JP6479095B2 - Light emitting device - Google Patents
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Description
有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELと
も記す)現象を利用した発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
The present invention relates to a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device using an organic electroluminescence (hereinafter also referred to as EL) phenomenon.
有機EL現象を利用した発光素子(有機EL素子とも記す)の研究開発が盛んに行われて
いる。有機EL素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟
んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光
を得ることができる。
Research and development of light-emitting elements (also referred to as organic EL elements) using the organic EL phenomenon have been actively conducted. The basic structure of the organic EL element is such that a layer containing a light-emitting organic compound is sandwiched between a pair of electrodes. By applying voltage to this element, light emission from the light-emitting organic compound can be obtained.
薄型軽量化が容易であること、入力信号に対し高速に応答可能であること、直流低電圧電
源を用いて駆動可能であること等の特徴を有する有機EL素子は、次世代のフラットパネ
ルディスプレイや照明への応用が検討されている。特に、有機EL素子をマトリクス状に
配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に
優位性があると考えられている。
Organic EL devices with features such as being easy to reduce the thickness and weight, being able to respond to input signals at high speed, and being able to be driven using a DC low-voltage power supply are the next-generation flat panel displays and Application to lighting is being studied. In particular, it is considered that a display device in which organic EL elements are arranged in a matrix is superior to a conventional liquid crystal display device in that it has a wide viewing angle and excellent visibility.
一方で、有機EL素子は、外部から侵入する水分や酸素などの不純物により信頼性が損な
われてしまうという課題がある。
On the other hand, the organic EL element has a problem that reliability is impaired by impurities such as moisture and oxygen entering from the outside.
有機EL素子の外部から、水分や酸素などの不純物が、有機EL素子を構成する有機化合
物や金属材料に侵入することで、有機EL素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合があ
る。有機EL素子に用いる有機化合物や金属材料が、水分や酸素などの不純物と反応し、
劣化してしまうためである。
In some cases, impurities such as moisture or oxygen enter the organic compound or metal material constituting the organic EL element from the outside of the organic EL element, so that the lifetime of the organic EL element may be significantly reduced. Organic compounds and metal materials used in organic EL elements react with impurities such as moisture and oxygen,
It is because it will deteriorate.
したがって、不純物の侵入を防ぐために有機EL素子を封止する技術について、研究開発
が進められている。
Therefore, research and development is progressing on a technique for sealing an organic EL element in order to prevent impurities from entering.
例えば、特許文献1には、有機EL素子を封止するために用いることができる、第1のガ
ラス板と第2のガラス板とをフリットで接着させて封止したガラスパッケージが開示され
ている。
For example, Patent Document 1 discloses a glass package that can be used for sealing an organic EL element and is sealed by bonding a first glass plate and a second glass plate with a frit. .
特許文献1に開示されたガラスパッケージで有機EL素子を封止した発光装置は、封止後
に、外部から該発光装置内に不純物が侵入することを抑制することができると考えられる
。しかし、発光装置の作製工程において、発光装置を構成する材料に水分が少なからず吸
着され、発光装置の内部に水分が残留してしまうことが一般に知られている。特許文献1
に記載の封止技術では、発光装置の内部に一度入ってしまった水分に関して、除去する手
段等が設けられていないため、封止前に発光装置内に侵入し、かつ封止後に発光装置内に
残留している水分の、有機EL素子を構成する有機化合物や金属材料への侵入を防ぐこと
は困難である。
It is considered that the light-emitting device in which the organic EL element is sealed with the glass package disclosed in Patent Document 1 can suppress impurities from entering the light-emitting device from the outside after sealing. However, it is generally known that in the manufacturing process of a light-emitting device, moisture is adsorbed by a material constituting the light-emitting device, and moisture remains inside the light-emitting device. Patent Document 1
In the sealing technique described in, since there is no means for removing moisture that has once entered the light emitting device, the light enters the light emitting device before sealing, and the light emitting device enters after the sealing. It is difficult to prevent the moisture remaining in the glass from entering the organic compound or metal material constituting the organic EL element.
また、特許文献2には、各発光画素間に、有機材料からなる画素間隔壁が形成された電気
光学表示装置が開示されている。さらに、該画素間隔壁には、該有機材料より低分子の材
料からなる充填物が含有されている構成、及び、該充填物が脱水材である構成が開示され
ている。
Patent Document 2 discloses an electro-optic display device in which a pixel interval wall made of an organic material is formed between each light emitting pixel. Furthermore, a configuration in which the pixel spacing wall contains a filler made of a material having a lower molecular weight than the organic material and a configuration in which the filler is a dehydrating material are disclosed.
特許文献2に開示された表示装置は、装置内部に脱水材を備えるため、画素間隔壁等に含
まれる水分の、有機EL素子を構成する有機化合物や金属材料への侵入を防ぐことができ
る。
Since the display device disclosed in Patent Document 2 includes a dehydrating material inside the device, moisture contained in the pixel interval wall or the like can be prevented from entering the organic compound or metal material constituting the organic EL element.
ところで、有機EL素子において、下部電極の表面が平坦化されていない、又は下部電極
上にゴミが存在するために、下部電極上にEL層が均一に成膜されず、EL層が欠損する
場合がある。このような場合、該EL層上に上部電極が形成されると、EL層が形成され
ていない欠損箇所において、下部電極及び上部電極(陽極及び陰極)が接し、短絡すると
いう不具合が生じる。
By the way, in the organic EL element, when the surface of the lower electrode is not flattened or dust exists on the lower electrode, the EL layer is not uniformly formed on the lower electrode, and the EL layer is lost. There is. In such a case, when the upper electrode is formed on the EL layer, the lower electrode and the upper electrode (anode and cathode) are in contact with each other at a defect portion where the EL layer is not formed, resulting in a short circuit.
特許文献2に開示された表示装置において、画素電極(下部電極に相当)の端部を覆う画
素間隔壁は、発光素子の発光領域と重なる位置に開口部を有する。この隔壁の端部(開口
端)に充填物(例えば脱水材)に由来する凹凸が存在すると、発光素子において、発光層
(又は有機機能層)が形成されない欠損箇所が生じる可能性がある。該欠損箇所では、下
部電極及び上部電極が接し、短絡するという不具合が生じることがある。
In the display device disclosed in Patent Document 2, a pixel interval wall that covers an end portion of a pixel electrode (corresponding to a lower electrode) has an opening at a position overlapping a light emitting region of a light emitting element. When unevenness derived from a filler (for example, a dehydrating material) is present at the end (opening end) of the partition wall, in the light emitting element, there may be a defective portion where the light emitting layer (or the organic functional layer) is not formed. In the defective portion, there may be a problem that the lower electrode and the upper electrode are in contact with each other and short-circuited.
したがって、本発明の一態様は、有機EL素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部
電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、該発
光装置を備えた、信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することを目的の一とする。
Therefore, an object of one embodiment of the present invention is to provide a highly reliable light-emitting device in which deterioration of an organic EL element can be suppressed and a lower electrode and an upper electrode are hardly short-circuited. Another object is to provide a highly reliable electronic device or lighting device including the light-emitting device.
有機EL素子は、第1の電極と、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層
(以下、EL層とも記す)と、EL層上に設けられた第2の電極と、を備える。本発明者
らは、有機EL素子において、該第1の電極の端部を覆う隔壁が、水分を物理吸着する材
料(以下、物理吸着型乾燥剤とも記す)を含む構成、具体的には、最大粒径がEL層の膜
厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む構成、に想到した。
The organic EL element includes a first electrode, a layer containing a light-emitting organic compound provided on the first electrode (hereinafter also referred to as an EL layer), a second electrode provided on the EL layer, . In the organic EL element, the inventors of the present invention have a configuration in which the partition covering the end of the first electrode includes a material that physically adsorbs moisture (hereinafter also referred to as a physical adsorption desiccant). The present inventors have conceived a configuration including a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size equal to or less than the film thickness of the EL layer.
よって、本発明の一態様は、第1の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光素子及び隔
壁を含む発光部を備え、発光素子は、第1の基板上に設けられた第1の電極、第1の電極
上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発光性の有機化合物を含む層上に設け
られた第2の電極を備え、隔壁は、第1の電極の端部を覆い、かつ発光素子の発光領域と
重なる位置に開口部が設けられ、隔壁は、最大粒径が1ナノメートル以上発光性の有機化
合物を含む層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む発光装置である。
Thus, according to one embodiment of the present invention, a light-emitting element including a light-emitting element and a partition is provided in a space surrounded by the first substrate and the sealing body, and the light-emitting element is provided over the first substrate. 1 electrode, a layer containing a light-emitting organic compound provided on the first electrode, and a second electrode provided on the layer containing a light-emitting organic compound, and the partition wall includes the first electrode An opening is provided at a position that covers the edge of the light-emitting element and overlaps with the light-emitting region of the light-emitting element, and the partition wall is a physical adsorption type drying having a maximum particle size of 1 nanometer or more and a thickness of a layer containing a light-emitting organic compound or less A light-emitting device containing an agent.
封止体としては、例えば、透湿性の低い薄膜を用いることができる。または、対向基板及
び封止材(ガラスフリット等を用いたガラスや、樹脂など)を用いることができる。ガラ
スは封止性が高いため、封止材として、ガラスを用いることが好ましい。また、樹脂は耐
衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくいため、封止材として、樹脂を用い
ることが好ましい。
As the sealing body, for example, a thin film with low moisture permeability can be used. Alternatively, a counter substrate and a sealing material (glass using glass frit or the like, resin, or the like) can be used. Since glass has high sealing properties, it is preferable to use glass as a sealing material. Further, since the resin is excellent in impact resistance and heat resistance and is not easily broken by deformation due to an external force or the like, it is preferable to use a resin as a sealing material.
また、本発明の一態様は、互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、発光素子及び隔
壁を含む発光部と、発光部の外周を囲むように設けられた封止材と、を有し、第1の基板
、第2の基板及び封止材に囲まれた空間内に発光部を備え、発光素子は、第1の基板上に
設けられた第1の電極、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発
光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極を備え、隔壁は、第1の電極の端部
を覆い、かつ発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、隔壁は、最大粒径が
1ナノメートル以上該発光性の有機化合物を含む層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、含
む発光装置である。
One embodiment of the present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other, a light-emitting portion including a light-emitting element and a partition, and a sealing material provided so as to surround an outer periphery of the light-emitting portion. A light-emitting element is provided in a space surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing material, and the light-emitting element includes a first electrode and a first electrode provided on the first substrate. A light-emitting organic compound-containing layer and a second electrode provided on the light-emitting organic compound-containing layer, wherein the partition wall covers the end of the first electrode and emits light An opening is provided at a position overlapping the light emitting region of the element, and the partition wall is a light emitting device including a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nanometer or more and less than the thickness of the layer containing the light emitting organic compound. is there.
本発明の一態様の発光装置は、第1の基板、及び封止体(又は、第1の基板、第2の基板
及び封止材)に囲まれた空間内に、発光素子(有機EL素子)が設けられている。したが
って、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子が劣化することを
抑制できる。かつ、本発明の一態様の発光装置は、隔壁に物理吸着型乾燥剤を含む。した
がって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤
によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光
素子が劣化することを抑制できる。
A light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a light-emitting element (organic EL element) in a space surrounded by a first substrate and a sealing body (or a first substrate, a second substrate, and a sealing material). ) Is provided. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the light-emitting element due to intrusion of impurities such as moisture and oxygen from the outside of the light-emitting device. In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the partition includes a physical adsorption desiccant. Therefore, impurities that have entered and remained inside the light emitting device during the manufacturing process can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Thus, deterioration of the light-emitting element due to impurities remaining inside the light-emitting device can be suppressed.
例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第1の基板、封止体(第2の基板など)、第1の基板上
に設けられた各膜、又は第2の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した
不純物を吸着することができる。特に、隔壁と近接している膜等(第1の基板や、第1の
基板と有機EL素子との間に設けられた下地膜、有機EL素子を駆動するトランジスタを
構成する膜等)の表面や内部に侵入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。
For example, the physical adsorption type desiccant is a first substrate, a sealing body (such as a second substrate), each film provided on the first substrate, or each film provided on the second substrate. It is possible to adsorb residual impurities that have entered the surface and inside. In particular, the surface of a film or the like close to the partition (the first substrate, the base film provided between the first substrate and the organic EL element, the film constituting the transistor for driving the organic EL element, or the like) Impurities that penetrate and remain inside can be easily adsorbed.
また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物による発光素子の
劣化を抑制することができる。
Further, even when the sealing ability is reduced and impurities enter the light emitting device from the outside, the impurities can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Accordingly, deterioration of the light-emitting element due to impurities can be suppressed.
また、本発明の一態様の発光装置において、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、最大粒
径が1nm以上EL層の膜厚以下である。物理吸着型乾燥剤の最大粒径がEL層の膜厚以
下であるため、隔壁に乾燥剤を含ませても、該乾燥剤に由来する凹凸により、EL層が形
成されない欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁の端部付近において第1の電極と第2の
電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、物理吸着型乾
燥剤は、最大粒径が1nm以上であると作製が容易であるため好ましい。
In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the physical adsorption desiccant included in the partition wall has a maximum particle size of 1 nm or more and less than or equal to the thickness of the EL layer. Since the maximum particle size of the physical adsorption type desiccant is equal to or less than the film thickness of the EL layer, even if the partition wall contains a desiccant, the unevenness derived from the desiccant may cause a defect where the EL layer is not formed. Accordingly, it is possible to provide a highly reliable light-emitting device in which the first electrode and the second electrode are hardly short-circuited in the vicinity of the end portion of the partition wall. Further, the physical adsorption type desiccant is preferable because the maximum particle size is 1 nm or more because it is easy to produce.
上記発光装置において、該隔壁が、0重量パーセント(wt%)より多く30重量パーセ
ント以下の割合で該物理吸着型乾燥剤を含むことが好ましい。
In the above light-emitting device, it is preferable that the partition wall contain the physical adsorption type desiccant in a ratio of more than 0 weight percent (wt%) to 30 weight percent.
隔壁に物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、隔壁としての機能を果たせなくなる恐れがある
ため、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、50wt%以下が好ましく、30wt%以下
がさらに好ましい。また、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤が少ないと、隔壁表面に、該
乾燥剤に由来する凹凸が形成されにくくなり、EL層が形成されない欠損箇所が生じるこ
とを抑制できるため、好ましい。
If the partition wall contains too much physical adsorption type desiccant, the function as the partition wall may not be achieved. Therefore, the physical adsorption type desiccant contained in the partition wall is preferably 50 wt% or less, and more preferably 30 wt% or less. In addition, it is preferable that the partition wall contains a small amount of the physical adsorption type desiccant because it is difficult to form irregularities derived from the desiccant on the partition wall surface and it is possible to suppress the occurrence of a defective portion where no EL layer is formed.
上記発光装置において、物理吸着型乾燥剤が、ゼオライトであると好ましい。 In the light emitting device, the physical adsorption desiccant is preferably zeolite.
乾燥剤には、水分等を化学吸着する材料(化学吸着型乾燥剤と記す)と、物理吸着する材
料(物理吸着型乾燥剤と記す)とに大きく分けられる。化学吸着型乾燥剤は、水分等の吸
着時に、化学反応により熱が発生する場合や、該乾燥剤自体が別の物質に変化し、体積変
化が起こる場合がある。これにより、隔壁からの熱の発生や、隔壁の体積変化が生じると
、有機EL素子にダメージを与えるため、好ましくない。よって、本発明では、ゼオライ
トやシリカゲル等の物理吸着型乾燥剤を用いる。特に、ゼオライトは、粒径を十分に小さ
くする、隔壁を構成する樹脂材料に含ませる、湿度が低い環境下でも水分等を吸着する、
等の観点からも好適に用いることができるため好ましい。
The desiccant is roughly classified into a material that chemically adsorbs moisture and the like (referred to as a chemical adsorption type desiccant) and a material that physically adsorbs (referred to as a physical adsorption type desiccant). A chemisorption desiccant may generate heat due to a chemical reaction during the adsorption of moisture or the like, or the desiccant itself may change to another substance, resulting in a volume change. Accordingly, when heat is generated from the partition walls or volume change of the partition walls occurs, the organic EL element is damaged, which is not preferable. Therefore, in the present invention, a physical adsorption type desiccant such as zeolite or silica gel is used. In particular, zeolite has a sufficiently small particle size, is included in the resin material constituting the partition wall, and adsorbs moisture and the like even in a low humidity environment.
From the viewpoint of the above, it is preferable because it can be suitably used.
上記発光装置において、隔壁が、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、
又はフェノール系樹脂を含むことが好ましい。
In the above light-emitting device, the partition walls are acrylic resin, siloxane resin, epoxy resin,
Or it is preferable that a phenol-type resin is included.
アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂は、透湿性
や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾燥剤が水分
等をより吸着しやすく、好ましい。
Since acrylic resins, siloxane resins, epoxy resins, and phenolic resins have high moisture permeability and water permeability, the desiccant contained in the partition adsorbs moisture and the like more when used as a partition material. Easy and preferable.
上記発光装置において、隔壁が、該物理吸着型乾燥剤を含まない第1の層と、該物理吸着
型乾燥剤を含む第2の層と、の積層構造であると好ましい。
In the above light-emitting device, the partition preferably has a stacked structure of a first layer that does not include the physical adsorption desiccant and a second layer that includes the physical adsorption desiccant.
隔壁が、積層構造からなる場合、物理吸着型乾燥剤を少なくともいずれか一層に含めば良
い。例えば、2層構造の場合は、物理吸着型乾燥剤を含まない第1の層上に、物理吸着型
乾燥剤を含む第2の層が設けられた積層構造が好ましい。このような構成とすることで、
隔壁の端部(特に末端)は、物理吸着型乾燥剤を含まない層からなるため、隔壁の端部付
近において、第1の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現するこ
とができる。また、第1の層上に第2の層が設けられていると、設けられていない場合に
比べて、第1の層とEL層(又は第2の電極)が接する面積が小さく、第1の層に残留す
る不純物は、第1の層からEL層(又は第2の電極)に直接侵入しづらい。該不純物は、
EL層に侵入する前に、第2の層内に侵入する可能性が高くなる。よって、該不純物を、
第2の層に含まれる物理吸着型乾燥剤によって吸着しやすくなるため、不純物が発光素子
に侵入することを抑制することができる。
When the partition wall has a laminated structure, a physical adsorption type desiccant may be included in at least one of the layers. For example, in the case of a two-layer structure, a laminated structure in which a second layer containing a physical adsorption desiccant is provided on a first layer not containing a physical adsorption desiccant is preferable. With this configuration,
Since the end portion (particularly the end portion) of the partition wall is formed of a layer that does not contain a physical adsorption type desiccant, the first electrode and the second electrode are not easily short-circuited in the vicinity of the end portion of the partition wall, and the light emitting device has high reliability. Can be realized. In addition, when the second layer is provided over the first layer, the area where the first layer and the EL layer (or the second electrode) are in contact with each other is smaller than in the case where the second layer is not provided. Impurities remaining in the first layer hardly penetrate directly into the EL layer (or the second electrode) from the first layer. The impurities are
Before entering the EL layer, the possibility of entering the second layer is increased. Therefore, the impurities are
Since it becomes easy to adsorb | suck with the physical adsorption type desiccant contained in a 2nd layer, it can suppress that an impurity penetrate | invades into a light emitting element.
また、物理吸着型乾燥剤を含む第1の層を、物理吸着型乾燥剤を含まない第2の層が覆う
積層構造が好ましい。このような構成とすることで、隔壁の表面は物理吸着型乾燥剤を含
まない第2の層からなる。よって、該乾燥剤に由来する凹凸が第1の層に存在したとして
も、第1の層を覆う第2の層により平坦化されるため、EL層が形成されない欠損箇所が
生じることを特に抑制し、隔壁上に形成する膜の被覆性を高め、第1の電極と第2の電極
が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。このような積層構造の隔
壁を採用する場合、物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、EL層の膜厚と第2の層の膜厚の和
よりも小さければ良い。
Moreover, the laminated structure which the 1st layer containing a physical adsorption type desiccant covers the 2nd layer which does not contain a physical adsorption type desiccant is preferable. By setting it as such a structure, the surface of a partition consists of a 2nd layer which does not contain a physical adsorption type desiccant. Therefore, even if the unevenness derived from the desiccant is present in the first layer, it is flattened by the second layer covering the first layer, and thus it is particularly suppressed that a defective portion where the EL layer is not formed is generated. In addition, it is possible to achieve a highly reliable light-emitting device in which the coverage of a film formed over the partition wall is increased and the first electrode and the second electrode are less likely to be short-circuited. In the case of adopting a partition wall having such a laminated structure, the maximum particle size of the physical adsorption type desiccant may be smaller than the sum of the film thickness of the EL layer and the film thickness of the second layer.
また、先に挙げた理由から、物理吸着型乾燥剤を含む層に、アクリル系樹脂、シロキサン
系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂を用いることが好ましい。
For the reasons listed above, it is preferable to use an acrylic resin, a siloxane resin, an epoxy resin, or a phenol resin for the layer containing the physical adsorption desiccant.
上記発光装置において、隔壁上にスペーサを備え、スペーサは、最大粒径が1nm以上該
スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含
むことが好ましい。特にスペーサは、最大粒径が1nm以上該スペーサの膜厚以下の物理
吸着型乾燥剤を、0wt%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。
In the above light-emitting device, it is preferable that a spacer is provided on the partition wall, and the spacer includes a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and less than or equal to the film thickness of the spacer in a ratio of more than 0 wt% to 50 wt%. In particular, the spacer preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the thickness of the spacer at a ratio of more than 0 wt% to 30 wt%.
発光装置において、隔壁上にスペーサを備えることで、一対の基板(第1の基板及び第2
の基板)の間隔を一定に保つことができる。隔壁だけでなく、スペーサにも物理吸着型乾
燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する不純物を、より吸着することができる。し
たがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することができる。
In the light-emitting device, a spacer is provided over the partition wall, so that a pair of substrates (a first substrate and a second substrate are provided).
) Can be kept constant. By including the physical adsorption type desiccant in the spacer as well as the partition wall, impurities existing in the light emitting device can be more adsorbed. Accordingly, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities.
上記発光装置において、発光部は、第1の電極と電気的に接続するトランジスタを備え、
トランジスタ及び発光素子の間に設けられた絶縁膜は、最大粒径が1nm以上該絶縁膜の
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含むことが好
ましい。特に該絶縁膜は、最大粒径が1nm以上該絶縁膜の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤
を、0wt%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。
In the light-emitting device, the light-emitting portion includes a transistor electrically connected to the first electrode,
The insulating film provided between the transistor and the light-emitting element preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and less than or equal to the film thickness of the insulating film in a ratio of more than 0 wt% and 50 wt% or less. In particular, the insulating film preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the thickness of the insulating film in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt% or less.
発光装置を構成する絶縁膜に物理吸着型乾燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する
不純物を、より吸着することができる。トランジスタ及び発光素子の間に設けられた絶縁
膜(層間絶縁膜)や、第1の基板と有機EL素子との間に設けられた下地膜等に、該乾燥
剤を含む構成も、本発明の一態様に含まれる。これら絶縁膜に含まれる乾燥剤は、有機E
L素子を駆動するトランジスタの表面や内部に侵入し残留した不純物を、吸着することが
できる。したがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することができ
る。
By including a physical adsorption desiccant in the insulating film constituting the light emitting device, impurities existing inside the light emitting device can be more adsorbed. A configuration in which the desiccant is included in an insulating film (interlayer insulating film) provided between the transistor and the light-emitting element, a base film provided between the first substrate and the organic EL element, or the like is also included in the present invention. It is included in one aspect. The desiccant contained in these insulating films is organic E
Impurities that have entered the surface and inside of the transistor that drives the L element and remain can be adsorbed. Accordingly, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities.
上記発光装置において、第2の基板は、発光素子の発光領域と重なる位置に着色層を備え
、着色層は、最大粒径が1nm以上該着色層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%
より多く50wt%以下の割合で含むことが好ましい。特に着色層は、最大粒径が1nm
以上該着色層の膜厚の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く30wt%以下の割合で含
むことが好ましい。特に、着色層に含まれる物理吸着型乾燥剤の最大粒径は300nm以
下であることが好ましい。
In the above light-emitting device, the second substrate includes a colored layer at a position overlapping the light-emitting region of the light-emitting element, and the colored layer has a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and the film thickness of the colored layer or less. 0wt%
It is preferable to include more at a ratio of 50 wt% or less. In particular, the colored layer has a maximum particle size of 1 nm.
As described above, it is preferable that the physical adsorption type desiccant having a thickness of the colored layer is contained in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt% or less. In particular, the maximum particle size of the physical adsorption desiccant contained in the colored layer is preferably 300 nm or less.
上記発光装置において、第2の基板は、発光素子の発光領域と重ならない位置に、ブラッ
クマトリクスを備え、ブラックマトリクスは、最大粒径が1nm以上該ブラックマトリク
スの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含むこと
が好ましい。特にブラックマトリクスは、最大粒径が1nm以上該ブラックマトリクスの
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く30wt%以下の割合で含むことが好
ましい。
In the light-emitting device, the second substrate includes a black matrix at a position that does not overlap the light-emitting region of the light-emitting element, and the black matrix has a maximum particle size of 1 nm or more and a physical adsorption type desiccant having a thickness of the black matrix or less. Is preferably contained in a proportion of more than 0 wt% and not more than 50 wt%. In particular, the black matrix preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the black matrix in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt%.
上記発光装置において、第2の基板は、発光素子の発光領域と重なる位置に設けられた着
色層と、発光領域と重ならない位置に設けられたブラックマトリクスと、着色層及びブラ
ックマトリクスを覆うオーバーコート層と、を有し、オーバーコート層は、最大粒径が1
nm以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50w
t%以下の割合で含むことが好ましい。特にオーバーコート層は、最大粒径が1nm以上
該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く30wt%以下
の割合で含むことが好ましい。
In the above light-emitting device, the second substrate includes a colored layer provided at a position overlapping with the light-emitting region of the light-emitting element, a black matrix provided at a position not overlapping with the light-emitting region, and an overcoat covering the colored layer and the black matrix. The overcoat layer has a maximum particle size of 1
A physical adsorption type desiccant having a thickness not less than nm and not more than the thickness of the overcoat layer is more than 0 wt% and 50 w
It is preferable to contain it in the ratio of t% or less. In particular, the overcoat layer preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the overcoat layer in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt% or less.
本発明の一態様の発光装置は、着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層の少なく
ともいずれか一に物理吸着型乾燥剤を含むことで、作製工程中等に、発光装置の内部に侵
入し発光装置の内部に残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によって吸着することがで
きる。
The light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a physical adsorption desiccant in at least one of the coloring layer, the black matrix, and the overcoat layer, so that the light-emitting device enters the light-emitting device during a manufacturing process or the like. Impurities remaining inside can be adsorbed by the physical adsorption desiccant.
例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第1の基板、第2の基板、第1の基板上に設けられた各
膜、又は第2の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、該乾燥剤を含む層と近接している膜等(第2の基板や、第2の基
板上に設けられた着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層等)の表面や内部に侵
入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。
For example, the physical adsorption type desiccant is applied to the surface or the inside of the first substrate, the second substrate, each film provided on the first substrate, or each film provided on the second substrate. Impurities that penetrate and remain can be adsorbed. In particular, it penetrates into and remains on the surface or inside of a film or the like (second substrate, a colored layer provided on the second substrate, a black matrix, an overcoat layer, or the like) that is close to the layer containing the desiccant. Impurities can be easily adsorbed.
また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物により発光素子が
劣化することをさらに抑制することができる。
Further, even when the sealing ability is reduced and impurities enter the light emitting device from the outside, the impurities can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Accordingly, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities.
なお、スペーサ、絶縁膜、着色層、ブラックマトリクス、及びオーバーコート層において
、物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、それぞれの層が担う機能を果たせなくなる恐れがあ
るため、それぞれの層に含まれる物理吸着型乾燥剤は、50wt%以下、好ましくは30
wt%以下であることが好ましい。
Note that if the spacer, insulating film, colored layer, black matrix, and overcoat layer contain too much physical adsorption desiccant, the functions of each layer may not be achieved. Adsorption-type desiccant is 50 wt% or less, preferably 30
It is preferable that it is below wt%.
また、オーバーコート層及び着色層は、発光素子が発する光を発光装置の外部に取り出す
際に、該光が通過する層であるため、光の散乱が起こりにくいことが好ましい。よって、
オーバーコート層及び着色層に含む物理吸着型乾燥剤は、最大粒径が1nm以上300n
m以下であることが好ましい。
In addition, the overcoat layer and the colored layer are layers through which light passes when light emitted from the light-emitting element is extracted to the outside of the light-emitting device. Therefore,
The physical adsorption type desiccant included in the overcoat layer and the colored layer has a maximum particle size of 1 nm to 300 n.
m or less is preferable.
また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置を表示部に有する電子機器である。また、
本発明の一態様は、上記構成の発光装置を照明部に有する照明装置である。本発明の一態
様の発光装置は、有機EL素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難
いため、電子機器又は照明装置に適用することで、信頼性の高い電子機器又は照明装置を
実現することができる。
Another embodiment of the present invention is an electronic device including the light-emitting device having the above structure in a display portion. Also,
One embodiment of the present invention is a lighting device including the light-emitting device having the above structure in a lighting portion. Since the light-emitting device of one embodiment of the present invention can suppress deterioration of the organic EL element and the short-circuit between the lower electrode and the upper electrode is difficult, by applying the light-emitting device to an electronic device or a lighting device, a highly reliable electronic device or An illumination device can be realized.
有機EL素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難い、信頼性の高い
発光装置を提供することができる。また、該発光装置を備えた、信頼性の高い電子機器又
は照明装置を提供することができる。
A highly reliable light-emitting device in which deterioration of the organic EL element can be suppressed and the lower electrode and the upper electrode are hardly short-circuited can be provided. In addition, a highly reliable electronic device or lighting device including the light-emitting device can be provided.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and
The repeated description is omitted.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1、図2及び図10を用いて説
明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の一態様の発光装置は、第1の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光部を備え
る。本実施の形態では、封止体として第2の基板及び封止材を用いる構成を例に挙げて説
明する。第1の基板及び第2の基板は互いに対向している。封止材は、発光部の外周を囲
むように設けられている。発光部は、発光素子(有機EL素子)及び隔壁を含む。該発光
素子は、第1の基板上に第1の電極を有し、第1の電極上に発光性の有機化合物を含む層
(EL層)を有し、EL層上に第2の電極を有する。該隔壁は、第1の電極の端部を覆い
、かつ発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。
The light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a light-emitting portion in a space surrounded by the first substrate and the sealing body. In this embodiment, a structure in which a second substrate and a sealing material are used as a sealing body will be described as an example. The first substrate and the second substrate are opposed to each other. The sealing material is provided so as to surround the outer periphery of the light emitting unit. The light emitting unit includes a light emitting element (organic EL element) and a partition. The light-emitting element includes a first electrode over a first substrate, a layer containing a light-emitting organic compound (EL layer) over the first electrode, and a second electrode over the EL layer. Have. The partition wall covers the end portion of the first electrode and has an opening at a position overlapping the light emitting region of the light emitting element.
本発明の一態様では、第1の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光部(発光素子)を
備えることから、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子が劣化
することを抑制できる。
In one embodiment of the present invention, since a light-emitting portion (light-emitting element) is provided in a space surrounded by the first substrate and the sealing body, impurities such as moisture and oxygen enter from the outside of the light-emitting device to emit light. It can suppress that an element deteriorates.
かつ、本発明の一態様の発光装置において、隔壁は、最大粒径が1nm(ナノメートル)
以上EL層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む。したがって、本発明の一態様では、作
製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によって吸
着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光素子が劣化
することを抑制できる。
In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the partition wall has a maximum particle size of 1 nm (nanometers).
The physical adsorption type desiccant below the thickness of the EL layer is included. Therefore, in one embodiment of the present invention, impurities that enter and remain inside the light-emitting device during a manufacturing process or the like can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Thus, deterioration of the light-emitting element due to impurities remaining inside the light-emitting device can be suppressed.
例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第1の基板、第2の基板、第1の基板上に設けられた各
膜、又は第2の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、隔壁と近接する膜等(第1の基板や、第1の基板と有機EL素子
との間に設けられた下地膜、有機EL素子を駆動するトランジスタを構成する膜等)の表
面や内部に侵入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。
For example, the physical adsorption type desiccant is applied to the surface or the inside of the first substrate, the second substrate, each film provided on the first substrate, or each film provided on the second substrate. Impurities that penetrate and remain can be adsorbed. In particular, the surface or the inside of a film or the like close to the partition wall (the first substrate, a base film provided between the first substrate and the organic EL element, a film constituting a transistor for driving the organic EL element, or the like) Impurities that penetrate and remain in can be easily adsorbed.
また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物による発光素子の
劣化を抑制することができる。
Further, even when the sealing ability is reduced and impurities enter the light emitting device from the outside, the impurities can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Accordingly, deterioration of the light-emitting element due to impurities can be suppressed.
ところで、有機EL素子において、下部電極(本実施の形態では第1の電極)の表面が平
坦化されていない、又は第1の電極上にゴミが存在するために、第1の電極上にEL層が
均一に成膜されず、EL層が欠損する場合がある。このような場合、該EL層上に上部電
極(本実施の形態では第2の電極)が形成されると、EL層が形成されていない欠損箇所
において、第1の電極及び第2の電極(陽極及び陰極)が接し、短絡するという不具合が
生じる。
By the way, in the organic EL element, the surface of the lower electrode (the first electrode in this embodiment) is not flattened, or dust is present on the first electrode. The layer may not be uniformly formed, and the EL layer may be lost. In such a case, when the upper electrode (second electrode in this embodiment) is formed over the EL layer, the first electrode and the second electrode (in the defect portion where the EL layer is not formed) A problem arises that the anode and the cathode are in contact with each other and short-circuited.
第1の電極の端部を覆う隔壁は、発光素子の発光領域と重なる位置に開口部を有する。こ
の隔壁の端部(開口端)に凹凸が存在すると、発光素子において、EL層が形成されない
欠損箇所が生じる可能性がある。そして、EL層が形成されていない欠損箇所において、
第1の電極及び第2の電極(陽極及び陰極)が接し、短絡するという不具合が生じる。
The partition covering the end portion of the first electrode has an opening at a position overlapping the light emitting region of the light emitting element. When unevenness is present at the end portion (opening end) of the partition wall, a defective portion where the EL layer is not formed may occur in the light emitting element. And in the missing part where the EL layer is not formed,
The first electrode and the second electrode (anode and cathode) are in contact with each other, resulting in a short circuit.
この観点から、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、十分に小さい粒径であることが好ま
しい。かつ、隔壁中に、物理吸着型乾燥剤を多く含みすぎないことが好ましい。なお、物
理吸着型乾燥剤は、粒径が小さいほど表面積が大きくなるため、少量でより大きな吸湿効
果を得ることができる。
From this viewpoint, the physical adsorption type desiccant contained in the partition walls preferably has a sufficiently small particle size. Moreover, it is preferable that the partition walls do not contain too much physical adsorption desiccant. In addition, since the physical adsorption type desiccant has a larger surface area as the particle size is smaller, a larger moisture absorption effect can be obtained with a small amount.
具体的に、本発明の一態様の発光装置と比較の発光装置を用いて説明する。図10(A)
に本発明の一態様の発光装置を示し、図10(B)に比較の発光装置を示す。図10(A
)(B)に示す発光装置は、第1の基板801上に有機EL素子である発光素子130を
有する。
Specifically, a light-emitting device of one embodiment of the present invention and a comparative light-emitting device are described. FIG. 10 (A)
FIG. 10 illustrates a light-emitting device of one embodiment of the present invention, and FIG. 10B illustrates a comparative light-emitting device. FIG.
The light emitting device shown in (B) includes a
図10(A)(B)に示す発光装置は、第1の基板801上に、第1の電極118が形成
されている。また、第1の電極118の端部は、隔壁124で覆われている。また、第1
の電極118上にはEL層120が形成されており、EL層120上には第2の電極12
2が形成されている。
In the light-emitting device shown in FIGS. 10A and 10B, a
An
2 is formed.
図10(A)に示す本発明の一態様の発光装置と、図10(B)に示す比較の発光装置の
違いは、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤である。
A difference between the light-emitting device of one embodiment of the present invention illustrated in FIG. 10A and the comparative light-emitting device illustrated in FIG. 10B is a physical adsorption desiccant included in the
図10(B)に示す比較の発光装置において、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤1
26は、粒径がEL層120の膜厚よりも大きい。図10(A)に示す本発明の一態様の
発光装置において、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤125は、物理吸着型乾燥剤
126に比べて、粒径が小さく、EL層120の膜厚よりも小さい。
In the comparative light emitting device shown in FIG. 10 (B), the physical adsorption type desiccant 1 contained in the
No. 26 has a particle size larger than the film thickness of the
図10(B)に示すように、隔壁124の端部(開口端)に物理吸着型乾燥剤126に由
来する凹凸が存在すると、発光素子130において、EL層120が形成されない欠損箇
所が生じる。そして、該欠損箇所では、第1の電極118及び第2の電極122が接し、
短絡するという不具合が生じる。
As shown in FIG. 10B, when unevenness derived from the
The problem of short circuiting occurs.
しかし、本発明の一態様の発光装置において、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤1
25は、最大粒径が1nm以上EL層120の膜厚以下である。よって、図10(A)に
示すように、物理吸着型乾燥剤125に由来する凹凸により、EL層120が形成されな
い欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁124の端部付近において第1の電極118と第
2の電極122が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
However, in the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the physical adsorption type desiccant 1 included in the
25, the maximum particle size is 1 nm or more and less than the film thickness of the
また、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤125の割合が低いほど、乾燥剤に由来す
る凹凸が隔壁の端部に生じる確率が低くなり、EL層が形成されない欠損箇所が生じるこ
とを抑制することができる。具体的には、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤125
の割合は、0wt%より多く50wt%以下が好ましく、30wt%以下であることがさ
らに好ましい。
In addition, the lower the proportion of the physical
The ratio is preferably more than 0 wt% and 50 wt% or less, and more preferably 30 wt% or less.
また、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤125は、ナノサイズ(つまり最大粒径が
1nm以上1000nm以下)であることが好ましく、300nm以下であることが特に
好ましい。最大粒径が300nm以下であると、物理吸着型乾燥剤125に由来する凹凸
により、EL層120が形成されない欠損箇所が生じることを特に抑制することができ、
隔壁124の端部付近において第1の電極118と第2の電極122が短絡し難い、信頼
性の高い発光装置を提供することができる。
Further, the physical
A highly reliable light-emitting device in which the
以下に本発明の一態様の発光装置の一例を示す。 Examples of the light-emitting device of one embodiment of the present invention are described below.
(構成例1)
図1(A)に、本発明の一態様の発光装置の平面図を示す。図1(A)におけるA−B間
の断面図を図1(B)に示す。
(Configuration example 1)
FIG. 1A is a plan view of a light-emitting device of one embodiment of the present invention. A cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 1A is shown in FIG.
図1(A)(B)に示す発光装置は、第1の基板801、第2の基板806、及び封止材
805に囲まれた空間810内に、発光部802が設けられている。
In the light-emitting device illustrated in FIGS. 1A and 1B, a light-emitting
発光部802は、発光素子130(第1の電極118、EL層120、及び第2の電極1
22)を有する。隔壁124は、第1の電極118の端部を覆い、かつ発光素子130の
発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。また、隔壁124は、最大粒径が1n
m以上EL層120の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤125を含む。
The light-emitting
22). The
A physical
隔壁124は、樹脂を用いて形成することができる。例えば、ポリイミド系樹脂、アクリ
ル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂等を用いることが
できる。
The
特に、隔壁124の作製が容易となるため、感光性の光によってエッチャントに不溶解性
となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感
光性樹脂を用いることが好ましい。
In particular, since the
特に、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂は、
透湿性や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾燥剤
が水分等をより吸着しやすく、好ましい。
In particular, acrylic resins, siloxane resins, epoxy resins, and phenolic resins
Since the moisture permeability and water permeability are high, the desiccant contained in the partition is preferable because it easily adsorbs moisture and the like.
隔壁124は、第1の電極118の端部を覆って設けられている。隔壁124の上層に形
成されるEL層120や第2の電極122の被覆性を良好なものとするため、隔壁124
の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、
隔壁124の上端部又は下端部に曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせ
るのが好ましい。
A
It is preferable that a curved surface having a curvature is formed at the upper end portion or the lower end portion. For example,
It is preferable to provide a curved surface having a curvature radius (0.2 μm to 3 μm) at the upper end portion or the lower end portion of the
物理吸着型乾燥剤125としては、例えば、シリカゲルやゼオライトを用いることができ
る。特に、ゼオライトは、粒径を十分に小さくする、隔壁を構成する樹脂材料に含ませる
、湿度が低い環境下でも水分等を吸着する、等の観点からも好適に用いることができるた
め好ましい。
As the physical
物理吸着型乾燥剤125は、最大粒径が1nm以上EL層120の膜厚以下である。好ま
しくは、1000nm以下であり、さらに好ましくは、300nm以下である。このよう
に、物理吸着型乾燥剤125がナノサイズの構成であると、隔壁124に用いる樹脂中で
凝集しやすい場合がある。シランカップリング剤で表面を修飾した物理吸着型乾燥剤12
5を用いることで凝集を抑制することができる。
The physical
Aggregation can be suppressed by using 5.
本実施の形態の発光装置は、第1の基板801、第2の基板806、及び封止材805に
囲まれた空間810内に、発光部802(発光素子130)を備えることから、発光装置
の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子130が劣化することを抑制でき
る。
Since the light-emitting device of this embodiment includes the light-emitting portion 802 (light-emitting element 130) in a
かつ、本実施の形態の発光装置において、隔壁124は、物理吸着型乾燥剤125を含む
。したがって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾
燥剤125によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物に
より、発光素子130が劣化することを抑制できる。
In the light emitting device of this embodiment, the
さらに、本実施の形態の発光装置において、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤12
5は、最大粒径が1nm以上EL層120の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤
125に由来する凹凸により、EL層120が形成されない欠損箇所が生じることを抑制
し、隔壁124の端部付近において第1の電極118と第2の電極122が短絡すること
を抑制することができる。
Further, in the light emitting device of the present embodiment, the physical adsorption type desiccant 12 included in the
5 has a maximum particle size of 1 nm or more and less than the film thickness of the
なお、本発明において、隔壁124は、単層に限られず、複数の層からなっていても良い
。隔壁124が、複数の層からなる場合、物理吸着型乾燥剤125を少なくともいずれか
一層に含めば良い。複数の層からなる隔壁124を備える本発明の一態様の発光装置の例
を以下に示す。
In the present invention, the
(構成例2)
図1(A)におけるA−B間の断面図を図1(C)に示す。
(Configuration example 2)
A cross-sectional view taken along a line AB in FIG. 1A is illustrated in FIG.
図1(C)に示す発光装置は、第1の基板801、第2の基板806、及び封止材805
に囲まれた空間810内に、発光部802が設けられている。
A light-emitting device illustrated in FIG. 1C includes a
A light-emitting
発光部802は、発光素子130(第1の電極118、EL層120、及び第2の電極1
22)を有する。隔壁124は、第1の電極118の端部を覆い、かつ発光素子130の
発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。
The light-emitting
22). The
図1(C)に示す発光装置において、隔壁124は、第1の層124a及び第2の層12
4bからなる。具体的には、第1の層124a上に第2の層124bが設けられている。
第1の層124aは、最大粒径が1nm以上EL層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤125
を含む。かつ、第2の層124bは、物理吸着型乾燥剤125を含まない。
In the light-emitting device illustrated in FIG. 1C, the
4b. Specifically, the
The
including. The
物理吸着型乾燥剤125を含む層(構成例2では、第1の層124a)は、アクリル系樹
脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂を用いて形成することが
好ましい。アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂
は、透湿性や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾
燥剤が水分等をより吸着しやすく、好ましい。
The layer containing the physical adsorption desiccant 125 (in the configuration example 2, the
また、物理吸着型乾燥剤125を含まない層(構成例2では、第2の層124b)は、物
理吸着型乾燥剤125を含む層と同じ材料で形成しても良く、異なる材料で形成しても良
い。例えば、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あ
るいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、
酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
In addition, the layer not including the physical adsorption desiccant 125 (in the configuration example 2, the
Inorganic compounds such as silicon oxide and silicon oxynitride can be used.
(構成例3)
図2(A)に示す隔壁204のように、第1の層204aの上面形状に比べて、第2の層
204bの下面形状が小さい構成であっても良い。第1の層204aは、物理吸着型乾燥
剤125を含み、かつ、第2の層204bは、物理吸着型乾燥剤125を含まない。
(Configuration example 3)
As in the
(構成例4)
図2(B)に示す隔壁214のように、第2の層214bが、第1の層214aを覆う構
成であっても良い。第1の層214aは、物理吸着型乾燥剤125を含み、かつ、第2の
層214bは、物理吸着型乾燥剤125を含まない。
(Configuration example 4)
As in the
図2(B)の構成を適用した発光装置において、隔壁214の表面は物理吸着型乾燥剤を
含まない第2の層214bからなるため、隔壁214の端部付近において、第1の電極と
第2の電極がより短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
In the light-emitting device to which the structure in FIG. 2B is applied, the surface of the
図2(B)の構成を適用した発光装置において、物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、第2の
層214bの膜厚とEL層の膜厚の和より小さければ、隔壁214の端部付近において、
第1の電極と第2の電極がより短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができ
る。よって、EL層が薄い場合であっても、比較的最大粒径の大きな物理吸着型乾燥剤を
適用できる。
In the light-emitting device to which the structure in FIG. 2B is applied, if the maximum particle size of the physical adsorption desiccant is smaller than the sum of the thickness of the
A highly reliable light-emitting device in which the first electrode and the second electrode are less likely to be short-circuited can be realized. Therefore, even if the EL layer is thin, a physical adsorption desiccant having a relatively large maximum particle size can be applied.
(構成例5)
図2(C)に示す隔壁224は、第1の層224a及び第2の層224bからなる。具体
的には、第2の層224bが、第1の層224aを覆う構成である。第1の層224aは
、物理吸着型乾燥剤125を含まない。かつ、第2の層224bは、最大粒径が1nm以
上EL層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤125を含む。
(Configuration example 5)
A
(構成例6)
図2(D)に示す隔壁234のように、第1の層234aの上面形状と、第2の層234
bの下面形状が等しい構成であっても良い。第1の層234aは、物理吸着型乾燥剤12
5を含まない。かつ、第2の層234bは、物理吸着型乾燥剤125を含む。
(Configuration example 6)
Like the
The bottom surface shape of b may be equal. The
5 is not included. In addition, the
(構成例7)
図2(E)に示す隔壁244のように、第1の層244aの上面形状に比べて、第2の層
244bの下面形状が小さい構成であっても良い。第1の層244aは、物理吸着型乾燥
剤125を含まない。かつ、第2の層244bは、物理吸着型乾燥剤125を含む。
(Configuration example 7)
As in the
構成例5〜7のように、第1の層上に、物理吸着型乾燥剤125を含む第2の層が設けら
れていると、設けられていない場合(つまり、隔壁が乾燥剤を含まない従来の隔壁である
場合)に比べて、第1の層とEL層(又は第2の電極)が接する面積が小さく(特に構成
例5では、第1の層224aは、EL層や第2の電極と接しない)、第1の層に残留する
不純物は、第1の層からEL層(又は第2の電極)に直接侵入しづらい。該不純物は、E
L層に侵入する前に、第2の層内に侵入する可能性が高くなる。よって、該不純物を、第
2の層に含まれる物理吸着型乾燥剤125によって吸着しやすくなるため、不純物が発光
素子に侵入することを抑制することができる。
When the 2nd layer containing the physical
Before entering the L layer, the possibility of entering the second layer increases. Therefore, the impurities can be easily adsorbed by the
特に、構成例6、7は、隔壁の端部(特に末端)が、物理吸着型乾燥剤125を含まない
第1の層からなる。よって、物理吸着型乾燥剤125に由来する凹凸が第1の層に存在し
たとしても、第1の層を覆う第2の層により平坦化されるため、EL層が形成されない欠
損箇所が生じることを特に抑制し、隔壁上に形成する膜の被覆性を高め、第1の電極と第
2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
In particular, in the configuration examples 6 and 7, the end portion (particularly the end) of the partition wall is formed of the first layer that does not include the
<本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料>
以下に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、隔壁
及び物理吸着型乾燥剤については先の記載を参酌できる。
<Materials that can be used for light-emitting device of one embodiment of the present invention>
Examples of materials that can be used for the light-emitting device of one embodiment of the present invention are described below. The above description can be referred to for the partition walls and the physical adsorption type desiccant.
[第1の基板801、第2の基板806]
基板としては、ガラス、石英、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光素子から
の光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
[
As the substrate, materials such as glass, quartz, and organic resin can be used. The substrate on the side from which light from the light-emitting element is extracted is formed using a material that transmits light.
基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアク
リルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート
(PC)樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフ
ィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
When an organic resin is used as the substrate, examples of the organic resin include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylonitrile resins, polyimide resins, polymethyl methacrylate resins, and polycarbonate (PC) resins. Polyether sulfone (PES) resin, polyamide resin, cycloolefin resin, polystyrene resin, polyamideimide resin, polyvinyl chloride resin, or the like can be used. A substrate in which glass fiber is impregnated with an organic resin or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin can also be used.
なお、第1の基板801に含まれる不純物が第1の基板801上に設けられる各素子に拡
散することを抑制するため、基板801の表面には絶縁層を設けることが好ましい。
Note that an insulating layer is preferably provided on the surface of the
[発光素子130]
第1の電極118は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて
形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用
いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの
合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金
)や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が
高いため好ましい。
[Light emitting element 130]
The
EL層120は、少なくとも発光物質を含む層(発光層)を有する。そのほか、電子輸送
性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層
、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。EL層の構成
例は実施の形態4で詳細に説明する。
The
第2の電極122に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、
ITO、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いる
ことができる。
As a light-transmitting material that can be used for the
ITO, indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide to which gallium is added, or the like can be used.
また、第2の電極122として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデ
ン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又
は、それら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いてもよい。又は、グラフェ
ン等を用いても良い。なお、金属材料(又はその窒化物)を用いる場合、透光性を有する
程度に薄くすればよい。
As the
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示したが
、ボトムエミッション構造(下面射出構造)又はデュアルエミッション構造(両面射出構
造)の発光装置としても良い。
Note that in the present embodiment, the light emission device having the top emission structure is illustrated, but a light emission device having a bottom emission structure (bottom emission structure) or a dual emission structure (double emission structure) may be used.
[封止材805]
封止材805は、公知のシール材やガラスフリット等を用いて形成できる。具体的には、
熱硬化樹脂、又は光硬化樹脂などの有機樹脂や、低融点ガラスなどの材料を用いることが
できる。また、シール材に乾燥剤が含まれていても良い。
[Sealing material 805]
The sealing
An organic resin such as a thermosetting resin or a photo-curing resin, or a material such as low-melting glass can be used. Moreover, the desiccant may be contained in the sealing material.
[封止体]
本実施の形態では、封止体として、第2の基板及び封止材を用いる構成を例に説明したが
、封止体として、透湿性の低い薄膜を用いることもできる。透湿性の低い薄膜としては、
無機絶縁膜を用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜等を用いることができる。封止体として、透湿性の低い薄膜を単層又は積層で
用いることができる。また、透湿性の低い薄膜は、第2の基板及び封止材と組み合わせて
適用することもできる。
[Sealed body]
In this embodiment, the structure using the second substrate and the sealing material is described as an example of the sealing body, but a thin film with low moisture permeability can also be used as the sealing body. As a thin film with low moisture permeability,
An inorganic insulating film can be used. Specifically, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum nitride film, an aluminum oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, or the like can be used. As the sealing body, a thin film with low moisture permeability can be used as a single layer or a stacked layer. A thin film with low moisture permeability can also be applied in combination with the second substrate and the sealing material.
[空間810]
空間810は、希ガスもしくは窒素ガスなどの不活性ガス、又は有機樹脂などの固体で充
填されていてもよく、減圧雰囲気であってもよい。
[Space 810]
The
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、第1の基板及び封止体に囲まれた空間内に
、発光部(発光素子)を備えることから、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が
侵入し、発光素子が劣化することを抑制できる。
As described above, the light-emitting device of one embodiment of the present invention includes the light-emitting portion (light-emitting element) in the space surrounded by the first substrate and the sealing body. It is possible to suppress deterioration of the light-emitting element due to intrusion of impurities such as.
かつ、本発明の一態様の発光装置において、隔壁は、物理吸着型乾燥剤を含む。したがっ
て、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾燥剤によっ
て吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光素子が
劣化することを抑制できる。
In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the partition includes a physical adsorption desiccant. Therefore, impurities that enter and remain inside the light emitting device during the manufacturing process can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Thus, deterioration of the light-emitting element due to impurities remaining inside the light-emitting device can be suppressed.
さらに、本発明の一態様の発光装置において、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、最大
粒径が1nm以上EL層の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤に由来する凹凸に
より、EL層が形成されない欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁の端部付近において第
1の電極と第2の電極が短絡することを抑制することができる。
Furthermore, in the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the physical adsorption desiccant included in the partition wall has a maximum particle size of 1 nm or more and less than the film thickness of the EL layer. Therefore, the unevenness derived from the physical adsorption desiccant suppresses the occurrence of a defective portion where the EL layer is not formed, and suppresses the first electrode and the second electrode from being short-circuited in the vicinity of the end of the partition wall. Can do.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図3及び図4を用い
て説明する。特に、発光部802の作製方法を説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In particular, a method for manufacturing the light-emitting
本実施の形態では、隔壁に感光性樹脂を用い、物理吸着型乾燥剤125としてゼオライト
を用いる場合を例に挙げて説明する。
In this embodiment, a case where a photosensitive resin is used for the partition and zeolite is used as the physical
(構成例1)
はじめに、構成例1(図1(B))の作製方法の一例について、図3を用いて説明する。
(Configuration example 1)
First, an example of a manufacturing method of Structural Example 1 (FIG. 1B) will be described with reference to FIGS.
まず、第1の基板801上に第1の電極118を形成する(図3(A))。
First, the
次に、第1の電極118上に、物理吸着型乾燥剤125を含む樹脂層134を形成する(
図3(B))。
Next, a
FIG. 3 (B)).
ここで、樹脂層134を形成するための材料について説明する。
Here, a material for forming the
まず、物理吸着型乾燥剤125として用いる、最大粒径が1nm以上EL層の膜厚以下で
あるゼオライトを、凍結乾燥等で乾燥させる。特に最大粒径が、1nm以上1000nm
以下であることが好ましく、さらに300nm以下であることが好ましい。
First, the zeolite having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the thickness of the EL layer used as the
Or less, more preferably 300 nm or less.
次に、シランカップリング剤等を用いて、ゼオライトの表面修飾を行う。これにより、樹
脂中でのゼオライトの凝集を抑制することができる。
Next, the surface of the zeolite is modified using a silane coupling agent or the like. Thereby, aggregation of the zeolite in resin can be suppressed.
最後に、押し出し機等を用いて、樹脂層134に用いる感光性樹脂にゼオライトを分散さ
せる。このとき、感光性樹脂に含まれるゼオライトの割合は、0wt%より多く50wt
%以下であることが好ましく、30wt%以下であることがさらに好ましい。
Finally, zeolite is dispersed in the photosensitive resin used for the
% Or less, and more preferably 30 wt% or less.
以上の工程で得た、物理吸着型乾燥剤125を含む感光性樹脂を用いて、樹脂層134を
形成する。例えば、不活性雰囲気下で、スピナー、スリットコーター等のコーティング装
置を用いて、ゼオライトを含む感光性樹脂を塗布すれば良い。
The
そして、マスク135を用いて樹脂層134に対して選択的に露光を行う。なお、ゼオラ
イトを含む感光性樹脂は、酸素存在下で、光による硬化が起こりにくい場合がある。この
場合、窒素雰囲気やアルゴン雰囲気等の不活性雰囲気で、樹脂層134を硬化させること
が好ましい。ここでは、窒素雰囲気下で露光を行う。
Then, the
その後、現像を行うことで、樹脂層134から隔壁124を形成する(図3(C))。
After that, development is performed to form the
なお、隔壁124の形成方法はこれに限られず、スクリーン印刷法や、インクジェット法
を用いて形成しても良い。
Note that the method for forming the
次に、隔壁124に含まれる水分等の不純物を除去するため、加熱処理を行う。本実施の
形態では、第1の基板801を洗浄し、窒素雰囲気下で200〜300℃(好ましくは2
50〜300℃)の加熱処理を行い、さらに真空中で200〜300℃(好ましくは25
0〜300℃)の加熱処理を行う。
Next, heat treatment is performed to remove impurities such as moisture contained in the
Heat treatment at 50 to 300 ° C., and further 200 to 300 ° C. (preferably 25 in vacuum).
0 to 300 ° C.).
真空中での加熱処理の後は、大気にさらすことなく第1の基板801を搬送し、蒸着を行
い、第1の電極118及び隔壁124上にEL層120を形成する。そして、EL層12
0上に、第2の電極122を形成する。以上の工程により、第1の基板801上に発光素
子130を作製することができる。
After the heat treatment in vacuum, the
A
(構成例2)
次に、構成例2(図1(C))の作製方法の一例について、図3、4を用いて説明する。
(Configuration example 2)
Next, an example of a manufacturing method of Structural Example 2 (FIG. 1C) will be described with reference to FIGS.
まず、第1の基板801上に第1の電極118を形成する(図3(A))。
First, the
次に、第1の電極118上に、物理吸着型乾燥剤125を含む第1の層124aを形成す
る。第1の層124aは、構成例1を作製する際の樹脂層134の形成方法と同様の方法
で形成することができる。本実施の形態では、ゼオライトを含む感光性樹脂を塗布するこ
とで第1の樹脂層134aを形成し、マスク135を用いて第1の樹脂層134aに対し
て選択的に露光を行う(図4(A))。そして、現像を行った後、加熱処理を行うことで
第1の層124aを形成する(図4(B))。
Next, the
次に、第1の層124a上に、物理吸着型乾燥剤125を含まない第2の樹脂層134b
を形成する。本実施の形態では、窒素雰囲気下で、コーティング装置を用いて、第1の樹
脂層134aに用いる感光性樹脂と同じ樹脂を塗布する。
Next, on the
Form. In this embodiment, the same resin as the photosensitive resin used for the
次に、マスク135を用いて第2の樹脂層134bに対して選択的に露光を行う(図4(
C))。
Next, the
C)).
その後、現像を行い、加熱処理を行うことで、第2の層124bを形成する。以上により
、第1の層124a及び第2の層124bからなる隔壁124を形成する(図4(D))
。本作製方法では、第1の層124a及び第2の層124bを、一つのフォトマスクを用
いて形成することができ、作製に要するマスク枚数が増えないため、好ましい。
Thereafter, development is performed and heat treatment is performed, so that the
. This manufacturing method is preferable because the
なお、第1の樹脂層134a及び第2の樹脂層134bを順に塗布した後、一度に露光や
現像、加熱処理を行うことで、第1の層124a及び第2の層124bを形成しても良く
、作製工程が少なくなるため、好ましい。
Note that even after the
以降は、構成例1と同様の工程を行うことで、第1の基板801上に発光素子130を作
製することができる(図4(C))。
After that, the light-emitting
(構成例3)
構成例3(図2(A))は、例えば、構成例2の作製方法において、第1の樹脂層134
aに用いる感光性樹脂と、第2の樹脂層134bに用いる感光性樹脂を異なる材料とし、
第1の層204aと第2の層204bの現像のレートに差をつけることで作製することが
できる。
(Configuration example 3)
In Structural Example 3 (FIG. 2A), for example, in the manufacturing method of Structural Example 2, the
The photosensitive resin used for a and the photosensitive resin used for the
The
(構成例4)
構成例4(図2(B))は、例えば、構成例2の作製方法において、第1の樹脂層134
aを露光する際に用いるマスクと、第2の樹脂層134bを露光する際に用いるマスクと
を異なるものとすることで、作製することができる。
(Configuration example 4)
In Structural Example 4 (FIG. 2B), for example, in the manufacturing method of Structural Example 2, the
The mask can be manufactured by making the mask used when exposing a different from the mask used when exposing the
(構成例5〜7)
構成例5〜7(図2(C)〜(E))では、第1の樹脂層134aを、物理吸着型乾燥剤
125を含まない感光性樹脂を用いて形成し、第2の樹脂層134bを、物理吸着型乾燥
剤125を含む感光性樹脂を用いて形成する。それ以外の方法は、構成例5は、構成例4
と同じ方法を適用することができる。同様に、構成例6は、構成例2と同じ方法を、構成
例7は、構成例3と同じ方法を適用することができる。
(Configuration examples 5 to 7)
In Structural Examples 5 to 7 (FIGS. 2C to 2E), the
The same method can be applied. Similarly, the same method as the configuration example 2 can be applied to the configuration example 6, and the same method as the configuration example 3 can be applied to the configuration example 7.
構成例2、3、6、7は、隔壁が複数の層からなるが、単層の場合と同じ枚数のマスクで
作製することができるため、好ましい。
Structural examples 2, 3, 6, and 7 are preferable because the partition wall includes a plurality of layers but can be manufactured using the same number of masks as in the case of a single layer.
以上のように、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。 As described above, the light-emitting device of one embodiment of the present invention can be manufactured.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図5を用いて説明する。図5(A
)は本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図5(B)は、発光装置が備える発
光部の一例を示す断面図であり、図5(C)は、図5(A)を鎖線C−Dで切断した断面
図である。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
) Is a plan view illustrating a light-emitting device of one embodiment of the present invention, FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting portion included in the light-emitting device, and FIG. Is a cross-sectional view taken along a chain line CD.
本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、第1の基板801上に、発光
部802、駆動回路部803(ゲート側駆動回路部)、駆動回路部804(ソース側駆動
回路部)及び封止材805を有する。発光部802及び駆動回路部803、804は、第
1の基板801、第2の基板806及び封止材805で形成された空間に封止されている
。
An active matrix light-emitting device according to this embodiment includes a light-emitting
該発光装置は、第1の基板801、第2の基板806、及び封止材805に囲まれた空間
810内に、発光部802(発光素子130)を備えることから、発光装置の外部から水
分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子130が劣化することを抑制できる。
Since the light-emitting device includes a light-emitting portion 802 (light-emitting element 130) in a
図5(C)に示す発光部802は、スイッチング用のトランジスタ140aと、電流制御
用のトランジスタ140bと、電流制御用トランジスタ140bの配線(ソース電極また
はドレイン電極)に電気的に接続された第1の電極118とを含む複数の発光ユニットに
より形成されている。
The light-emitting
発光素子130は、第1の電極118、発光性の有機化合物を含む層(EL層)120、
及び第2の電極122によって構成されている。また、第1の電極118の端部を覆って
隔壁124が形成されている。また、隔壁124は、最大粒径が1nm以上EL層120
の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤125を含む。
The light-emitting
And the
A physical
本実施の形態の発光装置において、隔壁124は、物理吸着型乾燥剤125を含む。した
がって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾燥剤1
25によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、
発光素子130が劣化することを抑制できる。
In the light emitting device of this embodiment, the
It can be adsorbed by 25. Therefore, impurities remaining inside the light emitting device
It can suppress that the
さらに、本実施の形態の発光装置において、隔壁124に含まれる物理吸着型乾燥剤12
5は、最大粒径が1nm以上EL層120の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤
125に由来する凹凸により、EL層120が形成されない欠損箇所が生じることを抑制
し、隔壁124の端部付近において第1の電極118と第2の電極122が短絡すること
を抑制することができる。
Further, in the light emitting device of the present embodiment, the physical adsorption type desiccant 12 included in the
5 has a maximum particle size of 1 nm or more and less than the film thickness of the
図5(B)に、発光部802の別の構成を示す。図5(B)に示す発光部802は、隔壁
124上にスペーサ137を有する。発光装置において、隔壁124上にスペーサ137
を備えることで、一対の基板(第1の基板801及び第2の基板806)の間隔を一定に
保つことができる。スペーサ137の形状は逆テーパ形状に限られず、テーパ形状であっ
ても良い。
FIG. 5B illustrates another structure of the light-emitting
The distance between the pair of substrates (the
なお、図2(A)に示した本発明の一態様の隔壁124は、膜厚等を適宜選択することで
、第2の層124bがスペーサの機能を担う構成とすることができる。
Note that the
第1の基板801上には、駆動回路部803、804に外部からの信号(ビデオ信号、ク
ロック信号、スタート信号、またはリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子を接
続するための引き回し配線が設けられる。ここでは、外部入力端子としてFPC808(
Flexible Printed Circuit)を設ける例を示している。なお、
FPC808にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていてもよい。本明細書に
おける発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にFPCまたはPWBが取り
付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
On the
An example of providing a flexible printed circuit) is shown. In addition,
A printed wiring board (PWB) may be attached to the
駆動回路部803、804は、トランジスタを複数有する。図5では、駆動回路部803
が、nチャネル型のトランジスタ152及びpチャネル型のトランジスタ153を組み合
わせたCMOS回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路又はNMOS回路で形成することができる。また、本実施の形態では、発
光部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこ
の構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形
成することもできる。
The
Shows an example having a CMOS circuit in which an n-
<本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料>
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、
発光素子、封止材、空間、物理吸着型乾燥剤及び隔壁については、実施の形態1で例示し
た材料を適用することができる。
<Materials that can be used for light-emitting device of one embodiment of the present invention>
Examples of materials that can be used for the light-emitting device of one embodiment of the present invention are described below. Board,
For the light-emitting element, the sealing material, the space, the physical adsorption desiccant, and the partition, the materials exemplified in Embodiment 1 can be used.
[トランジスタ]
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタ(トランジスタ140a、140b、1
52、153等)の構造は特に限定されない。トップゲート型のトランジスタを用いても
良いし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、チャネ
ルエッチ型やチャネルストップ(チャネル保護)型としても良い。また、トランジスタに
用いる材料についても特に限定されない。
[Transistor]
Transistors used in the light-emitting device of one embodiment of the present invention (
52, 153, etc.) is not particularly limited. A top-gate transistor may be used, or a bottom-gate transistor such as an inverted staggered transistor may be used. Further, a channel etch type or a channel stop (channel protection) type may be used. There is no particular limitation on the material used for the transistor.
ゲート電極は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用
いて、単層で又は積層して形成することができる。
The gate electrode may be formed as a single layer or a stacked layer using a metal material such as molybdenum, titanium, chromium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, or scandium, or an alloy material containing these elements. it can.
ゲート絶縁層は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は酸化アルミニウムを単層で
又は積層して形成することができる。
The gate insulating layer can be formed using a single layer or a stack of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, or aluminum oxide, for example, using a plasma CVD method, a sputtering method, or the like.
半導体層は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半
導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、I
n−Ga−Zn−O系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層1
10としては、In−Ga−Zn−O系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電
流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子130のオフ時のリーク電流が
抑制できるため、好ましい。
The semiconductor layer can be formed using a silicon semiconductor or an oxide semiconductor. Examples of silicon semiconductors include single crystal silicon and polycrystalline silicon, and oxide semiconductors include I
An n-Ga-Zn-O-based metal oxide or the like can be used as appropriate. However, semiconductor layer 1
10, an oxide semiconductor that is an In—Ga—Zn—O-based metal oxide is used to form a semiconductor layer with a low off-current, thereby suppressing leakage current when the light-emitting
ソース電極層及びドレイン電極層としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、M
o、Wから選ばれた元素を含む金属膜、又は該元素を含む金属窒化物膜(窒化チタン膜、
窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。また、Al、Cuな
どの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜又はそれ
らの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させ
た構成としても良い。また、ソース電極層112a及びドレイン電極層112bは、導電
性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2
O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウムスズ酸化物(IT
O)、酸化インジウム酸化亜鉛(In2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に
酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
As the source electrode layer and the drain electrode layer, for example, Al, Cr, Cu, Ta, Ti, M
o, a metal film containing an element selected from W, or a metal nitride film containing the element (titanium nitride film,
A molybdenum nitride film, a tungsten nitride film, or the like can be used. Further, a refractory metal film such as Ti, Mo, W or the like or a metal nitride film thereof (titanium nitride film, molybdenum nitride film, tungsten nitride film) is formed on one or both of the lower side or upper side of the metal film such as Al or Cu. It is good also as a structure which laminated | stacked. The source electrode layer 112a and the drain electrode layer 112b may be formed using a conductive metal oxide. As the conductive metal oxide, indium oxide (In 2
O 3 etc.), tin oxide (SnO 2 etc.), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (IT
O), indium zinc oxide (such as In 2 O 3 —ZnO), or a metal oxide material containing silicon oxide can be used.
[第1の絶縁層114、第2の絶縁層116]
第1の絶縁層114は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果
を奏する。第1の絶縁層114としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化ア
ルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
[First insulating
The first insulating
第2の絶縁層116としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシク
ロブテン等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料
(low−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を
複数積層させることで、第2の絶縁層116を形成してもよい。
As the second insulating
第1の絶縁層114や第2の絶縁層116は、最大粒径が1nm以上各絶縁層の膜厚以下
の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含んでいても良い。特
に該絶縁膜が、最大粒径が1nm以上各絶縁層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt
%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。
The first insulating
It is preferable to contain in the ratio of more than 30% and 30 wt% or less.
発光装置を構成する絶縁膜に物理吸着型乾燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する
不純物を、より吸着することができる。よって、トランジスタ及び発光素子の間に設けら
れた絶縁膜(層間絶縁膜)や、第1の基板と有機EL素子との間に設けられた下地膜等に
、該乾燥剤を含む構成も、本発明の一態様に含まれる。これら絶縁膜に含まれる乾燥剤は
、有機EL素子を駆動するトランジスタの表面や内部に侵入し残留した不純物を、吸着す
ることができる。したがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制するこ
とができる。
By including a physical adsorption desiccant in the insulating film constituting the light emitting device, impurities existing inside the light emitting device can be more adsorbed. Therefore, a configuration in which the desiccant is included in an insulating film (interlayer insulating film) provided between the transistor and the light-emitting element, a base film provided between the first substrate and the organic EL element, or the like is also provided. It is included in one aspect of the invention. The desiccant contained in these insulating films can adsorb impurities that have penetrated and remained on the surface and inside of the transistor that drives the organic EL element. Accordingly, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities.
[スペーサ137]
スペーサ137は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料を用いて形成することができ
る。例えば、無機絶縁材料としては、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることがで
きる。有機絶縁材料としては、感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。ま
た、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。
[Spacer 137]
The
スペーサは、最大粒径が1nm以上該スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt
%より多く50wt%以下の割合で含むことが好ましい。特にスペーサが、最大粒径が1
nm以上該スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く30wt%以下
の割合で含むことが好ましい。隔壁だけでなく、スペーサにも物理吸着型乾燥剤を含むこ
とで、発光装置の内部に存在する不純物を、より吸着することができる。したがって、発
光装置の内部に存在する不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することがで
きる。
As for the spacer, a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and less than the thickness of the spacer is 0 wt%.
It is preferable to contain it in the ratio of more than 50% and 50 wt% or less. In particular, the spacer has a maximum particle size of 1
It is preferable that a physical adsorption type desiccant having a thickness of not less than nm and not more than the thickness of the spacer is included in a ratio of more than 0 wt% and not more than 30 wt%. By including the physical adsorption type desiccant in the spacer as well as the partition wall, impurities existing in the light emitting device can be more adsorbed. Therefore, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities present inside the light emitting device.
[カラーフィルタ166、ブラックマトリクス164]
基板806には、発光素子130(の発光領域)と重なる位置に、着色層であるカラーフ
ィルタ166が設けられている。カラーフィルタ166は、発光素子130からの発光色
を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装
置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の発光ユニットを用いる。そ
の場合、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色を用いても良いし、これに黄色(Y
)を加えた4色とすることもできる。
[
A
) To add four colors.
カラーフィルタは、最大粒径が1nm以上該カラーフィルタの膜厚以下の物理吸着型乾燥
剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含んでいても良い。特にカラーフィルタ
は、最大粒径が1nm以上該カラーフィルタの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%
より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。特に、カラーフィルタに含まれる
物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、300nm以下であることが好ましい。
The color filter may contain a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and less than or equal to the film thickness of the color filter in a ratio of more than 0 wt% and 50 wt% or less. In particular, the color filter has a physical adsorption type desiccant with a maximum particle size of 1 nm or more and less than the film thickness of the color filter.
It is preferable to contain more at a ratio of 30 wt% or less. In particular, the maximum particle size of the physical adsorption type desiccant contained in the color filter is preferably 300 nm or less.
また、隣接するカラーフィルタ166の間(発光素子130の発光領域と重ならない位置
)にはブラックマトリクス164が設けられている。ブラックマトリクス164は隣接す
る発光ユニットの発光素子130からの光を遮光し、隣接する発光ユニット間における混
色を抑制する。ここで、カラーフィルタ166の端部を、ブラックマトリクス164と重
なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス16
4は、発光素子130からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、有機樹脂
などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス164は、駆動回
路部803などの発光部802以外の領域に設けても良い。
A
4 can use a material that blocks light emitted from the
ブラックマトリクスは、最大粒径が1nm以上該ブラックマトリクスの膜厚以下の物理吸
着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含んでいても良い。特にブラッ
クマトリクスは、最大粒径が1nm以上該ブラックマトリクスの膜厚以下の物理吸着型乾
燥剤を、0wt%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。
The black matrix may contain a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the black matrix in a proportion of more than 0 wt% and 50 wt% or less. In particular, the black matrix preferably contains a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the black matrix in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt%.
また、カラーフィルタ166及びブラックマトリクス164を覆うオーバーコート層16
8が形成されている。オーバーコート層168は、発光素子130からの発光を透過する
材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバ
ーコート層168は不要ならば設けなくても良い。
The overcoat layer 16 covering the
8 is formed. The
オーバーコート層は、最大粒径が1nm以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型
乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含んでいても良い。特にオーバーコ
ート層は、最大粒径が1nm以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、
0wt%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。特に、オーバーコート層
に含まれる物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、300nm以下であることが好ましい。
The overcoat layer may contain a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the overcoat layer in a proportion of more than 0 wt% and 50 wt% or less. In particular, the overcoat layer has a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the overcoat layer.
It is preferable to contain it in a ratio of more than 0 wt% and 30 wt% or less. In particular, the maximum particle size of the physical adsorption desiccant contained in the overcoat layer is preferably 300 nm or less.
本発明の一態様の発光装置は、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、オーバーコート層
の少なくともいずれか一に物理吸着型乾燥剤を含む構成とすることで、作製工程中等に、
発光装置の内部に侵入し発光装置の内部に残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によっ
て吸着することができる。
The light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a physical adsorption desiccant in at least one of a color filter, a black matrix, and an overcoat layer, so that during a manufacturing process or the like,
Impurities that enter the light emitting device and remain inside the light emitting device can be adsorbed by the physical adsorption desiccant.
例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第1の基板、第2の基板、第1の基板上に設けられた各
膜、又は第2の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、該乾燥剤を含む層と近接している膜等(第2の基板や、第2の基
板上に設けられた着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層等)の表面や内部に侵
入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。
For example, the physical adsorption type desiccant is applied to the surface or the inside of the first substrate, the second substrate, each film provided on the first substrate, or each film provided on the second substrate. Impurities that penetrate and remain can be adsorbed. In particular, it penetrates into and remains on the surface or inside of a film or the like (second substrate, a colored layer provided on the second substrate, a black matrix, an overcoat layer, or the like) that is close to the layer containing the desiccant. Impurities can be easily adsorbed.
また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物により発光素子が
劣化することをさらに抑制することができる。
Further, even when the sealing ability is reduced and impurities enter the light emitting device from the outside, the impurities can be adsorbed by the physical adsorption desiccant. Accordingly, it is possible to further suppress the deterioration of the light emitting element due to the impurities.
なお、スペーサ、絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、及びオーバーコート層
において、物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、それぞれの層が担う機能を果たせなくなる
恐れがあるため、それぞれの層に含まれる物理吸着型乾燥剤は、50wt%以下が好まし
く、30wt%以下がさらに好ましい。
Note that if the spacer, insulating film, color filter, black matrix, and overcoat layer contain too much physical adsorption desiccant, the functions of each layer may not be achieved. The adsorptive desiccant is preferably 50 wt% or less, and more preferably 30 wt% or less.
また、オーバーコート層及びカラーフィルタは、発光素子が発する光を発光装置の外部に
取り出す際に、該光が通過する層であるため、光の散乱が起こりにくいことが好ましい。
よって、オーバーコート層及びカラーフィルタに含む物理吸着型乾燥剤は、最大粒径が1
nm以上300nm以下であると好ましい。
The overcoat layer and the color filter are layers through which light passes when the light emitted from the light-emitting element is extracted to the outside of the light-emitting device.
Therefore, the physical adsorption type desiccant included in the overcoat layer and the color filter has a maximum particle size of 1.
It is preferable that it is not less than nm and not more than 300 nm.
なお、本実施の形態では、カラーフィルタ方式を用いた発光装置を例に説明したが、本発
明の構成はこれに限られない。例えば、塗り分け方式や、色変換方式を適用しても良い。
なお、着色層の一例である、色変換方式を適用する際に用いる色変換層についても、物理
吸着型乾燥剤を含ませることができる。具体的には、最大粒径が1nm以上該色変換層の
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt%より多く50wt%以下の割合で含んでいても
良い。特に、最大粒径が1nm以上該色変換層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、0wt
%より多く30wt%以下の割合で含むことが好ましい。特に、色変換層に含まれる物理
吸着型乾燥剤の最大粒径は、300nm以下が好ましい。
Note that although a light-emitting device using a color filter method has been described as an example in this embodiment mode, the structure of the present invention is not limited to this. For example, a coloring method or a color conversion method may be applied.
In addition, a physical adsorption type desiccant can be included also in the color conversion layer used when applying the color conversion system which is an example of a colored layer. Specifically, a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and not more than the film thickness of the color conversion layer may be contained in a ratio of more than 0 wt% and 50 wt% or less. In particular, a physical adsorption type desiccant having a maximum particle size of 1 nm or more and less than the film thickness of the color conversion layer is 0 wt%.
It is preferable to contain in the ratio of more than 30% and 30 wt% or less. In particular, the maximum particle size of the physical adsorption desiccant contained in the color conversion layer is preferably 300 nm or less.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用することができるEL層の構成例に
ついて、図6を用いて説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, structural examples of EL layers that can be applied to the light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
EL層には公知の物質を用いることができ、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれ
を用いることもできる。なお、EL層を形成する物質には、有機化合物のみから成るもの
だけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
A known substance can be used for the EL layer, and either a low molecular compound or a high molecular compound can be used. Note that the substance forming the EL layer includes not only an organic compound but also a structure including an inorganic compound in part.
図6(A)では、第1の電極118及び第2の電極122の間にEL層120を有する。
図6(A)に示すEL層120は、第1の電極118側から、正孔注入層701、正孔輸
送層702、発光層703、電子輸送層704及び電子注入層705の順で積層されてい
る。
In FIG. 6A, the
The
EL層は、図6(B)に示すように、第1の電極118と第2の電極122との間に複数
積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層120aと第2のEL層12
0bとの間には、電荷発生層709を設けることが好ましい。このような構成を有する発
光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がるこ
とで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方
のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層
の構造と組み合わせて用いることができる。
A plurality of EL layers may be stacked between the
A
また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合する
と無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得
られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上のEL層を有する
発光素子の場合でも同様である。
Further, by making the light emission colors of the respective EL layers different, light emission of a desired color can be obtained as the whole light emitting element. For example, in a light-emitting element having two EL layers, the first
By making the emission color of the EL layer and the emission color of the second EL layer have a complementary relationship, it is possible to obtain a light emitting element that emits white light as a whole. The complementary color refers to a relationship between colors that become achromatic when mixed. That is, white light emission can be obtained by mixing light obtained from substances that emit light of complementary colors. The same applies to a light-emitting element having three or more EL layers.
EL層120は、図6(C)に示すように、第1の電極118と第2の電極122との間
に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入
バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極122と接する複合材料層7
08を有していても良い。
As shown in FIG. 6C, the
08 may be included.
第2の電極122と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用
いて第2の電極122を形成する際に、EL層120が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。
Providing the
電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との
間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層
704に容易に注入することができる。
By providing the electron
電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成す
ることが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の
高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに
送ることが可能となる。
An
複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた
構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層70
6に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
The structure in which the
6 is a structure that is difficult to interact with the donor substance contained in 6, and hardly interferes with each other's functions. Therefore, an increase in drive voltage can be suppressed.
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限ら
れず、二層以上積層しても良い。
Examples of materials that can be used for each layer are shown below. Note that each layer is not limited to a single layer, and two or more layers may be stacked.
正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、銅(II)フ
タロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物等を用いることができる
。
The
Ruthenium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, silver oxide, tungsten oxide, manganese oxide and other metal oxides, copper (II) phthalocyanine (abbreviation: CuPc), etc. A phthalocyanine compound or the like can be used.
また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ
)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メ
チルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4
,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−
N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTP
D)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル
)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,
6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−
フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(
9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:P
CzPCN1)等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
In addition, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- ( 3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4
, 4′-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), 4,4′-bis (N- {4- [N ′-(3-methylphenyl)] −
N′-phenylamino] phenyl} -N-phenylamino) biphenyl (abbreviation: DNTP)
D), 1,3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] benzene (abbreviation: DPA3B), 3- [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N -Phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,
6-Bis [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-
Phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3- [N- (1-naphthyl) -N- (
9-phenylcarbazol-3-yl) amino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: P
An aromatic amine compound such as CzPCN1) can be used.
さらに、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)
(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ
[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェ
ニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−
ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Pol
y−TPD)などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシ
チオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポ
リ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いる
ことができる。
Furthermore, a high molecular compound can also be used. For example, poly (N-vinylcarbazole)
(Abbreviation: PVK), poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly [N- (4- {N ′-[4- (4-diphenylamino) phenyl] phenyl-N′-phenylamino } Phenyl) methacrylamide] (abbreviation: PTPDMA), poly [N, N′-
Bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine] (abbreviation: Pol
and a high molecular compound such as y-TPD). In addition, a polymer compound to which an acid such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (PEDOT / PSS), polyaniline / poly (styrenesulfonic acid) (PAni / PSS) is added is used. be able to.
特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極118からの正孔注入性を良好に
し、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高
い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料
を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極118からEL層120へ
の正孔注入が容易となる。
In particular, for the hole-injecting
複合材料に用いる有機化合物は、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質で
あることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の
ものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列
挙する。
The organic compound used for the composite material is preferably a substance having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Below, the organic compound which can be used for a composite material is listed concretely.
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA
、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN
1、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:
NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニ
ル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−
4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP
)等の芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:C
BP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:T
CPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾ
ール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル
)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、1,4−ビス[4−(N−カ
ルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。
Examples of organic compounds that can be used for the composite material include TDATA and MTDATA.
, DPAB, DNTPD, DPA3B, PCzPCA1, PCzPCA2, PCzPCN
1,4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation:
NPB or α-NPD), N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 4- Phenyl-
4 ′-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFLP)
) And the like, and 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: C
BP), 1,3,5-tris [4- (N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: T
CPB), 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 9-phenyl-3- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl]- A carbazole derivative such as 9H-carbazole (abbreviation: PCzPA), 1,4-bis [4- (N-carbazolyl) phenyl] -2,3,5,6-tetraphenylbenzene can be used.
また、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−
BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9
,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−B
uDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−
ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(
略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン
(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert
−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン
、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。
In addition, 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-
BuDNA), 2-tert-butyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene, 9
, 10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 2-t
ert-Butyl-9,10-bis (4-phenylphenyl) anthracene (abbreviation: t-B)
uDBA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-
Diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2-tert-butylanthracene (
Abbreviations: t-BuAnth), 9,10-bis (4-methyl-1-naphthyl) anthracene (abbreviation: DMNA), 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] -2-tert
-Aromatic hydrocarbon compounds such as butylanthracene, 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene Can be used.
さらに、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、
9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,
10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス
[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブ
チル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)
ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)
フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。
Furthermore, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene,
9,9′-bianthryl, 10,10′-diphenyl-9,9′-bianthryl, 10,
10′-bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl, 10,10′-bis [(2,3,4,5,6-pentaphenyl) phenyl] -9,9′-bianthryl, anthracene , Tetracene, rubrene, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene, pentacene, coronene, 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl)
Biphenyl (abbreviation: DPVBi), 9,10-bis [4- (2,2-diphenylvinyl)
An aromatic hydrocarbon compound such as phenyl] anthracene (abbreviation: DPVPA) can be used.
また、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合物を用いる
ことができる。
Moreover, high molecular compounds, such as PVK, PVTPA, PTPDMA, and Poly-TPD, can be used.
電子受容体としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロ
キノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物
を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化
物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸
化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容
性が高いため好ましい。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、
扱いやすいため、特に好ましい。
Examples of the electron acceptor include organic compounds such as 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, and transition metal oxides. Can be mentioned. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specifically, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferable because of their high electron accepting properties. Among them, molybdenum oxide is stable in the air and has low hygroscopicity.
It is particularly preferable because it is easy to handle.
正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)
、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニル
アミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
The hole-
An aromatic amine compound such as 4,4′-bis [N- (spiro-9,9′-bifluoren-2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB) can be used.
The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher.
Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used.
また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導
体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体や、PVK、
PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDなどの高分子化合物を用いることもできる
。
The
High molecular compounds such as PVTPA, PTPDMA, and Poly-TPD can also be used.
発光層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いるこ
とができる。
The light-emitting
発光層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料と
して、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−
ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバ
ゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(
略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル
−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)などが挙
げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリ
ル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、
N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9
−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9
,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェ
ニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル
−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレン
ジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−
2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル
アントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアン
トラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。また、黄色系の発光
材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11
−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−
ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テト
ラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジ
アミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
As a fluorescent compound that can be used for the light-emitting
Diphenylstilbene-4,4′-diamine (abbreviation: YGA2S), 4- (9H-carbazol-9-yl) -4 ′-(10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (
Abbreviations: YGAPA), 4- (10-phenyl-9-anthryl) -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), and the like. As green light-emitting materials, N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA),
N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-2-yl) -2-anthryl] -N, 9
-Diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCABPhA), N- (9
, 10-diphenyl-2-anthryl) -N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPA), N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-2) -Yl) -2-anthryl] -N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPABPhA), N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-)
2-yl)]-N- [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylanthracen-2-amine (abbreviation: 2YGABPhA), N, N, 9-triphenylanthracen-9-amine (Abbreviation: DPhAPhA). Further, as a yellow light emitting material, rubrene, 5,12-bis (1,1′-biphenyl-4-yl) -6,11
-Diphenyltetracene (abbreviation: BPT) etc. are mentioned. As a red light emitting material, N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) tetracene-5,11-
Diamine (abbreviation: p-mPhTD), 7,14-diphenyl-N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) acenaphtho [1,2-a] fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD) and the like.
また、発光層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光
材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]
イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス
[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(II
I)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’−ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略
称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニ
ル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FI
r(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス(2−フェ
ニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス
(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(
略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)2(ac
ac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート
(略称:Ir(bzq)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(bzq)3)などが挙げられる。また、黄色系の発光材料と
して、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac))、ビス[2−(4
’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチ
アゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt
)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニ
ル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−Me)
2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メトキシフェニル)−3,
5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(dmmoppr)2(a
cac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス(2−フェニルキ
ノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq)3)、ビス(2−フ
ェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:I
r(pq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フ
ェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me)2(acac
))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラ
ジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)2(acac))など
が挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α
]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略
称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’
)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(acac))
、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト
]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、(アセチルアセト
ナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir
(tppr)2(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(2,3,5−トリフェ
ニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)2(dpm))、2,
3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白
金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス(アセチ
ルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac
)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノ
フェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、
トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナン
トロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))等の希土類
金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子遷移)を有するため、
燐光性化合物として用いることができる。
Examples of phosphorescent compounds that can be used for the light-emitting
Iridium (III) tetrakis (1-pyrazolyl) borate (abbreviation: FIr6), bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (II
I) picolinate (abbreviation: FIrpic), bis {2- [3 ′, 5′-bis (trifluoromethyl) phenyl] pyridinato-N, C 2 ′ } iridium (III) picolinate (abbreviation: Ir (CF 3 ppy) 2 (pic)), bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FI
r (acac)). Further, as a green light-emitting material, tris (2-phenylpyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) (abbreviation: Ir (ppy) 3 ), bis (2-phenylpyridinato-N, C 2 ' ) Iridium (III) acetylacetonate (
Abbreviations: Ir (ppy) 2 (acac)), bis (1,2-diphenyl-1H-benzimidazolato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (pbi) 2 (ac
ac)), bis (benzo [h] quinolinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (bzq) 2 (acac)), tris (benzo [h] quinolinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (bzq 3 ) and the like. Further, as a yellow light-emitting material, bis (2,4-diphenyl-1,3-oxazolate-N, C 2 ′ ) iridium (I
II) Acetylacetonate (abbreviation: Ir (dpo) 2 (acac)), bis [2- (4
'-Perfluorophenylphenyl) pyridinato] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (p-PF-ph) 2 (acac)), bis (2-phenylbenzothiazolate-N, C 2 ′ ) iridium (III) Acetylacetonate (abbreviation: Ir (bt
) 2 (acac)), (acetylacetonato) bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) -5-methylpyrazinato] iridium (III) (abbreviation: Ir (Fdppr-Me))
2 (acac)), (acetylacetonato) bis {2- (4-methoxyphenyl) -3,
5-dimethylpyrazinato} iridium (III) (abbreviation: Ir (dmmoppr) 2 (a
cac)) and the like. As an orange light-emitting material, tris (2-phenylquinolinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) (abbreviation: Ir (pq) 3 ), bis (2-phenylquinolinato-N, C 2 ′ ) Iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: I)
r (pq) 2 (acac)), (acetylacetonato) bis (3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (mppr-Me) 2 (acac
)), (Acetylacetonato) bis (5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (mppr-iPr) 2 (acac)), and the like. As a red light emitting material, bis [2- (2′-benzo [4,5-α]
] Thienyl) pyridinato-N, C 3 ′ ] Iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (btp) 2 (acac)), bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′
) Iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (piq) 2 (acac))
, (Acetylacetonato) bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (abbreviation: Ir (Fdpq) 2 (acac)), (acetylacetonato) bis (2,3,5 -Triphenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: Ir
(Tppr) 2 (acac)), (dipivaloylmethanato) bis (2,3,5-triphenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (tppr) 2 (dpm)), 2,
And organometallic complexes such as 3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP). Tris (acetylacetonato) (monophenanthroline) terbium (III) (abbreviation: Tb (acac
3 (Phen)), tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionate) (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu (DBM) 3 (Phen)),
Rare earth metal complexes such as tris [1- (2-thenoyl) -3,3,3-trifluoroacetonato] (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu (TTA) 3 (Phen)) Because it has light emission (electron transition between different multiplicity) from ions,
It can be used as a phosphorescent compound.
なお、発光層703としては、上述した発光性の有機化合物(発光物質、ゲスト材料)を
他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のも
のを用いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高
被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
Note that the light-emitting
ホスト材料としては、具体的には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)
(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(
略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(I
I)(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(
II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビ
ス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル
]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’
,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称
:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−
N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:P
CAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(またはα−NPD)
、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。
As the host material, specifically, tris (8-quinolinolato) aluminum (III)
(Abbreviation: Alq), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (
Abbreviations: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (I
I) (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (III) (abbreviation: BAlq), bis (8-quinolinolato) zinc (
II) (abbreviation: Znq), bis [2- (2-benzoxazolyl) phenolato] zinc (I
I) (abbreviation: ZnPBO), bis [2- (2-benzothiazolyl) phenolato] zinc (I
I) Metal complexes such as (abbreviation: ZnBTZ), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-te
rt-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole-2- Yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4
-Tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 2,2 '
, 2 ″-(1,3,5-benzenetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), etc. Ring compounds, 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 3,6-diphenyl-
9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: DPCzPA), 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 9,10- Di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 2-te
rt-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA),
9,9′-bianthryl (abbreviation: BANT), 9,9 ′-(stilbene-3,3′-diyl) diphenanthrene (abbreviation: DPNS), 9,9 ′-(stilbene-4,4′-diyl) Diphenanthrene (abbreviation: DPNS2), 3,3 ′, 3 ″-(benzene-1,3,5
-Triyl) tripylene (abbreviation: TPB3), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), condensed aromatic compounds such as 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene, N, N-diphenyl-9- [ 4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: CzA1PA), 4- (10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (abbreviation: DPhPA), N, 9 -Diphenyl-
N- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole-3-
Amine (abbreviation: PCAPA), N, 9-diphenyl-N- {4- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] phenyl} -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: P
CAPBA), N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-
9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), NPB (or α-NPD)
, Aromatic amine compounds such as TPD, DFLDPBi, and BSPB can be used.
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレ
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
A plurality of types of host materials can be used. For example, a substance that suppresses crystallization, such as rubrene, may be further added to suppress crystallization. Further, NPB, Alq, or the like may be further added in order to more efficiently transfer energy to the guest material.
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層703の結晶化を抑
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。
With the structure in which the guest material is dispersed in the host material, crystallization of the light-emitting
また、発光層703として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発
光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)(略称:PFO
)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,5−ジメ
トキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、ポリ{(9,9−ジオ
クチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(p−ブチルフェニル)
−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:PPV)、ポリ[(9
,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−(ベンゾ[2,1,3
]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ[(9,9−ジオクチ
ル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−メトキシ−5−(2−
エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる。また、橙色〜赤色系
の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フ
ェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチルチオフェン−2,5−
ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−2,7−ビス(1−シ
アノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニ
ルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシ
ロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−alt−co−[2,5
−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}(略称:CN−PPV
−DPD)などが挙げられる。
For the light-emitting
), Poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)] (abbreviation: PF-DMOP), poly {(9,9 -Dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- [N, N'-di- (p-butylphenyl)
-1,4-diaminobenzene]} (abbreviation: TAB-PFH). Further, as a green light-emitting material, poly (p-phenylene vinylene) (abbreviation: PPV), poly [(9
, 9-Dihexylfluorene-2,7-diyl) -alt-co- (benzo [2,1,3
] Thiadiazole-4,7-diyl)] (abbreviation: PFBT), poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -alt-co- (2-methoxy-5- (2-
Ethylhexyloxy) -1,4-phenylene)] and the like. As an orange to red light-emitting material, poly [2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylenevinylene] (abbreviation: MEH-PPV), poly (3-butylthiophene-2, 5-
Diyl) (abbreviation: R4-PAT), poly {[9,9-dihexyl-2,7-bis (1-cyanovinylene) fluorenylene] -alt-co- [2,5-bis (N, N′-diphenylamino) ) -1,4-phenylene]}, poly {[2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-bis (1-cyanovinylenephenylene)]-alt-co- [2,5
-Bis (N, N′-diphenylamino) -1,4-phenylene]} (abbreviation: CN-PPV
-DPD).
また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全
体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を2つ有する発光素子に
おいて、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層
を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
In addition, by providing a plurality of light-emitting layers and making each layer have a different emission color, light emission of a desired color can be obtained as the entire light-emitting element. For example, in a light-emitting element having two light-emitting layers, a light-emitting element that emits white light as a whole of the light-emitting element by making the emission color of the first light-emitting layer and the emission color of the second light-emitting layer have a complementary relationship It is also possible to obtain The same applies to a light-emitting element having three or more light-emitting layers.
電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、例えば、Alq、Almq3、BeBq2、BAlqなど、キノリン骨格又はベン
ゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、ビス[2−(2−ヒドロキシフ
ェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒド
ロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオキサゾー
ル系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯
体以外にも、PBD、OXD−7、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができ
る。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質であ
る。
The
電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
The
An alkali metal such as lithium oxide, an alkaline earth metal, or a compound thereof can be used. Alternatively, a rare earth metal compound such as erbium fluoride can be used. Alternatively, a substance that forms the above-described
なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704
、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗
布法等の方法で形成することができる。
Note that the
The
図6(B)に示す電荷発生層709は上述の複合材料で形成することができる。また、電
荷発生層709は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この
場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層
や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。
A
図6(C)に示す複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプ
ター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
The
電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウ
ム等の炭酸塩を含む)等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
The electron
また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(酸化リチウム等の酸化
物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)の他、テトラチアナ
フタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用
いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層70
4の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
In the case where the electron
It can be formed using the same material as the material 4.
電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUM
O準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送
層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
よい。
The
The O level is formed so as to be between the LUMO level of the acceptor substance included in the
In the case where the
4 between the LUMO levels of substances having a high electron transporting property included in 4. As a specific value of the energy level, L of a substance having a high electron transporting property included in the
The UMO level is −5.0 eV or more, preferably −5.0 eV or more and −3.0 eV or less.
電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
As the substance having a high electron-transport property included in the electron-
電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはCuPc、S
nPc(Phthalocyanine tin(II) complex)、ZnPc
(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Cobal
t(II)phthalocyanine, β−form)、FePc(Phthal
ocyanine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,
23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)の
いずれかを用いることが好ましい。
Specific examples of the phthalocyanine-based material included in the
nPc (Phthalocyanine tin (II) complex), ZnPc
(Phthalocyanine zinc complex), CoPc (Cobal
t (II) phthalocyanine, β-form), FePc (Phthal
ocyanine Iron) and PhO-VOPc (Vanadyl 2,9,16,
It is preferable to use any one of 23-tetraphenoxy-29H and 31H-phthalocyanine).
電子リレー層707に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がよ
り容易になる。
As the metal complex having a metal-oxygen bond and an aromatic ligand contained in the
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnO
Pc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)
、TiOPc(Phthalocyanine titanium oxide com
plex)は、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、ア
クセプター性が高いため好ましい。
As the metal complex having a metal-oxygen bond and an aromatic ligand, a phthalocyanine-based material is preferable. Specifically, VOPc (Vanadyl phthalocyanine), SnO
Pc (Phthalocyanine tin (IV) oxide complex)
, TiOPc (Phthalocyanine titanium oxide com
plex) is preferable because the metal-oxygen double bond is likely to act on other molecules in terms of molecular structure and has high acceptor properties.
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
In addition, as a phthalocyanine-type material mentioned above, what has a phenoxy group is preferable.
Specifically, a phthalocyanine derivative having a phenoxy group, such as PhO-VOPc, is preferable. A phthalocyanine derivative having a phenoxy group is soluble in a solvent. for that reason,
It has the advantage of being easy to handle in forming a light emitting element. Also, because it is soluble in solvents,
There is an advantage that maintenance of an apparatus used for film formation becomes easy.
電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(酸化リチウム等の酸
化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)の他、TTN、ニ
ッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレ
ー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発
光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
The
In addition to alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals and their compounds (including oxides such as lithium oxide, halides, carbonates such as lithium carbonate and cesium carbonate), TTN, nickelocene, decamethyl nickelocene, etc. Organic compounds can be used. By including these donor substances in the
電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
In the case where the electron-
ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙
げられる。
Specific examples of the perylene derivative include 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (abbreviation: PTCDA), 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole (abbreviation: PTCBI), N, N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid diimide (abbreviation: PTCDI-C8H), N, N′-dihexyl-
3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid diimide (abbreviation: Hex PTC) and the like can be given.
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3−f][1,10]
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN)6)、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称
:F2PYPR)等が挙げられる。
Specific examples of the nitrogen-containing condensed aromatic compound include pyrazino [2,3-f] [1,10].
Phenanthroline-2,3-dicarbonitrile (abbreviation: PPDN), 2, 3, 6, 7, 1
0,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (abbreviation: HAT (CN) 6 ), 2,3-diphenylpyrido [2,3-b] pyrazine (abbreviation: 2P)
YPR), 2,3-bis (4-fluorophenyl) pyrido [2,3-b] pyrazine (abbreviation: F2PYPR), and the like.
その他にも、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、1,4,
5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビ
ス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオ
ロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCD
I−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5
’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、メタ
ノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を用いるこ
とができる。
In addition, 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (abbreviation: TCNQ), 1,4,
5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride (abbreviation: NTCDA), perfluoropentacene, copper hexadecafluorophthalocyanine (abbreviation: F 16 CuPc), N, N′-bis (2,2,3,3,4) 4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl) -1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid diimide (abbreviation: NTCD)
I-C8F), 3 ′, 4′-dibutyl-5,5 ″ -bis (dicyanomethylene) -5,5
'' -Dihydro-2,2 ′: 5 ′, 2 ″ -terthiophene) (abbreviation: DCMT), methanofullerene (eg, [6,6] -phenyl C 61 butyric acid methyl ester) and the like can be used. .
なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
Note that in the case where the electron-
以上により、本実施の形態のEL層を作製することができる。 Through the above steps, the EL layer of this embodiment can be manufactured.
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment can be freely combined with any of the other embodiments.
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および
照明器具の一例について、図7乃至図9を用いて説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, examples of various electronic devices and lighting devices completed using the light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の一態様の発光装置は、有機EL素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電
極が短絡し難い。したがって、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高
い電子機器及び照明装置を実現することができる。
In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, deterioration of the organic EL element can be suppressed, and the lower electrode and the upper electrode are hardly short-circuited. Therefore, by using the light-emitting device of one embodiment of the present invention, a highly reliable electronic device and lighting device can be realized.
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図7乃至図9に示す。
As electronic devices to which the light-emitting device is applied, for example, a television set (also referred to as a television or a television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (a mobile phone, a mobile phone) Also referred to as a telephone device), portable game machines, portable information terminals, sound reproduction devices, large game machines such as pachinko machines, and the like. Specific examples of these electronic devices and lighting fixtures are shown in FIGS.
図7(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐
体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示す
ることが可能であり、本発明の一態様の発光装置を表示部7103に用いることができる
。本発明の一態様の発光装置を表示部7103に用いることで、信頼性の高いテレビジョ
ン装置を実現することができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101
を支持した構成を示している。
FIG. 7A illustrates an example of a television device. In the
The structure which supported is shown.
テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー
7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機
7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
The
なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
Note that the
図7(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キー
ボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。
なお、コンピュータは、本発明の一態様の発光装置をその表示部7203に用いることに
より作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部7203に用いることで、信頼性の
高いコンピュータを実現することができる。
FIG. 7B illustrates a computer, which includes a
Note that the computer is manufactured using the light-emitting device of one embodiment of the present invention for the
図7(C)は携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成され
ており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7
304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図7
(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、
LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ731
1(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学
物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えてい
る。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部730
4および表示部7305の両方、又は一方に本発明の一態様の発光装置を用いていればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明の一態様の発光装
置を表示部7304又は/及び表示部7305に用いることで、信頼性の高い携帯型遊技
機を実現することができる。図7(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されてい
るプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線
通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図7(C)に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
FIG. 7C illustrates a portable game machine which includes two housings, a
304 is incorporated, and a
In addition, a portable game machine shown in (C) includes a
1 (force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical, voice, time, hardness, electric field, current, voltage, power, radiation, flow rate, humidity, Gradient, vibration,
Including a function of measuring odor or infrared rays), a microphone 7312) and the like. Of course, the structure of the portable game machine is not limited to the above, and at least the display portion 730 is used.
The light-emitting device of one embodiment of the present invention may be used for both the display portion 4305 and the
図7(D)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に
組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピ
ーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本発明
の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。本発明の一態様の
発光装置を表示部7402に用いることで、信頼性の高い携帯電話機を実現することがで
きる。
FIG. 7D illustrates an example of a mobile phone. A
図7(D)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
Information can be input to the
This can be performed by touching the
表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
There are mainly three screen modes of the
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
For example, when making a call or creating a mail, the
また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表
示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
In addition, by providing a detection device having a sensor for detecting inclination, such as a gyroscope or an acceleration sensor, in the
また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
Further, the screen mode is switched by touching the
また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
Further, in the input mode, when a signal detected by the optical sensor of the
表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部74
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
The
The user can be authenticated by touching 02 with a palm or a finger and capturing an image of a palm print, a fingerprint, or the like. In addition, if a backlight that emits near-infrared light or a sensing light source that emits near-infrared light is used for the display portion, finger veins, palm veins, and the like can be imaged.
図7(E)は卓上照明器具であり、照明部7501、傘7502、可変アーム7503、
支柱7504、台7505、電源7506を含む。なお、卓上照明器具は、本発明の一態
様の発光装置を照明部7501に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装
置を照明部7501に用いることで、信頼性の高い卓上照明器具を実現することができる
。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。
FIG. 7E illustrates a table lamp, which includes a
A
図8は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置811に用いた例である。本発明
の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置に用いることができ
る。その他、ロール型の照明装置812として用いることもできる。なお、図8に示すよ
うに、室内の照明装置811を備えた部屋で、図7(E)で説明した卓上照明器具813
を併用してもよい。
FIG. 8 illustrates an example in which the light-emitting device of one embodiment of the present invention is used for an
May be used in combination.
図9(A)(B)は2つ折り可能なタブレット型端末である。図9(A)は、開いた状態
であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、表
示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り替えスイ
ッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。
9A and 9B illustrate a tablet terminal that can be folded in half. FIG. 9A illustrates an open state in which the tablet terminal includes a
表示部9631aは、一部をタッチパネルの領域9632aとすることができ、表示され
た操作キー9037にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部963
1aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、残りの半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部96
31aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9
631aの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを
表示画面として用いることができる。
Part of the
In 1a, as an example, a configuration in which half of the region has a display-only function and a configuration in which the remaining half of the region has a touch panel function is shown, but the configuration is not limited thereto. Display unit 96
All the regions 31a may have a touch panel function. For example, the display unit 9
Keyboard buttons can be displayed on the entire surface of 631a to form a touch panel, and the
また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一部
をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部9631bにキーボードボタンを表示することができる。
Further, in the
また、タッチパネルの領域9632aとタッチパネルの領域9632bに対して同時にタ
ッチ入力することもできる。
Touch input can be performed simultaneously on the
また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示または横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
A display
また、図9(A)では表示部9631aと表示部9631bの表示面積が同じ例を示して
いるが特に限定されず、一方の表示部のサイズと他方の表示部のサイズが異なっていても
よく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える
表示パネルとしてもよい。
9A illustrates an example in which the display areas of the
図9(B)は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、太陽電池963
3、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有す
る。なお、図9(B)では充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、D
CDCコンバータ9636を有する構成について示している。
FIG. 9B illustrates a closed state, in which the tablet terminal includes a
3, a charge /
A structure including the
なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態に
することができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐
久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
Note that since the tablet terminal can be folded in two, the
また、この他にも図9(A)(B)に示したタブレット型端末は、様々な情報(静止画、
動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機
能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフト
ウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
In addition, the tablet type terminal shown in FIGS. 9A and 9B has various information (still images,
(Video, text image, etc.) display function, calendar, date or time display function, touch display function for touch input operation or editing of information displayed on the display unit, various software (programs) to control processing Can have functions, etc.
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、
筐体9630の一面または二面に設けることで、効率的なバッテリー9635の充電を行
う構成とすることができるため好適である。なお、バッテリー9635としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
The
It can be supplied to a display unit, a video signal processing unit, or the like. Note that the
It is preferable to provide the
また、図9(B)に示す充放電制御回路9634の構成及び動作について、図9(C)に
ブロック図を示し説明する。図9(C)には、太陽電池9633、バッテリー9635、
DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部
9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コン
バータ9637、スイッチSW1乃至SW3が、図9(B)に示す充放電制御回路963
4に対応する箇所となる。
The structure and operation of the charge /
The
This corresponds to 4.
まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCD
Cコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太
陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9
637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部
9631での表示を行わない際には、スイッチSW1をオフにし、スイッチSW2をオン
にしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
First, an example of operation in the case where power is generated by the
DCD is used so that the power generated by the solar cell becomes a voltage for charging the
The
In 637, the voltage required for the
なお太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧
電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッ
テリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受
信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
Note that the
以上のように、本発明の一態様の発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることがで
きる。本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適
用することが可能である。
As described above, an electronic device or a lighting fixture can be obtained by using the light-emitting device of one embodiment of the present invention. The application range of the light-emitting device of one embodiment of the present invention is so wide that the light-emitting device can be applied to electronic devices in various fields.
なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。
Note that the structure described in this embodiment can be combined with any of the structures described in the above embodiments as appropriate.
110 半導体層
112a ソース電極層
112b ドレイン電極層
114 第1の絶縁層
116 第2の絶縁層
118 第1の電極
120 EL層
120a 第1のEL層
120b 第2のEL層
122 第2の電極
124 隔壁
124a 第1の層
124b 第2の層
125 物理吸着型乾燥剤
126 物理吸着型乾燥剤
130 発光素子
134 樹脂層
134a 第1の樹脂層
134b 第2の樹脂層
135 マスク
137 スペーサ
140a トランジスタ
140b トランジスタ
152 トランジスタ
153 トランジスタ
164 ブラックマトリクス
166 カラーフィルタ
168 オーバーコート層
204 隔壁
204a 第1の層
204b 第2の層
214 隔壁
214a 第1の層
214b 第2の層
224 隔壁
224a 第1の層
224b 第2の層
234 隔壁
234a 第1の層
234b 第2の層
244 隔壁
244a 第1の層
244b 第2の層
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
709 電荷発生層
801 第1の基板
802 発光部
803 駆動回路部
804 駆動回路部
805 封止材
806 第2の基板
810 空間
811 照明装置
812 照明装置
813 卓上照明器具
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7501 照明部
7502 傘
7503 可変アーム
7504 支柱
7505 台
7506 電源
9033 具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9037 操作キー
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9639 ボタン
110 Semiconductor layer 112a Source electrode layer 112b Drain electrode layer 114 First insulating layer 116 Second insulating layer 118 First electrode 120 EL layer 120a First EL layer 120b Second EL layer 122 Second electrode 124 124a first layer 124b second layer 125 physical adsorption type desiccant 126 physical adsorption type desiccant 130 light emitting element 134 resin layer 134a first resin layer 134b second resin layer 135 mask 137 spacer 140a transistor 140b transistor 152 transistor 153 Transistor 164 Black matrix 166 Color filter 168 Overcoat layer 204 Partition 204a First layer 204b Second layer 214 Partition 214a First layer 214b Second layer 224 Partition 224a First layer 224b Second layer 234 Partition 234a 1 layer 234b second layer 244 partition 244a first layer 244b second layer 701 hole injection layer 702 hole transport layer 703 light emission layer 704 electron transport layer 705 electron injection layer 706 electron injection buffer layer 707 electron relay layer 708 Composite material layer 709 Charge generation layer 801 First substrate 802 Light emitting portion 803 Drive circuit portion 804 Drive circuit portion 805 Sealant 806 Second substrate 810 Space 811 Lighting device 812 Lighting device 813 Tabletop lighting device 7100 Television device 7101 Case 7103 Display portion 7105 Stand 7107 Display portion 7109 Operation key 7110 Remote controller 7201 Main body 7202 Case 7203 Display portion 7204 Keyboard 7205 External connection port 7206 Pointing device 7301 Case 7302 Case 7303 Connection portion 7304 Display portion 305 Display unit 7306 Speaker unit 7307 Recording medium insertion unit 7308 LED lamp 7309 Operation key 7310 Connection terminal 7311 Sensor 7312 Microphone 7400 Mobile phone 7401 Case 7402 Display unit 7403 Operation button 7404 External connection port 7405 Speaker 7406 Microphone 7501 Illumination unit 7502 Umbrella 7503 Variable arm 7504 Post 7505 Base 7506 Power supply 9033 Tool 9034 Switch 9035 Power switch 9036 Switch 9037 Operation key 9038 Operation switch 9630 Housing 9631a Display unit 9631b Display unit 9632a Region 9632b Region 9633 Solar cell 9634 Charge / discharge control circuit 9635 Battery 9636 DCDC converter 9637 Converter 9539 Button
Claims (2)
前記第1の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第1の電極と、
前記第1の電極の端部を覆う隔壁と、
前記第1の電極上及び前記隔壁上のEL層と、
前記EL層上の第2の電極と、を有し、
前記トランジスタは、前記第1の電極と電気的に接続され、
前記隔壁は、第1の層と、前記第1の層を覆う第2の層と、を有し、
前記第1の層は、物理吸着型乾燥剤を含み、
前記第2の層は、前記物理吸着型乾燥剤を含まず、
前記物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、1nm以上前記第2の層の膜厚と前記EL層の膜厚の和未満であり、
前記第1の電極は、前記第1の層及び前記第2の層と接する領域を有することを特徴とする発光装置。 A light emitting portion in a space surrounded by the first substrate, the second substrate, and the sealing material;
A transistor on the first substrate;
An insulating layer on the transistor;
A first electrode on the insulating layer;
A partition wall covering an end of the first electrode;
An EL layer on the first electrode and on the partition;
A second electrode on the EL layer,
The transistor is electrically connected to the first electrode;
The partition has a first layer and a second layer covering the first layer,
The first layer includes a physical adsorption desiccant,
The second layer does not contain the physical adsorption desiccant,
The maximum particle size of the physical adsorption type desiccant, Ri film sum less than Der thick film thickness of the second layer than 1nm and the EL layer,
The first electrode, the light emitting device according to claim Rukoto to have a region in contact with said first layer and said second layer.
前記物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、1nm以上300nm以下であることを特徴とする発光装置。The maximum particle size of the physical adsorption desiccant is 1 nm or more and 300 nm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017100560A JP6479095B2 (en) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017100560A JP6479095B2 (en) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Light emitting device |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015222022A Division JP2016054156A (en) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | Light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017199682A JP2017199682A (en) | 2017-11-02 |
| JP6479095B2 true JP6479095B2 (en) | 2019-03-06 |
Family
ID=60238118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017100560A Expired - Fee Related JP6479095B2 (en) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6479095B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113054128A (en) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | Tcl集团股份有限公司 | Composite electrode and light emitting diode |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154285A (en) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence device |
| JP4801278B2 (en) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP4651916B2 (en) * | 2002-03-07 | 2011-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2006228493A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence device and method for producing the same |
| JP5160754B2 (en) * | 2006-01-31 | 2013-03-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | EL device |
| JP2008300169A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Seiko Epson Corp | ORGANIC EL DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DEVICE |
| JP4937935B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-05-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Organic EL display and method for manufacturing organic EL display |
-
2017
- 2017-05-22 JP JP2017100560A patent/JP6479095B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017199682A (en) | 2017-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180724 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6479095 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |