layer, and the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are arranged in that order on the transparent substrate. As a result, a conductive substrate laminated in the above was obtained.
得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1に示す。 About the obtained electroconductive board | substrate, the composition of the above-mentioned blackening layer, surface resistance, an external appearance, a regular reflectance, and the brightness were evaluated. The results are shown in Table 1.
なお、表1中「黒化層組成(Ni:S)」と記載しているものが作製した黒化層を上述のようにEPMAにより分析した値から算出した黒化層内のNiとSの重量比率を示している。そして、「黒化層形成時のめっき液組成(Ni:S)」と記載しているものが、黒化層を作製する際のめっき液中のNiとZnの重量比率を示している。 It should be noted that the blackening layer produced by what is described as “blackening layer composition (Ni: S)” in Table 1 was calculated from the values analyzed by EPMA as described above. The weight ratio is shown. And what has been described as "plating solution composition (Ni: S) at the time of blackening layer formation" has shown the weight ratio of Ni and Zn in the plating solution at the time of producing a blackening layer.
また、本実施例、及び以下の実施例、比較例における、表面抵抗についての測定値をグラフ化したものを図6に、正反射率についての測定値をグラフ化したものを図7に、明度についての測定値をグラフ化したものを図8にそれぞれ示す。 In addition, FIG. 6 shows a graph of measured values for surface resistance in this example, and the following examples and comparative examples, and FIG. 7 shows a graph of measured values for regular reflectance. FIG. 8 shows graphs of the measured values for.
本実施例で得られた導電性基板については、黒化層表面に形成するパターンに対応したマスクを形成するマスク配置工程を実施後、エッチング工程を実施した。エッチング工程で密着層、金属層、及び黒化層をエッチング液(塩化第二銅水溶液)によりエッチングすることにより、密着層、金属層、及び黒化層を図2(A)、(B)に示したような直線形状の複数のパターンにパターン化した導電性基板が得られた。なお、図2(A)、(B)においては密着層が配置されていない例が示されているが、本実施例では、金属層、及び黒化層と同じ形状にパターン化された密着層が透明基材11と金属層12との間に配置されることになる。
About the electroconductive board | substrate obtained by the present Example, the etching process was implemented after implementing the mask arrangement | positioning process which forms the mask corresponding to the pattern formed in the blackening layer surface. By etching the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer with an etching solution (cupric chloride aqueous solution) in the etching step, the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer are shown in FIGS. A conductive substrate patterned into a plurality of linear patterns as shown was obtained. 2A and 2B show an example in which the adhesion layer is not arranged, but in this embodiment, the adhesion layer patterned in the same shape as the metal layer and the blackening layer. Is disposed between the
また、ここまで説明した方法と同様の手順により、密着層、金属層、及び黒化層が上述の場合と同じ形状にパターン化された導電性基板をもう1枚作製した。 In addition, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same shape as described above was manufactured by the same procedure as described above.
そして、作製した2枚の導電性基板を図3(A)、(B)に示したように積層し、両導電性基板を接着剤により固定することによって積層導電性基板を作製した。なお、図3(A)、図3(B)においても密着層が設けられていない例が示されているが、本実施例では透明基材111と金属層221との間、及び透明基材112と金属層222との間に、金属層221、金属層222と同じ形状にパターン化された密着層が配置されている。
[実施例2]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Sとの重量比が85:15となるように調製しためっき液を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Then, the two produced conductive substrates were laminated as shown in FIGS. 3A and 3B, and both the conductive substrates were fixed with an adhesive to produce a laminated conductive substrate. 3A and 3B also show examples in which the adhesion layer is not provided. In this embodiment, the
[Example 2]
In the blackening layer forming step, a conductive substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the plating solution prepared so that the weight ratio of Ni and S in the plating solution was 85:15 was used. .
得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1、図6〜図8に示す。 About the obtained electroconductive board | substrate, the composition of the above-mentioned blackening layer, surface resistance, an external appearance, a regular reflectance, and the brightness were evaluated. The results are shown in Table 1 and FIGS.
また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した。さらに、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[実施例3]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Sとの重量比が48:52となるように調製しためっき液を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Moreover, about the obtained electroconductive board | substrate, it carried out similarly to the case of Example 1, and patterned the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in Example 1 to produce a laminated conductive substrate.
[Example 3]
In the blackening layer forming step, a conductive substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that a plating solution prepared so that the weight ratio of Ni and S in the plating solution was 48:52 was used. .
得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1、図6〜図8に示す。 About the obtained electroconductive board | substrate, the composition of the above-mentioned blackening layer, surface resistance, an external appearance, a regular reflectance, and the brightness were evaluated. The results are shown in Table 1 and FIGS.
また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した。さらに、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[比較例1]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Sとの重量比が100:0となるように調製したニッケルめっき液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Moreover, about the obtained electroconductive board | substrate, it carried out similarly to the case of Example 1, and patterned the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in Example 1 to produce a laminated conductive substrate.
[Comparative Example 1]
In the blackening layer forming step, the same procedure as in Example 1 was performed except that a nickel plating solution (manufactured by JCU Co., Ltd.) prepared so that the weight ratio between Ni and S in the plating solution was 100: 0 was used. Thus, a conductive substrate was produced.
得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1、図6〜図8に示す。 About the obtained electroconductive board | substrate, the composition of the above-mentioned blackening layer, surface resistance, an external appearance, a regular reflectance, and the brightness were evaluated. The results are shown in Table 1 and FIGS.
また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した。さらに、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
[比較例2]
黒化層形成工程において、めっき液中のNiと、Sとの重量比が0:100となるように調製した硫黄めっき液(株式会社JCU製)を用いた点以外は実施例1と同様にして導電性基板を作製した。
Moreover, about the obtained electroconductive board | substrate, it carried out similarly to the case of Example 1, and patterned the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in Example 1 to produce a laminated conductive substrate.
[Comparative Example 2]
In the blackening layer forming step, the same procedure as in Example 1 was performed except that a sulfur plating solution (manufactured by JCU Co., Ltd.) prepared so that the weight ratio of Ni and S in the plating solution was 0: 100 was used. Thus, a conductive substrate was produced.
得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表1、図6〜図8に示す。 About the obtained electroconductive board | substrate, the composition of the above-mentioned blackening layer, surface resistance, an external appearance, a regular reflectance, and the brightness were evaluated. The results are shown in Table 1 and FIGS.
また、得られた導電性基板について、実施例1の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した。さらに、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した導電性基板をもう1枚作製した。そして、2枚の導電性基板を実施例1の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。 Moreover, about the obtained electroconductive board | substrate, it carried out similarly to the case of Example 1, and patterned the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer. Further, another conductive substrate in which the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer were patterned in the same manner was produced. Then, two conductive substrates were laminated and fixed in the same manner as in Example 1 to produce a laminated conductive substrate.
これに対して、黒化層が硫黄を含まない比較例1と、黒化層がニッケルを含まない比較例2の導電性基板については、正反射率がそれぞれ35.10%、60.50%と高く、金属層表面での反射を十分に抑制できていないことを確認できた。また、特に比較例2については外観評価が×となっており、黒化層表面での色ムラがきつくなっていることが確認できた。 In contrast, for the conductive substrates of Comparative Example 1 in which the blackened layer does not contain sulfur and Comparative Example 2 in which the blackened layer does not contain nickel, the regular reflectances are 35.10% and 60.50%, respectively. It was confirmed that reflection on the surface of the metal layer could not be sufficiently suppressed. In particular, in Comparative Example 2, the external appearance evaluation was x, and it was confirmed that the color unevenness on the surface of the blackened layer was tight.
また、実施例1〜実施例3で作製した積層導電性基板についても、金属層表面での光の反射を抑制できており、密着層、金属層、及び黒化層の積層体が目立たなくなっていることを確認できた。 Moreover, also about the laminated electroconductive board | substrate produced in Example 1- Example 3, the reflection of the light in the metal layer surface can be suppressed, and the laminated body of an adhesion layer, a metal layer, and a blackening layer becomes inconspicuous. I was able to confirm.
以上の結果から、透明基材上に、金属層と、湿式法により形成されたニッケルと硫黄とを含有する黒化層を備えた導電性基板においては、電気抵抗値が小さく、光の反射を十分に抑制できることを確認できた。また、湿式法により黒化層を形成できるため生産性良く製造できることを確認できた。 From the above results, the conductive substrate provided with the metal layer and the blackened layer containing nickel and sulfur formed by the wet method on the transparent substrate has a small electric resistance value and reflects light. It was confirmed that it could be sufficiently suppressed. Moreover, since the blackening layer can be formed by a wet method, it has been confirmed that it can be produced with high productivity.
10A、10B、20、201、202、40 導電性基板
11、111、112 透明基材
12、12A、12B、22、221、222、42A、42B 金属層
13、13A、13B、23、231、232、43A、43B 黒化層
30 積層導電性基板
10A, 10B, 20, 201, 202, 40
Claims (3)
前記金属層上に湿式法により、ニッケルと硫黄とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有し、
前記黒化層に含まれるニッケル及び硫黄のうち、ニッケルの占める割合が重量比で40wt%以上99wt%以下である導電性基板の製造方法。 A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface of the transparent substrate;
By a wet method on the metal layer, it possesses the blackening layer forming step of forming a blackened layer containing nickel and sulfur, and
The manufacturing method of the electroconductive board | substrate which is 40 wt% or more and 99 wt% or less in the weight ratio among nickel and sulfur contained in the said blackening layer .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016143138A JP2016143138A (en) | 2016-08-08 |
| JP6447185B2 true JP6447185B2 (en) | 2019-01-09 |
Family
ID=56570566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015016747A Active JP6447185B2 (en) | 2015-01-30 | 2015-01-30 | Method for manufacturing conductive substrate, method for manufacturing laminated conductive substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6447185B2 (en) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2901523B2 (en) * | 1995-08-09 | 1999-06-07 | 日本カニゼン株式会社 | Electroless black plating bath composition and film formation method |
| JP4573254B2 (en) * | 2002-10-25 | 2010-11-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Copper foil for plasma display panel and method for producing the same |
| JP2007324524A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Compound filter |
| JP5337342B2 (en) * | 2006-12-20 | 2013-11-06 | 富士フイルム株式会社 | Translucent electromagnetic shielding film |
| JP5667938B2 (en) * | 2010-09-30 | 2015-02-12 | 富士フイルム株式会社 | Capacitive touch panel |
| JP2012195443A (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Transparent conductive material |
| WO2012134175A2 (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 주식회사 엘지화학 | Conductive substrate and touchscreen having same |
| JP2013206198A (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Nissha Printing Co Ltd | Touch sensor |
| CN104603886B (en) * | 2012-08-31 | 2016-12-07 | Lg化学株式会社 | Conductive structure and manufacturing method thereof |
| JP6179185B2 (en) * | 2013-05-16 | 2017-08-16 | 東洋紡株式会社 | Electrode film for touch panel, touch panel using the same, and image display device |
-
2015
- 2015-01-30 JP JP2015016747A patent/JP6447185B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016143138A (en) | 2016-08-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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