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JP6465484B2 - Package parts, electronic parts, and methods of manufacturing electronic parts - Google Patents
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JP6465484B2 - Package parts, electronic parts, and methods of manufacturing electronic parts - Google Patents

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Description

本発明は、パッケージ用部品、電子部品および電子部品の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a package component, an electronic component, and an electronic component manufacturing method.

従来、IC(Integrated Circuit)等の素子をパッケージに収容した電子部品がある。パッケージとしては、キャビティ構造を有する中空パッケージがある。例えば特許文献1には、電子部品を納めるためのキャビティを有する電子部品パッケージであって、実装面を有し、電子部品が実装された回路基板と、電子部品が実装された実装領域を取り囲むように実装面上に形成された環状の接合パターンと、回路基板との間にキャビティが形成されるような形状を有するリッドと、接合パターンとリッドの接合面とを接合するはんだ層と、を備える電子部品パッケージが開示されている。   Conventionally, there is an electronic component in which an element such as an IC (Integrated Circuit) is accommodated in a package. As a package, there is a hollow package having a cavity structure. For example, Patent Document 1 discloses an electronic component package having a cavity for housing an electronic component, which has a mounting surface and surrounds a circuit board on which the electronic component is mounted and a mounting area on which the electronic component is mounted. An annular bonding pattern formed on the mounting surface, a lid having a shape such that a cavity is formed between the circuit board, and a solder layer for bonding the bonding pattern and the bonding surface of the lid. An electronic component package is disclosed.

ところで、パッケージに収容される素子は、一般的に水分に弱く、高湿環境に曝されることで特性が劣化することがある。このため、通常のパッケージは、キャビティを気密封止することで、キャビティ内に水分が侵入することを防止している。キャビティの気密封止は、一対の基板の間に、環状に設けられた高融点はんだ等の接合材を挟んだ状態で、一対の基板を重ね合わせて接合することで実現される。   By the way, the element accommodated in the package is generally weak against moisture, and its characteristics may be deteriorated when exposed to a high humidity environment. For this reason, in a normal package, moisture is prevented from entering the cavity by hermetically sealing the cavity. The hermetic sealing of the cavity is realized by overlapping and bonding a pair of substrates with a bonding material such as a high melting point solder provided in an annular shape between the pair of substrates.

特許第5372175号公報Japanese Patent No. 5372175

しかしながら、キャビティを気密封止する際に、接合材に含まれる成分の揮発により、キャビティの内圧が上昇することがある。これにより、一対の基板を接合する接合材には、パッケージ内外の差圧が作用する。特に、接合材が高融点はんだである場合には、接合材を溶融させるために一対の基板を加熱するため、接合材に含まれる成分の揮発に加え、キャビティ内のガスの膨張も発生し、パッケージ内外の差圧が大きくなる。このとき、接合材が流動性を有する状態であると、接合材にパッケージの内外を連通する隙間(以下、「リークパス」という。)が形成され、キャビティを気密封止できない場合がある。しかも、接合材に形成されるリークパスは微小であることが多く、リークパスが形成される位置も規則性がないため、一対の基板の接合状態を確認することは困難である。したがって、従来のパッケージにあっては、接合状態を確認しつつパッケージ内部を確実に気密封止するという点で課題がある。   However, when the cavity is hermetically sealed, the internal pressure of the cavity may increase due to volatilization of components contained in the bonding material. Thereby, the differential pressure inside and outside the package acts on the bonding material for bonding the pair of substrates. In particular, when the bonding material is a high melting point solder, in order to heat the pair of substrates to melt the bonding material, in addition to volatilization of the components contained in the bonding material, expansion of gas in the cavity also occurs, The differential pressure inside and outside the package increases. At this time, if the bonding material has fluidity, a gap (hereinafter referred to as “leak path”) is formed in the bonding material so as to communicate the inside and outside of the package, and the cavity may not be hermetically sealed. In addition, the leak path formed in the bonding material is often very small, and the position where the leak path is formed is not regular, so it is difficult to confirm the bonding state of the pair of substrates. Therefore, the conventional package has a problem in that the inside of the package is surely hermetically sealed while confirming the bonding state.

そこで本発明は、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品、電子部品および電子部品の製造方法を提供するものである。   Therefore, the present invention provides a package component, an electronic component, and a method for manufacturing the electronic component that can reliably and hermetically seal the inside of the package and can easily check the bonding state.

本発明のパッケージ用部品は、重ね合わせて接合されるベース基板および該ベース基板に実装される素子を覆うリッド基板と、前記ベース基板の角部に、前記ベース基板の厚さ方向の全体に亘って形成された切欠部と、前記ベース基板および前記リッド基板の重ね合わせ方向から見て、前記ベース基板の外縁に沿うように配置されるとともに前記切欠部に対応する位置において分断される接合材と、を備えることを特徴とする。
ここで、ベース基板とリッド基板とを接合する過程において、ベース基板とリッド基板とを重ね合わせた状態を「接合初期状態」という。また、重ね合わせたベース基板とリッド基板との間に介在する接合材が濡れ広がる状態を「接合後期状態」という。
本発明によれば、接合材が切欠部に対応する位置において分断されているため、パッケージを形成する際に、パッケージ用部品は、接合初期状態において、ベース基板の切欠部とリッド基板との間に接合材が存在しない隙間を有する。このため、接合初期状態において、切欠部とリッド基板との隙間を通じてガスを通流させることにより、ベース基板とリッド基板との接合時に生じるパッケージ内外の差圧を解消して、接合材にリークパスが形成されることを防止できる。また、接合後期状態において、接合材を濡れ広がらせることで切欠部とリッド基板との隙間を閉塞することができ、パッケージ内部を気密封止することができる。しかも、切欠部がベース基板の角部に形成されているため、作業者がベース基板の切欠部とリッド基板との隙間の有無を容易に視認できる。これにより、作業者は、切欠部とリッド基板との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品が得られる。
The packaging component according to the present invention includes a base substrate that is overlapped and bonded, a lid substrate that covers an element mounted on the base substrate, and a corner portion of the base substrate in the entire thickness direction of the base substrate. And a bonding material that is arranged along the outer edge of the base substrate as seen from the overlapping direction of the base substrate and the lid substrate and is divided at a position corresponding to the notch portion. It is characterized by providing.
Here, in the process of bonding the base substrate and the lid substrate, a superposed state of the base substrate and the lid substrate referred to as "bonding Initial state". Further, a state in which the bonding material interposed between the superimposed base substrate and the lid substrate spreads out is referred to as a “late bonding state”.
According to the present invention, since the bonding material is divided at a position corresponding to the notch, the package component is formed between the notch of the base substrate and the lid substrate in the initial bonding state when the package is formed. There is a gap where no bonding material exists. For this reason, by letting gas flow through the gap between the notch and the lid substrate in the initial bonding state, the pressure difference between the inside and outside of the package that occurs when the base substrate and the lid substrate are bonded is eliminated, and a leak path is formed in the bonding material. It can be prevented from being formed. Further, in the late bonding state, the bonding material is wet and spread, whereby the gap between the notch and the lid substrate can be closed, and the inside of the package can be hermetically sealed. In addition, since the notch is formed at the corner of the base substrate, the operator can easily visually recognize the presence or absence of a gap between the notch of the base substrate and the lid substrate. Thereby, the operator can easily check whether or not the gap between the notch and the lid substrate is closed. Therefore, a package component can be obtained in which the inside of the package can be reliably hermetically sealed and the joined state can be easily confirmed.

上記のパッケージ用部品において、前記接合材は、高融点はんだであり、前記切欠部には、金属膜が形成されている、ことが望ましい。
本発明によれば、接合材が高融点はんだであり、切欠部には金属膜が形成されているため、金属膜に対する高融点はんだの濡れ性により、切欠部とリッド基板との隙間を閉塞しつつ、接合材を切欠部の金属膜上に濡れ広がらせることができる。このため、作業者は、切欠部上を濡れ広がる接合材を観察することで、切欠部とリッド基板との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、接合状態の確認を容易に行える。
In the above-described package component, it is preferable that the bonding material is a high melting point solder, and a metal film is formed in the notch.
According to the present invention, since the bonding material is a high melting point solder and a metal film is formed in the notch, the gap between the notch and the lid substrate is blocked by the wettability of the high melting point solder to the metal film. Meanwhile, the bonding material can be wetted and spread on the metal film in the notch. For this reason, the operator can easily confirm whether or not the gap between the notch and the lid substrate is closed by observing the bonding material that spreads wet on the notch. Therefore, it is possible to easily confirm the joining state.

本発明の電子部品は、上記のパッケージ用部品と、前記パッケージ用部品に収容された素子と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、上記のパッケージ用部品を備えることで、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行える電子部品が得られる。
The electronic component of the present invention includes the above-described package component and an element accommodated in the package component.
According to the present invention, by providing the package component described above, an electronic component can be obtained in which the inside of the package can be reliably hermetically sealed and the joined state can be easily confirmed.

本発明の電子部品の製造方法は、上記の電子部品の製造方法であって、前記ベース板に前記素子を実装する実装工程と、前記ベース基板と前記リッド基板とを接合する接合工程と、を備え、前記接合工程は、前記接合材を介在させて前記ベース基板と前記リッド基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、前記接合材により前記切欠部と前記リッド基板との隙間を閉塞させる封止工程と、前記切欠部と前記リッド基板との隙間を閉塞した前記接合材を確認する接合状態確認工程と、を有する、ことを特徴とする。
本発明によれば、接合工程が重ね合わせ工程と封止工程とを有するため、封止工程を行う前に切欠部とリッド基板との隙間を通じてガスを通流させることでパッケージ内外の差圧を解消できる。これにより、封止工程を行う際にリークパスが形成されることを抑制できる。また、ベース基板の角部に形成された切欠部とリッド基板との隙間が接合材により閉塞されているか否かの確認を接合状態確認工程において確認できる。したがって、切欠部とリッド基板との隙間を閉塞してパッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行うことができる。
Method for manufacturing an electronic component of the present invention is a manufacturing method of the electronic component, a mounting step of mounting the element to said base plate, and a bonding step of bonding the lid substrate and the base substrate, And the joining step includes an overlaying step of overlaying the base substrate and the lid substrate with the joining material interposed therebetween, and sealing for closing a gap between the notch portion and the lid substrate by the joining material. And a bonding state confirmation step of confirming the bonding material closing the gap between the notch and the lid substrate.
According to the present invention, since the joining process includes an overlapping process and a sealing process, the differential pressure inside and outside the package can be reduced by flowing a gas through the gap between the notch and the lid substrate before performing the sealing process. Can be resolved. Thereby, it can suppress that a leak path | pass is formed when performing a sealing process. Further, it is possible to confirm whether or not the gap between the notch formed in the corner of the base substrate and the lid substrate is closed by the bonding material in the bonding state confirmation step. Therefore, the gap between the notch portion and the lid substrate can be closed so that the inside of the package can be reliably hermetically sealed, and the joined state can be easily confirmed.

本発明によれば、接合材が切欠部に対応する位置において分断されているため、パッケージを形成する際に、パッケージ用部品は、接合初期状態において、ベース基板の切欠部とリッド基板との間に接合材が存在しない隙間を有する。このため、接合初期状態において、切欠部とリッド基板との隙間を通じてガスを通流させることにより、ベース基板とリッド基板との接合時に生じるパッケージ内外の差圧を解消して、接合材にリークパスが形成されることを防止できる。また、接合後期状態において、接合材を濡れ広がらせることで切欠部とリッド基板との隙間を閉塞することができ、パッケージ内部を気密封止することができる。しかも、切欠部がベース基板の角部に形成されているため、作業者がベース基板の切欠部とリッド基板との隙間の有無を容易に視認できる。これにより、作業者は、切欠部とリッド基板との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品が得られる。 According to the present invention, since the bonding material is divided at a position corresponding to the notch, the package component is formed between the notch of the base substrate and the lid substrate in the initial bonding state when the package is formed. There is a gap where no bonding material exists. For this reason, by letting gas flow through the gap between the notch and the lid substrate in the initial bonding state, the pressure difference between the inside and outside of the package that occurs when the base substrate and the lid substrate are bonded is eliminated, and a leak path is formed in the bonding material. It can be prevented from being formed. Further, in the late bonding state, the bonding material is wet and spread, whereby the gap between the notch and the lid substrate can be closed, and the inside of the package can be hermetically sealed. In addition, since the notch is formed at the corner of the base substrate, the operator can easily visually recognize the presence or absence of a gap between the notch of the base substrate and the lid substrate. Thereby, the operator can easily check whether or not the gap between the notch and the lid substrate is closed. Therefore, a package component can be obtained in which the inside of the package can be reliably hermetically sealed and the joined state can be easily confirmed.

電子部品の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of an electronic component. 電子部品の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of an electronic component. 図1のIII−III線における断面図である。It is sectional drawing in the III-III line of FIG. 電子部品の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of an electronic component. 電子部品を下側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the electronic component from the lower side.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(電子部品)
図1は、電子部品の外観斜視図である。図2は、電子部品の分解斜視図である。図3は、図1のIII−III線における断面図である。
図1から図3に示すように、電子部品1は、内部に気密封止されたキャビティCを形成するパッケージ用部品2と、パッケージ用部品2に収容された素子3と、を備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Electronic parts)
FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component. FIG. 2 is an exploded perspective view of the electronic component. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.
As shown in FIGS. 1 to 3, the electronic component 1 includes a package component 2 that forms a cavity C hermetically sealed therein, and an element 3 accommodated in the package component 2.

(パッケージ用部品)
パッケージ用部品2は、重ね合わせて接合されるベース基板11(請求項の「第1基板」に相当。)およびリッド基板12(請求項の「第2基板」に相当。)と、ベース基板11に形成された切欠部13と、接合材14と、を備えている。パッケージ用部品2は、接合材14を介在させた状態でベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせて接合することで、パッケージ10となる。なお、図2は、ベース基板11およびリッド基板12(以下、「各基板11,12」という場合がある。)の接合前の状態を示しており、接合材14が後述する加熱溶融される前の状態となっている。
また、以下の説明では、パッケージ10の厚さ方向におけるベース基板11側を下方といい、リッド基板12側を上方という。
(Packaging parts)
The package component 2 includes a base substrate 11 (corresponding to “first substrate” in the claims) and a lid substrate 12 (corresponding to “second substrate” in the claims) and the base substrate 11 to be bonded together. And a bonding material 14. The package component 2 becomes the package 10 by overlapping and bonding the base substrate 11 and the lid substrate 12 with the bonding material 14 interposed therebetween. FIG. 2 shows a state before the base substrate 11 and the lid substrate 12 (hereinafter sometimes referred to as “each substrate 11, 12”) are bonded, and before the bonding material 14 is heated and melted, which will be described later. It is in the state of.
In the following description, the base substrate 11 side in the thickness direction of the package 10 is referred to as the lower side, and the lid substrate 12 side is referred to as the upper side.

図2に示すように、ベース基板11は、例えばアルミナを含む高温焼成セラミック等により形成された矩形状の板材である。なお、ベース基板11は、例えばガラスセラミックスを含む低温焼成セラミック基板や、高耐熱ガラスエポキシ基板等であってもよい。   As shown in FIG. 2, the base substrate 11 is a rectangular plate formed of, for example, a high-temperature fired ceramic containing alumina. Note that the base substrate 11 may be, for example, a low-temperature fired ceramic substrate containing glass ceramics, a high heat-resistant glass epoxy substrate, or the like.

ベース基板11の上面には、複数の内部電極15が形成されている。ベース基板11の下面には、複数の外部電極16(図3参照)が形成されている。内部電極15と外部電極16とは、ベース基板11を厚さ方向に貫通する不図示の貫通電極により接続されている。内部電極15、外部電極16および貫通電極(以下、「各電極」という場合がある。)は、電極下地膜と、電極下地膜上に形成された電極上地膜と、を有する。電極下地膜は、例えばタングステンやモリブデン等の金属膜であり、例えば印刷や焼成等により形成されている。電極上地膜は、例えばめっきによりニッケルおよび金をこの順に積層した積層膜や、スパッタリングや蒸着によりチタン、プラチナおよび金をこの順に積層した積層膜等により形成されている。   A plurality of internal electrodes 15 are formed on the upper surface of the base substrate 11. A plurality of external electrodes 16 (see FIG. 3) are formed on the lower surface of the base substrate 11. The internal electrode 15 and the external electrode 16 are connected by a through electrode (not shown) that penetrates the base substrate 11 in the thickness direction. The internal electrode 15, the external electrode 16, and the through electrode (hereinafter also referred to as “each electrode”) have an electrode base film and an electrode base film formed on the electrode base film. The electrode base film is a metal film such as tungsten or molybdenum, and is formed by printing or baking, for example. The electrode base film is formed of, for example, a laminated film in which nickel and gold are laminated in this order by plating, a laminated film in which titanium, platinum, and gold are laminated in this order by sputtering or vapor deposition.

切欠部13は、ベース基板11の4箇所の角部のうち1箇所の角部に形成されている。切欠部13は、平面視1/4円弧状を呈し、ベース基板11の厚さ方向の全体に亘って一様に形成されている。切欠部13は、ウエハ状のセラミック基板を格子状に切断してベース基板11を形成する際の、切断位置の基準となるスルーホールが4分割されることで形成される。
切欠部13の表面全体には、下地金属膜17(請求項の「金属膜」に相当。)が形成されている。下地金属膜17は、上述の各電極と同様に形成され、例えば最表面が金により形成されている。
The notch 13 is formed at one corner of the four corners of the base substrate 11. The notch 13 has a ¼ arc shape in a plan view and is formed uniformly over the entire thickness of the base substrate 11. The notch 13 is formed by dividing a through hole serving as a reference for a cutting position when the base substrate 11 is formed by cutting a wafer-like ceramic substrate into a lattice shape.
A base metal film 17 (corresponding to “metal film” in the claims) is formed on the entire surface of the notch 13. The base metal film 17 is formed in the same manner as the above-described electrodes, and for example, the outermost surface is formed of gold.

ベース基板11の上面には、接合下地膜18が形成されている。接合下地膜18は、下地金属膜17と同様に形成されている。接合下地膜18は、ベース基板11の上面において、平面視でベース基板11の外縁に沿うように所定幅で配置されるとともに切欠部13において分断されて開口した矩形枠状に形成されている。接合下地膜18の幅は、平面視における切欠部13の曲率半径よりも小さくなっている。接合下地膜18は、下地金属膜17と連続して形成されている。   A bonding base film 18 is formed on the upper surface of the base substrate 11. The bonding base film 18 is formed in the same manner as the base metal film 17. The bonding base film 18 is formed on the upper surface of the base substrate 11 in a rectangular frame shape that is arranged with a predetermined width along the outer edge of the base substrate 11 in a plan view and is divided and opened at the notch 13. The width of the bonding base film 18 is smaller than the radius of curvature of the notch 13 in plan view. The bonding base film 18 is formed continuously with the base metal film 17.

接合材14は、接合下地膜18上に形成されている。すなわち、接合材14は、平面視でベース基板11の外縁に沿うように配置されるとともに切欠部13に対応する位置において分断されている。これにより、ベース基板11の上面と切欠部13とを接続する稜線上には、接合材14が配置されていない部分が形成されている。接合材14は、例えば鉛系や金系、亜鉛系の高融点はんだ等が好適である。接合材14は、接合下地膜18上に印刷により配置された後、リフローにより溶融されることで、接合下地膜18に密着している。なお、接合材14の表面には、後述するベース基板11とリッド基板12との接合時におけるリッド基板12への接合材14の濡れ性向上を図るために、フラックスが塗布されていてもよい。   The bonding material 14 is formed on the bonding base film 18. That is, the bonding material 14 is arranged along the outer edge of the base substrate 11 in a plan view and is divided at a position corresponding to the notch 13. Thus, a portion where the bonding material 14 is not disposed is formed on the ridge line connecting the upper surface of the base substrate 11 and the notch 13. The bonding material 14 is preferably, for example, a lead-based, gold-based, or zinc-based high melting point solder. The bonding material 14 is disposed on the bonding base film 18 by printing and then melted by reflow, so that the bonding material 14 is in close contact with the bonding base film 18. Note that a flux may be applied to the surface of the bonding material 14 in order to improve the wettability of the bonding material 14 to the lid substrate 12 when the base substrate 11 and the lid substrate 12 described later are bonded.

図3に示すように、リッド基板12は、下面が上方に凹となるように凹み形成された平面視矩形状の板材である。リッド基板12は、線膨張率がベース基板11を形成する材料に近い材料により形成されることが好ましく、例えばコバールや42アロイ、パーマロイB等の金属材料が好適である。リッド基板12は、例えばプレス加工やエッチング加工等により形成されている。リッド基板12の外形形状は、平面視においてベース基板11の外形形状と略一致している。リッド基板12は、外周に沿って形成された平面視矩形枠状のフランジ部12aと、フランジ部12aに囲まれるとともに上方に向かって凹む凹部12bと、を有する。   As shown in FIG. 3, the lid substrate 12 is a plate member having a rectangular shape in plan view that is formed to be recessed so that the lower surface is recessed upward. The lid substrate 12 is preferably formed of a material having a linear expansion coefficient close to that of the material forming the base substrate 11, and for example, a metal material such as Kovar, 42 alloy, and Permalloy B is preferable. The lid substrate 12 is formed by, for example, pressing or etching. The outer shape of the lid substrate 12 substantially matches the outer shape of the base substrate 11 in plan view. The lid substrate 12 includes a flange portion 12a having a rectangular frame shape in plan view formed along the outer periphery, and a concave portion 12b that is surrounded by the flange portion 12a and is recessed upward.

リッド基板12のフランジ部12aは、リッド基板12をベース基板11に重ね合わせた状態で、平面視においてベース基板11に配置された接合材14に重なるとともに切欠部13の全体と重なるように形成されている。フランジ部12aの幅は、接合下地膜18および接合材14の幅よりも大きく、かつ平面視における切欠部13(図1参照)の曲率半径よりも小さくなっている。リッド基板12の凹部12bは、ベース基板11とリッド基板12とが重ね合わされることで、ベース基板11の上面とともにキャビティCを形成する。なお、リッド基板12の下面には、リッド基板12と接合材14との接合性を高めるために、金や銀、パラジウム等の金属膜を形成してもよい。   The flange portion 12a of the lid substrate 12 is formed so as to overlap the bonding material 14 disposed on the base substrate 11 and the entire cutout portion 13 in a plan view in a state where the lid substrate 12 is superimposed on the base substrate 11. ing. The width of the flange portion 12a is larger than the widths of the bonding base film 18 and the bonding material 14, and smaller than the radius of curvature of the cutout portion 13 (see FIG. 1) in plan view. The recess 12 b of the lid substrate 12 forms a cavity C together with the upper surface of the base substrate 11 by overlapping the base substrate 11 and the lid substrate 12. Note that a metal film such as gold, silver, or palladium may be formed on the lower surface of the lid substrate 12 in order to improve the bondability between the lid substrate 12 and the bonding material 14.

(素子)
素子3は、各基板11,12が接合された状態において、キャビティC内に収容されている。素子3は、例えばCMOS−ICであって、より詳細には例えばボルテージレギュレータ等である。図2に示すように、素子3は、電子回路や電極パッド32が形成された回路面31を上方に向けた状態で、ベース基板11の上面における中央部にダイボンディング実装されている。ダイボンディング用の接着剤としては、絶縁性材料であっても導電性材料であってもよく、例えば樹脂等を用いることができる。さらに、素子3の電極パッド32は、ワイヤーボンディングによりベース基板11上の内部電極15に接続されている。ワイヤーボンディング用のワイヤーは、例えば金や金合金、銀、銀合金等が用いられる。
(element)
The element 3 is accommodated in the cavity C in a state where the substrates 11 and 12 are bonded. The element 3 is, for example, a CMOS-IC, and more specifically, for example, a voltage regulator. As shown in FIG. 2, the element 3 is die-bonded and mounted at the center of the upper surface of the base substrate 11 with the circuit surface 31 on which the electronic circuit and the electrode pad 32 are formed facing upward. The adhesive for die bonding may be an insulating material or a conductive material. For example, a resin or the like can be used. Furthermore, the electrode pad 32 of the element 3 is connected to the internal electrode 15 on the base substrate 11 by wire bonding. As the wire for wire bonding, for example, gold, gold alloy, silver, silver alloy, or the like is used.

(電子部品の製造方法)
次に、電子部品1の製造方法について説明する。なお、以下の説明における電子部品1の各構成部品の符号については、図1から図3を参照されたい。
図4は、電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
図4に示すように、本実施形態の電子部品1の製造方法は、ベース基板11に素子3を実装する実装工程S10と、ベース基板11とリッド基板12とを接合する接合工程S20と、切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞した接合材14を確認する接合状態確認工程S30と、を備えている。
(Method for manufacturing electronic parts)
Next, a method for manufacturing the electronic component 1 will be described. In addition, refer to FIGS. 1 to 3 for the reference numerals of the respective components of the electronic component 1 in the following description.
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing an electronic component.
As shown in FIG. 4, the manufacturing method of the electronic component 1 of the present embodiment includes a mounting step S10 for mounting the element 3 on the base substrate 11, a bonding step S20 for bonding the base substrate 11 and the lid substrate 12, A bonding state confirmation step S30 for confirming the bonding material 14 that closes the gap between the portion 13 and the lid substrate 12.

最初に実装工程S10を行う。
実装工程S10では、予め各電極、下地金属膜17、接合下地膜18等が形成されるとともに、接合材14が配置されたベース基板11に対して、素子3をダイボンディング実装する。このとき、素子3は、回路面31がベース基板11の上面とは反対側(上側)を向くように配置される。次いで、素子3の電極パッド32とベース基板11の内部電極15とをワイヤーボンディングにより接続する。これにより、ベース基板11への素子3の実装が完了する。
First, the mounting process S10 is performed.
In the mounting step S10, each electrode, the base metal film 17, the bonding base film 18, and the like are formed in advance, and the element 3 is die-bonded to the base substrate 11 on which the bonding material 14 is disposed. At this time, the element 3 is arranged so that the circuit surface 31 faces the side opposite to the upper surface of the base substrate 11 (upper side). Next, the electrode pad 32 of the element 3 and the internal electrode 15 of the base substrate 11 are connected by wire bonding. Thereby, the mounting of the element 3 on the base substrate 11 is completed.

次に、接合工程S20を行う。
接合工程S20は、接合材14を介在させてベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせる重ね合わせ工程S21と、接合材14を加熱溶融させる加熱工程S23と、接合材14により切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞させる封止工程S25と、を有する。
Next, joining process S20 is performed.
The joining step S20 includes a superposition step S21 in which the base substrate 11 and the lid substrate 12 are superposed with the joining material 14 interposed therebetween, a heating step S23 in which the joining material 14 is heated and melted, and the notch 13 and the lid by the joining material 14. Sealing step S25 for closing the gap with the substrate 12.

接合工程S20では、最初に重ね合わせ工程S21を行う。重ね合わせ工程S21では、リッド基板12を平面視でベース基板11と重なるように重ね合わせる。これにより、リッド基板12のフランジ部12aがベース基板11上の接合材14に重なるとともに、リッド基板12の凹部12bがベース基板11上の素子3を覆う。このとき、接合材14は、平面視で切欠部13に対応する位置に置いて分断されているため、ベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの間には、接合材14が介在していない隙間が形成されている。   In the joining step S20, an overlaying step S21 is first performed. In the overlaying step S21, the lid substrate 12 is overlaid so as to overlap the base substrate 11 in plan view. Accordingly, the flange portion 12 a of the lid substrate 12 overlaps the bonding material 14 on the base substrate 11, and the concave portion 12 b of the lid substrate 12 covers the element 3 on the base substrate 11. At this time, since the bonding material 14 is divided at a position corresponding to the notch 13 in plan view, the bonding material is interposed between the notch 13 of the base substrate 11 and the flange portion 12a of the lid substrate 12. A gap in which no 14 is interposed is formed.

続いて加熱工程S23を行う。加熱工程S23では、重ね合わせた各基板11,12を、加熱炉に入れる等して加熱し、ベース基板11とリッド基板12のフランジ部12aとの間に介在する接合材14を加熱する。これにより接合材14は溶融し、ベース基板11とリッド基板12とが接合される。   Then, heating process S23 is performed. In the heating step S23, the superposed substrates 11 and 12 are heated by putting them in a heating furnace or the like, and the bonding material 14 interposed between the base substrate 11 and the flange portion 12a of the lid substrate 12 is heated. As a result, the bonding material 14 is melted, and the base substrate 11 and the lid substrate 12 are bonded.

図5は、電子部品を下側から見た斜視図である。
続いて封止工程S25を行う。封止工程S25では、加熱工程S23に続き、接合材14の加熱を継続して行う。すると、図5に示すように、溶融した接合材14が、ベース基板11とリッド基板12のフランジ部12aとの間からしみ出す。これにより接合材14は、ベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの間を閉塞するように濡れ広がるとともに、切欠部13上を濡れ広がる。このとき、切欠部13の表面には、下地金属膜17が形成されているため、溶融した接合材14は切欠部13上を容易に濡れ広がることができる。次いで、接合材14の加熱を停止し、溶融した接合材14を凝固させる。これにより、接合材14がベース基板11とリッド基板12との間において各基板11,12の外縁全周に沿うように介在する状態となり、各基板11,12はキャビティCを気密封止した状態で接合される。
なお、加熱工程S23および封止工程S25は、加熱炉内を真空雰囲気または窒素等の不活性ガス雰囲気として行ってもよい。
FIG. 5 is a perspective view of the electronic component as viewed from below.
Subsequently, a sealing step S25 is performed. In the sealing step S25, the bonding material 14 is continuously heated following the heating step S23. Then, as shown in FIG. 5, the molten bonding material 14 oozes out between the base substrate 11 and the flange portion 12 a of the lid substrate 12. As a result, the bonding material 14 wets and spreads so as to block the space between the notch portion 13 of the base substrate 11 and the flange portion 12a of the lid substrate 12, and also spreads on the notch portion 13. At this time, since the base metal film 17 is formed on the surface of the notch 13, the molten bonding material 14 can easily spread on the notch 13. Next, heating of the bonding material 14 is stopped, and the molten bonding material 14 is solidified. As a result, the bonding material 14 is interposed between the base substrate 11 and the lid substrate 12 along the entire outer edge of each of the substrates 11 and 12, and each of the substrates 11 and 12 has hermetically sealed the cavity C. Are joined together.
The heating step S23 and the sealing step S25 may be performed in a heating furnace in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen.

次に、接合状態確認工程S30を行う。
接合状態確認工程S30では、封止工程S25においてベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの間を閉塞するように濡れ広がった接合材14を目視確認する。
以上により、キャビティCが気密封止された電子部品1の製造が完了する。
Next, the joining state confirmation process S30 is performed.
In the bonding state confirmation step S30, the bonding material 14 that has spread wet so as to close the gap between the notch portion 13 of the base substrate 11 and the flange portion 12a of the lid substrate 12 in the sealing step S25 is visually confirmed.
Thus, the manufacture of the electronic component 1 in which the cavity C is hermetically sealed is completed.

このように、本実施形態のパッケージ用部品2は、重ね合わせて接合される各基板11,12と、ベース基板11の角部に形成された切欠部13と、各基板11,12の重ね合わせ方向から見て、ベース基板11の外縁に沿うように配置されるとともに切欠部13に対応する位置において分断される接合材14と、を備える。
ここで、各基板11,12を接合する過程において、ベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせた状態を「接合初期状態」という。また、重ね合わせたベース基板11とリッド基板12との間に介在する接合材14が濡れ広がる状態を「接合後期状態」という。
この構成によれば、接合材14が切欠部13に対応する位置において分断されているため、パッケージ10を形成する際に、パッケージ用部品2は、接合初期状態において、ベース基板11の切欠部13とリッド基板12との間に接合材14が存在しない隙間を有する。このため、接合初期状態において、切欠部13とリッド基板12との隙間を通じてガスを通流させることにより、ベース基板11とリッド基板12との接合時に生じるパッケージ10の内外の差圧を解消して、接合材14にリークパスが形成されることを防止できる。また、接合後期状態において、接合材14を濡れ広がらせることで切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞することができ、キャビティCを気密封止することができる。しかも、切欠部13がベース基板11の角部に形成されているため、作業者がベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの隙間の有無を容易に視認できる。これにより、作業者は、切欠部13とリッド基板12との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、キャビティCを確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品2が得られる。
As described above, the packaging component 2 according to the present embodiment includes the substrates 11 and 12 to be bonded together, the cutout portions 13 formed at the corners of the base substrate 11, and the substrates 11 and 12. And a bonding material 14 that is arranged along the outer edge of the base substrate 11 as viewed from the direction and is divided at a position corresponding to the notch 13.
Here, in the process of bonding the substrates 11 and 12, a state in which the base substrate 11 and the lid substrate 12 are overlapped is referred to as a “bonding initial state”. In addition, a state in which the bonding material 14 interposed between the overlapped base substrate 11 and lid substrate 12 spreads out is referred to as a “late bonding state”.
According to this configuration, since the bonding material 14 is divided at a position corresponding to the notch portion 13, when forming the package 10, the package component 2 is in the notched portion 13 of the base substrate 11 in the initial bonding state. And the lid substrate 12 have a gap where the bonding material 14 does not exist. For this reason, in the initial bonding state, by causing the gas to flow through the gap between the notch 13 and the lid substrate 12, the pressure difference between the inside and outside of the package 10 generated when the base substrate 11 and the lid substrate 12 are bonded is eliminated. It is possible to prevent a leak path from being formed in the bonding material 14. Further, in the late bonding state, the gap between the notch 13 and the lid substrate 12 can be closed by wetting and spreading the bonding material 14, and the cavity C can be hermetically sealed. In addition, since the notches 13 are formed at the corners of the base substrate 11, the operator can easily visually recognize the presence or absence of a gap between the notches 13 of the base substrate 11 and the flange portions 12 a of the lid substrate 12. As a result, the operator can easily check whether or not the gap between the notch 13 and the lid substrate 12 is closed. Therefore, the package component 2 can be obtained in which the cavity C can be surely hermetically sealed and the joined state can be easily confirmed.

また、接合材14が高融点はんだであり、切欠部13には下地金属膜17が形成されている。このため、切欠部13の表面がセラミックや樹脂により形成されている場合と比較して、下地金属膜17に対する高融点はんだの濡れ性により、切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞しつつ、接合材14を切欠部13の下地金属膜17上に濡れ広がらせることができる。このため、作業者は、切欠部13上を濡れ広がる接合材14を観察することで、切欠部13とリッド基板12との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、接合状態の確認を容易に行える。   Further, the bonding material 14 is a high melting point solder, and a base metal film 17 is formed in the cutout portion 13. For this reason, as compared with the case where the surface of the notch 13 is formed of ceramic or resin, the gap between the notch 13 and the lid substrate 12 is blocked by the wettability of the high melting point solder to the base metal film 17. The bonding material 14 can be wetted and spread on the base metal film 17 of the notch 13. For this reason, the operator can easily confirm whether or not the gap between the notch 13 and the lid substrate 12 is closed by observing the bonding material 14 that spreads wet on the notch 13. Therefore, it is possible to easily confirm the joining state.

また、本実施形態の電子部品1は、上記のパッケージ用部品2を備えている。このため、キャビティCを確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行える電子部品1が得られる。   In addition, the electronic component 1 of the present embodiment includes the package component 2 described above. For this reason, the electronic component 1 can be obtained in which the cavity C can be reliably hermetically sealed and the joined state can be easily confirmed.

また、本実施形態の電子部品1の製造方法は、接合工程S20が重ね合わせ工程S21と封止工程S25とを有するため、封止工程S25を行う前に切欠部13とリッド基板12との隙間を通じてガスを通流させることでパッケージ10の内外の差圧を解消できる。これにより、封止工程S25を行う際にリークパスが形成されることを抑制できる。また、ベース基板11の角部に形成された切欠部13とリッド基板12との隙間が接合材14により閉塞されているか否かの確認を接合状態確認工程S30において確認できる。したがって、切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞してキャビティCを確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行うことができる。   Further, in the method for manufacturing the electronic component 1 according to the present embodiment, the bonding step S20 includes the overlapping step S21 and the sealing step S25. The differential pressure inside and outside the package 10 can be eliminated by allowing the gas to flow through. Thereby, it can suppress that a leak path | pass is formed when performing sealing process S25. Further, it is possible to confirm whether or not the gap between the notch 13 formed at the corner of the base substrate 11 and the lid substrate 12 is closed by the bonding material 14 in the bonding state confirmation step S30. Therefore, the gap between the notch 13 and the lid substrate 12 can be closed to securely seal the cavity C, and the joined state can be easily confirmed.

なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、上記実施形態においては、切欠部13がベース基板11の1箇所の角部に形成されているが、これに限定されず、例えばベース基板11の複数の角部に形成されてもよい。
また、上記実施形態においては、切欠部13がベース基板11に形成されていたが、これに限定されず、切欠部がリッド基板12に形成されてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment described with reference to the drawings, and various modifications can be considered within the technical scope thereof.
For example, in the above embodiment, the notch 13 is formed at one corner of the base substrate 11, but the present invention is not limited to this, and may be formed at a plurality of corners of the base substrate 11, for example.
In the above embodiment, the notch 13 is formed in the base substrate 11. However, the present invention is not limited to this, and the notch may be formed in the lid substrate 12.

また、上記実施形態においては、接合材14がベース基板11上に配置されていたが、これに限定されず、接合材がリッド基板12のフランジ部12aの下面に配置されてもよい。
また、上記実施形態においては、接合材14は高融点はんだであったが、これに限定されず、接合材は低温焼成用の金属ペーストや低融点ガラス、接着剤等であってもよい。
In the above embodiment, the bonding material 14 is disposed on the base substrate 11. However, the present invention is not limited to this, and the bonding material may be disposed on the lower surface of the flange portion 12 a of the lid substrate 12.
Moreover, in the said embodiment, although the joining material 14 was a high melting point solder, it is not limited to this, A joining material may be a metal paste for low temperature baking, low melting glass, an adhesive agent, etc.

また、上記実施形態においては、素子3はベース基板11に対してダイボンディングおよびワイヤーボンディングにより実装されていたが、これに限定されず、例えば素子3はベース基板11に対してフリップチップボンディングにより実装されてもよい。
また、上記実施形態においては、素子3としてボルテージレギュレータを例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば素子3はセンサや、センサおよびセンサ制御用回路を含む素子等であってもよい。
In the above embodiment, the element 3 is mounted on the base substrate 11 by die bonding and wire bonding. However, the present invention is not limited to this. For example, the element 3 is mounted on the base substrate 11 by flip chip bonding. May be.
Moreover, in the said embodiment, although the voltage regulator was mentioned as an example and demonstrated as the element 3, it is not limited to this, For example, the element 3 may be an element containing a sensor, a sensor, and a circuit for sensor control. .

また、上記実施形態においては、切欠部13は平面視1/4円弧状に形成されていたが、これに限定されず、切欠部は平面状に切り欠かれた形状であってもよい。この場合であっても、リッド基板のフランジ部および切欠部を、リッド基板をベース基板に重ね合わせた状態で、リッド基板のフランジ部と切欠部の全体とが平面視で重なるように形成することが望ましい。   Moreover, in the said embodiment, although the notch part 13 was formed in the planar view 1/4 circular arc shape, it is not limited to this, The shape notched in the planar shape may be sufficient. Even in this case, the flange portion and the notch portion of the lid substrate are formed so that the flange portion of the lid substrate and the entire notch portion overlap each other in plan view with the lid substrate overlapped with the base substrate. Is desirable.

また、上記実施形態においては、切欠部13はベース基板11の厚さ方向の全体に亘って一様に形成されていたが、これに限定されず、切欠部13はベース基板11の厚さ方向に対して傾斜したテーパ状に形成されてもよい。これにより、封止工程S25を行う際に、溶融した接合材14が切欠部上を濡れ広がる速度を調整することができる。   Moreover, in the said embodiment, although the notch part 13 was uniformly formed over the whole thickness direction of the base substrate 11, it is not limited to this, The notch part 13 is the thickness direction of the base substrate 11 It may be formed in a tapered shape inclined with respect to. Thereby, when performing sealing process S25, the speed | rate which the molten joining material 14 spreads over the notch part can be adjusted.

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能である。   In addition, it is possible to appropriately replace the components in the above-described embodiments with known components without departing from the spirit of the present invention.

1…電子部品 2…パッケージ用部品 3…素子 11…ベース基板(第1基板) 12…リッド基板(第2基板) 13…切欠部 14…接合材 S10…実装工程 S20…接合工程 S21…重ね合わせ工程 S25…封止工程 S30…接合状態確認工程   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component 2 ... Package component 3 ... Element 11 ... Base board | substrate (1st board | substrate) 12 ... Lid board | substrate (2nd board | substrate) 13 ... Notch part 14 ... Joining material S10 ... Mounting process S20 ... Joining process S21 ... Overlay Process S25 ... Sealing process S30 ... Joining state confirmation process

Claims (4)

重ね合わせて接合されるベース基板および該ベース基板に実装される素子を覆うリッド基板と、
前記ベース基板の角部に、前記ベース基板の厚さ方向の全体に亘って形成された切欠部と、
前記ベース基板および前記リッド基板の重ね合わせ方向から見て、前記ベース基板の外縁に沿うように配置されるとともに前記切欠部に対応する位置において分断される接合材と、
を備えることを特徴とするパッケージ用部品。
A base substrate that is overlapped and bonded, and a lid substrate that covers an element mounted on the base substrate ;
A corner of the base substrate, and the notch portion formed throughout the thickness direction of the base substrate,
A bonding material that is arranged along the outer edge of the base substrate as seen from the overlapping direction of the base substrate and the lid substrate and is divided at a position corresponding to the notch,
A package component comprising:
前記接合材は、高融点はんだであり、
前記切欠部には、金属膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ用部品。
The bonding material is a high melting point solder,
A metal film is formed in the notch,
The package component according to claim 1, wherein:
請求項1または2に記載のパッケージ用部品と、
前記パッケージ用部品に収容された素子と、
を備えることを特徴とする電子部品。
The packaging component according to claim 1 or 2,
An element housed in the packaging component;
An electronic component comprising:
請求項3に記載の電子部品の製造方法であって、
前記ベース板に前記素子を実装する実装工程と、
前記ベース基板と前記リッド基板とを接合する接合工程と、
を備え、
前記接合工程は、
前記接合材を介在させて前記ベース基板と前記リッド基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、
前記接合材により前記切欠部と前記リッド基板との隙間を閉塞させる封止工程と、
前記切欠部と前記リッド基板との隙間を閉塞した前記接合材を確認する接合状態確認工程と、
を有する、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
It is a manufacturing method of the electronic component according to claim 3,
A mounting step of mounting the element to said base plate,
A bonding step of bonding the base substrate and the lid substrate;
With
The joining step includes
An overlaying step of overlaying the base substrate and the lid substrate with the bonding material interposed therebetween;
A sealing step of closing a gap between the notch and the lid substrate by the bonding material;
A bonding state confirmation step of confirming the bonding material that blocks the gap between the notch and the lid substrate;
Having
An electronic component manufacturing method characterized by the above.
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