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JP6462926B2 - Storage device and electronic device - Google Patents
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Description

本発明の実施形態は、ストレージ装置及び電子機器に関する。   Embodiments described herein relate generally to a storage apparatus and an electronic apparatus.

半導体メモリチップを有した半導体装置が提供されている。   A semiconductor device having a semiconductor memory chip is provided.

特開2013−200595号公報JP 2013-200595 A

半導体装置は、良好な放熱性を有することが好ましい。   The semiconductor device preferably has good heat dissipation.

本発明の目的は、良好な放熱性を有するストレージ装置及び電子機器を提供することである。   An object of the present invention is to provide a storage device and an electronic apparatus having good heat dissipation.

実施形態によれば、ストレージ装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、封止部と、複数の放熱ボールとを備える。前記半導体メモリは、前記基板の第1面に配置されている。前記コントローラは、前記基板の前記第1面に配置されており前記半導体メモリを制御する。前記封止部は、前記基板の前記第1面で前記半導体メモリと前記コントローラとを一体に覆う。前記複数の放熱ボールは、前記基板の前記第1面と対向する第2面に配置されている。前記基板は、前記第1面における前記コントローラに対向する前記第2面上の領域である第1の領域と、前記第1の領域の外側に位置した第2の領域とを含む。前記第2の領域における前記放熱ボールの配置密度は、前記第1の領域における前記放熱ボールの配置密度よりも高い。   According to the embodiment, the storage device includes a substrate, a semiconductor memory, a controller, a sealing unit, and a plurality of heat dissipation balls. The semiconductor memory is disposed on the first surface of the substrate. The controller is disposed on the first surface of the substrate and controls the semiconductor memory. The sealing portion integrally covers the semiconductor memory and the controller on the first surface of the substrate. The plurality of heat dissipation balls are disposed on a second surface of the substrate facing the first surface. The substrate includes a first region which is a region on the second surface facing the controller on the first surface, and a second region located outside the first region. The arrangement density of the heat dissipation balls in the second region is higher than the arrangement density of the heat dissipation balls in the first region.

第1実施形態に係る電子機器を例示した斜視図。1 is a perspective view illustrating an electronic apparatus according to a first embodiment. 図1中に示された回路基板の一部の構成を例示したブロック図。FIG. 2 is a block diagram illustrating the configuration of a part of the circuit board shown in FIG. 1. 図1中に示された半導体パッケージの構成を例示したブロック図。FIG. 2 is a block diagram illustrating the configuration of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1中に示された半導体パッケージを例示した断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1中に示された半導体パッケージの第1変形例を例示した断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a first modification of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1中に示された半導体パッケージの第2変形例を例示した断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a second modification of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1中に示された半導体パッケージの下面を例示した下面図。FIG. 2 is a bottom view illustrating the bottom surface of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図7中に示された半田ボールのアサインを例示した図。The figure which illustrated assignment of the solder ball shown in FIG. 図8中に示されたアサインの内容を例示した図。The figure which illustrated the contents of the assignment shown in FIG. 第1実施形態に係る回路基板のパッドを例示した平面図。The top view which illustrated the pad of the circuit board concerning a 1st embodiment. 第2実施形態に係る半導体パッケージの半田ボールのアサインを例示した図。The figure which illustrated assignment of the solder ball of the semiconductor package concerning a 2nd embodiment. 図11中に示された半導体パッケージのF12線で囲まれた領域を拡大して例示した図。The figure which expanded and illustrated the area | region enclosed with F12 line | wire of the semiconductor package shown in FIG. 第2実施形態に係る回路基板のパッドを例示した平面図。The top view which illustrated the pad of the circuit board concerning a 2nd embodiment. 図13中に示された一部の信号ラインを模式的に例示した図。FIG. 14 is a diagram schematically illustrating a part of the signal lines illustrated in FIG. 13. 図13中に示された信号ラインの第1変形例を模式的に例示した図。The figure which illustrated typically the 1st modification of the signal line shown in FIG. 図13中に示された信号ラインの第2変形例を模式的に例示した図。The figure which illustrated typically the 2nd modification of the signal line shown in FIG. 第3実施形態に係る半導体パッケージの半田ボールのアサインを例示した図。The figure which illustrated assignment of the solder ball of the semiconductor package concerning a 3rd embodiment. 図17中に示された半導体パッケージのF18線で囲まれた領域を拡大して例示した図。The figure which expanded and illustrated the area | region enclosed with F18 line | wire of the semiconductor package shown in FIG. 第3実施形態に係る一部の信号ラインを模式的に例示した図。The figure which illustrated typically some signal lines concerning a 3rd embodiment. 第4実施形態に係る半導体パッケージの半田ボールのアサインを例示した図。The figure which illustrated assignment of the solder ball of the semiconductor package concerning a 4th embodiment. 図20中に示された半導体パッケージのF21線で囲まれた領域を拡大して例示した図。The figure which expanded and illustrated the area | region enclosed by the F21 line of the semiconductor package shown in FIG. 第4実施形態に係る一部の信号ラインを模式的に例示した図。The figure which illustrated typically some signal lines concerning a 4th embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。   In the present specification, examples of a plurality of expressions are given to some elements. Note that these examples of expressions are merely examples, and do not deny that the above elements are expressed in other expressions. In addition, elements to which a plurality of expressions are not attached may be expressed in different expressions.

また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との間係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。   The drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like may be different from the actual ones. Moreover, the part from which the relationship and ratio of a mutual dimension differ between drawings may be contained.

(第1実施形態)
図1乃至図10は、第1実施形態に係る半導体パッケージ1を示す。半導体パッケージ1は、「半導体装置」、「半導体メモリ装置」の其々一例である。本実施形態に係る半導体パッケージ1は、いわゆるBGA−SSD(Ball Grid Array - Solid State Drive)であり、複数の半導体メモリチップとコントローラとが一つのBGAタイプのパッケージとして一体に構成されている。
(First embodiment)
1 to 10 show a semiconductor package 1 according to the first embodiment. The semiconductor package 1 is an example of each of “semiconductor device” and “semiconductor memory device”. A semiconductor package 1 according to this embodiment is a so-called BGA-SSD (Ball Grid Array-Solid State Drive), and a plurality of semiconductor memory chips and a controller are integrally configured as one BGA type package.

図1は、半導体パッケージ1が搭載される電子機器2の一例を示す。電子機器2は、「システム」、「デバイス」、「ユニット」の其々一例である。電子機器2は、筐体3と、この筐体3に収容された回路基板4(例えばメインボード)とを有する。半導体パッケージ1は、回路基板4に取り付けられ、電子機器2のストレージ装置として機能する。回路基板4は、ホストコントローラ5(例えばCPU)を有する。ホストコントローラ5は、例えばサウスブリッジを含み、半導体パッケージ1を含む電子機器2の全体の動作を制御する。   FIG. 1 shows an example of an electronic device 2 on which a semiconductor package 1 is mounted. The electronic device 2 is an example of each of “system”, “device”, and “unit”. The electronic device 2 includes a housing 3 and a circuit board 4 (for example, a main board) accommodated in the housing 3. The semiconductor package 1 is attached to the circuit board 4 and functions as a storage device for the electronic device 2. The circuit board 4 has a host controller 5 (for example, CPU). The host controller 5 includes, for example, a south bridge, and controls the overall operation of the electronic device 2 including the semiconductor package 1.

図2は、回路基板4の構成の一部を模式的に示す。本実施形態に係るホストコントローラ5及び半導体パッケージ1は、PCI Express(以下、PCIe)の規格に則したインタフェースを有する。ホストコントローラ5と半導体パッケージ1との間には、複数本の信号ライン6が設けられている。半導体パッケージ1は、信号ライン6を介して、ホストコントローラ5との間でPCIeの規格に則した高速信号をやり取りする。   FIG. 2 schematically shows a part of the configuration of the circuit board 4. The host controller 5 and the semiconductor package 1 according to the present embodiment have an interface conforming to the PCI Express (hereinafter, PCIe) standard. A plurality of signal lines 6 are provided between the host controller 5 and the semiconductor package 1. The semiconductor package 1 exchanges a high-speed signal conforming to the PCIe standard with the host controller 5 via the signal line 6.

回路基板4には、電源回路7が設けられている。電源回路7は、電源ライン8a,8bを介して、ホストコントローラ5及び半導体パッケージ1に接続されている。電源回路7は、電子機器2が動作するための各種の電源をホストコントローラ5及び半導体パッケージ1に供給する。   A power supply circuit 7 is provided on the circuit board 4. The power supply circuit 7 is connected to the host controller 5 and the semiconductor package 1 through power supply lines 8a and 8b. The power supply circuit 7 supplies various power supplies for operating the electronic device 2 to the host controller 5 and the semiconductor package 1.

次に、半導体パッケージ1の構成について説明する。
図3は、半導体パッケージ1の構成の一例を示すブロック図である。半導体パッケージ1は、コントローラチップ11、半導体メモリチップ12、DRAMチップ13、オシレータ(OSC)14、electrically erasable and programmable ROM (EEPROM)15、及び温度センサ16を備える。
Next, the configuration of the semiconductor package 1 will be described.
FIG. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the semiconductor package 1. The semiconductor package 1 includes a controller chip 11, a semiconductor memory chip 12, a DRAM chip 13, an oscillator (OSC) 14, an electrically erasable and programmable ROM (EEPROM) 15, and a temperature sensor 16.

コントローラチップ11(すなわちコントローラ)は、半導体メモリチップ12の動作を制御する半導体チップである。半導体メモリチップ12は、例えばNANDチップ(NANDフラッシュメモリ)である。NANDチップは、不揮発性メモリであり、電源供給を行わない状態でもデータを保持する。DRAMチップ13は、半導体メモリチップ12の管理情報の保管やデータのキャッシュなどに用いられる。   The controller chip 11 (that is, the controller) is a semiconductor chip that controls the operation of the semiconductor memory chip 12. The semiconductor memory chip 12 is, for example, a NAND chip (NAND flash memory). The NAND chip is a non-volatile memory and retains data even when power is not supplied. The DRAM chip 13 is used for storing management information of the semiconductor memory chip 12 and for caching data.

オシレータ(OSC)14は、所定周波数の動作信号をコントローラチップ11に供給する。EEPROM15は、制御プログラム等を固定情報として格納している。EEPROM15は、不揮発性メモリの一例である。温度センサ16は、半導体パッケージ1内の温度を検出し、コントローラチップ11に通知する。   The oscillator (OSC) 14 supplies an operation signal having a predetermined frequency to the controller chip 11. The EEPROM 15 stores a control program and the like as fixed information. The EEPROM 15 is an example of a nonvolatile memory. The temperature sensor 16 detects the temperature in the semiconductor package 1 and notifies the controller chip 11 of the temperature.

コントローラチップ11は、温度センサ16から受信した温度情報を用いて半導体パッケージ1の各部の動作を制御する。例えば、温度センサ16で検出された温度が所定以上であった場合、コントローラチップ11は、半導体パッケージ1の動作速度を下げたり、半導体パッケージ1の動作を所定時間または所定間隔で停止し、半導体パッケージ1の温度を許容値以下に抑える。   The controller chip 11 controls the operation of each part of the semiconductor package 1 using the temperature information received from the temperature sensor 16. For example, when the temperature detected by the temperature sensor 16 is equal to or higher than a predetermined temperature, the controller chip 11 reduces the operation speed of the semiconductor package 1 or stops the operation of the semiconductor package 1 at a predetermined time or a predetermined interval. Keep the temperature of 1 below the allowable value.

次に、半導体パッケージ1の構造について説明する。
図4は、半導体パッケージ1の断面図である。半導体パッケージ1は、基板21(パッケージ基板)、コントローラチップ11、半導体メモリチップ12、ボンディングワイヤ22,23、モールド材24,25、マウントフィルム26、及び複数の半田ボール27を備える。
Next, the structure of the semiconductor package 1 will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor package 1. The semiconductor package 1 includes a substrate 21 (package substrate), a controller chip 11, a semiconductor memory chip 12, bonding wires 22 and 23, molding materials 24 and 25, a mount film 26, and a plurality of solder balls 27.

基板21は、多層の配線基板であり、電源層28及びグランド層29を有する。基板21は、第1面21aと、該第1面21aとは反対側に位置した第2面21bとを有する。コントローラチップ11は、基板21の第1面21aに載せられている。コントローラチップ11は、例えばマウントフィルム26によって基板21に固定されている。また、コントローラチップ11は、ボンディングワイヤ22によって基板21に電気的に接続されている。   The substrate 21 is a multilayer wiring board, and includes a power supply layer 28 and a ground layer 29. The board | substrate 21 has the 1st surface 21a and the 2nd surface 21b located in the opposite side to this 1st surface 21a. The controller chip 11 is placed on the first surface 21 a of the substrate 21. The controller chip 11 is fixed to the substrate 21 by a mount film 26, for example. Further, the controller chip 11 is electrically connected to the substrate 21 by bonding wires 22.

基板21の第1面21aには、コントローラチップ11及びボンディングワイヤ22を封止する第1モールド材24が設けられている。なお、第1モールド材24に代えて厚膜マウントフィルムを用いてもよい。以上により、コントローラチップ11を封止するモールドタイプの半導体パッケージ(第1モールドパッケージ)が形成される。   A first mold material 24 that seals the controller chip 11 and the bonding wires 22 is provided on the first surface 21 a of the substrate 21. A thick film mount film may be used instead of the first mold material 24. As described above, a mold type semiconductor package (first mold package) for sealing the controller chip 11 is formed.

図4に示すように、第1モールド材24の上には、複数の半導体メモリチップ12が積層されている。複数の半導体メモリチップ12は、マウントフィルム26によって第1モールド材24の上に固定される。複数の半導体メモリチップ12は、ボンディングワイヤ23を介して基板21に電気的に接続されている。半導体メモリチップ12は、基板21を介して、コントローラチップ11に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 4, a plurality of semiconductor memory chips 12 are stacked on the first mold material 24. The plurality of semiconductor memory chips 12 are fixed on the first mold material 24 by the mount film 26. The plurality of semiconductor memory chips 12 are electrically connected to the substrate 21 through bonding wires 23. The semiconductor memory chip 12 is electrically connected to the controller chip 11 via the substrate 21.

基板21の第1面21a上には、第1モールド材24、複数の半導体メモリチップ12、及びボンディングワイヤ23を封止する第2モールド材25が設けられている。以上のように、本実施形態では、第1モールド材24及び第2モールド材25によって、基板21の第1面21aに設けられた封止部30が形成されている。封止部30は、コントローラチップ11、複数の半導体メモリチップ12、オシレータ14、EEPROM15、及び温度センサ16を一体に覆う。   A first mold material 24, a plurality of semiconductor memory chips 12, and a second mold material 25 that seals the bonding wires 23 are provided on the first surface 21 a of the substrate 21. As described above, in the present embodiment, the sealing portion 30 provided on the first surface 21 a of the substrate 21 is formed by the first molding material 24 and the second molding material 25. The sealing unit 30 integrally covers the controller chip 11, the plurality of semiconductor memory chips 12, the oscillator 14, the EEPROM 15, and the temperature sensor 16.

図5は、本実施形態に係る半導体パッケージ1の第1変形例を示す。この第1変形例では、DRAMチップ13が基板21の第1面21aに載せられている。DRAMチップ13は、第1モールド材24で覆われている。なお、DRAMチップ13は、第1モールド材24の外部に位置し、第2モールド材25によって覆われてもよい。   FIG. 5 shows a first modification of the semiconductor package 1 according to this embodiment. In the first modification, the DRAM chip 13 is placed on the first surface 21 a of the substrate 21. The DRAM chip 13 is covered with a first mold material 24. The DRAM chip 13 may be located outside the first mold material 24 and covered with the second mold material 25.

図6は、本実施形態に係る半導体パッケージ1の第2変形例を示す。この第2変形例では、複数の半導体メモリチップ12が基板21の第1面21aに積層されている。すなわち、複数の半導体メモリチップ12は、コントローラチップ11及びDRAMチップ13の側方に置かれている。   FIG. 6 shows a second modification of the semiconductor package 1 according to this embodiment. In the second modification, a plurality of semiconductor memory chips 12 are stacked on the first surface 21 a of the substrate 21. That is, the plurality of semiconductor memory chips 12 are placed beside the controller chip 11 and the DRAM chip 13.

本変形例では、一つのモールド材25が、コントローラチップ11、DRAMチップ13、及び複数の半導体メモリチップ12を一体に覆う。この場合、一つのモールド材25によって、基板21の第1面21aに設けられた封止部30が形成されている。なお、半導体パッケージ1の封止部30は、モールド材にて形成されたものに限らず、セラミック材やその他の材料で形成されたものでもよい。   In the present modification, one molding material 25 integrally covers the controller chip 11, the DRAM chip 13, and the plurality of semiconductor memory chips 12. In this case, the sealing portion 30 provided on the first surface 21 a of the substrate 21 is formed by one molding material 25. Note that the sealing portion 30 of the semiconductor package 1 is not limited to being formed of a molding material, and may be formed of a ceramic material or other materials.

次に、基板21に設けられた複数の半田ボール27について説明する。
図4に示すように、基板21の第2面21bには、外部接続用の複数の半田ボール27が設けられている。本実施形態では、半田ボール27は、例えば0.5mmピッチで並べられている。
Next, the plurality of solder balls 27 provided on the substrate 21 will be described.
As shown in FIG. 4, a plurality of solder balls 27 for external connection are provided on the second surface 21 b of the substrate 21. In the present embodiment, the solder balls 27 are arranged at a pitch of 0.5 mm, for example.

図7は、基板21の第2面21bにおける半田ボール27の配列を示す。図7に示すように、複数の半田ボール27は、基板21の第2面21bの全体にフルで配置されているわけではなく、部分的に配置されている。   FIG. 7 shows the arrangement of the solder balls 27 on the second surface 21 b of the substrate 21. As shown in FIG. 7, the plurality of solder balls 27 are not completely disposed on the entire second surface 21 b of the substrate 21 but are partially disposed.

図8は、半田ボール27のアサインを模式的に示す。なお図8は、説明の便宜上、回路基板4に載せられた姿勢を基準(すなわち半導体パッケージ1を上方から見た姿勢を基準)にしたボール配置を示す。図9は、図8中に示されたアサインの内容を示す。図10は、半田ボール27が接続される回路基板4のパッド32を示す。   FIG. 8 schematically shows the assignment of the solder balls 27. FIG. 8 shows a ball arrangement with reference to the posture placed on the circuit board 4 (that is, the posture when the semiconductor package 1 is viewed from above) for convenience of explanation. FIG. 9 shows the contents of the assignment shown in FIG. FIG. 10 shows the pads 32 of the circuit board 4 to which the solder balls 27 are connected.

本実施形態に係る複数の半田ボール27は、PCIe信号ボールPS1〜PS16、その他の信号ボールS、電源ボールP、グランドボールG、及びサーマルボールT(放熱ボール)を含む。PCIe信号ボールPS1〜PS16は、「差動信号ボール」の一例である。   The plurality of solder balls 27 according to the present embodiment include PCIe signal balls PS1 to PS16, other signal balls S, power supply balls P, ground balls G, and thermal balls T (heat radiation balls). The PCIe signal balls PS1 to PS16 are examples of “differential signal balls”.

なお、図8中では、信号ボールSをハッチング、電源ボールPを”Power”、グランドボールGを”GND”、サーマルボールTを”T_pad”と表記して示す。以下、これら半田ボール27の配置を詳しく説明する。   In FIG. 8, the signal ball S is indicated by hatching, the power supply ball P is indicated as “Power”, the ground ball G is indicated as “GND”, and the thermal ball T is indicated as “T_pad”. Hereinafter, the arrangement of the solder balls 27 will be described in detail.

図8に示すように、複数の半田ボール27は、第1郡G1、第2郡G2、及び第3郡G3に分かれて配置されている。第1郡G1は、基板21の中央部に位置する。第1郡G1は、基板21の中央部に設けられた複数のサーマルボールTと、この複数のサーマルボールTを囲むように配置された複数の電源ボールP、グランドボールG、及び信号ボールSを有する。   As shown in FIG. 8, the plurality of solder balls 27 are divided and arranged in a first group G1, a second group G2, and a third group G3. The first group G1 is located in the center of the substrate 21. The first group G1 includes a plurality of thermal balls T provided in the central portion of the substrate 21, and a plurality of power supply balls P, ground balls G, and signal balls S arranged so as to surround the plurality of thermal balls T. Have.

サーマルボールT(放熱ボール)は、基板21のグランド層29または電源層28(すなわち銅層)に電気的に接続されている。このため、コントローラチップ11などの熱は、グランド層29または電源層28を介してサーマルボールTに移動しやすい。   The thermal ball T (heat radiating ball) is electrically connected to the ground layer 29 or the power supply layer 28 (that is, the copper layer) of the substrate 21. For this reason, heat from the controller chip 11 or the like easily moves to the thermal ball T via the ground layer 29 or the power supply layer 28.

サーマルボールTは、半導体パッケージ1の熱の一部を回路基板4に逃がす。例えば本実施形態では、コントローラチップ11は、基板21の中央部に位置し、第1郡G1のサーマルボールTに重なる。コントローラチップ11は、他の部品(例えば半導体メモリチップ12またはDRAMチップ13)に比べて動作時の発熱量が大きい。第1郡G1のサーマルボールTは、コントローラチップ11から基板21に伝わる熱の一部を回路基板4に逃がす。   The thermal ball T releases part of the heat of the semiconductor package 1 to the circuit board 4. For example, in this embodiment, the controller chip 11 is located at the center of the substrate 21 and overlaps the thermal ball T of the first group G1. The controller chip 11 generates a larger amount of heat during operation than other components (for example, the semiconductor memory chip 12 or the DRAM chip 13). The thermal ball T in the first group G1 releases a part of the heat transferred from the controller chip 11 to the substrate 21 to the circuit board 4.

電源ボールPは、基板21の電源層28に電気的に接続され、半導体パッケージ1に各
種の電源を供給する。グランドボールGは、基板21のグランド層29に電気的に接続さ
れ、接地電位となる。
The power supply ball P is electrically connected to the power supply layer 28 of the substrate 21 and supplies various power supplies to the semiconductor package 1. The ground ball G is electrically connected to the ground layer 29 of the substrate 21 and has a ground potential.

図8に示すように、第2郡G2は、第1郡G1を囲う枠状に並べられている。第2郡G2と第1郡G1との間には隙間が存在する。第2郡G2は、PCIe信号ボールPS1〜PS16、信号ボールS、電源ボールP、及びグランドボールGを有する。   As shown in FIG. 8, the second counties G2 are arranged in a frame shape surrounding the first counties G1. There is a gap between the second county G2 and the first county G1. The second group G2 includes PCIe signal balls PS1 to PS16, a signal ball S, a power supply ball P, and a ground ball G.

ここで、PCIe信号ボールPS1〜PS16について詳しく説明する。図8及び図9に示すように、第1PCIe信号ボールPS1は、PCIe高速差動信号(入力、ポジティブ)1セット目に対応する。第2PCIe信号ボールPS2は、PCIe高速差動信号(入力、ネガティブ)1セット目に対応する。第1及び第2PCIe信号ボールPS1,PS2は、第1差動信号が流れる差動ペアとなる。   Here, the PCIe signal balls PS1 to PS16 will be described in detail. As shown in FIGS. 8 and 9, the first PCIe signal ball PS1 corresponds to the first set of PCIe high-speed differential signals (input, positive). The second PCIe signal ball PS2 corresponds to the first set of PCIe high-speed differential signals (input, negative). The first and second PCIe signal balls PS1 and PS2 form a differential pair through which the first differential signal flows.

第3PCIe信号ボールPS3は、PCIe高速差動信号(出力、ネガティブ)1セット目に対応する。第4PCIe信号ボールPS4は、PCIe高速差動信号(出力、ポジティブ)1セット目に対応する。第3及び第4PCIe信号ボールPS3,PS4は、第2差動信号が流れる差動ペアとなる。   The third PCIe signal ball PS3 corresponds to the first set of PCIe high-speed differential signals (output, negative). The fourth PCIe signal ball PS4 corresponds to the first set of PCIe high-speed differential signals (output, positive). The third and fourth PCIe signal balls PS3 and PS4 form a differential pair through which the second differential signal flows.

そして、これら4つのPCIe信号ボールPS1,PS2,PS3,PS4は、一対の高速差動入力信号と高速差動出力信号からなる第1信号セットに対応した第1半田ボールセットBS1(すなわち第1レーン)を構成する。   These four PCIe signal balls PS1, PS2, PS3, and PS4 have a first solder ball set BS1 (that is, a first lane) corresponding to a first signal set composed of a pair of high-speed differential input signals and high-speed differential output signals. ).

同様に、第5PCIe信号ボールPS5は、PCIe高速差動信号(出力、ネガティブ)2セット目に対応する。第6PCIe信号ボールPS6は、PCIe高速差動信号(出力、ポジティブ)2セット目に対応する。第5及び第6PCIe信号ボールPS5,PS6は、第3差動信号が流れる差動ペアとなる。   Similarly, the fifth PCIe signal ball PS5 corresponds to the second set of PCIe high-speed differential signals (output, negative). The sixth PCIe signal ball PS6 corresponds to the second set of PCIe high-speed differential signals (output, positive). The fifth and sixth PCIe signal balls PS5 and PS6 form a differential pair through which the third differential signal flows.

第7PCIe信号ボールPS7は、PCIe高速差動信号(入力、ポジティブ)2セット目に対
応する。第8PCIe信号ボールPS8は、PCIe高速差動信号(入力、ネガティブ)2セット目に対応する。第7及び第8PCIe信号ボールPS7,PS8は、第4差動信号が流れる差動ペアとなる。
The seventh PCIe signal ball PS7 corresponds to the second set of PCIe high-speed differential signals (input, positive). The eighth PCIe signal ball PS8 corresponds to the second set of PCIe high-speed differential signals (input, negative). The seventh and eighth PCIe signal balls PS7 and PS8 form a differential pair through which the fourth differential signal flows.

そして、これら4つのPCIe信号ボールPS5,PS6,PS7,PS8は、一対の高速差動入力信号と高速差動出力信号からなる第2信号セットに対応した第2半田ボールセットBS2(すなわち第2レーン)を構成する。   These four PCIe signal balls PS5, PS6, PS7, and PS8 are the second solder ball set BS2 (that is, the second lane) corresponding to the second signal set composed of a pair of high-speed differential input signals and high-speed differential output signals. ).

第9PCIe信号ボールPS9は、PCIe高速差動信号(入力、ポジティブ)3セット目に対応する。第10PCIe信号ボールPS10は、PCIe高速差動信号(入力、ネガティブ)3セット目に対応する。第9及び第10PCIe信号ボールPS9,PS10は、第5差動信号が流れる差動ペアとなる。   The ninth PCIe signal ball PS9 corresponds to the third set of PCIe high-speed differential signals (input, positive). The tenth PCIe signal ball PS10 corresponds to the third set of PCIe high-speed differential signals (input, negative). The ninth and tenth PCIe signal balls PS9 and PS10 form a differential pair through which the fifth differential signal flows.

第11PCIe信号ボールPS11は、PCIe高速差動信号(出力、ポジティブ)3セット目に対応する。第12PCIe信号ボールPS12は、PCIe高速差動信号(出力、ネガティブ)3セット目に対応する。第11及び第12PCIe信号ボールPS11,PS12は、第6差動信号が流れる差動ペアとなる。   The eleventh PCIe signal ball PS11 corresponds to the third set of PCIe high-speed differential signals (output, positive). The twelfth PCIe signal ball PS12 corresponds to the third set of PCIe high-speed differential signals (output, negative). The eleventh and twelfth PCIe signal balls PS11 and PS12 form a differential pair through which the sixth differential signal flows.

そして、これら4つのPCIe信号ボールPS9,PS10,PS11,PS12は、一対の高速差動入力信号と高速差動出力信号からなる第3信号セットに対応した第3半田ボールセットBS3(すなわち第3レーン)を構成する。   The four PCIe signal balls PS9, PS10, PS11, and PS12 are provided with a third solder ball set BS3 (that is, a third lane) corresponding to a third signal set including a pair of high-speed differential input signals and high-speed differential output signals. ).

第13PCIe信号ボールPS13は、PCIe高速差動信号(入力、ポジティブ)4セット目に対応する。第14PCIe信号ボールPS14は、PCIe高速差動信号(入力、ネガティブ)4セット目に対応する。第13及び第14PCIe信号ボールPS13,PS14は、第7差動信号が流れる差動ペアとなる。   The thirteenth PCIe signal ball PS13 corresponds to the fourth set of PCIe high-speed differential signals (input, positive). The fourteenth PCIe signal ball PS14 corresponds to the fourth set of PCIe high-speed differential signals (input, negative). The thirteenth and fourteenth PCIe signal balls PS13 and PS14 form a differential pair through which the seventh differential signal flows.

第15PCIe信号ボールPS15は、PCIe高速差動信号(出力、ポジティブ)4セット目
に対応する。第16PCIe信号ボールPS16は、PCIe高速差動信号(出力、ネガティブ)4セット目に対応する。第15及び第16PCIe信号ボールPS15,PS16は、第8差動信号が流れる差動ペアとなる。
The fifteenth PCIe signal ball PS15 corresponds to the fourth set of PCIe high-speed differential signals (output, positive). The 16th PCIe signal ball PS16 corresponds to the fourth set of PCIe high-speed differential signals (output, negative). The fifteenth and sixteenth PCIe signal balls PS15 and PS16 form a differential pair through which the eighth differential signal flows.

そして、これら4つのPCIe信号ボールPS13,PS14,PS15,PS16は、一対の高速差動入力信号と高速差動出力信号からなる第4信号セットに対応した第4半田ボールセットBS4(すなわち第4レーン)を構成する。以上を換言すると、本実施形態に係る半導体パッケージ1は、PCIeのレーンを構成する半田ボールセットを4セット有する。   These four PCIe signal balls PS13, PS14, PS15, and PS16 are the fourth solder ball set BS4 (that is, the fourth lane) corresponding to the fourth signal set composed of a pair of high-speed differential input signals and high-speed differential output signals. ). In other words, the semiconductor package 1 according to the present embodiment has four sets of solder ball sets that constitute a PCIe lane.

ここで、半導体パッケージ1の基板21は、4つの辺を有する。この4つの辺は、第1辺41a、第2辺41b、第3辺41c、及び第4辺41dを含む。半導体パッケージ1が基板21に取り付けられた状態で、第1辺41aは、基板21のなかで最もホストコントローラ5に近い。第1辺41aは、ホストコントローラ5に相対する端部(すなわち縁部)である。第1辺41aは、ホストコントローラ5と略平行に延びている。第2辺41bは、第1辺41aとは反対側に位置する。第3辺41c及び第4辺41dは、第1辺41aと第2辺41bとの間に延びている。   Here, the substrate 21 of the semiconductor package 1 has four sides. The four sides include a first side 41a, a second side 41b, a third side 41c, and a fourth side 41d. In a state where the semiconductor package 1 is attached to the substrate 21, the first side 41 a is closest to the host controller 5 in the substrate 21. The first side 41 a is an end (that is, an edge) facing the host controller 5. The first side 41 a extends substantially parallel to the host controller 5. The second side 41b is located on the opposite side to the first side 41a. The third side 41c and the fourth side 41d extend between the first side 41a and the second side 41b.

本実施形態では、第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、基板21の第1辺41aの近くに纏めて配置されている。第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、基板21の第1辺41aと基板21の中央部との間に位置する。第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、基板21の第1辺41aと略平行に並べられている。   In the present embodiment, the first to fourth solder ball sets BS 1, BS 2, BS 3, BS 4 are collectively arranged near the first side 41 a of the substrate 21. The first to fourth solder ball sets BS 1, BS 2, BS 3, BS 4 are located between the first side 41 a of the substrate 21 and the central portion of the substrate 21. The first to fourth solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4 are arranged substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21.

これにより、第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、基板21の中央部よりも、ホストコントローラ5の近くに位置する。すなわち、第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、基板21の中心を第1辺41aと略平行に通る中心線Cと第1辺41aとの間の領域に位置する。   Accordingly, the first to fourth solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4 are located closer to the host controller 5 than the central portion of the substrate 21. That is, the first to fourth solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4 are located in a region between the center line C passing through the center of the substrate 21 and substantially parallel to the first side 41a and the first side 41a.

さらに言えば、本実施形態では、全てのPCIe信号ボールPS1〜PS16は、第1ラインL1に沿って1列に並べられている。第1ラインL1は、基板21の第1辺41aと基板21の中央部との間に位置して、基板21の第1辺41aと略平行に延びている。   Furthermore, in this embodiment, all the PCIe signal balls PS1 to PS16 are arranged in a line along the first line L1. The first line L <b> 1 is located between the first side 41 a of the substrate 21 and the central part of the substrate 21 and extends substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21.

図10に示すように、回路基板4の複数のパッド32は、複数の半田ボール27の配置に対応して設けられている。回路基板4の複数のパッド32は、PCIe信号ボールPS1〜PS16が接続され、ホストコントローラ5との間でPCIe信号が流れる16つのPCIeパッドPSPを含む。   As shown in FIG. 10, the plurality of pads 32 of the circuit board 4 are provided corresponding to the arrangement of the plurality of solder balls 27. The plurality of pads 32 of the circuit board 4 include 16 PCIe pads PSP to which PCIe signal balls PS <b> 1 to PS <b> 16 are connected and a PCIe signal flows with the host controller 5.

回路基板4は、PCIeパッドPSPとホストコントローラ5とを電気的に接続する16つの信号ライン6(配線パターン)を有する。信号ライン6は、例えば回路基板4の表層に設けられている。信号ライン6は、PCIeパッドPSPからホストコントローラ5に向いて直線状に延びている。信号ライン6は、半導体パッケージ1の基板21の第1辺41aと略直交した方向に延びている。この16つの信号ライン6は、例えば同じ配線長を有する。すなわち、ホストコントローラ5と16つのPCIe信号ボールPS1〜PS16との間には信号ライン6の等長性が確保されている。   The circuit board 4 has 16 signal lines 6 (wiring patterns) that electrically connect the PCIe pad PSP and the host controller 5. The signal line 6 is provided, for example, on the surface layer of the circuit board 4. The signal line 6 extends linearly from the PCIe pad PSP toward the host controller 5. The signal line 6 extends in a direction substantially orthogonal to the first side 41 a of the substrate 21 of the semiconductor package 1. The 16 signal lines 6 have, for example, the same wiring length. That is, the equal length of the signal line 6 is ensured between the host controller 5 and the 16 PCIe signal balls PS1 to PS16.

次に、グランドボールGの配置について説明する。なお、ここでは説明の便宜上、「PCIe信号ボール」を単に「半田ボール」と読み替える。   Next, the arrangement of the ground balls G will be described. Here, for convenience of explanation, “PCIe signal ball” is simply read as “solder ball”.

各半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4は、其々、差動入力信号に対応した2つの第1半田ボールと,差動出力信号に対応した2つの第2半田ボールとを有する。すなわち、PCIe信号ボールPS1、PS2、PS7、PS8、PS9、PS10、PS13、PS14は、上記第1半田ボールに該当する。一方で、PCIe信号ボールPS3、PS4、PS5、PS6、PS11、PS12、PS15、PS16は、上記第2半田ボールに該当する。   Each solder ball set BS1, BS2, BS3, BS4 has two first solder balls corresponding to differential input signals and two second solder balls corresponding to differential output signals. That is, the PCIe signal balls PS1, PS2, PS7, PS8, PS9, PS10, PS13, and PS14 correspond to the first solder balls. On the other hand, the PCIe signal balls PS3, PS4, PS5, PS6, PS11, PS12, PS15, and PS16 correspond to the second solder balls.

グランドボールGは、PCIe信号ボールPS1〜PS16の周囲に設けられ、いくつかのPCIe信号ボールPS1〜PS16の間を電気的にシールドする。本実施形態では、グランドボールGは、半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4の間、及び、各半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4において、上記第1半田ボールと上記第2半田ボールとの間に設けられている。   The ground ball G is provided around the PCIe signal balls PS1 to PS16, and electrically shields some of the PCIe signal balls PS1 to PS16. In the present embodiment, the ground ball G includes the first solder ball and the second solder ball between the solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4 and in each of the solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4. It is provided between.

すなわち、グランドボールGは、差動ペアと差動ペアとの間に設けられている。これにより、其々複数の差動入力信号と差動出力信号とが互いに独立するように電気的にシールドされ、信号の相互干渉や外来ノイズの影響が抑制されている。   That is, the ground ball G is provided between the differential pair. Thereby, the plurality of differential input signals and differential output signals are electrically shielded so as to be independent from each other, and the influence of mutual signal interference and external noise is suppressed.

また、いくつかのグランドボールGは、信号ライン6とは反対側からPCIe信号ボールPS1〜PS16に面する。これにより、上述の8つの差動信号が他の信号から独立するように電気的にシールドされ、信号の相互干渉や外来ノイズの影響が抑制されている。   Some ground balls G face the PCIe signal balls PS1 to PS16 from the side opposite to the signal line 6. As a result, the above-described eight differential signals are electrically shielded so as to be independent of other signals, and the influence of mutual signal interference and external noise is suppressed.

図8に示すように、半田ボール27の第3郡G3は、複数のサーマルボールTを含む。第3郡G3は、第2郡G2のさらに外側に位置する。第3郡G3は、第2郡G2と基板21の外周縁(4つの辺41a,41b,41c,41d)との間に位置する。すなわち、複数のサーマルボールTは、第1乃至第4半田ボールセットBS1〜BS4よりも、基板21の外周縁の近くに位置する。   As shown in FIG. 8, the third group G3 of the solder balls 27 includes a plurality of thermal balls T. The third county G3 is located further outside the second county G2. The third group G3 is located between the second group G2 and the outer peripheral edge (four sides 41a, 41b, 41c, 41d) of the substrate 21. That is, the plurality of thermal balls T are located closer to the outer peripheral edge of the substrate 21 than the first to fourth solder ball sets BS1 to BS4.

サーマルボールTは、基板21の第1辺41aと第1乃至第4半田ボールセットBS1〜BS4との間の領域において、基板21の第1辺41aと略直交した方向で、第1乃至第4半田ボールセットBS1〜BS4と並ぶ領域を避けて配置されている。すなわち、サーマルボールTは、信号ライン6が通る領域を避けて配置されている。これにより、信号ライン6は、サーマルボールTに邪魔されずに、回路基板4の表層に直線状に延びることができる。   The thermal ball T has a first to a fourth direction in a direction substantially orthogonal to the first side 41a of the substrate 21 in a region between the first side 41a of the substrate 21 and the first to fourth solder ball sets BS1 to BS4. The solder ball sets BS1 to BS4 are arranged so as to avoid the region. That is, the thermal ball T is arranged so as to avoid the region through which the signal line 6 passes. Thereby, the signal line 6 can extend linearly on the surface layer of the circuit board 4 without being disturbed by the thermal ball T.

別の観点で見れば、サーマルボールTは、PCIe信号ボールPS1〜PS16の間に位置したグランドボールGに対して、基板21の第1辺41aと略直交した方向で並ぶ領域に配置されている。サーマルボールTは、複数の信号ライン6の間及び信号ライン6の両側に位置する。サーマルボールTは、例えば基板21のグランド層29に電気的に接続され、電気的なシールドとして信号ライン6に流れる信号の相互干渉や外来ノイズの影響を抑制することに寄与する。   From another point of view, the thermal ball T is arranged in a region aligned in a direction substantially orthogonal to the first side 41a of the substrate 21 with respect to the ground ball G positioned between the PCIe signal balls PS1 to PS16. . The thermal balls T are located between the signal lines 6 and on both sides of the signal lines 6. The thermal ball T is electrically connected to, for example, the ground layer 29 of the substrate 21, and contributes to suppressing mutual interference of signals flowing through the signal line 6 and external noise as an electrical shield.

図7及び図8に示すように、基板21は、第1領域43aと、第2領域43bとを有する。第1領域43aは、平面視においてコントローラチップ11に重なる領域(すなわちコントローラチップ11の投射領域)である。一方で、第2領域43bは、第1領域43aの外側に位置した領域である。   As shown in FIGS. 7 and 8, the substrate 21 includes a first region 43a and a second region 43b. The first area 43a is an area that overlaps the controller chip 11 in plan view (that is, a projection area of the controller chip 11). On the other hand, the second region 43b is a region located outside the first region 43a.

ここで、第2領域43bにおけるサーマルボールTの配置密度は、第1領域43aにおけるサーマルボールTの配置密度よりも高い。なお「配置密度」とは、各領域に配置されたサーマルボールTの数を各領域の面積で割ったものである。   Here, the arrangement density of the thermal balls T in the second region 43b is higher than the arrangement density of the thermal balls T in the first region 43a. The “arrangement density” is obtained by dividing the number of thermal balls T arranged in each region by the area of each region.

図10に示すように、回路基板4のパッド32は、サーマルボールTが接続されるサーマルパッドTPを含む。サーマルパッドTPは、例えば回路基板4のグランド層または電源層(すなわち銅層)に接続されている。なお、サーマルボールT及びサーマルパッドTPは、基板21や回路基板4のグランド層や電源層に接続されたものに限らない。銅層に接続されていないサーマルボールTやサーマルパッドTPによっても一定の放熱効果が得られる。   As shown in FIG. 10, the pad 32 of the circuit board 4 includes a thermal pad TP to which the thermal ball T is connected. The thermal pad TP is connected to, for example, a ground layer or a power supply layer (that is, a copper layer) of the circuit board 4. The thermal ball T and the thermal pad TP are not limited to those connected to the ground layer or the power supply layer of the substrate 21 or the circuit board 4. A certain heat radiation effect can be obtained also by the thermal ball T or the thermal pad TP not connected to the copper layer.

次に、電源ボールP及びグランドボールGの配置について説明する。
図8に示すように、複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGは、基板21の中心に対して略点対称に配置されている。なお、「略点対象」とは、完全に点対称な場合に加えて、例えば少数(例えば1つ)のグランドボールGが点対称に配置されていない場合も含む。
Next, the arrangement of the power supply balls P and the ground balls G will be described.
As shown in FIG. 8, the plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G are arranged substantially symmetrically with respect to the center of the substrate 21. The “substantially point object” includes not only the case of complete point symmetry but also the case where a small number (for example, one) of the ground balls G are not arranged point-symmetrically.

別の観点では、複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGは、そのどちらか一方が基板21の中心に対して点対称に配置されていればよい。本実施形態では、複数の電源ボールPは、基板21の中心に対して点対称に配置されている。   From another point of view, any one of the plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G may be arranged symmetrically with respect to the center of the substrate 21. In the present embodiment, the plurality of power supply balls P are arranged point-symmetrically with respect to the center of the substrate 21.

図10に示すように、回路基板4のパッド32は、電源ボールPが接続される電源パッドPPと、グランドボールGが接続されるグランドパッドGPとを含む。   As shown in FIG. 10, the pad 32 of the circuit board 4 includes a power pad PP to which the power ball P is connected and a ground pad GP to which the ground ball G is connected.

複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGが略点対称に配置されることで、半導体パッケージ1を正規の向きに対して誤って180度回転させて回路基板4に取り付けた場合でも、電源ボールPと電源パッドPP、及びグランドボールGとグランドパッドGPとの対応関係が維持される。   The plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G are arranged substantially symmetrically with respect to a point, so that even when the semiconductor package 1 is erroneously rotated 180 degrees with respect to the normal direction and attached to the circuit board 4, the power supply balls Correspondence relationships between P and power supply pads PP, and ground balls G and ground pads GP are maintained.

このような構成によれば、高速動作性を向上させた半導体パッケージ1を提供することができる。すなわち、例えば高速信号に対応した半田ボールセットが1セットしかない場合、高速動作に限界がある。   According to such a configuration, it is possible to provide the semiconductor package 1 with improved high-speed operability. That is, for example, when there is only one solder ball set corresponding to a high-speed signal, there is a limit to high-speed operation.

そこで、本実施形態に係る半導体パッケージ1は、基板21と、封止部30と、コントローラチップ11と、半導体チップ(例えば半導体メモリチップ12)と、複数の差動信号ボール(例えばPCIe信号ボールPS1〜PS16)とを備える。前記複数の差動信号ボールの少なくとも一部は、基板21の第1辺41aと略平行に並べられている。   Therefore, the semiconductor package 1 according to this embodiment includes a substrate 21, a sealing unit 30, a controller chip 11, a semiconductor chip (for example, a semiconductor memory chip 12), and a plurality of differential signal balls (for example, a PCIe signal ball PS1). To PS16). At least some of the plurality of differential signal balls are arranged substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21.

このような構成によれば、高速信号に対応した半田ボールセットの数を増やすことで、送受信できるデータ量を倍増させることができ、これにより高速動作性を向上させることができる。   According to such a configuration, by increasing the number of solder ball sets corresponding to high-speed signals, it is possible to double the amount of data that can be transmitted and received, thereby improving high-speed operability.

さらに、前記複数の差動信号ボールが基板21の第1辺41aと略平行に並べられていると、基板21の第1辺41aをホストコントローラ5に向けて半導体パッケージ1を配置することで、前記複数の差動信号ボールとホストコントローラ5との間の信号ライン6の等長性を確保しやすい。このため、半導体パッケージ1が送受信する信号品質を高めることができる。   Further, when the plurality of differential signal balls are arranged substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21, the semiconductor package 1 is arranged with the first side 41a of the substrate 21 facing the host controller 5, It is easy to ensure the equal length of the signal line 6 between the plurality of differential signal balls and the host controller 5. For this reason, the signal quality which the semiconductor package 1 transmits / receives can be improved.

別の観点では、複数の差動信号ボールは、差動ペアを基板21の第1辺41aと略直交した方向に並べ、該複数の差動信号ボールを基板21の第1辺41aと略平行な2列に配置することも考えられる。しかしこの場合、本実施形態のように0.5mmピッチで半田ボール27を並べると、差動信号ボールと信号ライン6の配置が密になり、いくつかの信号ライン6に急峻な折曲部を設ける必要が生じる。これは、信号品質や信頼性に影響を与える場合がある。   In another aspect, the plurality of differential signal balls are arranged such that the differential pairs are arranged in a direction substantially orthogonal to the first side 41 a of the substrate 21, and the plurality of differential signal balls are substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21. It is also possible to arrange them in two rows. However, in this case, when the solder balls 27 are arranged at a pitch of 0.5 mm as in this embodiment, the differential signal balls and the signal lines 6 are arranged densely, and some signal lines 6 are provided with sharp bent portions. Need arises. This may affect signal quality and reliability.

一方で、本実施形態では、複数の差動信号ボールが基板21の第1辺41aと略平行に一列に並べられている。このような構成によれば、複数の差動信号ボールと信号ライン6とが密になりにくく、信号ライン6に急峻な折曲部を設けることを避けることができる。このため、信号品質や信頼性をさらに高めることができる。   On the other hand, in the present embodiment, a plurality of differential signal balls are arranged in a line substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21. According to such a configuration, the plurality of differential signal balls and the signal line 6 are unlikely to become dense, and it is possible to avoid providing a sharp bent portion in the signal line 6. For this reason, signal quality and reliability can be further improved.

本実施形態では、複数のグランドボールGは、複数の差動信号ボールの周囲に設けられていくつかの差動信号ボールの間を電機的にシールドする。これにより、複数の差動信号ボールの信号の相互干渉や外来ノイズの影響を抑制することができ、信号品質を高めることができる。   In the present embodiment, the plurality of ground balls G are provided around the plurality of differential signal balls to electrically shield some of the differential signal balls. Thereby, the mutual interference of the signals of a plurality of differential signal balls and the influence of external noise can be suppressed, and the signal quality can be improved.

本実施形態では、複数の半田ボール27は、基板21のグランド層29または電源層28に電気的に接続された複数のサーマルボールTを含む。このような構成によれば、半導体パッケージ1の熱を効率的に回路基板4に逃がすことができる。これより、半導体パッケージ1の温度上昇を抑制し、半導体パッケージ1の高速動作を促進することができる。   In the present embodiment, the plurality of solder balls 27 include a plurality of thermal balls T electrically connected to the ground layer 29 or the power supply layer 28 of the substrate 21. According to such a configuration, the heat of the semiconductor package 1 can be efficiently released to the circuit board 4. Thereby, the temperature rise of the semiconductor package 1 can be suppressed and the high-speed operation of the semiconductor package 1 can be promoted.

本実施形態では、複数のサーマルボールTは、複数の半田ボールセットBS1〜BS4よりも、基板21の外周縁の近くに位置する。このような構成によれば、配線レイアウトが疎な基板21の周辺部を有効活用してサーマルボールTを配置することができる。これにより、半導体パッケージ1のレイアウト設計の自由度を向上させることができる。   In the present embodiment, the plurality of thermal balls T are located closer to the outer peripheral edge of the substrate 21 than the plurality of solder ball sets BS1 to BS4. According to such a configuration, the thermal ball T can be disposed by effectively utilizing the peripheral portion of the substrate 21 having a sparse wiring layout. Thereby, the freedom degree of the layout design of the semiconductor package 1 can be improved.

本実施形態では、複数のサーマルボールTは、基板21の第1辺41aと半田ボールセットBS1〜BS4との間の領域において、基板21の第1辺41aと略直交した方向で各半田ボールセットBS〜BS4と並ぶ領域を避けて配置されている。これにより、回路基板4のパッドPSPから信号ライン6を直線状に引くことができる。すなわち、サーマルボールTを避けるために信号ライン6を迂回させる必要がなくなる。このため、信号品質をさらに向上させることができる。   In the present embodiment, a plurality of thermal balls T are arranged in the direction between the first side 41a of the substrate 21 and the solder ball sets BS1 to BS4 in a direction substantially orthogonal to the first side 41a of the substrate 21. Arranged so as to avoid the area aligned with BS to BS4. Thereby, the signal line 6 can be drawn linearly from the pad PSP of the circuit board 4. That is, it is not necessary to bypass the signal line 6 in order to avoid the thermal ball T. For this reason, signal quality can be further improved.

なお、サーマルボールTは、半導体パッケージ1の低コスト化の観点では、基板21の全面にフルで設けられるのではなく、必要十分な少ない個数であることが望ましい。このようにサーマルボールTの個数に上限を設定する場合、相対的に多くのサーマルボールTを基板21の第2領域43bに配置することは、放熱性の観点からも好ましい。   Note that it is desirable that the number of the thermal balls T be as small as necessary and sufficient, instead of being fully provided on the entire surface of the substrate 21 from the viewpoint of reducing the cost of the semiconductor package 1. When an upper limit is set for the number of thermal balls T in this way, it is preferable from the viewpoint of heat dissipation to dispose a relatively large number of thermal balls T in the second region 43 b of the substrate 21.

ここで、複数のサーマルボールTを第1領域43aに集中して配置することも考えられる。一見すると、発熱部品であるコントローラチップ11の直下に位置した第1領域43aに相対的に多くのサーマルボールTを配置した方が良好な放熱性が得られるようにも思われる。   Here, a plurality of thermal balls T may be concentrated on the first region 43a. At first glance, it seems that better heat dissipation can be obtained if a relatively large number of thermal balls T are arranged in the first region 43a located immediately below the controller chip 11 which is a heat generating component.

しかしながら、本発明者による試験結果によれば、第2領域43bに相対的に多くのサーマルボールTを配置した方が半導体パッケージ1の温度上昇を低く抑えられることが分かった。これは、第1領域43aに加えて第2領域43bにもサーマルボールTを分けて配置すると、半導体パッケージ1の全体の放熱性を高まるためだと推察される。そこで、本実施形態では、第2領域43bに相対的に多くのサーマルボールTを配置し、半導体パッケージ1の放熱性をさらに高めている。   However, according to the test results by the present inventors, it was found that the temperature increase of the semiconductor package 1 can be suppressed to a lower level when a relatively large number of thermal balls T are arranged in the second region 43b. This is presumed to be because if the thermal balls T are separately arranged in the second region 43b in addition to the first region 43a, the overall heat dissipation of the semiconductor package 1 is enhanced. Therefore, in the present embodiment, a relatively large number of thermal balls T are arranged in the second region 43b to further enhance the heat dissipation of the semiconductor package 1.

本実施形態では、複数の半田ボール27は、基板21の電源層28に電気的に接続された複数の電源ボールPと、基板21のグランド層29に電気的に接続された複数のグランドボールGとを含む。複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGは、基板21の中心に対して略点対称に配置されている。   In the present embodiment, the plurality of solder balls 27 includes a plurality of power supply balls P electrically connected to the power supply layer 28 of the substrate 21 and a plurality of ground balls G electrically connected to the ground layer 29 of the substrate 21. Including. The plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G are arranged substantially symmetrically with respect to the center of the substrate 21.

ここで、複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGが略点対称に配置されていない場合、正規の向きに対して誤って180度回転させた状態で半導体パッケージ1を基板21に取り付けると、回路基板4の電源パッドPPと半導体パッケージ1のグランドボールGとが接続され、ショートする可能性がある。   Here, when the plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G are not arranged substantially point-symmetrically, when the semiconductor package 1 is attached to the substrate 21 in a state where the power supply balls P and the plurality of ground balls G are rotated by 180 degrees with respect to the normal direction, There is a possibility that the power supply pad PP of the circuit board 4 and the ground ball G of the semiconductor package 1 are connected and short-circuited.

一方で、本実施形態のように複数の電源ボールP及び複数のグランドボールGは、基板21の中心に対して略点対称に配置されていると、正規の向きに対して誤って180度回転させた状態で半導体パッケージ1を基板21に取り付けた場合でも、複数の電源ボールPと複数の電源パッドPP、及び複数のグランドボールGと複数のグランドパッドGPとの対応関係は維持される。このため、ショートが生じる可能性がなく、システム全体および半導体パッケージ1の損傷を防止することができる。   On the other hand, when the plurality of power supply balls P and the plurality of ground balls G are arranged substantially point-symmetrically with respect to the center of the substrate 21 as in the present embodiment, they are erroneously rotated 180 degrees with respect to the normal direction. Even when the semiconductor package 1 is attached to the substrate 21 in this state, the correspondence relationship between the plurality of power supply balls P and the plurality of power supply pads PP, and the plurality of ground balls G and the plurality of ground pads GP is maintained. For this reason, there is no possibility of a short circuit, and damage to the entire system and the semiconductor package 1 can be prevented.

(第2実施形態)
次に、図11乃至図16を参照して、第2実施形態に係る半導体パッケージ1について説明する。なお、第1実施形態の構成と同一または類似の機能を有する構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。また、下記に説明する以外の構成は、第1実施形態と同じである。
(Second Embodiment)
Next, a semiconductor package 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, the structure which has the same or similar function as the structure of 1st Embodiment attaches the same code | symbol, and abbreviate | omits the description. The configuration other than that described below is the same as that of the first embodiment.

図11は、本実施形態に係る半田ボール27のアサインを示す。図12は、図11中のF12で囲まれた部分を拡大して示す。図11及び図12に示すように、本実施形態では、複数のPCIe信号ボールPS1〜PS16は、第1ラインL1と、一対の第2ラインL2a,L2bとに沿って並べられている。第1ラインL1は、基板21の第1辺41aと基板21の中央部との間に位置して、基板21の第1辺41aと略平行である。一対の第2ラインL2a,L2bは、第1ラインL1の両端部から基板21の第1辺41aから離れる方向に延びている。   FIG. 11 shows the assignment of the solder balls 27 according to the present embodiment. FIG. 12 is an enlarged view of a portion surrounded by F12 in FIG. As shown in FIGS. 11 and 12, in the present embodiment, the plurality of PCIe signal balls PS1 to PS16 are arranged along the first line L1 and the pair of second lines L2a and L2b. The first line L1 is located between the first side 41a of the substrate 21 and the central portion of the substrate 21 and is substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21. The pair of second lines L2a, L2b extends from both ends of the first line L1 in a direction away from the first side 41a of the substrate 21.

つまり、複数のPCIe信号ボールPS1〜PS16のなかで最も外側に位置したいくつかのPCIe信号ボールPS1,PS2、PS15,PS16は、第1ラインL1とは交差した(例えば略直交した)第2ラインL2a,L2bに沿うように向きを変えて並べられている。なお、一対の第2ラインL2a,L2bは、この名称に限定されるものではなく、例えば第2ラインL2a及び第3ラインL2bと称してもよい。   That is, some of the PCIe signal balls PS1, PS2, PS15, and PS16 located on the outermost side among the plurality of PCIe signal balls PS1 to PS16 intersect with the first line L1 (for example, substantially orthogonal) second line. They are arranged in different directions along L2a and L2b. The pair of second lines L2a and L2b is not limited to this name, and may be referred to as a second line L2a and a third line L2b, for example.

本実施形態では、第2及び第3ボールセットBS2,BS3のPCIe信号ボールPS5〜PS12は、第1ラインL1に沿って一列に配置されている。一方で、第1及び第4ボールセットBS1,BS4のPCIe信号ボールPS1〜PS4、PS12〜PS16は、第2及び第3ボールセットBS2,BS3の両側に位置するとともに、其々少なくとも一部が一対の第2ラインL2a,L2bに沿って配置されている。   In the present embodiment, the PCIe signal balls PS5 to PS12 of the second and third ball sets BS2 and BS3 are arranged in a line along the first line L1. On the other hand, the PCIe signal balls PS1 to PS4 and PS12 to PS16 of the first and fourth ball sets BS1 and BS4 are located on both sides of the second and third ball sets BS2 and BS3, respectively, and at least a part of each is paired. Are arranged along the second lines L2a and L2b.

本実施形態においても、第1乃至第4半田ボールセットBS1,BS2,BS3,BS4の全てのPCIe信号ボールPS1〜PS16は、基板21の中心を第1辺41aと略平行
に通る中心線Cと第1辺41aとの間の領域に位置する。
Also in the present embodiment, all the PCIe signal balls PS1 to PS16 of the first to fourth solder ball sets BS1, BS2, BS3, BS4 have a center line C passing through the center of the substrate 21 substantially parallel to the first side 41a. It is located in a region between the first side 41a.

詳しく述べると、枠状に配置された第2郡G2は、第1部分61(第1辺)、第2部分62(第2辺)、第3部分63(第3辺)、及び第4部分64(第4辺)を有する。第1部分61は、第1ラインL1に沿って並べられている。第2部分62は、第1部分61の第1端部から第1部分61とは略直交した方向に並べられている。   Specifically, the second group G2 arranged in a frame shape includes a first portion 61 (first side), a second portion 62 (second side), a third portion 63 (third side), and a fourth portion. 64 (fourth side). The first portions 61 are arranged along the first line L1. The second portion 62 is arranged in a direction substantially orthogonal to the first portion 61 from the first end of the first portion 61.

第3部分63は、前記第1端部とは反対側に位置した第1部分61の第2端部から第1部分61とは略直交した方向に並べられている。第2部分62と第3部分63とは、第1郡G1の両側に分かれて位置する。第4部分64は、第1部分61と略平行に並べられている。第4部分64は、第2部分62と第3部分63との間に亘る。第1部分61と第4部分64とは、第1郡G1の両側に分かれて位置する。   The third portion 63 is arranged in a direction substantially orthogonal to the first portion 61 from the second end portion of the first portion 61 located on the side opposite to the first end portion. The second portion 62 and the third portion 63 are separately located on both sides of the first group G1. The fourth portion 64 is arranged substantially in parallel with the first portion 61. The fourth portion 64 extends between the second portion 62 and the third portion 63. The first portion 61 and the fourth portion 64 are separately located on both sides of the first group G1.

本実施形態では、第2及び第3ボールセットBS2,BS3のPCIe信号ボールPS5〜PS12は、第1部分61に位置して一列に並べられている。また、第1ボールセットBS1の2つのPCIe信号ボールPS3,PS4は、第1部分61に並べられている。第3ボールセットBS4の2つのPCIe信号ボールPS12,PS13は、第1部分61に並べられている。   In the present embodiment, the PCIe signal balls PS5 to PS12 of the second and third ball sets BS2 and BS3 are positioned in the first portion 61 and arranged in a line. Further, the two PCIe signal balls PS3 and PS4 of the first ball set BS1 are arranged in the first portion 61. The two PCIe signal balls PS12 and PS13 of the third ball set BS4 are arranged in the first portion 61.

一方で、第1ボールセットBS1の2つのPCIe信号ボールPS1,PS2は、第1部分61に繋がる第2部分62の端部に並べられている。同様に、第4ボールセットBS4の2つのPCIe信号ボールPS15,PS16は、第1部分61に繋がる第3部分63の端部に並べられている。   On the other hand, the two PCIe signal balls PS <b> 1 and PS <b> 2 of the first ball set BS <b> 1 are arranged at the end portion of the second portion 62 connected to the first portion 61. Similarly, the two PCIe signal balls PS15 and PS16 of the fourth ball set BS4 are arranged at the end of the third portion 63 connected to the first portion 61.

これにより、複数のPCIe信号ボールPS1〜PS16は、第1ラインL1に沿って配置された複数の第1差動ペアと、一対の第2ラインL2a,L2bに沿って配置された第2差動ペアとを含む。つまり、PCIe信号ボール(PS3,PS4)、(PS5,PS6)、(PS7,PS8)、(PS9,PS10)、(PS11,PS12)、(PS13,PS14)は、其々、第1差動ペアの一例である。一方で、PCIe信号ボール(PS1,PS2)、(PS15,PS16)は、其々、第2差動ペアの一例である。   Accordingly, the plurality of PCIe signal balls PS1 to PS16 includes a plurality of first differential pairs disposed along the first line L1 and a second differential disposed along the pair of second lines L2a and L2b. Including pairs. That is, the PCIe signal balls (PS3, PS4), (PS5, PS6), (PS7, PS8), (PS9, PS10), (PS11, PS12), (PS13, PS14) are respectively the first differential pair. It is an example. On the other hand, the PCIe signal balls (PS1, PS2) and (PS15, PS16) are examples of the second differential pair, respectively.

ここで、各第2差動ペアは、第1ボールAと、第2ボールBとを含む。第2ボールBは、第1ボールAに比べて、基板21の第1辺41aから遠くに位置する。本実施形態では、PCIe信号ボールPS2、PS15は、第1ボールAの一例である。PCIe信号ボールPS1、PS16は、第2ボールBの一例である。   Here, each second differential pair includes a first ball A and a second ball B. The second ball B is located farther from the first side 41 a of the substrate 21 than the first ball A. In the present embodiment, the PCIe signal balls PS2 and PS15 are examples of the first ball A. The PCIe signal balls PS1 and PS16 are examples of the second ball B.

図13は、本実施形態に係る回路基板4のパッド32の配置を示す。図13に示すように、信号ライン6は、第2差動ペアを構成するPCIe信号ボール(PS1,PS2)、(PS15,PS16)とホストコントローラ5との間に延びた4本の信号ライン6a,6bを含む。これら4本の信号ライン6a,6bは、PCIeパッドPSPから基板21の第1辺41aと略平行に延びるとともに、曲線状に曲がる部分を有し、ホストコントローラ5に向いて基板の第1辺41aと略直交した方向に延びている。   FIG. 13 shows the arrangement of the pads 32 of the circuit board 4 according to this embodiment. As shown in FIG. 13, the signal line 6 includes four signal lines 6 a extending between the PCIe signal balls (PS 1, PS 2) and (PS 15, PS 16) constituting the second differential pair and the host controller 5. , 6b. These four signal lines 6a and 6b extend substantially in parallel with the first side 41a of the substrate 21 from the PCIe pad PSP, have a curved portion, and face the host controller 5 with the first side 41a of the substrate. It extends in a direction substantially orthogonal to.

具体的には、信号ライン6は、第1ボールAとホストコントローラ5との間の延びた第1信号ライン6aと、第2ボールBとホストコントローラ5との間の延びた第2信号ライン6bとを含む。第1信号ライン6aは、第1曲線部71を有する。第2信号ライン6bは、例えば第1曲線部71よりも大きな曲率半径で、第1曲線部71の外側に位置した第2曲線部72を有する。第1及び第2の曲線部71,72は、例えば1/4円の円弧状に形成されている。   Specifically, the signal line 6 includes a first signal line 6 a extending between the first ball A and the host controller 5, and a second signal line 6 b extending between the second ball B and the host controller 5. Including. The first signal line 6 a has a first curved portion 71. For example, the second signal line 6 b has a second curve portion 72 located outside the first curve portion 71 with a radius of curvature larger than that of the first curve portion 71. The 1st and 2nd curve parts 71 and 72 are formed in the circular arc shape of 1/4 circle, for example.

本実施形態では、複数のグランドボールG及び複数のサーマルボールTを含む全ての半田ボール27は、曲線部71,72を有した第1及び第2信号ライン6a,6bを避けた領域に配置されている。   In the present embodiment, all the solder balls 27 including the plurality of ground balls G and the plurality of thermal balls T are arranged in areas avoiding the first and second signal lines 6 a and 6 b having the curved portions 71 and 72. ing.

図14は、第2差動ペアを構成する第1及び第2ボールA,Bとホストコントローラ5との間の信号ライン6の配線長を模式的に示す。なお、説明の便宜上、第1ボールAと第2ボールBとで配線長への影響が同じ部分については距離を詰めて示す。   FIG. 14 schematically shows the wiring length of the signal line 6 between the first and second balls A and B constituting the second differential pair and the host controller 5. For convenience of explanation, the first ball A and the second ball B have the same influence on the wiring length and are shown with a close distance.

図14に示すように、本実施形態では、第1ボールAと第2ボールBとの間の距離を2とした場合、第1信号ライン6aと第2信号ライン6bとの配線長の違いは、π/2(約1.5705)である。   As shown in FIG. 14, in this embodiment, when the distance between the first ball A and the second ball B is 2, the difference in wiring length between the first signal line 6a and the second signal line 6b is as follows. , Π / 2 (about 1.5705).

次に、図15を参照して、信号ライン6の第1変形例を説明する。なお、上記実施形態と同一または類似の機能を有する構成は、同じ符号を付してその説明を省略する。   Next, a first modification of the signal line 6 will be described with reference to FIG. In addition, the structure which has the same or similar function as the said embodiment attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits the description.

信号ライン6は、第2差動ペアを構成するPCIe信号ボール(PS1,PS2)、(PS15,PS16)とホストコントローラ5との間に延びた4本の信号ライン6a,6bを含む。これら4本の信号ライン6a,6bは、PCIeパッドPSPから基板21の第1辺41aと略平行に延びるとともに、基板21の第1辺41aに対して斜めに延びた部分を有し、ホストコントローラ5に向いて基板の第1辺41aと略直交した方向に延びている。   The signal line 6 includes four signal lines 6 a and 6 b extending between the PCIe signal balls (PS 1, PS 2) and (PS 15, PS 16) constituting the second differential pair and the host controller 5. These four signal lines 6a and 6b extend from the PCIe pad PSP substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21 and have a portion extending obliquely with respect to the first side 41a of the substrate 21. 5 extends in a direction substantially orthogonal to the first side 41a of the substrate.

具体的には、第1信号ライン6aは、基板21の第1辺41aに対して斜めに延びた第1斜線部73を有する。第2信号ライン6bは、例えば第1斜線部73と略平行で、第1斜線部73の外側に位置した第2斜線部74を有する。第1及び第2斜線部73,74は、例えば基板21の第1辺41aに対して45°の角度で傾いている。   Specifically, the first signal line 6 a includes a first oblique line portion 73 extending obliquely with respect to the first side 41 a of the substrate 21. The second signal line 6 b includes, for example, a second shaded portion 74 that is substantially parallel to the first shaded portion 73 and located outside the first shaded portion 73. The first and second hatched portions 73 and 74 are inclined at an angle of 45 ° with respect to the first side 41a of the substrate 21, for example.

本実施形態では、複数のグランドボールG及び複数のサーマルボールTを含む全ての半田ボール27は、斜線部73,74を有した第1及び第2信号ライン6a,6bを避けた領域に配置されている。   In the present embodiment, all the solder balls 27 including the plurality of ground balls G and the plurality of thermal balls T are arranged in a region avoiding the first and second signal lines 6a and 6b having the hatched portions 73 and 74. ing.

図15は、本変形例において、第2差動ペアを構成する第1及び第2ボールA,Bとホストコントローラ5との間の信号ライン6の配線長を模式的に示す。なお、説明の便宜上、第1ボールAと第2ボールBとで配線長への影響が同じ部分については距離を詰めて示す。   FIG. 15 schematically shows the wiring length of the signal line 6 between the first and second balls A and B constituting the second differential pair and the host controller 5 in this modification. For convenience of explanation, the first ball A and the second ball B have the same influence on the wiring length and are shown with a close distance.

図15に示すように、本実施形態では、第1ボールAと第2ボールBとの間の距離を2とした場合、第1信号ライン6aと第2信号ライン6bとの配線長の違いは、2√2(約2.828)である。   As shown in FIG. 15, in this embodiment, when the distance between the first ball A and the second ball B is 2, the difference in wiring length between the first signal line 6a and the second signal line 6b is as follows. 2√2 (about 2.828).

次に、図16を参照して、信号ライン6の第2変形例を説明する。なお、上記実施形態と同一または類似の機能を有する構成は、同じ符号を付してその説明を省略する。   Next, a second modification of the signal line 6 will be described with reference to FIG. In addition, the structure which has the same or similar function as the said embodiment attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits the description.

信号ライン6は、第2差動ペアを構成するPCIe信号ボール(PS1,PS2)、(PS15,PS16)とホストコントローラ5との間に延びた4本の信号ライン6a,6bを含む。これら4本の信号ライン6a,6bは、PCIeパッドPSPから基板21の第1辺41aと略平行に延びるとともに、略直角に曲げられ、ホストコントローラ5に向いて基板21の第1辺41aとは略直交した方向に延びている。複数のグランドボールG及び複数のサーマルボールTを含む全ての半田ボール27は、第1及び第2信号ライン6a,6bを避けた領域に配置されている。   The signal line 6 includes four signal lines 6 a and 6 b extending between the PCIe signal balls (PS 1, PS 2) and (PS 15, PS 16) constituting the second differential pair and the host controller 5. These four signal lines 6 a and 6 b extend from the PCIe pad PSP substantially in parallel with the first side 41 a of the substrate 21, are bent at substantially right angles, and are directed to the host controller 5 from the first side 41 a of the substrate 21. It extends in a substantially orthogonal direction. All the solder balls 27 including the plurality of ground balls G and the plurality of thermal balls T are arranged in a region avoiding the first and second signal lines 6a and 6b.

図16は、本変形例において、第2差動ペアを構成する第1及び第2ボールA,Bとホストコントローラ5との間の信号ライン6の配線長を模式的に示す。なお、説明の便宜上、第1ボールAと第2ボールBとで配線長への影響が同じ部分については距離を詰めて示す。   FIG. 16 schematically shows the wiring length of the signal line 6 between the first and second balls A and B constituting the second differential pair and the host controller 5 in this modification. For convenience of explanation, the first ball A and the second ball B have the same influence on the wiring length and are shown with a close distance.

図16に示すように、本実施形態では、第1ボールAと第2ボールBとの間の距離を2とした場合、第1信号ライン6aと第2信号ライン6bとの配線長の違いは、4である。   As shown in FIG. 16, in this embodiment, when the distance between the first ball A and the second ball B is 2, the difference in wiring length between the first signal line 6a and the second signal line 6b is as follows. 4.

以上説明した第2実施形態及びその変形例のような構成によれば、第1実施形態と同様に、高速動作性を向上させることができるとともに、さらに差動信号ボールの接続信頼性を向上させることができる半導体パッケージ1を提供することができる。   According to the configuration of the second embodiment described above and its modification, the high-speed operability can be improved and the connection reliability of the differential signal ball can be further improved as in the first embodiment. The semiconductor package 1 that can be provided can be provided.

一般的に、基板21の周端部は、例えば半導体パッケージ1の実装時の熱応力で、半田ボール27の接続信頼性が低くなる可能性がある領域である。そのため、基板21の周端部の近くに差動信号ボールを配置すると、その差動信号ボールの接続信頼性が低くなる可能性がある。   Generally, the peripheral end portion of the substrate 21 is a region where the connection reliability of the solder ball 27 may be lowered due to, for example, thermal stress when the semiconductor package 1 is mounted. Therefore, if the differential signal ball is disposed near the peripheral end of the substrate 21, the connection reliability of the differential signal ball may be lowered.

そこで本実施形態では、複数の差動信号ボール(例えばPCIe信号ボールPS1〜PS16)は、基板21の第1辺41aと略平行な第1ラインL1と、該第1ラインL1の両端部から基板21の第1辺41aから離れる方向に延びた一対の第2ラインL2a,L2bとに沿って並べられている。   Therefore, in the present embodiment, a plurality of differential signal balls (for example, PCIe signal balls PS1 to PS16) include a first line L1 substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21 and the substrate from both ends of the first line L1. 21 are arranged along a pair of second lines L2a and L2b extending in a direction away from the first side 41a.

このような構成によれば、例えば第1実施形態の構造に比べて、全ての差動信号ボールを基板21の周端部から離して配置することができる。このため、差動信号ボールの接続信頼性を高めることができる。   According to such a configuration, for example, all the differential signal balls can be arranged away from the peripheral end portion of the substrate 21 as compared with the structure of the first embodiment. For this reason, the connection reliability of the differential signal ball can be improved.

本実施形態では、複数の差動信号ボールは、第1ラインL1に沿って配置された複数の第1差動ペアと、一対の第2ラインL2a,L2bに沿って配置された第2差動ペアとを含む。このような構成によれば、上記第2差動ペアの信号ライン6a,6bの等長性を確保しやすい。このため、第2ラインL2a,L3bに沿って配置された差動信号ボールが送受信する信号の信号品質を高めることができる。   In the present embodiment, the plurality of differential signal balls includes a plurality of first differential pairs disposed along the first line L1 and a second differential disposed along the pair of second lines L2a and L2b. Including pairs. According to such a configuration, it is easy to ensure the equal length of the signal lines 6a and 6b of the second differential pair. For this reason, the signal quality of the signal which the differential signal ball | bowl arrange | positioned along 2nd line L2a, L3b transmits / receives can be improved.

本実施形態では、第1及び第2信号ライン6a,6bは、PCIeパッドPSPから基板21の第1辺41aと略平行に延びるとともに、曲線部71,72を有してホストコントローラ5に向いて延びている。このような構成によれば、例えば本実施形態の上記第2変形例の構造に比べて、第1及び第2信号ライン6a,6bの配線長の違いを小さくすることができる。そのため、第2ラインL2a,L2bに沿って配置された差動ペアが送受信する信号の信号品質を高めることができる。   In the present embodiment, the first and second signal lines 6 a and 6 b extend from the PCIe pad PSP substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21 and have curved portions 71 and 72 toward the host controller 5. It extends. According to such a configuration, for example, the difference in wiring length between the first and second signal lines 6a and 6b can be reduced as compared with the structure of the second modified example of the present embodiment. Therefore, it is possible to improve the signal quality of signals transmitted and received by the differential pair arranged along the second lines L2a and L2b.

同様に、本実施形態の上記第1変形例に係る第1及び第2信号ライン6a,6bは、PCIeパッドPSPから基板21の第1辺41aと略平行に延びるとともに、斜線部73,74を有してホストコントローラ5に向いて延びている。このような構成によれば、例えば上記第2変形例の構造に比べて、第1及び第2信号ライン6a,6bの配線長の違いを小さくすることができる。そのため、第2ラインL2a,L2bに沿って配置された差動ペアが送受信する信号の信号品質を高めることができる。   Similarly, the first and second signal lines 6a and 6b according to the first modification of the present embodiment extend substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21 from the PCIe pad PSP, and include the hatched portions 73 and 74. And extending toward the host controller 5. According to such a configuration, for example, the difference in wiring length between the first and second signal lines 6a and 6b can be reduced as compared with the structure of the second modified example. Therefore, it is possible to improve the signal quality of signals transmitted and received by the differential pair arranged along the second lines L2a and L2b.

(第3実施形態)
次に、図17乃至図19を参照して、第3実施形態に係る半導体パッケージ1について説明する。なお、第1及び第2実施形態の構成と同一または類似の機能を有する構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。また、下記に説明する以外の構成は、第2実施形態と同じである。
(Third embodiment)
Next, the semiconductor package 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure which has the same or similar function as the structure of 1st and 2nd embodiment, and the description is abbreviate | omitted. The configuration other than that described below is the same as that of the second embodiment.

図17は、本実施形態に係る半田ボール27のアサインを示す。図18は、図17中のF18で囲まれた部分を拡大して示す。図19は、本実施形態に係るパッド32の配置を示す。   FIG. 17 shows the assignment of the solder balls 27 according to this embodiment. FIG. 18 is an enlarged view of a portion surrounded by F18 in FIG. FIG. 19 shows the arrangement of the pads 32 according to the present embodiment.

本実施形態では、第2差動ペアを構成するPCIe信号ボール(PS1,PS2)、(PS15,PS16)は、上記第2実施形態と同様に、第1ボールAと、該第1ボールAよりも基板21の第1辺41aから遠くに位置した第2ボールBとを有する。   In the present embodiment, the PCIe signal balls (PS1, PS2) and (PS15, PS16) constituting the second differential pair are the same as the first ball A and the first ball A, as in the second embodiment. And the second ball B positioned far from the first side 41 a of the substrate 21.

本実施形態では、第1ボールAは、例えば基板21の第1辺41aと略平行な方向で、第2ボールBに対して基板21の内側(中央側)にずれて配置されている。なお、「第2ボールに対して基板の内側(中央側)にずれて配置されている」とは、第1ボールAが、第2ボールBに対して、第2郡G2の第1部分61の中央部に向いてずれて配置されていることを意味する。換言すれば、第1ボールAが、第2ボールBに対して、基板21の第1辺41aの中央部に向いてずれて配置されていることを意味する。   In the present embodiment, the first ball A is disposed so as to be shifted to the inner side (center side) of the substrate 21 with respect to the second ball B in a direction substantially parallel to the first side 41a of the substrate 21, for example. Note that “disposed on the inner side (center side) of the substrate with respect to the second ball” means that the first ball A is in the first portion 61 of the second group G2 with respect to the second ball B. This means that they are arranged so as to be shifted toward the center of the. In other words, it means that the first ball A is displaced with respect to the center of the first side 41a of the substrate 21 with respect to the second ball B.

さらに別の表現で言えば、第2郡G2において半田ボール27が2列の枠状(2重の枠状)に並べられている場合、第2ボールBは、外側の枠に位置し、第1ボールAは、内側の枠に位置する。   In other words, when the solder balls 27 are arranged in a two-row frame shape (double frame shape) in the second group G2, the second ball B is positioned in the outer frame, One ball A is located in the inner frame.

図19に示すように、第1信号ライン6aは、第1ボールAと第1曲線部71との間に第1直線部81を有する。第1直線部81は、基板21の第1辺41aと略平行に延びている。第2信号ライン6bは、第2ボールBと第2曲線部72との間に第2直線部82を有する。第2直線部82は、基板21の第1辺41aと略平行に延びている。第1直線部81は、第2直線部82よりも長い。   As shown in FIG. 19, the first signal line 6 a has a first straight portion 81 between the first ball A and the first curved portion 71. The first straight portion 81 extends substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21. The second signal line 6 b includes a second straight part 82 between the second ball B and the second curved part 72. The second straight part 82 extends substantially parallel to the first side 41 a of the substrate 21. The first straight part 81 is longer than the second straight part 82.

図19に示すように、第1ボールAと第2ボールBとの間の距離を2とし、第2ボールBに対して第1ボールAが基板21の内側に距離2だけずれて配置された場合、第1信号ライン6aと第2信号ライン6bとの配線長の違いは、−2+π/2(約−0.4295)である。   As shown in FIG. 19, the distance between the first ball A and the second ball B is set to 2, and the first ball A is displaced from the second ball B by the distance 2 inside the substrate 21. In this case, the difference in wiring length between the first signal line 6a and the second signal line 6b is −2 + π / 2 (about −0.4295).

このような構成によれば、第1実施形態と同様に、高速動作性を向上させることができる半導体パッケージ1を提供することができる。また、上記構成によれば、上記第2実施形態と同様に、全ての差動信号ボールを基板21の周端部から離して配置することができるため、差動信号ボールの接続信頼性を高めることができる。   According to such a configuration, it is possible to provide the semiconductor package 1 that can improve the high-speed operability, as in the first embodiment. Further, according to the above configuration, as in the second embodiment, since all the differential signal balls can be arranged away from the peripheral end portion of the substrate 21, the connection reliability of the differential signal balls is improved. be able to.

本実施形態では、第1ボールAは、第2ボールBに対して基板21の内側(中央側)にずれて配置されている。このような構成によれば、例えば第2実施形態の構造に比べて、第1及び第2信号ライン6a,6bの等長性を確保しやすい。これにより、第2ラインL2a,L2bに沿って配置された差動ペアが送受信する信号の信号品質を高めることができる。   In the present embodiment, the first ball A is disposed so as to be shifted to the inner side (center side) of the substrate 21 with respect to the second ball B. According to such a configuration, for example, it is easy to ensure the equal length of the first and second signal lines 6a and 6b as compared with the structure of the second embodiment. Thereby, the signal quality of the signal which the differential pair arrange | positioned along 2nd line L2a and L2b transmits / receives can be improved.

(第4実施形態)
次に、図20乃至図22を参照して、第4実施形態に係る半導体パッケージ1について説明する。なお、第1乃至第3実施形態の構成と同一または類似の機能を有する構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。また、下記に説明する以外の構成は、第3実施形態と同じである。
(Fourth embodiment)
Next, a semiconductor package 1 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure which has the same or similar function as the structure of 1st thru | or 3rd embodiment, and the description is abbreviate | omitted. The configuration other than that described below is the same as that of the third embodiment.

図20は、本実施形態に係る半田ボール27のアサインを示す。図21は、図20中のF21で囲まれた部分を拡大して示す。図21は、本実施形態に係るパッド32の配置を示す。   FIG. 20 shows the assignment of the solder balls 27 according to this embodiment. FIG. 21 is an enlarged view of a portion surrounded by F21 in FIG. FIG. 21 shows the arrangement of the pads 32 according to the present embodiment.

本実施形態では、複数のPCIe信号ボールPS1〜PS16は、第1ラインL1に沿って並べられた複数の第1差動ペアと、一対の第2ラインL2a,L2bの其々に沿って配置された複数の第2差動ペアとを含む。すなわち、本実施形態では、一つの第2ラインL2aに沿って複数の第2差動ペアが配置されている。また、他方の第2ラインL2bに沿って複数の第2差動ペアが配置されている。   In the present embodiment, the plurality of PCIe signal balls PS1 to PS16 are disposed along the plurality of first differential pairs arranged along the first line L1 and the pair of second lines L2a and L2b, respectively. And a plurality of second differential pairs. That is, in this embodiment, a plurality of second differential pairs are arranged along one second line L2a. A plurality of second differential pairs are arranged along the other second line L2b.

具体的には、一方の第2ラインL2aに沿って、第1半田ボールセットBS1の2つの差動ペア(PS1,PS2)、(PS3、PS4)が配置されている。他方の第2ラインL2bに沿って、第4半田ボールセットBS4の2つの差動ペア(PS13,PS14)、(PS15、PS16)が配置されている。   Specifically, two differential pairs (PS1, PS2) and (PS3, PS4) of the first solder ball set BS1 are arranged along one second line L2a. Two differential pairs (PS13, PS14) and (PS15, PS16) of the fourth solder ball set BS4 are arranged along the other second line L2b.

ここでは、一方の第2ラインL2aに沿って配置された差動ペアの信号ライン6について説明する。なお、他方の第2ラインL2bに沿って配置された差動ペアも略同じ構成を有する。   Here, the differential pair of signal lines 6 arranged along one second line L2a will be described. Note that the differential pair disposed along the other second line L2b also has substantially the same configuration.

信号ライン6は、一つの差動ペア(PS3、PS4)に対応した第1信号ライン6a及び第2信号ライン6bと、他方の差動ペア(PS1、PS2)に対応した第3信号ライン6cと第4信号ライン6dとを有する。   The signal line 6 includes a first signal line 6a and a second signal line 6b corresponding to one differential pair (PS3, PS4), and a third signal line 6c corresponding to the other differential pair (PS1, PS2). And a fourth signal line 6d.

第1信号ライン6aは、一つの差動ペア(PS3、PS4)の第1ボールAとホストコントローラ5との間に延びている。第2信号ライン6bは、同じ差動ペア(PS3、PS4)の第2ボールBとホストコントローラ5との間に延びている。   The first signal line 6 a extends between the first ball A of one differential pair (PS 3, PS 4) and the host controller 5. The second signal line 6b extends between the second ball B of the same differential pair (PS3, PS4) and the host controller 5.

第3信号ライン6cは、他方の差動ペア(PS1、PS2)の第1ボールAとホストコントローラ5との間に延びている。第4信号ライン6dは、同じ差動ペア(PS1、PS2)の第2ボールBとホストコントローラ5との間に延びている。   The third signal line 6c extends between the first ball A of the other differential pair (PS1, PS2) and the host controller 5. The fourth signal line 6d extends between the second ball B of the same differential pair (PS1, PS2) and the host controller 5.

第1信号ライン6aは、第1曲線部71を含む。第2信号ライン6bは、例えば第1曲線部71よりも大きな曲率半径で、第1曲線部71の外側に位置した第2曲線部72を有する。第3信号ライン6cは、第2曲線部72の外側に位置した第3曲線部91を有する。なお、第3曲線部91は、第2曲線部72よりも大きな曲率半径を有してもよいが、そうでなくてもよい。第4信号ライン6dは、例えば第3曲線部91よりも大きな曲率半径で、第3曲線部91の外側に位置した第4曲線部92を有する。   The first signal line 6 a includes a first curve portion 71. For example, the second signal line 6 b has a second curve portion 72 located outside the first curve portion 71 with a radius of curvature larger than that of the first curve portion 71. The third signal line 6 c has a third curve portion 91 located outside the second curve portion 72. In addition, although the 3rd curve part 91 may have a larger curvature radius than the 2nd curve part 72, it may not be so. For example, the fourth signal line 6 d has a fourth curve portion 92 having a larger radius of curvature than the third curve portion 91 and positioned outside the third curve portion 91.

このような構成によれば、第1実施形態と同様に、高速動作性を向上させることができる半導体パッケージ1を提供することができる。   According to such a configuration, it is possible to provide the semiconductor package 1 that can improve the high-speed operability, as in the first embodiment.

本実施形態では、複数の差動信号ボールは、第1ラインL1に沿って並べられた複数の第1差動ペアと、第2ラインL2a,L2bに沿って配置された複数の第2差動ペアとを含む。このような構成によれば、例えば第2実施形態の構造に比べて、全ての差動信号ボールを基板21の周端部からさらに離して配置することができる。このため、差動信号ボールの接続信頼性をさらに高めることができる。   In the present embodiment, the plurality of differential signal balls include a plurality of first differential pairs arranged along the first line L1, and a plurality of second differentials arranged along the second lines L2a and L2b. Including pairs. According to such a configuration, for example, all the differential signal balls can be arranged further away from the peripheral end portion of the substrate 21 as compared with the structure of the second embodiment. For this reason, the connection reliability of the differential signal ball can be further improved.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.

例えば、上記第3実施形態に係る半導体パッケージ1の第3及び第4信号ライン6c,6dとして、上記第2実施形態の第1及び第2変形例のような信号ラインの形状を採用してもよい。   For example, the signal line shapes as in the first and second modifications of the second embodiment may be adopted as the third and fourth signal lines 6c and 6d of the semiconductor package 1 according to the third embodiment. Good.

1…半導体パッケージ、4…回路基板、5…ホストコントローラ、6…信号ライン、11…コントローラチップ、12…半導体メモリチップ、21…基板(パッケージ基板)、21a…第1面、21b…第2面、27…半田ボール、28…電源層、29…グランド層、30…封止部、BS〜BS4…半田ボールセット、PSP1〜16…PCIe信号ボール、P…電源ボール、G…グランドボール、T…サーマルボール(放熱ボール)、A…第1ボール、B…第2ボール、L1…第1ライン、L2a,L2b…第2ライン、71,72…曲線部、73,74…斜線部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor package, 4 ... Circuit board, 5 ... Host controller, 6 ... Signal line, 11 ... Controller chip, 12 ... Semiconductor memory chip, 21 ... Substrate (package substrate), 21a ... 1st surface, 21b ... 2nd surface 27 ... solder ball, 28 ... power supply layer, 29 ... ground layer, 30 ... sealed portion, BS to BS4 ... solder ball set, PSP1-16 ... PCIe signal ball, P ... power supply ball, G ... ground ball, T ... Thermal ball (heat dissipation ball), A ... first ball, B ... second ball, L1 ... first line, L2a, L2b ... second line, 71,72 ... curve part, 73,74 ... hatched part

Claims (10)

基板と、
前記基板の第1面側に配置された半導体メモリと、
前記基板の前記第1面側に配置されており前記半導体メモリを制御するコントローラと、
前記基板の前記第1面側で前記半導体メモリと前記コントローラとを一体に覆う封止部と、
前記基板の前記第1面と対向する第2面に配置されている複数の放熱ボールと、
を具備し、
前記基板は、前記第1面における前記コントローラに対向する前記第2面上の領域である第1の領域と、前記第1の領域の外側に位置した第2の領域とを含み、
前記第2の領域における前記放熱ボールの配置密度は、前記第1の領域における前記放熱ボールの配置密度よりも高い、
ストレージ装置。
A substrate,
A semiconductor memory disposed on the first surface side of the substrate;
A controller that is disposed on the first surface side of the substrate and controls the semiconductor memory;
A sealing portion that integrally covers the semiconductor memory and the controller on the first surface side of the substrate;
A plurality of heat dissipating balls disposed on a second surface facing the first surface of the substrate;
Comprising
The substrate includes a first region which is a region on the second surface facing the controller on the first surface, and a second region located outside the first region,
The arrangement density of the heat dissipation balls in the second region is higher than the arrangement density of the heat dissipation balls in the first region.
Storage device.
前記第2の領域に配置される前記放熱ボールの数は、前記第1の領域に配置される放熱ボールの数より多い、請求項1記載のストレージ装置。   The storage device according to claim 1, wherein the number of the heat radiating balls arranged in the second area is larger than the number of the heat radiating balls arranged in the first area. 複数の差動信号ボールをさらに具備し、
前記複数の差動信号ボールは、前記第2面に配置され、
前記複数の差動信号ボールのうちの少なくとも一部は、前記基板の一辺と略平行に並べられている、
請求項1記載のストレージ装置。
A plurality of differential signal balls;
The plurality of differential signal balls are disposed on the second surface,
At least some of the plurality of differential signal balls are arranged substantially parallel to one side of the substrate.
The storage apparatus according to claim 1.
前記複数の差動信号ボールは、前記基板の前記一辺と略平行な第1ラインと、該第1ラインの両端部から前記基板の前記一辺から離れる方向に延びた一対の第2ラインとに沿って並べられた請求項3記載のストレージ装置。   The plurality of differential signal balls are along a first line substantially parallel to the one side of the substrate and a pair of second lines extending from both ends of the first line in a direction away from the one side of the substrate. The storage device according to claim 3, arranged in a row. 前記複数の差動信号ボールは、前記第1ラインに沿って配置された複数の第1差動ペアと、前記第2ラインに沿って配置された第2差動ペアとを含む請求項4記載のストレージ装置。   The plurality of differential signal balls includes a plurality of first differential pairs arranged along the first line and a second differential pair arranged along the second line. Storage device. 前記第2差動ペアは、第1ボールと、前記基板の前記一辺から前記第1ボールよりも遠くに位置した第2ボールとを含み、前記第1ボールは、前記第2ボールに対して前記基板の内側にずれて配置された請求項5記載のストレージ装置。   The second differential pair includes a first ball and a second ball located farther from the one side of the substrate than the first ball, and the first ball is in relation to the second ball. The storage apparatus according to claim 5, wherein the storage apparatus is disposed so as to be displaced inside the substrate. 前記複数の差動信号ボールは、前記第1ラインに沿って配置された複数の第1差動ペアと、一つの前記第2ラインに沿って配置された複数の第2差動ペアとを含み、
前記複数の第2差動ペアは、其々、第1ボールと、前記基板の前記一辺から前記第1ボールよりも遠くに位置した第2ボールとを含み、前記複数の第2差動ペアの其々において、前記第1ボールは、前記第2ボールに対して前記基板の内側にずれて配置された請求項4記載のストレージ装置。
The plurality of differential signal balls include a plurality of first differential pairs arranged along the first line and a plurality of second differential pairs arranged along one second line. ,
Each of the plurality of second differential pairs includes a first ball and a second ball located farther from the one side of the substrate than the first ball, and the plurality of second differential pairs 5. The storage device according to claim 4, wherein each of the first balls is arranged so as to be displaced inward of the substrate with respect to the second balls.
前記基板の第2面に設けられたグランドボールをさらに具備し、
前記複数の差動信号ボールは、複数の差動ペアを含み、
前記グランドボールは、前記複数の差動ペアの間に位置した請求項3記載のストレージ装置。
A ground ball provided on the second surface of the substrate;
The plurality of differential signal balls include a plurality of differential pairs;
The storage device according to claim 3, wherein the ground ball is located between the plurality of differential pairs.
前記複数の放熱ボールと、前記複数の差動信号ボールと外部のホストコントローラとを電気的に接続する複数の信号ラインとは、互いに重なる領域を避けて配置される請求項3記載のストレージ装置。   The storage apparatus according to claim 3, wherein the plurality of heat dissipation balls and the plurality of signal lines that electrically connect the plurality of differential signal balls and an external host controller are arranged so as not to overlap each other. ストレージ装置と、
複数の信号ラインによって前記ストレージ装置と接続されたホストコントローラと、
を具備し、
前記ストレージ装置は、
基板と、
前記基板の第1面側に配置された半導体メモリと、
前記基板の前記第1面側に配置されており前記半導体メモリを制御するコントローラと、
前記基板の前記第1面側で前記半導体メモリと前記コントローラとを一体に覆う封止部と、
前記基板の前記第1面と対向する第2面に配置されている複数の放熱ボールと、
を具備し、
前記基板は、前記第1面における前記コントローラに対向する前記第2面上の領域である第1の領域と、前記第1の領域の外側に位置した第2の領域とを含み、
前記第2の領域における前記放熱ボールの配置密度は、前記第1の領域における前記放熱ボールの配置密度よりも高い、
電子機器。
A storage device;
A host controller connected to the storage device by a plurality of signal lines;
Comprising
The storage device
A substrate,
A semiconductor memory disposed on the first surface side of the substrate;
A controller that is disposed on the first surface side of the substrate and controls the semiconductor memory;
A sealing portion that integrally covers the semiconductor memory and the controller on the first surface side of the substrate;
A plurality of heat dissipating balls disposed on a second surface facing the first surface of the substrate;
Comprising
The substrate includes a first region which is a region on the second surface facing the controller on the first surface, and a second region located outside the first region,
The arrangement density of the heat dissipation balls in the second region is higher than the arrangement density of the heat dissipation balls in the first region.
Electronics.
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