JP6472014B2 - 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 - Google Patents
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- 飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構であって、
二つの電極と、試料を固定する固定部材と、を少なくとも有する試料ホルダと、電流電圧印加試験を行うための電流電圧測定機器とを備え、
前記試料ホルダは、前記試料を保持可能に構成され、
前記TOF−SIMSによるTOF−SIMS計測と、前記電流電圧測定機器による前記試料に対する電流電圧の印加と前記試料の前記印加に伴う電気的特性の測定と、を一括して行うように構成される、前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。 - 前記電流電圧印加試験は、LIBの充放電特性測定である、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧印加試験は、インピーダンス測定である、請求項1または請求項2に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧印加試験は、電気化学測定である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、質量分析である、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、元素マッピングの測定である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、二次イオン顕微鏡観察である、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、三次元マッピングを用いた深さ方向の測定である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、参照極を更に有する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、ステンレス材である、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、前記試料との界面で化学反応し電池動作する電池電極材料で作成されている、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、圧電材料材である、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、磁性材料材である、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、LIBの断面構造を測定可能な保持機構を有する、請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、前記試料を90度回転して固定することで、三次元マッピングを用いた積層構造を測定可能な保持機構を有する、請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、全固体型LIBである、請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、一部イオン液体を用いた電池材料である、請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、一部イオン液体を用いた半電池である、請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記二つの電極は、作用極と対極である、請求項1から請求項18のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧測定機器は、LIBの充放電特性の測定を行い、前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)はLi元素マッピングを測定し、前記試料ホルダの材料はステンレスであり、前記試料ホルダは、LIBの断面構造を測定するように構成され、前記試料は、全固体型LIBである、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記一括して行われる前記TOF−SIMSによるTOF−SIMS計測のための電圧の印加と、前記電流電圧測定機器による前記試料に対する電流電圧の印加と、は、スイッチによって切り替えられる、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧測定機器は、ポテンショ・ガルバノスタットである、請求項1から請求項21のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
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