JP6448986B2

JP6448986B2 - リードフレームの製造方法

Info

Publication number: JP6448986B2
Application number: JP2014223678A
Authority: JP
Inventors: 俊一木戸口; 憲貴大西; 加藤　貴章; 貴章加藤
Original assignee: Aoi Electronics Co Ltd; SH Materials Co Ltd
Current assignee: Aoi Electronics Co Ltd; SH Materials Co Ltd
Priority date: 2014-10-31
Filing date: 2014-10-31
Publication date: 2019-01-09
Anticipated expiration: 2034-10-31
Also published as: JP2016092153A

Description

本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関する。

ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ：発光ダイオード）に代表される光学素子搭載用部品の一つとして、リードフレームが知られている。従来から、銅合金上の全面または部分的に銀または銀を含有する合金めっき、または金または金を含有する合金めっきを施したリードフレームが多く使用されているが、これらは一長一短であることも広く知られている。銀または銀を含有する合金は、光沢度や反射率などの光学特性に優れているが、硫化による変色の発生や熱履歴による光沢度および反射率の低下などの耐環境性に難点がある。一方、金または金を含有する合金は耐環境性に優れているが、光学特性は銀よりも劣る。近年、高出力のＬＥＤへの要求が高まる中、特に光学特性に優れる銀または銀を含有する合金に注目が集まっている。

最近では、ＬＥＤパッケージ技術および周辺部材に関する技術の進歩により、主に外的要因に影響される劣化の問題は大きく改善され、大きく取り沙汰されることは稀となっている。残る課題は熱履歴による光沢度および反射率の低下と、それに起因する光学特性の劣化である。この点、有機性の表面処理を施すことによりこの問題を解決することができることが確認されている。

例えば、基材と、基材上の一部に形成される反射層と、反射層を覆って外部から遮断することにより反射層の特性を維持する特性維持層と、を備えるリードフレームであって、特性維持層が有機系材料から形成される技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００９−１３５３５５号公報

しかしながら、上述の銀めっき層又は銀合金めっき層に有機性の表面処理を施す技術では、表面に塗布される有機性皮膜が光の吸収を引き起こし、結果的に反射率が低下し、トレードオフとなっている。また、薬品そのものの価格も製造コストに含まれるため、コストアップは否めないという問題があった。

そこで、本発明は、加熱処理が行われても、光沢度及び反射率の低下、及びそれに起因する光学特性の劣化を低減することができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るリードフレームは、金属材料から構成され、光学素子を搭載する素子搭載領域と、前記光学素子とワイヤボンディングを行うボンディング領域と、該ボンディング領域と前記素子搭載領域とを電気的に接続するリード部とを有するリードフレームであって、
少なくとも前記素子搭載領域上に、１．５４以上１．９１以下の光沢度を有し、加熱処理が施されて粒径が該加熱処理を施す前よりも大きくなった銀めっき層が設けられている。

本発明の他の態様に係るリードフレームの製造方法は、金属材料をリードフレーム状に成形したリードフレーム材の表面に銀めっきを施して光沢性の銀めっき層を形成する工程と、
該銀めっき層が形成された前記リードフレーム材をｐＨが１１以上１３以下の苛性カリウム溶液に浸漬してアルカリ処理を施す工程と、
該アルカリ処理が施された前記リードフレーム材を、樹脂封止することなく加熱処理し、前記銀めっき層の粒径を大きくする工程と、を有する。

本発明によれば、光沢度及び反射率の低下とそれに起因する光学特性の劣化を低減することができる。

本発明の実施形態に係るリードフレームの一例を示した図である。図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るリードフレームの一例の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線でリードフレームを切断した断面図である。本発明の実施形態に係るリードフレームを用いた光学素子パッケージの一例を示した図である。図２（ａ）は、本発明の実施形態に係るリードフレームを用いた光学素子パッケージの一例を示した平面図である。図２（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線で光学素子パッケージを切断した断面図である。本発明の実施形態に係るリードフレームの一例の断面構成を示した拡大図である。本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。図４（ａ）は、リードフレーム材用意工程の一例を示した図である。図４（ｂ）は、下地層形成工程の一例を示した図である。図４（ｃ）は、銀めっき層形成工程の一例を示した図である。図４（ｄ）は、アルカリ処理工程の一例を示した図である。図４（ｅ）は、加熱処理工程の一例を示した図である。実施例１に係るリードフレームの実施結果を示した図である。図５（ａ）は、実施例１に係るリードフレームの光沢度の測定結果である。図５（ｂ）は、実施例１に係るリードフレームの反射率の測定結果である。実施例２〜４及び比較例１に係るリードフレームの実施結果を光沢度について示した図である。比較例２〜７に係るリードフレームの実施結果を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

図１は、本発明の実施形態に係るリードフレーム７０の一例を示した図である。図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るリードフレーム７０の一例の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線でリードフレーム７０を切断した断面図である。

図１（ａ）に示すように、本実施形態に係るリードフレーム７０は、金属材料からなるリードフレーム材１０を成形加工して構成される。加工穴１５、１６がプレス加工、エッチング加工等により形成され、リードフレーム形状に成形される。図１（ａ）において、加工穴１６はアルファベットのＨ字状に形成され、除去されずに残った互いに対向する中央寄りの領域が素子搭載領域２０とボンディング領域３０となる。また、素子搭載領域２０及びボンディング領域３０よりも外側の領域が、外部接続領域４０となる。

リードフレーム材１０は、種々の金属材料から構成されてよいが、例えば、銅材又は銅を含む銅合金材から構成されてもよい。

素子搭載領域２０は、光学素子を搭載するための領域である。光学素子は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体素子であってもよいし、通電により発光する他の素子であってもよい。通電用の二端子を有する光学素子であれば、種々の光学素子を素子搭載領域２０に搭載可能である。

ボンディング領域３０は、素子搭載領域２０に搭載された光学素子の端子をワイヤボンディングにより電気的に接続するための領域である。かかるワイヤボンディングにより、Ｈ字状の加工穴１６により電気的に絶縁された図１（ａ）中の上下の導通を図り、光学素子に通電を行うことができる。

外部接続領域４０は、光学素子の二端子、例えばアノードとカソードとの接続点を外部に引き出すための配線を構成するとともに、外部との電気的接続を可能にする接続端子の役割を果たす領域である。

図１（ｂ）において、右側を図１（ａ）の上側、左側を図１（ａ）の下側に対応させてＡ−Ａ´断面を示しているが、素子搭載領域２０、ボンディング領域３０及び外部接続領域４０を含むリードフレーム材１０の表面は、上面及び下面を含めて総て銀めっき層６０で覆われている。銀は、光沢度及び反射率が高いため、光学素子搭載用のリードフレーム７０の被覆材として優れている。よって、本実施形態においては、リードフレーム材１０の表面を銀めっき層６０で被覆し、リードフレーム７０の表面の光沢度及び反射率が高くなるように構成している。なお、本実施形態に係るリードフレーム７０では、銀めっき層６０の表面がアルカリ処理されており、加熱処理後も高い光沢度及び反射率を維持している。銀めっき層６０をアルカリ溶液に浸漬し、アルカリ処理を施してから加熱処理を行うと、加熱処理の影響による銀めっき層６０の光沢度及び反射率の低減を抑制することができ、高い光沢度及び反射率を有する銀めっき層６０に構成することができる。この点の詳細については、製造方法の実施形態の説明で後述する。

また、本実施形態においては、説明の容易のため、リードフレーム材１０の被覆材を銀めっき層６０とし、銀単独で構成されためっき層であることを例に挙げて説明するが、銀めっき層６０は、銀を含有する銀合金からなる銀合金めっき層であってもよい。以後の説明で、単に銀めっき層６０と記すが、特に断りが無くとも、銀めっき層６０は、銀単独から構成された銀めっき層と、銀合金からなる銀合金めっき層の双方を含んでよいこととする。

銀めっき層６０の厚さは、用途に応じて種々の厚さとすることができるが、例えば、１．５μｍ以上の厚さとしてもよい。銀めっき層６０の厚さの上限は特に無いが、例えば、５．０μｍ以下の厚さとしてもよい。

また、図１（ｂ）においては、素子搭載領域２０、ボンディング領域３０及び外部接続領域４０の総ての表面が銀めっき層６０で覆われた例が示されているが、最低限、素子搭載領域２０の表面が銀めっき層６０で覆われていればよく、ボンディング領域３０及び外部接続領域４０を覆う銀めっき層６０は、選択的であってよいものとする。

図２は、本発明の実施形態に係るリードフレーム７０を用いた光学素子パッケージ１１０の一例を示した図である。図２（ａ）は、本発明の実施形態に係るリードフレーム７０を用いた光学素子パッケージ１１０の一例を示した平面図であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線で光学素子パッケージ１１０を切断した断面図である。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、表面に銀めっき層６０が形成されたリードフレーム７０の素子搭載領域２０の表面上に、光学素子８０が搭載されている。光学素子８０の下面の端子（図示せず）は、素子搭載領域２０の上面と電気的に接続され、上面の端子８１が、ボンディングワイヤ９０を介してボンディング領域３０の上面に電気的に接続される。また、光学素子８０は、ボンディングワイヤ９０とともに樹脂１００により封止されるが、外部接続領域４０は樹脂１００の外部に露出され、外部接続領域４０を外部接続端子とする光学素子パッケージ１１０として構成される。なお、樹脂封止後は、リードフレーム７０のＨ字状の加工穴１６を囲む外枠が切断され、光学素子パッケージ１１０が単体として個片化される。

このように、本実施形態に係るリードフレーム７０は、光学素子８０を搭載し、光学素子モジュールの一部品として用いられる。

図３は、本発明の実施形態に係るリードフレーム７１の一例の断面構成を示した拡大図である。図３においては、本実施形態に係るリードフレーム７１の一例の断面が拡大されて示されているが、リードフレーム材１０の表面を被覆する下地層５０が更に形成され、下地層５０の表面上に銀めっき層６０が形成されている点で、図１及び図２に示したリードフレーム７０と異なっている。このように、リードフレーム材１０の表面上に直接銀めっき層６０を形成するのではなく、リードフレーム材１０の表面上に銀めっき層６０と密着性の高い下地層５０を形成し、下地層５０上に銀めっき層６０を形成するようにしてもよい。

下地層５０は、例えば、銅めっき層であってもよい。リードフレーム材１０に銅材又は銅合金材を用いた場合、下地層５０の材料自体はリードフレーム材１０と同じ又は同類となるが、ベア銅よりも銅めっき層の方が銀めっき層６０は密着性が高くなる。よって、下地層５０は、銅めっき層で構成してもよい。また、銅めっき層の厚さは、用途に応じて種々の厚さとすることができるが、例えば、０．１〜２．０μｍの厚さとしてもよい。

下地層５０は、例えば、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層（個別には図示せず）を下から順に積層した積層めっき層であってもよい。ニッケル（Ｎｉ）は、銅の拡散を抑制するのに優れた材料である。よって、リードフレーム材１０に銅材又は銅合金材を用いた場合には、リードフレーム材１０の表面をニッケルめっき層で被覆することにより、銅の銀めっき層側での拡散を抑制することができる。パラジウム（Ｐｄ）は、耐食性に優れ、高硬度で金よりも安価な金属材料である。金（Ａｕ）は、高価ではあるが耐食性及び電気的特性にすぐれた金属材料である。よって、ニッケルめっき層上にパラジウムめっき層を形成し、パラジウムめっき層上に薄く金めっき層を形成することにより、全体として安価で耐食性及び電気的特性に優れた積層めっき層を形成することができる。

このように、下地層５０は、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層を下層から順に積層した積層めっき層として構成してもよい。また、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層及び金めっき層の厚さは、用途に応じて種々の厚さとすることができるが、例えば、ニッケルめっき層の厚さを０．５〜４．０μｍ、パラジウムめっき層の厚さを０．００５〜０．１μｍ、金めっき層の厚さを０．００１〜０．０２μｍとしてもよい。

銀めっき層６０は、図１で言及したように、表面にアルカリ処理が施されている。アルカリ処理は、銀めっき層６０が表面に形成されたリードフレーム材１０を、ｐＨ１１以上のアルカリ溶液に所定時間浸漬させることにより行われる。アルカリ処理後、リードフレーム材１０の加熱処理を行った場合、光沢度は加熱処理前の９０％以上を維持できる。つまり、加熱処理による光沢度の劣化の程度を抑制することができる。このように、本実施形態に係るリードフレーム７０は、アルカリ処理後に加熱処理を行うことにより、加熱処理による光沢度及び反射率の低下を抑制することができる。

なお、図３には、リードフレーム材１０の表面の総てに下地層５０及び銀めっき層６０が形成されているが、少なくとも素子搭載領域２０に下地層５０及び銀めっき層６０すればよく、ボンディング領域３０及び外部接続領域４０への下地層５０及び銀めっき層６０の形成は必ずしも必須ではない点、及び銀めっき層６０は銀単独からなるめっき層だけでなく、銀を含有する銀合金めっき層も含む点は、図１における説明と同様である。

次に、図４を用いて、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。図４は、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。

図４（ａ）は、リードフレーム材用意工程の一例を示した図である。リードフレーム材用意工程では、プレス加工、エッチング加工等によりリードフレームの形状に成形されたリードフレーム材１０が準備される。なお、リードフレーム材１０は、種々の金属材料で構成されてよいが、例えば、銅材又は銅合金材から構成されてもよい。また、リードフレーム材１０は、複数のリードフレーム７０を連続して製造可能なように、所定の幅、例えば１８０ｍｍの幅を有する帯状銅材を用いてもよい。

図４（ｂ）は、下地層形成工程の一例を示した図である。下地層形成工程では、電気めっき処理等の金属膜堆積処理により下地層５０がリードフレーム材１０の表面上に形成される。例えば、下地層５０を銅めっき層とする場合には、リードフレーム材１０を銅めっき浴に浸漬させ、銅めっき浴内にアノードを設置し、リードフレーム材１０をカソードと接触させて通電し、電気めっき処理を行うことにより、銅めっきをリードフレーム材１０の表面に施すことができる。なお、銅めっき層の厚さは、例えば、０．１〜２．０μｍとしてもよい。

また、例えば、下地層５０をニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層を下層から積層させた積層膜とする場合には、まずリードフレーム材１０をニッケルめっき浴に浸漬させて電気めっき処理を行い、次いで、パラジウムめっき浴にニッケルめっき層が形成されたリードフレーム材１０を浸漬させて電気めっき処理を行い、パラジウムめっき層上にパラジウムめっき層を形成する。更に、金めっき浴にニッケルめっき層及びパラジウムめっき層が表面に積層形成されたリードフレーム材１０を金めっき浴に浸漬させ。電気めっき処理を行うことにより、積層膜の下地層５０を形成することができる。なお、各層の厚さについては、例えば、ニッケルめっき層を０．５〜４．０μｍ、パラジウムめっき層を０．００５〜０．１μｍ、金めっき層を０．００１〜０．０２μｍの範囲で形成してもよい。

また、下地層形成工程を実行する前に、リードフレーム材１０をアルカリ及び酸によって前処理するようにしてもよい。前処理は、例えば、アルカリ溶液及び酸溶液にリードフレーム材１０を順次浸漬させるような処理であってもよい。

図４（ｃ）は、銀めっき層形成工程の一例を示した図である。銀めっき層形成工程においては、下地層５０が表面に形成されたリードフレーム材１０を銀めっき浴に浸漬させ、電気めっき処理を行う。なお、銀めっき層６０の形成は、種々の電気めっき処理により行われてよいが、例えば、青化銀及び青化カリウムからなるストライク銀めっき浴を用いて、小さな電流密度で短時間、例えば電流密度３Ａ／ｄｍ^２で１〜５秒間ストライクめっきを行って下地層５０と銀めっき層６０との密着性を確保し、更に青化銀と青化カリウムからなる銀めっき浴を用いて、高い電流密度で長時間、例えば電流密度５Ａ／ｄｍ^２で４０〜６０秒間銀めっきを行うことで光沢性を有する銀めっき層６０を形成してもよい。また、銀めっき層の厚さは、例えば、１．５〜５．０μｍとしてもよい。

図４（ｄ）は、アルカリ処理工程の一例を示した図である。アルカリ処理工程においては、銀めっき層６０が表面に形成されたリードフレーム材１０が、アルカリ溶液１３０内に浸漬される。アルカリ溶液１３０は、例えば、処理槽１２０に貯留されてもよい。この場合、リードフレーム材１０を処理槽１２０内のアルカリ溶液１３０に浸漬することにより、銀めっき層６０の表面にアルカリ処理を施す。

アルカリ溶液１３０は、例えば、ｐＨ１１以上のアルカリ溶液であることが好ましい。後に実施例を用いて説明するが、強アルカリ溶液を用いて銀めっき層６０のアルカリ処理をする方が、ｐＨ１１未満の弱アルカリ溶液を用いてアルカリ処理をする場合よりも、加熱処理後の銀めっき層６０の光沢度及び反射率を高く維持することができる。

アルカリ溶液は、用途に応じて種々の溶液を用いることができるが、上述のように、強アルカリ溶液であることが好ましいので、例えば、苛性カリウム溶液や、苛性ナトリウム溶液を用いるようにしてもよい。

図４（ｅ）は、加熱処理工程の一例を示した図である。加熱処理工程では、表面の銀めっき層６０がアルカリ処理されたリードフレーム材１０が加熱炉１４０の中に搬入され、ヒータ１５０等の加熱手段により加熱処理される。加熱処理は、例えば、１５０〜３００℃の温度で１〜３時間行ってもよく、好ましくは２００℃前後で２時間程度行うようにしてもよい。加熱処理により、銀めっき層６０及び下地層５０の粒径が大きくなり、両者の導電性及び耐性は向上する。一方、光沢度及び反射率は、加熱処理によりある程度低下してしまう。

本実施形態に係るリードフレーム７０の製造方法では、加熱処理工程の前にアルカリ処理工程を設け、銀めっき層６０の表面をアルカリ処理した状態で加熱処理を行う。これにより、加熱処理による光沢度及び反射率の低下を抑制することができる。

以下、本実施形態に係るリードフレームの製造方法について、実施例を挙げて説明する。

リードフレーム用銅合金として、厚さ０．２ｍｍ、幅１８０ｍｍの帯状銅材（三菱伸銅製：ＴＡＭＡＣ−１９４Ｒ）を用いて、アルカリおよび酸によって前処理を施した後、次のように電気めっき処理を施した。まず、スルファミン酸ニッケルと塩化ニッケル、ホウ酸からなるニッケルめっき浴を用いて、電流密度６Ａ／ｄｍ^２で２分間めっきを行い、厚さが約２．５μｍの平滑なニッケルめっき層を形成した。次に、パラブライトＳＳＴＬめっき液からなるめっき浴を用いて、電流密度１Ａ／ｄｍ^２で５秒間めっきを行い、厚さが約０．０２μｍのパラジウムめっき層を形成した。次に、アフタープレイティングめっき液からなるめっき浴を用いて、電流密度０．２Ａ／ｄｍ^２で６秒間めっきを行い、厚さが約０．００８μｍの金めっき層を形成した。その後に、青化銀および青化カリウムからなるストライク銀めっき浴を用いて、電流密度３Ａ／ｄｍ^２で３秒間めっきを行うことで下地ニッケル/パラジウム/金めっき層と銀めっき層との密着性を確保し、さらに、青化銀と青化カリウムからなる銀めっき浴を用いて、電流密度５Ａ／ｄｍ^２で５０秒間めっきを行い、厚さが約３μｍの光沢性を有する銀めっき層を形成した。次に、銀めっきを施したリードフレームを、ｐＨを１３．０に調整した苛性カリウム溶液に６０秒間浸漬し、実施例１に係るリードフレームの製造を、アルカリ処理工程まで完了した。

図５は、実施例１に係るリードフレームの実施結果を示した図である。図５（ａ）は、実施例１に係るリードフレームの光沢度の測定結果であり、図５（ｂ）は、実施例１に係るリードフレームの反射率の測定結果である。

なお、光沢度を測定する測定器には、日本電色工業株式会社製の微少面色差計（型番：ＶＳＲ−３００Ａ）を用いた。また、反射率を測定する測定器には、日立製作所製の分光光度計（型番：Ｕ−４１００）を用いた。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、銀めっき層の形成が完成した実施例１に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．９１であり、反射率は９４．９％であった。

また、銀めっき層の形成が完成した実施例１に係るリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．９１であり、反射率は９６．３％であった。

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを１１．０に調整した苛性カリウム溶液に１０秒間浸漬し、アルカリ処理工程までリードフレームの製造を完了した。

図６は、実施例２〜４及び比較例１に係るリードフレームの実施結果を光沢度について示した図である。

図６に示すように、アルカリ処理工程まで完成した加熱前の実施例２に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７１であった。

また、アルカリ処理工程まで完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施して光沢度を測定したところ、１．５４であった。

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを１２．０に調整した苛性カリウム溶液に１０秒間浸漬し、アルカリ処理工程まで実施例３に係るリードフレームの製造を完了した。

図６に示すように、アルカリ処理工程まで完成したリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７０であった。

また、アルカリ処理工程ｍで完成したリードフレームの２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．６１であった。

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを１３．０に調整した苛性カリウム溶液に１０秒間浸漬し、アルカリ処理工程まで実施例４に係るリードフレームの製造を完了した。

図６に示すように、アルカリ処理まで完成した実施例４に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７２であった。

また、アルカリ処理まで完成した実施例４に係るリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．６７であった。
［比較例１］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを１０．０に調整した苛性カリウム溶液に１０秒間浸漬し、アルカリ処理工程まで比較例１に係るリードフレームの製造を完了した。

図６に示すように、アルカリ処理工程まで完成した比較例１に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７２であった。

また、完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．２１であった。
［比較例２］

図７は、比較例２〜７に係るリードフレームの実施結果を示した図である。

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを６．０の純水に６０秒間浸漬し、酸処理工程まで比較例２に係るリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理工程まで完成したリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７１であった。

また、酸処理工程まで完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．０８であった。
［比較例３］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを５．０に調整した硫酸溶液に６０秒間浸漬し、酸処理工程まで比較例３に係るリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理まで完成した比較例３に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７０であった。

また、酸処理まで完成した比較例３に係るリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、０．９８であった。
［比較例４］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを４．０に調整した硫酸溶液に６０秒間浸漬し、酸処理工程までリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理工程まで完成したリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７４であった。

また、酸処理工程まで完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．００であった。
［比較例５］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを３．０に調整した硫酸溶液に６０秒間浸漬し、酸処理工程まで比較例５に係るリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理工程まで完成した比較例５に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７２であった。

また、酸処理工程まで完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．０３であった。
［比較例６］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを２．０に調整した硫酸溶液に６０秒間浸漬し、酸処理工程まで比較例６に係るリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理工程まで完成した比較例６に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．７３であった。

また、酸処理工程まで完成した比較例６に係るリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、１．１０であった。
［比較例７］

実施例１と同様の方法でめっきを施したリードフレームを、ｐＨを１．０に調整した硫酸溶液に６０秒間浸漬し、酸処理工程まで比較例７に係るリードフレームの製造を完了した。

図７に示すように、酸処理工程まで完成した比較例７に係るリードフレームの光沢度を測定したところ、１．６９であった。

また、酸処理工程まで完成したリードフレームに２００℃、２時間の加熱処理を施し、光沢度を測定したところ、０．９４であった。

実施例１〜４及び比較例１〜７に示されるように、ｐＨ１１以上のアルカリ溶液でアルカリ処理を施したリードフレームは、加熱処理前の光沢度を１．７０以上、加熱処理後の光沢度を１．５０以上（１．５４以上）とすることができることが分かる。また、加熱処理後の光沢度は、加熱処理前の光沢度の９０％（１．５４／１．７１≒９０．１％）以上となっている。

一方、比較例１〜７に係るリードフレームは、加熱処理前は１．７０以上の光沢度を有しているが、加熱処理後は１．３０未満（１．２１以下）まで低下している。つまり、加熱処理後の光沢度は、加熱処理前の光沢度の７１％未満（１．２１／１．７２≒７０．３％）まで低下している。

このように、加熱処理前に銀めっき層の表面にアルカリ処理を施すことにより、加熱処理後の銀めっき層の光沢度及び反射率を高く維持することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０リードフレーム材
２０素子搭載領域
３０ボンディング領域
４０外部接続領域
５０下地層
６０めっき層
７０、７１リードフレーム
１３０アルカリ溶液

Claims

金属材料をリードフレーム状に成形したリードフレーム材の表面に銀めっきを施して光沢性の銀めっき層を形成する工程と、
該銀めっき層が形成された前記リードフレーム材をｐＨが１１以上１３以下の苛性カリウム溶液に浸漬してアルカリ処理を施す工程と、
該アルカリ処理が施された前記リードフレーム材を、樹脂封止することなく加熱処理し、前記銀めっき層の粒径を大きくする工程と、を有するリードフレームの製造方法。
金属材料をリードフレーム状に成形したリードフレーム材の表面に銀めっきを施して光沢性の銀めっき層を形成する工程と、
該銀めっき層が形成された前記リードフレーム材をｐＨが１１以上１３以下の苛性カリウム溶液に浸漬してアルカリ処理を施す工程と、
該アルカリ処理が施された前記リードフレーム材を、樹脂封止することなく１５０〜３００℃の温度で１〜３時間加熱処理する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
前記銀めっき層を形成する工程で、前記銀めっき層は１．５μｍ以上の厚さに形成される請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法。
前記銀めっき層を形成する工程は、青化銀又は青化カリウムからなるストライク銀めっき浴を用いて行われる請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
金属材料をリードフレーム状に成形したリードフレーム材の表面に銀めっきを施して光沢性の銀めっき層を形成する工程と、
該銀めっき層が形成された前記リードフレーム材をｐＨが１１以上１３以下の苛性カリウム溶液に浸漬してアルカリ処理を施す工程と、
該アルカリ処理が施された前記リードフレーム材を、樹脂封止することなく１５０℃以上の温度で１時間半以上加熱処理する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
前記銀めっき層を形成する工程終了後の前記銀めっき層の第１の光沢度は１．７０以上であり、
前記リードフレーム材を加熱処理する工程終了後の前記銀めっき層の第２の光沢度は、前記第１の光沢度の９０％以上を維持する請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
前記銀めっき層を形成する工程の前に、前記リードフレーム材の表面に下地めっき層を形成する工程を更に有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載されたリードフレームの製造方法。
前記下地めっき層は、銅めっき層である請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
前記下地めっき層を形成する工程は、前記銅めっき層を０．１〜２．０μｍの厚さに形成する工程である請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
前記下地めっき層を形成する工程は、前記リードフレーム材の表面にニッケルめっき層を形成する工程と、該ニッケルめっき層上にパラジウムめっき層を形成する工程と、該パラジウムめっき層上に金めっき層を形成する工程とを含む請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
前記ニッケルめっき層を形成する工程は、前記ニッケルめっき層を０．５〜４．０μｍの厚さで形成する工程、前記パラジウムめっき層を形成する工程は、前記パラジウムめっき層を０．００５〜０．１μｍの厚さで形成する工程、前記金めっき層を形成する工程は、前記金めっき層を０．００１〜０．０２μｍの厚さで形成する工程である請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。
前記下地めっき層を形成する工程の前に、アルカリ及び酸によって前記リードフレーム材の表面に前処理を施す工程を更に有する請求項７乃至１１のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。