JP6464779B2 - トリアジン化合物、その製造方法、及びそれを用いた有機電界発光素子 - Google Patents
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- JYGZHCSAROVJOS-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c1nc(-c2cc(-c(cc3)ccc3-c3ncccn3)cc(-c3cc(cccc4)c4c4c3cccc4)c2)nc(-c2ccccc2)n1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c1nc(-c2cc(-c(cc3)ccc3-c3ncccn3)cc(-c3cc(cccc4)c4c4c3cccc4)c2)nc(-c2ccccc2)n1 JYGZHCSAROVJOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
2つのAr1は同一の置換基を表す。
Ar1は、部分又は全体骨格としてフェナントレン又はフルオレンを有する炭素数14〜18の縮環芳香族炭化水素基(該基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい)を表す。
Ar2は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜9の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
Xは、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の2価芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数4〜5の2価含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
pは0、1又は2の整数を示す。pが2の時、Xは同一または相異なっていてもよい。)
で示されるトリアジン化合物、その製造方法、及びそれを用いた有機電界発光素子に関するものである。
で示される方法により製造することができる。
「工程5」で用いる化合物(8)および(9)とのモル比は1:10〜10:1の広い範囲で高い収率が得られるが、量論量でも充分に反応は進行する。
1H−NMR(CDCl3)δ(ppm),7.47(t,J=7.8Hz,2H),7.54(t,J=7.7Hz,1H),7.61(dq,J=7.9Hz,J=1.2Hz,1H),7.76(dq,J=8.0Hz,J=1.0Hz,2H),8.65(dt,J=7.8Hz,J=1.2Hz,1H),8.68(t,J=1.2Hz,1H),8.70−8.71(m,2H),8.86(t,J=1.7Hz,2H)
合成例−2
1H−NMR(CDCl3)δ(ppm):7.45(t,J=7.7Hz,1H),7.50−7.55(m,3H),7.62−7.73(m,8H),7.76−7.79(m,4H),7.91(dd,J=4.3Hz,1.2Hz,2H),7.93(dd,J=3.8Hz,1.0Hz,2H),8.62(dt,J=7.8Hz,1.5Hz,1H),8.70(t,J=1.8Hz.1H),8.75(brd,J=8.3Hz,2H),8.80(brd,J=4.3Hz,2H),8.84(brd,J=7.6Hz,2H),8.91(t,J=1.5Hz,2H).
合成実施例−1
1H−NMR(CDCl3)δ(ppm):7.47(t,J=7.2Hz,2H),7.54−7.73(m,12H),7.73−7.80(m,3H),7.86(dd,J=1.3Hz,J=7.7Hz,2H),7.89(d,J=8.3Hz,2H),8.22(d,J=8.1Hz,1H),8.63(dd,J=1.4Hz,J=5.1Hz,1H),8.69(d,J=8.0Hz,2H),8.76(t,J=8.6Hz,5H),8.91(d,J=6.8Hz,3H),8.96(s,1H).
素子評価に用いた化合物の構造式及びその略称を以下に示す。
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図1に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜した。
素子実施例−1において、電子輸送層6に特開2010−183145に記載されている2−[5−(9−フェナントリル)−4’−(2−ピリミジル)ビフェニル−3−イル]−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(上記式、ETL−1で表される)を用いた以外は、素子実施例−1と同じ方法で有機電界発光素子を作成した。
2.正孔注入層
3.電荷発生層
4.正孔輸送層
5.発光層
6.電子輸送層
7.陰極層
Claims (10)
- 一般式(1)
(一般式(1)中、
2つのAr1は同一の置換基を表す。
Ar1は、部分又は全体骨格としてフェナントレン又はフルオレンを有する炭素数14〜18の縮環芳香族炭化水素基(該基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい)を表す。
Ar2は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10で構成される芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜9の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
Xは、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の2価芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数4〜5の2価含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
pは0、1又は2の整数を示す。pが2の時、Xは同一または相異なっていてもよい。)
で示されるトリアジン化合物。 - Ar1が、フェナントリル基、又はフルオランテニル基(これらの置換基は、炭素数1〜4のアルキル基を置換基として有していてもよい)である請求項1に記載のトリアジン化合物。
- Ar2が、水素原子、メチル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の芳香族炭化水素基、又はメチル基で置換されていてもよい炭素数3〜9の含窒素ヘテロ芳香族基である請求項1、又は2に記載のトリアジン化合物。
- Xが、各々独立して、メチル基で置換されていてもよい炭素数6〜10の2価芳香族炭化水素基、又はメチル基で置換されていてもよい炭素数4〜5の2価含窒素ヘテロ芳香族基であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のトリアジン化合物。
- 一般式(2)で示される化合物と、一般式(3)及び一般式(4)で示される化合物を、パラジウム触媒の存在下で、順次又は同時にカップリング反応させることを特徴とする請求項1に記載のトリアジン化合物の製造方法。
(式中、
2つのAr1は同一の置換基を表す。
Ar1、Ar2、X、及びpは、請求項1の定義と同じ。
ただし、pが0の場合、Ar 2 は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10で構成される芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜9の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
Y1は塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子表す。Y2は水素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子表す。
2つのY1は同一の置換基を表し、Y1とY2は相異なる置換基を表す。
M1は、ZnR1、MgR2、Sn(R3)3又はB(OR4)2を表す。但し、R1及びR2は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、R3は、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基を表し、R4は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基を表し、B(OR4)2の2つのR4は同一又は異なっていてもよい。また、2つのR4は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
M2は、ZnR1、MgR2、Sn(R3)3又はB(OR4)2を表す。但し、R1及びR2は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、R3は、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、R4は水素原子、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、B(OR4)2の2つのR4は同一又は異なっていてもよい。また、2つのR4は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。) - 一般式(5)で示される化合物と、一般式(4)で示される化合物を、パラジウム触媒の存在下で、カップリング反応させることを特徴とする請求項1に記載のトリアジン化合物の製造方法。
(式中、
2つのAr1は同一の置換基を表す。
Ar1、Ar2、X、及びpは、請求項1の定義と同じ。
ただし、pが0の場合、Ar 2 は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜10で構成される芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜9の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
Y2は水素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。
M2は、同一のZnR1、MgR2、Sn(R3)3又はB(OR4)2を表す。但し、R1及びR2は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、R3は、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、R4は水素原子、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、B(OR4)2の2つのR4は同一又は異なっていてもよい。また、2つのR4は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。) - 一般式(7)で示される化合物と、一般式(3)で示される化合物を、パラジウム触媒の存在下で、カップリング反応させることを特徴とする請求項1に記載のトリアジン化合物の製造方法。
(式中、
2つのAr1は同一の置換基を表す。
Ar1、Ar2、X、及びpは、請求項1の定義と同じ。
Y1は塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。
2つのY1は同一の置換基を表す。
M1は、ZnR1、MgR2、Sn(R3)3又はB(OR4)2を表す。但し、R1及びR2は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、R3は、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、R4は水素原子、炭素数1から4のアルキル基又はフェニル基を表し、B(OR4)2の2つのR4は同一又は異なっていてもよい。また、2つのR4は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。) - パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム触媒である請求項5、6、又は7に記載の製造方法。
- パラジウム触媒が、トリフェニルホスフィン又は2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルを配位子として有するパラジウム触媒であることを特徴とする請求項5、6、7、又は8に記載の製造方法。
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