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JP6481296B2 - Eukaryotic cell growth method and eukaryotic cell production method - Google Patents
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Description

本明細書の技術分野は、真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法に関する。さらに詳細には、プラズマを用いた真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法に関するものである。   The technical field of the present specification relates to a method for growing a eukaryotic cell and a method for producing a eukaryotic cell. More particularly, the present invention relates to a method for growing eukaryotic cells and a method for producing eukaryotic cells using plasma.

プラズマ技術は、電気、化学、材料の各分野に応用されている。プラズマの内部では、電子やイオン等の荷電粒子の他に、原子や分子等の中性粒子や紫外線が発生する。これらプラズマの内部で発生する生成物のうち、不対電子を有する粒子(原子、分子、イオンを含む)のことをラジカルという。このような紫外線やラジカルには、殺菌効果があることが知られている。   Plasma technology is applied in the fields of electricity, chemistry, and materials. Inside the plasma, neutral particles such as atoms and molecules and ultraviolet rays are generated in addition to charged particles such as electrons and ions. Of these products generated in the plasma, particles having unpaired electrons (including atoms, molecules and ions) are called radicals. Such ultraviolet rays and radicals are known to have a bactericidal effect.

例えば、特許文献1には、滅菌室内にプラズマを供給することにより、被滅菌物を滅菌させるプラズマ滅菌装置およびプラズマ滅菌方法が開示されている。このように、プラズマから発生するプラズマ生成物には、殺菌作用があることが広く知られている。   For example, Patent Document 1 discloses a plasma sterilization apparatus and a plasma sterilization method for sterilizing an object to be sterilized by supplying plasma into a sterilization chamber. Thus, it is widely known that plasma products generated from plasma have a bactericidal action.

特開2004−357888号公報JP 2004-357888 A

本発明者らは、非平衡大気圧プラズマの内部で発生するプラズマ生成物を短い時間だけ真核細胞に照射することにより、真核細胞を増殖させることを発見した。これは、前述した従来の技術とは逆の結果であり、従来の技術からは予想できない効果である。   The present inventors have discovered that eukaryotic cells are proliferated by irradiating eukaryotic cells with plasma products generated inside non-equilibrium atmospheric pressure plasma for a short time. This is a result opposite to the conventional technique described above, and is an effect that cannot be predicted from the conventional technique.

本明細書の技術は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、プラズマを用いて真核細胞を効率よく増殖させる真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法を提供することである。   The technique of this specification has been made to solve the problems of the conventional techniques described above. That is, the subject is to provide a method for eukaryotic cell proliferation and a method for producing eukaryotic cells that efficiently proliferate eukaryotic cells using plasma.

第1の態様における真核細胞の増殖方法は、ラジカルを真核細胞に照射するラジカル照射工程を有する。ラジカル照射工程では、ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、第1の周期でラジカルを真核細胞に周期的に照射して真核細胞を増殖させる。第1の周期は、真核細胞の細胞周期におけるG1期に同調している。 The eukaryotic cell growth method according to the first aspect includes a radical irradiation step of irradiating eukaryotic cells with radicals. In the radical irradiation step, eukaryotic cells are proliferated by periodically irradiating eukaryotic cells with radicals in a first period , with the irradiation amount of radicals being equal to or less than a predetermined first irradiation amount. The first cycle is synchronized with the G1 phase in the cell cycle of eukaryotic cells.

この真核細胞の増殖方法は、プラズマ発生装置によりプラズマ発生領域に発生させたプラズマから発生するラジカルを真核細胞に照射することにより、真核細胞を増殖させることができる。この真核細胞の増殖方法では、通常の真核細胞の培養方法よりも、真核細胞の増殖の速度は速い。   In this eukaryotic cell proliferation method, eukaryotic cells can be propagated by irradiating the eukaryotic cells with radicals generated from plasma generated in the plasma generation region by the plasma generator. In this eukaryotic cell growth method, the eukaryotic cell growth rate is faster than the normal eukaryotic cell culture method.

第2の態様における真核細胞の増殖方法は、真核細胞をG1期のまま停止させる工程と、ラジカルを真核細胞に照射するラジカル照射工程と、を有する。ラジカル照射工程では、真核細胞をG1期のまま停止させた状態で、ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、ラジカルを真核細胞に照射し、真核細胞を増殖させる。 The method of proliferating eukaryotic cells in a second aspect includes a step of stopping while eukaryotic cells G1 phase, and a radical irradiation step of irradiating a radical eukaryotic cells, a. In the radical irradiation step, with the eukaryotic cells stopped in the G1 phase, the radical irradiation amount is set to a predetermined first irradiation amount or less to irradiate the eukaryotic cells to proliferate the eukaryotic cells. .

の態様における真核細胞の増殖方法において、ラジカル照射工程では、三重項酸素原子と一重項酸素分子との少なくとも一方を真核細胞に照射する。 In the eukaryotic cell growth method according to the third aspect, in the radical irradiation step, at least one of a triplet oxygen atom and a singlet oxygen molecule is irradiated to the eukaryotic cell.

ここで、三重項酸素原子とは、O(3 j )である。三重項酸素原子の照射量には、後述するように、面積照射量と体積照射量とがある。面積照射量は、照射する領域に照射される単位面積あたりの三重項酸素原子の数である。体積照射量は、真核細胞を含む懸濁液の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である。そのため、寒天培地のように、平坦面の上に配置されている真核細胞に三重項酸素原子を照射する場合には、面積照射量を用いる。一方、懸濁液のように、体積のある溶液中に懸濁されている真核細胞に三重項酸素原子を照射する場合には、体積照射量を用いる。また、一重項酸素分子とは、O2 1 Δg )である。 Here, the triplet oxygen atom is O ( 3 P j ). As will be described later, the triplet oxygen atom irradiation amount includes an area irradiation amount and a volume irradiation amount. The area irradiation amount is the number of triplet oxygen atoms per unit area irradiated to the irradiated region. The volume irradiation amount is the number of triplet oxygen atoms supplied to the volume of the suspension containing eukaryotic cells. Therefore, when irradiating triplet oxygen atoms to eukaryotic cells arranged on a flat surface like an agar medium, the area irradiation amount is used. On the other hand, when irradiating triplet oxygen atoms to eukaryotic cells suspended in a solution having a volume such as a suspension, the volume irradiation amount is used. The singlet oxygen molecule is O 2 ( 1 Δ g ).

の態様における真核細胞の生産方法は、真核細胞を懸濁した懸濁液を作製する懸濁液作製工程を有する。ラジカル照射工程では、懸濁液に三重項酸素原子を照射する。第1の照射量は、懸濁液の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である第1の体積照射量である。第1の体積照射量は、3.0×1017cm-3である。 The method for producing eukaryotic cells in the fourth aspect includes a suspension production step for producing a suspension in which eukaryotic cells are suspended. In the radical irradiation step, the suspension is irradiated with triplet oxygen atoms. The first irradiation dose is a first volume irradiation dose that is the number of triplet oxygen atoms supplied to the suspension volume. The first volume dose is 3.0 × 10 17 cm −3 .

の態様における真核細胞の生産方法は、上記の真核細胞の増殖方法を用いて真核細胞の数を増加させる。 In the method for producing eukaryotic cells in the fifth aspect, the number of eukaryotic cells is increased using the above-described eukaryotic cell growth method.

本明細書では、プラズマを用いて真核細胞を効率よく増殖させる真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法が提供されている。   In the present specification, there are provided a eukaryotic cell growth method and a eukaryotic cell production method for efficiently proliferating eukaryotic cells using plasma.

第1の実施形態に係るプラズマ発生装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the plasma generator which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係るプラズマ発生装置の照射部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the irradiation part of the plasma generator which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係るプラズマ発生装置の内部構造を示す図である。It is a figure which shows the internal structure of the plasma generator which concerns on 1st Embodiment. 真核細胞の細胞周期を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cell cycle of a eukaryotic cell. 実験に用いたプラズマ発生装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the plasma generator used for experiment. 照射距離と三重項酸素原子の密度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between irradiation distance and the density of a triplet oxygen atom. ラジカルの照射距離とラジカル密度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the irradiation distance of a radical, and radical density. プラズマガスにおける酸素ガスの混合比とラジカル密度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the mixing ratio of oxygen gas in plasma gas, and radical density. ラジカルの照射時間と出芽酵母の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the irradiation time of a radical, and the growth rate of budding yeast. ラジカルの照射時間と懸濁液中の出芽酵母の増殖率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the irradiation time of a radical, and the growth rate of budding yeast in suspension. ラジカルの体積照射量と懸濁液中の出芽酵母の細胞数の変化率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the volume irradiation amount of a radical, and the change rate of the cell number of budding yeast in suspension. ラジカルの照射時間と懸濁液中の出芽酵母の増殖率との関係についての照射距離依存性を示すグラフである。It is a graph which shows irradiation distance dependence about the relationship between the irradiation time of a radical, and the growth rate of budding yeast in suspension. ラジカルを照射するときの酵母の細胞周期とラジカルの照射時間とを変化させた場合における細胞の生存数を比較するためのグラフである。It is a graph for comparing the survival number of the cell at the time of changing the cell cycle of yeast at the time of radical irradiation and radical irradiation time. ラジカルの体積照射量とマウスの胎児皮膚細胞(NIH3T3)の細胞数の変化率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the volume irradiation amount of a radical, and the change rate of the cell number of a mouse | mouth fetal skin cell (NIH3T3).

以下、具体的な実施形態について、真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法を例に挙げて図を参照しつつ説明する。   Hereinafter, specific embodiments will be described with reference to the drawings, taking eukaryotic cell growth methods and eukaryotic cell production methods as examples.

(第1の実施形態)
1.プラズマ発生装置
1−1.装置全体の構成
本実施形態の真核細胞の増殖方法および真核細胞の生産方法に用いられるプラズマ発生装置100について説明する。プラズマ発生装置100は、非平衡大気圧プラズマを発生させる装置である。図1は、プラズマ発生装置100の概略構成を示す図である。図1に示すように、プラズマ発生装置100は、チャンバー110と、載置台120と、ガス供給部130と、ガス排出部140と、プラスチックカバー150と、ラジカル照射部200と、を有している。
(First embodiment)
1. Plasma generator 1-1. Configuration of Entire Apparatus A plasma generator 100 used in the eukaryotic cell growth method and eukaryotic cell production method of the present embodiment will be described. The plasma generator 100 is a device that generates non-equilibrium atmospheric pressure plasma. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma generator 100. As shown in FIG. 1, the plasma generation apparatus 100 includes a chamber 110, a mounting table 120, a gas supply unit 130, a gas discharge unit 140, a plastic cover 150, and a radical irradiation unit 200. .

チャンバー110は、ラジカル照射部200を収容するとともに、大気から遮断したガスを収容するためのものである。載置台120は、プラズマを照射する対象であるサンプルを載置するための台である。また、載置台120は、プラズマの照射方向に対して垂直な方向にスライドできるようになっている。そのため、プラズマ生成物を対象物に照射する際に、対象物に均等にプラズマ生成物を照射することができる。   The chamber 110 is for containing the radical irradiation unit 200 and for containing a gas cut off from the atmosphere. The mounting table 120 is a table for mounting a sample to be irradiated with plasma. The mounting table 120 can slide in a direction perpendicular to the plasma irradiation direction. Therefore, when the object is irradiated with the plasma product, the object can be irradiated with the plasma product evenly.

ガス供給部130は、チャンバー110の内部にガスを供給するためのものである。ガス排出部140は、チャンバー110の内部からガスを排出するためのものである。プラスチックカバー150は、ラジカルを照射している間に、プラスチックカバー150の内部に大気が入るのを防止するためのものである。そのため、外部の大気の影響を排除した状態で、ラジカルを好適に懸濁液に照射できる。   The gas supply unit 130 is for supplying gas into the chamber 110. The gas discharge unit 140 is for discharging gas from the inside of the chamber 110. The plastic cover 150 is for preventing air from entering the inside of the plastic cover 150 during irradiation with radicals. Therefore, radicals can be suitably irradiated onto the suspension in a state where the influence of the external atmosphere is eliminated.

ラジカル照射部200は、プラズマ発生領域に発生するプラズマ生成物のうちラジカルを照射するためのものである。ここで、プラズマ生成物とは、プラズマ発生領域に発生する化学種等のことをいうものとする。つまり、プラズマ生成物として、イオン、電子、ラジカル、光等が挙げられる。ラジカル照射部200は、これらのプラズマ生成物のうちラジカルを照射する。具体的には、ラジカル照射部200は、三重項酸素原子と一重項酸素分子とを照射する。また、ラジカル照射部200は、オゾンを照射することもある。なお、後述するように、ラジカル照射部200は、紫外線等の光を照射することはない。また、ラジカル照射部200は、電子やイオンを照射することもない。   The radical irradiation unit 200 is for irradiating radicals among plasma products generated in the plasma generation region. Here, the plasma product means chemical species generated in the plasma generation region. That is, examples of the plasma product include ions, electrons, radicals, and light. The radical irradiation unit 200 irradiates radicals among these plasma products. Specifically, the radical irradiation unit 200 irradiates triplet oxygen atoms and singlet oxygen molecules. Moreover, the radical irradiation part 200 may irradiate ozone. As will be described later, the radical irradiation unit 200 does not irradiate light such as ultraviolet rays. The radical irradiation unit 200 does not irradiate electrons or ions.

ここで、ラジカルとは、不対電子を備える中性粒子である。厳密には、三重項酸素原子は不対電子を有しない。しかし、本明細書では、ラジカルは、三重項酸素原子と一重項酸素分子とを含むこととする。   Here, the radical is a neutral particle having unpaired electrons. Strictly speaking, the triplet oxygen atom has no unpaired electrons. However, in this specification, the radical includes a triplet oxygen atom and a singlet oxygen molecule.

図1に示すように、ラジカル照射部200は、照射口210と、プラズマガス供給部220と、電力供給部230と、ロボットアーム240と、を有している。照射口210は、ラジカルをサンプルに照射するためのものである。プラズマガス供給部220は、ラジカル照射部200にプラズマガスを供給するためのものである。電力供給部230は、ラジカル照射部200の各部に電力を供給するためのものである。ロボットアーム240は、ラジカル照射部200を移動させるためのものである。   As shown in FIG. 1, the radical irradiation unit 200 includes an irradiation port 210, a plasma gas supply unit 220, a power supply unit 230, and a robot arm 240. The irradiation port 210 is for irradiating the sample with radicals. The plasma gas supply unit 220 is for supplying plasma gas to the radical irradiation unit 200. The power supply unit 230 is for supplying power to each part of the radical irradiation unit 200. The robot arm 240 is for moving the radical irradiation unit 200.

図2は、照射口210を示す斜視図である。照射口210は、2つのスリット211を有している。スリット211は、長さ16mm、幅0.5mmで開口している開口部である。スリット211から、ラジカルが照射される。照射口210は、スリット211の幅方向に移動することができるようになっている。サンプルにまんべんなくラジカルを照射するためである。   FIG. 2 is a perspective view showing the irradiation port 210. The irradiation port 210 has two slits 211. The slit 211 is an opening having a length of 16 mm and a width of 0.5 mm. Radicals are irradiated from the slit 211. The irradiation port 210 can move in the width direction of the slit 211. This is because the sample is irradiated with radicals evenly.

1−2.ラジカル照射部
図3は、ラジカル照射部200の内部構造を示す図である。ラジカル照射部200は、照射口210の他に、放電部250と、中間構造部260と、ノズル部270と、を有している。
1-2. Radiation Irradiation Unit FIG. 3 is a diagram showing the internal structure of the radical irradiation unit 200. The radical irradiation unit 200 has a discharge unit 250, an intermediate structure unit 260, and a nozzle unit 270 in addition to the irradiation port 210.

放電部250は、その内部にプラズマ発生領域を有している。そのため放電部250は、対向する電極対を有している。そして、その電極対の間の空間でプラズマが発生する。そのプラズマは、イオン、電子、ラジカル、紫外線等を含んでいる。   The discharge unit 250 has a plasma generation region therein. Therefore, the discharge part 250 has an opposing electrode pair. Then, plasma is generated in the space between the electrode pair. The plasma contains ions, electrons, radicals, ultraviolet rays and the like.

中間構造部260は、上記のプラズマから、イオンと、電子と、紫外線と、を除去する構造体である。そのため、プラズマから発生したもののうち、ラジカルを含む中性粒子がノズル部270に供給される。   The intermediate structure 260 is a structure that removes ions, electrons, and ultraviolet rays from the plasma. Therefore, among the particles generated from the plasma, neutral particles containing radicals are supplied to the nozzle unit 270.

ノズル部270は、ラジカルを含む中性粒子を照射口210のスリット211に送出するためのものである。つまり、本実施形態のラジカル照射部200は、サンプルに、プラズマ生成物のうち中性粒子を吹き付けるものである。この中性粒子には、ラジカルとアルゴン原子とが含まれている。   The nozzle unit 270 is for sending neutral particles containing radicals to the slit 211 of the irradiation port 210. That is, the radical irradiation part 200 of this embodiment sprays neutral particles among plasma products on a sample. The neutral particles contain radicals and argon atoms.

2.ラジカルの照射量
2−1.面積照射量と体積照射量
ラジカルの照射量には、面積照射量と体積照射量とがある。面積照射量は、平坦面の上に配置されている真核細胞にラジカルを直接照射する場合に用いる。体積照射量は、液体中の真核細胞にラジカルを照射する場合に用いる。体積照射量については後述する。
2. Radiation dose 2-1. Area irradiation amount and volume irradiation amount Radiation irradiation amount includes area irradiation amount and volume irradiation amount. The area irradiation amount is used when eukaryotic cells arranged on a flat surface are directly irradiated with radicals. Volume irradiation is used when eukaryotic cells in a liquid are irradiated with radicals. The volume irradiation amount will be described later.

2−2.面積照射量の定義
ここで、ラジカルの面積照射量は、次式で表される。
DV = RD × V1 × ET × S1 / S2
DV:ラジカルの面積照射量(cm-2
RD:ラジカル密度(cm-3
V1:ラジカルの流速(m/sec)
ET:ラジカルの照射時間(sec)
S1:照射口の面積(cm2
S2:照射する領域の面積(cm2
面積照射量は、照射する領域に照射される単位面積あたりの三重項酸素原子の数である。ここで、ラジカル密度RDは、三重項酸素原子の密度である。
2-2. Definition of area irradiation amount Here, the area irradiation amount of a radical is represented by the following equation.
DV = RD * V1 * ET * S1 / S2
DV: Radiation area dose (cm -2 )
RD: radical density (cm −3 )
V1: Radical flow rate (m / sec)
ET: Radical irradiation time (sec)
S1: Area of irradiation port (cm 2 )
S2: Area of the irradiated region (cm 2 )
The area irradiation amount is the number of triplet oxygen atoms per unit area irradiated to the irradiated region. Here, the radical density RD is the density of triplet oxygen atoms.

なお、ラジカルのフラックスは、次式で表される。
F1 = RD × V1
F1:フラックス(cm-2/sec)
The radical flux is expressed by the following equation.
F1 = RD x V1
F1: Flux (cm -2 / sec)

3.ラジカルの照射による真核細胞の増殖方法
本実施形態における真核細胞の増殖方法は、プラズマ発生装置100により発生させたラジカルを真核生物に照射するラジカル照射工程を有する。そして、ラジカル照射工程では、ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、ラジカルを真核細胞に照射し、真核細胞を増殖させる。また、ラジカル照射工程では、三重項酸素原子と一重項酸素分子との少なくとも一方を真核細胞に照射する。実際には、三重項酸素原子と一重項酸素分子との両方を真核細胞に照射する。また、さらにオゾンを照射することとしてもよい。
3. Method for Propagating Eukaryotic Cells by Radiation Irradiation The method for propagating eukaryotic cells in the present embodiment has a radical irradiation step of irradiating eukaryotes with radicals generated by the plasma generator 100. Then, in the radical irradiation step, the eukaryotic cell is propagated by irradiating the eukaryotic cell with the radical irradiation amount set to a predetermined first irradiation amount or less. In the radical irradiation step, eukaryotic cells are irradiated with at least one of triplet oxygen atoms and singlet oxygen molecules. In practice, eukaryotic cells are irradiated with both triplet oxygen atoms and singlet oxygen molecules. Moreover, it is good also as irradiating ozone.

3−1.真核細胞準備工程
まず、真核細胞を準備する。例えば、寒天培地に真核細胞を培養する。または、その他の平坦面上に真核細胞を配置する。
3-1. Eukaryotic cell preparation process First, eukaryotic cells are prepared. For example, eukaryotic cells are cultured on an agar medium. Alternatively, eukaryotic cells are placed on other flat surfaces.

3−2.ラジカル照射工程
次に、プラズマ発生装置100からラジカルを寒天培地の真核細胞に向けて照射する。本実施形態では、3.8×1017cm-2以下の三重項酸素原子を真核細胞に照射する。ここで、第1の面積照射量は、3.8×1017cm-2である。これにより、真核細胞は、増殖する。また、この照射に際して、一重項酸素分子も、真核細胞に照射される。
3-2. Radical irradiation process Next, the plasma generator 100 irradiates radicals toward the eukaryotic cells of the agar medium. In this embodiment, eukaryotic cells are irradiated with triplet oxygen atoms of 3.8 × 10 17 cm −2 or less. Here, the first area irradiation dose is 3.8 × 10 17 cm −2 . Thereby, eukaryotic cells proliferate. In this irradiation, eukaryotic cells are also irradiated with singlet oxygen molecules.

4.本実施形態の効果
三重項酸素原子と一重項酸素分子とを含むラジカルを真核細胞に第1の照射量以下だけ照射すると、その真核細胞は増殖する。なお、ラジカルを真核細胞に第1の照射量より多い量だけ照射すると、その真核細胞は減少する。ラジカルの照射量の大小によって真核細胞が増殖したり減少する理由は、必ずしも明らかではない。実験結果については、後述する。
4). Effect of this Embodiment When a eukaryotic cell is irradiated with a radical containing a triplet oxygen atom and a singlet oxygen molecule by a first irradiation dose or less, the eukaryotic cell grows. Note that when eukaryotic cells are irradiated with radicals by an amount larger than the first irradiation amount, the eukaryotic cells decrease. The reason why eukaryotic cells grow or decrease depending on the amount of radical irradiation is not always clear. The experimental results will be described later.

5.真核細胞の生産方法
以上により説明した真核細胞の増殖方法を用いて、真核細胞を生産することができる。つまり、真核細胞の数を増加させて、短い時間で真核細胞を増産することができる。
5. Eukaryotic Cell Production Method Eukaryotic cells can be produced using the eukaryotic cell growth method described above. That is, it is possible to increase the number of eukaryotic cells and increase the production of eukaryotic cells in a short time.

6.本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の真核細胞の増殖方法は、第1の面積照射量として3.8×1017cm-2以下のラジカルを真核細胞に照射することにより、真核細胞を増殖させる。
6). Summary of this embodiment As described in detail above, the eukaryotic cell growth method of this embodiment irradiates eukaryotic cells with radicals of 3.8 × 10 17 cm −2 or less as the first area irradiation dose. To proliferate eukaryotic cells.

なお、本実施形態は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。例えば、プラズマを発生させるガスはアルゴンに限らない。その他の希ガスであってもよい。   This embodiment is merely an example. Therefore, naturally, various improvements and modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, the gas that generates plasma is not limited to argon. Other rare gases may be used.

また、プラズマ照射装置におけるプラズマ条件を、真空紫外吸収分光法を用いることによりフィードバックをかけることとするとなおよい。これにより、電子密度やガス温度、そしてラジカル密度を調整することができる。   Further, it is more preferable that the plasma conditions in the plasma irradiation apparatus are fed back by using vacuum ultraviolet absorption spectroscopy. Thereby, an electron density, gas temperature, and radical density can be adjusted.

(第2の実施形態)
第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、真核細胞にラジカルを照射することに変わりない。ただし、本実施形態では、真核細胞を懸濁した懸濁液にラジカルを照射する。そのため、本実施形態では、懸濁液に供給されたラジカルは、液体中で真核細胞に作用することとなる。
(Second Embodiment)
A second embodiment will be described. In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the eukaryotic cells are irradiated with radicals. However, in this embodiment, radicals are irradiated to a suspension in which eukaryotic cells are suspended. Therefore, in this embodiment, radicals supplied to the suspension act on eukaryotic cells in the liquid.

1.ラジカルの照射量
1−1.面積照射量と体積照射量
ラジカルの照射量には、面積照射量と体積照射量とがある。体積照射量は、液体中の真核細胞にラジカルを照射する場合に用いる。
1. Radiation dose 1-1. Area irradiation amount and volume irradiation amount Radiation irradiation amount includes area irradiation amount and volume irradiation amount. Volume irradiation is used when eukaryotic cells in a liquid are irradiated with radicals.

1−2.体積照射量の定義
液体に供給されるラジカルの体積照射量は、次式で表される。
SV = RD × V1 × ET × S1 / C1
SV:ラジカルの体積照射量(cm-3
RD:ラジカル密度(cm-3
V1:ラジカルの流速(m/sec)
ET:ラジカルの照射時間(sec)
S1:照射口の面積(cm2
C1:懸濁液の容積(cm3
体積照射量は、真核細胞を含む液体(懸濁液)の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である。ここで、ラジカル密度RDは、三重項酸素原子の密度である。
1-2. Definition of Volume Irradiation Amount The volume irradiation amount of radicals supplied to a liquid is expressed by the following equation.
SV = RD × V1 × ET × S1 / C1
SV: Radical volume irradiation (cm -3 )
RD: radical density (cm −3 )
V1: Radical flow rate (m / sec)
ET: Radical irradiation time (sec)
S1: Area of irradiation port (cm 2 )
C1: Volume of suspension (cm 3 )
The volume irradiation amount is the number of triplet oxygen atoms supplied to the volume of the liquid (suspension) containing eukaryotic cells. Here, the radical density RD is the density of triplet oxygen atoms.

2.ラジカルの照射による真核細胞の増殖方法
本実施形態における真核細胞の増殖方法は、プラズマ発生装置100により発生させたラジカルを真核生物に照射するラジカル照射工程を有する。そして、ラジカル照射工程では、ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、ラジカルを真核細胞に照射し、真核細胞を増殖させる。また、ラジカル照射工程では、三重項酸素原子と一重項酸素分子との少なくとも一方を真核細胞に照射する。実際には、三重項酸素原子と一重項酸素分子との両方を真核細胞に照射する。その際に、真核細胞は、懸濁液中に分散されている。
2. Method for Propagating Eukaryotic Cells by Radiation Irradiation The method for propagating eukaryotic cells in the present embodiment has a radical irradiation step of irradiating eukaryotes with radicals generated by the plasma generator 100. Then, in the radical irradiation step, the eukaryotic cell is propagated by irradiating the eukaryotic cell with the radical irradiation amount set to a predetermined first irradiation amount or less. In the radical irradiation step, eukaryotic cells are irradiated with at least one of triplet oxygen atoms and singlet oxygen molecules. In practice, eukaryotic cells are irradiated with both triplet oxygen atoms and singlet oxygen molecules. At that time, the eukaryotic cells are dispersed in the suspension.

2−1.懸濁液作製工程
寒天培地において真核細胞を培養する。そして、寒天培地から真核細胞を取り出し、リン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))に懸濁する。このように、真核細胞を懸濁した懸濁液を作製する。
2-1. Suspension preparation process Eukaryotic cells are cultured in an agar medium. Then, eukaryotic cells are taken out from the agar medium and suspended in phosphate buffered saline (PBS (−)). In this way, a suspension in which eukaryotic cells are suspended is prepared.

2−2.ラジカル照射工程
次に、プラズマ発生装置100からラジカルを懸濁液の真核細胞に向けて照射する。ここでは、第1の照射量以下の三重項酸素原子を真核細胞に照射する。第1の照射量は、懸濁液の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である第1の体積照射量である。第1の体積照射量は、3.0×1017cm-3である。これにより、真核細胞は、増殖する。また、この照射に際して、一重項酸素分子も、真核細胞に照射される。
2-2. Radical irradiation process Next, the plasma generator 100 irradiates radicals toward the eukaryotic cells of the suspension. Here, the eucaryotic cell is irradiated with triplet oxygen atoms equal to or less than the first irradiation amount. The first irradiation dose is a first volume irradiation dose that is the number of triplet oxygen atoms supplied to the suspension volume. The first volume dose is 3.0 × 10 17 cm −3 . Thereby, eukaryotic cells proliferate. In this irradiation, eukaryotic cells are also irradiated with singlet oxygen molecules.

3.本実施形態の効果
三重項酸素原子と一重項酸素分子とを含むラジカルを真核細胞に第1の照射量以下だけ照射すると、その真核細胞は増殖する。なお、ラジカルを真核細胞に第1の照射量より多い量だけ照射すると、その真核細胞は減少する。ラジカルの照射量の大小によって真核細胞が増殖したり減少する理由は、必ずしも明らかではない。実験結果については、後述する。
3. Effect of this Embodiment When a eukaryotic cell is irradiated with a radical containing a triplet oxygen atom and a singlet oxygen molecule by a first irradiation dose or less, the eukaryotic cell grows. Note that when eukaryotic cells are irradiated with radicals by an amount larger than the first irradiation amount, the eukaryotic cells decrease. The reason why eukaryotic cells grow or decrease depending on the amount of radical irradiation is not always clear. The experimental results will be described later.

4.真核細胞の生産方法
以上により説明した真核細胞の増殖方法を用いて、真核細胞を生産することができる。つまり、真核細胞の数を増加させて、短い時間で真核細胞を増産することができる。
4). Eukaryotic Cell Production Method Eukaryotic cells can be produced using the eukaryotic cell growth method described above. That is, it is possible to increase the number of eukaryotic cells and increase the production of eukaryotic cells in a short time.

5.変形例
5−1.懸濁方法
または、液体培養しておいた真核細胞から、遠心分離機を用いて集菌する。そして、それらの真核細胞をリン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁してもよい。
5. Modified example 5-1. Suspension method Or collect cells from eukaryotic cells cultured in liquid using a centrifuge. Then, these eukaryotic cells may be suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)).

6.本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の真核細胞の増殖方法は、第1の体積照射量として3.0×1017cm-3以下のラジカルを真核細胞を含む懸濁液に照射することにより、真核細胞を増殖させる。
6). Summary of the present embodiment As described in detail above, the eukaryotic cell growth method of the present embodiment includes eukaryotic cells with radicals of 3.0 × 10 17 cm −3 or less as the first volume dose. Eukaryotic cells are grown by irradiating the suspension.

なお、本実施形態は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。例えば、プラズマを発生させるガスはアルゴンに限らない。その他の希ガスであってもよい。   This embodiment is merely an example. Therefore, naturally, various improvements and modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, the gas that generates plasma is not limited to argon. Other rare gases may be used.

また、プラズマ照射装置におけるプラズマ条件を、真空紫外吸収分光法を用いることによりフィードバックをかけることとするとなおよい。これにより、電子密度やガス温度、そしてラジカル密度を調整することができる。   Further, it is more preferable that the plasma conditions in the plasma irradiation apparatus are fed back by using vacuum ultraviolet absorption spectroscopy. Thereby, an electron density, gas temperature, and radical density can be adjusted.

(第3の実施形態)
第3の実施形態について説明する。本実施形態では、第2の実施形態と同様に、懸濁液中の真核細胞にラジカルを照射する。第2の実施形態と異なる点について説明する。
(Third embodiment)
A third embodiment will be described. In the present embodiment, as in the second embodiment, eukaryotic cells in the suspension are irradiated with radicals. Differences from the second embodiment will be described.

1.真核細胞と細胞周期
図4に、真核細胞の細胞分裂の細胞周期を示す。真核細胞は、いずれも、図4に示す細胞周期により細胞分裂を引き起こす。すなわち、図4に示す細胞周期は、あらゆる真核細胞に共通の事象である。
1. Eukaryotic Cell and Cell Cycle FIG. 4 shows the cell cycle of eukaryotic cell division. All eukaryotic cells cause cell division by the cell cycle shown in FIG. That is, the cell cycle shown in FIG. 4 is an event common to all eukaryotic cells.

図4に示すように、細胞周期には、G1期、S期、G2期、M期、が、この順序で存在する。S期は、DNAを複製する期間である。M期は、倍加したDNAおよび細胞内小器官を均等に分割する期間である。G1期、G2期は、これらの間に位置する期間である。   As shown in FIG. 4, the cell cycle has a G1 phase, an S phase, a G2 phase, and an M phase in this order. The S phase is a period for replicating DNA. The M phase is a period for equally dividing the doubled DNA and intracellular organelles. The G1 period and the G2 period are periods located between them.

ある容器内に多数の真核細胞がある場合には、それらの真核細胞は、一般に、異なる細胞周期にある。例えば、容器内の真核細胞のうち、ある真核細胞は、G1期を迎えており、別の真核細胞は、M期を迎えている。   If there are many eukaryotic cells in a container, those eukaryotic cells are generally in different cell cycles. For example, among eukaryotic cells in the container, one eukaryotic cell has reached the G1 phase, and another eukaryotic cell has reached the M phase.

2.ラジカルの周期的な照射による真核細胞の増殖方法
ここで、本実施形態における真核細胞の増殖方法について説明する。本実施形態のラジカル照射工程では、第1の周期でラジカルを真核細胞に周期的に照射する。この第1の周期は、真核細胞の細胞周期におけるG1期に同調している。これにより、真核細胞がG1期にあるときに、ラジカルを真核細胞に照射することができる。後述するように、真核細胞のうち、G1期にあるものが増殖し、G1期にないものがわずかに減少する。その結果、全体としては、通常よりも早く、真核細胞が増殖する。
2. Eukaryotic Cell Proliferation Method by Periodic Radiation Irradiation Here, the eukaryotic cell growth method in this embodiment will be described. In the radical irradiation process of this embodiment, radicals are periodically irradiated to eukaryotic cells in the first period. This first cycle is synchronized with the G1 phase in the cell cycle of eukaryotic cells. Thus, when the eukaryotic cell is in the G1 phase, the eukaryotic cell can be irradiated with radicals. As will be described later, among eukaryotic cells, those in the G1 phase proliferate, and those not in the G1 phase slightly decrease. As a result, as a whole, eukaryotic cells proliferate faster than usual.

2−1.懸濁液作製工程
寒天培地において真核細胞を培養する。そして、寒天培地から真核細胞を取り出し、リン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))に懸濁する。このように、真核細胞を懸濁した懸濁液を作製する。
2-1. Suspension preparation process Eukaryotic cells are cultured in an agar medium. Then, eukaryotic cells are taken out from the agar medium and suspended in phosphate buffered saline (PBS (−)). In this way, a suspension in which eukaryotic cells are suspended is prepared.

2−2.ラジカル照射工程
次に、プラズマ発生装置100からラジカルを懸濁液の真核細胞に向けて照射する。ここでは、第1の照射量以下の三重項酸素原子を真核細胞に照射する。第1の照射量は、懸濁液の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である第1の体積照射量である。第1の体積照射量は、3.0×1017cm-3である。これにより、真核細胞は、増殖する。また、この照射に際して、一重項酸素分子も、真核細胞に照射される。
2-2. Radical irradiation process Next, the plasma generator 100 irradiates radicals toward the eukaryotic cells of the suspension. Here, the eucaryotic cell is irradiated with triplet oxygen atoms equal to or less than the first irradiation amount. The first irradiation dose is a first volume irradiation dose that is the number of triplet oxygen atoms supplied to the suspension volume. The first volume dose is 3.0 × 10 17 cm −3 . Thereby, eukaryotic cells proliferate. In this irradiation, eukaryotic cells are also irradiated with singlet oxygen molecules.

なお、ここで、ラジカルの照射を周期的に行う。つまり、第1の周期でラジカルを真核細胞に周期的に照射する。この第1の周期は、真核細胞の細胞周期におけるG1期に同調している。そのため、第1の周期は、その真核細胞の細胞周期の平均値である。また、第1の周期は、その真核細胞の細胞周期の平均値の80%以上120%以下の範囲内であってもよい。好ましくは、その真核細胞の細胞周期の平均値の90%以上110%以下の範囲内である。より好ましくは、その真核細胞の細胞周期の平均値の95%以上105%以下の範囲内である。また、ラジカルを照射する時間は、G1期に相当する期間内であればよい。つまり、G1期の少なくとも一部の期間であればよい。   Here, radical irradiation is periodically performed. That is, the eukaryotic cell is periodically irradiated with radicals in the first cycle. This first cycle is synchronized with the G1 phase in the cell cycle of eukaryotic cells. Therefore, the first cycle is an average value of the cell cycle of the eukaryotic cell. The first cycle may be in the range of 80% to 120% of the average value of the cell cycle of the eukaryotic cell. Preferably, it is in the range of 90% to 110% of the average value of the cell cycle of the eukaryotic cell. More preferably, it is in the range of 95% to 105% of the average value of the cell cycle of the eukaryotic cell. Further, the radical irradiation time may be within a period corresponding to the G1 period. That is, it may be at least a part of the G1 period.

3.本実施形態の効果
後述するように、真核細胞は、G1期に第1の照射量以下のラジカルを照射されると、増殖する。真核細胞は、G1期に第1の照射量より多い量のラジカルを照射されると、減少する。また、S期、M期では、真核細胞は、第1の照射量以下のラジカルを照射されると、わずかに減少する。
3. Effects of this embodiment As will be described later, eukaryotic cells proliferate when irradiated with radicals having a dose equal to or less than the first dose in the G1 phase. Eukaryotic cells decrease when they are irradiated with an amount of radicals greater than the first dose during the G1 phase. In the S phase and M phase, eukaryotic cells slightly decrease when irradiated with radicals of the first dose or less.

そのため、G1期の期間に相当する時間だけ、周期的にラジカルを照射すれば、真核細胞は増殖する。多数の真核細胞を培養している懸濁液等にラジカルを照射すると、G1期、S期、G2期、M期のそれぞれに該当する真核細胞にラジカルが照射されることとなる。そのため、G1期の真核細胞は、増殖を促進される。S期、G2期、M期の真核細胞は、わずかに減少する。これらの増殖する効果とわずかに減少する効果とを合わせて、真核細胞は全体として増殖する。   Therefore, eukaryotic cells proliferate if radicals are periodically irradiated for a time corresponding to the period of G1 phase. When a radical or the like in which a large number of eukaryotic cells are cultured is irradiated with radicals, the eukaryotic cells corresponding to the G1, S, G2, and M phases are irradiated with radicals. Therefore, proliferation of the eukaryotic cells in the G1 phase is promoted. S, G2 and M eukaryotic cells are slightly reduced. Combined with these proliferating and slightly decreasing effects, eukaryotic cells proliferate as a whole.

4.真核細胞の生産方法
以上により説明した真核細胞の増殖方法を用いて、真核細胞を生産することができる。つまり、真核細胞の数を増加させて、短い時間で真核細胞を増産することができる。
4). Eukaryotic Cell Production Method Eukaryotic cells can be produced using the eukaryotic cell growth method described above. That is, it is possible to increase the number of eukaryotic cells and increase the production of eukaryotic cells in a short time.

5.本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の真核細胞の増殖方法では、真核細胞のG1期に合わせて周期的にラジカルを真核細胞に照射する。これにより、真核細胞を好適に増殖させることができる。
5. Summary of the present embodiment As described in detail above, in the eukaryotic cell growth method of the present embodiment, the eukaryotic cells are periodically irradiated with radicals in accordance with the G1 phase of the eukaryotic cells. Thereby, a eukaryotic cell can be propagated suitably.

(第1の実施形態から第3の実施形態までの効果)
上記の実施形態で説明したように、ラジカルを照射することにより、真核生物を増殖させることができる。真核生物は、真核細胞を有する生物である。真核細胞は、動物細胞と、植物細胞と、を含む。
(Effects from the first embodiment to the third embodiment)
As described in the above embodiment, eukaryotes can be grown by irradiating radicals. A eukaryote is an organism having eukaryotic cells. Eukaryotic cells include animal cells and plant cells.

以上の実施形態で説明した真核細胞の増殖方法を用いることにより、農業、食品、薬品、医療などで用いられる有用な生物を効率よく増産できる。   By using the eukaryotic cell growth method described in the above embodiment, it is possible to efficiently increase the production of useful organisms used in agriculture, food, medicine, medicine and the like.

A.ラジカルの測定
A−1.測定装置
ラジカルと真核細胞との関係について説明する前に、プラズマ発生装置100とそのプラズマ発生装置100から照射されるラジカルとの関係について説明する。図5は、本実験で用いたプラズマ発生装置300の概略構成を示す図である。本実験で用いるプラズマ発生装置300は、図1で説明したプラズマ発生装置100に、ラジカル等の中性粒子を測定する真空紫外吸収分光器350を付加したものである。なお、プラスチックカバー150については、図5では省略してある。また、既にプラズマ発生装置100で説明した構成については、記載を省略する。
A. Measurement of radicals A-1. Measurement Device Before describing the relationship between radicals and eukaryotic cells, the relationship between the plasma generator 100 and radicals irradiated from the plasma generator 100 will be described. FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the plasma generator 300 used in this experiment. The plasma generator 300 used in this experiment is obtained by adding a vacuum ultraviolet absorption spectrometer 350 for measuring neutral particles such as radicals to the plasma generator 100 described in FIG. The plastic cover 150 is omitted in FIG. Further, the description of the configuration already described in the plasma generator 100 is omitted.

真空紫外吸収分光器350は、真空紫外ランプ310と、MgF2 窓311と、排気口312と、光電子増倍管320と、MgF2 窓321と、排気口322と、を有している。真空紫外吸収分光器350は、真空紫外ランプ310から放出された光を、MgF2 窓311と、MgF2 窓321との間の吸収長Lで吸収させ、光電子増倍管320で検出された吸収スペクトルを解析することにより、ラジカル等の種類を特定するためのものである。そして、その吸収スペクトルの強度から、そのラジカル密度を測定することができる。 The vacuum ultraviolet absorption spectrometer 350 includes a vacuum ultraviolet lamp 310, an MgF 2 window 311, an exhaust port 312, a photomultiplier tube 320, an MgF 2 window 321, and an exhaust port 322. The vacuum ultraviolet absorption spectrometer 350 absorbs the light emitted from the vacuum ultraviolet lamp 310 with the absorption length L between the MgF 2 window 311 and the MgF 2 window 321, and the absorption detected by the photomultiplier tube 320. This is for identifying the type of radical or the like by analyzing the spectrum. The radical density can be measured from the intensity of the absorption spectrum.

A−2.プラズマの条件
ここで、実験で用いた条件について説明する。表1に示すように、放電部250のプラズマ発生領域で発生したプラズマの密度は、2×1016cm-3であった。そして、照射距離、すなわち、照射口211からサンプルまでの距離を10mmとした。そして、その照射距離における三重項酸素原子の密度は、2.25×1014cm-3であった。また、その照射距離におけるラジカルの流速は、10.4m/sであった。
A-2. Plasma Conditions Here, conditions used in the experiment will be described. As shown in Table 1, the density of the plasma generated in the plasma generation region of the discharge unit 250 was 2 × 10 16 cm −3 . The irradiation distance, that is, the distance from the irradiation port 211 to the sample was 10 mm. The density of triplet oxygen atoms at the irradiation distance was 2.25 × 10 14 cm −3 . The radical flow rate at the irradiation distance was 10.4 m / s.

プラズマガスとして、Arと酸素ガスとの混合ガスを用いた。このプラズマガスにおけるガスの総流量は、5.0slmであった。プラズマガスに含まれるO2 の含有率は、0.6%であった。なお、雰囲気ガスとしてArガスを供給した。そのため、ラジカルは、酸素原子を含むもののみ生成される。ただし、Arガス等を除く。例えば、窒素原子を含むものは生成されない。すなわち、発生するラジカルは、三重項酸素原子ラジカル(O(3 j ))および一重項酸素分子ラジカル(O2 1 Δg ))である。また、オゾンが発生することもある。 A mixed gas of Ar and oxygen gas was used as the plasma gas. The total gas flow rate in this plasma gas was 5.0 slm. The content of O 2 contained in the plasma gas was 0.6%. In addition, Ar gas was supplied as atmospheric gas. Therefore, only radicals containing oxygen atoms are generated. However, Ar gas and the like are excluded. For example, those containing nitrogen atoms are not generated. That is, the generated radicals are a triplet oxygen atom radical (O ( 3 P j )) and a singlet oxygen molecular radical (O 2 ( 1 Δ g )). Ozone may also be generated.

[表1]
プラズマ密度(発生領域) 2×1016cm-3
照射距離 10mm
三重項酸素原子の密度(照射領域) 2.25×1014cm-3
流速(照射領域) 10.4m/s
プラズマガス Ar+O2
総流量 5.0/min
2 の含有率 0.6%
雰囲気ガス Arガス
[Table 1]
Plasma density (generation area) 2 × 10 16 cm -3
Irradiation distance 10mm
Triplet oxygen atom density (irradiation region) 2.25 × 10 14 cm −3
Flow velocity (irradiation area) 10.4 m / s
Plasma gas Ar + O 2
Total flow rate 5.0 / min
O 2 content 0.6%
Atmospheric gas Ar gas

A−3.ラジカル
図6は、スリット211からサンプルまでの照射距離と、三重項酸素原子の密度との関係を示すグラフである。図6に示すように、三重項酸素原子の密度は、照射距離が離れるにつれて、指数関数的に減少する。そして、スリット211からサンプルまでの照射距離が10mmのとき、三重項酸素原子の密度は、2.25×1014cm-3である。
A-3. Radical FIG. 6 is a graph showing the relationship between the irradiation distance from the slit 211 to the sample and the density of triplet oxygen atoms. As shown in FIG. 6, the density of triplet oxygen atoms decreases exponentially as the irradiation distance increases. When the irradiation distance from the slit 211 to the sample is 10 mm, the density of triplet oxygen atoms is 2.25 × 10 14 cm −3 .

図7は、ラジカルの照射距離と、ラジカル密度との関係を示すグラフである。図7の横軸は、ラジカルの照射距離である。図7の縦軸の一方は、ラジカル密度である。
図7の縦軸の他方は、D値である。D値については、後述する。三重項酸素原子の密度は、ラジカルの照射距離が大きくなるほど、指数関数的に減少する。一方、一重項酸素分子の密度は、ラジカルの照射距離が大きくなってもほぼ一定で変わらない。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between radical irradiation distance and radical density. The horizontal axis in FIG. 7 is the radical irradiation distance. One of the vertical axes in FIG. 7 is the radical density.
The other of the vertical axis | shafts of FIG. 7 is D value. The D value will be described later. The density of the triplet oxygen atom decreases exponentially as the radical irradiation distance increases. On the other hand, the density of singlet oxygen molecules remains almost constant even when the irradiation distance of radicals is increased.

図8は、表1のプラズマガスにおけるO2 の含有率とラジカル密度との関係を示すグラフである。図8の横軸は、プラズマガスにおける酸素濃度である。図8の縦軸の一方は、ラジカル密度である。図8の縦軸の他方は、D値である。D値については、後述する。図8に示すように、酸素濃度が0.6%の付近で三重項酸素原子の濃度が最も高い。そのため、表1に示すように、酸素濃度を0.6%程度とすると、三重項酸素原子の密度が高い中性粒子をサンプルに照射することができる。また、三重項酸素原子の濃度が高いほど、D値は低い。 FIG. 8 is a graph showing the relationship between the O 2 content in the plasma gas of Table 1 and the radical density. The horizontal axis in FIG. 8 represents the oxygen concentration in the plasma gas. One of the vertical axes in FIG. 8 is the radical density. The other of the vertical axis | shafts of FIG. 8 is D value. The D value will be described later. As shown in FIG. 8, the triplet oxygen atom concentration is the highest when the oxygen concentration is around 0.6%. Therefore, as shown in Table 1, when the oxygen concentration is about 0.6%, the sample can be irradiated with neutral particles having a high density of triplet oxygen atoms. Also, the higher the triplet oxygen atom concentration, the lower the D value.

ここで、D値とは、プラズマを照射し続けることにより、菌数が初期の10%以下となる時間を表したものである。この値が小さいほど、殺菌効果が強い。図7において、三重項酸素原子の密度が高いほど、D値は小さいという傾向が見られる。このように、出芽酵母の殺菌効果は、三重項酸素原子に由来すると考えられる。図8に示すように、三重項酸素原子の密度が高いほど、D値は小さい。すなわち、殺菌効果は高い。   Here, the D value represents the time during which the number of bacteria is 10% or less of the initial value by continuing to irradiate plasma. The smaller this value, the stronger the bactericidal effect. In FIG. 7, the higher the triplet oxygen atom density, the smaller the D value. Thus, it is thought that the bactericidal effect of budding yeast originates from triplet oxygen atoms. As shown in FIG. 8, the higher the density of triplet oxygen atoms, the smaller the D value. That is, the bactericidal effect is high.

B.出芽酵母1
以下、ラジカルと真核細胞との関係について説明する。
B. Budding yeast 1
Hereinafter, the relationship between radicals and eukaryotic cells will be described.

B−1.実験手順
まず、サンプルの作製方法について説明する。直径90mmのシャーレに寒天培地を作成した。この寒天培地は、酵母エキス、ペプトン、ブドウ糖を含むものであった。そして、この寒天培地に、出芽酵母を培養した。出芽酵母は、真核細胞のうちの一つである。このように形成したコロニーを爪楊枝で取り出し、リン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁した。培養した出芽酵母の菌の濃度は、1000000細胞/ml以上3000000細胞/ml以下の範囲内であった。
B-1. Experimental Procedure First, a method for producing a sample will be described. An agar medium was prepared in a petri dish having a diameter of 90 mm. This agar medium contained yeast extract, peptone, and glucose. Then, budding yeast was cultured on this agar medium. Saccharomyces cerevisiae is one of eukaryotic cells. The colonies thus formed were taken out with a toothpick and suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)). The concentration of the cultured budding yeast was in the range of 1000000 cells / ml or more and 3000000 cells / ml or less.

または、液体培養しておいた出芽酵母から、遠心分離機を用いて集菌した。そして、それらの出芽酵母をリン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁した。   Alternatively, cells were collected from budding yeast that had been cultured in liquid using a centrifuge. These budding yeasts were suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)).

次に、これらのサンプルに上記の条件でプラズマを所定時間だけ照射する。そして、出芽酵母の菌数を数えた。その際に、血球計算盤を用いた。出芽酵母の生菌数を次の式(1)に示す生菌率の変化量により評価した。
生菌率の変化量(%) = (N−N0 )/N0 × 100 ………(1)
N :ラジカルを照射したサンプルの生菌数
0 :ラジカルを照射していないサンプルの生菌数
Next, these samples are irradiated with plasma under the above conditions for a predetermined time. Then, the number of budding yeast was counted. At that time, a hemocytometer was used. The viable cell count of the budding yeast was evaluated by the amount of change in the viable cell rate represented by the following formula (1).
Amount of change in viability rate (%) = (N−N 0 ) / N 0 × 100 (1)
N: Viable count of the sample irradiated with radicals
N 0 : Number of viable bacteria in the sample not irradiated with radicals

したがって、式(1)の生菌率の変化量が正の値であれば、出芽酵母の菌数は、ラジカルを照射することにより増加したことを示している。逆に、生菌率の変化量が負の値であれば、出芽酵母の菌数は、ラジカルを照射することにより減少したことを示している。   Therefore, if the variation | change_quantity of the viable cell rate of Formula (1) is a positive value, it has shown that the number of budding yeast increased by irradiating a radical. Conversely, if the amount of change in the viable cell rate is a negative value, it indicates that the number of budding yeast cells has decreased by irradiation with radicals.

B−2.実験結果
実験結果を図9に示す。図9の横軸は、サンプルにプラズマを照射した時間である。図9の縦軸は、その場合における式(1)の生菌率の変化量である。そして、例えば、生菌率の変化量が10%であった場合には、ラジカルを照射することで出芽酵母の菌数が10%増加したことを示唆している。
B-2. Experimental results The experimental results are shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 9 represents the time when the sample was irradiated with plasma. The vertical axis | shaft of FIG. 9 is the variation | change_quantity of the viable cell rate of Formula (1) in that case. For example, when the amount of change in the viable cell rate is 10%, it is suggested that the number of budding yeast increased by 10% by irradiation with radicals.

図9に示すように、ラジカルの照射時間が30秒から90秒にかけて、出芽酵母の菌数は増加している。一方、ラジカルの照射時間が120秒から180秒にかけて、出芽酵母の菌数は減少している。このように、ラジカルの面積照射量を少ない照射量とした場合には、出芽酵母の菌数は増加し、ラジカルの面積照射量を多い照射量とした場合には、出芽酵母の菌数は減少する。   As shown in FIG. 9, the number of budding yeasts increases as the radical irradiation time increases from 30 seconds to 90 seconds. On the other hand, the number of budding yeasts decreases as the radical irradiation time increases from 120 seconds to 180 seconds. Thus, the number of budding yeast increases when the area irradiation amount of radicals is small, and the number of budding yeast decreases when the area irradiation amount of radicals is large. To do.

図9より、ラジカルの照射時間が90秒以下では、出芽酵母は増殖している。このときの三重項酸素原子の密度は、2.25×1014cm-3である。また、流速は10.4m/secである。したがって、三重項酸素原子の面積照射量は、これらを掛け合わせて、3.8×1017cm-2以下の場合に、出芽酵母は増殖している。この範囲内では、出芽酵母の増殖率は10%程度である。 From FIG. 9, the budding yeast is proliferating when the radical irradiation time is 90 seconds or less. The density of triplet oxygen atoms at this time is 2.25 × 10 14 cm −3 . The flow rate is 10.4 m / sec. Therefore, the budding yeast is proliferating when the area irradiation amount of triplet oxygen atoms is 3.8 × 10 17 cm −2 or less when these are multiplied. Within this range, the growth rate of budding yeast is about 10%.

一方、ラジカルの照射時間が120秒以上では、出芽酵母は減少している。このときの三重項酸素原子の密度は、2.25×1014cm-3である。また、流速は10.4m/secである。したがって、三重項酸素原子の面積照射量は、これらを掛け合わせて、2.8×1019cm-2以上の場合に、出芽酵母は減少している。 On the other hand, when the radical irradiation time is 120 seconds or more, budding yeast is decreased. The density of triplet oxygen atoms at this time is 2.25 × 10 14 cm −3 . The flow rate is 10.4 m / sec. Therefore, when the area irradiation amount of triplet oxygen atoms is 2.8 × 10 19 cm −2 or more when multiplied by these, budding yeast is decreased.

C.出芽酵母2
C−1.実験手順
実験条件は、実験Bで用いた実験条件とほぼ同じである。
C. Budding yeast 2
C-1. Experimental Procedure The experimental conditions are almost the same as the experimental conditions used in Experiment B.

まず、酵母をYPD培地で培養した。その後、集菌し、出芽酵母をリン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁した。プラスチックカバー150を用いて、周囲の大気の影響を排除した上で、プラズマを懸濁液に照射した。その後、酵母を再びYPD培地で培養した。その後、24時間ごとに、酵母の生菌数を数えた。   First, yeast was cultured in YPD medium. Thereafter, the cells were collected, and the budding yeast was suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)). The plastic cover 150 was used to irradiate the suspension with plasma after eliminating the influence of the surrounding atmosphere. Thereafter, the yeast was cultured again in YPD medium. Thereafter, the number of viable yeast was counted every 24 hours.

C−2.実験結果
図10は、プラズマの照射時間に対する酵母の生菌数を示すグラフである。図10の横軸は、ラジカルの照射時間である。図10の縦軸は、式(1)の生菌率の変化量である。ここでの、生菌率は、ラジカルを照射してから48時間経過後の生菌数から算出したものである。図10の領域L1は、酵母の生菌数が通常より多い場合を示す。領域L2は、酵母の生菌数が通常より少ない場合を示す。
C-2. Experimental Results FIG. 10 is a graph showing the number of viable yeast cells with respect to the plasma irradiation time. The horizontal axis in FIG. 10 is the radical irradiation time. The vertical axis | shaft of FIG. 10 is the variation | change_quantity of the viable cell rate of Formula (1). Here, the viable cell rate is calculated from the viable cell count after 48 hours from the irradiation of radicals. Region L1 in FIG. 10 shows a case where the number of viable yeast is larger than usual. Region L2 shows the case where the number of viable yeast is less than usual.

図10では、図9と同様の傾向がみられる。すなわち、ラジカルの照射が少ない場合には、酵母の生菌数が多く、ラジカルの照射が多い場合には、酵母の生菌数が少ない。   In FIG. 10, the same tendency as in FIG. 9 is observed. That is, when the radical irradiation is small, the number of viable yeast is large, and when the radical irradiation is large, the number of live yeast is small.

図11は、ラジカルの体積照射量に対する細胞数の変化率を示すグラフである。このグラフを描くにあたって、図10のデータを用いた。図11の横軸は、ラジカルの体積照射量である。図11の縦軸は、ラジカルを照射しなかった場合と比較した酵母の生菌率である。   FIG. 11 is a graph showing the change rate of the number of cells with respect to the volume irradiation amount of radicals. In drawing this graph, the data of FIG. 10 was used. The horizontal axis in FIG. 11 represents the volume irradiation amount of radicals. The vertical axis | shaft of FIG. 11 is the viable cell rate of the yeast compared with the case where a radical is not irradiated.

図11に示すように、領域R1では、酵母の増殖が促進される。領域R2では、酵母の増殖が抑制される。領域R3では、酵母が不活性化される。領域R1と領域R2との境界は、2.7×1017cm-3である。そのため、第1の体積照射量は、2.7×1017cm-3である。つまり、第1の体積照射量は、3.0×1017cm-3程度である。領域R2と領域R3との境界は、1.5×1018cm-3である。そのため、第2の体積照射量は、1.5×1018cm-3である。 As shown in FIG. 11, in the region R1, the growth of yeast is promoted. In the region R2, the growth of yeast is suppressed. In region R3, the yeast is inactivated. The boundary between the region R1 and the region R2 is 2.7 × 10 17 cm −3 . Therefore, the first volume irradiation amount is 2.7 × 10 17 cm −3 . That is, the first volume irradiation amount is about 3.0 × 10 17 cm −3 . The boundary between the region R2 and the region R3 is 1.5 × 10 18 cm −3 . Therefore, the second volume irradiation amount is 1.5 × 10 18 cm −3 .

図12は、ラジカルの照射時間と懸濁液中の出芽酵母の増殖率との関係についての照射距離依存性を示すグラフである。図12に示すように、出芽酵母を増殖させるピークは、照射口210からサンプルまでの距離が短いほど、照射時間の短い時間の側に位置している。一方、図6では、照射口210からサンプルまでの距離が短いほど、三重項酸素原子の密度は高い。これらのことから、三重項酸素原子の供給量が、ある一定値近傍である場合に、出芽酵母の増殖が促進されると考えられる。したがって、出芽酵母の増減に主要な役割を果たしているのは、酸素ラジカルのうちの三重項酸素原子であると推測される。   FIG. 12 is a graph showing the irradiation distance dependence on the relationship between radical irradiation time and the growth rate of budding yeast in suspension. As shown in FIG. 12, the peak for growing budding yeast is located closer to the shorter irradiation time as the distance from the irradiation port 210 to the sample is shorter. On the other hand, in FIG. 6, the shorter the distance from the irradiation port 210 to the sample, the higher the density of triplet oxygen atoms. From these facts, it is considered that the growth of budding yeast is promoted when the supply amount of triplet oxygen atoms is near a certain value. Therefore, it is speculated that it is the triplet oxygen atom of the oxygen radical that plays a major role in the increase and decrease of budding yeast.

D.出芽酵母3(細胞周期)
D−1.実験手順
まず、酵母をYPD培地で培養した。その後、集菌し、出芽酵母をリン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁した。酵母の培地に、α−factor、Hydroxyurea、Nocodazoleのそれぞれを処理した。α−factorを処理した酵母は、G1期のまま停止する。Hydroxyureaを処理した酵母は、S期のまま停止する。Nocodazoleを処理した酵母は、M期のまま停止する。これにより、G1期のみの酵母、S期のみの酵母、M期のみの酵母、を作製した。
D. Budding yeast 3 (cell cycle)
D-1. Experimental Procedure First, yeast was cultured in YPD medium. Thereafter, the cells were collected, and the budding yeast was suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)). Each of α-factor, Hydroxyurea and Nocodeazole was treated in a yeast medium. Yeast treated with α-factor stops in the G1 phase. Yeast treated with Hydroxyrea stops in S phase. Yeast treated with Nocodeazole stops in the M phase. Thereby, yeast only in G1 phase, yeast only in S phase, and yeast only in M phase were produced.

そして、G1期のみの酵母、S期のみの酵母、M期のみの酵母のそれぞれにラジカルを照射した。その後、酵母を再びYPD培地で培養した。その後、60時間経過した後に、酵母の生菌数を数えた。   Then, radicals were irradiated to the yeast only in the G1 phase, the yeast only in the S phase, and the yeast only in the M phase. Thereafter, the yeast was cultured again in YPD medium. Thereafter, after 60 hours, the number of viable yeast was counted.

D−2.実験結果
実験結果を図13に示す。図13に示すように、G1期において、ラジカルを10秒照射した場合に、酵母は増殖した。その増加の割合は10%程度であった。G1期において、ラジカルを20秒照射した場合には、酵母は、減少した。ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、90%程度であった。G1期において、ラジカルを30秒照射した場合には、酵母は、減少した。ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、60%程度であった。
D-2. Experimental results The experimental results are shown in FIG. As shown in FIG. 13, in the G1 phase, when the radical was irradiated for 10 seconds, the yeast grew. The increase rate was about 10%. In the G1 phase, the yeast decreased when the radicals were irradiated for 20 seconds. Compared to the case where radicals were not irradiated, the viable cell count of yeast was about 90%. In the G1 phase, when the radical was irradiated for 30 seconds, the yeast decreased. The number of viable yeast was about 60% as compared with the case where radicals were not irradiated.

図13に示すように、S期において、ラジカルを10秒照射した場合に、酵母はわずかに減少した。ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、97%程度であった。ラジカルを20秒照射した場合には、ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、96%程度であった。ラジカルを30秒照射した場合には、ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、90%程度であった。   As shown in FIG. 13, in the S phase, when radicals were irradiated for 10 seconds, yeast decreased slightly. Compared to the case where radicals were not irradiated, the number of viable yeast was about 97%. When the radicals were irradiated for 20 seconds, the number of viable yeast was about 96% compared to when the radicals were not irradiated. When the radicals were irradiated for 30 seconds, the number of viable yeast was about 90% compared to when the radicals were not irradiated.

図13に示すように、M期において、ラジカルを10秒照射した場合に、酵母はわずかに減少した。ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、98%程度であった。ラジカルを20秒照射した場合には、ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、93%程度であった。ラジカルを30秒照射した場合には、ラジカルを照射しなかった場合に比べて、酵母の生菌数は、80%程度であった。   As shown in FIG. 13, in the M phase, the yeast decreased slightly when the radical was irradiated for 10 seconds. The number of viable yeast was about 98% compared to the case where no radical was irradiated. When the radicals were irradiated for 20 seconds, the number of viable yeast was about 93% compared to when the radicals were not irradiated. When the radicals were irradiated for 30 seconds, the number of viable yeast was about 80% compared to when the radicals were not irradiated.

このように、G1期に、第1の照射量以下のラジカルを酵母に照射した場合に、酵母は増殖した。そのため、第3の実施形態で説明したように、酵母の細胞周期に合わせて、G1期に同期させた周期でラジカルを照射すれば、酵母は好適に増殖すると考えられる。S期やM期の酵母にラジカルを照射したとしても、わずかに減少するのみである。つまり、S期やM期の酵母に対しては、ラジカルの影響は十分に小さい。   Thus, when the yeast was irradiated with radicals having a dose equal to or lower than the first irradiation amount in the G1 phase, the yeast grew. For this reason, as described in the third embodiment, it is considered that if the radicals are irradiated in a cycle synchronized with the G1 phase in accordance with the cell cycle of the yeast, the yeast suitably grows. Even if the S-phase or M-phase yeast is irradiated with radicals, it decreases only slightly. That is, the influence of radicals is sufficiently small for S-phase and M-phase yeasts.

E.マウスの胎児皮膚細胞(NIH3T3)
E−1.培養細胞
本実験では、動物の真核細胞を用いた。つまり、マウスの胎児皮膚細胞(NIH3T3)である。
E. Mouse fetal skin cells (NIH3T3)
E-1. Cultured cells In this experiment, animal eukaryotic cells were used. That is, mouse fetal skin cells (NIH3T3).

E−2.実験手順
まず、マウスの胎児皮膚細胞(NIH3T3)をディッシュ上に培養する。その細胞を集めてリン酸緩衝生理食塩水(PBS(−))3mlに懸濁した。プラスチックカバー150を用いて、周囲の大気の影響を排除した上で、プラズマを懸濁液に照射した。その後、遠心分離機で培養細胞を集めた後、血清入り培養液中でNIH3T3を培養した。そして、60時間経過後に、生存している細胞数を数えた。
E-2. Experimental Procedure First, mouse fetal skin cells (NIH3T3) are cultured on a dish. The cells were collected and suspended in 3 ml of phosphate buffered saline (PBS (−)). The plastic cover 150 was used to irradiate the suspension with plasma after eliminating the influence of the surrounding atmosphere. Thereafter, cultured cells were collected with a centrifuge, and NIH3T3 was cultured in a serum-containing culture solution. Then, after 60 hours, the number of surviving cells was counted.

E−3.実験結果
図14は、三重項酸素原子ラジカルのドーズ量と、マウスの胎児皮膚細胞(NIH3T3)の細胞増殖率と、の関係を示すグラフである。図14に示すように、ラジカルの照射量が3.0×1017cm-3以下の範囲内では、NIH3T3細胞は、増殖する。ラジカルの照射量が3.0×1017cm-3より大きい場合には、上記の実験との整合性から、NIH3T3細胞は、減少するものと考えられる。
E-3. Experimental Results FIG. 14 is a graph showing the relationship between the dose of triplet oxygen atom radicals and the cell growth rate of mouse fetal skin cells (NIH3T3). As shown in FIG. 14, NIH3T3 cells proliferate within a range where the irradiation dose of radicals is 3.0 × 10 17 cm −3 or less. When the irradiation dose of radicals is larger than 3.0 × 10 17 cm −3 , NIH3T3 cells are considered to decrease due to consistency with the above experiment.

つまり、第1の体積照射量が3.0×1017cm-3以下の場合に、NIH3T3細胞は、増殖する。特に、第1の体積照射量が2.0×1017cm-3以上2.7×1017cm-3以下の場合には、NIH3T3細胞は、30%以上も増殖した。ラジカルを照射していないものに比べて、NIH3T3細胞の細胞数が135%程度であった。 That is, NIH3T3 cells proliferate when the first volume irradiation dose is 3.0 × 10 17 cm −3 or less. In particular, when the first volume irradiation dose was 2.0 × 10 17 cm −3 or more and 2.7 × 10 17 cm −3 or less, NIH3T3 cells proliferated 30% or more. Compared to those not irradiated with radicals, the number of NIH3T3 cells was about 135%.

このように、ラジカルを照射することにより、動物細胞であるNIH3T3細胞は増殖した。上記の実験B−Eより、実験した細胞に限らず、植物細胞に対しても、動物細胞に対しても、ラジカルを照射することにより、細胞を増殖させることができると考えられる。   Thus, NIH3T3 cells, which are animal cells, proliferated by irradiation with radicals. From Experiment B-E, it is considered that cells can be proliferated by irradiating radicals to plant cells and animal cells as well as the experimental cells.

100…プラズマ発生装置
110…チャンバー
120…載置部
130…ガス供給部
140…ガス排出部
200…ラジカル照射部
210…照射口
211…スリット
250…放電部
260…中間構造部
270…ノズル部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Plasma generator 110 ... Chamber 120 ... Mounting part 130 ... Gas supply part 140 ... Gas discharge part 200 ... Radical irradiation part 210 ... Irradiation port 211 ... Slit 250 ... Discharge part 260 ... Intermediate structure part 270 ... Nozzle part

Claims (5)

ラジカルを真核細胞に照射するラジカル照射工程を有し、
前記ラジカル照射工程では、
ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、第1の周期でラジカルを真核細胞に周期的に照射して真核細胞を増殖させ、
前記第1の周期は、
真核細胞の細胞周期におけるG1期に同調していること
を特徴とする真核細胞の増殖方法。
Having a radical irradiation step of irradiating eukaryotic cells with radicals;
In the radical irradiation step,
As following the first dose which predetermined irradiation amount of the radical, radicals and periodically irradiated in eukaryotic cells grown eukaryotic cell in a first period,
The first period is:
A method for proliferating eukaryotic cells, which is synchronized with the G1 phase in the cell cycle of eukaryotic cells.
真核細胞をG1期のまま停止させる工程と、
ラジカルを真核細胞に照射するラジカル照射工程と、
を有し、
前記ラジカル照射工程では、
真核細胞をG1期のまま停止させた状態で、ラジカルの照射量を予め定めた第1の照射量以下として、ラジカルを真核細胞に照射し、
真核細胞を増殖させること
を特徴とする真核細胞の増殖方法。
Stopping eukaryotic cells in the G1 phase;
Radiation irradiation process to irradiate eukaryotic cells with radicals ;
Have
In the radical irradiation step,
In a state where the eukaryotic cell is stopped in the G1 phase, the irradiation amount of the radical is set to a predetermined first irradiation amount or less and the radical is irradiated to the eukaryotic cell,
A method of proliferating eukaryotic cells, characterized by growing eukaryotic cells.
請求項1または請求項2に記載の真核細胞の増殖方法において、
前記ラジカル照射工程では、
三重項酸素原子と一重項酸素分子との少なくとも一方を真核細胞に照射すること
を特徴とする真核細胞の増殖方法。
In the eukaryotic cell growth method according to claim 1 or 2 ,
In the radical irradiation step,
A method for growing a eukaryotic cell, comprising irradiating the eukaryotic cell with at least one of a triplet oxygen atom and a singlet oxygen molecule.
請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の真核細胞の増殖方法において、
前記真核細胞を懸濁した懸濁液を作製する懸濁液作製工程を有し、
前記ラジカル照射工程では、
前記懸濁液に三重項酸素原子を照射し、
前記第1の照射量は、
前記懸濁液の容積に対して供給される三重項酸素原子の数である第1の体積照射量であり、
前記第1の体積照射量は、
3.0×1017cm-3であること
を特徴とする真核細胞の増殖方法。
The eukaryotic cell growth method according to any one of claims 1 to 3 ,
A suspension preparation step of preparing a suspension in which the eukaryotic cells are suspended;
In the radical irradiation step,
Irradiating the suspension with triplet oxygen atoms;
The first dose is
A first volume dose that is the number of triplet oxygen atoms supplied to the volume of the suspension;
The first volume dose is
A method for proliferating eukaryotic cells, which is 3.0 × 10 17 cm −3 .
請求項1から請求項までのいずれか1項に記載の真核細胞の増殖方法を用いて真核細胞の数を増加させること
を特徴とする真核細胞の生産方法。
A method for producing a eukaryotic cell, wherein the number of eukaryotic cells is increased using the method for growing a eukaryotic cell according to any one of claims 1 to 4 .
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