JP6481681B2 - テトラフルオロフルオレンを有する液晶性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、液晶性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、３，４，５，６−テトラフルオロ−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジイル骨格を有し、誘電率異方性が負である化合物、この化合物を含有し、ネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学的異方性、誘電率異方性などを利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching)モード、ＰＳＡ（Polymer sustained alignment）モードなどが知られている。

これらのうち、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、およびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモードなどの動作モードの欠点である視野角の狭さを改善できることが知られている。この種のモードを有する液晶表示素子では、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が主に使われている。液晶表示素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の（１）〜（８）で示す物性を有することが好ましい。
（１）熱、光などに対する高い安定性、
（２）高い透明点、
（３）液晶相の低い下限温度、
（４）小さな粘度（η）、
（５）適切な光学的異方性（Δｎ）、
（６）大きな負の誘電率異方性（Δε）、
（７）適切な弾性定数（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）、
（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性。

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱、光などに対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を大きくする。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

（５）のように、適切な光学的異方性を有する化合物は、素子のコントラストを向上させる。素子の設計に応じて、大きな光学的異方性または小さな光学的異方性、すなわち適切な光学的異方性を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学的異方性を有する化合物が適している。（６）のように大きな負の誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。一般に化合物の融点と相溶性とは相関していることが知られており、融点の低い化合物が求められる。

これまでに、大きな負の誘電率異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた（例えば、特許文献１）。特許文献１には、３，４，５，６−テトラフルオロ−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジイル骨格と−ＣＨ_２Ｏ−結合基を有する化合物（Ｓ−１）および（Ｓ−２）が示されている。しかし、これらの化合物は、融点が高く、他の液晶性化合物との相溶性が十分に高くない。

このような状況から、上記の物性（１）〜（８）に関して優れた物性と適切なバランスを有する化合物の開発が望まれている。特に、大きな負の誘電率異方性を有し、かつ他の化合物との相溶性が優れている化合物が求められている。

特開平１０−２３６９９２号公報

本発明の第一の課題は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。特に、大きな負の誘電率異方性を有し、かつ他の化合物との相溶性が優れている化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

本発明は、式（１）で表される液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

式（１）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキル、または炭素数２〜１５のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ａ、ｂ、およびｃは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、およびｃの和は、０、１、または２である。

式（１）で表される化合物は、３，４，５，６−テトラフルオロ−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジイル骨格を持つことにより、大きな負の誘電率異方性を有する。さらに結合基には−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−などの酸素原子を含む基を持たず、末端基にはアルコキシなどの酸素原子を含む基を持たないことにより、融点が低く、他の液晶性化合物との相溶性が優れている。

本発明の第一の長所は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。この長所は、特に大きな負の誘電率異方性を有し、かつ他の化合物との相溶性が優れている化合物を提供することである。第二の長所は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。透明点は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。液晶相の下限温度は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。ネマチック相の上限温度は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）、式（２）などにおいて、六角形で囲んだＡ^１、Ｄ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｄ^１などに対応する。複数の環Ａ^１を１つの式または異なった式に記載した。これらの化合物において、任意の２つの環Ａ^１が表わす２つの基は、同じであってもよいし、または異なってもよい。このルールは、環Ａ^２、Ｚ^２などの記号にも適用される。また、ｌが２のときに２つとなる環Ａ^１にも適用される。百分率で表した化合物の量は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

「少なくとも１つの“Ａ”は、“Ｂ”で置き換えられてもよい」の表現は、“Ａ”が１つのとき、“Ａ”の位置は任意であり、“Ａ”の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。「少なくとも１つのＡが、Ｂ、ＣまたはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合、さらに複数のＡがＢ、Ｃ、Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合を含むことを意味する。例えば、少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き（Ｌ）であってもよいし、右向き（Ｒ）であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、非対称の二価の環にも適用される。

本発明は、下記の項１〜１３に記載された内容を包含する。

項１． 式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキル、または炭素数２〜１５のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ａ、ｂ、およびｃは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、およびｃの和は、０、１、または２である。

項２． 項１に記載の式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２が独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−である、項１に記載の化合物。

項３． 式（１−１）〜（１−４）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−１）〜（１−４）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた炭素数１〜１０のアルキルであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
Ｚ^２は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、または−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｚ^３は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。

項４． 式（１−５）〜（１−１２）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−５）〜（１−１２）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

項５． 式（１−１３）〜（１−２２）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−１３）〜（１−２２）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素である。

項６． 式（１−２３）〜（１−２５）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−２３）〜（１−２５）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜７のアルキルまたは炭素数２〜７のアルケニルである。

項７． 項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。

項８． 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、
Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。

項９． 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７または項８に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

項１０． 式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５、および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

項１１． 式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルまたはアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

項１２． 重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、項７〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

項１３． 項７〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物、液晶組成物、液晶表示素子について、順に説明する。
１−１．化合物（１）
本発明の化合物（１）について説明する。化合物（１）における末端基、環構造、結合基などの好ましい例、およびそれらの基が物性に及ぼす効果は、化合物（１）の下位式にも適用される。

式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキル、または炭素数２〜１５のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。これらの基は、直鎖または分岐鎖であり、シクロヘキシルのような環状基を含まない。これらの基において分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い透明点または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327、に詳細な説明がある。

Ｒ^１またはＲ^２の好ましい例は、アルキル、アルケニル、および少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたアルキルである。Ｒ^１またはＲ^２のさらに好ましい例は、アルキルおよびアルケニルである。

アルキルの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、−Ｃ_１０Ｈ_２１、−Ｃ_１１Ｈ_２３、−Ｃ_１２Ｈ_２５、−Ｃ_１３Ｈ_２７、−Ｃ_１４Ｈ_２９、および−Ｃ_１５Ｈ_３１である。

アルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの例は、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_３、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨＦＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−ＣＦ_２（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＣｌ_２、−ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_３、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＣｌ_３、−ＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、および−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＣｌ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、および−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_２ＣＣｌ_３である。

式（１）において、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

環Ａ^１、環Ａ^２、または環Ａ^３の好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。さらに好ましい例は、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−シクロヘキセニレンである。１，４−シクロへキシレンには、シスおよびトランスの立体配置が存在する。高い上限温度の観点から、トランス配置が好ましい。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンの好ましい例は、環（Ａ−１）〜（Ａ−１７）である。負の大きな誘電率異方性を有するためには、基（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−６）、（Ａ−７）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（Ａ−１０）、または（Ａ−１１）がより好ましい。

式（１）において、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。

式（１）において、ａ、ｂ、およびｃは独立して、０または１であり、ａ、ｂ、およびｃの和は、０、１、または２である。ａ、ｂ、およびｃの好ましい組合せは、（ａ＝ｂ＝ｃ＝０）、（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）、（ｂ＝ｃ＝１，ａ＝０）、または（ａ＝ｂ＝１，ｃ＝０）である。ａ、ｂ、およびｃのさらに好ましい組合せは、（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）、または（ｂ＝ｃ＝１、ａ＝０）である。

１−２．化合物（１）の物性
化合物（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３の種類、ａ、ｂ、およびｃの組合せを適切に選択することによって、透明点、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。Ｒ^１などの種類が化合物（１）の物性に及ぼす主要な効果を以下に説明する。

Ｒ^１またはＲ^２が直鎖であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^１またはＲ^２が分岐鎖であるときは、他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^１またはＲ^２がアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、小さい粘度、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。

環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３の少なくとも１つが、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるときは、特に大きな負の誘電率異方性を有する。

ａ、ｂ、およびｃの組合せが、（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）であり、環Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−シクロヘキセニレンであるときは、透明点が高く、粘度が小さく、他の化合物との相溶性が優れている。（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）であり、環Ａ^２が１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンであるときは、光学的異方性が大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）であり、環Ａ^２がテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるときは、他の化合物との相溶性が優れている。（ｂ＝ｃ＝１，ａ＝０）または（ａ＝ｂ＝１，ｃ＝０）であり、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３が１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはこれらの組み合わせであるときは、透明点が極めて高く、粘度が比較的小さい。（ｂ＝ｃ＝１，ａ＝０）または（ａ＝ｂ＝１，ｃ＝０）であり、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３が１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはこれらの組み合わせであるときは、透明点が高く、光学的異方性が極めて大きい。

Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３の少なくとも１つが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、粘度が小さい。Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３の少なくとも１つが、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、または−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、弾性定数（Ｋ）が大きい。Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３の少なくとも１つが、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、光学的異方性が大きい。Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３が全て、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−（ＣＨ_２）_４−であるときは、化学的安定性が高い。

ａ、ｂ、およびｃの組合せが、（ａ＝ｂ＝ｃ＝０）であるときは、負の誘電率異方性が大きい。ａ、ｂ、およびｃの組合せが、（ｂ＝１，ａ＝ｃ＝０）である時は、負の誘電率異方性が大きく、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。ａ、ｂ、およびｃの組合せが、（ｂ＝ｃ＝１，ａ＝０）であるときは、透明点が高く、他の液晶性化合物との相溶性が優れている。ａ、ｂ、およびｃの組合せが、（ａ＝ｂ＝１，ｃ＝０）であるときは、透明点が極めて高い。

１−３．好ましい化合物
好ましい化合物（１）の例として、項４に記載した化合物（１−５）〜（１−１２）が挙げられる。

式（１−５）〜（１−１２）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

化合物（１）のより好ましい例は、項５に記載した化合物（１−１３）〜（１−２２）が挙げられる。

式（１−１３）〜（１−２２）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはフッ素である。

化合物（１）の最も好ましい例は、項６に記載した化合物（１−２３）〜（１−２５）が挙げられる。

式（１−２３）〜（１−２５）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜７のアルキルまたは炭素数２〜７のアルケニルである。

１−４．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法について説明する。化合物（１）は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、「オーガニックシンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）などの成書に記載されている。

１−４−１．結合基の生成
化合物（１）における結合基を生成する方法の例は、下記のスキームのとおりである。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表す一価の有機基は、同じであってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｇ）は、化合物（１）または化合物（１）の中間体に相当する。

（Ｉ） 単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と化合物（２２）を、炭酸塩、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で反応させ、化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で化合物（２２）を反応させても合成される。

（ＩＩ） −ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２２）をｎ−ブチルリチウム、次いでＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）と反応させてアルデヒド（２４）を得る。ホスホニウム塩（２５）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを反応させて発生させたリンイリドを、アルデヒド（２４）と反応させて化合物（１Ｂ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（ＩＩＩ） −ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化し、化合物（１Ｃ）を合成する。

（ＩＶ） −Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとヨウ化銅の触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（２５）を得る。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（２５）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｄ）を合成する。

（Ｖ） −ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（２６）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと化合物（２６）と反応させて、化合物（１Ｅ）を合成する。

（ＶＩ） −（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−と−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−の生成
ホスホニウム塩（２７）を用い、項（ＩＩ）の方法に従って、化合物（１Ｆ）を合成する。この方法によって−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−を有する化合物も合成する。

（ＶＩＩ） −（ＣＨ_２）_４−の生成
化合物（１Ｆ）をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化し、化合物（１Ｇ）を合成する。

１−４−２．環Ａ^１および環Ａ^２の生成
１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

１−４−３．合成例
化合物（１）を合成する方法の例は、次のとおりである。これらの化合物において、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、ａ、ｂ、およびｃの定義は、項１に記載の式（１）の定義と同じである。

化合物（１）を合成する方法の例は、次のとおりである。公知の方法によって合成される化合物（５１）に対してマグネシウムを作用させグリニャール試薬を調製した後、化合物（５２）と反応させて、化合物（５３）を得る。次に、化合物（５３）に対してトリエチルシランおよび三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体を作用させることによって、化合物（５４）を得る。得られた化合物（５４）に、ｓ−ブチルリチウム、塩化銅（II）、およびニトロベンゼンを作用させることによって、化合物（１）へと導くことができる。化合物（５４）に対して、ｓ−ブチルリチウムおよび塩化鉄（III）を作用させることによって、化合物（１）を合成することもできる。

２．組成物（１）
本発明の液晶組成物（１）について説明をする。この組成物（１）は、少なくとも１つの化合物（１）を成分Ａとして含む。組成物（１）は、２つ以上の化合物（１）を含んでいてもよい。液晶性化合物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物（１）は、化合物（１）の少なくとも１つを１〜９９重量％の範囲で含有することが、優良な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５〜６０重量％の範囲である。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。組成物（１）は、化合物（１）と、本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含んでもよい。

好ましい組成物は、以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選択された化合物を含む。組成物（１）を調製するときには、例えば、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を適切に選択した組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。

成分Ｂは、化合物（２）〜（４）である。成分Ｃは化合物（５）である。成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。成分Ｅは、化合物（１３）〜（１５）である。これらの成分について、順に説明する。

成分Ｂは、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物である。成分Ｂの好ましい例として、化合物（２−１）〜（２−１６）、化合物（３−１）〜（３−１１３）、または化合物（４−１）〜（４−５７）を挙げることができる。

これらの化合物（成分Ｂ）において、Ｒ^１１およびＸ^１１の定義は、項１１記載の式（２）〜（４）と同じである。

成分Ｂは、誘電率異方性が正であり、熱、光などに対する安定性が非常に優れているので、ＴＦＴモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｂの含有量は、組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、化合物（１２）〜（１４）（成分Ｅ）をさらに添加することにより粘度を調整することができる。

成分Ｃは、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（５）である。成分Ｃの好ましい例として、化合物（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。

これらの化合物（成分Ｃ）において、Ｒ^１２およびＸ^１２の定義は、項１２記載の式（５）と同じである。

成分Ｃは、誘電率異方性が正であり、その値が大きいのでＳＴＮモード用、ＴＮモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。成分Ｃは、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学的異方性を調整する、という効果がある。成分Ｃは、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

ＳＴＮモード用またはＴＮモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は、組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適しているが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、成分Ｅを添加することにより液晶相の温度範囲、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などを調整できる

成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。これらの化合物は、２、３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたベンゼン環を有する。成分Ｄの好ましい例として、化合物（６−１）〜（６−８）、化合物（７−１）〜（７−１７）、化合物（８−１）、化合物（９−１）〜（９−３）、化合物（１０−１）〜（１０−１１）、化合物（１１−１）〜（１１−３）、または化合物（１２−１）〜（１２−３）を挙げることができる。

これらの化合物（成分Ｄ）において、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の定義は、項９記載の式（６）〜（１２）と同じである。

成分Ｄは、誘電率異方性が負の化合物である。成分Ｄは、主としてＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｄのうち、化合物（６）は２環化合物であるので、主として、粘度の調整、光学的異方性の調整、または誘電率異方性の調整の効果がある。化合物（７）および（８）は３環化合物であるので、上限温度を高くする、光学的異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（９）〜（１２）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

ＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｄの含有量は、組成物の全重量に対して、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０〜９５重量％の範囲である。成分Ｄを誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分Ｄの含有量が組成物の全重量に対して３０重量％以下が好ましい。成分Ｄを添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

成分Ｅは、２つの末端基がアルキルなどである化合物である。成分Ｅの好ましい例として、化合物（１３−１）〜（１３−１１）、化合物（１４−１）〜（１４−１９）、または化合物（１５−１）〜（１５−７）を挙げることができる。

これらの化合物（成分Ｅ）において、Ｒ^１６およびＲ^１７の定義は、項１０記載の式（１３）〜（１５）と同じである。

成分Ｅは、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。化合物（１３）は、主として粘度の調整または光学的異方性の調整の効果がある。化合物（１４）および（１５）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学的異方性の調整の効果がある。

成分Ｅの含有量を増加させると組成物の粘度が小さくなるが、誘電率異方性が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。したがって、ＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物の全重量に対して、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

組成物（１）の調製は、必要な成分を高い温度で溶解させるなどの方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、泡消剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

組成物（１）は、少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加することができる。このキラルド−プ剤は液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。キラルド−プ剤の好ましい例として、化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｊは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２４は炭素数１〜１０のアルキルである。

組成物（１）は、このような光学活性化合物を添加して、らせんピッチを調整する。らせんピッチは、ＴＦＴモード用およびＴＮモード用の組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮモード用の組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＢＴＮモード用の組成物の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

組成物（１）は、重合可能な化合物を添加することによってＰＳＡモード用に使用することもできる。重合可能な化合物の例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどであり、好ましい例として、下記の化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）を挙げることができる。重合可能な化合物は、紫外線照射などにより重合する。光重合開始剤などの適切な開始剤の存在下で重合せさてもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。

化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）において、Ｒ^２０は水素またはメチルであり；ｓは０または１であり；ｔおよびｕは独立して、１〜１０の整数である。かっこに入れた記号Ｆは、水素またはフッ素を意味する。

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、化合物（ＡＯ−１）または（ＡＯ−２）；ＩＲＧＡＮＯＸ ４１５、ＩＲＧＡＮＯＸ ５６５、ＩＲＧＡＮＯＸ １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ ３１１４、またはＩＲＧＡＮＯＸ １０９８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）または（ＡＯ−４）；ＴＩＮＵＶＩＮ ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮ Ｐ、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２８、およびＴＩＮＵＶＩＮ ９９−２（商品名：ＢＡＳＦ社）；または１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）または（ＡＯ−６）；ＴＩＮＵＶＩＮ １４４、ＴＩＮＵＶＩＮ ７６５、またはＴＩＮＵＶＩＮ ７７０ＤＦ（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩＲＧＡＦＯＳ １６８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^２５は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^２６、または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^２６であり；Ｒ^２６は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）および（ＡＯ−５）において、Ｒ^２７は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、環Ｋおよび環Ｌは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、ｖは、０、１、または２であり、Ｒ^２８は、水素、メチル、またはＯ^・である。

組成物（１）は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ（guest host）モード用に使用することもできる。

組成物（１）では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによって上限温度を７０℃以上とすること、下限温度を−１０℃以下とすることができるので、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この組成物を含む液晶表示素子は広い温度範囲で使用することが可能である。

組成物（１）では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによって、光学異方性を０．１０〜０．１３の範囲、または０．０５〜０．１８の範囲とすることができる。同様にして、誘電率異方性を−５．０〜−２．０の範囲に調整することができる。好ましい誘電率異方性は、−４．５〜−２．５の範囲である。この範囲の誘電率異方性を有する組成物（１）は、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子に好適に使用することができる。

３．液晶表示素子
組成物（１）は、ＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡ、ＰＳＡ、ＦＰＡなどのモードを有するＡＭ素子およびＰＭ素子への使用が可能である。ＴＮ、ＯＣＢ、ＩＰＳモード、またはＦＦＳモードを有するＡＭ素子への使用は特に好ましい。ＩＰＳモードまたはＦＦＳモードを有するＡＭ素子において、電圧が無印加状態での液晶分子の配列がパネル基板に対して並行あるいは垂直であってもよい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）型の素子にも使用できる。

組成物（１）は、負の誘電率異方性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモード、またはＰＳＡモードなどの動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に好適に用いることができる。この組成物は、ＶＡモードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に、特に好適に用いることができる。

ＴＮモード、ＶＡモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。ＶＡモードで動作する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID ’97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997) に報告されている。ＩＰＳモードで動作する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：米国特許第５５７６８６７明細書）に報告されている。

実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれら実施例によっては制限されない。

１−１．化合物（１）の実施例
化合物（１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物の物性は、下記に記載した方法により測定した。

ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

測定試料
相構造および転移温度を測定するときには、液晶性化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物を母液晶に混合して調製した組成物を試料として用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、次の方法で測定を行った。化合物１０重量％と母液晶９０重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表わされる外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を５重量％：９５重量％、３重量％：９７重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１０重量％：９０重量％である。

母液晶としては、下記の母液晶（ｉ）を用いた。母液晶（ｉ）の成分の割合を重量％で示す。

測定方法
物性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；以下、ＪＥＩＴＡと略す）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ａ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

（２）転移温度（℃）
パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

（３）低温相溶性
化合物の割合が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶（または、スメクチック相）が析出しているかどうか観察をした。

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。試料が化合物と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物と成分Ｂなどとの混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。

（７）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０〜５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した値を用いた。

（８）光学的異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学的異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（９）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

（１０）弾性定数（Ｋ_１１およびＫ_３３；２５℃で測定；ｐＮ）
測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

（１１）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧である。

（１２）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

（１３）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
電圧保持率（ＶＨＲ−２）は、８０℃で測定した以外はＶＨＲ−１と同様の方法で求めた。

原料
ソルミックスＡ−１１（商品名）は、エタノール（８５．５重量％）、メタノール（１３．４重量％）とイソプロパノール（１．１重量％）の混合物であり、日本アルコール販売（株）から入手した。
［実施例１］

化合物（Ｎｏ．１−２−５）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、マグネシウム（２０．８ｇ）およびＴＨＦ（３０．０ｍｌ）を反応器に入れて、４５℃に加熱した。そこへ化合物（Ｔ−１）（１５０ｇ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶液を４５℃から５５℃の温度範囲でゆっくりと加え、２時間撹拌した。次に０℃に冷却し、化合物（Ｔ−２）（１２７ｇ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ２時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｔ−３）（１８８ｇ；９５％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３）（１８８ｇ）およびジクロロメタン（７５０ｍｌ）を反応器に入れて、−５０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（１４０ｍｌ）および三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２０５ｍｌ）をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込み、水層をジクロロメタンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−４）（１４５ｇ；８２％）を得た。

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−４）（１２０ｇ）およびＴＨＦ（１２００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；５００ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次にＤＭＦ（７７．４ｍｌ）をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製して、化合物（Ｔ−５）（５７．２ｇ；４３％）を得た。

第４工程
窒素雰囲気下、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２８６ｇ）およびＴＨＦ（８５０ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。そこへカリウムｔ−ブトキシド（８２．８ｇ）をゆっくりと加え、３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−５）（１６５ｇ）のＴＨＦ（８００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−６）（１７２ｇ；１００％）を得た。

第５工程
化合物（Ｔ−６）（１７２ｇ）、パラジウムカーボン触媒（５％Ｐｄ／ＣのＮＸタイプ（５０％湿潤品）；エヌ・イー・ケムキャット製；８．６２ｇ）、トルエン（５００ｍｌ）、およびソルミックス（登録商標）Ａ−１１（５００ｍｌ）を反応器に入れ、水素雰囲気下で１２時間撹拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−７）（１７０ｇ；９８％）を得た。

第６工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−７）（１３５ｇ）およびＴＨＦ（１０００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；５００ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−８）（９６．６ｇ）のＴＨＦ（３５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮して、化合物（Ｔ−９）（２１５ｇ；１００％）を得た。

第７工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−９）（２１５ｇ）、ＰＴＳＡ（パラトルエンスルホン酸一水和物）（６．４７ｇ）、およびトルエン（１０００ｍｌ）を反応器に入れて、留出してくる水を除去しつつ、１時間加熱還流を行った。反応混合物を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−１０）（２４４ｇ；８７％）を得た。

第８工程
化合物（Ｔ−１０）（２４４ｇ）、ラネーニッケル（２４．４ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）、およびＩＰＡ（２００ｍｌ）を反応器に入れ、水素雰囲気下で２４時間撹拌した。濾過により触媒を除去したのち、減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−１１）（２３６ｇ；９６％）を得た。

第９工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１１）（５０．０ｇ）およびＴＨＦ（２５００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；２３７ｍｌ）をゆっくりと加え、２時間撹拌した。次に塩化銅（II）（３５．６ｇ）を加え、１時間撹拌した。次にニトロベンゼン（２８．６ｍｌ）をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。さらにヘプタンとＩＰＡとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−２−５）（７．８３ｇ；１６％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．１０（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．８５（ｓ，２Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ）、２．６９（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、１．９５−１．８５（ｍ，４Ｈ）、１．７３−１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．５５−１．４４（ｍ，２Ｈ）、１．３８−１．２０（ｍ，９Ｈ）、１．１７−１．０５（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−５）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ １１０ （Ｓ_Ａ １００） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝８４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４５；誘電率異方性（Δε）＝−１０．４；粘度（η）＝１１７ｍＰａ・ｓ．
［実施例２］

化合物（Ｎｏ．１−２−６）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、実施例１の第７工程と同様の手法により合成した化合物（Ｔ−１２）（１９６ｇ）およびＴＨＦ（５０００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；１０００ｍｌ）をゆっくりと加え、３時間撹拌した。次に塩化鉄（III）（９２．１ｇ）を加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を１Ｎ塩酸に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。さらにヘプタンからの再結晶により精製して、化合物（１−２−６）（２５．２ｇ；１３％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０９（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．８３（ｓ，２Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ）、２．７０（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、１．９５−１．８５（ｍ，４Ｈ）、１．６８−１．５８（ｍ，２Ｈ）、１．５５−１．４４（ｍ，２Ｈ）、１．４４−１．２０（ｍ，１１Ｈ）、１．１６−１．０５（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−６）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ １０８ （Ｓ_Ａ １０２） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝８０．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４１；誘電率異方性（Δε）＝−９．７９；粘度（η）＝１２０ｍＰａ・ｓ．
［実施例３］

化合物（Ｎｏ．１−２−１５）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−４）（５０．０ｇ）およびＴＨＦ（９００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（０．９７Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；２１５ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−８）（４２．０ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｔ−１３）（４８．０ｇ；５６％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−１３）（４８．０ｇ）を原料として用い、実施例１の第７工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−１４）（４２．４ｇ；９３％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−１４）（４２．４ｇ）を原料として用い、実施例１の第８工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−１５）（４２．０ｇ；９９％）を得た。

第４工程
化合物（Ｔ−１５）（４２．０ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−１６）（４０．５ｇ；９０％）を得た。

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１７）（１９．１ｇ）およびＴＨＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。そこへカリウムｔ−ブトキシド（４．８０ｇ）をゆっくりと加え、３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−１６）（１５．０ｇ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製して、化合物（Ｔ−１８）（１７．５ｇ；１００％）を得た。

第６工程
化合物（Ｔ−１８）（１７．５ｇ）を原料として用い、実施例１の第５工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−１９）（１７．１ｇ；９７％）を得た。

第７工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−１９）（１７．１ｇ）、ギ酸（８５．５ｍｌ）、ＴＢＡＢ（テトラブチルアンモニウムブロミド）（３．３６ｇ）、およびトルエン（１７０ｍｌ）を反応器に入れて、１２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製して、化合物（Ｔ−２０）（１４．７ｇ；９４％）を得た。

第８工程
窒素雰囲気下、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１４．６ｇ）およびＴＨＦ（１１０ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。そこへカリウムｔ−ブトキシド（４．４１ｇ）をゆっくりと加え、３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−２０）（１４．７ｇ）のＴＨＦ（１１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−２１）（１１．０ｇ；７５％）を得た。

第９工程
化合物（Ｔ−２１）（８．８９ｇ）を原料として用い、実施例１の第９工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−２−１５）（１．１１ｇ；１３％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．１０（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ）、５．９２−５．８０（ｍ，１Ｈ）、５．０９−４．９８（ｍ，２Ｈ）、３．８５（ｓ，２Ｈ）、２．８９（ｔｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ）、２．８１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、２．４５−２．３６（ｍ，２Ｈ）、１．９５−１．８５（ｍ，４Ｈ）、１．５５−１．４４（ｍ，２Ｈ）、１．３８−１．２０（ｍ，９Ｈ）、１．１７−１．０６（ｍ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−１５）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ １１１ （Ｓ_Ａ １０２ Ｎ １０３） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９０．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１５０；誘電率異方性（Δε）＝−８．７６；粘度（η）＝１０５ｍＰａ・ｓ．
［実施例４］

化合物（Ｎｏ．１−２−４１）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ブチルアルデヒド（９．４５ｇ）およびトルエン（２００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへジメチルアルミニウムクロリド（１．００Ｍ；ｎ−ヘキサン溶液；１９．７ｍｌ）を加え３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−２２）（２５．０ｍｌ）をゆっくりと加え、３時間撹拌した。次に−４０℃に昇温した後、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）（４６．６ｇ）およびＤＭＦ（１５０ｍｌ）を加え、室温に戻しつつ１時間撹拌した。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：９）で精製して、化合物（Ｔ−２３）（９．４０ｇ；３３％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、実施例１の第５工程と同様の手法により合成した化合物（Ｔ−２４）（６．２５ｇ）およびＴＨＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；２１．８ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−２３）（４．９０ｇ）のＴＨＦ（５０．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製して、化合物（Ｔ−２５）（７．４３ｇ；６９％）を得た。

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２５）（７．４３ｇ）、ジエチル亜鉛（１．００Ｍ；ｎ−ヘキサン溶液；９．７９ｍｌ）、およびトルエン（１１０ｍｌ）を反応器に入れ、７５℃で３時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝８：１）で精製して、化合物（Ｔ−２６）（４．４５ｇ；７１％）を得た。

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２６）（４．４５ｇ）、ｐ−トルエンスルホニルヒドラジド（２．２１ｇ）、およびエタノール（１１０ｍｌ）を反応器に入れ、６０℃で３時間撹拌した。反応混合物を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、トルエン：酢酸エチル＝２０：１）で精製して、化合物（Ｔ−２７）（４．３３ｇ；７１％）を得た。

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２７）（４．１２ｇ）、水素化ホウ素ナトリウム（２．５２ｇ）、メタノール（４０．０ｍｌ）、およびエタノール（８０．０ｍｌ）を反応器に入れ、７５℃で６時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｔ−２８）（１．２５ｇ；４３％）を得た。

第６工程
化合物（Ｔ−２８）（１．２５ｇ）を原料として用い、実施例１の第９工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−２−４１）（０．３６ｇ；２９％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０９−７．０４（ｍ，２Ｈ）、４．０８−４．０２（ｍ，１Ｈ）、３．８６（ｓ，２Ｈ）、３．４７（ｔ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，１Ｈ）、３．４０−３．３３（ｍ，１Ｈ）、３．２６−３．１８（ｍ，１Ｈ）、２．７０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、２．０７−２．００（ｍ，１Ｈ）、１．８８−１．７６（ｍ，２Ｈ）、１．６８−１．５５（ｍ，３Ｈ）、１．５５−１．３０（ｍ，８Ｈ）、０．９８−０．８７（ｍ，６Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−４１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１７ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝５４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１２９；誘電率異方性（Δε）＝−１１．４；粘度（η）＝１４２ｍＰａ・ｓ．
［実施例５］

化合物（Ｎｏ．１−２−２２）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−１０）（１０．０ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−２−２２）（４．４３ｇ；４０％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．１１（ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．０４−５．９８（ｍ，１Ｈ）、３．８５（ｓ，２Ｈ）、２．６９（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、２．５４−２．２９（ｍ，３Ｈ）、１．９４−１．８０（ｍ，２Ｈ）、１．７３−１．５８（ｍ，３Ｈ）、１．４３−１．２５（ｍ，９Ｈ）、０．９８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−２２）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ １１１ Ｓ_Ａ １２７ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９９．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１８７；誘電率異方性（Δε）＝−１０．０；粘度（η）＝９８．１ｍＰａ・ｓ．
［実施例６］

化合物（Ｎｏ．１−２−５２）の合成

第１工程
化合物（Ｔ−７）（２０．７ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−２９）（１９．４ｇ；８５％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３０）（２０．５ｇ）およびＴＨＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れて、−３０℃に冷却した。そこへカリウムｔ−ブトキシド（４．３４ｇ）をゆっくりと加え、３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−２９）（１０．０ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−３１）（９．２３ｇ；６２％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−３１）（９．２３ｇ）を原料として用い、実施例１の第５工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３２）（８．６１ｇ；９３％）を得た。

第４工程
化合物（Ｔ−３２）（８．６１ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−２−５２）（３．１６ｇ；３７％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０５（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ）、３．８４（ｓ，２Ｈ）、２．７６−２．６５（ｍ，４Ｈ）、１．８５−１．６２（ｍ，６Ｈ）、１．５６−１．４７（ｍ，２Ｈ）、１．３５−１．１０（ｍ，１０Ｈ）、１．０２−０．８２（ｍ，１０Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−５２）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が３重量％：９７重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １２１ （Ｓ_Ａ １０５ Ｎ １０８） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９７．９℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１８７；誘電率異方性（Δε）＝−１１．１；粘度（η）＝９８．８ｍＰａ・ｓ．
［実施例７］

化合物（Ｎｏ．１−２−３１）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−７）（１７．７ｇ）およびＴＨＦ（２５５ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０３Ｍ；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液；６３．９ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次にヨウ素（１９．１ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ３時間撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−３３）（２５．３ｇ；９９％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３３）（６．００ｇ）、化合物（Ｔ−３４）（３．５３ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１７０ｇ）、炭酸カリウム（４．０６ｇ）、ＴＢＡＢ（０．９４８ｇ）、トルエン（３５．０ｍｌ）、ＩＰＡ（３５．０ｍｌ）、および水（３５．０ｍｌ）を反応器に入れて、３時間加熱還流を行った。反応混合物を水に注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｔ−３５）（４．７０ｇ；７５％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−３５）（４．７０ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−２−３１）（１．８４ｇ；３９％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．５０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３−７．２６（ｍ，３Ｈ）、７．０８（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）、３．９２（ｓ，２Ｈ）、２．７４−２．６１（ｍ，４Ｈ）、１．７５−１．６１（ｍ，４Ｈ）、１．４３−１．３０（ｍ，４Ｈ）、０．９９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）、０．９１（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−２−３１）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ ９７．１ Ｓ_Ａ １３２ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝８９．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．２２７；誘電率異方性（Δε）＝−９．８９；粘度（η）＝１０３ｍＰａ・ｓ．
［実施例８］

化合物（Ｎｏ．１−１−３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−２９）（３．２８ｇ）およびｎ−ヘキシルトリフェニルホスホニウムブロミド（４．５５ｇ）を原料として用い、実施例６の第２工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３６）（３．７１ｇ；８８％）を得た。

第２工程
化合物（Ｔ−３６）（３．７１ｇ）を原料として用い、実施例６の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３７）（３．２０ｇ；８４％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−３７）（３．２０ｇ）を原料として用い、実施例２の第１工程と同様の手法により、化合物（Ｎｏ．１−１−３）（０．９３ｇ；２９％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０５（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ）、３．８４（ｓ，２Ｈ）、２．７５−２．６５（ｍ，４Ｈ）、１．７３−１．５９（ｍ，４Ｈ）、１．４０−１．２３（ｍ，８Ｈ）、０．９８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）、０．８８（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．１−１−３）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ ９０．９ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝−１５．７℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４７；誘電率異方性（Δε）＝−１０．０；粘度（η）＝７３．２ｍＰａ・ｓ．

既に記載した化合物（１）の合成法および実施例１〜６に記載した合成手順に従って、以下に示す化合物（１−１−１）〜（１−１−１５）、化合物（１−２−１）〜（１−２−８０）、化合物（１−３−１）〜（１−３−４０）、または化合物（１−４−１）〜（１−４−７６）を合成できる。

［比較例１］
本願化合物が結合基に酸素原子を持たないことの効果を明らかにする為に、比較化合物として、−ＣＨ_２Ｏ−結合基を有する化合物（Ｓ−１−１）を合成した。この化合物は、特開平１０−２３６９９２号公報に記載されているからである。なお、特開平１０−２３６９９２号公報では両アルキル末端が共に−Ｃ_３Ｈ_７である対称形の化合物が記載されているが、ここでは融点等の比較を目的としている為、アルキル末端が−Ｃ_５Ｈ_１１および−Ｃ_３Ｈ_７である非対称形の化合物を合成した。

比較化合物（Ｓ−１−１）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３３）（１０．０ｇ）、炭酸カリウム（１９．８ｇ）、ＴＢＡＢ（３．０９ｇ）、およびＤＭＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、８０℃で３０分間撹拌した。次に化合物（Ｔ−３４）（１４．２ｇ）のＤＭＦ（５０．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、２時間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製して、化合物（Ｔ−３５）（１７．８ｇ；９９％）を得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ−３５）（１７．８ｇ）、およびジエチルエーテル（３００ｍｌ）を反応器に入れ、−７０℃に冷却した。そこへｎ−ブチルリチウム（１．５７Ｍ；ｎ−ヘキサン溶液；２７．６ｍｌ）をゆっくりと加え１時間撹拌した。次に化合物（Ｔ−２）（５．６２ｇ）のジエチルエーテル（５０．０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温に戻しつつ１時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（容積比、トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｔ−３６）（１６．１ｇ；９３％）を得た。

第３工程
化合物（Ｔ−３６）（１６．１ｇ）を原料として用い、実施例１の第２工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３７）（１３．７ｇ；８８％）を得た。

第４工程
化合物（Ｔ−３７）（１３．７ｇ）を原料として用い、実施例１の第３工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３８）（１１．０ｇ；７５％）を得た。

第５工程
化合物（Ｔ−３８）（６．００ｇ）を原料として用い、実施例１の第４工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−３９）（６．０９ｇ；９９％）を得た。

第６工程
化合物（Ｔ−３９）（６．０９ｇ）を原料として用い、実施例１の第５工程と同様の手法により、化合物（Ｔ−４０）（５．４８ｇ；９０％）を得た。

第７工程
化合物（Ｔ−４０）（５．４８ｇ）を原料として用い、実施例１の第９工程と同様の手法により、化合物（Ｓ−１−１）（１．０３ｇ；１９％）を得た。

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０３（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．８７（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ）、３．８４（ｓ，２Ｈ）、２．６７（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、１．９７−１．９０（ｍ，２Ｈ）、１．８８−１．７７（ｍ，３Ｈ）、１．７２−１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．３６−１．１６（ｍ，９Ｈ）、１．１５−１．０２（ｍ，２Ｈ）、１．０１−０．８６（ｍ，８Ｈ）．

化合物（Ｎｏ．Ｓ−１−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が３重量％：９７重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １５７ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９７．９℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４７；誘電率異方性（Δε）＝−１３．１；粘度（η）＝９８．９ｍＰａ・ｓ．

実施例１〜６で得られた化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、（１−２−４１）、（１−２−２２）、および（１−２−５２）と比較化合物（Ｓ−１−１）の相転移温度を比較すると、化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、（１−２−４１）、（１−２−２２）、および（１−２−５２）の方が、融点が低い。また、化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、（１−２−２２）、および（１−２−５２）は、降温過程で液晶相が発現するのに対し、比較化合物（Ｓ−１−１）は高い結晶性の影響で液晶相が発現しなかった。

さらに、化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、（１−２−４１）、（１−２−２２）、および（１−２−５２）と比較化合物（Ｓ−１−１）の他の化合物との相溶性を比較すると、化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、および（１−２−２２）は母液晶に１０％加えることが出来るのに対し、比較化合物（Ｓ−１−１）は３％しか加えることが出来なかった。以上の結果より、化合物（１−２−５）、（１−２−６）、（１−２−１５）、（１−２−４１）、（１−２−２２）、および（１−２−５２）の方が、低い融点と高い相溶性を有し、より広い温度範囲で使用可能な優れた化合物であることが分かった。

１−２．組成物（１）の実施例
実施例により本発明の液晶組成物（１）を詳細に説明する。実施例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表１において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を外挿することなくそのまま記載した。

［実施例７］
５−ＨＦＬＦ４−３ （１−２−５） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １０％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ７％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１５） １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１５） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （３−８０） １０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （３−８０） １０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （３−８０） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （１５−５） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （１５−５） ７％
ＮＩ＝９４．９℃；Δｎ＝０．１８８；Δε＝７．６；η＝４１．１ｍＰａ・ｓ．

［実施例８］
５−ＨＦＬＦ４−４ （１−２−６） ３％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １５％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％
ＮＩ＝１００．６℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝４．１；η＝２０．６ｍＰａ・ｓ．

［実施例９］
５−ＨＦＬＦ４−２Ｖ （１−２−１５） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １６％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１５−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ２％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
ＮＩ＝１１２．１℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝３．２；η＝２０．０ｍＰａ・ｓ．

［実施例１０］
３−ＤｈＦＬＦ４−５ （１−２−４１） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２７） １０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ （４−１７） ２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （１５−１） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１５−１） ４％
ＮＩ＝９３．８℃；Δｎ＝０．１１５；Δε＝８．３；η＝３６．７ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００重量部に化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５重量部添加したときのピッチは６４．３μｍであった。

［実施例１１］
５−ｃｈＦＬＦ４−３ （１−２−２２） ３％
５−ＨＢ−Ｆ （２−２） １２％
６−ＨＢ−Ｆ （２−２） ９％
７−ＨＢ−Ｆ （２−２） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （３−３） ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （３−５） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ９％
５−ＨＢＢＨ−３ （１５−１） ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （１５−２） ３％
ＮＩ＝８５．７℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝３．９；η＝１６．９ｍＰａ・ｓ．

［実施例１２］
５−Ｈ２ＦＬＦ４−３ （１−２−５２） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
ＮＩ＝７７．４℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝８．０；η＝２３．３ｍＰａ・ｓ．

［実施例１３］
５−ｄｈＦＬＦ４−３ （１−２−４８） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ６％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１３） ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１９） １５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （３−２１） ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （３−２１） １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２１） ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２６） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２６） １０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ５％

［実施例１４］
５−Ｂ（Ｆ）ＦＬＦ４−３ （１−２−３７） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ （１３−２） ２０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ７％

［実施例１５］
４−ＦＬＦ４−３ （１−１−１） ３％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） ６％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １８％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ （１３−１） ３０％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１４−１７） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （１４−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１４−１７） ４％

［実施例１６］
５−ＨＦＬＦ４Ｈ−３ （１−３−１） ３％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ４１％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （１４−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−９７） １１％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％

［実施例１７］
５−ＨＨＦＬＦ４−３ （１−４−１） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−５７） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ４１％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （１４−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−９７） ６％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１１３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。この組成物は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する。したがって、この素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用できる。

Claims (10)

1. 式（１−５）〜（１−７）のいずれか１つで表される化合物。
   
   

   

   
   
   式（１−５）〜（１−７）において、
   Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
   式（１−６）において、
   環Ａ ^２ は、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
   式（１−７）において、
   環Ａ ^２ は、１，４−シクロへキシレンである。
   
2. 式（１−１３）〜（１−１７）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。
   
   

   

   
   
   式（１−１３）〜（１−１７）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素である。
   
3. 式（１−２３）〜（１−２５）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物。
   
   

   

   
   式（１−２３）〜（１−２５）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜７のアルキルまたは炭素数２〜７のアルケニルである。
4. 請求項１〜３に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。
5. 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項４に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（２）〜（４）において、
   Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
   環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
   Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。
6. 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項４または請求項５に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（５）において、
   Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
   環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
   Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
   ｉは、１、２、３、または４である。
7. 式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項４〜６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（６）〜（１２）において、
   Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   Ｓ^１１は水素またはメチルであり；
   Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
   環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
   環Ｄ^５、および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
   Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
   Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
   ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。
8. 式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項４〜７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（１３）〜（１５）において、
   Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルまたはアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。
9. 重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、請求項４〜８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
10. 請求項４〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。