JP6482282B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスを封止する電子部品に関するものである。

従来から携帯電話や携帯情報端末機器には、表面実装型の電子部品が多く用いられている。このうち、水晶振動子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ジャイロセンサーや加速度センサー等の電子部品は、ベース基板及びリッド基板で構成されるパッケージの内部にキャビティを形成しこのキャビティに電子デバイスを封入して、密閉することによって形成される（特許文献１参照）。

このパッケージは、ベース基板に形成された貫通孔の開口部の周囲に、引き出し電極を有する。引き出し電極は、貫通孔の内部に形成される外部電極と電気的に接続される。これにより、ベース基板及びリッド基板のうち、キャビティ外部に形成された貫通孔の開口部の周囲が密閉する。そのため、キャビティの気密が保たれた状態になっている。

特許第５１３４３５７号公報

しかし、従来のパッケージの構造では課題がある。パッケージの引き出し電極は、ベース基板の上面に導電性材料をパターニングして形成される。一方、外部電極は、ベース基板の下面側から貫通孔の内部を導電性材料により塞ぐことで形成される。この場合、貫通孔の開口端で引き出し電極と外部電極とを接続する必要がある。しかし、このような構造では、貫通孔の開口端で引き出し電極と外部電極とを接続させ難いため、両電極の間の導通が取りにくく、断線してしまうという問題がある。また、引き出し電極用の導電性材料を、エッチング等のプロセスによりパターニングする場合、貫通孔の開口部の周囲の導電性材料が除去されてしまう可能性がある。また、外部電極は、ベースの下面側から導電性材料を貫通孔の内部に形成するため、ベース基板の上面の貫通孔の開口部の周囲まで形成し難い。この状態で、貫通孔の内部に外部電極を形成しても、引き出し電極が貫通孔の開口端まで形成されていないため、両電極の間の導通を取ることは難しい。これでは、電子デバイスが機能しない。

本発明に係る電子部品は、第一の基板と、前記第一の基板と接合され、前記第一の基板との間にキャビティを形成する第二の基板と、前記キャビティの内部に封止される電子デバイスと、を有する電子部品において、前記キャビティの周方向外部であって前記第一の基板及び前記第二の基板の接合面の間に配置され、前記第一の基板と前記第二の基板とを接合する接合膜と、前記キャビティの周方向外部に位置し、前記第一の基板または前記第二の基板のうち一方の基板の前記接合面から当該接合面と対向する面までを貫通する貫通孔と、前記貫通孔の内側面から前記一方の基板の前記接合面と対向する面まで形成された金属膜で構成される外部電極と、前記キャビティの内部に形成され、前記電子デバイスと電気的に接続されるマウント電極と、前記マウント電極と電気的に接続される引き出し電極とを備え、前記引き出し電極は、前記貫通孔の前記接合面側の開口部周縁を囲うとともに、前記第一の基板と前記第二の基板とを接合し、前記マウント電極と電気的に接続されるマウント電極接続部と、前記貫通孔の前記開口部を覆い、前記外部電極及び前記マウント電極接続部と接続される外部電極接続部と、を有することを特徴とする。

本発明により、マウント電極接続部が第一の基板と第二の基板とを接合し、外部電極接続部が貫通孔の開口部を覆う構造になっている。そのため、キャビティの気密を保ちつつ、マウント電極と外部電極とを確実に導通することができる。これにより、キャビティ内部の気密を保ちつつ、電子デバイスから外部電極まで確実に導通することができるため、電子デバイスの特性を良好に保つ電子部品を提供することができる。

また、前記外部電極は、さらに前記貫通孔の内部を埋める封止部を有してもよい。
また、前記封止部は、前記接合面と対向する面に形成された金属膜の上層にも積層され、前記金属膜の上層に積層された封止部を覆うコーティング膜を有してもよい。
また、前記マウント電極接続部は、前記第一の基板と前記第二の基板とを陽極接合する金属で形成してもよい。

また、前記外部電極接続部は、前記マウント電極接続部よりも耐腐食性の高い金属で形成してもよい。
また、前記マウント電極接続部は、前記第一の基板と前記第二の基板とを共晶接合又は金属拡散接合可能な金属で形成されてもよい。

本発明により、キャビティ内部の気密を保ちつつ、電子デバイスから外部電極まで確実に導通することができるため、電子デバイスの特性を良好に保つ電子部品を提供することができる。

本発明の一実施形態による電子部品の一例を示す外観斜視図である。 図１に示す電子部品の内部構成図であって、第二の基板側から見た図である。 図１に示すＡ−Ａ線の断面矢視図である。 図１に示す電子部品の分解斜視図である。 図１に示す電子部品の製造工程を説明するためのフローチャートである。 図１に示す電子部品の製造方法を示す断面図である。 図１に示す電子部品の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による電子部品の別の一例（変形例１）の内部構成図であって、第二の基板側から見た図である。 図８に示すＢＢ線の断面矢視図である。 本発明の一実施形態による電子部品の別の一例（変形例２）の断面矢視図である。 本発明の一実施形態による電子部品の別の一例（変形例３）の断面矢視図である。 本発明の一実施形態による電子部品の別の一例（変形例３）の断面矢視図である。 本発明の一実施形態による電子部品の別の一例（変形例４）の分解斜視図である。 図１３に示す電子部品の断面矢視図である。 図１３に示す電子部品の製造工程を説明するためのフローチャートである。 図１６に示す電子部品の製造工程を説明するための断面図である。 図１３に示す電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

（第１実施形態）
以下、本発明に係る一実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
「電子部品の構成」
図１は、本発明の一実施形態による電子部品の一例を示す外観斜視図である。図２は、図１に示す電子部品の内部構成図であって、第二の基板側から見た図である。図３は、図１に示すＡ−Ａ線の断面矢視図である。図４は、図１に示す電子部品の分解斜視図である。

本実施形態の電子部品１は、図１から図４に示すように、第一の基板２と第二の基板３とで２層構造に形成されており、キャビティＣの内部に電子デバイス４が収納された表面実装型パッケージである。

すなわち、電子部品１は、第一の基板２と、第一の基板２と接合し、第一の基板２との間にキャビティＣを形成する第二の基板３と、キャビティＣの内部に封止される電子デバイス４と、を有する。また、電子部品１は、キャビティＣの外部の第一の基板２及び第二の基板３の接合面の間に配置され、第一の基板２と第二の基板３とを接合する接合膜１０を有する。また、電子部品１は、キャビティＣの外部の接合膜１０よりキャビティＣ側に位置し、第一の基板２または第二の基板３のうち一方の基板の接合面から接合面の反対の面まで貫通する貫通孔１１（１２、１３、１４）を有する。また、電子部品１は、貫通孔１１（１２、１３、１４）の内側面から一方の基板の接合面の反対の面まで形成された金属膜で構成される外部電極１５（１６、１７、１８）を有する。また、電子部品１は、キャビティＣの内部に形成され、電子デバイス４と電気的に接続するマウント電極５（６、７、８）を有する。また、電子部品１は、マウント電極５（６、７、８）と電気的に接続する引き出し電極２７（２８、２９、３０）とを有する。また、引き出し電極２７（２８、２９、３０）は、キャビティＣの外部の接合膜１０よりキャビティＣ側の部分に形成され、貫通孔１１（１２、１３、１４）の接合面側の開口部を囲うとともに、第一の基板２と第二の基板３とを接合し、マウント電極５（６、７、８）と電気的に接続するマウント電極接続部１９（２０、２１、２２）と、貫通孔の開口部を覆い、外部電極１５（１６、１７、１８）及びマウント電極接続部１９（２０、２１、２２）と接続する外部電極接続部２３（２４、２５、２６）と、を有する。

第一の基板２は、ガラス材料、たとえばホウケイ酸ガラスやソーダガラス、セラミックのような絶縁性の基板、あるいは局所的に絶縁分離処理を施したシリコン基板から成る。また第一の基板２は、第二の基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。

第二の基板３は、板状に形成されるとともに、ガラス材料、たとえばホウケイ酸ガラスやソーダガラス、セラミックのような絶縁性の基板、あるいは局所的に絶縁分離処理を施したシリコン基板から成る。そして、第二の基板３の第一の基板２が接合される接合面側には、電子デバイス４が収まる上面視矩形状の凹部９が形成されている。この凹部９は、両基板２、３が重ね合わされたときに、電子デバイス４を収容するキャビティＣとなる。

なお、本実施形態では、第二の基板３側にこの凹部９が形成されている場合を例に挙げて説明するが、第一の基板２側に形成されていても構わないし、両方の基板２、３にそれぞれ形成されていても構わない。

電子デバイス４は、例えば圧電振動片、受光素子、発光素子、加速度センサー、ＭＥＭＳおよびその他の素子の少なくとも１つまたは複数で構成される。
また、接合膜１０は、第二の基板３のキャビティＣと同じ面のキャビティＣの外部に成膜され、パターニングされている。また、接合膜１０は、キャビティＣの周囲を囲むように第二の基板３の接合面の周縁に沿って環状に形成されている。上述した接合膜１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や金スズ合金（ＡｕＳｎ）、金タンタル（ＡｕＴａ）等により形成される。これにより、接合膜１０は、陽極接合や金スズ接合、金属拡散接合等のプロセスにより第一の基板２および第二の基板３を接合することができる。なお、本実施形態では、後述の「電子部品の製造方法」において、アルミニウム（Ａｌ）を用いた陽極接合で電子部品を製造する場合を例に上げて説明する。

貫通孔は、本実施形態において、貫通孔１１、１２、１３、１４の４つで構成される。また、各貫通孔は、キャビティＣの外部に位置するとともに、接合膜１０よりキャビティＣ側に位置する。また、各貫通孔は、第一の基板２の接合面から反対の面まで貫通する。また、各貫通孔は、接合膜１０により囲まれた部分に形成されている。外部電極１５、１６、１７、１８は、それぞれ貫通孔１１、１２、１３、１４の内側面から第一の基板２の接合面と反対の面まで形成されている。また、本実施形態において、各外部電極は、第１の基板２の接合面と反対の面の各貫通孔の周囲まで形成されている。また、外部電極は、導電性を持ち、かつはんだ等により電子回路基板に接続されたときに十分な強度を得られるようにするため、スパッタ、めっきや導電樹脂材の積層構造により形成されることが好ましい。

マウント電極５、６、７、８は、キャビティＣの内部に形成され、電子デバイス４と電気的に接続する。また、各マウント電極は、第一の基板２の接合面に成膜され、パターニングされている。また、各マウント電極は、電子デバイス４を導電接着剤、金バンプ、ワイヤー等を介して実装する。なお、各マウント電極は、両基板のうち、電子デバイス４を実装する基板に形成されていればよく、必ずしも第一の基板２に形成されなくてもよい。

引き出し電極２７、２８、２９、３０は、それぞれマウント電極５、６、７、８と電気的に接続する。また、引き出し電極２７、２８、２９、３０は、第一の基板２及び第二の基板３の接合面の接合する部分に形成される。本実施形態においては、各引き出し電極は、第二の基板３に成膜され、パターニングされている。また、引き出し電極２７、２８、２９、３０は、それぞれマウント電極接続部１９、２０、２１、２２と外部電極接続部２３、２４、２５、２６とで構成されている。

マウント電極接続部１９、２０、２１、２２は、それぞれ貫通孔１１、１２、１３、１４の接合面側の開口部を囲う。また、各マウント電極接続部は、第一の基板２と第二の基板３とを接合する。また、マウント電極接続部１９、２０、２１、２２は、それぞれマウント電極５、６、７、８と電気的に接続する。

また、外部電極接続部２３、２４、２５、２６は、それぞれ貫通孔１１、１２、１３、１４の接合面側の開口部を覆う。また、外部電極接続部２３、２４、２５、２６は、それぞれ外部電極１５、１６、１７、１８と接続する。また、外部電極接続部２３、２４、２５、２６は、それぞれマウント電極接続部１９、２０、２１、２２と接続する。

また、本実施形態では、各外部電極が、各貫通孔の内側面から各外部電極接続部の第二の基板３側の面と反対の面まで覆っている。これにより、さらに各外部電極と各マウント電極とが確実に導通する。なお、本実施形態に限らず、各外部電極は、各貫通孔の内側面に形成され、各外部電極接続部と接続していればよい。

なお、本実施形態では、マウント電極接続部と外部電極接続部は同一の材料で形成しているが、外部電極接続部２３、２４、２５、２６が貫通孔１１、１２、１３、１４の開口部を覆ってあれば別の材料で形成しても構わない。

また、本実施形態では、引き出し電極は、貫通孔を形成する基板ではなく反対の基板に全体が成膜されている。これにより、マウント電極接続部と外部電極接続部とが別々の基板に形成する必要がなくなる。ただし、引き出し電極は、必ずしも貫通孔を形成する基板と異なる基板に全体が成膜される必要はなく、少なくとも貫通孔に対向する外部電極接続部が、貫通孔を形成する基板と異なる基板に形成されていればよい。

また、本実施形態では、マウント電極が４端子により成る場合を例に挙げて説明するが、電子デバイス４に必要とする電極の端子数に応じて増加・減少しても構わない。この場合、マウント電極の端子数に応じて、各電極の個数も増加・減少する。

また、本実施形態では、すべての外部電極が貫通孔の内側面に形成されているが、これに限られない。例えば、１つの外部電極は、マウント電極から両基板の接合面の端まで引き回される引き回し電極と接続する構成でもよい。この場合、引き回し電極の一部が接合膜を構成してもよい。

第一の基板２及び第二の基板３は、接合膜１０及び各マウント電極接続部によって接合されている。つまり、接合膜１０は第二の基板３の周縁に沿って第一の基板２及び第二の基板３を囲んでおり、これらの内部は接合により強固に密着している。また、第一の基板２に形成された各貫通孔の開口部の周囲は各マウント電極接続部により第二の基板３と接合されており、強固に密着している。強固に密着した接合部分の内部は気密が保たれているため、キャビティＣを含むパッケージの内部の気密は保たれた状態となっている。
さらに、貫通電極接続部は貫通孔の開口部を覆っているため、外部電極が貫通電極接続部と確実に導通することができる。

「電子部品の製造方法」
次に、上述した実施形態における電子部品の製造方法について図５、図６、図７を参照しながら説明する。図５は、図１に示す電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図６、図７は、図１に示す電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。なお、図６、７に示す断面図は、図１のＡＡ線の断面と同じ断面を示す図である。本実施形態では、ウエハにおいて複数の電子部品を一括して形成する。

まず、第一の基板２の形成工程について説明する（Ｓ１００）。本実施形態では第一の基板２は、ガラス材料で形成する。
まず、第一の基板２を所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する研磨、洗浄、エッチング工程を行う（Ｓ１）。図６（Ｓ１）は、研磨、洗浄、エッチング工程を行った第一の基板２の一部分を示す図である。

次に、第一の基板２の所定の位置に貫通孔１１、１２、１３、１４を形成する貫通孔形成工程を行う（Ｓ２）。貫通孔形成工程において、第一の基板２をドライフィルムやフォトレジスト等により貫通孔以外の部分をマスクし、マスクしていない部分をブラスト加工やエッチング等により除去する。その後マスクを除去し、加工部を洗浄形成する。これにより、各貫通孔を形成する。図６（Ｓ２）は、第一の基板２に各貫通孔を形成した図である。

次に、第一の基板２の所定の位置にマウント電極５、６、７、８を形成するマウント電極形成工程を行う（Ｓ３）。各マウント電極は例えばスパッタ等でクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）の積層構造を形成することにより形成される。図６（Ｓ３）は、第一の基板２の所定の位置にマウント電極５、６、７、８を形成した図である。

次に、形成したマウント電極５、６、７、８に電子デバイス４をマウントするマウント工程を行う（Ｓ４）。本実施形態では、金（Ａｕ）バンプで形成された電極接続部をマウント電極上に形成する。そして、電子デバイス４の電極部と金（Ａｕ）バンプを超音波接合により接着させる。これにより、各マウント電極に電子デバイス４をマウントする。図６（Ｓ４）は、各マウント電極に電子デバイス４をマウントした図である。

次に、第二の基板３の形成工程について説明する（Ｓ２００）。本実施形態では第二の基板３は、ガラス材料で形成される。
まず、第二の基板３を所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する研磨、洗浄、エッチング工程を行う（Ｓ５）。図６（Ｓ５）は、研磨、洗浄、エッチング工程を行った第二の基板３の一部分を示す図である。次に、第二の基板３に凹部９を形成する凹部形成工程を行う（Ｓ６）。凹部形成工程において、第二の基板３をドライフィルムやフォトレジスト等により凹部以外の部分をマスクし、マスクしていない部分をブラスト加工やエッチング等により除去する。その後マスクを除去し、加工部を洗浄する。これにより、凹部９を形成する。凹部９は、キャビティＣを形成するためのものである。図６（Ｓ６）は、第二の基板３に凹部９を形成した図である。

次に、第二の基板３の凹部９を形成した面の所定の位置に接合膜１０を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ７）。接合膜１０は、第二の基板３の凹部９から離間した位置に形成される。本実施例では、アルミニウム（Ａｌ）膜をスパッタにより第ニの基板３の凹部９を形成した面に堆積させたあと、フォトレジストにより接合膜に対応する部分をマスクし、マスクしていない部分をエッチングにより除去する。これにより接合膜１０を形成する。図６（Ｓ７）は、第二の基板３に接合膜１０を形成した図である。

次に、引き出し電極２７、２８、２９、３０を形成する引き出し電極形成工程を行う（Ｓ８）。引き出し電極形成工程において、本実施例では第二の基板３の接合膜１０を形成した面に、アルミニウム（Ａｌ）膜をスパッタにより堆積させたあと、フォトレジストにより引き出し電極に対応する部分をマスクし、マスクしていない部分をエッチングにより除去する。これにより、引き出し電極を形成する。引き出し電極は、第二の基板３の接合膜１０を形成した面において、接合膜１０と凹部９との間に形成される。図６（Ｓ８）は、各引き出し電極を第二の基板３に形成した図である。

また、本実施例では、接合膜１０及び各引き出し電極のマウント電極接続部を用いて、陽極接合により第一の基板２および第二の基板３を接合する。そのため、引き出し電極形成工程において、接合膜１０および各マウント電極接続部を電気的に接続するように加工する。例えば、引き出し電極形成工程において、引き出し電極と接合膜とを接続する接続部を引き出し電極とともに形成する。なお、接合膜形成工程及び引き出し電極形成工程を同一工程で行ってもよい。この際、接続部も同時に形成する。
また、各マウント電極接続部と各外部電極接続部とが別の材料で形成される場合、引き出し電極形成工程において、それぞれ別々に形成する。

次に、第一の基板２および第二の基板３を接合により電子デバイスを封止する接合工程を行う（Ｓ９）。図７（Ｓ９）は、接合工程を示す図である。接合工程において、本実施例では第一の基板２および第二の基板３の位置合わせを行った後に両基板を密着させる。この際、図７（Ｓ９）に示すように、第二の基板の凹部９の外部で、各マウント電極接続部の一部と各マウント電極の一部とが重なって接続する。なお、図３に示すように、各マウント電極は、各マウント電極接続部と重ねる部分を有する。この各マウント電極接続部と重ねる部分は、平面視において、電子デバイスを実装する部分より、幅が小さく形成されている。各マウント電極接続部と接続する部分と各マウント電極接続部とが重なると、マウント電極接続部側の重なっている部分と他の部分とで段差が生じる可能性がある。図４に示すような構成であれば、両方の重なる部分が小さくなり、確実に電気的に接続することができる。
また、この時、第二の基板に外部電極接続部が形成されるため、外部電極接続部が貫通孔の開口部と対向する位置にも形成することができる。

その後、真空チャンバー内で基板を加熱し、接合膜１０に陽極を配置し、第一の基板２にカーボンやステンレス等の陰極３１を配置する。これにより、陽極と陰極との間に電圧を印加し、陽極接合を行う。陽極接合を行うことで、第一の基板２が接合膜１０と接合され、貫通孔１１、１２、１３、１４の周囲の各マウント電極接続部が接合される。そのため、キャビティＣ内部が密封される。真空中での加工のため、内部のキャビティは真空度が保たれる。

次に、第一の基板２に外部電極１５、１６、１７、１８を形成する外部電極形成工程を行う（Ｓ１０）。第一の基板２に形成した各貫通孔の内側面および第二の基板３に形成した各外部電極接続部を覆うように各外部電極を形成する。本実施形態として、まず、クロム（Ｃｒ）およびニッケル（Ｎｉ）の積層構造の下地膜をスパッタ等により形成後、下地膜上に約２〜５μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）めっき膜を形成する。最後にニッケルめっき膜上に半田の濡れ性をよくするため、金（Ａｕ）等を薄くめっきして形成する。これにより、各外部電極を形成する。図７（Ｓ１０）は、第一の基板２に外部電極を形成した図である。

次に、両基板を切断する切断工程を行う（Ｓ１１）。本実施形態では電子部品のサイズに合わせてダイシングを行い、個々の電子部品に個片化する。
最後に、電子部品の外観および電気特性を検査する検査工程を行う（Ｓ１２）。これにより、電子部品を形成する。図７（Ｓ１１）は、個片化した電子部品を示す図である。

以上、本実施形態に係る電子部品１及び当該電子部品１の製造方法によると、マウント電極接続部が第一の基板と第二の基板とを接合し、外部電極接続部が貫通孔の開口部を覆う構造になっている。そのため、キャビティの気密を保ちつつ、マウント電極と外部電極とを確実に導通することができる。これにより、キャビティ内部の気密を保ちつつ、電子デバイスから外部電極まで確実に導通することができるため、電子デバイスの特性を良好に保つ電子部品を提供することができる。

また、各マウント電極接続部は、第一の基板２と第二の基板３とを陽極接合する金属で形成している。これにより、各マウント電極接続部は第一の基板２と第二の基板３との間を陽極接合することができる。このため、第一の基板２と第二の基板３は接合膜１０によりキャビティＣの外部を接合して封止することができるとともに、各マウント電極接続部により各貫通孔の周囲を接合して封止することができる。したがって、キャビティＣ内部の気密を確実に保つ事ができるため、キャビティＣ内部に封止される電子デバイス４の特性を安定に保つことが出来る。

なお、引き出し電極形成工程Ｓ８において、必ずしも接続部を形成しなくてもよい。この場合、例えば、各マウント電極接続部による接合は、各引き出し電極に電極用プローブ等を接して、直接電圧を印加することで行うことができる。

また、上記「電子部品の製造方法」では説明を省略したが、引き出し電極形成工程Ｓ８において、接続部を形成した場合、接合工程Ｓ９を実施した後、外部電極形成工程Ｓ１０を実施する前に、接続部を除去する接続部除去工程を行う。当該接続部除去工程は、両基板のいずれかをガラス材料で形成した場合、例えばレーザー光を外部から接続部の位置する部分に向けて照射することで実現される。すると、レーザー光はこの基板を透過して、接続部に照射される。これにより、接続部が除去され、接合膜と引き出し電極とが電気的に絶縁される。なお、接続部は、接合膜と引き出し電極とが電気的に絶縁されれば、完全に除去する必要はなく、一部だけでも除去されればよい。

また、接合工程において陽極接合を用いる場合、各外部電極接続部は、各マウント電極接続部より耐腐食性を有する金属で形成してもよい。例えば、各外部電極接続部は、シリコンの単層又はシリコン及びクロムの積層で構成される。

各外部電極接続部は各貫通孔の開口部を覆っているため、より外部の環境にさらされやすい部分である。この構成の場合、各マウント電極接続部は、耐腐食性を有する各外部電極接続部により、貫通孔の開口部を介した腐食を起こしにくくすることが出来る。そのため、リーク等による電子部品の特性劣化を防止することができる。

また、接合膜は、陽極接合による接合工程でなければ、導体でなくてもよく、両基板を接合すればよい。例えば、接合膜は樹脂等で形成してもよい。また、マウント電極接続部は、両基板と接合するとともに、導体で構成されていればよい。

（変形例１）
上記実施形態１では、第一の基板２側に貫通孔を形成する場合を例に挙げて説明したが、第二の基板３側に形成されていても構わない。図８、図９は、電子部品の別の一例（変形例１に係る電子部品）を示す図である。なお、図１乃至図４と同様の構成については説明を省略する。図８は、本発明の一実施形態による電子部品の別の一例の内部構成図であって、第二の基板側から見た図である。図９は、図８に示すＢＢ線の断面矢視図である。

変形例１に係る電子部品では、第一の基板２側に貫通孔が形成されないため、図９に示すように、各マウント電極接続部１９（２０、２１、２２）は、第一の基板２の接合面上に形成される。さらに、外部電極接続部２３（２４、２５、２６）を含む引き出し電極２７（２８、２９、３０）全体を、第一の基板２の接合面上に形成することができる。また、接合膜１０も第一の基板２の接合面上に形成することができる。この場合、図６のＳ３に係るマウント電極形成工程において、各マウント電極１９の他に、接合膜１０、引き出し電極２７を同時に第一の基板２へ形成することができるので、図６のＳ７に係る接合膜形成工程とＳ８に係る引出電極形成工程とを省略することができる。

また、各貫通孔は、第二の基板３の凹部９の周方向外部に形成される。さらに、各外部電極は、第二の基板３の各貫通孔の内側面から第二の基板３の接合面と反対の面まで形成される。この際、本変形例１においては、各外部電極１５（１６、１７、１８）は、貫通孔１１（１２、１３、１４）の内壁、及び各外部電極接続部の第一の基板２側の面と反対の面をめっき膜で覆っている。ただし、各外部電極は、各外部電極接続部と接続していればよいため、各外部電極接続部の第一の基板２側の面と反対の面に形成されなくてもよい。

以上、本変形例に係る電子部品１によると、図１乃至図４に示す第１実施形態の電子部品に比べて、マウント電極、接合膜、引き出し電極とを第二の基板３の同一面に形成することができるため、これらを容易に形成することができる。

（変形例２）
上記変形例１では、各外部電極は、貫通孔の内壁のみを覆うように構成したが、本変形例２のように、さらに貫通孔の内部を埋める封止部を有してもよい。図１０は、本発明の一実施形態による電子部品の別の一例の断面矢視図である。

本変形例では、図１０に示すように、各外部電極は、各貫通孔の内側面から第二の基板３の接合面と反対の面（対向面）まで形成されるニッケル膜からなるめっき膜３３と、めっき膜３３を覆って各貫通孔の内部を封止する封止部３１を有する。また、本変形例では、めっき膜３３は、外部電極接続部の第一の基板２側の面と反対の面を覆っている。
めっき膜３３は、貫通孔１１に沿っておよそ２μｍ程度の厚さの無電解ニッケルめっき膜で形成される。

また、封止部３１は、めっき膜３３を覆うように、例えば銀ペーストを主剤とした導電性樹脂を貫通孔の内部に充填して形成される。
これにより、ガラス基板のような脆性材を基板に用いる場合は、封止部３１で貫通孔の内部を埋めてしまうことにより、各基板にかかる応力を減少させることができる。また、貫通孔の内部の被覆性を高めることができるため、耐環境性を上げることができる。

また、各外部電極ははんだ付けにより回路基板等に実装される際に、半田と共晶を形成し強固に接合される。この際に、基板に強い応力がかかり貫通孔からパッケージにクラックが生じることがある。貫通孔の内部を埋める封止部を設ける事により、応力によるクラックの影響を抑制するとともに、封止部により気密を保ち、外部からの水分等の侵入を防ぐことにより外部電極接続部の腐食を抑えることが出来る。

また、封止部３１は、第二の基板３の接合面と反対の面を覆うめっき膜３３の表面を覆うことにより、回路基板等に実装する際にかかる応力等をさらに減少することができる。なお、封止部３１はこの部分に必ずしも形成される必要はない。この場合でも、封止部３１が貫通孔の内部を埋めるため、各基板にかかる応力を減少させることができる。

また、本変形例では、各外部電極は、さらに、第二の基板３の接合面と反対の面側の最表面上に封止部３１を覆うようにコーティング膜３２が形成される。コーティング膜３２は、ニッケルめっき、金めっき等で形成する。
これにより、はんだ等により回路基板等に実装する際、半田濡れ性を向上することができる。

（変形例３）
貫通電極、電子デバイス等の配置関係は、第１実施形態に例示したものに限らず適宜の変更が可能であり、例えば、本変形例３のように配置しても良い。ここで、図１１、図１２は、本発明の一実施形態による電子部品の別の一例の断面矢視図である。図３と同様の構成の部分は、説明を省略する。

図１１に示す通り、第一の基板２の表面に、各接合膜、各引き出し電極が形成される。また、各貫通電極は、第二の基板３に形成される。また、各マウント電極は、第二の基板３の接合面のうち、凹部９に隣接する部分に各マウント電極接続部と重なる部分が形成される。また、各マウント電極は、各マウント電極接続部と重なる部分から凹部９の側面を介して凹部９の底面まで形成される。また、電子デバイスは、凹部９の底面に形成された各マウント電極のマウント部に電子デバイスが実装される。これにより、第一の基板２は、貫通孔の形成等の加工をする必要がないため、形成が容易になる。

また、図１２に示す電子部品は、図３と異なり、また、各マウント電極は、第二の基板３の接合面のうち、凹部９に隣接する部分に各マウント電極接続部と重なる部分が形成される。また、各マウント電極は、各マウント電極接続部と重なる部分から凹部９の側面を介して凹部９の底面まで形成される。また、電子デバイスは、凹部９の底面に形成された各マウント電極のマウント部に電子デバイスが実装される。なお、第一の基板２は図３に示す電子部品と同様の構成である。（変形例４） 第1実施形態においては、陽極接合による接合工程を行う場合を例示したが、必ずしもこの工法には限定されない。例えば、接合工程は、金−スズ系、金−シリコン系や金−ゲルマニウム系等の金基の半田を用いた共晶接合であってもよい。また、接合工程は、金タンタル（ＡｕＴａ）等を用いた金属拡散接合であっても良い。

以下、本変形例では、接合工程として上記金属拡散接合を行う場合について図１３〜図１７を用いて説明する。
金属拡散接合を行う場合、接合膜１０及びマウント電極接続部１９〜２２は、第一の基板２と第二の基板３とを接合する上で、第一の基板２及び第二の基板３の接合面のどちらか、もしくは両方に形成されていてもよい。本変形例では、図１３や図１４に示すように、第一の基板２及び第二の基板３の接合面の両方に接合膜１０及びマウント電極接続部１９〜２２を形成する場合を例示する。
ここで、図１３は、本変形例による電子部品の分解斜視図である。図１４は図１３に示す電子部品の断面矢視図である。図３と同様の構成の部分は、説明を省略する。

本変形例では、接合膜１０及び引き出し電極２７として金タンタル等の薄膜を用いる。接合膜１０及び引き出し電極２７は、第一の基板２及び第二の基板３の接合面の接合する部分と、マウント電極や外部電極との接続部分と、にタンタル、金を積層して堆積させた後、フォトレジストにより接合膜及び引き出し電極に対応する部分をマスクし、マスクしていない部分をエッチングにより除去して形成される。 次いで、本変形例に係る電子部品１の製造方法について、図１５〜図１７を用いて説明する。図１５は図１３に示す電子部品の製造工程を示すフローチャートである。図１６、図１７は図１３に示す電子部品の製造工程を説明するための断面図である。なお、本変形例に係る電子部品１の製造工程のうち、第１実施形態にて説明した工程と同一工程については、同一符号を付して説明を省略する。

ここで、図１５に示すフローチャートにおいて、図５に示すフローチャートと相違する点は、マウント電極形成工程（Ｓ３）とマウント工程（Ｓ４）の間に、接合膜／マウント電極接続部形成工程（Ｓ１３）が存在する点、図５における接続膜形成工程（Ｓ７）と引き出し電極形成工程（Ｓ８）に替えて、接合膜／マウント電極接続部形成工程（Ｓ１４）が存在する点、接合工程（Ｓ１９）として金属拡散接合がなされる点である。

すなわち、本変形例においては、図１５（Ｓ１３）や図１６（Ｓ１３）に示すように、第一の基板２の第二の基板３との接合面において、接合膜１０とマウント電極接続部１９、２０、２１、２２を同一工程で形成することが出来る。また、図１５（Ｓ１４）や図１６（Ｓ１４）に示すように、第二の基板３においては接合膜１０と引き出し電極２７、２８、２９、３０を同一工程で形成することが出来る。なお、（Ｓ１３）や（Ｓ１４）において、これら接合膜１０とマウント電極接続部、接合膜１０と引き出し電極、を構成する金タンタル等の薄膜は、上述の積層された金タンタルに対するエッチングプロセスにより形成される。また、（Ｓ１４）において、接合膜１０及び引き出し電極２７は同一工程で形成してもよいし、各々を順々に形成する工程を採用してもよい。

また、本変形例における接合工程では、図１７（Ｓ１９）のように、第一の基板２の第二の基板３とのの接合面同士を位置合わせした後に、真空中あるいは雰囲気中で加圧・加熱して接合を行うことで実現される。

以上、本変形例によると、接合膜や引き出し電極に金タンタル等の金属拡散接合可能な金を含む材料を用いることができるので、接合膜や引き出し電極に高い耐腐食性を持たせることができる。また、本変形例によると、エッチングプロセスによって、金属拡散接合用の接合膜と引き出し電極とを基板の接合面上に一度に形成することが出来るので、工程を簡略化出来る。

これらの実施形態や変形例において、第一の基板及び第二の基板の材料や、電子部品は、回路基板等の他の基板に実装する際の設計等に応じて選択することができる。

１ 電子部品
２ 第一の基板
３ 第二の基板
４ 電子デバイス
５、６、７、８ マウント電極
９ 凹部
１０ 接合膜
１１、１２、１３、１４ 貫通孔
１５、１６、１７、１８ 外部電極
１９、２０、２１、２２ マウント電極接続部
２３、２４、２５、２６ 外部電極接続部
２７、２８、２９、３０ 引き出し電極
３１ 陰極
Ｃ キャビティ

Claims (6)

1. 第一の基板と、前記第一の基板と接合され、前記第一の基板との間にキャビティを形成する第二の基板と、前記キャビティの内部に封止される電子デバイスと、を有する電子部品において、
   前記キャビティの周方向外部で前記第一の基板と前記第二の基板とを接合する接合膜と、
   前記キャビティの周方向外部に位置し、前記第一の基板または前記第二の基板のうち一方の基板の接合面から当該接合面と対向する面までを貫通する貫通孔と、
   前記貫通孔の内側面から前記一方の基板の前記接合面と対向する面まで形成された金属膜で構成される外部電極と、
   前記キャビティの内部に形成され、前記電子デバイスと電気的に接続されるマウント電極と、
   前記マウント電極と電気的に接続される引き出し電極とを備え、
   前記引き出し電極は、前記貫通孔の前記接合面側の開口部周縁を囲うとともに、前記第一の基板と前記第二の基板とを接合し、前記マウント電極と電気的に接続されるマウント電極接続部と、前記貫通孔の前記開口部を覆い、前記外部電極及び前記マウント電極接続部と接続される外部電極接続部とを有し、
   前記キャビティの外部で前記マウント電極と前記マウント電極接続部の一部とが重なり、当該重なり部分は、平面視において、前記電子デバイスを実装する部分より、幅が小さく形成されていることを特徴とする電子部品。
2. 前記外部電極は、さらに前記貫通孔の内部を埋める封止部を有することを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記封止部は、前記接合面と対向する面に形成された金属膜の上層にも積層され、
   前記金属膜の上層に積層された封止部を覆うコーティング膜を有することを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
4. 前記マウント電極接続部は、前記第一の基板と前記第二の基板とを陽極接合する金属で形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品。
5. 前記外部電極接続部は、前記マウント電極接続部よりも耐腐食性の高い金属で形成されることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
6. 前記マウント電極接続部は、前記第一の基板と前記第二の基板とを共晶接合又は拡散接合可能な金属で形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品。

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